JP2001100661A - エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示装置Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示装置の不使用時において収容もしくは携
帯しやすい表示装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 絶縁性基板３１０上に、陰極３６７、ホ
ール輸送層３６２、発光層３６４、電子輸送層３６５及
び陽極３６１を有するエレクトロルミネッセンス素子３
６０、及びそのエレクトロルミネッセンス素子３６０に
信号を供給する信号供給回路を有する表示画素領域２０
０と、その表示画素領域の周辺に信号供給回路を駆動制
御する駆動制御回路を有する周辺回路領域とを備えるエ
レクトロルミネッセンス表示装置であって、絶縁性基板
３１０をフレキシブルに構成して、表示画素領域２００
を湾曲もしくはロール状に変形させる。
帯しやすい表示装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 絶縁性基板３１０上に、陰極３６７、ホ
ール輸送層３６２、発光層３６４、電子輸送層３６５及
び陽極３６１を有するエレクトロルミネッセンス素子３
６０、及びそのエレクトロルミネッセンス素子３６０に
信号を供給する信号供給回路を有する表示画素領域２０
０と、その表示画素領域の周辺に信号供給回路を駆動制
御する駆動制御回路を有する周辺回路領域とを備えるエ
レクトロルミネッセンス表示装置であって、絶縁性基板
３１０をフレキシブルに構成して、表示画素領域２００
を湾曲もしくはロール状に変形させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、湾曲もしくはロール状
に巻き取った状態で収容するのに適したエレクトロルミ
ネッセンス表示装置に関する。
に巻き取った状態で収容するのに適したエレクトロルミ
ネッセンス表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、表示装置としては、容易に薄型化
することが可能であるという利点から、液晶表示装置が
携帯端末やノート型パーソナルコンピュータなどに広く
利用されるようになっている。
することが可能であるという利点から、液晶表示装置が
携帯端末やノート型パーソナルコンピュータなどに広く
利用されるようになっている。
【０００３】例えば、この種の液晶表示装置としては、
一対のガラスもしくは樹脂製の基板内に封止された液晶
層に対し、画像情報に応じた電圧を印加するとともに、
その裏面側からバックライトの光を照射することによ
り、映像を表示するものが一般的である。
一対のガラスもしくは樹脂製の基板内に封止された液晶
層に対し、画像情報に応じた電圧を印加するとともに、
その裏面側からバックライトの光を照射することによ
り、映像を表示するものが一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この種
の液晶表示装置における液晶層は、自発光して映像表示
することができないため、平面蛍光灯などからなるバッ
クライトを用いる必要があるだけでなく、そのギャップ
を均一に保つ必要があるため、変形させることができな
かった。このため、不使用時においても使用時と略同じ
大きさで収容もしくは携帯する必要があり、画面を大型
化した場合には、携帯もしくは収容しずらくなるという
問題が生じてきた。
の液晶表示装置における液晶層は、自発光して映像表示
することができないため、平面蛍光灯などからなるバッ
クライトを用いる必要があるだけでなく、そのギャップ
を均一に保つ必要があるため、変形させることができな
かった。このため、不使用時においても使用時と略同じ
大きさで収容もしくは携帯する必要があり、画面を大型
化した場合には、携帯もしくは収容しずらくなるという
問題が生じてきた。
【０００５】そこで、本発明は、このような課題に鑑み
てなされたものであり、表示装置の不使用時において収
容もしくは携帯しやすい表示装置を提供することを目的
とする。
てなされたものであり、表示装置の不使用時において収
容もしくは携帯しやすい表示装置を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は、絶縁性基板上に、陰極、ホール
輸送層、発光層、電子輸送層及び陽極を有するエレクト
ロルミネッセンス素子、及びそのエレクトロルミネッセ
ンス素子に信号を供給する信号供給回路を有する表示画
素領域と、その表示画素領域の周辺に信号供給回路を駆
動制御する駆動制御回路を有する周辺回路領域とを備え
るエレクトロルミネッセンス表示装置であって、絶縁性
基板をフレキシブルに構成して、表示画素領域を湾曲さ
せることを特徴とする。
ネッセンス表示装置は、絶縁性基板上に、陰極、ホール
輸送層、発光層、電子輸送層及び陽極を有するエレクト
ロルミネッセンス素子、及びそのエレクトロルミネッセ
ンス素子に信号を供給する信号供給回路を有する表示画
素領域と、その表示画素領域の周辺に信号供給回路を駆
動制御する駆動制御回路を有する周辺回路領域とを備え
るエレクトロルミネッセンス表示装置であって、絶縁性
基板をフレキシブルに構成して、表示画素領域を湾曲さ
せることを特徴とする。
【０００７】また、表示画素領域を湾曲させた状態で収
容する収容部を備えていることを特徴とする。
容する収容部を備えていることを特徴とする。
【０００８】また、表示領域をロール状に巻き取るため
の巻取芯を備え、その巻取芯内に駆動制御回路が配置さ
れていることを特徴とする。
の巻取芯を備え、その巻取芯内に駆動制御回路が配置さ
れていることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態におけるエ
レクトロルミネッセンス表示装置（以下、ＥＬ表示装置
と称する）の構成について、図面を用いて以下に説明す
る。 （１）ＥＬ表示装置の概略構成に関する説明 図１（ａ）にＥＬ表示装置の概略構成を示し、図１
（ｂ）に表示画素領域を巻き取った状態における表示装
置の概略構成を示す。
レクトロルミネッセンス表示装置（以下、ＥＬ表示装置
と称する）の構成について、図面を用いて以下に説明す
る。 （１）ＥＬ表示装置の概略構成に関する説明 図１（ａ）にＥＬ表示装置の概略構成を示し、図１
（ｂ）に表示画素領域を巻き取った状態における表示装
置の概略構成を示す。
【００１０】ＥＬ表示装置は、図１（ａ）に示すよう
に、フレキシブルな材料であるポリイミドから成る絶縁
性基板３１０と、その絶縁性基板３１０上において表示
画素となるＥＬ素子３６０に信号を供給して駆動させる
ための第１及び第２の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ
と称する）を有するＥＬ表示画素領域２００と、その表
示画素駆動領域２００のＴＦＴを駆動制御するための垂
直駆動回路及び水平駆動回路とを含む駆動制御回路４０
（図３参照）を内臓した巻取芯２０１とを備えている。
に、フレキシブルな材料であるポリイミドから成る絶縁
性基板３１０と、その絶縁性基板３１０上において表示
画素となるＥＬ素子３６０に信号を供給して駆動させる
ための第１及び第２の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ
と称する）を有するＥＬ表示画素領域２００と、その表
示画素駆動領域２００のＴＦＴを駆動制御するための垂
直駆動回路及び水平駆動回路とを含む駆動制御回路４０
（図３参照）を内臓した巻取芯２０１とを備えている。
【００１１】そして、ポリイミドから構成した絶縁性基
板３１０は、湾曲可能となるため、画像を表示しないと
きは、図１（ｂ）に示すように、ＥＬ表示画素領域２０
０を巻取芯２０１の周囲に沿ってロール状に巻き取った
状態で、円筒状のケース２０２内に収容される。 （２）ＥＬ表示画素領域の発光原理に関する説明 図２（ａ）に表示画素領域の１表示画素の等価回路図を
示し、図２（ｂ）にスイッチング用のＴＦＴである第1
のＴＦＴ３３０の構造を示し、図2（ｃ）にＥＬ素子３
６０の駆動用のＴＦＴである第2のＴＦＴ３４０の構造
を示す。
板３１０は、湾曲可能となるため、画像を表示しないと
きは、図１（ｂ）に示すように、ＥＬ表示画素領域２０
０を巻取芯２０１の周囲に沿ってロール状に巻き取った
状態で、円筒状のケース２０２内に収容される。 （２）ＥＬ表示画素領域の発光原理に関する説明 図２（ａ）に表示画素領域の１表示画素の等価回路図を
示し、図２（ｂ）にスイッチング用のＴＦＴである第1
のＴＦＴ３３０の構造を示し、図2（ｃ）にＥＬ素子３
６０の駆動用のＴＦＴである第2のＴＦＴ３４０の構造
を示す。
【００１２】図2（ａ）に示すように、ゲート信号線３
５１とドレイン信号線３５２とに囲まれた領域に表示画
素が形成される。両信号線の交点付近にはスイッチング
素子である第１のＴＦＴ３３０が備えられており、その
ＴＦＴ３３０のソース３３１ｓは後述の保持容量電極３
５４との間で容量をなす容量電極３５５を兼ねるととも
に、エレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と
称する）３６０を駆動する第２のＴＦＴ３４０のゲート
３４２に接続されている。第２のＴＦＴ３４０のソース
３４１ｓはＥＬ素子３６０の陽極３６１に接続され、他
方のドレイン３４１ｄはＥＬ素子３６０を駆動する駆動
電源線３５３に接続されている。
５１とドレイン信号線３５２とに囲まれた領域に表示画
素が形成される。両信号線の交点付近にはスイッチング
素子である第１のＴＦＴ３３０が備えられており、その
ＴＦＴ３３０のソース３３１ｓは後述の保持容量電極３
５４との間で容量をなす容量電極３５５を兼ねるととも
に、エレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子と
称する）３６０を駆動する第２のＴＦＴ３４０のゲート
３４２に接続されている。第２のＴＦＴ３４０のソース
３４１ｓはＥＬ素子３６０の陽極３６１に接続され、他
方のドレイン３４１ｄはＥＬ素子３６０を駆動する駆動
電源線３５３に接続されている。
【００１３】また、ＴＦＴ付近には、ゲート信号線３５
１と並行に保持容量電極３５４が配置されている。この
保持容量電極３５４はクロム等から成っており、ゲート
絶縁膜３１２を介して第１のＴＦＴ３３０のソース３３
１ｓと接続された容量電極３５５との間で電荷を蓄積し
て容量を成している。この保持容量３７０は、第２のＴ
ＦＴ３４０のゲート３４２に印加される電圧を保持する
ために設けられている。
１と並行に保持容量電極３５４が配置されている。この
保持容量電極３５４はクロム等から成っており、ゲート
絶縁膜３１２を介して第１のＴＦＴ３３０のソース３３
１ｓと接続された容量電極３５５との間で電荷を蓄積し
て容量を成している。この保持容量３７０は、第２のＴ
ＦＴ３４０のゲート３４２に印加される電圧を保持する
ために設けられている。
【００１４】まず、スイッチング用のＴＦＴである第１
のＴＦＴ３３０について説明する。
のＴＦＴ３３０について説明する。
【００１５】図２（ｂ）に示すように、フレキシブルな
材料であるポリイミドから成る絶縁性基板３１０上に、
クロム（Ｃｒ）、モリブテン（Ｍｏ）などの高融点金属
からなるゲート電極３３２を兼ねたゲート信号線３５１
及びアルミニウム（Ａｌ）から成るドレイン信号線３５
２を備えており、ＥＬ素子３６０の駆動電源でありＡｌ
から成る駆動電源線３５３を配置する。
材料であるポリイミドから成る絶縁性基板３１０上に、
クロム（Ｃｒ）、モリブテン（Ｍｏ）などの高融点金属
からなるゲート電極３３２を兼ねたゲート信号線３５１
及びアルミニウム（Ａｌ）から成るドレイン信号線３５
２を備えており、ＥＬ素子３６０の駆動電源でありＡｌ
から成る駆動電源線３５３を配置する。
【００１６】続いて、ゲート絶縁膜３１２、及び、多結
晶シリコン（Poly-Silicon、以下、「ｐ−Ｓｉ」と称す
る）膜から成る能動層３３１を順に形成し、その能動層
３３１には、いわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）
構造が設けられている。即ち、ゲート３３２の両側に低
濃度領域３３１LDとその外側に高濃度領域のソース３３
１ｓ及びドレイン３３１ｄが設けられている。
晶シリコン（Poly-Silicon、以下、「ｐ−Ｓｉ」と称す
る）膜から成る能動層３３１を順に形成し、その能動層
３３１には、いわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）
構造が設けられている。即ち、ゲート３３２の両側に低
濃度領域３３１LDとその外側に高濃度領域のソース３３
１ｓ及びドレイン３３１ｄが設けられている。
【００１７】そして、ゲート絶縁膜３１２、能動層３３
１及びストッパ絶縁膜３１４上の全面には、ＳｉＯ２
膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁
膜３１５を設け、ドレイン３４１ｄに対応して設けたコ
ンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極
３１６を設ける。更に全面に例えば有機樹脂からなり表
面を平坦にする平坦化絶縁膜３１７を設ける。
１及びストッパ絶縁膜３１４上の全面には、ＳｉＯ２
膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁
膜３１５を設け、ドレイン３４１ｄに対応して設けたコ
ンタクトホールにＡｌ等の金属を充填してドレイン電極
３１６を設ける。更に全面に例えば有機樹脂からなり表
面を平坦にする平坦化絶縁膜３１７を設ける。
【００１８】次に、ＥＬ素子３６０の駆動用のＴＦＴで
ある第２のＴＦＴ３４０について説明する。
ある第２のＴＦＴ３４０について説明する。
【００１９】図２（ｃ）に示すように、フレキシブルな
材料であるポリイミドから成る絶縁性基板３１０上に、
Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３４２
を設け、ゲート絶縁膜３１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる
能動層３４１を順に形成し、その能動層３４１には、ゲ
ート電極３４２上方に真性又は実質的に真性であるチャ
ネル３４１ｃと、このチャネル３４１ｃの両側に、その
両側にイオンドーピングを施してソース３４１ｓ及びド
レイン３４１ｄが設けられる。
材料であるポリイミドから成る絶縁性基板３１０上に、
Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３４２
を設け、ゲート絶縁膜３１２、及びｐ−Ｓｉ膜からなる
能動層３４１を順に形成し、その能動層３４１には、ゲ
ート電極３４２上方に真性又は実質的に真性であるチャ
ネル３４１ｃと、このチャネル３４１ｃの両側に、その
両側にイオンドーピングを施してソース３４１ｓ及びド
レイン３４１ｄが設けられる。
【００２０】そして、ゲート絶縁膜３１２の及び能動層
３４１上の全面には、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ
２膜の順に積層された層間絶縁膜３１５を形成し、ドレ
イン３４１ｄに対応して設けられたコンタクトホールＡ
ｌ等の金属を充填して駆動電源３５０に接続された駆動
電源線３５３を配置する。更に全面に例えば有機樹脂か
ら成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜３１７を形成し
て、その平坦化絶縁膜３１７のソース３４１ｓに対応し
た位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホ
ールを介してソース３４１ｓとコンタクトしたＩＴＯ
（Indium Thin Oxide）から成る透明電極、即ちＥＬ素
子３６０の陽極３６１を平坦化絶縁膜３１７上に設け
る。
３４１上の全面には、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ
２膜の順に積層された層間絶縁膜３１５を形成し、ドレ
イン３４１ｄに対応して設けられたコンタクトホールＡ
ｌ等の金属を充填して駆動電源３５０に接続された駆動
電源線３５３を配置する。更に全面に例えば有機樹脂か
ら成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜３１７を形成し
て、その平坦化絶縁膜３１７のソース３４１ｓに対応し
た位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホ
ールを介してソース３４１ｓとコンタクトしたＩＴＯ
（Indium Thin Oxide）から成る透明電極、即ちＥＬ素
子３６０の陽極３６１を平坦化絶縁膜３１７上に設け
る。
【００２１】ＥＬ素子３６０は、ＩＴＯ等の透明電極か
ら成る陽極３６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylph
enylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層
３６２、及びＴＰＤ（4,4,4-tris(3-3-methylphenylphe
nylamino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送層
３６３、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢ
ｅｂｑ２（10-ベンゾ[h]キノリノール−ベリリウム錯
体）から成る発光層３６４及びＢｅｂｑ２から成る電子
輸送層３６５からなる発光素子層３６６、マグネシウム
・インジウム合金からなる陰極３６７がこの順番で積層
形成された構造である。この陰極３６７は、ＥＬ表示画
素領域を形成する基板３１０の全面に設けられている。
ら成る陽極３６１、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylph
enylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層
３６２、及びＴＰＤ（4,4,4-tris(3-3-methylphenylphe
nylamino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送層
３６３、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢ
ｅｂｑ２（10-ベンゾ[h]キノリノール−ベリリウム錯
体）から成る発光層３６４及びＢｅｂｑ２から成る電子
輸送層３６５からなる発光素子層３６６、マグネシウム
・インジウム合金からなる陰極３６７がこの順番で積層
形成された構造である。この陰極３６７は、ＥＬ表示画
素領域を形成する基板３１０の全面に設けられている。
【００２２】また、ＥＬ素子３６０は、陽極３６１から
注入されたホールと、陰極３６７から注入された電子と
が発光層３６４の内部で再結合し、発光層３６４を形成
する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が
放射失活する過程で発光層３６４から光が放たれ、この
光が透明な陽極３６１から透明絶縁性基板３１０を介し
て外部へ放出されて発光する。 （３）ＥＬ表示画素領域の駆動制御回路に関する説明。
注入されたホールと、陰極３６７から注入された電子と
が発光層３６４の内部で再結合し、発光層３６４を形成
する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が
放射失活する過程で発光層３６４から光が放たれ、この
光が透明な陽極３６１から透明絶縁性基板３１０を介し
て外部へ放出されて発光する。 （３）ＥＬ表示画素領域の駆動制御回路に関する説明。
【００２３】図３にＥＬ表示画素領域における駆動制御
回路のブロック図を示す。
回路のブロック図を示す。
【００２４】図３に示すように、駆動制御回路４０は、
ＡＤコンバータ４０３と、スキャンコンバータ４０４
と、ＤＡコンバータ４０５と、レベルシフトブロック４
０６と、垂直側駆動回路４０７と、水平側駆動回路４０
８とを備え、これらが巻取芯２０１内に配置されてい
る。
ＡＤコンバータ４０３と、スキャンコンバータ４０４
と、ＤＡコンバータ４０５と、レベルシフトブロック４
０６と、垂直側駆動回路４０７と、水平側駆動回路４０
８とを備え、これらが巻取芯２０１内に配置されてい
る。
【００２５】パソコンなどから供給される映像信号４０
１はＲ、Ｇ、Ｂの映像信号からなり、同期信号４０２に
同期して駆動回路に入力される。映像信号４０１はＡＤ
コンバータ４０３により、それぞれ、アナログ信号から
デジタル信号へと変換される。
１はＲ、Ｇ、Ｂの映像信号からなり、同期信号４０２に
同期して駆動回路に入力される。映像信号４０１はＡＤ
コンバータ４０３により、それぞれ、アナログ信号から
デジタル信号へと変換される。
【００２６】デジタル信号に変換された映像信号はスキ
ャンコンバータ４０４により、ＥＬ表示画素領域の画素
数に応じてフレーム周波数、解像度が調整された後、Ｄ
Ａコンバータ４０５によりデジタル信号からアナログ信
号へと変換される。スキャンコンバータ４０４は、入力
された同期信号４０２より出力側の同期信号を作成し、
垂直側駆動回路４０７と水平側駆動回路４０８に供給す
る。
ャンコンバータ４０４により、ＥＬ表示画素領域の画素
数に応じてフレーム周波数、解像度が調整された後、Ｄ
Ａコンバータ４０５によりデジタル信号からアナログ信
号へと変換される。スキャンコンバータ４０４は、入力
された同期信号４０２より出力側の同期信号を作成し、
垂直側駆動回路４０７と水平側駆動回路４０８に供給す
る。
【００２７】レベルシフトブロック４０６により、ＲＢ
Ｇ各色の映像信号はＥＬ表示画素領域２００の入力電圧
レベルに適した電圧レベルに変換される。
Ｇ各色の映像信号はＥＬ表示画素領域２００の入力電圧
レベルに適した電圧レベルに変換される。
【００２８】垂直側駆動回路４０７ではＥＬ表示画素領
域２００の垂直側の位置を指定し、水平側駆動回路４０
８ではＥＬ表示画素領域２００の水平側の位置を指定す
る。垂直側駆動回路４０７と水平側駆動回路４０８によ
り指定されたＥＬ表示画素領域２００の画素が発光す
る。
域２００の垂直側の位置を指定し、水平側駆動回路４０
８ではＥＬ表示画素領域２００の水平側の位置を指定す
る。垂直側駆動回路４０７と水平側駆動回路４０８によ
り指定されたＥＬ表示画素領域２００の画素が発光す
る。
【００２９】上述したように、本実施の形態において
は、絶縁性基板３１０をフレキシブルに構成したため、
ＥＬ表示画素領域２００が湾曲可能となり、その湾曲の
度合いを大きくすることによりロール状に巻き取ること
が可能となる。これにより、表示装置を使用しないとき
は、湾曲もしくはロール状に巻き取ることができるた
め、未使用時における表示装置の小型化を図ることがで
き、容易に携帯もしくは収容することが可能となる。
は、絶縁性基板３１０をフレキシブルに構成したため、
ＥＬ表示画素領域２００が湾曲可能となり、その湾曲の
度合いを大きくすることによりロール状に巻き取ること
が可能となる。これにより、表示装置を使用しないとき
は、湾曲もしくはロール状に巻き取ることができるた
め、未使用時における表示装置の小型化を図ることがで
き、容易に携帯もしくは収容することが可能となる。
【００３０】なお、本実施の形態においては、上述した
ＥＬ表示画素領域２００に形成される第１のＴＦＴ３３
０及び第２のＴＦＴ３４０の構造及び材質により、湾曲
可能な範囲が制限され、その範囲を超えて湾曲させると
ＴＦＴが破壊されてしまう虞がある。このため、巻取芯
２０１の直径をこの湾曲可能な範囲より大きくすること
により、第１のＴＦＴ３３０及び第２のＴＦＴ３４０の
破壊を招くことなくＥＬ表示画素領域２００の巻き取り
を行うことが可能となる。
ＥＬ表示画素領域２００に形成される第１のＴＦＴ３３
０及び第２のＴＦＴ３４０の構造及び材質により、湾曲
可能な範囲が制限され、その範囲を超えて湾曲させると
ＴＦＴが破壊されてしまう虞がある。このため、巻取芯
２０１の直径をこの湾曲可能な範囲より大きくすること
により、第１のＴＦＴ３３０及び第２のＴＦＴ３４０の
破壊を招くことなくＥＬ表示画素領域２００の巻き取り
を行うことが可能となる。
【００３１】
【発明の効果】上述したように、本発明のエレクトロル
ミネッセンス表示装置は、エレクトロルミネッセンス素
子を形成する絶縁性基板をフレキシブルに構成したた
め、表示装置の未使用時においてはその表示画素領域を
湾曲もしくはロール状に巻き取って小型化することがで
きるため、容易に携帯もしくは収容することが可能とな
る。
ミネッセンス表示装置は、エレクトロルミネッセンス素
子を形成する絶縁性基板をフレキシブルに構成したた
め、表示装置の未使用時においてはその表示画素領域を
湾曲もしくはロール状に巻き取って小型化することがで
きるため、容易に携帯もしくは収容することが可能とな
る。
【図１】 本発明のＥＬ表示装置の概略構成を示す構成
図（ａ）及びＥＬ表示画素領域を巻き取った状態におけ
るＥＬ表示装置の概略構成を示す構成図（ｂ）である。
図（ａ）及びＥＬ表示画素領域を巻き取った状態におけ
るＥＬ表示装置の概略構成を示す構成図（ｂ）である。
【図２】 図１のＥＬ表示装置におけるＥＬ表示画素領
域の１表示画素の等価回路を示す回路図（ａ）、スイッ
チング用のＴＦＴである第1のＴＦＴの構造を示す断面
図（ｂ）、ＥＬ素子の駆動用のＴＦＴである第2のＴＦ
Ｔの構造を示す断面図（ｃ）である。
域の１表示画素の等価回路を示す回路図（ａ）、スイッ
チング用のＴＦＴである第1のＴＦＴの構造を示す断面
図（ｂ）、ＥＬ素子の駆動用のＴＦＴである第2のＴＦ
Ｔの構造を示す断面図（ｃ）である。
【図３】 図１のＥＬ表示装置において巻取芯内に配置
されている駆動制御回路の概略構成を示すブロック図で
ある。
されている駆動制御回路の概略構成を示すブロック図で
ある。
２００ ＥＬ表示画素領域 ２０１ 巻取芯 ３１０ 絶縁性基板 ３６０ エレクトロルミネッセンス素子
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ (72)発明者 船造 康夫 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB00 BA07 CA06 DA02 DA05 EA02 5C094 AA15 AA60 BA29 DA05 DA09 DA20 EB10 FA04 HA08 HA10 5G435 AA18 BB05 EE11 EE37 EE38 LL07 LL08
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に、陰極、ホール輸送層、
発光層、電子輸送層及び陽極を有するエレクトロルミネ
ッセンス素子、及び該エレクトロルミネッセンス素子に
信号を供給する信号供給回路を有する表示画素領域と、
該表示画素領域の周辺に前記信号供給回路を駆動制御す
る駆動制御回路を有する周辺回路領域とを備えるエレク
トロルミネッセンス表示装置であって、 前記絶縁性基板をフレキシブルに構成して、前記表示画
素領域を湾曲させることを特徴とするエレクトロルミネ
ッセンス表示装置。 - 【請求項２】 前記表示画素領域を湾曲させた状態で収
容する収容部を備えていることを特徴とする請求項１記
載のエレクトロルミネッセンス表示装置。 - 【請求項３】 前記表示領域をロール状に巻き取るため
の巻取芯を備え、該巻取芯内に前記駆動制御回路が配置
されていることを特徴とする請求項１または２記載のエ
レクトロルミネッセンス表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27706999A JP2001100661A (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27706999A JP2001100661A (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001100661A true JP2001100661A (ja) | 2001-04-13 |
Family
ID=17578359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27706999A Withdrawn JP2001100661A (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001100661A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1999
- 1999-09-29 JP JP27706999A patent/JP2001100661A/ja not_active Withdrawn
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