JP5899907B2 - ワイヤボンディング用のウェッジツール、ボンディング装置、ワイヤボンディング方法、および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
ウェッジツール10は、ボンディングワイヤ1を保持するワイヤガイド10aと、ボンディング後にワイヤをカットするカッター10bと、ワイヤのクランプ機構10c等を有し、超音波ホーンを介してボンディング装置に取付けられている。半導体装置2の製造工程では、電子部品を構成する半導体チップ3が絶縁回路基板4上に形成された回路パターン4aに固着される。回路パターン4aとその相手側の回路パターン4bが形成された絶縁回路基板4は、その裏面に形成された回路パターン4cを介して放熱用金属ベース5に配置される。そして、半導体装置2上でウェッジツール10を移動しながら、ボンディングワイヤ1の両端を半導体チップ3の電極および絶縁回路基板4の回路パターン4bに超音波ボンディングしている。これにより、半導体装置2等の電子部品に対して、ウェッジボンディングされた配線用ワイヤ6によって所定の接続が行われる。
ウェッジツール10は、ツール本体11の先端部のツールガイド溝12により接触支持されたボンディングワイヤ1を被接合材(例えばシリコンチップ上の電極等)に接触させる。次に、このウェッジツール10を介して、ボンディングワイヤ1を被接合材に対して一定圧力で加圧して押さえた状態で、超音波振動を与えて擦りあわせて接合する。
半導体装置は、n-基板31からなる半導体チップ3の裏面側にn+層32、p+層33が順次に拡散形成され、p+層33からコレクタ端子Cが引き出される。半導体チップ3の表面構造は、その主面から拡散形成されたp+領域34内にエミッタ領域を構成するn+領域35がn-基板31内に形成されている。このn+領域35からは、Al−Si電極膜70によってエミッタ端子Eが引き出される。
また、本発明によれば、超音波振動によりボンディングワイヤを接合するワイヤボンディング用のウェッジツールにおいて、前記超音波振動をさせる超音波振動手段に取り付けられるツール本体を備え、前記ツール本体は、先端部分に、前記ウェッジツールの垂直面との間が前記ボンディングワイヤのトゥ側とヒール側でそれぞれ曲面により接続されている溝部が形成され、前記ボンディングワイヤの長手方向に沿って前記溝部に傾斜面を設けるとともに前記溝部から前記ボンディングワイヤを突出させ、前記ボンディングワイヤが接合される接合面に対して前記ボンディングワイヤのトゥ側がヒール側より近接するように押圧する、ことを特徴とするワイヤボンディング用のウェッジツールが提供される。
さらに、本発明によれば、超音波振動によってボンディングワイヤを接合するボンディング装置において、上述したウェッジツールと、前記ウェッジツールを前記ボンディングワイヤが接合される接合面に対して並行に超音波振動させる超音波振動手段と、を備え、前記接合面に対して前記ボンディングワイヤがトゥ側でヒール側より近接して押圧されることを特徴とするボンディング装置が提供される。
図1は、本発明の実施の形態のワイヤボンディング方法を示す図であって、(A)はウェッジツールによる加圧・振動の様子を示す図、(B)はワイヤと被接合材との接合状態を示す図である。
ウェッジツール10の溝部20は、図2(B)に示す正面断面図および図2(A)、(C)から明らかなように、その断面がV字形状をなしている。ここで、ウェッジツール10のワイヤ保持部21には、ヒール側からトゥ側にかけて、1度乃至5度の範囲の傾斜角αが、使用されるボンディングワイヤ1のワイヤ径に対応する大きさ、例えば比例する大きさで形成されている。
図3は、ワイヤ径とウェッジツールの先端部分に設けた傾斜角との関係を示す図である。ここでは、ボンディングワイヤ1にはアルミワイヤを用い、被接合物としてチップ電極の接合面もアルミニウム合金であるものとする。
図4は、従来装置による接合領域の進展度合いを示す図である。図5は、本発明のボンディング装置による接合領域の進展度合いを示す図である。
図6は、接合初期段階での接合部の楕円率を示す図である。
同図における接合面積とは、ウェッジツールで400μmのアルミワイヤをボンディングしたとき、接合初期段階(t=20ms)に形成された凝着核層の広がりをいう。横軸には、この凝着核層の長径Lと短径Dの大きさの比率(楕円率L/D)を示している。ここでも、前述した図6のものと同様に、○印は従来ツールによる接合面積、□印は傾斜ツール(本発明の実施の形態のウェッジツール)による接合面積を示している。
S=(L×D)−s
つぎに、傾斜角を有するウェッジツールの利点について、その接合動作終了の時点で従来ツールの場合と比較して説明する。
同図に示す楕円率は、各サンプルそれぞれに10点の分布として示しているが、図6の場合と同様にそれぞれの分布する範囲を、前者については点線によって、後者は破線によって明示している。これらの楕円率は、いずれも接合終了段階(t=200ms)でアルミワイヤをはぎ取ることにより測定されたものである。ここで、従来ツール(○)と傾斜ツール(□)の楕円の長径Lについては、いずれも860〜920μmの範囲に分布している。しかし、それらの短径Dについては、従来ツール(○)が430μm以下の範囲に分布しているのに対して、傾斜ツール(□)で接合したものでは410〜470μmの広い範囲に分布している。
ここでも、図7と同様、○印は従来ツールによる接合面積、□印は傾斜ツール(本発明の実施の形態のウェッジツール)による接合面積を示している。また、各サンプルそれぞれに10点の分布として示しているが、それぞれの分布する範囲を、前者については点線で囲む円によって、後者は破線で囲む円によって明示した。
すなわち、断続通電(パワーサイクル)に伴う熱応力によって接合領域の周縁に初期クラックが発生すると、クラックは引き続いて繰り返し加わる熱応力により接合領域の外周全方位から、その中心に向けて成長する。そして、クラックが接合領域の中心まで達することで、ワイヤとの接合が破断してワイヤがチップ電極面から剥がれる。この場合に、接合領域でのクラック進展状況をワイヤ接合長(長径L)方向と、ワイヤが潰れて広がる接合幅(短径D)方向とに分けて考察すると、接合長方向ではワイヤの線径が大であるほど、そのワイヤループの剛性の影響を大きく受けて、ワイヤ接合長でのクラック進展速度が接合幅方向よりも早くなる。
2 半導体装置
3 半導体チップ
4 絶縁回路基板
5 放熱用金属ベース
6 配線用ワイヤ
7 電極
7a クラック(亀裂)
8 凝着核層
9 最終的な接合領域
10 ウェッジツール
11 ツール本体
12 ツールガイド溝
20 溝部
21 ワイヤ保持部
22,23 曲面
70 Al−Si電極膜
Claims (24)
- 超音波振動によりボンディングワイヤを接合するワイヤボンディング用のウェッジツールにおいて、
前記超音波振動をさせる超音波振動手段に取り付けられるツール本体を備え、
前記ツール本体は、先端部分に溝部が形成され、前記ボンディングワイヤの長手方向に沿って前記溝部に傾斜面を設けるとともに前記溝部から前記ボンディングワイヤを突出させ、前記超音波振動手段により前記ボンディングワイヤを前記長手方向に沿って前記超音波振動をさせて、前記ボンディングワイヤが接合される接合面に対して前記ボンディングワイヤのトゥ側がヒール側より近接するように押圧する、
ことを特徴とするワイヤボンディング用のウェッジツール。 - 前記ツール本体の先端部分に傾斜面を設けて、前記接合面に対して前記ボンディングワイヤのトゥ側でヒール側より近接して前記ボンディングワイヤを押圧することを特徴とする請求項1記載のワイヤボンディング用のウェッジツール。
- 前記溝部は、前記ボンディングワイヤのワイヤ径に応じた大きさに設定されていることを特徴とする請求項1記載のワイヤボンディング用のウェッジツール。
- 前記傾斜面は、ヒール側からトゥ側にかけて1度乃至5度の範囲の角度で傾斜していることを特徴とする請求項1または2記載のワイヤボンディング用のウェッジツール。
- 前記ボンディングワイヤとその接合面は、それぞれアルミニウムであることを特徴とする請求項1記載のワイヤボンディング用のウェッジツール。
- 前記溝部は、前記ウェッジツールの垂直面との間が前記ボンディングワイヤのトゥ側とヒール側でそれぞれ曲面により接続されていることを特徴とする請求項1記載のワイヤボンディング用のウェッジツール。
- 前記溝部は、その断面がV字形状をなしていることを特徴とする請求項1記載のワイヤボンディング用のウェッジツール。
- 超音波振動によってボンディングワイヤを接合するボンディング装置において、
請求項1乃至7のいずれかに記載のウェッジツールと、
前記ウェッジツールを前記ボンディングワイヤが接合される接合面に対して前記ボンディングワイヤの長手方向に沿って超音波振動させる超音波振動手段と、
を備え、前記接合面に対して前記ボンディングワイヤがトゥ側でヒール側より近接して押圧されることを特徴とするボンディング装置。 - ボンディングワイヤをウェッジツールの先端部分から繰り出すとともに超音波振動によってボンディングを行うワイヤボンディング方法において、
前記ウェッジツールで前記ボンディングワイヤを把持した状態で、前記ボンディングワイヤを前記ボンディングワイヤが接合される接合面に対して所定の時間だけ前記ボンディングワイヤの長手方向に沿って超音波振動させ、前記接合面に押圧して接合する際に、
前記接合面に対して前記ボンディングワイヤのトゥ側をヒール側より近接させることを特徴とするワイヤボンディング方法。 - 前記ウェッジツールは、前記ボンディングワイヤを前記接合面に対してヒール側からトゥ側にかけて1度乃至5度の傾斜角をもって前記ボンディングワイヤを把持しつつ押圧するようにしたことを特徴とする請求項9記載のワイヤボンディング方法。
- 前記ボンディングワイヤは、そのワイヤ径が100〜500μmの範囲のアルミワイヤを用いることを特徴とする請求項9記載のワイヤボンディング方法。
- 前記ウェッジツールの振動時間は、そこから繰り出される前記ワイヤ径に比例する長さに設定されていることを特徴とする請求項9記載のワイヤボンディング方法。
- 前記ウェッジツールの超音波振動によって形成される接合領域は、前記ボンディングワイヤのワイヤ延長方向を長軸とする楕円形状であって、その長径(L)と短径(D)との比率が振動開始後の初期段階では2より大きいことを特徴とする請求項10記載のワイヤボンディング方法。
- 前記比率が振動終了段階で1.4〜2.2であることを特徴とする請求項13記載のワイヤボンディング方法。
- 前記請求項8記載のボンディング装置を使用して半導体チップの電極を導電性部材に電気的に接続する半導体装置の製造方法において、
前記ウェッジツールで前記ボンディングワイヤを把持した状態で、前記ボンディングワイヤを前記半導体チップの電極面に対して所定の時間だけ前記ボンディングワイヤの長手方向に沿って超音波振動させて前記電極に押圧して塑性変形せしめる際に、
前記ウェッジツールを前記半導体チップの電極面に対して前記ボンディングワイヤのトゥ側でヒール側より近接して押圧する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ウェッジツールは、前記ボンディングワイヤを前記半導体チップの電極面に対して1度乃至5度の傾斜角をもって押圧するようにしたことを特徴とする請求項15記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ボンディングワイヤは、そのワイヤ径が100〜500μmの範囲に設定されていることを特徴とする請求項15記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ボンディングワイヤと前記半導体チップの電極との間に形成される接合領域は、前記ボンディングワイヤのワイヤ延長方向を長軸とする楕円形状であって、その長径(L)と短径(D)との比率が1.4〜2.2であることを特徴とする請求項15記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ボンディングワイヤは、そのワイヤ径が400μmであって、前記接合領域の面積が0.35〜0.45mm2であることを特徴とする請求項18記載の半導体装置の製造方法。
- 超音波振動によりボンディングワイヤを接合するワイヤボンディング用のウェッジツールにおいて、
前記超音波振動をさせる超音波振動手段に取り付けられるツール本体を備え、
前記ツール本体は、先端部分に、前記ウェッジツールの垂直面との間が前記ボンディングワイヤのトゥ側とヒール側でそれぞれ曲面により接続されている溝部が形成され、前記ボンディングワイヤの長手方向に沿って前記溝部に傾斜面を設けるとともに前記溝部から前記ボンディングワイヤを突出させ、前記ボンディングワイヤが接合される接合面に対して前記ボンディングワイヤのトゥ側がヒール側より近接するように押圧する、
ことを特徴とするワイヤボンディング用のウェッジツール。 - 超音波振動によってボンディングワイヤを接合するボンディング装置において、
請求項20に記載のウェッジツールと、
前記ウェッジツールを前記ボンディングワイヤが接合される接合面に対して並行に超音波振動させる超音波振動手段と、
を備え、前記接合面に対して前記ボンディングワイヤがトゥ側でヒール側より近接して押圧されることを特徴とするボンディング装置。 - 前記超音波振動の前記ボンディングワイヤのヒール側への片寄りが防止される、
ことを特徴とする請求項1または20に記載のワイヤボンディング用のウェッジツール。 - さらに、前記先端部分が傾斜面を備え、前記溝部の断面がV字形状をなしており、前記先端部分の傾斜面と前記溝部の最深部分が同じ傾斜角を有する、
ことを特徴とする請求項1または20に記載のワイヤボンディング用のウェッジツール。 - 前記ボンディングワイヤのトゥ側を前記ボンディングワイヤが供給される前記ボンディングワイヤのヒール側より近接して押圧するように構成されている、
ことを特徴とする請求項1または20に記載のワイヤボンディング用のウェッジツール。
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