TW232751B - Semiconductor device and method for forming the same - Google Patents

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282751 A6 B6 五、 發明説明（1 ) 發 明 背 景 1 • 發 明 Z 範 本 發 明 乃 有 關 於 薄 的 薄 膜 電 晶 體 ( T F T ) 之 結 構 9 及 製 造 該 物 之 程 序 5 本 發 明 亦 用 l?ro 於 在 一 絕 緣 基 板 上 製 造 — 絕 緣 閘 極 半 導 體 裝 置 的 程 序 及 用 於 製 造 稹 體 電 路 的 程 序 ( I C ) 9 該 積 體 電 路 爲 在 — 絕 綠 基 板 上 多 個 前 述 之 絕 緣 閘 極 半 導 體 裝 置 所 組 合 而 成 〇 本 處 中 之 絕 緣 基 板 ( i η S U 1 a t 0 Γ S U b s t r a t e ) 及指任何含有絕綠表面之物件 > 且 如 果 沒 有 特 別 說 明 其 不 只 含 有 由 絕 緣 物 質 諸 如 玻 璃 之 物 質 所 製 成 者 9 亦 包 含 內 含 絕 緣 層 9 而 由 諸 如 半 導 體 及 金 屬 類 之 材料 所 製 成 的 物 件 0 本 發 明 中 之 半 導 體 裝 置 對 下 列 物 件 是 有 用 的 如 液 晶 顯 示 器 之 主 動 矩 陣 的 T F T 影 像 感 測 器 之 驅 動 電 路 或 S 〇 I ( s i 1 i C 0 η on i ns u 1 at or 絕 緣 體 上 的 矽 ) 稹 體 電 路 及 傳 統 之 半 導 體 積 體 電 路 ( 如 微 處 理 器 及 微 控 制 器 9 微 電 器 及 半 導 體 記 憶 體 ) 0 2 • 先 期 技 術 近 來 9 對 於 在 — 絕 緣 體 基 板 上 的 絕 緣 閘 極 半 導 體 裝 置 ( Μ 〇 S F E T ) 的 製 造 程 序 已 加 以 更 進 一 步 的 硏 究 > 建 立 在 絕 綠 體 積 板 上 之 型 式 的 積 體 電 路 ( I C ) 當 顧 及 高 速 驅 動 的 穩 定 性 時 則 相 當 的 有 用 處 ， 因 爲 此 類 在 絕 緣 體 上 的 I C S 不 需 承 受 雜 散 電 容 ( St r a y c a pa c i t a n c e ) C 相對 於 這 一 類 的 I C S 9 俥 統 I C 之 操 作 速 率 則 受 限 於 雜 散 電 容 ( 也 就 是 介 於 接 點 與 基 板 之 間 的 電 容 〇 該 各饫張尺度遄用令囚囡家浮準（CMS丨甲4规格（210X297公没t 232751 A6 B6 五、發明説明（2 ) MOSFETs在一絕 動層，稱之爲薄的薄膜 稹髄電路時TFT是不 I C中，例如S R A Μ 在最近的一些產品 感測器一類的光裝置之 —半導體I C。本處所 一寬區域，且用於製造 緣基板上形 電晶體（Τ 可或缺的。 之負載電晶 中，例如， 驅動電路， 發現組合的 T F Τ之低 機的裝置中 C相連接， 導體I C本 的薄膜主 成多層之 之半導髏 F T 〇 器及影像 板上形成 C形成於 的。而且 端機皆與 半導體 的單石絕 成且含有一薄 FT)。在形 現今，在傳統 體可發現一 T 諸如液晶顯示 需在一透明基 T F T，該 I 溫製程是必需 ，其中每一終 此乃經由形成 身做在一相同 .....................................................f ..........................裝......................訂................{綠 <請先閱讀背面之注意事項再場寫本頁> ：fr •.if* 中 k i,'：- 工 :Vi ，例如，在含多個終端 絕緣基板上的半導體I I C .的較低層或整個半 緣基本上，減低了裝配密度。 傳統上，由熱韌化於一非晶（ sera i -amorphous )薄膜 由溫度範圍從4 5 0 ° 生高溫半導體薄膜而得 導體薄膜）。用一使用 F T亦可加以製造；然 由一般上極低的遷移率 V s ，或者因爲所提供 大於5crrf/Vs的T .4 5 0 ° 至 1 2 0 0 0C PTFT只有在當該薄 上可得到高 至 1 2 0 0 到（也就是 於半導體薄 而，其使用 5 c rrf / V 的P通道不 F T只有在 的溫度範圍 膜承受此韌 amorphous )或半晶( 品質之T F T，此亦可 °C之間的微晶薄膜而產 ，有夠高之遷移率的半 膜之非晶物質的非晶T 範圍大大的受限，因爲 s甚至更低1 cm*/ 能動作。遷移率等於或 半導體薄膜軔化於 之後方可使用：一 化處理之後方才可製造 本纸張尺度適丨丨1中囤囚家櫺芈（CN’S丨1fM規格（210x297公延1 282751 A6 B6__ 五、發明説明（3 ) 然而，在高溫加熱之熱處理中’特別是只有嚴格選擇 的基板材料可使用。更特別是所謂的高溫處理，包含高溫 加熱，溫度範圍在9 0 0 °至1 2 0 0 °C之間是有利的， 因此其可使用一高質薄膜，此薄膜由做爲閘極絕緣體（ gate dielectric)之熱氧化所獏得，但應用於高溫處理 的基板限於由昂貴的材料所製造者，如石英，藍寶石，尖 晶石，其不適於使用在大面積上之基板。 比之於上述之高溫處理，另一低溫處理，其溫度範圍 介於4 5 0 °至7 5 0 °C之間，其允許基板材料從多種材 質上加以選擇。然而，此種選擇需要的韌化時間較久，且 由於不純物活化不足，源極/汲極之薄層電阻（sheet r-esistance)依然相當高。此目的在於使活性層結晶，且 由雷射束及其他類似物的輻射而活化源極/汲極（在下文 中，此程序以 > 雷射處理'稱之），但是，亦可發現仍很 難降低薄膜電阻。製造一場遷移率高於1 5 0 cm3/ Vs 之TFT時，特別地，基本上是使得其薄層電阻不高於 2 0 0Ω / cm2。 亦知道在裝置中使用TFT，如主動矩陣驅動液晶顯 示器裝S及影像感測器，其含有玻璃基板，此板內含積體 元件。圖9中圖示一傳統TFT之截面.圖。圖1 2示另一 傳統使用T F T之截面積及用於製造相同T F T之流程'順 序圖。圖9 (A)示一絕緣閘極場效電晶體（本文中一、 TFT")表之，此TFT使用一薄層薄膜矽半導體（位 於玻璃基板上）。參考圖9 (A)，一矽氧化物薄膜62 木·钬乐尺度過川中囚㈤孓桴準（CNS丨甲4規格（210x297公诠） ....................................................、...........................裝......................訂...............{線 <請先閲讀背面之注意事項再蜞寫本頁) A6 B6 五、發明説明（4 ) ，厚度約2 Ο Ο 作爲基底，形成於玻璃基板6 1上， 及一活性層，含有一矽半導體薄膜，此膜含有源極/汲極 區域6 3及6 5及一通道形成區6 4，該薄膜形成於矽氧 化物薄膜6 2上。含一非晶或晶體（聚晶或微晶）矽半導 體層，厚度約1000A。 —矽氧化物薄膜6 6，厚度約1 0 0 0A，做爲一閘 極絕綠體薄膜形成於活性層上，爲一厚度約2 0 0 0A的 氧化物層6 8所包圍，該氧化物層爲一正極氧化物。一層 間絕緣體6 9使用一矽氧化物等加以形成，且源極/汲極 接點7 0及7 1及一接於閘極接點6 7之接觸洞7 2建構 於其內部。在圖9 (A)中接於閘極接點6 7之接觸洞 7 2與源極/汲極接點7 0及7 1所位之面並沒有在同一 平面，但不是在該面之外就是在前面。 在圖9 (A)中之結構其特性爲一補償閘極區域可由 2 控制鋁閘極接點6 7之正.極氧化物使其身本身成對齊形式 。環繞閘極接點6 7之氧化物層6 8的厚度7 3視此控制 之厚度而定，此控制厚度爲一正極氧化物之厚度。更特別 是一對應於氧化物6 8之厚度的補償區域可由在形成氧化 物層6 8之後由植入不純離子用於形成源極/汲極區域而 建立。 u (請先閲讀背面之注意事項再填究本頁} 然而，因爲不純物之擴散，介於通道形成區域6 4及 源極/汲極區6 3及6 4之間的疆界事實上比之於對應於 氧化物層6 8的邊緣，則較靠近通道形成區域。因此，氧 化物層6 8的厚度的決定必需對擴散的影響加以考慮。一 木认*尺度適川中占四孓找準.（CNS)甲4觇格〖210 X 297公垃丨 -Q - 232751 A6 B6 五、發明説明（5 般氧化物層6 接至源極 注意勿過度蝕 邊界而進入接 接點7 0及7 ，鋁擴散入通 8的厚度必需厚於補償閘極的長度。 /汲極區6 3及6 5的接點洞貫穿時需加以 刻。一過度蝕刻而超過矽氧化物薄膜6 6的 點涧的周圍部位，將使得鋁擴散入在形成銘 1時之蝕刻周邊部位，且在一極端之例子中 道形成區6 4之鄰近時將損害TFT的特性 及可信 另 的薄膜 由縮短 因爲距 問題， 同形式 合罩子 的玻璃 此，在 度 一方面，介於通道 著距離7 4 4而達成， 反而損害與 電阻隨 距離7 離太短 特別是 之軔化 時產生 基板在 現今之 使用一玻璃 形成區6 4及 的增加而成爲 然而此對策僅 罩耦合的精準 基板時，因爲 缺少的）時玻 源極/汲極區之介 一問題。此問題可 些範圍內， 步驟是不可 不悅的結果。例如一個1 6 0 0。(：的 流程中，約 熱處理時收.縮 2 0 # m的餘 限於某 度。此 在熱處 璃基板 Ocm 了約幾 裕含於 爲一嚴重之 理程序（不 的收縮在耦 平方或較大 個微米。因 距離7 4中 .....................................................f ..........................^.......................可................^ Μ (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁一 .ii» '卜 'k Ιί ；Vi 考慮在形成接於源極/汲極區域之接點洞過度蝕刻的 問題，另一方面，不可能過度縮短距離7 4。如前所述， 傳統之TFT承受下列之缺陷： (1)與接於源極/汲極區域相連接之接觸洞相關的問題 :且 (2 )在參閱上列之問題（1 )時，源極/汲極區域之薄 層電阻亦爲一問題，因爲接觸洞不可在通道形成區域之鄰 木吆汆尺度過川中囚囚家揲準（CNS)甲4规格（210x297公没1 Α6 Β6 五 、發明説印 ](( ) - 近 〇 對 於 傳 統 T F T 上 文 中 所 提 的 缺 點 ( 1 ) 及 ( 2 ) 9 其 克 服 的 方 法 0 示 於 圖 9 ( B ) 中 9 此 爲 一 T F T 之 結 構 〇 此 T F T 含 閘 極 接 點 6 7 以 鋁 爲 主 元 件 9 爲 正 極 氧 化 之 氧 化 物 層 6 8 所 包 圍 9 似 於 圖 9 ( A ) 中 之 T F T 0 結 果 9 源 極 / 汲 極 接 K9i* 莉5 7 0 及 7 1 與 氧 化 物 層 6 8 緊 密 接 觸 0 然 而 在 此 結 構 中 5 閘 極 鄰 於 源 極 / 汲 極 區 域 7 0 及 7 1 9 只 有 氧 化 物 層 6 8 併 於 其 間 0 結 果 在 氧 化 物 層 6 8 合 併 時 形 成 的 寄 生 電 容 使 操 作 不 穩 定 且 降 低 T F T 的 可 信 度 0 此 問 題 可 由 增 加 氧 化 物 層 6. 8 的 厚 度 而 克 服 0 然 而 因 爲 氧 化 物 層 6 8 的 厚 度 對 等 於 補 償 閘 極 的 長 度 9 此 厚 度 未 能 如 所 願 地 加 以 增 加 0 另 外 在 氧 化 物 層 6 8 中 之 小 孔 在 閘 極 接 點 與 源 極 / 汲 極 接 點 介 可 能 產 生 漏 失 0 Λτττ 撕 論 如 何 ) 此 T F T 並 非 很 容 易 設 計 的 〇 圇 1 2 示 另 —* 絕 緣 體 閘 極 場 效 電 晶 體 ( 下 文 中 以 Τ F T 簡 稱 之 ) 含 一 薄 層 薄 膜 矽 半 導 體 位 於 — 玻 璃 基 板 上 0 製 造 此 結 構 的 過 程 敘 述 於 下 0 參 考 圖 1 2 ( A ) ， 厚 度 約 2 0 0 0 A 的 矽 氧 化 物 薄 膜 1 3 0 2 形 成 於 玻 璃 基 板 *1 1 3 0 1 上 9 且 一 島 狀 活 化 層 1 3 0 3 爲 一 矽 半 導 體 薄 膜 •η' 祁 屮 所 製 成 9 厚 度 約 爲 5 0 0 至 2 0 0 0 A 9 位 於 — 矽 氧 化 物 i?； f 乂 ό 薄 膜 上 〇 1 3 0 2 上 0 該 矽 氧 化 物 薄 膜 不 是 非 晶 就 是 結 晶 X ：/i ( 例 如 聚 結 晶 或 微 結 晶 ) 0 一 厚 度 約 1 0 0 0 至 1 5 0 0 ；r ：< 让 A 的 矽 氧 化 物 薄 膜 1 3 0 4 更 形 成 於 — 活 化 層 上 9 做 爲 — •:;J Η 閘 極 絕 緣 物 薄 膜 0 .....................................................(...........................裝......................訂................π線 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本认仏尺度遇;丨丨中β凼采你準（CNS1甲格1210X 297公狯> 2SD751 A6 _____^_B6_ 五、發明説明（7 ) 然後，一閘極接點1 3 0 5由一雜質滲入聚結晶矽（ 聚合矽），鉅，鈦，鋁等（見圖12 (B))所形成。 源極/汲極區（不純區）1 3 0 6形成於活性層 1 3 0 3上由導入不純物如磷及硼而成自準（self a丨ig-ned)形式。此由使用如離子滲入的程度所執行，而使用 閘極接點做爲罩子。閘極接點下的活性區域及未滲入之區 域提供一通道形成區域1 3 0 7 (見圖1 2 (C))。 該滲入之雜質其後由雷射光束輻射或使用熱源如閃_燥 燈（見圇1 2 ( D ))而加以活化 然後一矽氧化物薄膜由如電漿CVD及A P CVD之 製程而形成而給予層間絕緣體1 3 0 7。而且接觸涧經由 層間絕緣體貫穿源極/汲極區而提供連接且連接至源極/ 汲極之接點1 3 0 8使用一金屬材料如鋁（見圖1 2 (E ))0 如前述之TFT，基本上降低了源極/汲極區之薄層 電阻。而改進了 TFT特性，特別是場遷移率及副限値（ s u b - t h r e s h ο 1 d )特性（S v a丨u e )。提供下列量測以達成 所需之目的： (1)增加滲入雜質的濃度； j ( 2 )增加活化能量（雷射束或閃燦燈的强度）至一足夠 巧 大的値：且 1 ( 3 )降低通道形成區1 3 0 7及金屬接點1 3 0 8間的 | 距離（以圖12 (E)中的"指出）。 • Γ 對應於上述之量測（1)，滲入雜質濃度增加指處理 ......................................................f ..........................^......................叮................t ίϊί先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本ίλ*尺/'1¾川t a囚家楞芈（CN’Sl甲4规格m〇x297公垃） 23n751 A6 B6 五、發明説明（8 ) 期間的增加，因此降低了物料流量。而且，活性層之破壞 且閘極絕緣體薄膜1 3 0 4隨著滲入雜質濃度的增加而增 加。此離子滲入及電漿滲入的程序，包含產生一雜質的電 獎且用入雜質植入之加速，爲一大量生產之優良方法。然 而，加速的離子含有多個原子（如氫）而導至基板之墊上 升。隨著電漿澳度增加時此問題變得特別明顯。結果在渗 入過程中，含裝置之墊上升及破壞，且_光阻使用的情況 下，加以碳化而使其移動困難。 考慮上述量測（2 )，能量太强不只導至活性層之剝 離或閘極接點之剝離而降低TFT的產生，亦損害物料流 量。例如在使用一雷射時，需要增强光束覆蓋而增加能量 强度，因爲能量本身未能大大地加强。這明顯地降低了光 束區域，且及處理’因此需要較長的輻射期間去含蓋相同 大小的區域。 量測（3 )視耦合罩子的精確度而定，且沒有可考慮 的改進可加以預期。此爲一嚴重的問題特別是使用一玻璃 基板時，因爲在加熱步驟（在此步驟中不同形式的加熱步 驟是不可或缺的）時，玻璃基板的收縮使得耦合罩子時不 合適的結果產生。例如一 1 0 c m平方或更大的玻璃基板 在6 0 0 °C下加熱處理時將反縮的幾微米，結果，在今日 之處理程序中，一 2 0 pm的餘裕總是含於距離Z中。當 Z小時，甚且一大的寄生電容產生於閘極接點1 3 0 5及 源極/汲極接點1 3 0 8之間而對T F T的特性產生令人 不悅的影響。 ..................................................../ ...........................裝......................訂................{線 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁i 木纸氽尺戊中囚ta孓蜞4MCNSI甲·0見格（210X297公釐J 10 751 751 ii濟部中夹ri'ii^Hxi/iSI/..·:.':·^..:·)- Γη. A6 B6 五、發明説明（9 ) 年形成源極/汲極區域1 3 0 6之接觸同時，蝕刻需 要些微超過而保證接觸洞的形成。結果距離Z未能縮短至 一大的範圍，更不可能進一步地降低源極/汲極區之寄生 電容，所以一前期處理加以應用。 發明槪沭 本發明伴隨著前述問題.，所以，本發明之目的爲提供 一 TFT，可爲一製造所製造，該製造之最大溫度爲 7 5 0°C或更低且薄層電板足夠的低而不像高溫處理，在 不需限制基板材料。 本發明之另一目的爲提供一製造上述的T F T的製‘程 0 本發明仍有另一目的爲提供一含有優良特性的T F T ，實質上由縮短通道形成區及源極/汲極間的距離而成， 因此降低了其間的電阻。本發明仍有另一目的爲一適用於 大量生產之製程以完成上述目的。 本發明更含有一目的爲提供一TFT，其接點連接至 源極/汲極區域，精準地在其位上形成而鄰近於通道形成 區，或提供一 TFT，在形成源極/汲極區中之接點洞時 爲高度可信賴者。 圖形之簡萝設昍 圖1示本發明之實施例中製造TF T之步驟序列程序 尕又度適川中囚囚家桴準（CNS丨甲4規格（210x297公釐ί 11 ....................................................(...........................裝......................訂...............^ 線 <請先閲讀背面之注意事項再蜞寫本頁一 A6 B6 232751 五、發明説明（) 圖2示本發明之另一實施例中製造另一 T F T之步驟 序列程序； 圖3示本發明之再一個實施例中製造另一TFT之步 驟序列程序； 圖4示本發明中更加一個實施例中製造另一T F T之 步驟序列程序： 圖5爲本發明中製造另一T F T的例子之步驟序列程 序； 圖6爲本發明中製造另一 TF T的另一例子之步驟序 列程序： 圖7示本發明中製造另一 T F T的再一個例子的步驟 序列程序： 圖8示本發明中製造另一 TF T的更加的一個例子的 步驟序列程序： 圖9示早期技術TFT之結構； 圖.1 0示本發明中另一實施例中製造另一 TFT的步 驟序列程序； 圖1 1示本發明中再一實施例中製造另一TFT的步 驟序列程序； 圖1 2示製造一先期技術中T F T的步驟序列程序： 圖13示製造一活化矩陣基板之步驟序列程序。 本發明之詳細敘述 傳統之低溫處理（最大溫度爲7 5 0 °C或更低）或雷 木a张尺度適用中园四家標準（CNS)甲4规格（210 X 29 7公- 12 - ....................................................(...........................裝......................訂..............-C線 ~請先閱ti背面之注意事項再蜞寫本頁> 4-部个夾工消"•--''•H.^'u 11"邡^工:νι'·ΐί'',ί··,Γ·ι,.::'--1卜 282751 a6 B6 五、發明説明（11 ) 射處理只產生一含不足活性源極/汲極的TFT，其產生 —高薄層電阻的裝置，該値之最小者位衫1 〇 〇至1 kQ /cirf之間。結果，該TFT未能發揮裝置本有之特性（ 特別是遷移性）。 更特別是，由於在源極接點及汲極接點之間大的源極 /汲極寄生電容的出現，使得該裝置承受ON電流及操作 率的減低。無論如何，在另一方面，將源極接點如所需要 儘可能地靠近汲極接點是不可能亦是困難的，因爲在形態 形成（最小設計規則）的最小限制爲降·低閘極接點與其他 接點間寄生電容的需要。 由上述之環境，本發明之特性爲源極/汲極的薄層電 阻實質上小於1 0 ΟΩ/crrf或更低，此經由緊密地附著 一含有金屬及矽合金的矽化物層至源極/ *汲極，且使得矽 化物層的形狀實質上與源極/汲極之形狀相同。因爲矽化 物成層狀，其與閘極接點之間的寄生電容依然與傳統之源 極/汲極者相同。本發明特別地其特性爲閘極接點爲正極 陽化物所覆蓋，而源極/汲極區域相對於源極/汲極區域 成自準，且一薄層薄膜矽化物形成而緊繫於源極/汲極區 域。 用於矽化物的金屬材料較佳者爲當'使用一矽化物而形 成一矽化物半導體時其可形成低電阻的歐姆接觸成相似的 接觸。更特別的，適合之此種金屬材料爲錳（Mo)，鎢 (W)，鉑（Pt)，鉻（Cr)，鈦（Ti)，及鈷（ Co) °本發明可用上述多種金屬中之一種及矽而得到矽 本.¾¾尺度中囚因家標芈（CNSI甲4规格（210x297公货1 - ]3 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝 .π A6 B6 232751 五、發明説明（12 ) 化物再加以裝配。 本發明中絕緣之正極陽化物伴演著很重要的角色。正 極氧化物阻擋在源極/汲極上的矽化物與閘極接點形成一 短路.。此即矽化物實質上提供於源極/汲極之整個表面.， 使得結果其可至閘極接點的鄰近。該源極/汲極經由一閘 極絕緣薄膜而與閘極接點分開。然而，因爲本發明之程序 需要在一當從源極/汲極移開閘極絕緣薄膜之後形成一矽 化物，此極似於將矽化物與閘極接點接觸。如果一正極氧 化物至少出現於閘極接點側，防止矽化物與閘極接點相相 觸是可能的，且一含有所需要之絕綠性質的極密之正極氧 化物可得到，而大大地減低了形成短路的可能性。 甚且，考慮序列處理步驟，由形成一蝕刻特性不同於 閘極接點的正極陽化物之形成可得到一極大改進之處理產 量。如果矽化物薄膜可不由用正極氧化物覆蓋閘極接點而 形成，且非矽化物金屬薄膜的蝕刻率約同於閘極接點，當 移去非矽化金屬薄膜時部份或整個閘極接點將被蝕刻。從 蝕刻的觀點而言，結果一正極氧化物在閘極接點的上表現 已更好地形成。 本發明中製造τ F T的程序含下列四個步驟： (1 )正極地氧化閘極接點： (2 )形成一金屬外層，用於在該元件的暴露表面形成一 矽化物（包含矽半導體區）； (3 )在矽及該金屬覆層間形成一矽化物，此乃由輻射一 高密度光如雷射，而使得矽與該金屬覆層相接觸；且 本.¾ 尺·度 Η 川中 a 囚 WA 準（CNS) ? 4规格（21 ϋ X 297公;ίέ I . ^ - .....................................................-f ...........................裝......................訂...............·{ 線 {請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) .«i.^-jr.tlliu^.t'Ju 工;riST 八乂·ί'Μ:::< 232751 A6 B6 五、發明説明（13 ) (4)移去未反應之金屬覆層。 在本發明中，不是使用上述金靥中之一的單層閘極接 點就是使用含有兩或更多層的多層閘極接點。例如一在銘 層上之鎢矽化物層，或將鋁層含於一鈦氮化物層的雙層結 構。每層之厚度由所需之元素特性而定。 本發明中之矽化物由照射一强光如雷射光至金屬薄膜 上而形成，而使得金屬薄膜與其下的矽半導體薄膜反應。 如果以雷射做爲强光源，則脈衝雷射較佳。作用於連續波 形態的雷射並不適合因爲雷射之輻射時間過長。不只因爲 熱擴張而剝離輻射薄膜（此極不希望發生）且基板的熱破 壞在結構上可察覺出來。 考慮本發明中所之脈衝形態中的雷射操作，所提到者 爲紅外線放射雷射如N d : Y A G雷射.（一P開關脈衝雷 射更佳）或可見光放射雷射如第二諧波者，或Kr F，_ X e C 1 ，A r F等的不同型態之紫外線放射激元雷射。 當從金屬薄膜之上側輻射雷射，然而，一在此波長範圍的 雷射操作而其光束將不爲金屬薄膜所反射者將被選用。事 實上如果所用之金屬薄膜相當的薄則此選用是沒有必要的 。而且雷射光束可從基板側輻射出來。如果雷射從基板側 輻射，無論如何，在金屬薄膜必需選擇時一雷射光束可貫 穿矽半導體。 矽化物層的厚度視源極/汲極區所需的薄層電阻而定 。考慮一矽化物的電阻範圍介於〇 . 1至. cm之 間，矽化物較佳的厚度範圍從l〇nm至I；/ m，可使得 本i’fc尺度通m中囚囚家揉φ (CNS >甲4規格（21 () X 297公紱> -]5 - ..............................................................................裝......................訂..............{ 嫁 {請先閲讀背面之注意事项再蜞寫本頁> A6 B6 SSn75l 五、發明説明（14 薄層電阻的範圍 參閱圇5 ， 爲主的閘極接點 更爲一形狀大約 此絕綠體固定源 點位置。此外形 所指示的部份， 矽氧化物薄膜2 形狀約爲三 前述之閘絕緣體 而定（包含絕緣 在2，0 0 0至 範圍相對應的實 於三角形，視氧 例如，由2 5所 在本例中，絕緣 體^爲例，或更 所示，此乃爲了 一矽與金屬 f 源極/汲極接點 1卜 I之間的接觸部位 ί 及源極/汲極區 ：ri | 2 9可由在矽薄 .1. _ ::， ，和視需要應用 介於1 0至1 Ο Ο Ω 本發明之另一實施例 爲鋁氧化物層1 6所 爲三角形的絕緣體（ 極/汲極.區域及接點 約爲三角形的絕緣體 此仍經由非等向性地 0 (沿著垂直方向選 角 形 之 絕 緣 體 2 2 的 2 0 9 蝕 刻 狀 況 ， 及 體 層 1 6 的 厚 度 ) 〇 2 0 0 0 0 A 之 間 施 例 而 定 0 而 且 絕 緣 化 物 2 0 的 階 段 覆 蓋 指 出 的 大 小 已 被 縮 短 體 2 2 本 文 中 以 形 簡 單 地 稱 爲 一 二 角 簡 化 而 用 之 0 2 8 的 化 合 物 ( 下 文 2 9 及 3 0 和 源 極 / 形 成 0 由 於 此 矽 化 物 域 1 7 和 1 9 的 薄 層 膜 上 存 放 — 矽 化 物 之 熱 處 理 而 降 低 0 更 特 / c ma之間。 說明於下。以一次銘 圍繞，且鋁氧化物層 矽氧化物）所包圍。 2 9和3 〇之間的接 ’可形成於數字2 1 沿著垂直方向蝕刻一 擇性蝕刻）而形成。 尺寸，特別是寬度視 閘極接點15的高度 一般寬度2 2的大小 ，但其可由上述指定 體2 2的形狀並不限 及薄膜厚度而變化。 ，產生一矩形形狀。 狀約爲三角形的絕緣 形絕綠體’，如圖中 中以矽化物稱之）在 汲極區域1 7及1 9 的存在，該接點電阻 電阻被降低。矽化物 構成金屬的薄膜2 7 別是矽化物含下列構 .....................................................{..........................裝......................訂................~ 線 ~請先wti背面之注意事項再構寫本頁> m尺戊it川t a a家棵準（CNS)甲4峴格（210X297公犮> 16 2S2751 A6 B6 -'!Γ>，卜 k ii r- 乂 ：n ·.? 五、發明説明（15 } 成金屬Ti (TiSi和TiSi2)， Μ 〇 ( Μ ο S i Ο 2 ) 5 W ( W S i 2 » W ( S )，TiSi2(TinSi12Al5)。及 P Pd4S i Al3)。更論如何，從處理溫度， 及薄層電阻的觀點上，Ti如Ti S i及Ti 用較佳。 示於圖5的TFT含一爲絕緣層16所圍 點。然而，絕綠體層可省略，而絕緣體2 2可 接點做慎密接觸。 參考圖7 ，本發明之另一實施例說明於下 之結搆含一矽化物層9 0用於降低源極/汲極 電阻。該源極/汲極之位置（以9 4表之）遠 成區域8 7，其方法似於一般之TFT結構。 極區的薄層電阻可應用此形式之結構而加以降 至當源極/汲點接點並未位於圖7 ( D )所示 ，仍可得到一含有改進特性的TFT。 閘極接點側三角形絕緣體的形成以自準之 源極/汲極區域的接點洞。而且此三角形接點 許位置近於通接形成區域的源極/閘極區中接 甚且源極/汲極區表面上矽化物之形成不只降 極/汲極接點之間的接觸電阻，且亦降低了源 域的薄層電阻。 甚且，甚至當傳統結構之TF T被使用時 極區的薄層電阻可由在源極/汲極區的表面形 j A 1 )2 d 2 S i ( 接點電阻， S i 2的使 繞的閘極接 使用與閛極 ，圖7所示 區域的薄.層 離於通道形 該源極/汲 低。結果甚 之一般位置 形式分配於 洞的出現允 點的形成。 低了其與源 極/汲極區 ，源極/汲 成一金屬的 .....................................................β ...........................裝.............................................訂...............f線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁一 各m又中』凶采懔準（CN’S)甲4^UM210x 297公紱1 17 木认尕m;丨丨中囚β 甲4觇格（210x297公垃1 *> O ry r ^ ‘八:‘1: / D1 A6 _ .._B6_ 五、發明説明（16 ) 矽化物層而降低。結果，一改進特性的TFT可得到。 而且，一有接觸洞的層間絕緣體可提供於矽化物層， 及源極/汲極接點可經由接觸洞直接與矽化物層相接觸而 連接至源極/汲極區域。 ' 本發明.之程序含經由至少在閘極接點一側的氧化而形 成氧化物覆層，較佳之設計爲在閘極接點的上表面或側邊 。且該氧化物覆層最好爲一優良之絕緣體。一三角形絕緣 體更在閘極接點上的氧化物外側形成。三角形絕緣的寬度 最好小於1 〃 m。矽化物之形成緊密地附著在源極/汲極 區，而本身與三角形絕緣體對齊。因爲矽化物之電阻遠低 於聚晶矽，當其厚度很薄時可獲得極低的電阻。 圖1 0爲理想中之上述技術的實用例子，圖示用於製 造上述構造中TFT的序列步驟。參考圖10—基礎氧化 薄膜1 1 0 2 ，源極/汲極菡域1 1 0 3 ，通道形成區域 1 1 0 4 ，閘極絕緣薄膜1 1 〇 5 ，閘極接點1 1 0 6含 有如鋁，鈦，鉅或以其爲主成份的合金，應用已熟之方法 在基板1 1 0 1上依順序序列形成。然後用於閘極接觸的 氧化物層1 1 0 7形成於閘極接點之外圍。一熱氧化處理 或正極氧化處理適用於氧化物層的形成。當一含有鋁，鈦 * ，鉅之金靥或以其爲主要成份的合金做爲閘極接點時，氧 ^ 化物廢最好爲正極氧化所形成。因爲不純物以相對於氧化 .('j . ί 物層1 1 0 7之自我對齊方式滲入，源極/汲極區及閘極 ：Vi | 接點（圇10 (A))受到補償。 • r | 當使用正極氧化時，閘極接點材料的選擇爲關鍵，因 -18—: ......................................................~ ...........................裝......................訂................(線 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 23^751 A6 B6 五、發明説明（17 ) 爲正極氧化物的形式視閘極接點材料而定。本發明中所用 之閘極接點材料含純金靥（如鋁，鈦，钽及矽），或者在 其上加入一些其他添加物的合金（例如添加1 %至3 %之 较的鋁基極合金，及含1 0 0 0 口？〇1至5%磷的矽基極 合金），導電矽化物，如鋳哇化物（WS i 2 )及錳矽化 I 物（MoSi2 )，及導電氮化物以鈦氮化物爲代表。本 文中、鋁〃不只是指純鋁，亦包含有1 0 %或更少添加物 的鋁合金。對於矽或其他材料亦同。其後其絕緣薄層 1 1 0 8形成。此絕緣覆層對於閘極接點（圖1 Ο (B) )的側邊必需發揮良好的覆_蓋。 然後絕緣覆層承受不等向蝕刻，使用如乾燥蝕刻的方 式。即是，蝕刻沿著垂直方向選擇性的執行。結果源極/ 汲極區之表面暴露出來，而一三角絕緣體1 1 0 9遺留在 含有圍繞之氧化物覆層1 1 0 7之閘極接點的側邊。 此三角形絕緣體的大小1 1 0 9特別是寬度視先前存 放之絕緣體覆層之厚度1 1 0 8，蝕刻狀況，閘極接點的 高度（包含環繞之氧化層1 1 0 7 )而定。在此例中，絕 緣稷層1 1 0 8的厚度一般在2 ，0 0 0至2 0 ，0 0 0 A的範圍，其可視相對應之實施例對應於上述特別範圍而 定。甚至絕緣體1 1 0 9的形狀不限於三角形，其視絕綠 覆層1 1 0 8及薄膜厚度的階段覆蓋而定。例如，如果薄 覆層提供，其產生之形狀爲矩形。然而本文中的絕緣體 1 1 0 9 ，是大概性的以形於三角形之絕緣體爲例子，此 所示，此乃爲了圖形中的簡化起見。 .....................................................β ...........................裝......................訂...............^線 ~請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁一 19 .：[·> ),1 f- x ：π -3D751 A6 B6 五、發明説明（18 ) 一適當金屬，如 板（圇 1 0 ( D )) 經由，此形成的 應，此矽化物層形成 或由一軔化處理及相 法加以 其他金 接點的 時留存 地蝕刻 閘極接 1 1 1 方式， 觸。· 當 面的金 射操作 再輻射 的剝離 當 矽化物 的活性 。在砂 屬如_τ 執行。金靥薄 屬可如矽氧化 氧化物層1 1 在基板上’但 掉，在本例中 點的上表面。 0及閘極接點 只有矽化物層 經由輻射之强 屬薄膜相反應 較佳。連續波 時間太長。在 0 然，矽化物層 層顯著可活性 層區域爲不純 化物層1 1 1 i ( T i S ί 欽，猛 的前表 金屬薄 。此程 似方法 膜依然 物及矽 0 7 ° 選用適 ，重要 氧化物 1 1 0 1 1 1 ，钽， 面0 膜與源 序可經 如使用 宛如未 氮化物 結果， 當的蝕 之處爲 層1 1 6之間 1遺留 鉑及鈀的覆層形成於基 極/汲極區 由在一適當 雷射，閃爍 與其他金屬 ，或與一金 一矽化物及 刻，金·屬薄 氧化物層1 0 7防止金 的反應直接 而與源極/ 域的矽之反 溫度之籾化 燈，等的方 發生反應， 屬構成閘極 金屬薄膜同 膜可選擇性 1 0 7位於 屬薄膜 發生。依此 汲極區相接 光源如一雷射至’金屬薄膜，使其與下 ，而矽化物形成時，一脈衝模式的雷 形態的雷射操作並不適合，因爲雷射 加熱擴張時，可琴生雷射再輻射薄膜 可與活性層有相同厚度，雖然圖中的 層薄。重點在於位於絕緣體1 1 〇 9 之半導體，本提供了源極/汲極區域 0中所使用的矽化物包含，如構成金 及 TiSi2) ，Mo(MoSi2) .....................................................{ ..........................^......................,訂................{.«?. (請先閱讀背面之注意事項再塥寫本頁) 本纸氽尺/1 i:¾川中囚四家桴準（CNS )甲4觇格（210 X 2 9 7公犮丨 20 - 232751 A6 _— _^_^B6_ 五、發明說明（19 ) ，W(WSi2，W(SiAl2))， Tisi2(TinSi12AI5)，及 P d 2 S i ( P d 4 S i A 1 a )。然而當考慮到處理溫度 ，接點電阻，及薄層電阻時i如T i S i及T i S i 2 爲較佳之選擇。 隨後，置放層間絕緣體1 1 1 2 ，一接觸洞貫穿矽化 物層1111 ，及一金屬接點與連接1113形成，得到 了完整的TFT。此產生之結構示於圖1 0 (F)中。 如下文中將述及者，本發明中之TFT包一含矽化物 層1111 ，此層之電阻極低。結果介於通道形成區域及 接點之間的電阻實質上由圖1 0 ( F )中所示的距離X所 決定。因爲距離X較佳之選擇爲1 或更少一些，其 電阻可相當的低。當然，介於接觸洞及閘極接點之間的距 離之設定可同於先期技術T F T中的距離。 如前文中的補償（在圖10 (F)中之標識y表之） 對於降低T F T的漏電流是有效的。 參考圖11 ，本發明之另一實施例說明於下。在本實 施例中，一基礎氧化物薄膜1 2 0 2 ，一含源極/汲極區 域的活性層1 2 0 3 ，及一通道形成1E域1 2 0 4 ，一閘 極絕緣薄膜1 2 0 5，及一爲閘極接點1 2 0 6 ，（其爲 氧化物層所包圍）形成在一基板1 2 0 1上，如圖1 0之 實施例如示之相同樣式。 閘極絕緣薄膜1 2 0 5被蝕刻而成自準，使用閘極接 點和其周園的氧化物層1 2 0 7爲罩子。如果一包含鋁氧 .....................................................(...........................^......................^...............(.^. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本达法尺度《 ;丨1中a因家棵f-(CNS丨甲4规格1210X297公釐I 21 消 ·*ι. ；:；j 232751 A6 B6 五、發明説明（20 ) 化物的氧化物層1 2 0 極絕緣薄膜形成，例如 (例如，N F 3及S F 體下，基於矽氧化物之 物層以相當慢的速率蝕 絕緣覆層1 2 0 8 之結構。 此產生之結構承受 子，而留下三角形絕綠 伴隨著適當金屬（見圖 放0 使用適當之熱處理 ，而得到矽化物覆層1 一層間絕緣體1 2 7爲主 乾蝕刻 6的氣 閘極絕 刻而影 置於前 不等向 體1 2 11 ( ，雷射 2 1 1 1 2及 元件，且基於矽氧化物之閘 ，使用氟爲基礎之蝕刻氣雅 體）可被執行。在此蝕刻氣 緣薄膜快速蝕刻，但鋁氧化 響了選擇蝕刻。 表面，如圖1 1 ( B )所示 蝕刻，如圖1 0中所示之例 〇 9在閘極接點側。此步驟 C))的援層1210之置

成，而得到圖11 (F)中之 似於圖1 0中之例子，通 點之間的電阻在此實施例中可 如下面將提及，本發明提 成區域與源極/汲極區之間的 距離而大大的縮減。然而本發 夠低的電阻提供在源極/汲極 更特別是，例如1 X 1 〇 15至 一般用於不純物滲入之需要者 就是降低至5X1 013至IX 輻射等， (見圖1 金属接點 結構。 道形成區 相當的低 供高性能 電阻經由 明之益處 區中滲入 8X10 ，可減低 1 0 15 c 金屬覆層與矽反應 1 ( D ) ) ° 與連接1 2 1 3形 域與源極/汲極接 0 T F T，其通道形 實質上縮短期間的 尙不限於此。此足 不純物的量下降。 1 5 c m _ 2的劑量爲 —位元或各多，也 m 。甚至當滲入 ....................................................ί ...........................裝......................訂..............I 線 <請先W讀背面之注意事項再填寫本頁一 22 - j|'· 1,-= :1'- ：n !ϊ· 751 A6 B6 五、發明説明（21 > 不純物的較低劑量時，亦可保證本發明中所得到之T F T 的改進特性。由簡單之計算可見到由本發明之應用滲入步 驟可縮短至十分之一。 另一優點爲，由導入不純物滲入 與源極/汲極區之間的疆界之破壊可 韌化或其他相似方法所活化的例子中 質大密度時的惡質化 接觸及相似之功能做 極/汲極區之間的活化不足。本發明 可有效的遏止一問題 甚 活性層 5 0 0 電阻。 大小在 Α的矽 c m的 之較短 可避免 接觸的 參 明，需 且，活 的厚度 A或更 然而， 1 0 Ω 化物層 範圍之 較薄的 期間內 其發生 不足步 考下列 知道， 性層可 減低至 低是很 本發明 至1 k ，因爲 內0 活性層 的存放 ，該連 階覆羞 眾多的 本發明 已被認爲是一嚴 爲一遮蔽，而導 做得較薄。在早 1 0 0 0 A或更 困難的，因爲高 中之T F T則無 Ω的薄板電阻可 其電阻小到落在 是有用的，不只 ，且漏電流及連 接失敗乃起因於 所產生。結果， 例子及附圖可更 之構成_並不限於 的低密度通道形成區 降低。在雜質爲雷射 ，特別是由於滲入雜 重的問題，因爲閘極 致在通道形成區及源 中低密度的滲入雜質 期技術的製程中，將 小，更特別是至 的源極/汲極之薄板 此限制。更特別是， 實現，例如一1 0 0 1 0 - 3 至 1 〇 - 5 Ω · .因爲其可在薄膜存放 接失敗（步驟破損） 閘極絕緣薄膜與閘極 可增進產品之產量。 加詳盡地說明了本發 下例中。 .....................................................{..........................裝......................1T...............{ Μ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁一 木认采尺戊4川中囚囚家炸咯（CNS丨甲4觇格〖210X297公诠1 23 .二、 ·— ；·；； 33n751 五、發明説明（22 ) 範例.1 參考圖1 ，本發明 程說明於下。由在氧氣 的厚矽氧化物薄膜做爲 大小爲3 0 0 nmX4 1 0 0 nm)的基極氧 ，無論如何，可由使用 tetraethoxysi lane)， °C之間韌化此產生之薄 然後，由電漿C V 放至3 0到5 0 0 n m 之間，而在承受溫度從 減低大氣對結晶之影響 生之結晶矽薄膜的型態 薄膜更存放在7 0到1 薄膜。 A6 B6 之實施例中用·於製造一T F T的製 0 0 n m 中 板 1 0 0 ( 0 n m X 作爲一大量生產的製程 E 0 S ( 0 至 6 5 0 中的濺射一1 0 0至3 〇 5 9基 —Corning 0 0 n m 或 化物薄膜。 C V D而分 及在溫度大 膜而形成基 D 及 L P C ，最好是介 5 5 0 至 6 。可步驟由 爲似島狀部 5 0 n m 由 大小爲1 解及儲放T 小爲4 5 0 極氧化薄膜 V D非晶之 於1 0 0至 0 0 *C 下 2 可雷射輻射 位 1 0 2。 濺射而做爲 矽薄膜被e 3 0 0. n m 4小時，可 而執行。產 一矽氧化物 一閘極絕緣 —含9 9%Aj?及l%Si的鋁薄膜由電子束的沈積 (deposition)可形成其厚度在2 0 0 nm至5 pm之間 ，且加以塑形而獲得閘極電極1 0 4 ，其與閘極絕緣薄膜 相接觸。施加電流於一電解質中此產生之閘極電極被正極 性的氧化。如此至少在閘極電極的一側中得到一5 0至 2 5 0 n m之厚的正極氧化物1 〇 5，且含有一閘極電極 的材料如圖1 ( A )所示。正極氧化物之執行狀況示於日 本專利申請He i — 4 — 3 0 2 2 0中（列檔日期爲

Γ、认乂尺用肀囚四家桴华（CNS丨甲4規格（210X297公犮I 24 .....................................................f ..........................裝......................訂................(琛. <請先閱讀背面之注意事項再填钌本頁) 2S2751 A6 B6

.ά済·t •δ-.Λ'ί.''^-^ητ.ι-πίί^^η..Λ. 4U 五、發明説明（23 ) 1992年1月21號）。 閘極電極至少含有二種材料的合金，且正極氧化物含 有至少該兩種材料中的一種。 經由移動矽氧化物薄膜1 0 3 (在閘極接點以下的部 位例外）及正極氧化物，矽半導體1 0 2的表面暴露出來 。經由使用一氫氟酸的蝕刻溶液的溼蝕刻或乾蝕刻矽氧化 物薄膜1 0 3可移除。 不純物導入似島狀之在每一TFT的矽薄膜中，藉著 使用閘極接觸部位做爲罩子的離子滲入程序以自準形式可 得到雜質區1 0 6 ，示於圖1 (B)中，在形成一 Ν Μ Ό S TFT的情況下由使用磷化氫（Ρ Η 3 )做爲 滲入氣體的磷植入可形成雜質區，且’由使用二溴化物（ Β2Η6)做爲滲入氣體可得到PMOS TFT。滲入離 子在10至6OkeV的加速能量下執行。 —5至5 0 nm之鎢薄膜由濺射所沈稹而得到如圖1 (C)之結構。隨後，沉積的鎢薄膜允許經由一 Kr F激 之雷射的輻射而與矽反應/其操作波長爲2 4 8 nm而脈 衝寬度爲2 0 n s e c。因此得到兩個鋳矽化物區域 1 0 8，位於矽半導體雜質區（源極及汲極）且與之相接 觸，而在基板上提供N型或P型之導電。含有矽半導體的 活性區有一寅質上的本質導電或兩個矽半導體區的反向導 電型態提供於兩矽半導體TE之間。由操作能量密度在 2 0 0至4 0 OmJ/cirf能量密度的雷射一適當的雷射 處理可執行，較佳之能置密度介於2 5 0至3 0 OmJ/ ......................................................{ ..........................¾.......................可................{線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本页> 本试尺度適用中囚四家桴芈（CNS 1甲4規格(.21 () χ 2 9 7公诠I 25 2S2751 A6 B6 五、發明説明（24 ) cm1。由此輻射的雷射光束大部 很難用於矽雜質1S結晶度的恢復 驟中已被嚴重破壞。因爲鎢矽化 至1 Ο 0#Ω · cm之間，源極 區域1 〇 8及在區域1 0 8下的 / c rrf或更低。當然雜質區可由 當離子植入後）而移去可惡質之 經過雷射照射而仍然未產生 移除，示於圖1 (E)中。鋳可 乃經由承受一碳氟化物氣體的蝕 最後，由CVD —矽氧化物 η τη，而在產生的結構之整個表 1 0 9。在貫穿用於TFT之源 與接點1 1 0及1 1 1的連接形 TFT結構。甚至溫度大小在2 可執行而活化雜質區。 份爲鎢薄 ，此在先 物之髦阻 及閘極區 雜質區） 一雷射照 膜所吸收，因此 前之雜子滲入步 相當低，在3 〇 域的薄層電阻（ 被發現爲1 Ο Ω 射或熱韌化等（ 效果。 反應的鎢 以鶴六氣 刻。 薄膜沉稹至厚度3 0 0 面上提供一層間絕緣體 極/汲極的接觸洞後，鋁 成。依此樣式，完成一 0 0至4 0 0 °C的氫韌化 薄膜可由蝕刻而 化物而除去，此 ............................」............·I ..........................裝.......................玎................(線 (請先W讀背面之注意事項再蜞寫本頁} 範例 ill· •ir- 參考圖2 ，本發明中之一實施例用於製造TFT的製 程說明於下。一基極氧化薄層2 0 2，一似島狀半導體區 域’ ·及功能爲閘極氧化物薄膜20 4的矽氧化物薄膜序列 地形成於Corning 7 0 5 9基板上，其樣式如例1.中所示 。然後，一閘極接點由鋁薄膜形成，厚度介於2 0 0 nm 至5之間。如示於圇2 (A)中者，由使用閘極接點 26 .V: 2327B1 A6 B6 祁 -it il 五、發明説明（25 ) 做爲罩子注入雜質形成一雜質區2 0 3。 一正極氧化物圍繞著閘極接點而形成（也就是位於聞 極接點的上表面或側邊），此由使用範例1中相同樣式的 正極氧化而達成。需知，無論如何，相較於例1中的例子 ，雜質區遠深入正極氧化物的內部 '隨後，由移動除了閘 極接點下的矽氧化物薄膜，雜質區的表面可暴露出來。此 產生之結構示於圖2 (B)中。在至下一步驟之前，必需 執行雷射照或熱韌化以移除破壞，雜質區已爲前面之雜子 滲入而接收以得到結晶。 —5至5 0 n m之鉬薄_膜2 0 7由濺射而沉積，得到 圖2 (C)中之結構。隨後沉積的鉬薄膜允許經由一 Kr F激元雷射照射而與矽反應，雷射操作波長爲2 4 8 nm，而脈衝寬度爲2 0 n s e c。因此在雜質區（源極 /汲極）得到鉬矽化物。 經雷射照射而仍然未產生反應的鎢薄膜可由蝕刻而移 除，如圖2 (E)中所示者。最後由CVD —矽氧化物薄 膜沉稹至厚度3 0 0 n m，而在產生的整個結構之表面上 提供了 一層間絕緣體2 0 9。在貫穿用於TFT之源極/ 汲極的接觸洞之後，鋁與接點210及211的連接形成 。依此樣式，完成一 TFT結構。 範例 參考圖3 ，本發明中之一實施例用於製造TFT的製 程說明於下。參考圖3 (A)，一基極氧化薄膜3 0 1 ， 人t'k尺丨1中四丨mC.N’S丨甲4枞格（210x 297公垃ί 27 - .....................................................(..........................裝......................訂................f 線 t請先Mii背面之注意事項再填寫本頁> ο «I ο 51 Α6 Β6 五、發明説明（26 ) 一似島狀半島體區域3 0 2 ，及功能爲閘極氧化薄膜 3 0 3的矽氧化物薄膜，及厚度介於2 0 Onm至5 //m 由鋁薄膜形成的閘極接點3 0 4序列地形成於Corning 7 0 5 9之基板上，其樣式如例1中所示。然後一正極氧 化物3 0 5由同於例1之程序的正極氧化形成於閘極接點 的周圍（側邊及上表面）。 然後矽氧化物薄膜3 0 3被移走，在接觸點以下的部 位則沒有，由濺射沉積了 一 5至5 0 n m厚度的薄膜 3 0 6 ，得到圖3 ( B )所示的結構。經由離子滲入通過 鉑薄膜以導入雜質，而得到雜質區307如圖3 (C)中 所示者。隨後沉積的鉑薄膜由一 K r F激元雷射照射而與 效產生反應，操作的雷射波長爲2 4 8 nm，脈衝寬度 2 0 n s e c ，如此可得到一鉑矽化物區域3 0 8 ，其位 於雜質區（源極/汲極）。 經雷射照射而仍未反應的鉑薄膜.可經蝕刻而移去，如 圖3 (E)中所示者，最後經由cvd沉積一矽氧化物薄 膜至其厚度爲3 0 0 nm，且在此產生之整體結構的表面 上提供了 一層間絕緣體3 0 9。貫穿了用於TFT之源極 /汲極的接觸涧以後，鋁與接點310及311完成連接 。依此樣式完成了 一T F T的結構。 範例4 參考圖4 ，本發明中之一實施例用於製造τ F T的製 程說明於下。參考圖4 (A)，一基極氧化薄膜4 0 1 ， ....................................................《...........................裝......................訂..............《線 (請先閲讀背面之注意事項再填衮本頁一 尺/li.U中β囚家蜞準（CNS丨甲4規格ί 210x 297公犮1 28 - 2S2751 A6 'B6 五 、發明説明（27 ) 一 似 島 狀 半 島 體 區 域 4 0 2 9 及 功 能 爲 閘 極 氧 化 薄 膜 4 0 3 的 矽 氧 化 物 薄 膜 » 及 厚 度 介 於 2 0 0 η m 至 5 μ m 由 鋁 薄 膜 形 成 的 閘 極 接 點 4 0 4 序 列 地 形 成 於 Co r η i η g 7 0 5 9 之 基 板 4 0 0 上 9 其 樣 式 如 例 1 中 所 示 0 然 後 — 正 極 氧 化 物 4 0 5 由 同 於 例 1 之 程 序 的 正 極 氧 化 形 成 於 閘 極 接 點 的 周 圍 ( 側 邊 及 上 表 面 ) 〇 然 後 矽 氧 化 物 薄 膜 4 0 3 被 移 走 J 在 接 觸 點 以 下 的 部 位 則 沒 有 5 由 濺 射 沉 積 了 一 5 至 5 0 η m 厚 度 的 鈦 薄 膜 4 0 6 5 得 到 圖 4 ( Β ) 所 示 的 結 構 〇 隨 後 沉 積 的 鉑 薄 膜 由 一 K r F 激 元 雷 射 照 射 而 與 效 產 生 反 應 9 操 作 的 雷 射 波 長 爲 2 4 8 Π ΓΏ 脈 衝 寬 度 2 0 η S e C ， 如 此 可 得 到 一 秦白 矽 化 物 區 域 4 0 8 0 經 雷 射 照 射 而 仍 未 反 應 的 欽 薄 膜 可 經 蝕 刻 而 移 去 如 圖 4 ( D ) 中 所 示 者 〇 下 一 步 驟 爲 以 白 準 方 式 應 用 閘 極 接 點 部 位 做 爲 罩 子 J 導 入 雜 質 9 在 欽 矽 化 物 4 0 7 形 成 雜 質 區 4 0 8 最 後 經 由 C V D 沉 積 —· 矽 氧 化 物 薄 膜 至 其 厚 度 爲 3 0 0 η ΓΏ 如 圖 4 ( E ) 所 示 9 且 在 此 產 生 之 整 體 結 構 的 表 面 上 提 供 了 — 層 間 絕 緣 體 4 0 9 〇 貫 穿 了 用 於 T F T 之 源 極 / 汲 極 的 接 觸 洞 以 後 9 鋁 與 接 點 4 1 0 及 4 1 1 完 成 連 接 〇 依 此 樣 式 兀 成 了 — T F T 0 範 例 5 參 考 圖 5 所 示 之 序 列 製 造 步 驟 由 本 發 明 之 製 程 用 一 製 造 — N 通 道 的 Τ F Τ ( Ν Τ F Τ ) 製 程 說 明 如 下 〇 當 然 各钗‘:!<尺度4;(1中囚因本蜞苹（(^3|肀4规格丨21()父297公垃丨 -2'9 · c 751 A6 B6 五、發明説明（28 ) ，由簡單修改法（只需在源極 即可得到一 P通道TFT (P 參考矽半導體的情況，但是其 本實施例中的T F N可作爲用 或至影像感測器或其他積體電 本例中，使用一玻璃基板 的矽氧化物 玻璃基板1 A的非晶矽 限制，端視 結晶矽薄膜 改變例子。 非晶矽 持續2 4小 如照射一雷 的型態用於 域作爲對等 區及波道形 經由濺 由電漿C V 一沉積一閛 /汲極中 TFT) 他種類的 於液晶顯 路的像素 1 1。沉 1 2 ，此 C V D沉 使用P 。雖然 半導體 示裝置 之用。 型半導體， 本例中特別 仍能使用。 或周邊電路 薄膜作於基極薄膜 1的表面。由電發 薄膜。薄膜沉積法及薄膜厚 不同的實施例而定。甚至一 及聚結晶矽薄膜）可用於作 稹一厚2 0 0 〇 A 乃經由濺射而位於 積一厚度1 0 0 ' 0 度並沒有特別加以 結晶矽薄膜（如微 爲對非晶矽薄膜的 薄膜結 時此結 射光或 隔離元 於似島 成區。 射沉積 D使用 極用的 ，特別 晶後得到結 晶處理可很 强光可作爲 件且建立活 狀半導體區 了一厚 1 0 晶矽薄膜。由加熱6 0 0 °C 容易的執行，然而其他方法 一種不同的方法。然後薄膜 性層區域。在此處活性層區 域，此區中存在源極/汲極 .....................................................f ..........................裝......................π...............媒 (請先閲讀背面之注意事項再蜞窩本頁) 8 0 0 0 A 的鋁薄膜約佔矽的 屬之矽化物 ο 〇A的厚矽氧化薄膜。經 —有積矽烷（如TEOS )及氧。然後 度6 0 0 〇 A沉積至 的6 0 〇 〇 A。因此所沉稍 %。閘極接點可基於矽，金 鋁薄膜從厚 是在本例中 0 . 1 至 2 ，或一層矽及金屬 —30 I'h i；·

·*： •fK Γ751 Α6 Β6 五、發明説明（29 ) 此得到的鋁薄膜加以曬版而得到閘 極接點15的表面經正極氧化而形成一 極氧化物受到含有1 %至5 %之酒石酸 響。由此得到本例中側邊之厚度2 0 0 ，所以用此厚度之薄膜在隨後之雜質離 分支閘極區。此產生之結構示於圖5 ( 沉積的結晶矽薄膜作爲一活性層， N型導體傳至結晶矽薄膜1 3中。依此 接點15及周圍氧化物層16作爲罩子 汲極區域1 7及1 9，和通道型形成區 型成。執行雷射韌化而啓動滲入之磷雜 此膜之結晶化已滲入過程中已損害。經 紅外光可執行韌化。另外，一已知之加 應用。然而最佳及最常使用的韌化過程 也就光波長爲1. 2#m者），因爲紅 矽半導體吸收而毋需考慮加熱玻璃基板 時間之縮短，可防止玻璃基板熱上升。 ，磷擴散而進入通道形成區至一定之範 18及源極/汲極區17和19的疆介 外側而移得較靠近於通道形成區。 然後，沉稹矽氧化物薄膜厚度從2 ，在本地中特別爲9 0 0 0A。此過程 由使用TE 0 S及氧的電漿可沈積氧化 極接點15上部位上產生的矽氧化物示

極接點1 5 氧化層1 6 的乙烯乙二 〇 A的氧化 子的注入後 A )中。 被滲入磷離 樣式，由應 (mask)， 1 8依自準 質及韌化矽 由使用一燈 熱韌化過程 爲應用一紅 外光可選擇 。甚且，經 因爲在韌化 圍，通道形 從氧化物層 ο ο ο A 至 乃經由濺射 物薄膜2 0 於圖5 ( B 。鋁閘 。該正 醇的影 物薄膜 得到一 子，將 用間極 源極/ 形式而 薄膜， 而輻射 可加以 外光（ 性地爲 由照射 過程中 成區 1 6的 2 // m 達成。 。於閘 )中， ......................................................f ..........................装......................•可...............{.^. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 31 - V ί!''亦.ι»-^ίί·)Γ-Α“工:π·ί)ν,:5:ν·ίΓ..:·).κ 2S2751 A6 B6 五、發明説明（30 ) 此閘極接點有大的步階差（step difference)。然而， • . 此依品質而顯示且視矽氧化物薄膜2 0的步階覆蓋及薄膜 厚度而定。 此產生之矽氧化物薄膜然後承受一已熟知的不等向飽 刻，例如一 R I E (反應離子蝕刻）處理。因爲高度爲 9 0 0 0 A之閘極接點側邊的厚度約爲薄膜厚度的兩倍（ 也就是矽氧化物薄膜9QQ.0A)，此殘餘之矽氧化物其 外形成圖中之虛線所示。矽氧化物絕緣體薄膜1 4加以連 續蝕刻而暴露源極/汲極區1 7及1 9。在結晶化矽薄膜 1 3的邊緣部位可發現一步階，其型態爲一活性層。然而 因爲步階之高度僅約1 0 0 0A，實質上沒有矽氧化物薄 膜2 0遺留於此部位。在圖5中的實施例，矽氧化物仍然 爲一虛線2 1所表示之外廓，因爲矽氧化物薄膜2 0外形 之遺留者如圖5 ( B )所示。然而如果將沉積之矽氧化物 薄膜，其外形反應閘極接點的形狀（爲矩形突起），虛線 所示之外形爲矩形或角形。 因此，約爲矩形的矽氧化物可得到。本實施例中三角 型的矽氧化物之寬度約爲3 0 0 0A，但實際上，寬度由 矽氧化物薄膜2 0及蝕刻狀況而定，且更加以考慮閘極接 點1 5的高度（含氧化物層1 5 )。 然後，沉積一 T i及T i S2薄膜且承受熱韌化而得 到T i之矽化物2 8。 在本例中，由濺射，Ti薄膜沉積至厚度5 0 0A， 且一般其沉積的厚度介於1 〇 〇至1 〇 〇 0A之間。此產 -ΜΛ A 尺遴川中 a 因家 丨 CN'S 丨 T 4规}ί·I 210X 297公垃 I - 32 * ....................................................-C ...........................裝......................訂..............{ 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁~ 32751 A6 _ B6 五、發明説明（31 ) 生之薄膜在4 5 0°C韌化而得矽化物層2 8。此韌化可受 使用一紅外線的燈光韌化影響。燈光韌化（lamp annea卜 i ng )之影響使得輻射表面可加熱至6 0 0到1 0 0 〇 °C 的範圍。如果韌化在6 0 0 0 °C下受到影響，其期間爲幾 分鐘，如果韌化在1 0 0 0 °C下受到影響，其期間爲幾秒 鐘。在本例中，沉積後的熱韌化，鈦薄膜於4 5 0 °C下受 影響，乃因閘極接點爲鋁所製成。然而，如果含矽的閘極 接點做爲主元件被使用時，溫度不低於5 0 0 °C的韌化較 佳。 然後，使用一蝕刻溶液其含有過氧化氫，氨爲水，比 例爲.5 : 2 : 2 ，將鈦薄膜加以触刻。未蝕刻之鈦矽化.物 層2 8由照射一雷射光束加以韌化，此光束之輸出能量介 於 2 0 0 至 4 0 OmJ/crrf 間。 如此，鈦矽化物2 8形成爲源極/汲極區之表面，且 更形成一源極/汲極接點2 9及3 0則得到圖5 ( D )之 N T F T 〇 較好之設計爲源極/汲·極接點2 9及3 0爲Ti氮/ 鋁雙層薄膜所形成（含有一鈦氮化物基極薄膜及鋁薄膜） 。依此樣式，一極好的接觸可達成，乃因源極/汲極表面 由鈦矽化物所形成。 此得到之NTFT包含一三角形矽氧化物2 2 ，其建 立了源極/汲極區的接點部位，且以自準方式接觸。甚且 ，接點部位位置之設定可不考慮玻璃基板11之收縮。甚 且，接點位置之設立可很靠近通道形成區。更好的是由併

.....................................................(..........................裝......................訂................f 線 (請先閲讀背面之注意事項再埸寫本頁I 木试ik尺.¾ a m中a a Y ts準（CNS丨肀4枞格12 ID X 297公垃I 33 -":r''"'i, 〔.•"-":^工消^·-- A6 B6 五、發明説明（32 ) 入矽化層2 8，可降低源極/汲極區的薄層電阻。依此樣 式，可得到高性能之T F T。另外用於建立源極/汲極接 點的貫穿閘極絕緣體的步驟可省略，與此步驟有關的問題 可加以排除。 本實施例更深的好處爲正極氧化鋁氧化物（A 2〇3 )及閘極接點1 5之側邊的矽氧化物（S i 〇2 )的出現 。介於閘極接點及源極/汲極接等之間的寄生電容可降低 ° -* 範例6 參考圖6 ，本發明之實施例中製造N通道TFN ( NTFT)的製程將說明於下。圖6中之指示同於圖5中 者，其製造方法同於例5。 首先，經由濺射在玻璃基板上沉積一厚2 Ο Ο 0A的 厚矽氧化物薄膜。然後由電漿CVD，沉積一厚1 〇 〇 〇 A的非晶矽薄膜。在6 0 0 °C下2 4小時得到的矽氧化物 薄膜加以熱韌化，用於結晶化，而得到一結晶矽薄膜。 沉積一6 Ο Ο 0A厚之鉛薄膜，且承受似於例5之程 序，以得到一鋁閘極接點1 5，其表面有一 2 Ο Ο 0A厚 的鋁氧化層1 6。經由蝕刻閘極絕緣體薄膜1 4被移除， 而得到圖6 ( A )中的結構（閘極接點除外）。由磷離子 的植入，源極/汲極區17及19和通道形成區18以自 我對齊樣式形成。在移除矽氧化物閘極絕緣體薄膜1 4之 前離子注入步驟可受到影響。由雷射照射，燈加熱或熱韌 .....................................................(..........................^......................π................^ ^ (請先闓讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣纸氽尺戊i.4叫中囚a孓丨$準〖CN’S I甲4规格1.210 X 297公垃1 34 23^751 A6 B6

χί|»，卜 k η tj 工 ：.'i ：·.- I S »K T I 五、發明説明（33 ) 化，源極/汲極區可活化。 由濺射沉稹一厚度6 Ο Ο 0A的矽氧化物薄膜2 0。 且依例5中相同的方法加以蝕刻，得一三角形矽氧化物 2 2 ，以2 1所指示的部位。 鈦薄膜2 7沉積至厚度5 Ο Ο A然後在.4 5 0 r下熱 韌化，由伴隨著例5中所示的過程選擇蝕刻移除鈦薄膜 2 7。由更進一步照射雷射光束去薄膜，可形成鈦之矽化 物層2 8。在形成對應用於源極/汲極接點2 8及3 0的 鋁接點2 9後一 NTFT完成。 本實施例中的NTFT，由唯一結構中提供，影響似 於圖5中TF T上所獲得者。因爲三角型矽氧化物的寬度 2 5可降低至約3 0 0 QA，不只介於源極/汲極區1 7 及1 9和源極/汲極接點2 8及3 0之間有一較好的接觸 ，且源極/汲極區的接點部位之形成可儘可能的靠近通道 形成區1 8。結果可完成.一高性能TFT。 部位2 5的大小視矽氧化物薄膜2 0的薄膜厚度，矽 氧化物薄膜2 0的蝕刻狀況，及包含氧化物層1 6的閘極 接點1 5的高度而定。 因爲貫穿源極/汲極區域的步驟可消除，基本上與此 步驟相關的問題可排除。 範例7 參考圖7 ，本發明之實施例中一種製造T F T的程序 將說明於下。本例之特徵爲本發明中之T F T的源極/汲 ......................................................f ..........................I......................玎................(.^ <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 35 - 232751 A6 B6 五、發明説明（34 ) {請先閱讀背面之注意事項再場寫本頁} 極接點乃由一相似於一早期技術的程序所形成，但本例中 在源極/汲極的表面形成一矽化物層，減低了源極/汲極 區8 6及8 8的薄層電阻。 首先，經由濺射在一玻璃基板上沉積一厚度1 〇 〇 〇 A的矽氧化物薄膜做爲基極薄膜。然後，經由CVD沉積 —厚1 Ο Ο 0A的非晶矽薄膜8 2。在6 0 0 °C下經過 4 8小時所獲得之非晶矽薄膜加以熱韌化以用於結晶，且 承受一元件隔離而形成一活性層。 經由濺射沉積一 1 Ο Ο 0A厚的矽氧化物薄膜8 3作 爲閘極絕緣體薄膜。然後含1 %矽的鋁薄膜沉稹至 6 〇 〇 〇A之厚度，由曬版而給予閘極接點8 4。然後經 由正極氧化形成厚2 Ο Ο 0A的氧化物層8 5。由注入磷 離子，源極/汲極區8 6及8 8產生N型導電，且一波道 形成區以一自準方式形成。因此得到源極/汲極區8 6及 88，和通道形成區87。 由照射一雷射光束或紅外光束，源極/汲極區被啓動 。此產生的矽氧化物薄膜8 3被移去，且經由濺射，形成 —鈦薄膜8 9至厚度5 Ο 0A。經韌化形成鈦矽化物層 9 0 ，因此在4 5 0 °C沉積鈦矽化物層。經由如例5中說 f 明的選擇蝕刻除去鈦薄膜。_此產生之結構更經由雷射照射 «1' I而韌化。 (·) ! —層間絕緣體9 1從矽氧化物中形成且承受一般之曬 I 版步驟形成源極/汲極區9 2及9 3。由採用本發明之構 -il. J 造。一個不受源極/汲極區之薄層電阻所影響的TFT可 本认乐尺度迖用中囚闽··iUMWCMSi'fM规格丨210X.297公垃I - 36 - 2Z2751 A6 .B6 k 工 消 TFT 下。 首 1 0 0 經由C °c下經 結晶5 7 0 .3 五、發明説明（35 ) 得到。也就是本發明實施例中的TFT含源極/汲極接點 9 2及9 3，其距通道形成區一距離9 4，但由於矽化物 層9 0的出現，源極/汲極區的薄層電阻被降低。甚且距 離9 4的採用可有一彈性。此允許耦合的罩子可導電，亦 允許在往後慣穿層間絕緣體91的步驟用於形成源極/汲 極區。亦可看出由裝置程序步驟的觀點本發明中的架構是 有利的。 在貫穿一點至閘極接點時同時接點洞的貫穿連接至源 極/汲極區，由蝕刻溶濟（一緩衝氫氟酸）源極/汲極區 域上表面修訂的問題在早期製造程序中已出現。在與實施 例的製程中，因爲源極/汲極區上表面的矽化物層依然未 被緩衝氫氟酸所蝕刻，故上述之問題可加以排除。 範例 參考圖8 ，由本發明之實施例中在一互補結構中製造 含有N通道TFT (NTFT)的互補TFT (C/ )及P通道TFT (P/TFT)的製程將說明如 先，經由濺射在一玻璃基板7 0 0上沉稹一厚度 0 A的矽氧化物薄膜做爲基極薄膜7 0 1。然後， VD沉積一厚1 Ο Ο 0A的非晶矽薄膜。在6 0 0 過4 8小時所獲得之非晶矽薄膜加以熱韌化以用於 且承受一元件隔離而形成一結晶活性層7 0 2及 .....................................................f ..........................裝......................訂................f 線 ~請先閲讀背面之注意事項再蜞寫本頁) 木抆氽义度a川中a a家櫺芈（CN’S)甲4规格1210 X 297公紱I 37 23D751 A6 ____B6_ 五、發明説明（36 > (請先閲讀背面之注意事項再埸寫本頁j 經由濺射沉積一 1 Ο Ο 0A厚的矽氧化物薄膜7 0 4 作爲閘極絕緣體薄膜。然後含1 %矽的鋁薄膜沉積至 6 Ο Ο 0A之厚度，由曬版而給予閘極接點7 0 5及 7 0 7。然後經由正極氧化形成厚2 Ο Ο 0A的氧化物層 7 0 6及7 0 8。由注入硼離子，源極/汲極區7 0 9及 7 1 1產生P型導電，另外注入磷離子至其他活性層 7 0 3 ，使源極/汲區7 1 2及7 1 4成爲N型導電，而 一通道形成區7 1 3以自準方式形成。如果此步驟中毋，需 注入離子，則在該區覆蓋一電阻。 由照射一雷射光束或紅外光束，源極/汲極區被活化 。此產生的矽氧化物薄膜7 0 4被移去，且在相似於例5 的狀況之下，沉積一鈦薄膜。由韌化此沉積的鈦薄膜，可 形成一鈦矽化物層7 1 6 。經由如例5中說明的選擇蝕刻 除去鈦薄膜。此產生之結構·更經由雷射照射而韌化。依此 方式，得到一鈦矽化物層7 1 6。 一層間絕緣體717從矽氧化物中形成且承受一般之 曬版步驟形成源極/汲極區718及719用於PTFT ，同樣7 2 0及7 2 1用於NTFT。由採用本發明之構 造。一個不受源極/汲極區之薄層電阻所影響的N T F T 可得到。也就是本發明實施例中的N T F T含源極/汲極 接點7 2 0及7 2 1 ，其距通道形成區一距離7 2 2，但 由於矽化物層716的出現，源極/汲極區的薄層電阻被 降低。甚且距離7 2 2的採用可有一彈性。此允許耦合的 罩子可導電，亦允許在往後憤穿層間絕緣體7 1 7的步驟 -38 - 3^751 A6 _.. _B6 五、發明説明（37 ) 用於形成源極/汲極區。亦可看出由裝置程序步驟的觀點 本發明中的架構是有利的，且在貫穿步驟中，源極/汲極 區的表面可免於修改或蝕刻。. 在上述例5至8所說明的結構中，鋁被作爲閘極接點 ，且由正極氧化，一氧化物層繞著閘極接點而形成。然而 ，閘極接點可含有矽或金屬作爲主要元件。否則其可由一 層的半導體及金屬，或金屬及半導體的矽化物而形成。更 特別地，金屬如鈦，鉻，及鉅和矽的接點，或含該類金屬 之矽化物的接點可被和另一層的該類物質或S i — W， S i — Mo及s i — Aj?的矽化物做爲閘極接點。 範例9

ί1^!ίΓ·'1,-;:ί!ίΐ,''τ:·ι,·,-:?,·,';·ν:";ί';ί·::,U {請先閱讀背面之注意事項再蜞寫本頁) 參'考圖1 0 ，本發明之實施例中用於製程TFT的製 程說明於下。經由在氧氣環境下的濺射，沉積一厚度介於 1 0 0至3 0 Onm的矽氧化物薄膜1 1 0 2 ，做爲在 Corning 7 0 5 9 基板 1 1 0 1 (大小於 3 0 0 nmX 4 0 0 nm或大小爲1 0 0 nmX 1 0 0 nm)的基極氧 化物薄膜。然而，做爲適於大量生產的製程，可經由應.用 電漿CVD及溫度範圍在4 5 0 °C至_6 5 0 °C下熱韌化該 薄膜而分解及沉積T E 0 S ( tetraethoxysilane)，可 形成基極氧化物薄膜。 然後經雷射CVD或LPCVD，可沉積非晶矽薄膜 到達厚度在3 0至5 0 〇 nm之間，較佳者爲5 0至 1 0 Onm。且允許於5 5 0 °C至6 0 0 °C的溫度，在減 木+¾ ‘玉尺度m中a a家棵準（CHS)甲4規格（210X 297公犮> -39 - A6 .. B6 . · 五、發明説明（38 ) 低之大氣壓力立持績放2 4小時以影響結晶化。此步驟可 由雷射照射執行。對此產生之結晶矽薄膜加以曬版而給予 島狀部位。經由濺射，一矽氧化物薄膜被沉積至厚度7 〇 到1 5 0 n m間。 一含9 9 %鋁及1 %矽的鋁薄膜由電子束沉稹，加以 形成，其厚度在2 0 Onm至5#m間，且加以曬版而得 到閘極接點1 1 0 6。在電解液中施加電流，此產生之閘 極接點被正極氧化。如此，得到5 0至2 5 0 nm厚度之 正極氧化物1 1 0 7。該正極氧化物的性能刊載於日本專 利申請He i — 4 — 3 0 2 2 0中（列檔日期1 9 9 2年 1月2 1號）。 由使用閘極接點部位（也就是，閘極接點及正極氧化 物薄膜）做爲罩子而得到源極/汲極區（雜質區） 1 1 0 3 (見圖1 Ο (A))的離子滲入程序中，雜質依 自準形式，導入每一 TF T之似島狀矽薄膜中。在形成一 N Μ 0 S TFT的情況下，由使用三氫化磷（ΡΗ3 ) 作用滲入氣體的注入磷過程中雜質區可形成，在應用乙硼 烷（Β2Η6)作爲滲入氣體而得到PMOS TFT的例 子中，由注入硼以得到雜質區。滲入離子的動作在加速能 量從1 0至9 OkeV，及離子劑量在2X1 014至8X 1 〇_14cm_2 下執行。 由電漿CVD，沉積一矽氧化物薄膜至厚度4 0 0 n m到1 . 5 μ m之間，例如厚度9 0 0 n m。 然後，應用一已知的非等向性蝕刻，例如R I E處理

尽纸侬又/1 i.:i川中a a家掙CN，S)甲4規格1210x297公垃I _ 40 - ......................................................^ ..........................裝......................-訂................(.^. {請先閱讀背面之注意事项再填寫本頁) 經濟部-5- *ii^v.-('Ju 工:νϊ';ϊ·;>·ί-'·.Γ··Ι·::7-κ A6 B6 五、發明説明（39 ) ，此產生的矽氧化物薄膜接受蝕刻。高度9 0 0 nm的閘 極接點1 1 〇 6的側邊之厚度在本例中約爲薄膜厚度的兩 倍（也就是矽氧化物薄膜之薄膜厚度9 0 0 nm)。矽氧 化物閘極絕緣體薄膜1 1 〇 5提供，露出的源極/汲極區 1 1 0 3。在上述之步驟之後，一三角型絕緣體產生於閘 極接點的側邊，見圖1 0 ( C )。 經過濺射，沉積一厚度在5至5 0 nm的鎢薄膜，而 得到圖1 0 ( D )的結構。隨後由照射一 K r F激元雷射 沉積的鎢薄膜與矽產生反應，雷射之操作波長在2 4 8 nm，脈衝寬度爲2 0 n s e c。因此在雜質區（源極/ 汲極），得到一鎢矽化物區1 1 1 1。在能量密度從 2 0 0至4 0 OmJ/cm2下操作雷射，可執行適當的雷 射處理，較適的雷射密度在2 5 0至3 0 OmJ/crrf。 由照射之雷射光束大部份爲鎢薄膜所吸收，因此很難用於 矽中雜質區結晶化的恢復，此處之矽爲在前面離子滲入步 驟中遭受到嚴重破壞者，然而，因爲在3 0至1 〇 • c m中鋳之矽化物電阻很低，實質源極及汲極區（區域 1 1 0 8及區域1 1 0 8下的雜質區〉的薄板電阻爲1 〇 Ω/crrf或更低，當然，一當離子注入步驟之後，將雜質 區承受雷射照射或熱韌化可避免質的惡化。 經由雷射照射之後而仍未產生反應的鎢薄膜可經由蝕 刻而只遺留鎢之矽化物，圖1 0 ( E )中所示者。例如當 鎢之六氟化物氣體在碳氟化合物之環境下承受蝕刻反應， 則可將鎢移除。 本π乐尺度迖用中a囚家棵準（CNS)甲4規格（210x297公釐丨 _ <4 1 — ....................................................~ ...........................裝......................訂..............-C 線 <請先閲讀背面之注意事項再蜞寫本頁} 木认采尺度遇川中a囚家慄準（CMS丨甲4规格·（ 210x297公垃> 23?75i A6 _____B6 五、發明説明（40 ) 最後，經由C V D，沉積矽氧化物薄膜至厚度3 Ο Ο n m，而在此產生之結構的整個表面提供一層間絕綠體 1 1 1 2。在貫穿用於TFT的源極/汲極的接觸涧後， 形成了鋁與接點1113的連接。依此樣式，依結構完成 , 爲一TFT。而且，溫度大小在2 0 0至4 0 0 °C的氫韌 化可韌行而活化雜質區。 範例1 0 參考圖11 ，本發明之實施例中用於製造TFT的程 序說明於下。一基極氧化薄膜1 2 0 2 ，一似島狀之半導 體區，以功能爲閘極氧化物薄膜1 2 0 5的矽氧化物薄膜 ，及一做爲閘極接點1 2 0 6厚度從2 0 0 nm至5 的鋁薄膜於Corning 7 0 5 9基板1 2 Ο 1上形成，實質 上依上面例9之樣式。然後經由芷極氧化依例9中的程序 在閘極接點的周圍（側邊及上表面）形成一正極氧化物 1 2 0 7。應用以閘極接點做爲罩子的離子滲入，在劑量 爲1 X 1 0 14至5 X 1 0 14cm·1 2 3之下由注入雜質而形成 雜質區。 隨後，經由輻射一 K r F激元之雷射操作滲入之雜質 il I 可被活化，雷射操作波.長爲2 4 8 nm及脈衝寬度2 0 央： 113 6(：。由操作能量密度在2 0 0至4 0〇111：[/£：1^ ......................................................ί ..........................裝......................訂...............ί 線 t請先閲^背面之注意事項再螇寫本頁) 1 的雷射，可發現一適當的雷射處理，較佳之設計爲雷射密 2 $ . 3 <：_ 度在2 5 0至3 0 0 m J / c m3之間。如此可得到圖1 1 ( A )中的結構。 -42 - 23Π751 A6 B6 五、發明説明（41 ) 如輻射使用燈的紅外光，可執行活化，此亦可使用一 已知的加熱韌化程序。最佳且最有用的活化程序爲使用一 紅外光（也就是光波長1. 2nm)，因爲紅外光可爲矽 半導體選擇性的吸收，而毋需考慮加熱玻璃基板。更甚者 由縮短輻射的時間，玻璃基板之.加熱可防止。在上述的活 化步驟之後，例如，當只蝕刻矽氧化物閘極絕緣體薄膜 1 2 0 5時，因爲正極氧化物可不被蝕刻，CF4氣體可 做爲蝕刻氣體。經由電漿CVD，隨後沉積矽氧化物薄膜 1208至厚度400nm到1. 5"m之間。 由同於例9中的非等向性蝕刻，一矽氧化物的三角型 絕緣體1 2 0 9形成於閘極接點的側邊。由示於圖1 1 ( C)中的濺射，形成了厚度爲5至5 0 nm的鈦薄膜。該 鈦薄膜被加熱，溫度範圍爲2 5 0至6 5 0 °C，而允許鈦 與矽產生反應，而在雜質區（源極/汲極）的絕緣基板（ 含基極氧化物薄膜1 2 0 2 )的表面形成一鈦矽化物區 1211。此步驟最好在閘極接點及其他類似物並不產生 突起的溫度下執行。 在單晶半導體基板的I C情況下，在矽化物區中需要 對及基板提供一個連接。然而因爲本發明在一絕緣基 板上使用一薄的薄膜I C，該矽化物可避免直接與玻璃基 板（絕緣基板）接觸。因此’形成矽化物可簡單達成。 本發明的韌化由受使用紅外光的燈韌化（丨amp anneal i n g ) 所影響 。燈 韌化之 影響爲 使用輻 射表面 加熱到 6 0 0至1 0 0 〇 °C的範圍。如果韌化在6 0 0 °C下受影 .....................................................1 ...........................裝......................#...............\ ^ {請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) -43 f'j

Cv A6 B6 五、發明説明（42 ) 響，該期間持績幾分鐘。如果韌 度中受影響，該期間持續幾秒鐘 點乃應用鋁製成，沉積鈦薄膜的 溫度下受影響。然而，如果包含 使用，溫度7 0 0 °C或較高的韌 然後應用蝕刻溶液蝕刻鈦薄 5 : 2 : 2的過氧化氫，氨，及 仍未被蝕刻。最後，如圖1 1 ( 化物薄膜沉積至3 0 0 nm，在 生一層間絕緣體1 2 1 2。在貫 極的接點洞之後，執行鋁與接點 式，得到一完全的TFT。 範例 參考圖1 3 ，用於製造一主動矩陣（其對液晶顯示器 之基板加以定址）的程序說明於下。’ 參考圖1 3 ( A )，一功能做爲閘極氧化物薄膜 -Jl*. 久·] il 工 消 -二、 .·!· 4 的1 0 0 0 〇C溫 中，因爲閘極接 5 0 °C或較低的 接點做爲主元件 液含混合比例爲 化物層1 2 1 1 ，由C V D鈦氧 果的整個表面產 F T之源極/汲 的連接。依此樣 化在較高 。在本例 熱韌在6 矽的閘極 化較佳。 膜，該溶 水。纟太石夕 E )所示 產生的結 穿用於T 12 13 <請先閲讀背面之注意事项再場寫本頁j 1 4 0 5的矽氧化物薄膜在Corning 7 0 5 9基板 1 4 0 5上形成，其形成方式同於上述例9中所述者。且 更形成一做爲閘極接點1 4 0 7 ，厚度從介於2 0 0 nm 至5 v m的鋁薄膜，在其相同層上有一連接（第一層連接 )1 4 0 7。然後應用同於例9中步驟的正極氧化，在閘 極接點的周圍（側邊及上邊）形成一正極氧化物1 4 0 8 。由應用離子滲入注入雜質形成雜質菡1 4 0 3。隨後應 44 Ο 〇 O K： -J Α6 Β6 五、發明説明（43 ) 用一Κ r F激元雷射照射而活化 m，脈衝寬度 0 0 至 4 0 0 最好是能量密 k ίί :?i !ϊ· 作波長 射之能 適當的 / c rrf 然 1 4 1 緣體1 等向性 至5 0 爲介於 3 0 0 的表面 然 蝕刻， 表面上 射沉積 薄膜然 TFT 多層薄 之連接 5 0 0 基板。 在 爲 2 4 8 π 量密度於2 雷射處理， 之間。 後，如圖1 0 ，在閘極 4 1 1 及 1 蝕刻。在露 n m厚之妖 2 5 0 至 4 °C之間，而 形成鈦矽化 後，如圖1 3 ( C 由C V D —蝕刻一 做爲層間絕緣體1 —I T 0薄膜至5 後曬板提供 之源極/汲 膜，加以曬 。欽氣化物 n m之間。 滲入之雜質，該雷射之操 2 On sec。藉操縱雷 mj /crrf之間，可得一 度從2 5 0至3 0 OmJ 3 (B)所示沉積一矽氧化物薄膜 接點的側邊及第一層連接形成三角形絕 4 1 2 ，此乃經由與例9相同樣式的非 出源極./汲極區之後，經由濺射，一 5 薄膜形成。在薄膜形成期間的基板溫度 5 0°C之間，較佳者爲在2 0 0至 允許鈦與矽產生反應，在源極/汲極區 物層。 )所示，仍未作用的鈦薄膜加以 厚6 0 0 nm的欽薄膜，在整個 4 1 4。此步驟乃伴隨著經由濺 0至1 0 Onm的薄膜。ITO 一 I TO像素電極。最後，形成用於 極的接點洞，且沉積一鋁及鈦氮化物的 版而得到用於第二層的連接點1 4 1 6 及鋁層的厚度相對應地爲8 0 n m至 依此樣式，得到一完全的主動矩陣定址 ......................................................(...........................^......................,叮...............-ί^ ί請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁一 本例中製造主動矩陣期間，用於單一像素的電路示 ,ΜΛ 又哎逍川中囚舀孓焓準（CNS丨甲4规格（210χ 297公垃） -45 fc-j p ο rN i

fc-j p ο rN i Jr· '1， •\·- f.J n i'i· A6 B6 五、發明説明（44 ) 於圇13 (E)中。介於源極/汲極接點1416及閘極 接點1 4 0 7之間的薄板電阻，甚至在其間的距離大時仍 不會有問題。甚且，因爲提供閘極接點做爲分支閘極，在 閘極接點與源極/汲極區（或源極/汲極接點）的寄生電 容CP ，可發現其足夠地小。因此，一般與像素電容並聯 製造的實質電容Cs可大大的減低，或完全消除。結果可 達成增加孔徑比。 經由本發明，比較上述之實施例（一像素TFT)由 減低正極氧化物1 4 0 9的厚度可細程用於主動矩陣的周 邊驅動電路，否則可完全除去極氧化物。一像素TFT需 把寄生電容CP達到最小，但一用於周邊電路的TFT並 不需限制C p的減低。 如上所述，本發明提供一薄的薄膜半導體裝置，實質 上其在源極/與汲極間的電阻已減低。在先期之技術中， 爲了減低。源極與汲極間的電阻需要導入一長時間的熱韌 化。但此早期的處理方法有下列缺點：較低的產量，用於 處理的基板材料限制於溫度5 5 0 °C或更高。使用雷射照 射的處理也被提出，此處理需能量密度的最佳化。在能量 密度低於或高於較適質之下，沒有較好的薄板電阻可製成 。因此，製成的TFT有較大的散射特性質，更甚者在最 好的產生下，只有幾百每平方的歐姆値的薄 層電阻。 相較於上述之早期技術的處理，本發明提供一薄的薄 膜半導體裝置含有一基本上降低至1 〇 〇il/crrf或更低 •N ;:.Uk 尺 1.¾ 中占 ta 孓 β 準（C.NS I f 4 规格（21 () X 2 9 7 公垃） -46 - .....................................................f ..........................裝......................訂..............{ 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁一 ο 〇 ^ *r c; -¾ rwr ：\/： V. O J. A6 B6 五、 、發明説明（45 ) 的 薄 層 電 阻 0 因 爲 — 相 當 薄 的 矽 化 物 薄 膜 形 成 於 矽 半 導 體 ( 源 極 / 汲 極 ) 的 表 面 9 而 大 大 減 低 了 薄 層 電 阻 0 本 發 明 需 雷 射 照 射 以 得 到 矽 化 物 薄 膜 9 然 而 用 於 活 化 矽 的 操 作 狀 不 需 如 早 期 技 術 般 地 嚴 加 控 制 0 甚 且 雷 射 照 射 可 相 當 地 改 進 產 量 0 用 於 製 造 矽 薄 膜 的 程 序 需 要 金 屬 薄 膜 沉 稹 9 用 於 薄 膜 沉 積 的 處 理 時 間 使 得 整 個 製 程 儘 量 縮 短 而 易 於 大 量 生 產 0 甚 且 相 較 於 矽 化 物 層 的 矽 半 導 體 雜 質 區 用 於 由 於 離 子 注 入 破 壞 的 結 晶 恢 復 的 活 化 步 驟 毋 需 導 入 0 例 如 在 使 用 離 子 滲 入 注 入 劑 量 爲 1 0 1 5 C m -2 的 雜 質 時 9 一 約 1 0 k Ω / C m2 的 薄 板 電 阻 毋 需 雜 質 區 的 活 化 程 序 即 可 得 到 0 結 果 在 本 發 明 之 實 際 裝 置 其 提 供 了 低 電 阻 矽 化 物 層 而 與 雜 質 15? 相 接 觸 其 源 極 與 閘 極 間 的 薄 層 電 阻 相 當 的 低 然 而 在 沒 有 經 過 活 化 步 驟 的 矽 半 導 體 中 多 種 缺 陷 仍 可 呈 現 ) 並 且 由 信 賴 度 的 觀 點 視 之 此 多 種 缺 陷 有 時 是 不 喜 歡 的 0 在 此 情 況 下 ， 雜 質 區 的 活 性 需 要 執行 0 需 知 道 活 化 步 m 的 併 入 增 加 整 個 程 序 的 步 驟 0 然 而 爲 了 活 化 的 雷 射 照 射 之 應 用 相 當 地 減 低 了 製 造 時 間 而 沒 有 使 製 程 更 複 雜 9 因 爲 相 較 於使 用 雷 射 在 最 佳 控 制 雜 質 區 的 薄 板 電 阻 照 射 下 9 此 步 驟 的 執 行 狀 況 則 較 不 嚴 格 〇 如 上 述 ， 本 發 明 在 T F T 製 造 中 的 改 進 特 性 及 增 加 產 量 爲 極 有 用 者 〇 除 了 上 述 外 ， 經 由 接 點 提 供 的 絕 緣 體 在 源 極 / 汲 極 區 ΜΛ ik尺/1达川中囚四¥焓芈l CNS丨甲4規格丨210 X 297公兌I - 47 - f W s .·- Is. W «β. A6 B6 五、發明説明（46 ) 位置可自動設定， 。另一個好處是， 的結構已 及以自準 而形成的 當更 體裝置可 矽化物層 雖然 是很明顯 明的精神 可得到。 方式的通 問題之裝 改進裝置 製造出來 ，降低源 本發明已 地對於技 及觀點者 該絕緣 不需特 特別是 道形成 置可得 特性， ，且由 極/汲 加以詳 術上不 乃可執 體與閘 別考慮 不需罩 部位之 到。 可信度 在源極 極區的 細敘述 同的改 行之。 極接點以自準樣式相接觸 源極/汲極區的薄層電阻 子耦合及當設定接觸部位 間的距離時，沒有因接觸 ，及產品的薄層薄膜半導 /汲極區的表面上形成一 薄板電阻可增加產量。 且附上特殊之實施例，但 變或修飾而沒有偏離本發 .....................................................f ..........................^......................玎................^ 0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -M.U'fc尺戊迖;丨丨中a a孓丨黑苹（CNS I甲4 格·（ 210 X 2 9 7公犮I 48 - fl.

Claims (1)

1. A7 B7 C7 D7 六、申請專利範園 ， 1 . 一種半導體裝置，包含： 二位於基板上含P型及N型導電之矽半導體區域； 一介於該兩矽半導體區域間的活性區且含有一矽半導 體，此半導體對於該兩矽半導體區域有一實質上的本質導 電或一反向導電型式； 提供一位於該活性區的閘極絕緣薄膜； 提供一閘極電極與該閘極絕緣薄膜相接觸： 提供一正極氧化物，至少位於該閘極電極之一側且含 有一前述之閘極電極的材料；且 提供二矽化物區域，與前述二矽半導體區相接觸且含 有砂及金屬。 2 .如申請專利範圍第1項之裝置，其中該兩矽化物 區域爲層狀其實質上與該二矽半導體區域有相同之形狀。 3·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該閘極電極 至少含有二種金屬的合金，且該正極氧化物包含前述之至 少兩種材料中至少一種。 4.如申請專利範圍第1項之裝置，其中該兩矽化物 1E域之厚度爲1 0 nm至1 //m之間。 5 .—種用於形成一半導體裝置的方法包含下列步驟 選擇性形成一半導體層其基板上含有矽： 在該半導體層上形成一閘極絕緣薄膜； 在該閘極絕緣薄膜上形成一閘極電極； 至少在該閘極電極的一側上形成一正極氧化物： 表紙張又度適用中B理家榡準（CNS)甲4规格（210 X 297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再瑣寫本頁) -裝· 訂· 绶濟#中喪锞準局β工消费合作社印货 -49 - 51 A7 B7 C7 D7 六、申請專利範圍 經由導入雜質以自準方式，以該閘極電極及該正極氧 化物做爲罩子，在前述之半導體層上形成源極及閘極區： 移除部份前述之閘極絕緣薄膜，露出前述之源極及汲 極之表面； 在露出之表面上形成含有金屬的金屬薄膜； 照射一光至該金靥薄膜上經由結合前述之金屬與前述 之矽而形成一矽化物；且 在該源極及汲極區域除去該金屬薄膜而留下前述矽化 物。 6 .—種用於形成一半導體裝置的方法包含下列步驟 選擇性形成一半導體層其基板上含有矽： 在該半導體層上形成一閘極絕緣薄膜； 在該閘極絕緣薄膜上形成一閘極電極； 在前述之閘極絕緣薄膜形成步驟之後經由導入雜質以 自準方式，以該閘極電極及該正極氧化物做爲罩子，在前 述之半導體層上形成源極及閘極區： 至少在該閘極電極的一側上形成一正極氧化物： 在前述之源極及汲極區形成步驟之後移除部份前述之 閘極絕綠薄膜，露出前述之源極及汲極之表面； 在露出之表面上形成含有金屬的金屬薄膜，此動作發 生於源極及汲極區形成步驟之後： 照射一光至該金屬薄膜上經由結合前述之金屬與前述 之矽而形成一矽化物：且 表紙张尺Λ適用中國酉家標準（CNS)甲4规格（210 X 297公·;*) (請先《讀背面之注意事項再塡寫本頁) 丨裝· 訂· 蛵濟部中央揉準局R工消費合作钍印K A7 B7 C7 D7 3D751 六、申請專利範圍 在該源極及汲極區域除去該金屬薄膜而留下前述矽化 物〇 7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中經由正極氧 化物形成步驟，更在前述之閘極電極的頂面上形成一正極 氧化物。 8. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該光爲一雷 射脈衝。 9 .—種用於形成一半導體裝置的方法包含下列步驟 請 先 閲 I 寫 本. 頁 娩濟部中央標準局B工消費合作钍印絮 選 在 在 至 移 極之表 在 在 方式， 半導體 照 之矽而 在 區域除 擇性形成一半導體層其基板上含有矽； 絕緣薄膜； 閘極電極； 電極的一側上形成一正極氧化物； 之閘極絕緣薄膜，露出前述之源極及汲 該半導體層 該閘極絕緣 少在該閘極 除部份前述 面： 露出之表面 前述之金屬 以該閘極電 層上形成源 射一光至該 形成一砂化 前述之源極 去該金屬薄 0 .如申請 上形成一閘極 薄膜上形成一 上形成含有金 薄膜形成步驟 極及該正極氧 極及汲極區； 金屬薄膜上經 物：且 及閘極區形成 膜而留下前述 專利範圍第9 屬的金屬薄膜； 之後經由導入雜質以自準 化物做爲罩子，在前述之 由結合前述之金屬與前述 步驟之後在該源極及汲極 矽化物。 項之方法，其中經由正極 裝 訂 本纸张尺茂通用中國國家標準（CNS)甲4规格（210 X 297公釐） -51 蛵濟部中央標準局8工消費合作U印54 A7 B7 W751 c? _____D7_ 六、申請專利範園 氧化物形成步驟，更在前述之閘極電極的頂面上形成一正 極氧化物。 11·如申請專利範圍第9項之方法，其中該光爲一 雷射脈衝。 1 2 .如申請專利範'圍第9項之方法，其中該基板有 —絕緣表面，且該矽化物（silicide)形成於該絕緣表面 0 13.—種用於形成一半導體裝置的方法包含下列步 驟： 選擇性形成一半導體層其基板上含有矽； 在該半導體層上形成一閘極絕緣薄膜； 在該閘極絕緣薄膜上形成一閘極電極； 至少在該閘極電極的一側上形成一正極氧化物； 移除部份前述之閘極絕綠薄膜，露出前述之源極及汲 極之表面； 在露出之表面上形成含有金屬的金屬薄膜； 照射一光至該金屬薄膜上經由結合前述之金屬與前述 之矽而形成一矽化物：且 在該矽半導體層上除去該金屬薄膜而留下前述矽化物 9 在該金屬薄膜移除步驟之後經由導入雜質以自準方式 ，以該閘極電極及該正極氧化物做爲罩子，在前述之半導 體層上形成源極及汲極區。 1 4 . 一種半導體裝置包含： 本纸怅尺茂適用中國固家樣準（CNS)甲4规格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再塌寫本頁) —装· 訂_ 52 娩濟部中央樣準局80:工消費合作钍印货 A7 B7 ^82751 cy D7 六、申請專利範圍 一源極及一汲極區域； 提供一通道區域，位於前述之源極及前述之汲極區之 間； 提供一鄰近於該通道區的閘極電極； 在該閘極電極的一側提供一絕緣層： 提供一絕緣體，與前述之絕緣層相接觸，實質上其爲 三角形；且 相對地在該源極及該汲極的表面提供矽化物層， 其中至少一接點對於前述之源極及前述之汲極區的位 置，經該絕緣體而成自準（self-aligned)。 15 .如申請專利範圍第14項之裝置，其中該閘極 電極包含鋁，且該絕緣層含有該鋁的氧化物。 16 .如申請專利範圍第14項之裝置，其中該矽化 物層並不提供於前述之源極及前述之汲極區的部份上，前 述之源極及汲極區位於前述之絕緣體下。 17 ·如申請專利範圍第14項之裝置，其中該矽化 物層含有一材料，其從包含有鉬，鎢，舶，鉻，鈦及鈷群 中挑選出來。 1 8 種半導體裝置包含： 一源極及一汲極區域； 提供一通道區域，位於前述之源極及前述之汲極區之 間； 提供一鄰近於該通道區的閘極電極； 提供一絕緣體，與前述之絕緣層相接觸，實質上其爲 本纸张尺度逯用中國Η家標準（CNS)甲4规格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再項寫本頁) 裝- 訂. -53 - A7 B7 C7 D7 2B2751 六、申請專利範園 三角形：且 提供~矽化物層，其與前述之源極及前述之汲極區的 表面相接觸； 其中至少一接點對於前述之源極及前述之汲極區的位 置》經該絕緣體而成自準（self-aligned)。 1 9 .—種用於形成半導體裝置的方法，含有下列步 驟： 形成一覆盖閘極電極的絕緣體： 非等向蝕刻該絕緣體而露出一源極及汲極區的表面， 且該絕綠體的表面留在該閘極電極的一側上，其實質上爲 三角形之外形：且 在該源極及該閘極區的表面上形成一矽化物層。 2 〇 .—種用於形成半導體裝置的方法，含有下列步 驟. 在半導體層上形成一閘極絕緣薄膜，其可成爲源極， 汲極及通道區域： 在該閘極絕緣薄膜上形成一閘極電極； 露出該半導體層而成爲該源極及該汲極區域：且 在該露出之半導體層上形成一矽化物層。 21.—種用於形成半導體裝置的方法，包含下列步 驟： 形成一第一絕緣體，至少在該閘極電極的一側形成一 用於閘極電極的元件； 形成一第二絕綠體覆蓋該閘極電極及該第一絕緣體； 衣纸张又度通用中國困家標準（CNS)甲4规格（210 X 297公釐） (請先聞讀背面之注意事,fi再塡寫本頁) .裝. 訂 蛵濟邾中央標準局s工消費合作社印焚 -54 - Α7 Β7 C7 D7 六、申請專利範圍 ’. 非等向蝕刻該第二絕緣體，而留下該第二絕緣體的一 部份，實質上其爲三角形形狀，位於該閘極電極的一側： 露出一源極及一汲極區的表面且該源極及汲極區的表 面以該第二絕緣體之遺留部份覆蓋之：且 在該露出之表面上形成一砂化物層。 (請先閱讀背面之注意事β再塡寫本頁) -裝. 訂 蛵濟郎中央樣準局肖工消費合作社印紫 本纸張尺度適用中®國家標準（CNS)甲4規格（21〇 X 297公梦） ~ 55 -