JPWO2020022378A1

JPWO2020022378A1 - 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器

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Publication number: JPWO2020022378A1
Application number: JP2020532440A
Authority: JP
Inventors: 圭一安川; 将太澤野; 沖中　啓二; 啓二沖中; 俊成荻原; 拓史塩見
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 2018-07-27
Filing date: 2019-07-24
Publication date: 2021-08-26
Anticipated expiration: 2039-07-24
Also published as: EP3696167A1; CN111372918A; KR20210038406A; CN111372918B; EP3696167A4; JP7252959B2; WO2020022378A1; US20210143341A1; US11482681B2

Abstract

式(１１)〜(１３)の何れかで表される化合物。式(１１)〜(１３)中、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に式(１-１)で表される基等、又は式(２-１)で表される基もしくは式(２-２)で表される基等であり、Ｒ１〜Ｒ４の内少なくとも１つは、式(１-１)で表される基等であり、Ｒ１〜Ｒ４の内少なくとも１つは、式(２-１)又は式(２-２)で表される基等であり、例えば、式(１-１)中、Ｘ１は、Ｏ原子、Ｓ原子又はＣＲ１５１Ｒ１５２であり、Ｒ１０１〜Ｒ１１０、Ｒ１５１及びＲ１５２は、各々独立にＨ原子又は置換基等であり、例えば、式(２-１)〜式(２-２)中、Ｒ１６１〜Ｒ１６８及びＲ１７１〜Ｒ１８０は、各々独立にＨ原子又は置換基である。＊は、各々独立に式(１１)〜(１３)中のベンゼン環のＣ原子との結合部位を表す。

Description

本発明は、化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という場合がある。）に電圧を印加すると、陽極から正孔が発光層に注入され、また陰極から電子が発光層に注入される。そして、発光層において、注入された正孔と電子とが再結合し、励起子が形成される。このとき、電子スピンの統計則により、一重項励起子が２５％の割合で生成し、及び三重項励起子が７５％の割合で生成する。
一重項励起子からの発光を用いる蛍光型の有機ＥＬ素子は、携帯電話及びテレビ等のフルカラーディスプレイへ応用されつつあるが、内部量子効率２５％が限界といわれている。そのため、有機ＥＬ素子の性能を向上するための検討が行われている。

また、一重項励起子に加えて三重項励起子を利用し、有機ＥＬ素子をさらに効率的に発光させることが期待されている。このような背景から、熱活性化遅延蛍光（以下、単に「遅延蛍光」という場合がある。）を利用した高効率の蛍光型の有機ＥＬ素子が提案され、研究がなされている。
例えば、ＴＡＤＦ（ＴｈｅｒｍａｌｌｙＡｃｔｉｖａｔｅｄＤｅｌａｙｅｄＦｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ、熱活性化遅延蛍光）機構（メカニズム）が研究されている。このＴＡＤＦメカニズムは、一重項準位と三重項準位とのエネルギー差（ΔＳＴ）の小さな材料を用いた場合に、三重項励起子から一重項励起子への逆項間交差が熱的に生じる現象を利用するメカニズムである。熱活性化遅延蛍光については、例えば、『安達千波矢編、「有機半導体のデバイス物性」、講談社、２０１２年４月１日発行、２６１−２６８ページ』に記載されている。
ＴＡＤＦ性を示す化合物（以下、ＴＡＤＦ性化合物とも称する）としては、例えば、分子内に、ドナー部位とアクセプター部位とが結合した化合物が知られている。
例えば、特許文献１、２には、ベンゼン環に、縮合カルバゾール基と、シアノ基とが結合した化合物などが開示されている。

国際公開第２０１４／１４６７５２号公報国際公開第２０１４／２０８６９８号公報

例えば、特許文献１、２に記載の化合物のように、アクセプター性が比較的高いシアノ基と、ドナー性が比較的高い縮合カルバゾール基とを、単に複数結合させた化合物は、当該化合物を昇華精製する際に、昇華温度が上昇する傾向がある。化合物の昇華温度が上昇すると、精製時間が長くなり、精製効率が低下する。近年では、精製効率の観点から、昇華温度をより低下させることが求められている。
一方、ＴＡＤＦ性化合物においては、ＴＡＤＦ性を良好に維持することが重要とされる。

本発明の目的は、ＴＡＤＦ性を維持しつつ、昇華精製する際の昇華温度を低下し得る化合物、当該化合物を含む有機ＥＬ素子用材料、及び当該化合物を用いた有機ＥＬ素子、並びに当該有機ＥＬ素子を搭載した電子機器を提供することである。
また、当該化合物及び当該化合物を含む有機ＥＬ素子用材料を用いることによって、優れた性能を有する有機ＥＬ素子及び電子機器を提供すること、並びに、優れた性能を有する有機ＥＬ素子及び電子機器を実現させることのできる化合物、及び当該化合物を含む有機ＥＬ素子用材料を提供することも、本発明の目的である。

本発明の一態様によれば、下記一般式（１１）〜（１３）のいずれかで表される化合物が提供される。

前記一般式（１１）〜（１３）において、Ｒ_１〜Ｒ_４は、それぞれ独立に、下記一般式（１−１）〜（１−６）で表される基のいずれかの基であるか、または下記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基のいずれかの基であり、ただし、Ｒ_１〜Ｒ_４のうち少なくとも１つは、下記一般式（１−１）〜（１−６）で表される基のいずれかの基であり、Ｒ_１〜Ｒ_４のうち少なくとも１つは、下記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基のいずれかの基である。

前記一般式（１−１）において、Ｘ_１は、酸素原子、硫黄原子、またはＣＲ_１５１Ｒ_１５２であり、Ｒ_１０１〜Ｒ_１１０は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であり、Ｒ_１５１及びＲ_１５２は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であるか、又はＲ_１５１及びＲ_１５２が互いに結合して環を形成し、
置換基としてのＲ_１０１〜Ｒ_１１０、Ｒ_１５１及びＲ_１５２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１４の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜６のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜１２のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキルチオ基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリールチオ基である。
前記一般式（１−２）において、Ｘ_２及びＲ_１１１〜Ｒ_１２０は、それぞれ、前記一般式（１−１）におけるＸ_１及びＲ_１０１〜Ｒ_１１０と同義である。
前記一般式（１−３）において、Ｘ_３及びＲ_１２１〜Ｒ_１３０は、それぞれ、前記一般式（１−１）におけるＸ_１及びＲ_１０１〜Ｒ_１１０と同義である。
前記一般式（１−４）において、Ｘ_４及びＲ_１３１〜Ｒ_１４０は、それぞれ、前記一般式（１−１）におけるＸ_１及びＲ_１０１〜Ｒ_１１０と同義である。
前記一般式（１−５）において、Ｘ_５及びＲ_１４１〜Ｒ_１５０は、それぞれ、前記一般式（１−１）におけるＸ_１及びＲ_１０１〜Ｒ_１１０と同義である。
前記一般式（１−６）において、Ｘ_６及びＲ_６１〜Ｒ_７０は、それぞれ、前記一般式（１−１）におけるＸ_１及びＲ_１０１〜Ｒ_１１０と同義である。＊は、それぞれ独立に、前記一般式（１１）〜（１３）中におけるベンゼン環の炭素原子との結合部位を表す。

前記一般式（２−１）において、Ｒ_１６１〜Ｒ_１６８は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であり、
置換基としてのＲ_１６１〜Ｒ_１６８は、それぞれ独立に、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１４の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜６のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜１２のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキルチオ基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリールチオ基である。
前記一般式（２−２）において、Ｒ_１７１〜Ｒ_１８０は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であり、置換基としてのＲ_１７１〜Ｒ_１８０は、それぞれ独立に、前記一般式（２−１）におけるＲ_１６１〜Ｒ_１６８について列挙した置換基と同義である。
前記一般式（２−３）において、Ｒ_１８１〜Ｒ_１９０は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であり、置換基としてのＲ_１８１〜Ｒ_１９０は、それぞれ独立に、前記一般式（２−１）におけるＲ_１６１〜Ｒ_１６８について列挙した置換基と同義である。
前記一般式（２−４）において、Ｒ_１９１〜Ｒ_２００は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であり、置換基としてのＲ_１９１〜Ｒ_２００は、それぞれ独立に、前記一般式（２−１）におけるＲ_１６１〜Ｒ_１６８について列挙した置換基と同義である。＊は、それぞれ独立に、前記一般式（１１）〜（１３）中におけるベンゼン環の炭素原子との結合部位を表す。

本発明の一態様によれば、前述の本発明の一態様に係る化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が提供される。

本発明の一態様によれば、
陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に含まれる第一の有機層と、
を有し、
前記第一の有機層は、第一の化合物を含み、
前記第一の化合物は、前述の本発明の一態様に係る化合物である、
有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。

本発明の一態様によれば、前述の本発明の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器が提供される。

本発明の一態様によれば、ＴＡＤＦ性を維持しつつ、昇華精製する際の昇華温度を低下し得る化合物、当該化合物を含む有機ＥＬ素子用材料、及び当該化合物を用いた有機ＥＬ素子、並びに当該有機ＥＬ素子を搭載した電子機器を提供することができる。

本発明の第三実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の概略構成を示す図である。過渡ＰＬを測定する装置の概略図である。過渡ＰＬの減衰曲線の一例を示す図である。本発明の第三実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の発光層における第一の化合物、及び第二の化合物のエネルギー準位、並びにエネルギー移動の関係を示す図である。本発明の第四実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の発光層における第一の化合物、第二の化合物、及び第三の化合物のエネルギー準位、並びにエネルギー移動の関係を示す図である。本発明の第五実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の発光層における第一の化合物、及び第四の化合物のエネルギー準位、並びにエネルギー移動の関係を示す図である。

〔第一実施形態〕
〔化合物〕
本実施形態に係る化合物は、下記一般式（１１）〜（１３）のいずれかで表される化合物である。

前記一般式（１−１）〜（１−６）において、Ｒ_１０１〜Ｒ_１１０、Ｒ_１１１〜Ｒ_１２０、Ｒ_１２１〜Ｒ_１３０、Ｒ_１３１〜Ｒ_１４０、Ｒ_１４１〜Ｒ_１５０、Ｒ_６１〜Ｒ_７０、Ｒ_１５１及びＲ_１５２のいずれか１つ以上が水素原子である場合、当該水素原子の全てが軽水素であるか、当該水素原子の内いずれか１つ以上が重水素であるか、または当該水素原子の全てが重水素であることが好ましい。
前記一般式（１−１）〜（１−６）において、Ｒ_１０１〜Ｒ_１１０、Ｒ_１１１〜Ｒ_１２０、Ｒ_１２１〜Ｒ_１３０、Ｒ_１３１〜Ｒ_１４０、Ｒ_１４１〜Ｒ_１５０、Ｒ_６１〜Ｒ_７０、Ｒ_１５１及びＲ_１５２のいずれか１つ以上が置換基であって、当該置換基が水素原子を１つ以上有する場合、当該水素原子の全てが軽水素であるか、当該水素原子の内いずれか１つ以上が重水素であるか、または当該水素原子の全てが重水素であることが好ましい。

前記一般式（２−１）において、Ｒ_１６１〜Ｒ_１６８は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であり、
ハロゲン原子、
置換基としてのＲ_１６１〜Ｒ_１６８は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１４の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜６のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜１２のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキルチオ基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリールチオ基である。
前記一般式（２−２）において、Ｒ_１７１〜Ｒ_１８０は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であり、置換基としてのＲ_１７１〜Ｒ_１８０は、それぞれ独立に、前記一般式（２−１）におけるＲ_１６１〜Ｒ_１６８について列挙した置換基と同義である。
前記一般式（２−３）において、Ｒ_１８１〜Ｒ_１９０は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であり、置換基としてのＲ_１８１〜Ｒ_１９０は、それぞれ独立に、前記一般式（２−１）におけるＲ_１６１〜Ｒ_１６８について列挙した置換基と同義である。
前記一般式（２−４）において、Ｒ_１９１〜Ｒ_２００は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であり、置換基としてのＲ_１９１〜Ｒ_２００は、それぞれ独立に、前記一般式（２−１）におけるＲ_１６１〜Ｒ_１６８について列挙した置換基と同義である。＊は、それぞれ独立に、前記一般式（１１）〜（１３）中におけるベンゼン環の炭素原子との結合部位を表す。

前記一般式（２−１）〜（２−４）において、Ｒ_１６１〜Ｒ_１６８、Ｒ_１７１〜Ｒ_１８０、Ｒ_１８１〜Ｒ_１９０及びＲ_１９１〜Ｒ_２００のいずれか１つ以上が水素原子である場合、当該水素原子の全てが軽水素であるか、当該水素原子の内いずれか１つ以上が重水素であるか、または当該水素原子の全てが重水素であることが好ましい。
前記一般式（２−１）〜（２−４）において、Ｒ_１６１〜Ｒ_１６８、Ｒ_１７１〜Ｒ_１８０、Ｒ_１８１〜Ｒ_１９０及びＲ_１９１〜Ｒ_２００のいずれか１つ以上が置換基であって、当該置換基が水素原子を１つ以上有する場合、当該水素原子の全てが軽水素であるか、当該水素原子の内いずれか１つ以上が重水素であるか、または当該水素原子の全てが重水素であることが好ましい。

カルバゾール基に、５員環（ただし、ヘテロ原子が窒素原子ではない環）とベンゼン環とが結合した基、すなわち、一般式（１−１）〜（１−６）で表される基（以下、「５環のカルバゾール基」とも称する）を、ジシアノベンゼンに結合させた化合物は、有機ＥＬ素子の特性に良好に働くと考えられる。
これは、５環のカルバゾール基が、例えば、一般式（２−１）〜（２−４）で表される基（以下、「３環もしくは４環のカルバゾール基」とも称する）に比べ、共役長が伸びているためと考えられる。また、５環のカルバゾール基特有の骨格にも起因すると考えられる。これにより、イオン化ポテンシャルが浅く（絶対値が小さく）なる傾向がある。その結果、５環のカルバゾール基を有する化合物を、例えば、発光層含ませた場合には、正孔輸送層から発光層への正孔注入特性が向上し、また発光層中の電荷輸送特性が向上すると考えられる。
一方、このような電荷輸送特性を有する５環のカルバゾール基を、例えば、ジシアノベンゼンに４つ結合させた化合物では、当該化合物を昇華精製する際に、昇華温度が上昇し易くなる。化合物の昇華温度が上昇すると、精製時間が長くなるので、精製効率が低下するという問題が生じる。
そこで、本発明者らは、（ｉ）５環のカルバゾール基（一般式（１−１）〜（１−６）で表される基）と、（ii）３環もしくは４環のカルバゾール基（一般式（２−１）〜（２−４）で表される基）とを併用し、ジシアノベンゼンに、（ｉ）及び（ii）の基を合計４つ結合させることで、ＴＡＤＦ性を維持したまま、昇華温度を低下し得る化合物を見出した。
すなわち、本実施形態の化合物においては、５環のカルバゾール基と、３環もしくは４環のカルバゾール基とを一つの化合物内に有することが、昇華温度の低下に寄与すると考えられる。
加えて、３環もしくは４環のカルバゾール基は、５環のカルバゾール基に比べ、３重項エネルギーの高い骨格を有するので、例えば、発光層中に存在させることにより、３重項状態からのエネルギー失活を抑制する機能を発現できると考えられる。
したがって、本実施形態によれば、電荷輸送特性に優れた「５環のカルバゾール基」と「３環もしくは４環のカルバゾール基」とを併用することによって、昇華温度の低下とＴＡＤＦ性の維持とのバランスを図ることができると考えられる。その結果、ＴＡＤＦ性を維持しつつ、昇華精製する際の昇華温度を低下し得る化合物が得られると考えられる。

本明細書において、ＴＡＤＦ性が維持されるとは、具体的には例えば、実施例において測定される「Ｘ_Ｄ／Ｘ_Ｐの値」が０．０５以上であることを意味する。
Ｘ_Ｐの値はＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量であり、Ｘ_Ｄの値はＤｅｌａｙ発光（遅延発光）の量である。測定方法の詳細は、実施例の項に記載する。

本実施形態の化合物において、Ｒ_１〜Ｒ_４の基として、前記一般式（１−１）で表される基が複数個存在するとき、複数ある一般式（１−１）で表される基は、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましく、
Ｒ_１〜Ｒ_４の基として、前記一般式（１−２）で表される基が複数個存在するとき、複数ある一般式（１−２）で表される基は、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましく、
Ｒ_１〜Ｒ_４の基として、前記一般式（１−３）で表される基が複数個存在するとき、複数ある一般式（１−３）で表される基は、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましく、
Ｒ_１〜Ｒ_４の基として、前記一般式（１−４）で表される基が複数個存在するとき、複数ある一般式（１−４）で表される基は、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましく、
Ｒ_１〜Ｒ_４の基として、前記一般式（１−５）で表される基が複数個存在するとき、複数ある一般式（１−５）で表される基は、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましく、
Ｒ_１〜Ｒ_４の基として、前記一般式（１−６）で表される基が複数個存在するとき、複数ある一般式（１−６）で表される基は、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましい。
すなわち、具体的には例えば、Ｒ_１およびＲ_２の基として、前記一般式（１−１）で表される基が２つ選ばれ、Ｒ_３の基としては前記一般式（１−２）で表される基が１つ選ばれ、Ｒ_４の基としては前記一般式（２−１）で表される基が１つ選ばれた場合は、該２つの前記一般式（１−１）で表される基（Ｒ_１およびＲ_２の基）は、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましい。
また例えば、Ｒ_１〜Ｒ_３の基として、前記一般式（１−１）で表される基が３つ選ばれた場合は、該３つの前記一般式（１−１）で表される基（Ｒ_１〜Ｒ_３の基）は、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましい。

本実施形態の化合物において、Ｒ_１〜Ｒ_４のうちの２つが、前記一般式（１−１）〜（１−６）で表される基から選ばれ、残りの２つが前記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基から選ばれたとき、２つの前記一般式（１−１）〜（１−６）で表される基は、いずれも前記一般式（１−１）〜（１−６）のうちの１つの一般式により表され、かつ、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましい。
また、Ｒ_１〜Ｒ_４のうちの３つが、前記一般式（１−１）〜（１−６）で表される基から選ばれ、残りの１つが前記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基から選ばれたとき、該３つの前記一般式（１−１）〜（１−６）で表される基は、いずれも前記一般式（１−１）〜（１−６）のうちの１つの一般式により表され、かつ、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましい。
例えば、Ｒ_１〜Ｒ_４の基として、一般式（１−１）で表される基が３つ選ばれたとき、
選ばれた３つの基は、一般式（１−１）で表される基であり、かつ置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましい。

本実施形態の化合物において、Ｒ_１〜Ｒ_４の基として、前記一般式（２−１）で表される基が複数個存在するとき、複数ある一般式（２−１）で表される基は、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましく、
Ｒ_１〜Ｒ_４の基として、前記一般式（２−２）で表される基が複数個存在するとき、複数ある一般式（２−２）で表される基は、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましく、
Ｒ_１〜Ｒ_４の基として、前記一般式（２−３）で表される基が複数個存在するとき、複数ある一般式（２−３）で表される基は、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましく、
Ｒ_１〜Ｒ_４の基として、前記一般式（２−４）で表される基が複数個存在するとき、複数ある一般式（２−４）で表される基は、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましい。
すなわち、具体的には例えば、Ｒ_１およびＲ_２の基として、前記一般式（２−１）で表される基が２つ選ばれ、Ｒ_３の基としては前記一般式（２−２）で表される基が１つ選ばれ、Ｒ_４の基としては前記一般式（１−１）で表される基が１つ選ばれた場合は、該２つの前記一般式（２−１）で表される基（Ｒ_１およびＲ_２の基）は、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましい。
また例えば、Ｒ_１〜Ｒ_３の基として、前記一般式（２−１）で表される基が３つ選ばれた場合は、該３つの前記一般式（２−１）で表される基（Ｒ_１〜Ｒ_３の基）は、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましい。

本実施形態の化合物において、Ｒ_１〜Ｒ_４のうちの２つが、前記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基から選ばれ、残りの２つが前記一般式（１−１）〜（１−６）で表される基から選ばれたとき、２つの前記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基は、いずれも前記一般式（２−１）〜（２−４）のうちの１つの一般式により表され、かつ、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましい。
また、Ｒ_１〜Ｒ_４のうちの３つが、前記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基から選ばれ、残りの１つが前記一般式（１−１）〜（１−６）で表される基から選ばれたとき、該３つの前記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基は、いずれも前記一般式（２−１）〜（２−４）のうちの１つの一般式により表され、かつ、置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましい。
例えば、Ｒ_１〜Ｒ_４の基として、一般式（２−１）で表される基が３つ選ばれたとき、選ばれた３つの基は、一般式（２−１）で表される基であり、かつ置換基も含めて互いに同一の基であることが好ましい。

本実施形態の化合物は、下記一般式（１０１）〜（１２３）で表される化合物のいずれかの化合物であることが好ましい。

前記一般式（１０１）〜（１２３）において、Ｄ_１は、それぞれ独立に、前記一般式（１−１）〜（１−６）で表される基のいずれかの基であり、Ｄ_２は、それぞれ独立に、前記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基のいずれかの基であり、複数のＤ_１は、互いに同一または異なり、複数のＤ_２は、互いに同一または異なる。

本実施形態の化合物において、前記一般式（１０１）〜（１２３）におけるＤ_１は、互いに同一の基であることが好ましい。

本実施形態の化合物において、前記一般式（１０１）〜（１２３）におけるＤ_２は、互いに同一の基であることが好ましい。

すなわち、本実施形態の化合物において、前記一般式（１０１）〜（１２３）におけるＤ_１は、互いに同一の基であり、Ｄ_２は、互いに同一の基であることがより好ましい。

本実施形態の化合物は、前記一般式（１０１）、（１０６）、（１０７）、（１１０）、（１１１）、及び（１１６）〜（１１９）で表される化合物のいずれかの化合物であることが好ましい。

前記一般式（１−１）〜（１−６）において、Ｘ_１〜Ｘ_６は、酸素原子であることが好ましい。

前記一般式（１−１）〜（１−６）において、Ｘ_１〜Ｘ_６は、硫黄原子であることも好ましい。

前記一般式（１−１）〜（１−６）において、Ｘ_１〜Ｘ_６は、ＣＲ_１５１Ｒ_１５２であることも好ましい。

本実施形態の化合物において、一般式（１−１）〜（１−６）で表される基は、前記一般式（１−１）で表される基、前記一般式（１−２）で表される基、または前記一般式（１−４）で表される基であることが好ましい。

本実施形態の化合物において、一般式（２−１）〜（２−４）で表される基は、下記一般式（２−５）〜（２−１７）で表される基のいずれかの基であることが好ましい。

前記一般式（２−５）〜（２−１７）において、＊は、それぞれ独立に、前記一般式（１１）〜（１３）中におけるベンゼン環の炭素原子との結合部位を表し、Ｄは重水素を表す。

本実施形態の化合物において、一般式（２−１）〜（２−４）で表される基は、一般式（２−２）で表される基、一般式（２−３）で表される基、または一般式（２−４）で表される基であることが好ましい。

本実施形態の化合物において、一般式（２−１）〜（２−４）で表される基は、いずれも一般式（２−１）で表される基であることも好ましい。

本実施形態の化合物において、前記一般式（２−１）で表される基は、前記一般式（２−５）で表される基または前記一般式（２−１５）で表される基であることも好ましい。

本実施形態の化合物が、一般式（２−１）で表される基を有する場合、
Ｒ_１６１〜Ｒ_１６８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、または
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基であることが好ましい。

本実施形態の化合物が、一般式（２−１）で表される基を有する場合、
Ｒ_１６１、Ｒ_１６３、Ｒ_１６６及びＲ_１６８の少なくともいずれかに置換基を有し、
当該置換基は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、または
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基であり、
Ｒ_１６２、Ｒ_１６４、Ｒ_１６５及びＲ_１６７は水素原子であることも好ましい。

本実施形態の化合物は、前記一般式（１０１）、（１０６）、（１０７）、（１１０）、（１１１）、及び（１１６）〜（１１９）で表される化合物のいずれかの化合物であり、前記一般式（１０１）、（１０６）、（１０７）、（１１０）、（１１１）、及び（１１６）〜（１１９）において、Ｄ_１は、それぞれ独立に、一般式（１−１）で表される基、一般式（１−２）で表される基、または一般式（１−４）で表される基であり、Ｄ_２は、それぞれ独立に、一般式（２−５）〜（２−１４）で表される基のいずれかの基であることがより好ましい。
なお、複数のＤ_１は、互いに同一または異なり、複数のＤ_２は、互いに同一または異なる。

本実施形態の化合物は、前記一般式（１１）で表される化合物であることが好ましい。

本実施形態の化合物は、前記一般式（１２）で表される化合物であることも好ましい。

本実施形態の化合物は、前記一般式（１３）で表される化合物であることも好ましい。

前記一般式（１−１）〜（１−６）及び（２−１）〜（２−４）において、
置換基としてのＲ_１０１〜Ｒ_１５０、Ｒ_１５１、Ｒ_１５２、Ｒ_１６１〜Ｒ_１６８、Ｒ_１７１〜Ｒ_２００及びＲ_１７１〜Ｒ_１８０及びＲ_６１〜Ｒ_７０は、それぞれ独立に、
ハロゲン原子、
無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、
無置換の環形成原子数５〜１４の複素環基、
無置換の炭素数１〜６のアルキル基、
無置換の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基、
無置換の炭素数３〜６のアルキルシリル基、
無置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、
無置換の環形成炭素数６〜１４のアリールオキシ基、
無置換の炭素数２〜１２のアルキルアミノ基、
無置換の炭素数１〜６のアルキルチオ基、または
無置換の環形成炭素数６〜１４のアリールチオ基であることが好ましい。

前記一般式（１−１）〜（１−６）及び（２−１）〜（２−４）において、
前記置換基としてのＲ_１０１〜Ｒ_１５０、Ｒ_１５１、Ｒ_１５２、Ｒ_１６１〜Ｒ_１６８、Ｒ_１７１〜Ｒ_２００及びＲ_６１〜Ｒ_７０は、それぞれ独立に、
無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、または
無置換の炭素数１〜６のアルキル基であることが好ましい。

前記一般式（１−１）〜（１−６）において、
Ｒ_１０１〜Ｒ_１５０及びＲ_６１〜Ｒ_７０は、水素原子であり、
Ｒ_１５１及びＲ_１５２は、無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、または無置換の炭素数１〜６のアルキル基であり、
前記（２−１）〜（２−４）において、
Ｒ_１６１〜Ｒ_１６８及びＲ_１７１〜Ｒ_２００は、水素原子であることも好ましい。

本実施形態の化合物において、前記Ｒ_１〜Ｒ_４のそれぞれを構成する原子の原子量の総和をそれぞれ算出したとき、
前記一般式（１−１）〜（１−６）で表される基に該当する基の前記総和のうち最小の総和Ｍ１（ｍｉｎ）と、前記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基に該当する基の前記総和のうち最大の総和Ｍ２（ｍａｘ）とが下記数式（数１）の関係を満たすことが好ましい。
また、前記総和のうち最小の総和Ｍ１（ｍｉｎ）と、前記一般式（２−１）〜（２−１０）で表される基に該当する基の前記総和のうち最大の総和Ｍ２（ｍａｘ）とが、下記数式（数１Ｘ）の関係を満たすことが、さらに好ましい。
また、前記総和のうち最小の総和Ｍ１（ｍｉｎ）と、前記一般式（２−１）〜（２−１０）で表される基に該当する基の前記総和のうち最大の総和Ｍ２（ｍａｘ）とが、下記数式（数１Ｙ）の関係を満たすことが、特に好ましい。
数式（数１）、数式（数１Ｘ）または数式（数１Ｙ）の関係を満たすことにより、ＴＡＤＦ性が良好に維持され、化合物を昇華精製する際の昇華温度が低下し易くなる。
Ｍ１（ｍｉｎ）＞Ｍ２（ｍａｘ）（数１）
１４０＞Ｍ１（ｍｉｎ）−Ｍ２（ｍａｘ）（数１Ｘ）
１１０＞Ｍ１（ｍｉｎ）−Ｍ２（ｍａｘ）（数１Ｙ）

数式（数１）について説明する。
本実施形態の化合物が、一般式（１１）で表される化合物であって、一般式（１１）中、Ｒ_１が、無置換の５Ｈ−ベンゾフロ［３，２−ｃ］カルバゾール基（Ｃ_１８Ｈ_１０ＯＮ）であり、Ｒ_４が、１つのメチル基で置換された５Ｈ−ベンゾフロ［３，２−ｃ］カルバゾール基（Ｃ_１９Ｈ_１２ＯＮ）であり、Ｒ_２が、無置換のカルバゾール基（Ｃ_１２Ｈ_８Ｎ）であり、Ｒ_３が、１つのメチル基で置換されたカルバゾール基（Ｃ_１３Ｈ_１０Ｎ）である場合の化合物を例に挙げて説明する。
一般式（１１）で表される化合物において、Ｒ_１〜Ｒ_４が上記基である化合物は、下記化合物Ａとなる。
この場合、Ｒ_１（Ｃ_１８Ｈ_１０ＯＮ）を構成する原子の原子量の総和（以下、「総和Ｍ_Ｒ１」とも称する）は、１２×１８＋１０＋１６＋１４＝２５６と算出される。
Ｒ_４（Ｃ_１９Ｈ_１２ＯＮ）を構成する原子の原子量の総和（以下、「総和Ｍ_Ｒ４」とも称する）は、１２×１９＋１２＋１６＋１４＝２７０と算出される。
また、Ｒ_２（Ｃ_１２Ｈ_８Ｎ）を構成する原子の原子量の総和（以下、「総和Ｍ_Ｒ２」とも称する）は、１２×１２＋８＋１４＝１６６と算出される。
また、Ｒ_３（Ｃ_１３Ｈ_１０Ｎ）を構成する原子の原子量の総和（以下、「総和Ｍ_Ｒ３」とも称する）は、１２×１３＋１０＋１４＝１８０と算出される。
Ｒ_１及びＲ_４は、一般式（１−１）〜（１−６）で表される基に該当する基である。
Ｒ_１及びＲ_４の上記原子量の総和を比べると、総和Ｍ_Ｒ４＞総和Ｍ_Ｒ１、となるので、上記最小の総和Ｍ１（ｍｉｎ）は、総和Ｍ_Ｒ１となる。
Ｒ_２及びＲ_３は、一般式（２−１）〜（２−４）で表される基に該当する基である。
Ｒ_２及びＲ_３の上記原子量の総和を比べると、総和Ｍ_Ｒ３＞総和Ｍ_Ｒ２、となるので、上記最大の総和Ｍ２（ｍａｘ）は、総和Ｍ_Ｒ３となる。
したがって、下記化合物Ａは、「総和Ｍ_Ｒ１＞総和Ｍ_Ｒ３」であるため、数式（数１）の関係を満たす化合物である。

・本実施形態に係る化合物の製造方法
本実施形態に係る化合物は、例えば、後述する実施例に記載の方法により製造することができる。本実施形態に係る化合物は、後述する実施例で説明する反応に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応や原料を用いることで、製造することができる。

本実施形態に係る化合物の具体例としては、例えば、下記一般式（１１−１）、一般式（１２−１）〜（１２−２）及び一般式（１３−１）〜（１３−２）で表される化合物が挙げられる。

前記一般式（１１−１）において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_１Ｂ、及びＤ_２Ｂは、下記表３〜表２０中のＤ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_１Ｂ、及びＤ_２Ｂの欄にそれぞれ記載された番号に対応する基を表す。
前記一般式（１２−１）において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_１Ｂ、及びＤ_２Ｂは、下記表３〜表２０中のＤ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_１Ｂ、及びＤ_２Ｂの欄にそれぞれ記載された番号に対応する基を表す。
前記一般式（１２−２）において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_１Ｂ、及びＤ_２Ｂは、下記表３〜表２０中のＤ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_１Ｂ、及びＤ_２Ｂの欄にそれぞれ記載された番号に対応する基を表す。
前記一般式（１３−１）において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_１Ｂ、及びＤ_２Ｂは、下記表３〜表２０中のＤ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_１Ｂ、及びＤ_２Ｂの欄にそれぞれ記載された番号に対応する基を表す。
前記一般式（１３−２）において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_１Ｂ、及びＤ_２Ｂは、下記表３〜表２０中のＤ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_１Ｂ、及びＤ_２Ｂの欄にそれぞれ記載された番号に対応する基を表す。
下記表３〜表２０において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_１Ｂ、及びＤ_２Ｂの欄にそれぞれ記載された番号は、後述する基１〜基３６、及び基１’〜基１８’の番号に対応する。

以下、基１〜基３６及び基１’〜基１８’を示す。＊は、それぞれ独立に、前記一般式（１１−１）、一般式（１２−１）〜（１２−２）及び一般式（１３−１）〜（１３−２）、並びに、後述の一般式（１１−２）、一般式（１２−３）〜（１２−６）及び一般式（１３−３）〜（１３−４）中におけるベンゼン環の炭素原子との結合部位を表す。Ｍｅはメチル基を表す。Ｄは重水素を表す。

例えば、表３中、化合物１とは、
下記一般式（１１−１）において、Ｄ_１Ａ及びＤ_１Ｂが「１」の基であり、Ｄ_２Ａが及びＤ_２Ｂ「１’」の基である下記化合物１ａ、
下記一般式（１２−１）において、Ｄ_１Ａ及びＤ_１Ｂが「１」の基であり、Ｄ_２Ａが及びＤ_２Ｂ「１’」の基である下記化合物１ｂ、
下記一般式（１２−２）において、Ｄ_１Ａ及びＤ_１Ｂが「１」の基であり、Ｄ_２Ａが及びＤ_２Ｂ「１’」の基である下記化合物１ｃ、
下記一般式（１３−１）において、Ｄ_１Ａ及びＤ_１Ｂが「１」の基であり、Ｄ_２Ａが及びＤ_２Ｂ「１’」の基である下記化合物１ｄ、または
下記一般式（１３−２）において、Ｄ_１Ａ及びＤ_１Ｂが「１」の基であり、Ｄ_２Ａが及びＤ_２Ｂ「１’」の基である化合物１ｅをいう。
すなわち、化合物１とは、化合物１ａ〜化合物１ｅのいずれかの化合物をいう。

化合物１と、化合物１ａ〜化合物１ｅとの関係は、下記表１で表される。
本明細書では、化合物１〜化合物５４０及び化合物１６２１〜化合物１７２８について、化合物Ｘとも表現する。Ｘは、１以上５４０以下及び１６２１以上１７２８以下の整数である。すなわち、化合物Ｘは、化合物Ｘａ〜化合物Ｘｅを表す。
化合物Ｘと、化合物Ｘａ〜化合物Ｘｅとの関係は、下記表２で表される。

また、本実施形態に係る化合物の具体例としては、例えば、下記一般式（１２−３）〜（１２−５）、一般式（１３−３）及び一般式（１１−２）で表される化合物が挙げられる。

下記一般式（１２−３）において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_２Ｂ、及びＤ_２Ｃは、下記表２２〜表３９中に記載された番号の基を表す。
下記一般式（１３−３）において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_２Ｂ、及びＤ_２Ｃは、下記表２２〜表３９中に記載された番号の基を表す。
下記一般式（１２−４）において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_２Ｂ、及びＤ_２Ｃは、下記表２２〜表３９中に記載された番号の基を表す。
下記一般式（１２−５）において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_２Ｂ、及びＤ_２Ｃは、下記表２２〜表３９中に記載された番号の基を表す。
下記一般式（１１−２）において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_２Ｂ、及びＤ_２Ｃは、下記表２２〜表３９中に記載された番号の基を表す。
下記表２２〜表３９において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_２Ａ、Ｄ_２Ｂ、及びＤ_２Ｃの欄にそれぞれ記載された番号は、前述の基１〜基３６及び基１’〜基１８’の番号に対応する。

例えば、表２２中、化合物５４１とは、
下記一般式（１２−３）において、Ｄ_１Ａが「１」の基であり、Ｄ_２Ａ、Ｄ_２Ｂ及びＤ_２Ｃが「１’」の基である下記化合物５４１ａ、
下記一般式（１３−３）において、Ｄ_１Ａが「１」の基であり、Ｄ_２Ａ、Ｄ_２Ｂ及びＤ_２Ｃが「１’」の基である下記化合物５４１ｂ、
下記一般式（１２−４）において、Ｄ_１Ａが「１」の基であり、Ｄ_２Ａ、Ｄ_２Ｂ及びＤ_２Ｃが「１’」の基である下記化合物５４１ｃ、または
下記一般式（１２−５）において、Ｄ_１Ａが「１」の基であり、Ｄ_２Ａ、Ｄ_２Ｂ及びＤ_２Ｃが「１’」の基である下記化合物５４１ｄをいう。
下記一般式（１１−２）において、Ｄ_１Ａが「１」の基であり、Ｄ_２Ａ、Ｄ_２Ｂ及びＤ_２Ｃが「１’」の基である下記化合物５４１ｅをいう。
すなわち、化合物５４１とは、化合物５４１ａ〜化合物５４１ｅのいずれかの化合物をいう。

本明細書では、化合物５４１〜化合物１０８０及び化合物１７２９〜化合物１８３６について、化合物Ｙとも表現する。Ｙは、５４１以上１０８０以下及び１７２９以上１８３６以下の整数である。すなわち、化合物Ｙは、化合物Ｙａ、化合物Ｙｂ、化合物Ｙｃ、化合物Ｙｄまたは化合物Ｙｅを表す。
化合物Ｙと、化合物Ｙａ〜化合物Ｙｅとの関係は、下記表２１で表される。

また、本実施形態に係る化合物の具体例としては、例えば、下記一般式（１２−６）及び一般式（１３−４）で表される化合物が挙げられる。

下記一般式（１２−６）において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_１Ｂ、Ｄ_１Ｃ、及びＤ_２Ａは、下記表４１〜表５８中に記載された番号の基を表す。
下記一般式（１３−４）において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_１Ｂ、Ｄ_１Ｃ、及びＤ_２Ａは、下記表４１〜表５８中に記載された番号の基を表す。
下記表４１〜表５８において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_１Ｂ、Ｄ_１Ｃ、及びＤ_２Ａの欄にそれぞれ記載された番号は、前述の基１〜基３６及び基１’〜基１８’の番号に対応する。

例えば、表４１中、化合物１０８１とは、
下記一般式（１２−６）において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_１Ｂ及びＤ_１Ｃが「１」の基であり、Ｄ_２Ａが「１’」の基である下記化合物１０８１ａ、または
下記一般式（１３−４）において、Ｄ_１Ａ、Ｄ_１Ｂ及びＤ_１Ｃが「１」の基であり、Ｄ_２Ａが「１’」の基である下記化合物１０８１ｂをいう。
すなわち、化合物１０８１とは、化合物１０８１ａまたは化合物１０８１ｂの化合物をいう。

本明細書では、化合物１０８１〜化合物１６２０及び化合物１８３７〜化合物１９４４について、化合物Ｚとも表現する。Ｚは、１０８１以上１６２０以下及び１８３７以上１９４４以下の整数である。すなわち、化合物Ｚは、化合物Ｚａまたは化合物Ｚｂを表す。
化合物Ｚと、化合物Ｚａ及び化合物Ｚｂとの関係は、下記表４０で表される。

本実施形態に係る化合物は、前記一般式（１０３）で表される化合物であることが好ましく、下記一般式（１０３Ａ）で表される化合物であることがより好ましい。

前記一般式（１０３Ａ）において、Ｄ_１０は、下記一般式（１−４Ａ）で表される基であり、Ｄ_２０は、前記一般式（２−１）で表される基である。前記一般式（１０３Ａ）における複数のＤ_２０は、互いに同一の基である。
「複数のＤ_２０は互いに同一の基である」とは、一般式（２−１）内の同じ記号で表される変数同士が全て同一であることを意味する。「一般式（２−１）内の変数」とは、Ｒ_１６１〜Ｒ_１６８を意味する。具体的には、一般式（１０３Ａ）において、Ｄ_２０を表す「一般式（２−１）で表される基」は、Ｒ_１６１同士が同一であり、Ｒ_１６２同士が同一であり、Ｒ_１６３同士が同一であり、Ｒ_１６４同士が同一であり、Ｒ_１６５同士が同一であり、Ｒ_１６６同士が同一であり、Ｒ_１６７同士が同一であり、Ｒ_１６８同士が同一である。すなわち、一般式（１０３Ａ）における３つのＤ_２０は、置換基も含めて互いに同一の基である。

前記一般式（１−４Ａ）において、Ｘ_４０は、酸素原子または硫黄原子であり、Ｒ_１３１〜Ｒ_１４０は、それぞれ、前記一般式（１−４）におけるＲ_１３１〜Ｒ_１４０と同義である。
＊は、前記一般式（１０３Ａ）中におけるベンゼン環との結合位置を表す。

前記一般式（１−４Ａ）において、Ｘ_４０は、硫黄原子であることが好ましい。
前記一般式（１−４Ａ）において、Ｘ_４０は、酸素原子であることも好ましい。

前記一般式（１０３Ａ）で表される化合物において、前記一般式（２−１）で表される基は、下記一般式（２−５）及び（２−９）〜（２−１７）で表される基のいずれかの基であることが好ましい。

前記一般式（２−５）及び（２−９）〜（２−１７）において、＊は、それぞれ独立に、前記一般式（１０３Ａ）中におけるベンゼン環との結合位置を表し、Ｄは重水素を表す。

前記一般式（２−１）において、Ｒ_１６１〜Ｒ_１６８は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基であることが好ましく、水素原子、または置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基であることがより好ましい。

前記一般式（２−１）において、Ｒ_１６１、Ｒ_１６３、Ｒ_１６６及びＲ_１６８の少なくともいずれかが置換基を有し、当該置換基は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｒ_１６２、Ｒ_１６４、Ｒ_１６５及びＲ_１６７は水素原子であることも好ましい。

前記一般式（２−１）において、Ｒ_１６１〜Ｒ_１６８のいずれか１つ以上が水素原子である場合、当該水素原子の全てが軽水素であるか、当該水素原子の内いずれか１つ以上が重水素であるか、または当該水素原子の全てが重水素であることが好ましい。

前記一般式（１−４Ａ）及び（２−１）において、置換基としてのＲ_１３１〜Ｒ_１４０及びＲ_１６１〜Ｒ_１６８は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、無置換の環形成原子数５〜１４の複素環基、無置換の炭素数１〜６のアルキル基、無置換の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基、無置換の炭素数３〜６のアルキルシリル基、無置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、無置換の環形成炭素数６〜１４のアリールオキシ基、無置換の炭素数２〜１２のアルキルアミノ基、無置換の炭素数１〜６のアルキルチオ基、または無置換の環形成炭素数６〜１４のアリールチオ基であることが好ましい。

前記一般式（１−４Ａ）及び（２−１）において、Ｒ_１３１〜Ｒ_１４０及びＲ_１６１〜Ｒ_１６８は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１４の複素環基、または置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基であることが好ましく、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基であることがより好ましく、水素原子、または置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基であることがさらに好ましい。

前記一般式（１−４Ａ）及び（２−１）において、置換基としてのＲ_１３１〜Ｒ_１４０及びＲ_１６１〜Ｒ_１６８は、それぞれ独立に、無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、または無置換の炭素数１〜６のアルキル基であることがより好ましい。

前記一般式（１−４Ａ）及び（２−１）において、Ｒ_１３７は、置換基であり、置換基としてのＲ_１３７は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｒ_１３１〜Ｒ_１３６及びＲ_１３８〜Ｒ_１４０は、水素原子であることも好ましい。

前記一般式（１−４Ａ）及び（２−１）において、Ｒ_１３１〜Ｒ_１４０及びＲ_１６１〜Ｒ_１６８は、水素原子であることも好ましい。

本実施形態に係る化合物の具体例を以下に示す。本発明の化合物は、これらの具体例に限定されない。Ｍｅはメチル基を表す。

本実施形態に係る化合物の具体例を以下に示す。本発明の化合物は、これらの具体例に限定されない。

〔第二実施形態〕
〔有機ＥＬ素子用材料〕
第二実施形態に係る有機ＥＬ素子用材料は、第一実施形態の化合物（一般式（１１）〜（１３）のいずれかで表される化合物の少なくともいずれか）を含む。
第二実施形態によれば、ＴＡＤＦ性を維持しつつ、昇華精製する際の昇華温度を低下し得る有機ＥＬ素子用材料が得られる。
なお、第二実施形態に係る有機ＥＬ素子用材料は、さらにその他の化合物を含有していてもよい。第二実施形態に係る有機ＥＬ素子用材料が、さらにその他の化合物を含んでいる場合、該その他の化合物は、固体であっても液体であってもよい。

〔第三実施形態〕
〔有機ＥＬ素子〕
以下、第三実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成について説明する。

有機ＥＬ素子は、陽極および陰極の両電極間に有機層を備える。この有機層は、通常、有機化合物で構成される複数の層が積層されてなる。有機層は、無機化合物をさらに含んでいてもよい。本実施形態の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に含まれる第一の有機層を有する。第一の有機層は、前記一般式（１１）〜（１３）のいずれかで表される化合物の少なくともいずれかを含む。
第一の有機層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層、及び電子障壁層等からなる群から選択される少なくともいずれかの層が挙げられる。

第一の有機層は発光層であることが好ましい。
本実施形態の有機ＥＬ素子は、第一の有機層が発光層である。
本実施形態において、有機層は、第一の有機層としての発光層だけで構成されていてもよいが、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層、及び電子障壁層等からなる群から選択される少なくともいずれかの層をさらに有していてもよい。

図１に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。
有機ＥＬ素子１は、透光性の基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層１０と、を含む。有機層１０は、陽極３側から順に、正孔注入層６、正孔輸送層７、第一の有機層としての発光層５、電子輸送層８、及び電子注入層９が、この順番で積層されて構成される。

本実施形態の有機ＥＬ素子１において、発光層５は、第一の化合物を含む。
第一の化合物は、第一実施形態に係る化合物（一般式（１１）〜（１３）のいずれかで表される化合物の少なくともいずれか）である。
発光層５は、燐光発光性材料（ドーパント材料）を含まないことが好ましい。
発光層５は、重金属錯体及び燐光発光性の希土類金属錯体を含まないことが好ましい。ここで、重金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、及び白金錯体等が挙げられる。
また、発光層５は、金属錯体を含まないことも好ましい。

本実施形態の有機ＥＬ素子１は、発光層５が、第一の化合物と、さらに第二の化合物とを含む。
この態様の場合、第一の化合物は、ホスト材料（マトリックス材料と称する場合もある。）であることが好ましく、第二の化合物は、ドーパント材料（ゲスト材料、エミッター、発光材料と称する場合もある。）であることが好ましい。

＜第一の化合物＞
第一の化合物は、第一実施形態に係る化合物である。
第一の化合物は、遅延蛍光性の化合物であることが好ましい。

・遅延蛍光性
遅延蛍光については、「有機半導体のデバイス物性」（安達千波矢編、講談社発行）の２６１〜２６８ページで解説されている。その文献の中で、蛍光発光材料の励起一重項状態と励起三重項状態のエネルギー差ΔＥ_１３を小さくすることができれば、通常は遷移確率が低い励起三重項状態から励起一重項状態への逆エネルギー移動が高効率で生じ、熱活性化遅延蛍光（ＴｈｅｒｍａｌｌｙＡｃｔｉｖａｔｅｄｄｅｌａｙｅｄＦｌｕｏｒｅ
ｓｃｅｎｃｅ，ＴＡＤＦ）が発現すると説明されている。さらに、当該文献中の図１０
．３８で、遅延蛍光の発生メカニズムが説明されている。本実施形態における第一の化合物は、このようなメカニズムで発生する熱活性化遅延蛍光を示す化合物であることが好ましい。

一般に、遅延蛍光の発光は過渡ＰＬ（ＰｈｏｔｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）測定により確認できる。

過渡ＰＬ測定から得た減衰曲線に基づいて遅延蛍光の挙動を解析することもできる。過渡ＰＬ測定とは、試料にパルスレーザーを照射して励起させ、照射を止めた後のＰＬ発光の減衰挙動（過渡特性）を測定する手法である。ＴＡＤＦ材料におけるＰＬ発光は、最初のＰＬ励起で生成する一重項励起子からの発光成分と、三重項励起子を経由して生成する一重項励起子からの発光成分に分類される。最初のＰＬ励起で生成する一重項励起子の寿命は、ナノ秒オーダーであり、非常に短い。そのため、当該一重項励起子からの発光は、パルスレーザーを照射後、速やかに減衰する。
一方、遅延蛍光は、寿命の長い三重項励起子を経由して生成する一重項励起子からの発光のため、ゆるやかに減衰する。このように最初のＰＬ励起で生成する一重項励起子からの発光と、三重項励起子を経由して生成する一重項励起子からの発光とでは、時間的に大きな差がある。そのため、遅延蛍光由来の発光強度を求めることができる。

図２には、過渡ＰＬを測定するための例示的装置の概略図が示されている。図２を用いた過渡ＰＬの測定方法、および遅延蛍光の挙動解析の一例を説明する。

図２の過渡ＰＬ測定装置１００は、所定波長の光を照射可能なパルスレーザー部１０１と、測定試料を収容する試料室１０２と、測定試料から放射された光を分光する分光器１０３と、２次元像を結像するためのストリークカメラ１０４と、２次元像を取り込んで解析するパーソナルコンピュータ１０５とを備える。なお、過渡ＰＬの測定は、図２に記載の装置に限定されない。

試料室１０２に収容される試料は、マトリックス材料に対し、ドーピング材料が１２質量％の濃度でドープされた薄膜を石英基板に成膜することで得られる。

試料室１０２に収容された薄膜試料に対し、パルスレーザー部１０１からパルスレーザーを照射してドーピング材料を励起させる。励起光の照射方向に対して９０度の方向へ発光を取り出し、取り出した光を分光器１０３で分光し、ストリークカメラ１０４内で２次元像を結像する。その結果、縦軸が時間に対応し、横軸が波長に対応し、輝点が発光強度に対応する２次元画像を得ることができる。この２次元画像を所定の時間軸で切り出すと、縦軸が発光強度であり、横軸が波長である発光スペクトルを得ることができる。また、当該２次元画像を波長軸で切り出すと、縦軸が発光強度の対数であり、横軸が時間である減衰曲線（過渡ＰＬ）を得ることができる。

例えば、マトリックス材料として、下記参考化合物Ｈ１を用い、ドーピング材料として下記参考化合物Ｄ１を用いて上述のようにして薄膜試料Ａを作製し、過渡ＰＬ測定を行った。

ここでは、前述の薄膜試料Ａ、および薄膜試料Ｂを用いて減衰曲線を解析した。薄膜試料Ｂは、マトリックス材料として下記参考化合物Ｈ２を用い、ドーピング材料として前記参考化合物Ｄ１を用いて、上述のようにして薄膜試料を作製した。

図３には、薄膜試料Ａおよび薄膜試料Ｂについて測定した過渡ＰＬから得た減衰曲線が示されている。

上記したように過渡ＰＬ測定によって、縦軸を発光強度とし、横軸を時間とする発光減衰曲線を得ることができる。この発光減衰曲線に基づいて、光励起により生成した一重項励起状態から発光する蛍光と、三重項励起状態を経由し、逆エネルギー移動により生成する一重項励起状態から発光する遅延蛍光との、蛍光強度比を見積もることができる。遅延蛍光性の材料では、素早く減衰する蛍光の強度に対し、緩やかに減衰する遅延蛍光の強度の割合が、ある程度大きい。

具体的には、遅延蛍光性の材料からの発光としては、Ｐｒｏｍｐｔ発光（即時発光）と、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）とが存在する。Ｐｒｏｍｐｔ発光（即時発光）とは、当該遅延蛍光性の材料が吸収する波長のパルス光（パルスレーザーから照射される光）で励起された後、当該励起状態から即座に観察される発光である。Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）とは、当該パルス光による励起後、即座には観察されず、その後観察される発光である。

Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量とその比は、“Ｎａｔｕｒｅ４９２，２３４−２３８，２０１２”（参考文献１）に記載された方法と同様の方法により求めることができる。なお、Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量の算出に使用される装置は、前記参考文献１に記載の装置または図２に記載の装置に限定されない。

また、本実施形態では、第一の化合物の遅延蛍光性の測定には、次に示す方法により作製した試料を用いる。例えば、第一の化合物をトルエンに溶解し、自己吸収の寄与を取り除くため励起波長において吸光度が０．０５以下の希薄溶液を調製する。また酸素による消光を防ぐため、試料溶液を凍結脱気した後にアルゴン雰囲気下で蓋付きのセルに封入することで、アルゴンで飽和された酸素フリーの試料溶液とする。
上記試料溶液の蛍光スペクトルを分光蛍光光度計ＦＰ−８６００（日本分光社製）で測定し、また同条件で９，１０−ジフェニルアントラセンのエタノール溶液の蛍光スペクトルを測定する。両スペクトルの蛍光面積強度を用いて、Ｍｏｒｒｉｓｅｔａｌ．Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．８０（１９７６）９６９中の（１）式により全蛍光量子収率を算出する。

Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量とその比は、“Ｎａｔｕｒｅ４９２，２３４−２３８，２０１２”（参考文献１）に記載された方法と同様の方法により求めることができる。なお、Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量の算出に使用される装置は、前記参考文献１に記載の装置、または図２に記載の装置に限定されない。
本実施形態においては、測定対象化合物（第一の化合物）のＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量をＸ_Ｐとし、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）の量をＸ_Ｄとしたときに、Ｘ_Ｄ／Ｘ_Ｐの値が０．０５以上であることが好ましい。
本明細書における第一の化合物以外の化合物のＰｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量とその比の測定も、第一の化合物のＰｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量とその比の測定と同様である。

＜第二の化合物＞
第二の化合物は、蛍光発光性の化合物であることが好ましい。第二の化合物は、遅延蛍光性の化合物でもよいし、遅延蛍光性を示さない化合物でもよい。

本実施形態に係る第二の化合物としては、蛍光発光性材料を用いることができる。蛍光発光性材料としては、具体的には、例えば、ビスアリールアミノナフタレン誘導体、アリール置換ナフタレン誘導体、ビスアリールアミノアントラセン誘導体、アリール置換アントラセン誘導体、ビスアリールアミノピレン誘導体、アリール置換ピレン誘導体、ビスアリールアミノクリセン誘導体、アリール置換クリセン誘導体、ビスアリールアミノフルオランテン誘導体、アリール置換フルオランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、アセナフトフルオランテン誘導体、ピロメテンホウ素錯体化合物、ピロメテン骨格を有する化合物、ピロメテン骨格を有する化合物の金属錯体、ジケトピロロピロール誘導体、ペリレン誘導体、およびナフタセン誘導体などが挙げられる。

本実施形態において、第二の化合物は、下記一般式（２０）で表される化合物であることが好ましい。
第二の化合物は、下記一般式（２０）で表される化合物である。
第二の化合物は、蛍光発光性を有する化合物であることが好ましい。

前記一般式（２０）において、
前記一般式（２０）において、
Ｘは、窒素原子、又はＹと結合する炭素原子であり、
Ｙは、水素原子又は置換基であり、
Ｒ_２１〜Ｒ_２６は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であるか、又はＲ_２１及びＲ_２２の組、Ｒ_２２及びＲ_２３の組、Ｒ_２４及びＲ_２５の組、並びにＲ_２５及びＲ_２６の組のいずれか１つ以上の組が互いに結合して環を形成し、
置換基としてのＹ、及びＲ_２１〜Ｒ_２６は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、
ハロゲン原子、
カルボキシ基、
置換もしくは無置換のエステル基、
置換もしくは無置換のカルバモイル基、
置換もしくは無置換のアミノ基、
ニトロ基、
シアノ基、
置換もしくは無置換のシリル基、および
置換もしくは無置換のシロキサニル基からなる群から選択され、
Ｚ_２１およびＺ_２２は、それぞれ独立に、置換基であるか、又はＺ_２１及びＺ_２２が互いに結合して環を形成し、
置換基としてのＺ_２１及びＺ_２２は、それぞれ独立に、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルコキシ基、および
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基からなる群から選択される。

前記一般式（２０）において、例えば、Ｒ_２５及びＲ_２６の組が互いに結合して環を形成している場合、第二の化合物は、下記一般式（２１）で表される。

前記一般式（２１）において、Ｘ、Ｙ、Ｒ_２１〜Ｒ_２４、Ｚ_２１、およびＺ_２２は、それぞれ、前記一般式（２０）におけるＸ、Ｙ、Ｒ_２１〜Ｒ_２４、Ｚ_２１、およびＺ_２２と同義であり、Ｒ_２７〜Ｒ_３０は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_２７〜Ｒ_３０が置換基である場合の置換基としては、Ｒ_２１〜Ｒ_２４について列挙した置換基と同義である。

前記一般式（２０）において、Ｚ_２１及びＺ_２２が互いに結合して環を形成している場合、第二の化合物は、例えば、下記一般式（２０Ａ）、または下記一般式（２０Ｂ）で表される。ただし、第二の化合物は、以下の構造に限定されない。

前記一般式（２０Ａ）において、Ｘ、Ｙ、およびＲ_２１〜Ｒ_２６は、それぞれ、前記一般式（２０）におけるＸ、Ｙ、およびＲ_２１〜Ｒ_２６と同義であり、Ｒ_１Ａは、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１Ａが置換基である場合の置換基としては、Ｒ_２１〜Ｒ_２６について列挙した置換基と同義であり、ｎ３は４である。
前記一般式（２０Ｂ）において、Ｘ、Ｙ、およびＲ_２１〜Ｒ_２６は、それぞれ、前記一般式（２０）におけるＸ、Ｙ、およびＲ_２１〜Ｒ_２６と同義であり、Ｒ_１Ｂは、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、Ｒ_１Ｂが置換基である場合の置換基としては、Ｒ_２１〜Ｒ_２６について列挙した置換基と同義であり、ｎ４は４である。

Ｚ_２１及びＺ_２２のうち少なくともいずれか（好ましくはＺ_２１及びＺ_２２）は、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルコキシ基、及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基からなる群から選択される基であることが好ましい。
Ｚ_２１及びＺ_２２のうち少なくともいずれかは、フッ素原子で置換された炭素数１〜３０のアルコキシ基、フッ素原子で置換された環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、及び炭素数１〜３０のフルオロアルキル基で置換された環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基からなる群から選択される基であることがより好ましい。
Ｚ_２１及びＺ_２２のうち少なくともいずれかは、フッ素原子で置換された炭素数１〜３０のアルコキシ基であることがさらに好ましく、Ｚ_２１及びＺ_２２がフッ素原子で置換された炭素数１〜３０のアルコキシ基であることがよりさらに好ましい。

Ｚ_２１及びＺ_２２が同じであることも好ましい。

一方、前記Ｚ_２１および前記Ｚ_２２のうち少なくともいずれかがフッ素原子であることも好ましく、前記Ｚ_２１および前記Ｚ_２２がフッ素原子であることもより好ましい。

前記Ｚ_２１および前記Ｚ_２２のうち少なくともいずれかは、下記一般式（２０ａ）で表される基であることも好ましい。

前記一般式（２０ａ）において、Ａは、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１２のアリール基であり、Ｌ_２は、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキレン基、または置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１２のアリーレン基であり、ｍは、０、１、２、３、４、５、６、又は７であり、ｍが２、３、４、５、６、又は７である場合、複数のＬ_２は、互いに同一または異なる。ｍは、０、１、又は２であることが好ましい。ｍが０の場合、Ａは、Ｏ（酸素原子）に直接結合する。

前記一般式（２０）において、Ｚ_２１およびＺ_２２が前記一般式（２０ａ）で表される基である場合、第二の化合物は、下記一般式（２２）で表される化合物である。
第二の化合物は、下記一般式（２２）で表される化合物であることも好ましい。

前記一般式（２２）において、Ｘ、ＸがＹと結合する炭素原子であるときのＹ、Ｒ_２１〜Ｒ_２６は、それぞれ、前記一般式（２０）におけるＸ、Ｙ、Ｒ_２１〜Ｒ_２６と同義である。Ａ_２１およびＡ_２２は、前記一般式（２０ａ）におけるＡと同義であり、互いに同一でも異なっていてもよい。Ｌ_２１およびＬ_２２は、前記一般式（２０ａ）におけるＬ_２と同義であり、互いに同一でも異なっていてもよい。ｍ１およびｍ２は、それぞれ独立に、０、１、２、３、４、５、６、又は７であり、０、１、又は２であることが好ましい。ｍ１が２、３、４、５、６、又は７である場合、複数のＬ_２１は、互いに同一または異なり、ｍ２が２、３、４、５、６、又は７である場合、複数のＬ_２２は、互いに同一または異なる。ｍ１が０の場合、Ａ_２１は、Ｏ（酸素原子）に直接結合し、ｍ２が０の場合、Ａ_２２は、Ｏ（酸素原子）に直接結合する。

前記一般式（２０ａ）におけるＡおよびＬ_２のうち少なくともいずれかが、ハロゲン原子で置換されていることが好ましく、フッ素原子で置換されていることがより好ましい。

前記一般式（２０ａ）におけるＡは、炭素数１〜６のパーフルオロアルキル基、または環形成炭素数６〜１２のパーフルオロアリール基であることがより好ましく、炭素数１〜６のパーフルオロアルキル基であることがさらに好ましい。

前記一般式（２０ａ）におけるＬ_２は、炭素数１〜６のパーフルオロアルキレン基、または環形成炭素数６〜１２のパーフルオロアリーレン基であることがより好ましく、炭素数１〜６のパーフルオロアルキレン基であることがさらに好ましい。

すなわち、前記第二の化合物は、下記一般式（２２ａ）で表される化合物であることも好ましい。

前記一般式（２２ａ）において、
Ｘは、前記一般式（２０）におけるＸと同義であり、ＸがＹと結合する炭素原子であるときのＹは、前記一般式（２０）におけるＹと同義であり、
Ｒ_２１〜Ｒ_２６は、それぞれ独立に、前記一般式（２０）におけるＲ_２１〜Ｒ_２６とそれぞれ同義であり、
ｍ３は、０以上４以下であり、
ｍ４は、０以上４以下であり、
ｍ３及びｍ４は、互いに同一であるか又は異なる。

前記一般式（２０）、（２１）、（２２）、及び（２２ａ）において、
Ｘは、Ｙと結合する炭素原子であり、
Ｙは、水素原子又は置換基であり、
置換基としてのＹは、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基からなる群から選択される置換基であることが好ましく、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であることがより好ましい。

前記一般式（２０）、（２１）、（２２）、及び（２２ａ）において、
より好ましい態様としては、
Ｘは、Ｙと結合する炭素原子であり、
Ｙは、水素原子又は置換基であり、
置換基としてのＹは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であり、
置換基としてのＹが置換基を有する環形成炭素数６〜３０のアリール基である場合の当該置換基は、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルコキシ基、又は
炭素数１〜３０のアルキル基で置換された環形成炭素数６〜３０のアリール基である態様が挙げられる。

第二の化合物は、前記Ｚ_２１と前記Ｚ_２２とが互いに結合して環を形成してもよいが、前記Ｚ_２１と前記Ｚ_２２とが互いに結合して環を形成しないことが好ましい。

前記一般式（２０）、（２２）、及び（２２ａ）において、Ｒ_２１、Ｒ_２３、Ｒ_２４、およびＲ_２６のうち少なくともいずれかが置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基であることが好ましい。
前記一般式（２０）、（２２）、及び（２２ａ）において、Ｒ_２１、Ｒ_２３、Ｒ_２４、およびＲ_２６が置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基であることがより好ましい。この場合、Ｒ_２２およびＲ_２５が水素原子であることが好ましい。

前記一般式（２０）、（２２）、及び（２２ａ）において、Ｒ_２１、Ｒ_２３、Ｒ_２４、およびＲ_２６のうち少なくともいずれかが置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であることが好ましい。
前記一般式（２０）、（２２）、及び（２２ａ）において、Ｒ_２１、Ｒ_２３、Ｒ_２４、およびＲ_２６が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であることがより好ましい。この場合、Ｒ_２２およびＲ_２５が水素原子であることが好ましい。

前記一般式（２０）、（２２）、及び（２２ａ）において、
より好ましい態様としては、
Ｒ_２１、Ｒ_２３、Ｒ_２４、及びＲ_２６は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０（好ましくは炭素数１〜６）のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０（好ましくは炭素数１〜６）のハロゲン化アルキル基、又は
炭素数１〜３０のアルキル基で置換された環形成炭素数６〜３０（好ましくは環形成炭素数６〜１２）のアリール基であり、
Ｒ_２２及びＲ_２５が水素原子である態様が挙げられる。

前記一般式（２１）において、Ｒ_２１、Ｒ_２３、およびＲ_２４のうち少なくともいずれかが置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基であることが好ましい。

前記一般式（２１）において、Ｒ_２１、Ｒ_２３、およびＲ_２４が置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基であることがより好ましい。この場合、Ｒ_２２は水素原子であることが好ましい。

前記一般式（２１）において、Ｒ_２１、Ｒ_２３、およびＲ_２４のうち少なくともいずれかが置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であることが好ましい。

前記一般式（２１）において、Ｒ_２１、Ｒ_２３、およびＲ_２４が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であることがより好ましい。この場合、Ｒ_２２は水素原子であることが好ましい。

前記一般式（２１）において、
より好ましい態様としては、
Ｒ_２１、Ｒ_２３、およびＲ_２４は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０（好ましくは炭素数１〜６）のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０（好ましくは炭素数１〜６）のハロゲン化アルキル基、又は
炭素数１〜３０のアルキル基で置換された環形成炭素数６〜３０（好ましくは環形成炭素数６〜１２）のアリール基であり、
Ｒ_２２が水素原子である態様が挙げられる。

第二の化合物において、フッ素原子で置換されたアルコキシ基としては、例えば、２，２，２−トリフロオロエトキシ基、２，２−ジフロオロエトキシ基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−プロポキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロポキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロ−１−ブチルオキシ基、２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロ−１−ブチルオキシ基、ノナフルオロターシャリーブチルオキシ基、２，２，３，３，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンタノキシ基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，６−ウンデカフルオロヘキサノキシ基、２，３−ビス(トリフルオロメチル)−２，３−ブタンジオキシ基、１，１，２，２−テトラ（トリフルオロメチル）エチレングリコキシ基、４，４，５，５，６，６，６−ヘプタフルオロヘキサン−１，２−ジオキシ基、および４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，９−トリデカフルオロノナン−１，２−ジオキシ基等が挙げられる。

第二の化合物において、フッ素原子で置換されたアリールオキシ基、またはフルオロアルキル基で置換されたアリールオキシ基としては、例えば、ペンタフルオロフェノキシ基、３，４，５−トリフルオロフェノキシ基、４−トリフルオロメチルフェノキシ基、３，５−ビストリフルオロメチルフェノキシ基、３−フルオロ−４−トリフルオロメチルフェノキシ基、２，３，５，６−テトラフルオロ−４−トリフルオロメチルフェノキシ基、４−フルオロカテコラート基、４−トリフルオロメチルカテコラート基、および３，５−ビストリフルオロメチルカテコラート基等が挙げられる。

第二の化合物における「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、シアノ基、アミノ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、炭素数１〜３０のアルコキシ基、環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、炭素数６〜３０のアリールチオ基、炭素数７〜３０のアラルキル基、置換ホスホリル基、置換シリル基、ニトロ基、カルボキシ基、炭素数２〜３０のアルケニル基、炭素数２〜３０のアルキニル基、炭素数１〜３０のアルキルチオ基、炭素数３〜３０のアルキルシリル基、環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基、およびヒドロキシ基からなる群から選択される置換基であることが好ましい。
第二の化合物における「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、および環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基からなる群から選択される置換基であることがより好ましい。
第二の化合物における「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１２のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１２のヘテロアリール基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基、および環形成炭素数３〜１２のシクロアルキル基からなる群から選択される置換基であることがさらに好ましい。

第二の化合物が蛍光発光性の化合物である場合、第二の化合物は、主ピーク波長が、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の発光を示すことが好ましい。
本明細書において、主ピーク波長とは、測定対象化合物が１０^−６モル／リットル以上１０^−５モル／リットル以下の濃度で溶解しているトルエン溶液について、測定した蛍光スペクトルにおける発光強度が最大となる蛍光スペクトルのピーク波長をいう。測定装置は、分光蛍光光度計（日立ハイテクサイエンス社製、Ｆ−７０００）を用いる。

第二の化合物は、赤色の発光又は緑色の発光を示すことが好ましい。
本明細書において、赤色の発光とは、蛍光スペクトルの主ピーク波長が６００ｎｍ以上６６０ｎｍ以下の範囲内である発光をいう。
第二の化合物が赤色の蛍光発光性の化合物である場合、第二の化合物の主ピーク波長は、好ましくは６００ｎｍ以上６６０ｎｍ以下、より好ましくは６００ｎｍ以上６４０ｎｍ以下、さらに好ましくは６１０ｎｍ以上６３０ｎｍ以下である。
本明細書において、緑色の発光とは、蛍光スペクトルの主ピーク波長が５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の範囲内である発光をいう。
第二の化合物が緑色の蛍光発光性の化合物である場合、第二の化合物の主ピーク波長は、好ましくは５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以上５４０ｎｍ以下、さらに好ましくは５１０ｎｍ以上５３０ｎｍ以下である。
本明細書において、青色の発光とは、蛍光スペクトルの主ピーク波長が４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲内である発光をいう。
第二の化合物が青色の蛍光発光性の化合物である場合、第二の化合物の主ピーク波長は、好ましくは４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下、より好ましくは４４５ｎｍ以上４８０ｎｍ以下である。

・第二の化合物の製造方法
第二の化合物は、公知の方法により製造することができる。

本実施形態に係る第二の化合物の具体例を以下に示す。なお、本発明における第二の化合物は、これらの具体例に限定されない。
なお、ピロメテン骨格中におけるホウ素原子と窒素原子との配位結合は、実線、破線、矢印、もしくは省略するなど、種々の表記方法がある。本明細書においては、実線で表すか、破線で表すか、又は記載を省略する。

＜発光層における第一の化合物及び第二の化合物の関係＞
本実施形態の有機ＥＬ素子１において、第一の化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｍａｔ１）と、第二の化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｍａｔ２）とが、下記数式（数３）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ_１（Ｍａｔ１）＞Ｓ_１（Ｍａｔ２） …（数３）

第一の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍａｔ１）は、第二の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍａｔ２）よりも大きいことが好ましい。すなわち、下記数式（数５）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_７７Ｋ（Ｍａｔ１）＞Ｔ_７７Ｋ（Ｍａｔ２） …（数５）

本実施形態の有機ＥＬ素子１を発光させたときに、発光層５において、主に第二の化合物が発光していることが好ましい。

・三重項エネルギーと７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップとの関係
ここで、三重項エネルギーと７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップとの関係について説明する。本実施形態では、７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップは、通常定義される三重項エネルギーとは異なる点がある。
三重項エネルギーの測定は、次のようにして行われる。まず、測定対象となる化合物を適切な溶媒中に溶解した溶液を石英ガラス管内に封入した試料を作製する。この試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値に基づいて、所定の換算式から三重項エネルギーを算出する。
ここで、本実施形態に係る化合物の内、熱活性遅延蛍光性の化合物は、ΔＳＴが小さい化合物であることが好ましい。ΔＳＴが小さいと、低温（７７［Ｋ］）状態でも、項間交差、及び逆項間交差が起こりやすく、励起一重項状態と励起三重項状態とが混在する。その結果、上記と同様にして測定されるスペクトルは、励起一重項状態、及び励起三重項状態の両者からの発光を含んでおり、いずれの状態から発光したのかについて峻別することは困難であるが、基本的には三重項エネルギーの値が支配的と考えられる。
そのため、本実施形態では、通常の三重項エネルギーＴと測定手法は同じであるが、その厳密な意味において異なることを区別するため、次のようにして測定される値をエネルギーギャップＴ_７７Ｋと称する。測定対象となる化合物をＥＰＡ（ジエチルエーテル：イソペンタン：エタノール＝５：５：２（容積比））中に、濃度が１０μｍｏｌ／Ｌとなるように溶解し、この溶液を石英セル中に入れて測定試料とする。この測定試料について、低温（７７［Ｋ］）で燐光スペクトル（縦軸：燐光発光強度、横軸：波長とする。）を測定し、この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λ_ｅｄｇｅ［ｎｍ］に基づいて、次の換算式（Ｆ１）から算出されるエネルギー量を７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋとする。
換算式（Ｆ１）：Ｔ_７７Ｋ［ｅＶ］＝１２３９．８５／λ_ｅｄｇｅ

燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ（つまり縦軸が増加するにつれ）、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線（すなわち変曲点における接線）が、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
なお、スペクトルの最大ピーク強度の１５％以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
燐光の測定には、（株）日立ハイテクノロジー製のＦ−４５００形分光蛍光光度計本体を用いることができる。なお、測定装置はこの限りではなく、冷却装置、及び低温用容器と、励起光源と、受光装置とを組み合わせることにより、測定してもよい。

・一重項エネルギーＳ_１
溶液を用いた一重項エネルギーＳ_１の測定方法（溶液法と称する場合がある。）としては、下記の方法が挙げられる。
測定対象となる化合物の１０μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：吸収強度、横軸：波長とする。）を測定する。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式（Ｆ２）に代入して一重項エネルギーを算出する。
換算式（Ｆ２）：Ｓ_１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
吸収スペクトル測定装置としては、例えば、日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）が挙げられるが、これに限定されない。

吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸の値が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。

本実施形態では、一重項エネルギーＳ_１と、７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋとの差（Ｓ_１−Ｔ_７７Ｋ）をΔＳＴとして定義する。

本実施形態において、前記第一の化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｍａｔ１）と、前記第一の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍａｔ１）との差ΔＳＴ（Ｍａｔ１）は、好ましくは０．３ｅＶ未満、より好ましくは０．２ｅＶ未満、さらに好ましくは０．１ｅＶ未満である。すなわち、ΔＳＴ（Ｍａｔ１）は、下記数式（数１Ａ）〜（数１Ｃ）の関係を満たすことが好ましい。
ΔＳＴ（Ｍａｔ１）＝Ｓ_１（Ｍａｔ１）−Ｔ_７７Ｋ（Ｍａｔ１）＜０．３ｅＶ（数１Ａ）ΔＳＴ（Ｍａｔ１）＝Ｓ_１（Ｍａｔ１）−Ｔ_７７Ｋ（Ｍａｔ１）＜０．２ｅＶ（数１Ｂ）ΔＳＴ（Ｍａｔ１）＝Ｓ_１（Ｍａｔ１）−Ｔ_７７Ｋ（Ｍａｔ１）＜０．１ｅＶ（数１Ｃ）

本実施形態の有機ＥＬ素子１は、赤色発光または緑色発光することが好ましい。
本実施形態の有機ＥＬ素子１が緑色発光する場合、有機ＥＬ素子１から発光する光の主ピーク波長は、５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下であることが好ましい。
本実施形態の有機ＥＬ素子１が赤色発光する場合、有機ＥＬ素子１から発光する光の主ピーク波長は、６００ｎｍ以上６６０ｎｍ以下であることが好ましい。
本実施形態の有機ＥＬ素子１が青色発光する場合、有機ＥＬ素子１から発光する光の主ピーク波長は、４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下であることが好ましい。

有機ＥＬ素子から発光する光の主ピーク波長の測定は、以下のようにして行う。
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ−２０００（コニカミノルタ社製）で計測する。
得られた分光放射輝度スペクトルにおいて、発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長を測定し、これを主ピーク波長（単位：ｎｍ）とする。

・発光層の膜厚
本実施形態の有機ＥＬ素子１における発光層５の膜厚は、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは７ｎｍ以上５０ｎｍ以下、最も好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。５ｎｍ以上であると、発光層形成及び色度の調整が容易になりやすく、５０ｎｍ以下であると、駆動電圧の上昇が抑制されやすい。

・発光層における化合物の含有率
発光層５に含まれている第一の化合物及び第二の化合物の含有率は、例えば、以下の範囲であることが好ましい。
第一の化合物の含有率は、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以上６０質量％以下であることがさらに好ましい。
第二の化合物の含有率は、０．０１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、０．０１質量％以上５質量％以下であることがより好ましく、０．０１質量％以上１質量％以下であることがさらに好ましい。
なお、本実施形態は、発光層５に、第一の化合物及び第二の化合物以外の材料が含まれることを除外しない。
発光層５は、第一の化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。発光層５は、第二の化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

・ＴＡＤＦ機構（メカニズム）
図４、発光層における第一の化合物及び第二の化合物のエネルギー準位の関係の一例を示す図である。図４において、Ｓ０は、基底状態を表す。Ｓ１（Ｍａｔ１）は、第一の化合物の最低励起一重項状態を表す。Ｔ１（Ｍａｔ１）は、第一の化合物の最低励起三重項状態を表す。Ｓ１（Ｍａｔ２）は、第二の化合物の最低励起一重項状態を表す。Ｔ１（Ｍａｔ２）は、第二の化合物の最低励起三重項状態を表す。
図４中のＳ１（Ｍａｔ１）からＳ１（Ｍａｔ２）へ向かう破線の矢印は、第一の化合物の最低励起一重項状態から第二の化合物へのフェルスター型エネルギー移動を表す。
図４に示すように、第一の化合物としてΔＳＴ（Ｍａｔ１）の小さな化合物を用いると、最低励起三重項状態Ｔ１（Ｍａｔ１）は、熱エネルギーにより、最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍａｔ１）に逆項間交差が可能である。そして、第一の化合物の最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍａｔ１）から第二の化合物へのフェルスター型エネルギー移動が生じ、最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍａｔ２）が生成する。この結果、第二の化合物の最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍａｔ２）からの蛍光発光を観測することができる。このＴＡＤＦ機構による遅延蛍光を利用することによっても、理論的に内部効率を１００％まで高めることができると考えられている。

第三実施形態に係る有機ＥＬ素子１は、発光層５に、第一の化合物としての第一実施形態の化合物（一般式（１１）〜（１３）のいずれかで表される化合物の少なくともいずれか）と、第一の化合物よりも小さな一重項エネルギーを有する第二の化合物と、を含んでいる。
第三実施形態に係る有機ＥＬ素子１は、表示装置および発光装置等の電子機器に使用できる。

有機ＥＬ素子１の構成についてさらに説明する。以下、符号の記載は省略することがある。

（基板）
基板は、有機ＥＬ素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、及びプラスチック等を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、プラスチック基板等が挙げられる。プラスチック基板を形成する材料としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、及びポリエチレンナフタレート等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。

（陽極）
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。

これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１質量％以上１０質量％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。また、例えば、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５質量％以上５質量％以下、酸化亜鉛を０．１質量％以上１質量％以下含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。

陽極上に形成されるＥＬ層のうち、陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔（ホール）注入が容易である複合材料を用いて形成されるため、電極材料として可能な材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、その他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素も含む）を用いることができる。

仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）及びセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）及びストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、並びにこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）及びイッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属並びにこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。

（陰極）
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）及びセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）及びストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、並びにこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）及びイッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属並びにこれらを含む合金等が挙げられる。

なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。

なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。

（正孔注入層）
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。

また、正孔注入性の高い物質としては、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等やジピラジノ［２，３−ｆ：２０，３０−ｈ］キノキサリン−２，３，６，７，１０，１１−ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ−ＣＮ）も挙げられる。

また、正孔注入性の高い物質としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。

（正孔輸送層）
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）以上の正孔移動度を有する物質である。

正孔輸送層には、ＣＢＰ、９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（ＰＣｚＰＡ）のようなカルバゾール誘導体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。

但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

正孔輸送層を二層以上配置する場合、エネルギーギャップのより大きい材料を発光層に近い側に配置することが好ましい。このような材料として、後記する実施例で用いた、ＨＴ−２が挙げられる。

（電子輸送層）
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。具体的には低分子の有機化合物として、Ａｌｑ、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎｑ、ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺなどの金属錯体等を用いることができる。また、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。本実施態様においては、ベンゾイミダゾール化合物を好適に用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。また、電子輸送層は、単層で構成されていてもよいし、上記物質からなる層が二層以上積層されて構成されていてもよい。

また、電子輸送層には、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）などを用いることができる。

（電子注入層）
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。

あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
（層形成方法）
本実施形態の有機ＥＬ素子の各層の形成方法としては、上記で特に言及した以外には制限されないが、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法、イオンプレーティング法などの乾式成膜法や、スピンコーティング法、ディッピング法、フローコーティング法、インクジェット法などの湿式成膜法などの公知の方法を採用することができる

（膜厚）
本実施形態の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は、上記で特に言及した以外には制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。

〔第四実施形態〕
第四実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成について説明する。第四実施形態の説明において第三実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略化する。また、第四実施形態では、特に言及されない材料や化合物については、第三実施形態で説明した材料や化合物と同様の材料や化合物を用いることができる。

第四実施形態に係る有機ＥＬ素子は、発光層が、さらに第三の化合物を含んでいる点で、第三実施形態に係る有機ＥＬ素子と異なる。その他の点については第三実施形態と同様である。
すなわち、第四実施形態において、第一の有機層としての発光層は、第一の化合物と、第二の化合物と、第三の化合物とを含む。
この態様の場合、第一の化合物は、ホスト材料であることが好ましく、第二の化合物は、ドーパント材料であることが好ましく、第三の化合物は、分散材として、ドーパント材料を発光層中に分散させる材料であることが好ましい。

＜第三の化合物＞
第三の化合物は、遅延蛍光性の化合物でもよいし、遅延蛍光性を示さない化合物でもよい。

第三の化合物としては、特に限定されないが、アミン化合物以外の化合物であることが好ましい。また、例えば、第三の化合物としては、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体を用いることができるが、これら誘導体に限定されない。

第三の化合物は、一つの分子中に下記一般式（３１）で表される部分構造、下記一般式（３２）で表される部分構造、下記一般式（３３）で表される部分構造、及び下記一般式（３４）で表される部分構造のうち少なくともいずれかを含む化合物であることも好ましい。

前記一般式（３１）において、
Ｙ_３１〜Ｙ_３６は、それぞれ独立に、窒素原子、または第三の化合物の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
ただし、Ｙ_３１〜Ｙ_３６のうち少なくともいずれかは、第三の化合物の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
前記一般式（３２）において、
Ｙ_４１〜Ｙ_４８は、それぞれ独立に、窒素原子、または第三の化合物の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
ただし、Ｙ_４１〜Ｙ_４８のうち少なくともいずれかは、第三の化合物の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
Ｘ_３０は、第三の化合物の分子中における他の原子と結合する窒素原子、または酸素原子、もしくは硫黄原子である。
前記一般式（３３）〜（３４）中、＊は、それぞれ独立に、第三の化合物の分子中における他の原子または他の構造との結合箇所を表す。

前記一般式（３２）において、Ｙ_４１〜Ｙ_４８のうち少なくとも２つが第三の化合物の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、当該炭素原子を含む環構造が構築されていることも好ましい。
例えば、前記一般式（３２）で表される部分構造が、下記一般式（３２１）、一般式（３２２）、一般式（３２３）、一般式（３２４）、一般式（３２５）、及び一般式（３２６）で表される部分構造からなる群から選択されるいずれかの部分構造であることが好ましい。

前記一般式（３２１）〜（３２６）において、
Ｘ_３０は、それぞれ独立に、第三の化合物の分子中における他の原子と結合する窒素原子、または酸素原子、もしくは硫黄原子であり、
Ｙ_４１〜Ｙ_４８は、それぞれ独立に、窒素原子、または第三の化合物の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
Ｘ_３１は、それぞれ独立に、第三の化合物の分子中における他の原子と結合する窒素原子、酸素原子、硫黄原子、または第三の化合物の分子中における他の原子と結合する炭素原子であり、
Ｙ_６１〜Ｙ_６４は、それぞれ独立に、窒素原子、または第三の化合物の分子中における他の原子と結合する炭素原子である。
本実施形態においては、第三の化合物は、前記一般式（３２１）〜（３２６）のうち前記一般式（３２３）で表される部分構造を有することが好ましい。

前記一般式（３１）で表される部分構造は、下記一般式（３３）で表される基、及び下記一般式（３４）で表される基からなる群から選択される少なくともいずれかの基として第三の化合物に含まれることが好ましい。
第三の化合物は、下記一般式（３３）、及び下記一般式（３４）で表される部分構造のうち少なくともいずれかの部分構造を有することも好ましい。下記一般式（３３）、及び下記一般式（３４）で表される部分構造のように結合箇所が互いにメタ位に位置するため、第三の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍａｔ３）を高く保つことができる。

前記一般式（３３）において、Ｙ_３１、Ｙ_３２、Ｙ_３４、及びＹ_３６は、それぞれ独立に、窒素原子またはＣＲ_３１である。
前記一般式（３４）において、Ｙ_３２、Ｙ_３４、及びＹ_３６は、それぞれ独立に、窒素原子またはＣＲ_３１である。
前記一般式（３３）、及び（３４）において、
Ｒ_３１は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、
置換基としてのＲ_３１は、それぞれ独立に、
置換または無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換または無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、
置換または無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換または無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、
置換または無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、
置換または無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、
置換または無置換のシリル基、
置換ゲルマニウム基、
置換ホスフィンオキシド基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、及び
置換または無置換のカルボキシ基
からなる群から選択される。
ただし、前記Ｒ_３１における置換または無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基は、非縮合環であることが好ましい。
前記一般式（３３）、及び前記一般式（３４）において、＊は、それぞれ独立に、第三の化合物の分子中における他の原子または他の構造との結合箇所を表す。

前記一般式（３３）において、Ｙ_３１、Ｙ_３２、Ｙ_３４、及びＹ_３６は、それぞれ独立に、ＣＲ_３１であることが好ましく、複数のＲ_３１は、互いに同一であるか、または異なる。
また、前記一般式（３４）において、Ｙ_３２、Ｙ_３４、及びＹ_３６は、それぞれ独立に、ＣＲ_３１であることが好ましく、複数のＲ_３１は、互いに同一であるか、または異なる。

置換ゲルマニウム基は、−Ｇｅ（Ｒ_３０１）_３で表されることが好ましい。Ｒ_３０１は、それぞれ独立に、置換基である。置換基Ｒ_３０１は、置換または無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、または置換または無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であることが好ましい。複数のＲ_３０１は、互いに同一であるかまたは異なる。

前記一般式（３２）で表される部分構造は、下記一般式（３５）〜（３９）、及び下記一般式（３０ａ）で表される基からなる群から選択される少なくともいずれかの基として第三の化合物に含まれることが好ましい。

前記一般式（３５）において、Ｙ_４１乃至Ｙ_４８は、それぞれ独立に、窒素原子またはＣＲ_３２である。
前記一般式（３６）、及び（３７）において、Ｙ_４１〜Ｙ_４５、Ｙ_４７、及びＹ_４８は、それぞれ独立に、窒素原子またはＣＲ_３２である。
前記一般式（３８）において、Ｙ_４１、Ｙ_４２、Ｙ_４４、Ｙ_４５、Ｙ_４７、及びＹ_４８は、それぞれ独立に、窒素原子またはＣＲ_３２である。
前記一般式（３９）において、Ｙ_４２〜Ｙ_４８は、それぞれ独立に、窒素原子またはＣＲ_３２である。
前記一般式（３０ａ）において、Ｙ_４２〜Ｙ_４７は、それぞれ独立に、窒素原子またはＣＲ_３２である。
前記一般式（３５）〜（３９）、及び（３０ａ）において、
Ｒ_３２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であり、
置換基としてのＲ_３２は、
置換または無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換または無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、
置換または無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換または無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、
置換または無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、
置換または無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、
置換または無置換のシリル基、
置換ゲルマニウム基、
置換ホスフィンオキシド基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、及び
置換または無置換のカルボキシ基
からなる群から選択され、
複数のＲ_３２は、互いに同一であるかまたは異なる。
前記一般式（３７）〜（３９），及び（３０ａ）において、
Ｘ_３０は、ＮＲ_３３、酸素原子、または硫黄原子であり、
Ｒ_３３は、
置換または無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換または無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、
置換または無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換または無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、
置換または無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、
置換または無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、
置換または無置換のシリル基、
置換ゲルマニウム基、
置換ホスフィンオキシド基、
フッ素原子、
シアノ基、
ニトロ基、及び
置換または無置換のカルボキシ基
からなる群から選択され、
複数のＲ_３３は、互いに同一であるかまたは異なる。
ただし、前記Ｒ_３３における置換または無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基は、非縮合環であることが好ましい。
前記一般式（３５）〜（３９）、及び（３０ａ）において、＊は、それぞれ独立に、第三の化合物の分子中における他の原子または他の構造との結合箇所を表す。

前記一般式（３５）において、Ｙ_４１〜Ｙ_４８は、それぞれ独立に、ＣＲ_３２であることが好ましく、前記一般式（３６）、及び前記一般式（３７）において、Ｙ_４１〜Ｙ_４５，Ｙ_４７、及びＹ_４８は、それぞれ独立に、ＣＲ_３２であることが好ましく、前記一般式（３８）において、Ｙ_４１，Ｙ_４２，Ｙ_４４，Ｙ_４５，Ｙ_４７、及びＹ_４８は、それぞれ独立に、ＣＲ_３２であることが好ましく、前記一般式（３９）において、Ｙ_４２〜Ｙ_４８は、それぞれ独立に、ＣＲ_３２であることが好ましく、前記一般式（３０ａ）において、Ｙ_４２〜Ｙ_４７は、それぞれ独立に、ＣＲ_３２であることが好ましく、複数のＲ_３２は、互いに同一であるかまたは異なる。

第三の化合物において、Ｘ_３０は、酸素原子または硫黄原子であることが好ましく、酸素原子であることがより好ましい。

第三の化合物において、Ｒ_３１、及びＲ_３２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であって、置換基としてのＲ_３１、及び置換基としてのＲ_３２は、それぞれ独立に、フッ素原子、シアノ基、置換または無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換または無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、及び置換または無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基からなる群から選択されるいずれかの基であることが好ましい。Ｒ_３１、及びＲ_３２は、水素原子、シアノ基、置換または無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、または置換または無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であることがより好ましい。ただし、置換基としてのＲ_３１、及び置換基としてのＲ_３２が置換または無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基である場合、当該アリール基は、非縮合環であることが好ましい。

第三の化合物は、芳香族炭化水素化合物、または芳香族複素環化合物であることも好ましい。

・第三の化合物の製造方法
第三の化合物は、例えば、国際公開第２０１２／１５３７８０号、及び国際公開第２０１３／０３８６５０号等に記載の方法により製造することができる。また、例えば、目的物に合わせた既知の代替反応、及び原料を用いることで、第三の化合物を製造できる。

第三の化合物における置換基の例は、例えば、以下のとおりであるが、本発明は、これらの例に限定されない。

アリ−ル基（芳香族炭化水素基と称する場合がある。）の具体例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ベンゾアントリル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、フルオランテニル基等が挙げられ、好ましくはフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、ナフチル基、トリフェニレニル基、及びフルオレニル基等を挙げることができる。
置換基を有するアリ−ル基としては、トリル基、キシリル基、及び９，９−ジメチルフルオレニル基等を挙げることができる。
具体例が示すように、アリール基は、縮合アリール基、及び非縮合アリール基の両方を含む。
アリ−ル基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、ナフチル基、トリフェニレニル基、またはフルオレニル基が好ましい。

ヘテロアリール基（複素環基、ヘテロ芳香族環基、または芳香族複素環基と称する場合がある。）の具体例としては、ピロリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピリジル基、トリアジニル基、インドリル基、イソインドリル基、イミダゾリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾ［１，２−ａ］ピリジニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基、チオフェニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、アザジベンゾチエニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、ナフチリジニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、ベンズオキサゾリル基、チエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンズチアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基等が挙げられ、好ましくは、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、アザジベンゾフラニル基、及びアザジベンゾチエニル基等を挙げることができる。
ヘテロアリール基としては、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、アザジベンゾフラニル基、またはアザジベンゾチエニル基が好ましく、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、アザジベンゾフラニル基、またはアザジベンゾチエニル基がさらに好ましい。

第三の化合物において、置換シリル基は、置換または無置換のトリアルキルシリル基、置換または無置換のアリールアルキルシリル基、及び置換または無置換のトリアリールシリル基からなる群から選択されることも好ましい。
置換または無置換のトリアルキルシリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、及びトリエチルシリル基を挙げることができる。
置換若しくは無置換のアリールアルキルシリル基の具体例としては、ジフェニルメチルシリル基、ジトリルメチルシリル基、及びフェニルジメチルシリル基等を挙げることができる。
置換または無置換のトリアリールシリル基の具体例としては、トリフェニルシリル基、及びトリトリルシリル基等を挙げることができる。

第三の化合物において、置換ホスフィンオキシド基は、置換または無置換のジアリールホスフィンオキシド基であることも好ましい。
置換または無置換のジアリールホスフィンオキシド基の具体例としては、ジフェニルホスフィンオキシド基、及びジトリルホスフィンオキシド基等を挙げることができる。

第三の化合物において、置換カルボキシ基としては、例えば、ベンゾイルオキシ基等が挙げられる。

本実施形態に係る第三の化合物の具体例を以下に示す。なお、本発明における第三の化合物は、これらの具体例に限定されない。

＜発光層における第一の化合物、第二の化合物、及び第三の化合物の関係＞
本実施形態の有機ＥＬ素子において、第一の化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｍａｔ１）と、第三の化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｍａｔ３）とは、下記数式（数２）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ_１（Ｍａｔ３）＞Ｓ_１（Ｍａｔ１）（数２）

第三の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍａｔ３）は、第一の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍａｔ１）よりも大きいことが好ましい。
第三の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍａｔ３）は、第二の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍａｔ２）よりも大きいことが好ましい。

第一の化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｍａｔ１）と、第二の化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｍａｔ２）と、第三の化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｍａｔ３）とは、下記数式（数２Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ_１（Ｍａｔ３）＞Ｓ_１（Ｍａｔ１）＞Ｓ_１（Ｍａｔ２） …（数２Ａ）

第一の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍａｔ１）と、第二の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍａｔ２）と、第三の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍａｔ３）とは、下記数式（数２Ｂ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_７７Ｋ（Ｍａｔ３）＞Ｔ_７７Ｋ（Ｍａｔ１）＞Ｔ_７７Ｋ（Ｍａｔ２） …（数２Ｂ）

本実施形態の有機ＥＬ素子を発光させたときに、発光層において、主に蛍光発光性の化合物が発光していることが好ましい。
本実施形態の有機ＥＬ素子は、第三実施形態の有機ＥＬ素子と同様に、赤色発光または緑色発光することが好ましい。
有機ＥＬ素子から発光する光の主ピーク波長は、第三実施形態の有機ＥＬ素子と同様の方法で測定することができる。

・発光層における化合物の含有率
発光層に含まれている第一の化合物、第二の化合物、及び第三の化合物の含有率は、例えば、以下の範囲であることが好ましい。
第一の化合物の含有率は、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以上６０質量％であることがさらに好ましい。
第二の化合物の含有率は、０．０１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、０．０１質量％以上５質量％以下であることがより好ましく、０．０１質量％以上１質量％以下であることがさらに好ましい。
第三の化合物の含有率は、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましい。
発光層における第一の化合物、第二の化合物、及び第三の化合物の合計含有率の上限は、１００質量％である。なお、本実施形態は、発光層に、第一の化合物、第二の化合物、及び第三の化合物以外の材料が含まれることを除外しない。
発光層は、第一の化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。発光層は、第二の化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。発光層は、第三の化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

図５は、発光層における第一の化合物、第二の化合物、及び第三の化合物のエネルギー準位の関係の一例を示す図である。図５において、Ｓ０は、基底状態を表す。Ｓ１（Ｍａｔ１）は、第一の化合物の最低励起一重項状態を表し、Ｔ１（Ｍａｔ１）は、第一の化合物の最低励起三重項状態を表す。Ｓ１（Ｍａｔ２）は、第二の化合物の最低励起一重項状態を表し、Ｔ１（Ｍａｔ２）は、第二の化合物の最低励起三重項状態を表す。Ｓ１（Ｍａｔ３）は、第三の化合物の最低励起一重項状態を表し、Ｔ１（Ｍａｔ３）は、第三の化合物の最低励起三重項状態を表す。図５中の１（Ｍａｔ１）からＳ１（Ｍａｔ２）へ向かう破線の矢印は、第一の化合物の最低励起一重項状態から第二の化合物の最低励起一重項状態へのフェルスター型エネルギー移動を表す。
図５に示すように、第一の化合物としてΔＳＴ（Ｍａｔ１）の小さな化合物を用いると、最低励起三重項状態Ｔ１（Ｍａｔ１）は、熱エネルギーにより、最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍａｔ１）に逆項間交差が可能である。そして、第一の化合物の最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍａｔ１）から第二の化合物へのフェルスター型エネルギー移動が生じ、最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍａｔ２）が生成する。この結果、第二の化合物の最低励起一重項状態Ｓ１（Ｍａｔ２）からの蛍光発光を観測することができる。このＴＡＤＦメカニズムによる遅延蛍光を利用することによっても、理論的に内部量子効率を１００％まで高めることができると考えられている。

第四実施形態に係る有機ＥＬ素子は、発光層に、第一の化合物としての第一実施形態の化合物（一般式（１１）〜（１３）のいずれかで表される化合物の少なくともいずれか）と、第一の化合物よりも小さな一重項エネルギーを有する第二の化合物と、第一の化合物よりも大きな一重項エネルギーを有する第三の化合物と、を含んでいる。
第四実施形態に係る有機ＥＬ素子は、表示装置および発光装置等の電子機器に使用できる。

〔第五実施形態〕
第五実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成について説明する。第五実施形態の説明において第三実施形態及び第四実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略化する。また、第五実施形態では、特に言及されない材料や化合物については、第三実施形態及び第四実施形態で説明した材料や化合物と同様の材料や化合物を用いることができる。

第五実施形態に係る有機ＥＬ素子は、発光層が、第二の化合物に代えて、第四の化合物を含んでいる点で、第三実施形態に係る有機ＥＬ素子と異なる。その他の点については第三実施形態と同様である。
第五実施形態において、発光層は、第一の化合物と、第四の化合物とを含む。
この態様の場合、第一の化合物は、ドーパント材料（ゲスト材料、エミッター、発光材料と称する場合もある。）であることが好ましく、第四の化合物は、ホスト材料（マトリックス材料と称する場合もある。）であることが好ましい。
第四の化合物は、遅延蛍光性の化合物でもよいし、遅延蛍光性を示さない化合物でもよい。
第四の化合物としては特に限定されないが、例えば、第四実施形態の項で記載した第三の化合物を用いることができる。

＜発光層における第一の化合物及び第四の化合物の関係＞
本実施形態の有機ＥＬ素子１において、第一の化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｍａｔ１）と、第四の化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｍａｔ４）とが、下記数式（数４）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ_１（Ｍａｔ４）＞Ｓ_１（Ｍａｔ１）（数４）

第四の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍａｔ４）は、第一の化合物の７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップＴ_７７Ｋ（Ｍａｔ１）よりも大きいことが好ましい。すなわち、下記数式（数４Ａ）の関係を満たすことが好ましい。
Ｔ_７７Ｋ（Ｍａｔ４）＞Ｔ_７７Ｋ（Ｍａｔ１） …（数４Ａ）

本実施形態の有機ＥＬ素子を発光させたときに、発光層において、主に第一の化合物が発光していることが好ましい。

・発光層における化合物の含有率
発光層に含まれている第一の化合物及び第四の化合物の含有率は、例えば、以下の範囲であることが好ましい。
第一の化合物の含有率は、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上６０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以上６０質量％以下であることがさらに好ましい。
第四の化合物の含有率は、２０質量％以上９０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以上９０質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以上８０質量％以下であることがさらに好ましい。
なお、本実施形態は、発光層に、第一の化合物及び第四の化合物以外の材料が含まれることを除外しない。
発光層は、第一の化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。発光層は、第四の化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

図６は、発光層における第一の化合物および第四の化合物のエネルギー準位の関係の一例を示す図である。図６において、Ｓ０は、基底状態を表す。Ｓ１（Ｍａｔ１）は、第一の化合物の最低励起一重項状態を表し、Ｔ１（Ｍａｔ１）は、第一の化合物の最低励起三重項状態を表す。Ｓ１（Ｍａｔ４）は、第四の化合物の最低励起一重項状態を表し、Ｔ１（Ｍａｔ４）は、第四の化合物の最低励起三重項状態を表す。図６中の破線の矢印は、各励起状態間のエネルギー移動を表す。第四の化合物の最低励起一重項状態Ｓ１からのフェルスター移動、または最低励起三重項状態Ｔ１からのデクスター移動により、第一の化合物の最低励起一重項状態Ｓ１または最低励起三重項状態Ｔ１に、それぞれエネルギー移動する。さらに、第一の化合物としてΔＳＴ（Ｍａｔ１）の小さな材料を用いると、第一の化合物の最低励起三重項状態Ｔ１は熱エネルギーによって最低励起一重項状態Ｓ１に逆項間交差することが可能である。この結果、第一の化合物の最低励起一重項状態Ｓ１からの蛍光発光を観測することができる。このＴＡＤＦ機構による遅延蛍光を利用することによっても、理論的に内部効率を１００％まで高めることができると考えられている。

第五実施形態に係る有機ＥＬ素子は、発光層に、第一の化合物としての第一実施形態の化合物（一般式（１１）〜（１３）のいずれかで表される化合物の少なくともいずれか）と、第一の化合物よりも大きな一重項エネルギーを有する第四の化合物と、を含んでいる。
第五実施形態に係る有機ＥＬ素子は、表示装置および発光装置等の電子機器に使用できる。

〔第六実施形態〕
［電子機器］
本実施形態に係る電子機器は、上述の実施形態のいずれかの有機ＥＬ素子を搭載している。電子機器としては、例えば、表示装置及び発光装置等が挙げられる。表示装置としては、例えば、表示部品（例えば、有機ＥＬパネルモジュール等）、テレビ、携帯電話、タブレット、及びパーソナルコンピュータ等が挙げられる。発光装置としては、例えば、照明及び車両用灯具等が挙げられる。

〔実施形態の変形〕
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良等は、本発明に含まれる。

例えば、発光層は、１層に限られず、複数の発光層が積層されていてもよい。有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、少なくとも１つの発光層が上記実施形態で説明した条件を満たしていればよい。例えば、その他の発光層が、蛍光発光型の発光層であっても、三重項励起状態から直接基底状態への電子遷移による発光を利用した燐光発光型の発光層であってもよい。
また、有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、これらの発光層が互いに隣接して設けられていてもよいし、中間層を介して複数の発光ユニットが積層された、いわゆるタンデム型の有機ＥＬ素子であってもよい。

また、例えば、発光層の陽極側、及び陰極側の少なくとも一方に障壁層を隣接させて設けてもよい。障壁層は、発光層に接して配置され、正孔、電子、及び励起子の少なくともいずれかを阻止することが好ましい。
例えば、発光層の陰極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、電子を輸送し、かつ正孔が当該障壁層よりも陰極側の層（例えば、電子輸送層）に到達することを阻止する。有機ＥＬ素子が、電子輸送層を含む場合は、発光層と電子輸送層との間に当該障壁層を含むことが好ましい。
また、発光層の陽極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、正孔を輸送し、かつ電子が当該障壁層よりも陽極側の層（例えば、正孔輸送層）に到達することを阻止する。有機ＥＬ素子が、正孔輸送層を含む場合は、発光層と正孔輸送層との間に当該障壁層を含むことが好ましい。
また、励起エネルギーが発光層からその周辺層に漏れ出さないように、障壁層を発光層に隣接させて設けてもよい。発光層で生成した励起子が、当該障壁層よりも電極側の層（例えば、電子輸送層及び正孔輸送層等）に移動することを阻止する。
発光層と障壁層とは接合していることが好ましい。

その他、本発明の実施における具体的な構造、及び形状等は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等としてもよい。

本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前に記載される数値を下限値とし、「〜」の後に記載される数値を上限値として含む範囲を意味する。

本明細書において、Ｒｘ及びＲｙが互いに結合して環を形成するとは、例えば、Ｒｘ及びＲｙが炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子又はケイ素原子を含み、Ｒｘに含まれる原子（炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子又はケイ素原子）と、Ｒｙに含まれる原子（炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子又はケイ素原子）とが、単結合、二重結合、三重結合、又は二価の連結基を介して結合し、環形成原子数が５以上の環（具体的には、複素環又は芳香族炭化水素環）を形成することを意味する。ｘは、数字、文字、又は、数字と文字との組み合わせである。ｙは、数字、文字、又は、数字と文字との組み合わせである。
二価の連結基としては特に制限されないが、例えば、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ_２−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＮＨ−、−ＮＲａ−、及びこれらの連結基を２以上組み合わせた基等が挙げられる。
複素環の具体例としては、後述の「一般式中における各置換基についての説明」で例示した「ヘテロアリール基」から結合手を除いた環構造（複素環）が挙げられる。これらの複素環は置換基を有していてもよい。
芳香族炭化水素環の具体例としては、後述の「一般式中における各置換基についての説明」で例示した「アリール基」から結合手を除いた環構造（芳香族炭化水素環）が挙げられる。これらの芳香族炭化水素環は置換基を有していてもよい。
Ｒａとしては、例えば、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基等が挙げられる。
例えば、Ｒｘ及びＲｙが互いに結合して環を形成するとは、下記一般式（Ｅ１）で表される分子構造において、Ｒｘ_１に含まれる原子と、Ｒｙ₁に含まれる原子とが、一般式（
Ｅ２）で表される環（環構造）Ｅを形成すること；一般式（Ｆ１）で表される分子構造において、Ｒｘ_１に含まれる原子と、Ｒｙ₁に含まれる原子とが、一般式（Ｆ２）で表され
る環Ｆを形成すること；一般式（Ｇ１）で表される分子構造において、Ｒｘ_１に含まれる原子と、Ｒｙ₁に含まれる原子とが、一般式（Ｇ２）で表される環Ｇを形成すること；一
般式（Ｈ１）で表される分子構造において、Ｒｘ_１に含まれる原子と、Ｒｙ₁に含まれる原子とが、一般式（Ｈ２）で表される環Ｈを形成すること；一般式（Ｉ１）で表される分子構造において、Ｒｘ_１に含まれる原子と、Ｒｙ₁に含まれる原子とが、一般式（Ｉ２）
で表される環Ｉを形成すること；を意味する。
一般式（Ｅ１）〜（Ｉ１）中、＊は、それぞれ独立に、一分子中の他の原子との結合位置を表す。一般式（Ｅ１）中の２つの＊は一般式（Ｅ２）中の２つの＊にそれぞれ対応し、一般式（Ｆ１）中の２つの＊は一般式（Ｆ２）中の２つの＊にそれぞれ対応し、一般式（Ｇ１）中の２つの＊は一般式（Ｇ２）中の２つの＊にそれぞれ対応し、一般式（Ｈ１）中の２つの＊は一般式（Ｈ２）中の２つの＊にそれぞれ対応し、一般式（Ｉ１）中の２つの＊は一般式（Ｉ２）中の２つの＊にそれぞれ対応する。

一般式（Ｅ２）〜（Ｉ２）で表される分子構造において、Ｅ〜Ｉはそれぞれ環構造（前記環形成原子数が５以上の環）を表す。一般式（Ｅ２）〜（Ｉ２）中、＊は、それぞれ独立に、一分子中の他の原子との結合位置を表す。一般式（Ｅ２）中の２つの＊は一般式（Ｅ１）中の２つの＊にそれぞれ対応する。一般式（Ｆ２）〜（Ｉ２）中の２つの＊についても同様に、一般式（Ｆ１）〜（Ｉ１）中の２つの＊にそれぞれ対応する。

例えば、一般式（Ｅ１）において、Ｒｘ_１及びＲｙ_１が互いに結合して一般式（Ｅ２）中の環Ｅを形成し、環Ｅが無置換のベンゼン環である場合、一般式（Ｅ１）で表される分子構造は、下記一般式（Ｅ３）で表される分子構造になる。ここで、一般式（Ｅ３）中の２つの＊は、それぞれ独立に、一般式（Ｅ２）および一般式（Ｅ１）中の２つの＊に対応する。
例えば、一般式（Ｅ１）において、Ｒｘ_１及びＲｙ_１が互いに結合して一般式（Ｅ２）中の環Ｅを形成し、環Ｅが無置換のピロール環である場合、一般式（Ｅ１）で表される分子構造は、下記一般式（Ｅ４）で表される分子構造になる。ここで、一般式（Ｅ４）中の２つの＊は、それぞれ独立に、一般式（Ｅ２）および一般式（Ｅ１）中の２つの＊に対応する。一般式（Ｅ３）及び（Ｅ４）中、＊は、それぞれ独立に、一分子中の他の原子との結合位置を表す。

本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記載される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジニル基は環形成炭素数が５であり、フラニル基は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数の数に含めない。

本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記載される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環は、環形成原子数が６であり、キナゾリン環は、環形成原子数が１０であり、フラン環は、環形成原子数が５である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。

・本明細書における一般式中における各置換基についての説明（各置換基の説明）
本明細書におけるアリール基（芳香族炭化水素基と称する場合がある。）としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ａ］アントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基、ピセニル基、及びペリレニル基等が挙げられる。

本明細書におけるアリール基としては、環形成炭素数が、６〜２０であることが好ましく、６〜１４であることがより好ましく、６〜１２であることがさらに好ましい。上記アリール基の中でもフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ターフェニル基、フルオレニル基が好ましい。１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基及び４−フルオレニル基については、９位の炭素原子に、後述する本明細書における置換もしくは無置換のアルキル基や、置換もしくは無置換のアリール基が置換されていることが好ましい。

本明細書におけるヘテロアリール基（複素環基、ヘテロ芳香族環基、または芳香族複素環基と称する場合がある。）は、ヘテロ原子として、窒素、硫黄、酸素、ケイ素、セレン原子、及びゲルマニウム原子からなる群から選択される少なくともいずれかの原子を含むことが好ましく、窒素、硫黄、及び酸素からなる群から選択される少なくともいずれかの原子を含むことがより好ましい。

本明細書における複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリニル基、ナフチリジニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾピリジニル基、ベンズトリアゾリル基、カルバゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、及びフェノキサジニル基等が挙げられる。

本明細書における複素環基としては、環形成原子数が、５〜２０であることが好ましく、５〜１４であることがより好ましい。上記複素環基の中でも１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチエニル基、２−ジベンゾチエニル基、３−ジベンゾチエニル基、４−ジベンゾチエニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、及び９−カルバゾリル基がさらにより好ましい。１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基及び４−カルバゾリル基については、９位の窒素原子に、本明細書における置換もしくは無置換のアリール基や、置換もしくは無置換の複素環基が置換していることが好ましい。

また、本明細書において、複素環基は、例えば、下記一般式（ＸＹ−１）〜（ＸＹ−１８）で表される部分構造から誘導される基であってもよい。

前記一般式（ＸＹ−１）〜（ＸＹ−１８）において、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａは、それぞれ独立に、ヘテロ原子であり、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ケイ素原子、またはゲルマニウム原子であることが好ましい。前記一般式（ＸＹ−１）〜（ＸＹ−１８）で表される部分構造は、任意の位置で結合手を有して複素環基となり、この複素環基は、置換基を有していてもよい。

また、本明細書において、置換もしくは無置換のカルバゾリル基としては、例えば、下記一般式（ＸＹ−１９）〜（ＸＹ−２２）で表されるような、カルバゾール環に対してさらに環が縮合した基も含み得る。このような基も置換基を有していてもよい。また、結合手の位置も適宜変更され得る。

本明細書におけるアルキル基としては、直鎖、分岐鎖または環状のいずれであってもよい。また、ハロゲン化アルキル基であってもよい。

直鎖または分岐鎖のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、アミル基、イソアミル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、及び３−メチルペンチル基等が挙げられる。

本明細書における直鎖または分岐鎖のアルキル基の炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがさらに好ましい。上記直鎖または分岐鎖のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、アミル基、イソアミル基、及びネオペンチル基がさらにより好ましい。

本明細書における環状のアルキル基としては、例えば、シクロアルキル基が挙げられる。

本明細書におけるシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、及びノルボルニル基等が挙げられる。シクロアルキル基の環形成炭素数は、３〜１０であることが好ましく、５〜８であることがさらに好ましい。シクロアルキル基の中でも、シクロペンチル基やシクロヘキシル基がさらにより好ましい。

本明細書におけるアルキル基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルキル基としては、例えば、上記アルキル基が１以上のハロゲン原子、好ましくはフッ素原子で置換された基が挙げられる。

本明細書におけるハロゲン化アルキル基としては、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、トリフルオロメチルメチル基、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられる。

本明細書における置換シリル基としては、例えば、アルキルシリル基、及びアリールシリル基が挙げられる。

本明細書におけるアルキルシリル基としては、上記アルキル基で例示したアルキル基を有するトリアルキルシリル基が挙げられ、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｎ−オクチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジメチル−ｎ−プロピルシリル基、ジメチル−ｎ−ブチルシリル基、ジメチル−ｔ−ブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、及びトリイソプロピルシリル基等が挙げられる。トリアルキルシリル基における３つのアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。

本明細書におけるアリールシリル基としては、例えば、ジアルキルアリールシリル基、アルキルジアリールシリル基、及びトリアリールシリル基が挙げられる。

ジアルキルアリールシリル基は、例えば、上記アルキル基で例示したアルキル基を２つ有し、上記アリール基を１つ有するジアルキルアリールシリル基が挙げられる。ジアルキルアリールシリル基の炭素数は、８〜３０であることが好ましい。

アルキルジアリールシリル基は、例えば、上記アルキル基で例示したアルキル基を１つ有し、上記アリール基を２つ有するアルキルジアリールシリル基が挙げられる。アルキルジアリールシリル基の炭素数は、１３〜３０であることが好ましい。

トリアリールシリル基は、例えば、上記アリール基を３つ有するトリアリールシリル基が挙げられる。トリアリールシリル基の炭素数は、１８〜３０であることが好ましい。

本明細書において、アルキルスルホニル基は、−ＳＯ_２Ｒ_ｗで表される。−ＳＯ_２Ｒ_ｗにおけるＲ_ｗは、置換もしくは無置換のアルキル基を表す。

本明細書における置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基としては、上記−ＳＯ_２Ｒ_ｗにおけるＲ_ｗが、置換もしくは無置換の上記アルキル基である基が挙げられる。

本明細書において、アラルキル基（アリールアルキル基と称する場合がある）におけるアリール基は、芳香族炭化水素基、または複素環基である。

本明細書におけるアラルキル基としては、アリール基を有する基であることが好ましく、−Ｚ_３−Ｚ_４と表される。このＺ_３の例として、上記アルキル基に対応するアルキレン基等が挙げられる。このＺ_４の例として、例えば、上記アリール基の例が挙げられる。このアラルキル基は、アリール部分が炭素数６〜３０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１２）、アルキル部分が炭素数１〜３０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６）であることが好ましい。このアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、２−フェニルプロパン−２−イル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、及び２−β−ナフチルイソプロピル基等が挙げられる。

本明細書におけるアルコキシ基は、−ＯＺ_１と表される。このＺ_１の例として、上記アルキル基が挙げられる。アルコキシ基は、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、及びヘキシルオキシ基等が挙げられる。アルコキシ基の炭素数は、１〜２０であることが好ましい。

アルコキシ基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルコキシ基としては、例えば、上記アルコキシ基が１以上のフッ素原子で置換された基が挙げられる。

本明細書において、アリールオキシ基（アリールアルコキシ基と称する場合がある）におけるアリール基は、ヘテロアリール基も含む。

本明細書におけるアリールアルコキシ基は、−ＯＺ_２と表される。このＺ_２の例として、例えば、上記アリール基等が挙げられる。アリールアルコキシ基の環形成炭素数は、６〜２０であることが好ましい。このアリールアルコキシ基としては、例えば、フェノキシ基が挙げられる。

本明細書における置換アミノ基は、−ＮＨＲ_Ｖ、または−Ｎ（Ｒ_Ｖ）_２と表される。このＲ_Ｖの例として、例えば、上記アルキル基、及び上記アリール基等が挙げられる。

本明細書におけるアルケニル基としては、直鎖または分岐鎖のいずれかであり、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、及び２−フェニル−２−プロペニル基等が挙げられる。

本明細書におけるアルキニル基としては、直鎖または分岐鎖のいずれであってもよく、例えば、エチニル、プロピニル、および２−フェニルエチニル等が挙げられる。

本明細書におけるアルキルチオ基及びアリールチオ基は、−ＳＲ_Ｖと表される。このＲ_Ｖの例として、上記アルキル基及び上記アリール基が挙げられる。アルキルチオ基の炭素数は、１〜２０であることが好ましい。アリールチオ基の環形成炭素数は、６〜２０であることが好ましい。

本明細書におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。

本明細書における置換ホスフィノ基としては、例えば、フェニルホスファニル基等が挙げられる。

本明細書におけるアリールカルボニル基は、−ＣＯＹ’と表される。このＹ’の例として、上述のアリール基が挙げられる。本明細書におけるアリールカルボニル基としては、例えば、フェニルカルボニル基、ジフェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、及びトリフェニルカルボニル基等が挙げられる。

本明細書におけるアシル基は、−ＣＯＲ’と表される。このＲ’の例としては、上述のアルキル基が挙げられる。本明細書におけるアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基等が挙げられる。

本明細書における置換ホスホリル基は、下記一般式（Ｐ）で表される。

前記一般式（Ｐ）において、Ａｒ_Ｐ１及びＡｒ_Ｐ２としては、上記アルキル基、及び上記アリール基からなる群から選択されるいずれかの置換基等が挙げられる。

本明細書におけるエステル基としては、例えば、アルキルエステル基が挙げられる。アルキルエステル基は、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ^Ｅで表される。Ｒ^Ｅの例としては、置換もしくは無置換のアルキル基が挙げられる。アルキル基としては、前述の「本明細書におけるアルキル基」が挙げられる。

本明細書におけるシロキサニル基は、エーテル結合を介したケイ素化合物基であり、例えば、トリメチルシロキサニル基などが挙げられる。

本明細書において、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、または芳香環を構成する炭素原子を意味する。「環形成原子」とはヘテロ環（飽和環、不飽和環、及び芳香環を含む）を構成する炭素原子及びヘテロ原子を意味する。

また、本明細書において、水素原子とは、中性子数の異なる同位体、すなわち、軽水素（Ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（Ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、三重水素（Ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。

本明細書において、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基としては、アリール基、ヘテロアリール基、直鎖アルキル基、分岐鎖のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、置換もしくは無置換のシリル基（例えば、アルキルシリル基、及びアリールシリル基等）、アルコキシ基、ハロゲン化アルコキシ基、アリールオキシ基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキル基、アルケニル基、ハロゲン原子、アルキニル基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、及び置換ホスホリル基からなる群から選択される少なくとも一種の基が挙げられる。
本明細書において、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基としては、ジアリールホウ素基（Ａｒ_Ｂ１Ａｒ_Ｂ２Ｂ−）も挙げられる。このＡｒ_Ｂ１及びＡｒ_Ｂ２の例としては、上述のアリール基が挙げられる。
「置換もしくは無置換の」という場合における置換基の具体例及び好ましい基としては、「各置換基の説明」中の置換基の具体例及び好ましい基と同様の基が挙げられる。

「置換もしくは無置換の」という場合における置換基は、アリール基、ヘテロアリール基、直鎖アルキル基、分岐鎖のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルコキシ基、アリールオキシ基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、及びカルボキシ基からなる群から選択される少なくとも一種の基によってさらに置換されてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成してもよい。
「置換もしくは無置換の」という場合における置換基は、アシル基によってさらに置換されてもよい。

「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。

なお、本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表し、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。

本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表し、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。

本明細書において説明する化合物、またはその部分構造において、「置換もしくは無置換の」という場合についても、前記と同様である。

本明細書において、置換基同士が互いに結合して環が構築される場合、当該環の構造は、飽和環、不飽和環、芳香族炭化水素環、または複素環である。

本明細書において、連結基における芳香族炭化水素基や複素環基等としては、上述した一価の基から、１つ以上の原子を除いて得られる二価以上の基が挙げられる。

以下、本発明に係る実施例を説明する。本発明はこれらの実施例によって何ら限定されない。

実施例及び比較例で用いた化合物を以下に示す。

以下のようにして、実施例及び比較例の化合物を作製した。

〔実施例１〕
（１）合成実施例１：化合物ＴＡＤＦ１の合成
（１−１）中間体Ａの合成

窒素雰囲気下、２−ブロモニトロベンゼン（２５．０ｇ、１２３．８ｍｍｏｌ）、及び４−ジベンゾフランボロン酸（３１．５ｇ、１４８．５ｍｍｏｌ）に、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１２４ｍＬ、２４８ｍｍｏｌ）、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）２５０ｍＬ、トルエン２５０ｍＬ、及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ［ＰＰｈ_３］_４）（７．２ｇ、６．２ｍｍｏｌ）を加えて、１２時間加熱還流攪拌した。反応終了後、室温（２５℃）まで冷却した。試料を分液ロートに移し、水５００ｍＬを加え、ジクロロメタンにて抽出した。ＭｇＳＯ_４で乾燥後、ろ過し、濃縮した。試料をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２４．０ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳ（ＦｉｅｌｄＤｅｓｏｒｐｔｉｏｎＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の分析により、中間体Ａと同定した（収率６７％）。

（１−２）中間体Ｂの合成

アルゴン雰囲気下、中間体Ａ（２４．０ｇ、８３．０ｍｍｏｌ）、及びトリフェニルホスフィン（ＰＰｈ_３）（５４．４ｇ、２０７．４ｍｍｏｌ）にジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）１６６ｍＬを加え、２０時間加熱還流攪拌した。反応終了後、室温（２５℃）まで冷却した。試料を分液ロートに移し、水４００ｍＬを加え、ジクロロメタンにて抽出した。ＭｇＳＯ_４で乾燥後、ろ過し、濃縮した。試料をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１４．５ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ｂと同定した（収率６８％）。

（１−３）中間体Ｃの合成

窒素雰囲気下、５０ｍＬのシュレンク管に、カルバゾール (２．０ｇ、１２ｍｍｏｌ)、炭酸カリウム (３．３ｇ、２４ｍｍｏｌ)、テトラフルオロテレフタロニトリル(４．８ｇ、２４ｍｍｏｌ)、及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で攪拌した。８時間後、水２００ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１．９５ｇの橙色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳ（ＡｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃＰｒｅｓｓｕｒｅＳｏｌｉｄＡｎａｌｙｓｉｓＰｒｏｂｅＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）、及び^１Ｈ−ＮＭＲの分析により中間体Ｃと同定した（収率６６％）。スキーム中、「ｒ．ｔ．」は室温を表す。

（１−４）ＴＡＤＦ１の合成

窒素雰囲気下、５０ｍＬのシュレンク管に、中間体Ｃ（０．５７ｇ、２．２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（０．６２ｇ、４．４ｍｍｏｌ）、中間体Ｂ（０．５ｇ、１．０ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ１０ｍＬを加えて、６０℃で６時間攪拌した。反応終了後、室温（２５℃）まで冷却した。水３０ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、０．７５ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳ、及び^１Ｈ−ＮＭＲの分析によりＴＡＤＦ１と同定した（収率７７％）。

〔実施例１ａ〕
また、実施例１と同じ化合物ＴＡＤＦ１を以下の方法により作製した。後述の化合物の評価は、実施例１で作製したＴＡＤＦ１を用いて行った。

・中間体ａの合成

窒素雰囲気下、５００ｍＬのナスフラスコに、１，４−ジブロモ−２，５−ジフルオロベンゼン(１５．２ｇ、５５．９ｍｍｏｌ)、塩化銅（Ｉ）（１３．８ｇ、１３９ｍｍｏｌ）、及びＮＭＰ（２００ｍＬ）をいれ、１７０℃で加熱攪拌した。４時間後、１７５℃まで昇温して、更に１時間撹拌したのち、室温（２５℃）まで冷却した。水２００ｍＬを加え、析出した固体をセライト濾過によって除去した。ろ液を、酢酸エチルで抽出したのち、得られた有機層を水および飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥したあと、ロータリーエバポレーターにより溶媒を減圧除去した。得られた化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって単離精製し、１，４−ジクロロ−２，５−ジフルオロベンゼン（中間体ａ）（４．１１ｇ、２２．５ｍｍｏｌ、収率４０％）を得た。

・中間体ｂの合成

窒素雰囲気下、２００ｍＬの３口フラスコに、１，４−ジクロロ−２，５−ジフルオロベンゼン（中間体ａ）（４．１１ｇ、２２．５ｍｍｏｌ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＳＣｌ）（６．３ｍＬ、５０ｍｍｏｌ)、及びＴＨＦ（２５ｍＬ）をいれた。ドライアイス／アセトンバスで、−７８℃まで冷却してから、調製したリチウムジイソプロピルアミド（ＬＤＡ）をすべて滴下した。得られた溶液を、室温（２５℃）にて２時間撹拌した。水（１０ｍＬ）を加えてから、酢酸エチルで抽出したのち、得られた有機層を水および飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥したあと、溶媒をロータリーエバポレーターで減圧除去した。得られた２，５−ジクロロ−３，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンビストリメチルシラン（中間体ｂ）（６．６１ｇ、２０．２ｍｍｏｌ）は、精製せずに次の反応に使用した。

・中間体ｃの合成

窒素雰囲気下、５００ｍＬのナスフラスコに、２，５−ジクロロ−３，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンビストリメチルシラン（中間体ｂ）（６．６１ｇ、２０．２ｍｍｏｌ）、及びジクロロメタン（ＤＣＭ）（１００ｍＬ）をいれた。一塩化ヨウ素（２．５ｍＬ）を室温（２５℃）で滴下した後、４０℃で撹拌した。２時間おきに、一塩化ヨウ素（０．５ｍＬ）を反応系に滴下し、合計４．５ｍＬの一塩化ヨウ素を加えた。すべての一塩化要素を滴下してから、さらに１時間３０分撹拌して、室温（２５℃）にもどした。飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液（２０ｍＬ）を加え、ジクロロメタンで抽出したのち、得られた有機層を水および飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥したあと、ロータリーエバポレーターにより溶媒を減圧除去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：ヘキサン）によって精製して、１，４−ジクロロ−２，５−ジフルオロ−３，６−ジヨードベンゼン（中間体ｃ）（６．２０ｇ、１４．３ｍｍｏｌ、収率７１％）を得た。

・中間体ｄの合成

５ｍＬのバイアルに、１，４−ジクロロ−２，５−ジフルオロ−３，６−ジヨードベンゼン（中間体ｃ）（４３５ｍｇ、１．０ｍｍｏｌ）、シアン化銅（３６０ｍｇ、４．０ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ（５ｍＬ）をいれて、１５０℃で加熱攪拌した。１時間３０分後、室温（２５℃）まで冷却したのち、反応溶液を１０ｍＬのアンモニア水に注いだ。塩化メチレンで抽出したのち、得られた有機層を水および飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥したあと、ロータリーエバポレーターで溶媒を減圧除去してから、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：ヘキサン／酢酸エチル＝５／１（体積比）で精製して、１，４−ジシアノ−２，５−ジクロロ−３，６−ジフルオロベンゼン（中間体ｄ）（０．１６ｇ）を得た。

・中間体ｅの合成

窒素雰囲気下で、５０ｍＬのナスフラスコに、１，４−ジシアノ−２，５−ジクロロ−３，６−ジフルオロベンゼン（中間体ｄ）（３４８ｍｇ，１．５ｍｍｏｌ）、９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ（５０１ｍｇ、３．０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（４１５ｍｇ、３．０ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ（１０ｍＬ）をいれて、室温（２５℃）で撹拌した。１時間後、水及びメタノールをそれぞれ３ｍＬ加えてから、塩化メチレンで抽出したのち、得られた有機層を、水及び食塩水で洗浄を行い、硫酸マグネシウムによって乾燥した。ロータリーエバポレーターによって溶媒を減圧除去し、得られた化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製して、１，４−ジシアノ−２，５−ジ（９Ｈ−カルバゾリル）−３，６−ジクロロベンゼン（中間体ｅ）（３４５ｍｇ，０．６５ｍｍｏｌ，収率４４％）を得た。生成物（中間体ｅ）は、^１Ｈ−ＮＭＲおよびＬＣＭＳ（Ｌｉｑｕｉｄｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙｍａｓｓｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）によって、その構造を同定した。

・ＴＡＤＦ１の合成

５ｍＬのバイアルに、１，４−ジシアノ−２，５−ジ（９Ｈ−カルバゾリル）−３，６−ジクロロベンゼン（中間体ｅ）（５２ｍｇ、０．１ｍｍｏｌ）、５Ｈ−べンゾフロ［３，２−ｃ］カルバゾール（中間体Ｂ）（６２ｍｇ、０．２４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（３４ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ（２ｍＬ）を入れ、６０℃で１０時間加熱攪拌した。室温（２５℃）まで冷却後、反応溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製して、１，４−ジシアノ−２，５−ビス(５Ｈ−ベンゾフロ［３，２−ｃ］カルバゾール−５−イル)−３，６−ジ（９Ｈ−カルバゾリル）ベンゼン（ＴＡＤＦ１）（２７ｍｇ、０．０２８ｍｍｏｌ、収率３０％）を得た。生成物（ＴＡＤＦ１）は、^１Ｈ−ＮＭＲおよびＬＣＭＳによって、その構造を同定した。
また、実施例１ａの方法で得た化合物ＴＡＤＦ１の^１Ｈ−ＮＭＲの測定結果と、実施例１の方法で得た化合物ＴＡＤＦ１の^１Ｈ−ＮＭＲの測定結果が、一致することを確認した。
なお、実施例１ａで用いた中間体Ｂは、実施例１の中間体Ｂの合成方法と同様の方法で作製した。

〔実施例２〕
（２）合成実施例２：化合物ＴＡＤＦ２の合成
（２−１）ＴＡＤＦ２の合成

窒素雰囲気下、５０ｍＬのシュレンク管に、７，７-ジメチル−５Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］カルバゾール（０．６３ｇ、２．２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（０．６２ｇ、４．４ｍｍｏｌ）、中間体Ｃ（０．５ｇ、１．０ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ１０ｍＬを加えて、６０℃で６時間攪拌した。反応終了後、室温（２５℃）まで冷却した。水３０ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、０．８２ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ２と同定した（収率７９％）。

〔実施例３〕
（３）合成実施例３：化合物ＴＡＤＦ３の合成
（３−１）中間体Ｄの合成

窒素雰囲気下、５０ｍＬのシュレンク管に、中間体Ｂ（３ｇ、１２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（３．２ｇ、２３ｍｍｏｌ）、テトラフルオロテレフタロニトリル(４．７ｇ、２３ｍｍｏｌ)、及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）５８ｍＬをいれ、室温（２５℃）で攪拌した。８時間後、水３０ｍＬを加え、析出した固体をジクロロメタンで洗浄し、２．５ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析により中間体Ｄと同定した（収率６４％）。

（３−２）ＴＡＤＦ３の合成

窒素雰囲気下、５０ｍＬのシュレンク管に、１１Ｈ−ベンゾ［ａ］カルバゾール（０．０７ｇ、０．３２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（０．０９ｇ、０．６５ｍｍｏｌ）、中間体Ｄ（０．１ｇ、０．１５ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ３ｍＬを加えて、６０℃で６時間攪拌した。反応終了後、室温（２５℃）まで冷却した。水２０ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、０．０３２ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ３と同定した（収率２０％）

〔実施例４〕
（４）合成実施例４：化合物ＴＡＤＦ４の合成
（４−１）中間体Ｅの合成

窒素雰囲気下、５００ｍＬの三口フラスコに、カルバゾール (１７ｇ、１００ｍｍｏｌ)、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（ｉＰｒ_２ＮＥｔ）(２１ｇ、１５０ｍｍｏｌ)、テトラフルオロイソフタロニトリル(８ｇ、４０ｍｍｏｌ)、及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２００ｍＬをいれ、６０℃で加熱攪拌した。４時間後、反応混合物を水１０００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、７．５ｇの黄色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳ、及び^１Ｈ−ＮＭＲの分析により中間体Ｅと同定した（収率３８％）。

（４−２）ＴＡＤＦ４の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｂ (１．９ｇ、７．５ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（４０質量％オイル含有）(０．３ｇ、７．５ｍｍｏｌ)、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３８ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に反応混合物に中間体Ｅ(１．５ｇ、３ｍｍｏｌ)をいれ、２時間後に反応混合物を水２００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２．４７ｇの橙色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ４と同定した（収率８５％）。

〔実施例５〕
（５）合成実施例５：化合物ＴＡＤＦ５の合成
（５−１）中間体Ｆの合成

窒素雰囲気下、３００ｍＬの三口フラスコに、１１Ｈ−ベンゾ［ａ］カルバゾール(１０ｇ、５０ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（４０質量％オイル含有）(２ｇ、５０ｍｍｏｌ)、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に反応混合物にテトラフルオロイソフタロニトリル(２．５ｇ、１２．５ｍｍｏｌ)をいれ２時間後、反応混合物を水２００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、７．２ｇの橙色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳ、及び^１Ｈ−ＮＭＲの分析により中間体Ｆと同定した（収率７３％）。

（５−２）ＴＡＤＦ５の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｂ (０．７７ｇ、３．０ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（４０質量％オイル含有）(０．１２ｇ、３．０ｍｍｏｌ)、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｆ（２．０ｇ、２．５ｍｍｏｌ)をいれ２時間後、反応混合物を水１００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１．５７ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ５と同定した（収率６１％）。

〔実施例６〕
（６）合成実施例６：化合物ＴＡＤＦ６の合成
（６−１）中間体Ｇの合成

窒素雰囲気下、５００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｂ (１３ｇ、５０ｍｍｏｌ)、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（ｉＰｒ_２ＮＥｔ）(１０ｇ、７５ｍｍｏｌ)、テトラフルオロフタロニトリル(２０ｇ、１００ｍｍｏｌ)、及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２５０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で攪拌した。１２時間後、水２００ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、９．８ｇの橙色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳにより中間体Ｆと同定した（収率４５％）。

（６−２）ＴＡＤＦ６の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、カルバゾール (２．３ｇ、１３．６ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（４０質量％オイル含有）(０．５４ｇ、１３．６ｍｍｏｌ)、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６８ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｆ（１．５ｇ、３．４ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物を水１００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２．６３ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ６と同定した（収率８８％）。

〔実施例７〕
（７）合成実施例７：化合物ＴＡＤＦ７の合成（７−１）中間体Ｈの合成

窒素雰囲気下、５００ｍＬのナスフラスコに、テトラフルオロイソフタロニトリル（５．０ｇ、２５ｍｍｏｌ）、中間体Ｂ（５Ｈ−べンゾフロ［３，２−ｃ］カルバゾール）（９．６ｇ、３７．５ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（Ｅｔ_３Ｎ）（５．３ｍＬ、３７．５ｍｍｏｌ)、及びジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）（１００ｍＬ）をいれ、室温（２５℃）で攪拌した。３時間後、水２００ｍＬを加え、析出した固体を桐山濾過によって回収した。ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製した。得られた固体をトルエン（８０ｍＬ）に溶かして、室温（２５℃）で３時間攪拌した後、桐山濾過で回収した。回収した固体を、再度トルエン（８０ｍＬ）に溶かして、室温（２５℃）で３時間攪拌した後、桐山濾過で回収し、目的化合物（３．８２ｇ、５．７ｍｍｏｌ）を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳにより、中間体Ｈと同定した（収率２３％）。

（７−２）ＴＡＤＦ７の合成

窒素雰囲気下、３００ｍＬのナスフラスコに、ＮａＨ（０．２８ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散)、２．４ｍｍｏｌ)、及びＴＨＦ（６０ｍＬ)をいれ、０℃で攪拌した。この反応溶液に、９Ｈ−カルバゾール（１．１６ｇ、６．９ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液を１０分かけて滴下した。０℃で３０分攪拌した後、中間体Ｈ（２．０ｇ、３．０ｍｍｏｌ）を加えた。室温（２５℃）で１時間攪拌した後、０℃で塩化アンモニウムの飽和水溶液を加えて反応溶液を中和した。塩化メチレンで抽出してから、有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒をロータリーエバポレーターで減圧除去して、ヘキサン及びトルエンの混合溶媒、並びにトルエン溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって単離精製した。得られた固体をトルエンに溶かし、１３０℃で懸濁洗浄して、目的化合物（２．１４ｇ、２．２ｍｍｏｌ）を得た。ＬＣＭＳによりＴＡＤＦ７と同定した（収率７４％）。

〔実施例８〕
（８）合成実施例８：化合物ＴＡＤＦ８の合成
（８−１）ＴＡＤＦ８の合成

窒素雰囲気下、５０ｍＬのシュレンク管に、中間体Ｃ（１．０ｇ、２．０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１．４ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、５Ｈ−Ｂｅｎｚｏ[４,５]ｔｈｉｅｎｏ[３，２−ｃ]ｃａｒｂａｚｏｌｅ（１．４ｇ、５．０ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ２０ｍＬを加えて、６０℃で６時間攪拌した。反応終了後、室温（２５℃）まで冷却した。水３０ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１．６０ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳによりＴＡＤＦ８と同定した（収率８０％）。

〔実施例９〕
（９）合成実施例９：化合物ＴＡＤＦ９の合成
（９−１）中間体Ｋの合成

窒素雰囲気下、５００ｍＬの三口フラスコに、５Ｈ−Ｂｅｎｚｏ[４,５]ｔｈｉｅｎｏ[３,２−ｃ]ｃａｒｂａｚｏｌｅ(１０ｇ、３６．６ｍｍｏｌ)、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン（ｉＰｒ_２ＮＥｔ）（１０ｇ、７５ｍｍｏｌ)、テトラフルオロフタロニトリル（１５ｇ、７５ｍｍｏｌ）、及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２５０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で１０時間攪拌した。次に水２００ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、６．３ｇの橙色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳにより中間体Ｋと同定した（収率３８％）。

（９−２）ＴＡＤＦ９の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、カルバゾール(２．３ｇ、１３．６ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．５４ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散)、１３．６ｍｍｏｌ)、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６８ｍＬをいれ、０℃で３０分攪拌した。次に中間体Ｋ（１．５４ｇ、３．４ｍｍｏｌ)を入れ、更に０℃で２時間撹拌した。反応混合物を水１００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、３．２ｇの橙色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ９と同定した（収率９０％）。

〔実施例１０〕
（１０）合成実施例１０：化合物ＴＡＤＦ１０の合成
（１０−１）中間体Ｌの合成

窒素雰囲気下、２−ブロモニトロベンゼン（２０．０ｇ、９９．０ｍｍｏｌ）、及び１−ジベンゾフランボロン酸（２５．２ｇ、１１８．８ｍｍｏｌ）に、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１００ｍＬ、２００ｍｍｏｌ）、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）２００ｍＬ、トルエン（２００ｍＬ）、及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ［ＰＰｈ_３］_４）（５．７ｇ、５．０ｍｍｏｌ）を加えて、１２時間加熱還流攪拌した。
反応終了後、室温（２５℃）まで冷却した。試料を分液ロートに移し、水５００ｍＬを加え、ジクロロメタンにて抽出した。ＭｇＳＯ_４で乾燥後、ろ過、濃縮した。試料をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２０．０ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ｌと同定した（収率７０％）。

（１０−２）中間体Ｍの合成

アルゴン雰囲気下、中間体Ｌ（２０．０ｇ、６９．０ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（４５．２ｇ、１７２．５ｍｍｏｌ）にオルトジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）１５０ｍＬを加え、２４時間加熱還流攪拌した。反応終了後、室温（２５℃）まで冷却した。試料を分液ロートに移し、水４００ｍＬを加え、ジクロロメタンにて抽出した。ＭｇＳＯ_４で乾燥後、ろ過、濃縮した。試料をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、９．０ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体Ｍと同定した（収率５１％）。

（１０−３）ＴＡＤＦ１０の合成

窒素雰囲気下、３００ｍＬのナスフラスコに、ＮａＨ（０．１９ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散)、４．７５ｍｍｏｌ)、ＴＨＦ（４０ｍＬ)をいれ、０℃で攪拌した。この反応溶液に、中間体Ｍ（１．１９ｇ、４．６３ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液を１０分かけて滴下した。室温（２５℃）で３０分攪拌した後、中間体Ｅ（０．９９ｇ, ２．０ｍｍｏｌ）を加えた。１時間攪拌した後、ＮａＨ（０．１０ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散)、２．５ｍｍｏｌ）を加えた。さらに１時間３０分攪拌してから、塩化アンモニ
ウムの飽和水溶液を加えて反応溶液を中和した。塩化メチレンで抽出してから、有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒をロータリーエバポレーターで減圧除去して、回収した固体をヘキサン及びトルエンの混合溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって単離精製した。得られた固体をエタノールで洗浄して、目的化合物（１．７４ｇ、１．８ｍｍｏｌ）を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳにより、ＴＡＤＦ１０と同定した（収率９０％）。

〔実施例１１〕
（１１）合成実施例１１：化合物ＴＡＤＦ１１の合成
（１１−１）中間体Ｎの合成

５００ｍＬのナスフラスコに、テトラフルオロイソフタロニトリル（５．０ｇ、２５ｍｍｏｌ）、５Ｈ−Ｂｅｎｚｏ[４,５]ｔｈｉｅｎｏ[３,２−ｃ]ｃａｒｂａｚｏｌｅ（１０．２５ｇ、３７．５ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（Ｅｔ_３Ｎ）(５．３ｍＬ、３７．５ｍｍｏｌ)、及びＤＭＳＯ (１００ｍＬ)をいれ、室温（２５℃）で攪拌した。３時間後、水２００ｍＬを加え、析出した固体を桐山濾過によって回収した。ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒、並びに塩化メチレン溶媒を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製した。得られた固体をトルエン（１６０ｍＬ) に溶かして、室温（２５℃）で５時間攪拌した後、桐山濾過で回収した。回収した固体を、再度トルエン（１６０ｍＬ）に溶かして、室温（２５℃）で５時間攪拌した後、桐山濾過で回収し、目的化合物（３．６６ｇ、５．２ｍｍｏｌ）を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳにより、中間体Ｎと同定した（収率２１％）。

（１１−２）ＴＡＤＦ１１の合成

窒素雰囲気下、３００ｍＬのナスフラスコに、９Ｈ−カルバゾール（１．１０ｇ、６．９ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ（２０ｍＬ)をいれた。０℃に氷冷したのち、ＮａＨ（０．２６ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散)、６．６ｍｍｏｌ)を加えて、１５分間攪拌した。この反応溶液に、中間体Ｎ（２．１ｇ、３．０ｍｍｏｌ）を加えて、室温（２５℃）で４時間攪拌した。その後、水とメタノールとをそれぞれ１０ｍＬ加え、析出した固体を桐山濾過で回収した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開液：ヘキサン／酢酸エチル＝３／１（体積比））によって単離精製した。得られた固体をトルエンおよびジメトキシエタン中、加熱懸濁洗浄して、目的化合物（１．６２ｇ、１．６ｍｍｏｌ）を得た。ＬＣＭＳにより、ＴＡＤＦ１１と同定した（収率５４％）。

〔実施例１２〕
（１２）合成実施例１２：化合物ＴＡＤＦ１２の合成
（１２−１）中間体Ｏの合成

窒素雰囲気下、５００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｂ (６．５ｇ、２５ｍｍｏｌ)、トリエチルアミン（Ｅｔ_３Ｎ）(５．１ｇ、５０ｍｍｏｌ)、テトラフルオロテレフタロニトリル(２０ｇ、１００ｍｍｏｌ)、及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）２５０ｍＬをいれた。６０℃で１０時間加熱撹拌後に室温（２５℃）に戻し、水５００ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。０．６６ｇの黄色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳにより中間体Ｏと同定した（収率６％）。

（１２−２）ＴＡＤＦ１２の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、カルバゾール (０．７７ｇ、４．６２ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．１８ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散)、４．６２ｍｍｏｌ）、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｏ（０．５ｇ、１．１ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物を水１００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、０．８７ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ１２と同定した（収率９０％）。

〔実施例１３〕
（１３）合成実施例１３：化合物ＴＡＤＦ１３の合成
（１３−１）中間体Ｖ1の合成

窒素雰囲気下、３−クロロ−４−ニトロトルエン（２５．０ｇ、１４５ｍｍｏｌ）及び４−ジベンゾフランボロン酸（３０．７ｇ、１４５ｍｍｏｌ）に、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（２２０ｍＬ、４３５ｍｍｏｌ）、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）４４０ｍＬ、及び[1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリドジクロロメタン付加物（Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ_２・ＣＨ_２Ｃｌ_２）（２．４ｇ、２．９ｍｍｏｌ）を加えて、４時間加熱還流攪拌した。
反応終了後、室温（２５℃）まで冷却した。試料を分液ロートに移し、水５００ｍＬを加え、酢酸エチルにて抽出した。ＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。試料をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、３５ｇの黄色固体を得た。ＧＣ−ＭＳ（ＧａｓＣｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈＭａｓｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の分析により、中間体Ｖ1と同定した（収率８０％）。

（１３−２）中間体Ｖ２の合成

アルゴン雰囲気下、中間体Ｖ1（３５．０ｇ、１１６ｍｍｏｌ）及びトリフェニルホスフィン（７６ｇ、２９０ｍｍｏｌ）にオルトジクロロベンゼン５００ｍＬを加え、２０時間加熱攪拌還流した。反応終了後、室温（２５℃）まで冷却した。溶液をエバポレーターを用いて濃縮し得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１６．２ｇの白色固体を得た。ＧＣ−ＭＳの分析により、中間体Ｖ２と同定した（収率５２％）

（１３−３）中間体Ｒの合成

５００ｍＬの３つ口ナスフラスコに、テトラフルオロイソフタロニトリル (５．０ｇ、２５ｍｍｏｌ)、中間体Ｖ２（１０．２ｇ、３７．５ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（Ｅｔ_３Ｎ）(５．３ｍＬ、３７．５ｍｍｏｌ)、及びＤＭＳＯ (１５０ｍＬ)をいれ、室温（２５℃）で攪拌した。１０時間後、水２００ｍＬを加えいれ、析出した固体を桐山濾過によって回収した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって得られた固体を精製した。５．０ｇの黄色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析により、中間体Ｒと同定した（収率３８％）。

（１３−４）ＴＡＤＦ１３の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、カルバゾール (３ｇ、１８ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．７２ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散)、１８ｍｍｏｌ）、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｒ（１．５ｇ、８．２ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物を水１００
ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、４．５ｇの橙色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ１３と同定した（収率７８％）。

〔実施例１４〕
（１４）合成実施例１４：化合物ＴＡＤＦ１４の合成
（１４−１）中間体Ｓの合成

窒素雰囲気下、５００ｍＬの３つ口ナスフラスコにテトラフルオロイソフタロニトリル (５．０ｇ、２５ｍｍｏｌ)、８Ｈ−ベンゾ［４，５］チエノ［２，３−ｃ］カルバゾール
（１０．２ｇ、３７．５ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（Ｅｔ_３Ｎ）(５．３ｍＬ、３７．５ｍｍｏｌ)、及びＤＭＳＯ (１５０ｍＬ)をいれ、室温（２５℃）（２５℃）で攪拌した。８時間後、水２００ｍＬを加えいれ、析出した固体を桐山濾過によって回収した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって得られた固体を精製した。８.５ｇの黄色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析により、中間体Ｓと同定した（収率６４％）。

（１４−２）ＴＡＤＦ１４の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、カルバゾール (３ｇ、１８ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．７２ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散)、１８ｍｍｏｌ）、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｓ（１．５ｇ、８．２ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物を水１００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２．８ｇの橙色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ１４と同定した（収率３４％）。

〔実施例１５〕
（１５）合成実施例１５：化合物ＴＡＤＦ１５の合成
（１５−１）中間体Ｔの合成

窒素雰囲気下、５００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｍ (６．５ｇ、２５ｍｍｏｌ)、トリエチルアミン(５．１ｇ、５０ｍｍｏｌ)、テトラフルオロテレフタロニトリル(２０ｇ、１００ｍｍｏｌ)、及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）２５０ｍＬをいれた。４０℃で１０時間加熱撹拌後に室温（２５℃）に戻し、水５００ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。０．９８ｇの黄色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳにより中間体Ｔと同定した（収率９％）。

（１５−２）ＴＡＤＦ１５の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、カルバゾール (０．６１ｇ、３．６３ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．１５ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散)、３．６３ｍｍｏｌ）、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｔ（０．８ｇ、１．１ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物を水１００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１．３ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ１５と同定した（収率８１％）。

〔実施例１６〕
（１６）合成実施例１６：化合物ＴＡＤＦ１６の合成
（１６−１）中間体Ｕの合成

窒素雰囲気下、５００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｊ (６．８ｇ、２５ｍｍｏｌ)、トリエチルアミン（Ｅｔ_３Ｎ）(５．１ｇ、５０ｍｍｏｌ)、テトラフルオロテレフタロニトリル(２５ｇ、１２５ｍｍｏｌ)、及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）２５０ｍＬをいれた。４０℃で１０時間加熱撹拌後に室温（２５℃）に戻し、水５００ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。１．５ｇの黄色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳにより中間体Ｕと同定した（収率１３％）。

（１６−２）ＴＡＤＦ１６の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、カルバゾール（１．２０ｇ、７．２６ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．１７ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散)、７．２６ｍｍｏｌ）、及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｕ（１．０ｇ、２．２ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物を水１００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１．７ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ１６と同定した（収率８５％）。

〔実施例１７〕
（１７）合成実施例１７：化合物ＴＡＤＦ１７の合成
（１７−１）ＴＡＤＦ１７の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、１２Ｈ−Ｂｅｎｚｏｆｕｒｏ［２，３−ａ］ｃａｒｂａｚｏｌｅ（１．８７ｇ、７．２７ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．２９ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散)、７．２７ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ３０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｃ（１．５ｇ、３．０ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２．１ｇの橙色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ１７と同定した（収率７２％）。

〔実施例１８〕（１８）合成実施例１８：化合物ＴＡＤＦ１８の合成
（１８−１）ＴＡＤＦ１８の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、１２Ｈ−［１］Ｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｏ［２，３−ａ］ｃａｒｂａｚｏｌｅ（１．９８ｇ、７．２７ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．２９ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散) 、７．２７ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ３０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｃ（１．５ｇ、３．０ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２．０ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ１８と同定した（収率６６％）。

〔実施例１９〕
（１９）合成実施例１９：化合物ＴＡＤＦ１９の合成
（１９−１）ＴＡＤＦ１９の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、１２Ｈ−Ｂｅｎｚｏｆｕｒｏ［３，２−ａ］ｃａｒｂａｚｏｌｅ（１．２０ｇ、７．２６ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．２９ｇ（６０質量％、流動パラフィンに分散）、７．２６ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ４０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｃ（１．０ｇ、２．２ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１．１ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ１９と同定した（収率５２％）。

実施例２０〜実施例２７の化合物は、下記中間体Ｐ、中間体Ｑ、中間体Ａ１〜Ａ４及び中間体Ｃ２〜Ｊ２のいずれか１つ以上を用いて合成した。中間体Ｐ、中間体Ｑ、中間体Ａ１〜Ａ４及び中間体Ｃ２〜Ｊ２は、以下の方法で合成した。

・中間体Ｐ及び中間体Ｑの合成

窒素雰囲気下、３−クロロ−４−ニトロトルエン（２５．０ｇ、１４６ｍｍｏｌ）及び４−ジベンゾチオフェンボロン酸（３４ｇ、１４６ｍｍｏｌ）に、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（２２０ｍｌ、４３５ｍｍｏｌ）、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）４４０ｍＬ、ジクロロビス[ジ−ｔｅｒｔ−ブチル(４−ジメチルアミノフェニル)ホスフィン]パラジウム(II)（（ＡＭＰＨＯＳ）_２ＰｄＣｌ_２）（２．１ｇ、２．９ｍｍｏｌ）を加えて、４時間加熱還流攪拌した。
反応終了後、室温（２５℃）まで冷却した。試料を分液ロートに移し、水５００ｍＬを加え、酢酸エチルにて抽出した。ＭｇＳＯ_４で乾燥後、ろ過、濃縮した。試料をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、４０ｇの黄色固体を得た。ＧＣ−ＭＳの分析により、中間体Ｐと同定した（収率８６％）。

アルゴン雰囲気下、中間体Ｐ（１５．０ｇ、４７ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（３１ｇ、１１７ｍｍｏｌ）にオルトジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）２４０ｍＬを加え、２０時間加熱攪拌還流した。反応終了後、室温（２５℃）まで冷却した。溶液をエバポレーターを用いて濃縮し得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、８．４ｇの白色固体を得た。ＧＣ−ＭＳの分析により、中間体Ｑと同定した（収率６２％）。

・中間体Ａ１及び中間体Ａ２の合成

窒素雰囲気下、２０００ｍＬの三口フラスコに、テトラフルオロテレフタロニトリル(２５ｇ、１２５ｍｍｏｌ)、１，４−ジオキサン６２５ｍＬ及び水４００ｍＬをいれた。
次に３０質量％アンモニア水１３ｍＬを入れ、８０℃で１０時間加熱撹拌後に室温（２５℃）に戻した。エバポレータを用いて溶媒を留去し、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。２４ｇの白固体を得た。ＧＣ−ＭＳにより中間体Ａ１と同定した（収率９８％）。

窒素雰囲気下、２０００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ａ１(２４ｇ、１２２ｍｍｏｌ)、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ＴｓＯＨ）（２５ｇ、１４６ｍｍｏｌ）、ベンジルトリメチルアンモニウムクロリド（ＢＴＡＣ）（４５．３ｇ、２４４ｍｍｏｌ）、塩化銅（II）（０．１６ｇ、１．２２ｍｍｏｌ）及びアセトニトリル４００ｍＬをいれた。次に亜硝酸ｔｅｒｔ−ブチル（ｔ−ＢｕＯＮＯ）（１５ｇ、１４６ｍｍｏｌ）を入れ、２５℃で６時間撹拌後した。エバポレータを用いて溶媒を留去し、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。１７ｇの白固体を得た。ＧＣ−ＭＳにより中間体Ａ２と同定した（収率６５％）。

・中間体Ａ３及び中間体Ａ４の合成

窒素雰囲気下、１０００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ａ２（１０ｇ、４６ｍｍｏｌ）、カルバゾール（２３ｇ、１３８ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１９ｇ、１３８ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ４５０ｍＬをいれ、０℃で２４時間撹拌した。反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液３００ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２６ｇの黄色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析により中間体Ａ３と同定した（収率８５％）。

窒素雰囲気下、２００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ａ３（６．６ｇ、１０ｍｍｏｌ）、テトラメチルアンモニウムフルオリド（Ｍｅ_４Ｎ−Ｆ）（２．３ｇ、２５ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ５０ｍＬをいれ、２５℃で８時間撹拌した。エバポレータを用いて溶媒を留去し、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。４．４ｇの黄色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析により中間体Ａ４と同定した（収率６８％）。

・中間体Ｃ２及び中間体Ｄ２の合成

窒素雰囲気下、１Ｌの三口フラスコに４−ブロモジベンゾチオフェン（２６．０ｇ、１００ｍｍｏｌ）、２−クロロ−４−メチルアニリン（１７ｇ、１２０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（Ｐｄ_２ｄｂａ_３）（０．９ｇ、１ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート（Ｐ（ｔ−Ｂｕ）_３ＨＢＦ_４）（２．３ｇ、８ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ＮａＯｔＢｕ）（１１．５ｇ、１２０ｍｍｏｌ）及びトルエン３５０ｍＬを加えて、６０℃で７時間加熱撹拌後に室温（２５℃）まで冷却した。反応溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２６ｇの白色固体を得た。ＧＣ−ＭＳの分析により、中間体Ｃ２と同定した（収率８０％）。

窒素雰囲気下、１Ｌの三口フラスコに、中間体Ｃ（２６．０ｇ、８０ｍｍｏｌ）、１,３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロリド（ＩＰｒＨＣｌ）（１．４ｇ、３．２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（II）（Ｐｄ（ＯＡｃ）_２）（０．３６ｇ、１.６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（２２．０ｇ、１６０ｍｍｏｌ）及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）４００ｍＬを加えて、１３０℃で７時間撹拌後に室温（２５℃）まで冷却した。反応溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２１ｇの白色固体を得た。ＧＣ−ＭＳの分析により、中間体Ｄ２と同定した（収率９１％）。

・中間体Ｅ２中間体Ｆ２の合成

窒素雰囲気下、１Ｌの三口フラスコに４−ブロモジベンゾフラン（２６．０ｇ、１００ｍｍｏｌ）、２−クロロ−４−メチルアニリン（１７ｇ、１２０ｍｍｏｌ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム（０）（０．９ｇ、１ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート（２．３ｇ、８ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（１１．５ｇ、１２０ｍｍｏｌ）及びトルエン３５０ｍＬを加えて、６０℃で７時間加熱撹拌後に室温（２５℃）まで冷却した。反応溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２２ｇの白色固体を得た。ＧＣ−ＭＳの分析により、中間体Ｅ２と同定した（収率７２％）。

窒素雰囲気下、１Ｌの三口フラスコに、中間体Ｅ２（２２．０ｇ、７１ｍｍｏｌ）、１,３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロリド（ＩＰｒＨＣｌ）（１．２ｇ、２．８ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム(II)（０．３２ｇ、１.４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（２０．０ｇ、１６０ｍｍｏｌ）及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）４００ｍＬを加えて、１３０℃で７時間撹拌後に室温（２５℃）まで冷却した。反応溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１６ｇの白色固体を得た。ＧＣ−ＭＳの分析により、中間体Ｆ２と同定した（収率８５％）。

・中間体Ｇ２及び中間体Ｈ２の合成

窒素雰囲気下、１Ｌの三口フラスコに４−ブロモジベンゾチオフェン（２６．０ｇ、１００ｍｍｏｌ）、２−クロロ−４,６−ジメチルアニリン（１８．７ｇ、１２０ｍｍｏｌ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム（０）（０．９ｇ、１ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート（２．３ｇ、８ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１１．５ｇ、１２０ｍｍｏｌ）及びトルエン３５０ｍＬを加えて、６０℃で７時間加熱撹拌後に室温（２５℃）まで冷却した。反応溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２３．７ｇの白色固体を得た。ＧＣ−ＭＳの分析により、中間体Ｇ２と同定した（収率７０％）。

窒素雰囲気下、１Ｌの三口フラスコに、中間体Ｇ２（２３．０ｇ、６８ｍｍｏｌ）、１,３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロリド（ＩＰｒＨＣｌ）（１．２ｇ、２．７１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム(II)（０．３１ｇ、１．３６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１８．８ｇ、１３６ｍｍｏｌ）及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）４００ｍＬを加えて、１３０℃で７時間撹拌後に室温（２５℃）まで冷却した。反応溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１９．５ｇの白色固体を得た。ＧＣ−ＭＳの分析により、中間体Ｈ２と同定した（収率９５％）。

・中間体Ｉ２及び中間体Ｊ２の合成

窒素雰囲気下、１Ｌの三口フラスコに４−ブロモジベンゾフラン（２６．０ｇ、１００ｍｍｏｌ）、２−クロロ−４,６−ジメチルアニリン（１７ｇ、１２０ｍｍｏｌ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム（０）（０．９ｇ、１ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート（２．３ｇ、８ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１１．５ｇ、１２０ｍｍｏｌ）及びトルエン３５０ｍＬを加えて、６０℃で６時間加熱撹拌後に室温（２５℃）まで冷却した。反応溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２８ｇの白色固体を得た。ＧＣ−ＭＳの分析により、中間体Ｉ２と同定した（収率８８％）。

窒素雰囲気下、１Ｌの三口フラスコに、中間体Ｉ２（２８ｇ、８８ｍｍｏｌ）、１,３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロリド（ＩＰｒＨＣｌ）（１．５ｇ、３．５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム(II)（０．４ｇ、１.７６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（２４．３ｇ、１７６ｍｍｏｌ）及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）４５０ｍＬを加えて、１３０℃で７時間撹拌後に室温（２５℃）まで冷却した。反応溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２１ｇの白色固体を得た。ＧＣ−ＭＳの分析により、中間体Ｊ２と同定した（収率８５％）。

〔実施例２０〕
（２０）合成実施例２０：化合物ＴＡＤＦ２０の合成
（２０−１）ＴＡＤＦ２０の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ａ３（２ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、中間体Ｑ（１．０ｇ、３．６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（０．６ｇ、４．５ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ３０ｍＬをいれ、７０℃で８時間撹拌した。反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１．６ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ２０と同定した（収率５９％）。

〔実施例２１〕
（２１）合成実施例２１：化合物ＴＡＤＦ２１の合成
（２１−１）ＴＡＤＦ２１の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ａ３（２ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、１２Ｈ−［１］Ｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｏ［２，３−ａ］ｃａｒｂａｚｏｌｅ（０．９８ｇ、３．６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（０．６ｇ、４．５ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ３０ｍＬをいれ、７０℃で８時間撹拌した。反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１．５ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ２１と同定した（収率５６％）。

〔実施例２２〕
（２２）合成実施例２２：化合物ＴＡＤＦ２２の合成
（２２−１）ＴＡＤＦ２２の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ａ３（２ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、中間体Ｄ２（１．０ｇ、３．６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（０．６ｇ、４．５ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ３０ｍＬをいれ、７０℃で８時間撹拌した。反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１．８ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ２２と同定した（収率６６％）。

〔実施例２３〕
（２３）合成実施例２３：化合物ＴＡＤＦ２３の合成
（２３−１）ＴＡＤＦ２３の合成

窒素雰囲気下、１００ｍｌの３つ口フラスコに中間体Ｃ（１．０ｇ、２．０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（０．２８ｇ、５．０ｍｍｏｌ）及び中間体Ｑ（１．４ｇ、５．０ｍｍｏｌ）にＤＭＦ３０ｍｌを加えて、７０℃で６時間攪拌した。
反応終了後、室温（２５℃）まで冷却した。反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１．８ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ２３と同定した（収率８８％）。

〔実施例２４〕
（２４）合成実施例２４：化合物ＴＡＤＦ２４の合成
（２４−１）ＴＡＤＦ２４の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｆ２（２．００ｇ、７．３８ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．３０ｇ（６０質量％、流動パラフィンに分散）、７．３８ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ３０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｃ（１．６８ｇ、３．４ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２．８ｇの橙色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ２４と同定した（収率８３％）。

〔実施例２５〕
（２５）合成実施例２５：化合物ＴＡＤＦ２５の合成
（２５−１）ＴＡＤＦ２５の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｈ２（２．２７ｇ、８．４ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．３４ｇ（６０質量％、流動パラフィンに分散）、８．４ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ３０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｃ（２．００ｇ、４．０ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２．７５ｇの橙色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ２５と同定した（収率６９％）。

〔実施例２６〕（２６）合成実施例２６：化合物ＴＡＤＦ２６の合成
（２６−１）ＴＡＤＦ２６の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ａ３（２ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、中間体Ｊ２（１．０ｇ、３．６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（０．６ｇ、４．５ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ３０ｍＬをいれ、７０℃で８時間撹拌した。反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１．２ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ２６と同定した（収率４４％）。

〔実施例２７〕
（２７）合成実施例２７：化合物ＴＡＤＦ２７の合成
（２７−１）ＴＡＤＦ２７の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ａ４（１．９ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、中間体Ｈ２（１．１ｇ、３．６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（０．６ｇ、４．５ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ３０ｍＬをいれ、７０℃で８時間撹拌した。反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１．４ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ２７と同定した（収率５１％）。

〔実施例２８〕
（２８）合成実施例２８：化合物ＴＡＤＦ２８の合成
（２８−１）中間体Ｍ２及び中間体Ｎ２の合成

窒素雰囲気下、１Ｌの三口フラスコに２−ブロモジベンゾフラン（１２．４ｇ、５０ｍｍｏｌ）、２−クロロアニリン（７．５ｇ、６０ｍｍｏｌ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム（０）（０．４５ｇ、０．５ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート（１．２ｇ、４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（５．８ｇ、６０ｍｍｏｌ）及びトルエン２００ｍＬを加えて、８０℃で６時間加熱撹拌後に室温（２５℃）まで冷却した。反応溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１３．５ｇの白色固体を得た。ＧＣ−ＭＳの分析により、中間体Ｍ２と同定した（収率９２％）。

窒素雰囲気下、１Ｌの三口フラスコに、中間体Ｍ２（１３．５ｇ、４６ｍｍｏｌ）、１,３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロリド（ＩＰｒＨＣｌ）（０．８１ｇ、３．６ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム(II)（０．２１ｇ、０．９２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１２．７ｇ、９２ｍｍｏｌ）及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）４００ｍＬを加えて、１３０℃で４時間撹拌後に室温（２５℃）まで冷却した。反応溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、６．０ｇの白色固体を得た。ＧＣ−ＭＳの分析により、中間体Ｎ２と同定した（収率５１％）。

（２８−２）ＴＡＤＦ２８の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｎ２（２．１６ｇ、８．４ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．３４ｇ（６０質量％、流動パラフィンに分散）、３．４ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｃ（２．００ｇ、４．０ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液３０ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、３．００ｇの橙色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ２８と同定した（収率７８％）。

〔実施例２９〕
（２９）合成実施例２９：化合物ＴＡＤＦ２９の合成
（２９−１）中間体Ｏ２の合成

窒素雰囲気下、５００ｍＬの三口フラスコに、カルバゾール (１７ｇ、１００ｍｍｏｌ)、テトラメチルピペリジン（ＴＭＰ）(２２ｇ、１５０ｍｍｏｌ)、テトラフルオロイソフタロニトリル(６．６ｇ、３３ｍｍｏｌ)、及びアセトニトリル（ＣＨ_３ＣＮ）２００ｍＬをいれ、８０℃で４時間加熱攪拌した。反応混合物をエバポレーターを用いて溶媒を留去し、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１３ｇの黄色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳにより中間体Ｏ２と同定した（収率６５％）。

（２９−２）ＴＡＤＦ２９の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、１２Ｈ−［１］Ｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｏ［２，３−ａ］ｃａｒｂａｚｏｌｅ（２．０２ｇ、７．２７ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．２９ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散)、７．２７ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ３０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｏ２（３．９ｇ、５．５９ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２．９ｇの黄色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ２９と同定した（収率５８％）。

〔実施例３０〕
（３０）合成実施例３０：化合物ＴＡＤＦ３０の合成
（３０−１）ＴＡＤＦ３０の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｄ２（２．３０ｇ、８．００ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．３２ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散)、８．００ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ４０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｏ２（３．４ｇ、５．３３ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、３．０ｇの黄色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ３０と同定した（収率６１％）。

〔実施例３１〕
（３１）合成実施例３１：化合物ＴＡＤＦ３１の合成
（３１−１）ＴＡＤＦ３１の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｊ（２．００ｇ、７．１９ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．２９ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散) 、７．１９ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ３０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｏ２（３．９ｇ、５．５９ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、３．３ｇの黄色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ３１と同定した（収率６６％）。

〔実施例３２〕
（３２）合成実施例３２：化合物ＴＡＤＦ３２の合成
（３２−１）ＴＡＤＦ３２の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｄ２ (１．４ｇ、５．０ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（４０質量％オイル含有）(０．２ｇ、５．０ｍｍｏｌ)、及びＤＭＦ、４０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に反応混合物に中間体Ｅ(１．０ｇ、２ｍｍｏｌ)をいれ、２時間攪拌した。その後、反応混合物を水５０ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１．８５ｇの橙色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ３２と同定した（収率９０％）。

〔実施例３３〕
（３３）合成実施例３３：化合物ＴＡＤＦ３３の合成
（３３−１）ＴＡＤＦ３３の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、１２Ｈ−Ｂｅｎｚｏｆｕｒｏ［３，２−ａ］ｃａｒｂａｚｏｌｅ(１．３ｇ、５．０ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（４０質量％オイル含有）(０．２ｇ、５．０ｍｍｏｌ)、及びＤＭＦ４０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に反応混合物に中間体Ｅ(１．０ｇ、２ｍｍｏｌ)をいれ、２時間攪拌した。その後、反応混合物を水５０ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１．７０ｇの橙色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ３３と同定した（収率８８％）。

〔実施例３４〕
（３４）合成実施例３４：化合物ＴＡＤＦ３４の合成
（３４−１）ＴＡＤＦ３４の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、１２Ｈ−Ｂｅｎｚｏｆｕｒｏ［２，３−ａ］ｃａｒｂａｚｏｌｅ（１．８７ｇ、７．２７ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．２９ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散) 、７．２７ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ３０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｏ２（３．９ｇ、５．５９ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、３．５ｇの黄色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ３４と同定した（収率７１％）。

〔実施例３５〕
（３５）合成実施例３５：化合物ＴＡＤＦ３５の合成
（３５−１）ＴＡＤＦ３５の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｖ２（２．００ｇ、７．３８ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．３０ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散) 、７．３８ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ４０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｏ２（４．０ｇ、５．６８ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、４．０ｇの黄色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ３５と同定した（収率７９％）。

〔実施例３６〕
（３６）合成実施例３６：化合物ＴＡＤＦ３６の合成
（３６−１）ＴＡＤＦ３６の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｑ（２．００ｇ、７．００ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．２８ｇ(６０質量％、流動パラフィンに分散) 、７．００ｍｍｏｌ）、及びＤＭＦ４０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｏ２（３．６ｇ、５．３８ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２．６ｇの黄色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ３６と同定した（収率６１％）。

〔実施例３７〕
（３７）合成実施例３７：化合物ＴＡＤＦ３７の合成
（３７−１）中間体Ｐ２の合成

窒素雰囲気下、１０００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ａ２（１．１６ｇ、５．３５ｍｍｏｌ）、カルバゾール−１,２,３,４,５,６,７,８−ｄ８（重水素化率９８％のものを使用）（３ｇ、１７．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（３．５ｇ、２５．７ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ３０ｍＬをいれ、０℃で９時間撹拌した。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液３０ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、３．０ｇの黄色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析により中間体Ｐ２と同定した（収率８２％）。

（３７−２）ＴＡＤＦ３７の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｐ２（２．６ｇ、３．８ｍｍｏｌ）、中間体Ｄ２（１．６ｇ、５．７ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１．２ｇ、８．９ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ３０ｍＬをいれ、１１５℃で６時間撹拌した。反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２．５ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ３７と同定した（収率７０％）。

〔実施例３８〕
（３８）合成実施例３８：化合物ＴＡＤＦ３８の合成
（３８−１）ＴＡＤＦ３８の合成

窒素雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｐ２（３．０ｇ、４．４ｍｍｏｌ）、中間体Ｑ（１．６ｇ、５．７ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１．２ｇ、８．６ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ３０ｍＬをいれ、１１５℃で６時間撹拌した。反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍＬを加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、３．３ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ３８と同定した（収率８０％）。

〔実施例３９〕
（３９）合成実施例３９：化合物ＴＡＤＦ３９の合成
（３９−１）中間体Ｋ２及び中間体Ｌ２の合成

窒素雰囲気下、１Ｌの三口フラスコに１−ブロモジベンゾチオフェン（２６．０ｇ、１００ｍｍｏｌ）、２−クロロアニリン（１５ｇ、１２０ｍｍｏｌ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム（０）（０．９ｇ、１ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート（２．３ｇ、８ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１１．５ｇ、１２０ｍｍｏｌ）及びトルエン３５０ｍＬを加えて、８０℃で６時間加熱撹拌後に室温（２５℃）まで冷却した。反応溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、２８ｇの白色固体を得た。ＧＣ−ＭＳの分析により、中間体Ｋ２と同定した（収率９０％）。

窒素雰囲気下、１Ｌの三口フラスコに、中間体Ｋ２（２８．０ｇ、９０ｍｍｏｌ）、１,３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル)イミダゾリウムクロリド（ＩＰｒＨＣｌ）（１．５８ｇ、３．６ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム(II)（０．４ｇ、１.８ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（２４．８ｇ、１８０ｍｍｏｌ）及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）４５０ｍＬを加えて、１３０℃で４時間撹拌後に室温（２５℃）まで冷却した。反応溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１９ｇの白色固体を得た。ＧＣ−ＭＳの分析により、中間体Ｌ２と同定した（収率７８％）。

（３９−２）ＴＡＤＦ３９の合成

窒素雰囲気下、２００ｍＬの三口フラスコに、中間体Ｌ２（１．８２ｇ、６．６７ｍｍｏｌ)、水素化ナトリウム（０．２６ｇ（６０質量％、流動パラフィンに分散）、６．６７ｍｍｏｌ）及びＤＭＦ６０ｍＬをいれ、室温（２５℃）で３０分攪拌した。次に中間体Ｃ（１．５ｇ、３．０ｍｍｏｌ)を入れ、２時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍＬに加え、析出した固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、１．８ｇの赤色固体を得た。ＡＳＡＰ−ＭＳの分析によりＴＡＤＦ３９と同定した（収率６１％）。

〔比較例１〜３〕
化合物ＴＡＤＦ１の合成方法に準じる方法で、比較化合物１〜３を合成した。

＜化合物の評価＞
化合物の性質を測定する方法を以下に示す。

（重量減少温度）
示差熱熱重量同時測定装置を用いて、以下の条件で１％重量減少温度及び５％重量減少温度を測定した。
結果を表５９に示す。
熱重量示差熱測定（ＴＧ−ＤＴＡ）は、試料を加熱した時に、試料の質量変化を連続的に測定する方法であり、昇華及び蒸発等の質量変化を伴う物理変化の検出に利用される。
そのため、本評価では、ＴＧ−ＤＴＡにより得られた重量減少温度の「高い」及び「低い」を、前者を高真空下での昇華温度が「高い」とみなし、後者を高真空下での昇華温度が「低い」とみなす。（ここで高真空下とは１．０×１０^−６Ｐａ以上１．０×１０^−３Ｐａ以下とする。）

−測定条件−
・装置：示差熱熱重量同時測定装置(日立ハイテクノロジーズ社製、ＳＴＡ７２００ＲＶ)
・容器：アルミ製パン
・試料の質量：３．０ｍｇ
・測定雰囲気：窒素ガス雰囲気
・昇温速度：１０℃／分
・測定範囲：３５℃以上６００℃以下

（昇華温度）
真空蒸着装置を用いて、以下の条件で化合物の昇華温度を測定した。
結果を表５９に示す。
−測定条件−
・圧力：１０^−５Ｐａ
・温度：３００℃以上４００℃以下
・加熱時間：５ｍｉｎ〜１０ｍｉｎ

（遅延蛍光性）
・化合物ＴＡＤＦ１の遅延蛍光性
遅延蛍光性は図２に示す装置を利用して過渡ＰＬを測定することにより確認した。前記化合物ＴＡＤＦ１をトルエンに溶解し、自己吸収の寄与を取り除くため励起波長において吸光度が０．０５以下の希薄溶液を調製した。また酸素による消光を防ぐため、試料溶液を凍結脱気した後にアルゴン雰囲気下で蓋付きのセルに封入することで、アルゴンで飽和された酸素フリーの試料溶液とした。
上記試料溶液の蛍光スペクトルを分光蛍光光度計ＦＰ−８６００（日本分光社製）で測定し、また同条件で９，１０−ジフェニルアントラセンのエタノール溶液の蛍光スペクトルを測定した。両スペクトルの蛍光面積強度を用いて、Ｍｏｒｒｉｓｅｔａｌ．Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．８０（１９７６）９６９中の（１）式により全蛍光量子収率を算出した。
前記化合物ＴＡＤＦ１が吸収する波長のパルス光（パルスレーザーから照射される光）で励起された後、当該励起状態から即座に観察されるＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）と、当該励起後、即座には観察されず、その後観察されるＤｅｌａｙ発光（遅延発光）とが存在する。本実施例における遅延蛍光発光とは、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）の量がＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量に対して５％以上を意味する。具体的には、Ｐｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量をＸ_Ｐとし、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）の量をＸ_Ｄとしたときに、Ｘ_Ｄ／Ｘ_Ｐの値が０．０５以上であることを意味する。
Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量とその比は、“Ｎａｔｕｒｅ４９２，２３４−２３８，２０１２” （参考文献１）に記載された方法と同様の方法により求めることができる。なお、Ｐｒｏｍｐｔ発光とＤｅｌａｙ発光の量の算出に使用される装置は、前記参考文献１に記載の装置、または図２に記載の装置に限定されない。
化合物ＴＡＤＦ１について、Ｄｅｌａｙ発光（遅延発光）の量がＰｒｏｍｐｔ発光（即時発光）の量に対して５％以上あることが確認された。具体的には、化合物ＴＡＤＦ１について、Ｘ_Ｄ／Ｘ_Ｐの値が０．０５以上であることが確認された。

・化合物ＴＡＤＦ２〜３９及び比較化合物１〜３の遅延蛍光性
化合物ＴＡＤＦ１に代えて、化合物ＴＡＤＦ２〜３９及び比較化合物１〜３をそれぞれ用いたこと以外、上記と同様にして化合物ＴＡＤＦ２〜３９及び比較化合物１〜３の遅延蛍光性を確認した。
化合物ＴＡＤＦ２〜３９及び比較化合物１〜３について、Ｘ_Ｄ／Ｘ_Ｐの値は、いずれも０．０５以上であることが確認された。

・一重項エネルギーＳ_１
化合物ＴＡＤＦ１〜３９、比較化合物１〜３、化合物ＲＤ−１〜ＲＤ−４及び化合物ＣＢＰの一重項エネルギーＳ_１は、前述の溶液法により測定した。結果を表５９に示す。
化合物ＲＤ−１〜ＲＤ−４及び化合物ＣＢＰの測定結果は以下の通りである。
化合物ＲＤ−１の一重項エネルギーＳ_１は、２．０２ｅＶであった。
化合物ＲＤ−２の一重項エネルギーＳ_１は、２．００ｅＶであった。
化合物ＲＤ−３の一重項エネルギーＳ_１は、２．０４ｅＶであった。
化合物ＲＤ−４の一重項エネルギーＳ_１は、２．１２ｅＶであった。
化合物ＣＢＰの一重項エネルギーＳ_１は、３．４１ｅＶであった。

・ΔＳＴ
化合物ＴＡＤＦ１〜ＴＡＤＦ３９および比較化合物１〜３のＴ_７７Ｋを測定し、その結果と上記の一重項エネルギーＳ_１の値からΔＳＴを確認した。
化合物ＴＡＤＦ１〜ＴＡＤＦ３９および比較化合物１〜３のＴ_７７Ｋは、前述の「三重項エネルギーと７７［Ｋ］におけるエネルギーギャップとの関係」で記載したエネルギーギャップＴ_７７Ｋの測定方法により測定した。
化合物ＴＡＤＦ１〜化合物ＴＡＤＦ３９および比較化合物１〜３のΔＳＴはいずれも０．０１ｅＶ未満であった。

（化合物の主ピーク波長）
測定対象となる化合物の５μｍｏｌ／Ｌトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の蛍光スペクトル（縦軸：蛍光発光強度、横軸：波長とする。）を測定した。本実施例では、蛍光スペクトルを日立社製の分光光度計（装置名：Ｆ−７０００）で測定した。なお、蛍光スペクトル測定装置は、ここで用いた装置に限定されない。蛍光スペクトルにおいて、発光強度が最大となる蛍光スペクトルのピーク波長を主ピーク波長とした。結果を表５９に示す。
化合物ＲＤ−１〜ＲＤ−４の測定結果は以下の通りである。
化合物ＲＤ−１の主ピーク波長は、６０９ｎｍであった。
化合物ＲＤ−２の主ピーク波長は、６１３ｎｍであった。
化合物ＲＤ−３の主ピーク波長は、６４７ｎｍであった。
化合物ＲＤ−４の主ピーク波長は、５８５ｎｍであった。

・表中の説明
「ＴＧ１％」は、１％重量減少温度を表す。
「ＴＧ５％」は、５％重量減少温度を表す。
「−」は、測定していないことを表す。

表５９中、１％重量減少温度及び５％重量減少温度を測定した実施例の化合物は、比較例１〜３の比較化合物１〜３に比べ、いずれも１％重量減少温度及び５％重量減少温度が低下した。
また、表５９中、昇華温度を測定した実施例の化合物は、比較例１〜３の比較化合物１〜３に比べ、いずれも高真空下（１０^−５Ｐａ）における昇華温度が低下した。
また、実施例１〜６の化合物ＴＡＤＦ１〜６は、比較例１〜３の比較化合物１〜３に比べ、高真空下（１．０×１０^−６Ｐａ以上１．０×１０^−３Ｐａ以下）における昇華温度が低下することも確認した。

＜有機ＥＬ素子の作製１＞
以下の実施例１２Ａでは、第一の化合物として、パラ−ジシアノベンゼンに、一般式（１−１）で表される基を２つと、一般式（２−１）で表される基を２つ結合させた化合物（ＴＡＤＦ１）を用いて、有機ＥＬ素子を作製した。
実施例１２Ａ−１及び１２Ａ−２では、第一の化合物として、パラ−ジシアノベンゼンに、一般式（１−１）で表される基を１つと、一般式（２−１）で表される基を３つ結合させた化合物（ＴＡＤＦ１２，ＴＡＤＦ１６）を用いて、有機ＥＬ素子を作製した。
比較例１２Ｂでは、パラ−ジシアノベンゼンに、一般式（１−１）で表される基を４つ結合させた化合物（比較化合物２）を用いて、有機ＥＬ素子を作製した。

〔実施例１２Ａ〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄を行った後、ＵＶオゾン洗浄を１分間行った。ＩＴＯの膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付き前記ガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＴ−１と化合物ＨＡとを共蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層を形成した。正孔注入層における化合物ＨＴ−１の濃度を９７質量％とし、化合物ＨＡの濃度を３質量％とした。
次に、正孔注入層上に、化合物ＨＴ−１を蒸着し、正孔注入層上に膜厚２００ｎｍの第一正孔輸送層を形成した。
次に、この第一正孔輸送層上に、化合物ＨＴ−２を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二正孔輸送層を形成した。
次に、この第二正孔輸送層上に、第一の化合物としての化合物ＴＡＤＦ１と、第二の化合物としての化合物ＲＤ−１と、第三の化合物としての化合物ＣＢＰとを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの第一の有機層としての発光層を形成した。発光層における化合物ＴＡＤＦ１の濃度を２５質量％とし、化合物ＲＤ−１の濃度を１質量％とし、化合物ＣＢＰの濃度を７４質量％とした。
次に、この発光層上に、化合物ＥＴ−１を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第一電子輸送層を形成した。
次に、この第一電子輸送層上に、化合物ＥＴ−２を蒸着し、膜厚３０ｎｍの第二電子輸送層を形成した。
次に、この第二電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を蒸着し、膜厚１ｎｍの電子注入性電極（陰極）を形成した。
そして、この電子注入性電極上に、金属アルミニウム（Ａｌ）を蒸着し、膜厚８０ｎｍの金属Ａｌ陰極を形成した。
実施例１２Ａの素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:TADF1:RD-1（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９７％：３％）は、正孔注入層における化合物ＨＴ−１及び化合物ＨＡの割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（７４％：２５％：１％）は、発光層における第三の化合物、第一の化合物、及び第二の化合物の割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。

（実施例１２Ａ−１）
実施例１２Ａ−１の有機ＥＬ素子は、実施例１２Ａの発光層における化合物ＴＡＤＦ１に代えて、化合物ＴＡＤＦ１２を用いたこと以外、実施例１２Ａと同様にして作製した。
実施例１２Ａ−１の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:TADF12:RD-1（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

（実施例１２Ａ−２）
実施例１２Ａ−２の有機ＥＬ素子は、実施例１２Ａの発光層における化合物ＴＡＤＦ１に代えて、化合物ＴＡＤＦ１６を用いたこと以外、実施例１２Ａと同様にして作製した。
実施例１２Ａ−２の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:TADF16:RD-1（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

（比較例１２Ｂ）
比較例１２Ｂの有機ＥＬ素子は、実施例１２Ａの発光層における化合物ＴＡＤＦ１に代えて、比較化合物２を用いたこと以外、実施例１２Ａと同様にして作製した。
比較例１２Ｂの素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP: 比較化合物2:RD-1（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

＜評価１−１＞
実施例１２Ａ及び比較例１２Ｂで作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表６０に示す。

・外部量子効率ＥＱＥ
電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^２、又は１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ−２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行ったと仮定し外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）を算出した。
以下では、電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^２のときの外部量子効率ＥＱＥ（％）を「低電流時のＥＱＥ（％）」と称する。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２のときの外部量子効率ＥＱＥ（％）を「高電流時のＥＱＥ（％）」と称する。

下記数式（数１００）を用いて、比較例１２Ｂの「低電流時のＥＱＥ（％）」を１００％としたときの実施例１２Ａの「低電流時のＥＱＥ（％）」を「低電流時のＥＱＥ（相対値：％）」として求めた。
実施例１２Ａの低電流時のＥＱＥ（相対値：％）＝（実施例１２Ａの低電流時のＥＱＥ（％）／比較例１２Ｂの低電流時のＥＱＥ（％））×１００（数１００）

下記数式（数１０１）を用いて、比較例１２Ｂの「高電流時のＥＱＥ（％）」を１００％としたときの実施例１２Ａの「高電流時のＥＱＥ（％）」を「高電流時のＥＱＥ（相対値：％）」として求めた。
実施例１２Ａの高電流時のＥＱＥ（相対値：％）＝（実施例１２Ａの高電流時のＥＱＥ（％）／比較例１２Ｂの高電流時のＥＱＥ（％））×１００（数１０１）

・色度ＣＩＥｘ、ＣＩＥｙ、及び主ピーク波長λ_ｐ
分光放射輝度計ＣＳ−２０００（コニカミノルタ株式会社製）を用いて、電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、色度ＣＩＥｘ、ＣＩＥｙ、及び主ピーク波長λ_ｐ（単位：ｎｍ）を算出した。

・表中の説明
「低電流時」は、電流密度が１ｍＡ／ｃｍ^２のときを表す。
「高電流時」は、電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２のときを表す。
以下の表においても同様である。

実施例１２Ａの有機ＥＬ素子は、比較例１２Ｂの有機ＥＬ素子に比べ、低電流時（電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^２のとき）においても、高電流時（電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２のとき）においても外部量子効率ＥＱＥが向上した。

＜評価１−２＞
実施例１２Ａ−１、１２Ａ−２及び比較例１２Ｂで作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表６１に示す。

・外部量子効率ＥＱＥ
実施例１２Ａで作製した有機ＥＬ素子と同様の方法で、比較例１２Ｂの「低電流時のＥＱＥ（％）」を１００％としたときの実施例１２Ａ−１の「低電流時のＥＱＥ（％）」を「低電流時のＥＱＥ（相対値：％）」として求めた。実施例１２Ａ−２の有機ＥＬ素子についても同様の方法で「低電流時のＥＱＥ（相対値：％）」を求めた。

・駆動電圧
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように陽極と陰極との間に通電したときの電圧（単位：Ｖ）を計測した。

下記数式（数１００Ａ）を用いて、比較例１２Ｂの「駆動電圧（Ｖ）」を１００％としたときの実施例１２Ａ−１の「駆動電圧（Ｖ）」を「駆動電圧（相対値：％）」として求めた。実施例１２Ａ−２の有機ＥＬ素子についても同様の方法で「駆動電圧（相対値：％）」を求めた。
実施例１２Ａ−１の駆動電圧（相対値：％）＝（実施例１２Ａ−１の駆動電圧（Ｖ）／比較例１２Ｂの駆動電圧（Ｖ））×１００（数１００Ａ）

・色度ＣＩＥｘ、ＣＩＥｙ、及び主ピーク波長λ_ｐの値
実施例１２Ａで作製した有機ＥＬ素子と同様の方法で、色度ＣＩＥｘ、ＣＩＥｙ、及び主ピーク波長λ_ｐ（単位：ｎｍ）を算出した。

実施例１２Ａ−１及び１２Ａ−２の有機ＥＬ素子は、比較例１２Ｂの有機ＥＬ素子に比べ、駆動電圧が低下し、かつ低電流時（電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^２のとき）の外部量子効率ＥＱＥが向上した。

＜有機ＥＬ素子の作製２＞
以下の実施例１３Ａ及び１３Ａ−１では、第一の化合物として、メタ−ジシアノベンゼンに、一般式（１−１）で表される基を２つと、一般式（２−１）で表される基を２つ結合させた化合物（ＴＡＤＦ７，ＴＤＡＦ１３）を用いて、有機ＥＬ素子を作製した。
比較例１３Ｂでは、メタ−ジシアノベンゼンに、一般式（１−１）で表される基を４つ結合させた化合物（比較化合物１）を用いて、有機ＥＬ素子を作製した。

（実施例１３Ａ）
実施例１３Ａの有機ＥＬ素子は、実施例１２Ａの発光層における化合物ＴＡＤＦ１に代えて、化合物ＴＡＤＦ７を用いたこと以外、実施例１２Ａと同様にして作製した。
実施例１３Ａの素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:TADF7:RD-1（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

（実施例１３Ａ−１）
実施例１３Ａ−１の有機ＥＬ素子は、実施例１２Ａの発光層における化合物ＴＡＤＦ１に代えて、化合物ＴＡＤＦ１３を用いたこと以外、実施例１２Ａと同様にして作製した。
実施例１３Ａ−１の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:TADF13:RD-1（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

（比較例１３Ｂ）
比較例１３Ｂの有機ＥＬ素子は、実施例１２Ａの発光層における化合物ＴＡＤＦ１に代えて、比較化合物１を用いたこと以外、実施例１２Ａと同様にして作製した。
比較例１３Ｂの素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:比較化合物1:RD-1（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

＜評価２−１＞
実施例１３Ａ及び比較例１３Ｂで作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表６２に示す。

下記数式（数１０３）を用いて、比較例１３Ｂの「駆動電圧（Ｖ）」を１００％としたときの実施例１３Ａの「駆動電圧（Ｖ）」を「駆動電圧（相対値：％）」として求めた。
実施例１３Ａの駆動電圧（相対値：％）＝（実施例１３Ａの駆動電圧（Ｖ）／比較例１３Ｂの駆動電圧（Ｖ））×１００（数１０３）

実施例１３Ａの有機ＥＬ素子は、比較例１３Ｂの有機ＥＬ素子に比べ、駆動電圧が低下した。

＜評価２−２＞
実施例１３Ａ−１及び比較例１３Ｂで作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表６３に示す。

・駆動電圧
実施例１２Ａ−１で作製した有機ＥＬ素子と同様の方法で、比較例１３Ｂの「駆動電圧（単位：Ｖ）」を１００％としたときの実施例１３Ａ−１の「駆動電圧（単位：Ｖ）」を「駆動電圧（相対値：％）」として求めた。

実施例１３Ａ−１の有機ＥＬ素子は、比較例１３Ｂの有機ＥＬ素子に比べ、駆動電圧が低下した。

＜有機ＥＬ素子の作製３＞
以下の実施例１４Ａでは、第一の化合物として、オルト−ジシアノベンゼンに、一般式（１−１）で表される基を１つと、一般式（２−１）で表される基を３つ結合させた化合物（ＴＡＤＦ６）を用いて、有機ＥＬ素子を作製した。
比較例１４Ｂでは、オルト−ジシアノベンゼンに、一般式（１−１）で表される基を４つ結合させた化合物（比較化合物３）を用いて、有機ＥＬ素子を作製した。

（実施例１４Ａ）
実施例１４Ａの有機ＥＬ素子は、実施例１２Ａの発光層における化合物ＴＡＤＦ１に代えて、化合物ＴＡＤＦ６を用いたこと以外、実施例１２Ａと同様にして作製した。
実施例１４Ａの素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:TADF6:RD-1（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

（比較例１４Ｂ）
比較例１４Ｂの有機ＥＬ素子は、実施例１２Ａの発光層における化合物ＴＡＤＦ１に代えて、比較化合物３を用いたこと以外、実施例１２Ａと同様にして作製した。
比較例１４Ｂの素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP: 比較化合物3:RD-1（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

＜評価３＞
実施例１４Ａ及び比較例１４Ｂで作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表６４に示す。

・駆動電圧
実施例１３Ａで作製した有機ＥＬ素子と同様の方法で、比較例１４Ｂの「駆動電圧（単位：Ｖ）」を１００％としたときの実施例１４Ａの「駆動電圧（単位：Ｖ）」を「駆動電圧（相対値：％）」として求めた。

・外部量子効率ＥＱＥ
実施例１２Ａで作製した有機ＥＬ素子と同様の方法で、比較例１４Ｂの「低電流時のＥＱＥ（％）」を１００％としたときの実施例１４Ａの「低電流時のＥＱＥ（％）」を「低電流時のＥＱＥ（相対値：％）」として求めた。

・色度ＣＩＥｘ、ＣＩＥｙ、及び主ピーク波長λ_ｐ
実施例１２Ａで作製した有機ＥＬ素子と同様の方法で、色度ＣＩＥｘ、ＣＩＥｙ、及び主ピーク波長λ_ｐ（単位：ｎｍ）を算出した。

実施例１４Ａの有機ＥＬ素子は、比較例１４Ｂの有機ＥＬ素子に比べ、駆動電圧が低下し、かつ低電流時（電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^２のとき）の外部量子効率ＥＱＥが向上した。

＜有機ＥＬ素子の作製４＞
以下の実施例１５Ａでは、第一の化合物として、パラ−ジシアノベンゼンに、一般式（１−４）で表される基を２つと、一般式（２−１）で表される基を２つ結合させた化合物（ＴＡＤＦ１８）を用いて、有機ＥＬ素子を作製した。
実施例１５Ａ−１及び１５Ａ−５では、第一の化合物として、パラ−ジシアノベンゼンに、一般式（１−１）で表される基を１つと、一般式（２−１）で表される基を３つ結合させた化合物（ＴＡＤＦ２０，ＴＡＤＦ３８）を用いて、有機ＥＬ素子を作製した。
実施例１５Ａ−２及び１５Ａ−４では、第一の化合物として、パラ−ジシアノベンゼンに、一般式（１−４）で表される基を１つと、一般式（２−１）で表される基を３つ結合させた化合物（ＴＡＤＦ２２，ＴＡＤＦ３７）を用いて、有機ＥＬ素子を作製した。
実施例１５Ａ−３では、第一の化合物として、パラ−ジシアノベンゼンに、一般式（１−２）で表される基を２つと、一般式（２−１）で表される基を２つ結合させた化合物（ＴＡＤＦ２８）を用いて、有機ＥＬ素子を作製した。

（実施例１５Ａ）
実施例１５Ａの有機ＥＬ素子は、実施例１２Ａの発光層における化合物ＴＡＤＦ１に代えて、化合物ＴＡＤＦ１８を用いたこと以外、実施例１２Ａと同様にして作製した。
実施例１５Ａの素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:TADF18:RD-1（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。

（実施例１５Ａ−１）
実施例１５Ａ−１の有機ＥＬ素子は、実施例１２Ａの発光層における化合物ＴＡＤＦ１に代えて、化合物ＴＡＤＦ２０を用いたこと以外、実施例１２Ａと同様にして作製した。
実施例１５Ａ−１の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:TADF20:RD-1（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

（実施例１５Ａ−２）
実施例１５Ａ−２の有機ＥＬ素子は、実施例１２Ａの発光層における化合物ＴＡＤＦ１に代えて、化合物ＴＡＤＦ２２を用いたこと以外、実施例１２Ａと同様にして作製した。
実施例１５Ａ−２の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:TADF22:RD-1（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

（実施例１５Ａ−３）
実施例１５Ａ−３の有機ＥＬ素子は、実施例１２Ａの発光層における化合物ＴＡＤＦ１に代えて、化合物ＴＡＤＦ２８を用いたこと以外、実施例１２Ａと同様にして作製した。
実施例１５Ａ−３の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:TADF28:RD-1（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

（実施例１５Ａ−４）
実施例１５Ａ−４の有機ＥＬ素子は、実施例１２Ａの発光層における化合物ＴＡＤＦ１に代えて、化合物ＴＡＤＦ３７を用いたこと以外、実施例１２Ａと同様にして作製した。
実施例１５Ａ−４の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:TADF37:RD-1（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

（実施例１５Ａ−５）
実施例１５Ａ−５の有機ＥＬ素子は、実施例１２Ａの発光層における化合物ＴＡＤＦ１に代えて、化合物ＴＡＤＦ３８を用いたこと以外、実施例１２Ａと同様にして作製した。
実施例１５Ａ−５の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:TADF38:RD-1（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

＜評価４＞
実施例１５Ａ及び実施例１５Ａ−１〜１５Ａ−５で作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表６５に示す。なお、表６５には、比較例１２Ｂの評価結果も示す。

・外部量子効率ＥＱＥ
実施例１２Ａで作製した有機ＥＬ素子と同様の方法で、比較例１２Ｂの「低電流時のＥＱＥ（％）」を１００％としたときの実施例１５Ａ及び１５Ａ−１〜１５Ａ−５の「低電流時のＥＱＥ（％）」を「低電流時のＥＱＥ（相対値：％）」としてそれぞれ求めた。また、比較例１２Ｂの「高電流時のＥＱＥ（％）」を１００％としたときの実施例１５Ａ及び１５Ａ−１〜１５Ａ−５の「高電流時のＥＱＥ（％）」を「高電流時のＥＱＥ（相対値：％）」としてそれぞれ求めた。

・駆動電圧
実施例１３Ａで作製した有機ＥＬ素子と同様の方法で、比較例１２Ｂの「駆動電圧（単位：Ｖ）」を１００％としたときの実施例１５Ａ及び１５Ａ−１〜１５Ａ−５の「駆動電圧（単位：Ｖ）」を「駆動電圧（相対値：％）」としてそれぞれ求めた。

実施例１５Ａ及び実施例１５Ａ−１〜１５Ａ−５の有機ＥＬ素子は、比較例１２Ｂの有機ＥＬ素子に比べ、低電流時（電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^２のとき）においても、高電流時（電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２のとき）においても外部量子効率ＥＱＥが向上した。さらに、実施例１５Ａ、実施例１５Ａ−１〜１５Ａ−２及び実施例１５Ａ−４の有機ＥＬ素子は、比較例１２Ｂの有機ＥＬ素子に比べ、駆動電圧が低下した。

＜有機ＥＬ素子の作製５＞
以下の実施例１６Ａ、１６Ａ−１及び１６Ａ−２では、第一の化合物として、パラ−ジシアノベンゼンに、一般式（１−４）で表される基を１つと、一般式（２−１）で表される基を３つ結合させた化合物（ＴＡＤＦ２２）を用いて、有機ＥＬ素子を作製した。
比較例１６Ｂ、１６Ｂ−１及び１６Ｂ−２では、パラ−ジシアノベンゼンに、一般式（１−１）で表される基を４つ結合させた化合物（比較化合物２）を用いて、有機ＥＬ素子を作製した。

（実施例１６Ａ）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄を行った後、ＵＶオゾン洗浄を１分間行った。ＩＴＯの膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付き前記ガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＴ−１と化合物ＨＡとを共蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層を形成した。正孔注入層における化合物ＨＴ−１の濃度を９７質量％とし、化合物ＨＡの濃度を３質量％とした。
次に、正孔注入層上に、化合物ＨＴ−１を蒸着し、正孔注入層上に膜厚２００ｎｍの第一正孔輸送層を形成した。
次に、この第一正孔輸送層上に、化合物ＨＴ−２を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二正孔輸送層を形成した。
次に、この第二正孔輸送層上に、第一の化合物としての化合物ＴＡＤＦ２２と、第二の化合物としての化合物ＲＤ−２と、第三の化合物としての化合物ＣＢＰとを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの第一の有機層としての発光層を形成した。発光層における化合物ＴＡＤＦ２２の濃度を２５質量％とし、化合物ＲＤ−２の濃度を１質量％とし、化合物ＣＢＰの濃度を７４質量％とした。
次に、この発光層上に、化合物ＥＴ−１を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第一電子輸送層を形成した。
次に、この第一電子輸送層上に、化合物ＥＴ−２を蒸着し、膜厚３０ｎｍの第二電子輸送層を形成した。
次に、この第二電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を蒸着し、膜厚１ｎｍの電子注入性電極（陰極）を形成した。
そして、この電子注入性電極上に、金属アルミニウム（Ａｌ）を蒸着し、膜厚８０ｎｍの金属Ａｌ陰極を形成した。
実施例１６Ａの素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:TADF22:RD-2（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。

（実施例１６Ａ−１）
実施例１６Ａ−１の有機ＥＬ素子は、実施例１６Ａの発光層における化合物ＲＤ−２に代えて、化合物ＲＤ−３を用いたこと以外、実施例１６Ａと同様にして作製した。
実施例１６Ａ−１の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP: TADF22:RD-3（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

（実施例１６Ａ−２）
実施例１６Ａ−２の有機ＥＬ素子は、実施例１６Ａの発光層における化合物ＲＤ−２に代えて、化合物ＲＤ−４を用いたこと以外、実施例１６Ａと同様にして作製した。
実施例１６Ａ−２の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP: TADF22:RD-4（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

（比較例１６Ｂ）
比較例１６Ｂの有機ＥＬ素子は、実施例１６Ａの発光層における化合物ＴＡＤＦ２２に代えて、比較化合物２を用いたこと以外、実施例１６Ａと同様にして作製した。
比較例１６Ｂの素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:比較化合物2:RD-2（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

（比較例１６Ｂ−１）
比較例１６Ｂ−１の有機ＥＬ素子は、実施例１６Ａ−１の発光層における化合物ＴＡＤＦ２２に代えて、比較化合物２を用いたこと以外、実施例１６Ａ−１と同様にして作製した。
比較例１６Ｂ−１の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:比較化合物2: RD-3（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

（比較例１６Ｂ−２）
比較例１６Ｂ−２の有機ＥＬ素子は、実施例１６Ａ−２の発光層における化合物ＴＡＤＦ２２に代えて、比較化合物２を用いたこと以外、実施例１６Ａ−２と同様にして作製した。
比較例１６Ｂ−２の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO（130）/HT-1:HA（10,97%:3%）/HT-1（200）/HT-2（10）/CBP:比較化合物2: RD-4（25,74%:25%:1%）/ET-1（10）/ET-2（30）/LiF（1）/Al（80）

＜評価５＞
実施例１６Ａ、１６Ａ−１及び１６Ａ−２並びに比較例１６Ｂ、１６Ｂ−１及び１６Ｂ−２で作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表６６に示す。

・外部量子効率ＥＱＥ
実施例１２Ａで作製した有機ＥＬ素子と同様の方法で、比較例１６Ｂ、１６Ｂ−１及び１６Ｂ−２の「低電流時のＥＱＥ（％）」をそれぞれ１００％としたときの実施例１６Ａ、１６Ａ−１及び１６−２の「低電流時のＥＱＥ（％）」を「低電流時のＥＱＥ（相対値：％）」としてそれぞれ求めた。また、比較例１６Ｂ、１６Ｂ−１及び１６Ｂ−２の「高電流時のＥＱＥ（％）」をそれぞれ１００％としたときの実施例１６Ａ、１６Ａ−１及び１６−２の「高電流時のＥＱＥ（％）」を「高電流時のＥＱＥ（相対値：％）」としてそれぞれ求めた。

・駆動電圧
実施例１３Ａで作製した有機ＥＬ素子と同様の方法で、比較例１６Ｂ、１６Ｂ−１及び１６Ｂ−２の「駆動電圧（単位：Ｖ）」をそれぞれ１００％としたときの実施例１６Ａ、１６Ａ−１及び１６−２の「駆動電圧（単位：Ｖ）」を「駆動電圧（相対値：％）」としてそれぞれ求めた。

実施例１６Ａの有機ＥＬ素子は、比較例１６Ｂの有機ＥＬ素子に比べ、低電流時（電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^２のとき）においても、高電流時（電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２のとき）においても外部量子効率ＥＱＥが向上し、駆動電圧が低下した。
実施例１６Ａ−１の有機ＥＬ素子は、比較例１６Ｂ−１の有機ＥＬ素子に比べ、低電流時（電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^２のとき）においても、高電流時（電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２のとき）においても外部量子効率ＥＱＥが向上し、駆動電圧が低下した。
実施例１６Ａ−２の有機ＥＬ素子は、比較例１６Ｂ−２の有機ＥＬ素子に比べ、低電流時（電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^２のとき）においても、高電流時（電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２のとき）においても外部量子効率ＥＱＥが向上し、駆動電圧が低下した。

１…有機ＥＬ素子、２…基板、３…陽極、４…陰極、５…発光層、６…正孔注入層、７…正孔輸送層、８…電子輸送層、９…電子注入層。

Claims

下記一般式（１１）〜（１３）のいずれかで表される化合物。

（前記一般式（１１）〜（１３）において、Ｒ_１〜Ｒ_４は、それぞれ独立に、下記一般式（１−１）〜（１−６）で表される基のいずれかの基であるか、または下記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基のいずれかの基であり、ただし、Ｒ_１〜Ｒ_４のうち少なくとも１つは、下記一般式（１−１）〜（１−６）で表される基のいずれかの基であり、Ｒ_１〜Ｒ_４のうち少なくとも１つは、下記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基のいずれかの基である。）

（前記一般式（１−１）において、Ｘ_１は、酸素原子、硫黄原子、またはＣＲ_１５１Ｒ_１５２であり、Ｒ_１０１〜Ｒ_１１０は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であり、Ｒ_１５１及びＲ_１５２は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であるか、又はＲ_１５１及びＲ_１５２が互いに結合して環を形成し、
置換基としてのＲ_１０１〜Ｒ_１１０、Ｒ_１５１及びＲ_１５２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１４の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜６のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜１２のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキルチオ基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリールチオ基である。
前記一般式（１−２）において、Ｘ_２及びＲ_１１１〜Ｒ_１２０は、それぞれ、前記一般式（１−１）におけるＸ_１及びＲ_１０１〜Ｒ_１１０と同義である。
前記一般式（１−３）において、Ｘ_３及びＲ_１２１〜Ｒ_１３０は、それぞれ、前記一般式（１−１）におけるＸ_１及びＲ_１０１〜Ｒ_１１０と同義である。
前記一般式（１−４）において、Ｘ_４及びＲ_１３１〜Ｒ_１４０は、それぞれ、前記一般式（１−１）におけるＸ_１及びＲ_１０１〜Ｒ_１１０と同義である。
前記一般式（１−５）において、Ｘ_５及びＲ_１４１〜Ｒ_１５０は、それぞれ、前記一般式（１−１）におけるＸ_１及びＲ_１０１〜Ｒ_１１０と同義である。
前記一般式（１−６）において、Ｘ_６及びＲ_６１〜Ｒ_７０は、それぞれ、前記一般式（１−１）におけるＸ_１及びＲ_１０１〜Ｒ_１１０と同義である。＊は、それぞれ独立に、前記一般式（１１）〜（１３）中におけるベンゼン環の炭素原子との結合部位を表す。）

（前記一般式（２−１）において、Ｒ_１６１〜Ｒ_１６８は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であり、
置換基としてのＲ_１６１〜Ｒ_１６８は、それぞれ独立に、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１４の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜６のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜１２のアルキルアミノ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキルチオ基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１４のアリールチオ基である。
前記一般式（２−２）において、Ｒ_１７１〜Ｒ_１８０は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であり、置換基としてのＲ_１７１〜Ｒ_１８０は、それぞれ独立に、前記一般式（２−１）におけるＲ_１６１〜Ｒ_１６８について列挙した置換基と同義である。
前記一般式（２−３）において、Ｒ_１８１〜Ｒ_１９０は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であり、置換基としてのＲ_１８１〜Ｒ_１９０は、それぞれ独立に、前記一般式（２−１）におけるＲ_１６１〜Ｒ_１６８について列挙した置換基と同義である。
前記一般式（２−４）において、Ｒ_１９１〜Ｒ_２００は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であり、置換基としてのＲ_１９１〜Ｒ_２００は、それぞれ独立に、前記一般式（２−１）におけるＲ_１６１〜Ｒ_１６８について列挙した置換基と同義である。＊は、それぞれ独立に、前記一般式（１１）〜（１３）中におけるベンゼン環の炭素原子との結合部位を表す。）
請求項１に記載の化合物において、
Ｒ_１〜Ｒ_４の基として、前記一般式（１−１）〜（１−６）で表される基から３つの基が選ばれたとき、その選ばれた３つの基は、全てが前記一般式（１−１）〜（１−６）のうちの１つの一般式により表され、かつ、置換基も含めて互いに同一の基であり、
Ｒ_１〜Ｒ_４の基として、前記一般式（１−１）〜（１−６）で表される基から２つの基が選ばれたとき、その選ばれた２つの基は、全てが前記一般式（１−１）〜（１−６）のうちの１つの一般式により表され、かつ、置換基も含めて互いに同一の基である、
化合物。
請求項１または請求項２に記載の化合物において、
Ｒ_１〜Ｒ_４の基として、前記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基から３つの基が選ばれたとき、その選ばれた３つの基は、全てが前記一般式（２−１）〜（２−４）のうちの１つの一般式により表され、かつ、置換基も含めて互いに同一の基であり、
Ｒ_１〜Ｒ_４の基として、前記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基から２つの基が選ばれたとき、その選ばれた２つの基は、全てが前記一般式（２−１）〜（２−４）のうちの１つの一般式により表され、かつ、置換基も含めて互いに同一の基である、
化合物。
請求項１に記載の化合物において、
前記化合物は、下記一般式（１０１）〜（１２３）で表される化合物のいずれかの化合物である、
化合物。

（前記一般式（１０１）〜（１２３）において、Ｄ_１は、それぞれ独立に、前記一般式（１−１）〜（１−６）で表される基のいずれかの基であり、Ｄ_２は、それぞれ独立に、前記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基のいずれかの基であり、複数のＤ_１は、互いに同一または異なり、複数のＤ_２は、互いに同一または異なる。）
請求項４に記載の化合物において、
前記一般式（１０１）〜（１２３）におけるＤ_１は、互いに同一の基である、
化合物。
請求項４または請求項５に記載の化合物において、
前記一般式（１０１）〜（１２３）におけるＤ_２は、互いに同一の基である、
化合物。
請求項４から請求項６のいずれか一項に記載の化合物において、
前記一般式（１０１）〜（１２３）におけるＤ_１は、互いに同一の基であり、Ｄ_２は、互いに同一の基である、
化合物。
請求項４から請求項７のいずれか一項に記載の化合物において、
前記化合物は、前記一般式（１０１）、（１０６）、（１０７）、（１１０）、（１１１）、及び（１１６）〜（１１９）で表される化合物のいずれかの化合物である、
化合物。
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の化合物において、
前記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基は、下記一般式（２−５）〜（２−１７）で表される基のいずれかの基である、
化合物。

（前記一般式（２−５）〜（２−１７）において、＊は、それぞれ独立に、前記一般式（１１）〜（１３）中におけるベンゼン環の炭素原子との結合部位を表し、Ｄは重水素を表す。）
請求項９に記載の化合物において、
前記一般式（２−１）で表される基は、前記一般式（２−５）で表される基または前記一般式（２−１５）で表される基である、
化合物。
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の化合物において、
前記一般式（１−１）〜（１−６）において、Ｘ_１〜Ｘ_６は、酸素原子である、
化合物。
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の化合物において、
前記一般式（１−１）〜（１−６）において、Ｘ_１〜Ｘ_６は、硫黄原子である、
化合物。
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の化合物において、
前記一般式（１−１）〜（１−６）において、Ｘ_１〜Ｘ_６は、ＣＲ_１５１Ｒ_１５２である、
化合物。
請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の化合物において、
一般式（１−１）〜（１−６）で表される基は、前記一般式（１−１）で表される基、前記一般式（１−２）で表される基、または前記一般式（１−４）で表される基である、
化合物。
請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の化合物において、
一般式（２−１）〜（２−４）で表される基は、前記一般式（２−２）で表される基、前記一般式（２−３）で表される基、または前記一般式（２−４）で表される基である、
化合物。
請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の化合物において、
一般式（２−１）〜（２−４）で表される基は、いずれも前記一般式（２−１）で表される基である、
化合物。
請求項４から請求項１６のいずれか一項に記載の化合物において、
前記化合物は、下記一般式（１０１）、（１０６）、（１０７）、（１１０）、（１１１）、及び（１１６）〜（１１９）で表される化合物のいずれかの化合物である、
化合物。

（前記一般式（１０１）、（１０６）、（１０７）、（１１０）、（１１１）、及び（１１６）〜（１１９）において、Ｄ_１は、それぞれ独立に、前記一般式（１−１）で表される基、前記一般式（１−２）で表される基、または前記一般式（１−４）で表される基であり、前記Ｄ_２は、それぞれ独立に、前記一般式（２−５）〜（２−１４）で表される基のいずれかの基であり、複数のＤ_１は、互いに同一または異なり、複数のＤ_２は、互いに同一または異なる。）
請求項４から請求項１７のいずれか一項に記載の化合物において、
前記化合物は、前記一般式（１１）で表される化合物である、
化合物。
請求項４から請求項１７のいずれか一項に記載の化合物において、
前記化合物は、前記一般式（１２）で表される化合物である、
化合物。
請求項４から請求項１７のいずれか一項に記載の化合物において、
前記化合物は、前記一般式（１３）で表される化合物である、
化合物。
請求項１から請求項２０のいずれか一項に記載の化合物において、
置換基としてのＲ_１０１〜Ｒ_１５０、Ｒ_１５１、Ｒ_１５２、Ｒ_１６１〜Ｒ_１６８、Ｒ_１７１〜Ｒ_２００及びＲ_１７１〜Ｒ_１８０及びＲ_６１〜Ｒ_７０は、それぞれ独立に、
ハロゲン原子、
無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、
無置換の環形成原子数５〜１４の複素環基、
無置換の炭素数１〜６のアルキル基、
無置換の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基、
無置換の炭素数３〜６のアルキルシリル基、
無置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、
無置換の環形成炭素数６〜１４のアリールオキシ基、
無置換の炭素数２〜１２のアルキルアミノ基、
無置換の炭素数１〜６のアルキルチオ基、または
無置換の環形成炭素数６〜１４のアリールチオ基である、
化合物。
請求項２１に記載の化合物において、
前記置換基としてのＲ_１０１〜Ｒ_１５０、Ｒ_１５１、Ｒ_１５２、Ｒ_１６１〜Ｒ_１６８、Ｒ_１７１〜Ｒ_２００及びＲ_６１〜Ｒ_７０は、それぞれ独立に、
無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、または
無置換の炭素数１〜６のアルキル基である、
化合物。
請求項１から請求項２０のいずれか一項に記載の化合物において、
前記一般式（１−１）〜（１−６）において、
Ｒ_１０１〜Ｒ_１５０及びＲ_６１〜Ｒ_７０は、水素原子であり、
Ｒ_１５１及びＲ_１５２は、無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基、または無置換の炭素数１〜６のアルキル基であり、
前記（２−１）〜（２−４）において、
Ｒ_１６１〜Ｒ_１６８及びＲ_１７１〜Ｒ_２００は、水素原子である、
化合物。
請求項１から請求項２３のいずれか一項に記載の化合物において、
前記Ｒ_１〜Ｒ_４のそれぞれを構成する原子の原子量の総和をそれぞれ算出したとき、
前記一般式（１−１）〜（１−６）で表される基に該当する基の前記総和のうち最小の総和Ｍ１（ｍｉｎ）と、前記一般式（２−１）〜（２−４）で表される基に該当する基の前記総和のうち最大の総和Ｍ２（ｍａｘ）とが下記数式（数１）の関係を満たす、
化合物。
Ｍ１（ｍｉｎ）＞Ｍ２（ｍａｘ）（数１）
請求項１から請求項２４のいずれか一項に記載の化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に含まれる第一の有機層と、
を有し、
前記第一の有機層は、第一の化合物を含み、
前記第一の化合物は、請求項１から請求項２４のいずれか一項に記載の化合物である、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項２６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第一の有機層は、発光層である、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項２６または請求項２７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第一の有機層は、前記第一の化合物と、さらに第二の化合物とを含み、
前記第二の化合物は、蛍光発光性の化合物である、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項２８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第一の有機層は、前記第一の化合物及び前記第二の化合物と、さらに第三の化合物を含み、
前記第一の化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｍａｔ１）と、前記第三の化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｍａｔ３）とが、下記数式（数２）の関係を満たす、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｓ_１（Ｍａｔ３）＞Ｓ_１（Ｍａｔ１）（数２）
請求項２８または請求項２９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第二の化合物は、下記一般式（２０）で表される化合物であり、
前記第一の化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｍａｔ１）と、前記第二の化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｍａｔ２）とが、下記数式（数３）の関係を満たす、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｓ_１（Ｍａｔ１）＞Ｓ_１（Ｍａｔ２）（数３）
有機エレクトロルミネッセンス素子。

（前記一般式（２０）において、
Ｘは、窒素原子、又はＹと結合する炭素原子であり、
Ｙは、水素原子又は置換基であり、
Ｒ_２１〜Ｒ_２６は、それぞれ独立に、水素原子もしくは置換基であるか、又はＲ_２１及びＲ_２２の組、Ｒ_２２及びＲ_２３の組、Ｒ_２４及びＲ_２５の組、並びにＲ_２５及びＲ_２６の組のいずれか１つ以上の組が互いに結合して環を形成し、
置換基としてのＹ、及びＲ_２１〜Ｒ_２６は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数６〜３０のアルキルチオ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、
ハロゲン原子、
カルボキシ基、
置換もしくは無置換のエステル基、
置換もしくは無置換のカルバモイル基、
置換もしくは無置換のアミノ基、
ニトロ基、
シアノ基、
置換もしくは無置換のシリル基、および
置換もしくは無置換のシロキサニル基からなる群から選択され、
Ｚ_２１およびＺ_２２は、それぞれ独立に、置換基であるか、又はＺ_２１及びＺ_２２が互いに結合して環を形成し、
置換基としてのＺ_２１及びＺ_２２は、それぞれ独立に、
ハロゲン原子、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロゲン化アルコキシ基、および
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基からなる群から選択される。）
請求項２８から請求項３０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第二の化合物の主ピーク波長は、６００ｎｍ以上６６０ｎｍ以下である、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項３１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
当該有機エレクトロルミネッセンス素子から発光する光の主ピーク波長は、６００ｎｍ以上６６０ｎｍ以下である、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項２８から請求項３０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第二の化合物の主ピーク波長は、５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下である、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項３３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
当該有機エレクトロルミネッセンス素子から発光する光の主ピーク波長は、５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下である、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項２６または請求項２７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第一の有機層は、前記第一の化合物と、さらに第四の化合物とを含み、
前記第一の化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｍａｔ１）と、前記第四の化合物の一重項エネルギーＳ_１（Ｍａｔ４）とが、下記数式（数４）の関係を満たす、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｓ_１（Ｍａｔ４）＞Ｓ_１（Ｍａｔ１）（数４）
請求項２６から請求項３５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第一の有機層は、金属錯体を含まない、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項２６から請求項３６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第一の化合物は、遅延蛍光性の化合物である、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項２６から請求項３７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器。