JP6187080B2 - 電界発光素子 - Google Patents
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Description
(構造式A−1〜A−31において、Xnは置換基であり、少なくとも一箇所は連結器Lを介してシアノ基と連結している。残りのXnは水素原子、置換または無置換のアリール基、置換または無置換の複素環基、置換または無置換のアルキル基、アルコキシ基、芳香族アミノ基、シリル基、チオール基、ニトロ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子等から選ばれるが、通常は水素原子、あるいは炭素数6〜20の置換または無置換のアリール基である。ただし、XnはX1からX18の何れかである。)
ガラス基板上にRFスパッタ法で、ITO透明電極薄膜を100nmの厚さに成膜し、パターニングした。このITO透明電極付きガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥した。透明電極表面をUV/O3洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、槽内を1×10−4Pa以下まで減圧した。
発光ドーパントとして、例示化合物A−1−1に変えて例示化合物A−9−2を用いた以外、は実施例1と同様にして電界発光素子を得た。
発光ドーパントとして、例示化合物A−1−1に変えて例示化合物A−11−1を用いた以外は、実施例1と同様にして、電界発光素子を得た。
発光ドーパントとして、例示化合物A−1−1に変えて例示化合物A−11−2を用いた以外は、実施例1と同様にして電界発光素子を得た。
発光ドーパントとして、例示化合物A−1−1に変えて例示化合物A−11−5を用いた以外は、実施例1と同様にして電界発光素子を得た。
発光ドーパントとして、例示化合物A−1−1に変えて例示化合物A−11−6を用いた以外は、実施例1と同様にして電界発光素子を得た。
発光ドーパントとして、例示化合物A−1−1に変えて例示化合物A−11−7を用いた以外は、実施例1と同様にして電界発光素子を得た。
正孔注入層および正孔輸送層で用いた例示化合物B−7に変えて例示化合物B−6を、発光ドーパントとして例示化合物A−1−1に変えて例示化合物A−11−1を用いた以外は、実施例1と同様にして電界発光素子を得た。
正孔注入層および正孔輸送層で用いた例示化合物B−7に変えて例示化合物B−9を、発光ドーパントとして例示化合物A−1−1に変えて例示化合物A−11−1を用いた以外は、実施例1と同様にして電界発光素子を得た。
正孔注入層および正孔輸送層で用いた例示化合物B−7に変えて例示化合物B−11を、発光ドーパントとして例示化合物A−1−1に変えて例示化合物A−11−1を用いた以外は、実施例1と同様にして電界発光素子を得た。
正孔注入層および正孔輸送層で用いた例示化合物B−7に変えて例示化合物B−10を、発光ドーパントとして例示化合物A−1−1に変えて例示化合物A−11−1を用いた以外は、実施例1と同様にして電界発光素子を得た。
発光ドーパントとして、例示化合物A−1−1に変えて例示化合物A−12−2を用いた以外は、実施例1と同様にして電界発光素子を得た。
発光ドーパントとして、例示化合物A−1−1に変えて例示化合物A−20−2を用いた以外は、実施例1と同様にして電界発光素子を得た。
ガラス基板上にRFスパッタ法で、ITO透明電極薄膜を100nmの厚さに成膜し、パターニングした。このITO透明電極付きガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥した。透明電極表面をUV/O3洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、槽内を1×10−4Pa以下まで減圧した。
発光ドーパントとして、例示化合物A−4−1に変えて例示化合物A−5−3を用いた以外は、実施例14と同様にして、電界発光素子を得た。
発光ドーパントとして、例示化合物A−4−1に変えて例示化合物A−14−1を用いた以外、は実施例14と同様にして、電界発光素子を得た。
発光ドーパントとして、例示化合物A−4−1に変えて例示化合物A−14−1を、電子輸送層として例示化合物C−3に変えて下記構造の化42を用いた以外は、実施例14と同様にして電界発光素子を得た。
発光ドーパントとして、例示化合物A−4−1に変えて例示化合物A−14−1を、電子輸送層として例示化合物C−3に変えて化42を、電子注入層としてAlq3に変えて下記構造の化43を用いた以外は、実施例14と同様にして電界発光素子を得た。
正孔輸送層までを実施例14と同様に成膜した後、減圧状態を保ったまま、ホスト材料としての例示化合物C−3と、発光ドーパントとしての例示化合物A−14−1とを、体積比97:3で、全体の蒸着速度0.1nm/secとして40nmの厚さに蒸着し、発光層とした。
発光ドーパントとして、例示化合物A−4−1に変えて例示化合物A−22−1を用いた以外は、実施例14と同様にして電界発光素子を得た。
発光ドーパントとして、例示化合物A−4−1に変えて例示化合物A−26−1を用いた以外は、実施例14と同様にして電界発光素子を得た。
発光ドーパントとして、例示化合物A−4−1に変えて例示化合物A−28−1を用いた以外は、実施例14と同様にして電界発光素子を得た。
ガラス基板上にRFスパッタ法で、ITO透明電極薄膜を100nmの厚さに成膜し、パターニングした。このITO透明電極付きガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥した。透明電極表面をUV/O3洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、槽内を1×10−4Pa以下まで減圧した。
発光ドーパントとして、例示化合物A−16−7に変えて例示化合物A−17−3を用いた以外は、実施例23と同様にして電界発光素子を得た。
正孔輸送層までを実施例14と同様に成膜した後、減圧状態を保ったまま、ホスト材料としての例示化合物B−7と、発光ドーパントとしての例示化合物A−11−1とを、体積比97:3で、全体の蒸着速度0.1nm/secとして40nmの厚さに蒸着し、発光層とした。
発光ドーパントとして、例示化合物A−1−1に変えて下記構造の化45を用いた以外は、実施例1と同様にして電界発光素子を得た。
発光ドーパントとして、例示化合物A−11−1に変えて化45を用いた以外は、比較例1と同様にして電界発光素子を得た。
発光ドーパントとして、例示化合物A−4−1に変えて下記構造の化46を用いた以外は、実施例14と同様にして電界発光素子を得た。
正孔輸送層までを実施例14と同様に成膜した後、減圧状態を保ったまま、ホスト材料としての例示化合物D−5と、発光ドーパントとしての例示化合物A−16−7とを、体積比97:3で、全体の蒸着速度0.1nm/secとして40nmの厚さに蒸着し、発光層とした。
正孔注入層までを実施例14と同様に成膜した後、減圧状態を保ったまま、下記構造の化47を蒸着速度0.1nm/secで10nmの厚さに蒸着し、正孔輸送層とした。
ホスト材料および電子輸送材量として用いたB−7をB−6に変えた以外は、比較例6と同様にして電界発光素子を得た。
2 基板
3 陽極
4 正孔注入層
5 正孔輸送層
6 発光層
7 電子輸送層
8 電子注入層
9 陰極
Claims (7)
- 陽極および陰極からなる一対の電極間に、ホスト材料および一般式(I)で表される発光ドーパントを含む少なくとも1層の発光層と、前記発光層に隣接する正孔輸送層を有し、前記正孔輸送層を形成する正孔輸送材料の仕事関数(Wf(HTM))と前記ホスト材料の仕事関数(Wf(host))との関係が、|Wf(host)|−|Wf(HTM)|≦0.2eVとなり、
一般式(I)で表される発光ドーパントの電子親和力Ea(dopant)とホスト材料の電子親和力Ea(host)との関係が、|Ea(dopant)|−|Ea(host)|≧0.15eVであり、
一般式(I)で表される発光ドーパントが、下記化合物群の何れかを含むことを特徴とする電界発光素子。
- 前記発光層の前記ホスト材料と前記正孔輸送層とを同一材料とする請求項1〜4の何れか一項に記載の電界発光素子。
- 陽極から正孔輸送層に至るまでの何れかの有機層の少なくとも一部分が、電子アクセプターとして機能する無機化合物、あるいは有機化合物によりドーピングされていることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の電界発光素子。
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