CN207396936U - 一种阵列基板及显示装置 - Google Patents

一种阵列基板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN207396936U
CN207396936U CN201721381384.1U CN201721381384U CN207396936U CN 207396936 U CN207396936 U CN 207396936U CN 201721381384 U CN201721381384 U CN 201721381384U CN 207396936 U CN207396936 U CN 207396936U
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
sub
public electrode
connecting portion
public
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201721381384.1U
Other languages
English (en)
Inventor
李盼
吴新银
乔勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201721381384.1U priority Critical patent/CN207396936U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN207396936U publication Critical patent/CN207396936U/zh
Priority to PCT/CN2018/100076 priority patent/WO2019080596A1/zh
Priority to US16/329,796 priority patent/US11527556B2/en
Priority to EP18869964.9A priority patent/EP3702834A4/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136218—Shield electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134318—Electrodes characterised by their geometrical arrangement having a patterned common electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/124—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode interdigital

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种阵列基板及显示装置，用以解决现有的阵列基板中，公共电极的电阻不均匀，影响显示面板整体的显示效果的问题。该阵列基板，包括：若干个亚像素单元，每个亚像素单元对应一个像素电极，每行亚像素单元共用一条公共电极；每条公共电极包括多个子公共电极；子公共电极为梳状的叉指电极；子公共电极包括主体连接部，第一梳齿分支以及屏蔽部；第一梳齿分支和屏蔽部位于主体连接部的同一侧；每条公共电极中相邻两个子公共电极的主体连接部位于相对的方向。将每条公共电极中相邻两个子公共电极的主体连接部设置在相对的方向，即将相邻的电阻较小的主体连接部分散设置在两侧，可以提高公共电极电阻的均匀性，从而提高整体的显示效果。

Description

一种阵列基板及显示装置
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)是目前常用的平板显示器，液晶显示面板以其体积小、功耗低、无辐射、分辨率高等优点，被广泛地应用于现代数字信息化设备中。
现有技术的阵列基板中，公共电极和像素电极的排布方式一般如图1所示，公共电极1的图案为梳齿状，由于公共电极1的主体连接部1a的宽度较宽，因而主体连接部所在位置处的电阻较小，而梳齿状的分支1b的电阻较大，会导致整体公共电极的电阻不均匀，影响整体的显示效果。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种阵列基板及显示装置，用以解决现有的阵列基板中，公共电极和像素电极的排布方式中，公共电极的电阻不均匀，从而影响显示面板整体的显示效果的问题。
本实用新型实施例提供了一种阵列基板，包括：若干个呈阵列排列的亚像素单元，每行所述亚像素单元共用一条公共电极；
每条所述公共电极包括多个子公共电极；所述子公共电极为梳状的叉指电极，且每个所述子公共电极对应一个亚像素单元；
所述子公共电极包括主体连接部，多个与所述主体连接部连接的第一梳齿分支，以及位于所述子公共电极最外侧且与所述主体连接部连接的屏蔽部；所述第一梳齿分支和所述屏蔽部位于所述主体连接部的同一侧；
每条所述公共电极中相邻两个子公共电极的主体连接部位于相对的方向。
较佳的，每个所述亚像素单元对应一个像素电极，所述像素电极包括凸出连接部和电极部；
每个亚像素单元中所对应的像素电极的凸出连接部位和子公共电极的主体连接部于相对的方向。
较佳的，每条所述公共电极中相邻两个子公共电极共用一个屏蔽部。
较佳的，所述阵列基板还包括：若干条数据线和栅线；
所述数据线为沿列方向设置的直线、或沿所述公共电极的屏蔽部延伸方向设置的弯折线；所述数据线在垂直于所述阵列基板方向上的正投影与所述公共电极的屏蔽部在垂直于所述阵列基板方向上的正投影具有重叠区域；
所述栅线为沿行方向设置的直线或弯折线。
较佳的，每条栅线上连接的相邻两个亚像素单元分别属于不同行。
较佳的，所述栅线为弯折线；连接到同一所述栅线上的像素电极的凸出连接部交替平行排列。
较佳的，所述像素电极与所述公共电极同层设置；所述像素电极为梳状的叉指电极。
较佳的，所述像素电极的电极部包括多个与所述像素电极的凸出连接部连接的第二梳齿分支；
所述像素电极的第二梳齿分支与所述公共电极的第一梳齿分支在平行于所述栅线的方向上交替排列。
较佳的，所述像素电极与所述公共电极异层设置；所述像素电极为板状电极。
较佳的，所述像素电极的电极部为具有直线边缘的结构，且所述公共电极的第一梳齿分支为直线型；或，
所述像素电极的电极部为具有折线边缘的结构，且所述公共电极的第一梳齿分支为折线型；所述电极部弯折的角度与所述第一梳齿分支弯折的角度相同。
较佳的，相邻两条所述公共电极中的子公共电极通过连接线进行电连接。
本实用新型实施例还一种显示装置，该显示装置包括如本实用新型实施例提供的上述阵列基板。
本实用新型的有益效果：
本实用新型实施例提供的阵列基板及显示装置中，每条公共电极包括多个子公共电极，而一般每个子公共电极包括的主体连接部的宽度较宽且电阻较小，而第一梳齿分支较窄且电阻较大；本实用新型中将每条公共电极中相邻两个子公共电极的主体连接部设置在相对的方向，相应的，可以将每条公共电极中相邻的电阻较小的主体连接部分散设置在两侧，提高了公共电极电阻的均匀性，从而提高整体的显示效果。
附图说明
图1为现有技术中公共电极和像素电极的排布方式的结构示意图；
图2为本实用新型实施例提供的第一种阵列基板的俯视结构示意图；
图3为本实用新型实施例提供的公共电极的俯视结构示意图；
图4为本实用新型实施例提供的第二种阵列基板的俯视结构示意图；
图5为本实用新型实施例提供的第三种阵列基板的俯视结构示意图；
图6为本实用新型实施例提供的第四种阵列基板的俯视结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
其中，附图中各个膜层图案的大小和区域形状不反映其真实比例，目的只是示意说明本实用新型的内容。本实用新型实施例提供的阵列基板，主要是在现有阵列基板的基础上，改变了公共电极的排布方式，将每条公共电极中相邻两个子公共电极的主体连接部设置在相对的方向，即将每条公共电极中相邻的电阻较小的主体连接部分散设置在两侧，可以提高公共电极电阻的均匀性，从而提高整体的显示效果。下面对阵列基板的具体结构进行详细的说明。
如图2所示，为本实用新型实施例提供的第一种阵列基板的俯视结构示意图；为了方便说明，本实用新型实施例中仅画了3×2个亚像素单元，图2仅是简单的示意图，实际制作中并不仅限于3×2个亚像素单元，且亚像素单元也可以有其它不同的排列方式，本实用新型仅是以其中一种常见的矩阵排列方式作为例子进行说明。另外，本实用新型实施例提供的阵列基板可以有多种不同的结构，图2所示的阵列基板只是其中一种可行的结构，仅是为了方便说明，并不用于限定本实用新型，后面本实用新型还会介绍几种其它结构的阵列基板。
如图2所示，本实用新型实施例提供的种阵列基板包括：若干个呈阵列排列的亚像素单元，每行亚像素单元共用一条公共电极；每条公共电极包括多个子公共电极；子公共电极为梳状的叉指电极，且每个子公共电极对应一个亚像素单元；子公共电极包括主体连接部，多个与主体连接部连接的第一梳齿分支，以及位于子公共电极最外侧且与主体连接部连接的屏蔽部；第一梳齿分支和屏蔽部位于主体连接部的同一侧；每条公共电极中相邻两个子公共电极的主体连接部位于相对的方向。
在具体实施时，阵列基板中包括若干个呈阵列排列的亚像素单元，如图2中虚线矩形框中所表示的即为亚像素单元P，而且每行亚像素单元共用一条公共电极101，而每条公共电极又包括了多个子公共电极；为了清楚的说明公共电极的具体结构，本实用新型实施例提供了一个单独的与图2对应的公共电极的示意图，如图3所示，为本实用新型实施例提供的公共电极的俯视结构示意图。
图3中虚线矩形框中所表示的即为子公共电极G，其中包括3个子公共电极，每个子公共电极G对应一个亚像素单元P；每个子公共电极的形状G都可以为梳状的叉指电极，图3中每一个子公共电极G都包括主体连接部101a，2个设置在主体连接部101a一侧且与其连接的第一梳齿分支101b，以及位于子公共电极G最外侧且与主体连接部101a连接的屏蔽部101c，图3中一个子公共电极G包括两个屏蔽部101c；而且将第一梳齿分支101b和屏蔽部101c设置在主体连接部101a的同一侧；为了便于排布，可以将第一梳齿分支101b和屏蔽部101c与主体连接部101a垂直设置，当然，也可以设置为其它的相对结构，而且主体连接部101a、第一梳齿分支101b和屏蔽部101c也不一定设置为规则的矩形形状，可以根据需要设置为其它结构，本实用新型实施例中的附图仅是一种可行的结构示意图，并不用于限定本实用新型。
为了解决现有技术中公共电极电阻不均匀的问题，本实用新型实施例中将每条公共电极中相邻两个子公共电极的主体连接部设置在相对的方向，即如图2和图3中所示，从左到右第一个子公共电极和第二个子公共电极的主体连接部设置在相对的方向，而且第二个子公共电极和第三个子公共电极的主体连接部也设置在相对的方向，多个各子公共电极如此交替排列。一般每个子公共电极包括的主体连接部的宽度较宽且电阻较小；本实用新型中将每条公共电极中相邻两个子公共电极的主体连接部设置在相对的方向，相应的，可以将每条公共电极中相邻的电阻较小的主体连接部分散设置在两侧，提高了公共电极电阻的均匀性，从而提高整体的显示效果。
为了使各子公共电极排列更加紧密，节省布局空间，较佳的，每条公共电极中相邻两个子公共电极共用一个屏蔽部。即如图2和图3中，可以设置为相邻两个子公共电极G共用一个屏蔽部101c。而且为了简化制作工艺，可以设置为相邻两行的子公共电极排列方式相同。
由于本实用新型实施例中将每条公共电极中相邻两个子公共电极的主体连接部设置在相对的方向，因此，也需要相应的改变像素电极的设置方式。较佳的，每个亚像素单元对应一个像素电极，像素电极包括凸出连接部和电极部；每个亚像素单元中所对应的像素电极的凸出连接部位和子公共电极的主体连接部于相对的方向。
如图2所示，像素电极的排布方式是每个亚像素单元对应一个像素电极，也将像素电极102划分成凸出连接部102a和电极部102b(即图中虚线框所圈起的部分)两部分，其中电极部的形状可以根据需要进行设置，例如，像素电极的电极部可以设置为板状结构，或者具有分支的结构，后面会结合附图进行说明；为了节省布局空间，可以设置为每个亚像素单元P中所对应的子公共电极G的主体连接部101a和像素电极的凸出连接部102a位于相对的方向。
在具体实施时，每个阵列基板除了包括上述介绍的像素电极和公共电极之外，还包括其它的膜层或者结构，例如，还包括薄膜晶体管、数据线和栅线等。这些结构都可以根据需要进行设置，在此可以不作具体限定。
较佳的，阵列基板还包括：若干条数据线和栅线；数据线为沿列方向设置的直线、或沿公共电极的屏蔽部延伸方向设置的弯折线；数据线在垂直于阵列基板方向上的正投影与公共电极的屏蔽部在垂直于阵列基板方向上的正投影具有重叠区域；栅线为沿行方向设置的直线或弯折线。
在具体实施时，阵列基板还包括：若干条数据线103和栅线104；一般将数据线103设置为沿列方向(即沿着y轴方向)排布，具体的可以设置为如图2所示的直线形式，由于屏蔽部的主要作用是为了屏蔽数据线上信号对像素电极的影响，实质上，屏蔽部也是公共电极的一部分，而且需要将数据线设置为在垂直于阵列基板方向上的正投影，与公共电极的屏蔽部在垂直于阵列基板方向上的正投影具有重叠区域，如图2的俯视图中，部分数据线被公共电极的屏蔽部所遮挡，而且一般需要将薄膜晶体管的源极105a与数据线相连，漏极105b与像素电极相连。
而如果公共电极是设置为弯折的结构，那相应的，数据线也可以设置为与公共电极具有相同弯折角度的弯折线，即将数据线设置为沿公共电极的屏蔽部延伸方向设置的弯折线，如图4所示，为本实用新型实施例提供的第二种阵列基板的俯视结构示意图；图4中公共电极和像素电极均为弯折结构，相应的，数据线103也设置为弯折线，其中，图4中所画的数据线只是为了示意其弯折的情况，并不代表实际制作时数据线的真实位置、宽度等。
另外，阵列基板上的栅线一般设置为行方向(即沿着x轴方向)排布，又或者，也可以设置为弯折线，即形成如图2所示的结构，较佳的，栅线为弯折线；连接到同一栅线上的像素电极的凸出连接部交替平行排列。
在具体实施时，为了节省布局空间，使亚像素单元之间的排列更加紧密，可以将栅线104设置为弯折线，由于一般是将薄膜晶体管中的栅极105c与栅线104相连，将薄膜晶体管中的漏极105b与像素电极中的凸出连接部相连。
由于本实用新型实施例中提供的阵列基板中，每条公共电极中相邻两个子公共电极G的主体连接部101a位于相对的方向，而且子公共电极G的主体连接部101a和像素电极的凸出连接部102a位于相对的方向，因此如图2所示，实际上相邻像素电极的凸出连接部102a也位于相对的方向，因此，一般连接到同一条栅线上的像素电极也分别属于两行亚像素单元，较佳的，每条栅线上连接的相邻两个亚像素单元分别属于不同行。
而如果将栅线设置为弯折线，则可以通过将连接到同一栅线上的像素电极的凸出连接部交替平行排列，主要是使连接到同一条栅线上、且位于相邻的两列亚像素单元中的像素电极的凸出连接部尽量处于同一水平线上，使各个像素电极的凸出连接部交替平行排列，进而可以使亚像素单元之间的排列更加紧密，即形成图2所示的结构。
在具体实施时，像素电极和公共电极有多种不同的结构和制作方式，两者可以同层一起制作，也可以分开设置在不同的膜层中。下面分别进行介绍。
第一、像素电极与公共电极同层设置。
较佳的，像素电极与公共电极同层设置；像素电极为梳状的叉指电极。
在具体实施时，像素电极与公共电极同层形成，一般采用透明导电材料或金属等材料形成。由于像素电极和公共电极设置在同一层，而且每个亚像素单元均对应一个像素电极和一部分公共电极(例如，图2中的一个子公共电极)，而每条公共电极中的子公共电极为梳状的叉指电极，因此，相应的，像素电极也可以设置为梳状的叉指电极。
较佳的，像素电极的电极部包括多个与像素电极的凸出连接部连接的第二梳齿分支；像素电极的第二梳齿分支与公共电极的第一梳齿分支在平行于栅线的方向上交替排列。
具体的，当像素电极设置为梳状的叉指电极时，像素电极的电极部102b包括多个与像素电极的凸出连接部102a连接的第二梳齿分支102b1；其中，像素电极的第二梳齿分支102b1与公共电极的第一梳齿分支101b均是分支结构，可以将其交叉排布，即使各个梳齿分支在平行于栅线的方向上交替排列。如图2所示，像素电极的第二梳齿分支102b1穿插到公共电极的第一梳齿分支101b之中。
第二、像素电极与公共电极异层设置。
较佳的，像素电极与公共电极异层设置；像素电极为板状电极。
在具体实施时，像素电极与公共电极不在同一层形成，一般采用ITO(Indium tinoxide，氧化铟锡)或金属等材料形成。而此时，由于像素电极单独制作，可以将其设置为板状电极，即可以形成如图5所示的结构，为本实用新型实施例提供的第三种阵列基板的俯视结构示意图；其中，像素电极与公共电极位于不同层，像素电极为板状结构，并且像素电极可以与漏极(图中并未示出)搭接连接。
针对上述两种情况，即像素电极与公共电极同层设置和异层设置的情况，除了可以设置为图2-图5所示的具有直线边缘的结构外，还可以设置为具有折线边缘的结构，实现多畴显示。
较佳的，像素电极的电极部为具有直线边缘的结构，且公共电极的第一梳齿分支为直线型；或，像素电极的电极部为具有折线边缘的结构，且公共电极的第一梳齿分支为折线型；电极部弯折的角度与第一梳齿分支弯折的角度相同。
在具体实施时，不管像素电极和公共电极是同层还是异层设置，像素电极和公共电极均可以设置为直线结构，即像素电极的电极部为具有直线边缘的结构，且公共电极的第一梳齿分支为直线型；当像素电极和公共电极同层设置时，形成如图2所示的结构；而当像素电极和公共电极异层设置时，形成如图5所示的结构。
当然，为了实现多畴显示，增大视角，通常需要公共电极第一梳分支及公共电极的屏蔽部在中部弯折为特定角度，相应的，板状像素电极在电极部的中部也做适应性变形，具体弯折的角度可以根据需要进行设置，例如，可以设置为弯折角度在160度-180度之间，或者是10度-20度之间等。当像素电极和公共电极同层设置时，形成如图4所示的结构；而当像素电极和公共电极异层设置时，形成如图6所示的结构，图6为本实用新型实施例提供的第四种阵列基板的俯视结构示意图。
由于本实用新型主要是改进了公共电极和像素电极的排布方式，因此，上述图3-图6中并未过多的画其它结构，其它的结构(例如，数据线、栅线、薄膜晶体管等)均可以参见图2。
在具体实施时，为了使公共电极的信号更均匀，尤其针对尺寸较大的阵列基板，可以将多条公共电极连接起来，较佳的，相邻两条公共电极中的子公共电极通过连接线进行电连接。如图2-图6所示的，可以将位于相邻两条公共电极中的子公共电极连接起来，例如，可以将相对的两个子公共电极中的屏蔽部连接起来。为了减少制作工艺，在形成各个公共电极时，可以直接将连接线一同制作出来。另外，为了图示清楚，图5和图6中的像素电极在画图时都做了透明处理，这只是为了用于说明所做的效果，并不代表真实制作的情况，更不用于限定本实用新型。
基于同一实用新型构思，本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括本实用新型实施例提供的上述阵列基板。该显示装置的实施可以参见上述任一阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。
综上所述，本实用新型实施例提供的阵列基板及显示装置中，每条公共电极包括多个子公共电极，而一般每个子公共电极包括的主体连接部的宽度较宽且电阻较小，而第一梳齿分支较窄且电阻较大；本实用新型中将每条公共电极中相邻两个子公共电极的主体连接部设置在相对的方向，相应的，可以将每条公共电极中相邻的电阻较小的主体连接部分散设置在两侧，提高了公共电极电阻的均匀性，从而提高整体的显示效果。
显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：若干个呈阵列排列的亚像素单元，每行所述亚像素单元共用一条公共电极；
每条所述公共电极包括多个子公共电极；所述子公共电极为梳状的叉指电极，且每个所述子公共电极对应一个亚像素单元；
所述子公共电极包括主体连接部，多个与所述主体连接部连接第一梳齿分支，以及位于所述子公共电极最外侧且与所述主体连接部连接的屏蔽部；所述第一梳齿分支和所述屏蔽部位于所述主体连接部的同一侧；
每条所述公共电极中相邻两个子公共电极的主体连接部位于相对的方向。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述亚像素单元对应一个像素电极，所述像素电极包括凸出连接部和电极部；
每个亚像素单元中所对应的像素电极的凸出连接部位和子公共电极的主体连接部于相对的方向。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每条所述公共电极中相邻两个子公共电极共用一个屏蔽部。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：若干条数据线和栅线；
所述数据线为沿列方向设置的直线、或沿所述公共电极的屏蔽部延伸方向设置的弯折线；所述数据线在垂直于所述阵列基板方向上的正投影与所述公共电极的屏蔽部在垂直于所述阵列基板方向上的正投影具有重叠区域；
所述栅线为沿行方向设置的直线或弯折线。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，每条栅线上连接的相邻两个亚像素单元分别属于不同行。
6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线为弯折线；连接到同一所述栅线上的像素电极的凸出连接部交替平行排列。
7.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极与所述公 共电极同层设置；所述像素电极为梳状的叉指电极。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极的电极部包括多个与所述像素电极的凸出连接部连接的第二梳齿分支；
所述像素电极的第二梳齿分支与所述公共电极的第一梳齿分支在平行于所述栅线的方向上交替排列。
9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极与所述公共电极异层设置；所述像素电极为板状电极。
10.如权利要求1-9任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极的电极部为具有直线边缘的结构，且所述公共电极的第一梳齿分支为直线型；或，
所述像素电极的电极部为具有折线边缘的结构，且所述公共电极的第一梳齿分支为折线型；所述电极部弯折的角度与所述第一梳齿分支弯折的角度相同。
11.如权利要求1-9任一项所述的阵列基板，其特征在于，相邻两条所述公共电极中的子公共电极通过连接线进行电连接。
12.一种显示装置，其特征在于，该显示装置包括如权利要求1-11中任一项所述的阵列基板。
CN201721381384.1U 2017-10-24 2017-10-24 一种阵列基板及显示装置 Active CN207396936U (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201721381384.1U CN207396936U (zh) 2017-10-24 2017-10-24 一种阵列基板及显示装置
PCT/CN2018/100076 WO2019080596A1 (zh) 2017-10-24 2018-08-10 阵列基板及显示装置
US16/329,796 US11527556B2 (en) 2017-10-24 2018-08-10 Array substrate and display device
EP18869964.9A EP3702834A4 (en) 2017-10-24 2018-08-10 ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201721381384.1U CN207396936U (zh) 2017-10-24 2017-10-24 一种阵列基板及显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN207396936U true CN207396936U (zh) 2018-05-22

Family

ID=62330159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201721381384.1U Active CN207396936U (zh) 2017-10-24 2017-10-24 一种阵列基板及显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11527556B2 (zh)
EP (1) EP3702834A4 (zh)
CN (1) CN207396936U (zh)
WO (1) WO2019080596A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019080596A1 (zh) * 2017-10-24 2019-05-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
WO2020103774A1 (zh) * 2018-11-19 2020-05-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN114924437A (zh) * 2022-05-20 2022-08-19 北京京东方技术开发有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI760196B (zh) * 2021-04-21 2022-04-01 友達光電股份有限公司 畫素結構以及顯示面板

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100490019B1 (ko) * 2000-06-20 2005-05-17 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 다중 도메인을 갖는 넓은 시야각의 액정 디스플레이와 넓은 시야각의 ｉｐｓ 모드 액정 디스플레이 및 그 제공 방법
KR100918651B1 (ko) 2002-10-30 2009-09-22 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101408252B1 (ko) * 2007-06-22 2014-06-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP5266578B2 (ja) * 2008-07-22 2013-08-21 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 横電界方式の液晶表示装置
KR101749757B1 (ko) * 2010-11-03 2017-07-04 엘지디스플레이 주식회사 고 투과 수평 전계형 액정표시장치 및 그 제조 방법
CN103163701B (zh) 2011-12-16 2015-09-30 上海中航光电子有限公司 网状公共电极结构液晶显示器件及其制造方法
CN102629607B (zh) * 2012-02-09 2016-02-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和双视场显示装置及其制造方法
CN103901684B (zh) * 2012-12-28 2018-02-09 上海中航光电子有限公司 一种ips模式的液晶显示器
KR102439350B1 (ko) * 2015-12-31 2022-09-02 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린 내장형 표시장치 및 그 제조방법
JP2017173624A (ja) * 2016-03-24 2017-09-28 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 液晶表示装置
CN207396936U (zh) 2017-10-24 2018-05-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019080596A1 (zh) * 2017-10-24 2019-05-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
US11527556B2 (en) 2017-10-24 2022-12-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and display device
WO2020103774A1 (zh) * 2018-11-19 2020-05-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
US11215890B2 (en) 2018-11-19 2022-01-04 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, display panel and display device
CN114924437A (zh) * 2022-05-20 2022-08-19 北京京东方技术开发有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN114924437B (zh) * 2022-05-20 2024-01-12 北京京东方技术开发有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019080596A1 (zh) 2019-05-02
EP3702834A4 (en) 2021-08-04
US11527556B2 (en) 2022-12-13
US20210366947A1 (en) 2021-11-25
EP3702834A1 (en) 2020-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN207396936U (zh) 一种阵列基板及显示装置
US10001677B2 (en) Self-capacitance touch display panel and display apparatus
US10672801B2 (en) TFT substrate
US10331253B2 (en) In-cell touch screen
CN104793401B (zh) 一种显示面板以及电子设备
CN107219667B (zh) 曲面显示面板和显示装置
CN105527764A (zh) 液晶显示面板
CN204496141U (zh) 液晶屏及显示装置
CN207408720U (zh) 一种阵列基板和显示装置
CN104536216B (zh) 显示面板
CN105223736A (zh) 显示面板
CN113075825A (zh) 阵列基板及显示面板
JP2018506739A (ja) 液晶表示パネル及び装置
CN107422561A (zh) 主动开关阵列基板及液晶显示面板
CN105629610A (zh) 显示基板、显示面板、显示装置
CN105182620B (zh) 像素结构及驱动方法、显示基板及显示装置
CN105093727B (zh) 一种阵列基板、曲面显示面板、曲面显示装置
CN107463043A (zh) 液晶显示面板及液晶显示装置
CN108490705B (zh) 阵列基板、液晶显示面板与显示装置
CN108319062B (zh) 阵列基板及液晶显示面板
CN111667766B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN107918221A (zh) 显示基板及显示装置
CN208013633U (zh) 显示基板和显示装置
CN205643946U (zh) 一种阵列基板和触控显示装置
CN110716356A (zh) 具有共用电极层间隙图案设计的显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant