KR101252966B1 - 기판 제작 방법 - Google Patents

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안톤 제이. 데빌리어스
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마이크론 테크놀로지, 인크.
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Abstract

기판 제작 방법은 기판 위에 이격된 제 1 및 제 2 특징부를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 이격된 제 1 특징부는 상기 이격된 제 2 특징부의 종방향 외측 영역과는 다른 조성의 종방향 외측 영역을 갖는다. 상기 이격된 제 1 및 제 2 특징부는 서로 교대로 구성된다. 상기 기판으로부터 제 1 특징부가 하나 걸러 하나씩 제거되고, 나머지 제 1 특징부 각각과 교대로 구성되는 가장 인접한 제 2 특징부들의 쌍이 형성된다. 이와 같은 제거 이후에, 상기 나머지 제 1 특징부 각각과 교대로 구성되는 가장 인접한 제 2 특징부의 쌍을 포함하는 마스크 패턴을 통해 기판이 처리된다. 다른 실시예들이 또한 개시된다.

Description

기판 제작 방법{METHODS OF FABRICATING SUBSTRATES}
여기서 개시되는 실시예들은, 예를 들어, 집적 회로의 제작에 사용될 수 있는, 기판 제작 방법에 관한 것이다.
집적 회로는 실리콘 웨이퍼 또는 그외 다른 반도성 물질과 같은 반도체 기판 상에 형성되는 것이 일반적이다. 일반적으로, 반도성, 전도성, 또는 절연성의 다양한 물질층들을 이용하여 집적 회로를 형성한다. 예를 들어, 다양한 물질이 다양한 프로세스를 이용하여 도핑되거나, 이온-임플랜팅되거나, 증착되거나, 에칭되거나, 성장한다. 반도체 공정의 계속적인 목표는 개별 전자 컴포넌트의 크기를 감소시키고자 하는 노력을 경주하여, 소형의 조밀한 집적 회로를 구현하는 것이다.
반도체 기판의 패턴화 및 처리를 위한 한가지 기술은 포토리소그래피다. 이 기술은 "포토레지스트"라고 알려진 패턴처리가능한 마스킹층의 증착을 포함한다. 이 물질을 처리하여 소정 용매에서의 용해도를 변경할 수 있고, 따라서, 기판 상에 패턴을 형성하는 데 쉽게 이용할 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트층의 일부분을 마스크 또는 레티클과 같은 복사-패턴처리 툴의 구멍을 통해 화학선 에너지에 노출시켜서, 증착된 상태에서의 용해도에 비해 노출되지 않은 영역에 대한 노출된 영역의 용매 용해도를 변경할 수 있다. 그후, 포토레지스트 종류에 따라, 노출된 영역 또는 노출되지 않은 영역을 제거할 수 있고, 따라서, 기판 상에 포토레지스트의 마스킹 패턴을 남기게 된다. 마스킹된 부분들 옆에 놓인 하부 기판의 인접 영역들은 예를 들어 에칭 또는 이온 임플랜팅에 의해 처리되어 마스킹 물질에 인접하여 위치하는 기판의 요망 공정을 수행할 수 있다. 소정의 예에서는, 포토레지스트의 여러가지 종류의 층들이, 또는 포토레지스트와 비-복사 감지 마스킹 물질과의 조합이, 사용된다.
특징부 크기의 계속적인 감소로 인해 특징부 형성에 사용되는 기술에 대해 더 많은 수요가 존재한다. 예를 들어, 전도성 라인과 같은 패턴처리된 특징부를 형성하기 위해 포토리소그래피가 흔히 사용된다. "피치"라고 불리는 개념을 이용하여 바로 인접한 간격과 연계하여 특징부의 크기를 설명할 수 있다. 피치는 직선 단면의 반복 패턴의 두 인접 특징부들에서의 동일 지점 간의 거리로 정의되고, 따라서, 특징부의 최대 폭과, 바로 다음에 인접한 특징부에 대한 간격을 포함한다. 그러나, 광학 소자 및 광/복사 파장 길이와 같은 인자로 인해, 포토리소그래피 기술은 최소 피치를 가지는 경향이 있고, 이러한 최소 피치 아래에서는 특정 포토리소그래피 기술이 특징부를 신뢰가능하게 형성할 수 없다. 따라서, 포토리소그래피 기술의 최소 피치는, 포토리소그래피를 이용한 계속되는 특징부 크기 감소에 대한 장애물이다.
피치 더블링(pitch doubling) 또는 피치 멀티플리케이션(pitch multiplication)은 포토리소그래피 기술의 능력을 최소 피치 너머로 확장하기 위해 제안된 한가지 방법이다. 이는 일반적으로, 최소 가능 포토리소그래피 특징부 크기의 횡방향 두께보다 작은 횡방향 두께를 가지도록 스페이서-형성층을 증착함으로써 최소 포토리소그래피 분해능보다 좁은 특징부를 형성한다. 이러한 스페이서-형성층은 흔히 이방성 에칭되어 서브-리소그래피 특징부를 형성하고, 그후, 최소 포토리소그래피 특징부 크기에서 형성된 특징부들이 기판으로부터 에칭된다.
피치가 실제로 반이 되는 이러한 기술을 이용하는 이러한 피치 감소를 피치 "더블링"이라고 과거부터 불려왔다. 더욱 일반적으로, "피치 멀티플리케이션"은 피치를 두배 이상, 또는, 정수와는 다른 소수값으로 증가시키는 것을 포함한다. 따라서, 소정 인자만큼 피치를 멀티플리케이션하는 것은, 이 인자만큼 피치를 감소시키는 과정을 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로세스에서 기판의 단면도.
도 2는 도 1의 단계 이전의 공정 단계에서 도 1의 기판의 도면.
도 3은 도 1에 도시되는 단계 이후의 공정 단계에서 도 1의 기판의 도면.
도 4는 도 3의 단계 이후의 공정 단계에서 도 3의 기판의 도면.
도 5는 도 4의 단계 이후의 공정 단계에서 도 4의 기판의 도면.
도 6은 도 5의 단계 이후의 공정 단계에서 도 5의 기판의 도면.
도 7은 도 6의 단계 이후의 공정 단계에서 도 6의 기판의 도면.
도 8은 도 7의 단계 이후의 공정 단계에서 도 7의 기판의 도면.
도 9는 도 8의 단계 이후의 공정 단계에서 도 8의 기판의 도면.
도 10은 도 9의 단계 이후의 공정 단계에서 도 9의 기판의 도면.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로세스에서 다른 기판의 단면도.
도 12는 도 11에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 11의 기판의 도면.
도 13은 도 12에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 12의 기판의 도면.
도 14는 도 13에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 13의 기판의 도면.
도 15는 도 14에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 14의 기판의 도면.
도 16은 도 15에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 15의 기판의 도면.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로세스에서 다른 기판의 단면도.
도 18은 도 17에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 16의 기판의 도면.
도 19는 도 18에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 18의 기판의 도면.
도 20은 도 19에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 19의 기판의 도면.
도 21은 도 20에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 20의 기판의 도면.
도 22는 도 21에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 21의 기판의 도면.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 프로세스에서 다른 기판의 단면도.
도 24는 도 23에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 23의 기판의 도면.
도 25는 도 24에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 24의 기판의 도면.
도 26은 도 25에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 25의 기판의 도면.
도 27은 도 26에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 26의 기판의 도면.
도 28은 도 27에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 27의 기판의 도면.
도 29는 도 28에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 28의 기판의 도면.
도 30은 도 29에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 29 기판의 도면.
도 31은 도 30에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 30의 기판의 도면.
도 32는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로세스에서 다른 기판의 단면도.
도 33은 도 32에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 32의 기판의 도면.
도 34는 도 33에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 33의 기판의 도면.
도 35는 도 34에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 34의 기판의 도면.
도 36은 도 35에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 35의 기판의 도면.
도 37은 도 36에 도시되는 단계에 이어지는 공정 단계에서 도 36의 기판의 도면.
예를 들어 집적 회로의 형성과 같은, 본 발명에 따른 기판 제작 방법의 일부 실시예들이 도 1-10을 참고하여 먼저 설명된다. 도 1과 관련하여, 기판, 예를 들어, 반도체 기판이 도면부호 (10)으로 표시된다. 본 명세서의 범주에서, "반도체 기판" 또는 "반도성 기판"은 반도성 웨이퍼(웨이퍼 자체, 또는, 그 위에 다른 물질을 포함하는 조립체)와 같은 벌크 반도성 물질과, 반도성 물질층(반도성 물질층 자체, 또는 다른 물질을 포함하는 조립체)을 포함하는, 반도성 물질을 포함하는 임의의 구조를 의미하는 것으로 규정된다. "기판"이라는 용어는 상술한 반도성 기판을 포함하는, 임의의 지지 구조물을 의미한다.
기판(10)은 기판 위에 형성되는 마스크 패턴을 통해 결국 처리될 물질(12)을 포함하는 것으로 도시된다. 물질(12)은 균질(homogenous)일 수도 있고, 비-균질일 수도 있으며, 예를 들어, 서로 다른 복수의 조성 영역 및/또는 층을 포함할 수 있다. 서로 이격된 제 1 특징부(14)가 기판(12) 위에 형성되어 있다. 임의의 적절한 물질이 고려될 수 있고, 균질일 수도 있고 균질이지 않을 수도 있다. 본 명세서의 범주에서, "이격된"이란 표현은 수직 방향에 반대인 횡방향으로 이격됨을 의미하지만, 그렇지 않을 수도 있다. 이격된 제 1 특징부(14)들이 기존의 방식, 또는 아직 개발 중인 방식으로 패턴처리되거나 형성될 수 있고, 포토레지스트를 이용한 포토리소그래피 패턴처리(포지티브 레지스트, 또는 네거티브 레지스트, 또는, 단일 또는 멀티-패턴 리소그래피로부터의 듀얼-톤 레지스트)가 한 예가 될 수 있다. 더욱이, 이격된 제 1 특징부(14)들이 아래 설명되는 임의의 기술에 의해 형성될 수 있다. 일례에서, 이격된 제 1 특징부(14)가 기다란 라인의 형태로 놓일 수 있고, 평면도(도시되지 않음)로 볼 때, 기판의 적어도 일부분에 걸쳐 서로 평행하게 이어진다.
일 실시예에서, 이격된 제 1 특징부(14)들은 더 넓은 폭의 특징부들의 횡방향 에칭/트리밍(trimming)으로부터 나타날 수 있다. 예를 들어, 도 2는 도 1의 단계 이전의 공정 단계에서 기판(10)을 도시한다. 이는 피치 "P"의 반복 패턴으로 기판(12) 위에 제작된 포토레지스트를 포함하는, 또는, 포토레지스트로 실질적으로 구성되는, 또는, 포토레지스트로 구성되는, 이격된 마스크 특징부(16)들을 포함하는 형태로 도시된다. 피치 P는 기판(10) 제작시의 최소 포토리소그래피 분해능보다 작을 수도 있고, 클 수도 있으며, 같을 수도 있다. 이와는 관계없이, 도 2의 이격된 마스크 특징부들은 횡방향으로 트리밍되어, 이격된 제 1 특징부(14)들을 포함하는 도 1의 일례의 구성을 생성하도록 해당 폭을 감소시킨다. 이는 이격된 마스크 특징부(16)들의 측부 및 상부로부터 대략 동일한 물질을 제거하는 이방성 에칭에 의해 수행될 수 있다. 대안으로서, 이격된 마스크 특징부(16)의 상부로부터보다는 이격된 마스크 특징부(16)의 횡방향 측부로부터 더 많은 물질을 에칭하려는 경향이 있는 화학 물질 및 조건을 이용할 수 있다. 대안으로서, 횡방향 측부로부터보다는 상부로부터 더 많은 물질을 에칭하려는 경향이 있는 화학 물질 및 조건들을 이용할 수 있다.
예를 들어, 도 1에 도시되는 구성은 유도-연결된 반응기 내에서 도 2의 기판을 플라즈마 에칭함으로써 도출될 수 있다. 이격된 마스크 특징부(16)의 물질이 포토레지스트 및/또는 그외 다른 유기질 함유 물질인 경우에 실질적으로 이방성 에칭을 달성할 일례의 에칭 파라미터는 약 2mTorr 내지 약 50mTorr의 압력과, 약 0℃ 내지 약 110℃의 기판 온도와, 약 150 와트 내지 약 500 와트의 소스 파워와, 약 25볼트보다 작거나 같은 바이어스 전압이다. 일례의 에칭 가스는 약 20 sccm 내지 약 100 sccm 범위의 Cl2와 약 10 sccm 내지 약 50 sccm 범위의 O2의 조합이다. 이격된 마스크 특징부(16)의 물질이 포토레지스트를 포함할 경우, 초당 약 0.2 나노미터 내지 초당 약 3 나노미터의 속도로 마스크 특징부(16)를 이방성으로 에칭할 것이다. 이러한 일례의 에칭이 실질적으로 이방성일 경우, 단일 윗면에 비해 두 측부가 횡방향으로 노출됨에 따라, 이격된 마스크 특징부의 횡방향 에칭이 더 크게 나타날 것이다.
수직 에칭에 비해 횡방향 에칭이 더 크게 나타나는 것이 바람직할 경우, 유도-연결된 반응기에서의 일례의 파라미터 범위들은 약 2 mTorr 내지 약 20 mTorr의 압력과, 약 150 와트 내지 약 500 와트의 소스 파워와, 약 25볼트보다 작거나 같은 바이어스 전압과, 약 0℃ 내지 약 110℃의 기판 온도와, 약 20 sccm 내지 약 100 sccm 범위의 HBr 유량과, 약 5 sccm 내지 약 20 sccm의 O2 유량과, 약 80 sccm 내지 약 120 sccm의 CF4 유량을 포함한다.
예를 들어, 높이 및 폭의 동등한 감소를 위해, 또는, 폭보다는 높이를 더 감소시키기 위해, 이격된 마스크 특징부의 측부로부터보다는 상부로부터 에칭이 더 크게 이루어지는 것이 요망될 수 있다. 횡방향에 반해 수직 방향으로 에칭 속도를 높이기 위한 일례의 파라미터는, 약 2mTorr 내지 약 20mTorr의 압력과, 약 0℃ 내지 약 100℃의 온도와, 약 150 와트 내지 약 300 와트의 소스 파워와, 약 200 볼트보다 작거나 같은 바이어스 전압과, 약 20 sccm 내지 약 100 sccm의 Cl2 및 HBr 유량과, 약 10 sccm 내지 약 20 sccm 범위의 O2 유량을 포함한다.
도 1 및 도 2의 실시예는 도시되는 단면에서 서로에 대해 동일한 형태 및 폭, 그리고 동일한 간격을 가지는 해당 특징부들을 도시하고 있다. 그러나 이러한 구성이 반드시 요구되는 것은 아니다.
도 3과 관련하여, 물질(18)이 기판(10)의 일부분으로 증착되었고, 여기서부터 이방성으로 에칭된 스페이서가 형성될 것이다. 이는 이격된 제 1 특징부(14)의 물질과 에칭가능하게 다를 수 있고, 전도성, 반도성, 또는 절연성, 또는 이들 간의 조합을 포함할 수 있다. 예로는 실리콘다이옥사이드, 실리콘나이트라이드, 유기 반사방지 코팅, 무기 반사방지 코팅, 폴리실리콘, 티타늄, 또는 티타늄나이트라이드, 등이 있고, 이들 간의 조합도 포함된다.
도 4와 관련하여, 물질(18)이 이방성으로 에칭되어 이격된 제 1 특징부(14)의 측벽 상에 스페이서(20)를 형성하였다.
도 5와 관련하여, 이격된 제 1 특징부(14)(도시되지 않음)가 기판(10)으로부터 제거되어, 스페이서(20)를 포함하는 이격된 제 2 특징부를 형성하였다. 예를 들어, 이격된 제 1 특징부(14)의 물질이 포토레지스트 및/또는 다른 유기 물질을 포함할 경우, O2 플라즈마 에칭이 스페이서(20) 사이로부터 물질(14)을 제거할 것이다. 이와는 관계없이, 물질(14)의 제거가 스페이서(20)의 일부를 에칭할 수도 있고, 에칭하지 않을 수도 있고, 무시할만한 이러한 제거가 도 5에 도시되어 이격된 제 2 특징부(20)를 형성하고 있다. 도 1 및 도 4는 제 1 특징부(14)가 인접한 각각의 제 1 특징부로부터 동일하게 이격되어 있고, 제 2 특징부(20)는 인접한 각각의 제 2 특징부로부터 동일하지 않게 이격되어 있는 일례의 실시예를 도시한다. 대안의 실시예들이 고려된다. 예를 들어, 제 1 특징부(14)가 인접한 각각의 제 1 특징부로부터 동일하게 이격될 수 있고, 제 2 특징부(20)가 인접한 각각의 특징부로부터 동일하게 이격될 수 있다. 계속 설명을 위해, 도 5는 최근접한 2개의 제 2 특징부(20)들로 구성된 쌍(closest pairs of two immediately adjacent of the second feature)(21)들을 도시하며, 각각의 쌍의 바로 인접한 2개의 제 2 특징부들 사이에 간격이 존재한다.
도 6과 관련하여, 제 1 물질(22)이 이격된 제 2 특징부(20) 위에 증착되어 있고, 제 1 물질(22)은 이격된 제 2 특징부(20)의 조성과는 약간 다른 조성을 가질 수 있다. 물질(22)은 균질일 수도 있고, 균질이지 않을 수도 있다. 일례의 물질은 스페이서-형성 물질(18)에 대해 앞서 설명한 사항들을 포함한다. 도 6의 실시예에서, 제 1 물질(22)은 비-평면형 외측 표면(23)을 갖고, 최근접한 2개의 제 2 특징부(20)들로 구성된 쌍(21) 사이의 간격을 완전히 충전하도록 증착되었다.
도 7과 관련하여, 제 2 물질(24)이 제 1 물질(23) 위에 증착되어 있고, 제 1 물질(22)의 조성 및 이격된 제 2 특징부(20)의 조성과 약간 다른 조성을 갖는다. 제 2 물질(24)은 평면형 외측 표면(25)을 갖는다. 이는, 예를 들어, 액체-충전 방식으로 물질(24)의 내재적 증착으로부터 나타날 수도 있고, 또는, 하나 이상의 공형층을 증착한 후 어떤 종류의 폴리싱-백(polishing-back) 또는 에칭-백(etching-back)으로부터 나타날 수도 있다. 일례의 제 2 물질(24)은 포토레지스트와 그외 다른 폴리머(예를 들어, 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 및 폴리실록산)를 포함한다. 물질(24)이 균질일 수도 있고 균질이지 않을 수도 있다.
도 8과 관련하여, 제 2 물질(24)의 일부분만이 제거되어 제 1 물질(22)을 노출시키고 제 1 물질(22) 위에 수용되는 이격된 제 2 물질(30)의 영역들을 형성한다. 임의의 적절한 에칭 기술 및 조건들이 작업자에 의해 선택될 수 있다. 제 1 물질(22) 중 일부가 도 5의 구성을 생성하기 위해 공정 중 에칭될 수도 있고 에칭되지 않을 수도 있다.
도 9와 관련하여, 제 1 물질(22)이 이격된 제 2 물질(30) 사이로부터 에칭되어 이격된 제 3 특징부(32)가 형성되었고, 제 1 물질(22) 위에 수용되는 이격된 제 2 물질(30)을 포함한다. 제 3 특징부(32)는 제 2 특징부(20)로부터 이격된다. 임의의 적절한, 실질적으로 이방성인 에칭 화학 물질 및 조건들이 도 9의 구성을 생성하기 위해 작업자에 의해 선택될 수 있다. 도 9는 일례의 실시예를 도시하고, 마스크 패턴(35)이 기판(12) 위에 형성되어 있으며, 마스크 패턴(35)은 이격된 제 2 특징부(20) 및 이격된 제 3 특징부(32)를 포함한다. 이는 가장 인접한, 이격된 제 2 특징부(20)의 쌍(21)이 이격된 제 3 특징부(32)와 교대로 구성되는 실시예를 또한 도시한다.
상술한 공정을 수행하여, 예를 들어, 서브리소그래피 수준일 수도 있고, 아닐 수도 있는 피치 멀티플리케이션을 도출할 수 있다. 이와는 관계없이, 도 1-9의 실시예는 도 2의 이격된 마스크 특징부(16)의 피치 P의 1/3인 피치를 갖도록 형성된 마스크 패턴(35)(도 9)을 도시한다. 도 1-9의 임의의 수준의 피치 감소(정수가 아닌 소수 감소 포함)는 특징부들과 특징부들 간의 간격을 생성하기 위해 증착되는 층들의 두께와 조합하여 (예를 들어, 도 1의 구성으로부터 도 2의 기판을 형성함에 있어) 이격된 특징부들에 나타날 수 있는 횡방향 트리밍의 정도에 따라 대부분 결정될 것이다. 예를 들어, 도 4의 구성을 생성하기 위해 에칭 기술과 조합된 도 3의 물질(18)의 증착 두께는 이격된 제 2 특징부(20)의 폭에 영향을 미친다. 마찬가지로, 상당한 부분에서 제 1 물질(22)의 증착 두께는 제 2 특징부(20)와 제 3 특징부(32) 사이의 간격을 결정한다. 더욱이, 이격된 제 2 특징부(20) 및/또는 이격된 제 3 특징부(32)의 일부 또는 전부가 도 9의 구성을 형성 후 횡방향으로 추가로 트리밍될 수 있다. 더욱이, 일례로서, 도 4 및/또는 도 5의 이격된 제 2 특징부(20)가 횡방향으로 트리밍될 수 있다.
이격된 제 2 특징부 및 이격된 제 3 특징부를 포함하는 마스크 패턴은 이러한 마스크 패턴을 통해 높이를 따라 아래로 수용되는 기판을 처리하는데 사용된다. 이러한 공정은 기존의, 또는 아직 개발 중인 기술을 이용할 수 있고, 에칭 및/또는 이온 임플랜팅이 구체적 예에 해당한다. 도 10은 마스크 패턴(35)이, 기판(10)의 물질(12) 내로 에칭되는 동안 에칭 마스크로 사용되는 이러한 공정의 일례를 도시한다.
추가적인 실시예들이 도 11-16을 참고하여 다음에서 설명된다. 도 11은 도 6의 단계에 대응하는 다른 실시예의 기판 조각(10a)을 도시한다. 첫번째로 설명된 실시예로부터 유사한 도면 부호들이 적절한 경우 사용되었고, 구성 차이는 첨자 "a"로, 또는 다른 도면 부호로 표시하였다. 첨자 "a"가 다른 구성을 표시하지만, 이러한 구성을 위한 일례의 물질은 첨자 "a"가 없는 동일 도면 부호들에 대해 위 실시예에서 사용된 것과 같다. 도 11에서, 제 1 물질(22a)은 도 6에서 물질(22)의 증착에 의해 도시된 것보다 훨씬 얇게 증착되어, 최근접한 2개의 제 2 특징부(20)들로 구성된 쌍(21)의 간격을 완전히 충전하지 않는다.
도 12와 관련하여, 제 2 물질(24a)이 제 1 물질(22a) 위에 형성되어 있다. 도 11 및 도 12는 제 2 물질(24)의 두께보다 작고 이격된 제 2 특징부(20)의 최대 폭보다 작은 최소 두께 T로 증착되어 있는 일 실시예를 도시한다.
도 13과 관련하여, 제 2 물질(24a)의 일부분만이 제거되어 제 1 물질(22a)을 노출시키고, 제 1 물질(22a) 위에 수용되는 이격된 제 2 물질(30a)을 형성하였다.
도 14와 관련하여, 제 1 물질(22a)이 이격된 제 2 물질(30a) 사이로부터 에칭되었고, 제 1 물질(22a) 위에 수용되는 이격된 제 2 물질(30a)을 포함하는 이격된 제 3 특징부(32a)가 형성되었다. 제 3 특징부(32a)는 제 2 특징부(20)로부터 이격된다. 따라서, 도 14는 인접한 각각의 제 2 특징부(20) 사이에 수용되는 제 3 특징부(32a) 중 하나를 갖는 일례의 마스크 패턴(35a)을 도시한다. 기판(12)은, 예를 들어, 에칭, 이온 임플랜팅, 및/또는, 상술한 바와 같은 다른 프로세스에 의해, 이격된 제 2 특징부(20) 및 이격된 제 3 특징부(32a)를 포함하는 도 14의 마스크 패턴(35a)을 통해 처리될 수 있다. 도 14에서, 마스크 패턴(35a)의 이격된 제 3 특징부(32a)는 동일한 크기/형태를 갖지 않는다.
도 15는 마스크 패턴(35aa)을 생성하기 위한 기판(10a)의 추가적인 공정을 도시한다. 이는 도 14의 제 1 물질(22a)의 에칭 후, 제 3 특징부(32a)의 폭을 횡방향으로 트리밍함으로써 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제 3 특징부 형성 후, 제 3 특징부의 일부분 전부가 제거되어, 그 아래의 기판 물질을 처리하기 전에, 마스크 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들어, 도 15는 가장 멀리 이격된 제 2 특징부(20) 사이에 수용되는 제 3 특징부(32a)의 횡방향 트리밍을 도시하며, 이는 최근접한 제 2 특징부(20)들의 쌍 사이에 수용된 제 3 특징부(32a)의 완전한 제거로 나타난다.
도 16과 관련하여, 기판(10a)은 마스크 패턴(35aa)을 통해 처리되었다. 도 16에 도시되는 일례의 공정은 이온 임플랜테이션 공정으로서, 임플랜팅된 영역(36)을 형성한다.
본 발명의 일 실시예는 기판 위에 제 1 및 제 2 이격된 특징부를 형성하는 과정을 포함하는 기판 제작 방법을 포함한다. 예를 들어, 도 14의 특징부(32a)가 이격된 제 1 특징부로 간주될 수 있고, 도 14의 특징부(20)는 이격된 제 2 특징부로 간주될 수 있다. 이격된 제 1 특징부는 이격된 제 2 특징부의 종방향 외측 영역과 다른 조성을 갖는 종방향 외측 영역을 갖는다. 이격된 제 1 및 제 2 특징부는 서로 교대로 구성된다. 예를 들어, 도 14는 이격된 특징부(32a)가 이격된 제 1 특징부로 간주되고 이격된 특징부(20)가 이격된 제 2 특징부로 간주되는 구성을 도시한다. 이와 관계없이, 제 2 특징부가 균질일 수도 있고 균질이 아닐 수도 있다. 일 실시예에서, 제 1 특징부는 다른 조성의 제 1 물질 위에 수용되는 제 2 물질을 포함한다. 일 실시예에서, 제 2 특징부는 제 1 물질 및 제 2 물질의 조성과는 다른 조성을 갖는다.
일 실시예에서, 제 1 특징부가 하나 걸러 하나씩 기판으로부터 제거되고, 가장 인접한 제 2 특징부의 쌍들이, 나머지 제 1 특징부 각각과 교대로 형성된다. 예를 들어, 도 15는 가장 인접한 제 2 특징부(20)의 쌍(21)이 나머지 특징부(32a) 각각과 교대로 구성되는 실시예를 도시한다. 일 실시예에서, 제거 단계는 에칭을 포함한다. 예를 들어, 도 15에 도시된 것과 같이 기판을 생성하는 공정은, 기판(10a)으로부터 제 1 특징부(32a)를 하나 걸러 하나씩 제거하도록 제 2 특징부(20)에 대해 선택적으로 제 1 및 제 2 물질을 횡방향으로 에칭함으로써 발생할 수 있다. 이는 또한, 나머지 특징부(32a)의 감소된 폭을 갖고, 따라서, 나머지 특징부(32a) 각각과 교대로 구성되는 가장 인접한 제 2 특징부(20)의 쌍(21)을 형성한다. 도 2의 기판과는 다른 도 1의 기판을 생성함에 있어 상술한 예를 이용하여 에칭을 달성하기 위해 작업자에 의해 화학 물질 및 조건이 선택될 수 있다. 이러한 제거 단계가 에칭에 의해 이루어지는 일 실시예에서, 에칭 과정 중 특징부(32a) 위에 어떤 에칭 마스크도 수용되지 않는다. 일 실시예에서, 어떤 에칭 마스크도 이러한 에칭 중 기판 위 어떤 곳에도 수용되지 않는다.
기판으로부터 제 1 특징부를 하나 걸러 하나씩 제거한 후, 기판은 나머지 제 1 특징부 각각과 교대로 구성되는 가장 인접한 제 2 특징부들의 쌍을 포함하는 마스크 패턴을 통해 처리된다. 예를 들어, 도 16은 마스크 패턴(35aa)에 대한 일례의 공정을 도시한다.
기판 제작 방법의 추가적인 실시예들은 기판 조각(10b)과 관련하여 도 17-22를 참고하여 다음에 설명된다. 상술한 실시예에서와 유사한 도면 부호들이 적절한 경우 사용되며, 구성 상의 차이는 첨자 b로, 또는, 다른 도면 부호로 표시된다. 첨자 b가 다른 구성을 표시하지만, 이러한 구성을 위한 일례의 물질은 첨자 b없이 동일한 도면 부호로 상술한 실시예들에 사용된 것과 동일하다. 도 17은 위 도 6 및 도 11의 공정에 대한 대안의 공정을 나타내며, 변경가능한 물질(40)이 이격된 제 2 특징부(20) 위에 형성되어 있다. 변경가능한 물질(40)은 계면을 형성하는 소정의 물질과 균일하게 또는 선택적으로 상호작용한다. 변경가능한 물질(40)은 기-패턴처리된 표면에 캐스팅될 수 있고, 공형일 수도 있고 공형이 아닐 수도 있다. 스핀-캐스팅, 딥-캐스팅, 드롭-캐스팅, 또는 유사 캐스팅을 통한 캐스팅이 예에 해당한다. 변경가능한 물질은, 이격된 제 2 특징부로부터의 물질을 이용해, 변경되어, 이격된 제 2 특징부의 측벽 상에 변경된 물질을 형성할 수 있다. 변경된 물질은 변경가능한 물질의 증착에 따라 자발적으로 형성될 수도 있고, 가령, 열처리, 광전 처리, 전자적 처리, 또는 이온성 처리(산-본위 화학 물질 포함)를 통해 차후에 활성화될 수도 있다. 따라서, 이러한 변경은 증착 중 및/또는 증착 이후에 발생될 수 있다. 일 실시예에서, 변경가능한 물질의 증착 완료 후까지 어떤 변경도 일어나지 않는다. 더욱이, 이러한 변경은 제한적인 반응물 또는 평형 조건의 경우에 자체-제한적일 수 있고, 반응물이 과량일 경우 운동학적으로 구속될 수 있다. 변경가능한 물질(40)은 평면형 외측 표면 또는 비-평면형 외측 표면을 가질 수 있고, 일례의 평면형 외측 표면(42)이 도 17에 도시된다. 변경가능한 물질(40)은 균질일 수도 있고, 균질이지 않을 수도 있다.
물질(40)은 AZ R200TM, AZ R500TM, 및 AZ R600TM으로 지정된 물질과 같은, 소위 "AZ R" 물질로 Clariant International, Ltd. 사에서 판매 중인 제품 군과 유사하다. "AZ R" 물질은 화학적으로-증폭된 레지스트로부터 유리되는 산에 노출시 가교-결합되는 유기 조성물을 함유한다. 따라서, 일례로서, 이러한 물질은, 이격된 제 2 특징부(20)의 물질이 화학적으로-증폭된 레지스트를 포함하는 일례의 변경가능한 물질을 포함한다. 특히, "AZ R" 물질은 포토레지스트 간에 코팅될 수 있고, 약 100℃ 내지 약 120℃의 온도에서 레지스트가 베이킹될 수 있어서, 레지스트로부터 변경가능한 물질 내로 산을 확산시켜서 레지스트 인근에 변경가능한 물질의 영역 내에 화학적 가교-결합을 형성할 수 있다. 따라서, 레지스트에 인접하여 위치한 물질의 부분들은 레지스트에 충분히 인접하여 위치하지 않은, 물질의 다른 부분에 대해 선택적으로 경화된다. 이러한 물질은 그후 경화된 부분에 대해 비-경화된 부분을 선택적으로 제거하는 조건에 노출될 수 있다. 이러한 제거는 Clariant International, Inc. 사의 "SOLUTION CTM" 상표로 판매되는 용액, 또는 탈이온화된 물에 10% 이소프로필 알콜을 이용하여 달성될 수 있다. "AZ R" 물질을 이용한 프로세스는 RELACS(Resolution Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrink) 프로세스의 예로 고려된다.
"AZ R" 물질의 문제점은, 포토레지스트와 조성 면에서 충분히 유사하여 경화된 "AZ R" 물질에 대해 포토레지스트를 선택적으로 제거하는 것이 어려울 수 있다는 점이다. 일 실시예에서 변경가능한 물질(40)은, 기판이 베이킹될 때 물질(40)이 놓이는 물질(20)로부터 유리되는 하나 이상의 물질(가령, 산)에 노출될 때 변경되는 유사한 또는 동일한 유기 조성물을 포함할 수 있다는 점에서 "AZ R" 물질과 유사할 수 있다. 그러나, "AZ R" 물질과 달리, 물질(40)은 특징부(20)의 물질에 대해 물질(40)을 화학적으로 변화시키기 위해 제공되는 유기 조성물에 산포된 하나 이상의 성분을 또한 함유할 수 있다. 특징부(20)의 물질이 물질(40)에 대해 선택적으로 제거될 수 있는 실시예에서 포토레지스트 및/또는 그외 다른 유기 물질을 그 예로 들 수 있다. 물질(40)의 유기 조성물에 산포될 수 있는 성분은 티타늄, 탄소, 플루오르, 브롬, 실리콘, 및 게르마늄 중 한가지 이상을 포함할 수 있다. 유기 조성물에 산포된 임의의 탄소는 유기 조성물의 벌크 탄소와는 화학적으로 다르도록 카바이드 화합물의 일부분일 수 있다. 예를 들어 플루오르 및/또는 브롬은 플루오르화수소산 및 브롬화수소산으로 구성될 수 있다. 일부 실시예에서, 물질(40)의 유기 조성물에 산포된 성분들은 실리콘, 게르마늄, 금속(예를 들어, 티타늄, 텅스텐, 백금, 등), 및/또는, 금속-함유 화합물(예를 들어, 금속 나이트라이드, 금속 실리사이드, 등)과 같은 하나 이상의 무기 성분을 포함한다. "AZ R" 물질과 유사한 물질의 성분을 "AZ R"-타입 조성물이라 부를 수 있다. 따라서, 일부 실시예에서, 변경가능한 물질(40)은 유기 "AZ R"-타입 조성물에 산포된 하나 이상의 무기 성분들을 가진다고 간주될 수 있다. 그러나, 변경가능한 물질(40)이, 아래 설명되는 바와 같이, 유기질과는 다른, 그리고, "AZ R"-타입과는 다른 조성물을 포함할 수 있다.
도 18과 관련하여, 기판(10b)은 이격된 제 2 특징부(20) 인근의 물질(20, 40)의 상호-확산을 야기하는 조건에 노출되었다. 물질(20)의 일부 성분은 물질(40)을 변경하여, 이격된 제 2 특징부(20) 인근에 변경된 물질(44)을 형성한다. 따라서, 변경가능한 물질은, 이격된 제 2 특징부로부터의 물질을 이용해, 변경될 수 있어서, 이격된 제 2 특징부의 측벽 상에 변경된 물질을 형성할 수 있다(도 18 참조). 일 실시예에서, 이러한 변경은 이격된 제 2 특징부(20) 각각에 인접하여 위치한 변경가능한 물질(40)의 일부분을 변경시켜서, 변경된 물질(44)을 형성하고, 이때, 이격된 제 2 특징부로부터 멀리 떨어진 변경가능한 물질의 부분들을 변경되지 않은 상태로 남겨두게 된다. 도 18은 이격된 제 2 특징부(20) 위에 높이를 따라 변경된 물질(44)이 형성된 실시예를 또한 도시한다. 변경된 물질(44)이 균질일 수도 있고 균질이지 않을 수도 있다.
일부 실시예에서, 이격된 제 2 특징부(20)의 물질은 화학적으로-증폭된 포토레지스트를 포함하고, 물질(40)에 대한 변경을 부여하는 이러한 포토레지스트로부터의 물질은 산이다. 이러한 산은 적어도 약 100℃의 온도에서 반도체 기판(10b)을 베이킹함으로써 포토레지스트로부터 유리되게 할 수 있다. 산은 물질(40)의 "AZ R"-타입 조성물과 가교-결합을 형성한다. 이격된 특징부(20)로부터 가교-결합이 확산되는 거리 및 가교-결합의 양은 베이킹 시간 및 베이킹 온도 중 하나 이상을 수정함으로써 조정될 수 있다.
이격된 특징부(20)가 실리콘을 포함하는 추가적인 예로서, 일례의 변경가능한 물질(40)은 티타늄과 같은 내화 금속이어서, 반응을 통해 금속 실리사이드를 포함하는 변경된 물질을 형성한다. 이는 일례로서 제시되며, 미국특허출원공보 제2007/0049030호에 개시되어 있다. 이격된 제 2 특징부의 조성에 적어도 부분적으로 좌우되는 추가적인 변경가능한 물질이, 기존의 것이든, 개발 중인 것이든 간에, 고려된다.
도 19와 관련하여, 일 실시예에서, 물질(44) 형성을 위해 변경되지 않은 물질(40)의 반응하지 않은 말단부(도시되지 않음)가, 변경된 물질(44)에 대해 선택적으로, 에칭에 의해, 제거되었다. 물질(40, 44, 12)의 조성에 따라 작업자에 의해 적절한 화학 물질 및 조건이 선택될 수 있다. 예를 들어, 상술한 "AZ R"-타입 조성물에 대해, 이러한 제거는 상술한 이소프로필 알콜 및/또는 SOLUTION C를 이용하여 달성될 수 있다. 물질(40)이 "AZ R"-타입 조성물에 산포된 추가적인 성분들을 포함할 수 있는 경우에, 이러한 성분들은 물질(40)의 변경되지 않은 영역들이 제거됨에 따라 단순히 씻겨져 나갈 수 있다. 대안으로서, 이러한 추가적인 성분들이, 이러한 추가적 성분들을 제거하는 용매를 이용하여 제거될 수 있다. 예를 들어, 물질(40)의 일 성분으로 실리콘다이옥사이드가 사용될 경우, 물질(40)의 변경되지 않은 영역의 제거 중에 플루오르화수소산이 사용되어, 변경되지 않은 영역의 "AZ R"-타입 조성물에 추가하여 변경되지 않은 영역의 실리콘다이옥사이드가 제거됨을 보장할 수 있다.
도 20과 관련하여, 제 2 물질(24b)이 변경된 물질(44) 위에 증착되어 있고, 제 2 물질(24b)은 이격된 제 2 특징부(20)의 조성 및 변경된 물질(44)의 조성과는 약간 다른 조성을 갖는다.
도 21과 관련하여, 제 2 물질(24b)의 일부분만이 제거되어 변경된 물질(44)을 노출시키고 이격된 제 2 물질(30b)을 형성한다.
도 22와 관련하여, 변경된 물질(44)(도시되지 않음)이 이격된 제 2 물질(30b) 사이에서부터 에칭되어 있고, 이격된 제 2 물질(30b)을 포함하는 이격된 제 3 특징부(32b)가 형성되어 있다. 제 3 특징부(32b)는 제 2 특징부(20)로부터 이격된다. 도 22는, 예를 들어, 에칭, 및/또는, 이온 임플랜팅, 및/또는, 기존의 또는 아직 개발 중인 다른 공정에 의해, 기판(12)을 관통하도록 처리하는 데 사용되는 마스크 패턴(35b)을 도시한다.
도 19-21에 도시된 것에 대한 대안의 실시예들이 또한 고려된다. 예를 들어, 물질(24b)의 증착 및 그 일부분의 제거에 반해, 도 18의 물질(40) 중 일부분만이 제거되어, 변경된 물질(44)을 노출시키고 변경가능한 이격된 물질을 형성할 수 있다. 예를 들어, 도 18의 물질(40)이 제거되어 도 21의 구성을 직접 생성할 수 있고, 물질(24b)은 물질(40)로 대체된다. 이러한 변경가능한 이격된 물질을 형성한 후, 변경된 물질(44)이, 변경가능한 이격된 물질 사이로부터 에칭될 것이고, 변경가능한 이격된 물질을 포함하는 제 3 특징부들이 형성될 것이며, 제 3 특징부는 제 2 특징부로부터 이격된다. 예를 들어, 도 22의 구성은, 도 21의 물질(44)이 제거된 후 물질(24b)이 변경가능한 이격된 물질(40)로 대체되도록, 형성될 수 있다.
추가적인 실시예들이 기판 조각(10c)과 관련하여 도 23-31을 참고하여 다음에 설명된다. 상술한 실시예들로부터의 유사한 도면 부호들이 적절한 경우 사용되었고, 구성 상의 차이는 첨자 c, 또는 아예 다른 도면 부호로 표시하였다. 첨자 c는 앞서와는 다른 구성을 표시하지만, 이러한 구성에 대한 일례의 물질은 첨자 c없이 동일한 도면 부호로 상술한 실시예들에 사용된 것과 동일하다. 도 23과 관련하여, 이격된 제 1 특징부(16c)가 기판(12) 위에 형성되어 있다. 변경가능한 물질(40c)이 이격된 제 1 특징부(16c) 위에 증착되어 있다.
도 24와 관련하여, 변경가능한 물질(40c)이 이격된 제 1 특징부(16c)로부터의 물질을 이용해, 변경되어, 이격된 제 1 특징부(16c)의 측벽 상에 변경된 물질(44c)을 형성하였다. 상술한 바와 같이, 이러한 변경은 변경가능한 물질(40c)의 증착 중에, 및/또는, 변경가능한 물질(40c)의 증착 완료 이후에, 발생할 수 있다. 일 실시예에서는, 도 24의 경우에 비해 도 23의 기판의 공정에서 실질적으로 도시되는 바와 같이, 변경가능한 물질(40c)의 증착 완료 이후까지 어떤 변경도 이루어지지 않는다.
도 25와 관련하여, 변경되지 않은 변경가능한 물질(40c)(도시되지 않음)의 해당 부분들은 기판(10c)으로부터 제거되어 있다.
도 26과 관련하여, 변경된 물질(44c)이 이방성으로 에칭되어 이격된 제 2 특징부(20c)를 형성하였다.
도 27과 관련하여, 이격된 제 1 특징부(16c)(도시되지 않음)가 기판으로부터 제거되어, 변경된 물질(44c)을 포함하는 이격된 제 2 특징부(20c)의 적어도 일부분을 남겨두었다.
도 28과 관련하여, 이격된 제 2 특징부(20c) 위에 제 1 물질(22c)이 증착되었고, 제 1 물질(22c)은 이격된 제 2 특징부(20c)의 조성과는 약간 다른 조성을 갖고, 비-평면형 외측 표면(23c)을 갖는다.
도 29와 관련하여, 제 1 물질(22c) 위에 제 2 물질(24c)이 증착되어 있고, 제 2 물질(24c)은 제 1 물질(22c) 및 이격된 제 2 특징부(20c)의 조성과는 약간 다른 조성을 갖는다.
도 30과 관련하여, 제 2 물질(24c)의 일부분만이 제거되어 제 1 물질(22c)을 노출시키고 이격된 제 2 물질(30c)을 형성하였다.
도 31과 관련하여, 제 1 물질(22c)이 이격된 제 2 물질(30c) 사이로부터 에칭되어 있고, 이격된 제 2 물질(24c)을 포함하는 이격된 제 3 특징부(32c)가 형성되어 있다. 제 3 특징부(32c)는 제 2 특징부(20c)로부터 이격된다. 도 23-31의 실시예는 도 23의 시작 피치 Q와, 도 31의 결과적 피치를 도시하고, 도 31의 결과적 피치는 Q의 1/4 다. 비-정수 소수 멀티플리케이션을 포함한, 다른 멀티플리케이션도 형성되는 특징부의 횡방향 트리밍과 증착되는 물질의 두께에 따라 나타날 수 있다. 이와 관계없이, 도 31은 상술한 바와 같이, 기판(12)을 관통하여 처리할 수 있는, 이격된 제 2 특징부(20c) 및 이격된 제 3 특징부(32c)를 포함하는 일례의 마스크 패턴(35c)을 도시한다.
추가적인 실시예들이 도 32-37을 참조하여 다음에 설명된다. 도 32는 도 28의 공정 순서에서 기판 조각(10d)과 관련한 대안의 공정을 도시한다. 상술한 실시예들로부터의 유사한 도면 부호들이 적절한 경우 사용되었고, 구성 상의 차이는 첨자 d, 또는 아예 다른 도면 부호로 표시하였다. 첨자 d는 앞서와는 다른 구성을 표시하지만, 이러한 구성에 대한 일례의 물질은 첨자 d없이 동일한 도면 부호로 상술한 실시예들에 사용된 것과 동일하다. 도 32와 관련하여, 도 23-27의 공정이 이루어졌고, 도 23의 물질(40c)은, 이격된 제 1 특징부(16c) 위에 형성된, 그리고, 이격된 제 1 특징부(16c)의 측벽 상에 제 1 변경된 물질(44c)을 형성하도록 이격된 제 1 특징부(16c)로부터의 물질을 이용해, 변경된, 제 1 변경가능한 물질로 간주될 수 있다. 이격된 제 1 특징부(16c)는 기판으로부터 제거되어 있고, 도 32에 (44d)로 표시되는 제 1 변경된 물질(44)을 포함하는 이격된 제 2 특징부(20d)가 형성되었다. 제 2 변경가능한 물질(60)의 조성 및 특성이 변경가능한 물질(40)에 대해 앞서 설명한 바와 동일하며, 이격된 제 2 특징부(20d)의 조성에 적어도 부분적으로 좌우된다.
도 33과 관련하여, 제 2 변경가능한 물질(60)이, 이격된 제 2 특징부/제 1 변경된 물질(20d)로부터의 제 1 변경된 물질(44d)을 이용해, 변경되어, 이격된 제 2 특징부(20d)의 측벽 상에 제 2 변경된 물질(62)을 형성하였다. 제 2 변경된 물질(62)의 조성 및 특성은 변경된 물질(44)에 대해 앞서 설명한 바와 동일하다.
도 34와 관련하여, 변경되지 않은 제 2 변경가능한 물질(60)(도시되지 않음)이 제 2 변경된 물질(62)에 대해 선택적으로 기판으로부터 제거되어 있다.
도 35와 관련하여, 제 3 물질(24d)이 제 2 변경된 물질(62) 위에 형성되어 있다. 제 3 물질(24d)은 제 2 변경된 물질(62)의 조성 및 이격된 제 2 특징부(20d)의 조성과 약간 다른 조성을 갖는다.
도 36과 관련하여, 제 3 물질(24d)의 일부분만이 제거되어 제 2 변경된 물질(62)을 노출시키고 이격된 제 3 물질(30d)을 형성한다.
도 37과 관련하여, 제 2 변경된 물질(62)이 이격된 제3 물질(30d) 사이로부터 에칭되어 있고, 이격된 제 3 물질(30d)을 포함하는 이격된 제 3 특징부(32d)가 형성되어 있다. 제 3 특징부(32d)는 제 2 특징부(20d)로부터 이격된다. 추가적인 횡방향 및/또는 수직 트리밍이 이격된 제 2 특징부 및 이격된 제 3 특징부에 대해 상대적으로 이루어질 수 있다. 이와 관계없이, 도 37은, 예를 들어, 상술한 바와 같이, 마스크 패턴(35d)의 종방향 내측으로 수용되는 기판 물질(12)을 관통 방식으로 처리할 수 있는 이격된 제 2 특징부(20d) 및 이격된 제 3 특징부(32d)를 포함하는 일례의 마스크 패턴(35d)을 도시한다.
도 34-37에 도시된 공정에 대한 대안의 공정이 또한 고려된다. 예를 들어, 도 3의 제 2 변경가능한 물질(60)의 일부분을 제거하여 제 2 변경된 물질(62)을 노출시키고, 물질(24d)의 증착 및 그 일부분의 제거에 반해, 이격된 제 2 변경가능 물질을 형성한다. 예를 들어, 도 33의 물질(60)을 제거하여 도 36의 구성을 직접 생성할 수 있고, 이때, 물질(24d)은 제 2 변경가능한 물질(60)로 대체된다. 그후, 제 2 변경된 물질(62)이 이격된 제 2 변경가능 물질 사이로부터 에칭되고, 이격된 제 2 변경가능한 물질을 포함하는 이격된 제 3 특징부가 형성된다. 예를 들어, 제 2 변경가능한 물질이 제 3 물질(24d)을 위해 대체되도록, 도 37의 구성이 생성될 수 있다.

Claims (37)

  1. 기판 제작 방법에 있어서,
    서로 이격된 제 1 특징부를 기판 위에 형성하는 단계와,
    상기 이격된 제 1 특징부의 측벽 상에 이방성으로 에칭된 스페이서를 형성하는 단계와,
    기판으로부터 상기 이격된 제 1 특징부를 제거하고, 상기 스페이서를 포함하는 서로 이격된 제 2 특징부를 형성하는 단계와,
    상기 이격된 제 2 특징부의 조성과는 다른 조성을 갖는 제 1 물질을 상기 이격된 제 2 특징부 위에 증착시키는 단계로서, 상기 제 1 물질은 비-평면형 외측 표면을 갖는, 단계와,
    상기 제 1 물질의 조성 및 상기 이격된 제 2 특징부의 조성과는 다른 조성을 갖는 제 2 물질을 상기 제 1 물질 위에 증착시키는 단계로서, 상기 제 2 물질은 평면형 외측 표면을 갖는, 단계와,
    상기 제 2 물질의 일부분만을 제거하여 상기 제 1 물질을 노출시키고, 상기 제 1 물질 위에 수용되는 서로 이격된 제 2 물질을 형성하는 단계와,
    상기 이격된 제 2 물질 형성 이후, 상기 이격된 제 2 물질 사이로부터 제 1 물질을 에칭하고, 상기 제 1 물질 위에 수용되는 이격된 제 2 물질을 포함하는 서로 이격된 제 3 특징부를 형성하는 단계로서, 상기 제 3 특징부는 상기 제 2 특징부와 이격되는, 단계와,
    상기 이격된 제 2 특징부 및 이격된 제 3 특징부를 포함하는 마스크 패턴을 통해 기판을 처리하는 단계
    를 포함하는 기판 제작 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 특징부는 인접한 각각의 제 1 특징부로부터 동일하게 이격되고, 상기 제 2 특징부는 인접한 각각의 제 2 특징부로부터 동일하게 이격되는, 기판 제작 방법.
  3. 기판 제작 방법에 있어서,
    서로 이격된 제 1 및 제 2 특징부를 기판 위에 형성하는 단계로서, 상기 이격된 제 1 특징부는 상기 이격된 제 2 특징부의 종방향 외측 영역과는 다른 조성의 종방향 외측 영역을 갖고, 상기 이격된 제 1 및 제 2 특징부는 서로 교대로 구성되는, 단계와,
    상기 기판으로부터 제 1 특징부를 하나 걸러 하나씩 제거하고, 나머지 제 1 특징부 각각과 교대로 구성되는 가장 인접한 제 2 특징부들의 쌍을 형성하는 단계와,
    하나 걸러 하나씩의 제 1 특징부의 제거 이후, 상기 나머지 제 1 특징부 각각과 교대로 구성되는 가장 인접한 제 2 특징부의 쌍을 포함하는 마스크 패턴을 통해 기판을 처리하는 단계
    를 포함하는 기판 제작 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 특징부는 다른 조성의 제 1 물질 위에 수용되는 제 2 물질을 포함하는, 기판 제작 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 특징부는 상기 제 1 및 제 2 물질의 조성과는 다른 조성을 갖는, 기판 제작 방법.
  6. 기판 제작 방법에 있어서,
    서로 이격된 제 1 및 제 2 특징부를 기판 위에 형성하는 단계로서, 상기 이격된 제 1 특징부는 상기 이격된 제 2 특징부의 종방향 외측 영역과는 다른 조성의 종방향 외측 영역을 갖고, 상기 이격된 제 1 및 제 2 특징부는 서로 교대로 구성되고, 상기 이격된 제 1 특징부는 제 1 물질 및 제 2 물질을 포함하는, 단계와,
    상기 제 2 특징부에 대해 선택적으로 상기 제 1 특징부의 상기 제 1 물질 및 제 2 물질을 횡방향으로 에칭하여, 상기 기판으로부터 제 1 특징부를 하나 걸러 하나씩 제거하고 나머지 제 1 특징부의 폭을 감소시키며, 그리고, 상기 나머지 제 1 특징부 각각과 교대로 구성되는 가장 인접한 제 2 특징부들의 쌍을 형성하는 단계와
    횡방향 에칭 이후, 상기 나머지 제 1 특징부 각각과 교대로 구성되는 가장 인접한 제 2 특징부의 쌍을 포함하는 마스크 패턴을 통해 기판을 처리하는 단계
    를 포함하는 기판 제작 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 물질은 상기 제 1 물질 위에 있고 상기 제 1 물질과 다른 조성을 가지며, 상기 제 2 특징부는 상기 제 1 및 제 2 물질의 조성과는 다른 조성을 갖는, 기판 제작 방법.
  8. 기판 제작 방법에 있어서,
    서로 이격된 제 1 특징부를 기판 위에 형성하는 단계와,
    상기 이격된 제 1 특징부 위에 이방성으로 에칭된 스페이서를 형성하는 단계와,
    기판으로부터 상기 이격된 제 1 특징부를 제거하고, 상기 스페이서를 포함하는 서로 이격된 제 2 특징부를 형성하는 단계와,
    상기 이격된 제 2 특징부 위에 변경가능 물질을 증착하고, 상기 이격된 제 2 특징부로부터의 물질을 이용해, 상기 변경가능 물질을 변경하여, 상기 이격된 제 2 특징부의 측벽 상에 변경된 물질을 형성하는 단계와,
    상기 변경된 물질 위에 제 2 물질을 증착하는 단계로서, 상기 제 2 물질은 상기 변경된 물질 및 상기 이격된 제 2 특징부의 조성과는 다른 조성을 갖는, 단계와,
    상기 제 2 물질의 일부분만을 제거하여 상기 변경된 물질을 노출시키고 서로 이격된 제 2 물질을 형성하는 단계와,
    상기 이격된 제 2 물질을 형성한 후, 상기 이격된 제 2 물질 사이로부터 상기 변경된 물질을 에칭하고, 상기 이격된 제 2 물질을 포함하는 서로 이격된 제 3 특징부를 형성하는 단계로서, 상기 제 3 특징부는 상기 제 2 특징부와 이격되는, 단계와,
    상기 이격된 제 2 특징부 및 이격된 제 3 특징부를 포함하는 마스크 패턴을 통해 기판을 처리하는 단계
    를 포함하는 기판 제작 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 변경가능 물질을 변경하는 단계는, 상기 변경가능 물질의 증착 중 이루어지는, 기판 제작 방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 변경가능 물질을 변경하는 단계는, 상기 변경가능 물질의 증착 완료 후 이루어지는, 기판 제작 방법.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 변경가능 물질의 증착 완료 후까지 어떤 변경도 이루어지지 않는, 기판 제작 방법.
  12. 제 8 항에 있어서, 변경가능 물질을 변경하는 단계는, 상기 이격된 제 2 특징부의 말단에 위치한 상기 변경가능 물질의 말단부를 변경되지 않은 상태로 남겨두면서, 상기 이격된 제 2 특징부 각각에 인접한 상기 변경가능 물질의 일부분을 변경하는, 기판 제작 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 물질의 증착 이전에 상기 변경된 물질에 대해 선택적으로 상기 말단부를 에칭하는 단계를 포함하는, 기판 제작 방법.
  14. 기판 제작 방법에 있어서,
    서로 이격된 제 1 특징부를 기판 위에 형성하는 단계와,
    상기 이격된 제 1 특징부의 측벽 상에 이방성으로 에칭된 스페이서를 형성하는 단계와,
    기판으로부터 상기 이격된 제 1 특징부를 제거하고, 상기 스페이서를 포함하는 서로 이격된 제 2 특징부를 형성하는 단계와,
    상기 이격된 제 2 특징부 위에 변경가능 물질을 증착하고, 상기 이격된 제 2 특징부로부터의 물질을 이용해, 상기 변경가능 물질의 일부분만을 변경하여 상기 이격된 제 2 특징부의 측벽 상에 변경된 물질을 형성하고, 상기 변경된 물질 종방향 위쪽으로, 그리고, 사이에 변경가능 물질을 남겨두는 단계와,
    변경가능 물질의 일부분만을 변경한 후, 상기 변경가능 물질의 일부분만을 제거하여 상기 변경된 물질을 노출시키고 서로 이격된 변경가능 물질을 형성하는 단계와,
    이격된 변경가능 물질 형성 후, 상기 이격된 변경가능 물질 사이로부터 상기 변경된 물질을 에칭하고, 상기 이격된 변경가능 물질을 포함하는 서로 이격된 제 3 특징부를 형성하는 단계로서, 상기 제 3 특징부는 상기 제 2 특징부로부터 이격되는, 단계와,
    상기 이격된 제 2 특징부 및 이격된 제 3 특징부를 포함하는 마스크 패턴을 통해 기판을 처리하는 단계
    를 포함하는 기판 제작 방법.
  15. 기판 제작 방법에 있어서,
    서로 이격된 제 1 특징부를 기판 위에 형성하는 단계와,
    상기 이격된 제 1 특징부 위에 변경가능 물질을 증착하고, 상기 이격된 제 1 특징부로부터의 물질을 이용해, 상기 변경가능 물질을 변경하여, 상기 이격된 제 1 특징부의 측벽 상에 변경된 물질을 형성하는 단계와,
    변경가능 물질을 변경한 후, 기판으로부터 상기 이격된 제 1 특징부를 제거하고, 상기 변경된 물질을 포함하는 서로 이격된 제 2 특징부를 형성하는 단계와,
    상기 이격된 제 2 특징부의 조성과는 다른 조성을 갖는 제 1 물질을 상기 이격된 제 2 특징부 위에 증착하는 단계로서, 상기 제 1 물질은 비-평면형 외측 표면을 갖는, 단계와,
    상기 제 1 물질의 조성 및 상기 이격된 제 2 특징부의 조성과는 다른 조성을 갖는 제 2 물질을 상기 제 1 물질 위에 증착하는 단계와,
    상기 제 2 물질의 일부분만을 제거하여 상기 제 1 물질을 노출시키고 서로 이격된 제 2 물질을 형성하는 단계와,
    상기 이격된 제 2 물질을 형성 후, 상기 이격된 제 2 물질 사이로부터 상기 제 1 물질을 에칭하고, 이격된 제 2 물질을 포함하는 서로 이격된 제 3 특징부를 형성하는 단계로서, 상기 제 3 특징부는 상기 제 2 특징부로부터 이격되는, 단계와,
    상기 이격된 제 2 특징부 및 이격된 제 3 특징부를 포함하는 마스크 패턴을 통해 기판을 처리하는 단계
    를 포함하는 기판 제작 방법.
  16. 기판 제작 방법에 있어서,
    서로 이격된 제 1 특징부를 기판 위에 형성하는 단계와,
    상기 이격된 제 1 특징부 위에 제 1 변경가능 물질을 증착하고, 상기 이격된 제 1 특징부로부터의 물질을 이용해, 상기 제 1 변경가능 물질을 변경하여, 상기 이격된 제 1 특징부의 측벽 상에 제 1 변경된 물질을 형성하는 단계와,
    제 1 변경가능 물질을 변경한 후, 기판으로부터 상기 이격된 제 1 특징부를 제거하고, 상기 제 1 변경된 물질을 포함하는 서로 이격된 제 2 특징부를 형성하는 단계와,
    상기 이격된 제 2 특징부 위에 제 2 변경가능 물질을 증착하고, 상기 이격된 제 2 특징부로부터의 상기 제 1 변경된 물질을 이용해, 상기 제 2 변경가능 물질을 변경하여, 상기 이격된 제 2 특징부의 측벽 상에 제 2 변경된 물질을 형성하는 단계와,
    상기 제 2 변경된 물질 위에 제 3 물질을 증착하는 단계로서, 상기 제 3 물질은 상기 제 2 변경된 물질의 조성 및 상기 이격된 제 2 특징부의 조성과는 다른 조성을 갖는, 단계와,
    상기 제 3 물질의 일부분만을 제거하여 상기 제 2 변경된 물질을 노출시키고 서로 이격된 제 3 물질을 형성하는 단계와,
    이격된 제 3 물질을 형성한 후, 이격된 제 3 물질 사이로부터 상기 제 2 변경된 물질을 에칭하고, 이격된 제 3 물질을 포함하는 서로 이격된 제 3 특징부를 형성하는 단계로서, 상기 제 3 특징부는 상기 제 2 특징부와 이격되는, 단계와,
    상기 이격된 제 2 특징부 및 이격된 제 3 특징부를 포함하는 마스크 패턴을 통해 기판을 처리하는 단계
    를 포함하는 기판 제작 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 이격된 제 2 특징부는 포토레지스트를 포함하고, 상기 제 2 변경가능 물질은 산에 노출될 때 가교-결합가능한 유기 조성물에 산포된 하나 이상의 무기 성분을 포함하며, 상기 이격된 제 2 특징부로부터의 물질은 산을 포함하고, 제 2 변경가능 물질을 변경하는 단계는, 상기 이격된 제 2 특징부로부터의 물질의 산에 노출될 때, 상기 유기 조성물 내에 가교-결합을 형성하는 단계를 포함하는, 기판 제작 방법.
  18. 서로 이격된 제 1 특징부를 기판 위에 형성하는 단계와,
    상기 이격된 제 1 특징부 위에 제 1 변경가능 물질을 증착하고, 상기 이격된 제 1 특징부로부터의 물질을 이용해, 상기 제 1 변경가능 물질을 변경하여, 상기 이격된 제 1 특징부의 측벽 상에 제 1 변경된 물질을 형성하는 단계와,
    제 1 변경가능 물질을 변경한 후, 기판으로부터 상기 이격된 제 1 특징부를 제거하고, 상기 제 1 변경된 물질을 포함하는 서로 이격된 제 2 특징부를 형성하는 단계와,
    상기 이격된 제 2 특징부 위에 제 2 변경가능 물질을 증착하고, 상기 이격된 제 2 특징부로부터의 제 1 변경된 물질을 이용해, 상기 제 2 변경가능 물질의 일부분만을 변경하여 상기 이격된 제 2 특징부의 측벽 상에 제 2 변경된 물질을 형성하고, 상기 제 2 변경된 물질 종방향 위쪽으로 그리고 사이에서 제 1 변경가능 물질을 남겨두는 단계와,
    제 1 변경가능 물질의 변경 후, 상기 제 2 변경가능 물질의 일부분만을 제거하여 상기 제 2 변경된 물질을 노출시키고 서로 이격된 제 2 변경가능 물질을 형성하는 단계와,
    이격된 제 2 변경가능 물질을 형성한 후, 상기 이격된 제 2 변경가능 물질 사이로부터 상기 제 2 변경된 물질을 에칭하고, 이격된 제 2 변경가능 물질을 포함하는 서로 이격된 제 3 특징부를 형성하는 단계로서, 상기 제 3 특징부가 상기 제 2 특징부로부터 이격되는, 단계와,
    상기 이격된 제 2 특징부 및 이격된 제 3 특징부를 포함하는 마스크 패턴을 통해 기판을 처리하는 단계
    를 포함하는 기판 제작 방법.
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