JPS63314862A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法Info
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- JPS63314862A JPS63314862A JP15179287A JP15179287A JPS63314862A JP S63314862 A JPS63314862 A JP S63314862A JP 15179287 A JP15179287 A JP 15179287A JP 15179287 A JP15179287 A JP 15179287A JP S63314862 A JPS63314862 A JP S63314862A
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Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜トランジスタの製造方法に関し、特に逆ス
タガード構造薄膜トランジスタの光アニーリングに関す
る。
タガード構造薄膜トランジスタの光アニーリングに関す
る。
アモルファスシリコ＜多結晶シリコン等を用いり薄膜ト
ランジスタにおいて、光特に強力なレーザー元を用いて
半導体膜を７ニールし、膜質を改善できることは当業者
の間でｒｓｌ１４知の事実である。
ランジスタにおいて、光特に強力なレーザー元を用いて
半導体膜を７ニールし、膜質を改善できることは当業者
の間でｒｓｌ１４知の事実である。
アニールに用いられる光の波長は半導体膜に効率よく吸
収されるという条件から、波長８００ｎｍ以下の可視・
紫外領域のものが用いられる。
収されるという条件から、波長８００ｎｍ以下の可視・
紫外領域のものが用いられる。
従来の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極は、金属
・低抵抗ポリシリコン等で形成され、これらの材料は可
視・紫外領域の光に対し不透明であるため、アニーリン
グはゲート電極の形成前に行なわれる。
・低抵抗ポリシリコン等で形成され、これらの材料は可
視・紫外領域の光に対し不透明であるため、アニーリン
グはゲート電極の形成前に行なわれる。
上述した従来の４膜トランジスタアニーリングプロセス
はゲート電極の形成前に行なう必要がある。薄膜トラン
ジスタの構造Ｋｒ！いくつかのタイプがあるが、トラン
ジスタ特性およびその信頼性の点で最っとも秀れている
ものは、逆スタガード構造と呼ばれる第１図に示される
ものである。このタイプではまずゲート電極２が形成さ
れ、次にゲート絶縁膜３．半導体膜４が形成されるため
。
はゲート電極の形成前に行なう必要がある。薄膜トラン
ジスタの構造Ｋｒ！いくつかのタイプがあるが、トラン
ジスタ特性およびその信頼性の点で最っとも秀れている
ものは、逆スタガード構造と呼ばれる第１図に示される
ものである。このタイプではまずゲート電極２が形成さ
れ、次にゲート絶縁膜３．半導体膜４が形成されるため
。
半導体＠４のうちトランジスタ特性を支配するゲート絶
縁膜３との界面はゲート電極２によって遮光された状態
になっており、半導体界面の光によるアニーリングは行
なうことができない。
縁膜３との界面はゲート電極２によって遮光された状態
になっており、半導体界面の光によるアニーリングは行
なうことができない。
本発明の薄膜トランジスタに、透明導電膜によるゲート
電極を有しており、ゲート形成後の光アニーリング処理
を行なうプロセスを経て形成される。
電極を有しており、ゲート形成後の光アニーリング処理
を行なうプロセスを経て形成される。
本発明によれば、透明導電体によるゲート電極は、可視
光を透過させるため、ゲート電極側からの光照射による
アニーリングを行なうことができ逆スタガード構造薄膜
トランジスタの光アニーリングが可能となる。
光を透過させるため、ゲート電極側からの光照射による
アニーリングを行なうことができ逆スタガード構造薄膜
トランジスタの光アニーリングが可能となる。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例により得られる薄膜トランジ
スタの断面図である。図示される薄膜トランジスタは以
下の工程によって作製される。ガラス基板１上に透明導
電体によりゲート電極２が形成され、続いてゲート絶縁
膜となる窒化シリコン膜３＃アモルファスシリコン膜４
が形成され。
スタの断面図である。図示される薄膜トランジスタは以
下の工程によって作製される。ガラス基板１上に透明導
電体によりゲート電極２が形成され、続いてゲート絶縁
膜となる窒化シリコン膜３＃アモルファスシリコン膜４
が形成され。
素子部にのみアモルファスシリコン４を残すエツチング
加工を行なった後、ドレイン５及びソース電極６がアル
ミニウムによって形成される。第２図はガラス基板−透
明導電膜−窒化シリコン膜積層物およびアモルファスシ
リコンの吸収率の波長依存性を示したものであり、波長
４００〜７ＱＱｎｍ程度の光に対しては、前者３層積層
物は透明でありアモルファスシリコンは吸収係数が高い
。この波長帯の強力な光源としては、ＱスイッチＹＡＧ
レーザーの２倍波（波長５３２ｎｍである第２高調波）
がある。
加工を行なった後、ドレイン５及びソース電極６がアル
ミニウムによって形成される。第２図はガラス基板−透
明導電膜−窒化シリコン膜積層物およびアモルファスシ
リコンの吸収率の波長依存性を示したものであり、波長
４００〜７ＱＱｎｍ程度の光に対しては、前者３層積層
物は透明でありアモルファスシリコンは吸収係数が高い
。この波長帯の強力な光源としては、ＱスイッチＹＡＧ
レーザーの２倍波（波長５３２ｎｍである第２高調波）
がある。
第１図に示した薄膜トランジスタのアニールは次の様に
行なえる。薄膜トランジスタのガラス基板側からＱスイ
ダチＹＡＧレーザーの２倍波７を照射する。レーザー光
はガラス基板１．ゲート電極２．窒化シリコン膜３を通
過し、アモルファスシリコン膜４の窒化シリコン＠３界
面部分に吸収され、効率的なアニーリングが行なえる。
行なえる。薄膜トランジスタのガラス基板側からＱスイ
ダチＹＡＧレーザーの２倍波７を照射する。レーザー光
はガラス基板１．ゲート電極２．窒化シリコン膜３を通
過し、アモルファスシリコン膜４の窒化シリコン＠３界
面部分に吸収され、効率的なアニーリングが行なえる。
第３図は本発明の他の実施例によるアニーリング工程の
断面図である。ガラス基板ｌにＩＴＯによる透明ゲート
電極２が形成され、窒化シリコン＠３．アモルファスシ
リコン４を成膜した直後にＱスイッチＹＡＧレーザーの
第２高９４波７を照射する。この実施例では、アモルフ
ァスシリコン膜４が全面についているため、アニールが
均一に行なえる利点がある。
断面図である。ガラス基板ｌにＩＴＯによる透明ゲート
電極２が形成され、窒化シリコン＠３．アモルファスシ
リコン４を成膜した直後にＱスイッチＹＡＧレーザーの
第２高９４波７を照射する。この実施例では、アモルフ
ァスシリコン膜４が全面についているため、アニールが
均一に行なえる利点がある。
以上説明したように１本発明はガラス基板上に透明溝１
ｉｃｐａをケート−極として逆スタガー型アモルファス
シリコン薄膜トランジスタを形成しガラス基板側から可
視光による元アニーリング処理を行なう事によりアモル
ファスシリコン膜の膜質を改善し、トランジスタ特性を
良好なものとすることができる効果がある。
ｉｃｐａをケート−極として逆スタガー型アモルファス
シリコン薄膜トランジスタを形成しガラス基板側から可
視光による元アニーリング処理を行なう事によりアモル
ファスシリコン膜の膜質を改善し、トランジスタ特性を
良好なものとすることができる効果がある。
第１図は本発明の一実施例により得られる薄膜トランジ
スタの断面図、第２図はガラス基板／透明導克膜／窒化
シリコン膜３層膜及びアモルファスシリコンの吸収率の
波長依存性を示すグラフ、第３図は本発明の他の実施例
のアニーリング工程を示す断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明導電体
によるゲート電極、３・・・・・・窒化シリコン膜、４
・・・・・・アモルファスシリコンａ１５・・・・・・
ドレイ／を極、６− ・−ンース電極、７・・・・・・
Ｑスイ雫チＹＡＧレーザーの第２高調波。 ６ ソーλ電枝 ４アモルファスシソコン３．召テ′月
莫 アモ／Ｌ／ファ、（シソコン′３２ｎ
ｍ ジ皮長 （ｎｍ）
スタの断面図、第２図はガラス基板／透明導克膜／窒化
シリコン膜３層膜及びアモルファスシリコンの吸収率の
波長依存性を示すグラフ、第３図は本発明の他の実施例
のアニーリング工程を示す断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明導電体
によるゲート電極、３・・・・・・窒化シリコン膜、４
・・・・・・アモルファスシリコンａ１５・・・・・・
ドレイ／を極、６− ・−ンース電極、７・・・・・・
Ｑスイ雫チＹＡＧレーザーの第２高調波。 ６ ソーλ電枝 ４アモルファスシソコン３．召テ′月
莫 アモ／Ｌ／ファ、（シソコン′３２ｎ
ｍ ジ皮長 （ｎｍ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明絶縁物上に形成された逆スタガード構造薄膜ト
ランジスタの製造方法において、前記透明絶縁物上にゲ
ート電極を透明導電体で形成し、その上に半導体層を形
成した後、前記透明絶縁物側からの光照射により前記半
導体層の熱処理を行なうことを特徴とする薄膜トランジ
スタの製造方法。 ２、前記照射される光がＹＡＧレーザーの第２高調波で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜
トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15179287A JPS63314862A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15179287A JPS63314862A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63314862A true JPS63314862A (ja) | 1988-12-22 |
Family
ID=15526394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15179287A Pending JPS63314862A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63314862A (ja) |
Cited By (8)
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| JPS60245124A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-04 | Sony Corp | 半導体装置の製法 |
-
1987
- 1987-06-17 JP JP15179287A patent/JPS63314862A/ja active Pending
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