CN110885317A - 以二氢吩嗪为核的空穴传输材料及有机发光二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种以二氢吩嗪为核的空穴传输材料，其具有如通式(I)所示的结构，并具有合适最高占据分子轨域的能级和最低未占分子轨域的能级的迁移率。再者，本发明公开一种有机发光二极管，其包括一阳极；一阴极；以及位于所述阳极与所述阴极之间的一发光結構，其中所述发光結構具有如通式(I)所示的以乙烯双吖啶为核的空穴传输材料。
Figure DDA0002284394090000011

Description

以二氢吩嗪为核的空穴传输材料及有机发光二极管
技术领域
本发明是有关于一种有机发光材料技术领域，特别是有关于一种以二氢吩嗪为核的空穴传输材料以及使用所述以二氢吩嗪为核的空穴传输材料所制备的有机发光二极管。
背景技术
有机发光二极管(organic light-emitting diodes,OLEDs)在固态照明及平板显示等领域具有广阔的应用前景，而发光客体材料是影响有机发光二极管的发光效率的主要因素。在早期，有机发光二极管使用的发光客体材料为荧光材料，其在有机发光二极管中的单重态和三重态的激子比例为1:3，因此在理论上有机发光二极管的内量子效率(internalquantum efficiency,IQE)只能达到25％，使荧光电致发光器件的应用受到限制。再者，重金属配合物磷光发光材料由于重原子的自旋轨道耦合作用，而能够同时利用单重态和三重态激子，进而达到100％的内量子效率。然而，通常重金属配合物磷光发光材料所使用的重金属都是铱(Ir)或铂(Pt)等贵重金属，并且重金属配合物磷光发光材料在蓝光材料方面尚有待改良。
对于目前使用的顶发射有机发光二极管中，空穴传输材料作为最厚的一层，其能级以及空穴迁移率一直存在矛盾的关系。然而，目前具备匹配能级以及高空穴迁移率的空穴传输材料还是比较缺乏的。因此，有必要提供一种新颖空穴传输材料，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种以二氢吩嗪为核的空穴传输材料，其具有结构式如下:
Figure BDA0002284394070000021
其中R为
Figure BDA0002284394070000022
在本发明的一实施例中，所述的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料的结构式为：
Figure BDA0002284394070000031
在本发明的一实施例中，所述的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料的结构式为：
Figure BDA0002284394070000032
是通过下述合成路线合成出：
Figure BDA0002284394070000041
在本发明的另一实施例中，所述的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料的结构式为：
Figure BDA0002284394070000042
，
是通过下述合成路线合成出：
Figure BDA0002284394070000043
在本发明的又一实施例中，所述的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料的结构式为：
Figure BDA0002284394070000044
是通过下述合成路线合成出：
Figure BDA0002284394070000051
本发明另一实施例提供一种有机发光二极管，所述有机发光二极管中的空穴传输层的材料为前述任一项所述的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料。
所述有机发光二极管中还包括一阳极；一阴极；以及位于所述阳极与所述阴极之间的一发光結構，其中所述发光結構包括前述的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料。所述发光結構包括依序形成的一空穴注入层、所述空穴传输层、一电子阻挡层、一发光层、一空穴阻挡层、一电子传输层及一电子注入层。
相较于先前技术，本发明通过在二氢吩嗪作为核的结构基础上，搭配不同官能团合成了具有合适最高占据分子轨域(highest occupied molecular orbital，HOMO)的能级和最低未占分子轨域(lowest unoccupied molecular orbital，LUMO)的能级的迁移率的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料，其具有有效增加发光結構的发光效率的作用，合成路线亦具有提高的材料合成效率，进而有利于实现长寿命、高效率的有机发光二极管的制备。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是本发明实施例的有机发光二极管的示意图。
具体实施方式
因应高性能空穴传输材料的迫切需求，本发明通过在二氢吩嗪作为核的结构基础上，搭配不同官能团合成了具有合适最高占据分子轨域(highest occupied molecularorbital，HOMO)的能级和最低未占分子轨域(lowest unoccupied molecular orbital，LUMO)的能级的迁移率空穴传输材料，其具有有效增加发光結構的发光效率的作用，合成路线亦具有提高的材料合成效率，进而有利于实现长寿命、高效率的有机发光二极管的制备
为了达到上述效果，本发明提供的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料，具有结构式如下:
Figure BDA0002284394070000061
其中R为
Figure BDA0002284394070000062
Figure BDA0002284394070000071
在本发明的一实施例中，所述以二氢吩嗪为核的空穴传输材料的结构式为：
Figure BDA0002284394070000072
以下结合实施例和附图来对本发明作进一步的详细说明，其目的在于帮助更好的理解本发明的内容，但本发明的保护围不仅限于这些实施例。
实施例1：制备结构式如下的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料
Figure BDA0002284394070000081
合成路线如下所示：
Figure BDA0002284394070000082
化合物1的合成
首先，向250mL二口瓶中加入原料1(3.90g，5mmol)，咔唑(1.00g，6mmol)，醋酸钯(0.09g，0.4mmol)和三叔丁基膦四氟硼酸盐(0.34g，1.2mmol)。然后，将二口瓶放到手套箱中，加入NaOt-Bu(0.58g，6mmol)。接着，在氩气氛围下打入100mL事先除水除氧的甲苯(toluene)，在120℃反应24小时，冷却至室温后获得反应液。随后，导入反应液至200mL冰水中，用二氯甲烷萃取三次，合并每次萃取取得的有机相，合并有机相，旋成硅胶，并用柱层析法(二氯甲烷:正己烷，v:v，1:3)进行分离纯化，最终获得目标化合物1(白色粉末)2.1g，产率49％。MS(EI)m/z:[M]+:867.40。
实施例2：制备结构式如下的空穴传输材料
Figure BDA0002284394070000091
合成路线如下所示：
Figure BDA0002284394070000092
化合物2的合成
首先，向250mL二口瓶中加入原料1(3.90g，5mmol)，二苯胺(1.01g，6mmol)，醋酸钯(0.09g，0.4mmol)和三叔丁基膦四氟硼酸盐(0.34g，1.2mmol)。然后，将二口瓶放到手套箱中，加入NaOt-Bu(0.58g，6mmol)。接着，在氩气氛围下打入100mL事先除水除氧的甲苯，在120℃反应24小时，冷却至室温后获得反应液。随后，导入反应液至200mL冰水中，用二氯甲烷萃取三次，合并每次萃取取得的有机相，合并有机相，旋成硅胶，并用柱层析法(二氯甲烷:正己烷，v:v，1:3)进行分离纯化，最终获得目标化合物2(白色粉末)1.9g，产率44％。MS(EI)m/z:[M]+:869.41。
实施例3：制备结构式如下的空穴传输材料
Figure BDA0002284394070000101
合成路线如下所示：
Figure BDA0002284394070000102
化合物3的合成
首先，向250mL二口瓶中加入原料1(3.90g，5mmol)，N,N-二甲基吖啶(1.25g，6mmol)，醋酸钯(0.09g，0.4mmol)和三叔丁基膦四氟硼酸盐(0.34g，1.2mmol)。然后，将二口瓶放到手套箱中，加入NaOt-Bu(0.58g，6mmol)。接着，在氩气氛围下打入100mL事先除水除氧的甲苯，在120℃反应24小时，冷却至室温后获得反应液。随后，导入反应液至200mL冰水中，用二氯甲烷萃取三次，合并每次萃取取得的有机相，合并有机相，旋成硅胶，并用柱层析法(二氯甲烷:正己烷，v:v，1:3)进行分离纯化，最终获得目标化合物3(白色粉末)2.1g，产率46％。MS(EI)m/z:[M]+:909.39。
化合物1-3的物理特性：
化合物1-3的最高占据分子轨域(HOMO)的能级和最低未占分子轨域(LUMO)的能级，如下表1所示：
Figure BDA0002284394070000111
表1
化合物1-3的HOMO和LUMO能级采用循环伏安法结合分子在薄膜状态下的光学能隙(Eg)根据以下计算公式估算得到：
HOMO＝-([Eonset]ox+4.8)eV，
Eg＝LUMO-HOMO，
其中[Eonset]ox是指参照于在测试下二茂铁的氧化还原起始电位值。
实施例4-6：有机发光二极管的制备：
参考图1，本发明有机发光二极管包括一导电玻璃阳极层S、一半透明阴极层8及一光耦合输出层9，及形成在导电玻璃阳极层S及半透明阴极层8之间的一发光結構。具体而言，发光結構包括依序形成在导电玻璃阳极层S上的一空穴注入层1、一空穴传输层2、一电子阻挡层3、一发光层4、一空穴阻挡层5、一电子传输层6及一电子注入层7。具体而言，导电玻璃阳极层S是藉由将玻璃基板镀上可导电的氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)/銀(Ag)/氧化铟锡(ITO)的全反射衬底层来形成的。空穴注入层1是由2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HATCN)所组成。空穴传输层2是由本发明空穴传输材料所组成，例如为目标化合物1-3。电子阻挡层3是由(4-[1-[4-[二(4-甲基苯基)氨基]苯基]环己基]-N-(3-甲基苯基)-N-(4-甲基苯基)苯胺(TAPC)所组成。发光层4是由二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚(DPEPO)和双[4-(9,9-二甲基-9,10-二氢吖啶)苯基]硫砜(DMAC-DPS)所组成。空穴阻挡层5是由3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶(TMPyPb)所组成。电子传输层6是由1,3,5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(TmPyPB)和八羟基喹啉锂(LiQ)所组成。电子注入层7是由由氟化锂(LiF)所组成。半透明阴极层8由镁和银所组成。光耦合输出层9是由4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)所组成。空穴注入层1、空穴传输层2、电子阻挡层3、发光层4、空穴阻挡层5、电子传输层6、及电子注入层7组成了本发明有机发光二极管的发光结构。有机发光二极管可按本发明技术领域已知的方法完成，例如参考文献「Adv.Mater.2003,15,277」所公开的方法。具体方法为：在高真空条件下，在导电玻璃上，依次蒸镀形成含本发明空穴传输材料(化合物1-3)的前述材料而完成。在此，使用本发明化合物1-3来制备实施例4-6的有机发光二极管I-III。有机发光二极管I-III的结构从导电玻璃阳极层S至光耦合输出层9的结构依次如下所示：
有机发光二极管I：ITO/Ag/ITO(15nm/140nm/15nm)/HATCN(100nm)/化合物1(130nm)/TAPC(5nm)/DPEPO：DMAC-DPS(38nm:4nm)/TMPyPb(15nm)/TmPyPB:LiQ(15nm：15nm)/LiF(1nm)/Mg：Ag(1nm:10nm)/TCTA(100nm)。
有机发光二极管II：ITO/Ag/ITO(15nm/140nm/15nm)/HATCN(100nm)/化合物2(130nm)/TAPC(5nm)/DPEPO：DMAC-DPS(38nm:4nm)/TMPyPb(15nm)/TmPyPB:LiQ(15nm：15nm)/LiF(1nm)/Mg：Ag(1nm:10nm)/TCTA(100nm)。
有机发光二极管III：ITO/Ag/ITO(15nm/140nm/15nm)/HATCN(100nm)/化合物3(130nm)/TAPC(5nm)/DPEPO：DMAC-DPS(38nm:4nm)/TMPyPb(15nm)/TmPyPB:LiQ(15nm：15nm)/LiF(1nm)/Mg：Ag(1nm:10nm)/TCTA(100nm)。
实施例4-6的有机发光二极管I-III的性能数据如下表2所示。有机发光二极管的电流、亮度及电压是由带有校正过的硅光电二极管的Keithley源测量系统(Keithley2400Sourcemeter、Keithley 2000Currentmeter)所测量的，有机发光二极管的电致发光光谱是由法国JY公司SPEX CCD3000光谱仪所测量的，所有测量均在室温大气中完成。
Figure BDA0002284394070000131
表2
本发明提供的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料，通过在二氢吩嗪作为核的结构基础上搭配不同官能团合成了具有合适最高占据分子轨域(HOMO)的能级和最低未占分子轨域(LUMO)的能级的迁移率空穴传输材料，其具有有效增加发光結構的发光效率的作用。再者，本发明实施例所提供的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料其合成路线亦具有提高的材料合成效率。最后，使用本发明实施例的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料作为发光結構的有机发光二极管具有高发光效率，进而有利于实现具有长寿命，高效率有机发光二极管的制备，可应用于各种显示设备和电子装置中。
虽然本发明结合其具体实施例而被描述，应该理解的是，许多替代、修改及变化对于那些本领域的技术人员将是显而易见的。因此，其意在包含落入所附权利要求书的范围内的所有替代、修改及变化。

Claims (8)

1.一种以二氢吩嗪为核的空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料的结构式如下:
Figure FDA0002284394060000011
其中R为
Figure FDA0002284394060000012
2.根据权利要求1所述的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料的结构式为：
Figure FDA0002284394060000021
3.根据权利要求2所述的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料的结构式为:
Figure FDA0002284394060000022
，
是通过下述合成路线合成出：
Figure FDA0002284394060000031
4.根据权利要求2所述的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料的结构式为：
Figure FDA0002284394060000032
，
是通过下述合成路线合成出：
Figure FDA0002284394060000033
5.根据权利要求2所述的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料的结构式为：
Figure FDA0002284394060000041
，
是通过下述合成路线合成出：
Figure FDA0002284394060000042
6.一种有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管中的空穴传输层的材料为权利要求1～5任一项所述的以二氢吩嗪为核的空穴传输材料。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管还包括一阳极、一阴极、以及位于所述阳极与所述阴极之间的一发光結構，其中所述发光結構包括如权利要求6所述的空穴传输层。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光結構包括依序形成的一空穴注入层、所述空穴传输层、一电子阻挡层、一发光层、一空穴阻挡层、一电子传输层及一电子注入层。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113087675A (zh) * 2021-03-29 2021-07-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机化合物及其制作方法、显示面板

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100000772A (ko) * 2008-06-25 2010-01-06 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자
JP6387726B2 (ja) * 2014-07-31 2018-09-12 東ソー株式会社 Ｎ−トリアジルフェナジン化合物、その製造方法、およびその用途
CN106892857B (zh) * 2015-12-18 2020-02-18 昆山国显光电有限公司 热活化延迟荧光材料及其在有机电致发光器件中的应用
CN109369652B (zh) * 2018-11-15 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种蓝光热活化延迟荧光材料及其应用
CN110183426B (zh) * 2019-05-29 2020-11-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种热活化延迟荧光材料、制备方法及电致发光器件
CN111170928B (zh) * 2020-01-03 2022-01-11 厦门天马微电子有限公司 化合物、显示面板以及显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113087675A (zh) * 2021-03-29 2021-07-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机化合物及其制作方法、显示面板
WO2022205587A1 (zh) * 2021-03-29 2022-10-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机化合物及其制作方法、显示面板

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