CN111670489B - 楔形工具、键合装置以及键合检查方法 - Google Patents

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Abstract

目的在于能够非破坏性地进行接合部的可靠性的检查，并且能够进行精度高的检查。楔形工具具有：槽(3)，其在楔形工具的前端沿着超声波振动的方向而形成，并且在楔形键合时在该槽配置键合导线(9)；第1平面(2)及第2平面(2)，它们配置于槽的两侧；以及至少1个凸部(4)，其在第1平面及第2平面中的至少一者与槽分离地形成，由于通过楔形键合而接合的键合导线与被接合体之间的接合部处的键合导线的变形，从而键合导线与凸部接触。

Description

楔形工具、键合装置以及键合检查方法
技术领域
本说明书所公开的技术涉及导线键合技术。
背景技术
导线键合有2种，即，使用毛细管工具而进行热超声键合的球形键合和使用楔形工具而进行超声波键合的楔形键合。
其中，进行楔形键合的导线键合装置具有楔形工具主体部、导线切刀、导线夹具、导线引导部。楔形工具主体部经由超声波焊头而被安装于导线键合装置。
上述导线键合装置例如针对半导体装置，通过形成由铝或铜等构成的键合导线，从而形成电连接(例如，参照专利文献1)。
具体地说，重复如下工序，即，利用楔形工具主体部将通过导线引导部而向楔形工具的下方供给的键合导线按压至被接合体之上，与此同时施加超声波振动，由此将键合导线接合至被接合体。
专利文献1：日本特开平8-111445号公报
发明内容
通常，在楔形键合中，作为评价被接合体与键合导线之间的接合可靠度的方法，使用剥离试验及剪切试验。
但是，由于这些方法是破坏性检查，因此能够进行抽样检查，但无法进行全数检查。因此，作为非破坏性地检查接合部的可靠性的方法，使用如下方法，即，使用测定显微镜、影像解析或激光位移计等设备对与工具的振动方向正交的方向上的键合导线的变形量进行测定，判定接合部的可靠性(例如，参照专利文献1)。
近年来，半导体装置的小型化及高密度化不断发展。在希望测定键合导线的变形量的情况下，由于之后接合的导线配线、树脂制壳体或外部输入输出用电极等而妨碍拍摄等理由，所以在使用测定显微镜、影像解析或激光位移计等设备的测定中，有时无法检查所有的接合部位。
另外，也存在通过表示产品的品质标准的极限的极限样本与检查对象之间的比较而进行感官式的目视检查的方法，但该方法存在依赖于检查员的感觉或检查员的熟练度的部分，难以高精度地进行检查。
本说明书所公开的技术就是为了解决以上所记载的问题而提出的，其目的在于提供能够非破坏性地进行接合部的可靠性的检查，并且能够进行精度高的检查的技术。
本说明书所公开的技术的第1方式是楔形工具，其通过超声波振动而进行楔形键合，该楔形工具具有：槽，其在所述楔形工具的前端沿着所述超声波振动的方向而形成，并且在楔形键合时在该槽配置键合导线；第1平面及第2平面，它们在所述楔形工具的前端配置于所述槽的两侧；以及至少1个凸部，其在所述第1平面及所述第2平面中的至少一者与所述槽分离地形成，由于通过楔形键合而接合的所述键合导线与被接合体之间的接合部处的所述键合导线的变形，从而所述键合导线与所述凸部接触。
本说明书所公开的技术的第2方式是使用上述楔形工具而进行半导体装置的楔形键合。
本说明书所公开的技术的第3方式是，使用楔形工具而进行半导体装置的楔形键合，对在通过楔形键合而形成的所述键合导线与所述被接合体之间的所述接合部处由所述凸部转印出的转印痕迹进行检测，其中，所述楔形工具具有：槽，其在所述楔形工具的前端沿着超声波振动的方向而形成，并且在楔形键合时在该槽配置键合导线；第1平面及第2平面，它们在所述楔形工具的前端配置于所述槽的两侧；以及至少1个凸部，其在所述第1平面及所述第2平面中的至少一者与所述槽分离地形成，由于通过楔形键合而接合的所述键合导线与被接合体之间的接合部处的所述键合导线的变形，从而所述键合导线与所述凸部接触。
发明的效果
本说明书所公开的技术的第1方式是楔形工具，其通过超声波振动而进行楔形键合，该楔形工具具有：槽，其在所述楔形工具的前端沿着所述超声波振动的方向而形成，并且在楔形键合时在该槽配置键合导线；第1平面及第2平面，它们在所述楔形工具的前端配置于所述槽的两侧；以及至少1个凸部，其在所述第1平面及所述第2平面中的至少一者与所述槽分离地形成，由于通过楔形键合而接合的所述键合导线与被接合体之间的接合部处的所述键合导线的变形，从而所述键合导线与所述凸部接触。根据这样的结构，如果由于接合部处的键合导线的变形而使键合导线与凸部接触，则在接合部形成转印痕迹。在形成有转印痕迹的情况下，由于接合部的宽度足够大，因此，在至凸部为止的距离例如为下限值的情况下，可知确保了用于保证半导体装置的可靠性的接合部的宽度。因此，通过将与接合部的整体形状相比足够小的转印痕迹用于接合部的良好与否判定，从而能够非破坏性地进行接合部的可靠性检查，并且能够进行精度高的检查。
本说明书所公开的技术的第2方式是使用上述楔形工具而进行半导体装置的楔形键合。根据这样的结构，如果由于接合部处的键合导线的变形而使键合导线与凸部接触，则在接合部形成转印痕迹。在形成有转印痕迹的情况下，由于接合部的宽度足够大，因此，在至凸部为止的距离例如为下限值的情况下，可知确保了用于保证半导体装置的可靠性的接合部的宽度。因此，通过将与接合部的整体形状相比足够小的转印痕迹用于接合部的良好与否判定，从而能够非破坏性地进行接合部的可靠性检查，并且能够进行精度高的检查。
本说明书所公开的技术的第3方式是，使用上述楔形工具而进行半导体装置的楔形键合，对在通过楔形键合而形成的所述键合导线与所述被接合体之间的所述接合部处由所述凸部转印出的转印痕迹进行检测。根据这样的结构，如果由于接合部处的键合导线的变形而使键合导线与凸部接触，则在接合部形成转印痕迹，因此通过检测转印痕迹，从而能够判定是否确保了用于保证半导体装置的可靠性的接合部的宽度。另外，由于转印痕迹与接合部的整体形状相比足够小，因此能够较高地维持用于拍摄转印痕迹的拍摄角度的自由度。因此，能够较高地维持接合部的良好与否判定的精度。
本说明书所公开技术涉及的目的、特征、方案以及优点通过以下所示的详细说明和附图变得更清楚。
附图说明
图1是概略地表示实施方式涉及的楔形工具的前端部的结构的例子的主视图。
图2是概略地表示实施方式涉及的楔形工具的前端部的结构的例子的侧视图。
图3是概略地表示实施方式涉及的楔形工具的前端部的结构的例子的仰视图。
图4是表示使用实施方式涉及的楔形工具进行超声波接合，被转印了凸部的形状后的接合部的例子的俯视图。
图5是概略地表示实施方式涉及的楔形工具的前端部的结构的例子的仰视图。
图6是概略地表示实施方式涉及的楔形工具的前端部的结构的例子的仰视图。
图7是用于说明通过导线键合装置而向半导体装置进行导线键合的动作的图。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边对实施方式进行说明。
此外，附图是概略地示出的，为了便于说明，适当地省略结构或简化结构。另外，在不同的附图分别示出的结构等的大小及位置的相互关系并不一定是准确地记载的，可以适当变更。
另外，在以下所示的说明中，对相同的结构要素标注相同的标号而进行图示，它们的名称和功能也是相同的。因此，为了避免重复，有时会省略关于它们的详细说明。
另外，在以下所记载的说明中，即使有时会使用“上”、“下”、“左”、“右”、“侧”、“底”、“表”或者“背”等表示特定的位置和方向的术语，这些术语也只是为了使实施方式的内容易于理解，出于方便起见所使用的，与实际实施时的方向没有关系。
另外，在以下所记载的说明中，即使有时使用“第1”或“第2”等序数，这些术语也只是为了使实施方式的内容易于理解，出于方便起见所使用的，不限定于能够由这些序数所产生的顺序等。
<第1实施方式>
以下，对本实施方式涉及的楔形工具、键合装置以及键合检查方法进行说明。为了便于说明，首先，对由导线键合装置实现的导线键合动作进行说明。
图7是用于说明通过导线键合装置而向半导体装置进行导线键合的动作的图。
图7所例示的导线键合装置是进行楔形键合的导线键合装置。如图7所例示的那样，导线键合装置具有楔形工具101、导线切刀102、导线夹具103、导线引导部104。楔形工具101经由超声波焊头而被安装于导线键合装置。
在图7中，还示出了被导线键合的半导体装置的结构的例子。如图7所例示的那样，半导体装置具有：散热用基座107；绝缘基板106，其配置于散热用基座107的上表面；半导体芯片108，其配置于绝缘基板106的上表面；树脂制壳体109，其在俯视观察时包围绝缘基板106、并与散热用基座107连接；以及外部输入输出用电极110，其安装于树脂制壳体109。
其中，绝缘基板106具有：绝缘板106D；导电图案106A，其形成于绝缘板106D的上表面；导电图案106B，其形成于绝缘板106D的上表面；以及导电图案106C，其形成于绝缘板106D的下表面。此外，导电图案106A与导电图案106B彼此分离地配置。半导体芯片108经由焊料等而配置于导电图案106A的上表面。另外，散热用基座107经由焊料等而配置于导电图案106C的下表面。
对于这样的结构的半导体装置，通过形成横跨外部输入输出用电极110、半导体芯片108、导电图案106B的由铝或铜等构成的键合导线9，从而将它们电连接。
具体地说，重复以下工序，即，利用楔形工具101将通过导线引导部104而向楔形工具的下方供给的键合导线9按压至被接合体之上，与此同时施加超声波振动，由此将键合导线9接合至被接合体。由此，能够形成电连接的导线配线105。
<关于楔形工具的结构>
图1是概略地表示本实施方式涉及的楔形工具的前端部的结构的例子的主视图。另外，图2是概略地表示本实施方式涉及的楔形工具的前端部的结构的例子的侧视图。在图2中，楔形工具的振动方向由箭头示出。另外，图3是概略地表示本实施方式涉及的楔形工具的前端部的结构的例子的仰视图。
如图1所例示的那样，在楔形工具1的前端部设置：槽3；2个平面2，它们从与形成槽3的方向正交的方向夹着槽3；以及至少一个平面2处的大于或等于1个凸部4。
槽3的底面及侧面由曲面5形成，该曲面5形成为，在从形成槽3的方向进行观察的截面(即，图1)中槽3的底面及侧面彼此平滑地连接，并且在从与形成槽3的方向正交的方向进行观察的截面(即，图2)中该曲面5也呈曲面形状。槽3的底面及侧面在从与形成槽3的方向正交的方向进行观察的截面(即，图2)中与楔形工具1的侧面8平滑地相连。另外，槽3的底面与被接合体和键合导线之间的接合面平行。
如图1所例示的那样，2个平面2与被接合体和键合导线之间的接合面平行。2个平面2各自与楔形工具1的侧面8相连。
如图2所例示的那样，凸部4位于楔形工具1的形成槽3的方向(即，楔形工具1的振动方向)上的中央部。此外，楔形工具1的形成槽3的方向上的楔形工具1的宽度由宽度L1示出。
另外，如图3所例示的那样，凸部4是在与形成槽3的方向正交的方向上，从平面2的与侧面8相连的端部向平面2的槽3所在的方向延伸而形成的。
凸部4的靠近槽3的端部是由直线或曲线构成的边界12。边界12设置于与楔形工具1的沿着槽3的中心线7分离大于或等于键合导线的半径R的1.1倍的距离W2的位置。
凸部4的在形成槽3的方向上的宽度L2大于或等于键合导线的半径R的1/20。凸部4从边界12朝向与侧面8连接的端部，一边维持相同的宽度一边形成，或者一边扩大宽度一边形成。
另外，如图1所例示的那样，边界12处的凸部4的高度H被设定在大于或等于键合导线的半径R的1/40且小于或等于其1/2的范围。
图4是表示使用本实施方式涉及的楔形工具1而进行超声波接合，被转印了凸部4的形状后的接合部的例子的俯视图。在图4中，键合导线9与被接合体接合，形成有接合部。此外，位于键合导线9两侧的线瘤(fillet)10是键合导线9变形而形成的。在图4中，在线瘤10处通过在接合时被凸部4按压而形成有转印痕迹11。
本实施方式的楔形工具1的从中心线7至凸部4的边界12为止的距离W2例如被设定为用于保证半导体装置的可靠性所需要的接合部的下限宽度。另外，楔形工具1的中心线7配置成与键合导线9的中心线对齐。
此时，使用楔形工具1进行超声波接合而形成了转印痕迹11的接合部的从中心线7至键合导线9的端部为止的宽度，即，接合部的宽度的一半即压溃宽度W3比距离W2大，因此检测出转印痕迹11，从而能够知道用于保证半导体装置的可靠性的接合部的压溃宽度比下限宽度大。
另一方面，当未在接合部形成转印痕迹11的情况下，可知接合部的压溃宽度比下限值小，无法保证接合部的可靠性乃至半导体装置的可靠性。
另外，本实施方式的楔形工具1的从中心线7至凸部4的边界12为止的距离W2例如被设定为用于保证半导体装置的可靠性所需要的接合部的上限宽度。另外，楔形工具1的中心线7配置成与键合导线9的中心线对齐。
此时，使用楔形工具1进行超声波接合而形成了转印痕迹11的接合部的压溃宽度W3比距离W2大，因此检测出转印痕迹11，从而能够知道接合部的压溃宽度比上限宽度大。
另一方面，当未在接合部形成转印痕迹11的情况下，可知接合部的压溃宽度比上限值小。
这样，使用本实施方式涉及的楔形工具1而制造的半导体装置能够将转印痕迹11用作接合部的良好与否判定标记。
因此，能够通过转印痕迹11的有无而判定接合部的压溃宽度是否为足以保证半导体装置的可靠性的宽度，与以往的通过与极限样本的比较而进行感官式的目视检查的情况相比，能够以高精度进行判定。
另外，转印痕迹11与接合部的整体形状相比足够小。因此，即使由于导线配线105、树脂制壳体109或外部输入输出用电极110等而妨碍接合部的整体形状的拍摄的情况下，也能够较高地维持用于拍摄转印痕迹11的拍摄角度的自由度。因此，能够较高地维持接合部的良好与否判定的精度。
<第2实施方式>
对本实施方式涉及的楔形工具、键合装置以及键合检查方法进行说明。在以下的说明中，对于与在以上所记载的实施方式中说明过的结构要素相同的结构要素，标注相同的标号而图示，适当省略其详细说明。
<关于楔形工具的结构>
图5是概略地表示本实施方式涉及的楔形工具的前端部的结构的例子的仰视图。在图5所例示的结构中，在右侧的平面2形成有凸部4A，在左侧的平面2形成有凸部4B。
凸部4A及凸部4B设置于相对于楔形工具1的中心线7而线对称的位置。凸部4A的靠近槽3的端部即边界12A设置于与楔形工具1的中心线7以距离W2分离的位置。同样地，凸部4B的靠近槽3的端部即边界12B设置于与楔形工具1的中心线7以距离W2分离的位置。
根据这样的结构，与仅在一个平面2设置有凸部的情况相比，能够提高用于对凸部4A或凸部4B进行拍摄的拍摄角度的自由度。因此，能够较高地维持接合部的良好与否判定的精度。
＜第3实施方式＞
对本实施方式涉及的楔形工具、键合装置以及键合检查方法进行说明。在以下的说明中，对于与在以上所记载的实施方式中说明过的结构要素相同的结构要素，标注相同的标号而图示，适当省略其详细说明。
<关于楔形工具的结构>
图6是概略地表示本实施方式涉及的楔形工具的前端部的结构的例子的仰视图。在图6所例示的结构中，在右侧的平面2形成有凸部4C，在左侧的平面2形成有凸部4D。
凸部4C及凸部4D设置于相对于楔形工具1的中心线7而不对称的位置。凸部4C的靠近槽3的端部即边界12C设置于与楔形工具1的中心线7以距离W2分离的位置。另一方面，凸部4D的靠近槽3的端部即边界12D设置于与楔形工具1的中心线7以距离W4分离的位置。
通常，键合导线的与楔形工具1的振动方向正交的方向上的变形宽度相对于楔形工具1的中心线7而大致线对称地扩展。
因此，关于相对于中心线7而不对称地设置的凸部4C及凸部4D，可知，在将边界12C与中心线7之间的距离设为W2，将边界12D与中心线7之间的距离设为W4，并且距离W2比距离W4小的情况下，在1个转印痕迹11也未形成的情况下，从中心线7算起的键合导线9的压溃宽度小于或等于距离W2，在形成1个转印痕迹11的情况下，从中心线7算起的键合导线9的压溃宽度大于或等于距离W2且小于或等于距离W4，在形成2个转印痕迹的情况下，从中心线7算起的键合导线9的压溃宽度大于或等于距离W4，即，键合导线9的接合部的全宽大于或等于距离W4的2倍。
因此，例如，将距离W2设定为用于保证半导体装置的可靠性所需要的接合部的下限宽度，将距离W4设定为用于保证半导体装置的可靠性所需要的接合部的上限宽度，由此能够知道接合部的压溃宽度落入了标准范围。因此，能够更详细地进行接合部的良好与否判定。
<关于由以上所记载的实施方式产生的效果>
接下来，示出由以上所记载的实施方式产生的效果的例子。此外，在以下的说明中，该效果是基于以上所记载的实施方式所例示的具体结构而记载的，但也可以在产生相同效果的范围内，与本说明书所例示的其它具体的结构进行置换。
另外，该置换也可以跨多个实施方式而进行。即，也可以是如下情况，即，将在不同的实施方式中例示的各个结构进行组合而产生相同效果。
根据以上所记载的实施方式，楔形工具具有槽3、第1平面及第2平面、至少1个凸部4。这里，第1平面及第2平面例如对应于平面2。槽3是在楔形工具1的前端沿着超声波振动的方向而形成的。另外，在楔形键合时，在槽3配置键合导线9。2个平面2在楔形工具1的前端配置于槽3的两侧。另外，2个平面2从与形成槽3的方向交叉的方向夹着槽3。凸部4在2个平面2中的至少一者与槽3分离地形成。并且，由于通过楔形键合而接合的键合导线9与被接合体之间的接合部处的键合导线9的变形，从而键合导线9与凸部4接触。即，凸部4的靠近槽3的端部与槽3的中心线7之间的俯视观察时的距离比通过楔形键合而接合的键合导线9与被接合体之间的接合部的与槽3交叉的方向上的宽度的一半小。这里，凸部4的靠近槽3的端部例如对应于边界12。
根据这样的结构，如果与槽3交叉的方向上的从中心线7算起的接合部的宽度，即，键合导线9的压溃宽度W3比凸部4的边界12与槽3的中心线7之间的距离W2大，则通过将凸部4按压至接合部处的键合导线9，更详细而言，按压至键合导线9在超声波接合时变形而形成的线瘤10，从而形成转印痕迹11。在形成有转印痕迹11的情况下，接合部的压溃宽度W3比距离W2大，因此，可知在距离W2例如为下限值的情况下，确保了用于保证半导体装置的可靠性的接合部的压溃宽度。因此，通过将与接合部的整体形状相比足够小的转印痕迹11用于接合部的良好与否判定，从而能够非破坏性地进行接合部的可靠性检查，并且能够进行精度高的检查。
此外，对于这些结构以外的本说明书所例示的其它结构，能够适当省略。即，只要至少具有这些结构，就能够产生以上所记载的效果。
但是，即使在将本说明书所例示的其它结构中的至少1个适当地追加至以上所记载的结构的情况下，即，在适当地追加了没有作为以上所记载的结构而提及的本说明书所例示的其它结构的情况下，也能够产生相同效果。
另外，根据以上所记载的实施方式，槽3的底面与2个平面2平行。根据这样的结构，通过超声波接合，从而平行地形成键合导线9的上表面和线瘤10的上表面，能够形成可靠性高的接合部。
另外，根据以上所记载的实施方式，槽3的在形成槽3的方向上的端部呈曲面形状，与楔形工具1的侧面平滑地相连。根据这样的结构，通过以曲面形状支撑接合部的周边处的键合导线9，从而能够在接合部使键合导线9与被接合体充分地接触。
另外，根据以上所记载的实施方式，形成槽3的方向上的凸部4的宽度大于或等于通过楔形键合而接合的键合导线9的半径的1/20。根据这样的结构，能够将转印痕迹11的形成槽3的方向上的宽度设为能够容易地目视辨认的宽度。
另外，根据以上所记载的实施方式，凸部4位于2个平面2中的至少一者的形成槽3的方向上的中央部。根据这样的结构，在俯视观察时，在扩展而变形为椭圆形状的接合部的与形成槽3的方向交叉的方向上的压溃宽度W3为最大的部位，能够形成由凸部4的转印而产生的转印痕迹11。
另外，根据以上所记载的实施方式，凸部4的边界12与槽3的中心线7之间的俯视观察时的距离大于或等于通过楔形键合而接合的键合导线9的半径的1.1倍。根据这样的结构，在接合部的压溃宽度W3大于或等于键合导线9的半径的1.1倍的情况下，能够形成由凸部4的转印而产生的转印痕迹11。
另外，根据以上所记载的实施方式，凸部4的高度大于或等于通过楔形键合而接合的键合导线9的半径的1/40且小于或等于其1/2。根据这样的结构，在超声波接合时，也会受到接合部处的键合导线9的厚度妨碍而使凸部4不与被接合体接触，因此能够防止凸部4对被接合体造成损伤。
另外，根据以上所记载的实施方式，凸部4A形成于一个平面2，凸部4B形成于另一个平面2。另外，凸部4A和凸部4B相对于槽3的中心线7而位于线对称的位置。根据这样的结构，与仅在一个平面2设置有凸部的情况相比，能够提高用于对凸部4A或凸部4B进行拍摄的拍摄角度的自由度。因此，能够较高地维持接合部的良好与否判定的精度。另外，例如，能够以转印痕迹11形成于相对于中心线7而大致对称地扩展的线瘤10两者的情况、仅在一个线瘤10形成转印痕迹11的情况、以及在两个线瘤10均未形成转印痕迹11的情况这3个阶段，详细地评价接合部的可靠性。
另外，根据以上所记载的实施方式，凸部4C形成于一个平面2，凸部4D形成于另一个平面2。另外，凸部4C的边界12C与槽3的中心线7之间的俯视观察时的距离和凸部4D的边界12D与槽3的中心线7之间的俯视观察时的距离不同。根据这样的结构，例如，通过使边界12C对应于用于保证半导体装置的可靠性所需要的接合部的下限宽度，使边界12D对应于用于保证半导体装置的可靠性所需要的接合部的上限宽度，从而能够知道接合部的压溃宽度落入了标准范围。因此，能够更详细地进行接合部的良好与否判定。
另外，根据以上所记载的实施方式，使用上述楔形工具而进行半导体装置的楔形键合。根据这样的结构，如果接合部的压溃宽度W3比距离W2大，则在接合部形成转印痕迹11。在形成有转印痕迹11的情况下，由于接合部的压溃宽度W3比距离W2大，因此，在距离W2例如为下限值的情况下，可知确保了用于保证半导体装置的可靠性的接合部的压溃宽度。因此，通过将与接合部的整体形状相比足够小的转印痕迹11用于接合部的良好与否判定，从而能够非破坏性地进行接合部的可靠性的检查，并且能够进行精度高的检查。
根据以上所记载的实施方式，在键合检查方法中，使用上述楔形工具1而进行半导体装置的楔形键合。并且，对在通过楔形键合而形成的键合导线9与被接合体之间的接合部处由凸部4转印出的转印痕迹11进行检测。
根据这样的结构，如果接合部的压溃宽度W3比距离W2大，则在接合部形成转印痕迹11，因此，通过检测转印痕迹11，从而能够判定是否确保了用于保证半导体装置的可靠性的接合部的压溃宽度。另外，由于转印痕迹11与接合部的整体形状相比足够小，因此，能够较高地维持用于拍摄转印痕迹11的拍摄角度的自由度。因此，能够较高地维持接合部的良好与否判定的精度。
此外，对于这些结构以外的本说明书所例示的其它结构，能够适当省略。即，只要至少具有这些结构，就能够产生以上所记载的效果。
但是，即使在将本说明书所例示的其它结构中的至少1个适当地追加至以上所记载的结构的情况下，即，在适当地追加了没有作为以上所记载的结构而提及的本说明书所例示的其它结构的情况下，也能够产生相同效果。
另外，在没有特别的限制的情况下，进行各个处理的顺序能够变更。
<关于以上所记载的实施方式的变形例>
在以上所记载的实施方式中，虽然有时还对各结构要素的材质、材料、尺寸、形状、相对配置关系或实施条件等进行了记载，但它们在所有方面都是一个例示，并不限于本说明书所记载的内容。
因此，在本说明书所公开的技术范围内，可想到未例示的无数变形例以及等同物。例如，包含对至少1个结构要素进行变形的情况、进行追加的情况或进行省略的情况，以及提取至少1个实施方式中的至少1个结构要素，使其与其它实施方式的结构要素进行组合的情况。
另外，就以上所记载的实施方式中的各个结构要素而言，只要发挥相同功能，则包含具有其它构造或形状的构造物。
另外，本说明书中的说明是为了与本技术相关的所有目的而参考的，均没有承认是现有技术。
另外，在以上所记载的实施方式中，在没有特别指定地记载了材料名称等的情况下，只要不产生矛盾，则包括该材料含有其它添加物的例如合金等。
标号的说明
1、101楔形工具，2平面，3槽，4、4A、4B、4C、4D凸部，5曲面，7中心线，8侧面，9键合导线，10线瘤，11转印痕迹，12、12A、12B、12C、12D边界，102导线切刀，103导线夹具，104导线引导部，105导线配线，106绝缘基板，106A、106B、106C导电图案，106D绝缘板，107散热用基座，108半导体芯片，109树脂制壳体，110外部输入输出用电极。

Claims (11)

1.一种楔形工具，其通过超声波振动而进行楔形键合，
该楔形工具具有：
槽，其在所述楔形工具的前端沿着所述超声波振动的方向而形成，并且在楔形键合时在该槽配置键合导线；
第1平面及第2平面，它们在所述楔形工具的前端配置于所述槽的两侧；以及
至少1个凸部，其在所述第1平面及所述第2平面中的至少一者与所述槽分离地形成，
由于通过楔形键合而接合的所述键合导线与被接合体之间的接合部处的所述键合导线的变形，从而所述键合导线与所述凸部接触，
所述凸部的位置被设定为，在所述接合部处的所述键合导线的压溃宽度大于或等于下限值的情况下，所述凸部在所述键合导线的由于压溃而扩展的部分形成转印痕迹。
2.根据权利要求1所述的楔形工具，其中，
所述槽的底面与所述第1平面及所述第2平面平行。
3.根据权利要求1或2所述的楔形工具，其中，
所述槽的形成所述槽的方向上的端部呈曲面形状，与所述楔形工具的侧面平滑地相连。
4.根据权利要求1或2所述的楔形工具，其中，
形成所述槽的方向上的所述凸部的宽度大于或等于通过楔形键合而接合的所述键合导线的半径的1/20。
5.一种楔形工具，其通过超声波振动而进行楔形键合，
该楔形工具具有：
槽，其在所述楔形工具的前端沿着所述超声波振动的方向而形成，并且在楔形键合时在该槽配置键合导线；
第1平面及第2平面，它们在所述楔形工具的前端配置于所述槽的两侧；以及
至少1个凸部，其在所述第1平面及所述第2平面中的至少一者与所述槽分离地形成，
由于通过楔形键合而接合的所述键合导线与被接合体之间的接合部处的所述键合导线的变形，从而所述键合导线与所述凸部接触，
所述凸部位于所述第1平面及所述第2平面中的至少一者的形成所述槽的方向上的中央部。
6.根据权利要求1或2所述的楔形工具，其中，
所述凸部的靠近所述槽的端部与所述槽的中心线之间的俯视观察时的距离大于或等于通过楔形键合而接合的所述键合导线的半径的1.1倍。
7.根据权利要求1或2所述的楔形工具，其中，
所述凸部的高度大于或等于通过楔形键合而接合的所述键合导线的半径的1/40且小于或等于其1/2。
8.根据权利要求1或2所述的楔形工具，其中，
所述凸部形成于所述第1平面及所述第2平面两者，
各所述凸部相对于所述槽的中心线而位于线对称的位置。
9.一种楔形工具，其通过超声波振动而进行楔形键合，
该楔形工具具有：
槽，其在所述楔形工具的前端沿着所述超声波振动的方向而形成，并且在楔形键合时在该槽配置键合导线；
第1平面及第2平面，它们在所述楔形工具的前端配置于所述槽的两侧；以及
至少1个凸部，其在所述第1平面及所述第2平面中的至少一者与所述槽分离地形成，
由于通过楔形键合而接合的所述键合导线与被接合体之间的接合部处的所述键合导线的变形，从而所述键合导线与所述凸部接触，
所述凸部形成于所述第1平面及所述第2平面两者，
各所述凸部的靠近所述槽的端部与所述槽的中心线之间的俯视观察时的距离彼此不同。
10.一种键合装置，其使用权利要求1至9中任一项所述的所述楔形工具而进行半导体装置的楔形键合。
11.一种键合检查方法，其使用楔形工具而进行半导体装置的楔形键合，其中，所述楔形工具具有：槽，其在所述楔形工具的前端沿着超声波振动的方向而形成，并且在楔形键合时在该槽配置键合导线；第1平面及第2平面，它们在所述楔形工具的前端配置于所述槽的两侧；以及至少1个凸部，其在所述第1平面及所述第2平面中的至少一者与所述槽分离地形成，由于通过楔形键合而接合的所述键合导线与被接合体之间的接合部处的所述键合导线的变形，从而所述键合导线与所述凸部接触，在所述接合部处的所述键合导线的压溃宽度大于或等于下限值的情况下，所述凸部在所述键合导线的由于压溃而扩展的部分形成转印痕迹，
对在通过楔形键合而形成的所述键合导线与所述被接合体之间的所述接合部处由所述凸部转印出的转印痕迹进行检测。
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