JPH0220034A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0220034A
JPH0220034A JP63170341A JP17034188A JPH0220034A JP H0220034 A JPH0220034 A JP H0220034A JP 63170341 A JP63170341 A JP 63170341A JP 17034188 A JP17034188 A JP 17034188A JP H0220034 A JPH0220034 A JP H0220034A
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JP
Japan
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bonding
side direction
long side
semiconductor device
pads
Prior art date
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Application number
JP63170341A
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English (en)
Inventor
Shinichi Oki
伸一 沖
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] この発明は、半導体基板上に半導体集積回路の入出力端
子用のボンディングパッドを有する半導体装置に関する
ものである。
〔従来の技術] 従来の半導体装置の入出力端子用のボンディングパッド
は、−辺が100ミクロン程度の正方形の形状に形成さ
れている。半導体装置は、ボンディングパッドを通じて
電気的信号の入出力を行っている。
従来の半導体装置を第4図ないし第6図に基づいて説明
する。
この半導体装置は、第4図に示すように、半導体基板1
1の表面上に半導体集積回路(図示せず)の入出力端子
用の複数のボンディングパッド12が形成されている。
ボンディングパッド12の形状は、前述したように一辺
が100ミクロン程度の正方形としている。また、ボン
ディングパッド12は、半導体基板11の表面上に、ア
ルミニウム等の配線材料を蒸着することにより形成され
ている。13は半導体基板11のポンディングバンドI
2を除いた表面全域に形成された表面保護膜を示してい
る。
この半導体装置は、半導体装置が製品企画通りに正常動
作を行うかの電気的な機能検査が行われる。このとき、
第5図に示すように、外部測定器(図示せず)に接続さ
れたプローブ針14をボンディングパッド12に接触さ
せて機能検査を行う。
この機能検査の後、第6図に示すように、ボンディング
パッド12にボンディングワイヤ15を圧着する。そし
て、ボンディングワイヤ15を介しボンディングパッド
12とリードフレーム(図示せず)上のリード(図示せ
ず)とを接続して半導体装置を実装している。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体装置は、ボンディングパッド12にプロー
ブ針14を接触させて電気的な機能試験を行った場合に
、ボンディング配線材料であるアルミニウムがプローブ
針14により削られる。ボンディングパッド12は、前
述したように、−辺が100ミクロン程度の小さな正方
形の形状をしているため、このようなプローブ針14の
接触が数回繰り返されると、ボンデイングパット12部
分のアルミニウムがほとんどなくなり、ついにはプロー
ブ針14を接触させても電気的な導通が得られなくなる
という問題があった。
また、ボンディングパッド12のボンディング配線材料
が削れて少なくなると、ボンディングワイヤ15を圧着
できなかったり、圧着強度が弱くなり半導体装置の実装
時の信頼性が低下するという問題があった。
したがって、この発明の目的は、電気的な機能検査時の
導通不良を防止し、ボンディングワイヤの圧着強度を高
くして、半導体装置の実装時の信顛性を向上させること
のできる半導体装置を提供することである。
(課題を解決するための手段〕 この発明の半導体装置は、半導体基板表面上に形成され
る入出力端子用の複数のボンディングバンドの寸法を、
その短辺方向の寸法より長辺方向の寸法が十分大きい形
状とするとともに、前記複数のボンディングパッドの長
辺方向を同一方向に揃えて形成したことを特徴としてい
る。
〔作 用〕
この発明の構成によれば、ボンディングパッドの長辺方
向の寸法を短辺方向の寸法より十分大きな寸法とし、複
数のボンディングパッドの長辺方向を同一方向に揃えて
形成したので、半導体装置の電気的な機能検査を行った
場合に、プローブ針の接触によりボンディングパッドの
ボンディング配線材料が削れて電気的な導通が得られな
くなったとき、ボンディング配線材料の削られていない
ボンディングパッドの位置へプローブ針をボンディング
パッドの長辺方向に移動させることにより電気的な導通
を得ることができる。また、ボンディングワイヤを圧着
するときには、プローブ針が接触したボンディングパッ
ドの位置を避けて、ボンディングパッドの長辺方向の位
置で圧着することができる。
[実施例] この発明の半導体装置の実施例を第1図ないし第3図に
基づいて説明する。
この半導体装置は、第1図に示すように、半導体基板l
の表面上に形成される半導体集積回路(図示せず)の入
出力端子用の複数のボンディングパッド2の形状を、そ
の短辺方向の寸法11より長辺方向の寸法11zが十分
大きい形状とするとともに、複数のボンディングパッド
2の長辺方向を同一に揃えて形成している。
ボンディングパット2は、アルミニウム等の配線材料を
半導体基板lの表面上に蒸着することにより形成されて
いる。3は半導体基板1のボンディングパッド2を除い
た表面全域に形成された表面保護膜を示している。
また、ボンディングパンF2にプローブ針4が接触する
回数と、ボンディングパッド2にプローブ針4を接触さ
せたときに電気的な安定性を確保するためにプローブ針
4に圧力を加えるオーバードライブ量によりボンディン
グ配線材料であるアルミニウムが削られる量によって、
ボンディングパッド2の長辺方向の寸法12を決定して
いる。
この半導体装置は、従来例と同様に、半導体装置が製品
企画通りに正常動作を行うかの電気的な機能検査が行わ
れる。このとき、第2図に示すように、外部測定器(図
示せず)に接続されたプローブ針4をボンディングパッ
ド2に接触させて機能検査を行う。このボンディングバ
ンド2とプローブ針4との接触を数回行うことにより、
従来例と同様にボンディング配線材料が削られて電気的
な導通が得られなくなる。
しかし、この半導体装置のボンディングパッド2は、長
辺方向の寸法12を°短辺方向の寸法!より十分に大き
くしているので、ポンディング配線材料がプローブ針4
により削られ電気的な導通が得られなくなったときに、
第2図に示すように、プローブ針4をBの位置からボン
ディングバンド2の長辺方向のへの位置に移動させ、ボ
ンディング配線材料が削られていない位置でプローブ針
4を接触させることができる。これにより、再びボンデ
ィングパッド2とプローブ針4との電気的な導通を得る
ことができ、機能検査を行うことができる。
機能検査の後、第5図に示すように、ボンディングバン
ド2にボンディングワイヤ5を圧着する。
そして、ディングワイヤ5を介しボンディングパッド2
とリードフレーム(図示せず)上のリード(図示せず)
とを接続して半導体装置の実装を行う。
ここで、ボンディングパッド2とプローブ針4とを第2
図に示すBの位置で接触させて機能検査を行ったときは
、ボンディングバンド2の8の位置を避けて、第3図に
示すボンディングパッド2のへの位置でボンディングワ
イヤ5の圧着を行う。
また、ボンディングバンド2のAの位置の位置で接触さ
せて機能検査を行ったときには、ボンディングパッド2
のAの位置を避けて、第3図に示すBの位置でボンディ
ングワイヤ5の圧着を行う。
このように、ボンディングワイヤ5をボンディングパッ
ド2に圧着するときには、プローブ針4が接触したボン
ディングパッド2の位置を避けて、ボンディングバンド
2の長辺方向の位置で圧着することができる。したがっ
て、ボンディングパッド2とボンディングワイヤ5との
圧着強度を高めることができ、半導体装置の実装時の信
頼性を向上することができる。
また、ボンディングパッド2の長辺方向を同一方向に揃
えて形成したので、ボンディングパッド2とプローブ針
4との接触やボンディングパッド2とボンディングワイ
ヤ5との圧着を機械や治具を用いて自動的に行うときに
、接触の位置および圧着の位置をボンディングバンド2
の長辺方向への平行移動骨の位置補正をするだけでよく
、効率よく行うことができる。
このように、この半導体装置は、ボンディングバンド2
の長辺方向の寸法12を短辺方向の寸法!、より十分大
きな寸法とし、複数のボンディングパッド2の長辺方向
を同一方向に揃えて形成したので、電気的な機能検査時
の導通不良が防止でき、ボンディングワイヤ5の圧着強
度を高めることができ、半導体装置の実装時の(i t
ri性を向上させることのできる半導体装置を提供する
ことができる。
[発明の効果] この発明の半導体装置は、ボンディングパッドの長辺方
向の寸法を短辺方向の寸法より十分大きな寸法とし、複
数のボンディングパッドの長辺方向を同一方向に揃えて
形成したので、電気的な機能検査時の導通不良を防止す
ることができ、また、ボンディングワイヤの圧着強度を
高めることができ、半導体装置の実装時の信頼性を向上
させることのできる半導体装置を提供することができる
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の実施例の構成を示す平面図、第2図
は第1図のボンディングバンドにプローブ針を接触させ
た場合の部分断面図、第3図は第1図のボンディングバ
ンドにボンディングワイヤを圧着した場合の部分断面図
、第4図は従来の半導体装置の構成を示す平面図、第5
図は第4図のボンディングパッドにプローブ針を接触さ
せた場合の部分断面図、第6図は第4図のボンディング
バンドにボンディングワイヤを圧着した場合の部分断面
図である。 1・・・半導体基板、2・・・ボンディングパッド、3
・・・表面保護膜、410−ブ針、5・・・ボンディン
グワイヤ 第 図 ム 第 図 第 図 第4 図 第 図 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板表面上に形成される入出力端子用の複数のボ
    ンディングパッドの形状を、その短辺方向の寸法より長
    辺方向の寸法が十分大きい形状とするとともに、前記複
    数のボンディングパッドの長辺方向を同一方向に揃えて
    形成したことを特徴とする半導体装置。
JP63170341A 1988-07-07 1988-07-07 半導体装置 Pending JPH0220034A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63170341A JPH0220034A (ja) 1988-07-07 1988-07-07 半導体装置

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JP63170341A JPH0220034A (ja) 1988-07-07 1988-07-07 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPH0220034A true JPH0220034A (ja) 1990-01-23

Family

ID=15903133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63170341A Pending JPH0220034A (ja) 1988-07-07 1988-07-07 半導体装置

Country Status (1)

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JP (1) JPH0220034A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005317593A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Kyocera Corp 半導体素子及びその特性検査方法
JP2010272622A (ja) * 2009-05-20 2010-12-02 Renesas Electronics Corp 半導体装置
JP2013058804A (ja) * 2012-12-12 2013-03-28 Renesas Electronics Corp 半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005317593A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Kyocera Corp 半導体素子及びその特性検査方法
JP2010272622A (ja) * 2009-05-20 2010-12-02 Renesas Electronics Corp 半導体装置
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