KR100979081B1 - 본드 패드를 구비한 반도체 디바이스 및 그를 위한 방법 - Google Patents

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프리스케일 세미컨덕터, 인크.
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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본드 패드(10)는 실질적으로 중첩되지 않은 프로브 영역(14) 및 와이어 본드 영역(12)을 구비한다. 일 실시예에서, 본드 패드(10)는 최종 금속층 패드(16)에 접속되고 상호접속 영역(24) 위에서 확장한다. 본드 패드(10)는 알루미늄으로 형성되고 최종 금속층 패드(16)는 구리로 형성된다. 프로브 영역(14)을 와이어 본드 영역(12)으로부터 분리함으로써 최종 금속층 패드(16)가 프로브 테스트에 의해 손상받는 것이 방지되어, 보다 신뢰성 있는 와이어 본드들이 될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 프로브 영역(14)은 패시베이션층(18) 위에서 확장한다. 본드 패드들간에 매우 미세한 피치를 요하는 응용에서, 일렬로 형성된 복수의 본드 패드들의 프로브 영역들(14) 및 와이어 본드 영역들(12)은 프로브 영역들(14)간 거리를 늘리기 위해 엇갈리게 배치될 수도 있다. 또한, 본드 패드들(10)을 상호접속 영역(24) 상에 형성함으로써 집적 회로의 크기가 감소된다.
Figure R1020047014389
프로브 영역, 본드 패드, 패시베이션층, 상호접속 영역, 집적 회로, 최종 금속층 패드

Description

본드 패드를 구비한 반도체 디바이스 및 그를 위한 방법{Semiconductor device having a bond pad and method therefor}
본 발명은 일반적으로 반도체 디바이스들에 관한 것으로, 특히 프로브 및 와이어 본드 절연용 본드 패드를 구비한 반도체 디바이스 및 그를 위한 방법에 관한 것이다.
집적 회로 제조에서, 와이어 본딩은 전기회로를 구비한 반도체 다이를 콤포넌트 패키지 상의 핀에 접속하는데 사용되는 널리 검증된 방법이다. 집적 회로 제조내에서 콤포넌트 어셈블리를 완료하기 전에 반도체 다이의 기능을 테스트하는 것이 일반적인 관행이다. "프로브 테스트"는 반도체를 테스트하는데 사용되는 이와같은 한 방법으로, 다이상의 본드 패드들과의 기계적 및 전기적 인터페이스로서 일반적으로 프로브 접촉(probe contact)이 사용된다.
기계적 인터페이스, 예컨대 프로브 니들(probe needles)을 사용함에 있어 한가지 문제는 본드 패드들이 손상 혹은 오염될 수 있어, 다이를 와이어 본딩할 때 본드 패드와 패키지 핀간에 신뢰성 있는 전기적 접속이 되지 못한다는 것이다. 상기 문제는 최근의 딥 서브-미크론 반도체 기술(deep sub-micron semiconductor technology)의 특징인 본드 패드의 소형화들에 의해 더욱 악화되고 있다. 본드 패드의 소형화들에는 보다 작은 와이어 본드들이 형성되는 보다 작은 본드 패드들이 포함된다. 이것은 프로브 접촉에 의해 손상되는 본드 패드들의 품질 및 신뢰도에 대한 우려를 증가시킨다. 본드 패드 크기가 작아짐에 따라, 본드 패드 영역에 대한 프로브 접촉에 의해 야기된 손상의 비율이 증가한다. 본드 패드 형상들이 작아지는 것으로 생기는 또 다른 문제는 본드 패드들간의 간격이 캔틸레버 프로브 니들들(cantilever probe needles)과 같은 통상의 방법들을 사용하는 강력 프로브 테스트를 하기엔 너무 좁을 수 있다는 것이다.
따라서, 신뢰성이 없는 와이어 본드 접속들을 야기하지 않고 다이를 프로브 테스트하며, 작은 본드 패드들 및 본드 패드들의 미세 피치 간격을 가진 다이에 대해 강력 프로브 테스트를 보장할 필요성이 있다. 또한 대부분의 경우, 비용 저감을 유지하기 위해 다이 크기에 현격한 영향을 미치지 않고 전술의 기준들을 충족시킬 필요성이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 와이어 본드 패드의 평면도.
도 2는 본 발명에 따른 도 1의 와이어 본드 패드를 구비한 반도체 디바이스의 단면도.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스의 단면도.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스의 단면도.
도 5 내지 도 14는 본 발명에 따른 복수의 와이어 본드 패드들을 구비한 집적 회로의 대안의 실시예들의 평면도.
일반적으로, 본 발명은 복수의 본드 패드들을 구비한 집적 회로를 제공한다. 복수의 본드 패드들 각각은 실질적으로 서로 중첩 및 접촉하지 않는 프로브 영역과 와이어 본드 영역을 구비한다. 일 실시예에서, 본드 패드는 집적 회로의 능동 회로 및/또는 전기 상호접속층들 상에 연장된다. 본드 패드의 일부 혹은 전체는 상호접속층들 상에 연장되고 이 패드의 일부는 패시베이션층 상에 형성되며 최종 금속층 패드에 접속될 수 있다. 일 실시예에서, 본드 패드는 알루미늄으로 형성되며 최종 금속층 패드는 구리로 형성된다.
와이어 본드 영역으로부터 프로브 영역을 분리하고 능동 회로 상에 본드 패드를 형성하는 것엔 몇 가지 이점들이 있다. 본드 패드들간에 매우 미세한 피치를 요하는 응용에서, 프로브 영역들간 거리를 효과적으로 늘리기 위해서 프로브 영역들 및 와이어 본드 영역들이 엇갈려 배치될 수 있다. 와이어 본드 영역으로부터 프로브 영역을 분리함으로써, 와이어 본드 영역은 프로브 테스트에 의해 손상받지 않으므로, 보다 신뢰성 있는 와이어 본드들이 될 수 있다. 또한, 금속 상호접속층들을 포함하여, 능동 회로 상에 본드 패드를 형성함으로써 집적 회로가 더욱 작게 될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 본드 패드(10)의 평면도이다. 본드 패드(10)는 점선으로 나타낸 바와 같이 와이어 본드 영역(12)과 프로브 영역(14)으로 분리된다. 와이어 본드 영역(12) 및 프로브 영역(14)은 와이어 본딩 및 프로빙 툴들(probing tools)의 크기 및 정확도를 수용하는데 필요로 되는대로 배치되고 크기를 갖는다. 본 실시예에서, 와이어 본드 영역(12)은 프로브 영역(14)보다 작게 도시되었다. 다른 실시예들에서, 영역들은 다른 크기일 수도 있다.
본드 패드(10)는 도 2, 도 3 및 도 4에 도시된 단면도의 서로 상이한 반도체 디바이스들에 설계될 수 있다. 도면들에서 유사 또는 동일 구성요소에 동일 참조부호를 사용한 것에 유의한다. 또한, 도면들은 축적에 맞게 도시된 것은 아님에 유의한다. 도 2는 본 발명에 따른 반도체 디바이스(20)의 단면도이다. 반도체 디바이스(20)는 에지, 혹은 외주(perimeter)(25), 패시베이션층(18), 본드 패드(10), 상호접속 영역(24), 능동 영역, 혹은 기판(26)을 구비한다. 본드 패드(10)는 와이어 본드 영역(12) 및 프로브 영역(14)(도 1 참조)을 구비하고, 외주(25)에 대하여 놓여진다. 상호접속 영역(24)은 반도체 디바이스(20)의 여러 구성요소들간에 파워 라인, 접지 라인, 신호 라인, 및 이외 다른 라인들을 루팅하기 위한 금속층들(28, 30, 32)을 포함한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 이하 최종 금속층(28)이라 칭하는 금속층(28)은 반도체 디바이스(20)의 표면 가까이 놓여지고, 반도체 디바이스(20) 외부의 놓인 디바이스(도시생략)에 접속하기 위해 프로브 및 와이어 본드가 적용된 본드 패드(10)를 또한 포함한다. 상호접속 영역(24)의 금속층들은 비아(via)들을 사용해서 서로간에 상호접속될 수 있다. 상호접속 금속층(32)은 콘택들에 의해 능동 영역(26)에 전기적으로 접속된다.
능동 영역(26), 혹은 기판에 전기 회로들을 형성하기 위해 반도체 디바이스(20)에 통상의 제조 기술들이 사용된다. 전기 회로들은 예를 들면 통신, 수송, 일반적인 계산, 혹은 오락물과 같은 여러 가지 집적 회로 응용용일 수 있다. 본 실시예에서, 금속층들(28, 30, 32)은 도전성 물질들, 예를 들면, 알루미늄, 구리, 혹은 금으로 형성된다. 다른 실시예들에서는 다소의 금속층들이 있을 수 있다. 본드 패드(10)는 최종 금속층(28)의 일부로서 형성된다. 금속층(28)이 형성된 후에, 패시베이션층(18)이 반도체 디바이스의 표면에 증착된다. 이를테면 반도체 디바이스(20)와 패키지의 핀 사이와 같이, 전기적 접촉이 되게, 본드 패드(10) 상에 보인 바와 같은 개구들이 패시베이션층(18) 내에 제공된다.
본드 패드(10)는 비교적 두꺼운 구리층으로 형성된다. 일 실시예에서, 구리는 0.3 내지 1.0 미크론의 두께일 수 있다. 테스트들에 따르면 본드 패드(10)는 와이어 본딩 툴의 충격을 견디기에 충분히 강하고 도 2에 도시된 바와 같이 상호접속층(24) 및 능동 영역(26)의 어떠한 하부의 회로들에 손상을 주지 않고 상호접속층(24) 위에 형성될 수 있음을 보였다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 디바이스(34)의 단면도이다. 반도체 디바이스(34)는 에지 또는 외주(25), 패시베이션층(18), 상호접속 영역(24), 능동 영역(26), 및 본드 패드(36)를 구비한다. 본드 패드(36)는 최종 금속층 패드(16) 및 알루미늄 패드층(35)을 포함한다. 알루미늄 패드층(35)은 와이어 본드 영역(38) 및 프로브 영역(37)을 포함한다. 알루미늄 패드층(35)은 약 0.5 내지 2.0 미크론 두께일 수 있다. 본드 패드(36)는 반도체 디바이스(34)의 외주((25)에 관하여 위치하고 장벽층(22)에 의해 최종 금속층 패드(16)로부터 분리되어 있다. 본드 패드(36)는 프로브 영역(37) 및 와이어 본드 영역(38)을 수용하게 배치되고 이를 위한 크기를 갖는다.
반도체 디바이스(34)는 도 2의 반도체 디바이스(20)에 대해 기술한 제조 기술들 및 물질들이 사용된다. 또한, 장벽층(22)은 최종 금속층 패드(16)와 본드 패드(36)간, 본드 패드(36)와 패시베이션층(18)간에 확산 장벽 및 접착층을 제공하기 위해서 패시베이션층(18) 상에 형성된다. 장벽층(22)이 증착된 후에, 알루미늄 패드층(35)이 장벽층(22) 상에 증착된다. 이어서, 장벽층(22) 및 알루미늄 패드층(35)을, 프로브 및 와이어 본드 영역들에 필요한 최종의 형상 및 크기를 형성하도록 패터닝한다. 본 실시예에서, 알루미늄 패드층(35)은 알루미늄으로 형성되나, 다른 실시예들에서, 알루미늄 패드층(35)은 다른 전기적 도전성의 물질들로 형성될 수도 있다. 또한, 상호접속 영역(24)의 금속층들(28, 30, 32), 및 최종 금속층 패드(16)는 구리로 형성된다. 다른 실시예들에서, 다른 도전성 물질들이 본드 패드(36), 최종 금속층 패드(16), 및 금속층들(28, 30, 32)에 사용될 수 있다. 예를 들면, 금속층들(28, 30, 32), 및 최종 금속층 패드(16)는 알루미늄, 혹은 금으로 제조될 수 있고, 최종 금속층 패드(16)는 금을 포함할 수 있다. 또한, 장벽층(22)은 본 실시예에서는 탄탈로 형성된다. 그러나, 다른 실시예들에서 장벽층(22)은 서로 유사하지 않고 인접하여 있는 물질들 간에 확산 장벽 및 접착층을 형성하기 위한 임의의 물질일 수 있다. 확산 및 장벽물질들의 예들은 질화탄탈, 티타늄, 질화티탄, 니켈, 텅스텐, 티탄 텅스텐 합금, 및 질화규소탄탈이다.
본드 패드(36)의 알루미늄층 패드(35) 및 최종 금속 패드(16)는 비교적 두꺼운 알루미늄 및 구리층들로 각각 형성된다. 그러므로, 본드 패드(36)는 와이어 본딩 툴의 충격을 견디기에 충분히 강하고 도 3에 도시된 바와 같이 상호접속층(24) 및 능동 영역(26)의 어떠한 하부 회로들에 손상을 주지 않고 상호접속층(24) 위에 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스(40)의 단면도이다. 반도체 디바이스(40)는 에지 또는 외주(25), 패시베이션층(18), 상호접속 영역(24), 능동 영역(26), 및 본드 패드(44)를 구비한다. 본드 패드(44)는 알루미늄 패드(45) 및 최종 금속 패드(42)를 포함한다. 최종 금속 패드(42)는 최종 금속층(28)의 일부로서 형성된다. 본드 패드(44)는 반도체 디바이스(40)의 외주(25)에 대하여 놓여지고, 수직 점선으로 도 4에 도시한 바와 같이 프로브 영역 및 와이어 본드 영역으로 분리되어 있다. 알루미늄 패드(45)는 장벽층(43)에 의해 최종 금속층 패드(42)로부터 분리되어 있다.
반도체 디바이스(40)는 도 2 및 도 3에 기술된 바와 같은 제조 기술들 및 물질들이 사용된다. 그러나, 도 4의 디바이스에서, 본드 패드(44)의 일부분은 패시베이션층(18) 및 하부의 능동 회로(26) 및/또는 상호접속 영역(24) 상에 연장되고, 나머지 부분은 패시베이션층(18) 내 개구에서 최종 금속층 패드(42)에 접속된다. 전술한 바와 같이, 본드 패드(44)는 와이어 본드 영역과 프로브 영역으로 분리된다. 프로브 영역은 패시베이션층(18)과 상호접속 영역(24)의 전기적 상호접속층들(28, 30, 32) 상에 연장되는 본드 패드(10)의 부분 상에 있다. 와이어 본드 영역은 최종 금속층 패드(42)에 접속되는 본드 패드(44)의 부분 상에 형성된다. 와이어 본드 영역은 하부의 회로들에 손상 혹은 변형을 가함이 없이 와이어 본딩 툴의 충격을 견디기에 충분히 강하고 상호접속 영역(24)의 금속층들 위에 형성될 수도 있다.
프로브 영역이 패시베이션층(18) 상에 연장됨으로써, 최종 금속층 패드(42)의 크기는 영향을 받지 않으며, 본드 패드(44)의 크기는 반도체 디바이스의 전체 크기를 증가시킴이 없이 증가될 수 있다. 또한, 최종 금속층 패드(42)는 프로브 테스트 혹은 와이어 본딩에 사용되지 않기 때문에, 최종 금속층 패드(42)의 크기 및 형상과, 패시베이션층(18) 내 개구의 크기 및 형상은 본드 패드(44)에 대한 전기적 접촉을 제공하는데 필요한 영역에 의해서만 제약된다. 다른 실시예들에서는 복수의 더 작은 최종 금속층 패드들, 및 이와 함께 본드 패드(44)에 대한 충분한 전기적 접속을 제공하는 대응하는 패시베이션 개구들이 있을 수 있다. 본드 패드(44)는 패시베이션층(18) 상에 연장되고 최종 금속층 패드(42)의 크기는 영향을 받지 않으므로, 프로브 및 와이어 본드 영역들을 배치함에 있어 보다 융통성이 있다. 예로서, 프로브 영역 및 와이어 본드 영역은 다른 실시예들에선 반드시 접촉하고 있지는 않다.
본드 패드(44)는 알루미늄으로 형성될 수 있고 최종 금속층 패드(42)는 구리로 형성될 수 있다. 보다 신뢰성 있는 와이어 본드들을 위해 프로브 영역을 와이어 본드 영역과 분리하는 것 외에, 패시베이션층(18) 위에서 프로빙함으로써 최종 금속층 패드(42)의 구리가 부주의하게 노출될 위험이 없어진다. 노출된 구리는 쉽게 산화되어 와이어 본딩에 바람직하지 못한 표면이 생기게 된다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 디바이스(60)의 평면도이다. 집적 회로(60)는 도 1에 도시된 본드 패드와 유사한 복수의 본드 패드들을 포함하고 도 2 혹은 도 3에 도시된 실시예들에 따라 구성될 수 있다. 집적 회로(60)는 집적 회로(60)의 에지(61)를 따라 형성된 복수의 본드 패드들(62 내지 65)을 포함한다. 복수의 본드 패드들 각각의 위에 있는 점선은 패시베이션층 내 형성된 개구(66)를 나타낸다. 본드 패드들 각각은 도 1에서 다룬 바와 같이 프로브 영역들 및 와이어 본드 영역들로 분리된다. 타원으로 경계를 이룬 각 본드 패드 상의 영역은 일반적으로 프로브 테스트용으로 지정된 영역이고, 원으로 경계를 이룬 각 본드 패드 상의 영역은 일반적으로 와이어 본딩을 위해 지정된 영역이다. 복수의 본드 패드들은 외주(61)에 대하여 배열된다. 와이어 본드 영역들은 각 본드 패드의 프로브 영역들보다 외주(61)에 더 가깝다. 인접한 본드 패드들의 와이어 본드 영역들은 에지(61)로부터 동일한 거리로 일렬로 유지된다. 마찬가지로, 인접한 본드 패드들의 프로브 영역들은 에지(61)로부터 동일한 거리로 일렬로 유지된다. 다른 실시예들에서, 프로브 영역들 및 와이어 본드 영역들은 서로 바뀔 수도 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스(70)의 평면도이다. 집적 회로(70)는 도 1에 도시한 본드 패드와 유사한 복수의 본드 패드들을 포함하고, 도 4에 도시한 실시예들에 따라 구성될 수 있다. 집적 회로(70)는 집적 회로(70)의 에지(71)를 따라 형성된 복수의 본드 패드들(72 내지 75)을 포함한다. 복수의 본드 패드들 각각의 위에 있는 점선은 패시베이션층 내 형성된 개구(76)를 나타낸다. 본드 패드들 각각은 도 1에 기술된 바와 같이 프로브 영역들 및 와이어 본드 영역들로 분리된다. 타원으로 경계를 이룬 각 본드 패드 상의 영역은 일반적으로 프로브 테스트용으로 지정된 영역이고, 원으로 경계를 이룬 각 본드 패드 상의 영역은 일반적으로 와이어 본딩을 위해 지정된 영역이다. 복수의 본드 패드들은 외주(71)에 대하여 배열된다. 와이어 본드 영역들은 각 본드 패드의 프로브 영역들보다 외주(71)에 더 가깝다. 인접한 본드 패드들의 와이어 본드 영역들은 에지(71)로부터 동일한 거리로 일렬로 유지된다. 마찬가지로, 인접한 본드 패드들의 프로브 영역들은 에지(71)로부터 동일한 거리로 일렬로 유지된다. 다른 실시예들에서, 프로브 영역들 및 와이어 본드 영역들은 서로 바뀔 수도 있다.
본드 패드들(72 내지 75)의 일부는 패시베이션층 상에 형성되고, 본드 패드들의 일부는 도 4에 도시한 바와 같이 최종 금속층 상에 형성된다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스(80)의 평면도이다. 집적 회로(80)는 도 1에 도시한 본드 패드와 유사한 복수의 본드 패드들을 포함하고, 도 2 혹은 도 3에 도시한 실시예들에 따라 구성될 수 있다. 집적 회로(80)는 집적 회로(80)의 에지(81)를 따라 형성된 복수의 본드 패드들(82 내지 85)을 포함한다. 복수의 본드 패드들 각각의 위에 있는 점선은 패시베이션층 내 형성된 개구(86)를 나타낸다. 본드 패드들 각각은 도 1에 기술된 바와 같이 프로브 영역들 및 와이어 본드 영역들로 분리된다. 타원으로 경계를 이룬 각 본드 패드 상의 영역은 일반적으로 프로브 테스트용으로 지정된 영역이고, 원으로 경계를 이룬 각 본드 패드 상의 영역은 일반적으로 와이어 본딩을 위해 지정된 영역이다. 복수의 본드 패드들은 일반적으로 동일 크기이고 외주(81)로부터 동일 거리로 배열된다.
프로브 영역들(타원으로 표시된)은 와이어 본드 영역들(원들)의 대향측들에 엇갈리면서 교번하여 형성된 반면, 와이어 본드 영역들은 집적 회로(80)의 에지(81)로부터 동일 간격에 일렬로 유지되어 있다. 또한, 각각의 본드 패드의 중심은 에지(81)로부터 등거리에 일렬로 유지되어 있다. 실질적으로 모든 본드 패드들(82 내지 85)은 도 3에 도시된 바와 같이, 최종 금속층 패드 상에 형성된다.
프로브 영역들을 엇갈리게 혹은 교번 배치함으로써, 프로브 영역들간 거리가 증가되어, 매우 미세한 피치의 디바이스들을 보다 강력 프로브 테스트할 수 있게 하고, 예를 들어, 캔틸레버 및 수직 프로브 기술들과 같은 각종의 프로브 기술들을 사용하는 융통성을 갖게 한다. 현재의 프로브 기술은 패드들간 거리를 일컫는 피치가, 명시된 최소 피치 미만인 패드 피치를 지원할 수 없다. 본드 패드들을 길게 하고 프로브 영역들을 엇갈려 배치함으로써, 현재의 프로브 기술은 보다 작은 피치의 패드들로 확장될 수 있다. 와이어 본드 영역들을 일렬로 유지함으로써 와이어 본딩 장비의 프로그래밍이 보다 간단해질 수 있다. 다른 실시예들에서, 프로브 영역들 및 와이어 본드 영역들은 서로 바뀔 수 있는 것에 유의한다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스(90)의 평면도이다. 집적 회로(90)는 도 1에 도시한 본드 패드와 유사한 복수의 본드 패드들을 포함하며 도 4에 도시한 실시예들에 따라 구성될 수 있다. 집적 회로(90)는 집적 회로(90)의 에지(91)를 따라 형성된 복수의 본드 패드들(92 내지 95)을 포함한다. 복수의 본드 패드들 각각의 위에 있는 점선은 패시베이션층 내 형성된 개구(96)를 나타낸다.
도 8의 본드 패드 배열은 패시베이션층 내 개구(96)가 더 작고 일반적으로 원으로 표시한 와이어 본드 영역들 각각만을 둘러싸고 있는 것을 제외하곤 도 7의 본드 패드 배열과 동일하다. 프로브 영역들은 타원으로 나타내었고 도 7에 대해 전술한 바와 같이 엇갈리게 배치되어 있다. 또한, 프로브 영역들은 반도체 디바이스(90)의 패시베이션층 위에서 확장하여 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스(100)의 평면도이다. 집적 회로(100)는 도 1에 도시한 본드 패드와 유사한 복수의 본드 패드들을 포함하며 도 2 또는 도 3에 도시한 실시예들에 따라 구성될 수 있다. 집적 회로(100)는 집적 회로(100)의 에지(101)를 따라 형성된 복수의 본드 패드들(102 내지 105)을 포함한다. 복수의 본드 패드들 각각의 위에 있는 점선은 패시베이션층 내 형성된 개구(106)를 나타낸다.
패시베이션층 내의 개구(106)는 본드 패드들(102 내지 105) 각각의 와이어 본드 영역(원) 및 프로브 영역(타원)을 둘러싸고 있다. 본드 패드들은 엇갈리게 배열되고, 본드 패드들(102, 104)은 본드 패드들(103, 105)보다 외주(101)로부터 더 멀리 배치되어 있다. 또한, 본드 패드들 각각의 프로브 영역들은 도 7 및 도 8에 대해 전술한 바와 같이 엇갈려 배치되어 있다. 또한, 각 패드의 와이어 본드 영역은 외주(101)로부터 등거리로 배열되어 있다.
도 9의 본드 패드들은, 프로브 테스트 혹은 와이어 본딩에 사용되지 않는 영역이 제거되어 있으므로 도 8의 본드 패드들보다 짧다. 본드 패드들의 제거된 부분들에 의해 제공된 공간은 집적 회로 상에 보다 많은 피쳐들 혹은 본드 패드들용으로 반도체 디바이스 상에 보다 많은 표면적을 제공할 수 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스(110)의 평면도이다. 집적 회로(110)는 도 1에 도시한 본드 패드와 유사한 복수의 본드 패드들을 포함하며 도 4에 도시한 실시예들에 따라 구성될 수 있다. 집적 회로(110)는 집적 회로(110)의 에지(111)를 따라 형성된 복수의 본드 패드들(112 내지 115)을 포함한다. 복수의 본드 패드들 각각의 위에 있는 점선은 패시베이션층 내 형성된 개구(116)를 나타낸다.
본드 패드들(112 내지 115)은 엇갈리게 배열되고, 본드 패드들(112, 114)은 본드 패드들(113, 115)보다 외주(111)로부터 더 멀리 배치되어 있다. 또한, 본드 패드들 각각의 프로브 영역들은 도 7, 도 8, 및 도 9에 대해 전술한 바와 같이 엇갈려 배치되어 있다. 또한, 각 패드의 와이어 본드 영역은 외주(111)로부터 등거리로 배열되어 있다.
패시베이션층 내의 개구(116)는 더 작고, 일반적으로 원으로 나타낸 와이어 본드 영역들 각각만을 둘러싸고 있다. 프로브 영역들은 반도체 디바이스(110)의 패시베이션층 위에서 확장하여 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스(120)의 평면도이다. 집적 회로(120)는 도 1에 도시한 본드 패드와 유사한 복수의 본드 패드들을 포함하며 도 2 혹은 도 3에 도시한 실시예들에 따라 구성될 수 있다. 집적 회로(120)는 집적 회로(120)의 에지(121)를 따라 형성된 복수의 본드 패드들(122 내지 125)을 포함한다. 복수의 본드 패드들 각각의 위에 있는 점선은 패시베이션층 내 형성된 개구(126)를 나타낸다. 본드 패드들 각각은 도 1에 다룬 바와 같이 프로브 영역들 및 와이어 본드 영역들로 분리된다. 타원으로 경계를 이룬 각 본드 패드의 영역은 일반적으로 프로브 테스트를 위해 지정된 영역이고 원으로 경계를 이룬 각 본드 패드의 영역은 일반적으로 와이어 본딩을 위해 지정된 영역이다. 복수의 본드 패드들은 외주(121)에 관하여 배열된다. 도 11의 실시예에서, 프로브 영역들 및 와이어 본드 영역들 모두 엇갈려 배치되어 있다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스(130)의 평면도이다. 집적 회로(130)는 도 1에 도시한 본드 패드와 유사한 복수의 본드 패드들을 포함하며 도 4에 도시한 실시예들에 따라 구성될 수 있다. 집적 회로(130)는 집적 회로(130)의 에지(131)를 따라 형성된 복수의 본드 패드들(132 내지 135)을 포함한다. 복수의 본드 패드들 각각의 위에 있는 점선은 패시베이션층 내 형성된 개구(136)를 나타낸다. 본드 패드들 각각은 도 1에 다룬 바와 같이 프로브 영역들 및 와이어 본드 영역들로 분리된다. 타원으로 경계를 이룬 각 본드 패드의 영역은 일반적으로 프로브 테스트를 위해 지정된 영역이고 원으로 경계를 이룬 각 본드 패드의 영역은 일반적으로 와이어 본딩을 위해 지정된 영역이다. 복수의 본드 패드들은 외주(131)에 관하여 배열된다. 도 12의 실시예에서, 프로브 영역들 및 와이어 본드 영역들 모두 엇갈려 배치되어 있다. 또한, 프로브 영역들은 패시베이션층 위에 형성된다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스(140)의 평면도이다. 집적 회로(140)는 도 1에 도시한 본드 패드와 유사한 복수의 본드 패드들을 포함하며 도 2 및 도 3에 도시한 실시예들에 따라 구성될 수 있다. 집적 회로(140)는 집적 회로(140)의 에지(141)를 따라 형성된 복수의 본드 패드들(142 내지 145)을 포함한다. 복수의 본드 패드들 각각의 위에 있는 점선은 패시베이션층 내 형성된 개구(146)를 나타낸다. 타원으로 경계를 이룬 각 본드 패드의 영역은 일반적으로 프로브 테스트를 위해 지정된 영역이고 원으로 경계를 이룬 각 본드 패드의 영역은 일반적으로 와이어 본딩을 위해 지정된 영역이다. 본드 패드들의 장축은 에지(141)에 평행하게 놓여있다. 인접하여 있는 본드 패드들의 와이어 본드 영역들 및 프로브 영역들은 에지(141)로부터 등거리에 일렬로 유지되어 있다. 본드 패드들의 장축이 에지(141)에 평행하게 놓여있기 때문에, 패드 제한되지 않은 집적 회로들에 대해 분리되어 있는 와이어 본드 영역들 및 프로브 영역들을 유지하면서 본드 패드들의 전체 높이는 감소된다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 디바이스(150)의 평면도이다. 집적 회로(150)는 도 1에 도시한 본드 패드와 유사한 복수의 본드 패드들을 포함하며 도 4에 도시한 실시예들에 따라 구성될 수 있다. 집적 회로(150)는 집적 회로(150)의 에지(151)를 따라 형성된 복수의 본드 패드들(152 내지 155)을 포함한다. 복수의 본드 패드들 각각의 위에 있는 점선은 패시베이션층 내 형성된 개구(156)를 나타낸다. 타원으로 경계를 이룬 각 본드 패드의 영역은 일반적으로 프로브 테스트를 위해 지정된 영역이고 원으로 경계를 이룬 각 본드 패드의 영역은 일반적으로 와이어 본딩을 위해 지정된 영역이다. 본드 패드들의 장축은 에지(151)에 평행하게 놓여있다. 인접하여 있는 본드 패드들의 와이어 본드 영역들 및 프로브 영역들은 에지(151)로부터 등거리에 일렬로 유지되어 있다. 본드 패드들의 장축이 에지(151)에 평행하게 놓여있기 때문에, 패드 제한되지 않은 집적 회로들에 대해 분리되어 있는 와이어 본드 영역들 및 프로브 영역들을 유지하면서 본드 패드들의 전체 높이는 감소된다. 도 14에서, 프로브 영역들은 패시베이션층 상에 형성된다.
전술의 명세서에서, 본 발명은 구체적인 실시예들을 참조하여 기술되었다. 그러나, 당업자는 청구항들에 정한 바와 같은 본 발명의 범위 내에서 여러 가지 수정들 및 변경들이 행해질 수 있음을 알 것이다. 따라서, 명세서 및 도면들은 한정의 의미가 아니라 예시로 간주되어야 하고, 모든 이러한 수정들은 본 발명의 범위 내에 포함된다.
이득, 이외 이점, 및 문제들에 대한 해결책들을, 구체적인 실시예들에 관하여 위에 기술하였다. 그러나, 이익, 이점, 문제들에 대한 해결책, 및 어떤 이익, 이점, 혹은 해결책이 일어나게 하는 혹은 더욱 명료해지게 하는 어떤 요소(들)이든, 어떤 혹은 전 청구항들의 결정적, 혹은 필수, 혹은 필연의 특징 혹은 요소로서 해석되어서는 안 된다. 여기서 사용되는, "포함하다"라는 용어는 나열한 요소들을 포함하는 공정, 방법, 물품, 혹은 장치가 단지 이들 요소들만을 포함하는 것이 아니라 이러한 공정, 방법, 물품, 혹은 장치에 본연의 혹은 명료히 나열하지 않은 타 요소들도 포함할 수 있게, 비-배타적 포함을 포괄하게 한 것이다.

Claims (10)

  1. 집적 회로에 있어서:
    능동 회로(active circuit) 및 외주(perimeter)를 갖는 기판;
    상기 기판 상의 복수의 상호접속층들;
    최종층 패드 및 복수의 상호접속 라인들을 갖는 상기 복수의 상호접속층들 상의 최종 상호접속층으로서, 상기 최종층 패드는 구리를 포함하는, 상기 최종 상호접속층;
    상기 최종층 패드 상에 개구를 갖는 상기 최종 상호접속층 상의 패시베이션층; 및
    알루미늄을 포함하고, 상기 최종층 패드 상에 형성되고 상기 최종층 패드와 전기적으로 접촉하며, 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 본드 패드로서, 상기 제1 영역은 상기 제2 영역과 상기 외주 사이에 있고, 상기 제1 및 제2 영역들은 실질적으로 중첩하지 않고 인접하여 있으며, 상기 제1 영역은 프로브 영역(probe region)과 와이어 본드 영역(wire bond region) 중 하나의 기능을 수행하고, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역에 의해 수행되지 않은 프로브 영역과 와이어 본드 영역 중 하나의 기능을 수행하고, 상기 본드 패드는 상기 능동 회로 상에 직접 및 상기 본드 패드에 관련되지 않는 상호접속 라인들의 상기 최종층의 상호접속 라인들 상에 배치되는, 상기 본드 패드를 포함하는, 집적 회로.
  2. 집적 회로에 있어서:
    능동 회로 및 외주를 갖는 기판;
    상기 기판 상의 제1 복수의 상호접속층들;
    상기 제1 복수의 상호접속층들 상의 구리를 포함하는 복수의 최종층 패드들;
    상기 최종층 패드들에 대응하는 복수의 개구들을 갖는 패시베이션층; 및
    알루미늄을 포함하고, 상기 개구들을 통해 상기 최종층 패드들에 결합되고, 상기 개구들 상에 제1 부분들과 상기 패시베이션층 상에 제2 부분들을 갖는 복수의 본드 패드들로서, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분보다 영역이 더 넓고, 상기 복수의 본드 패드들은 상기 능동 회로 상에 직접 및 상기 복수의 본드 패드들에 관련되지 않은 상호접속 라인들의 최종층의 상호접속 라인들 상에 직접 연장되고, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분보다 더 크고, 상기 제1 부분은 와이어 본딩을 위한 것이고, 상기 제2 부분은 프로빙을 위한 것인, 상기 복수의 본드 패드들을 포함하는, 집적 회로.
  3. 집적 회로에 있어서:
    능동 회로를 갖는 기판;
    상기 기판 상의 복수의 상호접속층들;
    상기 기판의 외주 주위에 복수의 최종층 패드들 및 복수의 상호접속 라인들을 갖는 상기 복수의 상호접속층들 상의 최종 상호접속층;
    복수의 개구들을 갖는 상기 최종 상호접속층 상의 패시베이션층으로서, 상기 복수의 개구들 각각은 상기 복수의 최종층 패드들 중 한 최종층 패드에 대응하고, 상기 복수의 개구들 각각은 대응하는 상기 최종층 패드 상에 있는, 상기 패시베이션층; 및
    복수의 본드 패드들로서, 상기 복수의 본드 패드들의 각 본드 패드는 상기 복수의 개구들 중 한 개구에 대응하고, 각 본드 패드는 대응하는 상기 개구 상에 있고, 각 본드 패드는 제1 영역 및 제2 영역을 갖고, 각 본드 패드의 상기 제1 영역은 각 본드 패드의 상기 제2 영역보다 상기 기판의 외주에 더 가깝고, 인접하는 본드 패드들의 상기 제1 영역들은 프로브 영역들과 와이어 본드 영역들 사이에 교호하고, 상기 복수의 본드 패드들의 각각의 상기 프로브 영역들은 상기 패시베이션층 상에 완전히 형성되는, 상기 복수의 본드 패드들을 포함하는, 집적 회로.
  4. 삭제
  5. 집적 회로 형성 방법에 있어서:
    능동 회로를 갖는 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 복수의 상호접속층들을 형성하는 단계;
    상기 기판의 외주 주위에 복수의 최종층 패드들 및 복수의 상호접속 라인들을 갖는 상기 복수의 상호접속층들 상에 최종 상호접속층을 형성하는 단계;
    복수의 개구들을 갖는 상기 최종 상호접속층 상에 패시베이션층을 형성하는 단계로서, 상기 복수의 개구들 각각은 상기 복수의 최종층 패드들 중 한 최종층 패드에 대응하고, 상기 복수의 개구들 각각은 대응하는 상기 최종층 패드 상에 있는, 상기 패시베이션층을 형성하는 단계; 및
    상기 개구들을 통해 상기 최종층 패드들에 결합되는 복수의 본드 패드들을 형성하는 단계로서, 상기 복수의 본드 패드들의 각 본드 패드는:
    상기 복수의 개구들 중 한 개구에 대응하고, 대응하는 상기 개구들 상의 제1 부분과 상기 패시베이션층 상의 제2 부분을 갖고, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분보다 영역이 더 넓으며, 실질적으로 중첩하지 않는 제1 영역 및 제2 영역을 갖고, 각 본드 패드의 상기 제1 영역은 각 본드 패드의 상기 제2 영역보다 상기 기판의 상기 외주에 더 가깝고, 인접하는 본드 패드들의 제1 영역들은 프로브 영역들과 와이어 본드 영역들 사이에 교호하는, 상기 복수의 본드 패드들을 형성하는 단계를 포함하는, 집적 회로 형성 방법.
  6. 집적 회로에 있어서:
    능동 회로 및 외주를 갖는 기판;
    상기 기판 상에 형성되고, 최종 상호접속층을 갖는 복수의 상호접속층들;
    상기 최종 상호접속층 상에 형성된 복수의 본드 패드들로서, 상기 복수의 본드 패드들 각각은 제1 영역과 제2 영역을 갖고, 상기 제1 영역은 프로브 영역으로서만 이용되고, 상기 제2 영역은 와이어 본드 영역으로서만 이용되고, 상기 복수의 상호접속층들 및 능동 회로는 상기 복수의 본드 패드들 아래에 있는, 상기 복수의 본드 패드들; 및
    상기 최종 상호접속층 상에 형성되고, 복수의 개구들을 갖는 패시베이션층으로서, 상기 복수의 개구들 각각은 상기 복수의 본드 패드들 중 하나에 대응하는, 상기 패시베이션층을 포함하는, 집적 회로.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
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