KR950012753A - 박막형 반도체장치 및 그 제작방법 - Google Patents

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Abstract

절연기판상에 박막트랜지스터(TFT)를 형성하는 공정에 있어서, 실리콘 반도체상에 게이트 전극을 형성하고, 게이트 전극을 양극산화하며, 노출된 실리콘 반도체를 덮고, 몰리브덴, 텅스텐, 플라티나(백금), 크롬, 티탄, 코발트 등의 금속 피막을 형성하며 이 피막에 대하여 윗쪽 또는 기판측에에서 레이저등의 강광을 조사하는 것에 의하여 상기 금속피막과 실리콘을 반응시켜서 실리사이드를 얻고, 이 실리사이드에 의하여 소스/드레인의 실질적인 저항을 저감시킨다. 또한, 개략 삼각형상의 절연물(109)에 의하여 자기 정합적으로 금속 티탄등의 실리사이드를 형성하기 쉬운 금속피막을, 표면을 노출한 소스, 드레인 영역 (103)에 밀착시켜, 상기 금속피막과 소스, 드레인 영역을 반응시켜서 금속 실리사이드층(111)을 얻는다. 이 금속 실리사이드층은 소스, 드레인과 양호한 콘택트를 갖고, 더구나, 저항율이 소스, 드레인에 이용되어 있는 실리콘보다도 극히 작기 때문에 박막트랜지스터의 소스, 드레인의 기생 저항은 상기 금속 실리사이드 영역(111)과 채널 형성 영역(104)의 거리X(=절연물(179)의 폭)에 의하여 결정되며, 상기 절연물(109)의 폭을 바람직하게는 1㎛이하로 하는 것에 의해 소스/드레인 영역의 기생저항을 낮추고 TFT의 특성을 향상시킬 수 있다.

Description

박막형 반도체장치 및 그 제작방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (17)

  1. 절연기판상에 P형 또는 N형의 2개의 실리콘 반도체의 불순물 영역과, 그 불순물 영역간에 있는 실질적으로 진성, 또는 그 불순물 영역과는 반대의 도전형의 실리콘 반도체로 이루어지는 활성층과 그 활성층의 위에 있는 게이트 반도체로 이루어지는 활성층과 그 활성층의 위에 있는 게이트 절연막과, 그 게이트 절연막에 밀착하여 존재하는 게이트 전극과, 게이트 전극의 적어도 측면에 존재하는 게이트 전극을 구성하는 재료의 적어도 하나로 이루어지는 양극산화물과, 상기 2개의 불순물 영역의 위에 밀착하여 형성되고 상기 불순물 영역과 실질적으로 같은 형상을 한 금속과 실리콘으로 이루어진 층형의 실리사이드 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 반도체 장치.
  2. 절연기판상에 선택적으로 실리콘 반도체층을 형성하는 공정과, 상기 실리콘 반도체 상에 게이트 절연막으로서 기능하는 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막으로서 기능하는 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연상막에 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극의 적어도 측면에 양극산화물을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극 및 양극산화물을 마스크로하여 자기 정합적으로 상기 실리콘 반도체에 불순물을 주입하여 불순물 영역(소스 및 드레인)을 형성하는 공정과, 상기 절연막의 일부를 제거하여 상기 불순물 영역의 표떤을 노출시키는 공정과, 전면에 금속막을 형성하는 공정과, 금속막에 강광을 조사하여 상기 금속과 실리콘을 화합시켜 실리사이드를 형성하는 공정과, 상기 금속막중 미반응의 것을 제거하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 반도체 장치의 제작방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 실리사이드는 상기 절연기판의 표면에 이르기까지 형 성되는 것을 특징으로 하는 박막형 반도체 장치의 제작방법.
  4. 절연기판상에 선택적으로 실리콘 반도체층을 형성하는 공정과, 상기 실리콘 반도체상에 게이트 절연막으로서 기능하는 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극을 마스크로해서 자기정합적으로 상기 실리콘 반도체에 불순물을 주입하여 불순물 영역(소스 및 드 레인)을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극의 적어도 측면에 양극산화물을 형성하는 공정과, 상기 절연막의 일부를 제거하여 상기 불순물 영역의 표면을 노출시키는 공정과, 전면에 금속막을 형성하는 공정과, 금속막에 강광을 조사하여 상기 금속과 실리콘을 화합시켜 실리사이드를 형성하는 공정과, 상기 금속막 중 미반응의 것을 제거하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 반도체 장치의 제작방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 실리사이드는 상기 절연기판의 표면에 이르기까지 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 반도체 장치의 제작방법.
  6. 절연기판상에 선택적으로 실리콘 반도체층을 형성하는 공정과, 상기 실리콘 반도체막에 게이트 절연막으로서 기능하는 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극의 적어도 측면에 양극산화물을 형성하는 공정과, 상기 절연막의 일부를 제거하여 상기 불순물 영역의 표면을 노출시키는 공정과, 전면에 금속막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극 및 양극산화물을 마스크로해서 자기정합적으로 상기 실리콘 반도체에 불순물을 주입하여 불순물영역(소스 및 드레인)을 형성하는 공정과, 금속막에 강광을 조사하여 상기 금속과 실리콘을 화합시켜, 실리사이드를 형성하는 공정과, 상기 금속막중 미 반응의 것을 제거하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 반도체 장치의 제작 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 실리사이드는 상기 절연기판의 표면에 이르기까지 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 반도체 장치의 제작방법.
  8. 절연기판상에 선택적으로 실리콘 반도체층을 형성하는 공정과, 상기 실리콘 반도체상에 게이트 절연막으로 기능하는 절연막을 형성하는 공정과. 상기 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극의 적어도 측면에 양극산화물을 형성하는 공정과, 상기 절연막의 일부를 제거하여 상기 불순물 영역의 표면을 노출시키는 공정과, 전면에 금속막을 형성하는 공정과, 금속막에 강광을 조사하여 상기 금속과 실리콘을 화합시켜 실리사이드를 형성하는 공정과, 상기 금속막중 미반응의 것을 제거하는 공정과, 상기 게이트 전극 및 양극산화물을 마스크로해서 자기정합적으로 상기 실리콘 반도체에 불순물을 주입하여 불순물영역 (소스 및 드레인)을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 반도체 장치의 제작방법.
  9. 게이트 전극 측면의 절연층에 밀접하게 개략 삼각형상의 절연물이 설치되고, 소스/드레인 영역 표면에는 실리사이드층이 형성되어 있으며, 상기 절연물에 의하여 소스 영역 및 드레인 영역으로의 콘택트 위치가 정해져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제9항에 있어서, 게이트 전극은 알루미늄을 주성분으로 하고 있으며, 절연층은 알루미늄의 산화물인것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 게이트 전극 측면에 밀접하게 개략 삼각형상의 절연물이 설치되고, 그 절연물에 의하여 소스 영역 및 드레인 영역으로의 콘택트 위치가 정해져 있으며, 소스/드레인 영역 표면에는 실리사이드층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막형 반도체 장치.
  12. 게이트 전극을 덮고 절연물을 형성하는 공정과, 이방성 에칭을 행하는 것에 의하여 상기 절연물을 에칭하여 게이트 전극 측면에 개략 삼각형상의 절연물을 잔존시킴과 아울러, 소스영역, 드레인 영역을 노정(露呈)시키는 공정과, 노정된 소스/드레인 영역 표면에 실리사이드층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 반도체 장치의 제작방법.
  13. 소스/드레인 영역과 채널 형성 영역이 형성되는 반도체층 상에 게이트 절연막을 구성하는 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 공정과, 소스/드레인 영역으로 되는 반도체층을 노정하는 공정과, 그 공정에 의하여 노정된 반도체층 표면에 실리사이드층을 형성하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제작방법.
  14. 박막트랜지스터에 있어서, 게이트 전극 측면의 제1의 절연층에 밀접하여 개략 삼각형상의 제2의 절연물이 설치되고, 소스/드레인 영역의 적어도 일부에 실리사이드층이 형성되어 있으며, 상기 제2의 절연물 아래에 존재하는 소스/드레인 영역에는 실질적으로 실리사이드층이 형성되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  15. 제14항에 있어서, 게이트 전극은 알루미늠을 주성분으로 하고 있으며, 제1의 절연층은 주로 알루미늄의 산화물로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  16. 제14항에 있어서 실리사이드는 티탄을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  17. 게이트 전극의 적어도 측면에 선택적으로 게이트 전극을 구성하는 원소를 포함하는 제1의 절연물을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극 및 그 표면의 제1의 절연물을 덮고, 제2의 절연물을 형성하는 공정과, 이방성 에칭을 행하는 것에 의해, 상기 제2의 절연물을 에칭하여 게이트 전극 측면에 개략 삼각형상의 절연물을 잔존시키는 공정과, 소스 영역, 드레인 영역의 표면을 상기 개략 삼각형상의 절연물에 맞추어 노정시키는 공정과, 노정된 소스/드레인 영역 표면에 실리사이드층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 박막형 반도체 장치의 제작방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP92-297650 1992-10-09
JP4297650A JPH06124962A (ja) 1992-10-09 1992-10-09 薄膜状半導体装置およびその作製方法
JP17271193A JP3252990B2 (ja) 1993-06-18 1993-06-18 半導体装置およびその作製方法
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Publications (2)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100400288B1 (ko) * 1996-12-31 2003-12-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법

Families Citing this family (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6683697B1 (en) * 1991-03-20 2004-01-27 Millenium L.P. Information processing methodology
US5643801A (en) * 1992-11-06 1997-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method and alignment
US6544825B1 (en) 1992-12-26 2003-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a MIS transistor
US6410374B1 (en) 1992-12-26 2002-06-25 Semiconductor Energy Laborartory Co., Ltd. Method of crystallizing a semiconductor layer in a MIS transistor
JPH0730125A (ja) * 1993-07-07 1995-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
TW297142B (ko) 1993-09-20 1997-02-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5719065A (en) 1993-10-01 1998-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device with removable spacers
JP3256084B2 (ja) * 1994-05-26 2002-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路およびその作製方法
US6906383B1 (en) * 1994-07-14 2005-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacture thereof
TW395008B (en) * 1994-08-29 2000-06-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor circuit for electro-optical device and method of manufacturing the same
US6670640B1 (en) * 1994-09-15 2003-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing semiconductor device
JP3469337B2 (ja) * 1994-12-16 2003-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3778456B2 (ja) 1995-02-21 2006-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型薄膜半導体装置の作製方法
TW335503B (en) * 1996-02-23 1998-07-01 Semiconductor Energy Lab Kk Semiconductor thin film and manufacturing method and semiconductor device and its manufacturing method
TW374196B (en) 1996-02-23 1999-11-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor thin film and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same
TW317643B (ko) * 1996-02-23 1997-10-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JPH10104663A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置およびその作製方法
JPH10135475A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JPH10284438A (ja) * 1997-04-02 1998-10-23 Toshiba Corp 半導体集積回路及びその製造方法
US6686623B2 (en) 1997-11-18 2004-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Nonvolatile memory and electronic apparatus
CN1284251C (zh) * 1998-05-08 2006-11-08 三星电子株式会社 使化合物半导体层激活成为p－型化合物半导体层的方法
JP4053136B2 (ja) * 1998-06-17 2008-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 反射型半導体表示装置
JP2000012864A (ja) 1998-06-22 2000-01-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US6262461B1 (en) 1998-06-22 2001-07-17 Motorola, Inc. Method and apparatus for creating a voltage threshold in a FET
JP3592535B2 (ja) * 1998-07-16 2004-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6271101B1 (en) 1998-07-29 2001-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device
US6559036B1 (en) * 1998-08-07 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4476390B2 (ja) 1998-09-04 2010-06-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6451644B1 (en) * 1998-11-06 2002-09-17 Advanced Micro Devices, Inc. Method of providing a gate conductor with high dopant activation
TW444257B (en) * 1999-04-12 2001-07-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for fabricating the same
US6370502B1 (en) * 1999-05-27 2002-04-09 America Online, Inc. Method and system for reduction of quantization-induced block-discontinuities and general purpose audio codec
TW480722B (en) * 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
US6448594B1 (en) * 2000-03-30 2002-09-10 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for processing a semiconductor device
US6734071B1 (en) * 2000-08-30 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Methods of forming insulative material against conductive structures
GB0024294D0 (en) * 2000-10-04 2000-11-15 Univ Cambridge Tech Solid state embossing of polymer devices
KR100737910B1 (ko) * 2000-11-27 2007-07-10 삼성전자주식회사 폴리실리콘형 박막트랜지스터 제조방법
JP2002208592A (ja) * 2001-01-09 2002-07-26 Sharp Corp 絶縁膜の形成方法、半導体装置、製造装置
KR100554763B1 (ko) * 2001-01-29 2006-02-22 세이코 엡슨 가부시키가이샤 반도체 장치, 회로 기판, 전기 광학 장치 및 전자기기
KR100491141B1 (ko) * 2001-03-02 2005-05-24 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법과 이를 이용한 액티브매트릭스형 표시소자 및 그의 제조방법
DE10141352A1 (de) * 2001-08-23 2003-06-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Halbleiters
JP3610436B2 (ja) * 2001-12-12 2005-01-12 松下電器産業株式会社 可変容量素子の製造方法
KR100447893B1 (ko) * 2001-12-26 2004-09-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 제조방법
US6783591B1 (en) * 2002-08-06 2004-08-31 Advanced Micro Devices, Inc. Laser thermal annealing method for high dielectric constant gate oxide films
JP4342826B2 (ja) * 2003-04-23 2009-10-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体素子の作製方法
US6887751B2 (en) * 2003-09-12 2005-05-03 International Business Machines Corporation MOSFET performance improvement using deformation in SOI structure
US20050124128A1 (en) * 2003-12-08 2005-06-09 Kim Hag D. Methods for manufacturing semiconductor device
US7026713B2 (en) * 2003-12-17 2006-04-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor device having a delafossite material
US7288480B2 (en) * 2004-04-23 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit and method for manufacturing the same, CPU, memory, electronic card and electronic device
US20060045425A1 (en) * 2004-09-02 2006-03-02 Tomohiko Kanie Wavelength-selectable device and optical communication system including the same
TWI382455B (zh) * 2004-11-04 2013-01-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US7575959B2 (en) 2004-11-26 2009-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8716834B2 (en) * 2004-12-24 2014-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including antenna
US20060197088A1 (en) * 2005-03-07 2006-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2006295025A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Sharp Corp 半導体装置およびその製造方法
US7550382B2 (en) * 2005-05-31 2009-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device, evaluation method of semiconductor device, and semiconductor device
KR100658286B1 (ko) * 2005-08-11 2006-12-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 평판표시장치
US20070054442A1 (en) * 2005-09-08 2007-03-08 Po-Chih Liu Method for manufacturing thin film transistor, thin film transistor and pixel structure
US7719030B2 (en) * 2006-03-29 2010-05-18 International Rectifier Corporation Aluminum alloys for low resistance, ohmic contacts to III-nitride or compound semiconductor
US7696024B2 (en) * 2006-03-31 2010-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20070298623A1 (en) * 2006-06-26 2007-12-27 Spencer Gregory S Method for straining a semiconductor device
TWI319211B (en) * 2006-12-13 2010-01-01 Univ Nat Taiwan Mobility enhancement of thin film transistor by strain technology
JP5352081B2 (ja) * 2006-12-20 2013-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5415001B2 (ja) * 2007-02-22 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7569886B2 (en) * 2007-03-08 2009-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacture method thereof
KR101453829B1 (ko) * 2007-03-23 2014-10-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그 제조 방법
JP5512930B2 (ja) 2007-03-26 2014-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5512931B2 (ja) * 2007-03-26 2014-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20080094300A (ko) * 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101440930B1 (ko) * 2007-04-20 2014-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Ｓｏｉ 기판의 제작방법
EP1993127B1 (en) * 2007-05-18 2013-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of SOI substrate
KR100875432B1 (ko) * 2007-05-31 2008-12-22 삼성모바일디스플레이주식회사 다결정 실리콘층의 제조 방법, 이를 이용하여 형성된박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치
KR100889626B1 (ko) * 2007-08-22 2009-03-20 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 이를 구비한유기전계발광표시장치, 및 그의 제조방법
KR100889627B1 (ko) * 2007-08-23 2009-03-20 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 구비한유기전계발광표시장치
JP5527956B2 (ja) * 2007-10-10 2014-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板の製造方法
US7982272B2 (en) * 2008-03-26 2011-07-19 Advanced Lcd Technologies Development Center Co., Ltd. Thin-film semiconductor device and method for manufacturing the same
KR100982310B1 (ko) 2008-03-27 2010-09-15 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치
KR100989136B1 (ko) * 2008-04-11 2010-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치
KR101002666B1 (ko) * 2008-07-14 2010-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치
TWI626744B (zh) * 2008-07-31 2018-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
US20100032759A1 (en) * 2008-08-11 2010-02-11 International Business Machines Corporation self-aligned soi schottky body tie employing sidewall silicidation
US7821068B2 (en) * 2008-08-18 2010-10-26 Xerox Corporation Device and process involving pinhole undercut area
US8158513B2 (en) * 2008-10-08 2012-04-17 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Integrated circuit system employing backside energy source for electrical contact formation
US8227867B2 (en) * 2008-12-23 2012-07-24 International Business Machines Corporation Body contacted hybrid surface semiconductor-on-insulator devices
KR102221207B1 (ko) 2009-09-04 2021-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
CN103025746A (zh) 2010-01-26 2013-04-03 道康宁公司 制备有机卤代硅烷的方法
CN102844322B (zh) 2010-05-28 2015-09-23 道康宁公司 制备二有机二卤代硅烷的方法
KR20130079350A (ko) 2010-05-28 2013-07-10 다우 코닝 코포레이션 오르가노할로실란의 제조
CN103052595A (zh) 2010-09-08 2013-04-17 道康宁公司 制备三卤代硅烷的方法
BR112013013894A2 (pt) 2010-12-17 2016-09-13 Dow Corning método para fabricação de um tri-halossilano
BR112013014581A2 (pt) 2010-12-17 2019-09-24 Dow Corning método para a fabricação de um diorgano-di-halossilano
JP2014507416A (ja) 2011-01-25 2014-03-27 ダウ コーニング コーポレーション ジオルガノジハロシランの調製方法
TW201322341A (zh) 2011-11-21 2013-06-01 Ind Tech Res Inst 半導體元件以及其製造方法
CN102522429A (zh) * 2011-12-28 2012-06-27 华南理工大学 一种基于金属氧化物的薄膜晶体管及其制备方法和应用
US8995218B2 (en) 2012-03-07 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9292243B2 (en) * 2012-06-21 2016-03-22 Sanford, L.P. User interface for a label printer
CN104736547A (zh) 2012-08-13 2015-06-24 道康宁公司 通过使氢、卤硅烷和有机卤化物在铜催化剂上以两步法反应制备有机卤硅烷的方法
KR102082629B1 (ko) 2012-10-16 2020-02-28 다우 실리콘즈 코포레이션 할로겐화 실라하이드로카르빌렌의 제조 방법
DE102012109937A1 (de) 2012-10-18 2014-04-24 Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Beaufschlagung einer Innenseite eines Zylinders mit Licht sowie Strahltransformationsvorrichtung für eine derartige Vorrichtung
US20150087144A1 (en) * 2013-09-26 2015-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus and method of manufacturing metal gate semiconductor device
CN105705507B (zh) 2013-11-12 2018-08-31 美国陶氏有机硅公司 制备卤代硅烷的方法
CN103942900B (zh) * 2014-04-29 2017-10-10 Tcl集团股份有限公司 一种公共场所的社交系统
US10081643B2 (en) 2014-12-18 2018-09-25 Dow Silicones Corporation Method for producing aryl-functional silanes
CN207468189U (zh) * 2017-09-21 2018-06-08 广东电网有限责任公司惠州供电局 一种压阻式mems温度传感器
US10642077B1 (en) * 2018-11-20 2020-05-05 Elenion Technologies, Llc Lateral MOSCAP phase adjuster

Family Cites Families (110)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US34658A (en) * 1862-03-11 Improvement in cooking-stoves
JPS4995592A (ko) 1973-01-12 1974-09-10
JPS54153583A (en) 1978-05-25 1979-12-03 Agency Of Ind Science & Technol Semiconductor device
JPS5683935A (en) 1979-12-12 1981-07-08 Sony Corp Formation of metal layer
JPS5694671A (en) 1979-12-27 1981-07-31 Fujitsu Ltd Manufacture of mis field-effect semiconductor device
US4336550A (en) * 1980-03-20 1982-06-22 Rca Corporation CMOS Device with silicided sources and drains and method
USRE34658E (en) 1980-06-30 1994-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device of non-single crystal-structure
JPS5799775A (en) * 1980-12-12 1982-06-21 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
US4622735A (en) * 1980-12-12 1986-11-18 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing a semiconductor device utilizing self-aligned silicide regions
DE3272410D1 (en) 1981-02-16 1986-09-11 Fujitsu Ltd Method of producing mosfet type semiconductor device
JPS584180A (ja) * 1981-06-30 1983-01-11 セイコーエプソン株式会社 アクテイブマトリクス基板
JPS5823479A (ja) * 1981-08-05 1983-02-12 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US4378628A (en) * 1981-08-27 1983-04-05 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Cobalt silicide metallization for semiconductor integrated circuits
JPS5895877A (ja) * 1981-12-01 1983-06-07 Semiconductor Res Found 半導体光電変換装置
FR2527385B1 (fr) 1982-04-13 1987-05-22 Suwa Seikosha Kk Transistor a couche mince et panneau d'affichage a cristaux liquides utilisant ce type de transistor
JPS59110114A (ja) * 1982-12-15 1984-06-26 Matsushita Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JPS59110115A (ja) 1982-12-16 1984-06-26 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US4570328A (en) 1983-03-07 1986-02-18 Motorola, Inc. Method of producing titanium nitride MOS device gate electrode
KR910006249B1 (ko) * 1983-04-01 1991-08-17 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 반도체 장치
US4619034A (en) 1983-05-02 1986-10-28 Ncr Corporation Method of making laser recrystallized silicon-on-insulator nonvolatile memory device
US4554572A (en) * 1983-06-17 1985-11-19 Texas Instruments Incorporated Self-aligned stacked CMOS
JPH0693509B2 (ja) 1983-08-26 1994-11-16 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ
JPH0656839B2 (ja) 1984-03-28 1994-07-27 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JPS60245174A (ja) * 1984-05-18 1985-12-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製方法
US4727044A (en) 1984-05-18 1988-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making a thin film transistor with laser recrystallized source and drain
JPS6156460A (ja) 1984-08-28 1986-03-22 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
JPS61183971A (ja) 1985-02-08 1986-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ
US5166086A (en) 1985-03-29 1992-11-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film transistor array and method of manufacturing same
US4931411A (en) 1985-05-01 1990-06-05 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit process with TiN-gate transistor
JPS6232653A (ja) 1985-08-05 1987-02-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜トランジスタの製造方法
JPS6254960A (ja) * 1985-09-04 1987-03-10 Nec Corp Ｍｉｓ形電界効果トランジスタ
US4707721A (en) 1986-02-20 1987-11-17 Texas Instruments Incorporated Passivated dual dielectric gate system and method for fabricating same
JPH0828510B2 (ja) 1987-01-20 1996-03-21 富士通株式会社 薄膜トランジスタの形成方法
JPH0687503B2 (ja) 1987-03-11 1994-11-02 株式会社日立製作所 薄膜半導体装置
JPS63314862A (ja) 1987-06-17 1988-12-22 Nec Corp 薄膜トランジスタの製造方法
JPS63318779A (ja) * 1987-06-22 1988-12-27 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US4755478A (en) 1987-08-13 1988-07-05 International Business Machines Corporation Method of forming metal-strapped polysilicon gate electrode for FET device
JPH01114070A (ja) * 1987-10-28 1989-05-02 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPH01160009A (ja) 1987-12-16 1989-06-22 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US4965213A (en) 1988-02-01 1990-10-23 Texas Instruments Incorporated Silicon-on-insulator transistor with body node to source node connection
JPH0734749B2 (ja) * 1988-02-03 1995-04-19 日本碍子株式会社 エリスリトールの製造方法
US5248623A (en) 1988-02-19 1993-09-28 Nippondenso Co., Ltd. Method for making a polycrystalline diode having high breakdown
JP2752424B2 (ja) * 1988-05-11 1998-05-18 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2653099B2 (ja) * 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル，投写型表示装置及びビューファインダー
JPH0228377A (ja) * 1988-06-09 1990-01-30 Fujitsu Ltd 半導体装置、電界効果トランジスタ、および、キャパシタの製造方法
US4899202A (en) * 1988-07-08 1990-02-06 Texas Instruments Incorporated High performance silicon-on-insulator transistor with body node to source node connection
JPH0242419A (ja) * 1988-08-02 1990-02-13 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPH0283941A (ja) 1988-09-21 1990-03-26 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
US5180690A (en) * 1988-12-14 1993-01-19 Energy Conversion Devices, Inc. Method of forming a layer of doped crystalline semiconductor alloy material
JPH02207537A (ja) * 1989-02-08 1990-08-17 Hitachi Ltd 薄膜半導体装置の製造方法
JPH077773B2 (ja) * 1989-03-01 1995-01-30 工業技術院長 半導体装置の製造方法
US5245207A (en) 1989-04-21 1993-09-14 Nobuo Mikoshiba Integrated circuit
JP2731236B2 (ja) 1989-05-09 1998-03-25 三菱電機株式会社 薄膜結晶層を有する半導体装置の製造方法
US4923822A (en) * 1989-05-22 1990-05-08 Hewlett-Packard Company Method of fabricating a semiconductor device by capping a conductive layer with a nitride layer
US4951100A (en) 1989-07-03 1990-08-21 Motorola, Inc. Hot electron collector for a LDD transistor
US5194405A (en) * 1989-07-06 1993-03-16 Sony Corporation Method of manufacturing a semiconductor device having a silicide layer
JP2508851B2 (ja) 1989-08-23 1996-06-19 日本電気株式会社 液晶表示素子用アクティブマトリクス基板とその製造方法
US5083190A (en) 1989-09-05 1992-01-21 Motorola, Inc. Shared gate CMOS transistor
US4925812A (en) 1989-09-21 1990-05-15 International Rectifier Corporation Platinum diffusion process
US5498573A (en) 1989-11-29 1996-03-12 General Electric Company Method of making multi-layer address lines for amorphous silicon liquid crystal display devices
JP2890584B2 (ja) * 1989-12-29 1999-05-17 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JPH03248469A (ja) 1990-02-26 1991-11-06 Nec Corp Ｍｏｓ型半導体装置
US5124769A (en) 1990-03-02 1992-06-23 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Thin film transistor
JP2775503B2 (ja) 1990-03-13 1998-07-16 三菱電機株式会社 接合ゲート型電界効果トランジスタの製造方法
US5141897A (en) 1990-03-23 1992-08-25 At&T Bell Laboratories Method of making integrated circuit interconnection
JPH0411722A (ja) 1990-04-28 1992-01-16 Kyocera Corp 半導体結晶化膜の形成方法
JPH0458564A (ja) 1990-06-28 1992-02-25 Seiko Epson Corp 薄膜半導体装置の製造方法
JPH0465168A (ja) 1990-07-05 1992-03-02 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ
US5147826A (en) 1990-08-06 1992-09-15 The Pennsylvania Research Corporation Low temperature crystallization and pattering of amorphous silicon films
JP2982254B2 (ja) 1990-08-20 1999-11-22 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH04106982A (ja) * 1990-08-24 1992-04-08 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
US5064775A (en) 1990-09-04 1991-11-12 Industrial Technology Research Institute Method of fabricating an improved polycrystalline silicon thin film transistor
JP2940880B2 (ja) 1990-10-09 1999-08-25 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JPH04162679A (ja) * 1990-10-26 1992-06-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2916606B2 (ja) 1990-11-26 1999-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
EP0486284A3 (en) 1990-11-13 1993-09-01 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and driving method for the same
US20010050664A1 (en) 1990-11-13 2001-12-13 Shunpei Yamazaki Electro-optical device and driving method for the same
KR950013784B1 (ko) 1990-11-20 1995-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 반도체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법과 박막트랜지스터
JP3029289B2 (ja) * 1990-11-20 2000-04-04 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2767495B2 (ja) * 1990-11-26 1998-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および表示装置
IT1244119B (it) 1990-11-29 1994-07-05 Cons Ric Microelettronica Processo di introduzione e diffusione di ioni di platino in una fetta di silicio
EP0488801B1 (en) 1990-11-30 1998-02-04 Sharp Kabushiki Kaisha Thin-film semiconductor device
US5854494A (en) * 1991-02-16 1998-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric device, matrix device, electro-optical display device, and semiconductor memory having thin-film transistors
US5289030A (en) * 1991-03-06 1994-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide layer
JP2794678B2 (ja) 1991-08-26 1998-09-10 株式会社 半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
US5365875A (en) * 1991-03-25 1994-11-22 Fuji Xerox Co., Ltd. Semiconductor element manufacturing method
GB2255443B (en) 1991-04-30 1995-09-13 Samsung Electronics Co Ltd Fabricating a metal electrode of a semiconductor device
JPH04360580A (ja) * 1991-06-07 1992-12-14 Casio Comput Co Ltd 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
JP3005918B2 (ja) * 1991-06-11 2000-02-07 カシオ計算機株式会社 アクティブマトリクスパネル
JPH0562928A (ja) 1991-09-03 1993-03-12 Nec Corp 化合物半導体装置及びその製造方法
JPH0793363B2 (ja) 1991-09-25 1995-10-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路およびその作製方法
JP2833291B2 (ja) 1991-10-09 1998-12-09 日本電気株式会社 Ｃｍｏｓ型半導体集積回路装置
JPH06132303A (ja) 1991-11-29 1994-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその作製方法
JP2750380B2 (ja) 1991-12-03 1998-05-13 株式会社 半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3072637B2 (ja) * 1991-12-25 2000-07-31 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板
US5485019A (en) * 1992-02-05 1996-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
JPH05299655A (ja) 1992-04-08 1993-11-12 Nec Corp 薄膜トランジスタ
JPH0613615A (ja) 1992-04-10 1994-01-21 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US5576225A (en) 1992-05-09 1996-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming electric circuit using anodic oxidation
JP3506445B2 (ja) * 1992-05-12 2004-03-15 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US5266507A (en) 1992-05-18 1993-11-30 Industrial Technology Research Institute Method of fabricating an offset dual gate thin film field effect transistor
JPH05343426A (ja) * 1992-06-11 1993-12-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電界効果型半導体装置およびその製造方法
JP3030367B2 (ja) * 1993-07-20 2000-04-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US5252502A (en) * 1992-08-03 1993-10-12 Texas Instruments Incorporated Method of making MOS VLSI semiconductor device with metal gate
US5322807A (en) * 1992-08-19 1994-06-21 At&T Bell Laboratories Method of making thin film transistors including recrystallization and high pressure oxidation
US5576556A (en) * 1993-08-20 1996-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film semiconductor device with gate metal oxide and sidewall spacer
US5359219A (en) * 1992-12-04 1994-10-25 Texas Instruments Incorporated Silicon on insulator device comprising improved substrate doping
US5275851A (en) 1993-03-03 1994-01-04 The Penn State Research Foundation Low temperature crystallization and patterning of amorphous silicon films on electrically insulating substrates
CN1095204C (zh) 1993-03-12 2002-11-27 株式会社半导体能源研究所 半导体器件和晶体管
KR0139346B1 (ko) 1994-03-03 1998-06-15 김광호 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100400288B1 (ko) * 1996-12-31 2003-12-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법

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