JP6723202B2 - 磁気テープ - Google Patents

Description

本発明は、磁気テープに関する。

磁気記録媒体にはテープ状のものとディスク状のものがあり、データバックアップ等のストレージ用途には、テープ状の磁気記録媒体、即ち磁気テープが主に用いられている。

磁気テープとして、特許文献１には、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側にバックコート層（特許文献１には、「バック層」と記載されている。）を有する磁気テープが開示されている。

特開平１−６０８１９号公報

近年、磁気テープには、磁性層の表面平滑性を高めることが求められている。磁性層の表面平滑性を高めることは、電磁変換特性の向上につながるためである。

しかしながら、本発明者らがバックコート層を有する磁気テープについて検討したところ、特に、磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａが１．８ｎｍ以下になるほど磁性層の表面平滑性を高めた磁気テープでは、磁気テープをドライブにおいて走行させた後に、磁気テープのエッジ部分にダメージ（以下、「エッジダメージ」と記載する。）が発生する現象が顕著であることが判明した。この点について、更に説明すると、磁気テープへの情報の記録および／または記録された情報の再生は、磁気テープカートリッジをドライブにセットし、ドライブ内で磁気テープを走行させて、ドライブに搭載されている磁気ヘッドと磁性層の表面とを接触させ摺動させて行われる。磁気テープは磁気テープカートリッジ内にリールに巻き取られた状態で収容されているため、ドライブ内で磁気テープを走行させている間、リールからの磁気テープの送り出しおよび巻き取りが行われる。この巻き取り時に巻き乱れが生じると、リールのフランジ等に磁気テープのエッジが当たり、エッジダメージが発生してしまう。このエッジダメージは、記録時のエラー増加および／または走行安定性の低下を引き起こし得る。したがって、巻き乱れを抑制してエッジダメージを低減することが求められる。

そこで本発明の目的は、磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａが１．８ｎｍ以下の磁気テープであって、エッジダメージの発生が抑制された磁気テープを提供することにある。

本発明の一態様は、
非磁性支持体の一方の表面側に強磁性粉末、非磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、他方の表面側に非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有する磁気テープであって、
上記強磁性粉末は強磁性六方晶フェライト粉末であり、
上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａ（以下、「磁性層表面粗さＲａ」とも記載する。）は、１．８ｎｍ以下であり、
Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いた上記磁性層のＸ線回折分析により求められる六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１４）に対する（１１０）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１０）の強度比（Ｉｎｔ（１１０）／Ｉｎｔ（１１４）；以下、「ＸＲＤ（Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）強度比」とも記載する。）は０．５以上４．０以下であり、
上記磁気テープの垂直方向角型比は、０．６５以上１．００以下であり、
上記バックコート層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選択される成分の一種以上を含み、かつ
上記バックコート層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度（以下、「バックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度」または「Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度」とも記載する。）は、３５原子％以上である磁気テープ、
に関する。

一態様では、上記Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度は、３５原子％以上６０原子％以下であることができる。

一態様では、上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、１．２ｎｍ以上１．８ｎｍ以下であることができる。

一態様では、上記垂直方向角型比は、０．６５以上０．９０以下であることができる。

一態様では、上記磁気テープは、上記非磁性支持体と上記磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有することができる。

本発明の一態様によれば、磁性層の表面平滑性が高く、かつエッジダメージの発生が抑制された磁気テープを提供することができる。

磁気テープ製造工程の具体的態様の一例（工程概略図）を示す。

本発明の一態様は、非磁性支持体の一方の表面側に強磁性粉末、非磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、他方の表面側に非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有する磁気テープであって、上記強磁性粉末は強磁性六方晶フェライト粉末であり、上記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは１．８ｎｍ以下であり、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いた上記磁性層のＸ線回折分析により求められる六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１４）に対する（１１０）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１０）の強度比（Ｉｎｔ（１１０）／Ｉｎｔ（１１４））は０．５以上４．０以下であり、上記磁気テープの垂直方向角型比は０．６５以上１．００以下であり、上記バックコート層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選択される成分の一種以上を含み、かつ上記バックコート層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は３５原子％以上である磁気テープに関する。

以下、上記磁気テープについて、更に詳細に説明する。以下の記載には、本発明者らの推察が含まれる。かかる推察によって本発明は限定されるものではない。また、以下では、図面に基づき例示的に説明することがある。ただし、例示される態様に本発明は限定されるものではない。

上記磁気テープは、磁性層表面粗さＲａが１．８ｎｍ以下であるもののエッジダメージの発生の抑制が可能である。この点について、本発明者らは次のように考えている。
磁性層表面粗さＲａが１．８ｎｍ以下の磁気テープにおいてエッジダメージの発生が顕著となる理由は、磁性層の表面平滑性が高いことにより、巻き取り時に磁性層の表面とバックコート層の表面との接触状態が不安定になるからではないかと、本発明者らは考えている。これに対し、上記磁気テープでは、ＸＲＤ強度比、垂直方向角型比およびバックコート層表面において測定されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度がそれぞれ上記範囲であることが、磁性層の表面とバックコート層の表面との接触状態の安定性を高めることに寄与し、その結果、巻き乱れに起因して生じるエッジダメージの発生を抑制できると本発明者らは考えている。この点について、より詳しくは後述する。

本発明および本明細書において、磁気テープの「磁性層（の）表面」とは、磁気テープの磁性層側表面と同義である。「バックコート層（の）表面」とは、磁気テープのバックコート層側表面と同義である。また、本発明および本明細書において、「強磁性六方晶フェライト粉末」とは、複数の強磁性六方晶フェライト粒子の集合を意味するものとする。強磁性六方晶フェライト粒子とは、六方晶フェライト結晶構造を有する強磁性粒子である。以下では、強磁性六方晶フェライト粉末を構成する粒子（強磁性六方晶フェライト粒子）を、単に「粒子」とも記載する。「集合」とは、集合を構成する粒子が直接接触している態様に限定されず、結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している態様も包含される。以上の点は、本発明および本明細書における非磁性粉末等の各種粉末についても同様とする。

本発明および本明細書において、方向および角度に関する記載（例えば垂直、直交、平行等）には、特記しない限り、本発明が属する技術分野において許容される誤差の範囲を含むものとする。上記誤差の範囲とは、例えば、厳密な角度±１０°未満の範囲を意味し、厳密な角度±５°以内であることが好ましく、±３°以内であることがより好ましい。

＜磁性層表面粗さＲａ＞
上記磁気テープの磁性層表面において測定される中心線平均表面粗さＲａ（磁性層表面粗さＲａ）は、１．８ｎｍ以下である。磁性層表面粗さＲａが１．８ｎｍ以下であることは、電磁変換特性向上の観点から好ましい。ただし上記の通り、磁性層表面粗さＲａが１．８ｎｍ以下になるほど磁性層の表面平滑性を高めた磁気テープでは、エッジダメージが顕著に発生してしまう。これに対し、上記磁気テープは、ＸＲＤ強度比、垂直方向角型比およびバックコート層表面において測定されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度がそれぞれ上記範囲であることにより、エッジダメージの発生を抑制することができる。電磁変換特性向上の観点からは磁性層表面粗さＲａが小さいことは好ましい。この点から、磁性層表面粗さＲａは、１．７ｎｍ以下であることができ、１．６ｎｍ以下であることもできる。また、磁性層表面粗さＲａは、例えば１．２ｎｍ以上または１．３ｎｍ以上であることができる。ただし電磁変換特性向上の観点からは磁性層表面粗さＲａが小さいほど好ましいため、上記例示した値を下回ってもよい。

本発明および本明細書における磁気テープの磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＡＦＭ）により磁性層表面の面積４０μｍ×４０μｍの領域において測定される値とする。測定条件の一例としては、下記の測定条件を挙げることができる。後述の実施例に示す磁性層表面粗さＲａは、下記測定条件下での測定によって求めた値である。
ＡＦＭ（Ｖｅｅｃｏ社製Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ４）をタッピングモードで用いて磁気テープの磁性層の表面の面積４０μｍ×４０μｍの領域を測定する。探針としてはＢＲＵＫＥＲ社製ＲＴＥＳＰ−３００を使用し、スキャン速度（探針移動速度）は４０μｍ／秒、分解能は５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌとする。

磁性層表面粗さＲａは、公知の方法により制御することができる。例えば、磁性層に含まれる各種粉末（例えば、強磁性六方晶フェライト粉末、非磁性粉末等）のサイズ、磁気テープの製造条件等により磁性層表面粗さＲａは変わり得る。したがって、これらを調整することにより、磁性層表面粗さＲａが１．８ｎｍ以下の磁気テープを得ることができる。

＜ＸＲＤ強度比、垂直方向角型比＞
次に、ＸＲＤ強度比および垂直方向角型比について説明する。
上記磁気テープ装置の磁気テープは、磁性層に強磁性六方晶フェライト粉末および非磁性粉末を含む。磁性層において非磁性粉末は、詳細を後述するように、好ましくは研磨剤または突起形成剤として機能し得る。ただし、磁性層表面および／または磁性層表面近傍に存在する非磁性粉末の粒子（非磁性粒子）が、磁性層表面と磁気ヘッドとの摺動時に磁気ヘッドから力を受けて磁性層内部に適度に沈み込まないと、非磁性粉末の粒子との接触によって磁気ヘッドが削れてしまう（ヘッド削れ）と考えられる。他方、磁性層表面と磁気ヘッドとの摺動時、非磁性粉末の粒子が磁性層内部に沈み込み過ぎると、磁性層表面と磁気ヘッドとが接触（真実接触）する面積が大きくなり摺動時に磁気ヘッドから磁性層表面に加わる力が強くなり、磁性層表面がダメージを受けて磁性層表面が削れる原因になると考えられる。
以上のヘッド削れにより発生する削れ屑および磁性層表面の削れにより発生する削れ屑は、磁性層表面とバックコート層表面との間に介在して、巻き取り時の磁性層表面とバックコート層表面との接触状態の安定性を低下させてしまうと、本発明者らは推察している。
この点に関して本発明者らは、磁性層に含まれる強磁性六方晶フェライト粉末を構成する粒子の中には、磁性層内部に押し込まれた非磁性粉末の粒子を支えて、その沈み込みの程度に影響を及ぼす粒子（以下、「前者の粒子」ともいう。）と、影響を及ぼさないか影響が少ないと考えられる粒子（以下、「後者の粒子」ともいう。）とが存在すると推察している。後者の粒子は、例えば磁性層形成用組成物の調製時に行われる分散処理により粒子が一部欠けること（チッピング（ｃｈｉｐｐｉｎｇ））により発生した微細な粒子と考えられる。
そして本発明者らは、磁性層に含まれる強磁性六方晶フェライト粉末を構成する粒子（強磁性六方晶フェライト粒子）の中で、前者の粒子は、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いたＸ線回折分析において回折ピークをもたらす粒子であり、後者の粒子は微細なため回折ピークをもたらさないか回折ピークへの影響は小さいと考えている。そのため、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いた磁性層のＸ線回折分析によってもたらされる回折ピークの強度に基づけば、磁性層内部に押し込まれた非磁性粉末の粒子を支えて、その沈み込みの程度に影響を及ぼす強磁性六方晶フェライト粒子の磁性層における存在状態を制御することができ、その結果、非磁性粉末の粒子の沈み込みの程度を制御することが可能になると本発明者らは推察している。詳しくは、非磁性粉末の粒子は、ＸＲＤ強度比の値が小さいほど沈み込み易く、その値が大きいほど沈み込み難いと推察している。ＸＲＤ強度比が０．５以上４．０以下であることにより、非磁性粉末の粒子の沈み込みを、上記のヘッド削れおよび磁性層表面の削れを抑制し得る程度に適度に制御することができると、本発明者らは考えている。このことが、ヘッド削れにより発生する削れ屑および磁性層表面の削れにより発生する削れ屑が磁性層表面とバックコート層表面との間に介在して巻き取り時の磁性層表面とバックコート層表面との接触状態の安定性を低下させることを抑制することにつながると、本発明者らは推察している。
一方、垂直方向角型比とは、磁性層表面に対して垂直な方向で測定される飽和磁化に対する残留磁化の比であって、残留磁化が小さいほど値が小さくなる。上記の後者の粒子は微細であり磁化を保持し難いと考えられるため、磁性層において後者の粒子が多く含まれるほど、垂直方向角型比は小さくなる傾向があると推察される。そのため、垂直方向角型比は、磁性層における上記の後者の粒子（微細な粒子）の存在量の指標になり得ると本発明者らは考えている。更に本発明者らは、かかる微細な粒子が磁性層に多く含まれるほど、磁性層の強度が低下し磁気ヘッド等との接触によって磁性層表面が削れやすくなり、削れて発生した削れ屑が磁性層表面とバックコート層表面との間に介在して、巻き取り時の磁性層表面とバックコート層表面との接触状態の安定性を低下させてしまうと推察している。これに対し、垂直方向角型比が０．６５以上１．００以下の磁性層は、上記の後者の粒子（微細な粒子）の存在量が低減されているため磁性層表面が削れ難いことが、結果的に、巻き取り時の磁性層表面とバックコート層表面との接触状態の安定性を高めることに寄与すると、本発明者らは考えている。
以上のように、ＸＲＤ強度比が０．５以上４．０以下であることおよび垂直方向角型比が０．６５以上１．００以下であることは、巻き取り時の磁性層表面とバックコート層表面との接触状態の安定性を高めることにつながり、結果的に、エッジダメージの発生を抑制することに寄与すると、本発明者らは推察している。
ただし以上は推察であって、本発明を何ら限定するものではない。

（ＸＲＤ強度比）
ＸＲＤ強度比は、強磁性六方晶フェライト粉末を含む磁性層をＩｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いてＸ線回折分析することによって求められる。以下において、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いて行われるＸ線回折分析を、「Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤ」とも記載する。Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤは、薄膜Ｘ線回折装置を用いて、以下の条件で、磁性層表面にＸ線を照射して行うものとする。測定方向は、磁気テープの長手方向とする。
Ｃｕ線源使用（出力４５ｋＶ、２００ｍＡ）
Ｓｃａｎ条件：２０〜４０ｄｅｇｒｅｅの範囲を０．０５ｄｅｇｒｅｅ／ｓｔｅｐ、０．１ｄｅｇｒｅｅ／ｍｉｎ
使用光学系：平行光学系
測定方法：:２θχスキャン(Ｘ線入射角０．２５°)
上記条件は、薄膜Ｘ線回折装置における設定値である。薄膜Ｘ線回折装置としては、公知の装置を用いることができる。薄膜Ｘ線回折装置の一例としては、リガク社製ＳｍａｒｔＬａｂを挙げることができる。Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤの分析に付す試料は、測定対象の磁気テープから切り出したテープ試料であって、後述する回折ピークが確認できればよく、その大きさおよび形状は限定されるものではない。

Ｘ線回折分析の手法としては、薄膜Ｘ線回折と粉末Ｘ線回折が挙げられる。粉末Ｘ線回折は粉末試料のＸ線回折を測定するのに対し、薄膜Ｘ線回折によれば基板上に形成された層等のＸ線回折を測定することができる。薄膜Ｘ線回折は、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法とＯｕｔ−Ｏｆ−Ｐｌａｎｅ法とに分類される。測定時のＸ線入射角は、Ｏｕｔ−Ｏｆ−Ｐｌａｎｅ法では５．００〜９０．００°の範囲であるのに対し、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法では通常０．２０〜０．５０°の範囲である。本発明および本明細書におけるＩｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤでは、上記の通りＸ線入射角は０．２５°とする。Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法は、Ｏｕｔ−Ｏｆ−Ｐｌａｎｅ法と比べてＸ線入射角が小さいためＸ線の侵入深さが浅い。したがって、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いるＸ線回折分析（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤ）によれば、測定対象試料の表層部のＸ線回折分析を行うことができる。テープ試料については、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤによれば磁性層のＸ線回折分析を行うことができる。上記のＸＲＤ強度比とは、かかるＩｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤにより得られたＸ線回折スペクトルの中で、六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１４）に対する（１１０）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１０）の強度比（Ｉｎｔ（１１０）／Ｉｎｔ（１１４））である。Ｉｎｔは、Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ（強度）の略称として用いている。Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤにより得られるＸ線回折スペクトル（縦軸：Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ、横軸：回折角２θχ（ｄｅｇｒｅｅ））において、（１１４）面の回折ピークは、２θχが３３〜３６ｄｅｇｒｅｅの範囲で検出されるピークであり、（１１０）面の回折ピークは、２θχが２９〜３２ｄｅｇｒｅｅの範囲で検出されるピークである。

回折面の中で、六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面は、強磁性六方晶フェライト粉末の粒子（強磁性六方晶フェライト粒子）の磁化容易軸方向（ｃ軸方向）近くに位置する。また、六方晶フェライト結晶構造の（１１０）面は、磁化容易軸方向と直交する方向に位置する。
本発明者らは、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤによって求められるＸ線回折スペクトルにおいて、六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１４）に対する（１１０）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１０）の強度比（Ｉｎｔ（１１０）／Ｉｎｔ（１１４）；ＸＲＤ強度比）が大きいほど、磁化容易軸方向と直交する方向が磁性層表面に対してより平行に近い状態で存在する前者の粒子が磁性層に多く存在することを意味し、ＸＲＤ強度比が小さいほど、そのような状態で存在する前者の粒子が磁性層に少ないことを意味すると推察している。そして、ＸＲＤ強度比が０．５以上４．０以下である状態とは、前者の粒子が磁性層において適度に整列した状態にあることを意味すると考えられる。このことが、巻き取り時の磁性層表面とバックコート層表面との接触状態の安定性を高めることにつながり、結果的に、エッジダメージの発生を抑制することに寄与すると本発明者らは推察している。その推察の詳細は、先に記載した通りである。
ＸＲＤ強度比は、エッジダメージの発生をより一層抑制する観点から、３．５以下であることが好ましく、３．０以下であることがより好ましい。また、同様の観点から、ＸＲＤ強度比は、０．７以上であることが好ましく、１．０以上であることがより好ましい。ＸＲＤ強度比は、例えば、磁気テープの製造工程において行われる配向処理の処理条件によって制御することができる。配向処理としては、垂直配向処理を行うことが好ましい。垂直配向処理は、好ましくは、湿潤状態（未乾燥状態）の磁性層形成用組成物の塗布層の表面に対して垂直に磁場を印加することにより行うことができる。配向条件を強化するほど、ＸＲＤ強度比の値は大きくなる傾向がある。配向処理の処理条件としては、配向処理における磁場強度等が挙げられる。配向処理の処理条件は特に限定されるものではない。０．５以上４．０以下のＸＲＤ強度比が実現できるように配向処理の処理条件を設定すればよい。一例として、垂直配向処理における磁場強度は、０．１０〜０．８０Ｔとすることができ、または０．１０〜０．６０Ｔとすることもできる。磁性層形成用組成物における強磁性六方晶フェライト粉末の分散性を高めるほど、垂直配向処理によりＸＲＤ強度比の値は大きくなる傾向がある。

（垂直方向角型比）
垂直方向角型比とは、磁気テープの垂直方向において測定される角型比である。角型比に関して記載する「垂直方向」とは、磁性層表面と直交する方向をいう。即ち磁気テープについて、垂直方向は、磁気テープの長手方向と直交する方向でもある。垂直方向角型比は、振動試料型磁束計を用いて測定される。詳しくは、本発明および本明細書における垂直方向角型比は、振動試料型磁束計において、２３℃±１℃の測定温度において、磁気テープに外部磁場を最大外部磁場１１９４ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）かつスキャン速度４．８ｋＡ／ｍ／秒（６０Ｏｅ／秒）の条件で掃引して求められる値であって、反磁界補正後の値とする。測定値は、振動試料型磁束計のサンプルプローブの磁化をバックグラウンドノイズとして差し引いた値として得るものとする。

上記テープの垂直方向角型比は、０．６５以上である。本発明者らは、磁気テープの垂直方向角型比は、先に記載した後者の粒子（微細な粒子）の存在量の指標になり得ると推察している。磁気テープの垂直方向角型比が０．６５以上である磁性層は、かかる微細な粒子の存在量が少ないと考えられる。このことも、詳細を先に記載したように、エッジダメージの発生を抑制することに寄与すると本発明者らは推察している。
エッジダメージの発生をより一層抑制する観点から、上記垂直方向角型比は０．６８以上であることが好ましく、０．７０以上であることがより好ましく、０．７３以上であることが更に好ましく、０．７５以上であることが一層好ましい。また、角型比は、原理上、最大で１．００である。したがって、上記磁気テープの垂直方向角型比は１．００以下である。上記垂直方向角型比は、例えば０．９５以下、０．９０以下、０．８７以下または０．８５以下であってもよい。上記垂直方向角型比の値が大きいほど、磁性層中に上記の微細な後者の粒子が少なくエッジダメージの発生をより一層抑制する観点から好ましいと考えられる。したがって、上記垂直方向角型比は、上記例示した値を上回ってもよい。

上記垂直方向角型比を０．６５以上とするためには、磁性層形成用組成物の調製工程において、粒子が一部欠けること（チッピング）によって微細な粒子が発生することを抑制することが好ましいと本発明者らは考えている。チッピングの発生を抑制するための具体的手段は後述する。

＜バックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度＞
上記磁気テープのバックコート層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、３５原子％以上である。このことも、磁性層表面粗さＲａが１．８ｎｍ以下の磁気テープにおいて、エッジダメージの発生を抑制することに寄与すると本発明者らは考えている。エッジダメージの発生をより一層抑制する観点から、バックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、４０原子％以上であることが好ましく、４５原子％以上であることがより好ましく、５０原子％以上であることが更に好ましい。また、バックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、例えば７０原子％以下、または６０原子％以下であることができる。ただしバックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、上記の例示した値を上回ってもよい。エッジダメージの発生を抑制する観点からは、バックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は高いほど好ましいと考えられるためである。バックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度を調整するための手段の具体的態様は、後述する。

バックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、Ｘ線光電子分光分析を行い求められる。Ｘ線光電子分光分析は、一般にＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）またはＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）とも呼ばれる分析法である。以下において、Ｘ線光電子分光分析を、ＥＳＣＡとも記載する。ＥＳＣＡは、測定対象試料表面にＸ線を照射すると光電子が放出されることを利用する分析法であり、測定対象試料の表層部の分析法として広く用いられている。ＥＳＣＡによれば、測定対象の試料表面における分析により取得されるＸ線光電子分光スペクトルを用いて定性分析および定量分析を行うことができる。試料表面から分析位置までの深さ（以下、「検出深さ」とも記載する。）と光電子取り出し角（ｔａｋｅ−ｏｆｆ ａｎｇｌｅ）との間には、一般に次の式：検出深さ≒電子の平均自由行程×３×ｓｉｎθ、が成立する。式中、検出深さは、Ｘ線光電子分光スペクトルを構成する光電子の９５％が発生する深さであり、θは光電子取り出し角である。上記の式から、光電子取り出し角が小さいほど試料表面からの深さが浅い部分が分析でき、光電子取り出し角が大きいほど深い部分が分析できることがわかる。そして光電子取り出し角１０度でのＥＳＣＡによって行われる分析では、通常、試料表面から深さ数ｎｍ程度のごく表層部が分析位置になる。したがって、磁気テープのバックコート層表面において、光電子取り出し角１０度でＥＳＣＡによって行われる分析によれば、バックコート層表面から深さ数ｎｍ程度のごく表層部の組成分析を行うことができる。
上記のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度とは、ＥＳＣＡによって行われる定性分析により検出される全元素の合計（原子基準）１００原子％に対して、Ｃ−Ｈ結合を構成している炭素原子Ｃが占める割合である。上記磁気テープは、バックコート層に、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含む。これら成分の一種以上をバックコート層に含む磁気テープのバックコート層表面において、光電子取り出し角１０度でＥＳＣＡによって行われる分析により得られるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、バックコート層のごく表層部における上記成分（脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上）の存在量の指標になるものであると考えられる。詳しくは、次の通りである。
ＥＳＣＡによって行われる分析により得られるＸ線光電子分光スペクトル（横軸：結合エネルギー、縦軸：強度）の中で、Ｃ１ｓスペクトルは、炭素原子Ｃの１ｓ軌道のエネルギーピークに関する情報を含んでいる。かかるＣ１ｓスペクトルにおいて、結合エネルギー２８４．６ｅＶ付近に位置するピークが、Ｃ−Ｈピークである。このＣ−Ｈピークは、有機化合物のＣ−Ｈ結合の結合エネルギーに由来するピークである。脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含むバックコート層のごく表層部では、Ｃ−Ｈピークの主要構成成分が脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分であると推察される。そのため、上記のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度を、バックコート層のごく表層部における上記成分（脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上）の存在量の指標とすることができると考えられる。詳しくは、バックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度の値は、バックコート層のごく表層部に存在する脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の量が多いほど大きくなり、上記の量が少ないほど小さくなると考えられる。本発明者らは、バックコート層のごく表層部に、Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度が３５原子％以上となるように脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分を多量に存在させることにより、巻き取り時のバックコート層の表面の磁性層表面に対する滑り性を良化させることができると考えている。このことが巻き取り時の磁性層表面とバックコート層表面との接触状態の安定性を高めることに寄与し、結果的に、エッジダメージの発生を抑制することにつながるのではないかと本発明者らは推察している。

先に記載した通り、バックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、ＥＳＣＡを用いる分析により求められる値である。分析を行う領域は、磁気テープのバックコート層表面の任意の位置の３００μｍ×７００μｍの面積の領域とする。ＥＳＣＡによって行われるワイドスキャン測定（パスエネルギー：１６０ｅＶ、スキャン範囲：０〜１２００ｅＶ、エネルギー分解能：１ｅＶ／ｓｔｅｐ）により定性分析を実施する。次いで、定性分析により検出された全元素のスペクトルをナロースキャン測定（パスエネルギー：８０ｅＶ、エネルギー分解能：０．１ｅＶ、スキャン範囲：測定するスペクトルの全体が入るように元素毎に設定。）により求める。こうして得られた各スペクトルにおけるピーク面積から、各元素の原子濃度（ａｔｏｍｉｃ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ、単位：原子％）を算出する。ここでＣ１ｓスペクトルのピーク面積から炭素原子の原子濃度（Ｃ濃度）も算出される。
更に、Ｃ１ｓスペクトルを取得する（パスエネルギー：１０ｅＶ、スキャン範囲：２７６〜２９６ｅＶ、エネルギー分解能：０．１ｅＶ／ｓｔｅｐ）。取得したＣ１ｓスペクトルを、ガウス−ローレンツ複合関数（ガウス成分７０％、ローレンツ成分３０％）を用いる非線形最小二乗法によってフィッティング処理し、Ｃ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈ結合のピークをピーク分離し、分離されたＣ−ＨピークのＣ１ｓスペクトルに占める割合（ピーク面積率）を算出する。算出されたＣ−Ｈピーク面積率を、上記のＣ濃度に掛けることにより、Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度を算出する。
以上の処理を磁気テープのバックコート層表面の異なる位置において３回行って得られた値の算術平均を、バックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度とする。また、以上の処理の具体的態様を、後述の実施例に示す。

以上説明したバックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度を３５原子％以上に調整するための好ましい手段としては、詳細を後述するように、バックコート層形成工程において冷却工程を実施することを挙げることができる。ただし上記磁気テープは、かかる冷却工程を経て製造されたものに限定されるものではない。

以下、上記磁気テープについて、更に詳細に説明する。

＜磁性層＞
（強磁性粉末）
上記磁気テープの磁性層は、強磁性粉末として強磁性六方晶フェライト粉末を含む。強磁性六方晶フェライト粉末に関して、六方晶フェライトの結晶構造としては、マグネトプランバイト型（「Ｍ型」とも呼ばれる。）、Ｗ型、Ｙ型およびＺ型が知られている。上記磁性層に含まれる強磁性六方晶フェライト粉末は、いずれの結晶構造を取るものであってもよい。また、六方晶フェライトの結晶構造には、構成原子として、鉄原子および二価金属原子が含まれる。二価金属原子とは、イオンとして二価のカチオンになり得る金属原子であり、バリウム原子、ストロンチウム原子、カルシウム原子等のアルカリ土類金属原子、鉛原子等を挙げることができる。例えば、二価金属原子としてバリウム原子を含む六方晶フェライトは、バリウムフェライトであり、ストロンチウム原子を含む六方晶フェライトは、ストロンチウムフェライトである。また、六方晶フェライトは、二種以上の六方晶フェライトの混晶であってもよい。混晶の一例としては、バリウムフェライトとストロンチウムフェライトの混晶を挙げることができる。

強磁性六方晶フェライト粉末の粒子サイズの指標としては、活性化体積を用いることができる。「活性化体積」とは、磁化反転の単位である。本発明および本明細書に記載の活性化体積は、振動試料型磁束計を用いて保磁力Ｈｃ測定部の磁場スイープ速度３分と３０分とで雰囲気温度２３℃±１℃の環境下で測定し、以下のＨｃと活性化体積Ｖとの関係式から求められる値である。
Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１−［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］^１／２｝
［上記式中、Ｋｕ：異方性定数、Ｍｓ：飽和磁化、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度、Ｖ：活性化体積、Ａ：スピン歳差周波数、ｔ：磁界反転時間］
高密度記録化を達成するための方法としては、磁性層に含まれる強磁性粉末の粒子サイズを小さくし、磁性層の強磁性粉末の充填率を高める方法が挙げられる。この点から、強磁性六方晶フェライト粉末の活性化体積は、２５００ｎｍ^３以下であることが好ましく、２３００ｎｍ^３以下であることがより好ましく、２０００ｎｍ^３以下であることが更に好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、活性化体積は、例えば８００ｎｍ^３以上であることが好ましく、１０００ｎｍ^３以上であることがより好ましく、１２００ｎｍ^３以上であることが更に好ましい。

強磁性六方晶フェライト粉末を構成する粒子の形状は、強磁性六方晶フェライト粉末を透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントして得た粒子写真において、デジタイザーで粒子（一次粒子）の輪郭をトレースして特定するものとする。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。透過型電子顕微鏡を用いる撮影は、加速電圧３００ｋＶで透過型電子顕微鏡を用いて直接法により行うものとする。透過型電子顕微鏡観察および測定は、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型およびカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて行うことができる。強磁性六方晶フェライト粉末を構成する粒子の形状に関して、「板状」とは、対向する２つの板面を有する形状をいう。一方、そのような板面を持たない粒子形状の中で、長軸と短軸の区別のある形状が「楕円状」である。長軸とは、粒子の長さを最も長く取ることができる軸（直線）として決定する。一方、短軸とは、長軸と直交する直線で粒子長さを取ったときに長さが最も長くなる軸として決定する。長軸と短軸の区別がない形状、即ち長軸長＝短軸長となる形状が「球状」である。形状から長軸および短軸が特定できない形状を不定形と呼ぶ。上記の粒子形状特定のための透過型電子顕微鏡を用いる撮影は、撮影対象粉末に配向処理を施さずに行う。磁性層形成用組成物の調製に用いる強磁性六方晶フェライト粉末および磁性層に含まれる強磁性六方晶フェライト粉末の形状は、板状、楕円状、球状および不定形のいずれでもよい。

なお本発明および本明細書に記載の各種粉末に関する平均粒子サイズは、上記のように撮影された粒子写真を用いて、無作為に抽出した５００個の粒子について求められた値の算術平均とする。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて得られた値である。

強磁性六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１３４〜０１３６も参照できる。

磁性層における強磁性六方晶フェライト粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。磁性層の強磁性六方晶フェライト粉末以外の成分は少なくとも結合剤および非磁性粉末であり、任意に一種以上の添加剤が含まれ得る。磁性層において強磁性六方晶フェライト粉末の充填率が高いことは、記録密度向上の観点から好ましい。

（結合剤、硬化剤）
上記磁気テープは塗布型磁気テープであって、磁性層に結合剤を含む。結合剤とは、一種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、バックコート層および／または後述する非磁性層においても結合剤として使用することができる。以上の結合剤については、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００２８〜００３１を参照できる。結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。測定条件としては、下記条件を挙げることができる。後述の実施例に示す重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ−８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ(ｉｎｎｅｒ ｄｉａｍｅｔｅｒ（内径）)×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）

また、上記結合剤として使用可能な樹脂とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一態様では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一態様では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁性層形成工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。この点は、バックコート層形成用組成物等の他の層を形成するために用いられる組成物が硬化剤を含む場合に、この組成物を用いて形成される層についても、同様である。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１２４〜０１２５を参照できる。硬化剤は、磁性層形成用組成物中に、結合剤１００．０質量部に対して例えば０〜８０．０質量部、磁性層の強度向上の観点からは好ましくは５０．０〜８０．０質量部の量で使用することができる。

（非磁性粉末）
磁性層に含まれる非磁性粉末としては、磁性層表面に適度に突出する突起を形成する突起形成剤として機能することができる非磁性粉末（以下、「突起形成剤」と記載する。）、および研磨剤として機能することができる非磁性粉末（以下、「研磨剤」と記載する。）を挙げることができる。ＸＲＤ強度比が０．５以上４．０以下である磁性層では、非磁性粉末の粒子の磁性層内部への沈み込みを適度に制御できることが、結果的にエッジダメージの発生を抑制することにつながると本発明者らは推察している。その推察の詳細は、先に記載した通りである。

非磁性粉末の一態様である突起形成剤としては、一般に突起形成剤として使用される各種非磁性粉末を用いることができる。これらは、無機物質であっても有機物質であってもよい。一態様では、摩擦特性の均一化の観点からは、突起形成剤の粒度分布は、分布中に複数のピークを有する多分散ではなく、単一ピークを示す単分散であることが好ましい。単分散粒子の入手容易性の点からは、突起形成剤は無機物質の粉末（無機粉末）であることが好ましい。無機粉末としては、金属酸化物等の無機酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等の粉末を挙げることができ、無機酸化物の粉末であることが好ましい。突起形成剤は、より好ましくはコロイド粒子であり、更に好ましくは無機酸化物コロイド粒子である。また、単分散粒子の入手容易性の観点からは、無機酸化物コロイド粒子を構成する無機酸化物は二酸化珪素（シリカ）であることが好ましい。無機酸化物コロイド粒子は、コロイダルシリカ（シリカコロイド粒子）であることがより好ましい。本発明および本明細書において、「コロイド粒子」とは、少なくとも、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、トルエンもしくは酢酸エチル、または上記溶媒の二種以上を任意の混合比で含む混合溶媒の少なくとも１つの有機溶媒１００ｍＬあたり１ｇ添加した際に、沈降せず分散しコロイド分散体をもたらすことのできる粒子をいうものとする。また、他の一態様では、突起形成剤は、カーボンブラックであることも好ましい。

突起形成剤の平均粒子サイズは、例えば３０〜３００ｎｍであり、好ましくは４０〜２００ｎｍである。

非磁性粉末の他の一態様である研磨剤は、好ましくはモース硬度８超の非磁性粉末であり、モース硬度９以上の非磁性粉末であることがより好ましい。なおモース硬度の最大値は、ダイヤモンドの１０である。具体的には、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、炭化珪素、ボロンカーバイド（Ｂ_４Ｃ）、ＳｉＯ_２、ＴｉＣ、酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）、酸化セリウム、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化鉄、ダイヤモンド等の粉末を挙げることができ、中でもα−アルミナ等のアルミナ粉末および炭化珪素粉末が好ましい。また、研磨剤の粒子サイズに関しては、粒子サイズの指標である比表面積として、例えば１４ｍ^２／ｇ以上、好ましくは１６ｍ^２／ｇ以上、より好ましくは１８ｍ^２／ｇ以上である。また、研磨剤の比表面積は、例えば４０ｍ^２／ｇ以下であることができる。比表面積とは、窒素吸着法（ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）１点法とも呼ばれる。）により求められる値であって、一次粒子について測定する値とする。以下において、かかる方法により求められる比表面積を、ＢＥＴ比表面積とも記載する。

また、突起形成剤および研磨剤が、それらの機能をより良好に発揮することができるという観点から、磁性層における突起形成剤の含有量は、好ましくは強磁性六方晶フェライト粉末１００．０質量部に対して、１．０〜４．０質量部であり、より好ましくは１．５〜３．５質量部である。一方、研磨剤については、磁性層における含有量は、好ましくは強磁性六方晶フェライト粉末１００．０質量部に対して１．０〜２０．０質量部であり、より好ましくは３．０〜１５．０質量部であり、更に好ましくは４．０〜１０．０質量部である。

（その他の成分）
磁性層には、上記の各種成分とともに、必要に応じて一種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤は、所望の性質に応じて市販品を適宜選択して使用することができる。または、公知の方法で合成された化合物を添加剤として使用することもできる。添加剤の一例としては、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれ得る添加剤としては、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。例えば、分散剤としては、カルボキシ基含有化合物、含窒素化合物等の公知の分散剤を挙げることもできる。例えば、含窒素化合物は、ＮＨ_２Ｒで表される第一級アミン、ＮＨＲ_２で表される第二級アミン、ＮＲ_３で表される第三級アミンのいずれであってもよい。上記において、Ｒは含窒素化合物を構成する任意の構造を示し、複数存在するＲは同一であっても異なっていてもよい。含窒素化合物は、分子中に複数の繰り返し構造を有する化合物（ポリマー）であってもよい。含窒素化合物の含窒素部が強磁性六方晶フェライト粉末の粒子表面への吸着部として機能することが、含窒素化合物が分散剤として働くことができる理由と考えられる。カルボキシ基含有化合物としては、例えばオレイン酸等の脂肪酸を挙げることができる。カルボキシ基含有化合物については、カルボキシ基が強磁性六方晶フェライト粉末の粒子表面への吸着部として機能することが、カルボキシ基含有化合物が分散剤として働くことができる理由と考えられる。カルボキシ基含有化合物と含窒素化合物を併用することも、好ましい。

また、研磨剤を含む磁性層に使用され得る添加剤の一例としては、特開２０１３−１３１２８５号公報の段落００１２〜００２２に記載の分散剤を、磁性層形成用組成物における研磨剤の分散性を向上させるための分散剤として挙げることができる。研磨剤等の非磁性粉末の磁性層形成用組成物における分散性を向上させることは、磁性層表面粗さＲａを小さくするうえで好ましい。

＜バックコート層＞
（脂肪酸、脂肪酸アミド）
上記磁気テープは、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上をバックコート層に含む。バックコート層には、脂肪酸および脂肪酸アミドの一方のみが含まれていてもよく、両方が含まれていてもよい。先に記載したように、これら成分がバックコート層のごく表層部に多量に存在することが、上記磁気テープにおいて、エッジダメージの発生を抑制することに寄与すると、本発明者らは考えている。

脂肪酸としては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等を挙げることができ、ステアリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸が好ましく、ステアリン酸がより好ましい。脂肪酸は、金属塩等の塩の形態でバックコート層に含まれていてもよい。
脂肪酸アミドとしては、各種脂肪酸のアミド、例えば、ラウリン酸アミド、ミリスチン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド等を挙げることができる。
脂肪酸と脂肪酸の誘導体（アミドおよび後述のエステル等）については、脂肪酸誘導体の脂肪酸由来部位は、併用される脂肪酸と同様または類似の構造を有することが好ましい。例えば、一例として、脂肪酸としてステアリン酸を用いる場合にステアリン酸アミドやステアリン酸エステルを使用することは好ましい。

脂肪酸含有量は、バックコート層に含まれる非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０．１〜１０.０質量部であり、好ましくは１．０〜７．０質量部である。なおバックコート層に二種以上の異なる脂肪酸が含まれる場合、含有量とは、それらの合計含有量をいうものとする。この点は、本発明および本明細書において、特記しない限り、他の成分の含有量についても同様とする。また、本発明および本明細書において、特記しない限り、ある成分は、一種のみ用いてもよく二種以上用いてもよい。

バックコート層中の脂肪酸アミド含有量は、バックコート層に含まれる非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０．１〜３.０質量部であり、好ましくは ０．１〜１．０質量部である。

（脂肪酸エステル）
以上説明した脂肪酸および脂肪酸アミドは、潤滑剤として機能し得る成分である。一方、脂肪酸エステルも潤滑剤として機能し得る成分である。バックコート層には、脂肪酸エステルが含まれていてもよく、含まれていなくてもよい。脂肪酸エステルは、一般に磁気テープの走行耐久性を向上することに寄与する潤滑剤と言われているため、例えば耐傷性向上のために、バックコート層に脂肪酸エステルが含まれていてもよい。
脂肪酸エステルとしては、上記の各種脂肪酸のエステル、例えば、ミリスチン酸ブチル、パルミチン酸ブチル、ステアリン酸ブチル（ブチルステアレート）、ネオペンチルグリコールジオレエート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンジステアレート、ソルビタントリステアレート、オレイン酸オレイル、ステアリン酸イソセチル、ステアリン酸イソトリデシル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸ブトキシエチル等を挙げることができる。

脂肪酸エステル含有量は、バックコート層に含まれる非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０.０質量部であり、好ましくは１．０〜７．０質量部である。

以上説明した脂肪酸、脂肪酸アミドおよび脂肪酸エステルからなる群から選ばれる成分の一種以上は、バックコート層以外の層に含まれていてもよい。例えば磁性層および／または非磁性層に、上記成分の一種以上が含まれていてもよい。その場合の各成分の含有量については、非磁性層に関して、上記のバックコート層に含まれる非磁性粉末に対する含有量を、非磁性層に含まれる非磁性粉末に対する含有量と読み替えて適用することができる。磁性層に関しては、非磁性粉末に対する含有量を、強磁性六方晶フェライト粉末に対する含有量と読み替えて適用することができる。

（非磁性粉末）
バックコート層の非磁性粉末としては、カーボンブラックと、カーボンブラック以外の非磁性粉末と、のいずれか一方または両方を使用することができる。カーボンブラックを用いるか、カーボンブラックとカーボンブラック以外の非磁性粉末とを併用することが好ましい。カーボンブラック以外の非磁性粉末としては、非磁性無機粉末を挙げることができる。具体例としては、α−酸化鉄等の酸化鉄、二酸化チタン等のチタン酸化物、酸化セリウム、酸化スズ、酸化タングステン、ＺｎＯ、ＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、α−アルミナ、β−アルミナ、γ−アルミナ、ゲータイト、コランダム、窒化珪素、チタンカーバイド、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、二硫化モリブデン、酸化銅、ＭｇＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、ＢａＣＯ_３、ＳｒＣＯ_３、ＢａＳＯ_４、炭化珪素、炭化チタン等の非磁性無機粉末を挙げることができる。好ましい非磁性無機粉末は、非磁性無機酸化物粉末であり、より好ましくはα−酸化鉄および酸化チタンであり、更に好ましくはα−酸化鉄である。

カーボンブラック以外の非磁性粉末の形状は、針状、球状、多面体状、板状等のいずれの形状でもよい。これら非磁性粉末の平均粒子サイズは、０．００５〜２．００μｍの範囲であることが好ましく、０．０１〜０．２０μｍの範囲であることが更に好ましい。また、非磁性粉末のＢＥＴ比表面積は、１〜１００ｍ^２／ｇの範囲であることが好ましく、より好ましくは５〜７０ｍ^２／ｇ、更に好ましくは１０〜６５ｍ^２／ｇの範囲である。一方、カーボンブラックの平均粒子サイズは、例えば５〜８０ｎｍの範囲であり、好ましくは１０〜５０ｎｍ、さらに好ましくは１０〜４０ｎｍの範囲である。バックコート層における非磁性粉末の含有量（充填率）については、非磁性層における非磁性粉末の含有量（充填率）に関する後述の記載を参照できる。また、非磁性粉末全量１００．０質量部に対するカーボンブラック含有量は、例えば１０．０〜１００．０質量部の範囲とすることができる。非磁性粉末全量をカーボンブラックとしてもよい。また、非磁性粉末全量を、カーボンブラック以外の非磁性粉末としてもよい。なおカーボンブラックは、カーボンブラック以外の各種非磁性粉末と比べて、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分を吸着し難い傾向があると考えらえる。したがって、バックコート層に含まれる非磁性粉末の中で、カーボンブラックが占める割合が高いほど、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分がバックコート層の層内部から表層部へ移行し易くなり、バックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度が高まる傾向があると推察される。この点から、バックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度の制御手段の一例としては、バックコート層の非磁性粉末においてカーボンブラックが占める割合を調整することを挙げることができる。

（その他の成分）
更にバックコート層は結合剤を含み、任意に公知の添加剤を含むこともできる。バックコート層の結合剤、添加剤等のその他詳細は、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層に関する公知技術を適用することもできる。

＜非磁性層＞
次に非磁性層について説明する。上記磁気テープは、非磁性支持体表面上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体表面上に非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を介して磁性層を有していてもよい。非磁性層に使用される非磁性粉末は、無機粉末でも有機粉末でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機粉末としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等の粉末が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１４６〜０１５０を参照できる。非磁性層に使用可能なカーボンブラックについては、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００４０〜００４１も参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。

非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細は、非磁性層に関する公知技術が適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。

上記磁気テープの非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が１０ｍＴ以下であるか、保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下であるか、または、残留磁束密度が１０ｍＴ以下であり、かつ保磁力が７．９６ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）以下である層をいうものとする。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。

＜非磁性支持体＞
次に、非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）について説明する。
非磁性支持体としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、熱処理等を行ってもよい。

＜各種厚み＞
非磁性支持体の厚みは、好ましくは３．００〜２０．００μｍ、より好ましくは３．００〜１０．００μｍ、更に好ましくは３．００〜６．００μｍであり、特に好ましくは３．００〜４．５０μｍである。

磁性層の厚みは、近年求められている高密度記録化の観点からは０．１５μｍ以下であることが好ましく、０．１０μｍ以下であることがより好ましい。磁性層の厚みは、更に好ましくは０．０１〜０．１０μｍの範囲である。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する二層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。二層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。

非磁性層の厚みは、例えば０．１０〜１．５０μｍであり、０．１０〜１．００μｍであることが好ましい。

バックコート層の厚みは、０．９０μｍ以下であることが好ましく、０．１０〜０．７０μｍの範囲であることがより好ましく、０．１０〜０．５５μｍの範囲であることが更に好ましく、０．１０〜０．５０μｍの範囲であることが一層好ましい。

磁気テープの各層および非磁性支持体の厚みは、公知の膜厚測定法により求めることができる。一例として、例えば、磁気テープの厚み方向の断面を、イオンビーム、ミクロトーム等の公知の手法により露出させた後、露出した断面において走査型電子顕微鏡によって断面観察を行う。断面観察において厚み方向の１箇所において求められた厚み、または無作為に抽出した２箇所以上の複数箇所、例えば２箇所、において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各層の厚みは、製造条件から算出される設計厚みとして求めてもよい。

＜製造方法＞
（各層形成用組成物の調製）
磁性層、バックコート層または非磁性層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶媒を含む。溶媒としては、塗布型磁気記録媒体を製造するために一般に使用される各種有機溶媒を用いることができる。中でも、塗布型磁気記録媒体に通常使用される結合剤の溶解性の観点からは、各層形成用組成物には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン等のケトン溶媒の一種以上が含まれることが好ましい。各層形成用組成物における溶媒量は特に限定されるものではなく、通常の塗布型磁気記録媒体の各層形成用組成物と同様にすることができる。また、各層形成用組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ２段階以上に分かれていてもかまわない。本発明で用いられるすべての原料は、どの工程の最初または途中で添加してもかまわない。また、個々の原料を２つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、結合剤を混練工程、分散工程、および分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。磁気テープの製造工程では、従来の公知の製造技術を一部または全部の工程において用いることができる。混練工程では、オープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつニーダを使用することが好ましい。これらの混練処理の詳細については特開平１−１０６３３８号公報および特開平１−７９２７４号公報に記載されている。分散機は公知のものを使用することができる。各層形成用組成物を、塗布工程に付す前に公知の方法によってろ過してもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１〜３μｍのフィルタ（例えばガラス繊維製フィルタ、ポリプロピレン製フィルタ等）
を用いることができる。

磁性層形成用組成物の分散処理に関しては、先に記載したように、チッピングの発生を抑制することが好ましい。そのためには、磁性層形成用組成物を調製する工程において、強磁性六方晶フェライト粉末の分散処理を二段階の分散処理により行い、第一の段階の分散処理により強磁性六方晶フェライト粉末の粗大な凝集物を解砕した後、分散ビーズとの衝突によって強磁性六方晶フェライト粉末の粒子に加わる衝突エネルギーが第一の分散処理より小さな第二の段階の分散処理を行うことが好ましい。かかる分散処理によれば、強磁性六方晶フェライト粉末の分散性向上とチッピングの発生の抑制とを両立することができる。

上記の二段階の分散処理の好ましい態様としては、強磁性六方晶フェライト粉末、結合剤および溶媒を、第一の分散ビーズの存在下で分散処理することにより分散液を得る第一の段階と、第一の段階で得られた分散液を、第一の分散ビーズよりビーズ径および密度が小さい第二の分散ビーズの存在下で分散処理する第二の段階と、を含む分散処理を挙げることができる。以下に、上記の好ましい態様の分散処理について、更に説明する。

強磁性六方晶フェライト粉末の分散性を高めるためには、上記の第一の段階および第二の段階は、強磁性六方晶フェライト粉末を他の粉末成分と混合する前の分散処理として行うことが好ましい。例えば、上記非磁性粉末を含む磁性層を形成する場合、上記非磁性粉末と混合する前に、強磁性六方晶フェライト粉末、結合剤、溶媒および任意に添加される添加剤を含む液（磁性液）の分散処理として、上記の第一の段階および第二の段階を行うことが好ましい。

第二の分散ビーズのビーズ径は、好ましくは、第一の分散ビーズのビーズ径の１／１００以下であり、より好ましくは１／５００以下である。また、第二の分散ビーズのビーズ径は、例えば第一の分散ビーズのビーズ径の１／１００００以上であることができる。ただし、この範囲に限定されるものではない。例えば、第二の分散ビーズのビーズ径は、８０〜１０００ｎｍの範囲であることが好ましい。一方、第一の分散ビーズのビーズ径は、例えば０．２〜１．０ｍｍの範囲であることができる。
なお本発明および本明細書におけるビーズ径は、先に記載した粉末の平均粒子サイズの測定方法と同様の方法で測定される値とする。

上記の第二の段階は、質量基準で、第二の分散ビーズが、強磁性六方晶フェライト粉末の１０倍以上の量で存在する条件下で行うことが好ましく、１０倍〜３０倍の量で存在する条件下で行うことがより好ましい。
一方、第一の段階における第一の分散ビーズ量も、上記範囲とすることが好ましい。

第二の分散ビーズは、第一の分散ビーズより密度が小さいビーズである。「密度」とは、分散ビーズの質量（単位：ｇ）を体積（単位：ｃｍ^３）で除して求められる。測定は、アルキメデス法によって行われる。第二の分散ビーズの密度は、好ましくは３．７ｇ／ｃｍ^３以下であり、より好ましくは３．５ｇ／ｃｍ^３以下である。第二の分散ビーズの密度は、例えば２．０ｇ／ｃｍ^３以上であってもよく、２．０ｇ／ｃｍ^３を下回ってもよい。密度の点から好ましい第二の分散ビーズとしては、ダイヤモンドビーズ、炭化ケイ素ビーズ、窒化ケイ素ビーズ等を挙げることができ、密度および硬度の点で好ましい第二の分散ビーズとしては、ダイヤモンドビーズを挙げることができる。
一方、第一の分散ビーズとしては、密度が３．７ｇ／ｃｍ^３超の分散ビーズが好ましく、密度が３．８ｇ／ｃｍ^３以上の分散ビーズがより好ましく、４．０ｇ／ｃｍ^３以上の分散ビーズが更に好ましい。第一の分散ビーズの密度は、例えば７．０ｇ／ｃｍ^３以下であってもよく、７．０ｇ／ｃｍ^３超でもよい。第一の分散ビーズとしては、ジルコニアビーズ、アルミナビーズ等を用いることが好ましく、ジルコニアビーズを用いることがより好ましい。

分散時間は特に限定されるものではなく、用いる分散機の種類等に応じて設定すればよい。

（各層を形成するための工程）
磁性層は、磁性層形成用組成物を、非磁性支持体表面上に直接するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０−２３１８４３号公報の段落００６６を参照できる。

好ましい一態様では、上記磁気テープは、逐次重層塗布により製造することができる。逐次重層塗布による製造工程は、好ましくは次のように行うことができる。非磁性層を、非磁性層形成用組成物を非磁性支持体上に塗布することにより塗布層を形成する塗布工程、形成した塗布層を加熱処理により乾燥させる加熱乾燥工程を経て形成する。そして形成された非磁性層上に磁性層形成用組成物を塗布することにより塗布層を形成する塗布工程、形成した塗布層を加熱処理により乾燥させる加熱乾燥工程を経て、磁性層を形成する。

一方、バックコート層は、非磁性支持体の磁性層が形成された（または形成される）表面とは反対の表面上に形成される。好ましくは、バックコート層は、バックコート層形成用組成物を非磁性支持体表面上に塗布することにより塗布層を形成する塗布工程、形成した塗布層を加熱処理により乾燥させる加熱乾燥工程を経て形成することができる。上記のバックコート層形成のための塗布工程を、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含むバックコート層形成用組成物を用いて行い、かつ塗布工程と加熱乾燥工程との間に、バックコート層形成用組成物の塗布層を冷却する冷却工程を行うことは、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上を含むバックコート層を有する磁気テープにおいて、バックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度を３５原子％以上に調整するために好ましい。これは、加熱乾燥工程前にバックコート層形成用組成物の塗布層を冷却することにより、加熱乾燥工程における溶媒揮発時に上記成分（脂肪酸および／または脂肪酸アミド）がバックコート層表面に移行しやすくなるためではないかと推察される。ただし推察に過ぎず、本発明を何ら限定するものではない。

即ち、バックコート層形成工程は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選ばれる成分の一種以上、非磁性粉末、結合剤ならびに溶媒を含むバックコート層形成用組成物を非磁性支持体表面上に塗布することにより塗布層を形成する塗布工程、上記塗布層を加熱処理により乾燥させる加熱乾燥工程、を含み、かつ塗布工程と加熱乾燥工程との間に上記塗布層を冷却する冷却工程を更に含むことが好ましい。

−磁気テープの製造方法の具体的態様−
以下、一例として、上記磁気テープの製造方法の具体的態様を、図１に基づき説明する。ただし本発明は、下記具体的態様に限定されるものではない。

図１は、非磁性支持体の一方の表面側に非磁性層と磁性層とをこの順に有し、他方の表面側にバックコート層を有する磁気テープを製造する工程の具体的態様を示す工程概略図である。図１に示す態様では、非磁性支持体（長尺フィルム）を、送り出し部から送り出し、巻き取り部で巻き取る操作を連続的に行い、かつ図１に示されている各部または各ゾーンにおいて塗布、乾燥、配向等の各種処理を行うことにより、走行する非磁性支持体上の一方の表面側に非磁性層および磁性層を逐次重層塗布により形成し、他方の表面側にバックコート層を形成することができる。かかる製造方法は、バックコート層形成工程に冷却ゾーンを含む点以外は、塗布型磁気記録媒体の製造のために通常行われる製造方法と同様にすることができる。

送り出し部から送り出された非磁性支持体上には、第一の塗布部において、非磁性層形成用組成物の塗布が行われる（非磁性層形成用組成物の塗布工程）。

上記塗布工程後、第一の加熱処理ゾーンでは、塗布工程で形成された非磁性層形成用組成物の塗布層を加熱することにより、塗布層を乾燥させる（加熱乾燥工程）。加熱乾燥工程は、非磁性層形成用組成物の塗布層を有する非磁性支持体を加熱雰囲気中に通過させることにより行うことができる。ここでの加熱雰囲気の雰囲気温度は、例えば６０〜１４０℃程度とすることができる。ただし、溶媒を揮発させて塗布層を乾燥させることができる温度とすればよく、上記範囲に限定されるものではない。また任意に、加熱した気体を塗布層表面に吹き付けてもよい。以上の点は、後述する第二加熱処理ゾーンにおける加熱乾燥工程および第三の加熱処理ゾーンにおける加熱乾燥工程についても、同様である。

次に、第二の塗布部において、第一の加熱処理ゾーンにて加熱乾燥工程を行い形成された非磁性層上に、磁性層形成用組成物が塗布される（磁性層形成用組成物の塗布工程）。

その後、磁性層形成用組成物の塗布層が湿潤状態にあるうちに、配向ゾーンにおいて塗布層中の強磁性六方晶フェライト粉末の配向処理が行われる。配向処理については、特開２０１０−２３１８４３号公報の段落００６７の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。先に記載したように、配向処理としては垂直配向処理を行うことが、ＸＲＤ強度比を制御する観点から好ましい。配向処理については、先の記載も参照できる。

配向処理後の塗布層は、第二の加熱処理ゾーンにおいて加熱乾燥工程に付される。

次いで、第三の塗布部において、非磁性支持体の非磁性層および磁性層が形成された表面側とは反対の表面側の面に、バックコート層形成用組成物が塗布されて塗布層が形成される（バックコート層形成用組成物の塗布工程）。

上記塗布工程後、冷却ゾーンにおいて、塗布工程で形成されたバックコート層形成用組成物の塗布層が冷却される（冷却工程）。例えば、バックコート層形成用組成物の塗布層を形成した非磁性支持体を冷却雰囲気中に通過させることにより、冷却工程を行うことができる。冷却雰囲気の雰囲気温度は、好ましくは−１０℃〜０℃の範囲とすることができ、より好ましくは−５℃〜０℃の範囲とすることができる。冷却工程を行う時間（例えば、塗布層の任意の部分が冷却ゾーンに搬入されてから搬出されるまでの時間（以下において、「滞在時間」という。））は特に限定されるものではない。長くするほどバックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度が高くなる傾向があるため、３５原子％以上のバックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度が実現できるように、必要に応じて予備実験を行う等して調整することが好ましい。なお冷却工程では、冷却した気体を塗布層の表面に吹き付けてもよい。

その後、第三の加熱処理ゾーンにおいて、冷却工程後の塗布層を加熱処理し乾燥させる。

こうして、非磁性支持体の一方の表面側に、非磁性層および磁性層を有し、他方の表面側にバックコート層を有する磁気テープを得ることができる。得られた磁気テープは、巻き取り部に巻き取られる前または巻き取られた後に、任意に各種後処理に付されてもよい。これらの後処理については、塗布型磁気記録媒体の製造に関する公知技術を何ら制限なく適用することができる。例えば、表面平滑化処理を行うことができる。表面平滑化処理により、磁気テープの磁性層表面の平滑性を高めることができる。表面平滑化処理は、カレンダ処理によって行うことが好ましい。カレンダ処理の詳細については、例えば特開２０１０−２３１８４３号公報の段落００２６を参照できる。カレンダ処理を強化するほど、磁気テープ表面を平滑化すること（即ち、磁性層表面粗さＲａの値を小さくすること）ができる。カレンダ処理は、カレンダロールの表面温度（カレンダ温度）を高くするほど、および／または、カレンダ圧力を大きくするほど、強化することができる。

以上により、本発明の一態様にかかる磁気テープを得ることができる。ただし上記の製造方法は例示であって、磁性層表面粗さＲａ、ＸＲＤ強度比、垂直方向角型比、バックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度を調整可能な任意の手段によって、それらの値をそれぞれ上記範囲に制御することができ、そのような態様も本発明に包含される。磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジに収容され、磁気テープカートリッジが磁気テープ装置（ドライブ）に装着される。磁気テープには、ドライブにおいてヘッドトラッキングサーボを行うことを可能とするために、公知の方法によってサーボパターンを形成することもできる。ドライブは、磁気テープカートリッジに搭載された磁気テープと、情報の記録および／または再生のための１つ以上の磁気ヘッドと、を少なくとも含む。ドライブにおいて磁気テープを走行させて、磁気テープカートリッジのリールからの磁気テープの送り出しおよび巻き取りを繰り返しても、本発明の一態様にかかる磁気テープであれば、エッジダメージの発生を抑制することができる。また、ドライブにおける磁気テープの走行速度を高速にするほど、情報の記録および記録した情報の再生を、短時間で行うことが可能となる。ここで磁気テープの走行速度とは、ドライブにおける磁気テープと磁気ヘッドとの相対速度をいい、通常、ドライブの制御部において設定される。磁気テープの走行速度を高速にするほど、磁性層の表面とバックコート層の表面との接触状態が不安定になる傾向があり、エッジダメージが発生しやすくなる。このような場合であっても、本発明の一態様にかかる磁気テープであれば、エッジダメージの発生を抑制することができる。本発明の一態様にかかる磁気テープは、例えば、磁気テープの走行速度が３ｍ／秒以上（例えば３〜２０ｍ／秒）のドライブにおける使用に好適である。

以下に、本発明を実施例に基づき説明する。但し、本発明は実施例に示す態様に限定されるものではない。以下に記載の「部」、「％」の表示は、特に断らない限り、「質量部」、「質量％」を示す。また、以下に記載の工程および評価は、特記しない限り、雰囲気温度２３℃±１℃の環境において行った。

１．磁気テープの作製
［実施例１］
各層形成用組成物の処方を、下記に示す。

＜磁性層形成用組成物の処方＞
（磁性液）
板状強磁性六方晶フェライト粉末（Ｍ型バリウムフェライト）：１００.０部
（活性化体積：１５００ｎｍ^３）
オレイン酸：２.０部
塩化ビニル共重合体（日本ゼオン製ＭＲ−１０４）：１０.０部
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：４.０部
（重量平均分子量：７００００、ＳＯ_３Ｎａ基：０.０７ｍｅｑ／ｇ）
アミン系ポリマー（ビックケミー社製ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ−１０２）：６.０部
メチルエチルケトン：１５０.０部
シクロヘキサノン：１５０.０部
（研磨剤液）
α−アルミナ：６.０部
（ＢＥＴ比表面積：１９ｍ^２／ｇ、モース硬度：９）
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：０.６部
（重量平均分子量：７００００、ＳＯ_３Ｎａ基：０.１ｍｅｑ／ｇ）
２，３−ジヒドロキシナフタレン：０.６部
シクロヘキサノン：２３.０部
（突起形成剤液）
コロイダルシリカ：２.０部
（平均粒子サイズ：８０ｎｍ）
メチルエチルケトン：８.０部
（潤滑剤および硬化剤液）
ステアリン酸：３.０部
ステアリン酸アミド：０.３部
ステアリン酸ブチル：６.０部
メチルエチルケトン：１１０.０部
シクロヘキサノン：１１０.０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）Ｌ）：３．０部

＜非磁性層形成用組成物の処方＞
非磁性無機粉末 α酸化鉄：１００．０部
（平均粒子サイズ：１０ｎｍ、ＢＥＴ比表面積：７５ｍ^２／ｇ）
カーボンブラック：２５．０部
（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂：１８．０部
（重量平均分子量：７００００、ＳＯ_３Ｎａ基含有量：０.２ｍｅｑ/ｇ）
ステアリン酸：１．０部
シクロヘキサノン：３００．０部
メチルエチルケトン：３００．０部

＜バックコート層形成用組成物の処方＞
非磁性無機粉末 α酸化鉄：８０．０部
（平均粒子サイズ：０.１５μｍ、ＢＥＴ比表面積：５２ｍ^２／ｇ）
カーボンブラック：２０．０部
（平均粒子サイズ：２０ｎｍ）
塩化ビニル共重合体：１３．０部
スルホン酸塩基含有ポリウレタン樹脂：６．０部
フェニルホスホン酸：３．０部
シクロヘキサノン：１５５．０部
メチルエチルケトン：１５５．０部
ステアリン酸：２．０部
ステアリン酸ブチル：２．０部
ステアリン酸アミド：０．２部
ポリイソシアネート：５．０部
シクロヘキサノン：２００．０部

＜磁性層形成用組成物の調製＞
磁性層形成用組成物を、以下の方法によって調製した。
上記磁性液の各種成分を、バッチ式縦型サンドミルによりビーズ径０.５ｍｍのジルコニアビーズ（第一の分散ビーズ、密度６．０ｇ／ｃｍ^３）を使用して２４時間分散し（第一の段階）、その後、０.５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過することにより分散液Ａを調製した。ジルコニアビーズは、強磁性六方晶バリウムフェライト粉末に対して、質量基準で１０倍量用いた。
その後、分散液Ａをバッチ式縦型サンドミルにより表５に示すビーズ径のダイヤモンドビーズ（第二の分散ビーズ、密度３．５ｇ／ｃｍ^３）を使用して１時間分散し（第二の段階）、遠心分離機を用いてダイヤモンドビーズを分離した分散液（分散液Ｂ）を調製した。下記磁性液は、こうして得られた分散液Ｂである。ダイヤモンドビーズは、強磁性六方晶バリウムフェライト粉末に対して、質量基準で１０倍量用いた。
研磨剤液は、上記の研磨剤液の各種成分を混合してビーズ径０．３ｍｍのジルコニアビーズとともに横型ビーズミル分散機に入れ、ビーズ体積／（研磨剤液体積＋ビーズ体積）が８０％になるように調整し、１２０分間ビーズミル分散処理を行い、処理後の液を取り出し、フロー式の超音波分散ろ過装置を用いて、超音波分散ろ過処理を施した。こうして研磨剤液を調製した。
調製した磁性液、研磨剤液、上記の突起形成剤液、ならびに潤滑剤および硬化剤液をディゾルバー攪拌機に導入し、周速１０ｍ／秒で３０分間攪拌した後、フロー式超音波分散機により流量７．５ｋｇ／分で３パス処理した後に、孔径１μｍのフィルタでろ過して磁性層形成用組成物を調製した。

先に記載した強磁性六方晶フェライト粉末の活性化体積は、磁性層形成用組成物の調製に用いた強磁性六方晶フェライト粉末と同じ粉末ロットの粉末を使用して測定し算出した値である。測定は、振動試料型磁束計（東英工業社製）を用いて保磁力Ｈｃ測定部の磁場スイープ速度３分と３０分とで行い、先に記載した関係式から活性化体積を算出した。測定は２３℃±１℃の環境で行った。

＜非磁性層形成用組成物の調製＞
上記の非磁性層形成用組成物の各種成分を、バッチ式縦型サンドミルによりビーズ径０.１ｍｍのジルコニアビーズを使用して２４時間分散し、その後、０.５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過することにより、非磁性層形成用組成物を調製した。

＜バックコート層形成用組成物の調製＞
上記のバックコート層形成用組成物の各種成分のうち潤滑剤（ステアリン酸、ステアリン酸ブチルおよびステアリン酸アミド）、ポリイソシアネートならびにシクロヘキサノン２００．０部を除いた成分をオープンニーダにより混練および希釈した後、横型ビーズミル分散機によりビーズ径１ｍｍのジルコニアビーズを用い、ビーズ充填率８０体積％、ローター先端周速１０ｍ／秒で１パス滞留時間を２分間とし、１２パスの分散処理に供した。その後、上記の残りの成分を添加してディゾルバーで撹拌し、得られた分散液を１μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過することにより、バックコート層形成用組成物を調製した。

＜磁気テープの作製方法＞
図１に示す具体的態様により磁気テープを作製した。詳しくは、次の通りとした。
厚み４．５０μｍのポリエチレンナフタレート製支持体を送り出し部から送りだし、一方の表面上に、第一の塗布部において乾燥後の厚みが１．００μｍになるように非磁性層形成用組成物を塗布して塗布層を形成した。次いで、塗布層を形成した上記支持体を第一の加熱処理ゾーン（雰囲気温度１００℃）を通過させ加熱乾燥工程を行い非磁性層を形成した。
その後、第二の塗布部において乾燥後の厚みが０．１０μｍになるように磁性層形成用組成物を非磁性層表面上に塗布し塗布層を形成した。形成した塗布層が湿潤状態にあるうちに配向ゾーンにおいて表５に示す強度の磁場を上記塗布層の表面に対し垂直方向に印加し垂直配向処理を施した。その後、上記塗布層を、第二の加熱処理ゾーン（雰囲気温度１００℃）にて乾燥させた。
その後、第三の塗布部において、上記ポリエチレンナフタレート製支持体の非磁性層および磁性層を形成した表面とは反対側の表面上に乾燥後の厚みが０．５０μｍになるようにバックコート層形成用組成物を非磁性支持体表面に塗布して塗布層を形成した。形成した塗布層が湿潤状態にあるうちに雰囲気温度０℃に調整した冷却ゾーンに表５に示す滞在時間で通過させて冷却工程を行い、その後に第三の加熱処理ゾーン（雰囲気温度１００℃）にて上記塗布層を乾燥させた後、巻き取り部で巻き取った。
その後、金属ロールのみから構成されるカレンダで、速度８０ｍ／分かつ線圧３００ｋｇ／ｃｍ（２９４ｋＮ／ｍ）にて、表５に示す表面温度のカレンダを用いてカレンダ処理（表面平滑化処理）を行った。
その後、雰囲気温度７０℃の環境で３６時間硬化処理（加熱処理）を行い磁気テープを得た。加熱処理後の磁気テープを巻き取った後、１／２インチ（０．０１２７メートル）幅にスリットし、得られた磁気テープの磁性層に市販のサーボライターによってサーボパターンを形成した。
以上により、実施例１の磁気テープを得た。

［実施例２〜８、比較例１〜８、参考例１、２］
表５に示す各種項目を表５に示すように変更した点以外、実施例１と同様に磁気テープを作製した。
表５中、分散ビーズの欄および時間の欄に「なし」と記載されている比較例および参考例については、磁性液分散処理において第二の段階を実施せずに磁性層形成用組成物を調製した。
表５中、垂直配向処理磁場強度の欄に「なし」と記載されている比較例および参考例については、配向処理を行わずに磁性層を形成した。
表５中、バックコート層形成工程の冷却ゾーン滞在時間の欄に「未実施」と記載されている比較例および参考例では、バックコート層形成工程に冷却ゾーンを含まない製造工程により磁気テープを作製した。

２．各種評価
（１）ＸＲＤ強度比
作製した磁気テープから、テープ試料を切り出した。
切り出したテープ試料について、薄膜Ｘ線回折装置（リガク社製ＳｍａｒｔＬａｂ）を用いて磁性層表面にＸ線を入射させて、先に記載した方法によりＩｎ−ＰｌａｎｅＸＲＤを行った。
Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ ＸＲＤにより得られたＸ線回折スペクトルから、六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１４）および（１１０）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１０）を求め、ＸＲＤ強度比（Ｉｎｔ（１１０）／Ｉｎｔ（１１４））を算出した。

（２）垂直方向角型比
作製した磁気テープについて、振動試料型磁束計（東英工業社製）を用いて先に記載した方法により垂直方向角型比を求めた。

（３）磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａ
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ、Ｖｅｅｃｏ社製Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ４）をタッピングモードで用いて、磁気テープの磁性層表面において測定面積４０μｍ×４０μｍの範囲を測定し、中心線平均表面粗さＲａを求めた。探針としてはＢＲＵＫＥＲ社製ＲＴＥＳＰ−３００を使用し、スキャン速度（探針移動速度）は４０μｍ／秒、分解能は５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌとした。

（４）バックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度
以下の方法により、磁気テープのバックコート層表面（測定領域：３００μｍ×７００μｍ）においてＥＳＣＡ装置を用いてＸ線光電子分光分析を行い、分析結果からバックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度を算出した。

（分析および算出方法）
下記（１）〜（３）の測定は、いずれも表１に示す測定条件にて行った。

（１）ワイドスキャン測定
磁気テープのバックコート層表面においてＥＳＣＡ装置によりワイドスキャン測定（測定条件：表２参照）を行い、検出された元素の種類を調べた（定性分析）。

（２）ナロースキャン測定
上記（１）で検出された全元素について、ナロースキャン測定（測定条件：表３参照）を行った。装置付属のデータ処理用ソフトウエア（Ｖｉｓｉｏｎ２．２．６）を用いて、各元素のピーク面積から検出された各元素の原子濃度（単位：原子％）を算出した。ここでＣ濃度も算出した。

（３）Ｃ１ｓスペクトルの取得
表４に記載の測定条件にてＣ１ｓスペクトルを取得した。取得したＣ１ｓスペクトルについて、装置付属のデータ処理用ソフトウエア（Ｖｉｓｉｏｎ２．２．６）を用いて試料帯電に起因するシフト（物理シフト）の補正を行った後、同ソフトウエアを用いてＣ１ｓスペクトルのフィッティング処理（ピーク分離）を実施した。ピーク分離にはガウス−ローレンツ複合関数（ガウス成分７０％、ローレンツ成分３０％）を用い、非線形最小二乗法によりＣ１ｓスペクトルのフィッティングを行い、Ｃ１ｓスペクトルに占めるＣ−Ｈピークの割合（ピーク面積率）を算出した。算出されたＣ−Ｈピーク面積率を、上記（２）で求めたＣ濃度に掛けることにより、Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度を算出した。

以上の処理を磁気テープのバックコート層表面の異なる位置において３回行い、得られた値の算術平均を表層部Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度とした。

（５）エッジダメージの評価
実施例、比較例および参考例の各磁気テープ（磁気テープ全長５００ｍ）を収容した磁気テープカートリッジを、ＩＢＭ社製ＬＴＯ−Ｇ７（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ−Ｏｐｅｎ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ７）ドライブにセットし、磁気テープを、磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させ摺動させながら、テンション０．６Ｎ、走行速度５ｍ／秒で１５００往復走行させた。
上記走行後の磁気テープカートリッジを、リファレンスドライブ（ＩＢＭ社製ＬＴＯ−Ｇ７ドライブ）にセットし、磁気テープを走行させて記録再生を行った。走行中の再生信号を外部ＡＤ（Ａｎａｌｏｇ／Ｄｉｇｉｔａｌ）変換装置に取り込み、磁気テープの一方のエッジに最も近いトラックおよび他方のエッジに最も近いトラックでそれぞれ、再生信号振幅が平均（各トラックでの測定値の平均）に対して７０％以上低下した信号をミッシングパルスとして、その発生頻度（発生回数）を磁気テープ全長で除して、磁気テープの単位長さ当たり（１ｍ当たり）のミッシングパルス発生頻度（単位：回／ｍ）として求めた。
エッジダメージが重度に発生しているほど、上記方法で求められるミッシングパルス発生頻度は増加する。したがって、上記方法で求められるミッシングパルス発生頻度は、エッジダメージの指標となる。ミッシングパルス発生頻度が１０．０回／ｍ以下であれば、エッジダメージの発生が実用上十分なレベルまで抑制されていると判断することができる。なおエッジダメージが発生する位置は一定ではないため、本評価では、一方のエッジに最も近いトラックでの測定結果と、他方のエッジに最も近いトラックでの測定結果の中で、より大きい測定結果をミッシングパルス発生頻度として採用し、表５に示した。

以上の結果を、表５に示す。

参考例１および２と比較例１〜８との対比から、磁性層表面粗さＲａが１．８ｎｍ以下の磁気テープ（比較例１〜８）において、エッジダメージが顕著に発生することが確認できる。
更に、実施例１〜８と比較例１〜８との対比から、磁性層表面粗さＲａが１．８ｎｍ以下の磁気テープにおけるエッジダメージの発生を、ＸＲＤ強度比、垂直方向角型比およびバックコート層のＣ−Ｈ由来Ｃ濃度をそれぞれ先に記載した範囲とすることにより抑制できることが確認できる。

本発明は、バックアップテープ等の磁気テープの技術分野において有用である。

Claims (5)

1. 非磁性支持体の一方の表面側に強磁性粉末、非磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、他方の表面側に非磁性粉末および結合剤を含むバックコート層を有する磁気テープであって、
   前記強磁性粉末は強磁性六方晶フェライト粉末であり、
   前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、１．８ｎｍ以下であり、
   Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ法を用いた前記磁性層のＸ線回折分析により求められる六方晶フェライト結晶構造の（１１４）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１４）に対する（１１０）面の回折ピークのピーク強度Ｉｎｔ（１１０）の強度比、Ｉｎｔ（１１０）／Ｉｎｔ（１１４）、は０．５以上４．０以下であり、
   前記磁気テープの垂直方向角型比は、０．６５以上１．００以下であり、
   前記バックコート層は、脂肪酸および脂肪酸アミドからなる群から選択される成分の一種以上を含み、かつ
   前記バックコート層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析により得られるＣ１ｓスペクトルにおけるＣ−Ｈピーク面積率から算出されるＣ−Ｈ由来Ｃ濃度は、３５原子％以上である磁気テープ。
2. 前記Ｃ−Ｈ由来Ｃ濃度は、３５原子％以上６０原子％以下である、請求項１に記載の磁気テープ。
3. 前記磁性層の表面において測定される中心線平均表面粗さＲａは、１．２ｎｍ以上１．８ｎｍ以下である、請求項１または２に記載の磁気テープ。
4. 前記垂直方向角型比は、０．６５以上０．９０以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気テープ。
5. 前記非磁性支持体と前記磁性層との間に、非磁性粉末および結合剤を含む非磁性層を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気テープ。