CN102629607B - 阵列基板和双视场显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种阵列基板和双视场显示装置及其制造方法，涉及显示技术领域。该阵列基板，包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元，每个像素单元包括像素电极和TFT电路，其中，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电极和至少两个第二像素电极；每个像素单元的TFT电路包括与所述第一像素电极连接的第一子TFT电路和与所述第二像素电极连接的第二子TFT电路。该双视场显示装置，使用了上述的阵列基板。由于采用了上述阵列基板，可以将双视挡板制作在显示装置内，避免了增加新的工序或采用新的生产设备，从而降低了生产成本。本发明实施例用于制造双视场显示装置。

Description

阵列基板和双视场显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和双视场显示装置及其制造方法。
背景技术
双视场显示技术是指在显示屏幕的两边的视场可以看到不同内容的技术。一个双视场器件一般包括一个显示屏幕和一个挡板，如图1所示，在显示屏幕1上，包含多个像素单元，在每个像素单元中，又包括用以显示某一特定视场的亚像素电极11和由黑矩阵12遮盖的TFT电路，通常称这样一种像素结构为“亚像素结构”。其中，亚像素电极11的宽度是P，两个相邻亚像素电极之间的黑矩阵12的宽度为B，挡板2和显示屏幕1的距离为H，挡板2开口边缘在显示屏幕1上亚像素电极11位置处的投影到黑矩阵12边缘的距离为A，挡板开口的中心线与两个相邻亚像素电极的中心线重合，所以挡板开口宽度为B+2A。角度θ就是单视场的角度，只有在这个范围内，观看者才能看到点状亚像素所发出的光。增大角度θ可以扩大单视场可视范围，进而可以提高双视场显示器的显示质量。角度θ与P、H、A、B存在着如式1所述的关系：
t a n θ = H P H 2 + ( B + A ) ( B + A + P ) 式1
由式1可知，当挡板开口边缘在显示屏幕上亚像素电极位置处的投影到黑矩阵边缘的距离A、两个相邻亚像素电极之间黑矩阵的宽度B为定值时，为了增大角度θ，可以相应地减小挡板和彩膜发光点的距离H，或者适当地降低亚像素电极宽度P。对于现有技术而言，当采用TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)作为显示装置时，减小挡板和彩膜发光点的距离H意味着需要降低彩膜玻璃的厚度，要做出极薄的彩膜玻璃是很困难的，而且随着彩膜玻璃厚度的减小，彩膜玻璃的坚固性也会大幅的降低，这将严重影响液晶显示装置的质量。现有的双视场液晶显示装置的TFT阵列基板的结构如图2所示，一个像素单元2包括亚像素电极21和TFT电路22。在像素单元2中，亚像素电极21宽度P通常为50μm。当亚像素电极21宽度P降低到一非常小的值时(如3μm)，TFT电路22难以随着亚像素电极宽度P的降低而同等比例的减小。遮盖TFT电路的黑矩阵所占亚像素区域的比例将随之增大，从而使得开口率产生明显的下降，影响液晶显示装置的质量。当采用OLED(有机发光二极管)作为显示装置时，减小挡板和发光点的距离H同样需要降低玻璃基板的厚度。
可见，对于现有技术而言，扩大双视场显示装置的每一单边视场可视范围将导致玻璃基板的厚度下降，使得生产成本升高、基板的良率和可靠性大幅度降低。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板和双视场显示装置及其制造方法，通过特定的像素结构设计，可以解决因单边视场可视范围扩大而必须使玻璃基板减薄，从而造成的生产成本升高、基板的良率和可靠性大幅度降低的问题；即降低了双视场显示装置的生产成本，提高了基板的良率和可靠性。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明一方面提供一种阵列基板，包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元，每个像素单元包括像素电极和TFT电路，其中，
每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电极和至少两个第二像素电极；
每个像素单元的TFT电路包括与所述第一像素电极连接的第一子TFT电路和与所述第二像素电极连接的第二子TFT电路。
进一步地，在每个像素单元中，所有的所述第一像素电极构成第一梳状结构，所有的所述第二像素电极构成第二梳状结构，所述第一梳状结构与所述第二梳状结构相互交叉设置。
本发明另一方面提供一种双视显示装置，包括：显示面板和设置于所述显示面板之上的双视挡板，其中，所述显示面板包括如上所述的阵列基板。
进一步地，所述显示面板为液晶面板；
所述液晶面板包括阵列基板、彩膜基板以及填充在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶；
所述彩膜基板包括透明基板和设置于其上的彩膜；
所述阵列基板为上述的阵列基板。
进一步地，所述显示面板为OLED面板；
所述OLED面板包括阵列基板和封装层，其中所述阵列基板包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元，每个像素单元包括电致发光EL层和控制电路，所述EL层包括金属阴极、像素电极和位于所述金属阴极和像素电极之间的有机发光材料；
每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电极和至少两个第二像素电极；
每个像素单元的控制电路包括与所述第一像素电极连接的第一子控制电路和与所述第二像素电极连接的第二子控制电路。
本发明另一方面，提供一种双视场液晶显示装置制造方法，包括：
在下基板上通过构图工艺处理得到TFT电路和像素电极，其中，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电极和至少两个第二像素电极；每个像素单元的TFT电路包括与所述第一像素电极连接的第一子TFT电路和与所述第二像素电极连接的第二子TFT电路。
在上基板上通过构图工艺处理得到双视挡板、彩膜。
将所述上基板和下基板对盒，并在盒中填充液晶。
本发明另一方面，提供一种双视场OLED显示装置制造方法，包括：
在下基板上通过构图工艺处理得到控制电路。
在形成有控制电路的所述下基板上形成EL层，其中，所述EL层包括金属阴极、像素电极和位于所述金属阴极和像素电极之间的有机发光材料，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电极和至少两个第二像素电极；每个像素单元的控制电路包括与所述第一像素电极连接的第一子控制电路和与所述第二像素电极连接的第二子控制电路。
在上基板上通过构图工艺处理得到双视挡板。
将所述上基板覆盖在所述下基板上。
本发明实施例提供的阵列基板，每个像素单元内包括的第一像素电极和第二像素电极可以单独驱动，可以在制作成显示面板(如液晶面板或OLED面板)后对对应区域的显示单独进行控制。进而可以将双视挡板制作在显示面板内，避免了增加新的工序或采用新的生产设备，从而降低了双视显示装置生产成本。
本发明实施例提供的双视场液晶显示装置及其制造方法，通过将现有技术中一个像素单元内的用以显示某一特定视场的亚像素电极变为相互间隔的多个第一视场像素电极和第二视场像素电极，大幅度减小了单视场像素电极的宽度，从而扩大了每一单边视场的可视范围。这样一来，在不减薄玻璃基板厚度的基础上，实现了每一单边视场可视范围的扩大，降低了生产成本，提高了基板的良率和可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有的双视场液晶显示装置的结构示意图；
图2为现有的双视场液晶显示装置的TFT阵列基板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种双视场液晶显示装置的结构示意图；
图4a为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图4b为本发明实施例提供的另一双视场液晶显示装置的TFT阵列基板的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种双视场液晶显示装置与现有液晶显示装置的像素显示效果对比图；
图6为本发明实施例提供的一种双视场液晶显示装置的显示原理图；
图7为本发明实施例提供的另一双视场液晶显示装置的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的另一双视场液晶显示装置的显示原理图；
图9a为本发明实施例提供的一种双视场OLED显示装置的结构示意图；
图9b为本发明实施例提供的一种双视场OLED显示装置的TFT阵列基板的结构示意图；
图9c为本发明实施例提供的另一双视场OLED显示装置的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种双视场液晶显示装置制造方法的流程图；
图11为本发明实施例提供的另一双视场液晶显示装置制造方法的流程图；
图12为本发明实施例提供的一种双视场OLED显示装置制造方法的流程图；
图13为本发明实施例提供的另一双视场OLED显示装置制造方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
本发明实施例提供一种阵列基板，如图4a所示，包括由横纵交叉的栅线41和数据线42划分出的多个像素单元43，每个像素单元43包括像素电极431和TFT电路432。
每个像素单元43的像素电极431包括相互间隔的至少两个第一像素电极4311和至少两个第二像素电极4312。
每个像素单元43的TFT电路432包括与第一像素电极4311连接的第一子TFT电路4321和与第二像素电极4312连接的第二子TFT电路4322。即，所有的第一像素电极4311均与第一子TFT电路4321连接，所有的第二像素电极4312均与第二子TFT电路4322连接。其中，各个第一像素电极4311可以通过任何可以实现电路导通的结构连接于第一子TFT电路4321之上，各个第二像素电极4312可以通过任何可以实现电路导通的结构连接于第二子TFT电路4322之上。
在本发明实施例中，每个像素单元43在尺寸规模上与现有的普通像素单元相接近。由于每个像素单元43中包括至少两个第一像素电极4311和至少两个第二像素电极4312，即像素电极比通常的普通阵列基板中的像素单元中的像素电极要小很多，因此，本发明实施例的阵列基板上的像素结构可以称为“微像素”结构。
优选地，在每个像素单元中，所有的第一像素电极4311构成第一梳状结构，所有的第二像素电极4312构成第二梳状结构，第一梳状结构与第二梳状结构相互交叉设置；如图4a所示即为这种结构。这一结构，由于第一梳状结构与第二梳状结构的结构比较规则，易于工业制造，具有较好的工艺良率，并具有较易于控制的规则的电场。
优选地，本实施例的阵列基板中，第一像素电极4311和第二像素电极4312的宽度为1-20μm。这一宽度参数，可以在保证工艺制造良率的同时，实现更好的电场控制。
进一步地，在本发明实施例中，如图4a所示，第一子TFT电路4321的栅极和第二子TFT电路4322的栅极与同一条栅线连接；第一子TFT电路4321的源极和第二子TFT电路4322的源极分别与一个像素单元两端的数据线连接；第一子TFT电路4321的漏极与第一像素电极连接，第二子TFT电路4322的漏极与第二像素电极连接。
本发明实施例提供的阵列基板，由于该阵列基板上的像素单元的特定结构(“微像素”结构)，在用于双视场显示装置的制造时，可以将双视挡板制作在显示面板内，避免了增加新的工序或采用新的生产设备，从而降低了双视场显示装置生产成本，并提高了基板的良率和可靠性。
由于双视显示的原理与3D显示的原理在基本原理上相同，都是区分出不同的视场显示信息，只是3D显示需要区分的是左眼与右眼的视场信号(被同一观看者的不同眼睛接收)，而双视显示需要区分的是第一视场信号和第二视场信号(被不同观看者接收)。因此本领域的技术人员可以理解，本实施例的阵列基板，也可以用于实现3D显示。在实现3D显示时，每个像素单元内，第一像素电极对应左眼信号，第二像素电极对应右眼信号，或者，第一像素电极对应右眼信号，第二像素电极对应左眼信号。在实现双视显示时，每个像素单元内，第一像素电极对应第一视场信号，第二像素电极对应第二视场信号，或者，第一像素电极对应第二视场信号，第二像素电极对应第一视场信号。
在本发明实施中，该阵列基板可以为用于制作柔性显示器件的柔性阵列基板，也可以为普通阵列基板。并且，该阵列基板可以是TN模式、ADS模式或其他模式的阵列基板。当阵列基板为ADS型阵列基板时，在每个像素单元中，还包括位于所述阵列基板的衬底基板与所述像素电极之间的公共电极；进一步地，所述公共电极可以为梳状或板状。
本发明实施例提供的阵列基板，每个像素单元内包括第一像素电极和第二像素电极，第一像素电极和第二像素电极可以通过分别输入显示信号进行单独驱动，因此，可以在制作成显示面板(如液晶面板，或OLED面板，或其他类显示面板)后对对应区域的图像显示单独进行控制。并且，可以根据实际需要，对第一像素电极和第二像素电极输入相同或不同的显示信号；或者，第一像素电极和第二像素电极可以同时或不同时进行工作。本领域的技术人员可以理解，本实施例的阵列基板，可以根据实际需要具体应用于不同类型的显示装置中，比如3D、Touch、柔性显示等；并且，本实施例的阵列基板，可以为普通阵列基板，也可以为氧化物阵列基板，或有机阵列基板，在此不作限定。
实施例二
本发明实施例及下述实施例三提供一种双视场显示装置，使用了如上述实施例1所述的阵列基板，包括一种双视场液晶显示装置和一种双视场OLED显示装置。其中，下述各实施例所述的第一视场像素电极，对应实施例一所述的阵列基板中的第一像素电极；第二视场像素电极，对应实施例一所述的阵列基板中的第二像素电极。
本发明实施例提供的双视场液晶显示装置，使用了如上述实施例1所述的阵列基板，如图3所示，包括：
双视挡板31、对盒成型的TFT阵列基板32和彩膜基板33，其中TFT阵列基板32和彩膜基板33之间填充有液晶34，TFT阵列基板32如图4a所示，包括由横纵交叉的栅线41和数据线42划分出的多个像素单元43，每个像素单元43包括像素电极431和TFT电路432。
每个像素单元43的像素电极431包括相互间隔的至少两个第一视场像素电极4311和至少两个第二视场像素电极4312。
每个像素单元43的TFT电路432包括与第一视场像素电极4311连接的第一子TFT电路4321和与第二视场像素电极4312连接的第二子TFT电路4322。即，所有的第一视场像素电极4311均与第一子TFT电路4321连接，所有的第二视场像素电极4312均与第二子TFT电路4322连接。其中，各个第一视场像素电极4311可以通过任何可以实现电路导通的结构连接于第一子TFT电路4321之上，各个第二视场像素电极4312可以通过任何可以实现电路导通的结构连接于第二子TFT电路4322之上。
本发明实施例提供的双视场液晶显示装置，通过将现有技术中一个像素单元内的用以显示某一特定视场的亚像素电极变为相互间隔的多个第一视场像素电极和第二视场像素电极，大幅度减小了单视场像素电极的宽度，从而扩大了每一单边视场的可视范围。这样一来，在不减薄玻璃基板厚度的基础上，实现了每一单边视场可视范围的扩大，降低了生产成本，提高了基板的良率和可靠性。
需要说明的是，相互间隔的至少两个第一视场像素电极4311和至少两个第二视场像素电极4312均为细长的条状电极。这些相互间隔的至少两个第一视场像素电极4311和至少两个第二视场像素电极4312可以平行于栅线41，也可以平行于数据线42。示例性的，在本发明实施例提供的双视场液晶显示装置中，以相互间隔的至少两个第一视场像素电极4311和至少两个第二视场像素电极4312平行于数据线42为例进行说明。
进一步地，如图4a所示，本发明实施例提供的双视场液晶显示装置中，在每个像素单元43中，所有的第一视场像素电极4311构成第一梳状结构，所有的第二视场像素电极4312构成第二梳状结构，第一梳状结构与第二梳状结构相互交叉设置；即所有的第一视场像素电极4311和所有的第二视场像素电极4312可以整体上为相互间隔的梳状结构。优选地，第一视场像素电极4311、第二视场像素电极4312的宽度相等；在本实施例中，二者的宽度均为a，a可以为1-20μm。当然，第一视场像素电极4311、第二视场像素电极4312的宽度也可以不相等。优选地，在每个像素单元43中，第一视场像素电极4311与第二视场像素电极4312的个数相等，此时可以实现更好的显示效果。在图4a所示实施例中，在每个像素单元43中，第一视场像素电极4311和第二视场像素电极4312均为8个。
在本发明实施例中，原本的两个相邻像素单元中的块状单视场亚像素电极变更为了在同一个像素单元中的相互对插的梳状的第一视场像素电极和第二视场像素电极。当两个视场像素显示不同颜色时，如果忽略两个视场像素电极之间存在的微小电场对液晶产生的影响，本发明实施例提供的双视场液晶显示装置与现有液晶显示装置的像素显示效果对比可以如图5所示。可以清楚地发现，相对于现有技术，本发明实施例提供的液晶显示装置大幅度减小了单视场像素电极的宽度。由于这样一种像素结构中的单边视场像素电极的宽度要远小于现有技术中的亚像素电极结构，因此可以将这样一种像素结构命名为“微像素结构”。
进一步地，如图4a所示，第一子TFT电路4321的栅极441和第二子TFT电路4322的栅极451与同一条栅线41连接；第一子TFT电路4321的源极442和第二子TFT电路4322的源极452分别与一个像素单元两端的数据线421和422连接；第一子TFT电路4321的漏极443与第一视场像素电极4311连接，第二子TFT电路4322的漏极453与第二视场像素电极4312连接。
这样一来，同一视场像素电极共用同一条数据线、栅线和同一个TFT，使得像素开口率有限的降低，从而避免了液晶显示装置开口率大幅度下降的问题。
更近一步地，如图3所示，在双视场液晶显示装置中，双视挡板31可以位于彩膜基板33的彩膜331的上方或下方，且与彩膜331的距离为1-100μm。
当双视挡板31位于彩膜331的上方时，双视挡板31与彩膜331之间还可以设有厚度为1-100μm的透明层332。
进一步地，如图4b所示，双视挡板31的中心线与显示装置的显示区域40的中心线重合于直线m。
其中，透明层332可以是使用任意一种透光材料形成的透明薄膜，具体的，可以采用塑料薄膜或有机硅橡胶薄膜形成透明层。透明层332主要用于在双视挡板322和彩膜321之间隔绝出一定高度，透明层332的厚度即为挡板和显示屏幕的距离H。在本发明实施例中，挡板和彩膜发光点的距离H为5μm，第一视场像素电极4311和第二视场像素电极4312的宽度a为3μm，第一视场像素电极4311和第二视场像素电极4312间狭缝的宽度b为2μm，当挡板开口边缘在显示屏幕上亚像素电极位置处的投影到黑矩阵边缘的距离A为0时，可以计算出单视场的可视角度为45°。这样一来，在不降低彩膜玻璃基板厚度的基础上，实现了单视场可视范围的扩大，保证了彩膜玻璃基板的坚固性。另一方面，同一视场像素电极共用同一条数据线、栅线和同一个TFT，使得像素开口率有限的降低，从而避免了液晶显示装置开口率大幅度下降的问题。
本发明实施例提供的双视场液晶显示装置的显示原理如图6所示，其中，第一视场像素电极4311和第二视场像素电极4312的宽度a为3μm，双视挡板31和彩膜331之间的透明层332的厚度H为5μm。光线出射方向如图中箭头所示，可见，左右视场的可视角度均为α。
本发明实施例提供的双视场液晶显示装置，如图7所示。
本发明实施例提供的双视场液晶显示装置，其TFT阵列基板的结构基本与图3所示实施例结构类似，只是在本发明实施例中，双视挡板31还可以位于彩膜331的下方。当双视挡板31位于彩膜331的下方时，双视挡板31可以直接位于TFT阵列基板32的上表面。
由于TFT阵列基板上表面发光点到双视挡板的距离通常包括彩膜厚度、阵列厚度和液晶取向膜厚度，这些厚度之和通常为4-7μm。这样一来，在没有透明层作为隔垫物的情况下，也可以满足挡板和彩膜发光点的距离H在1-100μm的范围之内，从而简化了流程，节约了成本。
本发明实施例提供的双视场液晶显示装置的显示原理如图8所示，其中，第一视场像素电极4311和第二视场像素电极4312的宽度a为3μm，双视挡板31和像素电极间的距离H为5μm，双视挡板31的上方有彩膜331。光线出射方向如图中箭头所示，可见，左右视场的可视角度也均为α。
需要说明的是，在如图3或图7所示的双视场液晶显示装置中，双视挡板的中心线均与显示装置的显示区域的中心线重合。即双视挡板中心处的狭缝中心线与显示屏中心处的第一视场像素电极和第二视场像素电极之间的狭缝重合。此外，双视挡板的狭缝个数为第一视场像素电极和第二视场像素电极个数之和的一半。
实施例三
本发明实施例提供的双视场OLED显示装置，使用了实施例一所述的阵列基板的像素单元结构，如图9a所示，包括：双视挡板91、TFT阵列基板92和封装层93，其中TFT阵列基板92如图9b所示，包括由横纵交叉的栅线94和数据线95划分出的多个像素单元96，每个像素单元96包括EL层97和控制电路98。
如图9a所示，EL层97包括金属阴971、像素电极972和位于金属阴极971和像素电极972之间的有机发光材料973，每个像素单元96的像素电极972包括相互间隔的至少两个第一视场像素电极9721和至少两个第二视场像素电极9722。
每个像素单元的控制电路98如图9b所示，包括与第一视场像素电极9721连接的第一子控制电路981和与第二视场像素电极9722连接的第二子控制电路982(图9b中的第一子控制电路981和第二子控制电路982仅为示意，并不代表二者的真实结构；比如9811、9812和9813(或者9821、9822和9823)并非一定为一个TFT(开关管或驱动管)栅极、源极、漏极，而可能属于不同的TFT)。
本发明实施例提供的双视场OLED显示装置，通过将现有技术中一个像素单元内的用以显示某一特定视场的亚像素电极变为相互间隔的多个第一视场像素电极和第二视场像素电极，大幅度减小了单视场像素电极的宽度，从而扩大了每一单边视场的可视范围。这样一来，在不减薄玻璃基板厚度的基础上，实现了每一单边视场可视范围的扩大，降低了生产成本，提高了基板的良率和可靠性。
需要说明的是，相互间隔的至少两个第一视场像素电极9721和至少两个第二视场像素电极9722均为细长的条状电极。这些相互间隔的至少两个第一视场像素电极9721和至少两个第二视场像素电极9722可以平行于栅线94，也可以平行于数据线95。示例性的，在本发明实施例提供的双视场OLED显示装置中，以相互间隔的至少两个第一视场像素电极9721和至少两个第二视场像素电极9722平行于数据线95为例进行说明。
由于在OLED显示装置中，可能存在多个TFT电路，本发明实施例中所涉及到的控制电路是指用于控制像素电极的部分TFT电路。具体的，控制电路可以包括用于控制像素电极通断电的开关管TFT电路和用于控制像素电极电位变化的驱动管TFT电路。
进一步地，如图9b所示，在每个像素单元96中，所有的第一视场像素电极9721构成第一梳状结构，所有的第二视场像素电极9722构成第二梳状结构，第一梳状结构与第二梳状结构相互交叉；即所有的第一视场像素电极9721和所有的第二视场像素电极9722整体上为相互间隔的梳状结构。优选地，第一视场像素电极9721、第二视场像素电极9722的宽度相等；在本实施例中，二者的宽度均为c，c可以为1-20μm。当然，第一视场像素电极9721、第二视场像素电极9722的宽度也可以不相等。优选地，在每个像素单元96中，第一视场像素电极9721与第二视场像素电极9722的个数相等，此时可以实现更好的显示效果。在图9b所示实施例中，在每个像素单元96中，第一视场像素电极9721和第二视场像素电极9722均为8个。
第一子控制电路981开关管的栅极9811和第二子控制电路982开关管的栅极9821与同一条栅线连接；第一子控制电路981开关管的源极9812和第二子控制电路982开关管的源极9822分别与一个像素单元两端的数据线连接；第一子控制电路981驱动管的漏极9813与第一视场像素电极9721连接，第二子控制电路982驱动管的漏极9823与第二视场像素电极9722连接。第一子控制电路的开关管与驱动管的连接关系，以及第二控制电路的开关管与驱动管的连接关系，可以根据现有技术在满足OLED驱动条件的前提下任意设定，此处不赘述。
这样一来，同一视场像素电极共用同一条数据线、栅线和同一个子控制电路，使得像素开口率有限的降低，从而避免了液晶显示装置开口率大幅度下降的问题。
双视挡板91位于封装层93的上方或下方，且与EL层97的距离为1-20μm。如图9a所示，当双视挡板91位于封装层93的上方时，封装层93设置在EL层97的上表面，双视挡板91可以直接设置于封装层93的上表面，双视挡板91的上表面到EL层97的距离n1可以为1-100μm。
进一步地，如图9c所示，双视挡板91与像素电极972之间还可以具有透明层99，透明层99的厚度n2可以为1-20μm。双视挡板91的中心线与显示装置的显示区域的中心线重合。
需要说明的是，透明层99可以是真空层或气体层，也可以采用透明隔垫物(比如塑料薄膜)作为透明层。
具体的，上述双视场OLED显示装置中的像素电极和控制电路的结构及连接关系可以参照前述双视场液晶显示装置中的像素电极和TFT电路(并结合现有技术中OLED显示的自身特点)，各种结构所产生的有益效果已在双视场液晶显示装置作了详尽的描述，此处不做赘述。
需要说明的是，在如图9a或图9c所示的双视场OLED显示装置中，双视挡板的中心线均与显示装置的显示区域的中心线重合。即双视挡板中心处的狭缝中心线与显示装置的显示区域中心处的第一视场像素电极和第二视场像素电极之间的狭缝重合。此外，双视挡板的狭缝个数为第一视场像素电极和第二视场像素电极个数之和的一半。
实施例四
本发明实施例提供的双视场液晶显示装置制造方法，如图10所示，包括。
S1001、在下基板上通过构图工艺处理得到TFT电路和像素电极，其中，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一视场像素电极和至少两个第二视场像素电极；每个像素单元的TFT电路包括与第一视场像素电极连接的第一子TFT电路和与第二视场像素电极连接的第二子TFT电路。即，所有的第一视场像素电极4311均与第一子TFT电路4321连接，所有的第二视场像素电极4312均与第二子TFT电路4322连接。
S1002、在上基板上通过构图工艺处理得到双视挡板、彩膜。
S1003、将上基板和下基板对盒，并在盒中填充液晶。
本发明实施例提供的一种双视场液晶显示装置制造方法，通过将现有技术中一个像素单元内的用以显示某一特定视场的亚像素电极变为相互间隔的多个第一视场像素电极和第二视场像素电极，大幅度减小了单视场像素电极的宽度，从而扩大了每一单边视场的可视范围。这样一来，在不减薄玻璃基板厚度的基础上，实现了每一单边视场可视范围的扩大，降低了生产成本，提高了基板的良率和可靠性。
需要说明的是，相互间隔的至少两个第一视场像素电极和至少两个第二视场像素电极均为细长的条状电极。这些相互间隔的至少两个第一视场像素电极和至少两个第二视场像素电极可以平行于栅线，也可以平行于数据线。示例性的，在本发明实施例提供的双视场液晶显示装置中，以相互间隔的至少两个第一视场像素电极和至少两个第二视场像素电极平行于数据线为例进行说明。
具体的，在每个像素单元中，所有的第一视场像素电极构成第一梳状结构，所有的第二视场像素电极构成第二梳状结构，第一梳状结构与第二梳状结构相互交叉；即所有的第一视场像素电极和所有的第二视场像素电极整体上为相互间隔的梳状结构。优选地，第一视场像素电极、第二视场像素电极的宽度相等；二者的宽度可以为1-20μm。当然，第一视场像素电极、第二视场像素电极的宽度也可以不相等。优选地，在每个像素单元中，第一视场像素电极与第二视场像素电极的个数相等，此时可以实现更好的显示效果。
进一步地，第一子TFT电路的栅极和第二子TFT电路的栅极与同一条栅线连接；第一子TFT电路的源极和第二子TFT电路的源极分别与一个像素单元两端的数据线连接；第一子TFT电路的漏极与第一视场像素电极连接，第二子TFT电路的漏极与第二视场像素电极连接。
这样一来，同一视场像素电极共用同一条数据线、栅线和同一个TFT，使得像素开口率有限的降低，从而避免了液晶显示装置开口率大幅度下降的问题。
更近一步地，双视挡板可以位于上基板彩膜的上方或下方。且与彩膜的距离为1-100μm。
当双视挡板位于所述彩膜的上方时，如图11所示，双视场液晶显示装置制造方法具体为：
S1101、在下基板上通过构图工艺处理得到TFT电路和像素电极，其中，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一视场像素电极和至少两个第二视场像素电极；每个像素单元的TFT电路包括与第一视场像素电极连接的第一子TFT电路和与第二视场像素电极连接的第二子TFT电路。
S1102、在上基板上形成彩膜后，在彩膜上形成厚度为1-100μm的透明层。
S1103、在该透明层上形成双视挡板。
S1104、将上基板和下基板对盒，并在盒中填充液晶。
当双视挡板位于彩膜的下方时，双视挡板可以位于TFT阵列基板的上表面。
这样一来，在不降低玻璃基板厚度的基础上，实现了单视场可视范围的扩大，保证了玻璃基板的坚固性。另一方面，同一视场像素电极共用同一条数据线、栅线和同一个TFT，使得像素开口率有限的降低，从而避免了液晶显示装置开口率大幅度下降的问题。
进一步地，双视挡板的中心线与显示装置的显示区域的中心线重合。
本发明实施例提供的一种双视场液晶显示装置制造方法，通过将现有技术中一个像素单元内的用以显示某一特定视场的亚像素电极变为相互间隔的多个第一视场像素电极和第二视场像素电极，大幅度减小了单视场像素电极的宽度，从而扩大了每一单边视场的可视范围。这样一来，在不减薄玻璃基板厚度的基础上，实现了每一单边视场可视范围的扩大，降低了生产成本，提高了基板的良率和可靠性。
实施例五
本发明实施例提供的双视场OLED显示装置制造方法，如图12所示，包括。
S1201、在下基板上通过构图工艺处理得到控制电路。
S1202、在形成有控制电路的下基板上形成EL层，其中，该EL层包括金属阴极、像素电极和位于金属阴极和像素电极之间的有机发光材料，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一视场像素电极和至少两个第二视场像素电极；每个像素单元的控制电路包括与第一视场像素电极连接的第一子控制电路和与第二视场像素电极连接的第二子控制电路。
S1203、在上基板上通过构图工艺处理得到双视挡板。
S1204、将上基板覆盖在下基板上。
本发明实施例提供的一种双视场OLED显示装置制造方法，通过将现有技术中一个像素单元内的用以显示某一特定视场的亚像素电极变为相互间隔的多个第一视场像素电极和第二视场像素电极，大幅度减小了单视场像素电极的宽度，从而扩大了每一单边视场的可视范围。这样一来，在不减薄玻璃基板厚度的基础上，实现了每一单边视场可视范围的扩大，降低了生产成本，提高了基板的良率和可靠性。
需要说明的是，相互间隔的至少两个第一视场像素电极和至少两个第二视场像素电极均为细长的条状电极。这些相互间隔的至少两个第一视场像素电极和至少两个第二视场像素电极可以平行于栅线，也可以平行于数据线。示例性的，在本发明实施例提供的双视场OLED显示装置中，以相互间隔的至少两个第一视场像素电极和至少两个第二视场像素电极平行于数据线为例进行说明。
由于在OLED显示装置中，可能存在多个TFT电路，本发明实施例中所涉及到的控制电路是指用于控制像素电极的部分TFT电路。具体的，控制电路可以包括用于控制像素电极通断电的开关管TFT电路和用于控制像素电极电位变化的驱动管TFT电路。
具体的，在每个像素单元中，所有的第一视场像素电极构成第一梳状结构，所有的第二视场像素电极构成第二梳状结构，第一梳状结构与第二梳状结构相互交叉设置；即所有的第一视场像素电极和所有的第二视场像素电极整体上为相互间隔的梳状结构。优选地，第一视场像素电极、第二视场像素电极的宽度相等；在本实施例中，二者的宽度可以为1-20μm。当然，第一视场像素电极、第二视场像素电极的宽度也可以不相等。优选地，在每个像素单元中，第一视场像素电极与第二视场像素电极的个数相等，此时可以实现更好的显示效果。
进一步地，第一子控制电路开关管的栅极和第二子控制电路开关管的栅极与同一条栅线连接；第一子控制电路开关管的源极和第二子控制电路开关管的源极分别与一个像素单元两端的数据线连接；第一子控制电路驱动管的漏极与第一视场像素电极连接，第二子控制电路驱动管的漏极与第二视场像素电极连接。
这样一来，同一视场像素电极共用同一条数据线、栅线和同一个子控制电路，使得像素开口率有限的降低，从而避免了液晶显示装置开口率大幅度下降的问题。
进一步地，如图13所示，本发明实施例提供的双视场OLED显示装置制造方法可以包括。
S1301、在下基板上通过构图工艺处理得到控制电路。
S1302、在形成有控制电路的下基板上形成EL层，其中，该EL层包括金属阴极、像素电极和位于金属阴极和像素电极之间的有机发光材料，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一视场像素电极和至少两个第二视场像素电极；每个像素单元的控制电路包括与第一视场像素电极连接的第一子控制电路和与第二视场像素电极连接的第二子控制电路。
S1303、在下基板上形成EL层后，在该EL层上形成厚度为1-100μm的透明隔垫层
S1304、在透明隔垫层上形成双视挡板。
S1305、将上基板覆盖在下基板上。
进一步地，双视挡板的中心线与显示装置的显示区域的中心线重合。
需要说明的是，本发明实施例提供的双视场OLED显示装置制造方法中涉及到的上基板均指用于封装OLED显示装置的封装层。
本发明实施例提供的一种双视场OLED显示装置制造方法，通过将现有技术中一个像素单元内的用以显示某一特定视场的亚像素电极变为相互间隔的多个第一视场像素电极和第二视场像素电极，大幅度减小了单视场像素电极的宽度，从而扩大了每一单边视场的可视范围。这样一来，在不减薄玻璃基板厚度的基础上，实现了每一单边视场可视范围的扩大，降低了生产成本，提高了基板的良率和可靠性。
实施例六
本发明实施提供一种3D显示装置及其制造方法，使用了实施例1所述的具有“微像素”结构的阵列基板。
由于双视显示的原理与3D显示的原理在基本原理上相同，都是区分出不同的视场显示信息，只是3D显示需要区分的是左眼与右眼的视场信号(被同一观看者的不同眼睛接收)，而双视显示需要区分的是第一视场信号和第二视场信号(被不同观看者接收)。因此，可以利用前述实施例的双视场显示实现方法，使用上述实施例的阵列基板，实现3D显示。因此，本实施例提供一种3D显示装置及其制造方法，如下所述：
一种3D显示装置，包括：显示面板和设置于所述显示面板之上的光栅层，其中，所述显示面板包括如实施例一所述的阵列基板。
进一步地，所述显示面板为液晶面板；
所述液晶面板包括阵列基板、彩膜基板以及填充在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶；
所述彩膜基板包括透明基板和设置于其上的彩膜；
所述阵列基板为实施例一所述的阵列基板。
进一步地，所述显示面板为OLED面板；
所述OLED面板包括阵列基板和封装层，其中所述阵列基板包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元，每个像素单元包括电致发光EL层和控制电路，所述EL层包括金属阴极、像素电极和位于所述金属阴极和像素电极之间的有机发光材料；
每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电极和至少两个第二像素电极；
每个像素单元的控制电路包括与所述第一像素电极连接的第一子控制电路和与所述第二像素电极连接的第二子控制电路。
本发明实施例提供的3D显示装置的制造方法以及该3D显示装置的具体结构，可参考前述实施例二、三、四、五的双视场显示装置的实现方案，此处不赘述。
本发明实施例提供的3D显示装置，通过将现有技术中一个像素单元内的用以显示某一特定视场的亚像素电极变为相互间隔的多个第一像素电极和第二像素电极，大幅度减小了单视场像素电极的宽度。单视场像素电极宽度的减小可以降低光栅层的厚度，当光栅层为视差挡板时，视差挡板厚度的减小使得视差挡板可以直接制作在显示装置的盒内而无需在已对盒成形的显示装置上额外制作一层视差挡板，当光栅层为透镜光栅时，透镜光栅厚度的减小可以使柱状透镜的拱高降低。这样一来，采用现有的制作工艺就可以满足产品的生产要求，避免了增加新的工序或采用新的生产设备，从而降低了生产成本。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (30)

1.一种阵列基板，包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元，每个像素单元包括像素电极和TFT电路，其特征在于，
每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电极和至少两个第二像素电极，所述第一像素电极对应第一视场信号和第二视场信号中的一个，所述第二像素电极对应第一视场信号和第二视场信号中的另一个；
每个像素单元的TFT电路包括与所述第一像素电极连接的第一子TFT电路和与所述第二像素电极连接的第二子TFT电路；
在每个像素单元的所述阵列基板的衬底基板与所述像素电极之间设置有公共电极，或者，所述阵列基板为TN模式的阵列基板。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在每个像素单元中，所有的所述第一像素电极构成第一梳状结构，所有的所述第二像素电极构成第二梳状结构，所述第一梳状结构与所述第二梳状结构相互交叉设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极、第二像素电极的宽度为1-20μm。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子TFT电路的栅极和所述第二子TFT电路的栅极与同一条栅线连接；所述第一子TFT电路的源极和所述第二子TFT电路的源极分别与一个像素单元两端的数据线连接；所述第一子TFT电路的漏极与所述第一像素电极连接，所述第二子TFT电路的漏极与所述第二像素电极连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极为梳状或板状。
6.一种双视场显示装置，包括：显示面板和设置于所述显示面板之上的双视挡板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1～5任一项所述的阵列基板。
7.根据权利要求6所述的双视场显示装置，其特征在于，所述双视挡板的中心线与所述显示面板的显示区域的中心线重合。
8.根据权利要求6或7所述的双视场显示装置，其特征在于，所述显示面板为液晶面板；
所述液晶面板包括阵列基板、彩膜基板以及填充在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶；
所述彩膜基板包括透明基板和设置于其上的彩膜；
所述阵列基板为权利要求1～5任一项所述的阵列基板。
9.根据权利要求8所述的双视场显示装置，其特征在于，
所述双视挡板位于所述彩膜基板的彩膜的上方或下方，且与所述彩膜的距离为1-100μm。
10.根据权利要求9所述的双视场显示装置，其特征在于，所述双视挡板位于所述彩膜的上方，所述双视挡板与所述彩膜之间设有厚度为1-100μm的透明层。
11.根据权利要求6或7所述的双视场显示装置，其特征在于，所述显示面板为OLED面板；
所述OLED面板包括阵列基板和封装层，其中所述阵列基板包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元，每个像素单元包括电致发光EL层和控制电路，所述EL层包括金属阴极、像素电极和位于所述金属阴极和像素电极之间的有机发光材料；
每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电极和至少两个第二像素电极；
每个像素单元的控制电路包括与所述第一像素电极连接的第一子控制电路和与所述第二像素电极连接的第二子控制电路。
12.根据权利要求11所述的双视场显示装置，其特征在于，在每个像素单元中，所有的所述第一像素电极构成第一梳状结构，所有的所述第二像素电极构成第二梳状结构，所述第一梳状结构与所述第二梳状结构相互交叉设置。
13.根据权利要求11所述的双视场显示装置，其特征在于，所述第一像素电极、第二像素电极的宽度为1-20μm。
14.根据权利要求11所述的双视场显示装置，其特征在于，所述第一子控制电路开关管的栅极和所述第二子控制电路开关管的栅极与同一条栅线连接；所述第一子控制电路驱动管开关管的源极和所述第二子控制电路驱动管开关管的源极分别与一个像素单元两端的数据线连接；所述第一子控制电路驱动管的漏极与所述第一像素电极连接，所述第二子控制电路驱动管的漏极与所述第二像素电极连接。
15.根据权利要求11所述的双视场显示装置，其特征在于，
所述双视挡板位于所述封装层的上方或下方，且与所述EL层的距离为1-100μm。
16.根据权利要求15所述的双视场显示装置，其特征在于，所述双视挡板位于所述封装层的下方，所述双视挡板与所述像素电极之间设有厚度为1-100μm的透明层。
17.一种双视场液晶显示装置制造方法，其特征在于，包括：
在下基板上通过构图工艺处理得到TFT电路和像素电极，其中，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电极和至少两个第二像素电极，所述第一像素电极对应第一视场信号和第二视场信号中的一个，所述第二像素电极对应第一视场信号和第二视场信号中的另一个；每个像素单元的TFT电路包括与所述第一像素电极连接的第一子TFT电路和与所述第二像素电极连接的第二子TFT电路；在每个像素单元的所述下基板的衬底基板与所述像素电极之间设置公共电极，或者，所述下基板为TN模式的阵列基板；
在上基板上通过构图工艺处理得到双视挡板、彩膜；
将所述上基板和下基板对盒，并在盒中填充液晶。
18.根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，在每个像素单元中，所有的所述第一像素电极构成第一梳状结构，所有的所述第二像素电极构成第二梳状结构，所述第一梳状结构与所述第二梳状结构相互交叉。
19.根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一像素电极、第二像素电极的宽度为1-20μm。
20.根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一子TFT电路的栅极和所述第二子TFT电路的栅极与同一条栅线连接；所述第一子TFT电路的源极和所述第二子TFT电路的源极分别与一个像素单元两端的数据线连接；所述第一子TFT电路的漏极与所述第一像素电极连接，所述第二子TFT电路的漏极与所述第二像素电极连接。
21.根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述双视挡板位于所述上基板彩膜的上方或下方，且与所述彩膜的距离为1-100μm。
22.根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，在上基板上通过构图工艺处理得到双视挡板、彩膜包括：
在上基板上形成彩膜后，在所述彩膜上形成厚度为1-100μm的透明层；
在所述透明层上形成所述双视挡板。
23.根据权利要求17-22任一所述的制造方法，其特征在于，所述双视挡板的中心线与所述显示装置的显示区域的中心线重合。
24.一种双视场OLED显示装置制造方法，其特征在于，包括：
在下基板上通过构图工艺处理得到控制电路；
在形成有控制电路的所述下基板上形成EL层，其中，所述EL层包括金属阴极、像素电极和位于所述金属阴极和像素电极之间的有机发光材料，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个第一像素电极和至少两个第二像素电极，所述第一像素电极对应第一视场信号和第二视场信号中的一个，所述第二像素电极对应第一视场信号和第二视场信号中的另一个；每个像素单元的控制电路包括与所述第一像素电极连接的第一子控制电路和与所述第二像素电极连接的第二子控制电路；在每个像素单元的所述下基板的衬底基板与所述像素电极之间设置公共电极，或者，所述下基板为TN模式的阵列基板；
在上基板上通过构图工艺处理得到双视挡板；
将所述上基板覆盖在所述下基板上。
25.根据权利要求24所述的制造方法，其特征在于，在每个像素单元中，所有的所述第一像素电极构成第一梳状结构，所有的所述第二像素电极构成第二梳状结构，所述第一梳状结构与所述第二梳状结构相互交叉。
26.根据权利要求24所述的制造方法，其特征在于，所述第一像素电极、第二像素电极的宽度为1-20μm。
27.根据权利要求24所述的制造方法，其特征在于，所述第一子控制电路开关管的栅极和所述第二子控制电路开关管的栅极与同一条栅线连接；所述第一子控制电路开关管的源极和所述第二子控制电路开关管的源极分别与一个像素单元两端的数据线连接；所述第一子控制电路驱动管的漏极与所述第一像素电极连接，所述第二子控制电路驱动管的漏极与所述第二像素电极连接。
28.根据权利要求24所述的制造方法，其特征在于，所述双视挡板位于封装层的上方或下方，且与所述EL层的距离为1-100μm。
29.根据权利要求24所述的制造方法，其特征在于，在上基板上通过构图工艺处理得到双视挡板包括：
在下基板上形成EL层后，在所述EL层上形成厚度为1-100μm的透明层；
在所述透明层上形成所述双视挡板。
30.根据权利要求24-29任一所述的制造方法，其特征在于，所述双视挡板的中心线与所述显示装置的显示区域的中心线重合。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102629041B (zh) 2012-02-09 2014-04-16 京东方科技集团股份有限公司 一种3d显示装置及其制造方法
CN102629607B (zh) * 2012-02-09 2016-02-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和双视场显示装置及其制造方法
CN102832212A (zh) * 2012-08-20 2012-12-19 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置及显示装置的驱动方法
CN103197480B (zh) * 2013-03-22 2015-07-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板
US10141378B2 (en) * 2013-10-30 2018-11-27 Industrial Technology Research Institute Light emitting device free of TFT and chiplet
CN104102043B (zh) * 2014-07-08 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 一种双视场显示器及其驱动方法
CN104111560B (zh) 2014-07-09 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶面板及双视液晶显示装置
CN104317060B (zh) * 2014-11-11 2016-08-24 京东方科技集团股份有限公司 一种双视场显示面板和双视场显示器
CN204314581U (zh) * 2015-01-08 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
JP6508817B2 (ja) * 2015-01-16 2019-05-08 シャープ株式会社 液晶表示装置
CN104570536A (zh) 2015-02-06 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种电致变色光栅、显示面板及显示装置
CN104810321A (zh) * 2015-04-30 2015-07-29 京东方科技集团股份有限公司 一种tft阵列基板及显示装置的制备方法
CN106292084B (zh) * 2016-08-26 2019-07-02 深圳市华星光电技术有限公司 像素结构及其制作方法
CN106773162A (zh) * 2016-12-20 2017-05-31 北京小米移动软件有限公司 视差屏障、显示装置及其显示状态控制方法
CN106802520B (zh) 2017-01-22 2018-03-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN207396936U (zh) * 2017-10-24 2018-05-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN107817926B (zh) * 2017-10-27 2021-03-23 北京京东方显示技术有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN107634087A (zh) 2017-10-27 2018-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN108169980A (zh) * 2017-12-28 2018-06-15 武汉华星光电技术有限公司 显示装置
CN108646478B (zh) * 2018-03-28 2022-05-03 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、液晶显示面板及像素充电方法
CN109669305B (zh) * 2019-02-21 2022-11-04 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板和液晶显示面板
CN109799659B (zh) * 2019-03-13 2022-04-22 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板和液晶显示面板
CN111752052B (zh) 2020-07-29 2022-07-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及其驱动方法
CN114267776A (zh) * 2021-12-16 2022-04-01 惠州华星光电显示有限公司 一种显示面板及制作方法、移动终端
CN118076152A (zh) * 2022-11-22 2024-05-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板以及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101470289A (zh) * 2007-12-26 2009-07-01 乐金显示有限公司 液晶显示器
CN101604101A (zh) * 2008-06-13 2009-12-16 乐金显示有限公司 用于面内切换模式液晶显示器装置的阵列基板

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005134663A (ja) * 2003-10-30 2005-05-26 Asahi Glass Co Ltd 多機能表示装置および同装置に用いられるスリットマスク形成用のスイッチング液晶パネル
JP4572095B2 (ja) 2004-07-15 2010-10-27 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置、携帯機器及び液晶表示装置の駆動方法
US7868980B2 (en) * 2005-04-08 2011-01-11 Sharp Kabushiki Kaisha Display apparatus
KR100932977B1 (ko) * 2005-07-05 2009-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 입체 영상 표시 장치
US7847904B2 (en) * 2006-06-02 2010-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
JP4730410B2 (ja) * 2008-03-27 2011-07-20 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR101494205B1 (ko) * 2008-05-08 2015-03-02 삼성디스플레이 주식회사 표시기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시장치
JP2009300815A (ja) * 2008-06-16 2009-12-24 Seiko Epson Corp 表示装置
CN102317849B (zh) * 2008-06-27 2015-01-07 夏普株式会社 液晶显示装置
TWI427383B (zh) * 2009-03-24 2014-02-21 Au Optronics Corp 主動陣列基板、液晶顯示面板及其驅動方法
CN102292666A (zh) * 2009-05-29 2011-12-21 夏普株式会社 液晶显示元件、液晶显示装置和液晶显示元件的显示方法
CN101957527B (zh) * 2009-07-20 2013-02-13 北京京东方光电科技有限公司 Ffs型tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN101988998B (zh) * 2009-07-30 2015-10-07 群创光电股份有限公司 液晶显示装置
KR101286498B1 (ko) * 2009-12-11 2013-07-16 엘지디스플레이 주식회사 블루상 액정표시장치
KR101324436B1 (ko) 2010-04-02 2013-10-31 엘지디스플레이 주식회사 입체영상 표시장치, 입체영상 표시장치용 모기판 및 그 모기판의 제조방법
US8937699B2 (en) * 2010-08-12 2015-01-20 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
CN202443185U (zh) 2012-02-09 2012-09-19 京东方科技集团股份有限公司 一种3d显示装置
CN102629607B (zh) 2012-02-09 2016-02-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和双视场显示装置及其制造方法
CN102629041B (zh) 2012-02-09 2014-04-16 京东方科技集团股份有限公司 一种3d显示装置及其制造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101470289A (zh) * 2007-12-26 2009-07-01 乐金显示有限公司 液晶显示器
CN101604101A (zh) * 2008-06-13 2009-12-16 乐金显示有限公司 用于面内切换模式液晶显示器装置的阵列基板

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