KR100918651B1 - 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100918651B1
KR100918651B1 KR1020020066619A KR20020066619A KR100918651B1 KR 100918651 B1 KR100918651 B1 KR 100918651B1 KR 1020020066619 A KR1020020066619 A KR 1020020066619A KR 20020066619 A KR20020066619 A KR 20020066619A KR 100918651 B1 KR100918651 B1 KR 100918651B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
layer
line
common
electrode
Prior art date
Application number
KR1020020066619A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040039004A (ko
Inventor
홍형기
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020020066619A priority Critical patent/KR100918651B1/ko
Publication of KR20040039004A publication Critical patent/KR20040039004A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100918651B1 publication Critical patent/KR100918651B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134318Electrodes characterised by their geometrical arrangement having a patterned common electrode
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/121Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Abstract

본 발명은 상부 기판의 차광층을 생략하고 또한 빛샘 현상을 개선한 고개구율의 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치는 하부 기판 및 상부 기판과, 상기 하부 기판 상에 서로 종횡으로 교차되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과, 상기 게이트 라인과 평행한 방향으로 형성되는 공통 라인과, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차 영역에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터를 포함한 전면에 형성된 보호막과, 상기 보호막 상에 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되어 형성된 화소 전극과, 상기 보호막 상에 화소 전극과 소정 간격 이격되며 상기 데이터 라인과 오버랩되어 형성된 공통 전극과, 상기 상부 기판 상에 상기 게이트 라인 및 공통 라인을 포함한 그 주변부에 대응하여 2색 이상의 색필름이 오버랩되어 형성된 칼라 필터층 및 상기 양 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성됨에 그 특징이 있다.
차광층, 칼라 필터층, 러빙 방향, 공통 전극, 데이터 라인

Description

횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법{Liquid Crystal Display Device in In-Plane Switching mode and method for Manufacturing the same}
도 1은 일반적인 트위스트 네마틱형 액정 표시 장치를 나타낸 분해 사시도
도 2는 일반적인 횡전계형 액정 표시 장치의 전계 형성 및 이에 의해 액정 배향을 나타낸 개략적인 단면도도 3a 내지 도 3b는 횡전계형 액정 표시 장치에서 전압 오프(off)/온(on)시 액정의 상 변이 모습을 나타내는 도면
도 4a 및 도 4b는 각각 도 3a 및 도 3b에 따른 액정의 배향 방향을 나타낸 평면도
도 5는 종래의 액정 표시 장치에서 차광층이 형성되는 부위를 나타낸 평면도
도 6은 본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치를 나타낸 평면도
도 7a 내지 도 7b는 각각 도 6의 A~A' 선상, B~B'선상의 구조 단면도
도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치에 있어서 하부 기판의 노광 공정시 각 마스크로 형성되는 패턴을 나타낸 평면도
도 9는 본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치의 공통 전극과 데이터 라인의 배치 관계 및 액정의 배향을 나타낸 단면도
도 10은 본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치의 공통 전극과 게이트 라인의 배치 관계 및 액정의 배향을 나타낸 평면도
도 11은 도 6의 하부 기판에 대응되는 상부 기판의 2색 필름 이상의 칼라 필터층이 형성되는 부위를 나타낸 평면도도 12는 도 11의 C~C' 선상을 나타낸 구조 단면도
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
110 : 게이트 라인 120a, 120b : 공통 라인
130 : 게이트 절연막 135 : 반도체층
140 : 데이터 라인 140a/140b : 소오스/드레인 전극
150 : 보호막 155a, 155b : 콘택 홀
160 : 화소 전극 180 : 공통 전극
205 : 게이트 라인 주변부 빛샘 부위
210 : 색 필름 오버랩이 일어난 칼라 필터층
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로 특히, 상부 기판의 차광층을 생략하여 개구율을 개선한 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 표시 장치에 대한 요구도 다양한 형태로 점증하고 있으며, 이에 부응하여 근래에는 LCD(Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등 여러 가지 평판 표시 장치가 연구되어 왔고, 일부는 이미 여러 장비에서 표시 장치로 활용되고 있다.
그 중에, 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 특징 및 장점으로 인하여 이동형 화상 표시 장치의 용도로 CRT(Cathode Ray Tube)를 대체하면서 LCD가 가장 많이 사용되고 있으며, 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형의 용도 이외에도 방송 신호를 수신하여 디스플레이하는 텔레비젼 및 컴퓨터의 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.
이와 같은 액정 표시 장치가 일반적인 화면 표시 장치로서 다양한 부분에 사용되기 위해서는 경량, 박형, 저 소비 전력의 특징을 유지하면서도 고정세, 고휘도, 대면적 등 고품위 화상을 얼마나 구현할 수 있는가에 관건이 걸려 있다고 할 수 있다.
일반적인 액정 표시 장치는, 화상을 표시하는 액정 패널과 상기 액정 패널에 구동 신호를 인가하기 위한 구동부로 크게 구분될 수 있으며, 상기 액정 패널은 일정 공간을 갖고 합착된 제 1, 제 2 유리 기판과, 상기 제 1, 제 2 유리 기판 사이에 주입된 액정층으로 구성된다.
여기서, 상기 제 1 유리 기판(TFT 어레이 기판)에는 일정 간격을 갖고 일 방향으로 배열되는 복수개의 게이트 라인과, 상기 각 게이트 라인과 수직한 방향으로 일정한 간격으로 배열되는 복수개의 데이터 라인과, 상기 각 게이트 라인과 데이터 라인이 교차되어 정의된 각 화소 영역에 매트릭스 형태로 형성되는 복수개의 화소 전극과 상기 게이트 라인의 신호에 의해 스위칭되어 상기 데이터 라인의 신호를 각 화소 전극에 전달하는 복수개의 박막 트랜지스터가 형성된다.
그리고, 제 2 유리 기판(칼라 필터 어레이 기판)에는, 상기 화소 영역을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 차광층과, 칼라 색상을 표현하기 위한 R, G, B 칼라 필터층과 화상을 구현하기 위한 공통 전극이 형성된다.
상기 일반적인 액정 표시 장치의 구동 원리는 액정의 광학적 이방성과 분극 성질을 이용한다. 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 갖고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자 배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자 배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자 배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 상기 액정의 분자 배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상 정보를 표현할 수 있다.
현재에는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬 방식으로 배열된 능동 행렬 액정 표시 장치(Active Matrix LCD)가 해상도 및 동영상 구현 능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 액정 표시 장치를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 트위스트 네마틱형 액정 표시 장치를 나타낸 분해 사시도이다.
도 1과 같이, 일정 공간을 갖고 합착된 하부기판(1) 및 상부기판(2)과, 상기 하부 기판(1)과 상부 기판(2) 사이에 주입된 액정(3)으로 구성되어 있다.
보다 구체적으로 설명하면, 상기 하부 기판(1)은 화소 영역(P)을 정의하기 위하여 일정한 간격을 갖고 일방향으로 복수개의 게이트 라인(4)이 배열되고, 상기 게이트 라인(4)에 수직한 방향으로 일정한 간격을 갖고 복수개의 데이터 라인(5)이 배열되며, 상기 게이트 라인(4)과 데이터 라인(5)이 교차하는 각 화소 영역(P)에는 화소 전극(6)이 형성되고, 상기 각 게이트 라인(4)과 데이터 라인(5)이 교차하는 부분에 박막 트랜지스터(T)가 형성되어 있다.
그리고 상기 상부 기판(2)은 상기 화소 영역(P)을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 차광층(7)과, 컬러 색상을 표현하기 위한 R, G, B 컬러 필터층(8)과, 화상을 구현하기 위한 공통 전극(9)이 형성되어 있다.
여기서, 상기 박막 트랜지스터(T)는 상기 게이트 라인(4)으로부터 돌출된 게이트 전극과, 전면에 형성된 게이트 절연막(도면에는 도시되지 않음)과 상기 게이트 전극 상측의 게이트 절연막 위에 형성된 액티브층과, 상기 데이터 라인(5)으로부터 돌출된 소오스 전극과, 상기 소오스 전극에 대향되도록 드레인 전극을 구비하여 구성된다.
상기 화소 전극(6)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성 금속을 사용한다.
전술한 바와 같이 구성되는 액정 표시 장치는 상기 화소 전극(6)상에 위치한 액정(3)이 상기 박막 트랜지스터(T)로부터 인가된 신호에 의해 배향되고, 상기 액정(3)의 배향 정도에 따라 액정(3)을 투과하는 빛의 양을 조절하는 방식으로 화상을 표현할 수 있다.
전술한 바와 같은 액정 패널은 상-하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하 는 방식으로, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하며, 상부 기판(2)의 공통 전극(9)이 접지 역할을 하게 되어 정전기로 인한 액정 셀의 파괴를 방지할 수 있다.
그러나, 상-하로 걸리는 전기장에 의한 액정 구동은 시야각 특성이 우수하지 못한 단점을 갖고 있다.
따라서, 상기의 단점을 극복하기 위해 새로운 기술 즉, 횡전계형(In-Plane Switching Mode)의 액정 표시 장치가 제안되고 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 횡전계형 액정 표시 장치를 설명하면 다음과 같다.
도 2는 일반적인 횡전계형 액정표시장치를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 2와 같이, 하부 기판(10)상에 화소 전극(12)과 공통 전극(15)이 동일 평면상에 형성되어 있다. 그리고 상기 하부 기판(10)과 일정 공간을 갖고 합착된 상부 기판(20) 사이에 형성된 액정(3)은 상기 하부 기판(10)상의 상기 화소 전극(12)과 공통 전극(15) 사이의 횡전계에 의해 작동한다.
도 3a 내지 도 3b는 횡전계형 액정 표시 장치에서 전압 오프(off)/온(on)시 일어나는 액정의 배향 방향 변화 모습을 나타내는 도면이다.
즉, 도 3a는 화소 전극(12) 또는 공통 전극(15)에 횡전계가 인가되지 않은 오프(off)상태로써, 액정(3)의 배향 방향 변화가 일어나지 않음을 알 수 있다. 도 3b는 상기 화소 전극(12)과 공통 전극(15)에 횡전계가 인가된 온(on) 상태로써, 액정(3)의 배향 방향 변화가 일어나고, 도 3a의 오프 상태와 비교해서 45°정도로 뒤 틀림 각을 가지고, 화소 전극(12)과 공통 전극(15)의 수평방향과 액정의 비틀림 방향이 일치함을 알 수 있다.
상술한 바와 같이 횡전계형 액정표시장치는 동일 평면상에 화소 전극(12)과 공통 전극(15)이 모두 존재한다.
도 4a 및 도 4b는 각각 도 3a 및 도 3b에 따른 액정의 배향 방향을 나타낸 평면도이다.
도 4a와 같이, 화소 전극(12) 또는 공통 전극(15)에 전압이 인가되지 않았을 경우에는 액정 배향방향은 배향막(도시되지 않음)의 러빙 각도와 동일한 방향으로 배열된다.
그리고 도 4b와 같이, 화소 전극(12)과 공통 전극(15)에 전압이 인가되었을 때 액정의 배향 방향은 전기장이 인가되는 방향임을 알 수 있다.
이러한 횡전계 방식의 장점으로는 광시야각이 가능하다는 것이다. 즉, 액정 표시 장치를 정면에서 보았을 때, 상/하/좌/우 방향으로 약 70°방향에서 가시할 수 있다. 그리고, 일반적으로 사용되는 액정 표시 장치에 비해 제작 공정이 간단하고, 시야각에 따른 색의 이동이 적은 장점이 있다.
그러나, 상기와 같은 종래의 횡전계형 액정 표시 장치는 다음과 같은 문제점이 있다.
즉, 횡전계형 액정 표시 장치는 공통 전극(15)과 화소 전극(12)이 동일 기판 상에 존재하기 때문에 빛에 의한 투과율 및 개구율이 저하된다.
특히, 하부 기판(10)에 형성되는 화소 전극(12) 또는 공통 전극(15)을 둘러 싸는 게이트 절연막이나 보호막(미도시)을 SiOx, SiNx 등의 무기 절연막으로 형성하고 상기 하부 기판에 대향되는 상부 기판(미도시)에 형성되는 금속 성분의 차광층(미도시)을 적용할 경우, 게이트 라인 또는 데이터 라인과 금속 성분의 차광층 사이에 전계가 형성되어 수직 크로스 토크, 잔상 등의 불량을 유발시키므로 이를 방지하기 위해 수지(resin) 성분의 차광층을 형성하고 있다.
도 5는 종래의 액정 표시 장치에서 차광층이 형성되는 부위를 나타낸 평면도이다.
도 5와 같이, 하부 기판(10)에 형성된 데이터 라인과 박막 트랜지스터를 포함한 게이트 라인 주변부에 대응되도록 상부 기판(20) 상에 차광층(22)이 형성되어 있다.
그러나, 수지 성분의 차광층(22)은 미세 패턴 형성이 어려워 일정 정도 이상의 개구율 확보에 제한적 요소로 작용하고 있다.
또한, 수지 성분으로 차광층(22)을 형성하게 되면 미세 패턴이 어려울 뿐만 아니라, 패턴의 신뢰성이 떨어지며, 양 기판(10, 20)에 합착을 위해 도포되는 씰재와의 응착 반응을 일으켜, 차광층(22)이 벗겨지는 등의 문제점이 발생하기도 하여 액정 셀의 신뢰성을 저하시킨다.
상기와 같은 종래의 횡전계형 액정 표시 장치는 다음과 같은 문제점이 있다.
즉, 종래의 횡전계형 액정 표시 장치에서는 화소 영역 이외의 부분을 가리는 차광층을 상부 기판에 형성하기 위해서는 마스크를 이용한 노광 공정이 요구되는 데, 노광 공정이 이루어짐에 따라 수율 감소가 일어나고, 상기 차광층의 성분인 수지(resin)가 고가이므로 생산 비용의 상승이라는 문제가 있었다.
또한, 차광층의 배치 자체가 개구율 및 투과율의 저하 요인이었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 상부 기판의 차광층을 생략하여 개구율 및 투과율을 개선한 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치는 하부 기판 및 상부 기판과, 상기 하부 기판 상에 서로 종횡으로 교차되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인과, 상기 게이트 라인과 평행한 방향으로 형성되는 공통 라인과, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차 영역에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터를 포함한 전면에 형성된 보호막과, 상기 보호막 상에 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되어 형성된 화소 전극과, 상기 보호막 상에 화소 전극과 소정 간격 이격되며 상기 데이터 라인과 오버랩되어 형성된 공통 전극과, 상기 상부 기판 상에 상기 게이트 라인 및 공통 라인을 포함한 그 주변부에 대응하여 2색 이상의 색필름이 오버랩되어 형성된 칼라 필터층 및 상기 양 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성됨에 그 특징이 있다.
상기 상하부 기판 상에 형성된 배향막을 더 포함한다.
상기 배향막은 상기 데이터 라인과 평행한 방향으로 러빙 처리되어 있다.
상기 공통 라인은 게이트 라인과 동일층에 형성된다.
상기 화소 전극 및 공통 전극은 데이터 라인 방향에 대해 10°내지 20°의 각도를 가지며 지그재그 형태로 형성된다.
상기 공통 전극은 상기 데이터 라인과 전면 오버랩된다.
상기 화소 전극 및 공통 전극은 금속층과 ITO층의 2중층으로 형성된다.
또한, 상기와 목적을 달성하기 위한 횡전계형 액정 표시 장치의 제조 방법은 하부 기판 상에 수평 방향으로 서로 소정 간격 이격하여 게이트 라인과 공통 라인을 형성하는 단계와, 상기 게이트 라인과 수직한 방향으로 데이터 라인을 형성하는 단계와, 상기 데이터 라인과 오버랩하고 상기 데이터 라인에 평행하는 복수개의 공통 전극을 형성하고, 상기 공통 전극과 교번하는 화소 전극을 형성하는 단계와, 상기 하부 기판에 대향된 상부 기판 상에 상기 게이트 라인 및 공통 라인을 포함한 그 주변부에 대응하여 2색 이상의 색필름을 오버랩하여 칼라 필터층을 형성하는 단계 및 상기 상하부 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐에 그 특징이 있다.
상기 상하부 기판 상에는 상기 데이터 라인과 평행한 방향으로 러빙 처리한 배향막을 더 형성한다.
상기 화소 전극 및 공통 전극은 데이터 라인 방향에 대해 10°내지 20°의 각도를 가지며 지그재그 형태로 형성한다.
상기 화소 전극 및 공통 전극은 금속층과 ITO층의 2중층으로 형성한다.상기 공통 전극은 상기 데이터 라인과 전면 오버랩하여 형성한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제 조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 6은 본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치를 나타낸 평면도이며, 도 7a 내지 도 7b는 각각 도 6의 A~A' 선상, B~B'선상의 구조 단면도이다.
본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치는 도 6 및 도 7a 내지 도 7b에서 알 수 있듯이, 크게 하부 기판(100)과 이에 대향되는 상부 기판(200), 그리고 상기 양 기판(100, 200) 사이에 충진되는 액정층(300)으로 이루어져 있다.
도 6과 같이, 상기 하부 기판(100) 상에는 종횡으로 교차되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인(110)과 데이터 라인(140)이 형성되어 있고, 상기 화소 영역 내에 화소 전극(160) 및 공통 전극(180)이 서로 이격되어 형성되어 있다. 또한, 상기 게이트 라인(110)과 인접하여 평행한 방향으로 공통 라인(120)이 형성되어 있다.
본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치의 구조를 도 7a 및 도 7b를 이용하여 자세히 설명하면 다음과 같다.
도 7a 내지 도 7b와 같이, 상기 하부 기판(100) 상에 소정 영역에는 서로 소정 간격 이격된 게이트 라인(110) 및 공통 라인(도 6의 120)이 형성되어 있고, 상기 게이트 라인(110)을 포함한 전면에는 게이트 절연막(130)이 형성된다.
상기 게이트 절연막(130) 상에 상기 게이트 라인(110)이 형성된 상부를 덮도록 섬 모양의 반도체층(135)이 형성되며, 상기 반도체층(135)의 양측에 소오스/드레인 전극(140a, 140b)이 형성된다.
그리고, 전면에 보호막(150)이 형성되고, 상기 보호막(150) 상에 형성된 콘 택홀을 통해 드레인 전극(140b)과 연결되는 화소 전극(160)과 상기 화소 전극(160)과 소정 간격 이격되어 형성되는 공통 전극(180)이 형성된다. 이 경우 상기 공통 전극(180)은 상기 데이터 라인(140) 상부에서는 상기 데이터 라인(140)을 전면 오버랩하는 패턴으로 형성되며, 상기 게이트 라인(110)과 데이터 라인(150)으로 정의되는 화소 영역 내부에서는 상기 화소 전극(160)과 교번하는 패턴으로 형성된다.
상기 게이트 라인(110)과 데이터 라인(140)의 교차부에는 상기 게이트 라인(110)에서 돌출되어 형성되는 게이트 전극(110a), 반도체층(135), 소오스/드레인 전극(140a/140b)으로 구성되는 박막트랜지스터(TFT)가 형성된다.
그리고, 상기에서 기술한 구성을 가지는 하부 기판(100)에 대향하여 상부 기판(200)이 형성된다. 이 때, 상기 상부 기판(200)에는 차광층이 형성되지 않고, 빛샘 부위에 대응하여 칼라 필터층(210)이 색필름을 2색 이상 겹쳐 형성되고 있다.
이하, 본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치의 하부 기판의 노광 공정을 마스크 패턴을 이용하여 설명한다.
하부 기판(100)의 노광 공정은 5 마스크를 이용하여 진행하며, 도 8a 내지 도 8e에서 도시되어 있는 패턴이 각 노광 공정시에 만들어지는 패턴을 나타낸 평면도이다.
도 8a와 같이, 하부 기판(100) 상에 금속을 증착하고 이를 선택적으로 패터닝하여 수평 방향으로 게이트 라인(110) 및 공통 라인(120)을 형성한다. 이 때, 상기 공통 라인(120)은 게이트 라인(110)과 인접하여 형성한다.
이어, 상기 게이트 라인(110) 및 공통 라인(120)을 포함한 하부 기판(100) 전면에 게이트 절연막(130)을 형성한다.
도 8b와 같이, 상기 게이트 절연막(130)의 소정 영역에 반도체층(135)을 형성한다.
도 8c와 같이, 금속 물질을 증착한 후 이를 선택적으로 패터닝하여 상기 반도체층(135)을 포함한 하부 기판(100)의 전면에 상기 게이트 라인(110)에 수직한 방향으로 데이터 라인(140)을 형성하며, 동일 공정에서 상기 데이터 라인(140)에서 돌출되는 소오스 전극(140a)과 이와 소정 간격 이격되는 드레인 전극(140b)을 형성한다.
도 8d와 같이, 전면에 보호막(150)을 증착한 후, 선택적으로 제거하여 드레인 전극 콘택 홀(155a)과 공통 라인 콘택 홀(155b)을 형성한다. 여기서 상기 드레인 전극 콘택 홀(155a)은 이후 형성될 화소 전극과 하부의 드레인 전극(140b)을 연결하기 위한 것이며, 공통 라인 콘택 홀(155b)은 이후 형성될 공통 전극과 하부의 공통 라인(120)과 연결하기 위한 것이다. 이러한 콘택 홀(155a, 155b)을 형성하는 이유는 화소 전극과 공통 전극에 전압을 인가하기 위해 전원 라인에 연결시키기 위함이다.
도 8e와 같이, 상기 공통 라인 콘택 홀(155b)을 포함한 전면에 ITO 또는 금속/ITO층을 증착한 후 이를 선택적으로 패터닝하여 서로 소정 간격 이격하여 형성되는 화소 전극(160) 및 공통 전극(180)을 형성한다.
이 때, 상기 화소 전극(160)과 공통 전극(180)은 데이터 라인(140)에 대하여 각 전극 패턴이 10°내지 20°의 경사각을 가지며, 지그재그 패턴으로 갖도록 패터 닝한다. 이와 같이, 데이터 라인(140)에 대하여 약간의 경사를 갖는 패턴이 지그재그 패턴으로 형성되면, 한 화소에 대해 도메인이 분할되어 시야각이 개선될 수 있다. 또한, 상기 공통 전극(180)은 상기 데이터 라인(140)을 전면 오버랩할 수 있는 패턴으로 형성하여 상기 데이터 라인(140)과 공통 전극(180) 사이에 빛샘 현상이 일어나지 않도록 한다.여기서, 상기 게이트 절연막(도 7a 및 7b의 130) 및 보호막(도 7a 및 7b의 150)은 포토 아크릴(PhotoAcryl) 또는 BCB(BenzoCycloButene), 폴리아미드(Polyamide) 화합물 등의 유전율이 낮은 유기 절연막으로 형성한다. 이러한 저유전율의 유기 절연막은 하부 기판(100)의 배선이나 전극에 의해 상부 기판(200)과의 수직 전계 현상을 방지하여 크로스 토크 현상을 제어할 수 있다.
상기 화소 전극(160)과 공통 전극(180)은 동일 물질로 동일층에 형성되기도 하며, 도시하지 않았지만, 서로 다른 층에 형성될 수도 있다. 그러나, 집적도를 향상시키기 위해서는 상기 화소 전극(160)과 공통 전극(180)을 동일층에 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치에서는 ITO층 또는 금속/ITO층의 상기 공통 전극(180)이 데이터 라인(140)의 빛을 차광하거나 반사시키므로, 상기 데이터 라인(140)에 대응되는 차광층을 생략할 수 있다.
그리고, 상기 데이터 라인(140) 상부에 형성되는 공통 전극(180)은 상기 데이터 라인(140)과 오버랩하도록 형성하기 때문에, 상기 데이터 라인(140) 주변의 빛샘 현상도 방지할 수 있게 된다.
또한, 상기 화소 전극(160) 및 공통 전극(180)은 ITO층의 단일층이 아닌 금 속층과 ITO층의 2중층으로 형성하여 빛샘 현상을 더욱 방지할 수 있다.
상기 금속층으로는 Cu, Cr, Mo, Al, Ti, Ta, Al 합금 등을 들 수 있다.
이로써, 상기 상부 기판(200) 상에는, 종래의 필수적으로 형성되었던 차광층이 완전히 생략되며, 칼라 색상(R, G, B)을 구현하기 위한 색필름(201, 202, 203)으로 형성된 칼라 필터층(210)과, 상기 칼라 필터층(210)을 포함한 전면에 액정의 초기 배향을 정의하기 위한 제 2 배향막(미도시)이 각각 형성되어 있다. 상기 칼라 필터층(210)은 R, G, B의 색필름으로 이루어진 층이며, 하부 기판(100)에 형성된 박막트랜지스터(TFT)나 그 외 빛샘 부위에 대향되는 부분에는 상기 R, G, B의 색필름 중 2개 이상의 색필름이 오버랩되도록 형성한다. 2색 이상의 색필름이 오버랩하여 차광층의 역할을 하는 것이며, 이 때, 2색 이상의 차광층이 형성된 부위를 관찰자가 보게 되면 어두운 부분으로 인식된다.
여기서, 상기 칼라 필터층(210) 상에는 평탄화를 위한 오버코트층(미도시)을 더 형성할 수 있다.
액정의 초기 배향을 정의하는 상기 제 1, 제 2 배향막은 각각 하부 기판(100)과 상부 기판(200)에 형성되어 있으며, 특히 상기 하부 기판(100) 상에 형성된 제 1 배향막은 상기 데이터 라인(140)과 평행한 방향으로 러빙 처리를 한다.
이 경우 상기 수평으로 서로 인접하여 형성된 게이트 라인(110)과 상기 공통 라인(120)에 전압을 인가하여 게이트 라인(110)과 공통 라인(120) 사이에 전계를 형성하였을 때, 그 전계 방향이 상기 데이터 라인(140)과 평행한 방향으로 형성되 는 것으로 전압 인가시와 전압 인가 전의 액정의 배향이 변하지 않기 때문에 빛샘 현상을 방지할 수 있게 된다.
이는 전압 인가 전에는 배향막의 러빙 처리에 의해 배향되며, 전압 인가 후에는 전기장에 의해 배향되는 액정의 특성을 고려한 것이다.
즉, 상기 게이트 라인(110)과 공통 라인(120) 사이에는 데이터 라인(140)과 평행한 전계가 형성되는데, 종래의 경우 데이터 라인(140)에 5°내지 25°의 러빙 각도로 배향막을 처리하였기 때문에 전압 인가 전에 상기 게이트 라인(110)과 공통 라인(120) 사이에서 상기 러빙 각도에 의해 배향되었던 액정이 회전을 하여 이 부위에서 빛샘 현상이 주로 관찰되었기 때문이다. 본 발명의 이러한 액정 이상 배향으로 인한 빛샘 불량을 배향막의 수직 러빙으로 방지하고 있다.
이어, 각 전극 및 라인의 배치와 액정의 배향과의 관계를 도면을 통해서 살펴보면 다음과 같다.
도 9는 본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치의 공통 전극과 데이터 라인의 배치 관계 및 액정의 배향을 나타낸 단면도이다.
도 9와 같이, 상기 공통 전극(180)은 보호막(150)을 사이에 두고 상기 데이터 라인(140)을 오버랩하고 있다.
전압 인가시에 액정은 공통 전극(180)과 화소 전극(미도시)이 형성하는 전계에 의해 배향하며, 액정의 배향 변화는 평면상에서 배향막의 러빙 처리에 의해 초기 배향 상태에 있던 액정이 데이터 라인(140)에 대한 각도를 달리하며 이루어지는 것이다. 따라서, 전압인가 전이나 후에 액정은 기판면에 누워 있는 상태이다.
도 10은 본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치의 공통 전극과 게이트 라인의 배치 관계 및 액정의 배향을 나타낸 평면도이다.
도 10과 같이, 상기 수평 방향의 게이트 라인(110)과 공통 전극(180) 사이의 전기장과 액정의 배향 방향이 일치하여 전기장이 걸려도 액정의 위치가 변하지 않기 때문에 빛샘이 발생하지 않는다.
이어, 상기에서 기술한 하부 기판의 노광 공정에 대응되는 상부 기판의 노광 공정에 대해 설명한다. 여기서 제시되는 상부 기판은 차광층의 형성이 고려되지 않은 것으로, 칼라 필터층을 구성하는 R, G, B 색 필름을 형성하기 위한 3마스크의 노광 공정이 요구된다.
일반적으로 색 필름을 오버랩시킨 때의 광흡수율은 차광층에 떨어져 색 필름의 오버랩만으로는 콘트라스트비가 부족하며, 본 발명에서는 라인 주변의 빛샘 자체가 종래 구조에 비하여 작기 때문에 색 필름의 오버랩만으로도 충분히 높은 수직 콘트라스트를 얻을 수 있다.
도 11은 도 8의 하부 기판에 대응되는 상부 기판의 2색 필름 이상의 칼라 필터층이 형성되는 부위를 나타낸 평면도이며, 도 12는 도 11의 C~C' 선상을 나타낸 구조 단면도이다.
도 11 및 도 12와 같이, 데이터 라인(140)을 전면 오버랩하는 공통 전극(180)으로 가리워지지 않는, TFT 부위나, 게이트 라인 주변부의 빛샘 부위(205)에 대응하여 색필름(201, 202, 203)을 2색 이상 오버랩한 칼라 필터층(210)을 형성한다.
즉, 본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치는 차광층을 형성하지 않고, 대신 빛샘 현상이 일어나는 부위에 대응하여, 도 6과 같이, 공통 라인(120) 또는 공통 전극(180)을 형성하며, 상기 공통 라인(120) 또는 공통 전극(180)으로 완전히 가리워지지 않는 부위는 도 11 및 도 12와 같이, 칼라 필터층(210)의 색필름(201, 202, 203)을 2색 이상 사용하여 빛샘 현상을 방지하고 있다.
따라서, 본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치는 상부 기판의 형성에 있어, 차광층을 형성하는 마스크 공정이 완전히 생략되며, 칼라 필터층의 각 색필름을 정의하는 3마스크 공정만이 요구된다.
상기와 같은 본 발명의 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 빛샘 불량이 우려되는 부위에 공통 라인 또는 공통 전극을 대응시켜 구성하거나 상부 기판상에 형성되는 칼라 필터층의 색필름을 2색 이상으로 오버랩시킴으로써, 차광층을 횡전계형 액정 표시 장치 구조에서 완전히 제거하여 차광층을 형성하기 위한 마스크 공정을 생략할 수 있다.
즉, 이러한 마스크 공정 생략은 종래와 대비하여 공정 단순화를 통해 수율 향상을 기대할 수 있다.
둘째, 화소 전극 및 공통 전극을 데이터 라인에 대하여 10°내지 20°각도를 갖도록 형성함으로써, 한 화소 내에 도메인 분할이 가능하여 시야각을 개선할 수 있다.
셋째, 차광층의 생략으로 개구율의 향상을 가져올 수 있다.
넷째, 게이트 라인과 공통 라인 사이에 형성되는 전기장 방향으로 배향막을 러빙 처리함으로써, 전압인가 후에도 액정의 배향이 바뀌지 않아, 빛샘 현상을 방지할 수 있다.

Claims (12)

  1. 하부 기판 및 상부 기판;
    상기 하부 기판 상에 서로 종횡으로 교차되어 화소 영역을 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인;
    상기 게이트 라인과 평행한 방향으로 형성되는 공통 라인;
    상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차 영역에 형성된 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터를 포함한 전면에 형성된 보호막과,
    상기 보호막 상에 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되어 형성된 화소 전극;
    상기 보호막 상에 상기 화소 전극과 평행하여 이격된 공통 전극 패턴을 구비하며, 상기 공통 전극 패턴과 연결되며 상기 데이터 라인을 완전히 덮도록 형성된 공통 전극;
    상기 상부 기판 상에 상기 게이트 라인 및 공통 라인을 포함한 그 주변부에 대응하여 2색상의 색필름이 오버랩되어 형성된 칼라 필터층;
    상기 상하부 기판 상에, 각각 데이터 라인과 평행한 방향으로 러빙 처리되어 형성된 배향막; 및
    상기 양 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되어 이루어지며,
    상기 화소 전극 및 공통 전극은 금속층과 ITO(Indium Tin Oxide)층의 이중층으로 형성됨을 특징으로 하는 횡전계형 액정 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 공통 라인은 게이트 라인과 동일층에 형성됨을 특징으로 하는 횡전계형 액정 표시 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 화소 전극 및 공통 전극은 데이터 라인 방향에 대해 10°내지 20°의 각도를 가지며 지그재그 형태로 형성됨을 특징으로 하는 횡전계형 액정 표시 장치.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 하부 기판 상에 수평 방향으로 서로 소정 간격 이격하여 게이트 라인과 공통 라인 및 상기 게이트 라인으로부터 돌출된 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 라인과 수직한 방향으로 데이터 라인을 형성하고, 상기 게이트 전극 양측에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
    금속층과 ITO(Indium Tin Oxide)층의 이중층으로, 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하고, 상기 화소 전극과 평행하며 이격된 공통 전극 패턴과, 상기 공통 전극 패턴과 연결되며 상기 데이터 라인을 완전히 덮도록 형성된 공통 전극을 함께 형성하는 단계;
    상기 하부 기판에 대향된 상부 기판 상에 상기 게이트 라인 및 공통 라인을 포함한 그 주변부에 대응하여 2색상의 색필름을 오버랩하여 칼라 필터층을 형성하는 단계;
    상기 상하부 기판 상에 각각 상기 데이터 라인과 평행한 방향으로 러빙 처리한 배향막을 형성하는 단계; 및
    상기 상하부 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 횡전계형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  9. 삭제
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 화소 전극 및 공통 전극은 데이터 라인 방향에 대해 10°내지 20°의 각도를 가지며 지그재그 형태로 형성함을 특징으로 하는 횡전계형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
KR1020020066619A 2002-10-30 2002-10-30 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 KR100918651B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020066619A KR100918651B1 (ko) 2002-10-30 2002-10-30 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020066619A KR100918651B1 (ko) 2002-10-30 2002-10-30 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040039004A KR20040039004A (ko) 2004-05-10
KR100918651B1 true KR100918651B1 (ko) 2009-09-22

Family

ID=37336860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020066619A KR100918651B1 (ko) 2002-10-30 2002-10-30 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100918651B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101981279B1 (ko) * 2011-09-05 2019-05-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
CN207396936U (zh) * 2017-10-24 2018-05-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0915589A (ja) * 1995-06-26 1997-01-17 Casio Comput Co Ltd カラー液晶表示素子
JPH09113890A (ja) * 1995-10-18 1997-05-02 Seiko Epson Corp 液晶表示装置
KR19980018383A (ko) * 1996-08-05 1998-06-05 가네꼬 히사시 액정 디스플레이 장치
KR20000012025A (ko) * 1998-07-28 2000-02-25 마찌다 가쯔히꼬 액정표시소자
KR20010103193A (ko) * 2000-05-04 2001-11-23 히라이 가쯔히꼬 칼라 필터 및 액정 표시 장치
KR20010106862A (ko) * 2000-05-23 2001-12-07 구본준, 론 위라하디락사 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20020005997A (ko) * 2000-07-10 2002-01-18 가나이 쓰토무 액정 표시 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0915589A (ja) * 1995-06-26 1997-01-17 Casio Comput Co Ltd カラー液晶表示素子
JPH09113890A (ja) * 1995-10-18 1997-05-02 Seiko Epson Corp 液晶表示装置
KR19980018383A (ko) * 1996-08-05 1998-06-05 가네꼬 히사시 액정 디스플레이 장치
KR20000012025A (ko) * 1998-07-28 2000-02-25 마찌다 가쯔히꼬 액정표시소자
KR20010103193A (ko) * 2000-05-04 2001-11-23 히라이 가쯔히꼬 칼라 필터 및 액정 표시 장치
KR20010106862A (ko) * 2000-05-23 2001-12-07 구본준, 론 위라하디락사 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20020005997A (ko) * 2000-07-10 2002-01-18 가나이 쓰토무 액정 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040039004A (ko) 2004-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100698047B1 (ko) 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US8964153B2 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and fabricating method thereof
US20050117092A1 (en) Color filter array substrate and fabricating method thereof
KR20130097879A (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20050045471A (ko) 수평전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100875188B1 (ko) 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20050067906A (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100617038B1 (ko) 액정표시장치
KR101960363B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100577299B1 (ko) 액정표시장치
KR101318247B1 (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100918651B1 (ko) 횡전계형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20050115633A (ko) 횡전계형 액정 표시 장치
KR100989165B1 (ko) 횡전계 방식 액정표시장치 및 제조 방법
KR20050064753A (ko) 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR20050025446A (ko) 액정 표시 장치
KR100628270B1 (ko) 횡전계형 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101888446B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20060058466A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20090056641A (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
JP2010139919A (ja) Ecbモードの液晶表示パネル。
KR100628273B1 (ko) 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR101096688B1 (ko) 횡전계형 액정 표시 장치
KR20040017427A (ko) 횡전계형 액정 표시 장치
KR101023731B1 (ko) 액정표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130619

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140630

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150818

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160816

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170816

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180816

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190814

Year of fee payment: 11