JP4780926B2 - 半導体素子及びその特性検査方法 - Google Patents
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Description
、前記プローブ針が摺動する方向に垂直な方向において、前記検査用補助電極パッドの長さが前記電極パッドの長さよりも短くなっており、前記パッシベーション層に前記電極パッド及び前記検査用補助電極パッドを露出させる開口部が設けられていることを特徴とするものである。
半導体チップ1は、単結晶シリコン等から成る略矩形状の半導体基板である。半導体基板には、必要に応じてP型領域、N型領域、絶縁領域等が形成され、トランジスタ等の機能素子等が複数集積されている。そして、その上面に回路配線2、電極パッド3、パッシベーション層4等が被着されている。
また半導体チップ1上に形成される回路配線2は、アルミニウムや銅等の金属材料により0.5μm〜1.5μmの厚みに被着されており、図示しない機能素子間を接続したり、電源電力や電気信号等を供給するための配線として機能する。
前述の回路配線2に電気的に接続されている電極パッド3及び検査用補助電極パッド3aは、アルミニウムや銅等の金属材料により0.5μm〜1.5μmの厚みに被着されており、その上面が露出している。
尚、本発明では、電極パッド及び検査用補助電極パッドを以下のように定義する。
更に上述した電極パッド3及び検査用補助電極パッド3aは、回路配線2と同時に形成され、半導体素子上に複数配列させる場合には、電極パッド3及び検査用補助電極パッド3aのプローブ針nの摺動方向が互いに平行となるようにすれば、一括してプローブすることができ、また電極パッド3及び検査用補助電極パッド3aを高密度に配置することができる。
パッシベーション層4は、上述の電極パッド3及び検査用補助電極パッド3aを露出するように半導体チップ1上に形成されている。具体的な材料は、窒化珪素(Si3N4)や酸化珪素(SiO2)、ポリイミド等の電気絶縁材料が例示できる。
本発明の半導体素子の特性検査に用いられる検査装置は、ステージの直上部に、検査対象の電極パッド3に対応した多数のプローブ針nを備えたプローブカードが取着されている。
次に上述した半導体チップ1を検査する方法について図3を用いて説明する。同図は図1の半導体チップ1の製造方法を説明するための断面図である。
2・・・回路配線
3・・・電極パッド
3a・・・検査用補助電極パッド
4・・・パッシベーション層
n・・・検査装置のプローブ針
x・・プローブ針により電極パッド表面に形成された摺動痕
Claims (3)
- 上面に電極パッド及び検査用補助電極パッドを形成してなる半導体チップの上面に、パッシベーション層を形成してなる半導体素子において、
前記検査用補助電極パッドは、前記電極パッドに接触して前記半導体素子の特性検査をするためのプローブ針が摺動する方向に前記電極パッドから延出するように形成されているとともに、
前記プローブ針が摺動する方向に垂直な方向において、前記検査用補助電極パッドの長さが前記電極パッドの長さよりも短くなっており、
前記パッシベーション層に前記電極パッド及び前記検査用補助電極パッドを露出させる開口部が設けられていることを特徴とする半導体素子。 - 請求項1に記載の半導体素子の特性を、前記電極パッドにプローブ針を接触させて検査するための半導体素子の特性検査方法であって、
前記電極パッドに、前記プローブ針を接触させるとともに、該プローブ針を前記電極パッドから前記検査用補助電極パッドの延出方向と同一方向に沿って摺動させながら半導体素子の特性を検査することを特徴とする半導体素子の特性検査方法。 - 前記プローブ針を前記電極パッドに接触させるにあたり、前記プローブ針に、前記電極パッドの表層に形成される酸化層を突き抜ける程度の押圧力を付与することを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の特性検査方法。
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