WO2018207776A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置 - Google Patents

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WO2018207776A1
WO2018207776A1 PCT/JP2018/017782 JP2018017782W WO2018207776A1 WO 2018207776 A1 WO2018207776 A1 WO 2018207776A1 JP 2018017782 W JP2018017782 W JP 2018017782W WO 2018207776 A1 WO2018207776 A1 WO 2018207776A1
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organic compound
layer
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隆太郎 菅原
鈴木 隆嗣
安達 千波矢
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コニカミノルタ株式会社
国立大学法人九州大学
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    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays

Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescence element, a display device, and an illumination device, and particularly relates to an organic electroluminescence element having excellent luminous efficiency, and a display device and an illumination device provided with the organic electroluminescence element.
  • organic electroluminescence element (hereinafter referred to as “organic EL element”) has a configuration in which an organic functional layer containing a light emitting material is sandwiched between a cathode and an anode, and is injected from the anode by applying an electric field.
  • the light-emitting element utilizes the emission of light when excitons are generated by recombining electrons injected from holes and cathodes in the light-emitting layer, and the excitons are deactivated.
  • Organic EL elements have characteristics that are not found in inorganic LEDs, such as flexibility, large-area light emission, and space saving, and are attracting attention for use in new applications. However, organic EL elements that emit near-infrared light have a low luminous efficiency, and therefore remain in the development stage.
  • Non-Patent Document 1 discloses an organic EL element including a fluorescent light-emitting material represented by the following structure. It is disclosed that this organic EL device has a maximum emission wavelength at 700 nm and an external quantum yield of 1.5%.
  • Patent Document 1 discloses an organic EL element using a host material, a light emitting dopant, and an assist dopant (delayed phosphor) as a material for a light emitting layer. Yes.
  • the assist dopant supplements excitation energy transfer in the light emitting layer, and it is described that the light emission efficiency of the organic EL device is enhanced by energy transfer from the assist dopant to the light emitting dopant. ing.
  • delayed phosphor As an assist dopant (delayed phosphor), reverse intersystem crossing occurs from a triplet excited state having a low energy level to a singlet excited state depending on the Joule heat during light emission or the environmental temperature where the organic EL element is placed, and is almost 100%.
  • a thermally excited delayed fluorescent material (TADF) that enables near-fluorescent emission is disclosed.
  • TADF thermally excited delayed fluorescent material
  • those other than those described above are also known (see, for example, Patent Document 2, Non-Patent Document 2, and Non-Patent Document 3).
  • the following squarylium derivatives are disclosed as the luminescent dopant.
  • Non-Patent Document 1 discloses an organic EL element having light emission in the near-infrared region.
  • the fluorescent light-emitting material having the above-described structure is a fluorescent light-emitting material, exciton generation efficiency is increased.
  • the external quantum yield could not be increased sufficiently because the fluorescence quantum yield was not high due to its structure.
  • Patent Document 1 describes means for increasing the luminous efficiency of the organic EL element, but the luminescent dopants described in the patent document are limited to green, red, blue, and yellow compounds.
  • the aforementioned squarylium derivative is a red light-emitting dopant, and has a maximum emission wavelength of 670 nm and is in the visible light region. That is, the luminescent dopant described in Patent Document 1 was not a compound having a maximum emission wavelength in the near-infrared region (a compound having a maximum emission wavelength of 700 to 1000 nm).
  • the present invention has been made in view of the above problems and situations, and a solution to the problem is to provide an organic EL element having a light emission peak in the near infrared region and a high light emission efficiency, a display device, and a lighting device. It is to be.
  • An organic electroluminescence device having an anode, a cathode, and an organic layer disposed between the anode and the cathode and including at least a light emitting layer, wherein the light emitting layer has the following formula (i) and Comprising a first organic compound, a second organic compound and a third organic compound satisfying formula (ii), Formula (i): ES1 (A)> ES1 (B)> ES1 (C) [In Formula (i), ES1 (A) represents the lowest excited singlet energy level of the first organic compound; ES1 (B) represents the lowest excited singlet energy level of the second organic compound; ES1 (C) represents the lowest excited singlet energy level of the third organic compound]
  • a 1 and A 2 each represent a group represented by the following formula (a), R 1 to R 8 each represent a hydrogen atom or a substituent]
  • R 9 and R 18 each represent a substituent, R 10 to R 17 each represents a hydrogen atom or a substituent, The adjacent substituents of R 9 to R 18 may be bonded to each other to form a ring; # Represents a bond to general formula (1)]
  • [2] The organic electroluminescence device according to [1], wherein R 9 and R 18 in the formula (a) are each an alkyl group.
  • R 19 to R 23 represents a cyano group; At least one other of R 19 to R 23 represents a group represented by the following formula (b), The remaining R 19 to R 23 each represent a hydrogen atom or a substituent.
  • R 24 to R 31 each represent a hydrogen atom or a substituent.
  • ⁇ A> and ⁇ B> is satisfied.
  • ⁇ A> R 28 and R 29 are bonded to each other to form a single bond.
  • R 30 and R 31 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted benzene ring.
  • the organic electroluminescence device according to any one of [1] to [3], wherein the light emitting layer includes two or more types of the third organic compound.
  • the light emitting layer further includes one or more other organic compounds other than the first organic compound, the second organic compound, and the third organic compound, [1] to [4] Organic electroluminescent element as described in any one of these.
  • a display device comprising the organic electroluminescence element according to any one of [1] to [5].
  • An illumination device comprising the organic electroluminescence element according to any one of [1] to [5].
  • a new organic EL device having high luminous efficiency and having a light emission peak in the near infrared region can be provided.
  • a display device and a lighting device including the organic EL element can be provided.
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of a display device including organic EL elements.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a display device using an active matrix method.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a pixel circuit.
  • FIG. 4 is a schematic view of a passive matrix display device.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of the illumination device.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the lighting device.
  • 7A to 7C are diagrams showing measurement results of emission spectra of the organic EL elements 2-1 to 2-3.
  • FIG. 7D is a diagram showing a measurement result of an emission spectrum of the organic EL element 2-4.
  • 8A to 8C are diagrams showing measurement results of emission spectra of the organic EL elements 2-5 to 2-7.
  • FIGS. 10A to 10C are diagrams showing measurement results of the external quantum efficiency for each current density of the organic EL elements 2-5 to 2-7.
  • 10D and 10E are diagrams showing measurement results of the external quantum efficiency for each current density of the organic EL elements 2-8 and 2-9.
  • is used to mean that the numerical values described before and after it are included as a lower limit value and an upper limit value.
  • some or all of the hydrogen atoms present in the molecule of the compound used in the present invention may be isotopes.
  • all the hydrogen atoms in the molecule of the compound used in the present invention may be 1 H, or a part or all of them may be 2 H (deuterium D).
  • the present inventors have found that by using a plurality of organic compounds satisfying a specific structure / condition, it is possible to provide an organic EL device having high emission efficiency and having an emission peak in the near infrared region.
  • the expression mechanism or action mechanism of the effect of the present invention is not clear, but is presumed as follows.
  • the organic EL device of the present invention includes a first organic compound, a second organic compound, and a third organic compound that satisfy the aforementioned formulas (i) and (ii).
  • the first organic compound functions as a host compound, and can transfer excitation energy generated by recombination of holes and electrons in the molecule to the third organic compound. Since the second organic compound is a delayed phosphor, excitation energy generated by recombination of holes and electrons in the molecule can be transferred to the third organic compound with high efficiency. Since the third organic compound can receive energy from the first organic compound or the second organic compound and transition to a singlet excited state, the exciton generation efficiency can be increased.
  • the third organic compound has a specific squarylium structure having a substituent at the ortho position of the benzene ring bonded to the nitrogen atom, it is possible to suppress a non-radiation deactivation process due to structural relaxation in the excited state. Thereby, the third organic compound exhibits a high fluorescence quantum yield while having a maximum emission wavelength in the near infrared region. Thereby, when returning from the excited singlet state to the ground state, fluorescence having a maximum emission wavelength in the near infrared region can be emitted with high efficiency.
  • the organic EL device of the present invention can have a maximum emission wavelength in the near infrared region and high emission efficiency by combining at least three kinds of organic compounds that satisfy specific conditions.
  • Organic EL emission method There are two types of organic EL emission methods: “phosphorescence emission” that emits light when returning from the triplet excited state to the ground state, and “fluorescence emission” that emits light when returning from the singlet excited state to the ground state. is there. When excited by an electric field such as an organic EL, triplet excitons are generated with a probability of 75% and singlet excitons are generated with a probability of 25%. Therefore, phosphorescence is more efficient than fluorescence. This is an excellent method for realizing low power consumption.
  • TTA triplet-triplet annealing
  • the rate constant is usually small. That is, since the transition is difficult to occur, the exciton lifetime is increased from millisecond to second order, and it is difficult to obtain desired light emission.
  • the rate constant of the forbidden transition increases by 3 digits or more due to the heavy atom effect of the central metal. % Phosphorescence quantum yield can be obtained.
  • a general fluorescent compound is not necessarily a heavy metal complex like a phosphorescent compound, and is a so-called organic compound composed of a combination of general elements such as carbon, oxygen, nitrogen and hydrogen.
  • other non-metallic elements such as phosphorus, sulfur, and silicon can be used, and complexes of typical metals such as aluminum and zinc can be used.
  • high efficiency light emission such as phosphorescence emission cannot be expected.
  • TTA Excited triplet-triplet annihilation
  • the TTA method that originates from collisions between triplet excitons can be described by the following general formula. That is, there is a merit that a part of triplet excitons, in which the energy of excitons has been converted only to heat due to non-radiation deactivation, can cross back to singlet excitons that can contribute to light emission. Even in an actual organic EL device, it is possible to obtain an external extraction quantum efficiency approximately twice that of a conventional fluorescent light emitting device.
  • Thermal activated delayed fluorescence (TADF) compound which is another highly efficient fluorescent emission, is a method that can solve the problems of TTA.
  • the fluorescent compound has the advantage that the molecule can be designed infinitely. That is, among the molecularly designed compounds, there are compounds in which the energy level difference between the triplet excited state and the singlet excited state is extremely close. Such compounds, even though in the molecule does not have a heavy atom, reverse intersystem crossing from a triplet excited state is usually not occur because Delta] E ST is smaller to the singlet excited state occurs.
  • the organic EL device of the present invention includes an anode, a cathode, and an organic layer that is disposed between them and includes at least a light emitting layer.
  • the organic layer may be composed of only the light emitting layer, or may further include one or more other layers in addition to the light emitting layer.
  • examples of other layers include a hole transport layer, a hole injection layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and an exciton blocking layer.
  • the hole transport layer may be a hole injection transport layer having a hole injection function
  • the electron transport layer may be an electron injection transport layer having an electron injection function.
  • the light emitting layer is a layer that emits light after excitons are generated by recombination of holes injected from the anode and electrons injected from the cathode.
  • the light emitting layer includes at least a first organic compound, a second organic compound, and a third organic compound that satisfy the following formulas (i) and (ii).
  • the second organic compound is a delayed phosphor
  • the third organic compound is a light emitter.
  • ES1 (A) represents the lowest excited singlet energy level of the first organic compound
  • ES1 (B) represents the lowest excited singlet energy level of the second organic compound
  • ES1 ( C) represents the lowest excited singlet energy level of the third organic compound.
  • ET1 (A) represents the lowest excited triplet energy level at 77K of the first organic compound
  • ET1 (B) represents the lowest excited triplet energy level at 77K of the second organic compound.
  • the relationship between the lowest excited triplet energy level ET1 (B) at 77K of the second organic compound and the lowest excited triplet energy level ET1 (C) at 77K of the third organic compound is not particularly limited. For example, ET1 (B )> ET1 (C).
  • the “delayed phosphor” in the present invention is an organic compound that can cross back to the excited singlet state after transitioning to the excited triplet state and emits fluorescence when returning from the excited singlet state to the ground state. I mean.
  • the lifetime of the light produced by the reverse intersystem crossing from the excited triplet state to the excited singlet state is longer than normal fluorescence (immediate fluorescence) or phosphorescence, it is observed as fluorescence delayed from these. . Such fluorescence is referred to as “delayed fluorescence”.
  • Whether or not it is a delayed phosphor can be confirmed, for example, when there are two or more components having different decay rates of emitted fluorescence when fluorescence decay measurement is performed.
  • a component having a slow decay often has a decay time of sub-microseconds or more.
  • Fluorescence decay measurement can be performed as follows. That is, the solution or thin film of the measurement target compound or the co-deposition film of the measurement target compound and the second component is irradiated with excitation light in a nitrogen atmosphere, and the number of photons at a certain emission wavelength is measured. At this time, when there are two or more types of components having different decay rates of emitted fluorescence, it can be determined that the measurement target compound exhibits delayed fluorescence.
  • Such a light emitting layer includes a first organic compound, a second organic compound, and a third organic compound that satisfy the energy level relationship of the formulas (i) and (ii), and the second organic compound is a delayed phosphor.
  • the third organic compound is a specific compound represented by the general formula (1), excitation energy generated by recombination of holes and electrons injected into the light emitting layer is efficiently converted into fluorescence. High luminous efficiency can be obtained. This is thought to be due to the following reasons.
  • each organic compound contained in the light emitting layer transitions from a ground state to an excited singlet state and an excited triplet state.
  • the formation probability of an organic compound in the excited singlet state (singlet exciton) and an organic compound in the excited triplet state (triplet exciton) is statistically 25% for singlet excitons and 75 for triplet excitons. %.
  • the energy of the first organic compound and the second organic compound in the excited singlet state among excitons moves to the third organic compound, and the third organic compound in the ground state transitions to the excited singlet state.
  • the third organic compound in the excited singlet state then emits fluorescence when returning to the ground state.
  • the second organic compound in the excited triplet state intersects with the excited singlet state, and this inverse interterm crossing results.
  • Singlet excitation energy is also transferred to the third organic compound.
  • the energy of the second organic compound in the excited triplet state having a large abundance ratio also indirectly contributes to light emission, and the exciton generation efficiency can be increased as compared with the configuration in which the light emitting layer does not include the second organic compound.
  • the luminous efficiency of the organic EL element can be greatly improved.
  • the third organic compound has a specific squarylium structure having a substituent at the ortho position of the benzene ring bonded to the nitrogen atom, it is possible to suppress a non-radiative deactivation process due to structural relaxation in the excited state. . Thereby, the third organic compound has a high fluorescence quantum yield while having a maximum emission wavelength in the near infrared region.
  • light emission mainly occurs from the third organic compound, but part of the light emission may occur from the first organic compound and the second organic compound.
  • the light emission in that case includes both fluorescence emission and delayed fluorescence emission.
  • the light emission intensity from the delayed light emitter Shall not exceed 20% of the total emission intensity. This is because when the light emission intensity from the delayed light emitter is 20% or more, the energy transfer efficiency in the light emitting layer is poor, and it is difficult to obtain the effects of the invention sufficiently.
  • the second and second organic compound emission spectra and the third organic compound absorption spectrum overlap each other so as to be a certain level or more.
  • An organic compound and a third organic compound may be selected.
  • the total thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but it prevents the uniformity of the film to be formed, the application of unnecessary high voltage during light emission, and the improvement of the stability of the emission color with respect to the driving current. From the viewpoint, it is preferably adjusted to a range of 2 nm to 5 ⁇ m, more preferably adjusted to a range of 2 to 500 nm, and further preferably adjusted to a range of 5 to 200 nm.
  • the light emitting layer used in the present invention may be a single layer or a plurality of layers.
  • each light emitting layer is preferably adjusted to a range of 2 nm to 1 ⁇ m, more preferably adjusted to a range of 2 to 200 nm, and further preferably in a range of 3 to 150 nm. Adjusted.
  • the first organic compound is an organic compound having a lowest excited singlet energy higher than that of the second organic compound and the third organic compound, and having a lowest excited triplet energy higher than that of the second organic compound, and transports carriers. It has a function as a host material to bear and a function of confining the energy of the third organic compound in the compound.
  • the third organic compound can efficiently convert the energy generated by recombination of holes and electrons in the molecule and the energy received from the first organic compound and the second organic compound into light emission.
  • an organic EL element with high luminous efficiency can be realized.
  • the first organic compound is preferably an organic compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents light emission from becoming longer, and has a high glass transition temperature.
  • the glass transition temperature of the first organic compound is preferably Tg of 90 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher.
  • the glass transition point (Tg) is a value obtained by a method based on JIS K 7121-2012 using DSC (Differential Scanning Colorimetry).
  • the first organic compound is responsible for carrier transport and exciton generation in the light emitting layer. Therefore, it can exist stably in all active species states such as cation radical state, anion radical state, and excited state, and does not cause chemical changes such as decomposition and addition reaction. It is preferable not to move at the angstrom level.
  • the second organic compound is a delayed phosphor (TADF compound) and the existence time of the triplet excited state is long, as described above, the first organic compound itself needs to have a high T1 energy level. Become.
  • the electron or hole hopping mobility of the first organic compound itself is high, and that the structural change when it is in the triplet excited state is small.
  • the first organic compound that satisfies such requirements include metal complexes such as aluminum complexes, beryllium complexes, and zinc complexes; skeletons derived from heterocyclic compounds such as oxadiazole, benzimidazole, and phenanthroline; carbazole, anthracene, A skeleton derived from a condensed aromatic compound such as phenanthrene, pyrene, chrysene, dibenzofuran, dibenzothiophene, spiro-bifluorene; or a compound having a skeleton derived from an aromatic amine compound such as triarylamine or condensed polycyclic aromatic amine Can be mentioned.
  • One type of these skeletons may be included, or two or more types may be included.
  • the second organic compound is a delayed phosphor having a lowest excited singlet energy lower than that of the first organic compound, higher than that of the third organic compound, and having a lowest excited triplet energy lower than that of the first organic compound.
  • the second organic compound is a delay phosphor difference Delta] E ST is equal to or less than 0.3eV energy between the lowest excited triplet state of lowest excited singlet state and 77K.
  • the second organic compound is the difference Delta] E ST energy level ES1 at the lowest excited singlet state (A) and the energy level of the lowest excited triplet state of the 77K ET1 (A) is equal to or less than 0.3eV Preferably, it is 0.2 eV or less, more preferably 0.1 eV or less, and even more preferably 0.08 eV or less. Delayed fluorescent substance of the energy difference Delta] E ST said range, occur relatively easily reverse intersystem crossing from the excited triplet state to the excited singlet state, can contribute their triplet energy to emit light efficiently .
  • Delayed fluorescent material used as the second organic compound satisfy the above equation (i) and (ii), and Delta] E ST but is not particularly limited as long as it is a delayed fluorescent material satisfies the following 0.3 eV, donor site and acceptor site It is preferable that it is a compound which has this.
  • the skeleton as an acceptor site include a benzene skeleton substituted with one or more cyano groups, an anthracene-9, 10-dione skeleton, a dibenzo [a, j] phenazine skeleton, a 2,3-dicyanopyrazine skeleton, Examples include 2,3-dicyanopyrazinophenanthrene skeleton and triazine skeleton.
  • Examples of the skeleton as a donor site include an optionally substituted carbazolyl group, an optionally substituted diarylamino group, an optionally substituted phenoxazinyl group, an optionally substituted phenothiazinyl group, An acridinonyl group which may be substituted, or an aryl group substituted with these groups.
  • the delayed phosphor include, for example, general formula (1) (paragraph 0021), general formula (9) (paragraph 0044), and general formula (101) (paragraph 0055, which will be described later) in Japanese Patent No. 5669163.
  • the delayed luminescent material used as the second organic compound is more preferably a compound represented by the following general formula (2).
  • R 19 to R 23 represents a cyano group. At least one other of R 19 to R 23 represents a group represented by the following formula (b). The remaining R 19 to R 23 each represent a hydrogen atom or a substituent.
  • R 24 to R 31 each represent a hydrogen atom or a substituent. However, at least one of the following ⁇ A> and ⁇ B> is satisfied.
  • ⁇ A> R 28 and R 29 are bonded to each other to form a single bond.
  • ⁇ B> R 30 and R 31 are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted benzene ring.
  • the group represented by the formula (b) is preferably a group represented by any one of the following general formulas (b-1) to (b-4).
  • R 41 to R 48 each represents a hydrogen atom or a substituent.
  • R 51 to R 56 each represents a hydrogen atom or a substituent.
  • R 61 to R 72 each represents a hydrogen atom or a substituent.
  • R 81 to R 90 each represent a hydrogen atom or a substituent.
  • Examples of the substituent represented by R 61 to R 72 in (b-3) and R 81 to R 90 in formula (b-4) include a halogen atom, a cyano group, and a substituent having 1 to 20 carbon atoms.
  • an unsubstituted alkyl group an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 40 carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 40 carbon atoms, a carbon atom
  • Examples include dialkyl-substituted amino groups of 1 to 20.
  • Examples of the compound represented by the general formula (2) include the following. In addition to these, compounds exemplified as the compound represented by the general formula (101) of Japanese Patent No. 5669163 can be used.
  • the third organic compound is a light emitter having a lowest excited singlet energy lower than that of the first organic compound and the second organic compound.
  • the third organic compound receives energy from the first organic compound and the second organic compound in the excited singlet state and from the second organic compound in the excited singlet state by crossing the reverse triplet state to the excited singlet state. Fluorescence is emitted when transitioning to the term excited state and then returning to the ground state.
  • Two or more third organic compounds may be used as long as they satisfy the relationship of formula (i). For example, a desired color can be emitted by using two or more third organic compounds having different emission colors in combination.
  • the emission color of the third organic compound is a near infrared color. Specifically, the maximum emission wavelength in the fluorescence spectrum of the third organic compound is in the range of 700 to 1000 nm.
  • the emission color of the third organic compound can be confirmed by the following method.
  • a thin film of 1% by mass of the third organic compound and 99% by mass of CBP is produced on the Si substrate by coating or vapor deposition.
  • the fluorescence spectrum of this sample is measured at room temperature (300 K) using a fluorescence spectrophotometer (Horiba, Ltd .: FluoroMax-4).
  • the maximum emission wavelength (the wavelength at which the emission intensity is maximized; also referred to as “emission peak wavelength”) is in the range of 700 nm to 1000 nm, it is determined to be a near infrared color.
  • the third organic compound preferably has a structure represented by the following general formula (1).
  • the third organic compound is a compound represented by the following general formula (1) in which the maximum emission wavelength in the fluorescence spectrum is in the range of 700 to 1000 nm.
  • R 1 to R 8 each represents a hydrogen atom or a substituent.
  • the number of substituents represented by R 1 to R 8 is not particularly limited. When there are two or more substituents, these substituents may be the same as or different from each other.
  • substituents examples include an alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.)
  • a cycloalkyl group eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.
  • an alkenyl group eg, vinyl group, allyl group, etc.
  • alkynyl group eg, ethynyl group, propargyl group, etc.
  • aromatic hydrocarbon group aromatic hydrocarbon
  • cyclic group aromatic carbocyclic group, aryl group, etc.
  • aromatic carbocyclic group aromatic carbocyclic group, aryl group, etc.
  • aromatic A cyclic group for example, pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group, triazolyl group (for example, 1,2,4-triazol-1-yl group, 1, 2,3-triazol-1-yl group, etc.), pyrazolotriazolyl group, oxazoly
  • an alkyl group, an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group, an alkoxy group, an amino group, a hydroxy group, and a halogen atom are used.
  • these substituents may be further substituted with the above substituents.
  • R 1 and R 5 are each preferably a hydrogen atom
  • R 4 and R 8 are each preferably a hydrogen atom or a substituent
  • R 2 , R 3 , R 6 and R 7 are A hydrogen atom is preferred.
  • a 1 and A 2 are groups represented by the formula (a).
  • R 9 and R 18 each represent a substituent.
  • R 10 to R 17 each represents a hydrogen atom or a substituent.
  • the number of substituents represented by R 9 to R 18 is not particularly limited. When there are two or more substituents, these substituents may be the same as or different from each other. When there are two or more substituents, adjacent substituents may be bonded to each other to form a ring.
  • the formed ring may be an aromatic ring or an aliphatic ring, and is preferably an aromatic ring. Examples of the substituent represented by R 9 to R 18 include the same substituents as those represented by R 1 to R 8 above, and a preferred range can be referred to.
  • R 9 and R 18 are preferably alkyl groups.
  • the number of carbon atoms in the alkyl group is preferably 1-20, more preferably 1-10, and even more preferably 1-5.
  • the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, and an octyl group.
  • a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and an isopropyl group are mentioned.
  • content of each organic compound contained in a light emitting layer is not specifically limited, It is preferable that content of a 2nd organic compound is less than content of a 1st organic compound. Thereby, higher luminous efficiency can be obtained.
  • the first organic compound content W1. is preferably 15% by mass or more and 94.9% by mass or less, and the content W2 of the second organic compound is preferably 5.0% by mass or more and 50% by mass or less, and the content of the third organic compound
  • the amount W3 is preferably 0.1% by mass or more and 5.0% by mass or less.
  • the light emitting layer may be composed of only the first organic compound, the second organic compound, and the third organic compound, or further includes an organic compound other than the first organic compound, the second organic compound, and the third organic compound. May be.
  • the organic compound other than the first organic compound, the second organic compound, and the third organic compound include an organic compound having a hole transport ability and an organic compound having an electron transport ability.
  • the organic compound having a hole transporting ability and the organic compound having an electron transporting ability the following hole transporting material and electron transporting material can be used.
  • the light emitting layer used in the present invention is composed of a single layer or a plurality of layers. When there are a plurality of light emitting layers, a non-light emitting intermediate layer may be provided between the light emitting layers.
  • a hole blocking layer also referred to as a hole blocking layer
  • an electron injection layer also referred to as a cathode buffer layer
  • An electron blocking layer also referred to as an electron barrier layer
  • a hole injection layer also referred to as an anode buffer layer
  • the electron transport layer used in the present invention is a layer having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. Moreover, you may be comprised by multiple layers.
  • the hole transport layer used in the present invention is a layer having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. Moreover, you may be comprised by multiple layers. In the above-described typical element configuration, the layer excluding the anode and the cathode is also referred to as “organic layer”.
  • the organic EL element of the present invention may be a so-called tandem element in which a plurality of light emitting units including at least one light emitting layer are stacked.
  • a tandem element in which a plurality of light emitting units including at least one light emitting layer are stacked.
  • the first light emitting unit, the second light emitting unit and the third light emitting unit are all the same, May be different.
  • Two light emitting units may be the same, and the remaining one may be different.
  • a plurality of light emitting units may be laminated directly or via an intermediate layer, and the intermediate layer is generally an intermediate electrode, an intermediate conductive layer, a charge generation layer, an electron extraction layer, a connection layer, an intermediate layer.
  • a known material structure can be used as long as it is also called an insulating layer and has a function of supplying electrons to the anode-side adjacent layer and holes to the cathode-side adjacent layer.
  • Examples of the material used for the intermediate layer include ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), ZnO 2 , TiN, ZrN, HfN, TiOx, VOx, CuI, InN, GaN, CuAlO 2 , Conductive inorganic compound layers such as CuGaO 2 , SrCu 2 O 2 , LaB 6 , RuO 2 and Al, two-layer films such as Au / Bi 2 O 3 , SnO 2 / Ag / SnO 2 , ZnO / Ag / ZnO , Bi 2 O 3 / Au / Bi 2 O 3 , TiO 2 / TiN / TiO 2 , TiO 2 / ZrN / TiO 2 and other multilayer films, C 60 and other fullerenes, conductive organic layers such as oligothiophene, Examples include conductive organic compound layers such as metal phthalocyanines, metal-free phthalocyanines, metal porphyrins, metal-
  • tandem organic EL element examples include, for example, US Pat. No. 6,337,492, US Pat. No. 7,420,203, US Pat. No. 7,473,923, US Pat. No. 6,872,472, US Pat. No. 6,107,734, US Pat. No. 6,337,492, International JP 2005/009087, JP 2006-228712, JP 2006-24791, JP 2006-49393, JP 2006-49394, JP 2006-49396, JP 2011. No. -96679, JP 2005-340187, JP 47114424, JP 34966681, JP 3884564, JP 4213169, JP 2010-192719, JP 2009-076929, JP Open 2008-078 No. 14, JP 2007-059848 A, JP 2003-272860 A, JP 2003-045676 A, International Publication No. 2005/094130, and the like.
  • the present invention is not limited to these.
  • anode As the anode in the organic EL element, a material having a work function (4 eV or more, preferably 4.5 eV or more) of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof is preferably used.
  • electrode substances include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO.
  • conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO.
  • an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used.
  • the anode may be formed by depositing a thin film of these electrode materials by vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by photolithography, or when pattern accuracy is not so high (about 100 ⁇ m or more) A pattern may be formed through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material. Or when using the substance which can be apply
  • the film thickness of the anode depends on the material, it is usually selected within the range of 10 nm to 1 ⁇ m, preferably 10 to 200 nm.
  • cathode As the cathode, a material having a work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used.
  • electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, aluminum, rare earth metals and the like.
  • a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred.
  • the cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the sheet resistance as the cathode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 ⁇ m, preferably 50 to 200 nm.
  • the emission luminance is advantageously improved.
  • a transparent or translucent cathode can be produced by producing a conductive transparent material mentioned in the description of the anode on the cathode after producing the above metal with a thickness of 1 to 20 nm.
  • the electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and may have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer.
  • the total thickness of the electron transport layer according to the present invention is not particularly limited, but is usually in the range of 2 nm to 5 ⁇ m, more preferably 2 to 500 nm, and further preferably 5 to 200 nm.
  • the organic EL element when the light generated in the light emitting layer is extracted from the electrode, the light extracted directly from the light emitting layer interferes with the light extracted after being reflected by the electrode from which the light is extracted and the electrode located at the counter electrode. It is known to wake up.
  • the electron mobility of the electron transport layer is preferably 10 ⁇ 5 cm 2 / Vs or more.
  • the material used for the electron transport layer may be any of electron injecting or transporting properties and hole blocking properties, and can be selected from conventionally known compounds. Can be selected and used.
  • nitrogen-containing aromatic heterocyclic derivatives (carbazole derivatives, azacarbazole derivatives (one or more carbon atoms constituting the carbazole ring are substituted with nitrogen atoms), pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, pyridazine derivatives, Triazine derivatives, quinoline derivatives, quinoxaline derivatives, phenanthroline derivatives, azatriphenylene derivatives, oxazole derivatives, thiazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzoxazole derivatives, benzthiazole derivatives, etc.), dibenzofuran derivatives, Dibenzothiophene derivatives, silole derivatives, aromatic hydrocarbon ring derivatives (naphthalene derivatives, anthracene derivatives, triphenylene derivatives, etc.) It is.
  • a metal complex having a quinolinol skeleton or a dibenzoquinolinol skeleton as a ligand such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7- Dibromo-8-quinolinol) aluminum, tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc.
  • a metal complex in which the central metal is replaced with In, Mg, Cu, Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as the electron transport material.
  • metal-free or metal phthalocyanine or those in which the terminal thereof is substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transport material.
  • the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as an electron transporting material, and an inorganic semiconductor such as n-type-Si, n-type-SiC, etc., like the hole injection layer and the hole transporting layer. Can also be used as an electron transporting material.
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
  • the electron transport layer may be doped with a doping material as a guest material to form an electron transport layer having a high n property (electron rich).
  • the doping material include n-type dopants such as metal complexes and metal compounds such as metal halides.
  • Specific examples of the electron transport layer having such a structure include, for example, JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J. Pat. Appl. Phys. , 95, 5773 (2004) and the like.
  • More preferable known electron transport materials in the present invention include aromatic heterocyclic compounds containing at least one nitrogen atom and compounds containing a phosphorus atom.
  • aromatic heterocyclic compounds containing at least one nitrogen atom and compounds containing a phosphorus atom.
  • the electron transport material may be used alone or in combination of two or more.
  • the hole blocking layer is a layer having a function of an electron transport layer in a broad sense, and is preferably made of a material having a function of transporting electrons and a small ability to transport holes, and transporting electrons while transporting holes. The probability of recombination of electrons and holes can be improved by blocking. Moreover, the structure of the electron carrying layer mentioned above can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed.
  • the hole blocking layer provided in the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the cathode side of the light emitting layer.
  • the layer thickness of the hole blocking layer according to the present invention is preferably in the range of 3 to 100 nm, more preferably in the range of 5 to 30 nm.
  • the material used for the hole blocking layer the material used for the above-described electron transport layer is preferably used, and the material used as the above-described host compound is also preferably used for the hole blocking layer.
  • the electron injection layer (also referred to as “cathode buffer layer”) according to the present invention is a layer provided between the cathode and the light emitting layer in order to lower the driving voltage and improve the light emission luminance. It is described in detail in Chapter 2 “Electrode Materials” (pages 123 to 166) of the second edition of “The Forefront of Industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998)”.
  • the electron injection layer may be provided as necessary, and may be present between the cathode and the light emitting layer or between the cathode and the electron transport layer as described above.
  • the electron injection layer is preferably a very thin film, and the layer thickness is preferably in the range of 0.1 to 5 nm depending on the material. Moreover, the nonuniform layer (film
  • JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like Specific examples of materials preferably used for the electron injection layer are as follows. , Metals typified by strontium and aluminum, alkali metal compounds typified by lithium fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride, etc., alkaline earth metal compounds typified by magnesium fluoride, calcium fluoride, etc., oxidation Examples thereof include metal oxides typified by aluminum, metal complexes typified by 8-hydroxyquinolinate lithium (Liq), and the like. Further, the above-described electron transport material can also be used. Moreover, the material used for said electron injection layer may be used independently, and may be used in combination of multiple types.
  • the hole transport layer is made of a material having a function of transporting holes and may have a function of transmitting holes injected from the anode to the light emitting layer.
  • the total thickness of the hole transport layer according to the present invention is not particularly limited, but is usually in the range of 5 nm to 5 ⁇ m, more preferably 2 to 500 nm, and further preferably 5 to 200 nm.
  • a material used for the hole transport layer hereinafter referred to as a hole transport material
  • any material that has either a hole injection property or a transport property or an electron barrier property may be used. Any one can be selected and used.
  • porphyrin derivatives for example, porphyrin derivatives, phthalocyanine derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, polyarylalkane derivatives, triarylamine derivatives, carbazole derivatives , Indolocarbazole derivatives, isoindole derivatives, acene derivatives such as anthracene and naphthalene, fluorene derivatives, fluorenone derivatives, and polyvinyl carbazole, polymeric materials or oligomers with aromatic amines introduced into the main chain or side chain, polysilane, conductive And polymer (for example, PEDOT / PSS, aniline copolymer, polyaniline, polythiophene, etc.).
  • PEDOT / PSS aniline copolymer, poly
  • triarylamine derivatives examples include benzidine type typified by ⁇ -NPD (4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl), starburst type typified by MTDATA, Examples include compounds having fluorene or anthracene in the triarylamine-linked core.
  • hexaazatriphenylene derivatives such as those described in JP-T-2003-519432 and JP-A-2006-135145 can also be used as hole transport materials.
  • a hole transport layer having a high p property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J. Pat. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
  • the above-mentioned materials can be used as the hole transport material, a triarylamine derivative, a carbazole derivative, an indolocarbazole derivative, an azatriphenylene derivative, an organometallic complex, or an aromatic amine is introduced into the main chain or side chain.
  • the polymer materials or oligomers used are preferably used.
  • Patent Application Publication No. 2008/0106190 U.S. Patent Application Publication No. 2008/0018221, International Publication No. 2012/115034, Special Table No. 2003-519432, Special Publication No. Open 2006-135 45 No. is US Patent Application No. 13/585981 Patent like.
  • the hole transport materials may be used alone or in combination of two or more.
  • the electron blocking layer is a layer having a function of a hole transport layer in a broad sense, and is preferably made of a material having a function of transporting holes and a small ability to transport electrons, while transporting holes. By blocking electrons, the probability of recombination of electrons and holes can be improved. Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned above can be used as an electron blocking layer according to the present invention, if necessary.
  • the electron blocking layer provided in the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the anode side of the light emitting layer.
  • the layer thickness of the electron blocking layer according to the present invention is preferably in the range of 3 to 100 nm, and more preferably in the range of 5 to 30 nm.
  • the material used for the electron blocking layer the material used for the above-described hole transport layer is preferably used, and the above-mentioned host compound is also preferably used for the electron blocking layer.
  • the hole injection layer (also referred to as “anode buffer layer”) according to the present invention is a layer provided between the anode and the light emitting layer for the purpose of lowering the driving voltage and improving the light emission luminance. It is described in detail in Volume 2, Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) of “The Forefront of Industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998)”.
  • the hole injection layer may be provided as necessary, and may be present between the anode and the light emitting layer or between the anode and the hole transport layer as described above. The details of the hole injection layer are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069, etc.
  • Examples of materials used for the hole injection layer include: Examples thereof include materials used for the above-described hole transport layer. Among them, phthalocyanine derivatives typified by copper phthalocyanine, hexaazatriphenylene derivatives, metal oxides typified by vanadium oxide, amorphous carbon as described in JP-T-2003-519432 and JP-A-2006-135145, etc. Preferred are conductive polymers such as polyaniline (emeraldine) and polythiophene, orthometalated complexes represented by tris (2-phenylpyridine) iridium complex, and triarylamine derivatives. The materials used for the hole injection layer described above may be used alone or in combination of two or more.
  • the organic layer in the present invention described above may further contain other additives.
  • the additive include halogen elements such as bromine, iodine and chlorine, halogenated compounds, alkali metals such as Pd, Ca and Na, alkaline earth metals, transition metal compounds, complexes, and salts.
  • the content of the additive can be arbitrarily determined, but is preferably 1000 ppm or less, more preferably 500 ppm or less, and further preferably 50 ppm or less with respect to the total mass% of the contained layer. . However, it is not within this range depending on the purpose of improving the transportability of electrons and holes or the purpose of favoring the exciton energy transfer.
  • a method for forming an organic layer (hole injection layer, hole transport layer, light-emitting layer, hole blocking layer, electron transport layer, electron injection layer, intermediate layer, etc.) will be described.
  • the formation method of the organic layer is not particularly limited, and a conventionally known formation method such as a vacuum deposition method or a wet method (also referred to as a wet process) can be used.
  • the wet method include spin coating method, casting method, ink jet method, printing method, die coating method, blade coating method, roll coating method, spray coating method, curtain coating method, and LB method (Langmuir-Blodgett method). From the viewpoint of obtaining a homogeneous thin film easily and high productivity, a method with high roll-to-roll method suitability such as a die coating method, a roll coating method, an ink jet method and a spray coating method is preferable.
  • liquid medium for dissolving or dispersing the organic EL material used in the present invention examples include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, xylene, Aromatic hydrocarbons such as mesitylene and cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin, and dodecane, and organic solvents such as DMF and DMSO can be used.
  • ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone
  • fatty acid esters such as ethyl acetate
  • halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, xylene
  • Aromatic hydrocarbons such as mesitylene and cyclohexylbenzene
  • a dispersion method it can disperse
  • different film forming methods may be applied for each layer.
  • the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally a boat heating temperature of 50 to 450 ° C., a vacuum degree of 10 ⁇ 6 to 10 ⁇ 2 Pa, and a vapor deposition rate of 0.01 to 50 nm.
  • substrate temperature ⁇ 50 to 300 ° C.
  • the organic layer according to the present invention is preferably formed from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but it may be taken out halfway and subjected to different film formation methods. In that case, it is preferable to perform the work in a dry inert gas atmosphere.
  • the support substrate (hereinafter also referred to as a substrate or a substrate) that can be used in the organic EL device of the present invention is not particularly limited in the type of glass, plastic and the like, and is transparent or opaque. May be.
  • the support substrate is preferably transparent.
  • the transparent support substrate preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film.
  • a particularly preferable support substrate is a resin film capable of giving flexibility to the organic EL element.
  • polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate ( CAP), cellulose esters such as cellulose acetate phthalate, cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones Cycloolefin resins such as polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade name, manufactured by J
  • the surface of the resin film may be formed with an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both, and the water vapor permeability (25 ⁇ 0.5 ° C.) measured by a method according to JIS K 7129-1992.
  • Relative humidity (90 ⁇ 2)% RH) is preferably 0.01 g / m 2 ⁇ 24 h or less, and further, oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987.
  • it is preferably a high-barrier film having 1 ⁇ 10 ⁇ 3 ml / m 2 ⁇ 24 h ⁇ atm or less and a water vapor permeability of 1 ⁇ 10 ⁇ 5 g / m 2 ⁇ 24 h or less.
  • any material may be used as long as it has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen.
  • silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used.
  • the method for forming the barrier film is not particularly limited.
  • vacuum deposition sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, atmospheric pressure plasma polymerization
  • a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.
  • the opaque support substrate examples include metal plates such as aluminum and stainless steel, films, opaque resin substrates, and ceramic substrates.
  • the external extraction quantum efficiency at room temperature (25 ° C.) of light emission of the organic EL device of the present invention is preferably 1% or more, and more preferably 5% or more.
  • external extraction quantum efficiency (%) number of photons emitted to the outside of the organic EL element / number of electrons flowed to the organic EL element ⁇ 100.
  • a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors using a phosphor may be used in combination.
  • Examples of the sealing means used for sealing the organic EL element of the present invention include a method of bonding a sealing member, an electrode, and a support substrate with an adhesive.
  • a sealing member it should just be arrange
  • transparency and electrical insulation are not particularly limited. Specific examples include a glass plate, a polymer plate / film, and a metal plate / film. Examples of the glass plate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz.
  • polymer plate examples include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone.
  • metal plate examples include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium, and tantalum.
  • a polymer film and a metal film can be preferably used because the organic EL element can be thinned.
  • the polymer film has an oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 of 1 ⁇ 10 ⁇ 3 ml / m 2 ⁇ 24 h or less, and measured by a method according to JIS K 7129-1992.
  • the water vapor permeability (25 ⁇ 0.5 ° C., relative humidity 90 ⁇ 2%) is preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 g / m 2 ⁇ 24 h or less.
  • the adhesive include photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups of acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curing adhesives such as 2-cyanoacrylates. be able to.
  • hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned.
  • a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned.
  • an organic EL element may deteriorate by heat processing, what can be adhesive-hardened from room temperature to 80 degreeC is preferable.
  • a desiccant may be dispersed in the adhesive.
  • coating of the adhesive agent to a sealing part may use commercially available dispenser, and may print like screen printing.
  • the electrode and the organic layer are coated on the outside of the electrode facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween, and an inorganic or organic layer is formed in contact with the support substrate to form a sealing film.
  • the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen.
  • silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like may be used. it can.
  • vacuum deposition sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, atmospheric pressure plasma
  • a combination method a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.
  • an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil can be injected in the gas phase and liquid phase.
  • a vacuum can also be used.
  • a hygroscopic compound can also be enclosed inside. Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate).
  • metal halides eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.
  • perchloric acids eg perchloric acid Barium, magnesium perchlorate, and the like
  • anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.
  • a protective film or a protective plate may be provided outside the sealing film or the sealing film on the side facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween.
  • the mechanical strength is not necessarily high, and thus it is preferable to provide such a protective film and a protective plate.
  • the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, etc. used for the sealing can be used, but the polymer film is light and thin. Is preferably used.
  • An organic EL element emits light inside a layer having a refractive index higher than that of air (within a refractive index of about 1.6 to 2.1), and is about 15% to 20% of light generated in the light emitting layer. It is generally said that it can only be taken out. This is because light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle ⁇ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be taken out of the device, or between the transparent electrode or light emitting layer and the transparent substrate. This is because light is totally reflected between the light and the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the direction of the side surface of the device.
  • a technique for improving the light extraction efficiency for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate to prevent total reflection at the transparent substrate and the air interface (for example, US Pat. No. 4,774,435), A method for improving efficiency by providing light condensing property (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 63-134795), a method for forming a reflective surface on the side surface of an element (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 1-220394), a substrate A method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between the substrate and the light emitter (for example, Japanese Patent Laid-Open No.
  • these methods can be used in combination with the organic EL device of the present invention.
  • a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate, transparent A method of forming a diffraction grating between any layers of the electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used.
  • by combining these means it is possible to obtain an element having higher luminance or durability.
  • the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally in the range of about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Furthermore, it is preferable that it is 1.35 or less.
  • the thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium is about the wavelength of light and the electromagnetic wave exuded by evanescent enters the substrate.
  • the method of introducing a diffraction grating into an interface that causes total reflection or in any medium has a feature that the effect of improving the light extraction efficiency is high.
  • This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction, such as first-order diffraction or second-order diffraction.
  • the light that cannot be emitted due to total internal reflection between layers is diffracted by introducing a diffraction grating into any layer or medium (in the transparent substrate or transparent electrode). , Trying to extract light out.
  • the introduced diffraction grating desirably has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction diffracts only light traveling in a specific direction. The light extraction efficiency does not increase so much. However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased.
  • the position where the diffraction grating is introduced may be in any of the layers or in the medium (in the transparent substrate or the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated.
  • the period of the diffraction grating is preferably in the range of about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium.
  • the arrangement of the diffraction gratings is preferably two-dimensionally repeated, such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.
  • the organic EL device of the present invention is front-facing to a specific direction, for example, the light emitting surface of the device by combining a so-called condensing sheet, for example, by providing a structure on the microlens array on the light extraction side of the support substrate (substrate) By condensing in the direction, the luminance in a specific direction can be increased.
  • a specific direction for example, the light emitting surface of the device by combining a so-called condensing sheet, for example, by providing a structure on the microlens array on the light extraction side of the support substrate (substrate)
  • the luminance in a specific direction can be increased.
  • the microlens array quadrangular pyramids having a side of 30 ⁇ m and an apex angle of 90 degrees are arranged two-dimensionally on the light extraction side of the substrate. One side is preferably within a range of 10 to 100 ⁇ m.
  • the condensing sheet for example, a sheet that is put into practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device can be used.
  • a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used.
  • the shape of the prism sheet for example, the base material may be formed by forming a ⁇ -shaped stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 ⁇ m, or the vertex angle is rounded and the pitch is changed randomly. Other shapes may be used.
  • a light-diffusion plate and a film together with a condensing sheet For example, a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.
  • the organic EL element of the present invention can be used as an electronic device such as a display device, a display, and various light emitting devices.
  • light emitting devices include lighting devices (home lighting, interior lighting, exterior lighting, infrared camera light sources), clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, and light sources for electrophotographic copying machines. Examples include, but are not limited to, a light source for an optical communication processor, a light source for an optical sensor, and the like. be able to.
  • patterning may be performed by a metal mask, an ink jet printing method, or the like as needed during film formation. In the case of patterning, only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire layer of the element may be patterned. In the fabrication of the element, a conventionally known method is used. Can do.
  • the display device including the organic EL element of the present invention may be single color or multicolor, but here, the multicolor display device will be described.
  • a shadow mask is provided only at the time of forming a light emitting layer, and a film can be formed on one surface by vapor deposition, casting, spin coating, ink jet, printing, or the like.
  • vapor deposition there is no limitation on the method, but a vapor deposition method, an inkjet method, a spin coating method, and a printing method are preferable.
  • the configuration of the organic EL element included in the display device is selected from the above-described configuration examples of the organic EL element as necessary.
  • the manufacturing method of an organic EL element is as having shown in the one aspect
  • a DC voltage When a DC voltage is applied to the multicolor display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. Further, even when a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the-state.
  • the alternating current waveform to be applied may be arbitrary.
  • the multicolor display device can be used as a display device, a display, or various light emission sources.
  • a display device or display full-color display is possible by using three types of organic EL elements of blue, red, and green light emission.
  • Examples of the display device or display include a television, a personal computer, a mobile device, an AV device, a character broadcast display, and an information display in a car.
  • the display device or display may be used as a display device for reproducing still images and moving images
  • the driving method when used as a display device for reproducing moving images may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.
  • Light-emitting devices include household lighting, exterior lighting, infrared camera light sources, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors , Photosensors, biosensor light sources, and the like, but the present invention is not limited thereto.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of a display device composed of organic EL elements. It is a schematic diagram of a display such as a mobile phone that displays image information by light emission of an organic EL element.
  • the display 1 includes a display unit A having a plurality of pixels, a control unit B that performs image scanning of the display unit A based on image information, a wiring unit C that electrically connects the display unit A and the control unit B, and the like.
  • the control unit B is electrically connected to the display unit A via the wiring unit C, and sends a scanning signal and an image data signal to each of a plurality of pixels based on image information from the outside. Sequentially emit light according to the image data signal, scan the image, and display the image information on the display unit A.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of a display device using an active matrix method.
  • the display unit A includes a wiring unit C (see FIG. 1) including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6, a plurality of pixels 3 and the like on a substrate.
  • the main members of the display unit A will be described below.
  • FIG. 2 shows a case where the light emitted from the pixel 3 is extracted in the direction of the white arrow (downward).
  • the scanning line 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a grid pattern and are connected to the pixels 3 at the orthogonal positions (details are illustrated Not)
  • the pixel 3 receives an image data signal from the data line 6 and emits light according to the received image data.
  • Full-color display is possible by appropriately arranging pixels in the red region, the green region, and the blue region on the same substrate.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing a pixel circuit.
  • the pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a driving transistor 12, a capacitor 13, and the like.
  • a full color display can be performed by using red, green, and blue light emitting organic EL elements as the organic EL elements 10 in a plurality of pixels, and juxtaposing them on the same substrate.
  • an image data signal is applied to the drain of the switching transistor 11 from the control unit B (see FIG. 1) via the data line 6.
  • a scanning signal is applied from the control unit B to the gate of the switching transistor 11 via the scanning line 5
  • the driving of the switching transistor 11 is turned on, and the image data signal applied to the drain is supplied to the capacitor 13 and the driving transistor 12. Is transmitted to the gate.
  • the capacitor 13 is charged according to the potential of the image data signal, and the drive transistor 12 is turned on.
  • the drive transistor 12 has a drain connected to the power supply line 7 and a source connected to the electrode of the organic EL element 10, and the power supply line 7 connects to the organic EL element 10 according to the potential of the image data signal applied to the gate. Current is supplied.
  • the driving of the switching transistor 11 is turned off.
  • the driving of the driving transistor 12 is kept on and the next scanning signal is applied. Until then, the light emission of the organic EL element 10 continues.
  • the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.
  • the organic EL element 10 emits light by the switching transistor 11 and the drive transistor 12 that are active elements for the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels, and the light emission of the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels 3. It is carried out.
  • Such a light emitting method is called an active matrix method.
  • the light emission of the organic EL element 10 may be light emission of a plurality of gradations by a multi-value image data signal having a plurality of gradation potentials, or by turning on / off a predetermined light emission amount by a binary image data signal. Good.
  • the potential of the capacitor 13 may be held continuously until the next scanning signal is applied, or may be discharged immediately before the next scanning signal is applied.
  • a passive matrix light emission drive in which the organic EL element emits light according to the data signal only when the scanning signal is scanned.
  • FIG. 4 is a schematic view of a passive matrix display device.
  • a plurality of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are provided in a lattice shape so as to face each other with the pixel 3 interposed therebetween.
  • the scanning signal of the scanning line 5 is applied by sequential scanning, the pixels 3 connected to the applied scanning line 5 emit light according to the image data signal.
  • the pixel 3 has no active element, and the manufacturing cost can be reduced.
  • the organic EL element of the present invention a display device having a light emission peak in the near infrared region and high light emission efficiency can be obtained.
  • the organic EL element of the present invention can also be used for a lighting device.
  • the organic EL element of the present invention may be used as an organic EL element having a resonator structure.
  • Examples of the purpose of use of the organic EL element having such a resonator structure include a light source of an optical storage medium, a light source of an electrophotographic copying machine, a light source of an optical communication processing machine, and a light source of an optical sensor. It is not limited. Moreover, you may use for the said use by making a laser oscillation.
  • the organic EL element of the present invention may be used as a kind of lamp for illumination or exposure light source, a projection device for projecting an image, or a type for directly viewing a still image or a moving image. It may be used as a display device (display).
  • the driving method when used as a display device for reproducing a moving image may be either a passive matrix method or an active matrix method.
  • the organic EL device forming method of the present invention may be simply arranged by providing a mask only when forming a light emitting layer, a hole transporting layer, an electron transporting layer, etc. Since the other layers are common, patterning of a mask or the like is unnecessary, and for example, an electrode film can be formed on one surface by a vapor deposition method, a cast method, a spin coating method, an ink jet method, a printing method, or the like, and productivity is improved.
  • FIG. 1 One aspect of the lighting device of the present invention.
  • One aspect of the lighting device of the present invention that includes the organic EL element of the present invention will be described.
  • the non-light emitting surface of the organic EL device of the present invention is covered with a glass case, a 300 ⁇ m thick glass substrate is used as a sealing substrate, and an epoxy photocurable adhesive (LUX The track LC0629B) is applied, and this is overlaid on the cathode and brought into close contact with the transparent support substrate, irradiated with UV light from the glass substrate side, cured, sealed, and illuminated as shown in FIGS.
  • a device can be formed.
  • FIG. 5 shows a schematic diagram of the lighting device, and the organic EL element of the present invention (organic EL element 101 in the lighting device) is covered with a glass cover 102 (note that the sealing operation with the glass cover is performed by lighting. This was performed in a glove box under a nitrogen atmosphere (in an atmosphere of high-purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more) without bringing the organic EL element 101 in the apparatus into contact with the air.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the lighting device, 105 is a cathode, 106 is an organic layer, and 107 is a glass substrate with a transparent electrode.
  • the glass cover 102 is filled with nitrogen gas 108 and a water catching agent 109 is provided.
  • Photonics C11347
  • source meter Ceethley: 2400 series
  • external quantum efficiency measuring device Hamamatsu Photonics: C9920-12
  • semiconductor parameter analyzer Agilent Technology: E5273A
  • optical power Meter measurement device Newport: 1930C
  • optical spectrometer Ocean Optics: USB2000
  • spectroradiometer Topcon: SR-3
  • streak camera Hamamatsu Photonics C4334
  • the lowest excited singlet energy level ES1 and the lowest excited triplet energy level ET1 of the first organic compound, the second organic compound, and the third organic compound used in Examples and Comparative Examples were determined by the following procedure.
  • the difference Delta] E ST of energy between the lowest excited triplet state of lowest excited singlet state and 77K was calculated from the difference between ES1 and ET1. The results are shown in Table 2.
  • the maximum emission wavelength of the third organic compound was measured by the following method.
  • the third organic compounds D-1, D-2, D-7 and D-35 all have a maximum emission wavelength in the range of 700 nm to 1000 nm.
  • Table 4 shows the obtained absolute PL quantum yield.
  • D-1, D-2, D-7 and D-35 used as the third organic compound all showed high PL quantum yields in the solution and in the thin film. Therefore, in the present invention, D-1, D-2, D-7 and D-35 used as the third organic compound are more luminescent than the comparative compounds C-1 and C-2. It can be said that it is excellent.
  • Example 2 ⁇ Measurement of organic EL element> (Organic EL device 2-1) An organic EL device was fabricated and evaluated using CBP (first organic compound), 4CzTPN-Ph (second organic compound), and D-1 (third organic compound).
  • CBP first organic compound
  • 4CzTPN-Ph second organic compound
  • D-1 third organic compound
  • Non-Patent Document 2 describes that 4CzTPN-Ph is an organic compound exhibiting delayed fluorescence. Difference Delta] E ST of energy between the lowest excited triplet state of lowest excited singlet state and 77K of 4CzTPN-Ph was 0.08 eV.
  • the organic EL element 2-1 was produced according to the following. Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Clevious® P Al) on a glass substrate on which an anode made of indium tin oxide (ITO) having a thickness of 110 nm is formed. 4083), a thin film was formed by spin coating under conditions of 3000 rpm and 60 seconds, and then dried at 150 ° C. for 1 hour to provide a hole injection layer having a layer thickness of 30 nm.
  • PEDOT / PSS, Clevious® P Al polystyrene sulfonate
  • ITO indium tin oxide
  • CBP as the first organic compound
  • 4CzTPN-Ph as the second organic compound
  • D-1 as the third organic compound in tetrahydrofuran (THF) at a ratio of 84.5 mass%, 15 mass%,.
  • a thin film was formed by spin coating under a nitrogen atmosphere at 1500 rpm for 30 seconds using a solution dissolved so as to be 5% by mass, and then dried at 50 ° C. for 30 minutes to emit light with a layer thickness of 30 nm. A layer was formed.
  • TPBi (1,3,5-tris (N-phenylbenzoimidazol-2-yl) was deposited at a deposition rate of 0.1 nm / second, and the layer thickness was 90 nm.
  • the electron transport layer was formed.
  • 100 nm of aluminum was further evaporated to form a cathode, whereby an organic EL element 2-1 was obtained.
  • Organic EL element 2-2 was produced in the same manner as the organic EL element 2-1, except that D-35 was used instead of D-1 as the third organic compound. Specifically, when forming the light emitting layer, the organic EL element 2 except that a coating film made of 84.5% by mass of CBP, 15% by mass of 4CzTPN-Ph, and 0.5% by mass of D-35 was formed. The organic EL device 2-2 was obtained in the same manner as -1. The lowest excited singlet energy level ES1 of D-35 was 1.80 eV.
  • Organic EL element 2-3 was produced in the same manner as the organic EL element 2-1, except that TPA-DCPP was used as the second organic compound instead of 4CzTPN-Ph. Specifically, when the light emitting layer is formed, an organic film is formed except that a coating film composed of 89.5% by mass of CBP, 10% by mass of TPA-DCPP, and 0.5% by mass of D-1 is formed. Organic EL element 2-3 was obtained in the same manner as EL element 2-1.
  • the lowest excited singlet energy level ES1 of TPA-DCPP was 2.38 eV, and the lowest excited triplet energy level ET1 was 2.25 eV.
  • Non-Patent Document 4 describes that TPA-DCPP is an organic compound exhibiting delayed fluorescence. Difference Delta] E ST of energy between the lowest excited triplet state of lowest excited singlet state and 77K of TPA-DCPP was 0.13 eV.
  • Organic EL device 2-4 The organic EL element 2-4 was produced in the same manner as the organic EL element 2-1, except that not only D-1 but also D-35 was used as the third organic compound. Specifically, when the light emitting layer is formed, 84.5 mass% CBP, 15 mass% 4CzTPN-Ph, 0.25 mass% D-1, and 0.25 mass% D-35. An organic EL element 2-4 was obtained in the same manner as the organic EL element 2-1, except that a coating film composed of
  • Organic EL element 2-5 The organic EL element except that when the light emitting layer is formed, a coating film composed of 99.5% by mass of CBP and 0.5% by mass of D-1 is formed without using 4CzTPN-Ph as the second organic compound. In the same manner as in 2-1, an organic EL device 2-5 was obtained.
  • Organic EL element 2-6 When forming the light emitting layer, organic EL except that CBP as the first organic compound was not used and a coating film composed of 99.5% by mass of TPA-DCPP and 0.5% by mass of D-1 was formed. Organic EL device 2-6 was obtained in the same manner as device 2-1.
  • Organic EL element 2-7 was produced in the same manner as organic EL element 2-1, except that C-1 was used instead of D-1 as the third organic compound. Specifically, when the light emitting layer is formed, an organic film is formed except that a coating film composed of 84.5% by mass of CBP, 15% by mass of 4CzTPN-Ph, and 0.5% by mass of C-1 is formed. Organic EL device 2-7 was obtained in the same manner as EL device 2-1.
  • Organic EL device 2-8 The organic EL element 2-8 was produced in the same manner as the organic EL element 2-1, except that C-2 was used instead of D-1 as the third organic compound. Specifically, when the light emitting layer is formed, an organic film is formed except that a coating film composed of 84.5% by mass of CBP, 15% by mass of 4CzTPN-Ph, and 0.5% by mass of C-2 is formed. Organic EL device 2-8 was obtained in the same manner as EL device 2-1.
  • Organic EL element 2-9 is an organic EL element except that when the light emitting layer is formed, a third organic compound is not used and a coating film composed of 85% by mass of CBP and 15% by mass of 4CzTPN-Ph is formed.
  • Organic EL device 2-9 was obtained in the same manner as in 2-1.
  • the emission spectra of the obtained organic EL elements 2-1 to 2-9 and the external quantum efficiency for each current density were measured by the following method.
  • the emission spectrum of each organic EL element at the time of driving the organic EL element was evaluated by performing the following measurement.
  • Each of the produced organic EL devices was driven at a current density of 1 mA / cm 2 at room temperature (about 25 ° C.) using a source meter (Keithley, Inc .: 2400 series), and an absolute PL quantum yield measuring device ( Using Hamamatsu Photonics: C11347), the spectrum was measured at a detection wavelength of 500 to 950 nm. In the obtained spectrum, the wavelength with the highest intensity was defined as the maximum emission wavelength.
  • Example quantum efficiency The external quantum efficiency of each organic EL element when driving the organic EL element was evaluated by performing the following measurements.
  • Each of the produced organic EL elements is driven at each injection current step at room temperature (about 25 ° C.) using a source meter (manufactured by Keithley: 2400 series), and an absolute PL quantum yield measuring apparatus (Hamamatsu Photonics)
  • the external quantum efficiency was measured for each injection current step at a detection wavelength of 500 to 950 nm using C11347).
  • the maximum value of the obtained external quantum efficiencies was defined as “external quantum efficiency”.
  • FIGS. 7A to D show the measurement results of the emission spectra of the organic EL elements 2-1 to 2-4;
  • FIGS. 8A to E show the measurement results of the emission spectra of the organic EL elements 2-5 to 2-9.
  • the measurement results of the external quantum efficiency for each current density of the organic EL elements 2-1 to 2-4 are shown in FIGS. 9A to 9D; the external quantum efficiency for each current density of the organic EL elements 2-5 to 2-9 is shown.
  • the measurement results are shown in FIGS. These characteristic values are summarized in Table 5.
  • each of the organic EL elements 2-1 to 2-4 has a light emission peak (maximum light emission wavelength) in the near infrared region, and the organic EL elements 2-5 to 2
  • the external quantum yield was higher than that of -9 (Comparative Example), and the luminous efficiency was high.
  • the above-mentioned means of the present invention can provide, for example, an organic EL device having a light emission peak in the near infrared region and high light emission efficiency.
  • a display device and a lighting device including the organic EL element can be provided.

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Abstract

本発明の目的は、近赤外領域に発光ピークを有し、且つ高い発光効率を有する有機EL素子を提供することである。本発明の有機EL素子は、陽極、陰極、及びそれらの間に配置され、発光層を含む少なくとも1層の有機層を有し、前記発光層は、以下の式(i)及び式(ii)を満たす第1有機化合物、第2有機化合物及び第3有機化合物を含み、式(i):ES1(A)>ES1(B)>ES1(C)、式(ii):ET1(A)>ET1(B)、前記第2有機化合物は、ΔESTが0.3eV以下である遅延蛍光体であり、前記第3有機化合物は、蛍光スペクトルにおける極大発光波長が700~1000nmにある、下記一般式(1)で表される発光体である。

Description

有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置
 本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置に関し、特に、発光効率に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、当該有機エレクトロルミネッセンス素子が具備された表示装置及び照明装置に関する。
 有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」という)は、発光材料を含有する有機機能層を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、電界を印加することにより、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子を発光層内で再結合させることで励起子を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出を利用した発光素子である。
 有機EL素子の発光方式としては、三重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「リン光発光」と、一重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「蛍光発光」の二通りがある。
 有機EL素子に電界をかけると、陽極と陰極からそれぞれ正孔と電子が注入され、発光層において再結合し励起子を生じる。このとき一重項励起子と三重項励起子とが25%:75%の割合で生成するため、三重項励起子を利用するリン光発光の方が、蛍光発光に比べ、理論的に高い内部量子効率が得られることが知られている。
 有機EL素子の実用化に向けた開発としては、低消費電力で効率よく高輝度に発光する技術開発が望まれており、励起三重項からのリン光発光を用いる有機EL素子の報告(M.A.Baldoet al.,Nature,395巻,151154頁(1998年))がされて以来、室温でリン光を示す材料の研究が活発になってきている。例えば、A.Tsuboyama,et al.,J.Am. Chem. Soc., 125巻,42 12971頁(2003年)では、イリジウム錯体からのリン光発光を利用した有機EL素子が報告されており、その発光色はイリジウム錯体の配位子の構造によって、青、緑、赤等の可視光領域に発光を持たせることができる。
 近年、発光素子が組み込まれたアプリケーションとしては、青、緑、赤等の可視光領域の発光を利用したアプリケーションばかりではなく、近赤外光を利用したアプリケーションも注目されている。近赤外発光する素子は、無機LEDでは既に実用化されており、例えば赤外線カメラの光源として異物検査システム等に組み込まれている。
 有機EL素子は、フレキシブル性、大面積発光や省スペース等、無機LEDにはない特徴を有するため、新たなアプリケーションへの利用が注目されている。しかしながら、近赤外発光する有機EL素子は、発光効率が低いため、開発段階に留まっている。
 従来知られている近赤外領域に発光する有機EL素子としては、例えば非特許文献1では、下記構造で表される蛍光発光材料を含む有機EL素子が開示されている。この有機EL素子は、700nmに極大発光波長を有し、1.5%の外部量子収率を有することが開示されている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 有機EL素子の発光効率を高める手段としては、例えば特許文献1では、ホスト材料と、発光性ドーパントと、アシストドーパント(遅延蛍光体)とを発光層の材料に用いた有機EL素子が開示されている。この有機EL素子において、アシストドーパントは、発光層での励起エネルギー移動を補完するものであり、アシストドーパントからの発光性ドーパントへのエネルギー移動により、有機EL素子の発光効率が高められることが記載されている。アシストドーパント(遅延蛍光体)としては、発光中のジュール熱や有機EL素子が置かれる環境温度によってエネルギー準位の低い三重項励起状態から一重項励起状態に逆項間交差を生じてほぼ100%に近い蛍光発光を可能とする熱励起型遅延蛍光材料(TADF)が開示されている。そのような遅延蛍光体としては、上記以外のものも知られている(例えば特許文献2、非特許文献2、非特許文献3参照)。また、発光性ドーパントとしては、下記のスクアリリウム誘導体が開示されている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
特許第5669163号公報 特開2013-116975号公報
M.Yuguang,et al.,Angew. Chem. Int. Ed.,2014,53,2119-2123 H.Uoyama,et al.,Nature,2012,492,234-238 H.Nakanоtani,et al.,Nature Communicaion,2014,5,4016-4022
 上記のように、非特許文献1には、近赤外領域に発光を持つ有機EL素子が開示されているが、前述の構造を有する蛍光発光材料は、蛍光発光材料であるため励起子生成効率が低く、その構造上、蛍光量子収率も高くないことから、外部量子収率を十分に高めることができなかった。
 また、特許文献1には、有機EL素子の発光効率を高める手段が記載されているが、当該特許文献に記載されている発光性ドーパントは、緑、赤、青、黄色の化合物に限られている。例えば、前述のスクアリリウム誘導体は赤色の発光性ドーパントであり、極大発光波長が670nmであり、可視光領域にある。即ち、特許文献1に記載されている発光ドーパントは、近赤外領域に極大発光波長を有する化合物(極大発光波長が700~1000nmの化合物)ではなかった。
 本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、近赤外領域に発光ピークを有し、且つ高い発光効率を有する有機EL素子、表示装置及び照明装置を提供することである。
 鋭意検討の結果、本発明者らは、特定の条件を満たす複数の有機化合物を用いることで、発光効率が高く、且つ近赤外領域に発光ピークを有する有機EL素子を提供できることを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
 [1] 陽極、陰極、及び前記陽極と前記陰極との間に配置され、且つ少なくとも発光層を含む有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層は、以下の式(i)及び式(ii)を満たす第1有機化合物、第2有機化合物及び第3有機化合物を含み、
 式(i):ES1(A)>ES1(B)>ES1(C)
[式(i)において、
 ES1(A)は、前記第1有機化合物の最低励起一重項エネルギー準位を表し、
 ES1(B)は、前記第2有機化合物の最低励起一重項エネルギー準位を表し、
 ES1(C)は、前記第3有機化合物の最低励起一重項エネルギー準位を表す]
 式(ii):ET1(A)>ET1(B)
[式(ii)において、
 ET1(A)は、前記第1有機化合物の77Kにおける最低励起三重項エネルギー準位を表し、
 ET1(B)は、前記第2有機化合物の77Kにおける最低励起三重項エネルギー準位を表す]
 前記第2有機化合物は、最低励起一重項状態と77Kの最低励起三重項状態とのエネルギーの差ΔESTが0.3eV以下である遅延蛍光体であり、
 前記第3有機化合物は、蛍光スペクトルにおける極大発光波長が700nm~1000nmの範囲にある、下記一般式(1)で表される発光体である、有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
[一般式(1)において、
 A及びAは、それぞれ下記式(a)で表される基を表し、
 R~Rは、それぞれ水素原子又は置換基を表す]
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 [式(a)において、
 R及びR18は、それぞれ置換基を表し、
 R10~R17は、それぞれ水素原子又は置換基を表し、
 R~R18のうち隣り合う置換基は、互いに結合して環を形成してもよく、
 ♯は、一般式(1)への結合手を表す]
 [2] 前記式(a)のR及びR18は、それぞれアルキル基である、[1]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
 [3] 前記第2有機化合物は、下記一般式(2)で表される化合物である、[1]又は[2]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
[一般式(2)において、
 R19~R23の少なくとも一つは、シアノ基を表し、
 R19~R23の少なくとも他の一つは、下記式(b)で表される基を表し、
 残りのR19~R23は、それぞれ水素原子又は置換基を表す]
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
[式(b)において、
 R24~R31は、それぞれ水素原子又は置換基を表す。
 但し、下記<A>と<B>の少なくとも一方を満たす。
 <A> R28及びR29は、互いに結合して単結合を形成する
 <B> R30及びR31は、互いに結合して置換又は無置換のベンゼン環を形成する]
 [4] 前記発光層は、2種類以上の前記第3有機化合物を含む、[1]~[3]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
 [5] 前記発光層は、前記第1有機化合物、前記第2有機化合物及び前記第3有機化合物以外の、1種又は2種以上の他の有機化合物をさらに含む、[1]~[4]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
 [6] [1]~[5]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する、表示装置。
 [7] [1]~[5]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する、照明装置。
 本発明の上記手段により、発光効率が高く、且つ近赤外領域に発光ピークを有する新たな有機EL素子を提供することができる。また、当該有機EL素子が具備された表示装置及び照明装置を提供することができる。
図1は、有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。 図2は、アクティブマトリクス方式による表示装置の模式図である。 図3は、画素の回路を示した概略図である。 図4は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。 図5は、照明装置の概略図である。 図6は、照明装置の断面図である。 図7A~Cは、有機EL素子2-1~2-3の発光スペクトルの測定結果を示す図である。 図7Dは、有機EL素子2-4の発光スペクトルの測定結果を示す図である。 図8A~Cは、有機EL素子2-5~2-7の発光スペクトルの測定結果を示す図である。 図8DおよびEは、有機EL素子2-8および2-9の発光スペクトルの測定結果を示す図である。 図9A~Cは、有機EL素子2-1~2-3の各電流密度毎の外部量子効率の測定結果を示す図である。 図9Dは、有機EL素子2-4の各電流密度毎の外部量子効率の測定結果を示す図である。 図10A~Cは、有機EL素子2-5~2-7の各電流密度毎の外部量子効率の測定結果を示す図である。 図10DおよびEは、有機EL素子2-8および2-9の各電流密度毎の外部量子効率の測定結果を示す図である。
 以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「~」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。また、本発明に用いられる化合物の分子内に存在する水素原子の一部または全部は同位体であってもよい。例えば、本発明に用いられる化合物の分子内の水素原子の全てがHであってもよいし、一部又は全部がH(デューテリウムD)であってもよい。
 本発明者らは、特定の構造・条件を満たす複数の有機化合物を用いることで、発光効率が高く、且つ近赤外領域に発光ピークを有する有機EL素子を提供できることを見出した。本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
 本発明の有機EL素子においては、前述の式(i)及び(ii)を満たす第1有機化合物、第2有機化合物、及び第3有機化合物を含む。第1有機化合物は、ホスト化合物として機能し、分子内でホールと電子との再結合により生じた励起エネルギーを第3有機化合物に移動させうる。第2有機化合物は、遅延蛍光体であるため、分子内でホールと電子との再結合により生じた励起エネルギーを高い効率で第3有機化合物に移動させることができる。第3有機化合物は、第1有機化合物や第2有機化合物からエネルギーを受け取って一重項励起状態に遷移しうるので、励起子生成効率を高めることができる。
 さらに、第3有機化合物は、窒素原子と結合するベンゼン環のオルト位に置換基を有する特定のスクアリリウム構造を有するので、励起状態での構造緩和による非輻射失活過程を抑制することができる。それにより、第3有機化合物は、近赤外領域に極大発光波長を有しつつ、高い蛍光量子収率を示す。それにより、励起一重項状態から基底状態に戻るときに、高い効率で近赤外領域に極大発光波長を有する蛍光を放射することができる。
 このように、本発明の有機EL素子は、特定の条件を満たす、少なくとも3種類の有機化合物を組み合わせることで、近赤外領域に極大発光波長を有し、且つ高い発光効率を有しうる。
 先ず初めに、本発明の技術思想と関連する、有機ELの発光方式及び発光材料について述べる。
 [有機ELの発光方式]
 有機ELの発光方式としては三重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「リン光発光」と、一重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「蛍光発光」の二通りがある。
 有機ELのような電界で励起する場合には、三重項励起子が75%の確率で、一重項励起子が25%の確率で生成するため、リン光発光の方が蛍光発光に比べ発光効率を高くすることが可能で、低消費電力化を実現するには優れた方式である。
 一方、蛍光発光においても、75%の確率で生成してしまう、通常では、励起子のエネルギーが、無輻射失活により、熱にしかならない三重項励起子を、高密度で存在させることによって、二つの三重項励起子から一つの一重項励起子を発生させて発光効率を向上させるTTA(Triplet-Triplet Annihilation、また、Triplet-Triplet Fusion:「TTF」と略記する。)機構を利用した方式が見つかっている。
 さらに、近年では、安達らの発見により一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギーギャップを小さくすることで、発光中のジュール熱及び/又は発光素子が置かれる環境温度によりエネルギー準位の低い三重項励起状態から一重項励起状態に逆項間交差がおこり、結果としてほぼ100%に近い蛍光発光を可能とする現象(熱励起型遅延蛍光又は熱励起型遅延蛍光ともいう:「TADF」)とそれを可能にする蛍光物質が見いだされている(例えば、特許文献2、非特許文献2、非特許文献3等参照)。
 <リン光発光性化合物>
 前述のとおり、リン光発光は発光効率的には蛍光発光よりも理論的には3倍有利であるが、三重項励起状態から一重項基底状態へのエネルギー失活(=リン光発光)は禁制遷移であり、また同様に一重項励起状態から三重項励起状態への項間交差も禁制遷移であるため、通常その速度定数は小さい。すなわち、遷移が起こりにくいため、励起子寿命はミリ秒から秒オーダーと長くなり、所望の発光を得ることが困難である。
 ただし、イリジウムや白金などの重金属を用いた錯体が発光する場合には、中心金属の重原子効果によって、前記の禁制遷移の速度定数が3桁以上増大し、配位子の選択によっては、100%のリン光量子収率を得ることも可能となる。
 <蛍光発光性化合物>
 一般的な蛍光発光性化合物は、リン光発光性化合物のような重金属錯体である必要性は特になく、炭素、酸素、窒素及び水素などの一般的な元素の組み合わせから構成される、いわゆる有機化合物が適用でき、さらに、リンや硫黄、ケイ素などその他の非金属元素を用いることも可能で、また、アルミニウムや亜鉛などの典型金属の錯体も活用できるなど、その多様性はほぼ無限と言える。
 ただし、従来の蛍光化合物では前記のように励起子の25%しか発光に適用できないために、リン光発光のような高効率発光は望めない。
 <遅延蛍光化合物>
 (励起三重項-三重項消滅(TTA)遅延蛍光化合物)
 蛍光発光性化合物の問題点を解決すべく登場したのが遅延蛍光を利用した発光方式である。三重項励起子同士の衝突を起源とするTTA方式は、下記のような一般式で記述できる。すなわち、従来、励起子のエネルギーが、無輻射失活により、熱にしか変換されなかった三重項励起子の一部が、発光に寄与しうる一重項励起子に逆項間交差できるメリットがあり、実際の有機EL素子においても従来の蛍光発光素子の約2倍の外部取り出し量子効率を得ることができている。
 一般式: T + T → S + S
(式中、Tは三重項励起子、Sは一重項励起子、Sは基底状態分子を表す。)
 しかしながら、上式からもわかるように、二つの三重項励起子から発光に利用できる一重項励起子は一つしか生成しないため、この方式で100%の内部量子効率を得ることは原理上できない。
 (熱活性型遅延蛍光(TADF)化合物)
 もう一つの高効率蛍光発光であるTADF方式は、TTAの問題点を解決できる方式である。
 蛍光発光性化合物は前記のごとく無限に分子設計できる利点を持っている。すなわち、分子設計された化合物の中で、特異的に三重項励起状態と一重項励起状態のエネルギー準位差が極めて近接する化合物が存在する。
 このような化合物は、分子内に重原子を持っていないにもかかわらず、ΔESTが小さいために通常では起こりえない三重項励起状態から一重項励起状態への逆項間交差が起こる。さらに、一重項励起状態から基底状態への失活(=蛍光発光)の速度定数が極めて大きいことから、三重項励起子はそれ自体が基底状態に熱的に失活(無輻射失活)するよりも、一重項励起状態経由で蛍光を発しながら基底状態に戻る方が速度論的に有利である。そのため、TADFでは理論的には100%の蛍光発光が可能となる。
 次に、本発明の有機EL素子について詳細に説明する。
 [有機EL素子]
 本発明の有機EL素子は、陽極と、陰極と、それらの間に配置され、且つ少なくとも発光層を含む有機層とを有する。
 有機層は、発光層のみからなるものであってもよいし、発光層以外に1層以上の他の層をさらに有するものであってもよい。他の層の例には、正孔輸送層、正孔注入層、電子阻止層、正孔阻止層、電子注入層、電子輸送層、及び励起子阻止層等が含まれる。正孔輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入輸送層であってもよく、電子輸送層は、電子注入機能を有する電子注入輸送層であってもよい。
 (発光層)
 発光層は、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子とが再結合することにより励起子が生成した後、発光する層である。
 発光層は、以下の式(i)及び式(ii)を満たす第1有機化合物と第2有機化合物と第3有機化合物とを少なくとも含む。第2有機化合物は遅延蛍光体であり、第3有機化合物は発光体である。
 式(i) ES1(A)>ES1(B)>ES1(C)
 式(ii) ET1(A)>ET1(B)
 式(i)において、ES1(A)は、第1有機化合物の最低励起一重項エネルギー準位を表し、ES1(B)は、第2有機化合物の最低励起一重項エネルギー準位を表し、ES1(C)は、第3有機化合物の最低励起一重項エネルギー準位を表す。
 式(ii)において、ET1(A)は、第1有機化合物の77Kにおける最低励起三重項エネルギー準位を表し、ET1(B)は、第2有機化合物の77Kにおける最低励起三重項エネルギー準位を表す。第2有機化合物の77Kにおける最低励起三重項エネルギー準位ET1(B)と、第3有機化合物の77Kにおける最低励起三重項エネルギー準位ET1(C)の関係は特に制限されないが、例えばET1(B)>ET1(C)となるように選択してもよい。
 本発明における「遅延蛍光体」は、励起三重項状態に遷移した後、励起一重項状態に逆項間交差することができ、励起一重項状態から基底状態に戻るときに蛍光を放射する有機化合物のことをいう。尚、励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差により生じる光の寿命は、通常の蛍光(即時蛍光)やリン光よりも長くなるため、これらよりも遅延した蛍光として観察される。このような蛍光を「遅延蛍光」と称する。
 遅延蛍光体であるかどうかは、例えば蛍光減衰測定を行ったときに、放射される蛍光の減衰速度の異なる成分が2種類以上あることによって確認することができる。減衰が遅い成分は、一般的には減衰時間がサブマイクロ秒以上であることが多い。
 蛍光減衰測定は、以下のように行うことができる。即ち、測定対象化合物の溶液若しくは薄膜、又は測定対象化合物と第二成分との共蒸着膜に、窒素雰囲気下で励起光を照射し、ある発光波長の光子数を計測する。このとき、放射される蛍光の減衰速度の異なる成分が2種類以上ある場合に、測定対象化合物が遅延蛍光性を示すと判断することができる。
 このような発光層は、式(i)及び(ii)のエネルギー準位の関係を満たす第1有機化合物、第2有機化合物及び第3有機化合物を含み、第2有機化合物が遅延蛍光体であり、且つ第3有機化合物が一般式(1)で表される特定の化合物であることにより、該発光層に注入されたホールと電子との再結合によって生じた励起エネルギーが効率よく蛍光に変換され、高い発光効率を得ることができる。これは以下の理由によるものと考えられる。
 即ち、このような発光層では、ホール及び電子の再結合によって励起エネルギーが発生すると、発光層に含まれる各有機化合物が基底状態から励起一重項状態及び励起三重項状態に遷移する。励起一重項状態の有機化合物(一重項励起子)と励起三重項状態の有機化合物(三重項励起子)との形成確率は、統計的に一重項励起子が25%、三重項励起子が75%である。そして、励起子のうち励起一重項状態の第1有機化合物及び第2有機化合物のエネルギーが第3有機化合物に移動し、基底状態の第3有機化合物が励起一重項状態に遷移する。励起一重項状態になった第3有機化合物は、その後基底状態に戻るときに蛍光を放射する。
 このとき、本発明の有機EL素子では、第2有機化合物が遅延蛍光体であるため、励起三重項状態の第2有機化合物が励起一重項状態に逆項間交差し、この逆項間交差による一重項励起エネルギーも第3有機化合物に移動する。このため、存在比率の大きい励起三重項状態の第2有機化合物のエネルギーも間接的に発光に寄与し、発光層が第2有機化合物を含まない構成に比べて励起子生成効率を高めることができ、有機EL素子の発光効率を飛躍的に向上させることができる。
 また、第3有機化合物が、窒素原子と結合するベンゼン環のオルト位に置換基を有する、特定のスクアリリウム構造を有するので、励起状態での構造緩和による非輻射失活過程を抑制することができる。それにより、第3有機化合物は近赤外領域に極大発光波長を有しつつ、高い蛍光量子収率を有する。
 尚、本発明の有機EL素子において、発光は主として第3有機化合物から生じるが、発光の一部は、第1有機化合物及び第2有機化合物から生じてもかまわない。また、その場合の発光は、蛍光発光及び遅延蛍光発光の両方を含む。但し、本発明の有機EL素子に含まれる複数の有機化合物から発光する場合であって、そのうちの最も短波長の発光が遅延蛍光体からの発光を含む場合は、当該遅延発光体からの発光強度は、全発光強度の20%以上とはならないものとする。当該遅延発光体からの発光強度が20%以上である場合、発光層でのエネルギー移動効率が悪く、発明の効果が十分には得られにくいためである。当該遅延発光体からの発光強度を全発光強度の20%未満とするためには、例えば第2有機化合物の発光スペクトルと第3有機化合物の吸収スペクトルの重なりが一定以上となるように、第2有機化合物と第3有機化合物とを選択すればよい。
 発光層の層厚の総和は、特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、且つ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm~5μmの範囲に調整されることが好ましく、より好ましくは2~500nmの範囲に調整され、更に好ましくは5~200nmの範囲に調整される。
 本発明に用いられる発光層は、一層でもよいし、複数の層から構成されてもよい。
 発光層が複数ある場合、各発光層の層厚としては、2nm~1μmの範囲に調整されることが好ましく、より好ましくは2~200nmの範囲に調整され、更に好ましくは3~150nmの範囲に調整される。
 以下、第1有機化合物、第2有機化合物及び第3有機化合物について、具体的に説明する。
 《第1有機化合物》
 第1有機化合物は、第2有機化合物及び第3有機化合物よりも高い最低励起一重項エネルギーを有し、第2有機化合物よりも高い最低励起三重項エネルギーを有する有機化合物であり、キャリアの輸送を担うホスト材料としての機能や第3有機化合物のエネルギーを該化合物中に閉じ込める機能を有する。これにより、第3有機化合物は、分子内でホールと電子とが再結合することによって生じたエネルギー、及び、第1有機化合物及び第2有機化合物から受け取ったエネルギーを効率よく発光に変換することができ、発光効率が高い有機EL素子を実現することができる。
 第1有機化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有し、且つ発光の長波長化を防ぎ、且つ高いガラス転移温度を有する有機化合物であることが好ましい。第1有機化合物のガラス転移温度は、好ましくはTgが90℃以上であり、より好ましくは120℃以上である。ここで、ガラス転移点(Tg)とは、DSC(Differential Scanning Colorimetry:示差走査熱量法)を用いて、JIS K 7121-2012に準拠した方法により求められる値である。
 第1有機化合物は、発光層内においてキャリアの輸送及び励起子の生成を担う。そのため、カチオンラジカル状態、アニオンラジカル状態、及び励起状態の全ての活性種の状態において安定に存在でき、分解や付加反応等の化学変化を起こさないこと、さらに、層中において通電経時でホスト分子がオングストロームレベルで移動しないことが好ましい。
 また、第2有機化合物が遅延蛍光体(TADF化合物)であり、三重項励起状態の存在時間が長いことから、前述したように、第1有機化合物自体のT1エネルギー準位が高いことも必要となる。
 このような要件を満たすためには、第1有機化合物自体の電子又は正孔のホッピング移動性が高いこと、且つ三重項励起状態となったときの構造変化が小さいこと等が必要である。このような要件を満たす第1有機化合物としては、アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、若しくは亜鉛錯体等の金属錯体や;オキサジアゾール、ベンゾイミダゾール、フェナントロリン等の複素環化合物に由来する骨格;カルバゾール、アントラセン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、スピロ-ビフルオレン等の縮合芳香族化合物に由来する骨格;又はトリアリールアミン、縮合多環芳香族アミン等の芳香族アミン化合物に由来する骨格を有する化合物が挙げられる。これらの骨格は、1種類のみ含まれてもよいし、2種類以上が含まれてもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 《第2有機化合物》
 第2有機化合物は、第1有機化合物よりも低く、第3有機化合物よりも高い最低励起一重項エネルギーを有し、第1有機化合物よりも低い最低励起三重項エネルギーを有する遅延蛍光体である。また、第2有機化合物は、最低励起一重項状態と77Kの最低励起三重項状態とのエネルギーの差ΔESTが0.3eV以下である遅延蛍光体である。
 また、第2有機化合物は、最低励起一重項状態でのエネルギー準位ES1(A)と77Kの最低励起三重項状態でのエネルギー準位ET1(A)の差ΔESTが0.3eV以下であることが好ましく、0.2eV以下であることがより好ましく、0.1eV以下であることがさらに好ましく、0.08eV以下であることがさらにより好ましい。エネルギー差ΔESTが前記範囲の遅延蛍光体は、励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差が比較的容易に起こり、その励起三重項エネルギーを効率よく発光に寄与させることができる。 
 遅延蛍光体のΔESTは、上記最低励起一重項エネルギー準位ES1(A)と、77Kにおける最低励起三重項エネルギー準位ET1(A)を、下記式に当てはめて求めることができる。
 ΔEST=|ES1(A)-ET1(A)|
 第2有機化合物として用いる遅延蛍光体は、前述の式(i)及び(ii)を満たし、且つΔESTが0.3eV以下を満たす遅延蛍光体であれば特に制限されないが、ドナー部位とアクセプター部位を有する化合物であることが好ましい。アクセプター部位となる骨格の例には、1又は2以上のシアノ基で置換されたベンゼン骨格、アントラセン-9、10-ジオン骨格、ジベンゾ[a,j]フェナジン骨格、2,3-ジシアノピラジン骨格、2,3-ジシアノピラジノフェナンスレン骨格、トリアジン骨格等が挙げられる。ドナー部位となる骨格の例には、置換されていてもよいカルバゾリル基、置換されていてもよいジアリールアミノ基、置換されていてもよいフェノキサジニル基、置換されていてもよいフェノチアジニル基、置換されていてもよいアクリジノニル基、或いはこれらの基で置換されたアリール基等が含まれる。
 遅延蛍光体の具体的な例としては、例えば、特許第5669163号の一般式(1)(段落0021)、一般式(9)(段落0044)、一般式(101)(段落0055、後述する一般式(2)と同じ)、一般式(131)(段落0064)、一般式(141)(段落0066)、一般式(151)(段落0078)、一般式(161)(段落0084)、一般式(191)(段落0103)、一般式(201)(段落0109)、一般式(211)(段落0135)、一般式(221)(段落0139)、一般式(231)(段落0141)、一般式(241)(段落0146)、一般式(251)(段落0151)、一般式(271)(段落0154)、一般式(281)(段落0180)、一般式(291)(段落0194)、一般式(301)(段落0196)、一般式(311)(段落0206)、J.Am.Chem.Soc.2014,136,18070-18081.、Adv.Mater.2013,25,3319-3323.、Angew.Chem.lnt.Ed.2016,55,5739-5744.、Angew.Chem.lnt.Ed.2015,54,13068-13072.に記載の遅延蛍光体を好ましく用いることができる。中でも、特許第5669163号の一般式(101)(段落0055、後述する一般式(2)と同じ)、一般式(212)(段落0135)、一般式(131)(段落0064)、Angew.Chem.lnt.Ed.2016,55,5739-5744.に記載の化合物T-2、J.Am.Chem.Soc.2014,136,18070-18081.に記載の化合物T-3、Angew.Chem.lnt.Ed.2015,54,13068-13072.に記載の化合物TPA-DCPPを挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 中でも、第2有機化合物として用いられる遅延発光体は、下記一般式(2)で表される化合物であることがより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 一般式(2)において、R19~R23の少なくとも一つは、シアノ基を表す。R19~R23の少なくとも他の一つは、下記式(b)で表される基を表す。残りのR19~R23は、それぞれ水素原子又は置換基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 式(b)において、R24~R31は、それぞれ水素原子又は置換基を表す。但し、下記<A>と<B>の少なくとも一方を満たす。
 <A> R28及びR29は、互いに結合して単結合を形成する
 <B> R30及びR31は、互いに結合して置換又は無置換のベンゼン環を形成する
 式(b)で表される基は、下記一般式(b-1)~(b-4)のいずれかで表される基であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
 式(b-1)において、R41~R48は、それぞれ水素原子又は置換基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
 式(b-2)において、R51~R56は、それぞれ水素原子又は置換基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 式(b-3)において、R61~R72は、それぞれ水素原子又は置換基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
 式(b-4)において、R81~R90は、それぞれ水素原子又は置換基を表す。
 一般式(2)のR19~R23、式(b)のR24~R31、式(b-1)のR41~R48、式(b-2)のR51~R56、式(b-3)のR61~R72、及び式(b-4)のR81~R90で表される置換基の例には、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数1~20の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素原子数1~20のアルコキシ基、炭素原子数6~40の置換若しくは無置換のアリール基、炭素原子数3~40の置換若しくは無置換のヘテロアリール基、炭素原子数1~20のジアルキル置換アミノ基等が含まれる。中でも、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、炭素原子数1~10の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素原子数1~10の置換若しくは無置換のアルコキシ基、炭素原子数6~15の置換若しくは無置換のアリール基、炭素原子数3~12の置換若しくは無置換のヘテロアリール基が好ましい。
 一般式(2)で表される化合物の例には、以下のものが含まれる。尚、これら以外にも、特許第5669163号の一般式(101)で表される化合物として例示された化合物を用いることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000022
 《第3有機化合物》
 第3有機化合物は、第1有機化合物及び第2有機化合物よりも低い最低励起一重項エネルギーを有する発光体である。第3有機化合物は、励起一重項状態の第1有機化合物及び第2有機化合物と、励起三重項状態から逆項間交差して励起一重項状態になった第2有機化合物からエネルギーを受け取って一重項励起状態に遷移し、その後基底状態に戻るときに蛍光を放射する。第3有機化合物は、式(i)の関係を満たすものであれば2種以上を用いてもよい。例えば、発光色が異なる2種以上の第3有機化合物を併用することにより、所望の色を発光させることが可能になる。
 第3有機化合物の発光色は、近赤外色である。具体的には、第3有機化合物の蛍光スペクトルにおける極大発光波長は、700~1000nmの範囲にある。
 第3有機化合物の発光色は、以下の方法で確認することができる。
 第3有機化合物を1質量%、CBPを99質量%の薄膜をSi基板上に塗布または蒸着により作製する。この試料の蛍光スペクトルを、蛍光分光光度計(堀場製作所社製:FluoroMax-4)を用いて、常温(300K)にて測定する。
 そして、極大発光波長(発光強度が最大となる波長;「発光ピーク波長」ともいう)が700nm~1000nmの範囲内にあるとき、近赤外色と判断する。
 極大発光波長を700~1000nmとするためには、第3有機化合物は、下記一般式(1)の構造を有することが好ましい。
 即ち、第3有機化合物は、蛍光スペクトルにおける極大発光波長が700~1000nmの範囲にある、下記一般式(1)で表される化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
 一般式(1)において、R~Rは、それぞれ水素原子又は置換基を表す。R~Rで表される置換基の数は、特に制限されない。置換基が2つ以上ある場合、それらの置換基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
 置換基としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素基(芳香族炭化水素環基、芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p-クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等)、芳香族複素環基(例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4-トリアゾール-1-イル基、1,2,3-トリアゾール-1-イル基等)、ピラゾロトリアゾリル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2-ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2-エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2-エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2-エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2-ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2-ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2-エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2-ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2-エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2-ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジタートブチル基、シクロヘキシルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2-エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2-ピリジルアミノ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)、ホスホノ基等が挙げられる。好ましくは、アルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルコキシ基、アミノ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子が挙げられる。また、これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。
 中でも、R及びRは、それぞれ水素原子であることが好ましく;R及びRは、それぞれ水素原子又は置換基であることが好ましく;R、R、R及びRは、水素原子であることが好ましい。
 一般式(1)において、A及びAは、それぞれ式(a)で表される基である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
 式(a)において、R及びR18は、それぞれ置換基を表す。このように、式(a)において、窒素原子と結合するアリール基のオルト位(R及びR18)に置換基を導入することで、励起状態での構造緩和による非輻射失活過程が抑制されることから、近赤外領域に極大発光波長を有し、且つ蛍光量子効率が高い有機EL素子を得ることができる。R10~R17は、それぞれ水素原子又は置換基を表す。♯は、一般式(1)への結合手を表す。
 R~R18で表される置換基の数は、特に制限されない。置換基が2つ以上ある場合、それらの置換基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。置換基が2つ以上ある場合、隣り合う置換基は、互いに結合して環を形成してもよい。形成される環は、芳香族環であってもよいし、脂肪族環であってもよく、好ましくは芳香族環である。R~R18で表される置換基としては、上記R~Rで表される置換基と同様のものを挙げることができ、好ましい範囲を参照することができる。
 中でも、R及びR18は、アルキル基であることが好ましい。アルキル基の炭素原子数は、1~20であることが好ましく、1~10であることがより好ましく、1~5であることがさらに好ましい。アルキル基の例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基が挙げられる。
 以下に本発明で好ましく用いられる一般式(1)で表される第3有機化合物を例に挙げるが、本発明はこれに限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
 《第1有機化合物、第2有機化合物、第3有機化合物の含有量》
 発光層に含まれる各有機化合物の含有量は、特に限定されないが、第2有機化合物の含有量は第1有機化合物の含有量よりも少ないことが好ましい。これにより、より高い発光効率を得ることができる。具体的には、第1有機化合物の含有量W1と第2有機化合物の含有量W2と第3有機化合物の含有量W3の合計重量を100質量%としたとき、第1有機化合物の含有量W1は15質量%以上、94.9質量%以下であることが好ましく、第2有機化合物の含有量W2は5.0質量%以上、50質量%以下であることが好ましく、第3有機化合物の含有量W3は0.1質量%以上、5.0質量%以下であることが好ましい。
 《この他の有機化合物》
 発光層は、第1有機化合物、第2有機化合物及び第3有機化合物のみから構成されていてもよいし、第1有機化合物、第2有機化合物及び第3有機化合物以外の有機化合物をさらに含んでいてもよい。第1有機化合物、第2有機化合物及び第3有機化合物以外の有機化合物としては、例えば正孔輸送能を有する有機化合物、電子輸送能を有する有機化合物等を挙げることができる。正孔輸送能を有する有機化合物、電子輸送能を有する有機化合物としては、下記の正孔輸送材料、電子輸送材料をそれぞれ用いることができる。
 <有機EL素子の層構成>
 本発明の有機EL素子における代表的な素子構成としては、以下の構成を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
 (1)陽極/発光層/陰極
 (2)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
 (3)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
 (4)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
 (5)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
 (6)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
 (7)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/(電子阻止層/)発光層/(正孔阻止層/)電子輸送層/電子注入層/陰極
 上記の中で(7)の構成が好ましく用いられるが、これに限定されるものではない。
 本発明に用いられる発光層は、単層又は複数層で構成されており、発光層が複数の場合は各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。
 必要に応じて、発光層と陰極との間に正孔阻止層(正孔障壁層ともいう)や電子注入層(陰極バッファー層ともいう)を設けてもよく、また、発光層と陽極との間に電子阻止層(電子障壁層ともいう)や正孔注入層(陽極バッファー層ともいう)を設けてもよい。
 本発明に用いられる電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層であり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。
 本発明に用いられる正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。
 上記の代表的な素子構成において、陽極と陰極を除いた層を「有機層」ともいう。
 (タンデム構造)
 また、本発明の有機EL素子は、少なくとも1層の発光層を含む発光ユニットを複数積層した、いわゆるタンデム構造の素子であってもよい。
 タンデム構造の代表的な素子構成としては、例えば以下の構成を挙げることができる。
 陽極/第1発光ユニット/中間層/第2発光ユニット/中間層/第3発光ユニット/陰極
 ここで、上記第1発光ユニット、第2発光ユニット及び第3発光ユニットは全て同じであっても、異なっていてもよい。また二つの発光ユニットが同じであり、残る一つが異なっていてもよい。
 複数の発光ユニットは直接積層されていても、中間層を介して積層されていてもよく、中間層は、一般的に中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、陽極側の隣接層に電子を、陰極側の隣接層に正孔を供給する機能を持った層であれば、公知の材料構成を用いることができる。
 中間層に用いられる材料としては、例えば、ITO(インジウムスズ酸化物)、IZO(インジウム・亜鉛酸化物)、ZnO、TiN、ZrN、HfN、TiOx、VOx、CuI、InN、GaN、CuAlO、CuGaO、SrCu、LaB、RuO、Al等の導電性無機化合物層や、Au/Bi等の2層膜や、SnO/Ag/SnO、ZnO/Ag/ZnO、Bi/Au/Bi、TiO/TiN/TiO、TiO/ZrN/TiO等の多層膜、またC60等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
 発光ユニット内の好ましい構成としては、例えば、上記の代表的な素子構成で挙げた(1)~(7)の構成から、陽極と陰極を除いたもの等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
 タンデム型有機EL素子の具体例としては、例えば、米国特許第6337492号、米国特許第7420203号、米国特許第7473923号、米国特許第6872472号、米国特許第6107734号、米国特許第6337492号、国際公開第2005/009087号、特開2006-228712号公報、特開2006-24791号公報、特開2006-49393号公報、特開2006-49394号公報、特開2006-49396号公報、特開2011-96679号公報、特開2005-340187号公報、特許第4711424号、特許第3496681号、特許第3884564号、特許第4213169号、特開2010-192719号公報、特開2009-076929号公報、特開2008-078414号公報、特開2007-059848号公報、特開2003-272860号公報、特開2003-045676号公報、国際公開第2005/094130号等に記載の素子構成や構成材料等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
 以下、本発明の有機EL素子を構成する、発光層以外の各層について説明する。
 (陽極)
 有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上、好ましくは4.5eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムスズ酸化物(ITO)、SnO、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In-ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
 陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度を余り必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
 あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。
 陽極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm~1μm、好ましくは10~200nmの範囲内で選ばれる。
 (陰極)
 陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
 陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることで作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。
 なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
 また、陰極に上記金属を1~20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げる導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
 (電子輸送層)
 本発明において電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。
 本発明に係る電子輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は2nm~5μmの範囲であり、より好ましくは2~500nmであり、さらに好ましくは5~200nmである。
 また、有機EL素子においては発光層で生じた光を電極から取り出す際、発光層から直接取り出される光と、光を取り出す電極と対極に位置する電極によって反射されてから取り出される光とが干渉を起こすことが知られている。光が陰極で反射される場合は、電子輸送層の総層厚を数nm~数μmの間で適宜調整することにより、この干渉効果を効率的に利用することが可能である。
 一方で、電子輸送層の層厚を厚くすると電圧が上昇しやすくなるため、特に層厚が厚い場合においては、電子輸送層の電子移動度は10-5cm/Vs以上であることが好ましい。
 電子輸送層に用いられる材料(以下、電子輸送材料という)としては、電子の注入性又は輸送性、正孔の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
 例えば、含窒素芳香族複素環誘導体(カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体(カルバゾール環を構成する炭素原子の一つ以上が窒素原子に置換されたもの)、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、アザトリフェニレン誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体等)、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、シロール誘導体、芳香族炭化水素環誘導体(ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体等)等が挙げられる。
 また、配位子にキノリノール骨格やジベンゾキノリノール骨格を有する金属錯体、例えば、トリス(8-キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7-ジクロロ-8-キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7-ジブロモ-8-キノリノール)アルミニウム、トリス(2-メチル-8-キノリノール)アルミニウム、トリス(5-メチル-8-キノリノール)アルミニウム、ビス(8-キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
 その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型-Si、n型-SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
 また、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
 本発明に係る電子輸送層においては、電子輸送層にドープ材をゲスト材料としてドープして、n性の高い(電子リッチ)電子輸送層を形成してもよい。ドープ材としては、金属錯体やハロゲン化金属など金属化合物等のn型ドーパントが挙げられる。このような構成の電子輸送層の具体例としては、例えば、特開平4-297076号公報、同10-270172号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等の文献に記載されたものが挙げられる。
 本発明の有機EL素子に用いられる、公知の好ましい電子輸送材料の具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
 米国特許第6528187号、米国特許第7230107号、米国特許出願公開第2005/0025993号明細書、米国特許出願公開第2004/0036077号明細書、米国特許出願公開第2009/0115316号明細書、米国特許出願公開第2009/0101870号明細書、米国特許出願公開第2009/0179554号明細書、国際公開第2003/060956号、国際公開第2008/132085号、Appl.Phys.Lett.75,4(1999)、Appl.Phys.Lett.79,449(2001)、Appl.Phys.Lett.81,162(2002)、Appl.Phys.Lett.81,162(2002)、Appl.Phys.Lett.79,156(2001)、米国特許第7964293号、米国特許出願公開第2009/030202号明細書、国際公開第2004/080975号、国際公開第2004/063159号、国際公開第2005/085387号、国際公開第2006/067931号、国際公開第2007/086552号、国際公開第2008/114690号、国際公開第2009/069442号、国際公開第2009/066779号、国際公開第2009/054253号、国際公開第2011/086935号、国際公開第2010/150593号、国際公開第2010/047707号、欧州特許第2311826号明細書、特開2010-251675号公報、特開2009-209133号公報、特開2009-124114号公報、特開2008-277810号公報、特開2006-156445号公報、特開2005-340122号公報、特開2003-45662号公報、特開2003-31367号公報、特開2003-282270号公報、国際公開第2012/115034号等である。
 本発明におけるより好ましい公知の電子輸送材料としては、少なくとも一つの窒素原子を含む芳香族複素環化合物や、リン原子を含む化合物が挙げられ、例えばピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、トリアジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、アザジベンゾフラン誘導体、アザジベンゾチオフェン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、アリールホスフィンオキサイド誘導体などが挙げられる。
 電子輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。
 (正孔阻止層)
 正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有する層であり、好ましくは電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
 また、前述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。
 本発明の有機EL素子に設ける正孔阻止層は、発光層の陰極側に隣接して設けられることが好ましい。
 本発明に係る正孔阻止層の層厚としては、好ましくは3~100nmの範囲であり、更に好ましくは5~30nmの範囲である。
 正孔阻止層に用いられる材料としては、前述の電子輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物として用いられる材料も正孔阻止層に好ましく用いられる。
 (電子注入層)
 本発明に係る電子注入層(「陰極バッファー層」ともいう)とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陰極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123~166頁)に詳細に記載されている。
 本発明において電子注入層は必要に応じて設け、上記のごとく陰極と発光層との間、又は陰極と電子輸送層との間に存在させてもよい。
 電子注入層はごく薄い膜であることが好ましく、素材にもよるがその層厚は0.1~5nmの範囲が好ましい。また構成材料が断続的に存在する不均一な層(膜)であってもよい。
 電子注入層は、特開平6-325871号公報、同9-17574号公報、同10-74586号公報等にもその詳細が記載されており、電子注入層に好ましく用いられる材料の具体例としては、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ土類金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、8-ヒドロキシキノリネートリチウム(Liq)等に代表される金属錯体等が挙げられる。また、前述の電子輸送材料を用いることも可能である。
 また、上記の電子注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、複数種を併用して用いてもよい。
 (正孔輸送層)
 本発明において正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する材料からなり、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有していればよい。
 本発明に係る正孔輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は5nm~5μmの範囲であり、より好ましくは2~500nmであり、さらに好ましくは5~200nmである。
 正孔輸送層に用いられる材料(以下、正孔輸送材料という)としては、正孔の注入性又は輸送性、電子の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
 例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー(例えばPEDOT/PSS、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等)等が挙げられる。
 トリアリールアミン誘導体としては、α-NPD(4,4′-ビス〔N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ〕ビフェニル)に代表されるベンジジン型や、MTDATAに代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレンやアントラセンを有する化合物等が挙げられる。
 また、特表2003-519432号公報や特開2006-135145号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。
 さらに不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4-297076号公報、特開2000-196140号公報、同2001-102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
 また、特開平11-251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような、いわゆるp型正孔輸送材料やp型-Si、p型-SiC等の無機化合物を用いることもできる。さらにIr(ppy)3に代表されるような中心金属にIrやPtを有するオルトメタル化有機金属錯体も好ましく用いられる。
 正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、アザトリフェニレン誘導体、有機金属錯体、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー等が好ましく用いられる。
 本発明の有機EL素子に用いられる、公知の好ましい正孔輸送材料の具体例としては、上記で挙げた文献の他、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
 例えば、Appl.Phys.Lett.69,2160(1996)、J.Lumin.72-74,985(1997)、Appl.Phys.Lett.78,673(2001)、Appl.Phys.Lett.90,183503(2007)、Appl.Phys.Lett.90,183503(2007)、Appl.Phys.Lett.51,913(1987)、Synth.Met.87,171(1997)、Synth.Met.91,209(1997)、Synth.Met.111,421(2000)、SID Symposium Digest,37,923(2006)、J.Mater.Chem.3,319(1993)、Adv.Mater.6,677(1994)、Chem.Mater.15,3148(2003)、米国特許出願公開第2003/0162053号明細書、米国特許出願公開第2002/0158242号明細書、米国特許出願公開第2006/0240279号明細書、米国特許出願公開第2008/0220265号明細書、米国特許第5061569号、国際公開第2007/002683号、国際公開第2009/018009号、欧州特許第650955号明細書、米国特許出願公開第2008/0124572号明細書、米国特許出願公開第2007/0278938号明細書、米国特許出願公開第2008/0106190号明細書、米国特許出願公開第2008/0018221号明細書、国際公開第2012/115034号、特表2003-519432号公報、特開2006-135145号公報、米国特許出願番号13/585981号等である。
 正孔輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。
 (電子阻止層)
 電子阻止層とは、広い意味では正孔輸送層の機能を有する層であり、好ましくは正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
 また、前述する正孔輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る電子阻止層として用いることができる。
 本発明の有機EL素子に設ける電子阻止層は、発光層の陽極側に隣接して設けられることが好ましい。
 本発明に係る電子阻止層の層厚としては、好ましくは3~100nmの範囲内であり、更に好ましくは5~30nmの範囲内である。
 電子阻止層に用いられる材料としては、前述の正孔輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物も電子阻止層に好ましく用いられる。
 (正孔注入層)
 本発明に係る正孔注入層(「陽極バッファー層」ともいう)とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陽極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123~166頁)に詳細に記載されている。
 本発明において正孔注入層は必要に応じて設け、上記のごとく陽極と発光層又は陽極と正孔輸送層との間に存在させてもよい。
 正孔注入層は、特開平9-45479号公報、同9-260062号公報、同8-288069号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に用いられる材料としては、例えば前述の正孔輸送層に用いられる材料等が挙げられる。
 中でも銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン誘導体、特表2003-519432号公報や特開2006-135145号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体、酸化バナジウムに代表される金属酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子、トリス(2-フェニルピリジン)イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体、トリアリールアミン誘導体等が好ましい。
 前述の正孔注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。
 (添加物)
 前述した本発明における有機層は、更に他の添加物が含まれていてもよい。
 添加物としては、例えば臭素、ヨウ素及び塩素等のハロゲン元素やハロゲン化化合物、Pd、Ca、Na等のアルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属の化合物や錯体、塩等が挙げられる。
 添加物の含有量は、任意に決定することができるが、含有される層の全質量%に対して1000ppm以下であることが好ましく、より好ましくは500ppm以下であり、さらに好ましくは50ppm以下である。
 ただし、電子や正孔の輸送性を向上させる目的や、励起子のエネルギー移動を有利にするための目的などによってはこの範囲内ではない。
 <有機層の形成方法>
 有機層(正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、中間層等)の形成方法について説明する。
 有機層の形成方法は、特に制限はなく、従来公知の例えば真空蒸着法、湿式法(ウェットプロセスともいう)等による形成方法を用いることができる。
 湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法(ラングミュア-ブロジェット法)等があるが、均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。
 本発明に用いられる有機EL材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒を用いることができる。
 また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
 更に層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50~450℃、真空度10-6~10-2Pa、蒸着速度0.01~50nm/秒、基板温度-50~300℃、層(膜)厚0.1nm~5μm、好ましくは5~200nmの範囲内で適宜選ぶことが望ましい。
 本発明に係る有機層の形成は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際は作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
 <支持基板>
 本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板(以下、基板、基材等ともいう。)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
 樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
 樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129-1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/m・24h以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、1×10-3ml/m・24h・atm以下、水蒸気透過度が、1×10-5g/m・24h以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
 バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
 バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004-68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
 不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
 本発明の有機EL素子の発光の室温(25℃)における外部取り出し量子効率は、1%以上であることが好ましく、5%以上であるとより好ましい。
 ここで、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。
 また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を、蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。
 <封止>
 本発明の有機EL素子の封止に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と、電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に限定されない。
 具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる1種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。
 本発明においては、有機EL素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。さらには、ポリマーフィルムはJIS K 7126-1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10-3ml/m・24h以下、JIS K 7129-1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度90±2%)が、1×10-3g/m・24h以下のものであることが好ましい。
 封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
 接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2-シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
 なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
 また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。
 さらに該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。
 封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
 吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
 <保護膜、保護板>
 有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために、保護膜あるいは保護板を設けてもよい。特に、封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
 <光取り出し向上技術>
 有機EL素子は、空気よりも屈折率の高い(屈折率1.6~2.1程度の範囲内)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。
 この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(例えば、米国特許第4774435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(例えば、特開昭63-314795号公報)、素子の側面等に反射面を形成する方法(例えば、特開平1-220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(例えば、特開昭62-172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(例えば、特開2001-202827号公報)、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11-283751号公報)などが挙げられる。
 本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
 本発明は、これらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。
 透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚さで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。 低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマーなどが挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5~1.7程度の範囲内であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。またさらに1.35以下であることが好ましい。
 また、低屈折率媒質の厚さは、媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚さが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
 全反射を起こす界面又は、いずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が1次の回折や、2次の回折といった、いわゆるブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち、層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間若しくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
 導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な一次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
 しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
 回折格子を導入する位置としては、いずれかの層間、若しくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約1/2~3倍程度の範囲内が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状など、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
 <集光シート>
 本発明の有機EL素子は、支持基板(基板)の光取出し側に、例えばマイクロレンズアレイ上の構造を設ける加工や、いわゆる集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
 マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は10~100μmの範囲内が好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚さが厚くなり好ましくない。
 集光シートとしては、例えば液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)などを用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
 また、有機EL素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)などを用いることができる。
 [用途]
 本発明の有機EL素子は、電子機器、例えば、表示装置、ディスプレイ、各種発光装置として用いることができる。
 発光装置として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明、車外照明、赤外カメラ用光源)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に光通信処理機の光源、光センサーの光源等、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
 本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
 <表示装置>
 本発明の有機EL素子を具備する表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。
 多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法又は印刷法等で膜を形成できる。
 発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法及び印刷法である。
 表示装置に具備される有機EL素子の構成は、必要に応じて上記の有機EL素子の構成例の中から選択される。
 また、有機EL素子の製造方法は、上記の本発明の有機EL素子の製造の一態様に示したとおりである。
 このようにして得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を-の極性として電圧2~40V程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に交流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が-の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
 多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ又は各種発光光源として用いることができる。表示デバイス又はディスプレイにおいて、青、赤及び緑発光の3種の有機EL素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。
 表示デバイス又はディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示及び自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。
 発光装置としては、家庭用照明、車外照明、赤外カメラ用光源、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサー、生体センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
 以下、本発明の有機EL素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
 図1は有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
 ディスプレイ1は複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B、表示部Aと制御部Bとを電気的に接続する配線部C等を有する。
 制御部Bは表示部Aと配線部Cを介して電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線ごとの画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。
 図2はアクティブマトリクス方式による表示装置の模式図である。
 表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部C(図1参照)と複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。
 図2においては、画素3の発光した光が白矢印方向(下方向)へ取り出される場合を示している。
 配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示していない)。
 画素3は走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
 発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
 次に、画素の発光プロセスを説明する。図3は画素の回路を示した概略図である。
 画素は、有機EL素子10、スイッチングトランジスタ11、駆動トランジスタ12、コンデンサー13等を備えている。複数の画素に有機EL素子10として、赤色、緑色及び青色発光の有機EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
 図3において、制御部B(図1参照)からデータ線6を介してスイッチングトランジスタ11のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Bから走査線5を介してスイッチングトランジスタ11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサー13と駆動トランジスタ12のゲートに伝達される。
 画像データ信号の伝達により、コンデンサー13が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ12の駆動がオンする。駆動トランジスタ12は、ドレインが電源ライン7に接続され、ソースが有機EL素子10の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン7から有機EL素子10に電流が供給される。
 制御部Bの順次走査により走査信号が次の走査線5に移ると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフしてもコンデンサー13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ12の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機EL素子10の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ12が駆動して有機EL素子10が発光する。
 すなわち、有機EL素子10の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子10に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ11と駆動トランジスタ12を設けて、複数の画素3それぞれの有機EL素子10の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
 ここで、有機EL素子10の発光は複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、2値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサー13の電位の保持は次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
 本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。
 図4は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図4において、複数の走査線5と複数の画像データ線6が画素3を挟んで対向して格子状に設けられている。 順次走査により走査線5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線5に接続している画素3が画像データ信号に応じて発光する。
 パッシブマトリクス方式では画素3にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
 本発明の有機EL素子を用いることにより、近赤外領域に発光ピークを有し、発光効率が高い表示装置を得ることができる。
 <照明装置>
 本発明の有機EL素子は、照明装置に用いることもできる。
 本発明の有機EL素子は、共振器構造を持たせた有機EL素子として用いてもよい。このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。
 また、本発明の有機EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用してもよい。
 動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、パッシブマトリクス方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。
 また、本発明の有機EL素子の形成方法は、発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよい。他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法及び印刷法等で、例えば、電極膜を形成でき、生産性も向上する。
 (本発明の照明装置の一態様)
 本発明の有機EL素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。
 本発明の有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止し、図5及び図6に示すような照明装置を形成することができる。
 図5は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機EL素子(照明装置内の有機EL素子101)はガラスカバー102で覆われている(なお、ガラスカバーでの封止作業は、照明装置内の有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った。)。
 図6は、照明装置の断面図を示し、105は陰極、106は有機層、107は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。
 本発明の有機EL素子を用いることにより、近赤外領域に発光ピークを有し、発光効率が高い照明装置を得ることができる。
 以下に実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下に示す材料、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は、以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。なお、発光特性の評価は、ハイパフォーマンス紫外可視近赤外分光光度計(パーキンエルマー社製:Lambda950)、蛍光分光光度計(堀場製作所社製:FluoroMax-4)、絶対PL量子収率測定装置(浜松ホトニクス社製:C11347)、ソースメータ(ケースレー社製:2400シリーズ)、外部量子効率測定装置(浜松ホトニクス社製:C9920-12)、半導体パラメータ・アナライザ(アジレント・テクノロジー社製:E5273A)、光パワーメータ測定装置(ニューポート社製:1930C)、光学分光器(オーシャンオプティクス社製:USB2000)、分光放射計(トプコン社製:SR-3)およびストリークカメラ(浜松ホトニクス(株)製C4334型)を用いて行った。
 実施例及び比較例で用いた化合物を以下に示す。
 (第1有機化合物)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
 (第2有機化合物)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
 (第3有機化合物)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
 (比較用化合物)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
 (電子輸送材料)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
 実施例及び比較例で用いた第1有機化合物、第2有機化合物及び第3有機化合物の、最低励起一重項エネルギー準位ES1と最低励起三重項エネルギー準位ET1を、以下の手順により求めた。また、最低励起一重項状態と77Kの最低励起三重項状態とのエネルギーの差ΔESTは、ES1とET1の差から算出した。その結果を表2に示す。
 (1)最低励起一重項エネルギー準位ES1
 測定対象化合物からなる層を、Si基板上に蒸着又は塗布にて形成し、試料とした。この試料の蛍光スペクトルを、蛍光分光光度計(堀場製作所社製:FluoroMax-4)を用いて、常温(300K)で測定した。発光スペクトルの測定には、励起光源に窒素レーザー(Lasertechnik Berlin社製、MNL200)を用い、検出器には、ストリークカメラ(浜松ホトニクス社製、C4334)を用いた。
 蛍光スペクトルは、縦軸を発光強度、横軸を波長とした。この発光スペクトルの短波側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λedge[nm]を求めた。この波長値を、次に示す換算式でエネルギー値に換算した値をES1とした。
 換算式:ES1[eV]=1239.85/λedge
 (2)最低励起三重項エネルギー準位ET1
 最低励起一重項エネルギーES1の測定で用いた試料と同様の試料を準備した。この試料を77[K]に冷却し、これに励起光(337nm)を照射し、ストリークカメラ(浜松ホトニクス(株)製C4334型)を用いて、燐光強度を測定した。この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λedge[nm]を求めた。この波長値を次に示す換算式でエネルギー値に換算した値をET1とした。
 換算式:ET1[eV]=1239.85/λedge
 燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は、以下のように引いた。燐光スペクトルの短波長側から長波長側に向けて、スペクトルの極大値のうち最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動させたときの、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ(つまり縦軸が増加するにつれ)、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とした。
 なお、スペクトルの最大ピーク強度の10%以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めないこととした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000035
 また、第3有機化合物の極大発光波長を、以下の方法で測定した。
 (3)第3有機化合物の極大発光波長の測定
 第3有機化合物を1質量%、CBPを99質量%の薄膜をSi基板上に蒸着により作製した。この試料の蛍光スペクトルを、蛍光分光光度計(堀場製作所社製:FluoroMax-4)を用いて、常温(300K)にて測定した。得られた発光スペクトルにおいて、発光強度が最大となる波長を極大発光波長(発光ピーク波長)として求めた。その結果を、表3に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000036
 表3に示されるように、第3有機化合物D-1、D-2、D-7及びD-35は、いずれも極大発光波長が700nm~1000nmの範囲内にあることがわかる。
 [実施例1]
 <絶対PL量子収率の測定>
 第3有機化合物と比較用化合物の、溶液中及び薄膜中での絶対PL量子収率を、それぞれ以下の方法で測定した。
 (1)溶液中での絶対PL量子収率の評価
 第3有機化合物又は比較用化合物を、10-6Mになるようにトルエン中に溶解させた。得られた溶液の絶対PL量子収率を、絶対PL量子収率測定装置(浜松ホトニクス社製:C11347)を用いて測定した。
 (2)薄膜中での絶対PL量子収率の評価
 CBPと各第3有機化合物又は比較用化合物とを、クロロホルム中にそれぞれの比率が99.5質量%、0.5質量%となるように溶解させた。得られた溶液を、石英基盤上に1500rpm、30秒の条件下スピンコート法により塗布して薄膜を形成した後、50℃にて30分間乾燥させた。得られた薄膜の絶対PL量子収率を、絶対PL量子収率測定装置(浜松ホトニクス社製:C11347)を用いて測定した。
 表4に、得られた絶対PL量子収率を示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000037
 表4に示されるように、第3有機化合物として用いられるD-1、D-2、D-7及びD-35は、いずれも溶液中及び薄膜中で高いPL量子収率を示した。このことから、本発明において、第3有機化合物として用いられるD-1、D-2、D-7及びD-35は、比較用化合物であるC-1及びC-2と比べて発光性に優れているといえる。
 [実施例2]
 <有機EL素子の測定>
 (有機EL素子2-1)
 CBP(第1有機化合物)、4CzTPN-Ph(第2有機化合物)、D-1(第3有機化合物)を用いて有機EL素子の作製と評価を行った。
 CBPの最低励起一重項エネルギー準位ES1は3.26eV、最低励起三重項エネルギー準位ET1は2.55eVであった。4CzTPN-Phの最低励起一重項エネルギー準位ES1は2.29eV、最低励起三重項エネルギー準位ET1は2.21eVであった。D-1の最低励起一重項エネルギー準位ES1は1.84eVであった。また、4CzTPN-Phは遅延蛍光を示す有機化合物であることが非特許文献2に記載されている。4CzTPN-Phの最低励起一重項状態と77Kの最低励起三重項状態とのエネルギーの差ΔESTは0.08eVであった。
 有機EL素子2-1は、下記に従って作製した。
 膜厚110nmのインジウム・スズ酸化物(ITO)からなる陽極が形成されたガラス基板上に、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Clevious(登録商標) P Al 4083)を用いて、3000rpm、60秒の条件下スピンコート法により薄膜を形成した後、150℃にて1時間乾燥し、層厚30nmの正孔注入層を設けた。
 次に、第1有機化合物としてCBP、第2有機化合物として4CzTPN-Ph、第3有機化合物としてD-1をテトラヒドロフラン(THF)中にそれぞれの比率が84.5質量%、15質量%、0.5質量%となるように溶解させた溶液を用い、窒素雰囲気化で、1500rpm、30秒の条件下スピンコート法により薄膜を形成した後、50℃にて30分間乾燥し、層厚30nmの発光層を形成した。
 続いて、真空度1×10-4Paまで減圧した後、TPBi(1,3,5-トリス(N-フェニルベンゾイミダゾール-2-イル)を蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚90nmの電子輸送層を形成した。
 さらに、フッ化ナトリウムを膜厚0.8nmで形成した後に、アルミニウム100nmをさらに蒸着して、陰極を形成し、有機EL素子2-1を得た。
 (有機EL素子2-2)
 有機EL素子2-2は、第3有機化合物としてD-1のかわりにD-35を用いた以外は有機EL素子2-1と同様にして作製した。具体的には、発光層を形成する際、84.5質量%のCBP、15質量%の4CzTPN-Ph、0.5質量%のD-35からなる塗布膜を形成した以外は有機EL素子2-1と同様にして有機EL素子2-2を得た。D-35の最低励起一重項エネルギー準位ES1は、1.80eVであった。
 (有機EL素子2-3)
 有機EL素子2-3は、第2有機化合物として4CzTPN-PhのかわりにTPA-DCPPを用いた以外は有機EL素子2-1と同様にして作製した。具体的には、発光層を形成する際、89.5質量%のCBPと、10質量%のTPA-DCPPと、0.5質量%のD-1とからなる塗布膜を形成した以外は有機EL素子2-1と同様にして有機EL素子2-3を得た。
 TPA-DCPPの最低励起一重項エネルギー準位ES1は2.38eV、最低励起三重項エネルギー準位ET1は2.25eVであった。また、TPA-DCPPは遅延蛍光を示す有機化合物であることが非特許文献4に記載されている。TPA-DCPPの最低励起一重項状態と77Kの最低励起三重項状態とのエネルギーの差ΔESTは0.13eVであった。
 (有機EL素子2-4)
 有機EL素子2-4は、第3有機化合物としてD-1だけでなくD-35もさらに用いた以外は有機EL素子2-1と同様にして作製した。具体的には、発光層を形成する際、84.5質量%のCBPと、15質量%の4CzTPN-Phと、0.25質量%のD-1と、0.25質量%のD-35とからなる塗布膜を形成した以外は有機EL素子2-1と同様にして有機EL素子2-4を得た。
 (有機EL素子2-5)
 発光層を形成する際、第2有機化合物として4CzTPN-Phを用いず、99.5質量%のCBPと、0.5質量%のD-1とからなる塗布膜を形成した以外は有機EL素子2-1と同様にして有機EL素子2-5を得た。
 (有機EL素子2-6)
 発光層を形成する際、第1有機化合物としてのCBPを用いず、99.5質量%のTPA-DCPPと、0.5質量%のD-1とからなる塗布膜を形成した以外は有機EL素子2-1と同様にして有機EL素子2-6を得た。
 (有機EL素子2-7)
 有機EL素子2-7は、第3有機化合物としてのD-1のかわりにC-1を用いた以外は有機EL素子2-1と同様にして作製した。具体的には、発光層を形成する際、84.5質量%のCBPと、15質量%の4CzTPN-Phと、0.5質量%のC-1とからなる塗布膜を形成した以外は有機EL素子2-1と同様にして有機EL素子2-7を得た。
 (有機EL素子2-8)
 有機EL素子2-8は、第3有機化合物としてのD-1のかわりにC-2を用いた以外は有機EL素子2-1と同様にして作製した。具体的には、発光層を形成する際、84.5質量%のCBPと、15質量%の4CzTPN-Phと、0.5質量%のC-2とからなる塗布膜を形成した以外は有機EL素子2-1と同様にして有機EL素子2-8を得た。
 (有機EL素子2-9)
 有機EL素子2-9は、発光層を形成する際、第3有機化合物を用いず、85質量%のCBPと、15質量%の4CzTPN-Phとからなる塗布膜を形成した以外は有機EL素子2-1と同様にして有機EL素子2-9を得た。
 得られた有機EL素子2-1~2-9の発光スペクトルと、各電流密度毎の外部量子効率を、以下の方法で測定した。
 (極大発光波長)
 有機EL素子駆動時の各有機EL素子の発光スペクトルは、下記測定を行うことにより評価した。
 上記作製した各有機EL素子を、ソースメータ(ケースレー社製:2400シリーズ)を用いて、室温(約25℃)で、1mA/cmの電流密度で駆動させ、絶対PL量子収率測定装置(浜松ホトニクス社製:C11347)を用い、500~950nmの検出波長でスペクトルを測定した。得られたスペクトルで、最も強度が大きい波長を極大発光波長とした。
 (外部量子効率)
 有機EL素子駆動時の各有機EL素子の外部量子効率は、下記測定を行うことにより評価した。
 上記作製した各有機EL素子を、ソースメータ(ケースレー社製:2400シリーズ)を用いて、室温(約25℃)で、注入電流ステップごとに駆動させ、絶対PL量子収率測定装置(浜松ホトニクス社製:C11347)を用い、500~950nmの検出波長で、各注入電流ステップごとに外部量子効率を測定した。そして、得られた外部量子効率のうち最大値を「外部量子効率」とした。
 有機EL素子2-1~2-4の発光スペクトルの測定結果を図7A~Dに示し;有機EL素子2-5~2-9の発光スペクトルの測定結果を図8A~Eに示す。有機EL素子2-1~2-4の各電流密度毎の外部量子効率の測定結果を図9A~Dに示し;有機EL素子2-5~2-9の各電流密度毎の外部量子効率の測定結果を図10A~Eに示す。そして、これらの特性値を表5にまとめて示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000038
 表5に示すように、有機EL素子2-1~2-4(本発明)は、いずれも近赤外領域に発光ピーク(極大発光波長)を有し、且つ有機EL素子2-5~2-9(比較例)よりも高い外部量子収率を示し、高い発光効率を示した。
 本出願は、2017年5月8日出願の特願2017-092683に基づく優先権を主張する。当該出願明細書および図面に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。
 本発明の上記手段により、例えば、近赤外領域に発光ピークを有し、且つ高い発光効率を有する有機EL素子を提供することができる。また、当該有機EL素子が具備された表示装置及び照明装置を提供することができる。
 1 ディスプレイ
 3 画素
 5 走査線
 6 データ線
 7 電源ライン
 10 有機EL素子
 11 スイッチングトランジスタ
 12 駆動トランジスタ
 13 コンデンサー
 101 照明装置内の有機EL素子
 102 ガラスカバー
 105 陰極
 106 有機層
 107 透明電極付きガラス基板
 108 窒素ガス
 109 捕水剤
 A 表示部
 B 制御部
 C 配線部

Claims (7)

  1.  陽極、陰極、及び前記陽極と前記陰極との間に配置され、且つ少なくとも発光層を含む有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
     前記発光層は、以下の式(i)及び式(ii)を満たす第1有機化合物、第2有機化合物及び第3有機化合物を含み、
     式(i):ES1(A)>ES1(B)>ES1(C)
    [式(i)において、
     ES1(A)は、前記第1有機化合物の最低励起一重項エネルギー準位を表し、
     ES1(B)は、前記第2有機化合物の最低励起一重項エネルギー準位を表し、
     ES1(C)は、前記第3有機化合物の最低励起一重項エネルギー準位を表す]
     式(ii):ET1(A)>ET1(B)
    [式(ii)において、
     ET1(A)は、前記第1有機化合物の77Kにおける最低励起三重項エネルギー準位を表し、
     ET1(B)は、前記第2有機化合物の77Kにおける最低励起三重項エネルギー準位を表す]
     前記第2有機化合物は、最低励起一重項状態と77Kの最低励起三重項状態とのエネルギーの差ΔESTが0.3eV以下である遅延蛍光体であり、
     前記第3有機化合物は、蛍光スペクトルにおける極大発光波長が700nm~1000nmの範囲にある、下記一般式(1)で表される発光体である、有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    [一般式(1)において、
     A及びAは、それぞれ下記式(a)で表される基を表し、
     R~Rは、それぞれ水素原子又は置換基を表す]
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    [式(a)において、
     R及びR18は、それぞれ置換基を表し、
     R10~R17は、それぞれ水素原子又は置換基を表し、
     R~R18のうち隣り合う置換基は、互いに結合して環を形成してもよく、
     ♯は、前記一般式(1)への結合手を表す]
  2.  前記式(a)のR及びR18は、それぞれアルキル基である、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3.  前記第2有機化合物は、下記一般式(2)で表される化合物である、請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    [一般式(2)において、
     R19~R23の少なくとも一つは、シアノ基を表し、
     R19~R23の少なくとも他の一つは、下記式(b)で表される基を表し、
     残りのR19~R23は、それぞれ水素原子又は置換基を表す]
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
    [式(b)において、
     R24~R31は、それぞれ水素原子又は置換基を表す。
     但し、下記<A>と<B>の少なくとも一方を満たす。
     <A> R28及びR29は、互いに結合して単結合を形成する
     <B> R30及びR31は、互いに結合して置換又は無置換のベンゼン環を形成する]
  4.  前記発光層は、2種類以上の前記第3有機化合物を含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5.  前記発光層は、前記第1有機化合物、前記第2有機化合物及び前記第3有機化合物以外の、1種又は2種以上の他の有機化合物をさらに含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6.  請求項1~5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する、表示装置。
  7.  請求項1~5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する、照明装置。
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