JP2730529B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路装置
とその製造方法に関し、特にＩＬＢ（ＩｎｎｅｒＬｅａ
ｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）の対象となる高密度集積回路（Ｌ
ＳＩ）チップのパッド電極とそのインナーリード接合方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度に所望の回路機能が形成された半
導体チップの主表面上には、各辺または対向する二辺に
沿って、所定の間隔をおいて多数のパッド電極（バンプ
電極，突起電極ともいう）が形成される。このようなパ
ッド電極は、半導体チップの主表面の一辺に沿って、数
十個設けられ、最近では百個を越えるものもめずらしく
ない。
【０００３】一方、このようなパッド電極を電気的に外
部に導出するため、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔ
ｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式のフィルムキャリアテープ
が用意される。このようなフィルムキャリアテープは、
絶縁性のベースフィルムの略中央開口部に、前記各パッ
ド電極を各々接続すべく、多数のインナーリードが放射
状に配列され、さらに外部リードに各々接続するための
電極またはアウターリードを設け、この電極またはアウ
ターリードとインナーリードとを接続する配線が、前記
ベースフィルム上に所定の間隔をおいて配置されてい
る。このような構成のフィルムが、連続的に多数形成さ
れ、テープ状をなしている。フィルムキャリアテープに
は、この他にこのテープを自動的に送るためのスプロケ
ットと呼ばれる開口部がフィルムに形成されている。
【０００４】半導体チップのパッド電極とインナーリー
ドとを接合するＩＬＢ技術として、一括して一度に接合
するギャング・ボンディング（ＧＢと略す）と、一本づ
つ順に接合していくシングル・ポイント・ボンディング
（ＳＰＢと略す）とがある。
【０００５】ＧＢ技術は、接合時間が短いが、均一な接
合強度を確保するための平行度調整時間を費やすため、
少品種多量生産には適している。
【０００６】ＳＰＢ技術は、均一な接合強度を確保し易
く、半導体チップの大型化および汎用化に伴い、採用さ
れる機会が増えている。
【０００７】尚、ＧＢにおいてもＳＰＢ技術において
も、ボンディング時の接合部の温度は、１００度Ｃ乃至
５００度Ｃ内の適切な温度が選択されて、使用される。
接合部の温度が低すぎると接合強度が低下し、高すぎる
と半導体チップ内に形成したトランジスタやダイオード
等の基本的な諸特性が非可逆的な劣化を伴うことにな
る。
【０００８】最近の半導体製造工場は、世界の各地に散
在しており、しかも各工場内には多数のＧＢ専用または
ＳＰＢ専用のボンディング装置が製造システム内に組み
込まれている関係上、例えばＧＢ専用プロセスを備えた
工場をＳＰＢ専用プロセスに模様変えするには、多大な
経費と時間とを必要とする。このため、このような模様
変えを行わず、ＧＢでもＳＰＢでも適用可能な半導体チ
ップの構造を開発することが、重要な課題の一つとなっ
ている。
【０００９】半導体チップの高密度集積技術の進歩に伴
い、必然的に多数のパッド電極が必要とされる。このよ
うなパッド電極を接触事故のなきよう高密度に集積する
技術を示す特開昭６２−１８８３３３号公報に記載され
た図６の平面図を参照すると、半導体チップ５０の主表
面に、第１のパッド電極５１と第２のパッド電極５２と
を交互に配列した二列配置即ち千鳥状配置となして、パ
ッド電極５１，５２同士が重なり合うことを防止すると
共に、半導体チップ５０の主表面と第１，第２のインナ
ーリード６，７との接触事故を防止するように、ショー
ト防止バンプ５３を第１，第２のパッド電極５１，５２
の外方に各々配置している。
【００１０】しかしながら、第１，第２のインナーリー
ド６，７は先端が第１，第２のパッド電極５１，５２に
各々接続され、他端が絶縁フィルム１１で共通に接続さ
れ、先端と他端との間は開放状態となっているため、第
２のインナーリード７の接触事故は解消しているもの
の、特に第１のインナーリード６が半導体チップ５０の
主表面と接触する危険性は無視しえる程度には低下して
いない。実装後の外部振動によって、第１のインナーリ
ード６がこの外部振動数に共振した場合には、接触事故
が発生することが判明した。また、バンプ５３を、別途
製造する工程が追加されるという欠点もある。
【００１１】また、第１，第２のインナーリード６，７
を、第１，第２のパッド電極５１，５２に接合する場
合、ＳＰＢツール５４，５５を順に用いた場合には接触
事故が増加することがなかったが、全パッド電極を一度
に接合するＧＢツールを用いた場合には、特に第１のイ
ンナーリード６の接触事故が著しく増加した。これは、
パッド電極より大きな押圧面積を持つＧＢツールがイン
ナーリード６をパッド電極５１に接合する際の押圧力に
よって、数μ程度インナーリード６の厚さが減少して塑
性変形を生じ、この変形力によってインナーリード６が
半導体チップ５０の主表面にまで押し下げられ、接触事
故が発生するものと思われる。
【００１２】このような接触事故は、半導体チップに形
成された所定の回路との短絡事故を起こすだけでなく、
接触に伴って不測のバイアス電圧が印加されて、回路特
性が変化し、最悪の場合は回路機能を消失してしまうこ
とがある。また、半導体チップの主表面に絶縁膜が形成
されていても、インナーリードの接触力が比較的大きい
場合にはこの絶縁膜が破壊されることもある。
【００１３】以上のような諸問題点を解決すべく、開発
した図７の平面図を参照すると、千鳥状にもＳＰＢがで
きるように、共通形状の長方形のパッド電極６１，６
１′を形成している。第１のインナーリード６が接合さ
れるボンディング部６３は、ＳＰＢツール６４が押圧し
てボンディングされるが、これに続くリード受部６２は
ボンディング部６３と一体に形成されており、インナー
リード６はこのリード受部６２に当接するため、ＳＰＢ
はもちろんＧＢでも接触事故が解消した。
【００１４】また、第１のインナーリード６と共通する
長さを備えた第２のインナーリード７が接合されるボン
ディング部６３′の他に、これを続くリード受部６２′
があるため、ＧＢの場合でも第２のインナーリード７の
先端が半導体チップ６０の主表面と接触する心配がなく
なった。
【００１５】しかしながら、このようなパッド電極６１
の構造では、インナーリードが、次のような原因によ
り、近傍のパッド電極と接触する事故が発生した。 （１）ボンディング時の加熱（通常１００度Ｃ乃至５０
０度Ｃ）による副射熱及び伝導熱により、絶縁フィルム
１１が熱膨張して、第１，第２のインナーリード６，７
の間隔等が拡がってしまい、このためパッド電極６１，
６１′上から各々第１，第２のインナーリード６，７が
位置ずれを起こす。
【００１６】これを防止するため、ＳＰＢでは接合箇所
を一方端のパッド電極から順に行わず、まず中央部のパ
ッド電極を接合し、次に一方端と他方端とを接合する等
の位置ずれ防止の接合順序の工夫が施されているが、本
質的な解決方法ではない。
【００１７】一方、ＧＢ方法では全パッド電極を一度に
接合するため、絶縁フィルム１１が熱膨張を生じるまで
にすでに接合を終了している。このため、熱膨張係数差
に起因するこの種の問題は実質的に生じない。
【００１８】また、パッド電極６１，６１′，第１，第
２のインナーリード６，７の寸法精度やセッティング精
度等は、上述した熱膨張係数差に起因する位置ずれに比
較して、支配的な原因とはなっていないことが判明し
た。 （２）パッド電極６１，６１′と第１，第２のインナー
リード６，７との相対的位置ずれが所定の寸法を越える
と、これらリード６，７がパッド電極６１，６１′の間
の凹部内に嵌入若しくは半嵌入状態となり、パッド電極
間を短絡してしまうことが判明した。
【００１９】このような状態の断面図を示す図８
（Ａ），（Ｂ）を参照すると、まず（Ａ）の断面図は図
７のｆ−ｆ′線に沿った断面を示し、（Ｂ）の断面図は
図７のｇ−ｇ′線に沿った断面を示し、ここでは第１の
インナーリード６がパッド電極６１，６１′間の凹部６
６に、第２のインナーリード７がパッド電極６１′，６
１間の凹部６６′に、各々半嵌入状態になっていること
を示している。半嵌入状態は、インナーリード６または
７の幅寸法Ｌが、凹部６６，６６′の幅寸法Ｋより大き
い場合に生じ、これに対して嵌入状態は逆の寸法となっ
ている場合に生じる。
【００２０】まず、ＳＰＢツール６４の押圧力により、
インナーリード６が１００μ乃至２００μ程度下方に屈
曲するが、パッド電極６１と接触する左側部分のインナ
ーリード６は数μ程度押し潰されて塑性変形する。同時
にインナーリード６の右側部分は凹部６６の中に嵌入し
てしまい、この際インナーリード６は、時計の回転方向
に回転した状態で短絡状態になるだけでなく、（Ｂ）に
示すように、接合しない部分のインナーリード６まで近
傍のパッド電極６１′と短絡した状態となり、非可逆な
短絡事故が発生する。第２のインナーリード７の部分
も、同様に非可逆的な短絡事故が発生する。
【００２１】このような嵌入あるいは半嵌入状態となる
事故を防止するため、ＳＰＢツール６４，６５の幅寸法
を小さくすることが考えられるが、これでは位置ずれが
所定寸法を越えると、インナーリード６，７の押圧を及
ぼすことができなくなるという欠点がある。
【００２２】以上の（１）及び（２）に基く短絡事故
は、解決されなければならない課題である。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】以上のような諸問題点
等に鑑み、本発明では、次の各課題を掲げる。 （Ａ）ＧＢとＳＰＢとの両方のボンディング技術が適用
できる構造とすること。
【００２４】（Ｃ）インナーリードが半導体チップの主
表面と接触しないようにすること。 （Ｄ）実装後の外部振動によって、接触事故が発生しな
いようにすること。 （Ｅ）熱膨張係数差に起因する位置ずれにより、インナ
ーリードが近傍のパッド電極と短絡しないようにするこ
と。 （Ｆ）インナーリードが、パッド電極間の凹部に嵌入ま
たは半嵌入状態とならぬようにすること。 （Ｇ）従来のフィルムキャリアテープもそのまま使用で
きるようにすること。 （Ｈ）製造工程数を増加させないようにすること。 （Ｉ）接合強度を向上すること。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、第１の
パッド電極からなる第１群と第２のパッド電極からなる
第２群とが半導体チップの主表面に配列され、前記第
１，第２のパッド電極にインナーリードが各々接続され
ている半導体集積回路装置において、前記第１のパッド
電極と前記第２のパッド電極とは交互にかつ一列状に配
列されていることと、前記第１，第２のパッド電極はい
ずれも、前記インナーリードに対向する幅の狭いリード
受部と前記インナーリードに接合する幅の広いボンディ
ング部とこのボンディング部と前記リード受部とをつな
ぐ移行部とを備えていることと、前記リード受部と前記
ボンデイング部との配置は、前記第１のパッド電極と第
２のパッド電極とで互いに逆方向となっていることとを
特徴とする。
【００２６】本発明の他の構成は、第１のパッド電極か
らなる第１群と第２のパッド電極からなる第２群とが半
導体チップの主表面に配列され、前記第１，第２のパッ
ド電極にインナーリードが各々接続されている半導体集
積回路装置において、前記第１のパッド電極と前記第２
のパッド電極とは交互にかつ一列状に配列されているこ
とと、前記第１，第２のパッド電極はいずれも、前記イ
ンナーリードに対向する幅の狭いリード受部と前記イン
ナーリードに接合する幅の広いボンディング部とを備え
ていることと、前記第１または第２のパッド電極のボン
デイング部には、前記インナーリードが自己整合されて
接合されるように、テーパ部が設けられていることと、
前記リード受部と前記ボンデイング部との配置は、前記
第１のパッド電極と第２のパッド電極とで互いに逆方向
となっていることとを特徴とする。また特に前記第１，
第２のパッド電極間の凹部の幅寸法は、前記インナーリ
ードの幅寸法より小さくなっていることを特徴とする。
【００２７】上記構成の製造方法において、前記ボンデ
ィング部の平面寸法よりも小さい押圧面を備えたシング
ル・ポイント・ボンディング・ツールが前記インナーリ
ードの接合に使用されることを特徴とする。
【００２８】また、上記構成の製造方法において、前記
テーパ部が設けられた方のパッド電極を先に前記インナ
ーリードに接合した後、前記テーパ後のないパッド電極
を接合することを特徴とする。
【００２９】さらに上記構成の製造方法において、ギャ
ング・ボンディング・ツールが前記インナーリードの接
合に使用されることも特徴とする。
【００３０】本発明によれば、リード受部とボンディン
グ部とが移行部を介して接続されたパッド電極を幅の狭
いリード受部と幅の広いボンディング部とを交互に配列
しているため、パッド電極が高密度に配列されるだけで
なく、パッド電極とインナーリードとの相対位置のセッ
ティング精度が低くても、接合することができ、パッド
電極が一列状に配列されているため、半導体チップの主
表面との接触事故が防止でき、実装後の外部振動によっ
ても接触事故が発生せず、パッド電極の平面形状の変更
によるマスクパターンの変更を伴うだけで済むため、特
に製造工程を増加させないで済む。また、従来のフイル
ムキャリアテープをそのまま使用することも可能である
ため、コストアップを極力抑えることができる。
【００３１】特に、自己整合用のテーパ部が設けられて
いる場合には、上記セッティング精度がさらに低くても
よく、逆にいえばさらに高密度にパッド電極を配列でき
る。
【００３２】特に、パッド電極間の凹部の幅が、インナ
ーリードの幅寸法より小さくなっている場合には、接合
時にインナーリードが凹部に嵌入または半嵌入状態とな
ることがないので、さらに短絡事故が防止できる。
【００３３】上記構成の製造方法によれば、ＳＰＢツー
ルの押圧面がボンディング部より小さいため、接合時の
インナーリードの塑性変形により、対向したリード受部
からインナーリードを浮き上がらせることができ、短絡
事故が防止できる。
【００３４】また、テーパ部のあるパッド電極を先にイ
ンナーリードに接合するため、自己整合力が強く作用
し、位置ずれが補正される。
【００３５】さらに、上記構成の製造方法によれば、Ｇ
Ｂツールを用いてもＳＰＢツールを用いても接合するこ
とが可能であるため、迅速に製造することができ、コス
トアップを極力抑えることができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を示す
図１の平面図を参照すると、この実施の形態の半導体チ
ップ１０は、第１のパッド電極１が一辺２０に沿って数
十若しくは百個を越えて主表面上に配列されており、こ
の第１のパッド電極１間には、平面上１８０度回転した
平面形の第２のパッド電極２が、同様に多数配列されて
いる。
【００３７】第１のパッド電極１は、ＳＰＢツール９が
第１のインナーリード６を介して当接する幅広のボンデ
イング部５と、第１のインナーリード６の端部が当接す
る幅の狭いリード受部３と、リード受部３とボンディン
グ部５との移行部分で平面上４５度程度の傾きを備えた
移行部４とを備える。この移行部４は４５度程度の傾き
を有するが、このような傾きがなく、曲線であってもよ
い。第１のパッド電極１と第２のパッド電極２とを逆方
向に配置しているため、パッド電極を高密度に配列でき
ると共に、インナーリードとパッド電極との相対位置ず
れに対して、後述するように、短絡事故が発生しない。
【００３８】ＳＰＢツール９は、ボンディング部５の平
面内に入るような寸法を有する。第１のインナーリード
６の最先端は、平面上リード受部３上から外部に出てい
てもよいが、この外部に出ている部分の幅寸法は、パッ
ド電極１の厚さ寸法以内に留める。第２のパッド電極２
は、第１のパッド電極１の間に存在するが、第１のパッ
ド電極１を１８０度回転した平面形を呈する。
【００３９】図１上では、一辺２０に沿った第１，第２
のパッド電極１，２の配列を部分的に示していてもよ
く、また対向した二辺にのみ存在していてもよく、必要
に応じて、適宜一辺，二辺，三辺，四辺に形成される。
【００４０】第１，第２のインナーリード６，７が絶縁
フィルム１１上に配列されてなるフィルムキャリアテー
プは、上述した〔従来の技術〕において説明したテープ
が使用されてよい。図６で示した寸法差のある第２のイ
ンナーリード７も、この実施の形態の第１のパッド電極
１にボンディングすることができる。
【００４１】パッド電極１，２は、金または金を主素材
とした合金若しくは金メッキされた金属体からなる。こ
の平面のパターンは、周知の蝕刻技術により、形成され
る。第１，第２のインナーリード６，７は、金または金
を主素材とした合金若しくは金メッキされた銅からな
る。
【００４２】第１のパッド電極１に第１のインナーリー
ド６を接合させるためのＳＰＢツール９は、第２のパッ
ド電極２に第２のインナーリード７を接合させるための
ＳＰＢツール８と共通のものであり、接合順序は図７に
おいて説明したように、種々の工夫が施されることが好
ましい。
【００４３】図１の第１のインナーリード６の側面図を
示す図２を参照すると、ＳＰＢツール９でボンディング
した直後のＳＰＢツール９の引き上げ途中を示した状態
であり、図示はされていないが従来と同様に加熱した状
態で、インナーリード６がボンディング部５にＳＰＢ９
で押圧されてすでに接合されている。この際、インナー
リード６は、ＳＰＢツール９の押圧力で１μ乃至３μ程
度押し潰されると共に、この押し潰す力はインナーリー
ド６の遠位端６′と近位端６′′とを上方に塑性変形さ
せる応力となり、実際に遠位端６′はリード受部３から
浮き上がり、所定の離間部が形成され、同様に近位端
６′′もボンディング部５の表面から浮き上がり、半導
体チップ１０の主表面との接触を防止する方向に変形す
る。ここで、インナーリード６の反屈曲力に抗して、イ
ンナーリードを浮き上がらせた前記応力が残存している
ため、特に外部振動に強い。
【００４４】図１の第２のインナーリード７の側面図を
示す図３を参照すると、ＳＰＢツール８でインナーリー
ド７をボンディング部５に接合直後の状態が示されてお
り、ＳＰＢツール８がインナーリード７を押し潰す時の
塑性変形に基く応力により、遠位端７′，近位端７′′
が共に浮き上がり、近位端７′′はリード受部３と離間
する。
【００４５】以上の実施の形態では、図１に示すよう
に、位置ずれのない理想的なボンディング状態を示して
いる。例に、第１のインナーリード６が図１の平面図に
向って右方に位置ずれを生じ、インナーリード６の遠位
端６′が第１のパッド電極１のリード受部３と第２のパ
ッド電極２のボンディング部５との間の凹部２１内に、
ＳＰＢツール９で押圧されて接合直前に、嵌入または半
嵌入状態となったとする。しかし、接合時の塑性変形の
応力が遠位端６′に作用して、嵌入または半嵌入状態か
ら離脱し、図２に示すように離間部が形成されて、第２
のパッド電極２にインナーリード６の先端６′が接触す
ることがない。
【００４６】このような位置ずれでは、第１のインナー
リード６の近位端６′′が、幅広のボンディング部５か
らはみ出すことはなく、このため図８のようにＳＰＢツ
ール９の押圧力により回転力が生じることがなく、この
ため嵌入状態となっていても確実に離脱状態になり得
る。
【００４７】ここで、第１のインナーリード６の幅寸法
Ｑが、凹部２１の幅寸法Ｆより大きい場合が、嵌入状態
におちいることがない点でより好ましい。
【００４８】一方、位置ずれが生じても第２のインナー
リード７がパッド電極間の凹部に嵌入するようなことは
ない。図３からも明白なように、半導体チップ１０の主
表面から高さ寸法Ｈだけ、インナーリード７が上方に位
置しており、反屈曲力に抗してこのインナーリード７を
押し下げた状態で接合するからである。
【００４９】以上から、ＳＰＢの場合のインナーリード
の中心線２２からの最大許容変位量Ｘは、次式で示され
る。
【００５０】Ｘ≦（Ｄ−Ｑ）／２＋Ｆ・・・（ｉ） Ｄ／２＋Ｆ≦Ｅ／２ ・・・（ｉｉ） Ｄ≧Ｆ ・・・（ｉｉｉ） ここで、幅寸法Ｅはボンディング部５の幅寸法を、幅寸
法Ｄはリード受部３の幅寸法を各々示す。
【００５１】今変位量Ｘが予測でき、インナーリードの
幅寸法Ｑが定まっていれば、上記３式から、最も好まし
い各寸法Ｄ，Ｅ，Ｅが略求まる。
【００５２】以上のように、上記３式をすべて満足する
ことが最も好ましいが、このような３式をすべて満足し
なくとも、次式を満足するだけで、著しく短絡事故が少
なくなると共に、さらに高密度にパッド電極を集積でき
ることが判った。
【００５３】Ｘ≦Ｅ／２ ・・・（ｉｖ） Ｄ／２＋Ｆ≦Ｅ／２・・・（ｖ） この場合の最大変位量Ｘ＝Ｅ／２のときの状態を図４
（Ａ），（Ｂ）の断面図を参照して説明する。図４
（Ａ）は図１のｍ−ｍ′線の断面図、図４（Ｂ）は図１
のｎ−ｎ′線の断面図であり、いずれもＸ＝Ｅ／２即ち
インナーリードの中心がボンディング部の端部上にある
場合を示す。図４（Ａ）において、第１のインナーリー
ド６がＳＰＢツール９により押圧されて接合する直前の
状態では、イナーリード６の先端は右側が第２のパッド
電極２に当接し、左側が開放されているので、反時計方
向に回転しようとするが、（Ｂ）に示すようにボンディ
ング部５上のインナーリード６は逆に右側が開放状態，
左側が第１の電極１に当接しているので、時計方向に回
転しようとする。双方の回転力は、互いに相殺されたま
ま、ＳＰＢツール９によりインナーリード６が押し潰さ
れた形で接合される。この時の塑性変形による応力で、
（Ａ）に示すように第２のパッド電極２からインナーリ
ード６の先端が浮き上がり、短絡状態は解消する。
【００５４】一方、第２のインナーリード７も同様に回
転力が相殺されたまま接合される。この場合のインナー
リード７は、上記塑性変形による応力とインナーリード
７自体の反屈曲力が加わった状態で、第１のパッド電極
１から浮き上がり、短絡はしない。
【００５５】以上の説明は、ＳＰＢ技術が適用される場
合であるが、ＧＢ技術が適用される場合には、第１，第
２のパッド電極１，２の平面を越えた広い面積のＧＢツ
ールが適用されるため、各電極１，２にはリード受部３
が、接触事故を防止する上で、必要不可欠である。この
場合は、一度に全パッド電極を接合するため、絶縁フィ
ルム１１が熱膨張し切るまでに、すでに接合が終了して
いる。従って、熱膨張による位置ずれは、ＳＰＢの場合
に比較して、無視し得る程小さい。
【００５６】図１，図２，図３に示した各部の寸法即ち
リード受部３の長さ寸法Ａ：移行部４の長さ寸法Ｂ：ボ
ンディング部５の長さ寸法Ｃ：リード受部３の幅寸法
Ｄ：ボンディング部５の幅寸法Ｅ：凹部２１の幅寸法
Ｆ：パッド電極の厚さ寸法Ｊは、４：１：３：２：４：
１：０．５〜１．０程度が好ましい。
【００５７】ちなみに、Ｅ＝８０μとすると、Ａ＝８０
μ，Ｂ＝２０μ，Ｃ＝６０μ，Ｄ＝４０μ，Ｊ＝１０〜
２０μとなる。この具体的数値は、上記（ｉ）乃至
（ｖ）式を満足している。この他に、半導体チップ１０
の主表面からインナーリード６，７までの高さ寸法Ｈを
１００μ乃至２００μとし、インナーリード６，７の幅
寸法Ｑを３０μ，厚さ寸法を１８μ乃至３５μとする。
尚、パッド電極の配列ピッチは８０μとなる。
【００５８】以上のような寸法を備えたパッド電極を各
辺に１００個（合計４００個）を形成した半導体チップ
を２個製造し、そのうちの１個にＳＰＢ技術を、他の１
個にＧＢ技術を各々用いたところでは、半導体チップの
主表面との接触事故や他のパッド電極との短絡事故等は
認められなかった。また、接合強度は、図７の場合に比
較して、３０％乃至５０％向上していることが判明し
た。
【００５９】尚、図２に示したインナーリード６の遠位
端６′は、片方が開放端となっているが、この長さは８
０μ乃至１００μであり、インナーリード６の全長に比
較して小さいため、実際に生じる外部振動に共振するよ
うなこともない。
【００６０】本発明の第２の実施の形態を示す図５の平
面図を参照すると、この実施の形態は、第２のパッド電
極１３の平面形状のみが上述した第１の実施の形態と相
違しているため、相違した部分のみを説明し、第１の実
施の形態と共通した構成・作用・効果については説明を
省く。
【００６１】第２のパッド電極１３の幅広のボンディン
グ部１４には、テーパ部１６，１７を有する切り欠きが
形成されている。これらのテーパ部１６，１７は、位置
ずれに対して自己整合力を備えている。仮えば、ＳＰＢ
ツールでインナーリード７が押し下げられて接合直前に
なると、点線の位置にずれていたインナーリード７は矢
印方向の応力が作用し、パッド電極１３の中心方向ヘ移
動して、インナーリード２７となった状態で接合される
ため、位置ずれが自動補正される。また、本実施の形態
では、リード受部１５とボンディング部１４との間に移
行部４を有しておらず直交しているが、図１のような移
行部４が設けられれば更によい。
【００６２】この実施の形態では、まずテーパ部を備え
たパッド電極１３をすべて先に接合して自己整合力が作
用した後に、第１のパッド電極１２を接合することが好
ましい。
【００６３】この実施の形態によれば、最大許容変位量
を第１の実施の形態より大きくとれる点で、優れてい
る。
【００６４】上述した第１，第２の実施の形態におい
て、リード受部の表面またはインナーリードのリード受
部対向面若しくはこれら双方の表面に、絶縁性の被膜が
コーティングされていることが、不測の接触事故に備え
る点では好ましい。
【００６５】また、上述した第１，第２の実施の形態に
おいて、パッド電極間の凹部に絶縁性樹脂を埋め込むこ
とが、嵌入状態または半嵌入状態を解消するために、考
えられる。
【００６６】図１，図５に示した平面形状のパッド電極
は、インナーリードの接合の他に、ボンディングワイヤ
を接合する場合にも好適な形状となっている。この場合
にも、上述した実施の形態に準じた効果が得られる。
【００６７】さらに、上述した実施の形態によれば、パ
ッド電極は８０μピッチであるが、この他に６０μの狭
ピッチでも、上記実施の形態に準じた効果が得られた。
【００６８】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、リ
ード受部とボンディング部とが移行部を介して接続され
たパッド電極の幅の広いボンディング部と幅の狭いリー
ド受部とを交互に配列し、かつパッド電極を一列状に配
列したこと等により、上述した（Ａ）乃至（Ｉ）の各課
題がことごとく達成された。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す平面図であ
る。
【図２】図１の第１のインナーリードを示す側面図であ
る。
【図３】図１の第２のインナーリードを示す側面図であ
る。
【図４】（Ａ），（Ｂ）は各々図１のｍ−ｍ′線，ｎ−
ｎ′線の断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態を示す平面図であ
る。
【図６】従来の半導体集積回路装置のパッド電極とイン
ナーリードとの部分を示す平面図である。
【図７】図６のパッド電極を改良した半導体チップを示
す平面図である。
【図８】（Ａ），（Ｂ）は各々図７のｆ−ｆ′線，ｇ−
ｇ′線の断面図である。
【符号の説明】
１，１２，５１ 第１のパッド電極 ２，１３，５２ 第２のパッド電極 ３，１５，６２，６２′ リード受部 ４ 移行部 ５，１４，６３，６３′ ボンディング部 ６ 第１のインナーリード ６′，７′ 遠位端 ６′′，７′′ 近位端 ７，２７ 第２のインナーリード ８，９，５４，５５，６４，６５ ＳＰＢツール １０，５０，６０ 半導体チップ １１ 絶縁フィルム １６，１７ テーパ部 ２１，６６，６６′ 凹部 ２２ 中心線 ５３ バンプ ６１，６１′ パッド電極 Ａ乃至Ｈ，Ｊ，Ｋ，Ｌ 寸法

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１のパッド電極からなる第１群と第２
    のパッド電極からなる第２群とが半導体チップの主表面
    に配列され、前記第１，第２のパッド電極にインナーリ
    ードが各々接続されている半導体集積回路装置におい
    て、前記第１のパッド電極と前記第２のパッド電極とは
    交互にかつ一列状に配列されていることと、前記第１，
    第２のパッド電極はいずれも、前記インナーリードに対
    向する幅の狭いリード受部と前記インナーリードに接合
    する幅の広いボンディング部とこのボンディング部と前
    記リード受部とをつなぐ移行部とを備えていることと、
    前記リード受部と前記ボンディング部との配置は、前記
    第１のパッド電極と第２のパッド電極とで互いに逆方向
    となっていることとを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 【請求項２】 第１のパッド電極からなる第１群と第２
    のパッド電極からなる第２群とが半導体チップの主表面
    に配列され、前記第１，第２のパッド電極にインナーリ
    ードが各々接続されている半導体集積回路装置におい
    て、前記第１のパッド電極と前記第２のパッド電極とは
    交互にかつ一列状に配列されていることと、前記第１，
    第２のパッド電極はいずれも、前記インナーリードに対
    向する幅の狭いリード受部と前記インナーリードに接合
    する幅の広いボンディング部とを備えていることと、前
    記第１または第２のパッド電極のボンディング部には、
    前記インナーリードが自己整合されて接合されるよう
    に、テーパ部が設けられていることと、前記リード受部
    と前記ボンディング部との配置は、前記第１のパッド電
    極と第２のパッド電極とで互いに逆方向となっているこ
    ととを特徴とする半導体集積回路装置。
  3. 【請求項３】 前記第１，第２のパッド電極間の凹部の
    幅寸法は、前記インナーリードの幅寸法より小さくなっ
    ている請求項１記載の半導体集積回路装置。
  4. 【請求項４】 前記移行部が、つながれているリード受
    部若しくはボンディング部の接続辺の向きに対して傾き
    が略４５度の直線または曲線である請求項１または３記
    載の半導体集積回路装置。
  5. 【請求項５】 請求項１または３に記載の半導体集積回
    路装置の製造方法において、前記ボンディング部の平面
    寸法よりも小さい押圧面を備えたシングル・ ポイント・
    ボンディング・ツールが前記インナーリードの接合に使
    用されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
    法。
  6. 【請求項６】 請求項１または３に記載の半導体集積回
    路装置の製造方法において、ギャング・ボンディング・
    ツールが前記インナーリードの接合に使用されることを
    特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項２に記載の半導体集積回路装置の
    製造方法において、ボンディング部に前記テーパ部を設
    けた方のパッド電極が先に前記インナーリードに接合さ
    れた後、ボンディング部に前記テーパ部を設けていない
    パッド電極が前記インナーリードに接合されることを特
    徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
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