CN110183426B - 一种热活化延迟荧光材料、制备方法及电致发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了改进的一种热活化延迟荧光材料、制备方法及荧光器件,通过在三氰基苯的结构基础上,连接2个二氢吩嗪作为给电子基团,然后再连接不同的给电子单元来调节整体的电荷转移强弱,合成了一系列具有较低单三线态能级差,高发光效率,快速的反向系间窜越常数的蓝光热活化延迟荧光材料。
Description
技术领域
本发明涉及光电技术领域,特别是涉及一种热活化延迟荧光材料、制备方法及电致 发光器件。
背景技术
有机电致发光二极管(organic light-emitting diodes,OLEDs)以其主动发光不需要背 光源、发光效率高、可视角度大、响应速度快、温度适应范围大、生产加工工艺相对简 单、驱动电压低,能耗小,更轻更薄,柔性显示等优点以及巨大的应用前景,吸引了众 多研究者的关注。
在OLED中,起主导作用的发光客体材料至关重要。早期的OLED使用的发光客 体材料为荧光材料,由于在OLED中单重态和三重态的激子比例为1:3,因此基于荧光 材料的OLED的理论内量子效率(IQE)只能达到25%,极大的限制了荧光电致发光器 件的应用。重金属配合物磷光材料由于重原子的自旋轨道耦合作用,使得它能够同时利 用单重态和三重态激子而实现100%的IQE。然而,通常使用的重金属都是Ir、Pt等贵 重金属,并且重金属配合物磷光发光材料在蓝光材料方面尚有待突破。纯有机热活化延 迟荧光(TADF)材料,通过巧妙的分子设计,使得分子具有较小的最低单三重能级差 (ΔEST),这样三重态激子可以通过反向系间窜越(RISC)回到单重态,再通过辐射跃迁 至基态而发光,从而能够同时利用单、三重态激子,也可以实现100%的IQE。
对于TADF材料,快速的反向系间窜越常数(kRISC)以及高的光致发光量子产率(PLQY)是制备高效率OLED的必要条件。目前,具备上述条件的TADF材料相对于 重金属Ir配合物而言还是比较匮乏。
本发明针对上述问题,在三氰基苯的结构基础上,连接2个二氢吩嗪作为给电子基团,然后再连接不同的给电子单元来调节整体的电荷转移强弱,合成了一系列具有较低 单三线态能级差,高发光效率,快速的反向系间窜越常数的蓝光热活化延迟荧光材料, 同时实现了给电子单元的给电子能力微调使得光谱微调。通过质谱分析对它们的结构进 行确认,然后对它们的光物理性能进行了详细的研究,最后将这些蓝光TADF材料应用 到发光层制备了一系列高性能的OLED。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了改进的热活化延迟荧光材料,本发明通过在三 氰基苯的结构基础上,连接2个二氢吩嗪作为给电子基团,然后再连接不同的给电子单元来调节整体的电荷转移强弱,合成了一系列具有较低单三线态能级差,高发光效率, 快速的反向系间窜越常数的蓝光热活化延迟荧光材料。
本发明提供了一种热活化延迟荧光材料,所述荧光材料的结构通式为:
所述荧光材料的结构可选自以下三种化合物中任选一种:
所述原料包括电子给体和电子受体,电子给体(D)的原料为三氰基苯结构,其结构式为:(2-溴-4,6-双(10-(3,5-二甲基苯基)吩嗪-5(10H) -基)苯-1,3,5-三氰基苯),所述电子受体(A)为 中任选一种。
本发明一种电致发光器件,其采用热激活延迟荧光材料作为发光层,其中:包括依次层叠设置:基板层、空穴注入层、传输层、发光层、电子传输层和阴极层;
所述基板层,包括玻璃和导电玻璃(ITO)衬底层,其中ITO作为透明阳极;
所述空穴注入层,由MoO3材料制成,用于将空穴注入到空穴传输层;
所述空穴传输层,由4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)制成,用于将从MoO3注入 的空穴传输到发光层;
所述电子传输层,由1,3,5-三(3-(3-吡啶基)苯基)苯Tm3PyPB制成,用于将所述电子传输给所述发光层;
所述阴极层,由氟化锂/铝制成,作为阴极,用于提供电子;
所述发光层包括所述的热激活延迟荧光材料,所述发光层用于将所述空穴和电子复 合产生激子,使所述热激活延迟荧光材料在激子的作用下发光。
本发明还提供了一种制备热活化延迟荧光材料的方法,其包括以下步骤:
步骤1)按比例加入原料:电子给体、电子受体和溶剂相互混合;
步骤2)加入醋酸钯(Pd(OAc)2)和三叔丁基膦四氟硼酸盐,并在氩气氛围下加入除水除氧的甲苯,加热反应20-24小时,冷却至室温;
步骤3)将反应液倒入冰水中,二氯甲烷萃取三次,合并有机相,旋成硅胶;
步骤4)柱层析分离纯化,得淡蓝色粉末,获得荧光材料成品。
所述原料包括电子给体和电子受体,电子给体(D)的原料为三氰基苯结构,其结构式 为:(2-溴-4,6-双(10-(3,5-二甲基苯基)吩嗪-5(10H) -基)苯-1,3,5-三氰基苯),所述电子受体(A)为 中任选一种。
所述电子给体的投入配比为:4g,摩尔量为5mmol。所述电子受体的投入配比:1.0-2.6g,摩尔量为6mmol,所述醋酸钯的投入配比为:45mg, 摩尔量为0.2mmol,所述三叔丁基膦四氟硼酸盐的投入配比为0.17g,摩尔量为0.6mmol。
与现有技术相比,本发明提供了一种改进的热活化延迟荧光材料,通过不同功能团 的搭配,在三氰基苯的结构,对给体单元的结构进行调控,改变其给电子能力,有效的增加材料的发光效率,与此同时,研究电荷转移态的强弱对材料性能带来的影响,基于 目标蓝光TADF材料的电致发光器件都取得了非常高的效率。提供改进的热活化延迟荧 光材料的目的是实现超快反向系间窜越速率、高发光效率的TADF材料的合成以及其在 发光器件中的应用。通过质谱分析对它们的结构进行确认,然后对它们的光物理性能进 行了详细的研究,最后,将这些蓝光TADF材料应用到发光层制备了一系列高性能的 OLED。
附图说明
图1为本发明电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
在OLED显示屏领域,一般TADF材料具有电子给体(D)和电子受体(A)相结 合的分子结构,本发明通过在三氰基苯的结构基础上,连接2个二氢吩嗪作为给电子基 团,然后,再连接不同的给电子单元来调节整体的电荷转移强弱,合成了一系列具有较 低单三线态能级差,高发光效率,快速的反向系间窜越常数的蓝光热活化延迟荧光材料, 同时,实现了给电子单元的给电子能力微调,使得光谱微调,有效地增加材料的发光效 率。
为了实现上述发明目的,本发明提供了一种热活化延迟荧光材料,所述荧光材料的 结构通式为:
通过电子给体(D)和电子受体(A)相互反应获得的荧光材料的结构式,所述荧光材料的结构可选自以下三种化合物中任选一种:
本发明还提供了一种制备热活化延迟荧光材料的方法,其包括以下步骤:
步骤1)按比例加入原料:电子给体、电子受体和溶剂相互混合;
步骤2)加入醋酸钯(Pd(OAc)2)和三叔丁基膦四氟硼酸盐,并在氩气氛围下加入除水除氧的甲苯,加热反应20-24小时,冷却至室温;
步骤3)将反应液倒入冰水中,二氯甲烷萃取三次,合并有机相,旋成硅胶;
步骤4)柱层析分离纯化,得淡蓝色粉末。
溶剂为醋酸钯(Pd(OAc)2)和三叔丁基膦四氟硼酸盐((t-Bu)3HPBF4)。
优选地,步骤2)中,在氩气氛围下加入除水除氧的甲苯,在120℃反应24小时, 冷却至室温;
优选地,所述电子给体的投入配比为:4g,摩尔量为5mmol。所述电子受体的投入配比:1.0-2.6g,摩尔量为6mmol,所述醋酸钯的投入配比 为:45mg,摩尔量为0.2mmol,所述三叔丁基膦四氟硼酸盐的投入配比为0.17g,摩尔量 为0.6mmol。
优选地,步骤4)中,加入二氯甲烷和正己烷进行柱层析分离纯化,二氯甲烷和正己烷的配比(体积比)为1:2,经过柱层析分离纯化,获得淡蓝色粉末,即具有TADF 特性的蓝光热活化延迟荧光材料。
以下分别举例说明三种结构式的荧光材料的合成方法和合成反应。
实施例一
合成荧光材料化合物1,合成路线为如下所示:
合成步骤:
向100mL二口瓶中加入原料1(配比4.00g,摩尔量5mmol),咔唑(配比1.00g,摩尔量6mmol),醋酸钯(Pd(OAc)2)(配比 45mg,摩尔量0.2mmol)和三叔丁基膦四氟硼酸盐((t-Bu)3HPBF4)(配比0.17g,摩尔量 0.6mmol),然后,在手套箱中加入NaOt-Bu(配比0.58g,摩尔量6mmol),在氩气氛围下 打入50mL事先除水除氧的甲苯,在120℃反应24小时。冷却至室温,将反应液倒入200mL 冰水中,二氯甲烷萃取三次,合并有机相,旋成硅胶,柱层析(二氯甲烷:正己烷,v:v, 1:3)分离纯化,得淡蓝色粉末2.6g,产率59%。经质谱分析,MS(EI)m/z:886.33。
实施例二
合成荧光材料化合物2,合成路线为如下所示:
合成步骤:
向100mL二口瓶中加入原料1(配比4.00g,摩尔量5mmol),二苯胺(1.01g,6mmol),醋酸钯(Pd(OAc)2)(配比45mg,摩 尔量0.2mmol)和三叔丁基膦四氟硼酸盐((t-Bu)3HPBF4)(配比0.17g,摩尔量0.6mmol), 然后,在手套箱中加入NaOt-Bu(配比0.58g,摩尔量6mmol),在氩气氛围下打入50mL 事先除水除氧的甲苯,在120℃反应24小时。冷却至室温,将反应液倒入200mL冰水中, 二氯甲烷萃取三次,合并有机相,旋成硅胶,柱层析(二氯甲烷:正己烷,v:v,1:3)分 离纯化,得淡蓝色粉末2.2g,产率50%。经质谱分析,MS(EI)m/z:888.30。
实施例三
合成荧光材料化合物3,合成路线为如下所示:
向100mL二口瓶中加入原料1(配比4.00g,摩尔量5mmol),9,9’-二甲基吖啶(2.51g,6mmol),醋酸钯(Pd(OAc)2)(配 比45mg,摩尔量0.2mmol)和三叔丁基膦四氟硼酸盐((t-Bu)3HPBF4)(配比0.17g,摩尔 量0.6mmol),然后,在手套箱中加入NaOt-Bu(配比0.58g,摩尔量6mmol),在氩气氛 围下打入50mL事先除水除氧的甲苯,在120℃反应24小时。冷却至室温,将反应液倒 入200mL冰水中,二氯甲烷萃取三次,合并有机相,旋成硅胶,柱层析(二氯甲烷:正己 烷,v:v,1:3)分离纯化,得淡蓝色粉末2.9g,产率63%。经质谱分析,MS(EI)m/z:928.28。
制备获得的热活化延迟荧光材料化合物的理论模拟计算:
目标分子的最低单重态(S1)和最低三重态能级(T1),电化学能级如下表1所示,
PL Peak(nm) | S1(eV) | T1(eV) | EST(eV) | HOMO(eV) | LUMO(eV) | |
化合物1 | 471 | 2.63 | 2.40 | 0.23 | -5.61 | -2.51 |
化合物2 | 452 | 2.75 | 2.62 | 0.13 | -5.63 | -2.50 |
化合物3 | 460 | 2.70 | 2.65 | 0.05 | -5.66 | -2.51 |
上述化合物的发射光谱都在蓝光范围,特别是化合物2,起发射光谱在452nm,为深蓝管,并且他们的单三线态能级差都较小,说明会有较强的TADF效应,有利于提高 器件的效率。
参照图1所示,本发明还提供了其采用热激活延迟荧光材料作为发光层,其中:包括依次层叠设置:基板层1、空穴注入层2、传输层3、发光层4、电子传输层5和阴极 层6;
所述基板层1,包括玻璃和导电玻璃(ITO)衬底层,其中ITO作为透明阳极;
所述空穴注入层2,由MoO3材料制成,用于将空穴注入到空穴传输层;
所述空穴传输层3,由4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)制成,用于将从MoO3注 入的空穴传输到发光层;
所述电子传输层4,由1,3,5-三(3-(3-吡啶基)苯基)苯Tm3PyPB制成,用于将所述电子传输给所述发光层;
所述阴极层5,由氟化锂/铝制成,作为阴极,用于提供电子;
所述发光层6包括所述的热激活延迟荧光材料,所述发光层用于将所述空穴和电子 复合产生激子,使所述热激活延迟荧光材料在激子的作用下发光。
电致发光器件可按本领域已知方法制作,具体方法为:在经过清洗的导电玻璃(ITO) 衬底上,高真空条件下依次蒸镀MoO3,TCTA,DPEPO+热活化延迟荧光材料,Tm3PyPB,1nm的LiF和100nm的Al。用该方法制得如图1所示的器件,各种具体的器件结构如 下:
器件1(A1):ITO/MoO3(2nm)/TCTA(35nm)/DPEPO:化合物1(8%20nm)/Tm3PyPB(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)
器件2(A2):ITO/MoO3(2nm)/TCTA(35nm)/DPEPO:化合物2(8%20nm)/Tm3PyPB(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)
器件3(A3):ITO/MoO3(2nm)/TCTA(35nm)/DPEPO:化合物3(8%20nm)/Tm3PyPB(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)
器件的电流-亮度-电压特性是由带有校正过的硅光电二极管的Keithley源测量系 统(Keithley 2400 Sourcemeter、Keithley 2000 Currentmeter)完成的,电致发光 光谱是由法国JY公司SPEX CCD3000光谱仪测量的,所有测量均在室温大气中完成。
器件的性能数据见下表:
器件 | 最高电流效率(cd/A) | EL peak(nm) | 最大外量子效率(%) |
器件1 | 41.7 | 483 | 21.3 |
器件2 | 30.1 | 460 | 15.6 |
器件3 | 35.6 | 472 | 18.3 |
从表中可以看出,器件2的发射封在460nm,但是其效率相对较低,而器件1和3 的光色稍微偏天蓝,其对应的效率高。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员 来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变型,这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
4.一种电致发光器件,其采用热激活延迟荧光材料作为发光层,其特征在于:包括依次层叠设置:基板层、空穴注入层、传输层、发光层、电子传输层和阴极层;
所述基板层,包括玻璃和导电玻璃(ITO)衬底层,其中ITO作为透明阳极;
所述空穴注入层,由MoO3材料制成,用于将空穴注入到空穴传输层;
所述空穴传输层,由4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)制成,用于将从MoO3注入的空穴传输到发光层;
所述电子传输层,由1,3,5-三(3-(3-吡啶基)苯基)苯Tm3PyPB制成,用于将所述电子传输给所述发光层;
所述阴极层,由氟化锂/铝制成,作为阴极,用于提供电子;
所述发光层包括如权利要求1所述的热激活延迟荧光材料,所述发光层用于将所述空穴和电子复合产生激子,使所述热激活延迟荧光材料在激子的作用下发光。
7.根据权利要求5所述制备热活化延迟荧光材料的方法,其特征在于:步骤2)中,在氩气氛围下加入除水除氧的甲苯,在120℃反应24小时,冷却至室温。
9.根据权利要求5所述制备热活化延迟荧光材料的方法,其特征在于:所述电子受体的投入配比:摩尔量为6mmol,所述醋酸钯的投入配比为:摩尔量为0.2mmol,所述三叔丁基膦四氟硼酸盐的投入配比为:摩尔量为0.6mmol。
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GR01 | Patent grant | ||
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