JP6859480B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
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-
- G—PHYSICS
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-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- G09G2320/0252—Improving the response speed
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2340/00—Aspects of display data processing
- G09G2340/16—Determination of a pixel data signal depending on the signal applied in the previous frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
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Description
本発明は、半導体装置及び液晶表示装置並びに電子機器に関する。特に、基板に平行な
電界を生じさせて、液晶分子の分子配列を制御する半導体装置及び液晶表示装置並びに電
子機器に関する。
電界を生じさせて、液晶分子の分子配列を制御する半導体装置及び液晶表示装置並びに電
子機器に関する。
液晶表示装置には、基板に対して垂直な方向の電界を液晶に印加する縦電界方式と、基板
に対して横方向の電界を液晶に印加する横電界方式がある。横電界方式の液晶表示装置は
、縦電界方式の液晶表示装置に比べて視野角特性に優れている。
に対して横方向の電界を液晶に印加する横電界方式がある。横電界方式の液晶表示装置は
、縦電界方式の液晶表示装置に比べて視野角特性に優れている。
このように、基板に平行な電界（横方向の電界）を生じさせて、基板と平行な面内で液晶
分子を動かして、階調を制御する方式として、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈ
ｉｎｇ）モードとＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ−Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードとが
ある。
分子を動かして、階調を制御する方式として、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈ
ｉｎｇ）モードとＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ−Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードとが
ある。
ＩＰＳ方式の液晶表示装置では、一対の基板の片側の基板に、櫛状の電極（櫛歯型電極や
櫛型電極ともいう）を二つ配置する。そして、これらの電極（櫛状の電極の一方が画素電
極で他方が共通電極）間の電位差により発生する横方向の電界により、基板と平行な面内
で液晶分子を動かしている。
櫛型電極ともいう）を二つ配置する。そして、これらの電極（櫛状の電極の一方が画素電
極で他方が共通電極）間の電位差により発生する横方向の電界により、基板と平行な面内
で液晶分子を動かしている。
ＦＦＳ方式の液晶表示装置では、一対の基板の片側の基板上に第２の電極、第２の電極上
に第１の電極を配置する。第１の電極にはスリット（開口パターン）を有し、第２の電極
はプレート状（第１の電極の多くのスリットを覆うような面状）の電極である。そして、
これらの電極（第１の電極及び第２の電極のうち一方が画素電極、他方が共通電極）間の
電位差により発生する横方向の電界により、基板と平行な面内で液晶分子を動かしている
。
に第１の電極を配置する。第１の電極にはスリット（開口パターン）を有し、第２の電極
はプレート状（第１の電極の多くのスリットを覆うような面状）の電極である。そして、
これらの電極（第１の電極及び第２の電極のうち一方が画素電極、他方が共通電極）間の
電位差により発生する横方向の電界により、基板と平行な面内で液晶分子を動かしている
。
つまり、ＩＰＳ方式やＦＦＳ方式の液晶表示装置は、基板と平行に配向している液晶分子
（いわゆるホモジニアス配向）を、基板と平行な方向で制御できるため、視野角が広くな
る。
（いわゆるホモジニアス配向）を、基板と平行な方向で制御できるため、視野角が広くな
る。
従来は、画素電極又は共通電極を透光性を有する導電膜とするため、画素電極又は共通
電極をＩＴＯ（インジウム錫酸化物）で形成していた（例えば特許文献１参照）
電極をＩＴＯ（インジウム錫酸化物）で形成していた（例えば特許文献１参照）
上記したように、画素電極又は共通電極を透光性を有する導電膜とするため、画素電極
又は共通電極をＩＴＯで形成していた。このため、製造工程数やマスク数が多くなり、製
造コストが高くなっていた。
又は共通電極をＩＴＯで形成していた。このため、製造工程数やマスク数が多くなり、製
造コストが高くなっていた。
そこで、本発明は、広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造工程数やマスク数
が少なく、製造コストが低い半導体装置及び液晶表示装置並びに電子機器を提供すること
を課題とする。
が少なく、製造コストが低い半導体装置及び液晶表示装置並びに電子機器を提供すること
を課題とする。
本発明の液晶表示装置は、基板と、基板上に形成されたトランジスタ及び液晶素子、と、
を有する。そして、トランジスタの半導体層と、液晶素子の画素電極又は共通電極と、は
同一工程により形成された膜である。
を有する。そして、トランジスタの半導体層と、液晶素子の画素電極又は共通電極と、は
同一工程により形成された膜である。
なお、液晶素子は画素電極と、画素部の複数の画素に渡って接続された共通電極と、の電
位差により生ずる横方向の電界により、光量を制御する液晶分子の分子配列を基板に対し
て概ね水平方向に回転させることができればよい。
位差により生ずる横方向の電界により、光量を制御する液晶分子の分子配列を基板に対し
て概ね水平方向に回転させることができればよい。
本発明の液晶表示装置の一構成は、第１の電極及び第２の電極を備える液晶素子と、トラ
ンジスタと、を基板上に有し、該第１の電極には該トランジスタの半導体層と同層の膜が
含まれる。
ンジスタと、を基板上に有し、該第１の電極には該トランジスタの半導体層と同層の膜が
含まれる。
本発明の液晶表示装置の他の構成は、第１の電極と、第２の電極と、トランジスタと、を
基板上に有し、前記第１の電極には前記トランジスタの半導体層と同層の膜が含まれ、前
記第１の電極と前記第２の電極との電位差に依存して液晶層の液晶分子の分子配列が変化
する。
基板上に有し、前記第１の電極には前記トランジスタの半導体層と同層の膜が含まれ、前
記第１の電極と前記第２の電極との電位差に依存して液晶層の液晶分子の分子配列が変化
する。
本発明の液晶表示装置の他の構成は、上記構成において、前記第１の電極は櫛歯型電極で
あり、前記第２の電極はプレート状の電極である。
あり、前記第２の電極はプレート状の電極である。
本発明の液晶表示装置の他の構成は、第１の電極、第２の電極及び第３の電極を備える液
晶素子と、トランジスタと、を基板上に有し、前記第１の電極又は前記第２の電極には前
記トランジスタの半導体層と同層の膜が含まれ、前記第２の電極と前記第３の電極とが電
気的に接続されている。
晶素子と、トランジスタと、を基板上に有し、前記第１の電極又は前記第２の電極には前
記トランジスタの半導体層と同層の膜が含まれ、前記第２の電極と前記第３の電極とが電
気的に接続されている。
本発明の液晶表示装置の他の構成は、第１の電極及び第２の電極を備える液晶素子と、ト
ランジスタと、を基板上に有し、前記第１の電極及び前記第２の電極には前記トランジス
タの半導体層と同層の膜が含まれる。
ランジスタと、を基板上に有し、前記第１の電極及び前記第２の電極には前記トランジス
タの半導体層と同層の膜が含まれる。
本発明の液晶表示装置の他の構成は、第１の電極と、第２の電極と、トランジスタと、を
基板上に有し、前記第１の電極及び前記第２の電極には前記トランジスタの半導体層と同
層の膜が含まれ、前記第１の電極と前記第２の電極との電位差に依存して液晶層の液晶分
子の分子配列が変化する。
基板上に有し、前記第１の電極及び前記第２の電極には前記トランジスタの半導体層と同
層の膜が含まれ、前記第１の電極と前記第２の電極との電位差に依存して液晶層の液晶分
子の分子配列が変化する。
本発明の液晶表示装置の他の構成は、第１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、トラ
ンジスタと、を基板上に有し、前記第１の電極には前記トランジスタの半導体層と同層の
膜が含まれ、前記第１の電極と前記第２の電極との電位差により生じる電界と、前記第１
の電極と前記第３の電極との電位差により生じる電界と、によって液晶層の液晶分子の分
子配列が変化する。
ンジスタと、を基板上に有し、前記第１の電極には前記トランジスタの半導体層と同層の
膜が含まれ、前記第１の電極と前記第２の電極との電位差により生じる電界と、前記第１
の電極と前記第３の電極との電位差により生じる電界と、によって液晶層の液晶分子の分
子配列が変化する。
本発明の液晶表示装置の他の構成は、上記構成において、前記第１の電極及び前記第２の
電極は、櫛歯型電極である。
電極は、櫛歯型電極である。
本発明の液晶表示装置の他の構成は、上記構成において、前記第１の電極及び前記第２の
電極は櫛歯型電極であり、前記第３の電極はプレート状の電極である。
電極は櫛歯型電極であり、前記第３の電極はプレート状の電極である。
本発明の電子機器は上記構成の液晶表示装置を表示部に有する。
なお、本発明に示すスイッチは、様々な形態のものを用いることができ、一例として、電
気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるものであ
ればよく、特定のものに限定されず、様々なものを用いることができる。例えば、トラン
ジスタでもよいし、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショット
キーダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）でもよいし、サイリスタでもよい
し、それらを組み合わせた論理回路でもよい。よって、スイッチとしてトランジスタを用
いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとしての機能を果たすため、トランジス
タの極性（導電型）は特に限定されない。ただし、オフ電流が少ない方が望ましい場合、
オフ電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少ないト
ランジスタとしては、ＬＤＤ領域を設けているものやマルチゲート構造にしているもの等
がある。また、スイッチとしての機能を果たすトランジスタのソース端子の電位が、低電
位側電源（Ｖｓｓ、ＧＮＤ、０Ｖなど）に近い状態で動作する場合はＮチャネル型を、反
対に、ソース端子の電位が、高電位側電源（Ｖｄｄなど）に近い状態で動作する場合はＰ
チャネル型を用いることが望ましい。なぜなら、ゲートソース間電圧の絶対値を大きくで
きるため、トランジスタがスイッチとしての機能を果たし易くなるからである。
気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるものであ
ればよく、特定のものに限定されず、様々なものを用いることができる。例えば、トラン
ジスタでもよいし、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショット
キーダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）でもよいし、サイリスタでもよい
し、それらを組み合わせた論理回路でもよい。よって、スイッチとしてトランジスタを用
いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとしての機能を果たすため、トランジス
タの極性（導電型）は特に限定されない。ただし、オフ電流が少ない方が望ましい場合、
オフ電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少ないト
ランジスタとしては、ＬＤＤ領域を設けているものやマルチゲート構造にしているもの等
がある。また、スイッチとしての機能を果たすトランジスタのソース端子の電位が、低電
位側電源（Ｖｓｓ、ＧＮＤ、０Ｖなど）に近い状態で動作する場合はＮチャネル型を、反
対に、ソース端子の電位が、高電位側電源（Ｖｄｄなど）に近い状態で動作する場合はＰ
チャネル型を用いることが望ましい。なぜなら、ゲートソース間電圧の絶対値を大きくで
きるため、トランジスタがスイッチとしての機能を果たし易くなるからである。
なお、Ｎチャネル型とＰチャネル型の両方を用いて、ＣＭＯＳ型のスイッチにしてもよ
い。ＣＭＯＳ型のスイッチにすると、Ｐチャネル型及びＮチャネル型のいずれか一方のス
イッチが導通すれば電流を流すことができるため、スイッチとして機能しやすくなる。例
えば、スイッチへの入力信号の電圧が高い場合でも、低い場合でも、適切に電圧を出力さ
せることが出来る。また、スイッチをオン・オフさせるための信号の電圧振幅値を小さく
することが出来るので、消費電力を小さくすることも出来る。
なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合は、入力端子（ソース端子またはドレ
イン端子の一方）と、出力端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）と、導通を制御
する端子（ゲート端子）とを有している。一方、スイッチとしてダイオードを用いる場合
は、導通を制御する端子を有していない場合がある。そのため、端子を制御するための配
線を少なくすることが出来る。
い。ＣＭＯＳ型のスイッチにすると、Ｐチャネル型及びＮチャネル型のいずれか一方のス
イッチが導通すれば電流を流すことができるため、スイッチとして機能しやすくなる。例
えば、スイッチへの入力信号の電圧が高い場合でも、低い場合でも、適切に電圧を出力さ
せることが出来る。また、スイッチをオン・オフさせるための信号の電圧振幅値を小さく
することが出来るので、消費電力を小さくすることも出来る。
なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合は、入力端子（ソース端子またはドレ
イン端子の一方）と、出力端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）と、導通を制御
する端子（ゲート端子）とを有している。一方、スイッチとしてダイオードを用いる場合
は、導通を制御する端子を有していない場合がある。そのため、端子を制御するための配
線を少なくすることが出来る。
なお、本発明において、接続されているとは、電気的に接続されている場合と機能的に接
続されている場合と直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、本発明が
開示する構成において、所定の接続関係以外のものも含むものとする。例えば、ある部分
とある部分との間に、電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチやトランジスタ
や容量素子やインダクタや抵抗素子やダイオードなど）が１個以上配置されていてもよい
。また、機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータやＮＡＮＤ回路
やＮＯＲ回路など）や信号変換回路（ＤＡ変換回路やＡＤ変換回路やガンマ補正回路など
）や電位レベル変換回路（昇圧回路や降圧回路などの電源回路やＨ信号やＬ信号の電位レ
ベルを変えるレベルシフタ回路など）や電圧源や電流源や切り替え回路や増幅回路（オペ
アンプや差動増幅回路やソースフォロワ回路やバッファ回路など、信号振幅や電流量など
を大きく出来る回路など）や信号生成回路や記憶回路や制御回路など）が間に１個以上配
置されていてもよい。あるいは、間に他の素子や他の回路を挟まずに、直接接続されて、
配置されていてもよい。なお、素子や回路を間に介さずに接続されている場合のみを含む
場合は、直接接続されている、と記載するものとする。また、電気的に接続されている、
と記載する場合は、電気的に接続されている場合（つまり、間に別の素子を挟んで接続さ
れている場合）と機能的に接続されている場合（つまり、間に別の回路を挟んで接続され
ている場合）と直接接続されている場合（つまり、間に別の素子や別の回路を挟まずに接
続されている場合）とを含むものとする。
続されている場合と直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、本発明が
開示する構成において、所定の接続関係以外のものも含むものとする。例えば、ある部分
とある部分との間に、電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチやトランジスタ
や容量素子やインダクタや抵抗素子やダイオードなど）が１個以上配置されていてもよい
。また、機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータやＮＡＮＤ回路
やＮＯＲ回路など）や信号変換回路（ＤＡ変換回路やＡＤ変換回路やガンマ補正回路など
）や電位レベル変換回路（昇圧回路や降圧回路などの電源回路やＨ信号やＬ信号の電位レ
ベルを変えるレベルシフタ回路など）や電圧源や電流源や切り替え回路や増幅回路（オペ
アンプや差動増幅回路やソースフォロワ回路やバッファ回路など、信号振幅や電流量など
を大きく出来る回路など）や信号生成回路や記憶回路や制御回路など）が間に１個以上配
置されていてもよい。あるいは、間に他の素子や他の回路を挟まずに、直接接続されて、
配置されていてもよい。なお、素子や回路を間に介さずに接続されている場合のみを含む
場合は、直接接続されている、と記載するものとする。また、電気的に接続されている、
と記載する場合は、電気的に接続されている場合（つまり、間に別の素子を挟んで接続さ
れている場合）と機能的に接続されている場合（つまり、間に別の回路を挟んで接続され
ている場合）と直接接続されている場合（つまり、間に別の素子や別の回路を挟まずに接
続されている場合）とを含むものとする。
なお、表示素子は、液晶素子の他に様々な形態を用いることが出来る。例えば、ＥＬ素子
（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子又は有機物材料び無機材料を含むＥＬ素子）、電子放出素
子、電子インク、光回折素子、放電素子、微小鏡面素子（ＤＭＤ：Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉ
ｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）、圧電素子、カーボンナノチューブなど、電気磁気
的作用によりコントラストが変化する表示媒体を適用することができる。なお、ＥＬ素子
を用いたＥＬパネル方式の表示装置としてはＥＬディスプレイ、電子放出素子を用いた表
示装置としてはフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓ
ｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−
ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌｙ）など、電子
インクを用いたデジタルペーパー方式の表示装置としては電子ペーパー、光回折素子を用
いた表示装置としてはグレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）方式のディスプレイ、放電
素子を用いたＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）方式のディスプレイ
としてはプラズマディスプレイ、微小鏡面素子を用いたＤＭＤパネル方式の表示装置とし
てはデジタル・ライト・プロセッシング（ＤＬＰ）方式の表示装置、圧電素子を用いた表
示装置としては圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示装置と
してはナノ放射ディスプレイ（ＮＥＤ：Ｎａｎｏ Ｅｍｉｓｓｉｖｅ Ｄｉｓｐｌａｙ）
、などがある。
（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子又は有機物材料び無機材料を含むＥＬ素子）、電子放出素
子、電子インク、光回折素子、放電素子、微小鏡面素子（ＤＭＤ：Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉ
ｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）、圧電素子、カーボンナノチューブなど、電気磁気
的作用によりコントラストが変化する表示媒体を適用することができる。なお、ＥＬ素子
を用いたＥＬパネル方式の表示装置としてはＥＬディスプレイ、電子放出素子を用いた表
示装置としてはフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓ
ｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−
ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌｙ）など、電子
インクを用いたデジタルペーパー方式の表示装置としては電子ペーパー、光回折素子を用
いた表示装置としてはグレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）方式のディスプレイ、放電
素子を用いたＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）方式のディスプレイ
としてはプラズマディスプレイ、微小鏡面素子を用いたＤＭＤパネル方式の表示装置とし
てはデジタル・ライト・プロセッシング（ＤＬＰ）方式の表示装置、圧電素子を用いた表
示装置としては圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示装置と
してはナノ放射ディスプレイ（ＮＥＤ：Ｎａｎｏ Ｅｍｉｓｓｉｖｅ Ｄｉｓｐｌａｙ）
、などがある。
なお、本発明において、トランジスタは、様々な形態のトランジスタを適用させることが
出来る。よって、適用可能なトランジスタの種類に限定はない。したがって、例えば、非
晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）などを適用することが出来る。これらにより、製造温度が高くなくても製造で
き、低コストで製造でき、大型基板上に製造でき、又は透光性基板上に製造することによ
り光を透過させることが可能なトランジスタを製造することが出来る。また、半導体基板
やＳＯＩ基板を用いて形成されるトランジスタ、ＭＯＳ型トランジスタ、接合型トランジ
スタ、バイポーラトランジスタなどを適用することが出来る。これらにより、バラツキの
少ないトランジスタを製造でき、電流供給能力の高いトランジスタを製造でき、サイズの
小さいトランジスタを製造でき、又は消費電力の少ない回路を構成することが出来る。ま
た、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓなどの化合物半導体を有するトラ
ンジスタや、さらに、それらを薄膜化した薄膜トランジスタなどを適用することが出来る
。これらにより、製造温度が高くなくても製造でき、室温で製造でき、耐熱性の低い基板
、例えばプラスチック基板やフィルム基板に直接トランジスタを形成することが出来る。
また、インクジェットや印刷法を用いて作成したトランジスタなどを適用することが出来
る。これらにより、室温で製造し、真空度の低い状態で製造し、又は大型基板で製造する
ことができる。また、マスク（レチクル）を用いなくても製造することが可能となるため
、トランジスタのレイアウトを容易に変更することが出来る。また、有機半導体やカーボ
ンナノチューブを有するトランジスタ、その他のトランジスタを適用することができる。
これらにより、曲げることが可能な基板上にトランジスタを形成することが出来る。なお
、非単結晶半導体膜には水素またはハロゲンが含まれていてもよい。また、トランジスタ
が配置されている基板の種類は、様々なものを用いることができ、特定のものに限定され
ることはない。従って例えば、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラス
チック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス
・スチル・ホイルを有する基板などに配置することが出来る。また、ある基板でトランジ
スタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを移動させて、別の基板上に配置するよ
うにしてもよい。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタを形成し、
消費電力の小さいトランジスタを形成し、壊れにくい装置にし、又は耐熱性を持たせるこ
とが出来る。
出来る。よって、適用可能なトランジスタの種類に限定はない。したがって、例えば、非
晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）などを適用することが出来る。これらにより、製造温度が高くなくても製造で
き、低コストで製造でき、大型基板上に製造でき、又は透光性基板上に製造することによ
り光を透過させることが可能なトランジスタを製造することが出来る。また、半導体基板
やＳＯＩ基板を用いて形成されるトランジスタ、ＭＯＳ型トランジスタ、接合型トランジ
スタ、バイポーラトランジスタなどを適用することが出来る。これらにより、バラツキの
少ないトランジスタを製造でき、電流供給能力の高いトランジスタを製造でき、サイズの
小さいトランジスタを製造でき、又は消費電力の少ない回路を構成することが出来る。ま
た、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓなどの化合物半導体を有するトラ
ンジスタや、さらに、それらを薄膜化した薄膜トランジスタなどを適用することが出来る
。これらにより、製造温度が高くなくても製造でき、室温で製造でき、耐熱性の低い基板
、例えばプラスチック基板やフィルム基板に直接トランジスタを形成することが出来る。
また、インクジェットや印刷法を用いて作成したトランジスタなどを適用することが出来
る。これらにより、室温で製造し、真空度の低い状態で製造し、又は大型基板で製造する
ことができる。また、マスク（レチクル）を用いなくても製造することが可能となるため
、トランジスタのレイアウトを容易に変更することが出来る。また、有機半導体やカーボ
ンナノチューブを有するトランジスタ、その他のトランジスタを適用することができる。
これらにより、曲げることが可能な基板上にトランジスタを形成することが出来る。なお
、非単結晶半導体膜には水素またはハロゲンが含まれていてもよい。また、トランジスタ
が配置されている基板の種類は、様々なものを用いることができ、特定のものに限定され
ることはない。従って例えば、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラス
チック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス
・スチル・ホイルを有する基板などに配置することが出来る。また、ある基板でトランジ
スタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを移動させて、別の基板上に配置するよ
うにしてもよい。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタを形成し、
消費電力の小さいトランジスタを形成し、壊れにくい装置にし、又は耐熱性を持たせるこ
とが出来る。
なお、トランジスタの構成は、様々な形態をとることができる。特定の構成に限定されな
い。例えば、ゲート電極が２個以上になっているマルチゲート構造を用いてもよい。マル
チゲート構造にすると、チャネル領域が直列に接続されるような構成となるため、複数の
トランジスタが直列に接続されたような構成となる。マルチゲート構造にすることにより
、オフ電流を低減し、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くし、又は飽和領域で
動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり
変化せず、フラットな特性にすることなどができる。また、チャネルの上下にゲート電極
が配置されている構造でもよい。チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造にす
ることにより、チャネル領域が増えるため、電流値を大きくし、又は空乏層ができやすく
なってＳ値を小さくすることができる。チャネルの上下にゲート電極が配置されると、複
数のトランジスタが並列に接続されたような構成となる。
い。例えば、ゲート電極が２個以上になっているマルチゲート構造を用いてもよい。マル
チゲート構造にすると、チャネル領域が直列に接続されるような構成となるため、複数の
トランジスタが直列に接続されたような構成となる。マルチゲート構造にすることにより
、オフ電流を低減し、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くし、又は飽和領域で
動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり
変化せず、フラットな特性にすることなどができる。また、チャネルの上下にゲート電極
が配置されている構造でもよい。チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造にす
ることにより、チャネル領域が増えるため、電流値を大きくし、又は空乏層ができやすく
なってＳ値を小さくすることができる。チャネルの上下にゲート電極が配置されると、複
数のトランジスタが並列に接続されたような構成となる。
また、チャネルの上にゲート電極が配置されている構造でもよいし、チャネルの下にゲ
ート電極が配置されている構造でもよいし、正スタガ構造であってもよいし、逆スタガ構
造でもよいし、チャネル領域が複数の領域に分かれていてもよいし、並列に接続されてい
てもよいし、直列に接続されていてもよい。また、チャネル（もしくはその一部）にソー
ス電極やドレイン電極が重なっていてもよい。チャネル（もしくはその一部）にソース電
極やドレイン電極が重なっている構造にすることにより、チャネルの一部に電荷がたまっ
て、動作が不安定になることを防ぐことができる。また、ＬＤＤ領域があってもよい。Ｌ
ＤＤ領域を設けることにより、オフ電流を低減し、トランジスタの耐圧を向上させて信頼
性を良くし、又は飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレ
イン・ソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる。
ート電極が配置されている構造でもよいし、正スタガ構造であってもよいし、逆スタガ構
造でもよいし、チャネル領域が複数の領域に分かれていてもよいし、並列に接続されてい
てもよいし、直列に接続されていてもよい。また、チャネル（もしくはその一部）にソー
ス電極やドレイン電極が重なっていてもよい。チャネル（もしくはその一部）にソース電
極やドレイン電極が重なっている構造にすることにより、チャネルの一部に電荷がたまっ
て、動作が不安定になることを防ぐことができる。また、ＬＤＤ領域があってもよい。Ｌ
ＤＤ領域を設けることにより、オフ電流を低減し、トランジスタの耐圧を向上させて信頼
性を良くし、又は飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレ
イン・ソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる。
なお、本発明においては、一画素とは画像の最小単位を示すものとする。よって、Ｒ（赤
）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなるフルカラー表示装置の場合には、一画素とはＲの色
要素のドットとＧの色要素のドットとＢの色要素のドットとから構成されるものとする。
なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上の数を用いても良いし、ＲＧＢ以外の色を
用いても良い。例えば、白色を加えて、ＲＧＢＷ（Ｗは白）としてもよい。また、ＲＧＢ
に、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ、エメラルドグリーン、朱色などを一色以上追
加したものでもよい。また、例えばＲＧＢの中の少なくとも一色について、類似した色を
追加してもよい。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ１、Ｂ２としてもよい。Ｂ１とＢ２とは、どちらも
青色であるが、少し周波数が異なっている。このような色要素を用いることにより、より
実物に近い表示を行うことができ、又は消費電力を低減することが出来る。なお、一画素
に、ある色の色要素のドットが複数あってもよい。そのとき、その複数の色要素は、各々
、表示に寄与する領域の大きさが異なっていても良い。また、複数ある、ある色の色要素
のドットを各々制御することによって、階調を表現してもよい。これを、面積階調方式と
呼ぶ。あるいは、複数ある、ある色の色要素のドットを用いて、各々のドットに供給する
信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。
）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなるフルカラー表示装置の場合には、一画素とはＲの色
要素のドットとＧの色要素のドットとＢの色要素のドットとから構成されるものとする。
なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上の数を用いても良いし、ＲＧＢ以外の色を
用いても良い。例えば、白色を加えて、ＲＧＢＷ（Ｗは白）としてもよい。また、ＲＧＢ
に、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ、エメラルドグリーン、朱色などを一色以上追
加したものでもよい。また、例えばＲＧＢの中の少なくとも一色について、類似した色を
追加してもよい。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ１、Ｂ２としてもよい。Ｂ１とＢ２とは、どちらも
青色であるが、少し周波数が異なっている。このような色要素を用いることにより、より
実物に近い表示を行うことができ、又は消費電力を低減することが出来る。なお、一画素
に、ある色の色要素のドットが複数あってもよい。そのとき、その複数の色要素は、各々
、表示に寄与する領域の大きさが異なっていても良い。また、複数ある、ある色の色要素
のドットを各々制御することによって、階調を表現してもよい。これを、面積階調方式と
呼ぶ。あるいは、複数ある、ある色の色要素のドットを用いて、各々のドットに供給する
信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。
なお、本発明において、画素は、マトリクス状に配置（配列）されている場合を含んでい
る。ここで、画素がマトリクスに配置（配列）されているとは、縦方向もしくは横方向に
おいて、直線上に並んで配置されている場合や、ギザギザな線上に並んでいる場合を含ん
でいる。よって、例えば三色の色要素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行う場合に、
ストライプ配置されている場合や、三つの色要素のドットがいわゆるデルタ配置されてい
る場合も含むものとする。さらに、ベイヤー配置されている場合も含んでいる。なお、色
要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白）や、ＲＧＢ
に、イエロー、シアン、マゼンタなどを一色以上追加したものなどがある。また、色要素
のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。これにより、消費電力を低下
させる、又は表示素子の寿命を延ばすことが出来る。
る。ここで、画素がマトリクスに配置（配列）されているとは、縦方向もしくは横方向に
おいて、直線上に並んで配置されている場合や、ギザギザな線上に並んでいる場合を含ん
でいる。よって、例えば三色の色要素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行う場合に、
ストライプ配置されている場合や、三つの色要素のドットがいわゆるデルタ配置されてい
る場合も含むものとする。さらに、ベイヤー配置されている場合も含んでいる。なお、色
要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白）や、ＲＧＢ
に、イエロー、シアン、マゼンタなどを一色以上追加したものなどがある。また、色要素
のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。これにより、消費電力を低下
させる、又は表示素子の寿命を延ばすことが出来る。
なお、トランジスタとは、それぞれ、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも
三つの端子を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有して
おり、ドレイン領域とチャネル領域とソース領域とを介して電流を流すことが出来る。こ
こで、ソースとドレインとは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、い
ずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、本発明にお
いては、ソース及びドレインとして機能する領域を、ソースもしくはドレインと呼ばない
場合がある。その場合、一例としては、それぞれを第１端子、第２端子と表記する場合が
ある。なお、トランジスタは、ベースとエミッタとコレクタとを含む少なくとも三つの端
子を有する素子であってもよい。この場合も同様に、エミッタとコレクタとを、第１端子
、第２端子と表記する場合がある。
三つの端子を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有して
おり、ドレイン領域とチャネル領域とソース領域とを介して電流を流すことが出来る。こ
こで、ソースとドレインとは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、い
ずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、本発明にお
いては、ソース及びドレインとして機能する領域を、ソースもしくはドレインと呼ばない
場合がある。その場合、一例としては、それぞれを第１端子、第２端子と表記する場合が
ある。なお、トランジスタは、ベースとエミッタとコレクタとを含む少なくとも三つの端
子を有する素子であってもよい。この場合も同様に、エミッタとコレクタとを、第１端子
、第２端子と表記する場合がある。
ゲート配線（走査線、ゲート線またはゲート信号線等とも言う）とは、各画素のゲート電
極の間を接続するためや、又はゲート電極と別の配線とを接続するための配線のことを言
う。
極の間を接続するためや、又はゲート電極と別の配線とを接続するための配線のことを言
う。
ただし、ゲート電極としても機能し、ゲート配線としても機能するような部分も存在する
。そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり
、ゲート電極とゲート配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延
伸して配置されているゲート配線とオーバーラップしてチャネル領域がある場合、その領
域はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していることになる。よ
って、そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
。そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり
、ゲート電極とゲート配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延
伸して配置されているゲート配線とオーバーラップしてチャネル領域がある場合、その領
域はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していることになる。よ
って、そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
また、ゲート電極と同じ材料で形成され、ゲート電極とつながっている領域も、ゲート電
極と呼んでも良い。同様に、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線とつながって
いる領域も、ゲート配線と呼んでも良い。このような領域は、厳密な意味では、チャネル
領域とオーバーラップしていない、又は別のゲート電極と接続させる機能を有してない場
合がある。しかし、製造コスト、工程の削減、レイアウトの簡略化などの関係で、ゲート
電極やゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電極やゲート配線とつながっている領域
がある。よって、そのような領域もゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。
極と呼んでも良い。同様に、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線とつながって
いる領域も、ゲート配線と呼んでも良い。このような領域は、厳密な意味では、チャネル
領域とオーバーラップしていない、又は別のゲート電極と接続させる機能を有してない場
合がある。しかし、製造コスト、工程の削減、レイアウトの簡略化などの関係で、ゲート
電極やゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電極やゲート配線とつながっている領域
がある。よって、そのような領域もゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。
また、例えば、マルチゲートのトランジスタにおいて、１つのトランジスタのゲート電極
と、別のトランジスタのゲート電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で接
続される場合が多い。そのような領域は、ゲート電極とゲート電極とを接続させるための
領域であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マルチゲートのトランジスタを１つのト
ランジスタであると見なすことも出来るため、ゲート電極と呼んでも良い。つまり、ゲー
ト電極やゲート配線と同じ材料で形成され、それらとつながって配置されているものは、
ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。また、例えば、ゲート電極とゲート配線とを接
続してさせている部分の導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも
良い。
と、別のトランジスタのゲート電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で接
続される場合が多い。そのような領域は、ゲート電極とゲート電極とを接続させるための
領域であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マルチゲートのトランジスタを１つのト
ランジスタであると見なすことも出来るため、ゲート電極と呼んでも良い。つまり、ゲー
ト電極やゲート配線と同じ材料で形成され、それらとつながって配置されているものは、
ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。また、例えば、ゲート電極とゲート配線とを接
続してさせている部分の導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも
良い。
なお、ゲート端子とは、ゲート電極の領域や、ゲート電極と電気的に接続されている領域
について、その一部分のことを言う。
について、その一部分のことを言う。
なお、ソースとは、ソース領域とソース電極とソース配線（信号線、ソース線またはソー
ス信号線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ソース領
域とは、Ｐ型不純物（ボロンやガリウムなど）やＮ型不純物（リンやヒ素など）が多く含
まれる半導体領域のことを言う。従って、少しだけＰ型不純物やＮ型不純物が含まれる領
域、いわゆる、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域は、ソース領域
には含まれない。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で形成され、ソース領域と電
気的に接続されて配置されている部分の導電層のことを言う。ただし、ソース電極は、ソ
ース領域も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線とは、各画素のソース電極の
間を接続する、又はソース電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。
ス信号線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ソース領
域とは、Ｐ型不純物（ボロンやガリウムなど）やＮ型不純物（リンやヒ素など）が多く含
まれる半導体領域のことを言う。従って、少しだけＰ型不純物やＮ型不純物が含まれる領
域、いわゆる、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域は、ソース領域
には含まれない。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で形成され、ソース領域と電
気的に接続されて配置されている部分の導電層のことを言う。ただし、ソース電極は、ソ
ース領域も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線とは、各画素のソース電極の
間を接続する、又はソース電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。
しかしながら、ソース電極としても機能し、ソース配線としても機能するような部分も存
在する。そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。
つまり、ソース電極とソース配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例え
ば、延伸して配置されているソース配線とオーバーラップしてソース領域がある場合、そ
の領域はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能していることになる
。よって、そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い
。
在する。そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。
つまり、ソース電極とソース配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例え
ば、延伸して配置されているソース配線とオーバーラップしてソース領域がある場合、そ
の領域はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能していることになる
。よって、そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い
。
また、ソース電極と同じ材料で形成され、ソース電極とつながっている領域や、ソース電
極とソース電極とを接続する部分も、ソース電極と呼んでも良い。また、ソース領域とオ
ーバーラップしている部分も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と同じ材
料で形成され、ソース配線とつながっている領域も、ソース配線と呼んでも良い。このよ
うな領域は、厳密な意味では、別のソース電極と接続させる機能を有していたりすること
がない場合がある。しかし、製造コスト、工程の削減、又はレイアウトの簡略化などの関
係で、ソース電極やソース配線と同じ材料で形成され、ソース電極やソース配線とつなが
っている領域がある。よって、そのような領域もソース電極やソース配線と呼んでも良い
。
極とソース電極とを接続する部分も、ソース電極と呼んでも良い。また、ソース領域とオ
ーバーラップしている部分も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と同じ材
料で形成され、ソース配線とつながっている領域も、ソース配線と呼んでも良い。このよ
うな領域は、厳密な意味では、別のソース電極と接続させる機能を有していたりすること
がない場合がある。しかし、製造コスト、工程の削減、又はレイアウトの簡略化などの関
係で、ソース電極やソース配線と同じ材料で形成され、ソース電極やソース配線とつなが
っている領域がある。よって、そのような領域もソース電極やソース配線と呼んでも良い
。
また、例えば、ソース電極とソース配線とを接続してさせている部分の導電膜も、ソース
電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。
電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。
なお、ソース端子とは、ソース領域の領域や、ソース電極や、ソース電極と電気的に接続
されている領域について、その一部分のことを言う。
されている領域について、その一部分のことを言う。
なお、ドレインについては、ソースと同様である。
なお、本発明において、半導体装置とは半導体素子（トランジスタやダイオードなど）を
含む回路を有する装置をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般で
もよい。
含む回路を有する装置をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般で
もよい。
また、表示装置とは、表示素子（液晶素子や発光素子など）を有する装置のことを言う。
なお、液晶素子やＥＬ素子などの表示素子を含む複数の画素やそれらの画素を駆動させる
周辺駆動回路が同一基板上に形成された表示パネル本体のことでもよい。また、ワイヤボ
ンディングやバンプなどによって基板上に配置された周辺駆動回路、いわゆるチップオン
グラス（ＣＯＧ）を含んでいても良い。さらに、フレキシブルプリントサーキット（ＦＰ
Ｃ）やプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられたもの（ＩＣや抵抗素子や容量素子や
インダクタやトランジスタなど）も含んでもよい。さらに、偏光板や位相差板などの光学
シートを含んでいても良い。さらに、バックライトユニット（導光板やプリズムシートや
拡散シートや反射シートや光源（ＬＥＤや冷陰極管など）を含んでいても良い）を含んで
いても良い。
なお、液晶素子やＥＬ素子などの表示素子を含む複数の画素やそれらの画素を駆動させる
周辺駆動回路が同一基板上に形成された表示パネル本体のことでもよい。また、ワイヤボ
ンディングやバンプなどによって基板上に配置された周辺駆動回路、いわゆるチップオン
グラス（ＣＯＧ）を含んでいても良い。さらに、フレキシブルプリントサーキット（ＦＰ
Ｃ）やプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられたもの（ＩＣや抵抗素子や容量素子や
インダクタやトランジスタなど）も含んでもよい。さらに、偏光板や位相差板などの光学
シートを含んでいても良い。さらに、バックライトユニット（導光板やプリズムシートや
拡散シートや反射シートや光源（ＬＥＤや冷陰極管など）を含んでいても良い）を含んで
いても良い。
また、発光装置とは、特にＥＬ素子やＦＥＤで用いる素子などの自発光型の表示素子を
有している表示装置をいう。液晶表示装置とは、液晶素子を有している表示装置をいう。
有している表示装置をいう。液晶表示装置とは、液晶素子を有している表示装置をいう。
なお、本発明において、ある物の上に形成されている、あるいは、〜上に形成されている
、というように、〜の上に、あるいは、〜上に、という記載については、ある物の上に直
接接していることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、間に別のものが挟
まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上に（もしくは層Ａ上に）、層
Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と
、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直
接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。また、〜の上方に、という記載
についても同様であり、ある物の上に直接接していることに限定されず、間に別のものが
挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上方に、層Ｂが形成されてい
る、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接
接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形
成されている場合とを含むものとする。なお、〜の下に、あるいは、〜の下方に、の場合
についても、同様であり、直接接している場合と、接していない場合とを含むこととする
。
、というように、〜の上に、あるいは、〜上に、という記載については、ある物の上に直
接接していることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、間に別のものが挟
まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上に（もしくは層Ａ上に）、層
Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と
、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直
接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。また、〜の上方に、という記載
についても同様であり、ある物の上に直接接していることに限定されず、間に別のものが
挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上方に、層Ｂが形成されてい
る、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接
接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形
成されている場合とを含むものとする。なお、〜の下に、あるいは、〜の下方に、の場合
についても、同様であり、直接接している場合と、接していない場合とを含むこととする
。
従って、広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造コストが低い液晶表示装置を提
供することができる。
供することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多く
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱すること
なくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従っ
て本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱すること
なくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従っ
て本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
（実施の形態１）
まず、本発明の第１の実施の形態の表示パネルの構成について簡単に説明する。
まず、本発明の第１の実施の形態の表示パネルの構成について簡単に説明する。
本発明の第１の実施の形態の表示パネルには、第１の基板と第１の基板に対向して設けら
れた第２の基板とによって液晶層が挟持されている。
れた第２の基板とによって液晶層が挟持されている。
本発明の第１の実施の形態の表示パネルの画素部は第１の基板上に形成されている。画素
部には、階調を表現するための信号（以下ビデオ信号という）が供給される配線（以下、
信号線という）と、ビデオ信号の書き込みを行う画素を選択する配線（以下、走査線とい
う）と、をそれぞれ複数有している。
部には、階調を表現するための信号（以下ビデオ信号という）が供給される配線（以下、
信号線という）と、ビデオ信号の書き込みを行う画素を選択する配線（以下、走査線とい
う）と、をそれぞれ複数有している。
そして、画素部には、複数の画素が走査線と信号線に対応してマトリクスに配置され、各
画素は、それぞれ走査線のいずれか一と、信号線のいずれか一と、に接続されている。そ
して、各画素には、少なくとも一つのトランジスタと、画素電極とを有している。
画素は、それぞれ走査線のいずれか一と、信号線のいずれか一と、に接続されている。そ
して、各画素には、少なくとも一つのトランジスタと、画素電極とを有している。
走査線と信号線の交差する付近に各画素のトランジスタが設けられている。そして、トラ
ンジスタは、各画素の画素電極への電荷の充放電を制御している。
ンジスタは、各画素の画素電極への電荷の充放電を制御している。
そして、各画素には、画素毎に独立して設けられた画素電極と、画素部の複数の画素に渡
って接続された共通電極と、の電位差に依存して液晶層の液晶分子の分子配列が変化する
液晶素子が含まれている。
って接続された共通電極と、の電位差に依存して液晶層の液晶分子の分子配列が変化する
液晶素子が含まれている。
液晶層としては、強誘電性液晶（ＦＬＣ）、ネマティック液晶、スメクティック液晶、コ
レステリック液晶、ホモジニアス配向になるような液晶、ホメオトロピック配向になるよ
うな液晶などを用いることができる。
レステリック液晶、ホモジニアス配向になるような液晶、ホメオトロピック配向になるよ
うな液晶などを用いることができる。
画素電極と共通電極との電位差により、電界を発生させる。この電界は、第１の基板に対
して平行（つまり、画素電極及び共通電極に対して平行）な横方向の成分を多く含んでい
る。そして、液晶分子の分子配列の変化とは、第１の基板に対して平行な面内（つまり、
画素電極及び共通電極に対して平行な面内）で液晶分子の分子が回転することである。
して平行（つまり、画素電極及び共通電極に対して平行）な横方向の成分を多く含んでい
る。そして、液晶分子の分子配列の変化とは、第１の基板に対して平行な面内（つまり、
画素電極及び共通電極に対して平行な面内）で液晶分子の分子が回転することである。
なお、本明細書において「電極と平行な面内で回転」とは、人間の目で視認できない程度
のずれを有していても良い程度に平行な回転も含む。言い換えると、面方向のベクトル成
分を主とするが面方向のベクトル成分以外に法線方向のベクトル成分を僅かに有する回転
も「電極と平行な面内で回転」に含まれる。
のずれを有していても良い程度に平行な回転も含む。言い換えると、面方向のベクトル成
分を主とするが面方向のベクトル成分以外に法線方向のベクトル成分を僅かに有する回転
も「電極と平行な面内で回転」に含まれる。
例えば、ＩＰＳ方式の液晶表示装置は、図９５に示すように基板９２００上に画素電極９
２０１と共通電極９２０２を有する。そして、画素電極９２０１と共通電極９２０２とに
電位差が生ずると、図に示す矢印のような電界が発生する。すると画素電極９２０１及び
共通電極９２０２上の液晶分子９２０３が回転する。つまり、図９２（Ａ）から図９２（
Ｂ）に示すように液晶層９２０４中の液晶分子９２０３の配列が変化する。さらに、上面
から見ると図９２（Ｃ）の矢印のように液晶分子９２０３が回転している。
２０１と共通電極９２０２を有する。そして、画素電極９２０１と共通電極９２０２とに
電位差が生ずると、図に示す矢印のような電界が発生する。すると画素電極９２０１及び
共通電極９２０２上の液晶分子９２０３が回転する。つまり、図９２（Ａ）から図９２（
Ｂ）に示すように液晶層９２０４中の液晶分子９２０３の配列が変化する。さらに、上面
から見ると図９２（Ｃ）の矢印のように液晶分子９２０３が回転している。
また、ＦＦＳ方式の液晶表示装置は、図９６に示すように基板９３００上に共通電極９３
０２を有し、さらに共通電極９３０２上に画素電極９３０１を有する。そして、画素電極
９３０１と共通電極９３０２とに電位差が生ずると、図に示す矢印のような電界が発生す
る。すると画素電極９３０１上の液晶分子９３０３が回転する。つまり、図９３（Ａ）か
ら図９３（Ｂ）に示すように液晶層９３０４中の液晶分子９３０３の配列が変化する。さ
らに、上面から見ると図９３（Ｃ）の矢印のように液晶分子９３０３が回転している。な
お、画素電極と共通電極の配置は逆であっても構わない。
０２を有し、さらに共通電極９３０２上に画素電極９３０１を有する。そして、画素電極
９３０１と共通電極９３０２とに電位差が生ずると、図に示す矢印のような電界が発生す
る。すると画素電極９３０１上の液晶分子９３０３が回転する。つまり、図９３（Ａ）か
ら図９３（Ｂ）に示すように液晶層９３０４中の液晶分子９３０３の配列が変化する。さ
らに、上面から見ると図９３（Ｃ）の矢印のように液晶分子９３０３が回転している。な
お、画素電極と共通電極の配置は逆であっても構わない。
また、ＩＰＳ方式とＦＦＳ方式とを組み合わせた液晶表示装置は、図９７に示すように基
板９４００上に第２の共通電極９４０３を有し、さらに第２の共通電極９４０３上に画素
電極９４０１及び第１の共通電極９４０２を有する。そして、画素電極９４０１と共通電
極（第２の共通電極９４０３及び第１の共通電極９４０２）とに電位差が生ずると、図に
示す矢印のような電界が発生する。すると画素電極９４０１及び第１の共通電極９４０２
上の液晶分子９４０４が回転する。つまり、図９４（Ａ）から図９４（Ｂ）に示すように
液晶層９４０５中の液晶分子９４０４の配列が変化する。さらに、上面から見ると図９４
（Ｃ）の矢印のように液晶分子９４０４が回転している。画素電極として機能する電極の
下方や横方向や斜め方向（斜め上方向や斜め下方向も含む）に、共通電極が存在すること
により、基板に平行な電界成分が、より多く生じるようになる。その結果、視野角特性が
さらに向上する。なお、画素電極と共通電極の配置は逆であっても構わない。
板９４００上に第２の共通電極９４０３を有し、さらに第２の共通電極９４０３上に画素
電極９４０１及び第１の共通電極９４０２を有する。そして、画素電極９４０１と共通電
極（第２の共通電極９４０３及び第１の共通電極９４０２）とに電位差が生ずると、図に
示す矢印のような電界が発生する。すると画素電極９４０１及び第１の共通電極９４０２
上の液晶分子９４０４が回転する。つまり、図９４（Ａ）から図９４（Ｂ）に示すように
液晶層９４０５中の液晶分子９４０４の配列が変化する。さらに、上面から見ると図９４
（Ｃ）の矢印のように液晶分子９４０４が回転している。画素電極として機能する電極の
下方や横方向や斜め方向（斜め上方向や斜め下方向も含む）に、共通電極が存在すること
により、基板に平行な電界成分が、より多く生じるようになる。その結果、視野角特性が
さらに向上する。なお、画素電極と共通電極の配置は逆であっても構わない。
このように、画素電極と共通電極との電位差により生ずる横方向の電界により、光量を制
御する液晶分子の分子配列を基板に対して水平方向に回転させることができればよい。よ
って、画素電極及び共通電極には、様々な形状の電極を用いることができる。つまり、画
素電極と共通電極との電位差により生ずる横方向の電界が生じたときに、液晶分子の傾く
方向を電界方向にすることにより、液晶層を光が透過する（このような表示装置をノーマ
リーブラックモードの表示装置という）若しくは液晶層を光が透過しない（このような表
示装置をノーマリーホワイトモードの表示装置という）ようにすればよい。
御する液晶分子の分子配列を基板に対して水平方向に回転させることができればよい。よ
って、画素電極及び共通電極には、様々な形状の電極を用いることができる。つまり、画
素電極と共通電極との電位差により生ずる横方向の電界が生じたときに、液晶分子の傾く
方向を電界方向にすることにより、液晶層を光が透過する（このような表示装置をノーマ
リーブラックモードの表示装置という）若しくは液晶層を光が透過しない（このような表
示装置をノーマリーホワイトモードの表示装置という）ようにすればよい。
例えば、基板上面から見たときの電極形状として、櫛状の電極（櫛歯型電極又は櫛型電極
ともいう）、スリット（開口部）が設けられた電極又は一面を覆う形状の電極（プレート
状電極ともいう）を画素電極及び共通電極に用いることができる。
ともいう）、スリット（開口部）が設けられた電極又は一面を覆う形状の電極（プレート
状電極ともいう）を画素電極及び共通電極に用いることができる。
基板上面から見たときの電極形状の例を図１１８（Ａ）〜（Ｄ）、及び図１１９（Ａ）〜
（Ｄ）に示す。
（Ｄ）に示す。
図１１８（Ａ）において、第１の電極１１８０１及び第２の電極１１８０２は櫛歯型電極
である。第１の電極１１８０１及び第２の電極１１８０２の一方が画素電極で他方が共通
電極である。そして、第１の電極１１８０１及び第２の電極１１８０２の点線で囲まれた
領域がそれぞれの電極のブランチ部分である。つまり、第１の電極１１８０１と第２の電
極１１８０２とに電位差が生じたときに発生する、電極面に対して水平方向の電界のうち
、強い電界成分の発生に主に寄与する電極部分をブランチ部分という。なお、第１の電極
１１８０１及び第２の電極１１８０２はいわゆるＩＰＳ方式の液晶表示パネルの液晶素子
の電極に適している。
である。第１の電極１１８０１及び第２の電極１１８０２の一方が画素電極で他方が共通
電極である。そして、第１の電極１１８０１及び第２の電極１１８０２の点線で囲まれた
領域がそれぞれの電極のブランチ部分である。つまり、第１の電極１１８０１と第２の電
極１１８０２とに電位差が生じたときに発生する、電極面に対して水平方向の電界のうち
、強い電界成分の発生に主に寄与する電極部分をブランチ部分という。なお、第１の電極
１１８０１及び第２の電極１１８０２はいわゆるＩＰＳ方式の液晶表示パネルの液晶素子
の電極に適している。
図１１８（Ｂ）において、第１の電極１１８１１及び第２の電極１１８１２は櫛歯型電極
である。第１の電極１１８１１及び第２の電極１１８１２の一方が画素電極で他方が共通
電極である。そして、第１の電極１１８１１及び第２の電極１１８１２の点線で囲まれた
領域がそれぞれの電極のブランチ部分である。なお、第１の電極１１８１１及び第２の電
極１１８１２のブランチ部分はジグザグ形状となっている。なお、第１の電極１１８１１
及び第２の電極１１８１２はいわゆるＩＰＳ方式の液晶表示パネルの液晶素子の電極に適
している。
である。第１の電極１１８１１及び第２の電極１１８１２の一方が画素電極で他方が共通
電極である。そして、第１の電極１１８１１及び第２の電極１１８１２の点線で囲まれた
領域がそれぞれの電極のブランチ部分である。なお、第１の電極１１８１１及び第２の電
極１１８１２のブランチ部分はジグザグ形状となっている。なお、第１の電極１１８１１
及び第２の電極１１８１２はいわゆるＩＰＳ方式の液晶表示パネルの液晶素子の電極に適
している。
図１１８（Ｃ）において、第１の電極１１８２１はスリットの設けられた電極であり、第
２の電極１１８２２はプレート状の電極である。第１の電極１１８２１及び第２の電極１
１８２２の一方が画素電極で他方が共通電極である。そして、第１の電極１１８２１の点
線で囲まれた領域が第１の電極１１８２１のブランチ部分である。なお、第１の電極１１
８２１及び第２の電極１１８２２はいわゆるＦＦＳ方式の液晶表示パネルの液晶素子の電
極に適している。
２の電極１１８２２はプレート状の電極である。第１の電極１１８２１及び第２の電極１
１８２２の一方が画素電極で他方が共通電極である。そして、第１の電極１１８２１の点
線で囲まれた領域が第１の電極１１８２１のブランチ部分である。なお、第１の電極１１
８２１及び第２の電極１１８２２はいわゆるＦＦＳ方式の液晶表示パネルの液晶素子の電
極に適している。
図１１８（Ｄ）において、第１の電極１１８３１はスリットの設けられた電極であり、第
２の電極１１８３２はプレート状の電極である。第１の電極１１８３１及び第２の電極１
１８３２の一方が画素電極で他方が共通電極である。そして、第１の電極１１８３１の点
線で囲まれた領域が電極のブランチ部分である。なお、第１の電極１１８３１のスリット
はジグザグ形状となっている。なお、第１の電極１１８３１及び第２の電極１１８３２は
いわゆるＦＦＳ方式の液晶表示パネルの液晶素子の電極に適している。
２の電極１１８３２はプレート状の電極である。第１の電極１１８３１及び第２の電極１
１８３２の一方が画素電極で他方が共通電極である。そして、第１の電極１１８３１の点
線で囲まれた領域が電極のブランチ部分である。なお、第１の電極１１８３１のスリット
はジグザグ形状となっている。なお、第１の電極１１８３１及び第２の電極１１８３２は
いわゆるＦＦＳ方式の液晶表示パネルの液晶素子の電極に適している。
図１１９（Ａ）において、第１の電極１１９０１は櫛歯型電極であり、第２の電極１１９
０２はプレート状の電極である。第１の電極１１９０１及び第２の電極１１９０２の一方
が画素電極で他方が共通電極である。なお、第１の電極１１９０１及び第２の電極１１９
０２はいわゆるＦＦＳ方式の液晶表示パネルの液晶素子の電極に適している。
０２はプレート状の電極である。第１の電極１１９０１及び第２の電極１１９０２の一方
が画素電極で他方が共通電極である。なお、第１の電極１１９０１及び第２の電極１１９
０２はいわゆるＦＦＳ方式の液晶表示パネルの液晶素子の電極に適している。
図１１９（Ｂ）において、第１の電極１１９１１及び第２の電極１１９１２はスリットの
設けられた電極である。第１の電極１１９１１及び第２の電極１１９１２の一方が画素電
極で他方が共通電極である。なお、第１の電極１１９１１及び第２の電極１１９１２はい
わゆるＩＰＳ方式の液晶表示パネルの液晶素子の電極に適している。
設けられた電極である。第１の電極１１９１１及び第２の電極１１９１２の一方が画素電
極で他方が共通電極である。なお、第１の電極１１９１１及び第２の電極１１９１２はい
わゆるＩＰＳ方式の液晶表示パネルの液晶素子の電極に適している。
図１１９（Ｃ）において、第１の電極１１９２１はスリットの設けられた電極であり、第
２の電極１１９２２は櫛歯型電極である。第１の電極１１９２１及び第２の電極１１９２
２の一方が画素電極で他方が共通電極である。なお、第１の電極１１９２１及び第２の電
極１１９２２はいわゆるＩＰＳ方式の液晶表示パネルの液晶素子の電極に適している。
２の電極１１９２２は櫛歯型電極である。第１の電極１１９２１及び第２の電極１１９２
２の一方が画素電極で他方が共通電極である。なお、第１の電極１１９２１及び第２の電
極１１９２２はいわゆるＩＰＳ方式の液晶表示パネルの液晶素子の電極に適している。
図１１９（Ｄ）において、第１の電極１１９３１及び第２の電極１１９３２は櫛歯型電極
である。第１の電極１１９３１及び第２の電極１１９３２の一方が画素電極で他方が共通
電極である。なお、第１の電極１１９３１及び第２の電極１１９３２はいわゆるＩＰＳ方
式の液晶表示パネルの液晶素子の電極に適している。
である。第１の電極１１９３１及び第２の電極１１９３２の一方が画素電極で他方が共通
電極である。なお、第１の電極１１９３１及び第２の電極１１９３２はいわゆるＩＰＳ方
式の液晶表示パネルの液晶素子の電極に適している。
なお、これらは電極形状の例であって本発明はこれらに限定されるものではない。
このように、本明細書において、櫛歯形電極とは、電極のブランチ部分において、隣り合
うブランチの一端がつながっており、他端がつながっていないような形状の電極を含む。
スリットの設けられた電極とは、電極のブランチ部分において、隣り合うブランチの両端
がそれぞれつながっているような形状の電極を含む。プレート状の電極とは、他の電極の
複数のブランチ間の領域にまたがって伸張しているような電極を含む。
うブランチの一端がつながっており、他端がつながっていないような形状の電極を含む。
スリットの設けられた電極とは、電極のブランチ部分において、隣り合うブランチの両端
がそれぞれつながっているような形状の電極を含む。プレート状の電極とは、他の電極の
複数のブランチ間の領域にまたがって伸張しているような電極を含む。
また、例えば断面から見たときの形状として、画素電極及び共通電極は凸凹状、波状、平
面状であってもよい。画素電極又は共通電極を反射型液晶表示パネル又は半透過型液晶表
示パネルの反射膜として用いる場合、画素電極又は共通電極を断面から見たときに凸凹状
、又は波状にすることで、画素電極又は共通電極で外光を乱反射することができるため、
輝度を向上させることができると共に、反射による写り込みを防止することができる。な
お、画素電極の形状と共通電極の形状とは様々な組み合わせを適用することができる。
面状であってもよい。画素電極又は共通電極を反射型液晶表示パネル又は半透過型液晶表
示パネルの反射膜として用いる場合、画素電極又は共通電極を断面から見たときに凸凹状
、又は波状にすることで、画素電極又は共通電極で外光を乱反射することができるため、
輝度を向上させることができると共に、反射による写り込みを防止することができる。な
お、画素電極の形状と共通電極の形状とは様々な組み合わせを適用することができる。
なお、反射型液晶表示パネル又は半透過型液晶表示パネルにおいて、反射領域中の絶縁膜
の表面を凹凸にする、又は絶縁膜中に光を散乱させるための粒子を添加することで絶縁膜
を光散乱層として機能させてもよい。こうすれば、反射膜の表面は凹凸しなくても、反射
による写り込みを防止することができるため、画素電極又は共通電極を反射膜として用い
る場合に液晶層へ所望な方向成分の電界の形成が容易となる。
の表面を凹凸にする、又は絶縁膜中に光を散乱させるための粒子を添加することで絶縁膜
を光散乱層として機能させてもよい。こうすれば、反射膜の表面は凹凸しなくても、反射
による写り込みを防止することができるため、画素電極又は共通電極を反射膜として用い
る場合に液晶層へ所望な方向成分の電界の形成が容易となる。
また、半透過型液晶表示パネルにおいて、光を反射させて表示を行う部分（反射領域）と
バックライト等からの光を透過させて表示を行う部分（透過領域）との液晶層の厚さ（い
わゆるセルギャップ）を小さくするため、液晶層の厚さを調整する膜を配置してもよい。
バックライト等からの光を透過させて表示を行う部分（透過領域）との液晶層の厚さ（い
わゆるセルギャップ）を小さくするため、液晶層の厚さを調整する膜を配置してもよい。
なお、反射型液晶表示パネル又は、透過型液晶表示パネルの場合には液晶層の中を通る光
の距離が、１画素内において場所によって大きく異なることはない。よって、液晶層の厚
さ（セルギャップ）を調整するための絶縁膜を設けなくてもよい。
の距離が、１画素内において場所によって大きく異なることはない。よって、液晶層の厚
さ（セルギャップ）を調整するための絶縁膜を設けなくてもよい。
なお、画素電極と共通電極との電位差により生ずる横方向の電界が生じたときに液晶分子
の傾く方向を、電界方向からずらすことで応答速度を高めた液晶表示パネルを提供するこ
とができる。また、液晶分子を高速で駆動する制御回路である、いわゆるオーバードライ
ブ回路を備えることで中間階調間での応答速度を高めてもよい。
の傾く方向を、電界方向からずらすことで応答速度を高めた液晶表示パネルを提供するこ
とができる。また、液晶分子を高速で駆動する制御回路である、いわゆるオーバードライ
ブ回路を備えることで中間階調間での応答速度を高めてもよい。
なお、画素電極及び共通電極の形状を工夫することにより、いわゆるマルチドメイン化を
図っても良い。つまり、画素電極と共通電極との電位差により液晶層に横方向の電界が生
じたときに液晶分子の傾く方向を複数にする。こうして視野の角度による色調の変化を低
減するようにしてもよい。その場合には、画素電極又は共通電極の形状をくの字型のスリ
ット又はジグザグ形状のスリットが設けられた電極とする、又は電極のブランチ部分にく
の字型やジグザグ形状を有するようにする。こうすることにより、視野の角度による色調
の変化を極めて小さくでき、高色純度、高コントラスト比の液晶表示パネルを提供するこ
とができる。
図っても良い。つまり、画素電極と共通電極との電位差により液晶層に横方向の電界が生
じたときに液晶分子の傾く方向を複数にする。こうして視野の角度による色調の変化を低
減するようにしてもよい。その場合には、画素電極又は共通電極の形状をくの字型のスリ
ット又はジグザグ形状のスリットが設けられた電極とする、又は電極のブランチ部分にく
の字型やジグザグ形状を有するようにする。こうすることにより、視野の角度による色調
の変化を極めて小さくでき、高色純度、高コントラスト比の液晶表示パネルを提供するこ
とができる。
そして、この画素電極、又は共通電極には、トランジスタの半導体層（チャネル、ソース
若しくはドレインとして機能する半導体膜）に用いる膜の形成と同一工程により形成され
た膜を用いる。なお、画素電極や共通電極の少なくとも一部にトランジスタの半導体層に
用いる膜と同一工程により形成された膜を用いていればよい。
若しくはドレインとして機能する半導体膜）に用いる膜の形成と同一工程により形成され
た膜を用いる。なお、画素電極や共通電極の少なくとも一部にトランジスタの半導体層に
用いる膜と同一工程により形成された膜を用いていればよい。
トランジスタの半導体層としては、非晶質半導体（アモルファスシリコンともいう）や多
結晶半導体（ポリシリコンともいう）に代表される非単結晶半導体膜（非晶質半導体膜及
び多結晶半導体膜を含む）を適用することができる。また、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯ
などの化合物半導体膜を用いてもよい。非単結晶半導体膜には水素またはハロゲンが含ま
れていてもよい。つまり、画素電極及び共通電極の少なくとも一部にも非単結晶半導体膜
や化合物半導体膜を用いる。
結晶半導体（ポリシリコンともいう）に代表される非単結晶半導体膜（非晶質半導体膜及
び多結晶半導体膜を含む）を適用することができる。また、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯ
などの化合物半導体膜を用いてもよい。非単結晶半導体膜には水素またはハロゲンが含ま
れていてもよい。つまり、画素電極及び共通電極の少なくとも一部にも非単結晶半導体膜
や化合物半導体膜を用いる。
なお、トランジスタの半導体層の膜厚は光を透過する程度の厚さであることが望ましい。
好ましくは、トランジスタの半導体層の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ま
しくは４５ｎｍ以上６０ｎｍとする。また、画素電極及び共通電極の少なくとも一部にも
、トランジスタの半導体層の膜厚と概略等しい厚さの非単結晶半導体膜や化合物半導体膜
を用いていることが好ましい。
好ましくは、トランジスタの半導体層の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ま
しくは４５ｎｍ以上６０ｎｍとする。また、画素電極及び共通電極の少なくとも一部にも
、トランジスタの半導体層の膜厚と概略等しい厚さの非単結晶半導体膜や化合物半導体膜
を用いていることが好ましい。
トランジスタの半導体層に用いる膜と同一工程により形成された膜は透光性を有している
ので、透過型液晶表示パネルの画素電極又は共通電極、並びに半透過型液晶表示パネルの
画素電極又は共通電極の一部に用いることが好ましい。もちろん反射型液晶表示パネルの
画素電極又は共通電極に用いてもよい。
ので、透過型液晶表示パネルの画素電極又は共通電極、並びに半透過型液晶表示パネルの
画素電極又は共通電極の一部に用いることが好ましい。もちろん反射型液晶表示パネルの
画素電極又は共通電極に用いてもよい。
同一工程により形成された膜とは、一続きの膜を形成した後、一続きの膜を分離して形成
された複数の膜をいう。また、同一工程により形成された膜のことを同層の膜ともいう。
よって、一続きの膜上に並んで配置されている膜であっても、同一工程により形成されて
いないときには異なる層の膜となる。
された複数の膜をいう。また、同一工程により形成された膜のことを同層の膜ともいう。
よって、一続きの膜上に並んで配置されている膜であっても、同一工程により形成されて
いないときには異なる層の膜となる。
つまり、同層の膜は、化学気相成長法（ＣＶＤ）、スパッタ法、真空蒸着法又はスピンコ
ート法等により一続きの膜を形成し、その膜をパターニングして形成することができる。
ート法等により一続きの膜を形成し、その膜をパターニングして形成することができる。
なお、パターニングとは、膜を形状加工することをいい、フォトリソグラフィー技術によ
って膜のパターンを形成すること（例えば、感光性アクリルにコンタクトホールを形成す
ることや、感光性アクリルをスペーサとなるように形状加工することも含む）や、フォト
リソグラフィー技術によってマスクパターンを形成し、当該マスクパターンを用いてエッ
チング加工を行うことなどをいう。つまり、パターニング工程では、膜の一部を選択的に
除去する。
って膜のパターンを形成すること（例えば、感光性アクリルにコンタクトホールを形成す
ることや、感光性アクリルをスペーサとなるように形状加工することも含む）や、フォト
リソグラフィー技術によってマスクパターンを形成し、当該マスクパターンを用いてエッ
チング加工を行うことなどをいう。つまり、パターニング工程では、膜の一部を選択的に
除去する。
そして、この同層の膜には、膜厚や成分が同一でないものも含まれる。
例えば、同層の膜のパターニングにおいて、マスクパターンの膜厚を制御し、マスクパタ
ーンを等方性エッチングすることにより、同層の膜において膜厚を変化させることもでき
るし、同層の膜のうち一部の膜に不純物を添加して同層の膜のうち異なる成分の膜があっ
てもよい。
ーンを等方性エッチングすることにより、同層の膜において膜厚を変化させることもでき
るし、同層の膜のうち一部の膜に不純物を添加して同層の膜のうち異なる成分の膜があっ
てもよい。
また、同一工程により形成された膜は、それらの全ての膜が一続きの膜上に形成されてい
てもよいし、それらの膜のうち異なる層の膜上に形成されている膜があってもよい。
てもよいし、それらの膜のうち異なる層の膜上に形成されている膜があってもよい。
つまり、同一工程により形成された第１の膜と第２の膜とは、接している下の膜は限定さ
れない。
れない。
なお、上記説明においては、本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示パネルの主要な構
成について説明したが、本発明はこれに限定されない。つまり、偏光板、位相差板、カラ
ーフィルター、バックライト、走査線に信号を供給する走査線駆動回路、信号線に信号を
供給する信号線駆動回路などを有していてもよい。
成について説明したが、本発明はこれに限定されない。つまり、偏光板、位相差板、カラ
ーフィルター、バックライト、走査線に信号を供給する走査線駆動回路、信号線に信号を
供給する信号線駆動回路などを有していてもよい。
バックライト用光源としては、蛍光ランプ（冷陰極蛍光管、熱陰極蛍光管）、発光ダイオ
ード、ＣＲＴ、ＥＬ（無機、有機）、白熱ランプなどを適宜用いることができる。また、
導光板、反射鏡、光源、拡散シート、反射シートなど、とを組み合わせてバックライトと
することができる。
ード、ＣＲＴ、ＥＬ（無機、有機）、白熱ランプなどを適宜用いることができる。また、
導光板、反射鏡、光源、拡散シート、反射シートなど、とを組み合わせてバックライトと
することができる。
つまり、本実施の形態に示す液晶表示装置の構成は、基板と、基板上に形成されたトラン
ジスタ及び液晶素子、と、を有する。そして、トランジスタの半導体層と、液晶素子の画
素電極又は共通電極と、は同一工程により形成された膜である。
ジスタ及び液晶素子、と、を有する。そして、トランジスタの半導体層と、液晶素子の画
素電極又は共通電極と、は同一工程により形成された膜である。
なお、トランジスタの半導体層は、液晶素子の画素電極及び共通電極の一部であってもよ
い。つまり、液晶素子の画素電極及び共通電極は、トランジスタの半導体層と、さらに別
の導電膜との積層であってもよい。
い。つまり、液晶素子の画素電極及び共通電極は、トランジスタの半導体層と、さらに別
の導電膜との積層であってもよい。
なお、液晶素子は画素電極と、画素部の複数の画素に渡って接続された共通電極と、の電
位差により生ずる横方向の電界により、光量を制御する液晶分子の分子配列を基板に対し
て概ね水平方向に回転させることができればよい。
位差により生ずる横方向の電界により、光量を制御する液晶分子の分子配列を基板に対し
て概ね水平方向に回転させることができればよい。
さらに本発明の第１実施の形態に係る液晶表示パネルについて詳しく説明する。
第１の基板上にトランジスタと、液晶素子の画素電極となる第１電極及び液晶素子の共通
電極となる第２の電極と、が形成されている。なお、本明細書において、第１の基板上に
トランジスタと、第１の電極及び第２の電極とが形成された状態の基板を回路基板という
。そして、液晶表示パネルは、回路基板と、回路基板と対向して設けられた第２の基板（
対向基板）とが張り合わされ、その間には液晶層を有する。なお、対向基板にもトランジ
スタや液晶素子の画素電極となる第１の電極及び液晶素子の共通電極となる第２の電極と
が形成されていても構わない。
電極となる第２の電極と、が形成されている。なお、本明細書において、第１の基板上に
トランジスタと、第１の電極及び第２の電極とが形成された状態の基板を回路基板という
。そして、液晶表示パネルは、回路基板と、回路基板と対向して設けられた第２の基板（
対向基板）とが張り合わされ、その間には液晶層を有する。なお、対向基板にもトランジ
スタや液晶素子の画素電極となる第１の電極及び液晶素子の共通電極となる第２の電極と
が形成されていても構わない。
続いて、本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示パネルに適用可能な回路基板の構成を
以下に示す。
以下に示す。
まず、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第１の構成について説明する。第１の
構成の上面図を図６１（Ａ）に示している。図６１（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図６１
（Ｂ）に示す。基板６１００上に第１の電極６１０１と第２の電極６１０２を有する。第
１の電極６１０１又は第２の電極６１０２の一方が画素電極で、他方が共通電極である。
第１の電極６１０１はトランジスタの半導体層と同層の膜により形成されている。なお、
第２の電極６１０２はトランジスタの半導体層と同層の膜でもいいし、別の膜であっても
よい。
構成の上面図を図６１（Ａ）に示している。図６１（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図６１
（Ｂ）に示す。基板６１００上に第１の電極６１０１と第２の電極６１０２を有する。第
１の電極６１０１又は第２の電極６１０２の一方が画素電極で、他方が共通電極である。
第１の電極６１０１はトランジスタの半導体層と同層の膜により形成されている。なお、
第２の電極６１０２はトランジスタの半導体層と同層の膜でもいいし、別の膜であっても
よい。
なお、基板６１００上にトランジスタを有する場合の回路基板の構成例を図６６（Ａ）、
（Ｂ）に示す。図６６（Ａ）に示すトランジスタはいわゆるトップゲート構造のトランジ
スタであり、図６６（Ｂ）に示すトランジスタはいわゆるボトムゲート構造のトランジス
タである。
（Ｂ）に示す。図６６（Ａ）に示すトランジスタはいわゆるトップゲート構造のトランジ
スタであり、図６６（Ｂ）に示すトランジスタはいわゆるボトムゲート構造のトランジス
タである。
図６６（Ａ）の回路基板は、トランジスタ６６０４、第１の電極６１０１及び第２の電極
６１０２を有している。また、トランジスタ６６０４の半導体層はチャネル形成領域６６
０１ａと不純物領域６６０１ｂを有している。チャネル形成領域６６０１ａ上には絶縁膜
６６０２を介してゲート電極６６０３を有している。第１の電極６１０１はトランジスタ
６６０４の半導体層と同層の膜である。
６１０２を有している。また、トランジスタ６６０４の半導体層はチャネル形成領域６６
０１ａと不純物領域６６０１ｂを有している。チャネル形成領域６６０１ａ上には絶縁膜
６６０２を介してゲート電極６６０３を有している。第１の電極６１０１はトランジスタ
６６０４の半導体層と同層の膜である。
図６６（Ｂ）の回路基板は、トランジスタ６６１４、第１の電極６１０１及び第２の電極
６１０２を有している。また、トランジスタ６６１４の半導体層はチャネル形成領域６６
１３ａと不純物領域６６１３ｂを有している。チャネル形成領域６６１３ａ下には絶縁膜
６６１２を介してゲート電極６６１１を有している。第１の電極６１０１はトランジスタ
６６１４の半導体層と同層の膜である。
６１０２を有している。また、トランジスタ６６１４の半導体層はチャネル形成領域６６
１３ａと不純物領域６６１３ｂを有している。チャネル形成領域６６１３ａ下には絶縁膜
６６１２を介してゲート電極６６１１を有している。第１の電極６１０１はトランジスタ
６６１４の半導体層と同層の膜である。
第１の電極６１０１及び第２の電極６１０２は櫛歯型の形状を有しており、電極のブラン
チ部分が互い違いになるように配置されている。なお、図６１（Ｂ）では、第１の電極６
１０１と第２の電極６１０２とが基板６１００上に直接接して設けられているが、本発明
はそれに限定されない。第１の電極６１０１と第２の電極６１０２とは基板６１００上に
形成された異なる絶縁膜の上に形成されていてもよい。よって、断面から見たとき、第１
の電極６１０１と第２の電極６１０２とは基板６１００面と垂直方向にずれて配置されて
いてもよい。本構成の回路基板はいわゆるＩＰＳ方式の液晶表示パネルに用いるのに適し
ている。
チ部分が互い違いになるように配置されている。なお、図６１（Ｂ）では、第１の電極６
１０１と第２の電極６１０２とが基板６１００上に直接接して設けられているが、本発明
はそれに限定されない。第１の電極６１０１と第２の電極６１０２とは基板６１００上に
形成された異なる絶縁膜の上に形成されていてもよい。よって、断面から見たとき、第１
の電極６１０１と第２の電極６１０２とは基板６１００面と垂直方向にずれて配置されて
いてもよい。本構成の回路基板はいわゆるＩＰＳ方式の液晶表示パネルに用いるのに適し
ている。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第２の構成について説明する。第２の
構成の上面図を図６２（Ａ）に示している。図６２（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図６２
（Ｂ）に示す。基板６１００上に第２の電極６２０２を有し、第２の電極６２０２を覆う
ように絶縁膜６２０３を有し、絶縁膜６２０３上に第１の電極６２０１を有する。第１の
電極６２０１又は第２の電極６２０２の一方が画素電極で、他方が共通電極である。第１
の電極６２０１はトランジスタの半導体層と同層の膜により形成されている。第１の電極
６２０１はスリットを有している。第２の電極６２０２はプレート状（一面を覆う形状）
の電極である。なお、図６２（Ａ）では一例として矩形状のスリットを用いているが本発
明は矩形状のスリットに限定されない。なお、図６２（Ｂ）では、第２の電極６２０２が
基板６１００上に直接接して設けられているが、本発明はこれに限定されない。本構成の
回路基板はいわゆるＦＦＳ方式の液晶表示パネルに用いるのに適している。
構成の上面図を図６２（Ａ）に示している。図６２（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図６２
（Ｂ）に示す。基板６１００上に第２の電極６２０２を有し、第２の電極６２０２を覆う
ように絶縁膜６２０３を有し、絶縁膜６２０３上に第１の電極６２０１を有する。第１の
電極６２０１又は第２の電極６２０２の一方が画素電極で、他方が共通電極である。第１
の電極６２０１はトランジスタの半導体層と同層の膜により形成されている。第１の電極
６２０１はスリットを有している。第２の電極６２０２はプレート状（一面を覆う形状）
の電極である。なお、図６２（Ａ）では一例として矩形状のスリットを用いているが本発
明は矩形状のスリットに限定されない。なお、図６２（Ｂ）では、第２の電極６２０２が
基板６１００上に直接接して設けられているが、本発明はこれに限定されない。本構成の
回路基板はいわゆるＦＦＳ方式の液晶表示パネルに用いるのに適している。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第３の構成について説明する。第３の
構成の上面図を図６３（Ａ）に示している。図６３（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図６３
（Ｂ）に示す。基板６１００上に第１の電極６３０１を有し、第１の電極６３０１を覆う
ように絶縁膜６３０２を有し、絶縁膜６３０２上に第２の電極６３０３を有する。第１の
電極６３０１又は第２の電極６３０３の一方が画素電極で、他方が共通電極である。第１
の電極６３０１はトランジスタの半導体層と同層の膜により形成されている。第１の電極
６３０１はプレート状（一面を覆う形状）の電極である。第２の電極６３０３はスリット
を有している。なお、図６３（Ａ）では一例として矩形状のスリットを用いているが本発
明はこれに限定されない。なお、図６３（Ｂ）では、第１の電極６３０１が基板６１００
上に直接接して設けられているが、本発明はこれに限定されない。本構成の回路基板はい
わゆるＦＦＳ方式の液晶表示パネルに用いるのに適している。
構成の上面図を図６３（Ａ）に示している。図６３（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図６３
（Ｂ）に示す。基板６１００上に第１の電極６３０１を有し、第１の電極６３０１を覆う
ように絶縁膜６３０２を有し、絶縁膜６３０２上に第２の電極６３０３を有する。第１の
電極６３０１又は第２の電極６３０３の一方が画素電極で、他方が共通電極である。第１
の電極６３０１はトランジスタの半導体層と同層の膜により形成されている。第１の電極
６３０１はプレート状（一面を覆う形状）の電極である。第２の電極６３０３はスリット
を有している。なお、図６３（Ａ）では一例として矩形状のスリットを用いているが本発
明はこれに限定されない。なお、図６３（Ｂ）では、第１の電極６３０１が基板６１００
上に直接接して設けられているが、本発明はこれに限定されない。本構成の回路基板はい
わゆるＦＦＳ方式の液晶表示パネルに用いるのに適している。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第４の構成について説明する。第４の
構成の上面図を図６４（Ａ）に示している。図６４（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図６４
（Ｂ）に示す。基板６１００上に第１の電極６４０１を有し、第１の電極６４０１を覆う
ように絶縁膜６４０２を有し、絶縁膜６４０２上に第２の電極６４０３を有する。第１の
電極６４０１又は第２の電極６４０３の一方が画素電極で、他方が共通電極である。第１
の電極６４０１はトランジスタの半導体層と同層の膜により形成されている。第１の電極
６４０１及び第２の電極６４０３はスリットを有している。なお、図６４（Ａ）では、一
例として矩形状のスリットを用いているが、本発明はこれに限定されない。なお、図６４
（Ｂ）では、第１の電極６４０１が基板６１００上に直接接して設けられているが、本発
明はこれに限定されない。本構成の回路基板はいわゆるＩＰＳ方式の液晶表示パネルに用
いるのに適している。
構成の上面図を図６４（Ａ）に示している。図６４（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図６４
（Ｂ）に示す。基板６１００上に第１の電極６４０１を有し、第１の電極６４０１を覆う
ように絶縁膜６４０２を有し、絶縁膜６４０２上に第２の電極６４０３を有する。第１の
電極６４０１又は第２の電極６４０３の一方が画素電極で、他方が共通電極である。第１
の電極６４０１はトランジスタの半導体層と同層の膜により形成されている。第１の電極
６４０１及び第２の電極６４０３はスリットを有している。なお、図６４（Ａ）では、一
例として矩形状のスリットを用いているが、本発明はこれに限定されない。なお、図６４
（Ｂ）では、第１の電極６４０１が基板６１００上に直接接して設けられているが、本発
明はこれに限定されない。本構成の回路基板はいわゆるＩＰＳ方式の液晶表示パネルに用
いるのに適している。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第５の構成について説明する。第５の
構成の上面図を図６５（Ａ）に示している。図６５（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図６５
（Ｂ）に示す。基板６１００上に第２の電極６５０２を有し、第２の電極６５０２を覆う
ように絶縁膜６５０３を有し、絶縁膜６５０３上に第１の電極６５０１を有する。第１の
電極６５０１又は第２の電極６５０２の一方が画素電極で、他方が共通電極である。第１
の電極６５０１はトランジスタの半導体層と同層の膜により形成されている。第１の電極
６５０１及び第２の電極６５０２はスリットを有している。なお、図６５（Ａ）では、一
例として矩形状のスリットを用いているが、本発明はこれに限定されない。なお、図６５
（Ｂ）では、第２の電極６５０２が基板６１００上に直接接して設けられているが、本発
明はこれに限定されない。本構成の回路基板はいわゆるＩＰＳ方式の液晶表示パネルに用
いるのに適している。
構成の上面図を図６５（Ａ）に示している。図６５（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図６５
（Ｂ）に示す。基板６１００上に第２の電極６５０２を有し、第２の電極６５０２を覆う
ように絶縁膜６５０３を有し、絶縁膜６５０３上に第１の電極６５０１を有する。第１の
電極６５０１又は第２の電極６５０２の一方が画素電極で、他方が共通電極である。第１
の電極６５０１はトランジスタの半導体層と同層の膜により形成されている。第１の電極
６５０１及び第２の電極６５０２はスリットを有している。なお、図６５（Ａ）では、一
例として矩形状のスリットを用いているが、本発明はこれに限定されない。なお、図６５
（Ｂ）では、第２の電極６５０２が基板６１００上に直接接して設けられているが、本発
明はこれに限定されない。本構成の回路基板はいわゆるＩＰＳ方式の液晶表示パネルに用
いるのに適している。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第６の構成について説明する。第６の
構成の上面図を図６７（Ａ）に示している。図６７（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図６７
（Ｂ）に示す。基板６１００上に第３の電極６７０１を有し、第３の電極６７０１を覆う
ように絶縁膜６７０２を有し、絶縁膜６７０２上に第１の電極６１０１及び第２の電極６
１０２を有する。第１の電極６１０１又は第２の電極６１０２の一方が画素電極で、他方
が共通電極である。また、第３の電極６７０１も画素電極又は共通電極である。第１の電
極６１０１はトランジスタの半導体層と同層の膜により形成されている。第１の電極６１
０１及び第２の電極６１０２は櫛歯型の形状を有しており、電極のブランチ部分が互い違
いになるように配置されている。なお、図６７（Ｂ）では、第３の電極６７０１が基板６
１００上に直接接して設けられているが、本発明はこれに限定されない。本構成の回路基
板はいわゆるＩＰＳ方式とＦＦＳ方式を組み合わせた液晶表示パネルに用いるのに適して
いる。
構成の上面図を図６７（Ａ）に示している。図６７（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図６７
（Ｂ）に示す。基板６１００上に第３の電極６７０１を有し、第３の電極６７０１を覆う
ように絶縁膜６７０２を有し、絶縁膜６７０２上に第１の電極６１０１及び第２の電極６
１０２を有する。第１の電極６１０１又は第２の電極６１０２の一方が画素電極で、他方
が共通電極である。また、第３の電極６７０１も画素電極又は共通電極である。第１の電
極６１０１はトランジスタの半導体層と同層の膜により形成されている。第１の電極６１
０１及び第２の電極６１０２は櫛歯型の形状を有しており、電極のブランチ部分が互い違
いになるように配置されている。なお、図６７（Ｂ）では、第３の電極６７０１が基板６
１００上に直接接して設けられているが、本発明はこれに限定されない。本構成の回路基
板はいわゆるＩＰＳ方式とＦＦＳ方式を組み合わせた液晶表示パネルに用いるのに適して
いる。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第７の構成について説明する。第７の
構成の上面図を図６８（Ａ）に示している。図６８（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図６８
（Ｂ）に示す。図６８（Ａ）、（Ｂ）は、第２の電極６２０２上に反射性の導電膜６８０
１を有した構成である。なお、図１２０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板６１００上に
反射性の導電膜６８０１を設け、反射性の導電膜６８０１の一部が第２の電極６２０２上
に重なるように設けてもよい。第２の電極６２０２にＩＴＯを用いた場合に図１２０（Ａ
）、（Ｂ）の構成にすることで、膜切れを防止することができる。また、図１２３（Ａ）
、（Ｂ）に示すように、基板６１００上に反射性の導電膜６８０１を設け、第２の電極６
２０２の一部が反射性の導電膜６８０１上に重なるように設けてもよい。また、図１２６
（Ａ）に示すように、基板６１００上に反射性を有する導電膜６８０１を設け、導電膜６
８０１上に覆うように第２の電極６２０２を設けても良い。なお、このとき、導電膜６８
０１を金属膜とし、第２の電極６２０２にＩＴＯを用いた場合、金属膜の酸化を防止する
ことができ、反射率を高くすることができる。第２の電極６２０２が反射性を有する導電
膜の場合には、本構成は反射型液晶表示パネルに適している。一方、第２の電極６２０２
が透光性を有する場合には、本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
構成の上面図を図６８（Ａ）に示している。図６８（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図６８
（Ｂ）に示す。図６８（Ａ）、（Ｂ）は、第２の電極６２０２上に反射性の導電膜６８０
１を有した構成である。なお、図１２０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板６１００上に
反射性の導電膜６８０１を設け、反射性の導電膜６８０１の一部が第２の電極６２０２上
に重なるように設けてもよい。第２の電極６２０２にＩＴＯを用いた場合に図１２０（Ａ
）、（Ｂ）の構成にすることで、膜切れを防止することができる。また、図１２３（Ａ）
、（Ｂ）に示すように、基板６１００上に反射性の導電膜６８０１を設け、第２の電極６
２０２の一部が反射性の導電膜６８０１上に重なるように設けてもよい。また、図１２６
（Ａ）に示すように、基板６１００上に反射性を有する導電膜６８０１を設け、導電膜６
８０１上に覆うように第２の電極６２０２を設けても良い。なお、このとき、導電膜６８
０１を金属膜とし、第２の電極６２０２にＩＴＯを用いた場合、金属膜の酸化を防止する
ことができ、反射率を高くすることができる。第２の電極６２０２が反射性を有する導電
膜の場合には、本構成は反射型液晶表示パネルに適している。一方、第２の電極６２０２
が透光性を有する場合には、本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第８の構成について説明する。第８の
構成の上面図を図６９（Ａ）に示している。図６９（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図６９
（Ｂ）に示す。図６９（Ａ）、（Ｂ）は、第１の電極６３０１上に反射性の導電膜６９０
１を有した構成である。なお、図１２１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板６１００上に
反射性の導電膜６９０１を設け、反射性の導電膜６９０１の一部が第１の電極６３０１上
に重なるように設けてもよい。また、図１２４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板６１０
０上に反射性の導電膜６９０１を設け、第１の電極６３０１の一部が反射性の導電膜６９
０１上に重なるように設けてもよい。また、図１２６（Ｂ）に示すように、基板６１００
上に反射性を有する導電膜６９０１を設け、導電膜６９０１上に覆うように第１の電極６
３０１を設けても良い。なお、このとき、導電膜６９０１を金属膜とした場合、金属膜の
酸化を防止することができ、反射率を高くすることができる。第１の電極６３０１はトラ
ンジスタの半導体層と同層の膜であるため透光性を有する。よって、本構成は半透過型液
晶表示パネルに適している。
構成の上面図を図６９（Ａ）に示している。図６９（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図６９
（Ｂ）に示す。図６９（Ａ）、（Ｂ）は、第１の電極６３０１上に反射性の導電膜６９０
１を有した構成である。なお、図１２１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板６１００上に
反射性の導電膜６９０１を設け、反射性の導電膜６９０１の一部が第１の電極６３０１上
に重なるように設けてもよい。また、図１２４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板６１０
０上に反射性の導電膜６９０１を設け、第１の電極６３０１の一部が反射性の導電膜６９
０１上に重なるように設けてもよい。また、図１２６（Ｂ）に示すように、基板６１００
上に反射性を有する導電膜６９０１を設け、導電膜６９０１上に覆うように第１の電極６
３０１を設けても良い。なお、このとき、導電膜６９０１を金属膜とした場合、金属膜の
酸化を防止することができ、反射率を高くすることができる。第１の電極６３０１はトラ
ンジスタの半導体層と同層の膜であるため透光性を有する。よって、本構成は半透過型液
晶表示パネルに適している。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第９の構成について説明する。第９の
構成の上面図を図７０（Ａ）に示している。図７０（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図７０
（Ｂ）に示す。図７０（Ａ）、（Ｂ）は、第３の電極６７０１上に反射性の導電膜７００
１を有した構成である。なお、図１２２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板６１００上に
反射性の導電膜７００１を設け、反射性の導電膜７００１の一部が第３の電極６７０１上
に重なるように設けてもよい。第３の電極６７０１にＩＴＯを用いた場合に図１２２（Ａ
）、（Ｂ）の構成にすることで、膜切れを防止することができる。また、図１２５（Ａ）
、（Ｂ）に示すように、基板６１００上に反射性の導電膜７００１を設け、第３の電極６
７０１の一部が反射性の導電膜７００１上に重なるように設けてもよい。また、図１２６
（Ｃ）に示すように、基板６１００上に反射性を有する導電膜７００１を設け、導電膜７
００１上に覆うように第３の電極６７０１を設けても良い。なお、このとき、導電膜７０
０１を金属膜とし、第３の電極６７０１にＩＴＯを用いた場合、金属膜の酸化を防止する
ことができ、反射率を高くすることができる。第３の電極６７０１が反射性を有する導電
膜の場合には、本構成は反射型液晶表示パネルに適している。一方、第３の電極６７０１
が透光性を有する場合には、本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
構成の上面図を図７０（Ａ）に示している。図７０（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図７０
（Ｂ）に示す。図７０（Ａ）、（Ｂ）は、第３の電極６７０１上に反射性の導電膜７００
１を有した構成である。なお、図１２２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板６１００上に
反射性の導電膜７００１を設け、反射性の導電膜７００１の一部が第３の電極６７０１上
に重なるように設けてもよい。第３の電極６７０１にＩＴＯを用いた場合に図１２２（Ａ
）、（Ｂ）の構成にすることで、膜切れを防止することができる。また、図１２５（Ａ）
、（Ｂ）に示すように、基板６１００上に反射性の導電膜７００１を設け、第３の電極６
７０１の一部が反射性の導電膜７００１上に重なるように設けてもよい。また、図１２６
（Ｃ）に示すように、基板６１００上に反射性を有する導電膜７００１を設け、導電膜７
００１上に覆うように第３の電極６７０１を設けても良い。なお、このとき、導電膜７０
０１を金属膜とし、第３の電極６７０１にＩＴＯを用いた場合、金属膜の酸化を防止する
ことができ、反射率を高くすることができる。第３の電極６７０１が反射性を有する導電
膜の場合には、本構成は反射型液晶表示パネルに適している。一方、第３の電極６７０１
が透光性を有する場合には、本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第１０の構成について説明する。第１
０の構成の上面図を図７１（Ａ）に示している。図７１（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７１（Ｂ）に示す。第１０の構成は第４の構成において、第１の電極６４０１の代わりに
プレート状の領域（一面を覆う形状の領域）と複数のスリットを有する領域とを含む第１
の電極７１０１を用いた構成である。本構成の回路基板はいわゆるＩＰＳ方式とＦＦＳ方
式とを組み合わせた液晶表示パネルに用いるのに適している。第１の電極７１０１はトラ
ンジスタの半導体層と同層の膜であるため透光性を有する。よって、本構成は半透過型液
晶表示パネルに適している。
０の構成の上面図を図７１（Ａ）に示している。図７１（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７１（Ｂ）に示す。第１０の構成は第４の構成において、第１の電極６４０１の代わりに
プレート状の領域（一面を覆う形状の領域）と複数のスリットを有する領域とを含む第１
の電極７１０１を用いた構成である。本構成の回路基板はいわゆるＩＰＳ方式とＦＦＳ方
式とを組み合わせた液晶表示パネルに用いるのに適している。第１の電極７１０１はトラ
ンジスタの半導体層と同層の膜であるため透光性を有する。よって、本構成は半透過型液
晶表示パネルに適している。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第１１の構成について説明する。第１
１の構成の上面図を図７２（Ａ）に示している。図７２（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７２（Ｂ）に示す。第１１の構成は第５の構成において、第２の電極６５０２の代わりに
プレート状（一面を覆う形状）の領域と複数のスリットを有する領域とを含む第２の電極
７２０１を用いた構成である。本構成の回路基板はいわゆるＩＰＳ方式とＦＦＳ方式とを
組み合わせた液晶表示パネルに用いるのに適している。第２の電極７２０１が反射性を有
する導電膜の場合には、本構成は反射型液晶表示パネルに適している。一方、第２の電極
７２０１が透光性を有する場合には、本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
１の構成の上面図を図７２（Ａ）に示している。図７２（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７２（Ｂ）に示す。第１１の構成は第５の構成において、第２の電極６５０２の代わりに
プレート状（一面を覆う形状）の領域と複数のスリットを有する領域とを含む第２の電極
７２０１を用いた構成である。本構成の回路基板はいわゆるＩＰＳ方式とＦＦＳ方式とを
組み合わせた液晶表示パネルに用いるのに適している。第２の電極７２０１が反射性を有
する導電膜の場合には、本構成は反射型液晶表示パネルに適している。一方、第２の電極
７２０１が透光性を有する場合には、本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第１２の構成について説明する。第１
２の構成の上面図を図７３（Ａ）に示している。図７３（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７３（Ｂ）に示す。第１２の構成は第７の構成において、反射性の導電膜６８０１の代わ
りに凹凸の形成された反射性の導電膜７３０１を適用した構成である。また、図１２０（
Ｂ）、図１２３（Ｂ）、図１２６（Ａ）において、反射性の導電膜６８０１の代わりに凹
凸の形成された反射性の導電膜７３０１を適用した構成を図１２７（Ａ）、図１２８（Ａ
）、図１２９（Ａ）に示す。図１２９（Ａ）において、導電膜７３０１を金属膜とし、第
２の電極６２０２にＩＴＯを用いた場合、金属膜の酸化を防止することができ、反射率を
高くすることができる。第２の電極６２０２が反射性を有する導電膜の場合には、本構成
は反射型液晶表示パネルに適している。一方、第２の電極６２０２が透光性を有する場合
には、本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
２の構成の上面図を図７３（Ａ）に示している。図７３（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７３（Ｂ）に示す。第１２の構成は第７の構成において、反射性の導電膜６８０１の代わ
りに凹凸の形成された反射性の導電膜７３０１を適用した構成である。また、図１２０（
Ｂ）、図１２３（Ｂ）、図１２６（Ａ）において、反射性の導電膜６８０１の代わりに凹
凸の形成された反射性の導電膜７３０１を適用した構成を図１２７（Ａ）、図１２８（Ａ
）、図１２９（Ａ）に示す。図１２９（Ａ）において、導電膜７３０１を金属膜とし、第
２の電極６２０２にＩＴＯを用いた場合、金属膜の酸化を防止することができ、反射率を
高くすることができる。第２の電極６２０２が反射性を有する導電膜の場合には、本構成
は反射型液晶表示パネルに適している。一方、第２の電極６２０２が透光性を有する場合
には、本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第１３の構成について説明する。第１
３の構成の上面図を図７４（Ａ）に示している。図７４（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７４（Ｂ）に示す。第１３の構成は第８の構成において、反射性の導電膜６９０１の代わ
りに凹凸の形成された反射性の導電膜７４０１を適用した構成である。また、図１２１（
Ｂ）、図１２４（Ｂ）、図１２６（Ｂ）において、反射性の導電膜６９０１の代わりに凹
凸の形成された反射性の導電膜７４０１を適用した構成を図１２７（Ｂ）、図１２８（Ｂ
）、図１２９（Ｂ）に示す。図１２９（Ｂ）において、導電膜７４０１を金属膜とした場
合、金属膜の酸化を防止することができ、反射率を高くすることができる。第１の電極６
３０１はトランジスタの半導体層と同層の膜であるため透光性を有する。よって、本構成
は半透過型液晶表示パネルに適している。
３の構成の上面図を図７４（Ａ）に示している。図７４（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７４（Ｂ）に示す。第１３の構成は第８の構成において、反射性の導電膜６９０１の代わ
りに凹凸の形成された反射性の導電膜７４０１を適用した構成である。また、図１２１（
Ｂ）、図１２４（Ｂ）、図１２６（Ｂ）において、反射性の導電膜６９０１の代わりに凹
凸の形成された反射性の導電膜７４０１を適用した構成を図１２７（Ｂ）、図１２８（Ｂ
）、図１２９（Ｂ）に示す。図１２９（Ｂ）において、導電膜７４０１を金属膜とした場
合、金属膜の酸化を防止することができ、反射率を高くすることができる。第１の電極６
３０１はトランジスタの半導体層と同層の膜であるため透光性を有する。よって、本構成
は半透過型液晶表示パネルに適している。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第１４の構成について説明する。第１
４の構成の上面図を図７５（Ａ）に示している。図７５（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７５（Ｂ）に示す。第１４の構成は第９の構成において、反射性の導電膜７００１の代わ
りに凹凸の形成された反射性の導電膜７５０１を適用した構成である。また、図１２２（
Ｂ）、図１２５（Ｂ）、図１２６（Ｃ）において、反射性の導電膜７００１の代わりに凹
凸の形成された反射性の導電膜７５０１を適用した構成を図１２７（Ｃ）、図１２８（Ｃ
）、図１２９（Ｃ）に示す。図１２９（Ｃ）において、導電膜７５０１を金属膜とし、第
３の電極６７０１にＩＴＯを用いた場合、金属膜の酸化を防止することができ、反射率を
高くすることができる。第３の電極６７０１が反射性を有する導電膜の場合には、本構成
は反射型液晶表示パネルに適している。一方、第３の電極６７０１が透光性を有する場合
には、本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
４の構成の上面図を図７５（Ａ）に示している。図７５（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７５（Ｂ）に示す。第１４の構成は第９の構成において、反射性の導電膜７００１の代わ
りに凹凸の形成された反射性の導電膜７５０１を適用した構成である。また、図１２２（
Ｂ）、図１２５（Ｂ）、図１２６（Ｃ）において、反射性の導電膜７００１の代わりに凹
凸の形成された反射性の導電膜７５０１を適用した構成を図１２７（Ｃ）、図１２８（Ｃ
）、図１２９（Ｃ）に示す。図１２９（Ｃ）において、導電膜７５０１を金属膜とし、第
３の電極６７０１にＩＴＯを用いた場合、金属膜の酸化を防止することができ、反射率を
高くすることができる。第３の電極６７０１が反射性を有する導電膜の場合には、本構成
は反射型液晶表示パネルに適している。一方、第３の電極６７０１が透光性を有する場合
には、本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第１５の構成について説明する。第１
５の構成の上面図を図７６（Ａ）に示している。図７６（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７６（Ｂ）に示す。第１５の構成は第１１の構成において、第２の電極７２０１の代わり
に凹凸の形成された第２の電極７６０１を適用した構成である。第２の電極７２０１が反
射性を有する導電膜の場合には、本構成は反射型液晶表示パネルに適している。一方、第
２の電極７２０１が透光性を有する場合には、本構成は半透過型液晶表示パネルに適して
いる。
５の構成の上面図を図７６（Ａ）に示している。図７６（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７６（Ｂ）に示す。第１５の構成は第１１の構成において、第２の電極７２０１の代わり
に凹凸の形成された第２の電極７６０１を適用した構成である。第２の電極７２０１が反
射性を有する導電膜の場合には、本構成は反射型液晶表示パネルに適している。一方、第
２の電極７２０１が透光性を有する場合には、本構成は半透過型液晶表示パネルに適して
いる。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第１６の構成について説明する。第１
６の構成の上面図を図７７（Ａ）に示している。図７７（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７７（Ｂ）に示す。第１６の構成は第７の構成において、第２の電極６２０２上に突起物
７７０２を形成し、第２の電極６２０２及び突起物７７０２上に反射性の導電膜７７０１
を形成することにより、反射性の導電膜６８０１の代わりに、凹凸を有する導電膜７７０
１を適用した構成である。第２の電極６２０２が反射性を有する導電膜の場合には、本構
成は反射型液晶表示パネルに適している。一方、第２の電極６２０２が透光性を有する場
合には、本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
６の構成の上面図を図７７（Ａ）に示している。図７７（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７７（Ｂ）に示す。第１６の構成は第７の構成において、第２の電極６２０２上に突起物
７７０２を形成し、第２の電極６２０２及び突起物７７０２上に反射性の導電膜７７０１
を形成することにより、反射性の導電膜６８０１の代わりに、凹凸を有する導電膜７７０
１を適用した構成である。第２の電極６２０２が反射性を有する導電膜の場合には、本構
成は反射型液晶表示パネルに適している。一方、第２の電極６２０２が透光性を有する場
合には、本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
このような突起物７７０２の形状を反映して導電膜７７０１の表面に凹凸形状が形成され
る。このような突起物７７０２を用いることで大きな凹凸の段差や凹凸の数の調整が容易
となる。
る。このような突起物７７０２を用いることで大きな凹凸の段差や凹凸の数の調整が容易
となる。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第１７の構成について説明する。第１
７の構成の上面図を図７８（Ａ）に示している。図７８（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７８（Ｂ）に示す。第１７の構成は第８の構成において、第１の電極６３０１上に突起物
７８０２を形成し、第１の電極６３０１及び突起物７８０２上に反射性の導電膜７８０１
を形成することにより、反射性の導電膜６９０１の代わりに、凹凸を有する導電膜７８０
１を適用した構成である。第１の電極６３０１はトランジスタの半導体層と同層の膜であ
るため透光性を有する。よって、本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
７の構成の上面図を図７８（Ａ）に示している。図７８（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７８（Ｂ）に示す。第１７の構成は第８の構成において、第１の電極６３０１上に突起物
７８０２を形成し、第１の電極６３０１及び突起物７８０２上に反射性の導電膜７８０１
を形成することにより、反射性の導電膜６９０１の代わりに、凹凸を有する導電膜７８０
１を適用した構成である。第１の電極６３０１はトランジスタの半導体層と同層の膜であ
るため透光性を有する。よって、本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
このような突起物７８０２の形状を反映して導電膜７８０１の表面に凹凸形状が形成され
る。このような突起物７８０２を用いることで大きな凹凸の段差や凹凸の数の調整が容易
となる。
る。このような突起物７８０２を用いることで大きな凹凸の段差や凹凸の数の調整が容易
となる。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第１８の構成について説明する。第１
８の構成の上面図を図７９（Ａ）に示している。図７９（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７９（Ｂ）に示す。第１８の構成は第９の構成において、第３の電極６７０１上に突起物
７９０２を形成し、第３の電極６７０１及び突起物７９０２上に反射性の導電膜７９０１
を形成することにより、反射性の導電膜７００１の代わりに、凹凸を有する導電膜７９０
１を適用した構成である。第３の電極６７０１が反射性を有する導電膜の場合には、本構
成は反射型液晶表示パネルに適している。一方、第３の電極６７０１が透光性を有する場
合には、本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
８の構成の上面図を図７９（Ａ）に示している。図７９（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
７９（Ｂ）に示す。第１８の構成は第９の構成において、第３の電極６７０１上に突起物
７９０２を形成し、第３の電極６７０１及び突起物７９０２上に反射性の導電膜７９０１
を形成することにより、反射性の導電膜７００１の代わりに、凹凸を有する導電膜７９０
１を適用した構成である。第３の電極６７０１が反射性を有する導電膜の場合には、本構
成は反射型液晶表示パネルに適している。一方、第３の電極６７０１が透光性を有する場
合には、本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
このような突起物７９０２の形状を反映して導電膜７９０１の表面に凹凸形状が形成され
る。このような突起物７９０２を用いることで大きな凹凸の段差や凹凸の数の調整が容易
となる。
る。このような突起物７９０２を用いることで大きな凹凸の段差や凹凸の数の調整が容易
となる。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第１９の構成について説明する。第１
９の構成の上面図を図８０（Ａ）に示している。図８０（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
８０（Ｂ）に示す。第１９の構成は第１１の構成において、基板６１００上に突起物８０
０１を形成し、基板６１００及び突起物８００１上に反射性の第２の電極７２０１を形成
することにより、第２の電極７２０１のプレート状（一面を覆う形状）の領域に凹凸を有
する構成である。第２の電極７２０１が反射性を有する導電膜の場合には、本構成は反射
型液晶表示パネルに適している。一方、第２の電極７２０１が透光性を有する場合には、
本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
９の構成の上面図を図８０（Ａ）に示している。図８０（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
８０（Ｂ）に示す。第１９の構成は第１１の構成において、基板６１００上に突起物８０
０１を形成し、基板６１００及び突起物８００１上に反射性の第２の電極７２０１を形成
することにより、第２の電極７２０１のプレート状（一面を覆う形状）の領域に凹凸を有
する構成である。第２の電極７２０１が反射性を有する導電膜の場合には、本構成は反射
型液晶表示パネルに適している。一方、第２の電極７２０１が透光性を有する場合には、
本構成は半透過型液晶表示パネルに適している。
このような突起物８００１の形状を反映して第２の電極７２０１の表面に凹凸形状が形成
される。このような突起物８００１を用いることで大きな凹凸の段差や凹凸の数の調整が
容易となる。
される。このような突起物８００１を用いることで大きな凹凸の段差や凹凸の数の調整が
容易となる。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第２０の構成について説明する。第２
０の構成の上面図を図８１（Ａ）に示している。図８１（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
８１（Ｂ）に示す。第２０の構成は第７の構成において、導電膜６８０１の形成された領
域（反射領域）の上側であって絶縁膜６２０３上に絶縁膜８１０１を有している。そして
、第２の電極６２０２が透光性を有し、本構成は半透過型液晶表示パネルである。つまり
、第２の電極６２０２が形成され、導電膜６８０１が形成されていない、領域（透過領域
）の上側であって絶縁膜６２０３上には絶縁膜８１０１は開口部が形成されている。よっ
て、透過領域でのセルギャップを反射領域のセルギャップより厚くすることができる。
０の構成の上面図を図８１（Ａ）に示している。図８１（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
８１（Ｂ）に示す。第２０の構成は第７の構成において、導電膜６８０１の形成された領
域（反射領域）の上側であって絶縁膜６２０３上に絶縁膜８１０１を有している。そして
、第２の電極６２０２が透光性を有し、本構成は半透過型液晶表示パネルである。つまり
、第２の電極６２０２が形成され、導電膜６８０１が形成されていない、領域（透過領域
）の上側であって絶縁膜６２０３上には絶縁膜８１０１は開口部が形成されている。よっ
て、透過領域でのセルギャップを反射領域のセルギャップより厚くすることができる。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第２１の構成について説明する。第２
１の構成の上面図を図８２（Ａ）に示している。図８２（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
８２（Ｂ）に示す。第２１の構成は第８の構成において、導電膜６９０１の形成された領
域（反射領域）の上側であって絶縁膜６３０２上に絶縁膜８２０１を有している。そして
、第１の電極６３０１が透光性を有し、本構成は半透過型液晶表示パネルである。つまり
、第１の電極６３０１が形成され、導電膜６９０１が形成されていない、領域（透過領域
）の上側であって絶縁膜６３０２上には絶縁膜８２０１は開口部が形成されている。よっ
て、透過領域でのセルギャップを反射領域のセルギャップより厚くすることができる。
１の構成の上面図を図８２（Ａ）に示している。図８２（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
８２（Ｂ）に示す。第２１の構成は第８の構成において、導電膜６９０１の形成された領
域（反射領域）の上側であって絶縁膜６３０２上に絶縁膜８２０１を有している。そして
、第１の電極６３０１が透光性を有し、本構成は半透過型液晶表示パネルである。つまり
、第１の電極６３０１が形成され、導電膜６９０１が形成されていない、領域（透過領域
）の上側であって絶縁膜６３０２上には絶縁膜８２０１は開口部が形成されている。よっ
て、透過領域でのセルギャップを反射領域のセルギャップより厚くすることができる。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第２２の構成について説明する。第２
２の構成の上面図を図８３（Ａ）に示している。図８３（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
８３（Ｂ）に示す。第２２の構成は第９の構成において、導電膜７００１の形成された領
域（反射領域）の上側であって絶縁膜６７０２上に絶縁膜８３０１を有している。そして
、第３の電極６７０１が透光性を有し、本構成は半透過型液晶表示パネルである。つまり
、第３の電極６７０１が形成され、導電膜７００１が形成されていない、領域（透過領域
）の上側であって絶縁膜６７０２上には絶縁膜８３０１は開口部が形成されている。よっ
て、透過領域でのセルギャップを反射領域のセルギャップより厚くすることができる。
２の構成の上面図を図８３（Ａ）に示している。図８３（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
８３（Ｂ）に示す。第２２の構成は第９の構成において、導電膜７００１の形成された領
域（反射領域）の上側であって絶縁膜６７０２上に絶縁膜８３０１を有している。そして
、第３の電極６７０１が透光性を有し、本構成は半透過型液晶表示パネルである。つまり
、第３の電極６７０１が形成され、導電膜７００１が形成されていない、領域（透過領域
）の上側であって絶縁膜６７０２上には絶縁膜８３０１は開口部が形成されている。よっ
て、透過領域でのセルギャップを反射領域のセルギャップより厚くすることができる。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第２３の構成について説明する。第２
２の構成の上面図を図８４（Ａ）に示している。図８４（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
８４（Ｂ）に示す。第２３の構成は第１１の構成において、第２の電極７２０１のプレー
ト状の領域（反射領域）の上側であって絶縁膜６５０３上に絶縁膜８４０１を有している
。そして、第２の電極７２０１が反射性を有し、本構成は半透過型液晶表示パネルである
。つまり、第２の電極７２０１のスリットを有する領域（透過領域）の上側であって絶縁
膜６５０３上には絶縁膜８４０１は開口部が形成されている。よって、透過領域でのセル
ギャップを反射領域のセルギャップより厚くすることができる。
２の構成の上面図を図８４（Ａ）に示している。図８４（Ａ）の破線Ａ−Ｂの断面図を図
８４（Ｂ）に示す。第２３の構成は第１１の構成において、第２の電極７２０１のプレー
ト状の領域（反射領域）の上側であって絶縁膜６５０３上に絶縁膜８４０１を有している
。そして、第２の電極７２０１が反射性を有し、本構成は半透過型液晶表示パネルである
。つまり、第２の電極７２０１のスリットを有する領域（透過領域）の上側であって絶縁
膜６５０３上には絶縁膜８４０１は開口部が形成されている。よって、透過領域でのセル
ギャップを反射領域のセルギャップより厚くすることができる。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第２４の構成について説明する。第２
４の構成は回路基板の断面図８５（Ａ）を用いて説明する。基板８５００上に第２の電極
８５０２を有し、第２の電極８５０２上に第２の電極８５０２より面積が小さく、凹凸を
有した反射性の導電膜８５０３を有する。そして、第２の電極８５０２が透光性を有し、
本構成は半透過型液晶表示パネルである。第２の電極８５０２及び導電膜８５０３上に絶
縁膜８５０４を有している。第２の電極８５０２が形成され、導電膜８５０３が形成され
ていない、領域（透過領域）の上側であって絶縁膜８５０４上に開口部を有する絶縁膜８
５０５を有する。また、ブランチの一部が絶縁膜８５０４上に直接接し、且つブランチの
一部が絶縁膜８５０５上に直接接する第１の電極８５０１を有する。よって、透過領域で
のセルギャップを反射領域（導電膜８５０３の上側の領域）のセルギャップより厚くする
ことができる。なお、図１３０（Ａ）に示すように、基板８５００上に反射性の導電膜８
５０３を設け、反射性の導電膜８５０３の一部が第２の電極８５０２上に重なるように設
けてもよい。第２の電極８５０２にＩＴＯを用いた場合に図１３０（Ａ）の構成にするこ
とで、膜切れを防止することができる。また、図１３１（Ａ）に示すように、基板８５０
０上に反射性の導電膜８５０３を設け、第２の電極８５０２の一部が反射性の導電膜８５
０３上に重なるように設けてもよい。また、図１３２（Ａ）に示すように、基板８５００
上に反射性を有する導電膜８５０３を設け、導電膜８５０３上に覆うように第２の電極８
５０２を設けても良い。図１３２（Ａ）において、導電膜８５０３を金属膜とし、第２の
電極８５０２にＩＴＯを用いた場合、金属膜の酸化を防止することができ、反射率を高く
することができる。
４の構成は回路基板の断面図８５（Ａ）を用いて説明する。基板８５００上に第２の電極
８５０２を有し、第２の電極８５０２上に第２の電極８５０２より面積が小さく、凹凸を
有した反射性の導電膜８５０３を有する。そして、第２の電極８５０２が透光性を有し、
本構成は半透過型液晶表示パネルである。第２の電極８５０２及び導電膜８５０３上に絶
縁膜８５０４を有している。第２の電極８５０２が形成され、導電膜８５０３が形成され
ていない、領域（透過領域）の上側であって絶縁膜８５０４上に開口部を有する絶縁膜８
５０５を有する。また、ブランチの一部が絶縁膜８５０４上に直接接し、且つブランチの
一部が絶縁膜８５０５上に直接接する第１の電極８５０１を有する。よって、透過領域で
のセルギャップを反射領域（導電膜８５０３の上側の領域）のセルギャップより厚くする
ことができる。なお、図１３０（Ａ）に示すように、基板８５００上に反射性の導電膜８
５０３を設け、反射性の導電膜８５０３の一部が第２の電極８５０２上に重なるように設
けてもよい。第２の電極８５０２にＩＴＯを用いた場合に図１３０（Ａ）の構成にするこ
とで、膜切れを防止することができる。また、図１３１（Ａ）に示すように、基板８５０
０上に反射性の導電膜８５０３を設け、第２の電極８５０２の一部が反射性の導電膜８５
０３上に重なるように設けてもよい。また、図１３２（Ａ）に示すように、基板８５００
上に反射性を有する導電膜８５０３を設け、導電膜８５０３上に覆うように第２の電極８
５０２を設けても良い。図１３２（Ａ）において、導電膜８５０３を金属膜とし、第２の
電極８５０２にＩＴＯを用いた場合、金属膜の酸化を防止することができ、反射率を高く
することができる。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第２５の構成について説明する。第２
５の構成は回路基板の断面図８５（Ｂ）を用いて説明する。基板８５００上に第３の電極
８５１３を有し、第３の電極８５１３上に第３の電極８５１３より面積が小さく、凹凸を
有した反射性の導電膜８５１４を有する。そして、第３の電極８５１３が透光性を有し、
本構成は半透過型液晶表示パネルである。第３の電極８５１３及び導電膜８５１４上に絶
縁膜８５１５を有している。第３の電極８５１３が形成され、導電膜８５１４が形成され
ていない、領域（透過領域）の上側であって絶縁膜８５１５上に開口部を有する絶縁膜８
５１６を有する。また、ブランチの一部が絶縁膜８５１５上に直接接し、且つブランチの
一部が絶縁膜８５１６上に直接接する第１の電極８５１１及び第２の電極８５１２を有す
る。よって、透過領域でのセルギャップを反射領域（導電膜８５１４の上側の領域）のセ
ルギャップより厚くすることができる。なお、図１３０（Ｂ）に示すように、基板８５０
０上に反射性の導電膜８５１４を設け、反射性の導電膜８５１４の一部が第３の電極８５
１３上に重なるように設けてもよい。第３の電極８５１３にＩＴＯを用いた場合に図１３
０（Ｂ）の構成にすることで、膜切れを防止することができる。また、図１３１（Ｂ）に
示すように、基板８５００上に反射性の導電膜８５１４を設け、第３の電極８５１３の一
部が反射性の導電膜８５１４上に重なるように設けてもよい。また、図１３２（Ｂ）に示
すように、基板８５００上に反射性を有する導電膜８５１４を設け、導電膜８５１４上に
覆うように第３の電極８５１３を設けても良い。図１３２（Ａ）において、導電膜８５１
４を金属膜とし、第３の電極８５１３にＩＴＯを用いた場合、金属膜の酸化を防止するこ
とができ、反射率を高くすることができる。
５の構成は回路基板の断面図８５（Ｂ）を用いて説明する。基板８５００上に第３の電極
８５１３を有し、第３の電極８５１３上に第３の電極８５１３より面積が小さく、凹凸を
有した反射性の導電膜８５１４を有する。そして、第３の電極８５１３が透光性を有し、
本構成は半透過型液晶表示パネルである。第３の電極８５１３及び導電膜８５１４上に絶
縁膜８５１５を有している。第３の電極８５１３が形成され、導電膜８５１４が形成され
ていない、領域（透過領域）の上側であって絶縁膜８５１５上に開口部を有する絶縁膜８
５１６を有する。また、ブランチの一部が絶縁膜８５１５上に直接接し、且つブランチの
一部が絶縁膜８５１６上に直接接する第１の電極８５１１及び第２の電極８５１２を有す
る。よって、透過領域でのセルギャップを反射領域（導電膜８５１４の上側の領域）のセ
ルギャップより厚くすることができる。なお、図１３０（Ｂ）に示すように、基板８５０
０上に反射性の導電膜８５１４を設け、反射性の導電膜８５１４の一部が第３の電極８５
１３上に重なるように設けてもよい。第３の電極８５１３にＩＴＯを用いた場合に図１３
０（Ｂ）の構成にすることで、膜切れを防止することができる。また、図１３１（Ｂ）に
示すように、基板８５００上に反射性の導電膜８５１４を設け、第３の電極８５１３の一
部が反射性の導電膜８５１４上に重なるように設けてもよい。また、図１３２（Ｂ）に示
すように、基板８５００上に反射性を有する導電膜８５１４を設け、導電膜８５１４上に
覆うように第３の電極８５１３を設けても良い。図１３２（Ａ）において、導電膜８５１
４を金属膜とし、第３の電極８５１３にＩＴＯを用いた場合、金属膜の酸化を防止するこ
とができ、反射率を高くすることができる。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第２６の構成について説明する。第２
６の構成は回路基板の断面図８５（Ｃ）を用いて説明する。基板８５００上に第２の電極
８５２２を有している。第２の電極８５２２は、スリットを有する領域と、プレート状の
領域とを有し、プレート状の領域には凹凸を有する。そして、第２の電極８５２２が反射
性を有し、本構成は半透過型液晶表示パネルである。また、第２の電極８５２２及び基板
８５００上に絶縁膜８５２３を有する。第２の電極８５２２のプレート状の領域（反射領
域）の上側であって絶縁膜８５２３上に絶縁膜８５２４を有している。つまり、第２の電
極８５２２のスリットを有する領域（透過領域）の上側であって絶縁膜８５２３上には絶
縁膜８５２４は開口部が形成されている。また、ブランチの一部が絶縁膜８５２３上に直
接接し、且つブランチの一部が絶縁膜８５２４上に直接接する第１の電極８５２１を有す
る。よって、透過領域でのセルギャップを反射領域のセルギャップより厚くすることがで
きる。
６の構成は回路基板の断面図８５（Ｃ）を用いて説明する。基板８５００上に第２の電極
８５２２を有している。第２の電極８５２２は、スリットを有する領域と、プレート状の
領域とを有し、プレート状の領域には凹凸を有する。そして、第２の電極８５２２が反射
性を有し、本構成は半透過型液晶表示パネルである。また、第２の電極８５２２及び基板
８５００上に絶縁膜８５２３を有する。第２の電極８５２２のプレート状の領域（反射領
域）の上側であって絶縁膜８５２３上に絶縁膜８５２４を有している。つまり、第２の電
極８５２２のスリットを有する領域（透過領域）の上側であって絶縁膜８５２３上には絶
縁膜８５２４は開口部が形成されている。また、ブランチの一部が絶縁膜８５２３上に直
接接し、且つブランチの一部が絶縁膜８５２４上に直接接する第１の電極８５２１を有す
る。よって、透過領域でのセルギャップを反射領域のセルギャップより厚くすることがで
きる。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第２７の構成について説明する。第２
７の構成は回路基板の断面図８６（Ａ）を用いて説明する。第２７の構成は第２４の構成
において、第２の電極８５０２上に突起物８６０１を形成し、第２の電極８５０２及び突
起物８６０１上に反射性の導電膜８６０２を形成することにより、凹凸を有する導電膜８
５０３の代わりに、突起物８６０１により形成される凹凸を有する導電膜８６０２を適用
した構成である。そして、第２の電極８５０２が透光性を有し、本構成は半透過型液晶表
示パネルである。
７の構成は回路基板の断面図８６（Ａ）を用いて説明する。第２７の構成は第２４の構成
において、第２の電極８５０２上に突起物８６０１を形成し、第２の電極８５０２及び突
起物８６０１上に反射性の導電膜８６０２を形成することにより、凹凸を有する導電膜８
５０３の代わりに、突起物８６０１により形成される凹凸を有する導電膜８６０２を適用
した構成である。そして、第２の電極８５０２が透光性を有し、本構成は半透過型液晶表
示パネルである。
このように突起物８６０１の形状を反映して導電膜８６０２の表面に凹凸形状が形成され
る。このような突起物８６０１を用いることで大きな凹凸の段差や凹凸の数の調整が容易
となる。
る。このような突起物８６０１を用いることで大きな凹凸の段差や凹凸の数の調整が容易
となる。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第２８の構成について説明する。第２
８の構成は回路基板の断面図８６（Ｂ）を用いて説明する。第２８の構成は第２５の構成
において、第３の電極８５１３上に突起物８６１１を形成し、第３の電極８５１３及び突
起物８６１１上に反射性の導電膜８６１２を形成することにより、凹凸を有する導電膜８
５１４の代わりに、突起物８６１１により形成される凹凸を有する導電膜８６１２を適用
した構成である。そして、第３の電極８５１３が透光性を有し、本構成は半透過型液晶表
示パネルである。
８の構成は回路基板の断面図８６（Ｂ）を用いて説明する。第２８の構成は第２５の構成
において、第３の電極８５１３上に突起物８６１１を形成し、第３の電極８５１３及び突
起物８６１１上に反射性の導電膜８６１２を形成することにより、凹凸を有する導電膜８
５１４の代わりに、突起物８６１１により形成される凹凸を有する導電膜８６１２を適用
した構成である。そして、第３の電極８５１３が透光性を有し、本構成は半透過型液晶表
示パネルである。
このように突起物８６１１の形状を反映して導電膜８６１２の表面に凹凸形状が形成され
る。このような突起物８６１１を用いることで大きな凹凸の段差や凹凸の数の調整が容易
となる。
る。このような突起物８６１１を用いることで大きな凹凸の段差や凹凸の数の調整が容易
となる。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第２９の構成について説明する。第２
９の構成は回路基板の断面図８６（Ｃ）を用いて説明する。第２９の構成は第２６の構成
において、基板８５００上に突起物８６２１を形成し、基板８５００及び突起物８６２１
上に反射性を有する第２の電極８６２２を形成することにより、凹凸を有する第２の電極
８５２２の代わりに、突起物８６２１により形成される凹凸を有する第２の電極８６２２
を適用した構成である。そして、第２の電極８６２２が反射性を有し、本構成は半透過型
液晶表示パネルである。
９の構成は回路基板の断面図８６（Ｃ）を用いて説明する。第２９の構成は第２６の構成
において、基板８５００上に突起物８６２１を形成し、基板８５００及び突起物８６２１
上に反射性を有する第２の電極８６２２を形成することにより、凹凸を有する第２の電極
８５２２の代わりに、突起物８６２１により形成される凹凸を有する第２の電極８６２２
を適用した構成である。そして、第２の電極８６２２が反射性を有し、本構成は半透過型
液晶表示パネルである。
このように突起物８６２１の形状を反映して第２の電極８６２２の表面に凹凸形状が形成
される。このような突起物８６２１を用いることで大きな凹凸の段差や凹凸の数の調整が
容易となる。
される。このような突起物８６２１を用いることで大きな凹凸の段差や凹凸の数の調整が
容易となる。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第３０の構成について説明する。第３
０の構成は回路基板の断面図８７（Ａ）を用いて説明する。第３０の構成は第２４の構成
において、凹凸を有する導電膜８５０３の代わりに、平坦な導電膜８７０２を適用し、絶
縁膜８５０５には散乱材として機能する粒子８７０１が含まれている。なお、図１３３（
Ａ）に示すように、基板８５００上に反射性の導電膜８７０２を設け、反射性の導電膜８
７０２の一部が第２の電極８５０２上に重なるように設けてもよい。第２の電極８５０２
にＩＴＯを用いた場合に図１３３（Ａ）の構成にすることで、膜切れを防止することがで
きる。また、図１３４（Ａ）に示すように、基板８５００上に反射性の導電膜８７０２を
設け、第２の電極８５０２の一部が反射性の導電膜８７０２上に重なるように設けてもよ
い。また、図１３５（Ａ）に示すように、基板８５００上に反射性を有する導電膜８７０
２を設け、導電膜８７０２上に覆うように第２の電極８５０２を設けても良い。図１３５
（Ａ）において、導電膜８７０２を金属膜とし、第２の電極８５０２にＩＴＯを用いた場
合、金属膜の酸化を防止することができ、反射率を高くすることができる。そして、第２
の電極８５０２が透光性を有し、本構成は半透過型液晶表示パネルである。
０の構成は回路基板の断面図８７（Ａ）を用いて説明する。第３０の構成は第２４の構成
において、凹凸を有する導電膜８５０３の代わりに、平坦な導電膜８７０２を適用し、絶
縁膜８５０５には散乱材として機能する粒子８７０１が含まれている。なお、図１３３（
Ａ）に示すように、基板８５００上に反射性の導電膜８７０２を設け、反射性の導電膜８
７０２の一部が第２の電極８５０２上に重なるように設けてもよい。第２の電極８５０２
にＩＴＯを用いた場合に図１３３（Ａ）の構成にすることで、膜切れを防止することがで
きる。また、図１３４（Ａ）に示すように、基板８５００上に反射性の導電膜８７０２を
設け、第２の電極８５０２の一部が反射性の導電膜８７０２上に重なるように設けてもよ
い。また、図１３５（Ａ）に示すように、基板８５００上に反射性を有する導電膜８７０
２を設け、導電膜８７０２上に覆うように第２の電極８５０２を設けても良い。図１３５
（Ａ）において、導電膜８７０２を金属膜とし、第２の電極８５０２にＩＴＯを用いた場
合、金属膜の酸化を防止することができ、反射率を高くすることができる。そして、第２
の電極８５０２が透光性を有し、本構成は半透過型液晶表示パネルである。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第３１の構成について説明する。第３
１の構成は回路基板の断面図８７（Ｂ）を用いて説明する。第３１の構成は第２５の構成
において、凹凸を有する導電膜８５１４の代わりに、平坦な導電膜８７１２を適用し、絶
縁膜８５１６には散乱材として機能する粒子８７１１が含まれている。なお、図１３３（
Ｂ）に示すように、基板８５００上に反射性の導電膜８７１２を設け、反射性の導電膜８
７１２の一部が第３の電極８５１３上に重なるように設けてもよい。第３の電極８５１３
にＩＴＯを用いた場合に図１３３（Ｂ）の構成にすることで、膜切れを防止することがで
きる。また、図１３４（Ｂ）に示すように、基板８５００上に反射性の導電膜８７１２を
設け、第３の電極８５１３の一部が反射性の導電膜８７１２上に重なるように設けてもよ
い。また、図１３５（Ｂ）に示すように、基板８５００上に反射性を有する導電膜８７１
２を設け、導電膜８７１２上に覆うように第３の電極８５１３を設けても良い。図１３５
（Ｂ）において、導電膜８７１２を金属膜とし、第３の電極８５１３にＩＴＯを用いた場
合、金属膜の酸化を防止することができ、反射率を高くすることができる。そして、第３
の電極８５１３が透光性を有し、本構成は半透過型液晶表示パネルである。
１の構成は回路基板の断面図８７（Ｂ）を用いて説明する。第３１の構成は第２５の構成
において、凹凸を有する導電膜８５１４の代わりに、平坦な導電膜８７１２を適用し、絶
縁膜８５１６には散乱材として機能する粒子８７１１が含まれている。なお、図１３３（
Ｂ）に示すように、基板８５００上に反射性の導電膜８７１２を設け、反射性の導電膜８
７１２の一部が第３の電極８５１３上に重なるように設けてもよい。第３の電極８５１３
にＩＴＯを用いた場合に図１３３（Ｂ）の構成にすることで、膜切れを防止することがで
きる。また、図１３４（Ｂ）に示すように、基板８５００上に反射性の導電膜８７１２を
設け、第３の電極８５１３の一部が反射性の導電膜８７１２上に重なるように設けてもよ
い。また、図１３５（Ｂ）に示すように、基板８５００上に反射性を有する導電膜８７１
２を設け、導電膜８７１２上に覆うように第３の電極８５１３を設けても良い。図１３５
（Ｂ）において、導電膜８７１２を金属膜とし、第３の電極８５１３にＩＴＯを用いた場
合、金属膜の酸化を防止することができ、反射率を高くすることができる。そして、第３
の電極８５１３が透光性を有し、本構成は半透過型液晶表示パネルである。
次に、本発明の第１の実施の形態に係る回路基板の第３２の構成について説明する。第３
２の構成は回路基板の断面図８７（Ｃ）を用いて説明する。第３２の構成は第２６の構成
において、凹凸を有する第２の電極８５２２の代わりに、平坦な第２の電極８７２２を適
用し、絶縁膜８５２４には散乱材として機能する粒子８７２１が含まれている。そして、
第２の電極８７２２が反射性を有し、本構成は半透過型液晶表示パネルである。
２の構成は回路基板の断面図８７（Ｃ）を用いて説明する。第３２の構成は第２６の構成
において、凹凸を有する第２の電極８５２２の代わりに、平坦な第２の電極８７２２を適
用し、絶縁膜８５２４には散乱材として機能する粒子８７２１が含まれている。そして、
第２の電極８７２２が反射性を有し、本構成は半透過型液晶表示パネルである。
このように、本発明の第１の実施形態に係る液晶表示パネルには様々な構成の回路基板を
適用することができる。
適用することができる。
また、上述したような回路基板と対向基板とを貼り合わせた場合の液晶表示パネルの主要
な構成を以下に示す。
な構成を以下に示す。
図８８に示す液晶表示パネルの回路基板の構成について説明する。基板８８００上に第１
の電極８８０１及び第２の電極８８０２を有する。第１の電極８８０１及び第２の電極８
８０２は一方が液晶素子の画素電極で他方が共通電極である。そして、第１電極８８０１
又は第２の電極８８０２は基板８８００上に形成されたトランジスタの半導体層と同一工
程により形成されている。
の電極８８０１及び第２の電極８８０２を有する。第１の電極８８０１及び第２の電極８
８０２は一方が液晶素子の画素電極で他方が共通電極である。そして、第１電極８８０１
又は第２の電極８８０２は基板８８００上に形成されたトランジスタの半導体層と同一工
程により形成されている。
第１の電極８８０１及び第２の電極８８０２上に配向膜８８０３が形成されている。そし
て、基板８８００の第１電極８８０１及び第２の電極８８０２が形成されていない面には
位相差板８８０４とさらに外側に偏光板が設けられている。
て、基板８８００の第１電極８８０１及び第２の電極８８０２が形成されていない面には
位相差板８８０４とさらに外側に偏光板が設けられている。
次に図８８に示す液晶表示パネルの対向基板の構成について説明する。基板８８０７の一
方の面には、遮光膜８８０９及びカラーフィルター（赤のカラーフィルター８８０８Ｒ、
緑のカラーフィルター８８０８Ｇ及び青のカラーフィルター８８０８Ｂ）が形成され、そ
の外側に配向膜８８１０が設けられている。また、基板８８０７の他方の面には位相差板
８８１１及び偏光板８８１２が設けられている。
方の面には、遮光膜８８０９及びカラーフィルター（赤のカラーフィルター８８０８Ｒ、
緑のカラーフィルター８８０８Ｇ及び青のカラーフィルター８８０８Ｂ）が形成され、そ
の外側に配向膜８８１０が設けられている。また、基板８８０７の他方の面には位相差板
８８１１及び偏光板８８１２が設けられている。
なお、回路基板に形成された絶縁膜としてやその一部にカラーフィルター及び遮光層（ブ
ラックマトリクス）又はこれらのいずれかが設けられていてもよい。回路基板にカラーフ
ィルターや遮光層を設けることにより、対向基板との位置合わせのマージンが向上する。
ラックマトリクス）又はこれらのいずれかが設けられていてもよい。回路基板にカラーフ
ィルターや遮光層を設けることにより、対向基板との位置合わせのマージンが向上する。
図８８に示す液晶表示パネルは、回路基板の配向膜８８０３の形成された面と、対向基板
の配向膜８８１０の形成された面とが内側として張り合わされ、その間には液晶層８８０
６を有する。
の配向膜８８１０の形成された面とが内側として張り合わされ、その間には液晶層８８０
６を有する。
なお、図８９に示す液晶表示パネルのように、図８８の構成において、回路基板の第１の
電極８８０１及び第２の電極８８０２上に平坦化膜として機能する絶縁膜８９０１を形成
してもよい。また、対向基板の遮光膜８８０９及びカラーフィルターの外側に平坦化膜と
して機能する絶縁膜８９０２を設けてもよい。
電極８８０１及び第２の電極８８０２上に平坦化膜として機能する絶縁膜８９０１を形成
してもよい。また、対向基板の遮光膜８８０９及びカラーフィルターの外側に平坦化膜と
して機能する絶縁膜８９０２を設けてもよい。
また、第１の電極８８０１及び第２の電極８８０２はもちろん基板８８００上に直接接し
て形成されていなくてもよく、図９０に示すように基板８８００上に形成された絶縁膜９
００１上に第１の電極８８０１及び第２の電極８８０２が形成されていてもよい。
て形成されていなくてもよく、図９０に示すように基板８８００上に形成された絶縁膜９
００１上に第１の電極８８０１及び第２の電極８８０２が形成されていてもよい。
また、図９１に示すように、対向基板の遮光膜８８０９及びカラーフィルターの外側に透
光性を有する導電膜９１０１を形成してもよい。こうすることにより、静電気防止や、残
像除去を図ることができる。
光性を有する導電膜９１０１を形成してもよい。こうすることにより、静電気防止や、残
像除去を図ることができる。
（実施の形態２）
本発明の第２の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第２の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第２の実施形態に係る液晶表示パネルは、第１の基板上に第１の絶縁膜を有し、
第１の絶縁膜上にトランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極及び第２の電極と、
を有し、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極及び第２の電極と、を覆うよ
うに第２の絶縁膜を有し、トランジスタの半導体層上に第２の絶縁膜を介してゲート電極
を有し、ゲート電極及び第２の絶縁膜を覆うように第３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜及
び第２の絶縁膜には孔（コンタクトホール）が設けられ、第３の絶縁膜上に形成された配
線が孔を介してトランジスタの半導体層と接続されている。そして第１の基板は、トラン
ジスタを有する面を内側にして、第２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２
の基板との間には液晶層を有している。
第１の絶縁膜上にトランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極及び第２の電極と、
を有し、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極及び第２の電極と、を覆うよ
うに第２の絶縁膜を有し、トランジスタの半導体層上に第２の絶縁膜を介してゲート電極
を有し、ゲート電極及び第２の絶縁膜を覆うように第３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜及
び第２の絶縁膜には孔（コンタクトホール）が設けられ、第３の絶縁膜上に形成された配
線が孔を介してトランジスタの半導体層と接続されている。そして第１の基板は、トラン
ジスタを有する面を内側にして、第２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２
の基板との間には液晶層を有している。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極及び液晶素子の第２の電極と、
は同層の膜である。
は同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極及び液晶素子の第２の電極はスリットを有する電極又は櫛形
電極である。
電極である。
図１は、本発明の第２の実施形態に係る液晶表示パネルの一構成例を説明する為の断面図
である。
である。
図１は画素の断面を詳しく説明するため一画素の一部分を示している。
基板１００上には、基板１００から不純物が拡散することを防止するために、下地絶縁膜
（第１の絶縁膜１０１）が形成されている。基板１００としてはガラス基板、石英基板、
プラスチック基板、セラミックス基板等の絶縁性基板、金属基板、半導体基板等を用いる
ことができる。第１の絶縁膜１０１はＣＶＤ法やスパッタ法により形成することができる
。例えばＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３を原料に用いたＣＶＤ法により形成した酸化珪素膜、
窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜等を適用することができる。また、これらの積層を用いても
良い。なお、第１の絶縁膜１０１は基板１００から不純物が半導体層に拡散することを防
ぐために設けるものであり、基板１００にガラス基板や石英基板を用いている場合には第
１の絶縁膜１０１は設けなくてもよい。
（第１の絶縁膜１０１）が形成されている。基板１００としてはガラス基板、石英基板、
プラスチック基板、セラミックス基板等の絶縁性基板、金属基板、半導体基板等を用いる
ことができる。第１の絶縁膜１０１はＣＶＤ法やスパッタ法により形成することができる
。例えばＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３を原料に用いたＣＶＤ法により形成した酸化珪素膜、
窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜等を適用することができる。また、これらの積層を用いても
良い。なお、第１の絶縁膜１０１は基板１００から不純物が半導体層に拡散することを防
ぐために設けるものであり、基板１００にガラス基板や石英基板を用いている場合には第
１の絶縁膜１０１は設けなくてもよい。
第１の絶縁膜１０１上には、トランジスタ１１１の半導体層（チャネル形成領域１０２ａ
、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ）並びに液晶分子の
分子配列を制御する画素電極（第１の電極１０２ｅ）及び共通電極（第２の電極１０２ｆ
）が形成されている。チャネル形成領域１０２ａ、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０
２ｃ、不純物領域１０２ｄ、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆは、非単結晶半
導体膜（例えばポリシリコン膜）であり、同一工程により形成される。
、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ）並びに液晶分子の
分子配列を制御する画素電極（第１の電極１０２ｅ）及び共通電極（第２の電極１０２ｆ
）が形成されている。チャネル形成領域１０２ａ、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０
２ｃ、不純物領域１０２ｄ、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆは、非単結晶半
導体膜（例えばポリシリコン膜）であり、同一工程により形成される。
トランジスタ１１１がｎ型のトランジスタの場合には、不純物領域１０２ｂ、不純物領域
１０２ｃ及び１０２ｄには、リンやヒ素などの不純物元素が導入され、トランジスタ１１
１がｐ型のトランジスタの場合には、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純
物領域１０２ｄには、ボロンなどの不純物元素が導入されている。
１０２ｃ及び１０２ｄには、リンやヒ素などの不純物元素が導入され、トランジスタ１１
１がｐ型のトランジスタの場合には、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純
物領域１０２ｄには、ボロンなどの不純物元素が導入されている。
また、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆにも不純物領域１０２ｂ、不純物領域
１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄに導入されている不純物元素が導入されていてもよい。
第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆは不純物が導入されることにより抵抗が下が
り、電極として好ましい。
１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄに導入されている不純物元素が導入されていてもよい。
第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆは不純物が導入されることにより抵抗が下が
り、電極として好ましい。
第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆは、膜厚が例えば４５ｎｍ以上６０ｎｍ以下
であり、光の透過率は十分高い。ただし、光の透過率を更に下げる場合には、第１の電極
１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆの膜厚を４０ｎｍ以下にすることが望ましい。
であり、光の透過率は十分高い。ただし、光の透過率を更に下げる場合には、第１の電極
１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆの膜厚を４０ｎｍ以下にすることが望ましい。
トランジスタ１１１の半導体層（チャネル形成領域１０２ａ、不純物領域１０２ｂ、不純
物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ）並びに液晶分子の分子配列を制御する第１の電
極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆを同一工程により形成することにより、工程数を削減
できるため、製造コストを低減することができる。また、不純物領域１０２ｂ、不純物領
域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ並びに第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆに
は、同じ種類の不純物元素が導入されることが望ましい。同じ種類の不純物元素を導入す
る場合、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ並びに第１の
電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆを互いに近接して配置しても、問題なく不純物元素
を導入することができるため、より密なレイアウトを構成することができる。ｐ型又はｎ
型どちらか一方のみの不純物元素を導入することにより、異なる種類の不純物元素を導入
する場合と比較して低コストで製造できるため望ましい。
物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ）並びに液晶分子の分子配列を制御する第１の電
極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆを同一工程により形成することにより、工程数を削減
できるため、製造コストを低減することができる。また、不純物領域１０２ｂ、不純物領
域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ並びに第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆに
は、同じ種類の不純物元素が導入されることが望ましい。同じ種類の不純物元素を導入す
る場合、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ並びに第１の
電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆを互いに近接して配置しても、問題なく不純物元素
を導入することができるため、より密なレイアウトを構成することができる。ｐ型又はｎ
型どちらか一方のみの不純物元素を導入することにより、異なる種類の不純物元素を導入
する場合と比較して低コストで製造できるため望ましい。
トランジスタ１１１の半導体層、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆ上には、
ゲート絶縁膜（第２の絶縁膜１０３）が形成されている。図１ではトランジスタ１１１の
半導体層、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆを覆うように第２の絶縁膜１０３
が形成されているが、これに限定されず、トランジスタ１１１の半導体層上に第２の絶縁
膜１０３が形成されていればよい。第２の絶縁膜１０３としてはＣＶＤ法やスパッタ法に
より形成される酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜等を用いることができる。
ゲート絶縁膜（第２の絶縁膜１０３）が形成されている。図１ではトランジスタ１１１の
半導体層、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆを覆うように第２の絶縁膜１０３
が形成されているが、これに限定されず、トランジスタ１１１の半導体層上に第２の絶縁
膜１０３が形成されていればよい。第２の絶縁膜１０３としてはＣＶＤ法やスパッタ法に
より形成される酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜等を用いることができる。
トランジスタ１１１のチャネル形成領域１０２ａ上に第２の絶縁膜１０３を介して２本の
ゲート電極１０４が形成されている。ゲート電極１０４としてはアルミニウム（Ａｌ）膜
、銅（Ｃｕ）膜、アルミニウム又は銅を主成分とする薄膜、クロム（Ｃｒ）膜、タンタル
（Ｔａ）膜、窒化タンタル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（
Ｍｏ）膜等を用いることができる。
ゲート電極１０４が形成されている。ゲート電極１０４としてはアルミニウム（Ａｌ）膜
、銅（Ｃｕ）膜、アルミニウム又は銅を主成分とする薄膜、クロム（Ｃｒ）膜、タンタル
（Ｔａ）膜、窒化タンタル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（
Ｍｏ）膜等を用いることができる。
第２の絶縁膜１０３及びゲート電極１０４上には、層間絶縁膜（第３の絶縁膜１０５）が
形成されている。第３の絶縁膜１０５としては、積層構造が好ましい。例えば、保護膜及
び平坦化膜がこの順に形成されているとよい。保護膜には、無機絶縁膜が適している。無
機絶縁膜としては、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜の単膜又はこれらを積層し
た膜を用いることができる。平坦化膜には、樹脂膜が適している。樹脂膜としては、ポリ
イミド、ポリアミド、アクリル、ポリイミドアミド、エポキシなどを用いることができる
。
形成されている。第３の絶縁膜１０５としては、積層構造が好ましい。例えば、保護膜及
び平坦化膜がこの順に形成されているとよい。保護膜には、無機絶縁膜が適している。無
機絶縁膜としては、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜の単膜又はこれらを積層し
た膜を用いることができる。平坦化膜には、樹脂膜が適している。樹脂膜としては、ポリ
イミド、ポリアミド、アクリル、ポリイミドアミド、エポキシなどを用いることができる
。
第３の絶縁膜１０５上には信号線（配線１０６）が形成されている。配線１０６は第３の
絶縁膜１０５に形成された孔（コンタクトホール）を介して不純物領域１０２ｃと接続さ
れている。配線１０６としては、チタン（Ｔｉ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ
）膜又はＴｉを含むアルミニウム膜などを用いることができる。好ましくは、低抵抗な銅
を用いるとよい。
絶縁膜１０５に形成された孔（コンタクトホール）を介して不純物領域１０２ｃと接続さ
れている。配線１０６としては、チタン（Ｔｉ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ
）膜又はＴｉを含むアルミニウム膜などを用いることができる。好ましくは、低抵抗な銅
を用いるとよい。
配線１０６及び第３の絶縁膜１０５上には第１の配向膜１０７が形成されている。そし
て、第１の配向膜１０７上には液晶層１０８、第２の配向膜１０９及び基板１１０が配置
されている。つまり、第１の配向膜１０７と第２の配向膜１０９とで液晶層１０８が挟ま
れた構造となっている。つまり、第２の配向膜１０９は基板１１０に形成され、基板１１
０は第２の配向膜１０９が形成された面を内側とし、基板１００は第１の配向膜１０７が
形成された面を内側とし、基板１００と基板１１０が張り合わされている。そして、第１
の配向膜１０７と第２の配向膜１０９との間に液晶層１０８が注入されている。
て、第１の配向膜１０７上には液晶層１０８、第２の配向膜１０９及び基板１１０が配置
されている。つまり、第１の配向膜１０７と第２の配向膜１０９とで液晶層１０８が挟ま
れた構造となっている。つまり、第２の配向膜１０９は基板１１０に形成され、基板１１
０は第２の配向膜１０９が形成された面を内側とし、基板１００は第１の配向膜１０７が
形成された面を内側とし、基板１００と基板１１０が張り合わされている。そして、第１
の配向膜１０７と第２の配向膜１０９との間に液晶層１０８が注入されている。
（実施の形態３）
本発明の第３の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第３の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第３の実施形態に係る液晶表示パネルは、第１の基板上に液晶素子の第２の電極
を有し、液晶素子の第２の電極を覆うように第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜上にトラ
ンジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導体層と、
液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、トランジスタの半導体層上
に第２の絶縁膜を介してゲート電極を有し、ゲート電極及び第２の絶縁膜を覆うように第
３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜及び第２の絶縁膜には孔（コンタクトホール）が設けら
れ、第３の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導体層と接続されて
いる。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第２の基板と張り合
わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有している。
を有し、液晶素子の第２の電極を覆うように第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜上にトラ
ンジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導体層と、
液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、トランジスタの半導体層上
に第２の絶縁膜を介してゲート電極を有し、ゲート電極及び第２の絶縁膜を覆うように第
３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜及び第２の絶縁膜には孔（コンタクトホール）が設けら
れ、第３の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導体層と接続されて
いる。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第２の基板と張り合
わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有している。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、は同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極はスリットを有する電極又は櫛形電極であり、液晶素子の第
２の電極はプレート状電極である。
２の電極はプレート状電極である。
図３は、本発明の第３の実施形態に係る液晶表示パネルの一構成例を説明する為の断面図
である。
である。
図３は画素構成を詳しく説明するため一画素の一部分を示している。なお、実施形態２で
図１を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、第２の電極１０２ｆの
代わりに第２の電極３０１が設けられているところである。
図１を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、第２の電極１０２ｆの
代わりに第２の電極３０１が設けられているところである。
図１の共通電極（第２の電極１０２ｆ）には画素電極（第１の電極１０２ｅ）と同一工程
により形成した膜を用いている。ところが、図３の共通電極（第２の電極３０１）は基板
１００上であって、第１の絶縁膜１０１下に形成されている。
により形成した膜を用いている。ところが、図３の共通電極（第２の電極３０１）は基板
１００上であって、第１の絶縁膜１０１下に形成されている。
第２の電極３０１としては、反射性を有する導電膜でもいいし、透光性を有する導電膜で
もよい。反射性を有する導電膜としては、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜、アル
ミニウム又は銅を主成分とする薄膜、クロム（Ｃｒ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、窒化タン
タル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜等の金属膜が
挙げられる。透光性を有する導電膜としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜、インジ
ウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）膜、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）膜 、酸化スズカドミウム（ＣＴＯ）膜などの透明導電膜が挙げられる。
本発明の第３の実施形態に係る液晶表示パネルは、第２の電極３０１が反射性を有する導
電膜の場合には、反射型液晶表示パネルであり、第２の電極３０１が透光性を有する導電
膜の場合には、透過型液晶表示パネルである。
もよい。反射性を有する導電膜としては、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜、アル
ミニウム又は銅を主成分とする薄膜、クロム（Ｃｒ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、窒化タン
タル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜等の金属膜が
挙げられる。透光性を有する導電膜としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜、インジ
ウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）膜、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）膜 、酸化スズカドミウム（ＣＴＯ）膜などの透明導電膜が挙げられる。
本発明の第３の実施形態に係る液晶表示パネルは、第２の電極３０１が反射性を有する導
電膜の場合には、反射型液晶表示パネルであり、第２の電極３０１が透光性を有する導電
膜の場合には、透過型液晶表示パネルである。
（実施の形態４）
本発明の第４の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第４の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第４の実施形態に係る液晶表示パネルは、第１の基板上に液晶素子の第２の電極
を有し、液晶素子の第２の電極上に液晶素子の第２の電極よりも面積の小さい反射性の導
電膜を有し、液晶素子の第２の電極及び導電膜を覆うように第１の絶縁膜を有し、第１の
絶縁膜上にトランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタ
の半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、トランジス
タの半導体層上に第２の絶縁膜を介してゲート電極を有し、ゲート電極及び第２の絶縁膜
を覆うように第３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜及び第２の絶縁膜には孔（コンタクトホ
ール）が設けられ、第３の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導体
層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第２
の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有している
。
を有し、液晶素子の第２の電極上に液晶素子の第２の電極よりも面積の小さい反射性の導
電膜を有し、液晶素子の第２の電極及び導電膜を覆うように第１の絶縁膜を有し、第１の
絶縁膜上にトランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタ
の半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、トランジス
タの半導体層上に第２の絶縁膜を介してゲート電極を有し、ゲート電極及び第２の絶縁膜
を覆うように第３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜及び第２の絶縁膜には孔（コンタクトホ
ール）が設けられ、第３の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導体
層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第２
の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有している
。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、は同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極はスリットを有する電極又は櫛形電極であり、液晶素子の第
２の電極はプレート状電極である。
２の電極はプレート状電極である。
図４は、本発明の第４の実施形態に係る液晶表示パネルの一構成例を説明する為の断面図
である。
である。
図４は画素構成を詳しく説明するため一画素の一部分を示している。なお、実施形態３で
図３を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、第２の電極３０１上に
導電膜４０１が接して設けられているところである。本発明の第４の実施の形態に係る液
晶表示パネルでは第２の電極３０１及び導電膜４０１が共通電極として機能する。
図３を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、第２の電極３０１上に
導電膜４０１が接して設けられているところである。本発明の第４の実施の形態に係る液
晶表示パネルでは第２の電極３０１及び導電膜４０１が共通電極として機能する。
本発明の第４の実施形態に係る液晶表示パネルでは、第２の電極３０１は透光性を有する
導電膜が好ましい。透光性を有する導電膜としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜、
インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）膜
、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜、酸化スズカドミウム（ＣＴＯ）膜などの透明導電膜が挙げられ
る。導電膜４０１は反射性を有する導電膜が好ましい。反射性を有する導電膜としては、
アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜、アルミニウム又は銅を主成分とする薄膜、クロ
ム（Ｃｒ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、窒化タンタル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン
（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜等の金属膜が挙げられる。
導電膜が好ましい。透光性を有する導電膜としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜、
インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）膜
、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜、酸化スズカドミウム（ＣＴＯ）膜などの透明導電膜が挙げられ
る。導電膜４０１は反射性を有する導電膜が好ましい。反射性を有する導電膜としては、
アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜、アルミニウム又は銅を主成分とする薄膜、クロ
ム（Ｃｒ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、窒化タンタル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン
（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜等の金属膜が挙げられる。
本発明の第４の実施形態に係る液晶表示パネルは、半透過型液晶表示パネルに好適である
。
。
（実施の形態５）
本発明の第５の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第５の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第５の実施形態に係る液晶表示パネルは、第１の基板上に液晶素子の第２の電極
を有し、液晶素子の第２の電極を覆うように第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜上にトラ
ンジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導体層と、
液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、トランジスタの半導体層上
に第２の絶縁膜を介してゲート電極を有し、ゲート電極及び第２の絶縁膜を覆うように第
３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜及び第２の絶縁膜には孔（コンタクトホール）が設けら
れ、第３の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導体層と接続されて
いる。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第２の基板と張り合
わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有している。
を有し、液晶素子の第２の電極を覆うように第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜上にトラ
ンジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導体層と、
液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、トランジスタの半導体層上
に第２の絶縁膜を介してゲート電極を有し、ゲート電極及び第２の絶縁膜を覆うように第
３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜及び第２の絶縁膜には孔（コンタクトホール）が設けら
れ、第３の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導体層と接続されて
いる。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第２の基板と張り合
わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有している。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、は同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極及び液晶素子の第２の電極は、スリットを有する電極又は櫛
形電極であり、ブランチ部分が互い違いに配置されている。
形電極であり、ブランチ部分が互い違いに配置されている。
図５は、本発明の第５の実施形態に係る液晶表示パネルの一構成例を説明する為の断面図
である。
である。
図５は画素構成を詳しく説明するため一画素の一部分を示している。なお、実施形態２で
図１を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、第２の電極１０２ｆの
代わりに第２の電極５０１が設けられているところである。
図１を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、第２の電極１０２ｆの
代わりに第２の電極５０１が設けられているところである。
図１の共通電極（第２の電極１０２ｆ）には画素電極（第１の電極１０２ｅ）と同一工程
により形成した膜を用いている。ところが、図５の共通電極（第２の電極５０１）は基板
１００上であって、第１の絶縁膜１０１下に形成されている。
により形成した膜を用いている。ところが、図５の共通電極（第２の電極５０１）は基板
１００上であって、第１の絶縁膜１０１下に形成されている。
第２の電極５０１としては、反射性を有する導電膜でもいいし、透光性を有する導電膜で
もよい。反射性を有する導電膜としては、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜、アル
ミニウム又は銅を主成分とする薄膜、クロム（Ｃｒ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、窒化タン
タル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜等の金属膜が
挙げられる。透光性を有する導電膜としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜、インジ
ウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）膜、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）膜 、酸化スズカドミウム（ＣＴＯ）膜などの透明導電膜が挙げられる。
本発明の第３の実施形態に係る液晶表示パネルは、反射型液晶表示パネルでも透過型液晶
表示パネルでもよく、第２の電極３０１が反射性を有する導電膜の場合には、反射型液晶
表示パネルが好適であり、第２の電極３０１が透光性を有する導電膜の場合には、透過型
液晶表示パネルが好適である。
もよい。反射性を有する導電膜としては、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜、アル
ミニウム又は銅を主成分とする薄膜、クロム（Ｃｒ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、窒化タン
タル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜等の金属膜が
挙げられる。透光性を有する導電膜としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜、インジ
ウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）膜、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）膜 、酸化スズカドミウム（ＣＴＯ）膜などの透明導電膜が挙げられる。
本発明の第３の実施形態に係る液晶表示パネルは、反射型液晶表示パネルでも透過型液晶
表示パネルでもよく、第２の電極３０１が反射性を有する導電膜の場合には、反射型液晶
表示パネルが好適であり、第２の電極３０１が透光性を有する導電膜の場合には、透過型
液晶表示パネルが好適である。
（実施の形態６）
実施の形態２乃至５では、基板上に形成されたトランジスタにおいて、トランジスタの半
導体層上にゲート電極を有する、いわゆるトップゲート構造のトランジスタを有する液晶
表示パネルの構成について示した。本実施の形態においては、基板上に形成されたトラン
ジスタにおいて、トランジスタの半導体層下にゲート電極を有するいわゆるボトムゲート
構造のトランジスタを有する液晶表示パネルの構成について示す。
実施の形態２乃至５では、基板上に形成されたトランジスタにおいて、トランジスタの半
導体層上にゲート電極を有する、いわゆるトップゲート構造のトランジスタを有する液晶
表示パネルの構成について示した。本実施の形態においては、基板上に形成されたトラン
ジスタにおいて、トランジスタの半導体層下にゲート電極を有するいわゆるボトムゲート
構造のトランジスタを有する液晶表示パネルの構成について示す。
本発明の第６の実施形態に係る液晶表示パネルは、第１の基板上にゲート電極を有し、ゲ
ート電極を覆うように第１の絶縁膜を有し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を介してトラン
ジスタの半導体層と、基板上に第１の絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極及び液晶素子
の第２の電極と、を有し、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極及び液晶素
子の第２の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜には孔（コンタクト
ホール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導
体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第
２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有してい
る。
ート電極を覆うように第１の絶縁膜を有し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を介してトラン
ジスタの半導体層と、基板上に第１の絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極及び液晶素子
の第２の電極と、を有し、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極及び液晶素
子の第２の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜には孔（コンタクト
ホール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導
体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第
２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有してい
る。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極及び液晶素子の第２の電極と、
は同層の膜である。
は同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極及び液晶素子の第２の電極は、スリットを有する電極又は櫛
形電極であり、ブランチ部分が互い違いに配置されている。
形電極であり、ブランチ部分が互い違いに配置されている。
図２は、本発明の第３の実施形態に係る液晶表示パネルの一構成例を説明する為の断面図
である。
である。
図２は画素構成を詳しく説明するため一画素の一部分を示している。
基板２００上には、２本のゲート電極２０１が形成されている。基板２００としてはガラ
ス基板、石英基板、プラスチック基板、セラミックス基板等の絶縁性基板、金属基板、半
導体基板等を用いることができる。ゲート電極２０１としてはアルミニウム（Ａｌ）膜、
銅（Ｃｕ）膜、アルミニウム又は銅を主成分とする薄膜、クロム（Ｃｒ）膜、タンタル（
Ｔａ）膜、窒化タンタル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍ
ｏ）膜等を用いることができる。
ス基板、石英基板、プラスチック基板、セラミックス基板等の絶縁性基板、金属基板、半
導体基板等を用いることができる。ゲート電極２０１としてはアルミニウム（Ａｌ）膜、
銅（Ｃｕ）膜、アルミニウム又は銅を主成分とする薄膜、クロム（Ｃｒ）膜、タンタル（
Ｔａ）膜、窒化タンタル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍ
ｏ）膜等を用いることができる。
ゲート電極２０１を覆うようにゲート絶縁膜（第１の絶縁膜２０２）が形成されている。
第１の絶縁膜２０２としてはＣＶＤ法やスパッタ法により形成される酸化珪素膜、窒化珪
素膜、酸化窒化珪素膜等を用いることができる。
第１の絶縁膜２０２としてはＣＶＤ法やスパッタ法により形成される酸化珪素膜、窒化珪
素膜、酸化窒化珪素膜等を用いることができる。
第１の絶縁膜２０２上には、トランジスタ２１０の半導体層（チャネル形成領域２０３ａ
、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ）並びに液晶分子の
分子配列を制御する第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆが形成されている。チャ
ネル形成領域２０３ａ、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ、不純物領域２０３ｄ
、第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆは、非単結晶半導体膜（例えばポリシリコ
ン膜）であり、同一工程により形成される。
、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ）並びに液晶分子の
分子配列を制御する第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆが形成されている。チャ
ネル形成領域２０３ａ、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ、不純物領域２０３ｄ
、第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆは、非単結晶半導体膜（例えばポリシリコ
ン膜）であり、同一工程により形成される。
トランジスタ２１０がｎ型のトランジスタの場合には、不純物領域２０３ｂ、不純物領域
２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄには、リンやヒ素などの不純物元素が導入され、トラン
ジスタ２１０がｐ型のトランジスタの場合には、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３
ｃ及び不純物領域２０３ｄには、ボロンなどの不純物元素が導入されている。
２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄには、リンやヒ素などの不純物元素が導入され、トラン
ジスタ２１０がｐ型のトランジスタの場合には、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３
ｃ及び不純物領域２０３ｄには、ボロンなどの不純物元素が導入されている。
また、第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆにも不純物領域２０３ｂ、不純物領域
２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄに導入されている不純物元素が導入されていてもよい。
第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆは不純物が導入されることにより抵抗が下が
り、電極として好ましい。
２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄに導入されている不純物元素が導入されていてもよい。
第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆは不純物が導入されることにより抵抗が下が
り、電極として好ましい。
第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆは、膜厚が例えば４５ｎｍ以上６０ｎｍ以下
であり、光の透過率は十分高い。ただし、光の透過率を更に下げる場合には、第１の電極
２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆの膜厚を４０ｎｍ以下にすることが望ましい。
であり、光の透過率は十分高い。ただし、光の透過率を更に下げる場合には、第１の電極
２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆの膜厚を４０ｎｍ以下にすることが望ましい。
トランジスタ２１０の半導体層（チャネル形成領域２０３ａ、不純物領域２０３ｂ、不純
物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ）並びに液晶分子の分子配列を制御する第１の電
極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆを同一工程により形成することにより、工程数を削減
できるため、製造コストを低減することができる。また、不純物領域２０３ｂ、不純物領
域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ並びに第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆに
は、同じ種類の不純物元素が導入されることが望ましい。同じ種類の不純物元素を導入す
る場合、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ並びに第１の
電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆを互いに近接して配置しても、問題なく不純物元素
を導入することができるため、より密なレイアウトを構成することができる。ｐ型又はｎ
型どちらか一方のみの不純物元素を導入することにより、異なる種類の不純物元素を導入
する場合と比較して低コストで製造できるため望ましい。
物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ）並びに液晶分子の分子配列を制御する第１の電
極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆを同一工程により形成することにより、工程数を削減
できるため、製造コストを低減することができる。また、不純物領域２０３ｂ、不純物領
域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ並びに第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆに
は、同じ種類の不純物元素が導入されることが望ましい。同じ種類の不純物元素を導入す
る場合、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ並びに第１の
電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆを互いに近接して配置しても、問題なく不純物元素
を導入することができるため、より密なレイアウトを構成することができる。ｐ型又はｎ
型どちらか一方のみの不純物元素を導入することにより、異なる種類の不純物元素を導入
する場合と比較して低コストで製造できるため望ましい。
第１の絶縁膜２０２及びトランジスタ２１０の半導体層（チャネル形成領域２０３ａ、不
純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ）並びに液晶分子の分子
配列を制御する第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆ上には、層間絶縁膜（第２の
絶縁膜２０４）が形成されている。第２の絶縁膜２０４としては、積層構造が好ましい。
例えば、保護膜及び平坦化膜がこの順に形成されているとよい。保護膜には、無機絶縁膜
が適している。無機絶縁膜としては、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜の単膜又
はこれらを積層した膜を用いることができる。平坦化膜には、樹脂膜が適している。樹脂
膜としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ポリイミドアミド、エポキシなどを用
いることができる。
純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ）並びに液晶分子の分子
配列を制御する第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆ上には、層間絶縁膜（第２の
絶縁膜２０４）が形成されている。第２の絶縁膜２０４としては、積層構造が好ましい。
例えば、保護膜及び平坦化膜がこの順に形成されているとよい。保護膜には、無機絶縁膜
が適している。無機絶縁膜としては、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜の単膜又
はこれらを積層した膜を用いることができる。平坦化膜には、樹脂膜が適している。樹脂
膜としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ポリイミドアミド、エポキシなどを用
いることができる。
第２の絶縁膜２０４上には信号線（配線２０５）が形成されている。配線２０５は第２の
絶縁膜２０４に形成された孔（コンタクトホール）を介して不純物領域２０３ｃと接続さ
れている。配線２０５としては、チタン（Ｔｉ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ
）膜又はＴｉを含むアルミニウム膜などを用いることができる。好ましくは、低抵抗な銅
を用いるとよい。
絶縁膜２０４に形成された孔（コンタクトホール）を介して不純物領域２０３ｃと接続さ
れている。配線２０５としては、チタン（Ｔｉ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ
）膜又はＴｉを含むアルミニウム膜などを用いることができる。好ましくは、低抵抗な銅
を用いるとよい。
配線２０５及び第２の絶縁膜２０４上には第１の配向膜２０６が形成されている。そし
て、第１の配向膜２０６上には液晶層２０７、第２の配向膜２０８及び基板２０９が配置
されている。つまり、第１の配向膜２０６と第２の配向膜２０８とで液晶層２０７が挟ま
れた構造となっている。つまり、第２の配向膜２０８は基板２０９に形成され、基板２０
９は第２の配向膜２０８が形成された面を内側とし、基板２００は第１の配向膜２０６が
形成された面を内側とし、基板２００と基板２０９が張り合わされている。そして、第１
の配向膜２０６と第２の配向膜２０８との間に液晶層２０７が注入されている。
て、第１の配向膜２０６上には液晶層２０７、第２の配向膜２０８及び基板２０９が配置
されている。つまり、第１の配向膜２０６と第２の配向膜２０８とで液晶層２０７が挟ま
れた構造となっている。つまり、第２の配向膜２０８は基板２０９に形成され、基板２０
９は第２の配向膜２０８が形成された面を内側とし、基板２００は第１の配向膜２０６が
形成された面を内側とし、基板２００と基板２０９が張り合わされている。そして、第１
の配向膜２０６と第２の配向膜２０８との間に液晶層２０７が注入されている。
（実施の形態７）
本発明の第７の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第７の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第７の実施形態に係る液晶表示パネルは、第１の基板上にゲート電極及び液晶素
子の第２の電極を有し、ゲート電極及び液晶素子の第２の電極を覆うように第１の絶縁膜
を有し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を介してトランジスタの半導体層と、液晶素子の第
２の電極上に第１の絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半
導体層と、液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜に
は孔（コンタクトホール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してト
ランジスタの半導体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面
を内側にして、第２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には
液晶層を有している。
子の第２の電極を有し、ゲート電極及び液晶素子の第２の電極を覆うように第１の絶縁膜
を有し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を介してトランジスタの半導体層と、液晶素子の第
２の電極上に第１の絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半
導体層と、液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜に
は孔（コンタクトホール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してト
ランジスタの半導体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面
を内側にして、第２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には
液晶層を有している。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、は同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極はスリットを有する電極又は櫛形電極であり、液晶素子の第
２の電極はプレート状電極である。
２の電極はプレート状電極である。
図６は、本発明の第７の実施形態に係る液晶表示パネルの一構成例を説明する為の断面図
である。
である。
図６は画素構成を詳しく説明するため一画素の一部分を示している。なお、実施形態６で
図２を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、第２の電極２０３ｆの
代わりに第２の電極６０１が設けられているところである。
図２を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、第２の電極２０３ｆの
代わりに第２の電極６０１が設けられているところである。
図２の共通電極（第２の電極２０３ｆ）には画素電極（第１の電極２０３ｅ）と同一工程
により形成した膜を用いている。ところが、図６の共通電極（第２の電極６０１）は基板
２００上であって、第１の絶縁膜２０２下に形成されている。
により形成した膜を用いている。ところが、図６の共通電極（第２の電極６０１）は基板
２００上であって、第１の絶縁膜２０２下に形成されている。
第２の電極６０１としては、反射性を有する導電膜でもいいし、透光性を有する導電膜で
もよい。反射性を有する導電膜としては、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜、アル
ミニウム又は銅を主成分とする薄膜、クロム（Ｃｒ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、窒化タン
タル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜等の金属膜が
挙げられる。透光性を有する導電膜としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜、インジ
ウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）膜、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）膜 、酸化スズカドミウム（ＣＴＯ）膜などの透明導電膜が挙げられる。
本発明の第７の実施形態に係る液晶表示パネルは、第２の電極６０１が反射性を有する導
電膜の場合には、反射型液晶表示パネルであり、第２の電極６０１が透光性を有する導電
膜の場合には、透過型液晶表示パネルである。
もよい。反射性を有する導電膜としては、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜、アル
ミニウム又は銅を主成分とする薄膜、クロム（Ｃｒ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、窒化タン
タル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜等の金属膜が
挙げられる。透光性を有する導電膜としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜、インジ
ウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）膜、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）膜 、酸化スズカドミウム（ＣＴＯ）膜などの透明導電膜が挙げられる。
本発明の第７の実施形態に係る液晶表示パネルは、第２の電極６０１が反射性を有する導
電膜の場合には、反射型液晶表示パネルであり、第２の電極６０１が透光性を有する導電
膜の場合には、透過型液晶表示パネルである。
（実施の形態８）
本発明の第８の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第８の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第８の実施形態に係る液晶表示パネルは、第１の基板上にゲート電極及び液晶素
子の第２の電極を有し、液晶素子の第２の電極上に液晶素子の第２の電極よりも面積の小
さい反射性の導電膜を有し、ゲート電極及び液晶素子の第２の電極及び導電膜を覆うよう
に第１の絶縁膜を有し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を介してトランジスタの半導体層と
、液晶素子の第２の電極上に第１の絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極と、を有し、ト
ランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、
第２の絶縁膜には孔（コンタクトホール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線
が孔を介してトランジスタの半導体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジ
スタを有する面を内側にして、第２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の
基板との間には液晶層を有している。
子の第２の電極を有し、液晶素子の第２の電極上に液晶素子の第２の電極よりも面積の小
さい反射性の導電膜を有し、ゲート電極及び液晶素子の第２の電極及び導電膜を覆うよう
に第１の絶縁膜を有し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を介してトランジスタの半導体層と
、液晶素子の第２の電極上に第１の絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極と、を有し、ト
ランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、
第２の絶縁膜には孔（コンタクトホール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線
が孔を介してトランジスタの半導体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジ
スタを有する面を内側にして、第２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の
基板との間には液晶層を有している。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、は同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極はスリットを有する電極又は櫛形電極であり、液晶素子の第
２の電極はプレート状電極である。
２の電極はプレート状電極である。
図７は、本発明の第８の実施形態に係る液晶表示パネルの一構成例を説明する為の断面図
である。
である。
図７は画素構成を詳しく説明するため一画素の一部分を示している。なお、実施形態７で
図６を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、第２の電極６０１上に
導電膜７０１が接して設けられているところである。本発明の第８の実施の形態に係る液
晶表示パネルでは第２の電極６０１及び導電膜７０１が共通電極として機能する。
図６を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、第２の電極６０１上に
導電膜７０１が接して設けられているところである。本発明の第８の実施の形態に係る液
晶表示パネルでは第２の電極６０１及び導電膜７０１が共通電極として機能する。
本発明の第８の実施形態に係る液晶表示パネルでは、第２の電極６０１は透光性を有する
導電膜が好ましい。透光性を有する導電膜としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜、
インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）膜
、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜 、酸化スズカドミウム（ＣＴＯ）膜などの透明導電膜が挙げら
れる。導電膜７０１は反射性を有する導電膜が好ましい。反射性を有する導電膜としては
、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜、アルミニウム又は銅を主成分とする薄膜、ク
ロム（Ｃｒ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、窒化タンタル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステ
ン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜等の金属膜が挙げられる。
導電膜が好ましい。透光性を有する導電膜としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜、
インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）膜
、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜 、酸化スズカドミウム（ＣＴＯ）膜などの透明導電膜が挙げら
れる。導電膜７０１は反射性を有する導電膜が好ましい。反射性を有する導電膜としては
、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜、アルミニウム又は銅を主成分とする薄膜、ク
ロム（Ｃｒ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、窒化タンタル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステ
ン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜等の金属膜が挙げられる。
本発明の第８の実施形態に係る液晶表示パネルは、半透過型液晶表示パネルに好適である
。
。
（実施の形態９）
本発明の第９の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第９の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第９の実施形態に係る液晶表示パネルでは、第２の電極６０１と導電膜７０１と
を１枚のマスクにより形成した場合の構成である。つまり、ハーフトーンやグレートーン
などと呼ばれるレジストの厚さを領域によって変えたマスクを用いて第２の電極６０１と
導電膜７０１とを形成する。その結果、製造工程を簡略化でき、マスク数（レチクル数）
を減らすことができる。
を１枚のマスクにより形成した場合の構成である。つまり、ハーフトーンやグレートーン
などと呼ばれるレジストの厚さを領域によって変えたマスクを用いて第２の電極６０１と
導電膜７０１とを形成する。その結果、製造工程を簡略化でき、マスク数（レチクル数）
を減らすことができる。
本発明の第９の実施形態に係る液晶表示パネルは、第１の基板上に第１の導電膜及び液晶
素子の第２の電極を有し、第１の導電膜上にゲート電極を有し、液晶素子の第２の電極上
に液晶素子の第２の電極よりも面積の小さい反射性の第２の導電膜を有し、ゲート電極及
び液晶素子の第２の電極及び第２の導電膜を覆うように第１の絶縁膜を有し、ゲート電極
上に第１の絶縁膜を介してトランジスタの半導体層と、液晶素子の第２の電極上に第１の
絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導体層と、液晶素子
の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜には孔（コンタクトホ
ール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導体
層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第２
の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有している
。
素子の第２の電極を有し、第１の導電膜上にゲート電極を有し、液晶素子の第２の電極上
に液晶素子の第２の電極よりも面積の小さい反射性の第２の導電膜を有し、ゲート電極及
び液晶素子の第２の電極及び第２の導電膜を覆うように第１の絶縁膜を有し、ゲート電極
上に第１の絶縁膜を介してトランジスタの半導体層と、液晶素子の第２の電極上に第１の
絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導体層と、液晶素子
の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜には孔（コンタクトホ
ール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導体
層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第２
の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有している
。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、は同層の膜である。
また、第１の導電膜と液晶素子の第２の電極と、は同層の膜であり、ゲート電極と第２の
導電膜とは同層の膜である。
導電膜とは同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極はスリットを有する電極又は櫛形電極であり、液晶素子の第
２の電極はプレート状電極である。
２の電極はプレート状電極である。
図８は、本発明の第９の実施形態に係る液晶表示パネルの一構成例を説明する為の断面図
である。
である。
図８は画素構成を詳しく説明するため一画素の一部分を示している。なお、実施形態８で
図７を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、ゲート電極２０１下に
導電膜８０１が接して設けられているところである。本発明の第９の実施の形態に係る液
晶表示パネルでは導電膜８０１もゲート電極２０１の一部として機能する。
図７を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、ゲート電極２０１下に
導電膜８０１が接して設けられているところである。本発明の第９の実施の形態に係る液
晶表示パネルでは導電膜８０１もゲート電極２０１の一部として機能する。
本発明の第９の実施形態に係る液晶表示パネルでは、第２の電極６０１及び導電膜８０１
を同一工程により形成し、導電膜７０１及びゲート電極２０１を同一工程により形成する
とよい。
を同一工程により形成し、導電膜７０１及びゲート電極２０１を同一工程により形成する
とよい。
そしてこれらの形成は、まず、第２の電極６０１及び導電膜８０１となる第１の導電膜を
形成し、その上にゲート電極２０１及び導電膜７０１となる第２の導電膜を形成する。そ
して、第２の導電膜上にレジスト膜を形成し、露光光が遮光される遮光部と、露光光が一
部通過する半透部と、を有する露光マスクを用いて、レジスト膜の露光を行う。そして、
現像を行い、二つの膜厚を有する第１のレジストパターンと、膜厚がほぼ一様な第２のレ
ジストパターンを形成する。第１の導電膜及び第２の導電膜を、第１のレジストパターン
及び第２のレジストパターンを用いてエッチングし、第１の導電膜及び第２の導電膜を第
１のレジストパターン及び第２のレジストパターンとほぼ同一のパターンに分離する。第
１のレジストパターン及び第２のレジストパターンをアッシング又はエッチングしてそれ
ぞれ第３のレジストパターン及び第４のレジストパターンを形成する。
形成し、その上にゲート電極２０１及び導電膜７０１となる第２の導電膜を形成する。そ
して、第２の導電膜上にレジスト膜を形成し、露光光が遮光される遮光部と、露光光が一
部通過する半透部と、を有する露光マスクを用いて、レジスト膜の露光を行う。そして、
現像を行い、二つの膜厚を有する第１のレジストパターンと、膜厚がほぼ一様な第２のレ
ジストパターンを形成する。第１の導電膜及び第２の導電膜を、第１のレジストパターン
及び第２のレジストパターンを用いてエッチングし、第１の導電膜及び第２の導電膜を第
１のレジストパターン及び第２のレジストパターンとほぼ同一のパターンに分離する。第
１のレジストパターン及び第２のレジストパターンをアッシング又はエッチングしてそれ
ぞれ第３のレジストパターン及び第４のレジストパターンを形成する。
分離後の第２の導電膜を、第３のレジストパターン及び第４のレジストパターンをマスク
として用いてエッチングする。すると、第３のレジストパターンを用いてエッチングした
第２の導電膜のパターンは、第１の導電膜のパターンより小さくなる。つまり、第３のレ
ジストパターンを用いてエッチングした第２の導電膜を導電膜７０１に用いることができ
る。
として用いてエッチングする。すると、第３のレジストパターンを用いてエッチングした
第２の導電膜のパターンは、第１の導電膜のパターンより小さくなる。つまり、第３のレ
ジストパターンを用いてエッチングした第２の導電膜を導電膜７０１に用いることができ
る。
（実施の形態１０）
本発明の第１０の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第１０の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第１０の実施形態に係る液晶表示パネルは、第１の基板上にゲート電極及び液晶
素子の第２の電極を有し、ゲート電極及び液晶素子の第２の電極を覆うように第１の絶縁
膜を有し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を介してトランジスタの半導体層と、液晶素子の
第２の電極上に第１の絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの
半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜
には孔（コンタクトホール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を介して
トランジスタの半導体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する
面を内側にして、第２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間に
は液晶層を有している。
素子の第２の電極を有し、ゲート電極及び液晶素子の第２の電極を覆うように第１の絶縁
膜を有し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を介してトランジスタの半導体層と、液晶素子の
第２の電極上に第１の絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの
半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜
には孔（コンタクトホール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を介して
トランジスタの半導体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する
面を内側にして、第２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間に
は液晶層を有している。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、は同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極及び液晶素子の第２の電極はスリットを有する電極又は櫛形
電極である。
電極である。
図９は、本発明の第１０の実施形態に係る液晶表示パネルの一構成例を説明する為の断面
図である。
図である。
図９は画素構成を詳しく説明するため一画素の一部分を示している。なお、実施形態６で
図２を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、第２の電極２０３ｆの
代わりに第２の電極９０１が設けられているところである。
図２を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、第２の電極２０３ｆの
代わりに第２の電極９０１が設けられているところである。
図１の共通電極（第２の電極１０２ｆ）には画素電極（第１の電極１０２ｅ）と同一工程
により形成した膜を用いている。ところが、図９の共通電極（第２の電極９０１）は基板
１００上であって、第１の絶縁膜２０２下に形成されている。
により形成した膜を用いている。ところが、図９の共通電極（第２の電極９０１）は基板
１００上であって、第１の絶縁膜２０２下に形成されている。
第２の電極９０１としては、反射性を有する導電膜でもいいし、透光性を有する導電膜で
もよい。反射性を有する導電膜としては、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜、アル
ミニウム又は銅を主成分とする薄膜、クロム（Ｃｒ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、窒化タン
タル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜等の金属膜が
挙げられる。透光性を有する導電膜としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜、インジ
ウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）膜、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）膜 、酸化スズカドミウム（ＣＴＯ）膜などの透明導電膜が挙げられる。
本発明の第１０の実施形態に係る液晶表示パネルは、反射型液晶表示パネルでも透過型液
晶表示パネルでもよく、第２の電極９０１が反射性を有する導電膜の場合には、反射型液
晶表示パネルが好適であり、第２の電極９０１が透光性を有する導電膜の場合には、透過
型液晶表示パネルが好適である。
もよい。反射性を有する導電膜としては、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜、アル
ミニウム又は銅を主成分とする薄膜、クロム（Ｃｒ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、窒化タン
タル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜等の金属膜が
挙げられる。透光性を有する導電膜としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）膜、インジ
ウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）膜、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）膜 、酸化スズカドミウム（ＣＴＯ）膜などの透明導電膜が挙げられる。
本発明の第１０の実施形態に係る液晶表示パネルは、反射型液晶表示パネルでも透過型液
晶表示パネルでもよく、第２の電極９０１が反射性を有する導電膜の場合には、反射型液
晶表示パネルが好適であり、第２の電極９０１が透光性を有する導電膜の場合には、透過
型液晶表示パネルが好適である。
（実施の形態１１）
本発明の第１１の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第１１の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本実施の形態では、液晶表示パネルに偏光板若しくは偏光膜を備えた場合の構成について
説明する。
説明する。
本発明の第２の実施形態に係る液晶表示パネルに偏光板を適用した本発明の第１１の実施
形態に係る液晶表示パネルの第１の構成は、第１の基板上に第１の絶縁膜を有し、第１の
絶縁膜上にトランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極及び第２の電極と、を有し
、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極及び第２の電極と、を覆うように第
２の絶縁膜を有し、トランジスタの半導体層上に第２の絶縁膜を介してゲート電極を有し
、ゲート電極及び第２の絶縁膜を覆うように第３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜及び第２
の絶縁膜には孔（コンタクトホール）が設けられ、第３の絶縁膜上に形成された配線が孔
を介してトランジスタの半導体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタ
を有する面を内側にして、第２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板
との間には液晶層を有している。
形態に係る液晶表示パネルの第１の構成は、第１の基板上に第１の絶縁膜を有し、第１の
絶縁膜上にトランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極及び第２の電極と、を有し
、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極及び第２の電極と、を覆うように第
２の絶縁膜を有し、トランジスタの半導体層上に第２の絶縁膜を介してゲート電極を有し
、ゲート電極及び第２の絶縁膜を覆うように第３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜及び第２
の絶縁膜には孔（コンタクトホール）が設けられ、第３の絶縁膜上に形成された配線が孔
を介してトランジスタの半導体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタ
を有する面を内側にして、第２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板
との間には液晶層を有している。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極及び液晶素子の第２の電極と、
は同層の膜である。
は同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極及び液晶素子の第２の電極はスリットを有する電極又は櫛形
電極である。
電極である。
ここで、本発明の第１１の実施形態に係る液晶表示パネルは偏光板又は偏光膜を有してい
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第３の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第３の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
本発明の第３の実施形態に係る液晶表示パネルに偏光板を適用した本発明の第１１の実施
形態に係る液晶表示パネルの第２の構成は、第１の基板上に液晶素子の第２の電極を有し
、液晶素子の第２の電極を覆うように第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜上にトランジス
タの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導体層と、液晶素
子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、トランジスタの半導体層上に第２
の絶縁膜を介してゲート電極を有し、ゲート電極及び第２の絶縁膜を覆うように第３の絶
縁膜を有し、第３の絶縁膜及び第２の絶縁膜には孔（コンタクトホール）が設けられ、第
３の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導体層と接続されている。
そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第２の基板と張り合わされ
ている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有している。
形態に係る液晶表示パネルの第２の構成は、第１の基板上に液晶素子の第２の電極を有し
、液晶素子の第２の電極を覆うように第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜上にトランジス
タの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導体層と、液晶素
子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、トランジスタの半導体層上に第２
の絶縁膜を介してゲート電極を有し、ゲート電極及び第２の絶縁膜を覆うように第３の絶
縁膜を有し、第３の絶縁膜及び第２の絶縁膜には孔（コンタクトホール）が設けられ、第
３の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導体層と接続されている。
そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第２の基板と張り合わされ
ている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有している。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、は同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極はスリットを有する電極又は櫛形電極であり、液晶素子の第
２の電極はプレート状電極である。
２の電極はプレート状電極である。
ここで、本発明の第１１の実施形態に係る液晶表示パネルは偏光板又は偏光膜を有してい
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第３の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第３の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
本発明の第４の実施形態に係る液晶表示パネルに偏光板を適用した本発明の第１１の実施
形態に係る液晶表示パネルの第３の構成は、第１の基板上に液晶素子の第２の電極を有し
、液晶素子の第２の電極上に液晶素子の第２の電極よりも面積の小さい反射性の導電膜を
有し、液晶素子の第２の電極及び導電膜を覆うように第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜
上にトランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導
体層と、液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、トランジスタの半
導体層上に第２の絶縁膜を介してゲート電極を有し、ゲート電極及び第２の絶縁膜を覆う
ように第３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜及び第２の絶縁膜には孔（コンタクトホール）
が設けられ、第３の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導体層と接
続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第２の基板
と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有している。
形態に係る液晶表示パネルの第３の構成は、第１の基板上に液晶素子の第２の電極を有し
、液晶素子の第２の電極上に液晶素子の第２の電極よりも面積の小さい反射性の導電膜を
有し、液晶素子の第２の電極及び導電膜を覆うように第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜
上にトランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導
体層と、液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、トランジスタの半
導体層上に第２の絶縁膜を介してゲート電極を有し、ゲート電極及び第２の絶縁膜を覆う
ように第３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜及び第２の絶縁膜には孔（コンタクトホール）
が設けられ、第３の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導体層と接
続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第２の基板
と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有している。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、は同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極はスリットを有する電極又は櫛形電極であり、液晶素子の第
２の電極はプレート状電極である。
２の電極はプレート状電極である。
ここで、本発明の第１１の実施形態に係る液晶表示パネルは偏光板又は偏光膜を有してい
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第３の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第３の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
本発明の第５の実施形態に係る液晶表示パネルに偏光板を適用した本発明の第１１の実施
形態に係る液晶表示パネルの第４の構成は、第１の基板上に液晶素子の第２の電極を有し
、液晶素子の第２の電極を覆うように第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜上にトランジス
タの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導体層と、液晶素
子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、トランジスタの半導体層上に第２
の絶縁膜を介してゲート電極を有し、ゲート電極及び第２の絶縁膜を覆うように第３の絶
縁膜を有し、第３の絶縁膜及び第２の絶縁膜には孔（コンタクトホール）が設けられ、第
３の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導体層と接続されている。
そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第２の基板と張り合わされ
ている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有している。
形態に係る液晶表示パネルの第４の構成は、第１の基板上に液晶素子の第２の電極を有し
、液晶素子の第２の電極を覆うように第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜上にトランジス
タの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導体層と、液晶素
子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、トランジスタの半導体層上に第２
の絶縁膜を介してゲート電極を有し、ゲート電極及び第２の絶縁膜を覆うように第３の絶
縁膜を有し、第３の絶縁膜及び第２の絶縁膜には孔（コンタクトホール）が設けられ、第
３の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導体層と接続されている。
そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第２の基板と張り合わされ
ている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有している。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、は同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極及び液晶素子の第２の電極は、スリットを有する電極又は櫛
形電極であり、ブランチ部分が互い違いに配置されている。
形電極であり、ブランチ部分が互い違いに配置されている。
ここで、本発明の第１１の実施形態に係る液晶表示パネルは偏光板又は偏光膜を有してい
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第３の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第３の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
本発明の第６の実施形態に係る液晶表示パネルに偏光板を適用した本発明の第１１の実施
形態に係る液晶表示パネルの第５の構成は、第１の基板上にゲート電極を有し、ゲート電
極を覆うように第１の絶縁膜を有し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を介してトランジスタ
の半導体層と、第１の基板上に第１の絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極及び液晶素子
の第２の電極と、を有し、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極及び液晶素
子の第２の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜には孔（コンタクト
ホール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導
体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第
２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有してい
る。
形態に係る液晶表示パネルの第５の構成は、第１の基板上にゲート電極を有し、ゲート電
極を覆うように第１の絶縁膜を有し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を介してトランジスタ
の半導体層と、第１の基板上に第１の絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極及び液晶素子
の第２の電極と、を有し、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極及び液晶素
子の第２の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜には孔（コンタクト
ホール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導
体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第
２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有してい
る。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極及び液晶素子の第２の電極と、
は同層の膜である。
は同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極及び液晶素子の第２の電極は、スリットを有する電極又は櫛
形電極であり、ブランチ部分が互い違いに配置されている。
形電極であり、ブランチ部分が互い違いに配置されている。
ここで、本発明の第１１の実施形態に係る液晶表示パネルは偏光板又は偏光膜を有してい
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第２の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第２の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
本発明の第７の実施形態に係る液晶表示パネルに偏光板を適用した本発明の第１１の実施
形態に係る液晶表示パネルの第６の構成は、第１の基板上にゲート電極及び液晶素子の第
２の電極を有し、ゲート電極及び液晶素子の第２の電極を覆うように第１の絶縁膜を有し
、ゲート電極上に第１の絶縁膜を介してトランジスタの半導体層と、液晶素子の第２の電
極上に第１の絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導体層
と、液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜には孔（
コンタクトホール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジ
スタの半導体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側
にして、第２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層
を有している。
形態に係る液晶表示パネルの第６の構成は、第１の基板上にゲート電極及び液晶素子の第
２の電極を有し、ゲート電極及び液晶素子の第２の電極を覆うように第１の絶縁膜を有し
、ゲート電極上に第１の絶縁膜を介してトランジスタの半導体層と、液晶素子の第２の電
極上に第１の絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導体層
と、液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜には孔（
コンタクトホール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジ
スタの半導体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側
にして、第２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層
を有している。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、は同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極はスリットを有する電極又は櫛形電極であり、液晶素子の第
２の電極はプレート状電極である。
２の電極はプレート状電極である。
ここで、本発明の第１１の実施形態に係る液晶表示パネルは偏光板又は偏光膜を有してい
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第２の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第２の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
本発明の第８の実施形態に係る液晶表示パネルに偏光板を適用した本発明の第１１の実施
形態に係る液晶表示パネルの第７の構成は、第１の基板上にゲート電極及び液晶素子の第
２の電極を有し、液晶素子の第２の電極上に液晶素子の第２の電極よりも面積の小さい反
射性の導電膜を有し、ゲート電極及び液晶素子の第２の電極及び導電膜を覆うように第１
の絶縁膜を有し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を介してトランジスタの半導体層と、液晶
素子の第２の電極上に第１の絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジ
スタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の
絶縁膜には孔（コンタクトホール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を
介してトランジスタの半導体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを
有する面を内側にして、第２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板と
の間には液晶層を有している。
形態に係る液晶表示パネルの第７の構成は、第１の基板上にゲート電極及び液晶素子の第
２の電極を有し、液晶素子の第２の電極上に液晶素子の第２の電極よりも面積の小さい反
射性の導電膜を有し、ゲート電極及び液晶素子の第２の電極及び導電膜を覆うように第１
の絶縁膜を有し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を介してトランジスタの半導体層と、液晶
素子の第２の電極上に第１の絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジ
スタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の
絶縁膜には孔（コンタクトホール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を
介してトランジスタの半導体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを
有する面を内側にして、第２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板と
の間には液晶層を有している。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、は同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極はスリットを有する電極又は櫛形電極であり、液晶素子の第
２の電極はプレート状電極である。
２の電極はプレート状電極である。
ここで、本発明の第１１の実施形態に係る液晶表示パネルは偏光板又は偏光膜を有してい
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第２の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第２の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
本発明の第９の実施形態に係る液晶表示パネルに偏光板を適用した本発明の第１１の実施
形態に係る液晶表示パネルの第８の構成は、第１の基板上に第１の導電膜及び液晶素子の
第２の電極を有し、第１の導電膜上にゲート電極を有し、液晶素子の第２の電極上に液晶
素子の第２の電極よりも面積の小さい反射性の第２の導電膜を有し、ゲート電極及び液晶
素子の第２の電極及び第２の導電膜を覆うように第１の絶縁膜を有し、ゲート電極上に第
１の絶縁膜を介してトランジスタの半導体層と、液晶素子の第２の電極上に第１の絶縁膜
を介して液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１
の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜には孔（コンタクトホール）
が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導体層と接
続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第２の基板
と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有している。
形態に係る液晶表示パネルの第８の構成は、第１の基板上に第１の導電膜及び液晶素子の
第２の電極を有し、第１の導電膜上にゲート電極を有し、液晶素子の第２の電極上に液晶
素子の第２の電極よりも面積の小さい反射性の第２の導電膜を有し、ゲート電極及び液晶
素子の第２の電極及び第２の導電膜を覆うように第１の絶縁膜を有し、ゲート電極上に第
１の絶縁膜を介してトランジスタの半導体層と、液晶素子の第２の電極上に第１の絶縁膜
を介して液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１
の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜には孔（コンタクトホール）
が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトランジスタの半導体層と接
続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内側にして、第２の基板
と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶層を有している。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、は同層の膜である。
また、第１の導電膜と液晶素子の第２の電極と、は同層の膜であり、ゲート電極と第２の
導電膜とは同層の膜である。
導電膜とは同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極はスリットを有する電極又は櫛形電極であり、液晶素子の第
２の電極はプレート状電極である。
２の電極はプレート状電極である。
ここで、本発明の第１１の実施形態に係る液晶表示パネルは偏光板又は偏光膜を有してい
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第２の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第２の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
本発明の第１０の実施形態に係る液晶表示パネルに偏光板を適用した本発明の第１１の実
施形態に係る液晶表示パネルの第９の構成は、第１の基板上にゲート電極及び液晶素子の
第２の電極を有し、ゲート電極及び液晶素子の第２の電極を覆うように第１の絶縁膜を有
し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を介してトランジスタの半導体層と、液晶素子の第２の
電極上に第１の絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導体
層と、液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜には孔
（コンタクトホール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトラン
ジスタの半導体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内
側にして、第２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶
層を有している。
施形態に係る液晶表示パネルの第９の構成は、第１の基板上にゲート電極及び液晶素子の
第２の電極を有し、ゲート電極及び液晶素子の第２の電極を覆うように第１の絶縁膜を有
し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を介してトランジスタの半導体層と、液晶素子の第２の
電極上に第１の絶縁膜を介して液晶素子の第１の電極と、を有し、トランジスタの半導体
層と、液晶素子の第１の電極と、を覆うように第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜には孔
（コンタクトホール）が設けられ、第２の絶縁膜上に形成された配線が孔を介してトラン
ジスタの半導体層と接続されている。そして第１の基板は、トランジスタを有する面を内
側にして、第２の基板と張り合わされている。第１の基板と、第２の基板との間には液晶
層を有している。
なお、トランジスタの半導体層と、液晶素子の第１の電極と、は同層の膜である。
また、液晶素子の第１の電極及び液晶素子の第２の電極はスリットを有する電極又は櫛形
電極である。
電極である。
ここで、本発明の第１１の実施形態に係る液晶表示パネルは偏光板又は偏光膜を有してい
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第２の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
る。第１の基板の外側の面（液晶層が設けられていない面）及び第２の基板の外側の面（
液晶層が設けられていない面）に偏光板を有していてもいいし、第２の絶縁膜の上若しく
は下、又は第２の基板の内側の面（液晶層が設けられている面）に偏光膜を有していても
いい。
まず、基板の外側に偏光板を備えた構成について詳しく説明する。つまり、配向膜が形成
された面とは反対側の面に偏光板を備えている。実施の形態１乃至１０で示した液晶表示
パネルに偏光板を備えることができるが、本実施の形態においては、実施の形態２の図１
及び実施の形態６の図２の構成に偏光板を備えた場合を例に詳しく説明する。
された面とは反対側の面に偏光板を備えている。実施の形態１乃至１０で示した液晶表示
パネルに偏光板を備えることができるが、本実施の形態においては、実施の形態２の図１
及び実施の形態６の図２の構成に偏光板を備えた場合を例に詳しく説明する。
まず、図１の構成の基板の外側に偏光板を備えた構成を図１０に示す。図１０は基板１０
０の第１の配向膜１０７が形成された面とは反対側の面に偏光板１００１が設けられてい
る。また、基板１１０の第２の配向膜１０９が形成された面とは反対側の面に偏光板１０
０２が設けられている。偏光板１００１と偏光板１００２とは光の吸収軸が直交するよう
に配置されている。
０の第１の配向膜１０７が形成された面とは反対側の面に偏光板１００１が設けられてい
る。また、基板１１０の第２の配向膜１０９が形成された面とは反対側の面に偏光板１０
０２が設けられている。偏光板１００１と偏光板１００２とは光の吸収軸が直交するよう
に配置されている。
まず、図２の構成の基板の外側に偏光板を備えた構成を図１５に示す。図１５は基板２０
０の第１の配向膜２０６が形成された面とは反対側の面に偏光板１５０１が設けられてい
る。また、基板２０９の第２の配向膜２０８が形成された面とは反対側の面に偏光板１５
０２が設けられている。偏光板１５０１と偏光板１５０２とは光の吸収軸が直交するよう
に配置されている。
０の第１の配向膜２０６が形成された面とは反対側の面に偏光板１５０１が設けられてい
る。また、基板２０９の第２の配向膜２０８が形成された面とは反対側の面に偏光板１５
０２が設けられている。偏光板１５０１と偏光板１５０２とは光の吸収軸が直交するよう
に配置されている。
次に、基板の内側に偏光膜を備えた構成について詳しく説明する。つまり、配向膜が形成
された面側に偏光膜を備えている。実施の形態１乃至１０で示した液晶表示パネルに偏光
膜を備えることができるが、本実施の形態においては、実施の形態２の図１及び実施の形
態６の図２の構成に偏光膜を備えた場合を例に詳しく説明する。
された面側に偏光膜を備えている。実施の形態１乃至１０で示した液晶表示パネルに偏光
膜を備えることができるが、本実施の形態においては、実施の形態２の図１及び実施の形
態６の図２の構成に偏光膜を備えた場合を例に詳しく説明する。
まず、図１の構成の基板の内側に偏光膜を備えた構成を図１１に示す。図１１は基板１０
０の第１の配向膜１０７が形成された面側に偏光膜１１０１が形成されている。つまり、
配線１０６及び第３の絶縁膜１０５上に偏光膜１１０１が形成されている。また、基板１
１０の第２の配向膜１０９が形成された面側に偏光膜１１０２が形成されている。つまり
、基板１１０と第２の配向膜１０９との間に偏光膜１１０２が形成されている。偏光膜１
１０１と偏光膜１１０２とは光の吸収軸が直交するように形成されている。偏光膜１１０
１及び偏光膜１１０２は二色性染料の水溶液をインキとして直接印刷して形成することが
できる。例えば、スロットダイコーターなどの装置を用いて印刷すると凹凸のある面にも
印刷が可能となる。
０の第１の配向膜１０７が形成された面側に偏光膜１１０１が形成されている。つまり、
配線１０６及び第３の絶縁膜１０５上に偏光膜１１０１が形成されている。また、基板１
１０の第２の配向膜１０９が形成された面側に偏光膜１１０２が形成されている。つまり
、基板１１０と第２の配向膜１０９との間に偏光膜１１０２が形成されている。偏光膜１
１０１と偏光膜１１０２とは光の吸収軸が直交するように形成されている。偏光膜１１０
１及び偏光膜１１０２は二色性染料の水溶液をインキとして直接印刷して形成することが
できる。例えば、スロットダイコーターなどの装置を用いて印刷すると凹凸のある面にも
印刷が可能となる。
また、図１の構成の基板の内側に偏光膜を備えた他の構成を図１２に示す。第２の絶縁膜
１０３及びゲート電極１０４上に偏光膜１２０１が形成されている。また、基板１１０と
第２の配向膜１０９との間に偏光膜１２０２が形成されている。偏光膜１２０１と偏光膜
１２０２とは光の吸収軸が直交するように形成されている。偏光膜１２０１及び偏光膜１
２０２は二色性染料の水溶液をインキとして直接印刷して形成することができる。例えば
、スロットダイコーターなどの装置を用いて印刷すると凹凸のある面にも印刷が可能とな
る。
１０３及びゲート電極１０４上に偏光膜１２０１が形成されている。また、基板１１０と
第２の配向膜１０９との間に偏光膜１２０２が形成されている。偏光膜１２０１と偏光膜
１２０２とは光の吸収軸が直交するように形成されている。偏光膜１２０１及び偏光膜１
２０２は二色性染料の水溶液をインキとして直接印刷して形成することができる。例えば
、スロットダイコーターなどの装置を用いて印刷すると凹凸のある面にも印刷が可能とな
る。
まず、図２の構成の基板の内側に偏光膜を備えた構成を図１６に示す。図１６は基板２０
０の第１の配向膜２０６が形成された面側に偏光膜１６０１が形成されている。つまり、
配線２０５及び第２の絶縁膜２０４上に偏光膜１６０１が形成されている。また、基板２
０９の第２の配向膜２０８が形成された面側に偏光膜１６０２が形成されている。つまり
、基板２０９と第２の配向膜２０８との間に偏光膜１６０２が形成されている。偏光膜１
６０１と偏光膜１６０２とは光の吸収軸が直交するように形成されている。偏光膜１６０
１及び偏光膜１６０２は二色性染料の水溶液をインキとして直接印刷して形成することが
できる。例えば、スロットダイコーターなどの装置を用いて印刷すると凹凸のある面にも
印刷が可能となる。
０の第１の配向膜２０６が形成された面側に偏光膜１６０１が形成されている。つまり、
配線２０５及び第２の絶縁膜２０４上に偏光膜１６０１が形成されている。また、基板２
０９の第２の配向膜２０８が形成された面側に偏光膜１６０２が形成されている。つまり
、基板２０９と第２の配向膜２０８との間に偏光膜１６０２が形成されている。偏光膜１
６０１と偏光膜１６０２とは光の吸収軸が直交するように形成されている。偏光膜１６０
１及び偏光膜１６０２は二色性染料の水溶液をインキとして直接印刷して形成することが
できる。例えば、スロットダイコーターなどの装置を用いて印刷すると凹凸のある面にも
印刷が可能となる。
また、図２の構成の基板の内側に偏光膜を備えた他の構成を図１７に示す。第１の絶縁膜
２０２、トランジスタ２１０の半導体層（チャネル形成領域２０３ａ、不純物領域２０３
ｂ、不純物領域２０３ｃ、不純物領域２０３ｄ）、第１の電極２０３ｅ、第２の電極２０
３ｆ上に偏光膜１７０１が形成されている。また、基板２０９と第２の配向膜２０８との
間に偏光膜１７０２が形成されている。偏光膜１７０１と偏光膜１７０２とは光の吸収軸
が直交するように形成されている。偏光膜１７０１及び偏光膜１７０２は二色性染料の水
溶液をインキとして直接印刷して形成することができる。例えば、スロットダイコーター
などの装置を用いて印刷すると凹凸のある面にも印刷が可能となる。
２０２、トランジスタ２１０の半導体層（チャネル形成領域２０３ａ、不純物領域２０３
ｂ、不純物領域２０３ｃ、不純物領域２０３ｄ）、第１の電極２０３ｅ、第２の電極２０
３ｆ上に偏光膜１７０１が形成されている。また、基板２０９と第２の配向膜２０８との
間に偏光膜１７０２が形成されている。偏光膜１７０１と偏光膜１７０２とは光の吸収軸
が直交するように形成されている。偏光膜１７０１及び偏光膜１７０２は二色性染料の水
溶液をインキとして直接印刷して形成することができる。例えば、スロットダイコーター
などの装置を用いて印刷すると凹凸のある面にも印刷が可能となる。
次に、基板の内側に偏光膜、基板の外側に偏光板を備えた構成について説明する。つまり
、配向膜が形成された面側に偏光膜を備え、配向膜が形成された面とは反対側の面に偏光
板を備えている。実施の形態１乃至１０で示した液晶表示パネルに偏光板を備えることが
できるが、本実施の形態においては、実施の形態２の図１及び実施の形態６の図２の構成
に偏光板を備えた場合を例に説明する。
、配向膜が形成された面側に偏光膜を備え、配向膜が形成された面とは反対側の面に偏光
板を備えている。実施の形態１乃至１０で示した液晶表示パネルに偏光板を備えることが
できるが、本実施の形態においては、実施の形態２の図１及び実施の形態６の図２の構成
に偏光板を備えた場合を例に説明する。
まず、図１の構成の基板の内側に偏光膜、基板の外側に偏光板を備えた構成を図１３に示
す。図１３は基板１００の第１の配向膜１０７が形成された面側に偏光膜１１０１が設け
られ、第１の配向膜１０７が形成された面とは反対側の面に偏光板１００１が設けられて
いる。また、基板１１０の第２の配向膜１０９が形成された面とは反対側の面に偏光板１
００２が設けられている。偏光板１００１と偏光板１００２とは光の吸収軸が直交するよ
うに配置されている。
す。図１３は基板１００の第１の配向膜１０７が形成された面側に偏光膜１１０１が設け
られ、第１の配向膜１０７が形成された面とは反対側の面に偏光板１００１が設けられて
いる。また、基板１１０の第２の配向膜１０９が形成された面とは反対側の面に偏光板１
００２が設けられている。偏光板１００１と偏光板１００２とは光の吸収軸が直交するよ
うに配置されている。
また、図１の構成の内側に偏光膜、基板の外側に偏光板を備えた他の構成を図１４に示す
。図１４は基板１００の第１の配向膜１０７が形成された面側に偏光膜１２０１が設けら
れ、第１の配向膜１０７が形成された面とは反対側の面に偏光板１００１が設けられてい
る。また、基板１１０の第２の配向膜１０９が形成された面とは反対側の面に偏光板１０
０２が設けられている。偏光板１００１と偏光板１００２とは光の吸収軸が直交するよう
に配置されている。
。図１４は基板１００の第１の配向膜１０７が形成された面側に偏光膜１２０１が設けら
れ、第１の配向膜１０７が形成された面とは反対側の面に偏光板１００１が設けられてい
る。また、基板１１０の第２の配向膜１０９が形成された面とは反対側の面に偏光板１０
０２が設けられている。偏光板１００１と偏光板１００２とは光の吸収軸が直交するよう
に配置されている。
まず、図２の構成の内側に偏光膜、基板の外側に偏光板を備えた構成を図１８に示す。図
１８は基板２００の第１の配向膜２０６が形成された面側に偏光膜１６０１が設けられ、
第１の配向膜２０６が形成された面とは反対側の面に偏光板１５０１が設けられている。
また、基板２０９の第２の配向膜２０８が形成された面とは反対側の面に偏光板１５０２
が設けられている。偏光板１５０１と偏光板１５０２とは光の吸収軸が直交するように配
置されている。
１８は基板２００の第１の配向膜２０６が形成された面側に偏光膜１６０１が設けられ、
第１の配向膜２０６が形成された面とは反対側の面に偏光板１５０１が設けられている。
また、基板２０９の第２の配向膜２０８が形成された面とは反対側の面に偏光板１５０２
が設けられている。偏光板１５０１と偏光板１５０２とは光の吸収軸が直交するように配
置されている。
また、図２の構成の内側に偏光膜、基板の外側に偏光板を備えた他の構成を図１９に示す
。図１９は基板２００の第１の配向膜２０６が形成された面側に偏光膜１７０１が設けら
れ、第１の配向膜２０６が形成された面とは反対側の面に偏光板１５０１が設けられてい
る。また、基板２０９の第２の配向膜２０８が形成された面とは反対側の面に偏光板１５
０２が設けられている。偏光板１５０１と偏光板１５０２とは光の吸収軸が直交するよう
に配置されている。
。図１９は基板２００の第１の配向膜２０６が形成された面側に偏光膜１７０１が設けら
れ、第１の配向膜２０６が形成された面とは反対側の面に偏光板１５０１が設けられてい
る。また、基板２０９の第２の配向膜２０８が形成された面とは反対側の面に偏光板１５
０２が設けられている。偏光板１５０１と偏光板１５０２とは光の吸収軸が直交するよう
に配置されている。
（実施の形態１２）
本発明の第１２の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第１２の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本実施の形態では、凹凸形状を含む反射電極を備えた場合の液晶表示パネルの構成につい
て説明する。本実施の形態の液晶表示パネルは、外光を乱反射することができるため、表
示中の輝度を向上させることができると共に、反射による写り込みを防止することができ
る。なお、実施の形態１乃至１１で示した液晶表示パネルにおいて、反射電極を有する構
成であれば本実施の形態に示す構成は適宜適用することができる。
て説明する。本実施の形態の液晶表示パネルは、外光を乱反射することができるため、表
示中の輝度を向上させることができると共に、反射による写り込みを防止することができ
る。なお、実施の形態１乃至１１で示した液晶表示パネルにおいて、反射電極を有する構
成であれば本実施の形態に示す構成は適宜適用することができる。
まず、図３の構成の第２の電極３０１に凹凸形状を含む構成を図２０に示す。図２０では
基板１００上に絶縁物２００１が形成されている。絶縁物２００１としては複数の突起物
が配置されていてもよいし、凹凸形状を含む一続きの膜であってもよい。そして、絶縁物
２００１を覆うように第２の電極３０１が形成されている。第２の電極３０１は絶縁物２
００１の凹凸形状に起因した凹凸が形成されている。よって、第２の電極３０１が反射性
を有する導電膜である場合には外光を乱反射することができるため、表示中の輝度を向上
させることができると共に、反射による写り込みを防止することができる。
基板１００上に絶縁物２００１が形成されている。絶縁物２００１としては複数の突起物
が配置されていてもよいし、凹凸形状を含む一続きの膜であってもよい。そして、絶縁物
２００１を覆うように第２の電極３０１が形成されている。第２の電極３０１は絶縁物２
００１の凹凸形状に起因した凹凸が形成されている。よって、第２の電極３０１が反射性
を有する導電膜である場合には外光を乱反射することができるため、表示中の輝度を向上
させることができると共に、反射による写り込みを防止することができる。
また、図２１に示すように、第２の電極３０１に凹凸形状を形成し、絶縁物２００１を有
しない構成であってもよい。
しない構成であってもよい。
また、図４の構成の導電膜４０１に凹凸形状を含む構成を図２２に示す。図２２では第２
の電極３０１上に絶縁物２２０１が形成されている。絶縁物２２０１としては複数の突起
物が配置されていてもよいし、凹凸形状を含む一続きの膜であってもよい。そして、絶縁
物２２０１を覆うように導電膜４０１が形成されている。導電膜４０１は絶縁物２２０１
の凹凸形状に起因した凹凸が形成されている。よって、導電膜４０１が反射性を有する導
電膜である場合には外光を乱反射することができるため、表示中の輝度を向上させること
ができると共に、反射による写り込みを防止することができる。
の電極３０１上に絶縁物２２０１が形成されている。絶縁物２２０１としては複数の突起
物が配置されていてもよいし、凹凸形状を含む一続きの膜であってもよい。そして、絶縁
物２２０１を覆うように導電膜４０１が形成されている。導電膜４０１は絶縁物２２０１
の凹凸形状に起因した凹凸が形成されている。よって、導電膜４０１が反射性を有する導
電膜である場合には外光を乱反射することができるため、表示中の輝度を向上させること
ができると共に、反射による写り込みを防止することができる。
また、図２３に示すように、導電膜４０１に凹凸形状を形成し、絶縁物２２０１を有しな
い構成であってもよい。
い構成であってもよい。
また、図６の構成の第２の電極６０１に凹凸形状を含む構成を図２４に示す。図２４では
基板２００上に絶縁物２４０１が形成されている。絶縁物２４０１としては複数の突起物
が配置されていてもよいし、凹凸形状を含む一続きの膜であってもよい。そして、絶縁物
２４０１を覆うように第２の電極６０１が形成されている。第２の電極６０１は絶縁物２
４０１の凹凸形状に起因した凹凸が形成されている。よって、第２の電極６０１が反射性
を有する導電膜である場合には外光を乱反射することができるため、表示中の輝度を向上
させることができると共に、反射による写り込みを防止することができる。
基板２００上に絶縁物２４０１が形成されている。絶縁物２４０１としては複数の突起物
が配置されていてもよいし、凹凸形状を含む一続きの膜であってもよい。そして、絶縁物
２４０１を覆うように第２の電極６０１が形成されている。第２の電極６０１は絶縁物２
４０１の凹凸形状に起因した凹凸が形成されている。よって、第２の電極６０１が反射性
を有する導電膜である場合には外光を乱反射することができるため、表示中の輝度を向上
させることができると共に、反射による写り込みを防止することができる。
また、図２５に示すように、第２の電極６０１に凹凸形状を形成し、絶縁物２４０１を有
しない構成であってもよい。
しない構成であってもよい。
また、図７の構成の導電膜７０１に凹凸形状を含む構成を図２６に示す。図２６では第２
の電極６０１上に絶縁物２６０１が形成されている。絶縁物２６０１としては複数の突起
物が配置されていてもよいし、凹凸形状を含む一続きの膜であってもよい。そして、絶縁
物２６０１を覆うように導電膜７０１が形成されている。導電膜７０１は絶縁物２６０１
の凹凸形状に起因した凹凸が形成されている。よって、導電膜７０１が反射性を有する導
電膜である場合には外光を乱反射することができるため、表示中の輝度を向上させること
ができると共に、反射による写り込みを防止することができる。
の電極６０１上に絶縁物２６０１が形成されている。絶縁物２６０１としては複数の突起
物が配置されていてもよいし、凹凸形状を含む一続きの膜であってもよい。そして、絶縁
物２６０１を覆うように導電膜７０１が形成されている。導電膜７０１は絶縁物２６０１
の凹凸形状に起因した凹凸が形成されている。よって、導電膜７０１が反射性を有する導
電膜である場合には外光を乱反射することができるため、表示中の輝度を向上させること
ができると共に、反射による写り込みを防止することができる。
また、図２７に示すように、導電膜７０１に凹凸形状を形成し、絶縁物２６０１を有しな
い構成であってもよい。
い構成であってもよい。
（実施の形態１３）
本発明の第１３の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第１３の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本実施の形態では、液晶層の厚さを一様でなく、部分的に変化させた場合の液晶表示パネ
ルの構成について説明する。本実施の形態の液晶表示パネルは、液晶層の厚さを調整する
ことにより視認性を改善することができる。
ルの構成について説明する。本実施の形態の液晶表示パネルは、液晶層の厚さを調整する
ことにより視認性を改善することができる。
というのも、液晶層は、屈折率異方性を有しているため、液晶層を通る距離によって、光
の偏光状態が変わってくる。そのため、画像を表示する場合に、正しく表示できなくなっ
てしまう。そこで、光の偏光状態を調整する必要がある。そのための方法として、光を反
射させて表示を行う部分（反射領域）の液晶層の厚さ（いわゆるセルギャップ）を薄くす
ることにより、反射領域を光りが２回通っても、透過領域に比べて距離が長くなりすぎな
いようにすればよい。
の偏光状態が変わってくる。そのため、画像を表示する場合に、正しく表示できなくなっ
てしまう。そこで、光の偏光状態を調整する必要がある。そのための方法として、光を反
射させて表示を行う部分（反射領域）の液晶層の厚さ（いわゆるセルギャップ）を薄くす
ることにより、反射領域を光りが２回通っても、透過領域に比べて距離が長くなりすぎな
いようにすればよい。
なお、反射領域での液晶層の厚さは、透過領域における液晶層の厚さの２分の１となるこ
とが望ましい。ここで、２分の１とは、人間の目で視認できない程度のずれを有していて
も良い程度のずれ量も含む。
とが望ましい。ここで、２分の１とは、人間の目で視認できない程度のずれを有していて
も良い程度のずれ量も含む。
ただし、光は基板と垂直な方向、つまり法線方向のみから入射するわけではない。斜めか
ら入射する場合も多い。よって、それらの場合を総合して、反射領域と透過領域とで、光
の通る距離が概ね同じ程度になればよい。したがって、反射領域での液晶層の厚さは、透
過領域における液晶層の厚さの概ね３分の１以上、３分の２以下となることが望ましい。
ら入射する場合も多い。よって、それらの場合を総合して、反射領域と透過領域とで、光
の通る距離が概ね同じ程度になればよい。したがって、反射領域での液晶層の厚さは、透
過領域における液晶層の厚さの概ね３分の１以上、３分の２以下となることが望ましい。
そこで、液晶層の厚さ（いわゆるセルギャップ）を薄くするために、厚さを調整する膜を
配置すればよい。
配置すればよい。
液晶素子の電極が設けられている基板側に、厚さを調整する膜を配置することにより、膜
の形成が容易にできるようになる。つまり、液晶素子の電極が設けられている基板側では
、様々な膜を形成している。従って、これらの膜を用いて厚さを調整する膜を形成すれば
よいので、膜を形成する上で、困難が少なくてすむ。また、他の機能を有する膜と同一の
工程により形成することも可能となるため、プロセス工程を簡略化でき、コストを低減す
ることが出来る。
の形成が容易にできるようになる。つまり、液晶素子の電極が設けられている基板側では
、様々な膜を形成している。従って、これらの膜を用いて厚さを調整する膜を形成すれば
よいので、膜を形成する上で、困難が少なくてすむ。また、他の機能を有する膜と同一の
工程により形成することも可能となるため、プロセス工程を簡略化でき、コストを低減す
ることが出来る。
なお、液晶層の厚さを調整する膜は、対向基板側に配置されていてもよい。
対向基板側に、液晶層の厚さを調整する膜を配置することにより、液晶素子の電極を、反
射領域と透過領域において、同一平面（下層の配線や電極などによって多少のずれが生じ
ても、本実施の形態において示す液晶層の厚さを調整する膜の厚さによるずれに比べては
るかに小さいずれは同一平面に含むものとする）上に配置することが可能となる。そのた
め、画素電極と共通電極との距離が、透過領域と反射領域とで、概ね等しくすることが可
能となる。電界のかかり方や強度は、電極間の距離によって変化するため、電極の間隔を
同程度であることにより、反射領域と透過領域とにおいて、液晶層に加わる電界も同程度
にすることが出来るため、液晶分子の制御が正確に行うことが出来る。また、反射領域と
透過領域とで、液晶分子の回転度合いが概ね等しくなるので、透過型として表示する場合
と、反射型として表示する場合とで、概ね等しい階調として画像を表示することが出来る
。
射領域と透過領域において、同一平面（下層の配線や電極などによって多少のずれが生じ
ても、本実施の形態において示す液晶層の厚さを調整する膜の厚さによるずれに比べては
るかに小さいずれは同一平面に含むものとする）上に配置することが可能となる。そのた
め、画素電極と共通電極との距離が、透過領域と反射領域とで、概ね等しくすることが可
能となる。電界のかかり方や強度は、電極間の距離によって変化するため、電極の間隔を
同程度であることにより、反射領域と透過領域とにおいて、液晶層に加わる電界も同程度
にすることが出来るため、液晶分子の制御が正確に行うことが出来る。また、反射領域と
透過領域とで、液晶分子の回転度合いが概ね等しくなるので、透過型として表示する場合
と、反射型として表示する場合とで、概ね等しい階調として画像を表示することが出来る
。
また、液晶層の厚さを調整する膜があると、その近傍において、液晶分子の配向状態が乱
れてしまう可能性があり、ディスクリネーションなどの不良を生んでしまう可能性がある
。しかし、対向基板上に液晶層の厚さを調整する膜を配置することにより、液晶素子の電
極から離すことができるので、電界のかかり方が弱くなるため、液晶分子の配向状態が乱
れみにくくなってしまうことを防ぐことが出来る。
れてしまう可能性があり、ディスクリネーションなどの不良を生んでしまう可能性がある
。しかし、対向基板上に液晶層の厚さを調整する膜を配置することにより、液晶素子の電
極から離すことができるので、電界のかかり方が弱くなるため、液晶分子の配向状態が乱
れみにくくなってしまうことを防ぐことが出来る。
また、対向基板は、カラーフィルターやブラックマトリックスなどを形成するだけなので
、工程数が少ない。よって、対向基板に液晶層の厚さを調整する膜を形成しても、歩留ま
りを低下させにくくなる。仮に、不良が出ても、工程数がすくなく、コストも安いので、
製造コストが無駄になる量を少なくすることが出来る。
、工程数が少ない。よって、対向基板に液晶層の厚さを調整する膜を形成しても、歩留ま
りを低下させにくくなる。仮に、不良が出ても、工程数がすくなく、コストも安いので、
製造コストが無駄になる量を少なくすることが出来る。
なお、対向基板に液晶層の厚さを調整する膜を形成する場合、厚さ調整膜の中に、光を拡
散させて輝度を向上させることができるように散乱材として機能する粒子を含ませてもよ
い。粒子は、ギャップ調整膜を構成している基材（例えばアクリル樹脂など）と屈折率が
異なると共に、透光性を有する樹脂材料から成る。このように粒子を含ませることによっ
て、光を散乱させることができ、表示画像のコントラスト、輝度も向上する。
散させて輝度を向上させることができるように散乱材として機能する粒子を含ませてもよ
い。粒子は、ギャップ調整膜を構成している基材（例えばアクリル樹脂など）と屈折率が
異なると共に、透光性を有する樹脂材料から成る。このように粒子を含ませることによっ
て、光を散乱させることができ、表示画像のコントラスト、輝度も向上する。
以上のような構成を有する本発明の液晶表示装置は、広視野角であり、また表示画面を見
る角度に依存した色味の変化が少なく、さらに太陽光が照らされた外界においても暗い室
内（若しくは夜の屋外）においても良好に視認される画像を提供することができる。
る角度に依存した色味の変化が少なく、さらに太陽光が照らされた外界においても暗い室
内（若しくは夜の屋外）においても良好に視認される画像を提供することができる。
まず、図４の構成の導電膜４０１の上側（反射領域）の液晶層の厚さを薄くする構成を図
２８に示す。図２８では第３の絶縁膜１０５上に第４の絶縁膜２８０１を有する。第４の
絶縁膜２８０１は導電膜４０１にほぼ重なるように形成されている。
２８に示す。図２８では第３の絶縁膜１０５上に第４の絶縁膜２８０１を有する。第４の
絶縁膜２８０１は導電膜４０１にほぼ重なるように形成されている。
光を反射させて表示を行う領域（反射領域）において、第４の絶縁膜２８０１は液晶層１
０８の厚さを調整する為に設けられている。第４の絶縁膜２８０１を設けることによって
反射領域における液晶層１０８の厚さを、透過領域における液晶層１０８の厚さよりも薄
くすることが出来る。つまり、第２の電極３０１の上側の液晶層１０８のうち、第４の絶
縁膜２８０１上側の液晶層つまり導電膜４０１上側の液晶層は厚さが薄くなっている。
０８の厚さを調整する為に設けられている。第４の絶縁膜２８０１を設けることによって
反射領域における液晶層１０８の厚さを、透過領域における液晶層１０８の厚さよりも薄
くすることが出来る。つまり、第２の電極３０１の上側の液晶層１０８のうち、第４の絶
縁膜２８０１上側の液晶層つまり導電膜４０１上側の液晶層は厚さが薄くなっている。
なお、第４の絶縁膜２８０１は屈折率異方性をほとんど有しないため、そこを光が通って
も、偏光状態は変化しない。よって、第４の絶縁膜２８０１の有無や厚さなどは、大きな
影響は与えない。
も、偏光状態は変化しない。よって、第４の絶縁膜２８０１の有無や厚さなどは、大きな
影響は与えない。
なお、第３の絶縁膜１０５上に第４の絶縁膜２８０１が形成されていなくても、第２の電
極３０１の上側の液晶層のうち、導電膜４０１上側の液晶層１０８の厚さを薄くすること
ができればよい。したがって、図３１に示すように基板１１０において、第２の配向膜１
０９が形成される面側に第４の絶縁膜３１０１が形成されていてもよい。
極３０１の上側の液晶層のうち、導電膜４０１上側の液晶層１０８の厚さを薄くすること
ができればよい。したがって、図３１に示すように基板１１０において、第２の配向膜１
０９が形成される面側に第４の絶縁膜３１０１が形成されていてもよい。
次に、図７の構成の導電膜７０１の上側の液晶層の厚さを薄くする構成を図２９に示す。
図２９では第２の絶縁膜２０４上に第３の絶縁膜２９０１を有する。第３の絶縁膜２９０
１は導電膜７０１にほぼ重なるように形成されている。
図２９では第２の絶縁膜２０４上に第３の絶縁膜２９０１を有する。第３の絶縁膜２９０
１は導電膜７０１にほぼ重なるように形成されている。
光を反射させて表示を行う領域（反射領域）において、第３の絶縁膜２９０１は液晶層２
０７の厚さを調整する為に設けられている。第３の絶縁膜２９０１を設けることによって
反射領域における液晶層２０７の厚さを、透過領域における液晶層２０７の厚さよりも薄
くすることが出来る。つまり、第２の電極６０１の上側の液晶層２０７のうち、第３の絶
縁膜２９０１上側の液晶層２０７、つまり導電膜７０１上側の液晶層２０７は厚さが薄く
なっている。
０７の厚さを調整する為に設けられている。第３の絶縁膜２９０１を設けることによって
反射領域における液晶層２０７の厚さを、透過領域における液晶層２０７の厚さよりも薄
くすることが出来る。つまり、第２の電極６０１の上側の液晶層２０７のうち、第３の絶
縁膜２９０１上側の液晶層２０７、つまり導電膜７０１上側の液晶層２０７は厚さが薄く
なっている。
なお、第３の絶縁膜２９０１は屈折率異方性をほとんど有しないため、そこを光が通って
も、偏光状態は変化しない。よって、第３の絶縁膜２９０１の有無や厚さなどは、大きな
影響は与えない。
も、偏光状態は変化しない。よって、第３の絶縁膜２９０１の有無や厚さなどは、大きな
影響は与えない。
なお、第２の絶縁膜２０４上に第３の絶縁膜２９０１が形成されていなくても、第２の電
極６０１の上側の液晶層２０７のうち、導電膜７０１上側の液晶層２０７の厚さを薄くす
ることができればよい。したがって、図３２に示すように基板２０９において、第２の配
向膜２０８が形成される面側に第３の絶縁膜３２０１が形成されていてもよい。
極６０１の上側の液晶層２０７のうち、導電膜７０１上側の液晶層２０７の厚さを薄くす
ることができればよい。したがって、図３２に示すように基板２０９において、第２の配
向膜２０８が形成される面側に第３の絶縁膜３２０１が形成されていてもよい。
次に、図８の構成の導電膜７０１の上側の液晶層の厚さを薄くする構成を図３０に示す。
図３０では第２の絶縁膜２０４上に第３の絶縁膜３００１を有する。第３の絶縁膜３００
１は導電膜７０１にほぼ重なるように形成されている。
図３０では第２の絶縁膜２０４上に第３の絶縁膜３００１を有する。第３の絶縁膜３００
１は導電膜７０１にほぼ重なるように形成されている。
光を反射させて表示を行う領域（反射領域）において、第３の絶縁膜３００１は液晶層２
０７の厚さを調整する為に設けられている。第３の絶縁膜３００１を設けることによって
反射領域における液晶層２０７の厚さを、透過領域における液晶層２０７の厚さよりも薄
くすることが出来る。つまり、第２の電極６０１の上側の液晶層２０７のうち、第３の絶
縁膜３００１上側の液晶層２０７、つまり導電膜７０１上側の液晶層２０７は厚さが薄く
なっている。
０７の厚さを調整する為に設けられている。第３の絶縁膜３００１を設けることによって
反射領域における液晶層２０７の厚さを、透過領域における液晶層２０７の厚さよりも薄
くすることが出来る。つまり、第２の電極６０１の上側の液晶層２０７のうち、第３の絶
縁膜３００１上側の液晶層２０７、つまり導電膜７０１上側の液晶層２０７は厚さが薄く
なっている。
なお、第３の絶縁膜３００１は屈折率異方性をほとんど有しないため、そこを光が通って
も、偏光状態は変化しない。よって、第３の絶縁膜３００１の有無や厚さなどは、大きな
影響は与えない。
も、偏光状態は変化しない。よって、第３の絶縁膜３００１の有無や厚さなどは、大きな
影響は与えない。
なお、第２の絶縁膜２０４上に第３の絶縁膜３００１が形成されていなくても、第２の電
極６０１の上側の液晶層のうち、導電膜７０１上側の液晶層の厚さを薄くすることができ
ればよい。したがって、図３３に示すように基板２０９において、第２の配向膜２０８が
形成される面側に第３の絶縁膜３３０１が形成されていてもよい。
極６０１の上側の液晶層のうち、導電膜７０１上側の液晶層の厚さを薄くすることができ
ればよい。したがって、図３３に示すように基板２０９において、第２の配向膜２０８が
形成される面側に第３の絶縁膜３３０１が形成されていてもよい。
（実施の形態１４）
本発明の第１４の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第１４の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本実施の形態では、液晶表示パネルに位相差板を備えた場合の構成について説明する。
まず、基板の外側に位相差板を備えた構成について説明する。つまり、配向膜が形成され
た面とは反対側の面に位相差板を備えている。実施の形態１乃至１３で示した液晶表示パ
ネルに位相差板を備えることができるが、実施の形態１１の図１０及び図１５の構成に位
相差板を備えた場合を例に説明する。
た面とは反対側の面に位相差板を備えている。実施の形態１乃至１３で示した液晶表示パ
ネルに位相差板を備えることができるが、実施の形態１１の図１０及び図１５の構成に位
相差板を備えた場合を例に説明する。
まず、図１０の構成の基板の外側に位相差板を備えた構成を図３４に示す。図３４は基板
１００の第１の配向膜１０７が形成された面とは反対側の面に偏光板１００１が設けられ
、偏光板１００１と基板１００との間に位相差板３４０１が設けられている。また、基板
１１０の第２の配向膜１０９が形成された面とは反対側の面に偏光板１００２が設けられ
、偏光板１００２と基板１１０との間に位相差板３４０２が設けられている。
１００の第１の配向膜１０７が形成された面とは反対側の面に偏光板１００１が設けられ
、偏光板１００１と基板１００との間に位相差板３４０１が設けられている。また、基板
１１０の第２の配向膜１０９が形成された面とは反対側の面に偏光板１００２が設けられ
、偏光板１００２と基板１１０との間に位相差板３４０２が設けられている。
まず、図１５の構成の基板の外側に位相板を備えた構成を図３６に示す。図３６は基板２
００の第１の配向膜２０６が形成された面とは反対側の面に偏光板１５０１が設けられ、
偏光板１５０１と基板２００との間に位相差板３６０１が設けられている。また、基板２
０９の第２の配向膜２０８が形成された面とは反対側の面に偏光板１５０２が設けられ、
偏光板１５０２と基板２０９との間に位相差板３６０２が設けられている。偏光板１５０
１と偏光板１５０２とは光の吸収軸が直交するように配置されている。
００の第１の配向膜２０６が形成された面とは反対側の面に偏光板１５０１が設けられ、
偏光板１５０１と基板２００との間に位相差板３６０１が設けられている。また、基板２
０９の第２の配向膜２０８が形成された面とは反対側の面に偏光板１５０２が設けられ、
偏光板１５０２と基板２０９との間に位相差板３６０２が設けられている。偏光板１５０
１と偏光板１５０２とは光の吸収軸が直交するように配置されている。
次に、基板の内側に位相差膜を備えた構成について説明する。つまり、配向膜が形成され
た面側に位相差膜を備えている。この位相差膜は、半透過型の液晶表示パネルにおいて、
反射領域上の部分において位相差を有している。そして、透過領域上の部分においては位
相差は概略０とする。
た面側に位相差膜を備えている。この位相差膜は、半透過型の液晶表示パネルにおいて、
反射領域上の部分において位相差を有している。そして、透過領域上の部分においては位
相差は概略０とする。
まず、図４の構成の基板の内側に位相差膜を備えた構成を図３５に示す。図３５は基板１
００の第１の配向膜１０７が形成された面とは反対側の面に偏光板３５０１が設けられ、
偏光板３５０１と基板１００との間に位相差板３５０３が設けられている。また、基板１
１０の第２の配向膜１０９が形成された面とは反対側の面に偏光板３５０２が設けられ、
偏光板３５０２と基板１１０との間に位相差板３５０４が設けられている。そして、基板
１１０の第２の配向膜１０９が形成された面側に位相差膜３５０５が形成されている。位
相差膜３５０５は反射領域上の部分３５０５ａにおいて位相差を有している。そして、透
過領域上の部分３５０５ｂにおいて位相差は概略０とする。
００の第１の配向膜１０７が形成された面とは反対側の面に偏光板３５０１が設けられ、
偏光板３５０１と基板１００との間に位相差板３５０３が設けられている。また、基板１
１０の第２の配向膜１０９が形成された面とは反対側の面に偏光板３５０２が設けられ、
偏光板３５０２と基板１１０との間に位相差板３５０４が設けられている。そして、基板
１１０の第２の配向膜１０９が形成された面側に位相差膜３５０５が形成されている。位
相差膜３５０５は反射領域上の部分３５０５ａにおいて位相差を有している。そして、透
過領域上の部分３５０５ｂにおいて位相差は概略０とする。
次に、図７の構成の基板の内側に位相差膜を備えた構成を図３７に示す。図３７は基板２
００の第１の配向膜２０６が形成された面とは反対側の面に偏光板３７０１が設けられ、
偏光板３７０１と基板２００との間に位相差板３７０３が設けられている。また、基板２
０９の第２の配向膜２０８が形成された面とは反対側の面に偏光板３７０２が設けられ、
偏光板３７０２と基板２０９との間に位相差板３７０４が設けられている。そして、基板
２０９の第２の配向膜２０８が形成された面側に位相差膜３７０５が形成されている。位
相差膜３７０５は反射領域上の部分３７０５ａにおいて位相差を有している。そして、透
過領域上の部分３７０５ｂにおいて位相差は概略０とする。
００の第１の配向膜２０６が形成された面とは反対側の面に偏光板３７０１が設けられ、
偏光板３７０１と基板２００との間に位相差板３７０３が設けられている。また、基板２
０９の第２の配向膜２０８が形成された面とは反対側の面に偏光板３７０２が設けられ、
偏光板３７０２と基板２０９との間に位相差板３７０４が設けられている。そして、基板
２０９の第２の配向膜２０８が形成された面側に位相差膜３７０５が形成されている。位
相差膜３７０５は反射領域上の部分３７０５ａにおいて位相差を有している。そして、透
過領域上の部分３７０５ｂにおいて位相差は概略０とする。
次に、図８の構成の基板の内側に位相差膜を備えた構成を図３８に示す。図３８は基板２
００の第１の配向膜２０６が形成された面とは反対側の面に偏光板３８０１が設けられ、
偏光板３８０１と基板２００との間に位相差板３８０３が設けられている。また、基板２
０９の第２の配向膜２０８が形成された面とは反対側の面に偏光板３８０２が設けられ、
偏光板３８０２と基板２０９との間に位相差板３８０４が設けられている。そして、基板
２０９の第２の配向膜２０８が形成された面側に位相差膜３８０５が形成されている。位
相差膜３８０５は反射領域上の部分３８０５ａにおいて位相差を有している。そして、透
過領域上の部分３８０５ｂにおいて位相差は概略０とする。
００の第１の配向膜２０６が形成された面とは反対側の面に偏光板３８０１が設けられ、
偏光板３８０１と基板２００との間に位相差板３８０３が設けられている。また、基板２
０９の第２の配向膜２０８が形成された面とは反対側の面に偏光板３８０２が設けられ、
偏光板３８０２と基板２０９との間に位相差板３８０４が設けられている。そして、基板
２０９の第２の配向膜２０８が形成された面側に位相差膜３８０５が形成されている。位
相差膜３８０５は反射領域上の部分３８０５ａにおいて位相差を有している。そして、透
過領域上の部分３８０５ｂにおいて位相差は概略０とする。
（実施の形態１５）
本発明の第１５の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第１５の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
実施の形態１乃至１４においては、画素電極と共通電極とが同層の導電膜でない場合には
、画素電極が共通電極よりも液晶層よりに配置されていたが、本実施の形態においては、
共通電極が画素電極よりも液晶層よりに配置された場合の液晶表示パネルの構成について
説明する。
、画素電極が共通電極よりも液晶層よりに配置されていたが、本実施の形態においては、
共通電極が画素電極よりも液晶層よりに配置された場合の液晶表示パネルの構成について
説明する。
まず、図３の構成において、第１の電極１０２ｅを共通電極とし、第２の電極３０１を画
素電極とした場合の構成を図３９に示す。トランジスタ１１１の不純物領域１０２ｂと、
第２の電極３０１とはコンタクトホールを介して配線３９０１によって接続されている。
よって、ゲート電極１０４の電位の変化によりトランジスタ１１１がオンして、配線１０
６に供給される信号が第２の電極３０１に入力される。つまり、この信号の伝送情報は電
位であり、第２の電極３０１に電荷が蓄積されて信号に応じた電位が入力される。そして
、第１の電極１０２ｅには複数の画素に渡って共通の電位が入力されている。こうして、
第１の電極１０２ｅと第２の電極３０１との電位差で発生した電界によって液晶層１０８
の液晶分子の配列が変化する。
素電極とした場合の構成を図３９に示す。トランジスタ１１１の不純物領域１０２ｂと、
第２の電極３０１とはコンタクトホールを介して配線３９０１によって接続されている。
よって、ゲート電極１０４の電位の変化によりトランジスタ１１１がオンして、配線１０
６に供給される信号が第２の電極３０１に入力される。つまり、この信号の伝送情報は電
位であり、第２の電極３０１に電荷が蓄積されて信号に応じた電位が入力される。そして
、第１の電極１０２ｅには複数の画素に渡って共通の電位が入力されている。こうして、
第１の電極１０２ｅと第２の電極３０１との電位差で発生した電界によって液晶層１０８
の液晶分子の配列が変化する。
次に、図５の構成において、第１の電極１０２ｅを共通電極とし、第２の電極５０１を画
素電極とした場合の構成を図４１に示す。トランジスタ１１１の不純物領域１０２ｂと、
第２の電極５０１とはコンタクトホールを介して配線４１０１によって接続されている。
よって、ゲート電極１０４の電位の変化によりトランジスタ１１１がオンして、配線１０
６に供給される信号が第２の電極５０１に入力される。つまり、この信号の伝送情報は電
位であり、第２の電極５０１に電荷が蓄積されて信号に応じた電位が入力される。そして
、第１の電極１０２ｅには複数の画素に渡って共通の電位が入力されている。こうして、
第１の電極１０２ｅと第２の電極５０１との電位差で発生した電界によって液晶層１０８
の液晶分子の配列が変化する。
素電極とした場合の構成を図４１に示す。トランジスタ１１１の不純物領域１０２ｂと、
第２の電極５０１とはコンタクトホールを介して配線４１０１によって接続されている。
よって、ゲート電極１０４の電位の変化によりトランジスタ１１１がオンして、配線１０
６に供給される信号が第２の電極５０１に入力される。つまり、この信号の伝送情報は電
位であり、第２の電極５０１に電荷が蓄積されて信号に応じた電位が入力される。そして
、第１の電極１０２ｅには複数の画素に渡って共通の電位が入力されている。こうして、
第１の電極１０２ｅと第２の電極５０１との電位差で発生した電界によって液晶層１０８
の液晶分子の配列が変化する。
次に、図６の構成において、第１の電極２０３ｅを共通電極とし、第２の電極６０１を画
素電極とした場合の構成を図４０に示す。トランジスタ２１０の不純物領域２０３ｂと、
第２の電極６０１とはコンタクトホールを介して配線４００１によって接続されている。
よって、ゲート電極２０１の電位の変化によりトランジスタ２１０がオンして、配線２０
５に供給される信号が第２の電極６０１に入力される。つまり、この信号の伝送情報は電
位であり、第２の電極６０１に電荷が蓄積されて信号に応じた電位が入力される。そして
、第１の電極２０３ｅには複数の画素に渡って共通の電位が入力されている。こうして、
第１の電極２０３ｅと第２の電極６０１との電位差で発生した電界によって液晶層２０７
の液晶分子の配列が変化する。
素電極とした場合の構成を図４０に示す。トランジスタ２１０の不純物領域２０３ｂと、
第２の電極６０１とはコンタクトホールを介して配線４００１によって接続されている。
よって、ゲート電極２０１の電位の変化によりトランジスタ２１０がオンして、配線２０
５に供給される信号が第２の電極６０１に入力される。つまり、この信号の伝送情報は電
位であり、第２の電極６０１に電荷が蓄積されて信号に応じた電位が入力される。そして
、第１の電極２０３ｅには複数の画素に渡って共通の電位が入力されている。こうして、
第１の電極２０３ｅと第２の電極６０１との電位差で発生した電界によって液晶層２０７
の液晶分子の配列が変化する。
次に、図９の構成において、第１の電極２０３ｅを共通電極とし、第２の電極９０１を画
素電極とした場合の構成を図４２に示す。トランジスタ２１０の不純物領域２０３ｂと、
第２の電極９０１とはコンタクトホールを介して配線４２０１によって接続されている。
よって、ゲート電極２０１の電位の変化によりトランジスタ２１０がオンして、配線２０
５に供給される信号が第２の電極９０１に入力される。つまり、この信号の伝送情報は電
位であり、第２の電極９０１に電荷が蓄積されて信号に応じた電位が入力される。そして
、第１の電極２０３ｅには複数の画素に渡って共通の電位が入力されている。こうして、
第１の電極２０３ｅと第２の電極９０１との電位差で発生した電界によって液晶層２０７
の液晶分子の配列が変化する。
素電極とした場合の構成を図４２に示す。トランジスタ２１０の不純物領域２０３ｂと、
第２の電極９０１とはコンタクトホールを介して配線４２０１によって接続されている。
よって、ゲート電極２０１の電位の変化によりトランジスタ２１０がオンして、配線２０
５に供給される信号が第２の電極９０１に入力される。つまり、この信号の伝送情報は電
位であり、第２の電極９０１に電荷が蓄積されて信号に応じた電位が入力される。そして
、第１の電極２０３ｅには複数の画素に渡って共通の電位が入力されている。こうして、
第１の電極２０３ｅと第２の電極９０１との電位差で発生した電界によって液晶層２０７
の液晶分子の配列が変化する。
（実施の形態１６）
本発明の第１６の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本発明の第１６の実施形態に係る液晶表示パネルの構成について説明する。
本実施の形態では、いわゆるＩＰＳ方式とＦＦＳ方式とを組み合わせた場合の液晶表示パ
ネルの構成について説明する。
ネルの構成について説明する。
ＩＰＳ方式では、電極間の電位差により基板面にほぼ平行な電界を発生させ、液晶分子を
基板面に対してほぼ平行に回転させる。ＦＦＳ方式では、ＩＰＳ方式に比べて電極間の幅
を狭くして斜め電界を利用して液晶分子の配列を制御している。そして、本発明の実施の
形態１６に係る液晶表示パネルは一画素内にＩＰＳ方式の表示領域及びＦＦＳ方式の表示
領域を有している。
基板面に対してほぼ平行に回転させる。ＦＦＳ方式では、ＩＰＳ方式に比べて電極間の幅
を狭くして斜め電界を利用して液晶分子の配列を制御している。そして、本発明の実施の
形態１６に係る液晶表示パネルは一画素内にＩＰＳ方式の表示領域及びＦＦＳ方式の表示
領域を有している。
図４３は画素構成を詳しく説明するため一画素の一部分を示している。なお、実施形態５
で図５を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、第２の電極５０１の
代わりに第２の電極４３０１が設けられているところである。
で図５を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、第２の電極５０１の
代わりに第２の電極４３０１が設けられているところである。
図４３の共通電極（第２の電極４３０１）は基板１００上であって、第１の絶縁膜１０１
下に形成されている。ＩＰＳ方式の表示領域では第２の電極４３０１は概ね第２の電極４
３０１が第１の電極１０２ｅと重ならないように配置され、ＦＦＳ方式の表示領域では第
２の電極４３０１上に第１の電極１０２ｅがＩＰＳ方式の表示領域のよりも狭い間隔で配
置されている。
下に形成されている。ＩＰＳ方式の表示領域では第２の電極４３０１は概ね第２の電極４
３０１が第１の電極１０２ｅと重ならないように配置され、ＦＦＳ方式の表示領域では第
２の電極４３０１上に第１の電極１０２ｅがＩＰＳ方式の表示領域のよりも狭い間隔で配
置されている。
図４４は画素構成を詳しく説明するため一画素の一部分を示している。なお、実施形態１
０で図９を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、第２の電極９０１
の代わりに第２の電極４４０１が設けられているところである。
０で図９を用いて説明した液晶表示パネルの一構成と異なるところは、第２の電極９０１
の代わりに第２の電極４４０１が設けられているところである。
図４４の共通電極（第２の電極４４０１）は基板２００上であって、第１の絶縁膜２０２
下に形成されている。ＩＰＳ方式の表示領域では第２の電極４４０１は概ね第２の電極４
４０１が第１の電極２０３ｅと重ならないように配置され、ＦＦＳ方式の表示領域では第
２の電極４４０１上に第１の電極２０３ｅがＩＰＳ方式の表示領域のよりも狭い間隔で配
置されている。
下に形成されている。ＩＰＳ方式の表示領域では第２の電極４４０１は概ね第２の電極４
４０１が第１の電極２０３ｅと重ならないように配置され、ＦＦＳ方式の表示領域では第
２の電極４４０１上に第１の電極２０３ｅがＩＰＳ方式の表示領域のよりも狭い間隔で配
置されている。
本発明の第１の実施形態に係る液晶表示パネルの基本構成を取り入れた画素レイアウトを
説明する。図４５（Ａ）は、本発明の第１の実施例に係る液晶表示パネルの画素レイアウ
トを説明する為の平面図である。この液晶表示パネルは、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ｓ
ｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式で液晶の配向方向を制御する表示装置に用いられる。
説明する。図４５（Ａ）は、本発明の第１の実施例に係る液晶表示パネルの画素レイアウ
トを説明する為の平面図である。この液晶表示パネルは、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ｓ
ｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式で液晶の配向方向を制御する表示装置に用いられる。
なお、図４５（Ａ）では画素構成を詳しく説明するため一画素しか図示していないが、表
示パネルの画素部には、複数の画素がマトリクスに配置されている。
示パネルの画素部には、複数の画素がマトリクスに配置されている。
本発明の第１の実施例の表示パネルの画素部には、信号線（図４５（Ａ）の画素では第１
の配線１０６ａ）と、走査線（図４５（Ａ）の画素では第２の配線１０４ｃ）と、をそれ
ぞれ複数有している。そして、画素部には、複数の走査線が平行且つ離間して配置されて
いる。また、画素部には、複数の信号線が、複数の走査線に直交する方向であって、平行
且つ離間して配置されている。
の配線１０６ａ）と、走査線（図４５（Ａ）の画素では第２の配線１０４ｃ）と、をそれ
ぞれ複数有している。そして、画素部には、複数の走査線が平行且つ離間して配置されて
いる。また、画素部には、複数の信号線が、複数の走査線に直交する方向であって、平行
且つ離間して配置されている。
そして、画素部には、複数の画素が走査線と信号線に対応してマトリクスに配置され、各
画素は、それぞれ走査線のいずれか一と、信号線のいずれか一と、に接続されている。
画素は、それぞれ走査線のいずれか一と、信号線のいずれか一と、に接続されている。
そして、各画素には、少なくとも一つのトランジスタ（図４５（Ａ）の画素ではトランジ
スタ１１１）と、画素電極（図４５（Ａ）の画素では第１の電極１０２ｅ）と、共通電極
（図４５（Ａ）の画素では第２の電極１０２ｆ）と、を有している。
スタ１１１）と、画素電極（図４５（Ａ）の画素では第１の電極１０２ｅ）と、共通電極
（図４５（Ａ）の画素では第２の電極１０２ｆ）と、を有している。
そして、各画素の、トランジスタ１１１の半導体層（チャネル形成領域、ソース領域及び
ドレイン領域として機能する半導体膜）と、第１の電極１０２ｅとは一続きの膜となって
いる。
ドレイン領域として機能する半導体膜）と、第１の電極１０２ｅとは一続きの膜となって
いる。
第２の配線１０４ｃから突出した領域がゲート電極１０４ａとして機能し、ゲート電極１
０４ａと重なる半導体層にトランジスタ１１１のチャネル形成領域が含まれる。また、不
純物領域１０２ｂ及び不純物領域１０２ｃは、一方がトランジスタ１１１のソースとして
機能し、他方がドレインとして機能する。なお、トランジスタ１１１はいわゆるデュアル
ゲート（二つのゲート電極が半導体層上に並んで配置されている構造）であるがこれに限
定されない。三つ以上のゲート電極が半導体層上に並んで配置されたマルチゲートでもよ
いし、いわゆるシングルゲート（一つのトランジスタに一つのゲート電極が配置されてい
る構造）でもよい。シングルゲートの場合には、不純物領域１０２ｄは省略される。
０４ａと重なる半導体層にトランジスタ１１１のチャネル形成領域が含まれる。また、不
純物領域１０２ｂ及び不純物領域１０２ｃは、一方がトランジスタ１１１のソースとして
機能し、他方がドレインとして機能する。なお、トランジスタ１１１はいわゆるデュアル
ゲート（二つのゲート電極が半導体層上に並んで配置されている構造）であるがこれに限
定されない。三つ以上のゲート電極が半導体層上に並んで配置されたマルチゲートでもよ
いし、いわゆるシングルゲート（一つのトランジスタに一つのゲート電極が配置されてい
る構造）でもよい。シングルゲートの場合には、不純物領域１０２ｄは省略される。
トランジスタ１１１は、ソース又はドレインの一方となる不純物領域１０２ｃが第１の配
線１０６ａとコンタクトホールを介して接続され、ソース又はドレインの他方となる不純
物領域１０２ｂは第１の電極１０２ｅと一続きの膜となっている。
線１０６ａとコンタクトホールを介して接続され、ソース又はドレインの他方となる不純
物領域１０２ｂは第１の電極１０２ｅと一続きの膜となっている。
図４５（Ａ）では、トランジスタ１１１の半導体層と、第１の電極１０２ｅとが一続きの
膜となっているが本発明の実施例１に係る液晶表示パネルはこれに限定されず、トランジ
スタ１１１の半導体層と、第１の電極１０２ｅとが同一工程により形成された膜であれば
よく、トランジスタ１１１の半導体層と、第１の電極１０２ｅとが多層の配線を介して電
気的に接続されていてもよい。
膜となっているが本発明の実施例１に係る液晶表示パネルはこれに限定されず、トランジ
スタ１１１の半導体層と、第１の電極１０２ｅとが同一工程により形成された膜であれば
よく、トランジスタ１１１の半導体層と、第１の電極１０２ｅとが多層の配線を介して電
気的に接続されていてもよい。
また、第２の電極１０２ｆはトランジスタ１１１の半導体層及び第１の電極１０２ｅと同
一工程により形成された膜である。第２の電極１０２ｆは、第３の配線１０６ｂを介して
複数の画素に渡って電気的に接続されると共に、第２の配線１０４ｃと離間して平行に配
置された第４の配線１０４ｂとも電気的に接続されている。
一工程により形成された膜である。第２の電極１０２ｆは、第３の配線１０６ｂを介して
複数の画素に渡って電気的に接続されると共に、第２の配線１０４ｃと離間して平行に配
置された第４の配線１０４ｂとも電気的に接続されている。
なお、図４５（Ａ）では、第２の電極１０２ｆは第３の配線１０６ｂを介して複数の画素
に渡って電気的に接続されているが本発明の実施例１に係る液晶表示パネルはこれに限定
されず、第２の電極１０２ｆが複数の画素に渡って一続きの膜となっていてもよい。ただ
し、第２の電極１０２ｆを画素毎に分離してパターニングすることにより、製造工程中の
第２の電極１０２ｆへの電界集中を緩和することができるためＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｓ
ｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：静電破壊）を防止することができる。
に渡って電気的に接続されているが本発明の実施例１に係る液晶表示パネルはこれに限定
されず、第２の電極１０２ｆが複数の画素に渡って一続きの膜となっていてもよい。ただ
し、第２の電極１０２ｆを画素毎に分離してパターニングすることにより、製造工程中の
第２の電極１０２ｆへの電界集中を緩和することができるためＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｓ
ｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：静電破壊）を防止することができる。
本発明の第１の実施例に係る液晶表示パネルはトランジスタ１１１の半導体層、第１の電
極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆが同一工程により形成された膜であればよい。
極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆが同一工程により形成された膜であればよい。
また、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆの形状は図４５（Ａ）に示したような
形状に限定されない。
形状に限定されない。
なお、図４５（Ａ）では画素レイアウトの理解を容易にするため液晶層が図示されていな
いが、本発明の第１の実施例に係る液晶表示パネルには液晶層を有している。そして、各
画素には、画素毎に独立して設けられた第１の電極１０２ｅと、画素部の複数の画素に渡
って接続された第２の電極１０２ｆと、の電位差に依存して液晶分子の分子配列が変化す
る液晶素子が形成される。
いが、本発明の第１の実施例に係る液晶表示パネルには液晶層を有している。そして、各
画素には、画素毎に独立して設けられた第１の電極１０２ｅと、画素部の複数の画素に渡
って接続された第２の電極１０２ｆと、の電位差に依存して液晶分子の分子配列が変化す
る液晶素子が形成される。
次に、図４５（Ａ）の破線ＡＢ及び破線ＣＤの断面を示す図４５（Ｂ）を用いて本発明の
第１の実施例に係る液晶表示パネルの構成をさらに説明する。
第１の実施例に係る液晶表示パネルの構成をさらに説明する。
基板１００上には、基板１００から不純物が拡散することを防止するために、下地絶縁膜
（第１の絶縁膜１０１）が形成されている。基板１００としてはガラス基板、石英基板、
プラスチック基板、セラミックス基板等の絶縁性基板、金属基板、半導体基板等を用いる
ことができる。第１の絶縁膜１０１はＣＶＤ法やスパッタ法により形成することができる
。例えばＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３を原料に用いたＣＶＤ法により形成した酸化珪素膜、
窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜等を適用することができる。また、これらの積層を用いても
良い。なお、第１の絶縁膜１０１は基板１００から不純物が半導体層に拡散することを防
ぐために設けるものであり、基板１００にガラス基板や石英基板を用いている場合には第
１の絶縁膜１０１は設けなくてもよい。ただし、第１の絶縁膜１０１として、窒化珪素膜
を用いると不純物の侵入を防ぐ効果が高い。また、第１の絶縁膜１０１として、酸化珪素
膜を用いると、第１の絶縁膜１０１が半導体層と直接接しても、電荷のトラップや電気特
性のヒステリシスを起こさない。よって、基板１００上に窒化珪素膜、さらにその上に酸
化珪素膜を形成した積層膜を第１の絶縁膜１０１に用いるのがより好ましい。
（第１の絶縁膜１０１）が形成されている。基板１００としてはガラス基板、石英基板、
プラスチック基板、セラミックス基板等の絶縁性基板、金属基板、半導体基板等を用いる
ことができる。第１の絶縁膜１０１はＣＶＤ法やスパッタ法により形成することができる
。例えばＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３を原料に用いたＣＶＤ法により形成した酸化珪素膜、
窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜等を適用することができる。また、これらの積層を用いても
良い。なお、第１の絶縁膜１０１は基板１００から不純物が半導体層に拡散することを防
ぐために設けるものであり、基板１００にガラス基板や石英基板を用いている場合には第
１の絶縁膜１０１は設けなくてもよい。ただし、第１の絶縁膜１０１として、窒化珪素膜
を用いると不純物の侵入を防ぐ効果が高い。また、第１の絶縁膜１０１として、酸化珪素
膜を用いると、第１の絶縁膜１０１が半導体層と直接接しても、電荷のトラップや電気特
性のヒステリシスを起こさない。よって、基板１００上に窒化珪素膜、さらにその上に酸
化珪素膜を形成した積層膜を第１の絶縁膜１０１に用いるのがより好ましい。
第１の絶縁膜１０１上には、トランジスタ１１１の半導体層（チャネル形成領域１０２ａ
、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ）並びに液晶分子の
分子配列を制御する第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆが形成されている。チャ
ネル形成領域１０２ａ、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ、不純物領域１０２ｄ
、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆは、例えばポリシリコン膜であり、同一工
程により形成される。
、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ）並びに液晶分子の
分子配列を制御する第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆが形成されている。チャ
ネル形成領域１０２ａ、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ、不純物領域１０２ｄ
、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆは、例えばポリシリコン膜であり、同一工
程により形成される。
トランジスタ１１１がｎ型のトランジスタの場合には、不純物領域１０２ｂ、不純物領域
１０２ｃ及び１０２ｄには、リンやヒ素などの不純物元素が導入され、トランジスタ１１
１がｐ型のトランジスタの場合には、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純
物領域１０２ｄには、ボロンなどの不純物元素が導入されている。
１０２ｃ及び１０２ｄには、リンやヒ素などの不純物元素が導入され、トランジスタ１１
１がｐ型のトランジスタの場合には、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純
物領域１０２ｄには、ボロンなどの不純物元素が導入されている。
また、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆにも不純物領域１０２ｂ、不純物領域
１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄに導入されている不純物元素が導入されていてもよい。
第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆは不純物が導入されることにより抵抗が下が
り、電極として好ましい。
１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄに導入されている不純物元素が導入されていてもよい。
第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆは不純物が導入されることにより抵抗が下が
り、電極として好ましい。
第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆは、膜厚が例えば４５ｎｍ以上６０ｎｍ以下
であり、光の透過率は十分高い。ただし、光の透過率を更に下げる場合には、第１の電極
１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆの膜厚を４０ｎｍ以下にすることが望ましい。
であり、光の透過率は十分高い。ただし、光の透過率を更に下げる場合には、第１の電極
１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆの膜厚を４０ｎｍ以下にすることが望ましい。
第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆは、アモルファスシリコン膜又は有機半導
体膜であってもよい。この場合、トランジスタ１１１の半導体層には、アモルファスシリ
コン膜又は有機半導体膜が用いられる。
体膜であってもよい。この場合、トランジスタ１１１の半導体層には、アモルファスシリ
コン膜又は有機半導体膜が用いられる。
トランジスタ１１１の半導体層（チャネル形成領域１０２ａ、不純物領域１０２ｂ、不純
物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ）並びに液晶分子の分子配列を制御する第１の電
極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆを同一工程により形成することにより、工程数を削減
できるため、製造コストを低減することができる。また、不純物領域１０２ｂ、不純物領
域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ並びに第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆに
は、同じ種類の不純物元素が導入されることが望ましい。同じ種類の不純物元素を導入す
る場合、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ並びに第１の
電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆを互いに近接して配置しても、問題なく不純物元素
を導入することができるため、より密なレイアウトを構成することができる。ｐ型又はｎ
型どちらか一方のみの不純物元素を導入することにより、異なる種類の不純物元素を導入
する場合と比較して低コストで製造できるため望ましい。
物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ）並びに液晶分子の分子配列を制御する第１の電
極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆを同一工程により形成することにより、工程数を削減
できるため、製造コストを低減することができる。また、不純物領域１０２ｂ、不純物領
域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ並びに第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆに
は、同じ種類の不純物元素が導入されることが望ましい。同じ種類の不純物元素を導入す
る場合、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ並びに第１の
電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆを互いに近接して配置しても、問題なく不純物元素
を導入することができるため、より密なレイアウトを構成することができる。ｐ型又はｎ
型どちらか一方のみの不純物元素を導入することにより、異なる種類の不純物元素を導入
する場合と比較して低コストで製造できるため望ましい。
トランジスタ１１１の半導体層、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆ上には、
ゲート絶縁膜（第２の絶縁膜１０３）が形成されている。図４５（Ｂ）ではトランジスタ
１１１の半導体層、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆを覆うように第２の絶縁
膜１０３が形成されているが、これに限定されず、トランジスタ１１１の半導体層上に第
２の絶縁膜１０３が形成されていればよい。第２の絶縁膜１０３としてはＣＶＤ法やスパ
ッタ法により形成される酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜等を用いることができ
る。
ゲート絶縁膜（第２の絶縁膜１０３）が形成されている。図４５（Ｂ）ではトランジスタ
１１１の半導体層、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆを覆うように第２の絶縁
膜１０３が形成されているが、これに限定されず、トランジスタ１１１の半導体層上に第
２の絶縁膜１０３が形成されていればよい。第２の絶縁膜１０３としてはＣＶＤ法やスパ
ッタ法により形成される酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜等を用いることができ
る。
トランジスタ１１１のチャネル形成領域１０２ａ上に第２の絶縁膜１０３を介して２本の
ゲート電極１０４ａが形成されている。また、第２の絶縁膜１０３上にはゲート配線（第
１の配線１０４ｂ）及び補助配線（第２の配線１０４ｃ）が形成されている。第２の配線
１０４ｃはゲート電極１０４ａと一続きの膜となっており、第２の配線１０４ｃは第１の
配線１０４ｂ及びゲート電極１０４ａと同一の工程により形成されている。また、ゲート
電極１０４ａ、第１の配線１０４ｂ及び第２の配線１０４ｃとしてはアルミニウム（Ａｌ
）膜、銅（Ｃｕ）膜、アルミニウム又は銅を主成分とする薄膜、クロム（Ｃｒ）膜、タン
タル（Ｔａ）膜、窒化タンタル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデ
ン（Ｍｏ）膜等を用いることができる。
ゲート電極１０４ａが形成されている。また、第２の絶縁膜１０３上にはゲート配線（第
１の配線１０４ｂ）及び補助配線（第２の配線１０４ｃ）が形成されている。第２の配線
１０４ｃはゲート電極１０４ａと一続きの膜となっており、第２の配線１０４ｃは第１の
配線１０４ｂ及びゲート電極１０４ａと同一の工程により形成されている。また、ゲート
電極１０４ａ、第１の配線１０４ｂ及び第２の配線１０４ｃとしてはアルミニウム（Ａｌ
）膜、銅（Ｃｕ）膜、アルミニウム又は銅を主成分とする薄膜、クロム（Ｃｒ）膜、タン
タル（Ｔａ）膜、窒化タンタル膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデ
ン（Ｍｏ）膜等を用いることができる。
第２の絶縁膜１０３、ゲート電極１０４ａ、第１の配線１０４ｂ及び第２の配線１０４ｃ
上には、層間絶縁膜（第３の絶縁膜１０５）が形成されている。第３の絶縁膜１０５とし
ては保護膜及び平坦化膜がこの順に形成されている積層構造が好ましい。保護膜には、無
機絶縁膜が適している。無機絶縁膜としては、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜
の単膜又はこれらを積層した膜を用いることができる。平坦化膜には、樹脂膜が適してい
る。樹脂膜としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ポリイミドアミド、エポキシ
などを用いることができる。
上には、層間絶縁膜（第３の絶縁膜１０５）が形成されている。第３の絶縁膜１０５とし
ては保護膜及び平坦化膜がこの順に形成されている積層構造が好ましい。保護膜には、無
機絶縁膜が適している。無機絶縁膜としては、窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜
の単膜又はこれらを積層した膜を用いることができる。平坦化膜には、樹脂膜が適してい
る。樹脂膜としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ポリイミドアミド、エポキシ
などを用いることができる。
第３の絶縁膜１０５上には信号線（第３の配線１０６ａ）及び接続配線（第４の配線１０
６ｂ）が形成されている。第３の配線１０６ａは第３の絶縁膜１０５及び第２の絶縁膜１
０３に形成された孔（コンタクトホール）を介して不純物領域１０２ｃと接続され、第４
の配線１０６ｂは第３の絶縁膜１０５及び第２の絶縁膜１０３に形成された孔を介して第
２の電極１０２ｆと接続され、且つ、第３の絶縁膜１０５に形成された孔を介して第１の
配線１０４ｂと接続されている。第３の配線１０６ａ及び第４の配線１０６ｂとしては、
チタン（Ｔｉ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜又はＴｉを含むアルミニウム
膜などを用いることができる。好ましくは、低抵抗な銅を用いるとよい。
６ｂ）が形成されている。第３の配線１０６ａは第３の絶縁膜１０５及び第２の絶縁膜１
０３に形成された孔（コンタクトホール）を介して不純物領域１０２ｃと接続され、第４
の配線１０６ｂは第３の絶縁膜１０５及び第２の絶縁膜１０３に形成された孔を介して第
２の電極１０２ｆと接続され、且つ、第３の絶縁膜１０５に形成された孔を介して第１の
配線１０４ｂと接続されている。第３の配線１０６ａ及び第４の配線１０６ｂとしては、
チタン（Ｔｉ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜又はＴｉを含むアルミニウム
膜などを用いることができる。好ましくは、低抵抗な銅を用いるとよい。
第３の配線１０６ａ、第４の配線１０６ｂ及び第３の絶縁膜１０５上に第１の配向膜が
形成される。そして、基板１００の第１の配向膜が形成された面と、第２の配向膜を有す
る対向基板の第２の配向膜が設けられた面とを、内側とし、基板１００と対向基板の間に
液晶層が設けられる。こうして、本発明の第１の実施例に係る液晶表示パネルは完成され
る。
形成される。そして、基板１００の第１の配向膜が形成された面と、第２の配向膜を有す
る対向基板の第２の配向膜が設けられた面とを、内側とし、基板１００と対向基板の間に
液晶層が設けられる。こうして、本発明の第１の実施例に係る液晶表示パネルは完成され
る。
次に、本発明の実施例１に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。まず、基板
１００上に第１の絶縁膜１０１を形成する。第１の絶縁膜１０１上にポリシリコン膜又は
アモルファスシリコン膜等の半導体膜を形成し、この半導体膜上にレジストパターン（図
示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクとして半導体膜を選択的にエッチン
グする。このようにして、半導体膜（チャネル形成領域１０２ａ、不純物領域１０２ｂ、
不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ）、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０
２ｆが同一工程で形成される。その後、レジストパターンを除去する。
１００上に第１の絶縁膜１０１を形成する。第１の絶縁膜１０１上にポリシリコン膜又は
アモルファスシリコン膜等の半導体膜を形成し、この半導体膜上にレジストパターン（図
示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクとして半導体膜を選択的にエッチン
グする。このようにして、半導体膜（チャネル形成領域１０２ａ、不純物領域１０２ｂ、
不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄ）、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０
２ｆが同一工程で形成される。その後、レジストパターンを除去する。
半導体膜（チャネル形成領域１０２ａ、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び
不純物領域１０２ｄ）、第１の電極１０２ｅ、第２の電極１０２ｆ及び第１の絶縁膜１０
１上に、第２の絶縁膜１０３を形成する。第２の絶縁膜１０３は例えば酸化窒化シリコン
膜又は酸化シリコン膜であり、プラズマＣＶＤ法により形成される。なお、第２の絶縁膜
１０３を窒化シリコン膜、若しくは窒化シリコン及び酸化シリコンを有する多層膜により
形成してもよい。次いで、第２の絶縁膜１０３上に導電膜を形成し、この導電膜をパター
ニングする。これにより、チャネル形成領域１０２ａ上に第２の絶縁膜１０３を介して２
つのゲート電極１０４ａが形成される。また、ゲート電極１０４ａと同時に第１の配線１
０４ｂ及び第２の配線１０４ｃが形成される。
不純物領域１０２ｄ）、第１の電極１０２ｅ、第２の電極１０２ｆ及び第１の絶縁膜１０
１上に、第２の絶縁膜１０３を形成する。第２の絶縁膜１０３は例えば酸化窒化シリコン
膜又は酸化シリコン膜であり、プラズマＣＶＤ法により形成される。なお、第２の絶縁膜
１０３を窒化シリコン膜、若しくは窒化シリコン及び酸化シリコンを有する多層膜により
形成してもよい。次いで、第２の絶縁膜１０３上に導電膜を形成し、この導電膜をパター
ニングする。これにより、チャネル形成領域１０２ａ上に第２の絶縁膜１０３を介して２
つのゲート電極１０４ａが形成される。また、ゲート電極１０４ａと同時に第１の配線１
０４ｂ及び第２の配線１０４ｃが形成される。
なお、導電膜としては、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ
）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ネオジウム（Ｎｄ）、白
金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などから形成された膜、これらの合金で形成された
膜、又は、これらの積層膜を用いることができる。また、ｎ型不純物が導入されたシリコ
ン（Ｓｉ）膜を用いてもよい。
）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ネオジウム（Ｎｄ）、白
金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などから形成された膜、これらの合金で形成された
膜、又は、これらの積層膜を用いることができる。また、ｎ型不純物が導入されたシリコ
ン（Ｓｉ）膜を用いてもよい。
次いで、ゲート電極１０４ａ及びレジストパターン（図示せず）などをマスクとして、
不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄに不純物を添加する。
これにより、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄには、不
純物が含まれる。なお、ｎ型、ｐ型の不純物元素を個別に添加してもよいし、特定の領域
にはｎ型の不純物元素及びｐ型の不純物元素を共に添加してもよい。ただし後者の場合に
は、ｎ型の不純物元素又はｐ型の不純物元素のどちらか一方の添加量が多くなるようにす
る。
不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄに不純物を添加する。
これにより、不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄには、不
純物が含まれる。なお、ｎ型、ｐ型の不純物元素を個別に添加してもよいし、特定の領域
にはｎ型の不純物元素及びｐ型の不純物元素を共に添加してもよい。ただし後者の場合に
は、ｎ型の不純物元素又はｐ型の不純物元素のどちらか一方の添加量が多くなるようにす
る。
また、不純物領域を形成する工程において、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２
ｆに不純物元素を添加してもよい。このようにすると、第１の電極１０２ｅ及び第２の電
極１０２ｆを不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄと同時に
形成することができるため、工程が増加せずに済み、液晶表示パネルの製造コストを低減
することができる。
ｆに不純物元素を添加してもよい。このようにすると、第１の電極１０２ｅ及び第２の電
極１０２ｆを不純物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄと同時に
形成することができるため、工程が増加せずに済み、液晶表示パネルの製造コストを低減
することができる。
なお、不純物領域に対する不純物元素の添加は、ゲート電極１０４ａを形成する前、例
えば第２の絶縁膜１０３を形成する前又は形成した後に行ってもよい。このとき、第１の
電極１０２ｅに不純物元素を添加しても良い。この場合においても、トランジスタの不純
物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄへの不純物元素の添加と、
第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆへの不純物元素の添加を同時にすることがで
きるため、液晶表示パネルの製造コストを低減することができる。
えば第２の絶縁膜１０３を形成する前又は形成した後に行ってもよい。このとき、第１の
電極１０２ｅに不純物元素を添加しても良い。この場合においても、トランジスタの不純
物領域１０２ｂ、不純物領域１０２ｃ及び不純物領域１０２ｄへの不純物元素の添加と、
第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆへの不純物元素の添加を同時にすることがで
きるため、液晶表示パネルの製造コストを低減することができる。
第３の絶縁膜１０５を形成する。第３の絶縁膜１０５及び第２の絶縁膜１０３に孔（コン
タクトホール）を形成する。次いで、第３の絶縁膜１０５上及び各孔中に導電膜（例えば
金属膜）を形成し、この金属膜をパターニング、すなわち選択的に除去する。これにより
、第３の配線１０６ａ及び第４の配線１０６ｂが形成される。なお、導電膜としては、ア
ルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チ
タン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ネオジウム（Ｎｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀
（Ａｇ）などから形成された膜、これらの合金で形成された膜、又は、これらの積層膜を
用いることができる。また、ｎ型不純物が導入されたシリコン（Ｓｉ）を用いてもよい。
タクトホール）を形成する。次いで、第３の絶縁膜１０５上及び各孔中に導電膜（例えば
金属膜）を形成し、この金属膜をパターニング、すなわち選択的に除去する。これにより
、第３の配線１０６ａ及び第４の配線１０６ｂが形成される。なお、導電膜としては、ア
ルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チ
タン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ネオジウム（Ｎｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀
（Ａｇ）などから形成された膜、これらの合金で形成された膜、又は、これらの積層膜を
用いることができる。また、ｎ型不純物が導入されたシリコン（Ｓｉ）を用いてもよい。
次いで、第１の配向膜を形成し、第２の配向膜が形成された対向基板との間に液晶を封
止する。このようにして、液晶表示パネルが形成される。
止する。このようにして、液晶表示パネルが形成される。
以上、本発明の第１の実施例によれば、ＩＰＳ方式で液晶の配向方向を制御する液晶表
示パネルにおいて、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆは不純物が導入されたポ
リシリコン膜によって形成されており、トランジスタの半導体層（ソース、ドレイン及び
チャネル形成領域）と同一工程で形成される。従って、共通電極をＩＴＯで形成する場合
と比較して、製造工程数を少なくして製造コストを低くすることができる。
示パネルにおいて、第１の電極１０２ｅ及び第２の電極１０２ｆは不純物が導入されたポ
リシリコン膜によって形成されており、トランジスタの半導体層（ソース、ドレイン及び
チャネル形成領域）と同一工程で形成される。従って、共通電極をＩＴＯで形成する場合
と比較して、製造工程数を少なくして製造コストを低くすることができる。
なお、本実施例では、第４の配線１０６ｂを、第３の配線１０６ａと同一層に配置した
が、他の配線層（例えば第１の配線１０４ｂ、第２の配線１０４ｃと同一層）に配置して
もよい。また、第２の絶縁膜１０３は全面に形成されていなくてもよい。
が、他の配線層（例えば第１の配線１０４ｂ、第２の配線１０４ｃと同一層）に配置して
もよい。また、第２の絶縁膜１０３は全面に形成されていなくてもよい。
また、第１の配線１０４ｂは、第３の配線１０６ａと同一層でもよい。この場合、第１
の配線１０４ｂを第２の配線１０４ｃと平行に配置し、かつ第３の配線１０６ａと交差す
る部分のみ第２の配線１０４ｃと同一層にしてもよい。
の配線１０４ｂを第２の配線１０４ｃと平行に配置し、かつ第３の配線１０６ａと交差す
る部分のみ第２の配線１０４ｃと同一層にしてもよい。
また、本実施例では、チャネル形成領域の上方にゲート電極を配置した、いわゆるトッ
プゲート型のトランジスタについて説明をしたが、本発明は特にこれに限定されるもので
はない。チャネル形成領域の下方にゲート電極が配置された、いわゆるボトムゲート型の
トランジスタにしてもよいし、チャネル形成領域の上下にゲート電極が配置された構造を
有するトランジスタを形成してもよい。
プゲート型のトランジスタについて説明をしたが、本発明は特にこれに限定されるもので
はない。チャネル形成領域の下方にゲート電極が配置された、いわゆるボトムゲート型の
トランジスタにしてもよいし、チャネル形成領域の上下にゲート電極が配置された構造を
有するトランジスタを形成してもよい。
なお、第１の電極１０２ｅと第２の電極１０２ｆとの電位差を保持する容量素子を設けて
も良い。
も良い。
例えば、図４６に示すようにトランジスタ１１１の不純物領域１０２ｂを延長してなる下
部電極１０２ｇを一方の電極とし、第４の配線１０６ｂを延長してなる電極１０６ｃを他
方の電極とした容量素子１１２ａを設けても良い。
部電極１０２ｇを一方の電極とし、第４の配線１０６ｂを延長してなる電極１０６ｃを他
方の電極とした容量素子１１２ａを設けても良い。
また、図４７に示すようにトランジスタ１１１の不純物領域１０２ｂを延長してなる下部
電極１０２ｇを一方の電極とし、ゲート電極１０４ａ、第１の配線１０４ｂ及び第２の配
線１０４ｃと同一工程により形成した導電膜からなる電極１０４ｄを他方の電極とした容
量素子１１２ｂを設けても良い。このとき、電極１０４ｄは、コンタクトホールを介して
第４の配線１０６ｂにより第２の電極１０２ｆと接続されている。
電極１０２ｇを一方の電極とし、ゲート電極１０４ａ、第１の配線１０４ｂ及び第２の配
線１０４ｃと同一工程により形成した導電膜からなる電極１０４ｄを他方の電極とした容
量素子１１２ｂを設けても良い。このとき、電極１０４ｄは、コンタクトホールを介して
第４の配線１０６ｂにより第２の電極１０２ｆと接続されている。
また、図４８に示すようにトランジスタ１１１の不純物領域１０２ｂを延長してなる電極
１０２ｇと、第４の配線１０６ｂと同一工程に形成した導電膜からなる電極１０６ｄと、
を一方の電極とし、ゲート電極１０４ａ、第１の配線１０４ｂ及び第２の配線１０４ｃと
同一工程により形成した導電膜からなる電極１０４ｄを他方の電極とした容量素子１１２
ｃを設けても良い。このとき、電極１０６ｄと電極１０２ｇとはコンタクトホールを介し
て接続され、電極１０４ｄと第２の電極１０２ｆとはコンタクトホールを介して第４の配
線１０６ｂにより接続されている。
１０２ｇと、第４の配線１０６ｂと同一工程に形成した導電膜からなる電極１０６ｄと、
を一方の電極とし、ゲート電極１０４ａ、第１の配線１０４ｂ及び第２の配線１０４ｃと
同一工程により形成した導電膜からなる電極１０４ｄを他方の電極とした容量素子１１２
ｃを設けても良い。このとき、電極１０６ｄと電極１０２ｇとはコンタクトホールを介し
て接続され、電極１０４ｄと第２の電極１０２ｆとはコンタクトホールを介して第４の配
線１０６ｂにより接続されている。
また、実施の形態３で示した図３の液晶表示パネルの基本構成を取り入れた液晶表示パネ
ルの画素レイアウトを図５３に示す。図５３では、不純物領域１０２ｂと一続きの膜でな
る第１の電極１０２ｅにはスリットが設けられている。そして、第２の電極３０１は、各
画素の第１の電極１０２ｅの下部領域の一面を覆うように基板１００と第１の絶縁膜１０
１との間に設けられ、さらに第２の電極３０１は列方向の画素間に渡って一続きの膜とな
っている。第２の電極３０１は、第１の配線１０４ｂとコンタクトホールを介して第４の
配線１０６ｂにより接続されている。よって、第２の電極３０１は第１の配線１０４ｂと
第４の配線１０６ｂとにより行方向の画素間に渡っても接続されていることになる。
ルの画素レイアウトを図５３に示す。図５３では、不純物領域１０２ｂと一続きの膜でな
る第１の電極１０２ｅにはスリットが設けられている。そして、第２の電極３０１は、各
画素の第１の電極１０２ｅの下部領域の一面を覆うように基板１００と第１の絶縁膜１０
１との間に設けられ、さらに第２の電極３０１は列方向の画素間に渡って一続きの膜とな
っている。第２の電極３０１は、第１の配線１０４ｂとコンタクトホールを介して第４の
配線１０６ｂにより接続されている。よって、第２の電極３０１は第１の配線１０４ｂと
第４の配線１０６ｂとにより行方向の画素間に渡っても接続されていることになる。
また、実施の形態４で示した図４の液晶表示パネルの基本構成を取り入れた液晶表示パネ
ルの画素レイアウトを図５４に示す。図５４は図５３の第２の電極３０１上に導電膜４０
１を設けた構成である。導電膜４０１に反射性を有する金属膜を用いる場合には、導電膜
４０１の上部が反射領域となり、導電膜４０１が設けられていない第２の電極３０１上部
が透過領域となる。よって、第２の電極３０１と導電膜４０１との面積比を調整すること
により、表示に寄与する光として、バックライトからの光源を主に利用するか、外光の反
射による光源を主に利用するか、を選択することができる。
ルの画素レイアウトを図５４に示す。図５４は図５３の第２の電極３０１上に導電膜４０
１を設けた構成である。導電膜４０１に反射性を有する金属膜を用いる場合には、導電膜
４０１の上部が反射領域となり、導電膜４０１が設けられていない第２の電極３０１上部
が透過領域となる。よって、第２の電極３０１と導電膜４０１との面積比を調整すること
により、表示に寄与する光として、バックライトからの光源を主に利用するか、外光の反
射による光源を主に利用するか、を選択することができる。
また、実施の形態５で示した図５の液晶表示パネルの基本構成を取り入れた液晶表示パネ
ルの画素レイアウトを図５５に示す。図５５では、不純物領域１０２ｂと一続きの膜でな
る第１の電極１０２ｅには矩形のスリットが設けられている。そして、第２の電極５０１
にも矩形のスリットが設けられ、第１の電極１０２ｅと第２の電極５０１のスリットは短
辺方向にずれて設けられている。さらに第２の電極５０１は列方向の画素間に渡って一続
きの膜となっている。第２の電極５０１は、第１の配線１０４ｂとコンタクトホールを介
して第４の配線１０６ｂにより接続されている。よって、第２の電極５０１は第１の配線
１０４ｂと第４の配線１０６ｂとにより行方向の画素間に渡っても接続されていることに
なる。
ルの画素レイアウトを図５５に示す。図５５では、不純物領域１０２ｂと一続きの膜でな
る第１の電極１０２ｅには矩形のスリットが設けられている。そして、第２の電極５０１
にも矩形のスリットが設けられ、第１の電極１０２ｅと第２の電極５０１のスリットは短
辺方向にずれて設けられている。さらに第２の電極５０１は列方向の画素間に渡って一続
きの膜となっている。第２の電極５０１は、第１の配線１０４ｂとコンタクトホールを介
して第４の配線１０６ｂにより接続されている。よって、第２の電極５０１は第１の配線
１０４ｂと第４の配線１０６ｂとにより行方向の画素間に渡っても接続されていることに
なる。
また、実施の形態１６で示した図４３の液晶表示パネルの基本構成を取り入れた液晶表示
パネルの画素レイアウトを図５６に示す。図５６では、不純物領域１０２ｂと一続きの膜
でなる第１の電極１０２ｅには矩形のスリットが設けられている。そして、第２の電極４
３０１は、プレート状（一面を覆う形状）の領域と矩形のスリットが設けられた領域とを
有している。第１の電極１０２ｅと第２の電極４３０１のスリットは短辺方向にずれて設
けられ、プレート状（一面を覆う形状）の領域は、第１の電極１０２ｅの複数のスリット
分の下部領域の一面を覆うように基板１００と第１の絶縁膜１０１との間に設けられてい
る。さらに第２の電極４３０１は列方向の画素間に渡って一続きの膜となっている。第２
の電極４３０１は、第１の配線１０４ｂとコンタクトホールを介して第４の配線１０６ｂ
により接続されている。よって、第２の電極４３０１は第１の配線１０４ｂと第４の配線
１０６ｂとにより行方向の画素間に渡っても接続されていることになる。
パネルの画素レイアウトを図５６に示す。図５６では、不純物領域１０２ｂと一続きの膜
でなる第１の電極１０２ｅには矩形のスリットが設けられている。そして、第２の電極４
３０１は、プレート状（一面を覆う形状）の領域と矩形のスリットが設けられた領域とを
有している。第１の電極１０２ｅと第２の電極４３０１のスリットは短辺方向にずれて設
けられ、プレート状（一面を覆う形状）の領域は、第１の電極１０２ｅの複数のスリット
分の下部領域の一面を覆うように基板１００と第１の絶縁膜１０１との間に設けられてい
る。さらに第２の電極４３０１は列方向の画素間に渡って一続きの膜となっている。第２
の電極４３０１は、第１の配線１０４ｂとコンタクトホールを介して第４の配線１０６ｂ
により接続されている。よって、第２の電極４３０１は第１の配線１０４ｂと第４の配線
１０６ｂとにより行方向の画素間に渡っても接続されていることになる。
なお、第１の配線１０６ａ、第２の配線１０４ｃ、第３の配線１０６ｂ及び第４の配線
１０４ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（
Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ネオジウム（Ｎｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）
、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）、スカン
ジウム（Ｓｃ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）
、シリコン（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム （Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、酸素（Ｏ）で構成された群から選ばれた一つ又は複数
の元素、もしくは、前記群から選ばれた一つ又は複数の元素を成分とする化合物や合金材
料（例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪
素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミネオジウム（Ａ
ｌ−Ｎｄ）、マグネシウム銀（Ｍｇ−Ａｇ）など）、もしくは、これらの化合物を組み合
わせた物質などを有して形成される。もしくは、それらとシリコンの化合物（シリサイド
）（例えば、アルミシリコン、モリブデンシリコン、ニッケルシリサイドなど）や、それ
らと窒素の化合物（例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン等）を有して形
成される。なお、シリコン（Ｓｉ）には、ｎ型不純物（リンなど）やｐ型不純物（ボロン
など）を多く含んでいてもよい。これらの不純物を含むことにより、導電率が向上し、通
常の導体と同様な振る舞いをするので、配線や電極として利用が容易となる。なお、シリ
コンは、単結晶でもよいし、多結晶（ポリシリコン）でもよいし、非晶質（アモルファス
シリコン）でもよい。単結晶シリコンや多結晶シリコンを用いることにより、抵抗を小さ
くすることが出来る。非晶質シリコンを用いることにより、簡単な製造工程で作ることが
出来る。なお、アルミニウムや銀は、導電率が高いため、信号遅延を低減することができ
、エッチングしやすいので、加工しやすく、微細加工を行うことが出来る。なお、銅は、
導電率が高いため、信号遅延を低減することが出来る。なお、モリブデンは、ＩＴＯやＩ
ＺＯなどの酸化物半導体や、シリコンと接触しても、材料が不良を起こすなどの問題が生
じることなく製造でき、加工やエッチングが容易で、耐熱性が高いため、望ましい。なお
、チタンは、ＩＴＯやＩＺＯなどの酸化物半導体や、シリコンと接触しても、材料が不良
を起こすなどの問題が生じることなく製造でき、また、耐熱性が高いため、望ましい。な
お、タングステンは、耐熱性が高いため、望ましい。なお、ネオジウムは、耐熱性が高い
ため、望ましい。特に、ネオジウムとアルミニウムとの合金にすると、耐熱性が向上し、
アルミニウムがヒロックをおこしにくくなるため、望ましい。なお、シリコンは、トラン
ジスタが有する半導体膜と同時に形成でき、また、耐熱性が高いため、望ましい。なお、
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を含むイン
ジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、シリコン（Ｓｉ）は、透光性を有し
ているため、光を透過させるような部分に用いることができるため、望ましい。たとえば
、画素電極や共通電極として用いることができる。
１０４ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（
Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ネオジウム（Ｎｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）
、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）、スカン
ジウム（Ｓｃ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）
、シリコン（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム （Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、酸素（Ｏ）で構成された群から選ばれた一つ又は複数
の元素、もしくは、前記群から選ばれた一つ又は複数の元素を成分とする化合物や合金材
料（例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪
素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミネオジウム（Ａ
ｌ−Ｎｄ）、マグネシウム銀（Ｍｇ−Ａｇ）など）、もしくは、これらの化合物を組み合
わせた物質などを有して形成される。もしくは、それらとシリコンの化合物（シリサイド
）（例えば、アルミシリコン、モリブデンシリコン、ニッケルシリサイドなど）や、それ
らと窒素の化合物（例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン等）を有して形
成される。なお、シリコン（Ｓｉ）には、ｎ型不純物（リンなど）やｐ型不純物（ボロン
など）を多く含んでいてもよい。これらの不純物を含むことにより、導電率が向上し、通
常の導体と同様な振る舞いをするので、配線や電極として利用が容易となる。なお、シリ
コンは、単結晶でもよいし、多結晶（ポリシリコン）でもよいし、非晶質（アモルファス
シリコン）でもよい。単結晶シリコンや多結晶シリコンを用いることにより、抵抗を小さ
くすることが出来る。非晶質シリコンを用いることにより、簡単な製造工程で作ることが
出来る。なお、アルミニウムや銀は、導電率が高いため、信号遅延を低減することができ
、エッチングしやすいので、加工しやすく、微細加工を行うことが出来る。なお、銅は、
導電率が高いため、信号遅延を低減することが出来る。なお、モリブデンは、ＩＴＯやＩ
ＺＯなどの酸化物半導体や、シリコンと接触しても、材料が不良を起こすなどの問題が生
じることなく製造でき、加工やエッチングが容易で、耐熱性が高いため、望ましい。なお
、チタンは、ＩＴＯやＩＺＯなどの酸化物半導体や、シリコンと接触しても、材料が不良
を起こすなどの問題が生じることなく製造でき、また、耐熱性が高いため、望ましい。な
お、タングステンは、耐熱性が高いため、望ましい。なお、ネオジウムは、耐熱性が高い
ため、望ましい。特に、ネオジウムとアルミニウムとの合金にすると、耐熱性が向上し、
アルミニウムがヒロックをおこしにくくなるため、望ましい。なお、シリコンは、トラン
ジスタが有する半導体膜と同時に形成でき、また、耐熱性が高いため、望ましい。なお、
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を含むイン
ジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、シリコン（Ｓｉ）は、透光性を有し
ているため、光を透過させるような部分に用いることができるため、望ましい。たとえば
、画素電極や共通電極として用いることができる。
なお、これらが単層で配線や電極を形成していてもよいし、多層構造になっていてもよ
い。単層構造で形成することにより、製造工程を簡略化することができ、工程日数を少な
くでき、コストを低減することが出来る。また、多層構造にすることにより、それぞれの
材料のメリットを生かし、デメリットを低減させ、性能の良い配線や電極を形成すること
が出来る。たとえば、抵抗の低い材料（アルミニウムなど）を多層構造の中に含むように
することにより、配線の低抵抗化を図ることができる。また、耐熱性が高い材料を含むよ
うにすれば、例えば、耐熱性が弱いが、別のメリットを有する材料を、耐熱性が高い材料
で挟むような積層構造にすることにより、配線や電極全体として、耐熱性を高くすること
が出来る。例えば、アルミニウムを含む層を、モリブデンやチタンを含む層で挟んだよう
な形にした積層構造にすると望ましい。また、別の材料の配線や電極などと直接接するよ
うな部分がある場合、お互いに悪影響を及ぼすことがある。例えば、一方の材料が他方の
材料の中に入っていって、性質を変えてしまい、本来の目的を果たせなくなったり、製造
するときに、問題が生じて、正常に製造できなくなったりすることがある。そのような場
合、ある層を別の層で挟んだり、覆ったりすることにより、問題を解決することが出来る
。例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）と、アルミニウムを接触させたい場合は、間に
、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。また、シリコンとアルミニウムを接触させ
たい場合は、間に、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。
い。単層構造で形成することにより、製造工程を簡略化することができ、工程日数を少な
くでき、コストを低減することが出来る。また、多層構造にすることにより、それぞれの
材料のメリットを生かし、デメリットを低減させ、性能の良い配線や電極を形成すること
が出来る。たとえば、抵抗の低い材料（アルミニウムなど）を多層構造の中に含むように
することにより、配線の低抵抗化を図ることができる。また、耐熱性が高い材料を含むよ
うにすれば、例えば、耐熱性が弱いが、別のメリットを有する材料を、耐熱性が高い材料
で挟むような積層構造にすることにより、配線や電極全体として、耐熱性を高くすること
が出来る。例えば、アルミニウムを含む層を、モリブデンやチタンを含む層で挟んだよう
な形にした積層構造にすると望ましい。また、別の材料の配線や電極などと直接接するよ
うな部分がある場合、お互いに悪影響を及ぼすことがある。例えば、一方の材料が他方の
材料の中に入っていって、性質を変えてしまい、本来の目的を果たせなくなったり、製造
するときに、問題が生じて、正常に製造できなくなったりすることがある。そのような場
合、ある層を別の層で挟んだり、覆ったりすることにより、問題を解決することが出来る
。例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）と、アルミニウムを接触させたい場合は、間に
、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。また、シリコンとアルミニウムを接触させ
たい場合は、間に、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。
なお、第２の配線１０４ｃの方が、第１の配線１０６ａよりも耐熱性が高い材料を用い
ることが望ましい。なぜなら、第２の配線１０４ｃの方が、製造工程の過程で、高い温度
状態に配置されることが多いからである。
ることが望ましい。なぜなら、第２の配線１０４ｃの方が、製造工程の過程で、高い温度
状態に配置されることが多いからである。
なお、第１の配線１０６ａの方が、第２の配線１０４ｃよりも、抵抗の低い材料を用い
ることが望ましい。なぜなら、第２の配線１０４ｃには、Ｈ信号とＬ信号の２値の信号を
与えるだけであるが、第１の配線１０６ａには、アナログの信号を与え、それが表示に寄
与するからである。よって、第１の配線１０６ａには、正確な大きさの信号を供給できる
ようにするため、抵抗の低い材料を用いることが望ましい。
ることが望ましい。なぜなら、第２の配線１０４ｃには、Ｈ信号とＬ信号の２値の信号を
与えるだけであるが、第１の配線１０６ａには、アナログの信号を与え、それが表示に寄
与するからである。よって、第１の配線１０６ａには、正確な大きさの信号を供給できる
ようにするため、抵抗の低い材料を用いることが望ましい。
なお、第４の配線１０４ｂを設けなくてもよいが、第４の配線１０４ｂを設けることに
より、各画素における共通電極の電位を安定化させることができる。なお、図４５では、
第４の配線１０４ｂは、第２の配線１０４ｃと概略平行には配置されているが、これに限
定されない。第１の配線１０６ａと概略平行に配置されていてもよい。その時は、第１の
配線１０６ａと同じ材質で形成されることが望ましい。
より、各画素における共通電極の電位を安定化させることができる。なお、図４５では、
第４の配線１０４ｂは、第２の配線１０４ｃと概略平行には配置されているが、これに限
定されない。第１の配線１０６ａと概略平行に配置されていてもよい。その時は、第１の
配線１０６ａと同じ材質で形成されることが望ましい。
ただし、第４の配線１０４ｂは、ゲート線と概略平行には配置したほうが、開口率を大
きくすることができ、効率的にレイアウトできるため、好適である。
きくすることができ、効率的にレイアウトできるため、好適である。
次に、本発明の第１の実施形態に係る液晶表示パネルの基本構成を取り入れた画素レイ
アウトを説明する。図４９（Ａ）は、本発明の第２の実施例に係る液晶表示パネルの画素
レイアウトを説明する為の平面図である。この液晶表示パネルは、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａ
ｎｅ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式で液晶の配向方向を制御する表示装置に用いられる。
アウトを説明する。図４９（Ａ）は、本発明の第２の実施例に係る液晶表示パネルの画素
レイアウトを説明する為の平面図である。この液晶表示パネルは、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａ
ｎｅ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式で液晶の配向方向を制御する表示装置に用いられる。
なお、図４９（Ａ）では画素構成を詳しく説明するため一画素しか図示していないが、表
示パネルの画素部には、複数の画素がマトリクスに配置されている。
示パネルの画素部には、複数の画素がマトリクスに配置されている。
本発明の第２の実施例の表示パネルの画素部には、信号線（図４９（Ａ）の画素では第１
の配線２０５ａ）と、走査線（図４９（Ａ）の画素では第２の配線２０１ｃ）と、をそれ
ぞれ複数有している。そして、画素部には、複数の走査線が平行且つ離間して配置されて
いる。また、画素部には、複数の信号線が、複数の走査線に直交する方向であって、平行
且つ離間して配置されている。
の配線２０５ａ）と、走査線（図４９（Ａ）の画素では第２の配線２０１ｃ）と、をそれ
ぞれ複数有している。そして、画素部には、複数の走査線が平行且つ離間して配置されて
いる。また、画素部には、複数の信号線が、複数の走査線に直交する方向であって、平行
且つ離間して配置されている。
そして、画素部には、複数の画素が走査線と信号線に対応してマトリクスに配置され、各
画素は、それぞれ走査線のいずれか一と、信号線のいずれか一と、に接続されている。
画素は、それぞれ走査線のいずれか一と、信号線のいずれか一と、に接続されている。
そして、各画素には、少なくとも一つのトランジスタ（図４９（Ａ）の画素ではトランジ
スタ２１０）と、画素電極（図４９（Ａ）の画素では第１の電極２０３ｅ）と、共通電極
（図４９（Ａ）の画素では第２の電極２０３ｆ）と、を有している。
スタ２１０）と、画素電極（図４９（Ａ）の画素では第１の電極２０３ｅ）と、共通電極
（図４９（Ａ）の画素では第２の電極２０３ｆ）と、を有している。
そして、各画素の、トランジスタ２１０の半導体層（チャネル形成領域、ソース領域及び
ドレイン領域として機能する半導体膜）と、第１の電極２０３ｅとは一続きの膜となって
いる。
ドレイン領域として機能する半導体膜）と、第１の電極２０３ｅとは一続きの膜となって
いる。
第２の配線２０１ｃから突出した領域がゲート電極２０１ａとして機能し、ゲート電極２
０１ａと重なる半導体層にトランジスタ２１０のチャネル形成領域が含まれる。また、不
純物領域２０３ｂ及び不純物領域２０３ｃは、一方がトランジスタ２１０のソースとして
機能し、他方がドレインとして機能する。なお、トランジスタ２１０はいわゆるデュアル
ゲート（二つのゲート電極が半導体層上に並んで配置されている構造）であるがこれに限
定されない。三つ以上のゲート電極が半導体層上に並んで配置されたマルチゲートでもよ
いし、いわゆるシングルゲート（一つのトランジスタに一つのゲート電極が配置されてい
る構造）でもよい。シングルゲートの場合には、不純物領域２０３ｄは省略される。
０１ａと重なる半導体層にトランジスタ２１０のチャネル形成領域が含まれる。また、不
純物領域２０３ｂ及び不純物領域２０３ｃは、一方がトランジスタ２１０のソースとして
機能し、他方がドレインとして機能する。なお、トランジスタ２１０はいわゆるデュアル
ゲート（二つのゲート電極が半導体層上に並んで配置されている構造）であるがこれに限
定されない。三つ以上のゲート電極が半導体層上に並んで配置されたマルチゲートでもよ
いし、いわゆるシングルゲート（一つのトランジスタに一つのゲート電極が配置されてい
る構造）でもよい。シングルゲートの場合には、不純物領域２０３ｄは省略される。
トランジスタ２１０は、ソース又はドレインの一方となる不純物領域２０３ｃが第１の配
線２０５ａとコンタクトホールを介して接続され、ソース又はドレインの他方となる不純
物領域２０３ｂは第１の電極２０３ｅと一続きの膜となっている。
線２０５ａとコンタクトホールを介して接続され、ソース又はドレインの他方となる不純
物領域２０３ｂは第１の電極２０３ｅと一続きの膜となっている。
図４９（Ａ）では、トランジスタ２１０の半導体層と、第１の電極２０３ｅとが一続きの
膜となっているが本発明の実施例１に係る液晶表示パネルはこれに限定されず、トランジ
スタ２１０の半導体層と、第１の電極２０３ｅとが同一工程により形成された膜であれば
よく、トランジスタ２１０の半導体層と、第１の電極２０３ｅとが多層の配線を介して電
気的に接続されていてもよい。
膜となっているが本発明の実施例１に係る液晶表示パネルはこれに限定されず、トランジ
スタ２１０の半導体層と、第１の電極２０３ｅとが同一工程により形成された膜であれば
よく、トランジスタ２１０の半導体層と、第１の電極２０３ｅとが多層の配線を介して電
気的に接続されていてもよい。
また、第２の電極２０３ｆはトランジスタ２１０の半導体層及び第１の電極２０３ｅと同
一工程により形成された膜である。第２の電極２０３ｆは、第３の配線２０１ｂを介して
複数の画素に渡って電気的に接続されると共に、第２の配線２０１ｃと離間して平行に配
置された第４の配線２０５ｂとも電気的に接続されている。
一工程により形成された膜である。第２の電極２０３ｆは、第３の配線２０１ｂを介して
複数の画素に渡って電気的に接続されると共に、第２の配線２０１ｃと離間して平行に配
置された第４の配線２０５ｂとも電気的に接続されている。
なお、図４９（Ａ）では、第２の電極２０３ｆは第３の配線２０１ｂを介して複数の画素
に渡って電気的に接続されているが本発明の実施例２に係る液晶表示装置の表示パネルは
これに限定されず、第２の電極２０３ｆが複数の画素に渡って一続きの膜となっていても
よい。ただし、第２の電極２０３ｆを画素毎に分離してパターニングすることにより、製
造工程中の第２の電極２０３ｆへの電界集中を緩和することができるためＥＳＤ（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：静電破壊）を防止することができる。
に渡って電気的に接続されているが本発明の実施例２に係る液晶表示装置の表示パネルは
これに限定されず、第２の電極２０３ｆが複数の画素に渡って一続きの膜となっていても
よい。ただし、第２の電極２０３ｆを画素毎に分離してパターニングすることにより、製
造工程中の第２の電極２０３ｆへの電界集中を緩和することができるためＥＳＤ（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：静電破壊）を防止することができる。
本発明の第２の実施例に係る液晶表示パネルはトランジスタ２１０の半導体層、第１の電
極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆが同一工程により形成された膜であればよい。
極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆが同一工程により形成された膜であればよい。
また、第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆの形状は図４９（Ａ）に示したような
形状に限定されない。
形状に限定されない。
なお、図４９（Ａ）では画素レイアウトの理解を容易にするため液晶層が図示されていな
いが、本発明の第２の実施例に係る液晶表示パネルには液晶層を有している。そして、各
画素には、画素毎に独立して設けられた第１の電極２０３ｅと、画素部の複数の画素に渡
って接続された第２の電極２０３ｆと、の電位差に依存して液晶分子の分子配列が変化す
る液晶素子が形成される。
いが、本発明の第２の実施例に係る液晶表示パネルには液晶層を有している。そして、各
画素には、画素毎に独立して設けられた第１の電極２０３ｅと、画素部の複数の画素に渡
って接続された第２の電極２０３ｆと、の電位差に依存して液晶分子の分子配列が変化す
る液晶素子が形成される。
次に、図４９（Ａ）の破線ＡＢ及び破線ＣＤの断面を示す図４９（Ｂ）を用いて本発明の
第１の実施例に係る液晶表示パネルの構成をさらに説明する。
第１の実施例に係る液晶表示パネルの構成をさらに説明する。
基板２００上には、ゲート電極２０１ａ、ゲート配線（第１の配線２０１ｂ）及び補助配
線（第２の配線２０１ｃ）が形成されている。第２の配線２０１ｃはゲート電極２０１ａ
と一続きの膜となっており、第２の配線２０１ｃは第１の配線２０１ｂ及びゲート電極２
０１ａと同一の工程により形成されている。また、ゲート電極２０１ａ、第１の配線２０
１ｂ及び第２の配線２０１ｃとしてはアルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜、アルミニ
ウム又は銅を主成分とする薄膜、クロム（Ｃｒ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、窒化タンタル
膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜等を用いることが
できる。
線（第２の配線２０１ｃ）が形成されている。第２の配線２０１ｃはゲート電極２０１ａ
と一続きの膜となっており、第２の配線２０１ｃは第１の配線２０１ｂ及びゲート電極２
０１ａと同一の工程により形成されている。また、ゲート電極２０１ａ、第１の配線２０
１ｂ及び第２の配線２０１ｃとしてはアルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜、アルミニ
ウム又は銅を主成分とする薄膜、クロム（Ｃｒ）膜、タンタル（Ｔａ）膜、窒化タンタル
膜、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜等を用いることが
できる。
ゲート電極２０１ａ、第１の配線２０１ｂ及び第２の配線２０１ｃ上には、ゲート絶縁
膜（第１の絶縁膜２０２）が形成されている。図４９（Ｂ）ではゲート電極２０１ａ、第
１の配線２０１ｂ及び第２の配線２０１ｃを覆うように第１の絶縁膜２０２が形成されて
いるが、これに限定されず、ゲート電極２０１ａ上に第１の絶縁膜２０２が形成されてい
ればよい。第１の絶縁膜２０２としてはＣＶＤ法やスパッタ法により形成される酸化珪素
膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜等を用いることができる。
膜（第１の絶縁膜２０２）が形成されている。図４９（Ｂ）ではゲート電極２０１ａ、第
１の配線２０１ｂ及び第２の配線２０１ｃを覆うように第１の絶縁膜２０２が形成されて
いるが、これに限定されず、ゲート電極２０１ａ上に第１の絶縁膜２０２が形成されてい
ればよい。第１の絶縁膜２０２としてはＣＶＤ法やスパッタ法により形成される酸化珪素
膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜等を用いることができる。
第１の絶縁膜２０２上にトランジスタ２１０の半導体層（チャネル形成領域２０３ａ、不
純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ）並びに液晶分子の分子
配列を制御する第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆが形成されている。チャネル
形成領域２０３ａ、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ、不純物領域２０３ｄ、第
１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆは、例えばポリシリコン膜であり、同一工程に
より形成される。基板２００としてはガラス基板、石英基板、プラスチック基板、セラミ
ックス基板等の絶縁性基板、金属基板、半導体基板等を用いることができる。
純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ）並びに液晶分子の分子
配列を制御する第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆが形成されている。チャネル
形成領域２０３ａ、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ、不純物領域２０３ｄ、第
１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆは、例えばポリシリコン膜であり、同一工程に
より形成される。基板２００としてはガラス基板、石英基板、プラスチック基板、セラミ
ックス基板等の絶縁性基板、金属基板、半導体基板等を用いることができる。
トランジスタ２１０がｎ型のトランジスタの場合には、不純物領域２０３ｂ、不純物領域
２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄには、リンやヒ素などの不純物元素が導入され、トラン
ジスタ２１０がｐ型のトランジスタの場合には、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３
ｃ及び不純物領域２０３ｄには、ボロンなどの不純物元素が導入されている。
２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄには、リンやヒ素などの不純物元素が導入され、トラン
ジスタ２１０がｐ型のトランジスタの場合には、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３
ｃ及び不純物領域２０３ｄには、ボロンなどの不純物元素が導入されている。
また、第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆにも不純物領域２０３ｂ、不純物領域
２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄに導入されている不純物元素が導入されていてもよい。
第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆは不純物が導入されることにより抵抗が下が
り、電極として好ましい。
２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄに導入されている不純物元素が導入されていてもよい。
第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆは不純物が導入されることにより抵抗が下が
り、電極として好ましい。
第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆは、膜厚が例えば４５ｎｍ以上６０ｎｍ以下
であり、光の透過率は十分高い。ただし、光の透過率を更に下げる場合には、第１の電極
２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆの膜厚を４０ｎｍ以下にすることが望ましい。
であり、光の透過率は十分高い。ただし、光の透過率を更に下げる場合には、第１の電極
２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆの膜厚を４０ｎｍ以下にすることが望ましい。
第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆは、アモルファスシリコン膜又は有機半導
体膜であってもよい。この場合、トランジスタ２１０の半導体層には、アモルファスシリ
コン膜又は有機半導体膜が用いられる。
体膜であってもよい。この場合、トランジスタ２１０の半導体層には、アモルファスシリ
コン膜又は有機半導体膜が用いられる。
トランジスタ２１０の半導体層（チャネル形成領域２０３ａ、不純物領域２０３ｂ、不純
物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ）並びに液晶分子の分子配列を制御する第１の電
極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆを同一工程により形成することにより、工程数を削減
できるため、製造コストを低減することができる。また、不純物領域２０３ｂ、不純物領
域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ並びに第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆに
は、同じ種類の不純物元素が導入されることが望ましい。同じ種類の不純物元素を導入す
る場合、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ並びに第１の
電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆを互いに近接して配置しても、問題なく不純物元素
を導入することができるため、より密なレイアウトを構成することができる。ｐ型又はｎ
型どちらか一方のみの不純物元素を導入することにより、異なる種類の不純物元素を導入
する場合と比較して低コストで製造できるため望ましい。
物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ）並びに液晶分子の分子配列を制御する第１の電
極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆを同一工程により形成することにより、工程数を削減
できるため、製造コストを低減することができる。また、不純物領域２０３ｂ、不純物領
域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ並びに第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆに
は、同じ種類の不純物元素が導入されることが望ましい。同じ種類の不純物元素を導入す
る場合、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ並びに第１の
電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆを互いに近接して配置しても、問題なく不純物元素
を導入することができるため、より密なレイアウトを構成することができる。ｐ型又はｎ
型どちらか一方のみの不純物元素を導入することにより、異なる種類の不純物元素を導入
する場合と比較して低コストで製造できるため望ましい。
第１の絶縁膜２０２、トランジスタ２１０の半導体層（チャネル形成領域２０３ａ、不純
物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ）並びに第１の電極２０３
ｅ及び第２の電極２０３ｆ上に層間絶縁膜（第２の絶縁膜２０４）が形成されている。第
２の絶縁膜２０４としては保護膜及び平坦化膜がこの順に形成されている積層構造が好ま
しい。保護膜には、無機絶縁膜が適している。無機絶縁膜としては、窒化珪素膜、酸化珪
素膜、酸化窒化珪素膜の単膜又はこれらを積層した膜を用いることができる。平坦化膜に
は、樹脂膜が適している。樹脂膜としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ポリイ
ミドアミド、エポキシなどを用いることができる。
物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄ）並びに第１の電極２０３
ｅ及び第２の電極２０３ｆ上に層間絶縁膜（第２の絶縁膜２０４）が形成されている。第
２の絶縁膜２０４としては保護膜及び平坦化膜がこの順に形成されている積層構造が好ま
しい。保護膜には、無機絶縁膜が適している。無機絶縁膜としては、窒化珪素膜、酸化珪
素膜、酸化窒化珪素膜の単膜又はこれらを積層した膜を用いることができる。平坦化膜に
は、樹脂膜が適している。樹脂膜としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、ポリイ
ミドアミド、エポキシなどを用いることができる。
第２の絶縁膜２０４上には信号線（第３の配線２０５ａ）及び接続配線（第４の配線２０
５ｂ）が形成されている。第３の配線２０５ａは第２の絶縁膜２０４及び第１の絶縁膜２
０２に形成された孔（コンタクトホール）を介して不純物領域２０３ｃと接続され、第４
の配線２０５ｂは第２の絶縁膜２０４及び第１の絶縁膜２０２に形成された孔を介して第
１の配線２０１ｂと接続され、且つ、第２の絶縁膜２０４に形成された孔を介して第１第
２の電極２０３ｆと接続されている。第３の配線２０５ａ及び第４の配線２０５ｂとして
は、チタン（Ｔｉ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜又はＴｉを含むアルミニ
ウム膜などを用いることができる。好ましくは、低抵抗な銅を用いるとよい。
５ｂ）が形成されている。第３の配線２０５ａは第２の絶縁膜２０４及び第１の絶縁膜２
０２に形成された孔（コンタクトホール）を介して不純物領域２０３ｃと接続され、第４
の配線２０５ｂは第２の絶縁膜２０４及び第１の絶縁膜２０２に形成された孔を介して第
１の配線２０１ｂと接続され、且つ、第２の絶縁膜２０４に形成された孔を介して第１第
２の電極２０３ｆと接続されている。第３の配線２０５ａ及び第４の配線２０５ｂとして
は、チタン（Ｔｉ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜又はＴｉを含むアルミニ
ウム膜などを用いることができる。好ましくは、低抵抗な銅を用いるとよい。
第３の配線２０５ａ、第４の配線２０５ｂ及び第２の絶縁膜２０４上に第１の配向膜が
形成される。そして、基板２００の第１の配向膜が形成された面と、第２の配向膜を有す
る対向基板の第２の配向膜が設けられた面とを、内側とし、基板２００と対向基板の間に
液晶層が設けられる。こうして、本発明の第２の実施例に係る液晶表示パネルは完成され
る。
形成される。そして、基板２００の第１の配向膜が形成された面と、第２の配向膜を有す
る対向基板の第２の配向膜が設けられた面とを、内側とし、基板２００と対向基板の間に
液晶層が設けられる。こうして、本発明の第２の実施例に係る液晶表示パネルは完成され
る。
次に、本発明の実施例２に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。まず、基板
２００上に導電膜を形成し、この導電膜をパターニングする。これにより、２つのゲート
電極２０１ａが形成される。また、ゲート電極２０１ａと同時に第１の配線２０１ｂ及び
第２の配線２０１ｃが形成される。
２００上に導電膜を形成し、この導電膜をパターニングする。これにより、２つのゲート
電極２０１ａが形成される。また、ゲート電極２０１ａと同時に第１の配線２０１ｂ及び
第２の配線２０１ｃが形成される。
なお、導電膜としては、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ
）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ネオジウム（Ｎｄ）、白
金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などから形成された膜、これらの合金で形成された
膜、又は、これらの積層膜を用いることができる。また、ｎ型不純物が導入されたシリコ
ン（Ｓｉ）膜を用いてもよい。
）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ネオジウム（Ｎｄ）、白
金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などから形成された膜、これらの合金で形成された
膜、又は、これらの積層膜を用いることができる。また、ｎ型不純物が導入されたシリコ
ン（Ｓｉ）膜を用いてもよい。
ゲート電極２０１ａ、第１の配線２０１ｂ、第２の配線２０１ｃを覆うようにゲート絶縁
膜（第１の絶縁膜２０２）を形成する。第１の絶縁膜２０２は例えば酸化窒化シリコン膜
又は酸化シリコン膜であり、プラズマＣＶＤ法により形成される。なお、第１の絶縁膜２
０２を窒化シリコン膜、若しくは窒化シリコン及び酸化シリコンを有する多層膜により形
成してもよい。
膜（第１の絶縁膜２０２）を形成する。第１の絶縁膜２０２は例えば酸化窒化シリコン膜
又は酸化シリコン膜であり、プラズマＣＶＤ法により形成される。なお、第１の絶縁膜２
０２を窒化シリコン膜、若しくは窒化シリコン及び酸化シリコンを有する多層膜により形
成してもよい。
次いで、第１の絶縁膜２０２上にポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜等の半導体
膜を形成し、この半導体膜上にレジストパターン（図示せず）を形成する。このレジスト
パターンをマスクとして半導体膜を選択的にエッチングする。このようにして、半導体膜
（チャネル形成領域２０３ａ、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域
２０３ｄ）、第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆが同一工程で形成される。その
後、レジストパターンを除去する。
膜を形成し、この半導体膜上にレジストパターン（図示せず）を形成する。このレジスト
パターンをマスクとして半導体膜を選択的にエッチングする。このようにして、半導体膜
（チャネル形成領域２０３ａ、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域
２０３ｄ）、第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆが同一工程で形成される。その
後、レジストパターンを除去する。
次いで、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄに不純物を
添加する。これにより、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３
ｄには、不純物が含まれる。なお、ｎ型、ｐ型の不純物元素を個別に添加してもよいし、
特定の領域にはｎ型の不純物元素及びｐ型の不純物元素を共に添加してもよい。ただし後
者の場合には、ｎ型の不純物元素又はｐ型の不純物元素のどちらか一方の添加量が多くな
るようにする。
添加する。これにより、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３
ｄには、不純物が含まれる。なお、ｎ型、ｐ型の不純物元素を個別に添加してもよいし、
特定の領域にはｎ型の不純物元素及びｐ型の不純物元素を共に添加してもよい。ただし後
者の場合には、ｎ型の不純物元素又はｐ型の不純物元素のどちらか一方の添加量が多くな
るようにする。
また、不純物領域を形成する工程において、第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３
ｆに不純物元素を添加してもよい。このようにすると、第１の電極２０３ｅ及び第２の電
極２０３ｆを不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄと同時に
形成することができるため、工程が増加せずに済み、液晶表示パネルの製造コストを低減
することができる。
ｆに不純物元素を添加してもよい。このようにすると、第１の電極２０３ｅ及び第２の電
極２０３ｆを不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び不純物領域２０３ｄと同時に
形成することができるため、工程が増加せずに済み、液晶表示パネルの製造コストを低減
することができる。
半導体膜（チャネル形成領域２０３ａ、不純物領域２０３ｂ、不純物領域２０３ｃ及び
不純物領域２０３ｄ）、第１の電極２０３ｅ、第２の電極２０３ｆ及び第１の絶縁膜２０
２上に、第２の絶縁膜２０４を形成する。第２の絶縁膜２０４は例えば酸化窒化シリコン
膜又は酸化シリコン膜であり、プラズマＣＶＤ法により形成される。なお、第２の絶縁膜
２０４を窒化シリコン膜、若しくは窒化シリコン及び酸化シリコンを有する多層膜により
形成してもよい。
不純物領域２０３ｄ）、第１の電極２０３ｅ、第２の電極２０３ｆ及び第１の絶縁膜２０
２上に、第２の絶縁膜２０４を形成する。第２の絶縁膜２０４は例えば酸化窒化シリコン
膜又は酸化シリコン膜であり、プラズマＣＶＤ法により形成される。なお、第２の絶縁膜
２０４を窒化シリコン膜、若しくは窒化シリコン及び酸化シリコンを有する多層膜により
形成してもよい。
第２の絶縁膜２０４に孔（コンタクトホール）を形成する。次いで、第２の絶縁膜２０４
上及び各孔中に導電膜（例えば金属膜）を形成し、この金属膜をパターニングする。これ
により、第３の配線２０５ａ及び第４の配線２０５ｂが形成される。なお、導電膜として
は、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ
）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ネオジウム（Ｎｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ
）、銀（Ａｇ）などから形成された膜、これらの合金で形成された膜、又は、これらの積
層膜を用いることができる。また、ｎ型不純物が導入されたシリコン（Ｓｉ）を用いても
よい。
上及び各孔中に導電膜（例えば金属膜）を形成し、この金属膜をパターニングする。これ
により、第３の配線２０５ａ及び第４の配線２０５ｂが形成される。なお、導電膜として
は、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ
）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ネオジウム（Ｎｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ
）、銀（Ａｇ）などから形成された膜、これらの合金で形成された膜、又は、これらの積
層膜を用いることができる。また、ｎ型不純物が導入されたシリコン（Ｓｉ）を用いても
よい。
次いで、第１の配向膜を形成し、第２の配向膜が形成された対向基板との間に液晶を
封止する。このようにして、液晶表示パネルが形成される。
封止する。このようにして、液晶表示パネルが形成される。
以上、本発明の第２の実施例によれば、ＩＰＳ方式で液晶の配向方向を制御する液晶表
示パネルにおいて、第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆは不純物が導入されたポ
リシリコン膜によって形成されており、トランジスタの半導体層（ソース、ドレイン及び
チャネル形成領域）と同一工程で形成される。従って、共通電極をＩＴＯで形成する場合
と比較して、製造工程数を少なくして製造コストを低くすることができる。
示パネルにおいて、第１の電極２０３ｅ及び第２の電極２０３ｆは不純物が導入されたポ
リシリコン膜によって形成されており、トランジスタの半導体層（ソース、ドレイン及び
チャネル形成領域）と同一工程で形成される。従って、共通電極をＩＴＯで形成する場合
と比較して、製造工程数を少なくして製造コストを低くすることができる。
また、本実施例では、チャネル形成領域の上方にゲート電極を配置した、いわゆるトッ
プゲート型のトランジスタについて説明をしたが、本発明は特にこれに限定されるもので
はない。チャネル形成領域の下方にゲート電極が配置された、いわゆるボトムゲート型の
トランジスタにしてもよいし、チャネル形成領域の上下にゲート電極が配置された構造を
有するトランジスタを形成してもよい。
プゲート型のトランジスタについて説明をしたが、本発明は特にこれに限定されるもので
はない。チャネル形成領域の下方にゲート電極が配置された、いわゆるボトムゲート型の
トランジスタにしてもよいし、チャネル形成領域の上下にゲート電極が配置された構造を
有するトランジスタを形成してもよい。
なお、第１の電極１０２ｅと第２の電極１０２ｆとの電位差を保持する容量素子を設けて
も良い。
も良い。
例えば、図５０に示すようにトランジスタ２１０の不純物領域２０３ｂを延長してなる電
極２０３ｇを一方の電極とし、第４の配線２０５ｂを延長してなる電極２０５ｃを他方の
電極とした容量素子２１４ａを設けても良い。
極２０３ｇを一方の電極とし、第４の配線２０５ｂを延長してなる電極２０５ｃを他方の
電極とした容量素子２１４ａを設けても良い。
また、図５１に示すようにトランジスタ２１０の不純物領域２０３ｂを延長してなる電極
２０３ｇを一方の電極とし、ゲート電極２０１ａ、第１の配線２０１ｂ及び第２の配線２
０１ｃと同一工程により形成した導電膜からなる電極２０１ｄを他方の電極とした容量素
子２１４ｂを設けても良い。このとき、電極２０１ｄは、コンタクトホールを介して第４
の配線２０５ｂにより第２の電極２０３ｆと接続されている。
２０３ｇを一方の電極とし、ゲート電極２０１ａ、第１の配線２０１ｂ及び第２の配線２
０１ｃと同一工程により形成した導電膜からなる電極２０１ｄを他方の電極とした容量素
子２１４ｂを設けても良い。このとき、電極２０１ｄは、コンタクトホールを介して第４
の配線２０５ｂにより第２の電極２０３ｆと接続されている。
また、図５２に示すように、第４の配線２０５ｂを延長してなる電極２０５ｃと、ゲート
電極２０１ａ、第１の配線２０１ｂ及び第２の配線２０１ｃと同一工程により形成した導
電膜からなる電極２０１ｄと、を一方の電極とし、トランジスタ２１０の不純物領域２０
３ｂを延長してなる電極２０３ｇを他方の電極とした容量素子２１４ｃを設けても良い。
このとき、電極２０５ｃと電極２０１ｄとはコンタクトホールを介して接続され、電極２
０５ｃと第２の電極２０３ｆとはコンタクトホールを介して第４の配線２０５ｂにより接
続されている。
電極２０１ａ、第１の配線２０１ｂ及び第２の配線２０１ｃと同一工程により形成した導
電膜からなる電極２０１ｄと、を一方の電極とし、トランジスタ２１０の不純物領域２０
３ｂを延長してなる電極２０３ｇを他方の電極とした容量素子２１４ｃを設けても良い。
このとき、電極２０５ｃと電極２０１ｄとはコンタクトホールを介して接続され、電極２
０５ｃと第２の電極２０３ｆとはコンタクトホールを介して第４の配線２０５ｂにより接
続されている。
また、実施の形態７で示した図６の液晶表示パネルの基本構成を取り入れた液晶表示パネ
ルの画素レイアウトを図５７に示す。図５７では、不純物領域２０３ｂと一続きの膜でな
る第１の電極２０３ｅにはスリットが設けられている。そして、第２の電極６０１は、各
画素の第１の電極２０３ｅの下部領域の一面を覆うように基板５００と第１の絶縁膜２０
２との間に設けられている。第２の電極６０１は、列方向に配置された隣り合う画素の第
２の電極６０１とコンタクトホールを介して第４の配線２０６ｂにより接続されている。
さらに、第２の電極６０１は、第１の配線２０１ｂとコンタクトホールを介して第４の配
線２０６ｂにより接続されている。よって、第２の電極６０１は第１の配線２０１ｂと第
４の配線２０６ｂとにより行方向の画素間に渡っても接続されていることになる。
ルの画素レイアウトを図５７に示す。図５７では、不純物領域２０３ｂと一続きの膜でな
る第１の電極２０３ｅにはスリットが設けられている。そして、第２の電極６０１は、各
画素の第１の電極２０３ｅの下部領域の一面を覆うように基板５００と第１の絶縁膜２０
２との間に設けられている。第２の電極６０１は、列方向に配置された隣り合う画素の第
２の電極６０１とコンタクトホールを介して第４の配線２０６ｂにより接続されている。
さらに、第２の電極６０１は、第１の配線２０１ｂとコンタクトホールを介して第４の配
線２０６ｂにより接続されている。よって、第２の電極６０１は第１の配線２０１ｂと第
４の配線２０６ｂとにより行方向の画素間に渡っても接続されていることになる。
また、実施の形態８で示した図７の液晶表示パネルの基本構成を取り入れた液晶表示パネ
ルの画素レイアウトを図５８に示す。図５８は図５７の第２の電極６０１上に導電膜７０
１を設けた構成である。導電膜７０１に反射性を有する金属膜を用いる場合には、導電膜
７０１の上部が反射領域となり、導電膜７０１が設けられていない第２の電極６０１上部
が透過領域となる。よって、第２の電極６０１と導電膜７０１との面積比を調整すること
により、表示において、バックライトからの光源を主に利用するか、外光の反射による光
源を主に利用するか、を選択することができる。
ルの画素レイアウトを図５８に示す。図５８は図５７の第２の電極６０１上に導電膜７０
１を設けた構成である。導電膜７０１に反射性を有する金属膜を用いる場合には、導電膜
７０１の上部が反射領域となり、導電膜７０１が設けられていない第２の電極６０１上部
が透過領域となる。よって、第２の電極６０１と導電膜７０１との面積比を調整すること
により、表示において、バックライトからの光源を主に利用するか、外光の反射による光
源を主に利用するか、を選択することができる。
また、実施の形態１０で示した図９の液晶表示パネルの基本構成を取り入れた液晶表示パ
ネルの画素レイアウトを図５９に示す。図５９では、不純物領域２０３ｂと一続きの膜で
なる第１の電極２０３ｅには矩形のスリットが設けられている。そして、第２の電極９０
１にも矩形のスリットが設けられ、第１の電極２０３ｅと第２の電極９０１のスリットは
短辺方向にずれて設けられている。第２の電極９０１は、列方向に配置された隣り合う画
素の第２の電極９０１とコンタクトホールを介して第４の配線２０６ｂにより接続されて
いる。さらに、第２の電極９０１は、第１の配線２０１ｂとコンタクトホールを介して第
４の配線２０６ｂにより接続されている。よって、第２の電極９０１は第１の配線２０１
ｂと第４の配線２０６ｂとにより行方向の画素間に渡っても接続されていることになる。
ネルの画素レイアウトを図５９に示す。図５９では、不純物領域２０３ｂと一続きの膜で
なる第１の電極２０３ｅには矩形のスリットが設けられている。そして、第２の電極９０
１にも矩形のスリットが設けられ、第１の電極２０３ｅと第２の電極９０１のスリットは
短辺方向にずれて設けられている。第２の電極９０１は、列方向に配置された隣り合う画
素の第２の電極９０１とコンタクトホールを介して第４の配線２０６ｂにより接続されて
いる。さらに、第２の電極９０１は、第１の配線２０１ｂとコンタクトホールを介して第
４の配線２０６ｂにより接続されている。よって、第２の電極９０１は第１の配線２０１
ｂと第４の配線２０６ｂとにより行方向の画素間に渡っても接続されていることになる。
また、実施の形態１６で示した図４４の液晶表示パネルの基本構成を取り入れた液晶表示
パネルの画素レイアウトを図６０に示す。図６０では、不純物領域１０２ｂと一続きの膜
でなる第１の電極２０３ｅには矩形のスリットが設けられている。そして、第２の電極４
４０１は、プレート状（一面を覆う形状）の領域と矩形のスリットが設けられた領域とを
有している。第１の電極２０３ｅと第２の電極４４０１のスリットは短辺方向にずれて設
けられ、プレート状（一面を覆う形状）の領域は、第１の電極２０３ｅの複数のスリット
分の下部領域の一面を覆うように基板２００と第１の絶縁膜２０２との間に設けられてい
る。第２の電極４４０１は、列方向に配置された隣り合う画素の第２の電極４４０１とコ
ンタクトホールを介して第４の配線２０６ｂにより接続されている。さらに、第２の電極
４４０１は、第１の配線２０１ｂとコンタクトホールを介して第４の配線２０６ｂにより
接続されている。よって、第２の電極４４０１は第１の配線２０１ｂと第４の配線２０６
ｂとにより行方向の画素間に渡っても接続されていることになる。
パネルの画素レイアウトを図６０に示す。図６０では、不純物領域１０２ｂと一続きの膜
でなる第１の電極２０３ｅには矩形のスリットが設けられている。そして、第２の電極４
４０１は、プレート状（一面を覆う形状）の領域と矩形のスリットが設けられた領域とを
有している。第１の電極２０３ｅと第２の電極４４０１のスリットは短辺方向にずれて設
けられ、プレート状（一面を覆う形状）の領域は、第１の電極２０３ｅの複数のスリット
分の下部領域の一面を覆うように基板２００と第１の絶縁膜２０２との間に設けられてい
る。第２の電極４４０１は、列方向に配置された隣り合う画素の第２の電極４４０１とコ
ンタクトホールを介して第４の配線２０６ｂにより接続されている。さらに、第２の電極
４４０１は、第１の配線２０１ｂとコンタクトホールを介して第４の配線２０６ｂにより
接続されている。よって、第２の電極４４０１は第１の配線２０１ｂと第４の配線２０６
ｂとにより行方向の画素間に渡っても接続されていることになる。
なお、第１の配線２０５ａ、第２の配線２０１ｃ、第３の配線２０１ｂ及び第４の配線
２０５ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（
Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ネオジウム（Ｎｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）
、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）、スカン
ジウム（Ｓｃ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）
、シリコン（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム （Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、酸素（Ｏ）で構成された群から選ばれた一つ又は複数
の元素、もしくは、前記群から選ばれた一つ又は複数の元素を成分とする化合物や合金材
料（例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪
素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミネオジウム（Ａ
ｌ−Ｎｄ）、マグネシウム銀（Ｍｇ−Ａｇ）など）、もしくは、これらの化合物を組み合
わせた物質などを有して形成される。もしくは、それらとシリコンの化合物（シリサイド
）（例えば、アルミシリコン、モリブデンシリコン、ニッケルシリサイドなど）や、それ
らと窒素の化合物（例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン等）を有して形
成される。なお、シリコン（Ｓｉ）には、ｎ型不純物（リンなど）やｐ型不純物（ボロン
など）を多く含んでいてもよい。これらの不純物を含むことにより、導電率が向上し、通
常の導体と同様な振る舞いをするので、配線や電極として利用が容易となる。なお、シリ
コンは、単結晶でもよいし、多結晶（ポリシリコン）でもよいし、非晶質（アモルファス
シリコン）でもよい。単結晶シリコンや多結晶シリコンを用いることにより、抵抗を小さ
くすることが出来る。非晶質シリコンを用いることにより、簡単な製造工程で作ることが
出来る。なお、アルミニウムや銀は、導電率が高いため、信号遅延を低減することができ
、エッチングしやすいので、加工しやすく、微細加工を行うことが出来る。なお、銅は、
導電率が高いため、信号遅延を低減することが出来る。なお、モリブデンは、ＩＴＯやＩ
ＺＯなどの酸化物半導体や、シリコンと接触しても、材料が不良を起こすなどの問題が生
じることなく製造でき、加工やエッチングが容易で、耐熱性が高いため、望ましい。なお
、チタンは、ＩＴＯやＩＺＯなどの酸化物半導体や、シリコンと接触しても、材料が不良
を起こすなどの問題が生じることなく製造でき、また、耐熱性が高いため、望ましい。な
お、タングステンは、耐熱性が高いため、望ましい。なお、ネオジウムは、耐熱性が高い
ため、望ましい。特に、ネオジウムとアルミニウムとの合金にすると、耐熱性が向上し、
アルミニウムがヒロックをおこしにくくなるため、望ましい。なお、シリコンは、トラン
ジスタが有する半導体膜と同時に形成でき、また、耐熱性が高いため、望ましい。なお、
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を含むイン
ジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、シリコン（Ｓｉ）は、透光性を有し
ているため、光を透過させるような部分に用いることができるため、望ましい。たとえば
、画素電極や共通電極として用いることができる。
２０５ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（
Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ネオジウム（Ｎｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）
、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）、スカン
ジウム（Ｓｃ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）
、シリコン（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム （Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、酸素（Ｏ）で構成された群から選ばれた一つ又は複数
の元素、もしくは、前記群から選ばれた一つ又は複数の元素を成分とする化合物や合金材
料（例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪
素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミネオジウム（Ａ
ｌ−Ｎｄ）、マグネシウム銀（Ｍｇ−Ａｇ）など）、もしくは、これらの化合物を組み合
わせた物質などを有して形成される。もしくは、それらとシリコンの化合物（シリサイド
）（例えば、アルミシリコン、モリブデンシリコン、ニッケルシリサイドなど）や、それ
らと窒素の化合物（例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン等）を有して形
成される。なお、シリコン（Ｓｉ）には、ｎ型不純物（リンなど）やｐ型不純物（ボロン
など）を多く含んでいてもよい。これらの不純物を含むことにより、導電率が向上し、通
常の導体と同様な振る舞いをするので、配線や電極として利用が容易となる。なお、シリ
コンは、単結晶でもよいし、多結晶（ポリシリコン）でもよいし、非晶質（アモルファス
シリコン）でもよい。単結晶シリコンや多結晶シリコンを用いることにより、抵抗を小さ
くすることが出来る。非晶質シリコンを用いることにより、簡単な製造工程で作ることが
出来る。なお、アルミニウムや銀は、導電率が高いため、信号遅延を低減することができ
、エッチングしやすいので、加工しやすく、微細加工を行うことが出来る。なお、銅は、
導電率が高いため、信号遅延を低減することが出来る。なお、モリブデンは、ＩＴＯやＩ
ＺＯなどの酸化物半導体や、シリコンと接触しても、材料が不良を起こすなどの問題が生
じることなく製造でき、加工やエッチングが容易で、耐熱性が高いため、望ましい。なお
、チタンは、ＩＴＯやＩＺＯなどの酸化物半導体や、シリコンと接触しても、材料が不良
を起こすなどの問題が生じることなく製造でき、また、耐熱性が高いため、望ましい。な
お、タングステンは、耐熱性が高いため、望ましい。なお、ネオジウムは、耐熱性が高い
ため、望ましい。特に、ネオジウムとアルミニウムとの合金にすると、耐熱性が向上し、
アルミニウムがヒロックをおこしにくくなるため、望ましい。なお、シリコンは、トラン
ジスタが有する半導体膜と同時に形成でき、また、耐熱性が高いため、望ましい。なお、
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を含むイン
ジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、シリコン（Ｓｉ）は、透光性を有し
ているため、光を透過させるような部分に用いることができるため、望ましい。たとえば
、画素電極や共通電極として用いることができる。
なお、これらが単層で配線や電極を形成していてもよいし、多層構造になっていてもよ
い。単層構造で形成することにより、製造工程を簡略化することができ、工程日数を少な
くでき、コストを低減することが出来る。また、多層構造にすることにより、それぞれの
材料のメリットを生かし、デメリットを低減させ、性能の良い配線や電極を形成すること
が出来る。たとえば、抵抗の低い材料（アルミニウムなど）を多層構造の中に含むように
することにより、配線の低抵抗化を図ることができる。また、耐熱性が高い材料を含むよ
うにすれば、例えば、耐熱性が弱いが、別のメリットを有する材料を、耐熱性が高い材料
で挟むような積層構造にすることにより、配線や電極全体として、耐熱性を高くすること
が出来る。例えば、アルミニウムを含む層を、モリブデンやチタンを含む層で挟んだよう
な形にした積層構造にすると望ましい。また、別の材料の配線や電極などと直接接するよ
うな部分がある場合、お互いに悪影響を及ぼすことがある。例えば、一方の材料が他方の
材料の中に入っていって、性質を変えてしまい、本来の目的を果たせなくなったり、製造
するときに、問題が生じて、正常に製造できなくなったりすることがある。そのような場
合、ある層を別の層で挟んだり、覆ったりすることにより、問題を解決することが出来る
。例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）と、アルミニウムを接触させたい場合は、間に
、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。また、シリコンとアルミニウムを接触させ
たい場合は、間に、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。
い。単層構造で形成することにより、製造工程を簡略化することができ、工程日数を少な
くでき、コストを低減することが出来る。また、多層構造にすることにより、それぞれの
材料のメリットを生かし、デメリットを低減させ、性能の良い配線や電極を形成すること
が出来る。たとえば、抵抗の低い材料（アルミニウムなど）を多層構造の中に含むように
することにより、配線の低抵抗化を図ることができる。また、耐熱性が高い材料を含むよ
うにすれば、例えば、耐熱性が弱いが、別のメリットを有する材料を、耐熱性が高い材料
で挟むような積層構造にすることにより、配線や電極全体として、耐熱性を高くすること
が出来る。例えば、アルミニウムを含む層を、モリブデンやチタンを含む層で挟んだよう
な形にした積層構造にすると望ましい。また、別の材料の配線や電極などと直接接するよ
うな部分がある場合、お互いに悪影響を及ぼすことがある。例えば、一方の材料が他方の
材料の中に入っていって、性質を変えてしまい、本来の目的を果たせなくなったり、製造
するときに、問題が生じて、正常に製造できなくなったりすることがある。そのような場
合、ある層を別の層で挟んだり、覆ったりすることにより、問題を解決することが出来る
。例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）と、アルミニウムを接触させたい場合は、間に
、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。また、シリコンとアルミニウムを接触させ
たい場合は、間に、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。
なお、第２の配線２０１ｃの方が、第１の配線２０５ａよりも耐熱性が高い材料を用い
ることが望ましい。なぜなら、第２の配線２０１ｃの方が、製造工程の過程で、高い温度
状態に配置されることが多いからである。
ることが望ましい。なぜなら、第２の配線２０１ｃの方が、製造工程の過程で、高い温度
状態に配置されることが多いからである。
なお、第１の配線２０５ａの方が、第２の配線２０１ｃよりも、抵抗の低い材料を用い
ることが望ましい。なぜなら、第２の配線２０１ｃには、Ｈ信号とＬ信号の２値の信号を
与えるだけであるが、第１の配線２０５ａには、アナログの信号を与え、それが表示に寄
与するからである。よって、第１の配線２０５ａには、正確な大きさの信号を供給できる
ようにするため、抵抗の低い材料を用いることが望ましい。
ることが望ましい。なぜなら、第２の配線２０１ｃには、Ｈ信号とＬ信号の２値の信号を
与えるだけであるが、第１の配線２０５ａには、アナログの信号を与え、それが表示に寄
与するからである。よって、第１の配線２０５ａには、正確な大きさの信号を供給できる
ようにするため、抵抗の低い材料を用いることが望ましい。
なお、第３の配線２０１ｂを設けなくてもよいが、第３の配線２０１ｂを設けることに
より、各画素における共通電極の電位を安定化させることができる。なお、図４９では、
第３の配線２０１ｂは、第２の配線２０１ｃと概略平行には配置されているが、これに限
定されない。第１の配線２０５ａと概略平行に配置されていてもよい。その時は、第１の
配線２０５ａと同じ材質で形成されることが望ましい。
より、各画素における共通電極の電位を安定化させることができる。なお、図４９では、
第３の配線２０１ｂは、第２の配線２０１ｃと概略平行には配置されているが、これに限
定されない。第１の配線２０５ａと概略平行に配置されていてもよい。その時は、第１の
配線２０５ａと同じ材質で形成されることが望ましい。
ただし、第３の配線２０１ｂは、第２の配線２０１ｃと概略平行には配置したほうが、
開口率を大きくすることができ、効率的にレイアウトできるため、好適である。
開口率を大きくすることができ、効率的にレイアウトできるため、好適である。
まず、液晶パネルの簡単な構成について、図９９（Ａ）を参照して説明する。また、図９
９（Ａ）は、液晶パネルの上面図である。
９（Ａ）は、液晶パネルの上面図である。
図９９（Ａ）に示す液晶パネルは、基板９９００上に、画素部９９０１、走査線側入力端
子９９０３、及び信号線側入力端子９９０４が形成されている。走査線側入力端子９９０
３から走査線が延在して基板９９００上に形成され、信号線側入力端子９９０４から信号
線が延在して基板９９００上に形成されている。また、画素部９９０１には、画素９９０
２が走査線と、信号線とが交差するところで、マトリクス上に配置されている。また、画
素９９０２には、スイッチング素子と画素電極層とが配置されている。
子９９０３、及び信号線側入力端子９９０４が形成されている。走査線側入力端子９９０
３から走査線が延在して基板９９００上に形成され、信号線側入力端子９９０４から信号
線が延在して基板９９００上に形成されている。また、画素部９９０１には、画素９９０
２が走査線と、信号線とが交差するところで、マトリクス上に配置されている。また、画
素９９０２には、スイッチング素子と画素電極層とが配置されている。
図９９（Ａ）の液晶パネルに示すように、走査線側入力端子９９０３は、基板９９００の
左右のうち両方に形成されている。信号線側入力端子９９０４は、基板９９００の上下の
うち一方に形成されている。また、一方の走査線側入力端子９９０３から延在する走査線
と、他方の走査線側入力端子９９０３から延在する走査線とは、交互に形成されている。
左右のうち両方に形成されている。信号線側入力端子９９０４は、基板９９００の上下の
うち一方に形成されている。また、一方の走査線側入力端子９９０３から延在する走査線
と、他方の走査線側入力端子９９０３から延在する走査線とは、交互に形成されている。
なお、走査線側入力端子９９０３を基板９９００の左右のうち両方に配置することで、画
素９９０２を高密度に配置することができる。
素９９０２を高密度に配置することができる。
また、信号線側入力端子９９０４を基板９９００の上下のうち一方に配置することで、液
晶パネルの額縁を小さくする、又は画素部９９０１の領域を大きくすることができる。
晶パネルの額縁を小さくする、又は画素部９９０１の領域を大きくすることができる。
また、画素部９９０１の画素９９０２それぞれでは、スイッチング素子の第１端子が信号
線に接続され、第２端子が画素電極層に接続されることによって、個々の画素９９０２を
外部から入力する信号によって独立して制御することができる。なお、スイッチング素子
のオン・オフは走査線に供給されている信号によって制御されている。
線に接続され、第２端子が画素電極層に接続されることによって、個々の画素９９０２を
外部から入力する信号によって独立して制御することができる。なお、スイッチング素子
のオン・オフは走査線に供給されている信号によって制御されている。
なお、基板９９００には、すでに述べたように、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、
石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、ステンレス・スチル
基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いることができる。
石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、ステンレス・スチル
基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などを用いることができる。
また、スイッチング素子には、すでに述べたように、トランジスタ、ダイオード（例えば
、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ダイオード接続のトラ
ンジスタなど）、サイリスタ、それらを組み合わせた論理回路などを用いることができる
。
、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ダイオード接続のトラ
ンジスタなど）、サイリスタ、それらを組み合わせた論理回路などを用いることができる
。
また、スイッチング素子として、ＴＦＴを用いた場合、ＴＦＴのゲートが走査線に接続さ
れ、第１端子が信号線に接続され、第２端子が画素電極層に接続されることにより、個々
の画素９９０２を外部から入力する信号によって独立して制御することができる。
れ、第１端子が信号線に接続され、第２端子が画素電極層に接続されることにより、個々
の画素９９０２を外部から入力する信号によって独立して制御することができる。
なお、走査線側入力端子９９０３を基板９９００の左右のうち一方に配置してもよい。走
査線側入力端子９９０３を基板９９００の左右のうち一方に配置することで、液晶パネル
の額縁を小さくする、又は画素部９９０１の領域を大きくすることができる。
査線側入力端子９９０３を基板９９００の左右のうち一方に配置することで、液晶パネル
の額縁を小さくする、又は画素部９９０１の領域を大きくすることができる。
また、一方の走査線側入力端子９９０３から延在する走査線と、他方の走査線側入力端子
９９０３から延在する走査線とは、共通にしてもよい。
９９０３から延在する走査線とは、共通にしてもよい。
また、信号線側入力端子９９０４を基板９９００の上下のうち両方に配置してもよい。信
号線側入力端子９９０４を基板９９００の上下のうち両方に配置することで、画素９９０
２を高密度に配置できる。
号線側入力端子９９０４を基板９９００の上下のうち両方に配置することで、画素９９０
２を高密度に配置できる。
また、画素９９０２には、さらに容量素子を形成してもよい。画素９９０２に容量素子を
設ける場合、基板９９００上に、容量線を形成してもよい。基板９９００上に容量線を形
成する場合、容量素子の第１電極が容量線に接続され、第２電極が画素電極層に接続され
るようにする。また、基板９９００上に容量線を形成しない場合、容量素子の第１電極が
この容量素子が配置されている画素９９０２とは別の走査線に接続され、第２電極が画素
電極層上に接続されているようにする。
設ける場合、基板９９００上に、容量線を形成してもよい。基板９９００上に容量線を形
成する場合、容量素子の第１電極が容量線に接続され、第２電極が画素電極層に接続され
るようにする。また、基板９９００上に容量線を形成しない場合、容量素子の第１電極が
この容量素子が配置されている画素９９０２とは別の走査線に接続され、第２電極が画素
電極層上に接続されているようにする。
ここで、図９９（Ａ）に示した液晶パネルは、走査線、及び信号線に供給する信号を外付
けの駆動回路によって制御する構成を示しているが、図１００（Ａ）に示すように、ＣＯ
Ｇ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりドライバＩＣ１０００１を基板９９００上
に実装してもよい。また、別の構成として、図１００（Ｂ）に示すように、ＴＡＢ（Ｔａ
ｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式によりドライバＩＣ１０００１をＦＰ
Ｃ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）１００００上に実装してもよ
い。また、図１００において、ドライバＩＣ１０００１は、ＦＰＣ１００００と接続され
ている。
けの駆動回路によって制御する構成を示しているが、図１００（Ａ）に示すように、ＣＯ
Ｇ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりドライバＩＣ１０００１を基板９９００上
に実装してもよい。また、別の構成として、図１００（Ｂ）に示すように、ＴＡＢ（Ｔａ
ｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式によりドライバＩＣ１０００１をＦＰ
Ｃ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）１００００上に実装してもよ
い。また、図１００において、ドライバＩＣ１０００１は、ＦＰＣ１００００と接続され
ている。
なお、ドライバＩＣ１０００１は単結晶半導体基板上に形成されたものでもよいし、ガラ
ス基板上にＴＦＴで回路を形成したものでもよい。
ス基板上にＴＦＴで回路を形成したものでもよい。
なお、図９９（Ａ）に示した液晶パネルは、図９９（Ｂ）に示すように、走査線駆動回路
９９０５を基板９９００上に形成してもよい。
９９０５を基板９９００上に形成してもよい。
また、図９９（Ｃ）に示すように、走査線駆動回路９９０５、及び信号線駆動回路９９０
６を基板９９００上に形成してもよい。
６を基板９９００上に形成してもよい。
また、走査線駆動回路９９０５、及び信号線駆動回路９９０６は、複数のＮチャネル型、
及びＰチャネル型のトランジスタから構成されている。ただし、Ｎチャネル型のトランジ
スタのみ構成されていてもよいし、Ｐチャネル型のトランジスタのみで構成されていても
よい。
及びＰチャネル型のトランジスタから構成されている。ただし、Ｎチャネル型のトランジ
スタのみ構成されていてもよいし、Ｐチャネル型のトランジスタのみで構成されていても
よい。
続いて、画素９９０２の詳細について、図１０１、及び図１０２の回路図を参照して説明
する。
する。
図１０１（Ａ）の画素９９０２は、トランジスタ１０１０１、液晶素子１０１０２、及び
容量素子１０１０３を有している。トランジスタ１０１０１のゲートが配線１０１０５に
接続され、第１端子が配線１０１０４に接続されている。液晶素子１０１０２の第１電極
が対向電極１０１０７に接続され、第２電極がトランジスタ１０１０１の第２端子に接続
されている。容量素子１０１０３の第１電極が配線１０１０６に接続され、第２電極がト
ランジスタ１０１０１の第２端子に接続されている。
容量素子１０１０３を有している。トランジスタ１０１０１のゲートが配線１０１０５に
接続され、第１端子が配線１０１０４に接続されている。液晶素子１０１０２の第１電極
が対向電極１０１０７に接続され、第２電極がトランジスタ１０１０１の第２端子に接続
されている。容量素子１０１０３の第１電極が配線１０１０６に接続され、第２電極がト
ランジスタ１０１０１の第２端子に接続されている。
なお、配線１０１０４は信号線であり、配線１０１０５は走査線であり、配線１０１０６
は容量線である。
は容量線である。
配線１０１０４には、アナログの電圧信号（ビデオ信号）が供給されている。ただし、ビ
デオ信号はデジタルの電圧信号でもよいし、電流信号でもよい。
デオ信号はデジタルの電圧信号でもよいし、電流信号でもよい。
配線１０１０５には、Ｈレベル、若しくはＬレベルの電圧信号（走査信号）が供給されて
いる。なお、Ｈレベルの電圧信号は、トランジスタ１０１０１をオンできるような電圧で
あり、Ｌレベルの電圧信号は、トランジスタ１０１０１をオフできるような電圧である。
いる。なお、Ｈレベルの電圧信号は、トランジスタ１０１０１をオンできるような電圧で
あり、Ｌレベルの電圧信号は、トランジスタ１０１０１をオフできるような電圧である。
配線１０１０６には、一定の電源電圧が供給されている。ただし、パルス状の信号が供給
されていてもよい。
されていてもよい。
図１０１（Ａ）の画素９９０２の動作について説明する。まず、配線１０１０５がＨレベ
ルになると、トランジスタ１０１０１がオンし、ビデオ信号が配線１０１０４からオンし
たトランジスタ１０１０１を介して液晶素子１０１０２の第２電極、及び容量素子１０１
０３の第２電極に供給される。そして、容量素子１０１０３は配線１０１０７６の電位と
ビデオ信号の電位との電位差を保持する。
ルになると、トランジスタ１０１０１がオンし、ビデオ信号が配線１０１０４からオンし
たトランジスタ１０１０１を介して液晶素子１０１０２の第２電極、及び容量素子１０１
０３の第２電極に供給される。そして、容量素子１０１０３は配線１０１０７６の電位と
ビデオ信号の電位との電位差を保持する。
次に、配線１０１０５がＬレベルになると、トランジスタ１０１０１がオフし、配線１０
１０４と、液晶素子１０１０２の第２電極、及び容量素子１０１０３の第２電極とは、電
気的に遮断される。しかし、容量素子１０１０３が配線１０１０７６の電位とビデオ信号
の電位との電位差を保持しているため、容量素子１０１０３の第２電極の電位はビデオ信
号と同様な電位のまま維持されることができる。
１０４と、液晶素子１０１０２の第２電極、及び容量素子１０１０３の第２電極とは、電
気的に遮断される。しかし、容量素子１０１０３が配線１０１０７６の電位とビデオ信号
の電位との電位差を保持しているため、容量素子１０１０３の第２電極の電位はビデオ信
号と同様な電位のまま維持されることができる。
こうして、図１０１（Ａ）の画素９９０２は、液晶素子１０１０２の第２電極の電位をビ
デオ信号と同電位に維持でき、液晶素子１０１０２をビデオ信号に応じた透過率に維持で
きる。
デオ信号と同電位に維持でき、液晶素子１０１０２をビデオ信号に応じた透過率に維持で
きる。
なお、図示はしないが、液晶素子１０１０２がビデオ信号を保持できるだけの容量成分を
有していれば、容量素子１０１０３は必ずしも必要ではない。
有していれば、容量素子１０１０３は必ずしも必要ではない。
なお、図１０１（Ｂ）のように、容量素子１０１０３の第１電極は、対向電極１０１０７
と接続されていてもよい。例えば、液晶素子１０１０２の液晶モードがＦＦＳ方式のとき
などに、容量素子１０１０３は図１０１（Ｂ）のように接続される。
と接続されていてもよい。例えば、液晶素子１０１０２の液晶モードがＦＦＳ方式のとき
などに、容量素子１０１０３は図１０１（Ｂ）のように接続される。
なお、図１０２のように、容量素子１０１０３の第１電極は前行の配線１０１０５ａに接
続されていてもよい。なお、ｎ行目の走査線が配線１０１０５ａであり、ｎ＋１行目の走
査線が配線１０１０５ｂである。このように、容量素子１０１０３の第１電極が前列の配
線１０１０５ａに接続されることで、配線１０１０６が必要なくなる。よって、図１０２
の画素９９０２ａ、画素９９０２ｂは、開口率を大きくすることができる。
続されていてもよい。なお、ｎ行目の走査線が配線１０１０５ａであり、ｎ＋１行目の走
査線が配線１０１０５ｂである。このように、容量素子１０１０３の第１電極が前列の配
線１０１０５ａに接続されることで、配線１０１０６が必要なくなる。よって、図１０２
の画素９９０２ａ、画素９９０２ｂは、開口率を大きくすることができる。
液晶パネルを有する液晶表示装置について、図１０３を参照して説明する。
まず、図１０３に示した液晶表示装置には、バックライトユニット１０３０１、液晶パネ
ル１０３０７、第１の偏光子を含む層１０３０８、第２の偏光子を含む層１０３０９が設
けられている。
ル１０３０７、第１の偏光子を含む層１０３０８、第２の偏光子を含む層１０３０９が設
けられている。
なお、液晶パネル１０３０７は、本実施例で説明したものと同様なものとすることができ
る。また、本実施形態の液晶パネルは、各画素にスイッチング素子が設けられたアクティ
ブマトリクス型の構造について説明してきたが、図１０３の液晶パネルはパッシブマトリ
クス型の構造でもよい。
る。また、本実施形態の液晶パネルは、各画素にスイッチング素子が設けられたアクティ
ブマトリクス型の構造について説明してきたが、図１０３の液晶パネルはパッシブマトリ
クス型の構造でもよい。
バックライトユニット１０３０１の構造について説明する。バックライトユニット１０３
０１は、拡散板１０３０２、導光板１０３０３、反射板１０３０４、ランプリフレクタ１
０３０５、光源１０３０６を有するように構成されている。光源１０３０６としては冷陰
極管、熱陰極管、発光ダイオード、無機ＥＬ、又は有機ＥＬなどが用いられ、光源１０３
０６は必要に応じて発光する機能を有する。ランプリフレクタ１０３０５は、光源１０３
０６からの蛍光を効率よく導光板１０３０３に導く機能を有する。導光板１０３０３は、
蛍光を全反射させて、全面に光を導く機能を有する。拡散板１０３０２は、明度のムラを
低減する機能を有する。反射板１０３０４は、導光板１０３０３から下方向（液晶パネル
１０３０７と反対方向）に漏れた光を反射して再利用する機能を有する。
０１は、拡散板１０３０２、導光板１０３０３、反射板１０３０４、ランプリフレクタ１
０３０５、光源１０３０６を有するように構成されている。光源１０３０６としては冷陰
極管、熱陰極管、発光ダイオード、無機ＥＬ、又は有機ＥＬなどが用いられ、光源１０３
０６は必要に応じて発光する機能を有する。ランプリフレクタ１０３０５は、光源１０３
０６からの蛍光を効率よく導光板１０３０３に導く機能を有する。導光板１０３０３は、
蛍光を全反射させて、全面に光を導く機能を有する。拡散板１０３０２は、明度のムラを
低減する機能を有する。反射板１０３０４は、導光板１０３０３から下方向（液晶パネル
１０３０７と反対方向）に漏れた光を反射して再利用する機能を有する。
なお、拡散板１０３０２と第２の偏光子を含む層１０３０９との間に、プリズムシートを
配置することで、本実施例の液晶表示装置は液晶パネルの画面の明るさを向上させること
ができる。
配置することで、本実施例の液晶表示装置は液晶パネルの画面の明るさを向上させること
ができる。
バックライトユニット１０３０１には、光源１０３０６の輝度を調整するための制御回路
が接続されている。制御回路からの信号供給により、光源１０３０６の輝度を調整するこ
とができる。
が接続されている。制御回路からの信号供給により、光源１０３０６の輝度を調整するこ
とができる。
液晶パネル１０３０７とバックライトユニット１０３０１との間には第２の偏光子を含む
層１０３０９が設けられ、バックライトユニット１０３０１とは反対方向の液晶パネル１
０３０７にも第１の偏光子を含む層１０３０８が設けられている。
層１０３０９が設けられ、バックライトユニット１０３０１とは反対方向の液晶パネル１
０３０７にも第１の偏光子を含む層１０３０８が設けられている。
なお、第１の偏光子を含む層１０３０８と第２の偏光子を含む層１０３０９とは、液晶パ
ネル１０３０７の液晶素子がＩＰＳ方式、又はＦＦＳ方式で駆動する場合、クロスニコル
になるように配置されていてもよいし、パラレルニコルになるように配置されていてもよ
い。
ネル１０３０７の液晶素子がＩＰＳ方式、又はＦＦＳ方式で駆動する場合、クロスニコル
になるように配置されていてもよいし、パラレルニコルになるように配置されていてもよ
い。
第１の偏光子を含む層１０３０８、及び第２の偏光子を含む層１０３０９の両方、又は一
方と、液晶パネル１０３０７との間に位相差板を有していてもよい。
方と、液晶パネル１０３０７との間に位相差板を有していてもよい。
なお、図１０４に示すように、第２の偏光子を含む層１０３０９とバックライトユニット
１０３０１との間に、スリット（格子）１０３１０を配置することで、本実施例の液晶表
示装置は３次元表示を行うことができる。
１０３０１との間に、スリット（格子）１０３１０を配置することで、本実施例の液晶表
示装置は３次元表示を行うことができる。
バックライトユニット側に配置された開口部を有するスリット１０３１０は、光源より入
射された光をストライプ状にして透過し、表示装置部へ入射させる。このスリット１０３
１０によって、視認側にいる視認者の両目に視差を作ることができ、視認者は右目では右
目用の画素だけを、左目では左目用の画素だけを同時に見ることになる。よって、視認者
は、３次元表示を見ることができる。つまり、スリット１０３１０によって特定の視野角
を与えられた光が右目用画像及び左目用画像のそれぞれに対応する画素を通過することで
、右目用画像と左目用画像とが異なる視野角に分離され、３次元表示が行われる。
射された光をストライプ状にして透過し、表示装置部へ入射させる。このスリット１０３
１０によって、視認側にいる視認者の両目に視差を作ることができ、視認者は右目では右
目用の画素だけを、左目では左目用の画素だけを同時に見ることになる。よって、視認者
は、３次元表示を見ることができる。つまり、スリット１０３１０によって特定の視野角
を与えられた光が右目用画像及び左目用画像のそれぞれに対応する画素を通過することで
、右目用画像と左目用画像とが異なる視野角に分離され、３次元表示が行われる。
図１０４の液晶表示装置を用いて、テレビジョン装置、携帯電話などの電子機器を作製す
れば、３次元表示を行うことができる高機能でかつ高画質の電子機器を提供することがで
きる。
れば、３次元表示を行うことができる高機能でかつ高画質の電子機器を提供することがで
きる。
バックライトの詳細な構成について、図１０５を参照して説明する。バックライトは光源
を有するバックライトユニットとして液晶表示装置に設けられ、バックライトユニットは
効率よく光を散乱させるため、光源は反射板により囲まれている。
を有するバックライトユニットとして液晶表示装置に設けられ、バックライトユニットは
効率よく光を散乱させるため、光源は反射板により囲まれている。
図１０５（Ａ）に示すように、バックライトユニット１０５５２は、光源として冷陰極管
１０５０１を用いることができる。また、冷陰極管１０５０１からの光を効率よく反射さ
せるため、ランプリフレクタ１０５３２を設けることができる。冷陰極管１０５０１は、
大型表示装置に用いることが多い。これは冷陰極管からの輝度の強度のためである。その
ため、冷陰極管を有するバックライトユニットは、パーソナルコンピュータのディスプレ
イに用いることができる。
１０５０１を用いることができる。また、冷陰極管１０５０１からの光を効率よく反射さ
せるため、ランプリフレクタ１０５３２を設けることができる。冷陰極管１０５０１は、
大型表示装置に用いることが多い。これは冷陰極管からの輝度の強度のためである。その
ため、冷陰極管を有するバックライトユニットは、パーソナルコンピュータのディスプレ
イに用いることができる。
図１０５（Ｂ）に示すように、バックライトユニット１０５５２は、光源として発光ダイ
オード（ＬＥＤ）１０５０２を用いることができる。例えば、白色に発する発光ダイオー
ド（Ｗ）１０５０２を所定の間隔に配置する。また、発光ダイオード（Ｗ）１０５０２か
らの光を効率よく反射させるため、ランプリフレクタ１０５３２を設けることができる。
オード（ＬＥＤ）１０５０２を用いることができる。例えば、白色に発する発光ダイオー
ド（Ｗ）１０５０２を所定の間隔に配置する。また、発光ダイオード（Ｗ）１０５０２か
らの光を効率よく反射させるため、ランプリフレクタ１０５３２を設けることができる。
また図１０５（Ｃ）に示すように、バックライトユニット１０５５２は、光源として各色
ＲＧＢの発光ダイオード（ＬＥＤ）１０５０３、１０５０４、１０５０５を用いることが
できる。各色ＲＧＢの発光ダイオード（ＬＥＤ）１０５０３、１０５０４、１０５０５を
用いることにより、白色を発する発光ダイオード（Ｗ）１０５０２のみと比較して、色再
現性を高くすることができる。また、発光ダイオードからの光を効率よく反射させるため
、ランプリフレクタ１０５３２を設けることができる。
ＲＧＢの発光ダイオード（ＬＥＤ）１０５０３、１０５０４、１０５０５を用いることが
できる。各色ＲＧＢの発光ダイオード（ＬＥＤ）１０５０３、１０５０４、１０５０５を
用いることにより、白色を発する発光ダイオード（Ｗ）１０５０２のみと比較して、色再
現性を高くすることができる。また、発光ダイオードからの光を効率よく反射させるため
、ランプリフレクタ１０５３２を設けることができる。
またさらに図１０５（Ｄ）に示すように、光源として各色ＲＧＢの発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）１０５０３、１０５０４、１０５０５を用いる場合、それらの数や配置を同じとする
必要はない。例えば、発光強度の低い色（例えば緑）を複数配置してもよい。
Ｄ）１０５０３、１０５０４、１０５０５を用いる場合、それらの数や配置を同じとする
必要はない。例えば、発光強度の低い色（例えば緑）を複数配置してもよい。
さらに白色を発する発光ダイオード１０５０２と、各色ＲＧＢの発光ダイオード（ＬＥＤ
）１０５０３、１０５０４、１０５０５とを組み合わせて用いてもよい。
）１０５０３、１０５０４、１０５０５とを組み合わせて用いてもよい。
なおＲＧＢの発光ダイオードを有する場合、フィールドシーケンシャルモードを適用する
と、時間に応じてＲＧＢの発光ダイオードを順次点灯させることによりカラー表示を行う
ことができる。
と、時間に応じてＲＧＢの発光ダイオードを順次点灯させることによりカラー表示を行う
ことができる。
発光ダイオードを用いると、輝度が高いため、大型表示装置に適する。また、ＲＧＢ各色
の色純度が良いため冷陰極管と比べて色再現性に優れており、配置面積を小さくすること
ができるため、小型表示装置に適応すると、狭額縁化を図ることができる。
の色純度が良いため冷陰極管と比べて色再現性に優れており、配置面積を小さくすること
ができるため、小型表示装置に適応すると、狭額縁化を図ることができる。
また、光源を必ずしも図１０５に示すバックライトユニットとして配置する必要はない。
例えば、大型表示装置に発光ダイオードを有するバックライトを搭載する場合、発光ダイ
オードは該基板の背面に配置することができる。このとき発光ダイオードは、所定の間隔
を維持し、各色の発光ダイオードを順に配置させることができる。発光ダイオードの配置
により、色再現性を高めることができる。
例えば、大型表示装置に発光ダイオードを有するバックライトを搭載する場合、発光ダイ
オードは該基板の背面に配置することができる。このとき発光ダイオードは、所定の間隔
を維持し、各色の発光ダイオードを順に配置させることができる。発光ダイオードの配置
により、色再現性を高めることができる。
偏光子を含む層（偏光板、又は偏光フィルムともいう）の一例について、図１０８を参照
して説明する。
して説明する。
図１０８の偏光フィルム１０８００は、保護フィルム１０８０１、基板フィルム１０８０
２、ＰＶＡ偏光フィルム１０８０３、基板フィルム１０８０４、粘着剤層１０８０５、及
び離型フィルム１０８０６を有するように構成されている。
２、ＰＶＡ偏光フィルム１０８０３、基板フィルム１０８０４、粘着剤層１０８０５、及
び離型フィルム１０８０６を有するように構成されている。
ＰＶＡ偏光フィルム１０８０３は、ある振動方向だけの光（直線偏光）を作り出す機能を
有する。具体的には、ＰＶＡ偏光フィルム１０８０３は、電子の密度が縦と横で大きく異
なる分子（偏光子）を含んでいる。ＰＶＡ偏光フィルム１０８０３は、この電子の密度が
縦と横で大きく異なる分子の方向を揃えることで、直線偏光を作り出すことができる。
有する。具体的には、ＰＶＡ偏光フィルム１０８０３は、電子の密度が縦と横で大きく異
なる分子（偏光子）を含んでいる。ＰＶＡ偏光フィルム１０８０３は、この電子の密度が
縦と横で大きく異なる分子の方向を揃えることで、直線偏光を作り出すことができる。
一例として、ＰＶＡ偏光フィルム１０８０３は、ポリビニールアルコール（Ｐｏｌｙ Ｖ
ｉｎｙｌ Ａｌｃｏｌ）の高分子フィルムに、ヨウ素化合物をドープし、ＰＶＡフィルム
をある方向に引っ張ることで、一定方向にヨウ素分子の並んだフィルムを得ることができ
る。そして、ヨウ素分子の長軸と平行な光は、ヨウ素分子に吸収される。また、高耐久用
途、及び高耐熱用途として、ヨウ素の代わりに２色性の染料が用いてもよい。なお、染料
は、車載用ＬＣＤやプロジェクタ用ＬＣＤなどの耐久性、耐熱性が求められる液晶表示装
置に用いられることが望ましい。
ｉｎｙｌ Ａｌｃｏｌ）の高分子フィルムに、ヨウ素化合物をドープし、ＰＶＡフィルム
をある方向に引っ張ることで、一定方向にヨウ素分子の並んだフィルムを得ることができ
る。そして、ヨウ素分子の長軸と平行な光は、ヨウ素分子に吸収される。また、高耐久用
途、及び高耐熱用途として、ヨウ素の代わりに２色性の染料が用いてもよい。なお、染料
は、車載用ＬＣＤやプロジェクタ用ＬＣＤなどの耐久性、耐熱性が求められる液晶表示装
置に用いられることが望ましい。
ＰＶＡ偏光フィルム１０８０３は、両側を基材となるフィルム（基板フィルム１０８０２
、及び基板フィルム３６０４）で挟むことで、信頼性を増すことができる。また、ＰＶＡ
偏光フィルム１０８０３は、高透明、高耐久性のトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィ
ルムによって挟まれていてもよい。なお、基板フィルム、及びＴＡＣフィルムは、ＰＶＡ
偏光フィルム１０８０３が有する偏光子の保護層として機能する。
、及び基板フィルム３６０４）で挟むことで、信頼性を増すことができる。また、ＰＶＡ
偏光フィルム１０８０３は、高透明、高耐久性のトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィ
ルムによって挟まれていてもよい。なお、基板フィルム、及びＴＡＣフィルムは、ＰＶＡ
偏光フィルム１０８０３が有する偏光子の保護層として機能する。
一方の基板フィルム（基板フィルム１０８０４）には、液晶パネルのガラス基板に貼るた
めの粘着剤層１０８０５が貼られている。なお、粘着剤層１０８０５は、粘着剤を片側の
基板フィルム（基板フィルム１０８０４）に塗布することで形成される。また、粘着剤層
１０８０５には、離型フィルム１０８０６（セパレートフィルム）が備えられている。
めの粘着剤層１０８０５が貼られている。なお、粘着剤層１０８０５は、粘着剤を片側の
基板フィルム（基板フィルム１０８０４）に塗布することで形成される。また、粘着剤層
１０８０５には、離型フィルム１０８０６（セパレートフィルム）が備えられている。
他方の基板フィルム（基板フィルム１０８０２）には、保護フィルムが備えられている。
なお、偏光フィルム１０８００表面に、ハードコート散乱層（アンチグレア層）が備えら
れていてもよい。ハードコート散乱層は、ＡＧ処理によって表面に微細な凹凸が形成され
ており、外光を散乱させる防眩機能を有するため、液晶パネルへの外光の映り込みや表面
反射を防ぐことができる。
れていてもよい。ハードコート散乱層は、ＡＧ処理によって表面に微細な凹凸が形成され
ており、外光を散乱させる防眩機能を有するため、液晶パネルへの外光の映り込みや表面
反射を防ぐことができる。
また、偏光フィルム１０８００表面に、複数の屈折率の異なる光学薄膜層を多層化（アン
チリフレクション処理、若しくはＡＲ処理ともいう）してもよい。多層化された複数の屈
折率のことなる光学薄膜層は、光の干渉効果によって表面の反射率を低減することができ
る。
チリフレクション処理、若しくはＡＲ処理ともいう）してもよい。多層化された複数の屈
折率のことなる光学薄膜層は、光の干渉効果によって表面の反射率を低減することができ
る。
液晶表示装置が有する各回路の動作について、図１０６を参照して説明する。
図１０６には、表示装置の画素部１０６０５及び駆動回路部１０６０８のシステムブロッ
ク図を示す。
ク図を示す。
画素部１０６０５は、複数の画素を有し、各画素となる信号線１０６１２と、走査線１０
６１０との交差領域には、スイッチング素子が設けられている。スイッチング素子により
液晶分子の傾きを制御するための電圧の印加を制御することができる。このように各交差
領域にスイッチング素子が設けられた構造をアクティブマトリクス型と呼ぶ。本発明の画
素部は、このようなアクティブマトリクス型に限定されず、パッシブマトリクス型の構成
を有してもよい。パッシブマトリクス型は、各画素にスイッチング素子がないため、工程
が簡便である。
６１０との交差領域には、スイッチング素子が設けられている。スイッチング素子により
液晶分子の傾きを制御するための電圧の印加を制御することができる。このように各交差
領域にスイッチング素子が設けられた構造をアクティブマトリクス型と呼ぶ。本発明の画
素部は、このようなアクティブマトリクス型に限定されず、パッシブマトリクス型の構成
を有してもよい。パッシブマトリクス型は、各画素にスイッチング素子がないため、工程
が簡便である。
駆動回路部１０６０８は、制御回路１０６０２、信号線駆動回路１０６０３、走査線駆動
回路１０６０４を有する。映像信号１０６０１が入力される制御回路１０６０２は、画素
部１０６０５の表示内容に応じて、階調制御を行う機能を有する。そのため、制御回路１
０６０２は、生成された信号を信号線駆動回路１０６０３、及び走査線駆動回路１０６０
４に入力する。そして、走査線駆動回路１０６０４に基づき、走査線１０６１０を介して
スイッチング素子が選択されると、選択された交差領域の画素電極に電圧が印加される。
この電圧の値は、信号線駆動回路１０６０３から信号線を介して入力される信号に基づき
決定される。
回路１０６０４を有する。映像信号１０６０１が入力される制御回路１０６０２は、画素
部１０６０５の表示内容に応じて、階調制御を行う機能を有する。そのため、制御回路１
０６０２は、生成された信号を信号線駆動回路１０６０３、及び走査線駆動回路１０６０
４に入力する。そして、走査線駆動回路１０６０４に基づき、走査線１０６１０を介して
スイッチング素子が選択されると、選択された交差領域の画素電極に電圧が印加される。
この電圧の値は、信号線駆動回路１０６０３から信号線を介して入力される信号に基づき
決定される。
さらに、制御回路１０６０２では、照明手段１０６０６へ供給する電力を制御する信号が
生成され、該信号は、照明手段１０６０６の電源１０６０７に入力される。照明手段には
、上記実施例で示したバックライトユニットを用いることができる。なお照明手段はバッ
クライト以外にフロントライトもある。フロントライトとは、画素部の前面側に取りつけ
、全体を照らす発光体および導光体で構成された板状のライトユニットである。このよう
な照明手段により、低消費電力で、均等に画素部を照らすことができる。
生成され、該信号は、照明手段１０６０６の電源１０６０７に入力される。照明手段には
、上記実施例で示したバックライトユニットを用いることができる。なお照明手段はバッ
クライト以外にフロントライトもある。フロントライトとは、画素部の前面側に取りつけ
、全体を照らす発光体および導光体で構成された板状のライトユニットである。このよう
な照明手段により、低消費電力で、均等に画素部を照らすことができる。
図１０６（Ｂ）に示すように走査線駆動回路１０６０４は、シフトレジスタ１０６４１、
レベルシフタ１０６４２、バッファ１０６４３として機能する回路を有する。シフトレジ
スタ１０６４１にはゲートスタートパルス（ＧＳＰ）、ゲートクロック信号（ＧＣＫ）等
の信号が入力される。なお、本発明の走査線駆動回路は、図１０６（Ｂ）に示す構成に限
定されない。
レベルシフタ１０６４２、バッファ１０６４３として機能する回路を有する。シフトレジ
スタ１０６４１にはゲートスタートパルス（ＧＳＰ）、ゲートクロック信号（ＧＣＫ）等
の信号が入力される。なお、本発明の走査線駆動回路は、図１０６（Ｂ）に示す構成に限
定されない。
また図１０６（Ｃ）に示すように信号線駆動回路１０６０３は、シフトレジスタ１０６３
１、第１のラッチ１０６３２、第２のラッチ１０６３３、レベルシフタ１０６３４、バッ
ファ１０６３５として機能する回路を有する。バッファ１０６３５として機能する回路と
は、弱い信号を増幅させる機能を有する回路であり、オペアンプ等を有する。レベルシフ
タ１０６３４には、スタートパルス（ＳＳＰ）等の信号が、第１のラッチ１０６３２には
ビデオ信号等のデータ（ＤＡＴＡ）が入力される。第２のラッチ１０６３３にはラッチ（
ＬＡＴ）信号を一時保持することができ、一斉に画素部１０６０５へ入力させる。これを
線順次駆動と呼ぶ。そのため、線順次駆動ではなく、点順次駆動を行う画素であれば、第
２のラッチは不要とすることができる。このように、本発明の信号線駆動回路は図１０６
（Ｃ）に示す構成に限定されない。
１、第１のラッチ１０６３２、第２のラッチ１０６３３、レベルシフタ１０６３４、バッ
ファ１０６３５として機能する回路を有する。バッファ１０６３５として機能する回路と
は、弱い信号を増幅させる機能を有する回路であり、オペアンプ等を有する。レベルシフ
タ１０６３４には、スタートパルス（ＳＳＰ）等の信号が、第１のラッチ１０６３２には
ビデオ信号等のデータ（ＤＡＴＡ）が入力される。第２のラッチ１０６３３にはラッチ（
ＬＡＴ）信号を一時保持することができ、一斉に画素部１０６０５へ入力させる。これを
線順次駆動と呼ぶ。そのため、線順次駆動ではなく、点順次駆動を行う画素であれば、第
２のラッチは不要とすることができる。このように、本発明の信号線駆動回路は図１０６
（Ｃ）に示す構成に限定されない。
このような信号線駆動回路１０６０３、走査線駆動回路１０６０４、画素部１０６０５は
、同一基板状に設けられた半導体素子によって形成することができる。半導体素子は、ガ
ラス基板に設けられた薄膜トランジスタを用いて形成することができる。この場合、半導
体素子には結晶性半導体膜を適用するとよい。結晶性半導体膜は、電気特性、特に移動度
が高いため、駆動回路部が有する回路を構成することができる。また、信号線駆動回路１
０６０３や走査線駆動回路１０６０４は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ
）チップを用いて、基板上に実装することもできる。この場合、画素部の半導体素子には
非晶質半導体膜を適用することができる。
、同一基板状に設けられた半導体素子によって形成することができる。半導体素子は、ガ
ラス基板に設けられた薄膜トランジスタを用いて形成することができる。この場合、半導
体素子には結晶性半導体膜を適用するとよい。結晶性半導体膜は、電気特性、特に移動度
が高いため、駆動回路部が有する回路を構成することができる。また、信号線駆動回路１
０６０３や走査線駆動回路１０６０４は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ
）チップを用いて、基板上に実装することもできる。この場合、画素部の半導体素子には
非晶質半導体膜を適用することができる。
液晶表示モジュールを図１０７を用いて説明する。
図１０７は液晶表示モジュールの一例であり、回路基板１０７００と対向基板１０７０１
がシール材１０７０２により固着され、その間にＴＦＴ等を含む画素部１０７０３と液晶
層１０７０４が設けられ表示領域を形成している。着色層１０７０５はカラー表示を行う
場合に必要であり、ＲＧＢ方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応した着色層が各画素に
対応して設けられている。回路基板１０７００と対向基板１０７０１の外側には第１の偏
光子を含む層１０７０６、第２の偏光子を含む層１０７０７、拡散板１０７１３が配設さ
れている。光源は冷陰極管１０７１０と反射板１０７１１により構成され、回路基板１０
７１２は、フレキシブル配線基板１０７０９により回路基板１０７００と接続され、コン
トロール回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。
がシール材１０７０２により固着され、その間にＴＦＴ等を含む画素部１０７０３と液晶
層１０７０４が設けられ表示領域を形成している。着色層１０７０５はカラー表示を行う
場合に必要であり、ＲＧＢ方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応した着色層が各画素に
対応して設けられている。回路基板１０７００と対向基板１０７０１の外側には第１の偏
光子を含む層１０７０６、第２の偏光子を含む層１０７０７、拡散板１０７１３が配設さ
れている。光源は冷陰極管１０７１０と反射板１０７１１により構成され、回路基板１０
７１２は、フレキシブル配線基板１０７０９により回路基板１０７００と接続され、コン
トロール回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。
回路基板１０７００と光源であるバックライトの間には第２の偏光子を含む層１０７０７
が積層して設けられ、対向基板１０７０１にも第１の偏光子を含む層１０７０６が積層し
て設けられている。一方、第２の偏光子を含む層１０７０７の吸収軸と、視認側に設けら
れた第１の偏光子を含む層１０７０６の吸収軸とは、クロスニコルになるように配置され
る。
が積層して設けられ、対向基板１０７０１にも第１の偏光子を含む層１０７０６が積層し
て設けられている。一方、第２の偏光子を含む層１０７０７の吸収軸と、視認側に設けら
れた第１の偏光子を含む層１０７０６の吸収軸とは、クロスニコルになるように配置され
る。
積層された第２の偏光子を含む層１０７０７や積層された第１の偏光子を含む層１０７０
６は、回路基板１０７００、対向基板１０７０１に接着されている。また積層された偏光
子を含む層と、基板との間に位相差板を有した状態で積層してもよい。また、必要に応じ
て、視認側である第１の偏光子を含む層１０７０６には反射防止処理を施してもよい。
６は、回路基板１０７００、対向基板１０７０１に接着されている。また積層された偏光
子を含む層と、基板との間に位相差板を有した状態で積層してもよい。また、必要に応じ
て、視認側である第１の偏光子を含む層１０７０６には反射防止処理を施してもよい。
また、液晶表示モジュールの高速光学応答速度は、液晶表示モジュールのセルギャップを
狭くすることで高速化する。また液晶材料の粘度を下げることでも高速化できる。上記高
速化は、ＴＮモードの液晶表示モジュールの画素領域の画素ピッチが３０μｍ以下の場合
に、より効果的である。また、印加電圧を一瞬だけ高く（または低く）するオーバードラ
イブ法により、より高速化が可能である。
狭くすることで高速化する。また液晶材料の粘度を下げることでも高速化できる。上記高
速化は、ＴＮモードの液晶表示モジュールの画素領域の画素ピッチが３０μｍ以下の場合
に、より効果的である。また、印加電圧を一瞬だけ高く（または低く）するオーバードラ
イブ法により、より高速化が可能である。
オーバードライブ駆動について、図９８を参照して説明する。図９８の（Ａ）は、表示素
子の、入力電圧に対する出力輝度の時間変化を表したものである。破線で表した入力電圧
１に対する表示素子の出力輝度の時間変化は、同じく破線で表した出力輝度１のようにな
る。すなわち、目的の出力輝度Ｌ０を得るための電圧はＧｉであるが、入力電圧としてＶ
ｉをそのまま入力した場合は、目的の出力輝度Ｌ０に達するまでに、素子の応答速度に対
応した時間を要してしまう。
子の、入力電圧に対する出力輝度の時間変化を表したものである。破線で表した入力電圧
１に対する表示素子の出力輝度の時間変化は、同じく破線で表した出力輝度１のようにな
る。すなわち、目的の出力輝度Ｌ０を得るための電圧はＧｉであるが、入力電圧としてＶ
ｉをそのまま入力した場合は、目的の出力輝度Ｌ０に達するまでに、素子の応答速度に対
応した時間を要してしまう。
オーバードライブ駆動は、この応答速度を速めるための技術である。具体的には、まず、
Ｖｉよりも大きい電圧であるＶ０を素子に一定時間与えることで出力輝度の応答速度を高
めて、目的の出力輝度Ｌ０に近づけた後に、入力電圧をＶｉに戻す、という方法である。
このときの入力電圧は入力電圧２、出力輝度は出力輝度２に表したようになる。出力輝度
２のグラフは、目的の輝度Ｌ０に至るまでの時間が、出力輝度１のグラフよりも短くなっ
ている。
Ｖｉよりも大きい電圧であるＶ０を素子に一定時間与えることで出力輝度の応答速度を高
めて、目的の出力輝度Ｌ０に近づけた後に、入力電圧をＶｉに戻す、という方法である。
このときの入力電圧は入力電圧２、出力輝度は出力輝度２に表したようになる。出力輝度
２のグラフは、目的の輝度Ｌ０に至るまでの時間が、出力輝度１のグラフよりも短くなっ
ている。
なお、図９８の（Ａ）においては、入力電圧に対し出力輝度が正の変化をする場合につい
て述べたが、入力電圧に対し出力輝度が負の変化をする場合も、本発明は含んでいる。
て述べたが、入力電圧に対し出力輝度が負の変化をする場合も、本発明は含んでいる。
このような駆動を実現するための回路について、図９８の（Ｂ）および図９８の（Ｃ）を
参照して説明する。まず、図９８の（Ｂ）を参照して、入力映像信号Ｇｉがアナログ値（
離散値でもよい）をとる信号であり、出力映像信号Ｇ０もアナログ値をとる信号である場
合について説明する。図９８の（Ｂ）に示すオーバードライブ回路は、符号化回路９８０
１、フレームメモリ９８０２、補正回路９８０３、ＤＡ変換回路９８０４、を備える。
参照して説明する。まず、図９８の（Ｂ）を参照して、入力映像信号Ｇｉがアナログ値（
離散値でもよい）をとる信号であり、出力映像信号Ｇ０もアナログ値をとる信号である場
合について説明する。図９８の（Ｂ）に示すオーバードライブ回路は、符号化回路９８０
１、フレームメモリ９８０２、補正回路９８０３、ＤＡ変換回路９８０４、を備える。
入力映像信号Ｇｉは、まず、符号化回路９８０１に入力され、符号化される。つまり、ア
ナログ信号から、適切なビット数のデジタル信号に変換される。その後、変換されたデジ
タル信号は、フレームメモリ９８０２と、補正回路９８０３と、にそれぞれ入力される。
補正回路９８０３には、フレームメモリ９８０２に保持されていた前フレームの映像信号
も、同時に入力される。そして、補正回路９８０３において、当該フレームの映像信号と
、前フレームの映像信号から、あらかじめ用意された数値テーブルにしたがって、補正さ
れた映像信号を出力する。このとき、補正回路９８０３に出力切替信号を入力し、補正さ
れた映像信号と、当該フレームの映像信号を切替えて出力できるようにしてもよい。次に
、補正された映像信号または当該フレームの映像信号は、ＤＡ変換回路９８０４に入力さ
れる。そして、補正された映像信号または当該フレームの映像信号にしたがった値のアナ
ログ信号である出力映像信号Ｇ０が出力される。このようにして、オーバードライブ駆動
が実現できる。
ナログ信号から、適切なビット数のデジタル信号に変換される。その後、変換されたデジ
タル信号は、フレームメモリ９８０２と、補正回路９８０３と、にそれぞれ入力される。
補正回路９８０３には、フレームメモリ９８０２に保持されていた前フレームの映像信号
も、同時に入力される。そして、補正回路９８０３において、当該フレームの映像信号と
、前フレームの映像信号から、あらかじめ用意された数値テーブルにしたがって、補正さ
れた映像信号を出力する。このとき、補正回路９８０３に出力切替信号を入力し、補正さ
れた映像信号と、当該フレームの映像信号を切替えて出力できるようにしてもよい。次に
、補正された映像信号または当該フレームの映像信号は、ＤＡ変換回路９８０４に入力さ
れる。そして、補正された映像信号または当該フレームの映像信号にしたがった値のアナ
ログ信号である出力映像信号Ｇ０が出力される。このようにして、オーバードライブ駆動
が実現できる。
次に、図９８の（Ｃ）を参照して、入力映像信号Ｇｉがデジタル値をとる信号であり、出
力映像信号Ｇ０もデジタル値をとる信号である場合について説明する。図９８の（Ｃ）に
示すオーバードライブ回路は、フレームメモリ９８１２、補正回路９８１３、を備える。
力映像信号Ｇ０もデジタル値をとる信号である場合について説明する。図９８の（Ｃ）に
示すオーバードライブ回路は、フレームメモリ９８１２、補正回路９８１３、を備える。
入力映像信号Ｇｉは、デジタル信号であり、まず、フレームメモリ９８１２と、補正回路
９８１３と、にそれぞれ入力される。補正回路９８１３には、フレームメモリ９８１２に
保持されていた前フレームの映像信号も、同時に入力される。そして、補正回路９８１３
において、当該フレームの映像信号と、前フレームの映像信号から、あらかじめ用意され
た数値テーブルにしたがって、補正された映像信号を出力する。このとき、補正回路９８
１３に出力切替信号を入力し、補正された映像信号と、当該フレームの映像信号を切替え
て出力できるようにしてもよい。このようにして、オーバードライブ駆動が実現できる。
９８１３と、にそれぞれ入力される。補正回路９８１３には、フレームメモリ９８１２に
保持されていた前フレームの映像信号も、同時に入力される。そして、補正回路９８１３
において、当該フレームの映像信号と、前フレームの映像信号から、あらかじめ用意され
た数値テーブルにしたがって、補正された映像信号を出力する。このとき、補正回路９８
１３に出力切替信号を入力し、補正された映像信号と、当該フレームの映像信号を切替え
て出力できるようにしてもよい。このようにして、オーバードライブ駆動が実現できる。
なお、補正された映像信号を得るための数値テーブルの組み合わせは、１ＳＦにおいて取
りうる階調の数と、１ＳＦにおいて取りうる階調の数の積となる。この組み合わせの数は
、小さいほど、補正回路９８１３内に格納するデータ量が小さくなるため、好ましい。本
実施の形態においては、明画像を表示するサブフレームが最高輝度となるまでの中間調に
おいては、暗画像の輝度は０であり、明画像を表示するサブフレームが最高輝度となって
から最高階調となるまでは、明画像の輝度は一定であるため、この組み合わせの数を大幅
に小さくできる。したがって、本発明の表示装置の駆動方法は、オーバードライブ駆動と
組み合わせて実施することで、大きな効果を奏する。
りうる階調の数と、１ＳＦにおいて取りうる階調の数の積となる。この組み合わせの数は
、小さいほど、補正回路９８１３内に格納するデータ量が小さくなるため、好ましい。本
実施の形態においては、明画像を表示するサブフレームが最高輝度となるまでの中間調に
おいては、暗画像の輝度は０であり、明画像を表示するサブフレームが最高輝度となって
から最高階調となるまでは、明画像の輝度は一定であるため、この組み合わせの数を大幅
に小さくできる。したがって、本発明の表示装置の駆動方法は、オーバードライブ駆動と
組み合わせて実施することで、大きな効果を奏する。
なお、本発明におけるオーバードライブ回路は、入力映像信号Ｇｉがアナログ信号であり
、出力映像信号Ｇ０がデジタル信号である場合も含む。このときは、図９８の（Ｂ）に示
した回路から、ＤＡ変換回路９８０４を省略すればよい。また、本発明におけるオーバー
ドライブ回路は、入力映像信号Ｇｉがデジタル信号であり、出力映像信号Ｇ０がアナログ
信号である場合も含む。このときは、図９８の（Ｂ）に示した回路から、符号化回路９８
０１を省略すればよい。
、出力映像信号Ｇ０がデジタル信号である場合も含む。このときは、図９８の（Ｂ）に示
した回路から、ＤＡ変換回路９８０４を省略すればよい。また、本発明におけるオーバー
ドライブ回路は、入力映像信号Ｇｉがデジタル信号であり、出力映像信号Ｇ０がアナログ
信号である場合も含む。このときは、図９８の（Ｂ）に示した回路から、符号化回路９８
０１を省略すればよい。
走査型バックライトについて、図１０９を参照して説明する。図１０９の（Ａ）は、冷陰
極管を並置した走査型バックライトを示す図である。図１０９の（Ａ）に示す走査型バッ
クライトは、拡散板１０９０１と、Ｎ個の冷陰極管１０９０２―１から１０９０２―Ｎと
、を備える。Ｎ個の冷陰極管１０９０２―１から１０９０２―Ｎを、拡散板１０９０１の
後ろに並置することで、Ｎ個の冷陰極管１０９０２―１から１０９０２―Ｎは、その輝度
を変化させて走査することができる。
極管を並置した走査型バックライトを示す図である。図１０９の（Ａ）に示す走査型バッ
クライトは、拡散板１０９０１と、Ｎ個の冷陰極管１０９０２―１から１０９０２―Ｎと
、を備える。Ｎ個の冷陰極管１０９０２―１から１０９０２―Ｎを、拡散板１０９０１の
後ろに並置することで、Ｎ個の冷陰極管１０９０２―１から１０９０２―Ｎは、その輝度
を変化させて走査することができる。
走査するときの各冷陰極管の輝度の変化を、図１０９の（Ｃ）を用いて説明する。まず、
冷陰極管１０９０２―１の輝度を、一定時間変化させる。そして、その後に、冷陰極管１
０９０２―１の隣に配置された冷陰極管１０９０２―２の輝度を、同じ時間だけ変化させ
る。このように、冷陰極管１０９０２―１から１０９０２―Ｎまで、輝度を順に変化させ
る。なお、図１０９の（Ｃ）においては、一定時間変化させる輝度は、元の輝度より小さ
いものとしたが、元の輝度より大きくてもよい。また、冷陰極管１０９０２―１から１０
９０２―Ｎまで走査するとしたが、逆方向に冷陰極管１０９０２―Ｎから１０９０２―１
まで走査してもよい。
冷陰極管１０９０２―１の輝度を、一定時間変化させる。そして、その後に、冷陰極管１
０９０２―１の隣に配置された冷陰極管１０９０２―２の輝度を、同じ時間だけ変化させ
る。このように、冷陰極管１０９０２―１から１０９０２―Ｎまで、輝度を順に変化させ
る。なお、図１０９の（Ｃ）においては、一定時間変化させる輝度は、元の輝度より小さ
いものとしたが、元の輝度より大きくてもよい。また、冷陰極管１０９０２―１から１０
９０２―Ｎまで走査するとしたが、逆方向に冷陰極管１０９０２―Ｎから１０９０２―１
まで走査してもよい。
図１の（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置の駆動方法と、走査型バックライトを組み合わせて
実施することで、特別な効果を奏する。すなわち、図１の（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置
の駆動方法における、暗画像を挿入するサブフレーム期間と、図１０９の（Ｃ）に示した
、各冷陰極管の輝度を小さくする期間を同期することで、走査型バックライトを用いない
場合と同様の表示を得ることができながら、バックライトの平均輝度と小さくすることが
できる。したがって、液晶表示装置の消費電力の大部分を占める、バックライトの消費電
力を低減することができる。
実施することで、特別な効果を奏する。すなわち、図１の（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置
の駆動方法における、暗画像を挿入するサブフレーム期間と、図１０９の（Ｃ）に示した
、各冷陰極管の輝度を小さくする期間を同期することで、走査型バックライトを用いない
場合と同様の表示を得ることができながら、バックライトの平均輝度と小さくすることが
できる。したがって、液晶表示装置の消費電力の大部分を占める、バックライトの消費電
力を低減することができる。
なお、輝度が小さい期間のバックライト輝度は、暗画像を挿入するサブフレームの最高輝
度と同程度とするのが好適である。具体的には、暗画像を１ＳＦに挿入する場合は、１Ｓ
Ｆの最高輝度Ｌｍａｘ１、暗画像を２ＳＦに挿入する場合は、２ＳＦの最高輝度Ｌｍａｘ
２、とするのが好ましい。
度と同程度とするのが好適である。具体的には、暗画像を１ＳＦに挿入する場合は、１Ｓ
Ｆの最高輝度Ｌｍａｘ１、暗画像を２ＳＦに挿入する場合は、２ＳＦの最高輝度Ｌｍａｘ
２、とするのが好ましい。
なお、走査型バックライトの光源として、ＬＥＤを用いてもよい。その場合の走査型バッ
クライトは、図１０９の（Ｂ）のようになる。図１０９の（Ｂ）に示す走査型バックライ
トは、拡散板１０９１１と、ＬＥＤを並置した光源１０９１２―１から１０９１２―Ｎと
、を備える。走査型バックライトの光源として、ＬＥＤを用いた場合、バックライトを薄
く、軽くできる利点がある。また、色再現範囲を広げることができるという利点がある。
さらに、ＬＥＤを並置した光源１０９１２―１から１０９１２―Ｎのそれぞれに並置した
ＬＥＤも、同様に走査することができるので、点走査型のバックライトとすることもでき
る。点走査型とすれば、動画像の画質をさらに向上させることができる。
クライトは、図１０９の（Ｂ）のようになる。図１０９の（Ｂ）に示す走査型バックライ
トは、拡散板１０９１１と、ＬＥＤを並置した光源１０９１２―１から１０９１２―Ｎと
、を備える。走査型バックライトの光源として、ＬＥＤを用いた場合、バックライトを薄
く、軽くできる利点がある。また、色再現範囲を広げることができるという利点がある。
さらに、ＬＥＤを並置した光源１０９１２―１から１０９１２―Ｎのそれぞれに並置した
ＬＥＤも、同様に走査することができるので、点走査型のバックライトとすることもでき
る。点走査型とすれば、動画像の画質をさらに向上させることができる。
高周波駆動について、図１１０を参照して説明する。図１１０の（Ａ）は、フレーム周波
数が６０Ｈｚのときに暗画像を挿入して駆動するときの図である。１１００１は当該フレ
ームの明画像、１１００２は当該フレームの暗画像、１１００３は次フレームの明画像、
１１００４は次フレームの暗画像である。６０Ｈｚで駆動する場合は、映像信号のフレー
ムレートと整合性が取り易く、画像処理回路が複雑にならないという利点がある。
数が６０Ｈｚのときに暗画像を挿入して駆動するときの図である。１１００１は当該フレ
ームの明画像、１１００２は当該フレームの暗画像、１１００３は次フレームの明画像、
１１００４は次フレームの暗画像である。６０Ｈｚで駆動する場合は、映像信号のフレー
ムレートと整合性が取り易く、画像処理回路が複雑にならないという利点がある。
図１１０の（Ｂ）は、フレーム周波数が９０Ｈｚのときに暗画像を挿入して駆動するとき
の図である。１１０１１は当該フレームの明画像、１１０１２は当該フレームの暗画像、
１１０１３は当該フレームと次フレームと次々フレームから作成した第１の画像の明画像
、１１０１４は当該フレームと次フレームと次々フレームから作成した第１の画像の暗画
像、１１０１５は当該フレームと次フレームと次々フレームから作成した第２の画像の明
画像、１１０１６は当該フレームと次フレームと次々フレームから作成した第２の画像の
暗画像である。９０Ｈｚで駆動する場合は、周辺駆動回路の動作周波数をそれほど高速化
することなく、効果的に動画像の画質を向上できるという利点がある。
の図である。１１０１１は当該フレームの明画像、１１０１２は当該フレームの暗画像、
１１０１３は当該フレームと次フレームと次々フレームから作成した第１の画像の明画像
、１１０１４は当該フレームと次フレームと次々フレームから作成した第１の画像の暗画
像、１１０１５は当該フレームと次フレームと次々フレームから作成した第２の画像の明
画像、１１０１６は当該フレームと次フレームと次々フレームから作成した第２の画像の
暗画像である。９０Ｈｚで駆動する場合は、周辺駆動回路の動作周波数をそれほど高速化
することなく、効果的に動画像の画質を向上できるという利点がある。
図１１０の（Ｃ）は、フレーム周波数が１２０Ｈｚのときに暗画像を挿入して駆動すると
きの図である。１１０２１は当該フレームの明画像、１１０２２は当該フレームの暗画像
、１１０２３は当該フレームと次フレームから作成した画像の明画像、１１０２４は当該
フレームと次フレームから作成した画像の暗画像、１１０２５は次フレームの明画像、１
１０２６は次フレームの暗画像、１１０２７は次フレームと次々フレームから作成した画
像の明画像、１１０２４は次フレームと次々フレームから作成した画像の暗画像である。
１２０Ｈｚで駆動する場合は、動画像の画質改善効果が著しく、ほとんど残像を感じるこ
とがないという利点がある。
きの図である。１１０２１は当該フレームの明画像、１１０２２は当該フレームの暗画像
、１１０２３は当該フレームと次フレームから作成した画像の明画像、１１０２４は当該
フレームと次フレームから作成した画像の暗画像、１１０２５は次フレームの明画像、１
１０２６は次フレームの暗画像、１１０２７は次フレームと次々フレームから作成した画
像の明画像、１１０２４は次フレームと次々フレームから作成した画像の暗画像である。
１２０Ｈｚで駆動する場合は、動画像の画質改善効果が著しく、ほとんど残像を感じるこ
とがないという利点がある。
本発明の表示装置は様々な電子機器に適用することができる。具体的には電子機器の表示
部に適用することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ
等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオ
ーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイル
コンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生
装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒
体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。
部に適用することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ
等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオ
ーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイル
コンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生
装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒
体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。
図１１１（Ａ）はディスプレイであり、筐体１０１１０１、支持台１０１１０２、表示部
１０１１０３、スピーカー部１０１１０４、ビデオ入力端子１０１１０５等を含む。本発
明の画表示装置を表示部３４００３に用いることができる。なお、ディスプレイは、パー
ソナルコンピュータ用、テレビジョン放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表
示装置が含まれる。
１０１１０３、スピーカー部１０１１０４、ビデオ入力端子１０１１０５等を含む。本発
明の画表示装置を表示部３４００３に用いることができる。なお、ディスプレイは、パー
ソナルコンピュータ用、テレビジョン放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表
示装置が含まれる。
近年、ディスプレイの大型化のニーズが強くなっている。そして、ディスプレイの大型化
に伴い価格の上昇が問題となっている、よって、いかに製造コストの削減を図り、高品質
な製品を少しでも低価格に抑えるかが課題となる。本発明の表示装置を表示部３４００３
に用いたディスプレイは、低コスト化を図ることが可能である。
に伴い価格の上昇が問題となっている、よって、いかに製造コストの削減を図り、高品質
な製品を少しでも低価格に抑えるかが課題となる。本発明の表示装置を表示部３４００３
に用いたディスプレイは、低コスト化を図ることが可能である。
図１１１（Ｂ）はカメラであり、本体１０１２０１、表示部１０１２０２、受像部１０１
２０３、操作キー１０１２０４、外部接続ポート１０１２０５、シャッターボタン１０１
２０６等を含む。
２０３、操作キー１０１２０４、外部接続ポート１０１２０５、シャッターボタン１０１
２０６等を含む。
近年、デジタルカメラなどの高性能化に伴い、生産競争は激化している。そして、いかに
高性能なものを低価格に抑えるかが重要となる。本発明の表示装置を表示部１０１２０２
に用いたデジタルカメラは、低コスト化を図ることが可能である。
高性能なものを低価格に抑えるかが重要となる。本発明の表示装置を表示部１０１２０２
に用いたデジタルカメラは、低コスト化を図ることが可能である。
図１１１（Ｃ）はコンピュータであり、本体１０１３０１、筐体１０１３０２、表示部
１０１３０３、キーボード１０１３０４、外部接続ポート１０１３０５、ポインティング
デバイス１０１３０６等を含む。本発明の表示装置を表示部１０１３０３に用いたコンピ
ュータは、低コスト化を図ることが可能である。
１０１３０３、キーボード１０１３０４、外部接続ポート１０１３０５、ポインティング
デバイス１０１３０６等を含む。本発明の表示装置を表示部１０１３０３に用いたコンピ
ュータは、低コスト化を図ることが可能である。
図１１１（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体１０１４０１、表示部１０１４０
２、スイッチ１０１４０３、操作キー１０１４０４、赤外線ポート１０１４０５等を含む
。本発明の表示装置を表示部１０１４０２に用いたモバイルコンピュータは、低コスト化
を図ることが可能である。
２、スイッチ１０１４０３、操作キー１０１４０４、赤外線ポート１０１４０５等を含む
。本発明の表示装置を表示部１０１４０２に用いたモバイルコンピュータは、低コスト化
を図ることが可能である。
図１１１（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）
であり、本体１０１５０１、筐体１０１５０２、表示部Ａ１０１５０３、表示部Ｂ１０１
５０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部１０１５０５、操作キー１０１５０６、スピー
カー部１０１５０７等を含む。表示部Ａ１０１５０３は主として画像情報を表示し、表示
部Ｂ１０１５０４は主として文字情報を表示することができる。本発明の表示装置を表示
部Ａ１０１５０３や表示部Ｂ１０１５０４に用いた画像再生装置は、低コスト化を図るこ
とが可能である。
であり、本体１０１５０１、筐体１０１５０２、表示部Ａ１０１５０３、表示部Ｂ１０１
５０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部１０１５０５、操作キー１０１５０６、スピー
カー部１０１５０７等を含む。表示部Ａ１０１５０３は主として画像情報を表示し、表示
部Ｂ１０１５０４は主として文字情報を表示することができる。本発明の表示装置を表示
部Ａ１０１５０３や表示部Ｂ１０１５０４に用いた画像再生装置は、低コスト化を図るこ
とが可能である。
図１１１（Ｆ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体１０１６０１、表示部１０１６
０２、アーム部１０１６０３を含む。本発明の表示装置を表示部１０１６０２に用いたゴ
ーグル型ディスプレイは、低コスト化を図ることが可能である。
０２、アーム部１０１６０３を含む。本発明の表示装置を表示部１０１６０２に用いたゴ
ーグル型ディスプレイは、低コスト化を図ることが可能である。
図１１１（Ｇ）はビデオカメラであり、本体１０１７００１、表示部１０１７００２、
筐体１０１７００３、外部接続ポート１０１７００４、リモコン受信部１０１７００５、
受像部１０１７００６、バッテリー１０１７００７、音声入力部１０１７００８、操作キ
ー１０１７００９、接眼部１０１７１０等を含む。本発明の表示装置を表示部１０１７０
０２に用いたビデオカメラは、低コスト化を図ることが可能である。
筐体１０１７００３、外部接続ポート１０１７００４、リモコン受信部１０１７００５、
受像部１０１７００６、バッテリー１０１７００７、音声入力部１０１７００８、操作キ
ー１０１７００９、接眼部１０１７１０等を含む。本発明の表示装置を表示部１０１７０
０２に用いたビデオカメラは、低コスト化を図ることが可能である。
図１１１（Ｈ）は携帯電話機であり、本体１０１８０１、筐体１０１８０２、表示部１
０１８０３、音声入力部１０１８０４、音声出力部１０１８０５、操作キー１０１８０６
、外部接続ポート１０１８０７、アンテナ１０１８０８等を含む。
０１８０３、音声入力部１０１８０４、音声出力部１０１８０５、操作キー１０１８０６
、外部接続ポート１０１８０７、アンテナ１０１８０８等を含む。
近年、携帯電話機はゲーム機能やカメラ機能、電子マネー機能等を搭載し、高付加価値の
携帯電話機のニーズが強くなっている。さらに、ディスプレイも高精細なものが求められ
ている。本発明の表示装置を表示部１０１８０３に用いた携帯電話機は、低コスト化を図
ることが可能である。
携帯電話機のニーズが強くなっている。さらに、ディスプレイも高精細なものが求められ
ている。本発明の表示装置を表示部１０１８０３に用いた携帯電話機は、低コスト化を図
ることが可能である。
このように本発明は、あらゆる電子機器に適用することが可能である。
以上のように本発明の液晶表示装置を表示部に組み込むことで本発明の電子機器が完成
する。このような本発明の電子機器は、屋内でも屋外でも良好な画像を提供することがで
きる。特にカメラや撮像装置等、屋外でも屋内でも使用頻度が高い電子機器においては、
屋内及び屋外の両方において広視野角であり、画面を見る角度に依存した色味の変化が少
ないという有利な効果を存分に発揮することができる。
する。このような本発明の電子機器は、屋内でも屋外でも良好な画像を提供することがで
きる。特にカメラや撮像装置等、屋外でも屋内でも使用頻度が高い電子機器においては、
屋内及び屋外の両方において広視野角であり、画面を見る角度に依存した色味の変化が少
ないという有利な効果を存分に発揮することができる。
本実施例については、本発明の表示パネルを用いた応用例について、応用形態を図示し説
明する。本発明の表示パネルは、移動体や建造物等と一体に設けられた構成をとることも
できる。
明する。本発明の表示パネルは、移動体や建造物等と一体に設けられた構成をとることも
できる。
表示装置一体型の移動体をその一例として、図１１３に示す。図１１３（ａ）は、表示装
置一体型の移動体の例として電車車両本体１１３０１におけるドアのガラス戸のガラスに
表示パネル１１３０２を用いた例について示す。図１１３（ａ）に示す本発明の表示パネ
ル１１３０２は、外部からの信号により表示部で表示される画像の切り替えが容易である
。そのため、電車の乗降客の客層が入れ替わる時間帯ごとに表示パネルの画像を切り替え
、より効果的な広告効果が得られる。
置一体型の移動体の例として電車車両本体１１３０１におけるドアのガラス戸のガラスに
表示パネル１１３０２を用いた例について示す。図１１３（ａ）に示す本発明の表示パネ
ル１１３０２は、外部からの信号により表示部で表示される画像の切り替えが容易である
。そのため、電車の乗降客の客層が入れ替わる時間帯ごとに表示パネルの画像を切り替え
、より効果的な広告効果が得られる。
なお、本発明の表示パネルは、図１１３（ａ）で示した電車車両本体におけるドアのガラ
スにのみ適用可能であることに限定されることなく、その形状を異ならせることにより、
ありとあらゆる場所に適用可能である。図１１３（ｂ）にその一例について説明する。
スにのみ適用可能であることに限定されることなく、その形状を異ならせることにより、
ありとあらゆる場所に適用可能である。図１１３（ｂ）にその一例について説明する。
図１１３（ｂ）は、電車車両本体における車内の様子について図示したものである。図１
１３（ｂ）において、図１１３（ａ）で示したドアのガラス戸の表示パネル１１３０２の
他に、ガラス窓に設けられた表示パネル１１３０３、及び天井より吊り下げられた表示パ
ネル１１３０４を示す。本発明の表示パネル１１３０３は、自発光型の表示素子を具備す
るため、混雑時には広告用の画像を表示し、混雑時以外には表示を行わないことで、電車
からの外観をも見ることもできる。また、本発明の表示パネル１１３０４はフィルム状の
基板に有機トランジスタなどのスイッチング素子を設け、自発光型の表示素子を駆動する
ことで、表示パネル自体を湾曲させて表示を行うことも可能である。
１３（ｂ）において、図１１３（ａ）で示したドアのガラス戸の表示パネル１１３０２の
他に、ガラス窓に設けられた表示パネル１１３０３、及び天井より吊り下げられた表示パ
ネル１１３０４を示す。本発明の表示パネル１１３０３は、自発光型の表示素子を具備す
るため、混雑時には広告用の画像を表示し、混雑時以外には表示を行わないことで、電車
からの外観をも見ることもできる。また、本発明の表示パネル１１３０４はフィルム状の
基板に有機トランジスタなどのスイッチング素子を設け、自発光型の表示素子を駆動する
ことで、表示パネル自体を湾曲させて表示を行うことも可能である。
また、本発明の表示パネルを用いた表示装置一体型の移動体の応用例について、別の応用
形態を図１１５にて説明する。
形態を図１１５にて説明する。
本発明の表示パネルの例について、表示装置一体型の移動体をその一例として、図１１５
に示す。図１１５は、表示装置一体型の移動体の例として自動車の車体１１５０１に一体
に取り付けられた表示パネル１１５０２の例について示す。図１１５に示す本発明の表示
パネル１１５０２は、自動車の車体と一体に取り付けられており、車体の動作や車体内外
から入力される情報をオンデマンドに表示する、又は自動車の目的地までのナビゲーショ
ン機能をも有する。
に示す。図１１５は、表示装置一体型の移動体の例として自動車の車体１１５０１に一体
に取り付けられた表示パネル１１５０２の例について示す。図１１５に示す本発明の表示
パネル１１５０２は、自動車の車体と一体に取り付けられており、車体の動作や車体内外
から入力される情報をオンデマンドに表示する、又は自動車の目的地までのナビゲーショ
ン機能をも有する。
なお、本発明の表示パネルは、図１１５で示した車体のフロント部にのみ適用可能である
ことに限定されることなく、その形状を異ならせることにより、ガラス窓、ドアなどあり
とあらゆる場所に適用可能である。
ことに限定されることなく、その形状を異ならせることにより、ガラス窓、ドアなどあり
とあらゆる場所に適用可能である。
また、本発明の表示パネルを用いた表示装置一体型の移動体の応用例について、別の応用
形態を図１１７にて説明する。
形態を図１１７にて説明する。
本発明の表示パネルの例について、表示装置一体型の移動体をその一例として、図１１７
に示す。図１１７（ａ）は、表示装置一体型の移動体の例として飛行機車体１１７０１内
の客席天井部に一体に取り付けられた表示パネル１１７０２の例について示す。図１１７
（ａ）に示す本発明の表示パネル１１７０２は、飛行機車体１１７０１とヒンジ部１１７
０３を介して一体に取り付けられており、ヒンジ部１１７０３の伸縮により乗客は表示パ
ネル１１７０２の視聴が可能になる。表示パネル１１７０２は乗客が操作することで情報
を表示する、又は広告や娯楽手段として利用できる機能を有する。また、図１１７（ｂ）
に示すように、ヒンジ部を折り曲げて飛行機車体１１７０１に格納することにより、離着
陸時の安全に配慮することができる。なお、緊急時に表示パネルの表示素子を点灯させる
ことで、飛行機車体１１７０１の誘導灯誘導灯としても利用可能である。
に示す。図１１７（ａ）は、表示装置一体型の移動体の例として飛行機車体１１７０１内
の客席天井部に一体に取り付けられた表示パネル１１７０２の例について示す。図１１７
（ａ）に示す本発明の表示パネル１１７０２は、飛行機車体１１７０１とヒンジ部１１７
０３を介して一体に取り付けられており、ヒンジ部１１７０３の伸縮により乗客は表示パ
ネル１１７０２の視聴が可能になる。表示パネル１１７０２は乗客が操作することで情報
を表示する、又は広告や娯楽手段として利用できる機能を有する。また、図１１７（ｂ）
に示すように、ヒンジ部を折り曲げて飛行機車体１１７０１に格納することにより、離着
陸時の安全に配慮することができる。なお、緊急時に表示パネルの表示素子を点灯させる
ことで、飛行機車体１１７０１の誘導灯誘導灯としても利用可能である。
なお、本発明の表示パネルは、図１１７で示した飛行機車体１１７０１の天井部にのみ適
用可能であることに限定されることなく、その形状を異ならせることにより、座席やドア
などありとあらゆる場所に適用可能である。例えば座席前の座席後方に表示パネルを設け
、操作・視聴を行う構成であってもよい。
用可能であることに限定されることなく、その形状を異ならせることにより、座席やドア
などありとあらゆる場所に適用可能である。例えば座席前の座席後方に表示パネルを設け
、操作・視聴を行う構成であってもよい。
なお、本実施例において、移動体としては電車車両本体、自動車車体、飛行機車体につい
て例示したがこれに限定されず、自動二輪車、自動四輪車（自動車、バス等を含む）、電
車（モノレール、鉄道等を含む）、船舶等、多岐に渡る。本発明の表示パネルを適用する
ことにより、表示パネルの製造コストを削減し、且つ動作が良好である表示媒体を具備す
る移動体を提供することができる。また特に、外部からの信号により、移動体内における
表示パネルの表示を一斉に切り替えることが容易であるため、不特定の複数の顧客を対象
といた広告表示盤、また緊急災害時の情報表示板としても極めて有用であるといえる。
て例示したがこれに限定されず、自動二輪車、自動四輪車（自動車、バス等を含む）、電
車（モノレール、鉄道等を含む）、船舶等、多岐に渡る。本発明の表示パネルを適用する
ことにより、表示パネルの製造コストを削減し、且つ動作が良好である表示媒体を具備す
る移動体を提供することができる。また特に、外部からの信号により、移動体内における
表示パネルの表示を一斉に切り替えることが容易であるため、不特定の複数の顧客を対象
といた広告表示盤、また緊急災害時の情報表示板としても極めて有用であるといえる。
また、本発明の表示パネルを用いた応用例について、建造物に用いた応用形態を図１１４
にて用いて説明する。
にて用いて説明する。
図１１４は本発明の表示パネルとして、フィルム状の基板に有機トランジスタなどのスイ
ッチング素子を設け、自発光型の表示素子を駆動することにより表示パネル自身を湾曲さ
せて表示可能な表示パネルとし、その応用例について説明する。図１１４においては、建
造物として電柱等の屋外に設けられた柱状体の有する曲面に表示パネルを具備し、ここで
は柱状体として電柱１１４０１に表示パネル１１４０２を具備する構成について示す。
ッチング素子を設け、自発光型の表示素子を駆動することにより表示パネル自身を湾曲さ
せて表示可能な表示パネルとし、その応用例について説明する。図１１４においては、建
造物として電柱等の屋外に設けられた柱状体の有する曲面に表示パネルを具備し、ここで
は柱状体として電柱１１４０１に表示パネル１１４０２を具備する構成について示す。
図１１４に示す表示パネル１１４０２は、電柱の高さの真ん中あたりに位置させ、人間の
視点より高い位置に設ける。そして移動体１１４０３から表示パネルを視認することによ
り、表示パネル１１４０２における画像を認識することができる。電柱のように屋外で繰
り返し林立し、林立した電柱に設けた表示パネル１１４０２において同じ映像を表示させ
ることにより、視認者は情報表示、広告表示を視認することができる。図１１４において
電柱１１４０１に設けられた表示パネル１１４０２は、外部より同じ画像を表示させるこ
とが容易であるため、極めて効率的な情報表示、及び広告効果が得られる。また、本発明
の表示パネルには、表示素子として自発光型の表示素子を設けることで、夜間であっても
、視認性の高い表示媒体として有用であるといえる。
視点より高い位置に設ける。そして移動体１１４０３から表示パネルを視認することによ
り、表示パネル１１４０２における画像を認識することができる。電柱のように屋外で繰
り返し林立し、林立した電柱に設けた表示パネル１１４０２において同じ映像を表示させ
ることにより、視認者は情報表示、広告表示を視認することができる。図１１４において
電柱１１４０１に設けられた表示パネル１１４０２は、外部より同じ画像を表示させるこ
とが容易であるため、極めて効率的な情報表示、及び広告効果が得られる。また、本発明
の表示パネルには、表示素子として自発光型の表示素子を設けることで、夜間であっても
、視認性の高い表示媒体として有用であるといえる。
また、本発明の表示パネルを用いた応用例について、図１１４とは別の建造物の応用形態
を図１１６にて説明する。
を図１１６にて説明する。
本発明の表示パネルの応用例として、図１１６に示す。図１１６は、表示装置一体型の例
としてユニットバス１１６０１内の側壁に一体に取り付けられた表示パネル１１６０２の
例について示す。図１１６に示す本発明の表示パネル１１６０２は、ユニットバス１１６
０１と一体に取り付けられており、入浴者は表示パネル１１６０２の視聴が可能になる。
表示パネル１１６０２は入浴者が操作することで情報を表示する、又は広告や娯楽手段と
して利用できる機能を有する。
としてユニットバス１１６０１内の側壁に一体に取り付けられた表示パネル１１６０２の
例について示す。図１１６に示す本発明の表示パネル１１６０２は、ユニットバス１１６
０１と一体に取り付けられており、入浴者は表示パネル１１６０２の視聴が可能になる。
表示パネル１１６０２は入浴者が操作することで情報を表示する、又は広告や娯楽手段と
して利用できる機能を有する。
なお、本発明の表示パネルは、図１１６で示したユニットバス１１６０１の側壁にのみ適
用可能であることに限定されることなく、その形状を異ならせることにより、鏡面の一部
や浴槽自体と一体にするなどありとあらゆる場所に適用可能である。
用可能であることに限定されることなく、その形状を異ならせることにより、鏡面の一部
や浴槽自体と一体にするなどありとあらゆる場所に適用可能である。
また図１１２に建造物内に大型の表示部を有するテレビジョン装置を設けた例について示
す。図１１２は、筐体１１２１０、表示部１１２１１、操作部であるリモコン装置１１２
１２、スピーカー部１１２１３等を含む。本発明の表示パネルは、表示部１１２１１の作
製に適用される。図１１２のテレビジョン装置は、壁かけ型として建物と一体となってお
り、設置するスペースを広く必要とすることなく設置可能である。
す。図１１２は、筐体１１２１０、表示部１１２１１、操作部であるリモコン装置１１２
１２、スピーカー部１１２１３等を含む。本発明の表示パネルは、表示部１１２１１の作
製に適用される。図１１２のテレビジョン装置は、壁かけ型として建物と一体となってお
り、設置するスペースを広く必要とすることなく設置可能である。
なお、本実施例において、建造物として、柱状体として電柱、ユニットバス等を例とした
が、本実施例はこれに限定されず、表示パネルを備えることのできる建造物であればよい
。本発明の表示装置を適用することにより、表示装置の製造コスト削減し、且つ動作が良
好である表示媒体を具備する移動体を提供することができる。
が、本実施例はこれに限定されず、表示パネルを備えることのできる建造物であればよい
。本発明の表示装置を適用することにより、表示装置の製造コスト削減し、且つ動作が良
好である表示媒体を具備する移動体を提供することができる。
Claims (4)
- 信号線と電気的に接続する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続する、第１の画素電極及び第１の容量素子と、
前記信号線と電気的に接続する第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタと電気的に接続する、第２の画素電極及び第２の容量素子と、を有し、
前記信号線の延伸方向において、前記第１の画素電極は、前記第２の画素電極と隣接して設けられ、
前記第１の容量素子は、前記信号線と同じ材料を有する第１の導電膜と、走査線と同じ材料を有する第２の導電膜とが重なる領域に設けられ、
前記第２の容量素子は、前記信号線と同じ材料を有する第３の導電膜と、前記走査線と同じ材料を有する第４の導電膜とが重なる領域に設けられ、
前記第２の導電膜は、第５の導電膜を介して前記第４の導電膜と電気的に接続し、
前記第５の導電膜は、前記第１の画素電極及び前記第２の画素電極と同じ材料を有する、液晶表示装置。 - 信号線と電気的に接続する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続する、第１の画素電極及び第１の容量素子と、
前記信号線と電気的に接続する第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタと電気的に接続する、第２の画素電極及び第２の容量素子と、を有し、
前記信号線の延伸方向において、前記第１の画素電極は、前記第２の画素電極と隣接して設けられ、
前記第１の容量素子は、前記信号線と同じ材料を有する第１の導電膜と、走査線と同じ材料を有する第２の導電膜とが重なる領域に設けられ、
前記第２の容量素子は、前記信号線と同じ材料を有する第３の導電膜と、前記走査線と同じ材料を有する第４の導電膜とが重なる領域に設けられ、
前記第２の導電膜は、第５の導電膜を介して前記第４の導電膜と電気的に接続し、
前記第５の導電膜は、前記第１の画素電極及び前記第２の画素電極と同じ材料を有し、
前記第２の導電膜及び前記第４の導電膜の各々は、容量電極として機能する第１の領域と、接続部として機能する第２の領域とを有し、
前記信号線の延伸方向において、前記第１の領域は、前記第２の領域よりも幅の大きい部分を有し、
前記信号線、前記第１の導電膜、及び前記第３の導電膜の各々は、第１の絶縁表面に接する領域を有し、
前記走査線、前記第２の導電膜、及び前記第４の導電膜の各々は、第２の絶縁表面に接する領域を有し、
前記第１の画素電極、前記第２の画素電極、及び前記第５の導電膜の各々は、第３の絶縁表面に接する領域を有する、液晶表示装置。 - 信号線と電気的に接続する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続する、第１の画素電極及び第１の容量素子と、
前記信号線と電気的に接続する第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタと電気的に接続する、第２の画素電極及び第２の容量素子と、を有し、
前記信号線の延伸方向において、前記第１の画素電極は、前記第２の画素電極と隣接して設けられ、
前記第１の容量素子は、前記信号線と同じ材料を有する第１の導電膜と、走査線と同じ材料を有する第２の導電膜とが重なる領域に設けられ、
前記第２の容量素子は、前記信号線と同じ材料を有する第３の導電膜と、前記走査線と同じ材料を有する第４の導電膜とが重なる領域に設けられ、
平面視において、前記第１乃至前記第４の導電膜の各々は、前記走査線の延伸方向に延在した領域を有し、
前記第１の導電膜及び前記第３の導電膜の各々において、前記走査線の延伸方向における幅は、前記信号線の延伸方向における幅よりも大きく、
前記第２の導電膜は、第５の導電膜を介して前記第４の導電膜と電気的に接続し、
前記第５の導電膜は、前記第１の画素電極及び前記第２の画素電極と同じ材料を有する、液晶表示装置。 - 信号線と電気的に接続する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続する、第１の画素電極及び第１の容量素子と、
前記信号線と電気的に接続する第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタと電気的に接続する、第２の画素電極及び第２の容量素子と、を有し、
前記信号線の延伸方向において、前記第１の画素電極は、前記第２の画素電極と隣接して設けられ、
前記第１の容量素子は、前記信号線と同じ材料を有する第１の導電膜と、走査線と同じ材料を有する第２の導電膜とが重なる領域に設けられ、
前記第２の容量素子は、前記信号線と同じ材料を有する第３の導電膜と、前記走査線と同じ材料を有する第４の導電膜とが重なる領域に設けられ、
平面視において、前記第１乃至前記第４の導電膜の各々は、前記走査線の延伸方向に延在した領域を有し、
前記第１の導電膜及び前記第３の導電膜の各々において、前記走査線の延伸方向における幅は、前記信号線の延伸方向における幅よりも大きく、
前記第２の導電膜は、第５の導電膜を介して前記第４の導電膜と電気的に接続し、
前記第５の導電膜は、前記第１の画素電極及び前記第２の画素電極と同じ材料を有し、
前記信号線、前記第１の導電膜、及び前記第３の導電膜の各々は、第１の絶縁表面に接する領域を有し、
前記走査線、前記第２の導電膜、及び前記第４の導電膜の各々は、第２の絶縁表面に接する領域を有し、
前記第１の画素電極、前記第２の画素電極、及び前記第５の導電膜の各々は、第３の絶縁表面に接する領域を有する、液晶表示装置。
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