KR100732289B1 - 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 피식각층이 구비된 반도체기판 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 콘택마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 상기 포토레지스트막에 콘택용 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 콘택용 포토레지스트 패턴 표면에 탄소수가 4 이상 10 이하인 알코올계 용매 및 오버 코팅용 중합체를 포함하는 오버 코팅용 조성물을 도포하여 오버 코팅막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법을 제공한다.
Description
도 1a 및 도 1b는 본 발명에 따른 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법을 도시하는 단면도.
도 2는 비교예에 의해 형성된 콘택용 포토레지스트 패턴의 SEM 사진.
도 3은 실시예 4에 의해 형성된 콘택용 포토레지스트 패턴의 SEM 사진.
도 4는 실시예 5에 의해 형성된 콘택용 포토레지스트 패턴의 SEM 사진.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
11 : 반도체 기판 13 : 포토레지스트막
15 : 콘택 영역 17 : 오버 코팅막
본 발명은 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 노광장비의 한계 해상력을 극복하여 100㎚ 이하의 미세 콘택을 형성하기 위하여 먼저 콘택을 형성한 후 그 위에 오버 코팅(over coating)을 실시함에 있어 상기 오버 코팅 물질의 용매로서 탄소수가 4 이상 10 이하인 알코올계 용매를 사용하여 미 세 콘택을 형성하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 노광장비의 한계 해상력을 극복하기 위하여 위상 반전 마스크(phase shift mask)를 이용하거나, 콘택을 형성한 후 포토레지스트의 유리전이온도 이상으로 가열하여 플로우가 일어나게 하거나(레지스트 플로우 공정), 리락스(RELACS, Resolution Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrink) 공정을 이용하여 콘택의 크기를 본래보다 작게 함으로써, 반도체 소자의 고집적화에 적합한 미세 콘택을 형성하였다.
그러나, 상기 위상 반전 마스크를 이용하는 경우에는 패턴 형성공정시 사이드 로브(side-lobe)가 유발되거나 해상도가 저하되는 문제점이 있다.
또, 상기 레지스트 플로우 공정을 이용하는 경우에는 포토레지스트 전면에 유리전이 온도 이상의 온도로 동일한 열에너지가 전달되어도, 상층부 및 중앙보다 하층부에서 포토레지스트의 흐름이 상대적으로 더 많아서, 패턴의 상부가 하부에 비해 벌어지는 현상, 즉 오버 플로우(overflow)가 발생하는 문제점이 있다.
또한, 리락스 공정을 이용하는 경우에는 재료의 단가가 높을 뿐만 아니라, 수용성 중합체가 완전히 제거되지 않고 패턴 상에 현상 잔류물로 남아 있어 후속 식각 공정에 영향을 주게 되고, 이에 따라 최종 소자에서의 결함 발생 가능성을 증가시키므로 소자의 수율 및 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있다.
아울러, 먼저 콘택을 형성한 후 그 위에 오버 코팅(over coating)을 실시하는 방법으로 콘택의 크기를 본래보다 작게 형성할 수 있으나, 이때 용매로서 물을 사용하기 때문에 코팅 물성이 좋지 않은 문제점이 있다.
이에, 코팅 물성을 좋게 하기 위하여 유기계 용매를 사용할 수 있으나, 이러한 유기계 용매는 하부의 포토레지스트층을 용해시킨다. 따라서, 하부의 포토레지스트층이 유기계 용매에 의해 용해되는 것을 방지하기 위하여는 콘택을 형성한 후에 유기계 용매를 가교시켜야 하는데, 이를 위해 전자빔 경화, 열 경화 또는 자외선 경화 등의 추가 공정을 반드시 수행하여야 하는 번거로운 단점이 있다.
본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 최종적으로 미세 콘택을 형성하기 위하여 먼저 콘택을 형성한 후 그 위에 오버 코팅을 실시함에 있어, 상기 오버 코팅 물질의 용매로서 탄소수가 4 이상 10 이하인 알코올계 용매를 사용하여 반도체 소자의 고집적화에 충분한 미세 콘택 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 하기의 단계를 포함하는 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법을 제공한다:
(a) 피식각층이 구비된 반도체기판 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;
(b) 콘택마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 상기 포토레지스트막에 콘택용 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
(c) 상기 콘택용 포토레지스트 패턴 표면에 탄소수가 4 이상 10 이하인 알코올계 용매 및 오버 코팅용 중합체를 포함하는 오버 코팅용 조성물을 도포하여 오버 코팅막을 형성하는 단계.
상기 본 발명에 따른 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법은 상기 (b) 단계 이후, (c) 단계 이전에 상기 콘택용 포토레지스트 패턴을 플로우시키는 단계를 더 포함하거나, 리락스 공정을 수행하는 단계를 더 포함함으로써 보다 더 작은 크기의 콘택 영역을 갖는 미세 콘택을 형성할 수 있다.
도 1a 및 도 1b를 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1a를 참조하면, 피식각층이 구비된 반도체 기판(11) 상에 포토레지스트 조성물을 도포하여 포토레지스트막(13)을 형성한다.
다음, 콘택마스크(도시안됨)를 이용한 노광 및 현상 공정으로 콘택 영역(15)을 구비하는 포토레지스트막(13)의 패턴을 형성한다.
이때, 상기 콘택 영역(15)은 ⓐ의 직경을 갖는 크기로 형성한다.
도 1b를 참조하면, 상기 콘택 영역(15)을 포함한 전체 표면 상부에 오버 코팅용 조성물을 도포하여 20 ∼ 100nm 두께의 오버 코팅막(17)을 형성하되, 상기 오버 코팅용 조성물은 용매로서 탄소수가 4 이상 10 이하인 알코올계 용매를 포함한다.
상기 탄소수가 4 이상 10 이하인 알코올계 용매로는 시클로펜탄올, 시클로헵탄올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 옥탄올, 노난올 및 데칸올로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 탄소수가 4 미만인 알코올계 용매는 코팅시 하부의 포토레지스트층을 용해시키기 때문에 사용이 불가능하고, 탄소수가 10을 초과하는 알코올계 용매는 용매의 휘발도가 너무 작아서 코팅 용매로서 사용하기 곤란하다.
또한, 상기 오버 코팅용 조성물은 오버 코팅용 중합체를 포함하며, 이에는 특별한 제한은 없으나 폴리(t-부틸아크릴레이트/메타크릴산/메타크릴레이트)을 사용하는 것이 바람직하다.
즉, 본 발명에서는 탄소수가 4 이상 10 이하인 알코올계 용매를 코팅 용매로 하는 오버 코팅 조성물을 사용하여 간단한 스핀 코팅법으로 도포함으로써, 알코올계 용매의 휘발에 의해 오버 코팅막(17)이 형성되는 것으로, 상기 탄소수가 4 이상 10 이하인 알코올계 용매가 하부의 포토레지스트층을 용해시킬 염려가 없기 때문에 경화 공정과 같은 별도의 추가 공정을 수행하지 않아도 된다.
그 결과, 상기 오버 코팅막(17)은 상기 콘택 영역(15)의 직경을 ⓑ의 크기로 감소시킨다.
여기서, 상기 콘택 영역(15)의 직경은 상기 오버 코팅막(17)의 두께에 따라 크기가 조절될 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명은 오버 코팅막(17)의 두께 조절에 따라 콘택 영역(15)의 크기가 변화되고, 상기 오버 코팅막(17)의 두께를 임의로 조절할 수 있어 공정의 재현성을 높일 수 있고 그에 따른 소자의 특성 변화를 최소화할 수 있어 반도체 소자의 고집적화를 가능하게 한다.
아울러, 본 발명에서는 오버 코팅막(17)을 형성하기에 앞서 포토레지스트막(13)의 패턴을 포토레지스트의 유리전이온도 이상으로 가열하여 플로우가 일어나게 하거나 리락스(RELACS) 공정을 수행함으로써, 콘택 영역(15)의 직경을 ⓐ 보다 작은 크기로 먼저 형성한 후에 오버 코팅막(17)을 형성하여 필요에 따라 콘택 영역의 직경을 더욱 작게 조절할 수도 있다.
이하 본 발명을 실시예에 의하여 상세히 설명한다. 단 실시예는 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
실시예 1 : 오버 코팅용 중합체 제조
t-부틸아크릴레이트 5.0g, 메타크릴산 2.0g, 메타크릴레이트 3.0g 및 중합개시제인 AIBN(2,2'-아조비스이소부티로니트릴) 0.02g을 50g의 아세톤 용매에 용해시킨 후 67℃에서 6시간 동안 중합 반응시켰다. 중합 반응이 완료된 후, 물 내에서 침전물을 취하여 필터링하고 진공 건조하여 폴리(t-부틸아크릴레이트/메타크릴산/메타크릴레이트)를 88%의 수율로 얻었다.
실시예 2 : 오버 코팅용 조성물 제조 (1)
상기 실시예 1에 의해 제조된 폴리(t-부틸아크릴레이트/메타크릴산/메타크릴레이트) 1g을 시클로헵탄올 80g에 용해하여 오버 코팅용 조성물을 제조하였다.
실시예 3 : 오버 코팅용 조성물 제조 (2)
상기 실시예 1에 의해 제조된 폴리(t-부틸아크릴레이트/메타크릴산/메타크릴레이트) 1g을 시클로펜탄올 70g에 용해하여 오버 코팅용 조성물을 제조하였다.
비교예 : 콘택용 포토레지스트 패턴 형성 (1)
실리콘 웨이퍼 위에 TOK사의 7039 (상용제품) ArF 포토레지스트 조성물을 코팅한 후, 120℃에서 90초간 베이크하였다. 이 웨이퍼에 콘택 마스크를 이용하여 ASML사의 ArF 노광 장비로 노광시킨 후 120℃에서 90초간 다시 베이크하였다. 다음, 이 웨이퍼를 2.38중량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에 40초간 현상 하여 134㎚ 크기의 콘택용 포토레지스트 패턴을 얻었다 (도 2의 콘택용 포토레지스트 패턴 사진 참조).
실시예 4 : 콘택용 포토레지스트 패턴 형성 (2)
상기 비교예에서와 동일한 방법으로 먼저 도 2에 도시된 134㎚ 크기의 콘택용 포토레지스트 패턴을 형성한 웨이퍼 위에 상기 실시예 2에서 제조한 오버 코팅 조성물을 간단한 스핀 코팅 방법으로 도포하여 오버 코팅막을 형성함으로써 105㎚ 크기의 콘택용 포토레지스트 패턴을 얻었다 (도 3의 콘택용 포토레지스트 패턴 사진 참조).
즉, 본 실시예에서는 탄소수가 4 이상인 알코올계 용매로서 시클로헵탄올을 오버 코팅 물질의 용매로 사용하여 오버 코팅막을 형성함으로써, 오버 코팅막을 형성하지 않은 비교예에 의해 형성된 콘택용 포토레지스트 패턴보다 29㎚ 작은 콘택용 포토레지스트 패턴을 얻을 수 있었다.
실시예 5 : 콘택용 포토레지스트 패턴 형성 (3)
상기 비교예에서와 동일한 방법으로 먼저 도 2에 도시된 134㎚ 크기의 콘택용 포토레지스트 패턴을 형성한 웨이퍼 위에 상기 실시예 3에서 제조한 오버 코팅 조성물을 간단한 스핀 코팅 방법으로 도포하여 오버 코팅막을 형성함으로써 98㎚ 크기의 콘택용 포토레지스트 패턴을 얻었다 (도 4의 콘택용 포토레지스트 패턴 사진 참조).
즉, 본 실시예에서는 탄소수가 4 이상인 알코올계 용매로서 시클로펜탄올을 오버 코팅 물질의 용매로 사용하여 오버 코팅막을 형성함으로써, 오버 코팅막을 형 성하지 않은 비교예에 의해 형성된 콘택용 포토레지스트 패턴보다 36㎚ 작은 콘택용 포토레지스트 패턴을 얻을 수 있었다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에서는 미세 콘택을 형성하기 위하여 먼저 콘택을 형성한 후 그 위에 오버 코팅 조성물을 도포하여 오버 코팅막을 형성함에 있어, 상기 오버 코팅 조성물의 용매로서 탄소수가 4 이상 10 이하인 알코올계 용매를 사용함으로써 오버 코팅막을 형성하지 않았을 때보다 콘택 영역의 크기가 작아진 콘택용 포토레지스트 패턴을 얻을 수 있다.
Claims (6)
- (a) 피식각층이 구비된 반도체기판 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;(b) 콘택마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 상기 포토레지스트막에 콘택용 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및(c) 상기 콘택용 포토레지스트 패턴 표면에 탄소수가 4 이상 10 이하인 알코올계 용매 및 오버 코팅용 중합체를 포함하는 오버 코팅용 조성물을 도포하여 오버 코팅막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 탄소수가 4 이상 10 이하인 알코올계 용매는 시클로펜탄올, 시클로헵탄올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 옥탄올, 노난올 및 데칸올로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 방법은 상기 (b) 단계 이후, (c) 단계 이전에 상기 콘택용 포토레지스트 패턴을 플로우시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 방법은 상기 (b) 단계 이후, (c) 단계 이전에 리락스(RELACS, Resolution Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrink) 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 오버 코팅용 중합체는 폴리(t-부틸아크릴레이트/메타크릴산/메타크릴레이트)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 오버 코팅막은 20 ∼ 100nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법.
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| TWI473205B (zh) * | 2011-11-24 | 2015-02-11 | Powerchip Technology Corp | 接觸窗開口的形成方法 |
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| US8629048B1 (en) | 2012-07-06 | 2014-01-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a pattern on a substrate |
Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR980011721A (ko) * | 1996-07-05 | 1998-04-30 | 기따오까 다까시 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR20010066291A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 황인길 | 초 박막을 이용한 미세 홀 사이즈 구현 방법 |
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|---|---|---|---|---|
| EP0201323B1 (en) * | 1985-05-07 | 1994-08-17 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Article incorporating a transparent hologramm |
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| US6783914B1 (en) * | 2000-02-25 | 2004-08-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Encapsulated inorganic resists |
| US6492075B1 (en) * | 2000-06-16 | 2002-12-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chemical trim process |
| KR100557615B1 (ko) * | 2000-10-23 | 2006-03-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 레지스트 플로우 공정용 포토레지스트 조성물 |
| US6794109B2 (en) * | 2001-02-23 | 2004-09-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Low abosorbing resists for 157 nm lithography |
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| US7064846B1 (en) * | 2003-08-22 | 2006-06-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Non-lithographic shrink techniques for improving line edge roughness and using imperfect (but simpler) BARCs |
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| KR980011721A (ko) * | 1996-07-05 | 1998-04-30 | 기따오까 다까시 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR20010066291A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 황인길 | 초 박막을 이용한 미세 홀 사이즈 구현 방법 |
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