JP6688363B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6688363B2 JP6688363B2 JP2018197151A JP2018197151A JP6688363B2 JP 6688363 B2 JP6688363 B2 JP 6688363B2 JP 2018197151 A JP2018197151 A JP 2018197151A JP 2018197151 A JP2018197151 A JP 2018197151A JP 6688363 B2 JP6688363 B2 JP 6688363B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- peeled
- light emitting
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 244
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 121
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 110
- 238000000034 method Methods 0.000 description 62
- 239000010408 film Substances 0.000 description 60
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 41
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 24
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 22
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 17
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002585 base Substances 0.000 description 9
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 9
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- -1 For example Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010137 moulding (plastic) Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- IZMLNVKXKFSCDB-UHFFFAOYSA-N oxoindium;oxotin Chemical compound [In]=O.[Sn]=O IZMLNVKXKFSCDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1341—Filling or closing of cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
- H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
- H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6835—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68363—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30105—Capacitance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Fittings On The Vehicle Exterior For Carrying Loads, And Devices For Holding Or Mounting Articles (AREA)
- Instrument Panels (AREA)
Description
TFTという)で構成された回路を有する半導体装置の作製方法に関し、特に曲率を有す
る支持体にTFTで構成された回路を転写する方法に関する。
いてTFTを構成する技術が注目されている。TFTはICや電気光学装置のような電子
デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチング素子として開発が急がれてい
る。
示装置やオーディオの操作画面表示装置や計器の表示装置を搭載する試みがなされている
。
、特に携帯機器への利用が注目されている。現在、基板にはガラスや石英等が主に使用さ
れているが、このような表示装置は厚く、重く、割れ易いといいう欠点があり、薄型、軽
量、且つ、割れにくいといった特徴に対する要求が高い携帯機器の場合には特に不利であ
る。また、ガラスや石英等は一般に大型化が困難であり、大量生産を行う場合には特に不
利である。そのため、可曲性や可撓性、もしくは弾性を有する基板、代表的にはフレキシ
ブルなプラスチックフィルムあるいはシートの上にTFT素子を形成することが試みられ
ている。
るを得ない。そのため、プラスチック上に形成したTFTの電気特性は、ガラス基板上に
形成したTFTと比較するとどうしても劣ってしまう。従って、プラスチックを用いた高
性能な発光素子や液晶表示装置はまだ実現されていない。
性を有する基板の上に有機発光素子が形成された発光装置や、液晶表示装置を作製するこ
とができれば、薄型、軽量、割れにくいといった特徴に加えて、曲面を有するディスプレ
イや、ショーウィンドウ等などにも用いることができる。よって、その用途は携帯機器の
みに限定されず、応用範囲は非常に広い。
ィスプレイを設置しようとする場合、窓、天井、ドア、ダッシュボードなどが有する様々
な曲面と曲率が一致するように表示装置を最初から作っておけば、平面上のみならず曲面
上にもそのまま取りつけることができる。従来では、ディスプレイは平面であって、乗物
の空間スペースを狭める、或いは、平面ディスプレイをはめこむために壁を切り取り、取
りつけ作業などが複雑なものとなっていた。
ことを課題とする。特に、曲率を有するディスプレイ、具体的には曲率を有する基材に貼
りつけられた有機発光素子を有する発光装置、或いは曲率を有する基材に貼りつけられた
液晶表示装置の作製方法の提供を課題とする。
形成する第1工程と、前記支持体と比較して剛性の高い基板上に素子を含む被剥離層を形
成する第2工程と、前記素子を含む被剥離層及び前記基板に、曲率を有した前記支持体を
、前記素子を含む被剥離層及び前記基板の表面形状に合致するように外力を加えた状態で
接着する第3工程と、前記支持体が接着された前記素子を含む被剥離層を基板から物理的
手段により剥離する第4工程と、前記素子を含む被剥離層に前記転写体を接着し、前記支
持体と前記転写体との間に前記素子を挟む第5工程とを有する半導体装置の作製方法であ
って、前記素子を含む被剥離層が接着された前記支持体は、前記第4工程終了時点で、第
1工程終了時に有していた形状に完全あるいは部分的に復元することを特徴とする半導体
装置の作製方法である。
ためのものであり、所望の曲率を有していて、かつ弾性つまり外力を加えた場合に元の形
状に戻ろうとする復元力が働くという性質を有していれば特に限定されず、プラスチック
、ガラス、金属、セラミックス等、いかなる組成の基材でもよい。また、本明細書中にお
いて、転写体とは、剥離された後、被剥離層と接着させるものであり、所望の曲率を有し
ていれば特に限定されず、プラスチック、ガラス、金属、セラミックス等、いかなる組成
の基材でもよい。特に軽量化を最優先するのであれば、フィルム状のプラスチック基板、
例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポ
リエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ナイロン、ポリエーテ
ルエーテルケトン(PEEK)、ポリスルホン(PSF)、ポリエーテルイミド(PEI
)、ポリアリレート(PAR)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)等が好ましい。
了時の曲率半径をRm、第4工程終了時の曲率半径をRfとすると、Ri≦Rf≦Rmで
あることを特徴としている。
は封止材であって、前記素子は自発光素子であることを特徴としている
て、前記素子は画素電極を有しており、該画素電極と、前記対向基板との間には液晶材料
が充填されていることを特徴としている。
を特徴としている。
の範囲内にあることを特徴としている。
に分離層を設け、該分離層を薬液(エッチャント)で除去して被剥離層と基板とを分離す
る方法や、被剥離層と基板との間に非晶質シリコン(または多結晶シリコン)からなる分
離層を設け、基板を通過させてレーザー光を照射して非晶質シリコンに含まれる水素を放
出させることにより、空隙を生じさせて被剥離層と基板を分離させる方法などを用いるこ
とが可能である。なお、レーザー光を用いて剥離する場合においては、剥離前に水素が放
出しないように熱処理温度を410℃以下として被剥離層に含まれる素子を形成すること
が望ましい。
よい。この剥離方法は、基板上に設けた金属層、好ましくは窒化金属層を設け、さらに前
記窒化金属層に接して酸化層を設け、該酸化層の上に素子を形成し、成膜処理または50
0℃以上の熱処理を行っても、膜剥がれ(ピーリング)が生じずに、物理的手段で容易に
酸化層の層内または界面において、きれいに分離できるものである。さらに剥離を助長さ
せるため、前記物理的手段により剥離する前に、加熱処理またはレーザー光の照射を行う
処理を行ってもよい。
機、船舶、列車等の乗物に搭載することが可能となる。乗物の内壁、天井などは、なるべ
く空間スペースを広くとり、何らかの理由で人の体がぶつかっても問題にならないよう滑
らかな曲面で構成されている。これらの曲面にTFT及び有機発光素子を有する表示装置
を計器または照明装置として搭載することも可能となる。尚、このTFT及び有機発光素
子を有する表示装置の駆動方法は、アクティブマトリクス型とすることが好ましいが、パ
ッシブ型でも構わない。
る表示装置を、湾曲させることなくそのまま接着することによって、映像や計器の表示を
行うことができる。特に有機発光素子を有する表示装置は非常に薄く軽量なものとするこ
とができ、空間スペースは変化しない。乗物の窓に有機発光素子を有する表示装置を接着
させる場合には、基板や電極や配線を透明なものとすることが望ましく、外光を遮断する
フィルムを設けてもよい。また、表示していない場合には、外の景色が問題なく確認でき
るようにすることが好ましい。
に合致した曲率を持つ、有機発光素子を有する表示装置を、湾曲させることなくそのまま
接着することによっても、映像や計器の表示を行うことができる。本発明により作製され
た表示装置を曲面に沿って貼り付けるだけでよいため、取り付け作業は非常に簡単であり
、内壁、ドア、シート、ダッシュボードを部分的に加工したりする必要が特にない。また
、例えば車においては、右ハンドルであれば、左後方に車体の一部(窓ガラスの間の部分
)があるため死角が存在しているが、窓ガラスの間の部分に本発明により作製された表示
装置を貼りつけ、さらに車外に死角方向を撮影できるカメラを取りつけ、互いに接続すれ
ば、運転者が死角を確認することができる。特に有機発光素子を有する表示装置は、液晶
表示装置に比べ動画に強く、視野角が広い表示装置である。
る表示装置を、湾曲させることなくそのまま接着することによって、映像の表示や内部の
照明を行うことができる。また、例えば車において、天井と、各窓ガラスの間の部分に本
発明により作製された表示装置を貼りつけ、さらに車外に各表示装置に対応する外部の景
色を撮影できるカメラを取りつけ、互いに接続すれば、車内にいる人は、車内に居ながら
にしてオープンカーのように外の景色を堪能することができる。また、例えば列車や電車
において天井や側壁に本発明により作製された表示装置を貼りつければ、空間スペースを
狭めることなく広告の表示やテレビ映像を映し出すことができる。特に有機発光素子を有
する表示装置は、液晶表示装置に比べ視野角が広い表示装置である。
、TFTや有機発光素子は問題なく駆動させることができる。
を指し、電気光学装置、発光装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
存在する、様々な曲面を有する部位(窓、天井、ドア、ダッシュボードなど)にディスプ
レイを設置することができる。
いて説明する。
に応じて所望の曲率を有するように、特に支持体111に関しては弾性を有するように作
製することが重要である。第1工程終了時の支持体111の曲率半径をRiと定義する。
原料、材質、成形方法等は特に限定されない。厚さに関しても特に限定されない。典型的
には100μm程度の厚さであればよい。一般的には、膜厚が200μm以下のものはフ
ィルム、200μm以上のものはシートと呼ばれるが、支持体111及び転写体112は
フィルムでもシートでもよい。支持体111に関しては弾性を有する程度に薄ければよい
。ここでは支持体111、転写体112共プラスチックを用いる。一般的な熱可塑性ある
いは熱硬化性の樹脂を原料として、一般的なプラスチックの成形加工方法、即ち原料を加
熱して流れ易い状態にする可塑化、型を用いて所望の形状にする賦形、冷却あるいは硬化
反応により形状を安定化する固化、といった過程により成形すればよい。例えば、熱硬化
性樹脂を圧縮成形する場合の工程を図2に示す。まず図2(1)のように、金型(下型)
211bに、加熱されて流動性が高くなっている状態の熱硬化性樹脂212を充填する。
その後図2(2)のように金型(上型)211aを使用して矢印の方向から加圧する。こ
の加圧を保持したまま金型211a及び211bを加熱すれば、ある時点から樹脂の流動性
が低下し硬化に至る。この後、金型211a及び211bを開いて成形品を得る。
ない)を単層あるいは複数層積層させることができる。一般的には水や酸素等を遮断する
バリア膜、接着剤の接着性を向上させる下地膜、耐薬品性や物理的強度を高める保護層等
が積層される。例えば、支持体111に100nm程度の厚さの窒化珪素薄膜をスパッタ
法で成膜することができる。但し、支持体111や転写体112の少なくとも一方は光透
過率が有限、即ち透明であることが必要である。
FTを代表とする様々な素子(薄膜ダイオード、シリコンのPIN接合からなる光電変換
素子やシリコン抵抗素子など)や有機発光素子等から構成され、一般に電極、配線、絶縁
膜等を含む。基板122の剛性は支持体111に比べて高いとする。図1(2)では簡単
のため、基板122は完全に被剥離層121に覆われているように描かれているが、一部
基板122が剥き出しになっていても問題ない。
示す。まず支持体111に外力を加え、基板122および被剥離層121の表面形状に合
った形にする。例えば、元々図1(1)のように曲がった支持体111を図1(3)のよ
うに真っ直ぐに引っ張った状態にして接着すればよい。接着後、支持体111には最初の
形状に戻ろうとする復元力が働いているが、接着されている基板122の方が剛性が高い
ため、この段階では支持体111は真っ直ぐ引っ張られた状態を維持している。即ち、第
3工程終了時の支持体111の曲率半径をRmと定義すると、支持体111のカーブは第
1工程終了時に比べ一般に緩やかになるため、一般にRi≦Rmである。接着方式として
は支持体111と被剥離層121あるいは支持体111と基板122が密着していること
が好ましいが、内部に有限の空間を有していてもよい。
、熱硬化型、光硬化型、嫌気型等の接着剤を、スクリーン印刷、ディスペンサによる描画
、スプレーによる吐出等の手法で塗布すればよい。ここでは光硬化型の一種である紫外線
硬化性接着剤をディスペンサで塗布する。支持体111側、もしくは被剥離層121側に
接着剤を塗布した後、紫外線を照射することにより接着剤を硬化する。一般に被剥離層1
21には紫外線が照射されると損傷を受ける部分があるため、その場所を隠す適当な遮光
マスクを使用するか、あるいは接着剤のみを硬化させその他の場所には損傷を与えないよ
うな選択的なエネルギーを持つ紫外線を照射してやることによって損傷を回避すればよい
。
に限定されない。ここでは、熱処理温度や基板の種類に制約を受けない剥離方法である、
金属層または窒化物層と酸化物層との膜応力を利用した剥離方法を用いる。まず、図1(
2)の状態を得る前に、基板122上に窒化物層または金属層(図示しない)を形成する
。窒化物層または金属層として代表的な一例はTi、W、Al、Ta、Mo、Cu、Cr
、Nd、Fe、Ni、Co、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Ptから選ばれた元素、ま
たは前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの
積層、或いは、これらの窒化物、例えば、窒化チタン、窒化タングステン、窒化タンタル
、窒化モリブデンからなる単層、またはこれらの積層を用いればよい。次いで、窒化物層
または金属層上に酸化物層(図示しない)を形成する。酸化物層として代表的な一例は酸
化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化金属材料を用いればよい。なお、酸化物層は、スパ
ッタ法、プラズマCVD法、塗布法等の方法で成膜すればよい。窒化物層または金属層、
及び酸化物層、両層の膜厚を1nm〜1000nmの範囲で適宜設定することによって、
両層の膜応力を互いに異ならせることが可能である。また、基板122と窒化物層または
金属層との間に絶縁層や金属層を設け、基板122との密着性を向上させてもよい。次い
で、酸化物層上に半導体層を形成し、被剥離層121を得ればよい。なお、上記剥離方法
は、酸化物層の膜応力と、窒化物層または金属層の膜応力が互いに異なっていても、被剥
離層の作製工程における熱処理によって膜剥がれなどが生じない。また、上記剥離方法は
、酸化物層の膜応力と、窒化物層または金属層の膜応力が互いに異なっているため、比較
的小さな力で引き剥がすことができる。尚、被剥離層121を引き剥がす際にクラックが
生じないようにすることも重要である。
ことができる。重要な点は、この段階で支持体111が復元力によって第1工程終了時に
元々持っていた形状に戻ることである。それに伴い、支持体111下に接着されている被
剥離層121も支持体111に沿って湾曲する。第4工程終了時の支持体111の曲率半
径をRfと定義すると、第1工程終了時の形状に戻るのであるから支持体111のカーブ
は第3工程終了時に比べ急になる、即ちRf≦Rmとなる。一方、支持体111は一般に
完全弾性でないことに加え、被剥離層121が接着されていることから、第1工程終了時
に比べると一般にカーブは緩やかになる、即ちRi≦Rfとなる。従って、一般にRi≦
Rf≦Rmとなる。
状、厚さに関しては、支持体111の形状、厚さ及び被剥離層121の厚さを考慮して、
図1(4)で湾曲した被剥離層121の表面形状に合致するように作製しておけば、特に
限定されないが、支持体111と同様に弾性を有していることが好ましい。
中に複数個のTFTが設けられている場合、これらTFTのチャネル長方向を全て同一方
向に配置し、かつこのチャネル長方向と支持体111が図1(1)の状態で曲率を有して
いない方向とが平行になるように接着すれば、より好ましい。なぜならば、図1(4)で
基板122を剥離した後、被剥離層121が接着された支持体111が復元力によって元
の形状に回復した時に被剥離層121中のTFTが受ける影響を最小限に抑えることが可
能なためである。
て支持体を被剥離層に接着すればよい。この場合、被剥離層に設けられた素子は画素電極
を有しており、該画素電極と、前記対向基板との間には液晶材料が充填されるようにする
。
を封止材として、外部から水や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入するこ
とを防ぐように発光素子を外部から完全に遮断することが好ましい。また、有機発光素子
を有する装置として代表される発光装置を作製する場合は、支持体だけでなく、転写体も
同様、十分に外部から水や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを
防ぐことが好ましい。また、水や酸素の透過による劣化を抑えることを重要視するなら、
剥離後に被剥離層に接する薄膜を成膜することによって、剥離の際に生じるクラックを修
復し、被剥離層に接する薄膜として熱伝導性を有する膜、具体的にはアルミニウムの窒化
物またはアルミニウムの窒化酸化物を用いることによって、素子の発熱を拡散させて素子
の劣化を抑える効果とともに、転写体、具体的にはプラスチック基板の変形や変質を保護
する効果を得ることができる。また、この熱伝導性を有する膜は、外部からの水や酸素等
の不純物の混入を防ぐ効果も有する。
こととする。
を有する発光装置を作製する手順を図3に示す。
層312としては、成膜直後において圧縮応力を有していても引張応力を有していてもよ
いが、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が生じ
ず、且つ、被剥離層形成後で1〜1×1010(Dyne/cm2)の範囲で引張応力を有する材料
を用いることが重要である。典型的には、窒化物あるいは金属が好ましく、代表的な一例
はW、WN、TiN、TiWから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料
若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの積層が挙げられる。なお、第1の材料
層312は、スパッタ法を用いればよい。
ンを代表とする半導体基板、またはステンレスを代表とする金属基板を用いてもよい。こ
こでは厚さ0.7mmのガラス基板(♯1737)を用いる。
としては、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が
生じず、且つ、被剥離層形成後で1〜1×1010(Dyne/cm2)
の範囲で圧縮応力を有する材料を用いることが重要である。第2の材料層313としては
酸化物が好ましく、代表的な一例は酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化金属材料、ま
たはこれらの積層が挙げられる。なお、第2の材料層313は、スパッタ法を用いて成膜
すればよい。第2の材料層313をスパッタ法で成膜する場合、アルゴンガスで代表され
る希ガスをチャンバー内に導入して、第2の材料層313中に微量の希ガス元素を含ませ
る。
nmの範囲で適宜設定し、第1の材料層312における内部応力および第2の材料層31
3における内部応力を調節すればよい。
を形成した例を示したが、基板311と第1の材料層312との間にバッファ層となる絶
縁層や金属層を設け、基板311との密着性を向上させてもよい。
被剥離層314aは画素部TFT(nチャネル型TFT及びpチャネル型TFT)、画素
部の周辺に設ける駆動回路TFT(nチャネル型TFT及びpチャネル型TFT)、及び
配線等を含む。次いで、各TFTを覆う絶縁膜を形成した後、画素部に設けられたTFT
と電気的に接続する陰極または陽極を形成する。次いで、陰極または陽極の端部を覆うよ
うに両端にバンクとよばれる絶縁物を形成する。また、必要であれば適宜、TFTを覆っ
て窒化膜からなるパッシベーション膜(保護膜)を形成してもよい。また、被剥離層31
4aの形成プロセスとして、基板311の耐え得る範囲の熱処理を行うことができる。な
お、第2の材料層313における内部応力と、第1の材料層312における内部応力が異
なっていても、被剥離層314aの作製工程における熱処理によって膜剥がれなどが生じ
ない。
する。即ち、両端がバンクで覆われている陰極または陽極上にEL層(有機化合物材料層
)を形成する。EL層の下層を陰極とした場合にはEL層上に陽極を、EL層の下層を陽
極とした場合にはEL層上に陰極を、それぞれ設ければよい。
なわち発光層、キャリア輸送層、キャリア注入層等を自由に組み合わせる。有機EL材料
としては、低分子系、高分子系および両者を併用したものを用いることができる。また、
EL層として一重項励起状態あるいは三重項励起状態からの発光(前者は一般に蛍光、後
者は一般に燐光)が得られるような発光材料からなる薄膜を用いることができる。成膜法
は低分子系材料では真空蒸着法、エレクトロンビーム(EB)蒸着法等の乾式法が、高分
子系材料ではスピンコート法、インクジェット印刷法等の湿式法が、それぞれ一般的であ
る。また、キャリア輸送層やキャリア注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも
可能である。これらの有機EL材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。なお
、EL層は合計しても100nm程度の薄膜層として形成する。そのため、陰極または陽極
として形成する表面は平坦性を高めておく必要がある。
金属)や、これらを含む合金を用いることが好ましい。例えば、アルカリ金属の一つであ
るLi(リチウム)を微量含むアルミニウム合金(AlLi合金)を陰極に使用した有機
発光素子では、一般に発光特性が良好で、かつ長時間点灯を行っても輝度の低下が小さい
。あるいは、アルカリ金属の酸化物、フッ化物、及びアルカリ土類金属の酸化物、フッ化
物の極薄膜(1nm程度)の上に、仕事関数のそれ程小さくない単体金属(Alなど)を
積層しても同様に良好な素子特性が得られる。例えば陰極として、AlLi合金の代わり
に、LiFの極薄膜の上にAlを積層した構造を用いても同様の特性を得ることができる
。
を用いる。特に透明な導電膜としては、酸化スズ(SnO2)系、酸化亜鉛(ZnO)系
、酸化インジウム(In2O3)系の材料、代表的にはITO(酸化インジウム酸化スズ合
金)、IZO(酸化インジウム酸化亜鉛合金)等が広く用いられている。また、ITOよ
りもシート抵抗の低い材料、具体的には白金(Pt)、クロム(Cr)、タングステン(
W)、もしくはニッケル(Ni)といった材料を用いることもできる。
含む層314aとが積層された被剥離層が形成される。尚、有機発光素子に流れる電流を
TFTで制御する場合、大きく分けて2通りの方法がある。具体的には、飽和領域と呼ば
れる電圧範囲で電流を制御する方法と、飽和領域に達するまでの電圧範囲で電流を制御す
る方法とがある。本明細書では、Vd−Id曲線において、電流値がほぼ一定となるVd
の範囲を飽和領域と呼んでいる。本発明は有機発光素子の駆動方法に限定されず、任意の
駆動方法を用いることができる。
理を行う。密着性を部分的に低下させる処理は、剥離しようとする領域の周縁に沿って前
記第2の材料層または前記第1の材料層にレーザー光を部分的に照射する処理、或いは、
剥離しようとする領域の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えて前記第2の材料層の
層内または界面の一部分に損傷を与える処理である。具体的にはダイヤモンドペンなどで
硬い針を垂直に押しつけて荷重をかけて動かせばよい。好ましくは、スクライバー装置を
用い、押し込み量を0.1mm〜2mmとし、圧力をかけて刃を動かせばよい。このよう
に、剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるような部分、即ち、きっかけをつくること
が重要であり、密着性を選択的(部分的)に低下させる前処理を行うことで、剥離不良が
なくなり、さらに歩留まりも向上する。
き出し配線の端部に設けられた端子電極にフレキシブルプリント基板(FPC:Flexible
Printed Circuit)321を貼りつける。
る。元々曲率及び弾性を有している支持体323に外力を加えた状態で接着することにな
る。接着後、支持体323には復元力が働くが、基板311の方が剛性が高いため、この
段階では支持体は元の形状には戻らない。有機発光素子の場合、支持体323は一般に封
止材であり、主に外部からの水や酸素の侵入によるEL層及び陽極、陰極等の劣化を抑え
る機能を持つ。
げられる。これらの接着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリ
コーン系等いかなるものでもよい。ただし、有機発光素子は水や酸素に弱いため、水や酸
素に対してバリア性の高い材料であることが望ましい。このような接着剤の形成は、例え
ば、塗布法によってなされる。また、接着剤は支持体側、あるいは被剥離層314a、3
14b側のどちらに塗布してもよい。本実施例では第1の接着剤322として紫外線硬化
型接着剤を用いる。この場合、紫外線を照射することにより第1の接着剤322を硬化す
る。紫外線を照射する方向は有機発光素子の構成、作製方法及び画素の回路構成等によっ
て実施者が適宜決定することができる、即ち基板311から照射しても、支持体323か
ら照射してもよい。しかし、EL層等は一般に紫外線照射により損傷を受けるため、紫外
線を照射したくない場所を隠す遮光マスクを使用するか、あるいは紫外線のエネルギーを
調節することで接着剤のみを硬化させ他の部分には損傷を与えないようにする必要がある
。
方向に向かって、第1の材料層312が設けられている基板311を物理的手段により引
き剥がす。第2の材料層313が圧縮応力を有し、第1の材料層312が引張応力を有す
るため、比較的小さな力(例えば、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音
波等)で引き剥がすことができる。
1から分離することができる。この段階で、支持体323は復元力によって元の形状に戻
り、それに伴って支持体323に接着されている各層も湾曲する(図3(4))。
313(及び被剥離層314a、314b)とを接着する。
剤を用いる。本実施例では第2の接着剤352として紫外線硬化型接着剤を用いる。紫外
線を照射する方向は有機発光素子の構成、作製方法及び画素の回路構成等によって実施者
が適宜決定することができる、即ち転写体351から照射しても、支持体323から照射
してもよい。但し、第1の接着剤322の場合と同様、紫外線を照射したくない場所を隠
す遮光マスクを使用するか、あるいは紫外線のエネルギーを調節することで接着剤のみを
硬化させ他の部分には損傷を与えないようにする必要がある。
備えた発光装置を作製することができる。このような発光装置は外力を加えない状態で5
0cm〜200cmの曲率を有していることが特徴である。尚、第2の接着剤352と被
剥離層314aとの間には第2の材料層である酸化物層313がある。こうして得られる
発光装置は、第2の材料層313がスパッタ法で成膜され、第2の材料層313中に微量
の希ガス元素を含ませており、装置全体としてフレキシブルにすることもできる。
取り出すことが可能である。支持体323側からのみ発光を取り出す場合を上面出射ある
いは上方出射(top emissionという言い方もなされる)、転写体352側からのみ発光を
取り出す場合を下面出射あるいは下方出射、支持体323及び転写体352の両側から発
光を取り出す場合を両面出射あるいは両方出射と呼ぶ。いずれにせよ、有機発光素子の発
光を外へ取り出すためには、支持体323及び転写体352のいずれか一方は透明である
必要がある。発光方向は、有機発光素子の構成、作製方法及び画素の回路構成等によって
実施者が適宜決定することができる。
層412としては、成膜直後において圧縮応力を有していても引張応力を有していてもよ
いが、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が生じ
ず、且つ、被剥離層形成後で1〜1×1010(Dyne/cm2)の範囲で引張応力を有する材料
を用いることが重要である。典型的には、窒化物あるいは金属が好ましく、代表的な一例
はW、WN、TiN、TiWから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料
若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの積層が挙げられる。なお、第1の材料
層412は、スパッタ法を用いればよい。
ンを代表とする半導体基板、またはステンレスを代表とする金属基板を用いてもよい。こ
こでは厚さ0.7mmのガラス基板(♯1737)を用いる。
としては、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が
生じず、且つ、被剥離層形成後で1〜1×1010(Dyne/cm2)
の範囲で圧縮応力を有する材料を用いることが重要である。第2の材料層413としては
酸化物が好ましく、代表的な一例は酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化金属材料、ま
たはこれらの積層が挙げられる。なお、第2の材料層413は、スパッタ法を用いて成膜
すればよい。第2の材料層413をスパッタ法で成膜する場合、アルゴンガスで代表され
る希ガスをチャンバー内に導入して、第2の材料層413中に微量の希ガス元素を含ませ
る。
nmの範囲で適宜設定し、第1の材料層412における内部応力および第2の材料層41
3における内部応力を調節すればよい。
2を形成した例を示したが、基板411と第1の材料層412との間にバッファ層となる
絶縁層や金属層を設け、基板411との密着性を向上させてもよい。
部TFT(nチャネル型TFT)、画素電極、保持容量、画素部の周辺に設ける駆動回路
TFT(nチャネル型TFT及びpチャネル型TFT)、及び配線等を含む。本実施例で
は、外光のみを利用して発光を得る反射型液晶表示装置を考える。この場合、画素電極と
して光反射率の高い金属、例えばアルミニウムや銀等を用いればよい。尚、第2の材料層
413における内部応力と、第1の材料層412における内部応力が異なっていても、被
剥離層414の作製工程における熱処理によって膜剥がれなどが生じない。
により、後に注入する液晶の分子の向きを一方向へ揃えることができる。次いで、柱状あ
るいは球状のスペーサ415をパターニングあるいは散布により形成する。これにより、
後に注入する液晶の層の厚さを制御できる。
理を行う。密着性を部分的に低下させる処理は、剥離しようとする領域の周縁に沿って前
記第2の材料層または前記第1の材料層にレーザー光を部分的に照射する処理、或いは、
剥離しようとする領域の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えて前記第2の材料層の
層内または界面の一部分に損傷を与える処理である。具体的にはダイヤモンドペンなどで
硬い針を垂直に押しつけて荷重をかけて動かせばよい。好ましくは、スクライバー装置を
用い、押し込み量を0.1mm〜2mmとし、圧力をかけて動かせばよい。このように、
剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるような部分、即ち、きっかけをつくることが重
要であり、密着性を選択的(部分的)に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなく
なり、さらに歩留まりも向上する。
出し配線の端部に設けられた端子電極にFPC421を貼りつける。
13)とを接着する。但し、後に液晶を注入するために、422aのように液晶注入口を
設ける。元々曲率及び弾性を有している支持体424に外力を加えた状態で接着すること
になる。接着後、支持体424には復元力が働くが、基板411の方が剛性が高いため、
この段階では元の形状には戻らない。スペーサ415の存在によって、支持体423と基
板411との間隔は保持される。液晶表示装置の場合、支持体424は一般に対向基板で
あり、カラーフィルタ、偏光板、共通電極、配向膜等(図示しない)があらかじめ形成さ
れているものとする。反射型液晶表示装置の場合、共通電極には透明導電膜(ITOやI
ZO等)
を用いればよい。
類が挙げられる。これらのシール剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート
系、シリコーン系等いかなるものでもよい。このようなシール剤の形成は、例えば、塗布
法によってなされる。また、シール剤は支持体423側、あるいは基板411側のどちら
に塗布してもよい。本実施例ではシール剤422として紫外線硬化型シール剤を用いる。
この場合、紫外線を照射することによりシール剤422を硬化する。紫外線を照射する方
向は支持体423側あるいは基板411側から照射すればよい。しかし、紫外線により損
傷を受ける場所には遮光マスクを使用するか、あるいは紫外線のエネルギーを調節するこ
とでシール剤のみを硬化させ他の部分には損傷を与えないようにする必要がある。
に封止する。封止剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン
系等いかなるものでもよい。
方向に向かって、第1の材料層412が設けられている基板411を物理的手段により引
き剥がす。第2の材料層414が圧縮応力を有し、第1の材料層412が引張応力を有す
るため、比較的小さな力(例えば、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音
波等)で引き剥がすことができる。
ることができる。この段階で、支持体423は復元力によって元の形状に戻り、それに伴
って支持体423に接着されている各層も湾曲する(図4(4))。
とを接着する。接着剤452としては、反応硬化型、熱硬化型、光硬化型、嫌気型等の各
種接着剤を用いる。本実施例では接着剤452として紫外線硬化型接着剤を用いる。紫外
線は転写体451側あるいは支持体423側から照射すればよい。但し、紫外線を照射し
たくない場所には遮光マスクを使用するか、あるいは紫外線のエネルギーを調節すること
で接着剤のみを硬化させ他の部分には損傷を与えないようにする必要がある。
示装置を作製することができる。このような半導体装置は外力を加えない状態で50cm
〜200cmの曲率を有していることが特徴である。尚、接着剤452と被剥離層414
との間には第2の材料層である酸化物層413がある。こうして得られる液晶表示装置は
、第2の材料層413がスパッタ法で成膜され、第2の材料層413中に微量の希ガス元
素を含ませており、装置全体としてフレキシブルにすることもできる。
得られる。そのためには、支持体423は透明である必要がある。
尚、本実施例で示す装置によって、実施例1で示した発光装置を作製することができる。
置である。この製造装置は、主に基板を搬送する搬送室、受渡を行う受渡室、各種薄膜を
作製する成膜室、封止を行う封止室から構成されている。各室には必要な真空度を達成す
るための排気装置、あるいはN2等のガス雰囲気を生成するための装置が装備されており
、また各室間はゲートバルブ等で接続されている。基板搬送は搬送ロボットによって行わ
れる。
、配線、電極、保護膜等があらかじめ作り込まれているものとする)を外部から導入する
。典型的には、画素部、駆動回路部にはTFTが用いられる。
1a内に運ばれ、更に前処理室502に搬送される。典型的には、前処理室502で基板
501cに対して加熱、あるいはO2プラズマ処理などの前処理が行われる。この前処理
は有機発光素子の諸特性向上を目的としている。
504にも搬送ロボットが搭載されており、搬送室504に接続されている各部屋へ基板
を搬送する役割を果たす。搬送室504には有機層形成を目的とした成膜室が接続されて
いる。フルカラー表示の有機発光素子を有する表示装置を作ることを念頭に置いて、R、
G、B各色の発光層を形成するための成膜室506R、506G、506Bが、さらに各
色に共通な層、即ちキャリア輸送層やキャリア注入層等を作製するための成膜室505が
設置されている。これらの成膜室では一般に真空蒸着法が用いられる。フルカラー発光を
得るためには、R、G、B各色の発光を示す発光層がストライプ状、モザイク状、あるい
はデルタ状に配列するように、塗り分け用のシャドウマスクを使用して蒸着を行えばよい
。
搬送室508にも搬送ロボットが搭載されており、搬送室508に接続されている各部屋
へ基板を搬送する役割を果たす。搬送室508には裏面電極形成や保護膜等形成を目的と
した成膜室が接続されている。成膜室509や510では、真空蒸着法やEB法で電極と
なる金属(例としてAlLi合金やMgAg合金等)が成膜される。成膜室511では、
基板上面から発光を得る場合に必要な透明導電膜(例としてITOやIZO等)が、一般
にスパッタ法あるいは化学気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法で成膜さ
れる。成膜室512では、表面を保護するためのパッシベーション膜(例としてSiN、
SiOx膜等)が、一般にスパッタ法あるいはCVD法で成膜される。
4には封止を行うために必要な部屋が複数接続されている。搬送室514にも搬送ロボッ
トが搭載されており、搬送室514に接続されている各部屋へ基板あるいは封止基板を搬
送する役割を果たす。
準備室515a、及び封止プラスチック基板準備室515bである。
向ガラスを外部から導入する。必要ならば、有機発光素子を水から防ぐ乾燥剤を対向ガラ
スに導入することができる。例えば、シート状の乾燥剤を、あらかじめザグリ加工が施し
てある対向ガラスのザグリ部分に両面テープ等で貼りつけておけばよい。
ク封止するための準備を行う。外部から目的に合った形状を有するプラスチック(完成品
)を導入してもよいが、本実施例では、封止ガラス基板準備室515b内で本発明におけ
る支持体(本実施例ではプラスチック)を作製する。
例えば、図2に示したような材料、方法で曲率及び弾性を有する支持体を作製する。つま
り、金型211a、211bや熱硬化性樹脂212を外部から導入し、加熱、加圧、冷却と
いった成形加工を行う。有機発光素子をプラスチック上に転写する場合には、本発明にお
ける転写体も同様の方法で作製しておけばよい。これらの作業に関しては完全に自動化し
てもよいし、グローブを設置して一部手動で行ってもよい。
れ、後に基板と貼り合わせるための接着剤(図示しない)が塗布される。本実施例では、
接着剤として紫外線硬化型のものを用いる。また、必要ならば、有機発光素子を水から防
ぐ乾燥剤(図示しない)を、封止ガラス基板準備室515aにおけるガラス基板導入時で
はなく、ディスペンサ室516内で仕込んでもよい。例えば、シート状の乾燥剤を、あら
かじめザグリ加工が施してある対向ガラスのザグリ部分に両面テープ等で貼りつけること
ができる。こうすれば、乾燥剤を大気中で取り扱う必要がなくなる。これらの作業に関し
ては、完全に自動化してもよいし、グローブを設置して一部手動で行ってもよい。特に封
止プラスチック基板が曲率及び弾性を有する場合は、曲がった状態で接着剤を塗布しても
よいし、真っ直ぐ伸ばした状態で塗布してもよい。
板は封止室517へ運ばれ、互いに貼り合わせられる。接着時は適当な治具(図示しない
)を用いて加圧する必要がある。曲率及び弾性を有する封止プラスチック基板の場合は真
っ直ぐ伸ばした状態で貼りつければよい。これらの作業に関しては、完全に自動化しても
よいし、グローブを設置して一部手動で行ってもよい。
運ばれ、接着剤硬化のための紫外線が照射される。
せばよい。
剥離及び転写体接着の2工程が更に必要となる。即ち、紫外光照射室518で紫外線照射
により接着された基板および封止基板(支持体)を、一度封止プラスチック基板準備室5
15bへ戻す。封止プラスチック基板準備室515bで基板剥離を行う。本実施例では、
剥離方法として、金属層または窒化物層と酸化物層との膜応力を利用した方法を用いる。
一方、支持体の場合と同様に、転写体を封止プラスチック基板準備室515bからディス
ペンサ室516に運び接着剤を塗布しておく。基板が剥離された支持体、及び接着剤が塗
布された転写体を封止室517へ運び、互いに貼り合わせる。その後、紫外光照射室51
8へ運び、再度紫外線照射を行うことによって表示装置が完成する。最後に完成品を受渡
室519から外部に取り出せばよい。
示す。ここでは乗物の代表的な例として自動車を用いたが、特に限定されず、本発明は、
スペースシャトル、航空機、列車、電車などに適用できることはいうまでもない。
体的にはカーオーディオや、カーナビゲーションが設けられている。カーオーディオの本
体2701は、表示部2702、操作スイッチ2703、2704を含む。表示部270
2に本発明を実施することによって薄型、且つ、軽量なカーオーディオを完成させること
ができる。また、カーナビゲーションの表示部2801に本発明を実施することによって
薄型、且つ、軽量なカーナビゲーション完成させることができる。
などの計器のデジタル表示がなされる表示部2603が形成される。表示部2702に本
発明を実施することによって薄型、且つ、軽量な機械類の表示器を完成させることができ
る。
してもよい。表示部2602に本発明を実施することによって薄型、且つ、軽量な機械類
の表示器や画像表示装置を完成させることができる。なお、表示部2602は、矢印で示
した方向に湾曲している。
てもよい。表示部2600に本発明を実施する場合、透過する材料を用いればよく、本発
明によって薄型、且つ、軽量な機械類の表示器や画像表示装置を完成させることができる
。なお、表示部2600は、矢印で示した方向に湾曲している。ここではフロントガラス
としたが他のウインドウガラスに設けることも可能である。
してもよい。図7は、自動車の後部座席周辺を示す図である。なお、図7は図6と対応し
ており、操作ハンドル部は、同一であるため図6と同じ符号を用いている。
車外に後方を撮影できるカメラを取りつけ、互いに接続すれば、運転者は、車体2906
が邪魔になって見ることができない場所を見ることができる。
なお、表示部2902は、矢印で示した方向に湾曲している。
の間の部分)があるため死角が存在しているが、窓ガラスの間の部分に本発明の表示装置
(表示部2901)を貼りつけ、さらに車外に死角方向を撮影できるカメラを取りつけ、
互いに接続すれば、運転者が死角を確認することができる。なお、表示部2901は、矢
印で示した方向に湾曲している。
を見たり、カーナビゲーションの表示を見たりすることができる。
有機発光素子を有する表示装置を接着することによって、映像の表示や車内の照明を行う
ことができる。
である曲面を有する車内のいたるところに簡単に搭載することができる。
物の表示器や、据え置き型のオーディオやナビゲーション装置に用いてもよい。
ィブマトリクス型の表示装置における一つの画素の断面構造、特に発光素子およびTFT
の接続、画素間に配置する隔壁の形状について説明する。
第1の電極(陽極)、44は有機化合物を含む層、45は第2の電極(陰極)、46はT
FTである。
ドレイン領域、46dはゲート電極、46e、46fはソース電極またはドレイン電極で
ある。ここではトップゲート型TFTを示しているが、特に限定されず、逆スタガ型TF
Tであってもよいし、順スタガ型TFTであってもよい。なお、46fは第1の電極43
と一部接して重なることによりTFT46とを接続する電極である。
り、第1の電極をパターニングした後、電極を一部重なるように形成することでTFTと
接続させている。
トホールを介してTFTの電極と接続されている。
。フォトリソグラフィ法を用いてレジストを露光した後、非感光性の有機樹脂や無機絶縁
膜をエッチングすることによって得られる。
を有する形状とすることができる。
部に曲面を有する形状とすることができる。
とができる。
)を作製する例を示す。
で形成する。次いで、レジストまたは感光性樹脂からなる隔壁を発光領域となる領域を囲
んで形成する。次いで、蒸着法またはインクジェット法により、隔壁で囲まれた領域に有
機化合物を含む層を形成する。フルカラー表示とする場合には、適宜、材料を選択して有
機化合物を含む層を形成する。次いで、隔壁および有機化合物を含む層上に、ITOから
なる複数の第1配線と交差するようにストライプ状の複数の第2配線をAlまたはAl合
金などの金属材料(陰極となる材料)で形成する。以上の工程で有機化合物を含む層を発
光層とした発光素子を含む被剥離層を形成することができる。
設けて封止する。
ス基板)に貼り合わせる。基板を剥離する方法は特に限定されず、実施の形態や実施例1
に示した方法を用いればよい。
用装置にも本発明を実施することができる。
ることができる。
Claims (2)
- 第1の基板と、
前記第1の基板上の第1の接着層と、
前記第1の接着層上の素子層と、
前記素子層上の第2の接着層と、
前記第2の接着層上の第2の基板と、を有し、
前記第1の基板は、曲率を有する形状であり、且つ弾性を有し、
前記第2の基板は、曲率を有する形状であり、且つ弾性を有し、
前記素子層は、前記第1の基板に沿って曲率を有する形状であり、
前記素子層は、複数のトランジスタ及び複数の発光素子を有し、
前記複数のトランジスタは、前記複数のトランジスタのチャネル長方向が第1の方向となるように配置されており、
前記第1の方向は、前記素子層の曲率を有していない方向である、発光装置。 - 第1の基板と、
前記第1の基板上の第1の接着層と、
前記第1の接着層上の素子層と、
前記素子層上の第2の接着層と、
前記第2の接着層上の第2の基板と、を有し、
前記第1の基板は、曲率を有する形状であり、且つ弾性を有し、
前記第2の基板は、曲率を有する形状であり、且つ弾性を有し、
前記素子層は、前記第1の基板に沿って曲率を有する形状であり、
前記素子層は、複数のトランジスタ及び複数の発光素子を有し、
前記複数のトランジスタは、前記複数のトランジスタのチャネル長方向が前記素子層の曲率を有していない方向となるように配置されている、発光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001402016 | 2001-12-28 | ||
JP2001402016 | 2001-12-28 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018032066A Division JP6445724B2 (ja) | 2001-12-28 | 2018-02-26 | 発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018206417A Division JP2019033095A (ja) | 2001-12-28 | 2018-11-01 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019070803A JP2019070803A (ja) | 2019-05-09 |
JP6688363B2 true JP6688363B2 (ja) | 2020-04-28 |
Family
ID=19189910
Family Applications (11)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009286485A Expired - Fee Related JP5380266B2 (ja) | 2001-12-28 | 2009-12-17 | 半導体装置 |
JP2012276648A Expired - Fee Related JP5581374B2 (ja) | 2001-12-28 | 2012-12-19 | 発光装置 |
JP2014092354A Expired - Fee Related JP5764694B2 (ja) | 2001-12-28 | 2014-04-28 | 発光装置 |
JP2015057851A Expired - Fee Related JP6034902B2 (ja) | 2001-12-28 | 2015-03-20 | 発光装置の作製方法 |
JP2016092866A Expired - Lifetime JP6298848B2 (ja) | 2001-12-28 | 2016-05-04 | 発光装置 |
JP2017151352A Withdrawn JP2018005240A (ja) | 2001-12-28 | 2017-08-04 | 半導体装置の作製方法 |
JP2018032066A Expired - Lifetime JP6445724B2 (ja) | 2001-12-28 | 2018-02-26 | 発光装置 |
JP2018197151A Expired - Lifetime JP6688363B2 (ja) | 2001-12-28 | 2018-10-19 | 発光装置 |
JP2018206417A Withdrawn JP2019033095A (ja) | 2001-12-28 | 2018-11-01 | 半導体装置の作製方法 |
JP2020105944A Expired - Lifetime JP6963061B2 (ja) | 2001-12-28 | 2020-06-19 | 発光装置、及び、自動車 |
JP2021076414A Withdrawn JP2021152656A (ja) | 2001-12-28 | 2021-04-28 | 自動車、及び、表示装置 |
Family Applications Before (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009286485A Expired - Fee Related JP5380266B2 (ja) | 2001-12-28 | 2009-12-17 | 半導体装置 |
JP2012276648A Expired - Fee Related JP5581374B2 (ja) | 2001-12-28 | 2012-12-19 | 発光装置 |
JP2014092354A Expired - Fee Related JP5764694B2 (ja) | 2001-12-28 | 2014-04-28 | 発光装置 |
JP2015057851A Expired - Fee Related JP6034902B2 (ja) | 2001-12-28 | 2015-03-20 | 発光装置の作製方法 |
JP2016092866A Expired - Lifetime JP6298848B2 (ja) | 2001-12-28 | 2016-05-04 | 発光装置 |
JP2017151352A Withdrawn JP2018005240A (ja) | 2001-12-28 | 2017-08-04 | 半導体装置の作製方法 |
JP2018032066A Expired - Lifetime JP6445724B2 (ja) | 2001-12-28 | 2018-02-26 | 発光装置 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018206417A Withdrawn JP2019033095A (ja) | 2001-12-28 | 2018-11-01 | 半導体装置の作製方法 |
JP2020105944A Expired - Lifetime JP6963061B2 (ja) | 2001-12-28 | 2020-06-19 | 発光装置、及び、自動車 |
JP2021076414A Withdrawn JP2021152656A (ja) | 2001-12-28 | 2021-04-28 | 自動車、及び、表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (9) | US6953735B2 (ja) |
JP (11) | JP5380266B2 (ja) |
Families Citing this family (230)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2773261B1 (fr) | 1997-12-30 | 2000-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions |
US7245018B1 (en) | 1999-06-22 | 2007-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring material, semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof |
US6661096B1 (en) * | 1999-06-29 | 2003-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring material semiconductor device provided with a wiring using the wiring material and method of manufacturing thereof |
JP3963068B2 (ja) * | 2000-07-19 | 2007-08-22 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
US6965124B2 (en) * | 2000-12-12 | 2005-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of fabricating the same |
JP3812368B2 (ja) * | 2001-06-06 | 2006-08-23 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 |
US8415208B2 (en) | 2001-07-16 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
TW554398B (en) * | 2001-08-10 | 2003-09-21 | Semiconductor Energy Lab | Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device |
US7351300B2 (en) * | 2001-08-22 | 2008-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and method of manufacturing semiconductor device |
KR100944886B1 (ko) | 2001-10-30 | 2010-03-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
TWI264121B (en) | 2001-11-30 | 2006-10-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device |
US6953735B2 (en) * | 2001-12-28 | 2005-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature |
AU2003253611A1 (en) * | 2002-05-23 | 2003-12-12 | Walker Digital, Llc | Apparatus having movable display |
JP2004140267A (ja) | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
WO2004040648A1 (ja) | 2002-10-30 | 2004-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
FR2848336B1 (fr) * | 2002-12-09 | 2005-10-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une structure contrainte destinee a etre dissociee |
US7333072B2 (en) * | 2003-03-24 | 2008-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film integrated circuit device |
JP4197447B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2008-12-17 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子の製造方法及びその有機電界発光素子 |
US6979242B2 (en) * | 2003-05-29 | 2005-12-27 | Chungwha Picture Tubes, Ltd. | Manufacturing method and structure of copper lines for a liquid crystal panel |
TW200507131A (en) * | 2003-07-02 | 2005-02-16 | North Corp | Multi-layer circuit board for electronic device |
DE10339941A1 (de) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH | Kältegerät mit OLED-Display |
JP4627140B2 (ja) * | 2003-10-17 | 2011-02-09 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
CN100489569C (zh) | 2003-10-28 | 2009-05-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 制作光学膜的方法 |
EP2259300B1 (en) * | 2003-10-28 | 2020-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacture of semiconductor device |
JP2005158373A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Toyota Industries Corp | 発光デバイス及び当該デバイスの製造方法 |
KR20110091797A (ko) | 2003-11-28 | 2011-08-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
US7130234B2 (en) * | 2003-12-12 | 2006-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7768405B2 (en) * | 2003-12-12 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7405665B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, RFID tag and label-like object |
US7508305B2 (en) * | 2003-12-26 | 2009-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Packing material, tag, certificate, paper money, and securities |
CN1910600B (zh) * | 2004-01-23 | 2011-12-14 | 株式会社半导体能源研究所 | Id标记、id卡和id标签 |
DE102004005370B4 (de) * | 2004-02-03 | 2007-08-16 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Elektrisches Gerät mit einem Gehäuse und einem OLED-Anzeigeelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
US7094666B2 (en) * | 2004-07-29 | 2006-08-22 | Silicon Genesis Corporation | Method and system for fabricating strained layers for the manufacture of integrated circuits |
US8148895B2 (en) | 2004-10-01 | 2012-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
KR100669778B1 (ko) * | 2004-11-20 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 기판 및 박막 트랜지스터를 구비한 기판 |
US7307006B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US7368307B2 (en) * | 2005-06-07 | 2008-05-06 | Eastman Kodak Company | Method of manufacturing an OLED device with a curved light emitting surface |
US7262112B2 (en) * | 2005-06-27 | 2007-08-28 | The Regents Of The University Of California | Method for producing dislocation-free strained crystalline films |
FR2891281B1 (fr) * | 2005-09-28 | 2007-12-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un element en couches minces. |
US8900970B2 (en) * | 2006-04-28 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device using a flexible substrate |
US20080007936A1 (en) * | 2006-07-05 | 2008-01-10 | Jie Liu | Organic illumination source and method for controlled illumination |
US20100047959A1 (en) * | 2006-08-07 | 2010-02-25 | Emcore Solar Power, Inc. | Epitaxial Lift Off on Film Mounted Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells |
TWI450387B (zh) | 2006-09-29 | 2014-08-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置的製造方法 |
US8137417B2 (en) * | 2006-09-29 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device |
JP5040920B2 (ja) * | 2006-10-18 | 2012-10-03 | 日本電気株式会社 | 回路基板装置、および回路基板モジュール装置 |
KR100824881B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100824880B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100833738B1 (ko) | 2006-11-30 | 2008-05-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100824902B1 (ko) * | 2006-12-13 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
FR2910179B1 (fr) | 2006-12-19 | 2009-03-13 | Commissariat Energie Atomique | PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART |
US7923800B2 (en) * | 2006-12-27 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US7968382B2 (en) | 2007-02-02 | 2011-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US7804421B2 (en) * | 2007-02-21 | 2010-09-28 | Audiovox Corporation | Vehicle safety system |
US8716850B2 (en) * | 2007-05-18 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
EP2158109A4 (en) * | 2007-06-05 | 2011-06-29 | Magna Int Inc | OLED TRIM PANEL |
JP5142831B2 (ja) * | 2007-06-14 | 2013-02-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
JP5094250B2 (ja) * | 2007-07-10 | 2012-12-12 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 表示装置 |
JP2009141093A (ja) | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Toshiba Corp | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
KR20090060624A (ko) * | 2007-12-10 | 2009-06-15 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판 및 표시 장치 |
US20090218041A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a portable electronic device housing |
CN102027615A (zh) * | 2008-03-26 | 2011-04-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发光二极管器件 |
CN102084460A (zh) * | 2008-05-30 | 2011-06-01 | 奥塔装置公司 | 用于化学气相沉积反应器的方法和设备 |
CN102084464A (zh) | 2008-05-30 | 2011-06-01 | 奥塔装置公司 | 外延迁移堆栈和方法 |
US7863145B2 (en) * | 2008-09-19 | 2011-01-04 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Method and resulting structure using silver for LCOS devices |
US8609994B2 (en) * | 2008-09-24 | 2013-12-17 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Thin film electronic devices with conductive and transparent gas and moisture permeation barriers |
EP2335274A4 (en) * | 2008-10-10 | 2012-02-29 | Alta Devices Inc | METHOD OF GRAYING MESA AND COMPOSITION FOR EPITAXIAL WITHDRAWAL |
WO2010042927A2 (en) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | Alta Devices, Inc. | Continuous feed chemical vapor deposition |
US8610155B2 (en) | 2008-11-18 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone |
JP5586920B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2014-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | フレキシブル半導体装置の作製方法 |
CN102301450A (zh) * | 2008-12-08 | 2011-12-28 | 奥塔装置公司 | 用于外延剥离的多个堆栈沉积 |
JP5291607B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2013-09-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
EP2359393B1 (en) * | 2008-12-17 | 2019-05-29 | Alta Devices, Inc. | Tape-based epitaxial lift off apparatuses and methods |
US8778199B2 (en) | 2009-02-09 | 2014-07-15 | Emoore Solar Power, Inc. | Epitaxial lift off in inverted metamorphic multijunction solar cells |
KR20110122847A (ko) | 2009-02-17 | 2011-11-11 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 광학 제어 장치 및 그의 제조 방법 |
US8362592B2 (en) | 2009-02-27 | 2013-01-29 | Alta Devices Inc. | Tiled substrates for deposition and epitaxial lift off processes |
US20100253902A1 (en) | 2009-04-07 | 2010-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
US8657456B2 (en) | 2009-04-30 | 2014-02-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Display device and method for manufacturing the same |
US8911653B2 (en) | 2009-05-21 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
GB0909721D0 (en) * | 2009-06-05 | 2009-07-22 | Plastic Logic Ltd | Dielectric seed layer |
US8575646B1 (en) * | 2009-06-11 | 2013-11-05 | Applied Lighting Solutions, LLC | Creating an LED package with optical elements by using controlled wetting |
FR2947098A1 (fr) | 2009-06-18 | 2010-12-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince |
US8576209B2 (en) | 2009-07-07 | 2013-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US11393683B2 (en) | 2009-10-14 | 2022-07-19 | Utica Leaseco, Llc | Methods for high growth rate deposition for forming different cells on a wafer |
US9834860B2 (en) * | 2009-10-14 | 2017-12-05 | Alta Devices, Inc. | Method of high growth rate deposition for group III/V materials |
US8691663B2 (en) * | 2009-11-06 | 2014-04-08 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Methods of manipulating stressed epistructures |
KR101073566B1 (ko) * | 2009-12-07 | 2011-10-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시장치의 제조 방법 |
CN101980393A (zh) * | 2010-09-21 | 2011-02-23 | 福建钧石能源有限公司 | 大面积柔性光电器件的制造方法 |
JP2012108310A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 非平面形状ディスプレイ及びその製造方法 |
JP2012186158A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置及び発光装置の作製方法及び製造装置 |
WO2012155099A1 (en) * | 2011-05-12 | 2012-11-15 | Universal Display Corporation | Flexible lighting devices |
JP2013076753A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-25 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子及びその製造方法 |
US10245776B2 (en) * | 2011-09-30 | 2019-04-02 | Apple Inc. | Methods for forming electronic devices with bent display edges |
JP5907722B2 (ja) | 2011-12-23 | 2016-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US9439315B2 (en) | 2012-06-29 | 2016-09-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device, and method and apparatus for manufacturing the same |
KR20140002470A (ko) | 2012-06-29 | 2014-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치, 디스플레이 장치의 제조방법, 디스플레이 장치의 제조장치 |
KR102133158B1 (ko) * | 2012-08-10 | 2020-07-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치의 제작 방법 |
KR20240090453A (ko) | 2012-09-03 | 2024-06-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
US9288294B2 (en) * | 2012-10-19 | 2016-03-15 | Htc Corporation | Handheld electronic device and method for assembling display panel thereof |
KR102009724B1 (ko) * | 2012-10-29 | 2019-08-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 표시 장치의 휘도 보정 방법 |
TWI500090B (zh) * | 2012-11-13 | 2015-09-11 | 矽品精密工業股份有限公司 | 半導體封裝件之製法 |
US8941128B2 (en) * | 2012-11-21 | 2015-01-27 | Intel Corporation | Passivation layer for flexible display |
GB2508837A (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-18 | Univ Warwick | Multilayer manufacturing method utilising mould |
US9261262B1 (en) | 2013-01-25 | 2016-02-16 | Steelcase Inc. | Emissive shapes and control systems |
US11327626B1 (en) | 2013-01-25 | 2022-05-10 | Steelcase Inc. | Emissive surfaces and workspaces method and apparatus |
US9759420B1 (en) * | 2013-01-25 | 2017-09-12 | Steelcase Inc. | Curved display and curved display support |
WO2014129519A1 (en) | 2013-02-20 | 2014-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus |
KR102415221B1 (ko) | 2013-04-15 | 2022-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
WO2014175198A1 (en) | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
CN105247598B (zh) | 2013-05-21 | 2017-12-26 | 夏普株式会社 | 显示装置的制造方法、显示装置以及膜器件 |
KR20140141400A (ko) * | 2013-05-29 | 2014-12-10 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
CA2953679A1 (en) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | Solarwindow Technologies, Inc. | Coatings for aircraft fuselage surfaces to produce electricity |
CN103345084B (zh) * | 2013-07-03 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示器的制备方法和柔性显示器 |
US11145164B2 (en) * | 2013-07-23 | 2021-10-12 | Gemini Digital Development | Gaming machine having peripheral reels, a selectively transparent front display, and motor driven reels behind the front display |
TWI685026B (zh) | 2013-08-06 | 2020-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 剝離方法 |
TWI618131B (zh) | 2013-08-30 | 2018-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 剝離起點形成裝置及形成方法、疊層體製造裝置 |
TWI777433B (zh) | 2013-09-06 | 2022-09-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置以及發光裝置的製造方法 |
US9496522B2 (en) * | 2013-12-13 | 2016-11-15 | Universal Display Corporation | OLED optically coupled to curved substrate |
US9937698B2 (en) | 2013-11-06 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and light-emitting device |
KR102712985B1 (ko) | 2013-11-15 | 2024-10-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9430180B2 (en) | 2013-11-15 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Display panel and electronic device |
WO2015077629A1 (en) | 2013-11-21 | 2015-05-28 | Atom Nanoelectronics, Inc. | Devices, structures, materials and methods for vertical light emitting transistors and light emitting displays |
TWI650683B (zh) | 2013-11-29 | 2019-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 資料處理裝置及資料處理裝置的驅動方法 |
JP2015129917A (ja) | 2013-12-02 | 2015-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 情報処理装置 |
DE202013105597U1 (de) | 2013-12-10 | 2014-02-12 | Odelo Gmbh | Leuchtmittel und hiermit ausgestattete Kraftfahrzeugleuchte |
WO2015087192A1 (en) | 2013-12-12 | 2015-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and peeling apparatus |
TW201526718A (zh) | 2013-12-17 | 2015-07-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 可撓性元件基板以及其製作方法 |
CA2934528C (en) | 2013-12-17 | 2022-06-28 | Marsupial Holdings Inc. | Integrated microoptic imager, processor, and display |
EP2886936A1 (de) | 2013-12-23 | 2015-06-24 | odelo GmbH | Leuchtmittel und hiermit ausgestattete Kraftfahrzeugleuchte |
SI2900038T1 (sl) | 2014-01-27 | 2017-05-31 | Odelo Gmbh | Svetilno sredstvo in z njim opremljena luč motornega vozila |
EP2900039B1 (de) | 2014-01-27 | 2020-11-04 | odelo GmbH | Leuchtmittel und hiermit ausgestattete Kraftfahrzeugleuchte sowie Verfahren zu deren Betrieb |
US9443876B2 (en) | 2014-02-05 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module |
GB2527271A (en) | 2014-04-07 | 2015-12-23 | Ujett D P Ltd | Coated optical substrates |
KR20230023815A (ko) | 2014-05-06 | 2023-02-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 장치 |
CN103985321B (zh) * | 2014-05-29 | 2018-03-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板及其制作方法及柔性显示装置 |
CN104022062B (zh) * | 2014-06-12 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板的制备方法 |
CN105336875B (zh) * | 2014-07-10 | 2017-10-13 | 上海和辉光电有限公司 | 柔性显示器件及其离型方法 |
TWI695525B (zh) | 2014-07-25 | 2020-06-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 剝離方法、發光裝置、模組以及電子裝置 |
US9977464B2 (en) | 2014-08-27 | 2018-05-22 | Apple Inc. | Sapphire cover for electronic devices |
JP2016066607A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法、発光装置、モジュール、及び電子機器 |
WO2016059514A1 (en) | 2014-10-17 | 2016-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
JP2016085457A (ja) | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
TW201616467A (zh) | 2014-10-31 | 2016-05-01 | 中華映管股份有限公司 | 曲面裝飾板以及曲面顯示裝置的製作方法 |
US9743513B2 (en) | 2014-12-26 | 2017-08-22 | Industrial Technology Research Institute | Flexible electronic device |
CN104576965B (zh) * | 2014-12-29 | 2017-02-22 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种可首尾电连接的柔性显示装置及其制备方法 |
CN104460124B (zh) * | 2015-01-04 | 2017-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曲面显示面板及其制作方法 |
EP3057149A1 (en) * | 2015-02-11 | 2016-08-17 | Nitto Europe N.V | Kits comprising TOLED-containing multilayer films for providing windows with an image display |
US20160250969A1 (en) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | Ford Global Technologies, Llc | Vehicle mirage roof |
US9933870B2 (en) * | 2015-03-17 | 2018-04-03 | Lg Display Co., Ltd. | Back plate member for flexible display, display apparatus including the same, and method of manufacturing the same |
EP2889754A3 (en) * | 2015-03-20 | 2015-10-07 | ABB Technology Oy | Touchscreen, frequency converter and drive system |
KR102294833B1 (ko) * | 2015-05-08 | 2021-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 커브드 표시 장치 |
KR102040469B1 (ko) | 2015-06-09 | 2019-11-05 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자장치 |
CN107849414B (zh) * | 2015-06-09 | 2020-06-05 | 株式会社Lg化学 | 粘合剂组合物、包含其的粘合膜和包含其的有机电子器件 |
CN105118844A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-12-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种柔性显示面板的制备方法及柔性显示面板 |
JP6546024B2 (ja) * | 2015-07-15 | 2019-07-17 | 株式会社小糸製作所 | 車両用灯具 |
EP3147554A1 (de) | 2015-09-23 | 2017-03-29 | odelo GmbH | Oled umfassende lichtquelle für fahrzeugleuchten sowie verfahren zu deren herstellung |
CN106739424B (zh) | 2015-11-20 | 2020-02-14 | 财团法人工业技术研究院 | 取下贴合装置及应用此装置的取下方法与贴合方法 |
CN106793488B (zh) | 2015-11-20 | 2019-04-30 | 财团法人工业技术研究院 | 软性电子装置与软性电子装置制作工艺方法 |
WO2017096058A1 (en) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | LUAN, Xinning | Electron injection based vertical light emitting transistors and methods of making |
FR3045505B1 (fr) * | 2015-12-16 | 2017-12-22 | Saint Gobain | Pare-brise feuillete de vehicule avec signaletique lumineuse interne. |
US10541374B2 (en) | 2016-01-04 | 2020-01-21 | Carbon Nanotube Technologies, Llc | Electronically pure single chirality semiconducting single-walled carbon nanotube for large scale electronic devices |
US10259207B2 (en) | 2016-01-26 | 2019-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming separation starting point and separation method |
CN108602465B (zh) * | 2016-01-28 | 2021-08-17 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 车辆用图像显示系统及搭载了该图像显示系统的车辆 |
US11597672B2 (en) | 2016-03-09 | 2023-03-07 | Corning Incorporated | Cold forming of complexly curved glass articles |
KR102449220B1 (ko) * | 2016-03-21 | 2022-09-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
JP6940974B2 (ja) | 2016-05-10 | 2021-09-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 移動体 |
JP2017207747A (ja) * | 2016-05-17 | 2017-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示システムおよび移動体 |
KR20230145231A (ko) * | 2016-05-24 | 2023-10-17 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 조광 장치 |
TWI722048B (zh) | 2016-06-10 | 2021-03-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
KR102513536B1 (ko) | 2016-06-28 | 2023-03-24 | 코닝 인코포레이티드 | 장식 및 디스플레이 커버 적용(application)을 위한 커브드(curved) 몰딩된(molded) 플라스틱 표면에 대한 얇은 강화된 유리의 적층(laminating) |
FR3053315A1 (fr) | 2016-06-29 | 2018-01-05 | Airbus Operations | Procede pour realiser une marque electroluminescente sur une paroi exterieure d’un aeronef, bande de marquage comprenant ladite marque electroluminescente et aeronef comprenant ladite marque electroluminescente |
TWI730140B (zh) | 2016-07-05 | 2021-06-11 | 美商康寧公司 | 冷成形玻璃製品及其組裝製程 |
US9825007B1 (en) | 2016-07-13 | 2017-11-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chip package structure with molding layer and method for forming the same |
US11469215B2 (en) | 2016-07-13 | 2022-10-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chip package structure with molding layer and method for forming the same |
US10637005B2 (en) | 2016-08-26 | 2020-04-28 | Osram Oled Gmbh | Method of producing a component module and component module |
EP3309854A1 (de) | 2016-10-17 | 2018-04-18 | odelo GmbH | Oled umfassendes leuchtmittel für fahrzeugleuchte |
DE102016119906A1 (de) * | 2016-10-19 | 2018-04-19 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Vorrichtung und eine durch das Verfahren hergestellte optoelektronische Vorrichtung |
WO2018075853A1 (en) | 2016-10-20 | 2018-04-26 | Corning Incorporated | Cold formed 3d cover glass articles and forming process to make the same |
CN115403280B (zh) | 2016-10-25 | 2024-03-19 | 康宁公司 | 用于显示器的冷成形玻璃积层 |
KR102301967B1 (ko) * | 2016-12-01 | 2021-09-17 | 한국전자통신연구원 | 발광 장치의 제조 방법, 발광 장치, 및 창문 |
US10264213B1 (en) | 2016-12-15 | 2019-04-16 | Steelcase Inc. | Content amplification system and method |
CN106653815B (zh) * | 2016-12-29 | 2019-09-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN110520331A (zh) | 2016-12-30 | 2019-11-29 | 康宁公司 | 以玻璃覆盖的运载工具内部系统及其形成方法 |
EP3981590A1 (en) | 2017-01-03 | 2022-04-13 | Corning Incorporated | Kit having a curved glass substrate |
US10712850B2 (en) | 2017-01-03 | 2020-07-14 | Corning Incorporated | Vehicle interior systems having a curved cover glass and a display or touch panel and methods for forming the same |
US11016590B2 (en) | 2017-01-03 | 2021-05-25 | Corning Incorporated | Vehicle interior systems having a curved cover glass and display or touch panel and methods for forming the same |
JP6991137B2 (ja) * | 2017-01-17 | 2022-01-12 | 積水化学工業株式会社 | 充填接合材、保護シート付き充填接合材、積層体、光学デバイス及び光学デバイス用保護パネル |
JP6982287B2 (ja) * | 2017-03-13 | 2021-12-17 | 株式会社K工房 | 画像表示パネル |
US10621893B2 (en) * | 2017-03-30 | 2020-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device, manufacturing method for display device, manufacturing apparatus of display device, mounting device, and controller |
US10847757B2 (en) | 2017-05-04 | 2020-11-24 | Carbon Nanotube Technologies, Llc | Carbon enabled vertical organic light emitting transistors |
US10978640B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-04-13 | Atom H2O, Llc | Manufacturing of carbon nanotube thin film transistor backplanes and display integration thereof |
US10665796B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-05-26 | Carbon Nanotube Technologies, Llc | Manufacturing of carbon nanotube thin film transistor backplanes and display integration thereof |
JP7357546B2 (ja) | 2017-05-15 | 2023-10-06 | コーニング インコーポレイテッド | 輪郭形成済みガラス物品及びその作製方法 |
KR102343573B1 (ko) * | 2017-05-26 | 2021-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
WO2019017915A1 (en) | 2017-07-18 | 2019-01-24 | Corning Incorporated | COLD FORMING GLASS ARTICLES WITH COMPLEX CURVATURE |
KR102564868B1 (ko) | 2017-09-12 | 2023-08-09 | 코닝 인코포레이티드 | 장식용 유리 상에 터치 패널을 포함하는 디스플레이용 데드프론트 및 관련 방법 |
TW202340816A (zh) | 2017-09-13 | 2023-10-16 | 美商康寧公司 | 用於顯示器的基於光導器的無電面板、相關的方法及載具內部系統 |
US11065960B2 (en) * | 2017-09-13 | 2021-07-20 | Corning Incorporated | Curved vehicle displays |
TWI844520B (zh) | 2017-10-10 | 2024-06-11 | 美商康寧公司 | 具有改善可靠性的彎曲的覆蓋玻璃的車輛內部系統及其形成方法 |
WO2019103469A1 (en) | 2017-11-21 | 2019-05-31 | Corning Precision Materials Co., Ltd. | Aspheric mirror for head-up display system and methods for forming the same |
US10269830B1 (en) * | 2017-11-27 | 2019-04-23 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible array substrate and manufacturing method thereof |
US11550148B2 (en) | 2017-11-30 | 2023-01-10 | Corning Incorporated | Vacuum mold apparatus, systems, and methods for forming curved mirrors |
CN111656254B (zh) | 2017-11-30 | 2023-06-02 | 康宁公司 | 用于真空成形非球面镜的系统与方法 |
CN108122495B (zh) * | 2017-12-26 | 2020-05-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板和柔性显示器 |
KR102491653B1 (ko) * | 2018-03-08 | 2023-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스트레처블 표시 장치 |
EP3765425B1 (en) | 2018-03-13 | 2023-11-08 | Corning Incorporated | Vehicle interior systems having a crack resistant curved cover glass and methods for forming the same |
CN110390882B (zh) * | 2018-04-20 | 2021-03-26 | Oppo广东移动通信有限公司 | 曲面基层内贴合柔性屏的方法、电子装置及其曲面屏 |
KR102183673B1 (ko) * | 2018-05-17 | 2020-11-27 | 주식회사 엘지화학 | 광학 디바이스의 제조 방법 |
US11066008B2 (en) | 2018-05-29 | 2021-07-20 | Honda Motor Co., Ltd. | Lighting through chrome plating or chrome-like surface treatments |
CN112566782A (zh) | 2018-07-16 | 2021-03-26 | 康宁公司 | 具冷弯玻璃基板的车辆内部系统及其形成方法 |
CN115611528B (zh) | 2018-07-23 | 2024-02-20 | 康宁公司 | 具有改善的头部冲击性能及破裂后能见度的汽车内部及覆盖玻璃制品 |
CN109037283A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-12-18 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种基板、显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 |
CN109378325B (zh) | 2018-09-14 | 2020-06-16 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 |
WO2020081935A1 (en) | 2018-10-18 | 2020-04-23 | Corning Incorporated | Strengthened glass articles exhibiting improved headform impact performance and automotive interior systems incorporating the same |
KR20210087053A (ko) | 2018-11-01 | 2021-07-09 | 코닝 인코포레이티드 | 3d 냉간 성형된 곡선형 라미네이트에 대한 균일한 접착제 본드라인 제어 방법들 |
CN111199693A (zh) * | 2018-11-20 | 2020-05-26 | 上海和辉光电有限公司 | 显示面板及其制程方法 |
EP3883897A1 (en) | 2018-11-21 | 2021-09-29 | Corning Incorporated | Low stored tensile energy dicing glass and preferential crack fragmentation |
US11423816B2 (en) | 2018-11-29 | 2022-08-23 | Corning Incorporated | Dynamically adjustable display system and methods of dynamically adjusting a display |
WO2020112435A1 (en) | 2018-11-30 | 2020-06-04 | Corning Incorporated | Cold-formed glass article with thermally matched system and process for forming the same |
KR102145016B1 (ko) * | 2019-02-28 | 2020-08-18 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 디스플레이 패널에 조립하는 조립 장치 |
CN109817834A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示装置及其制备方法 |
US10906288B2 (en) * | 2019-04-08 | 2021-02-02 | Innolux Corporation | Method for manufacturing display device |
EP3771695A1 (en) | 2019-07-31 | 2021-02-03 | Corning Incorporated | Method and system for cold-forming glass |
CN112750365A (zh) * | 2019-10-31 | 2021-05-04 | 华为技术有限公司 | 一种柔性显示屏及电子设备 |
CN111063259A (zh) * | 2019-12-17 | 2020-04-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示装置 |
CN110930887A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-03-27 | 联想(北京)有限公司 | 一种制备方法、系统及折叠显示屏 |
KR102293405B1 (ko) * | 2020-02-24 | 2021-08-26 | 연세대학교 산학협력단 | 스트레처블 발광소재를 이용한 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2021138342A (ja) * | 2020-03-09 | 2021-09-16 | 株式会社デンソー | 車載用表示装置 |
US11772361B2 (en) | 2020-04-02 | 2023-10-03 | Corning Incorporated | Curved glass constructions and methods for forming same |
US11908723B2 (en) * | 2021-12-03 | 2024-02-20 | International Business Machines Corporation | Silicon handler with laser-release layers |
FR3138566A1 (fr) * | 2022-08-01 | 2024-02-02 | Valeo Vision | Module lumineux intégrant une diode électroluminescente organique flexible |
Family Cites Families (202)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US32210A (en) * | 1861-04-30 | Rigging-clasp | ||
US47280A (en) * | 1865-04-18 | Combined spittoon and foot-warmer | ||
JPS5538707A (en) * | 1978-09-11 | 1980-03-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Solidified illumination source |
DE3538986C3 (de) | 1985-11-02 | 1994-11-24 | Deutsche Aerospace | Verfahren zur Herstellung eines Solargenerators |
US4883561A (en) * | 1988-03-29 | 1989-11-28 | Bell Communications Research, Inc. | Lift-off and subsequent bonding of epitaxial films |
JPH01287529A (ja) | 1988-05-14 | 1989-11-20 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
JP2742290B2 (ja) | 1989-03-24 | 1998-04-22 | 株式会社リコー | 液晶表示素子 |
US5106181A (en) * | 1989-04-12 | 1992-04-21 | Rockwell Iii Marshall A | Optical waveguide display system |
JP2820965B2 (ja) | 1989-08-04 | 1998-11-05 | 株式会社リコー | 曲面液晶表示装置 |
BR9004528A (pt) | 1989-09-12 | 1991-09-10 | Petri Ag | Conector de linha de corrente para contornar a interrupcao de condutores entre partes que giram uma contra a outra |
JPH0626950Y2 (ja) * | 1990-02-14 | 1994-07-20 | スタンレー電気株式会社 | El表示装置 |
JPH03283385A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JPH0443389A (ja) | 1990-06-11 | 1992-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置 |
US5206749A (en) | 1990-12-31 | 1993-04-27 | Kopin Corporation | Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits |
US6320568B1 (en) * | 1990-12-31 | 2001-11-20 | Kopin Corporation | Control system for display panels |
US5396304A (en) * | 1990-12-31 | 1995-03-07 | Kopin Corporation | Slide projector mountable light valve display |
US5743614A (en) * | 1990-12-31 | 1998-04-28 | Kopin Corporation | Housing assembly for a matrix display |
US5258325A (en) * | 1990-12-31 | 1993-11-02 | Kopin Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film |
US5666175A (en) * | 1990-12-31 | 1997-09-09 | Kopin Corporation | Optical systems for displays |
US7075501B1 (en) | 1990-12-31 | 2006-07-11 | Kopin Corporation | Head mounted display system |
US6143582A (en) | 1990-12-31 | 2000-11-07 | Kopin Corporation | High density electronic circuit modules |
US5300788A (en) | 1991-01-18 | 1994-04-05 | Kopin Corporation | Light emitting diode bars and arrays and method of making same |
US5861929A (en) * | 1990-12-31 | 1999-01-19 | Kopin Corporation | Active matrix color display with multiple cells and connection through substrate |
US5499124A (en) * | 1990-12-31 | 1996-03-12 | Vu; Duy-Phach | Polysilicon transistors formed on an insulation layer which is adjacent to a liquid crystal material |
US5751261A (en) * | 1990-12-31 | 1998-05-12 | Kopin Corporation | Control system for display panels |
US5376561A (en) * | 1990-12-31 | 1994-12-27 | Kopin Corporation | High density electronic circuit modules |
US5256562A (en) * | 1990-12-31 | 1993-10-26 | Kopin Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film |
US5317436A (en) * | 1990-12-31 | 1994-05-31 | Kopin Corporation | A slide assembly for projector with active matrix moveably mounted to housing |
US5258320A (en) * | 1990-12-31 | 1993-11-02 | Kopin Corporation | Single crystal silicon arrayed devices for display panels |
US6593978B2 (en) | 1990-12-31 | 2003-07-15 | Kopin Corporation | Method for manufacturing active matrix liquid crystal displays |
US5661371A (en) * | 1990-12-31 | 1997-08-26 | Kopin Corporation | Color filter system for light emitting display panels |
US5528397A (en) * | 1991-12-03 | 1996-06-18 | Kopin Corporation | Single crystal silicon transistors for display panels |
US5362671A (en) * | 1990-12-31 | 1994-11-08 | Kopin Corporation | Method of fabricating single crystal silicon arrayed devices for display panels |
US5475514A (en) * | 1990-12-31 | 1995-12-12 | Kopin Corporation | Transferred single crystal arrayed devices including a light shield for projection displays |
US5331149A (en) * | 1990-12-31 | 1994-07-19 | Kopin Corporation | Eye tracking system having an array of photodetectors aligned respectively with an array of pixels |
US5376979A (en) * | 1990-12-31 | 1994-12-27 | Kopin Corporation | Slide projector mountable light valve display |
US5444557A (en) * | 1990-12-31 | 1995-08-22 | Kopin Corporation | Single crystal silicon arrayed devices for projection displays |
US6072445A (en) * | 1990-12-31 | 2000-06-06 | Kopin Corporation | Head mounted color display system |
US6627953B1 (en) | 1990-12-31 | 2003-09-30 | Kopin Corporation | High density electronic circuit modules |
JPH0590623A (ja) * | 1991-09-28 | 1993-04-09 | Nissha Printing Co Ltd | 太陽電池用転写材 |
JP2701629B2 (ja) | 1991-11-01 | 1998-01-21 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
US5420055A (en) * | 1992-01-22 | 1995-05-30 | Kopin Corporation | Reduction of parasitic effects in floating body MOSFETs |
WO1993015589A1 (en) | 1992-01-22 | 1993-08-05 | Kopin Corporation | Single crystal silicon arrayed devices for projection displays |
US5692820A (en) * | 1992-02-20 | 1997-12-02 | Kopin Corporation | Projection monitor |
US6511187B1 (en) | 1992-02-20 | 2003-01-28 | Kopin Corporation | Method of fabricating a matrix display system |
US5467154A (en) * | 1992-02-20 | 1995-11-14 | Kopin Corporation | Projection monitor |
DK0725939T3 (da) | 1992-03-13 | 1999-11-15 | Kopin Corp | Skærmsystem til anbringelse på hovedet |
ATE173839T1 (de) | 1992-09-11 | 1998-12-15 | Kopin Corp | Farbfiltersystem fuer anzeigetafeln |
US6608654B2 (en) | 1992-09-11 | 2003-08-19 | Kopin Corporation | Methods of fabricating active matrix pixel electrodes |
EP0853254A3 (en) | 1992-09-11 | 1998-10-14 | Kopin Corporation | Liquid crystal display |
US5705424A (en) | 1992-09-11 | 1998-01-06 | Kopin Corporation | Process of fabricating active matrix pixel electrodes |
JPH06259593A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-09-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 情報識別装置 |
WO1994010794A1 (en) | 1992-11-04 | 1994-05-11 | Kopin Corporation | Control system for projection displays |
JP3238223B2 (ja) | 1993-01-20 | 2001-12-10 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置および表示装置 |
JPH06280026A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
US5589406A (en) * | 1993-07-30 | 1996-12-31 | Ag Technology Co., Ltd. | Method of making TFT display |
JPH0792501A (ja) | 1993-07-30 | 1995-04-07 | A G Technol Kk | 画像表示用の基板とその製造方法、およびtft表示素子 |
KR100333153B1 (ko) * | 1993-09-07 | 2002-12-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치제작방법 |
JPH07109573A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ガラス基板および加熱処理方法 |
JPH07114347A (ja) | 1993-10-14 | 1995-05-02 | Alps Electric Co Ltd | ディスプレイ装置およびその製造方法 |
KR100321541B1 (ko) * | 1994-03-09 | 2002-06-20 | 야마자끼 순페이 | 능동 매트릭스 디스플레이 장치의 작동 방법 |
JP3150840B2 (ja) * | 1994-03-11 | 2001-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JPH07272858A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-20 | Nippondenso Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
DE4415132C2 (de) * | 1994-04-29 | 1997-03-20 | Siemens Ag | Verfahren zur formgebenden Bearbeitung von dünnen Wafern und Solarzellen aus kristallinem Silizium |
KR100213603B1 (ko) * | 1994-12-28 | 1999-08-02 | 가나이 쯔또무 | 전자회로기판의 배선수정방법 및 그 장치와 전자회로기판 |
JP3698749B2 (ja) * | 1995-01-11 | 2005-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶セルの作製方法およびその作製装置、液晶セルの生産システム |
JP3364081B2 (ja) | 1995-02-16 | 2003-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US5757456A (en) | 1995-03-10 | 1998-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other |
US5834327A (en) | 1995-03-18 | 1998-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing display device |
US5598067A (en) * | 1995-06-07 | 1997-01-28 | Vincent; Kent | Electroluminescent device as a source for a scanner |
JP4063896B2 (ja) * | 1995-06-20 | 2008-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有色シースルー光起電力装置 |
JP3493534B2 (ja) | 1995-07-07 | 2004-02-03 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示素子 |
US5817548A (en) * | 1995-11-10 | 1998-10-06 | Sony Corporation | Method for fabricating thin film transistor device |
TWI228625B (en) * | 1995-11-17 | 2005-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Display device |
TW309633B (ja) * | 1995-12-14 | 1997-07-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
DE19547691C1 (de) * | 1995-12-20 | 1997-04-24 | Lohmann Therapie Syst Lts | Verfahren zur Herstellung transdermaler therapeutischer Pflaster (TTS) |
JPH09297316A (ja) | 1996-05-08 | 1997-11-18 | Hitachi Ltd | 液晶装置 |
DE69707233T2 (de) * | 1996-05-28 | 2002-07-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven | Organische elektrolumineszente vorrichtung |
JPH1020293A (ja) | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Omron Corp | 表示装置 |
US6027958A (en) * | 1996-07-11 | 2000-02-22 | Kopin Corporation | Transferred flexible integrated circuit |
JPH1039811A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Tesac Corp | 電界発光光源体 |
JP4619462B2 (ja) | 1996-08-27 | 2011-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜素子の転写方法 |
EP1758169A3 (en) | 1996-08-27 | 2007-05-23 | Seiko Epson Corporation | Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same |
JP4619461B2 (ja) | 1996-08-27 | 2011-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜デバイスの転写方法、及びデバイスの製造方法 |
JP3809681B2 (ja) | 1996-08-27 | 2006-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | 剥離方法 |
JP3809710B2 (ja) | 1997-07-03 | 2006-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜素子の転写方法 |
USRE38466E1 (en) | 1996-11-12 | 2004-03-16 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device |
US6127199A (en) | 1996-11-12 | 2000-10-03 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device |
JP3899566B2 (ja) | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
US6013982A (en) | 1996-12-23 | 2000-01-11 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor display devices |
US5981306A (en) * | 1997-09-12 | 1999-11-09 | The Trustees Of Princeton University | Method for depositing indium tin oxide layers in organic light emitting devices |
EP0851513B1 (en) * | 1996-12-27 | 2007-11-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing semiconductor member and method of producing solar cell |
US6013346A (en) * | 1997-01-28 | 2000-01-11 | Buztronics, Inc. | Display sticker with integral flasher circuit and power source |
JPH10223608A (ja) * | 1997-02-04 | 1998-08-21 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3386682B2 (ja) * | 1997-02-17 | 2003-03-17 | 株式会社東芝 | 薄膜トランジスタ、論理ゲート装置および薄膜トランジスタアレイ |
DE19708610A1 (de) | 1997-03-03 | 1998-09-24 | Siemens Ag | Pixel-Matrix-Anzeigeeinrichtung für Transportsysteme |
US6356376B1 (en) | 1997-04-02 | 2002-03-12 | Gentex Corporation | Electrochromic rearview mirror incorporating a third surface metal reflector and a display/signal light |
JPH1174075A (ja) | 1997-06-19 | 1999-03-16 | Tdk Corp | 有機el表示装置 |
JP4042182B2 (ja) | 1997-07-03 | 2008-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | Icカードの製造方法及び薄膜集積回路装置の製造方法 |
JPH1126733A (ja) | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器 |
US5956181A (en) * | 1997-07-18 | 1999-09-21 | Lin; William | Two way mirror with dual functions of rear view mirror and video displayer |
JP3878288B2 (ja) | 1997-07-28 | 2007-02-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3116085B2 (ja) * | 1997-09-16 | 2000-12-11 | 東京農工大学長 | 半導体素子形成法 |
JPH1199893A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-13 | Mazda Motor Corp | 車両用障害物検出装置 |
JPH11121751A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JP3139426B2 (ja) * | 1997-10-15 | 2001-02-26 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
DE69732776T2 (de) * | 1997-11-17 | 2006-04-06 | Molex Inc., Lisle | Elektrolumineszierende Lampe und Verfahren zur Herstellung |
JPH11160734A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
JPH11198720A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-27 | Harness Syst Tech Res Ltd | 表示装置 |
JPH11198679A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-27 | Harness Syst Tech Res Ltd | 表示装置 |
AU2492399A (en) * | 1998-02-02 | 1999-08-16 | Uniax Corporation | Image sensors made from organic semiconductors |
US6476783B2 (en) | 1998-02-17 | 2002-11-05 | Sarnoff Corporation | Contrast enhancement for an electronic display device by using a black matrix and lens array on outer surface of display |
JPH11243209A (ja) | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器 |
JP3809733B2 (ja) | 1998-02-25 | 2006-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタの剥離方法 |
JP4126747B2 (ja) | 1998-02-27 | 2008-07-30 | セイコーエプソン株式会社 | 3次元デバイスの製造方法 |
JP4547723B2 (ja) | 1998-03-09 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
JPH11321363A (ja) * | 1998-05-18 | 1999-11-24 | Toyota Motor Corp | センターベアリングの取付構造 |
US6582996B1 (en) | 1998-07-13 | 2003-06-24 | Fujitsu Limited | Semiconductor thin film forming method |
JP2000105557A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-11 | Mitsubishi Materials Corp | El発光シートを用いる薄型曲面発光パネル及びその製造方法 |
WO2000023976A1 (en) | 1998-10-16 | 2000-04-27 | Sarnoff Corporation | Linear array of light-emitting elements |
JP2000177483A (ja) | 1998-12-11 | 2000-06-27 | Fujitsu Ten Ltd | 車両の外部監視装置 |
US6506438B2 (en) | 1998-12-15 | 2003-01-14 | E Ink Corporation | Method for printing of transistor arrays on plastic substrates |
EP1157421A1 (en) | 1999-02-05 | 2001-11-28 | Alien Technology Corporation | Apparatuses and methods for forming assemblies |
US6274978B1 (en) | 1999-02-23 | 2001-08-14 | Sarnoff Corporation | Fiber-based flat panel display |
US6228228B1 (en) | 1999-02-23 | 2001-05-08 | Sarnoff Corporation | Method of making a light-emitting fiber |
US6259846B1 (en) | 1999-02-23 | 2001-07-10 | Sarnoff Corporation | Light-emitting fiber, as for a display |
EP1041624A1 (en) | 1999-04-02 | 2000-10-04 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Method of transferring ultra-thin substrates and application of the method to the manufacture of a multilayer thin film device |
US6498114B1 (en) | 1999-04-09 | 2002-12-24 | E Ink Corporation | Method for forming a patterned semiconductor film |
JP2000305480A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Minolta Co Ltd | ヘッドアップディスプレイ装置、ミラー画面内表示装置及びハイマウントストップ表示装置 |
US6531997B1 (en) | 1999-04-30 | 2003-03-11 | E Ink Corporation | Methods for addressing electrophoretic displays |
US6504524B1 (en) | 2000-03-08 | 2003-01-07 | E Ink Corporation | Addressing methods for displays having zero time-average field |
WO2001005194A1 (fr) | 1999-07-07 | 2001-01-18 | Sony Corporation | Procede et appareil de fabrication d'afficheur electroluminescent organique souple |
JP3804349B2 (ja) | 1999-08-06 | 2006-08-02 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および電気光学装置 |
TW544743B (en) | 1999-08-13 | 2003-08-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing a semiconductor device |
US6391220B1 (en) | 1999-08-18 | 2002-05-21 | Fujitsu Limited, Inc. | Methods for fabricating flexible circuit structures |
JP3942770B2 (ja) | 1999-09-22 | 2007-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示装置及び電子装置 |
JP2001100661A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP4009923B2 (ja) | 1999-09-30 | 2007-11-21 | セイコーエプソン株式会社 | Elパネル |
US6300870B1 (en) * | 1999-10-04 | 2001-10-09 | Warren F. Nelson | Automotive digital rear window display unit |
JP2001118680A (ja) | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Toyota Motor Corp | 有機el曲面素子の製造方法 |
JP3911929B2 (ja) | 1999-10-25 | 2007-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US6455397B1 (en) * | 1999-11-16 | 2002-09-24 | Rona E. Belford | Method of producing strained microelectronic and/or optical integrated and discrete devices |
JP3874054B2 (ja) | 1999-11-30 | 2007-01-31 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体回路内蔵構造体 |
JP2001166301A (ja) | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Seiko Epson Corp | バックライト内蔵型液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2001177101A (ja) | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US7576496B2 (en) | 1999-12-22 | 2009-08-18 | General Electric Company | AC powered OLED device |
US20020190661A1 (en) | 2000-01-27 | 2002-12-19 | General Electric Company | AC powered oled device |
US6566808B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-05-20 | General Electric Company | Luminescent display and method of making |
US7768210B2 (en) | 1999-12-22 | 2010-08-03 | General Electric Company | Hybrid electroluminescent devices |
JP4478268B2 (ja) | 1999-12-28 | 2010-06-09 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜デバイスの製造方法 |
JP4748859B2 (ja) | 2000-01-17 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US7060153B2 (en) | 2000-01-17 | 2006-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
US6515417B1 (en) | 2000-01-27 | 2003-02-04 | General Electric Company | Organic light emitting device and method for mounting |
TWI273722B (en) | 2000-01-27 | 2007-02-11 | Gen Electric | Organic light emitting device and method for mounting |
US6700322B1 (en) | 2000-01-27 | 2004-03-02 | General Electric Company | Light source with organic layer and photoluminescent layer |
TW494447B (en) | 2000-02-01 | 2002-07-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP4712198B2 (ja) | 2000-02-01 | 2011-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
JP4461548B2 (ja) | 2000-02-02 | 2010-05-12 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4682390B2 (ja) | 2000-02-25 | 2011-05-11 | 凸版印刷株式会社 | 高分子el素子 |
JP2003523891A (ja) | 2000-02-26 | 2003-08-12 | フェデラル−モーガル コーポレイション | エレクトロルミネセンスパネルを用いた乗物用室内照明システム |
JP2001318624A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置およびその作製方法 |
JP4414553B2 (ja) | 2000-03-16 | 2010-02-10 | 宇部日東化成株式会社 | 有機−無機ハイブリッド傾斜材料およびその用途 |
JP2001265251A (ja) | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Minolta Co Ltd | 表示素子及び積層型表示素子 |
US6777871B2 (en) * | 2000-03-31 | 2004-08-17 | General Electric Company | Organic electroluminescent devices with enhanced light extraction |
US6661029B1 (en) | 2000-03-31 | 2003-12-09 | General Electric Company | Color tunable organic electroluminescent light source |
US6611108B2 (en) * | 2000-04-26 | 2003-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and driving method thereof |
JP3265301B2 (ja) * | 2000-06-05 | 2002-03-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置とその製造方法 |
US6940223B2 (en) | 2000-07-10 | 2005-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film forming apparatus and method of manufacturing light emitting device |
US6867539B1 (en) | 2000-07-12 | 2005-03-15 | 3M Innovative Properties Company | Encapsulated organic electronic devices and method for making same |
US6683333B2 (en) | 2000-07-14 | 2004-01-27 | E Ink Corporation | Fabrication of electronic circuit elements using unpatterned semiconductor layers |
SG101479A1 (en) * | 2000-09-14 | 2004-01-30 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP3974749B2 (ja) | 2000-12-15 | 2007-09-12 | シャープ株式会社 | 機能素子の転写方法 |
JP2002217391A (ja) | 2001-01-23 | 2002-08-02 | Seiko Epson Corp | 積層体の製造方法及び半導体装置 |
US6649433B2 (en) | 2001-06-26 | 2003-11-18 | Sigma Technologies International, Inc. | Self-healing flexible photonic composites for light sources |
US6664730B2 (en) | 2001-07-09 | 2003-12-16 | Universal Display Corporation | Electrode structure of el device |
US8415208B2 (en) | 2001-07-16 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
US6677254B2 (en) | 2001-07-23 | 2004-01-13 | Applied Materials, Inc. | Processes for making a barrier between a dielectric and a conductor and products produced therefrom |
US6814832B2 (en) | 2001-07-24 | 2004-11-09 | Seiko Epson Corporation | Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance |
JP2003142666A (ja) | 2001-07-24 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | 素子の転写方法、素子の製造方法、集積回路、回路基板、電気光学装置、icカード、及び電子機器 |
JP2003109773A (ja) | 2001-07-27 | 2003-04-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法 |
JP5057619B2 (ja) * | 2001-08-01 | 2012-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TW554398B (en) | 2001-08-10 | 2003-09-21 | Semiconductor Energy Lab | Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device |
US6699597B2 (en) | 2001-08-16 | 2004-03-02 | 3M Innovative Properties Company | Method and materials for patterning of an amorphous, non-polymeric, organic matrix with electrically active material disposed therein |
JP4209606B2 (ja) | 2001-08-17 | 2009-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7351300B2 (en) | 2001-08-22 | 2008-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and method of manufacturing semiconductor device |
TWI282126B (en) | 2001-08-30 | 2007-06-01 | Semiconductor Energy Lab | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2003020545A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-13 | Johnson Controls Technology Company | Conformable vehicle display |
US7112517B2 (en) | 2001-09-10 | 2006-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser treatment device, laser treatment method, and semiconductor device fabrication method |
US7317205B2 (en) | 2001-09-10 | 2008-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing a semiconductor device |
JP2003091245A (ja) | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US6737753B2 (en) | 2001-09-28 | 2004-05-18 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Barrier stack |
EP1448026A1 (en) | 2001-10-25 | 2004-08-18 | Harison Toshiba Lighting Corp. | Light emitting apparatus |
JP2003203764A (ja) | 2001-10-25 | 2003-07-18 | Harison Toshiba Lighting Corp | 発光装置 |
KR100944886B1 (ko) * | 2001-10-30 | 2010-03-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제조 방법 |
US6851841B2 (en) | 2001-11-28 | 2005-02-08 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Illumination device |
TWI264121B (en) * | 2001-11-30 | 2006-10-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device |
US6953735B2 (en) * | 2001-12-28 | 2005-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature |
US6835950B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Universal Display Corporation | Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer |
DE60325669D1 (de) | 2002-05-17 | 2009-02-26 | Semiconductor Energy Lab | Verfahren zum Transferieren eines Objekts und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
TWI272641B (en) | 2002-07-16 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing a semiconductor device |
WO2004040648A1 (ja) | 2002-10-30 | 2004-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
TWI330269B (en) | 2002-12-27 | 2010-09-11 | Semiconductor Energy Lab | Separating method |
-
2002
- 2002-12-27 US US10/334,076 patent/US6953735B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-03-15 US US11/079,287 patent/US7060591B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-08 US US11/422,980 patent/US7446339B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-10-28 US US12/259,748 patent/US7858411B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-12-17 JP JP2009286485A patent/JP5380266B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-12-27 US US12/978,758 patent/US8344369B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-12-19 JP JP2012276648A patent/JP5581374B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-12-28 US US13/729,473 patent/US8610118B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2013
- 2013-12-12 US US14/103,994 patent/US9123595B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-04-28 JP JP2014092354A patent/JP5764694B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-03-13 US US14/656,959 patent/US9337341B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-03-20 JP JP2015057851A patent/JP6034902B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-03-09 US US15/064,914 patent/US9536901B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-05-04 JP JP2016092866A patent/JP6298848B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2017
- 2017-08-04 JP JP2017151352A patent/JP2018005240A/ja not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-02-26 JP JP2018032066A patent/JP6445724B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2018-10-19 JP JP2018197151A patent/JP6688363B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2018-11-01 JP JP2018206417A patent/JP2019033095A/ja not_active Withdrawn
-
2020
- 2020-06-19 JP JP2020105944A patent/JP6963061B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2021
- 2021-04-28 JP JP2021076414A patent/JP2021152656A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6688363B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4567941B2 (ja) | 半導体装置の作製方法及び表示装置の作製方法 | |
US11196020B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191008 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191025 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200331 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200403 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6688363 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |