JP2016115734A - 有機発光素子及びこれを用いた光源装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】低電圧で発光強度が高い有機発光素子を提供する。【解決手段】基板と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、を含む有機発光素子であって、発光層は、発光ドーパントと、正孔輸送性ホスト材料と、電子輸送性ホスト材料と、を有し、発光ドーパントの最高被占軌道(HOMO)エネルギーレベル(HOMO_D)及び正孔輸送性ホスト材料のHOMOエネルギーレベル(HOMO_HH)、並びに発光ドーパントの最低空軌道(LUMO)エネルギーレベル(LUMO_D)及び電子輸送性ホスト材料のLUMOエネルギーレベル(LUMO_EH)は、下記関係式(1)及び(2)を満たす。【数1】【数2】【選択図】図1
Description
本発明は、有機発光素子及びこれを用いた光源装置に関する。
特許文献1には、有機電界発光素子において、発光性ドーパントのキャリアによる劣化を抑制し、駆動耐久性および発光特性を向上することを目的として、発光性ドーパントの電子親和力をEa(D)、複数のホスト化合物の電子親和力のうち最大のものをEa(H)maxとしたときに、ΔEa=Ea(H)max−Ea(D)で定義されるΔEaが、ΔEa>0eVの関係を満たすものが開示されている。
特許文献1に記載の有機電界発光素子においては、十分な発光が得られないという課題があった。その対策のため、発光層の発光ドーパントがキャリアトラップとなるようにすると、移動度が低下し、電流を十分に流せず、低電圧で高発光強度を実現できないという課題があった。
本発明の目的は、低電圧で発光強度が高い有機発光素子を提供することにある。
本発明の有機発光素子は、基板と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、を含み、発光層は、発光ドーパントと、正孔輸送性ホスト材料と、電子輸送性ホスト材料と、を有し、発光ドーパントの最高被占軌道(HOMO)エネルギーレベル(HOMO_D)及び正孔輸送性ホスト材料のHOMOエネルギーレベル(HOMO_HH)、並びに発光ドーパントの最低空軌道(LUMO)エネルギーレベル(LUMO_D)及び電子輸送性ホスト材料のLUMOエネルギーレベル(LUMO_EH)は、下記関係式(1)及び(2)を満たす。
本発明によれば、低電圧であっても電荷の移動度が向上するため、電流密度が高くなり、高い発光強度を有する有機発光素子を得ることができる。
以下、図面等により本発明を詳細に説明する。
図1は、本発明の有機発光素子の一実施形態を示す模式断面図である。
基板1はガラス基板である。但し、ガラス基板に限るものではなく、適切な透水性低下保護膜を施したプラスティック基板や金属基板も用いることができる。また、光取出し層を有していてもよい。光取出し層には散乱性を有する層やマイクロレンズを有する層を用いることができる。基板1にガラスより熱伝導性の高いSiやサファイヤなどの材料を用いることにより、より高輝度な発光を実現することができる。また、基板1と下部電極2の間に半透明ミラーを設けることにより、発光する波長の選択性を向上させ、半値幅の狭い発光を有する有機発光素子を提供することができる。
下部電極2は陽極である。ITO、IZOなどの透明電極が用いられる。但し、それらに限られるものではなく、Al、Agなどの積層体やMo、Crや透明電極と光拡散層との組合せなども用いることができる。また、下部電極は陽極に限るものではなく、陰極も用いることができる。その場合はAl、Mo、やAlとLiの積層体やAlNiなどの合金などが用いられる。また、ITO、IZOなどの透明電極を用いてもよい。
上部電極6は陰極である。Alと電子注入性のLiF、Li2Oなどのアルカリ金属のフッ化物、酸化物などの積層体が用いられる。また、Alとアルカリ金属の共蒸着物も用いられる。またITO、IZOなどの透明電極とMgAg、Liなどの電子注入性電極或いはLi、Csなどの電子供与性材料をドープした電子輸送層との積層体を用いることもできる。但し、それらに限られるものではなく、MgAgやAg薄膜単独でも用いることができる。また、ITO、IZOをスパッタで形成する際には、スパッタによるダメージを緩和するため、バッファー層を設けることがある。
バッファー層には、酸化モリブデン、酸化バナジウムなどの金属酸化物を用いる。上記のように下部電極が陰極となる場合には、上部電極は陽極となる。その場合には、ITO、IZOなどの透明電極が用いられる。また、Ag薄膜などの金属薄膜を用いることができる。ITO、IZOなどの透明電極をスパッタ法で形成する際には、スパッタによるダメージを緩和するため、バッファー層を設けることがある。バッファー層には、酸化モリブデン、酸化バナジウムなどの金属酸化物を用いる。また、上部電極6の上に半透明反射層を形成し、発光波長の半値幅を狭くすることができる。それにより、発光する波長の選択性を向上させることができる。
正孔輸送層3は、下部電極2から正孔を注入するための層である。単層もしくは複数層設けてもよい。正孔輸送層3としては、PEDOT(ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)):PSS(ポリスチレンスルホネート)等の導電性高分子が好ましい。その他にも、ポリピロール系やトリフェニルアミン系のポリマー材料を用いることができる。また、低分子(質量平均分子量10000以下)材料系と組合せてよく用いられる、フタロシアニン類化合物やスターバーストアミン系化合物も適用可能である。更にMoO3やF4TCNQなどの電子吸引性材料をドープした層とすることにより、下部電極2からの正孔注入障壁を低減することができ、より低電圧で高輝度な発光を得ることができる。また、上記のキャリアドーピングを行った層とドーピングされていない層を積層して用いることができる。また、電子をブロックする電子阻止層を積層して用いることができる。電子阻止層には、LUMOエネルギーが発光層のホスト、ドーパントより浅い材料を用いる。
発光層4は、所望の発光色の発光を得るための層である。発光層5はホスト及び発光ドーパントを含む。発光ドーパントとして、いわゆる蛍光材料、燐光材料、遅延蛍光材料のいずれでも用いることができる。発光ドーパントは1種類だけでもよいが、2種類、3種類を用いてもよい。発光層4は発光ドーパント以外に正孔輸送性ホスト材料及び電子輸送性ホスト材料の複数種を含んでいてもよい。それらは、発光層中の移動度を向上させるために用いられる。また、発光層はバインダポリマを含んでもよい。
ホストとして、トリフェニルアミン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体またはアリールシラン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアジン誘導体などを用いることが好ましい。また、8−キノリノールの金属錯体なども用いることができる。また、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル樹脂、ポリアミド、ゼラチンなどのバインダポリマも合わせて用いることができる。
電子輸送層5は、電子を上部電極6から発光層に輸送するための層である。電子輸送層の材料としては、例えば、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−(フェニルフェノラト)アルミニウム(以下、BAlq)や、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(以下、Alq3)、Tris(2,4,6−trimethyl−3−(pyridin−3−yl)phenyl)borane(以下、3TPYMB)、1,4−Bis(triphenylsilyl)benzene(以下、UGH2)、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フラーレン誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、トリアジン誘導体、カルバゾール誘導体等を用いることができる。また、電子供与性材料をドープして用いることもできる。そのような構造とすることで、上部電極からの電子注入を向上し、低電圧で高輝度を得ることができる。また、電子輸送層5は、正孔阻止機能を有する正孔阻止層と積層して用いることができる。そのようにすることで、電荷の再結合確率が向上し、高輝度化が実現できる。
なお、発光層の膜厚は、50〜200nmであることが望ましい。また、発光層の発光ドーパントの濃度は、1〜10質量%であることが望ましい。
以下、発光層のホスト材料を二種類とした例(実施例1〜5)について説明する。ここでは、正孔輸送性ホスト材料と、電子輸送性ホスト材料と、を用いている。
<実施例1及び比較例1>
本実施例1では、各層に以下のような材料を用いた。
本実施例1では、各層に以下のような材料を用いた。
基板1にはガラス基板を用い、下部電極2にはITOを用いた。正孔輸送層3には、下記化学式(1)で表されるカルバゾール誘導体とMoO3との質量比1:1の膜を用いた。
発光層3の正孔輸送性ホストには、上記化学式(1)で表されるカルバゾール誘導体を用いた。
この材料の最高被占軌道(HOMO)エネルギーレベルは、−5.9eVである。このHOMOエネルギーレベルは大気下光電子分光法にて測定されたものである。
また、電子輸送性ホストには、下記化学式(2)で表されるカルバゾール誘導体を用いた。
この材料の最低空軌道(LUMO)エネルギーレベルは、−2.6eVである。LUMOエネルギーレベルは、光学的エネルギーギャップ(Eg)を材料の吸収スペクトルの吸収端から求め、上記のHOMOエネルギーとEgから求めたものである。
発光ドーパントには以下の下記化学式(3)で表される遅延蛍光材料を用いた。
この発光ドーパントのHOMO及びLUMOエネルギーレベルはそれぞれ、−5.9eV、−2.6eVである。
発光層3において、発光ドーパントの濃度は5%である。また、膜厚は、150nmとした。発光層3は蒸着法により、発光ドーパント、正孔輸送性ホスト、電子輸送性ホストを共蒸着して形成した。
電子輸送層4には、上記化学式(2)で表されるカルバゾール誘導体とCsの質量比1:0.5の膜を用いた。
上部電極8には、ITOを用いた。
本比較例1では、下記の点以外は実施例1と同様に有機発光素子を作製した。
また、発光層3の正孔輸送性ホストには、下記化学式(4)で表されるカルバゾール誘導体を用いた。
この正孔輸送性ホスト材料のHOMOエネルギーレベルは、6.3eVである。
また、電子輸送性ホストには、下記化学式(5)で表されるオキサジアゾール誘導体を用いた。
この電子輸送性ホスト材料のLUMOエネルギーレベルは、−3.0eVである。
上記実施例1と比較例1で作製した素子に電圧を印加し、流れる電流と発光強度を測定した。その結果から求めた、実施例1の素子の印加電圧5Vでの発光強度は比較例1の素子の印加電圧5Vでの発光強度と比較して、50倍であった。
このように、実施例1の素子の発光強度が比較例1の素子の発光強度と比較して大きくなったのは、発光ドーパントのHOMO/LUMOエネルギーレベルが正孔輸送性及び電子輸送性ホストと同じであるため、キャリアトラップとして働かず、発光層の移動度が向上し、素子に流れる電流が増加したためである。
<実施例2>
実施例2の有機発光素子の構造は発光層3の膜厚を40nmとした以外は実施例1と同様である。
実施例2の有機発光素子の構造は発光層3の膜厚を40nmとした以外は実施例1と同様である。
本実施例2で作製した有機発光素子に電圧を印加し、流れる電流と発光強度を測定した。その結果、実施例2の印加電圧5Vでの発光強度は、実施例1に比べて、1/10であった。
このように実施例2の有機発光素子の発光強度が実施例1と比較して小さいのは、実施例2の発光層3の膜厚が薄いため、再結合確率が低下したためである。
<実施例3>
実施例3は、発光層3の膜厚を250nmとした以外は、実施例1と同様である。
実施例3は、発光層3の膜厚を250nmとした以外は、実施例1と同様である。
本実施例3で作製した有機発光素子に電圧を印加し、流れる電流と発光強度を測定した。その結果、実施例3の印加電圧5Vでの発光強度は、実施例1に比べて、1/10であった。
このように、実施例3の有機発光素子の発光強度が実施例1と比較して小さいのは、実施例3の発光層の膜厚が厚いため、発光層を流れる電流が減少したためである。
<実施例4>
実施例4は、発光層3の発光ドーパントの濃度を0.5質量%とした以外は、実施例1と同様である。
実施例4は、発光層3の発光ドーパントの濃度を0.5質量%とした以外は、実施例1と同様である。
本実施例4で作製した有機発光素子に電圧を印加し、流れる電流と発光強度を測定した。その結果、実施例4の印加電圧5Vでの発光強度は、実施例1に比べて1/5であった。このように、実施例4の有機発光素子の発光強度が実施例1と比較して低下したのは、発光ドーパントの量が少なすぎるため、発光効率の悪いホスト材料の発光が起こったためである。
<実施例5>
実施例5は、発光層3のドーパント濃度を15%にした以外は、実施例1と同様である。
実施例5は、発光層3のドーパント濃度を15%にした以外は、実施例1と同様である。
本実施例で作製した有機発光素子に電圧を印加し、流れる電流と輝度を測定した。その結果、実施例5の素子の印加電圧5Vでの発光強度は、実施例1に比べて、1/2であった。
この原因は、発光層中の発光ドーパント濃度が大きいため、所謂濃度消光が起こり、発光効率が低下したためである。
以下、発光層のホスト材料を一種類とした例(実施例6〜10)について説明する。
これらの実施例は、発光ドーパントの最高被占軌道(HOMO)エネルギーレベル(HOMO_D)及びホスト材料のHOMOエネルギーレベル(HOMO_H)、並びに発光ドーパントの最低空軌道(LUMO)エネルギーレベル(LUMO_D)及びホスト材料のLUMOエネルギーレベル(LUMO_H)は、下記関係式(3)及び(4)を満たすものである。
<実施例6及び比較例2>
実施例6は、発光層3のホスト材料として、下記化学式(6)で表される材料一種類を用いた以外は、実施例1と同様である。
実施例6は、発光層3のホスト材料として、下記化学式(6)で表される材料一種類を用いた以外は、実施例1と同様である。
このホスト材料のHOMOおよびLUMOエネルギーレベルは、それぞれ−6.1eV、−2.5eVである。
比較例2は発光層3のホスト材料として、上記化学式(4)の材料一種類を用いた以外は実施例6と同じである。
実施例6及び比較例2で作製した有機発光素子に電圧を印加し、流れる電流と発光強度を測定した。
その結果、実施例6の印加電圧5Vの時の発光強度は、比較例1に比べて、5.0倍であった。
また、比較例2の印加電圧5Vの時の発光強度は、比較例1と比べて、0.1倍であった。
これは、実施例6のホスト材料のHOMO及びLUMOエネルギーレベルと発光ドーパントのHOMO及びLUMOエネルギーレベルとの差が、比較例2のホスト材料と比較して小さいため、発光層の移動度が向上し、流れる電流が大きくなったものである。
<実施例7>
実施例7は、発光層3の膜厚を40nmにした以外は、実施例6と同様である。
実施例7は、発光層3の膜厚を40nmにした以外は、実施例6と同様である。
本実施例で作製した有機発光素子に電圧を印加し、流れる電流と輝度を測定した。その結果、実施例7の素子の印加電圧5Vでの発光強度は、比較例1に比べて、0.7倍であった。
これは発光層3の膜厚が薄いため、再結合確率が低下したためである。
<実施例8>
実施例8は、発光層3の膜厚を250nmにした以外は、実施例6と同様である。
実施例8は、発光層3の膜厚を250nmにした以外は、実施例6と同様である。
本実施例で作製した有機発光素子に電圧を印加し、流れる電流と発光強度を測定した。その結果、実施例8の印加電圧5Vでの発光強度は、比較例1に比べて、0.7倍であった。
これは、発光層3の膜厚が厚いため、素子中を流れる電流が低下したためである。
<実施例9>
実施例9は、発光層3のドーパント濃度を0.5質量%とした以外は、実施例6と同様である。
実施例9は、発光層3のドーパント濃度を0.5質量%とした以外は、実施例6と同様である。
本実施例で作製した有機発光素子に電圧を印加し、流れる電流と発光強度を測定した。その結果、実施例9の素子の印加電圧5Vでの発光強度は、比較例1に比べて、1倍であった。
これは発光層3中の発光ドーパントの量が少なすぎるため、発光効率の悪いホスト材料の発光が起こったためである。
<実施例10>
実施例10は、発光層3のドーパント濃度を15%にした以外は、実施例6と同様である。
実施例10は、発光層3のドーパント濃度を15%にした以外は、実施例6と同様である。
本実施例で作製した有機発光素子に電圧を印加し、流れる電流と輝度を測定した。その結果、実施例5の素子の印加電圧5Vでの発光強度は、比較例1に比べて、2.0倍であった。
この原因は、発光層中の発光ドーパント濃度が大きいため、所謂濃度消光が起こり、発光効率が低下したためである。
<実施例11>
図2は、実施例11の光源装置の構成を模式的に示したものである。パルス電圧電源8から振幅5V、パルス幅100nsのパルス電圧を印加して発光させた。これにより、1μs以下のパルス幅で発光する光源を得ることができる。このようなパルス光を発光する光源装置は、分析装置に有用である。
図2は、実施例11の光源装置の構成を模式的に示したものである。パルス電圧電源8から振幅5V、パルス幅100nsのパルス電圧を印加して発光させた。これにより、1μs以下のパルス幅で発光する光源を得ることができる。このようなパルス光を発光する光源装置は、分析装置に有用である。
<実施例12>
実施例12は、基板1の材質をSiにした以外は、実施例1と同様である。
実施例12は、基板1の材質をSiにした以外は、実施例1と同様である。
本実施例12で作製した有機発光素子に電圧を印加し、流れる電流と発光強度を測定した。その結果、本実施例の素子の最大発光強度は、実施例1に比べて、5倍であった。
これは実施例12の基板を熱伝導性の高いSi基板(熱伝導率:168W・m−1・K−1、ガラスの熱伝導率:1W・m−1・K−1)としたため、放熱性が向上し、最大電流値が増加したためである。
<実施例13>
実施例13は、基板1の材質をSiにした以外は、実施例6と同様である。
実施例13は、基板1の材質をSiにした以外は、実施例6と同様である。
本実施例13で作製した有機発光素子に電圧を印加し、流れる電流と発光強度を測定した。その結果、本実施例の素子の最大発光強度は、実施例6に比べて、4倍であった。
これは実施例13の基板を熱伝導性の高いSi基板としたため、放熱性が向上し、最大電流値が増加したためである。
<実施例14、15>
実施例14及び15は、発光層の膜厚をそれぞれ60nm、190nmとした以外は、実施例1と同じである。本実施例の素子の最大発光強度は、比較例1に比べて、いずれも15倍であった。
実施例14及び15は、発光層の膜厚をそれぞれ60nm、190nmとした以外は、実施例1と同じである。本実施例の素子の最大発光強度は、比較例1に比べて、いずれも15倍であった。
<実施例16、17>
実施例16及び17は、発光ドーパント濃度がそれぞれ2質量%、9質量%とした以外は、実施例1と同じである。本実施例の素子の最大発光強度は、比較例1に比べて、それぞれ30倍、35倍であった。
実施例16及び17は、発光ドーパント濃度がそれぞれ2質量%、9質量%とした以外は、実施例1と同じである。本実施例の素子の最大発光強度は、比較例1に比べて、それぞれ30倍、35倍であった。
<実施例18及び比較例3>
実施例18は、電子輸送性ホスト材料に下記化学式(7)で表される材料を、発光ドーパントに下記化学式(8)で表される材料を用いた以外は、実施例1と同じである。
実施例18は、電子輸送性ホスト材料に下記化学式(7)で表される材料を、発光ドーパントに下記化学式(8)で表される材料を用いた以外は、実施例1と同じである。
ここで、上記化学式(8)に記載のRは、下記化学式(9)で表される官能基である。
また、比較例3は、電子輸送性ホスト材料に上記化学式(2)で表されるカルバゾール誘導体を用いた以外は、実施例1と同じである。
実施例18の素子の最大発光強度は、比較例3と比べて、それぞれ49倍であった。
表1及び2は、上述の実施例及び比較例をまとめて示したものである。なお、表1において、発光層のホスト材料を一種類とした場合は、HH、EHの区別がない。このため、ホスト材料のHOMOエネルギーレベルはHOMO_Hのことであり、ホスト材料のLUMOエネルギーレベルはLUMO_Hのことである。
1:基板、2:下部電極、3:正孔輸送層、4:発光層、5:電子輸送層、6:上部電極、7:有機発光素子、8:パルス電圧電源。
Claims (8)
- 前記発光層の膜厚は、50〜200nmである、請求項1記載の有機発光素子。
- 前記発光層の発光ドーパントの濃度は、1〜10質量%であることを特徴とする、請求項1記載の有機発光素子。
- 前記発光層の膜厚は、50〜200nmである、請求項4記載の有機発光素子。
- 前記発光層の発光ドーパントの濃度は、1〜10質量%である、請求項4記載の有機発光素子。
- 前記基板は、熱伝導率がガラスより大きい材料で形成されている、請求項1〜6のいずれか一項に記載の有機発光素子。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機発光素子と、パルス状電圧を印加できる電源と、を備えた、光源装置。
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US11482681B2 (en) | 2018-07-27 | 2022-10-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Compound, material for organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, and electronic device |
WO2024057844A1 (ja) * | 2022-09-15 | 2024-03-21 | 株式会社Kyulux | 有機発光素子、その設計方法およびプログラム |
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WO2024057844A1 (ja) * | 2022-09-15 | 2024-03-21 | 株式会社Kyulux | 有機発光素子、その設計方法およびプログラム |
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