JP6034902B2 - 発光装置の作製方法 - Google Patents
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1341—Filling or closing of cells
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H—ELECTRICITY
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
- H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
- H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6835—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68363—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30105—Capacitance
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
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Description
TFTという)で構成された回路を有する半導体装置の作製方法に関し、特に曲率を有す
る支持体にTFTで構成された回路を転写する方法に関する。
いてTFTを構成する技術が注目されている。TFTはICや電気光学装置のような電子
デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチング素子として開発が急がれてい
る。
示装置やオーディオの操作画面表示装置や計器の表示装置を搭載する試みがなされている
。
、特に携帯機器への利用が注目されている。現在、基板にはガラスや石英等が主に使用さ
れているが、このような表示装置は厚く、重く、割れ易いといいう欠点があり、薄型、軽
量、且つ、割れにくいといった特徴に対する要求が高い携帯機器の場合には特に不利であ
る。また、ガラスや石英等は一般に大型化が困難であり、大量生産を行う場合には特に不
利である。そのため、可曲性や可撓性、もしくは弾性を有する基板、代表的にはフレキシ
ブルなプラスチックフィルムあるいはシートの上にTFT素子を形成することが試みられ
ている。
るを得ない。そのため、プラスチック上に形成したTFTの電気特性は、ガラス基板上に
形成したTFTと比較するとどうしても劣ってしまう。従って、プラスチックを用いた高
性能な発光素子や液晶表示装置はまだ実現されていない。
性を有する基板の上に有機発光素子が形成された発光装置や、液晶表示装置を作製するこ
とができれば、薄型、軽量、割れにくいといった特徴に加えて、曲面を有するディスプレ
イや、ショーウィンドウ等などにも用いることができる。よって、その用途は携帯機器の
みに限定されず、応用範囲は非常に広い。
ィスプレイを設置しようとする場合、窓、天井、ドア、ダッシュボードなどが有する様々
な曲面と曲率が一致するように表示装置を最初から作っておけば、平面上のみならず曲面
上にもそのまま取りつけることができる。従来では、ディスプレイは平面であって、乗物
の空間スペースを狭める、或いは、平面ディスプレイをはめこむために壁を切り取り、取
りつけ作業などが複雑なものとなっていた。
ことを課題とする。特に、曲率を有するディスプレイ、具体的には曲率を有する基材に貼
りつけられた有機発光素子を有する発光装置、或いは曲率を有する基材に貼りつけられた
液晶表示装置の作製方法の提供を課題とする。
形成する第1工程と、前記支持体と比較して剛性の高い基板上に素子を含む被剥離層を形
成する第2工程と、前記素子を含む被剥離層及び前記基板に、曲率を有した前記支持体を
、前記素子を含む被剥離層及び前記基板の表面形状に合致するように外力を加えた状態で
接着する第3工程と、前記支持体が接着された前記素子を含む被剥離層を基板から物理的
手段により剥離する第4工程と、前記素子を含む被剥離層に前記転写体を接着し、前記支
持体と前記転写体との間に前記素子を挟む第5工程とを有する半導体装置の作製方法であ
って、前記素子を含む被剥離層が接着された前記支持体は、前記第4工程終了時点で、第
1工程終了時に有していた形状に完全あるいは部分的に復元することを特徴とする半導体
装置の作製方法である。
ためのものであり、所望の曲率を有していて、かつ弾性つまり外力を加えた場合に元の形
状に戻ろうとする復元力が働くという性質を有していれば特に限定されず、プラスチック
、ガラス、金属、セラミックス等、いかなる組成の基材でもよい。また、本明細書中にお
いて、転写体とは、剥離された後、被剥離層と接着させるものであり、所望の曲率を有し
ていれば特に限定されず、プラスチック、ガラス、金属、セラミックス等、いかなる組成
の基材でもよい。特に軽量化を最優先するのであれば、フィルム状のプラスチック基板、
例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポ
リエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ナイロン、ポリエーテ
ルエーテルケトン(PEEK)、ポリスルホン(PSF)、ポリエーテルイミド(PEI
)、ポリアリレート(PAR)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)等が好ましい。
了時の曲率半径をRm、第4工程終了時の曲率半径をRfとすると、Ri≦Rf≦Rmで
あることを特徴としている。
は封止材であって、前記素子は自発光素子であることを特徴としている
て、前記素子は画素電極を有しており、該画素電極と、前記対向基板との間には液晶材料
が充填されていることを特徴としている。
を特徴としている。
の範囲内にあることを特徴としている。
に分離層を設け、該分離層を薬液(エッチャント)で除去して被剥離層と基板とを分離す
る方法や、被剥離層と基板との間に非晶質シリコン(または多結晶シリコン)からなる分
離層を設け、基板を通過させてレーザー光を照射して非晶質シリコンに含まれる水素を放
出させることにより、空隙を生じさせて被剥離層と基板を分離させる方法などを用いるこ
とが可能である。なお、レーザー光を用いて剥離する場合においては、剥離前に水素が放
出しないように熱処理温度を410℃以下として被剥離層に含まれる素子を形成すること
が望ましい。
よい。この剥離方法は、基板上に設けた金属層、好ましくは窒化金属層を設け、さらに前
記窒化金属層に接して酸化層を設け、該酸化層の上に素子を形成し、成膜処理または50
0℃以上の熱処理を行っても、膜剥がれ(ピーリング)が生じずに、物理的手段で容易に
酸化層の層内または界面において、きれいに分離できるものである。さらに剥離を助長さ
せるため、前記物理的手段により剥離する前に、加熱処理またはレーザー光の照射を行う
処理を行ってもよい。
機、船舶、列車等の乗物に搭載することが可能となる。乗物の内壁、天井などは、なるべ
く空間スペースを広くとり、何らかの理由で人の体がぶつかっても問題にならないよう滑
らかな曲面で構成されている。これらの曲面にTFT及び有機発光素子を有する表示装置
を計器または照明装置として搭載することも可能となる。尚、このTFT及び有機発光素
子を有する表示装置の駆動方法は、アクティブマトリクス型とすることが好ましいが、パ
ッシブ型でも構わない。
る表示装置を、湾曲させることなくそのまま接着することによって、映像や計器の表示を
行うことができる。特に有機発光素子を有する表示装置は非常に薄く軽量なものとするこ
とができ、空間スペースは変化しない。乗物の窓に有機発光素子を有する表示装置を接着
させる場合には、基板や電極や配線を透明なものとすることが望ましく、外光を遮断する
フィルムを設けてもよい。また、表示していない場合には、外の景色が問題なく確認でき
るようにすることが好ましい。
に合致した曲率を持つ、有機発光素子を有する表示装置を、湾曲させることなくそのまま
接着することによっても、映像や計器の表示を行うことができる。本発明により作製され
た表示装置を曲面に沿って貼り付けるだけでよいため、取り付け作業は非常に簡単であり
、内壁、ドア、シート、ダッシュボードを部分的に加工したりする必要が特にない。また
、例えば車においては、右ハンドルであれば、左後方に車体の一部(窓ガラスの間の部分
)があるため死角が存在しているが、窓ガラスの間の部分に本発明により作製された表示
装置を貼りつけ、さらに車外に死角方向を撮影できるカメラを取りつけ、互いに接続すれ
ば、運転者が死角を確認することができる。特に有機発光素子を有する表示装置は、液晶
表示装置に比べ動画に強く、視野角が広い表示装置である。
る表示装置を、湾曲させることなくそのまま接着することによって、映像の表示や内部の
照明を行うことができる。また、例えば車において、天井と、各窓ガラスの間の部分に本
発明により作製された表示装置を貼りつけ、さらに車外に各表示装置に対応する外部の景
色を撮影できるカメラを取りつけ、互いに接続すれば、車内にいる人は、車内に居ながら
にしてオープンカーのように外の景色を堪能することができる。また、例えば列車や電車
において天井や側壁に本発明により作製された表示装置を貼りつければ、空間スペースを
狭めることなく広告の表示やテレビ映像を映し出すことができる。特に有機発光素子を有
する表示装置は、液晶表示装置に比べ視野角が広い表示装置である。
、TFTや有機発光素子は問題なく駆動させることができる。
を指し、電気光学装置、発光装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
存在する、様々な曲面を有する部位(窓、天井、ドア、ダッシュボードなど)にディスプ
レイを設置することができる。
いて説明する。
に応じて所望の曲率を有するように、特に支持体111に関しては弾性を有するように作
製することが重要である。第1工程終了時の支持体111の曲率半径をRiと定義する。
原料、材質、成形方法等は特に限定されない。厚さに関しても特に限定されない。典型的
には100μm程度の厚さであればよい。一般的には、膜厚が200μm以下のものはフ
ィルム、200μm以上のものはシートと呼ばれるが、支持体111及び転写体112は
フィルムでもシートでもよい。支持体111に関しては弾性を有する程度に薄ければよい
。ここでは支持体111、転写体112共プラスチックを用いる。一般的な熱可塑性ある
いは熱硬化性の樹脂を原料として、一般的なプラスチックの成形加工方法、即ち原料を加
熱して流れ易い状態にする可塑化、型を用いて所望の形状にする賦形、冷却あるいは硬化
反応により形状を安定化する固化、といった過程により成形すればよい。例えば、熱硬化
性樹脂を圧縮成形する場合の工程を図2に示す。まず図2(1)のように、金型(下型)
211bに、加熱されて流動性が高くなっている状態の熱硬化性樹脂212を充填する。
その後図2(2)のように金型(上型)211aを使用して矢印の方向から加圧する。こ
の加圧を保持したまま金型211a及び211bを加熱すれば、ある時点から樹脂の流動性
が低下し硬化に至る。この後、金型211a及び211bを開いて成形品を得る。
ない)を単層あるいは複数層積層させることができる。一般的には水や酸素等を遮断する
バリア膜、接着剤の接着性を向上させる下地膜、耐薬品性や物理的強度を高める保護層等
が積層される。例えば、支持体111に100nm程度の厚さの窒化珪素薄膜をスパッタ
法で成膜することができる。但し、支持体111や転写体112の少なくとも一方は光透
過率が有限、即ち透明であることが必要である。
FTを代表とする様々な素子(薄膜ダイオード、シリコンのPIN接合からなる光電変換
素子やシリコン抵抗素子など)や有機発光素子等から構成され、一般に電極、配線、絶縁
膜等を含む。基板122の剛性は支持体111に比べて高いとする。図1(2)では簡単
のため、基板122は完全に被剥離層121に覆われているように描かれているが、一部
基板122が剥き出しになっていても問題ない。
示す。まず支持体111に外力を加え、基板122および被剥離層121の表面形状に合
った形にする。例えば、元々図1(1)のように曲がった支持体111を図1(3)のよ
うに真っ直ぐに引っ張った状態にして接着すればよい。接着後、支持体111には最初の
形状に戻ろうとする復元力が働いているが、接着されている基板122の方が剛性が高い
ため、この段階では支持体111は真っ直ぐ引っ張られた状態を維持している。即ち、第
3工程終了時の支持体111の曲率半径をRmと定義すると、支持体111のカーブは第
1工程終了時に比べ一般に緩やかになるため、一般にRi≦Rmである。接着方式として
は支持体111と被剥離層121あるいは支持体111と基板122が密着していること
が好ましいが、内部に有限の空間を有していてもよい。
、熱硬化型、光硬化型、嫌気型等の接着剤を、スクリーン印刷、ディスペンサによる描画
、スプレーによる吐出等の手法で塗布すればよい。ここでは光硬化型の一種である紫外線
硬化性接着剤をディスペンサで塗布する。支持体111側、もしくは被剥離層121側に
接着剤を塗布した後、紫外線を照射することにより接着剤を硬化する。一般に被剥離層1
21には紫外線が照射されると損傷を受ける部分があるため、その場所を隠す適当な遮光
マスクを使用するか、あるいは接着剤のみを硬化させその他の場所には損傷を与えないよ
うな選択的なエネルギーを持つ紫外線を照射してやることによって損傷を回避すればよい
。
に限定されない。ここでは、熱処理温度や基板の種類に制約を受けない剥離方法である、
金属層または窒化物層と酸化物層との膜応力を利用した剥離方法を用いる。まず、図1(
2)の状態を得る前に、基板122上に窒化物層または金属層(図示しない)を形成する
。窒化物層または金属層として代表的な一例はTi、W、Al、Ta、Mo、Cu、Cr
、Nd、Fe、Ni、Co、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Ptから選ばれた元素、ま
たは前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの
積層、或いは、これらの窒化物、例えば、窒化チタン、窒化タングステン、窒化タンタル
、窒化モリブデンからなる単層、またはこれらの積層を用いればよい。次いで、窒化物層
または金属層上に酸化物層(図示しない)を形成する。酸化物層として代表的な一例は酸
化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化金属材料を用いればよい。なお、酸化物層は、スパ
ッタ法、プラズマCVD法、塗布法等の方法で成膜すればよい。窒化物層または金属層、
及び酸化物層、両層の膜厚を1nm〜1000nmの範囲で適宜設定することによって、
両層の膜応力を互いに異ならせることが可能である。また、基板122と窒化物層または
金属層との間に絶縁層や金属層を設け、基板122との密着性を向上させてもよい。次い
で、酸化物層上に半導体層を形成し、被剥離層121を得ればよい。なお、上記剥離方法
は、酸化物層の膜応力と、窒化物層または金属層の膜応力が互いに異なっていても、被剥
離層の作製工程における熱処理によって膜剥がれなどが生じない。また、上記剥離方法は
、酸化物層の膜応力と、窒化物層または金属層の膜応力が互いに異なっているため、比較
的小さな力で引き剥がすことができる。尚、被剥離層121を引き剥がす際にクラックが
生じないようにすることも重要である。
ことができる。重要な点は、この段階で支持体111が復元力によって第1工程終了時に
元々持っていた形状に戻ることである。それに伴い、支持体111下に接着されている被
剥離層121も支持体111に沿って湾曲する。第4工程終了時の支持体111の曲率半
径をRfと定義すると、第1工程終了時の形状に戻るのであるから支持体111のカーブ
は第3工程終了時に比べ急になる、即ちRf≦Rmとなる。一方、支持体111は一般に
完全弾性でないことに加え、被剥離層121が接着されていることから、第1工程終了時
に比べると一般にカーブは緩やかになる、即ちRi≦Rfとなる。従って、一般にRi≦
Rf≦Rmとなる。
状、厚さに関しては、支持体111の形状、厚さ及び被剥離層121の厚さを考慮して、
図1(4)で湾曲した被剥離層121の表面形状に合致するように作製しておけば、特に
限定されないが、支持体111と同様に弾性を有していることが好ましい。
中に複数個のTFTが設けられている場合、これらTFTのチャネル長方向を全て同一方
向に配置し、かつこのチャネル長方向と支持体111が図1(1)の状態で曲率を有して
いない方向とが平行になるように接着すれば、より好ましい。なぜならば、図1(4)で
基板122を剥離した後、被剥離層121が接着された支持体111が復元力によって元
の形状に回復した時に被剥離層121中のTFTが受ける影響を最小限に抑えることが可
能なためである。
て支持体を被剥離層に接着すればよい。この場合、被剥離層に設けられた素子は画素電極
を有しており、該画素電極と、前記対向基板との間には液晶材料が充填されるようにする
。
を封止材として、外部から水や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入するこ
とを防ぐように発光素子を外部から完全に遮断することが好ましい。また、有機発光素子
を有する装置として代表される発光装置を作製する場合は、支持体だけでなく、転写体も
同様、十分に外部から水や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを
防ぐことが好ましい。また、水や酸素の透過による劣化を抑えることを重要視するなら、
剥離後に被剥離層に接する薄膜を成膜することによって、剥離の際に生じるクラックを修
復し、被剥離層に接する薄膜として熱伝導性を有する膜、具体的にはアルミニウムの窒化
物またはアルミニウムの窒化酸化物を用いることによって、素子の発熱を拡散させて素子
の劣化を抑える効果とともに、転写体、具体的にはプラスチック基板の変形や変質を保護
する効果を得ることができる。また、この熱伝導性を有する膜は、外部からの水や酸素等
の不純物の混入を防ぐ効果も有する。
こととする。
を有する発光装置を作製する手順を図3に示す。
層312としては、成膜直後において圧縮応力を有していても引張応力を有していてもよ
いが、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が生じ
ず、且つ、被剥離層形成後で1〜1×1010(Dyne/cm2)の範囲で引張応力を有する材料
を用いることが重要である。典型的には、窒化物あるいは金属が好ましく、代表的な一例
はW、WN、TiN、TiWから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料
若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの積層が挙げられる。なお、第1の材料
層312は、スパッタ法を用いればよい。
ンを代表とする半導体基板、またはステンレスを代表とする金属基板を用いてもよい。こ
こでは厚さ0.7mmのガラス基板(♯1737)を用いる。
としては、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が
生じず、且つ、被剥離層形成後で1〜1×1010(Dyne/cm2)
の範囲で圧縮応力を有する材料を用いることが重要である。第2の材料層313としては
酸化物が好ましく、代表的な一例は酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化金属材料、ま
たはこれらの積層が挙げられる。なお、第2の材料層313は、スパッタ法を用いて成膜
すればよい。第2の材料層313をスパッタ法で成膜する場合、アルゴンガスで代表され
る希ガスをチャンバー内に導入して、第2の材料層313中に微量の希ガス元素を含ませ
る。
nmの範囲で適宜設定し、第1の材料層312における内部応力および第2の材料層31
3における内部応力を調節すればよい。
を形成した例を示したが、基板311と第1の材料層312との間にバッファ層となる絶
縁層や金属層を設け、基板311との密着性を向上させてもよい。
被剥離層314aは画素部TFT(nチャネル型TFT及びpチャネル型TFT)、画素
部の周辺に設ける駆動回路TFT(nチャネル型TFT及びpチャネル型TFT)、及び
配線等を含む。次いで、各TFTを覆う絶縁膜を形成した後、画素部に設けられたTFT
と電気的に接続する陰極または陽極を形成する。次いで、陰極または陽極の端部を覆うよ
うに両端にバンクとよばれる絶縁物を形成する。また、必要であれば適宜、TFTを覆っ
て窒化膜からなるパッシベーション膜(保護膜)を形成してもよい。また、被剥離層31
4aの形成プロセスとして、基板311の耐え得る範囲の熱処理を行うことができる。な
お、第2の材料層313における内部応力と、第1の材料層312における内部応力が異
なっていても、被剥離層314aの作製工程における熱処理によって膜剥がれなどが生じ
ない。
する。即ち、両端がバンクで覆われている陰極または陽極上にEL層(有機化合物材料層
)を形成する。EL層の下層を陰極とした場合にはEL層上に陽極を、EL層の下層を陽
極とした場合にはEL層上に陰極を、それぞれ設ければよい。
なわち発光層、キャリア輸送層、キャリア注入層等を自由に組み合わせる。有機EL材料
としては、低分子系、高分子系および両者を併用したものを用いることができる。また、
EL層として一重項励起状態あるいは三重項励起状態からの発光(前者は一般に蛍光、後
者は一般に燐光)が得られるような発光材料からなる薄膜を用いることができる。成膜法
は低分子系材料では真空蒸着法、エレクトロンビーム(EB)蒸着法等の乾式法が、高分
子系材料ではスピンコート法、インクジェット印刷法等の湿式法が、それぞれ一般的であ
る。また、キャリア輸送層やキャリア注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも
可能である。これらの有機EL材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。なお
、EL層は合計しても100nm程度の薄膜層として形成する。そのため、陰極または陽極
として形成する表面は平坦性を高めておく必要がある。
金属)や、これらを含む合金を用いることが好ましい。例えば、アルカリ金属の一つであ
るLi(リチウム)を微量含むアルミニウム合金(AlLi合金)を陰極に使用した有機
発光素子では、一般に発光特性が良好で、かつ長時間点灯を行っても輝度の低下が小さい
。あるいは、アルカリ金属の酸化物、フッ化物、及びアルカリ土類金属の酸化物、フッ化
物の極薄膜(1nm程度)の上に、仕事関数のそれ程小さくない単体金属(Alなど)を
積層しても同様に良好な素子特性が得られる。例えば陰極として、AlLi合金の代わり
に、LiFの極薄膜の上にAlを積層した構造を用いても同様の特性を得ることができる
。
を用いる。特に透明な導電膜としては、酸化スズ(SnO2)系、酸化亜鉛(ZnO)系
、酸化インジウム(In2O3)系の材料、代表的にはITO(酸化インジウム酸化スズ合
金)、IZO(酸化インジウム酸化亜鉛合金)等が広く用いられている。また、ITOよ
りもシート抵抗の低い材料、具体的には白金(Pt)、クロム(Cr)、タングステン(
W)、もしくはニッケル(Ni)といった材料を用いることもできる。
含む層314aとが積層された被剥離層が形成される。尚、有機発光素子に流れる電流を
TFTで制御する場合、大きく分けて2通りの方法がある。具体的には、飽和領域と呼ば
れる電圧範囲で電流を制御する方法と、飽和領域に達するまでの電圧範囲で電流を制御す
る方法とがある。本明細書では、Vd−Id曲線において、電流値がほぼ一定となるVd
の範囲を飽和領域と呼んでいる。本発明は有機発光素子の駆動方法に限定されず、任意の
駆動方法を用いることができる。
理を行う。密着性を部分的に低下させる処理は、剥離しようとする領域の周縁に沿って前
記第2の材料層または前記第1の材料層にレーザー光を部分的に照射する処理、或いは、
剥離しようとする領域の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えて前記第2の材料層の
層内または界面の一部分に損傷を与える処理である。具体的にはダイヤモンドペンなどで
硬い針を垂直に押しつけて荷重をかけて動かせばよい。好ましくは、スクライバー装置を
用い、押し込み量を0.1mm〜2mmとし、圧力をかけて刃を動かせばよい。このよう
に、剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるような部分、即ち、きっかけをつくること
が重要であり、密着性を選択的(部分的)に低下させる前処理を行うことで、剥離不良が
なくなり、さらに歩留まりも向上する。
き出し配線の端部に設けられた端子電極にフレキシブルプリント基板(FPC:Flexible
Printed Circuit)321を貼りつける。
る。元々曲率及び弾性を有している支持体323に外力を加えた状態で接着することにな
る。接着後、支持体323には復元力が働くが、基板311の方が剛性が高いため、この
段階では支持体は元の形状には戻らない。有機発光素子の場合、支持体323は一般に封
止材であり、主に外部からの水や酸素の侵入によるEL層及び陽極、陰極等の劣化を抑え
る機能を持つ。
げられる。これらの接着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリ
コーン系等いかなるものでもよい。ただし、有機発光素子は水や酸素に弱いため、水や酸
素に対してバリア性の高い材料であることが望ましい。このような接着剤の形成は、例え
ば、塗布法によってなされる。また、接着剤は支持体側、あるいは被剥離層314a、3
14b側のどちらに塗布してもよい。本実施例では第1の接着剤322として紫外線硬化
型接着剤を用いる。この場合、紫外線を照射することにより第1の接着剤322を硬化す
る。紫外線を照射する方向は有機発光素子の構成、作製方法及び画素の回路構成等によっ
て実施者が適宜決定することができる、即ち基板311から照射しても、支持体323か
ら照射してもよい。しかし、EL層等は一般に紫外線照射により損傷を受けるため、紫外
線を照射したくない場所を隠す遮光マスクを使用するか、あるいは紫外線のエネルギーを
調節することで接着剤のみを硬化させ他の部分には損傷を与えないようにする必要がある
。
方向に向かって、第1の材料層312が設けられている基板311を物理的手段により引
き剥がす。第2の材料層313が圧縮応力を有し、第1の材料層312が引張応力を有す
るため、比較的小さな力(例えば、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音
波等)で引き剥がすことができる。
1から分離することができる。この段階で、支持体323は復元力によって元の形状に戻
り、それに伴って支持体323に接着されている各層も湾曲する(図3(4))。
313(及び被剥離層314a、314b)とを接着する。
剤を用いる。本実施例では第2の接着剤352として紫外線硬化型接着剤を用いる。紫外
線を照射する方向は有機発光素子の構成、作製方法及び画素の回路構成等によって実施者
が適宜決定することができる、即ち転写体351から照射しても、支持体323から照射
してもよい。但し、第1の接着剤322の場合と同様、紫外線を照射したくない場所を隠
す遮光マスクを使用するか、あるいは紫外線のエネルギーを調節することで接着剤のみを
硬化させ他の部分には損傷を与えないようにする必要がある。
備えた発光装置を作製することができる。このような発光装置は外力を加えない状態で5
0cm〜200cmの曲率を有していることが特徴である。尚、第2の接着剤352と被
剥離層314aとの間には第2の材料層である酸化物層313がある。こうして得られる
発光装置は、第2の材料層313がスパッタ法で成膜され、第2の材料層313中に微量
の希ガス元素を含ませており、装置全体としてフレキシブルにすることもできる。
取り出すことが可能である。支持体323側からのみ発光を取り出す場合を上面出射ある
いは上方出射(top emissionという言い方もなされる)、転写体352側からのみ発光を
取り出す場合を下面出射あるいは下方出射、支持体323及び転写体352の両側から発
光を取り出す場合を両面出射あるいは両方出射と呼ぶ。いずれにせよ、有機発光素子の発
光を外へ取り出すためには、支持体323及び転写体352のいずれか一方は透明である
必要がある。発光方向は、有機発光素子の構成、作製方法及び画素の回路構成等によって
実施者が適宜決定することができる。
層412としては、成膜直後において圧縮応力を有していても引張応力を有していてもよ
いが、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が生じ
ず、且つ、被剥離層形成後で1〜1×1010(Dyne/cm2)の範囲で引張応力を有する材料
を用いることが重要である。典型的には、窒化物あるいは金属が好ましく、代表的な一例
はW、WN、TiN、TiWから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料
若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの積層が挙げられる。なお、第1の材料
層412は、スパッタ法を用いればよい。
ンを代表とする半導体基板、またはステンレスを代表とする金属基板を用いてもよい。こ
こでは厚さ0.7mmのガラス基板(♯1737)を用いる。
としては、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が
生じず、且つ、被剥離層形成後で1〜1×1010(Dyne/cm2)
の範囲で圧縮応力を有する材料を用いることが重要である。第2の材料層413としては
酸化物が好ましく、代表的な一例は酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化金属材料、ま
たはこれらの積層が挙げられる。なお、第2の材料層413は、スパッタ法を用いて成膜
すればよい。第2の材料層413をスパッタ法で成膜する場合、アルゴンガスで代表され
る希ガスをチャンバー内に導入して、第2の材料層413中に微量の希ガス元素を含ませ
る。
nmの範囲で適宜設定し、第1の材料層412における内部応力および第2の材料層41
3における内部応力を調節すればよい。
2を形成した例を示したが、基板411と第1の材料層412との間にバッファ層となる
絶縁層や金属層を設け、基板411との密着性を向上させてもよい。
部TFT(nチャネル型TFT)、画素電極、保持容量、画素部の周辺に設ける駆動回路
TFT(nチャネル型TFT及びpチャネル型TFT)、及び配線等を含む。本実施例で
は、外光のみを利用して発光を得る反射型液晶表示装置を考える。この場合、画素電極と
して光反射率の高い金属、例えばアルミニウムや銀等を用いればよい。尚、第2の材料層
413における内部応力と、第1の材料層412における内部応力が異なっていても、被
剥離層414の作製工程における熱処理によって膜剥がれなどが生じない。
により、後に注入する液晶の分子の向きを一方向へ揃えることができる。次いで、柱状あ
るいは球状のスペーサ415をパターニングあるいは散布により形成する。これにより、
後に注入する液晶の層の厚さを制御できる。
理を行う。密着性を部分的に低下させる処理は、剥離しようとする領域の周縁に沿って前
記第2の材料層または前記第1の材料層にレーザー光を部分的に照射する処理、或いは、
剥離しようとする領域の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えて前記第2の材料層の
層内または界面の一部分に損傷を与える処理である。具体的にはダイヤモンドペンなどで
硬い針を垂直に押しつけて荷重をかけて動かせばよい。好ましくは、スクライバー装置を
用い、押し込み量を0.1mm〜2mmとし、圧力をかけて動かせばよい。このように、
剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるような部分、即ち、きっかけをつくることが重
要であり、密着性を選択的(部分的)に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなく
なり、さらに歩留まりも向上する。
出し配線の端部に設けられた端子電極にFPC421を貼りつける。
13)とを接着する。但し、後に液晶を注入するために、422aのように液晶注入口を
設ける。元々曲率及び弾性を有している支持体424に外力を加えた状態で接着すること
になる。接着後、支持体424には復元力が働くが、基板411の方が剛性が高いため、
この段階では元の形状には戻らない。スペーサ415の存在によって、支持体423と基
板411との間隔は保持される。液晶表示装置の場合、支持体424は一般に対向基板で
あり、カラーフィルタ、偏光板、共通電極、配向膜等(図示しない)があらかじめ形成さ
れているものとする。反射型液晶表示装置の場合、共通電極には透明導電膜(ITOやI
ZO等)
を用いればよい。
類が挙げられる。これらのシール剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート
系、シリコーン系等いかなるものでもよい。このようなシール剤の形成は、例えば、塗布
法によってなされる。また、シール剤は支持体423側、あるいは基板411側のどちら
に塗布してもよい。本実施例ではシール剤422として紫外線硬化型シール剤を用いる。
この場合、紫外線を照射することによりシール剤422を硬化する。紫外線を照射する方
向は支持体423側あるいは基板411側から照射すればよい。しかし、紫外線により損
傷を受ける場所には遮光マスクを使用するか、あるいは紫外線のエネルギーを調節するこ
とでシール剤のみを硬化させ他の部分には損傷を与えないようにする必要がある。
に封止する。封止剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン
系等いかなるものでもよい。
方向に向かって、第1の材料層412が設けられている基板411を物理的手段により引
き剥がす。第2の材料層414が圧縮応力を有し、第1の材料層412が引張応力を有す
るため、比較的小さな力(例えば、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音
波等)で引き剥がすことができる。
ることができる。この段階で、支持体423は復元力によって元の形状に戻り、それに伴
って支持体423に接着されている各層も湾曲する(図4(4))。
とを接着する。接着剤452としては、反応硬化型、熱硬化型、光硬化型、嫌気型等の各
種接着剤を用いる。本実施例では接着剤452として紫外線硬化型接着剤を用いる。紫外
線は転写体451側あるいは支持体423側から照射すればよい。但し、紫外線を照射し
たくない場所には遮光マスクを使用するか、あるいは紫外線のエネルギーを調節すること
で接着剤のみを硬化させ他の部分には損傷を与えないようにする必要がある。
示装置を作製することができる。このような半導体装置は外力を加えない状態で50cm
〜200cmの曲率を有していることが特徴である。尚、接着剤452と被剥離層414
との間には第2の材料層である酸化物層413がある。こうして得られる液晶表示装置は
、第2の材料層413がスパッタ法で成膜され、第2の材料層413中に微量の希ガス元
素を含ませており、装置全体としてフレキシブルにすることもできる。
得られる。そのためには、支持体423は透明である必要がある。
尚、本実施例で示す装置によって、実施例1で示した発光装置を作製することができる。
置である。この製造装置は、主に基板を搬送する搬送室、受渡を行う受渡室、各種薄膜を
作製する成膜室、封止を行う封止室から構成されている。各室には必要な真空度を達成す
るための排気装置、あるいはN2等のガス雰囲気を生成するための装置が装備されており
、また各室間はゲートバルブ等で接続されている。基板搬送は搬送ロボットによって行わ
れる。
、配線、電極、保護膜等があらかじめ作り込まれているものとする)を外部から導入する
。典型的には、画素部、駆動回路部にはTFTが用いられる。
1a内に運ばれ、更に前処理室502に搬送される。典型的には、前処理室502で基板
501cに対して加熱、あるいはO2プラズマ処理などの前処理が行われる。この前処理
は有機発光素子の諸特性向上を目的としている。
504にも搬送ロボットが搭載されており、搬送室504に接続されている各部屋へ基板
を搬送する役割を果たす。搬送室504には有機層形成を目的とした成膜室が接続されて
いる。フルカラー表示の有機発光素子を有する表示装置を作ることを念頭に置いて、R、
G、B各色の発光層を形成するための成膜室506R、506G、506Bが、さらに各
色に共通な層、即ちキャリア輸送層やキャリア注入層等を作製するための成膜室505が
設置されている。これらの成膜室では一般に真空蒸着法が用いられる。フルカラー発光を
得るためには、R、G、B各色の発光を示す発光層がストライプ状、モザイク状、あるい
はデルタ状に配列するように、塗り分け用のシャドウマスクを使用して蒸着を行えばよい
。
搬送室508にも搬送ロボットが搭載されており、搬送室508に接続されている各部屋
へ基板を搬送する役割を果たす。搬送室508には裏面電極形成や保護膜等形成を目的と
した成膜室が接続されている。成膜室509や510では、真空蒸着法やEB法で電極と
なる金属(例としてAlLi合金やMgAg合金等)が成膜される。成膜室511では、
基板上面から発光を得る場合に必要な透明導電膜(例としてITOやIZO等)が、一般
にスパッタ法あるいは化学気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)法で成膜さ
れる。成膜室512では、表面を保護するためのパッシベーション膜(例としてSiN、
SiOx膜等)が、一般にスパッタ法あるいはCVD法で成膜される。
4には封止を行うために必要な部屋が複数接続されている。搬送室514にも搬送ロボッ
トが搭載されており、搬送室514に接続されている各部屋へ基板あるいは封止基板を搬
送する役割を果たす。
準備室515a、及び封止プラスチック基板準備室515bである。
向ガラスを外部から導入する。必要ならば、有機発光素子を水から防ぐ乾燥剤を対向ガラ
スに導入することができる。例えば、シート状の乾燥剤を、あらかじめザグリ加工が施し
てある対向ガラスのザグリ部分に両面テープ等で貼りつけておけばよい。
ク封止するための準備を行う。外部から目的に合った形状を有するプラスチック(完成品
)を導入してもよいが、本実施例では、封止ガラス基板準備室515b内で本発明におけ
る支持体(本実施例ではプラスチック)を作製する。
例えば、図2に示したような材料、方法で曲率及び弾性を有する支持体を作製する。つま
り、金型211a、211bや熱硬化性樹脂212を外部から導入し、加熱、加圧、冷却と
いった成形加工を行う。有機発光素子をプラスチック上に転写する場合には、本発明にお
ける転写体も同様の方法で作製しておけばよい。これらの作業に関しては完全に自動化し
てもよいし、グローブを設置して一部手動で行ってもよい。
れ、後に基板と貼り合わせるための接着剤(図示しない)が塗布される。本実施例では、
接着剤として紫外線硬化型のものを用いる。また、必要ならば、有機発光素子を水から防
ぐ乾燥剤(図示しない)を、封止ガラス基板準備室515aにおけるガラス基板導入時で
はなく、ディスペンサ室516内で仕込んでもよい。例えば、シート状の乾燥剤を、あら
かじめザグリ加工が施してある対向ガラスのザグリ部分に両面テープ等で貼りつけること
ができる。こうすれば、乾燥剤を大気中で取り扱う必要がなくなる。これらの作業に関し
ては、完全に自動化してもよいし、グローブを設置して一部手動で行ってもよい。特に封
止プラスチック基板が曲率及び弾性を有する場合は、曲がった状態で接着剤を塗布しても
よいし、真っ直ぐ伸ばした状態で塗布してもよい。
板は封止室517へ運ばれ、互いに貼り合わせられる。接着時は適当な治具(図示しない
)を用いて加圧する必要がある。曲率及び弾性を有する封止プラスチック基板の場合は真
っ直ぐ伸ばした状態で貼りつければよい。これらの作業に関しては、完全に自動化しても
よいし、グローブを設置して一部手動で行ってもよい。
運ばれ、接着剤硬化のための紫外線が照射される。
せばよい。
剥離及び転写体接着の2工程が更に必要となる。即ち、紫外光照射室518で紫外線照射
により接着された基板および封止基板(支持体)を、一度封止プラスチック基板準備室5
15bへ戻す。封止プラスチック基板準備室515bで基板剥離を行う。本実施例では、
剥離方法として、金属層または窒化物層と酸化物層との膜応力を利用した方法を用いる。
一方、支持体の場合と同様に、転写体を封止プラスチック基板準備室515bからディス
ペンサ室516に運び接着剤を塗布しておく。基板が剥離された支持体、及び接着剤が塗
布された転写体を封止室517へ運び、互いに貼り合わせる。その後、紫外光照射室51
8へ運び、再度紫外線照射を行うことによって表示装置が完成する。最後に完成品を受渡
室519から外部に取り出せばよい。
示す。ここでは乗物の代表的な例として自動車を用いたが、特に限定されず、本発明は、
スペースシャトル、航空機、列車、電車などに適用できることはいうまでもない。
体的にはカーオーディオや、カーナビゲーションが設けられている。カーオーディオの本
体2701は、表示部2702、操作スイッチ2703、2704を含む。表示部270
2に本発明を実施することによって薄型、且つ、軽量なカーオーディオを完成させること
ができる。また、カーナビゲーションの表示部2801に本発明を実施することによって
薄型、且つ、軽量なカーナビゲーション完成させることができる。
などの計器のデジタル表示がなされる表示部2603が形成される。表示部2702に本
発明を実施することによって薄型、且つ、軽量な機械類の表示器を完成させることができ
る。
してもよい。表示部2602に本発明を実施することによって薄型、且つ、軽量な機械類
の表示器や画像表示装置を完成させることができる。なお、表示部2602は、矢印で示
した方向に湾曲している。
てもよい。表示部2600に本発明を実施する場合、透過する材料を用いればよく、本発
明によって薄型、且つ、軽量な機械類の表示器や画像表示装置を完成させることができる
。なお、表示部2600は、矢印で示した方向に湾曲している。ここではフロントガラス
としたが他のウインドウガラスに設けることも可能である。
してもよい。図7は、自動車の後部座席周辺を示す図である。なお、図7は図6と対応し
ており、操作ハンドル部は、同一であるため図6と同じ符号を用いている。
車外に後方を撮影できるカメラを取りつけ、互いに接続すれば、運転者は、車体2906
が邪魔になって見ることができない場所を見ることができる。
なお、表示部2902は、矢印で示した方向に湾曲している。
の間の部分)があるため死角が存在しているが、窓ガラスの間の部分に本発明の表示装置
(表示部2901)を貼りつけ、さらに車外に死角方向を撮影できるカメラを取りつけ、
互いに接続すれば、運転者が死角を確認することができる。なお、表示部2901は、矢
印で示した方向に湾曲している。
を見たり、カーナビゲーションの表示を見たりすることができる。
有機発光素子を有する表示装置を接着することによって、映像の表示や車内の照明を行う
ことができる。
である曲面を有する車内のいたるところに簡単に搭載することができる。
物の表示器や、据え置き型のオーディオやナビゲーション装置に用いてもよい。
ィブマトリクス型の表示装置における一つの画素の断面構造、特に発光素子およびTFT
の接続、画素間に配置する隔壁の形状について説明する。
第1の電極(陽極)、44は有機化合物を含む層、45は第2の電極(陰極)、46はT
FTである。
ドレイン領域、46dはゲート電極、46e、46fはソース電極またはドレイン電極で
ある。ここではトップゲート型TFTを示しているが、特に限定されず、逆スタガ型TF
Tであってもよいし、順スタガ型TFTであってもよい。なお、46fは第1の電極43
と一部接して重なることによりTFT46とを接続する電極である。
り、第1の電極をパターニングした後、電極を一部重なるように形成することでTFTと
接続させている。
トホールを介してTFTの電極と接続されている。
。フォトリソグラフィ法を用いてレジストを露光した後、非感光性の有機樹脂や無機絶縁
膜をエッチングすることによって得られる。
を有する形状とすることができる。
部に曲面を有する形状とすることができる。
とができる。
)を作製する例を示す。
で形成する。次いで、レジストまたは感光性樹脂からなる隔壁を発光領域となる領域を囲
んで形成する。次いで、蒸着法またはインクジェット法により、隔壁で囲まれた領域に有
機化合物を含む層を形成する。フルカラー表示とする場合には、適宜、材料を選択して有
機化合物を含む層を形成する。次いで、隔壁および有機化合物を含む層上に、ITOから
なる複数の第1配線と交差するようにストライプ状の複数の第2配線をAlまたはAl合
金などの金属材料(陰極となる材料)で形成する。以上の工程で有機化合物を含む層を発
光層とした発光素子を含む被剥離層を形成することができる。
設けて封止する。
ス基板)に貼り合わせる。基板を剥離する方法は特に限定されず、実施の形態や実施例1
に示した方法を用いればよい。
用装置にも本発明を実施することができる。
ることができる。
Claims (1)
- 第1の曲率を有する形状の発光装置の作製方法であって、
前記発光装置は、
前記第1の曲率を有する形状の第1のプラスチック基板と、
前記第1の曲率を有する形状の第2のプラスチック基板と、
前記第1のプラスチック基板と前記第2のプラスチック基板の間に発光素子を含む素子層と、
を有し、
前記第1のプラスチック基板は、弾性を有し、
前記第2のプラスチック基板は、弾性を有し、
前記発光装置は、前記第1の曲率を変更させることなくそのまま曲面を有する部位に設置することができ、
前記発光装置は、前記第1の曲率を有する形状に前記第1のプラスチック基板を加工後、前記第1のプラスチック基板に前記素子層を貼りつける工程を経て形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
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