JP6338754B2 - 不活性ガスから生成される準安定ガスを使用する原子層エッチング - Google Patents
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Description
原子層エッチングは、半導体デバイス製造のための非常に高い精度で臨界エッチングを行うために当技術分野で知られている技法である。原子層エッチングでは、エッチングは、過度の表面下損傷または望ましくない変更の回避を図りながら、薄層に対して行われる。原子層エッチングは、例えば、別の臨界層の上の非常に薄い層をエッチングするために行うことができる。また、原子層エッチングは、例えば、残っている薄層のエッチングが下にある層および／または下にある基板の損傷を生じないことを保証しながら層を除去することを試みて、バルクエッチングステップの最後に採用されることもある。
詳述すると、プラズマを使用するエッチングは、下にある構造および／または下にある層の前述した表面下損傷または変更を引き起こす可能性があることが知られている。プラズマエッチング中のゲート誘電体の下でのシリコンの損失が、表面下損失の一例であり、すなわち、薄いゲート誘電体（一般にはＳｉＯ2）が存在しても、ゲートエッチング中にＳｉリセスが生じる。いくつかの状況では、１００ｅＶよりも大きいイオンエネルギーを用いたプラズマエッチングは、表面下で約２０〜４０オングストロームの深さまでの損傷を誘発することが知られている。したがって、約１０オングストロームの典型的なゲート酸化物の厚さでは、ゲートエッチング後に約１０〜２０オングストロームのＳｉリセスが一般に観察される。
本発明は、半導体デバイス製造において原子層エッチングを行うための改良型の装置および方法に関する。
本発明は、一実施形態では、半導体処理チャンバ内で基板上の層をエッチングするための方法に関する。この方法は、チャンバ内に第１のガスを導入するステップであって、上記ガスが、層をエッチングするのに適したエッチャントガスであるステップを含む。また、この方法は、第１のガスの少なくともいくらかを層内に吸着させるのに十分な期間にわたって、第１のガスをチャンバ内に留めるステップを含む。さらに、この方法は、チャンバ内の第１のガスを不活性ガスで実質的に置き換えるステップを含む。さらに、この方法は、不活性ガスから準安定ガスを発生させるステップと、準安定ガスを用いて層をエッチングするステップとを含む。
上記の概要は、本明細書で開示する多くの実施形態の１つのみに関するものであり、本願で特許請求の範囲に記載される本発明の範囲を限定するものとは意図されていない。本発明のこれらおよび他の特徴を、以下の図面に関連付けて、発明を実施するための形態の項で以下にさらに詳細に説明する。
本発明は、添付図面の図に、限定ではなく例として図示されている。図面中、同様の参照符号は同様の要素を表す。
次に、添付図面に例示される本発明のいくつかの実施形態を参照して、本発明を詳細に論じる。以下の説明では、本発明を完全に理解できるように、いくつかの具体的な詳細を記載する。しかし、これらの具体的な詳細のいくつかまたはすべてを用いずに本発明を実施することもできることは、当業者には明らかであろう。なお、本発明を不要に曖昧にしないように、よく知られているプロセスステップおよび／または構造は、詳細には説明しない。
方法および技法を含めた様々な実施形態を、本明細書で以下に述べる。本発明は、本発明による技法の実施形態を実施するためのコンピュータ可読命令が記憶されたコンピュータ可読媒体を含む製造物品も包含することがあることを念頭に置くべきである。コンピュータ可読媒体は、例えば、コンピュータ可読コードを記憶するための、半導体コンピュータ可読媒体、磁気的コンピュータ可読媒体、光磁気的コンピュータ可読媒体、光学的コンピュータ可読媒体、または他の形態のコンピュータ可読媒体を含むことがある。さらに、本発明は、本発明の実施形態を実施するための装置も包含することがある。そのような装置は、本発明の実施形態に関するタスクを実行するための専用および／またはプログラマブル回路を含むことがある。そのような装置の例は、適切にプログラムされるときには、汎用コンピュータおよび／または専用計算デバイスを含み、さらには、コンピュータ／計算デバイスと、本発明の実施形態に関する様々なタスクに適合された専用／プログラマブル回路との組合せを含むこともある。
本発明の実施形態は、基板（例えば半導体ウェハやフラットパネル）の層上で原子層エッチングを行うための装置および方法に関する。１つまたは複数の実施形態では、基板層をエッチングするのに適したエッチャントソースガスが、半導体処理チャンバに導入される。例えば、Ｓｉ層をエッチングするために、エッチャントガスは、Ｃｌ2、ＨＣｌ、ＣＨＦ3、ＣＨ2Ｆ2、ＣＨ3Ｆ、Ｈ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4、Ｂｒ2、ＨＢｒ、ＮＦ3、ＣＦ4、ＳＦ6、Ｏ2、ＳＯ2、ＣＯＳなどの１つまたは混合物でよい。エッチャントガスは、エッチングすべき層内にエッチャントガス材料の少なくともいくらかを吸着させることができるように、十分な時間にわたってチャンバ内に留められる。その後、エッチャントガスは、不活性ガス（Ａｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｎｅ、Ｘｅなどの１つまたは混合物など）によって置き換えられる。次いで、基板層上で原子層エッチングを行うために、不活性ガスから準安定ガスが生成される。原子層エッチングが完了するまで、このサイクルを数回繰り返すことができる。
１つまたは複数の実施形態では、準安定ガスは、チャンバのプラズマ発生領域内で不活性ガスからプラズマを点火することによって生成される。次いで、準安定ガスは、プラズマ発生領域内で発生されたプラズマから、分離プレートの穴を通って移動して、基板層に接触する。しかし、下にある層の意図していないエッチングおよび／または表面下損傷および／または変更を最小限に抑えるために、エネルギープラズマイオンは、ウェハの表面との接触を妨げられる。原子層エッチング中、基板は、チャンバのウェハ処理領域内でチャック上に配置される。準安定ガスは、基板層表面に接触すると脱励起され、このプロセス中にそれらの電子エネルギーを放出し、吸着済みの基板表面で表面反応を引き起こし、それにより基板表面をエッチングする。準安定ガスの指向性エネルギーは、プラズマのエネルギーイオンのエネルギー（１００〜１０００ｅＶ）よりもはるかに低くなる傾向があるので（例えば、アルゴン準安定ガスに関しては約０．０２５ｅＶ）、不活性ガスの準安定ガスと吸着済みの層との組合せを使用するエッチング時に、損傷が実質的に最小限にされる。
１つまたは複数の実施形態では、前述した分離プレートは、互いに電気的に絶縁されたプレートを有する複数プレート構造である。本発明の１つまたは複数の実施形態では、複数プレートアセンブリのプレートの少なくとも１つが、プラズマから発するイオンを跳ね返すようにバイアスされる。複数プレートアセンブリのプレートはそれぞれ、準安定ガスがプラズマ発生領域からウェハ処理領域に横断できるようにするために通し穴を有する。プレートの通し穴は、一実施形態では位置合わせされることがあり、または、望まれる場合にはわずかにずらされることもある。分離プレートの通し穴は、エネルギープラズマ種が分離プレートを横断して基板表面に達するのを実質的に防止するようにサイズ設定される。
１つまたは複数の実施形態では、分離プレートと基板との間にコリメータプレートが設けられて、準安定ガスをコリメートし、それにより、実質的に指向性の準安定ガスのみが基板表面に達し、より異方性のエッチング、すなわち基板面に垂直な鉛直方向でのエッチングとなる。コリメータプレートは、通し穴を含むことがあり、望まれる場合には接地またはバイアスされることがある。
分離プレートおよび／またはコリメータプレートの穴パターンに起因する表面の不均一なエッチングを防止するために、分離プレートおよび／またはコリメータプレートを基板に対して移動させることができる（または逆に基板を移動させることができる）。分離プレートおよび／またはコリメータプレート、および／またはウェハおよびウェハチャックアセンブリの相対側方移動は、分離プレートまたはコリメータプレートの通し穴パターンが基板表面の特定の領域にのみインプリントされるのを防止する効果を有する。
本発明の１つまたは複数の実施形態は、本明細書で述べる原子層エッチングを行うための方法を包含する。本発明の１つまたは複数の実施形態は、本明細書で述べるハードウェアを有する基板処理システムおよび／または基板処理チャンバを包含し、また論理回路を含むこともある（論理回路は、専用論理回路によって、プログラマブル論理回路によって、および／またはコンピュータ可読媒体コードにより制御されるマイクロプロセッサ／マイクロコントローラ／コンピュータによって実装することができる。コンピュータ可読媒体コードは、コンピュータ可読媒体で具現化され、および／またはバスもしくはデジタルネットワーク（ローカルエリアネットワークおよび／またはインターネットを含む）を介するデジタル信号として、実行のためにマイクロプロセッサ／マイクロコントローラ／コンピュータに伝送される）。
本発明の実施形態の特徴および利点は、図面および以下の説明を参照して理解することができる。
本発明の実施形態は、基板層（例えばＳｉ層）内に吸着されている反応物（例えばハロゲン）との表面反応を活性化するために、１つまたは複数の不活性ガスの準安定ガスを採用する。本明細書では一例としてＳｉ層を採用するが、本発明の実施形態の原子エッチング技法を使用して任意の層をエッチングすることができることを理解すべきである。１つまたは複数の実施形態では、ウェハの表面は、エッチャントガス（例えば、Ｃｌ2、ＨＣｌ、ＣＨＦ3、ＣＨ2Ｆ2、ＣＨ3Ｆ、Ｈ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4、Ｂｒ2、ＨＢｒ、ＮＦ3、ＣＦ4、ＳＦ6、Ｏ2、ＳＯ2、ＣＯＳなどの１つまたは混合物）に露出される。１つまたは複数の実施形態では、エッチャントガス分子が基板表面に吸着できるように、短時間（約０．０５秒〜約１８０秒）、基板処理チャンバがエッチャントガスまたはエッチャントガス混合物で満たされることがある。１つまたは複数の実施形態では、基板処理チャンバは、エッチャントガス分子が基板表面に吸着できるように、約０．２５秒〜約５秒間、基板処理チャンバがエッチャントガスまたはエッチャントガス混合物で満たされることがある。
図１は、本発明の一実施形態による、基板１０４（例えばウェハ）が上に配置されたチャック１０２を含む例示的な基板処理チャンバを示す。ガス入口１０６もしくは１０８ａ／１０８ｂ、または両方の入口１０６と１０８ａ／１０８ｂを使用して、ガスをチャンバ内に注入することができる。１つまたは複数の実施形態では、不活性ガス、例えばＡｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｎｅ、Ｘｅなどの１つまたは混合物は、ガス入口１０６を通してプラズマ発生領域１１０内に注入され、エッチャントガスは、エッチャントガスがプラズマ発生領域１１０に入らないことを保証するために、ガス入口１０８ａ／１０８ｂを通して基板処理領域１１２内に導入される。この状況では、プラズマ発生領域１１０内の圧力は、基板処理領域１１２内の圧力に少なくとも等しいか、またはそれよりも高いことが好ましい。プラズマ発生領域１１０は、少なくとも分離プレート構造１３０によって（および任意選択で、本明細書で後述するコリメータプレートによって）基板処理領域１１２から分離される。
次のステップで、エッチャントガスは、基板表面上に吸着するのに十分な時間を取った後、チャンバ排気ポンプ１２０ａ／１２０ｂによって排気される。これは、ガス入口１０６を通したプラズマ発生領域１１０内への不活性ガスの導入と共に行うことができる。エッチャントガス排気が、同時に不活性ガス流を流すことなく行われる場合、次のステップが、ガス入口１０６を通してプラズマ発生領域１１０内に不活性ガスを流すことを含むことがある。
チャンバからのエッチャントガスを不活性ガスで実質的に置き換えた後、プラズマチャンバ内で、より具体的にはプラズマ発生領域１１０内で、不活性ガスプラズマが発生される。一実施形態では、エッチャントガスの少なくとも８０％が不活性ガスで置き換えられた場合に、エッチャントガスが不活性ガスによって実質的に置き換えられたと言える。一実施形態では、エッチャントガスの少なくとも９０％が不活性ガスで置き換えられた場合に、エッチャントガスが不活性ガスによって実質的に置き換えられたと言える。一実施形態では、エッチャントガスの少なくとも９５％が不活性ガスで置き換えられた場合に、エッチャントガスが不活性ガスによって実質的に置き換えられたと言える。一実施形態では、エッチャントガスの少なくとも９９％が不活性ガスで置き換えられた場合に、エッチャントガスが不活性ガスによって実質的に置き換えられたと言える。
プラズマ中で発生された準安定ガス種は、分離プレート構造１３０を通って基板処理領域１１２内に移行する。基板処理領域１１２内の圧力は、例えば、ターボ分子ポンプ、圧力制御弁、分離プレートと不活性ガス流との設計を使用して制御することができる。
１つまたは複数の実施形態では、基板処理領域内の圧力を＜１０ｍＴｏｒｒに保つことが望ましく、それにより、ウェハ処理領域に入る準安定ガスのかなりの部分が、ウェハ処理チャンバ内の気相衝突によって消滅されることなく、基板に当たることができる。一実施形態では、分離プレートと基板との距離は、例えば約１ｃｍ〜２５ｃｍの間に保つことができる。
準安定ガスを発生させるためのプラズマ源は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、容量結合プラズマ、ホローカソード放電のアレイ、マイクロ波プラズマ、または電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ、または任意の他の適切なプラズマ源技術を含めた様々な技術から選択することができる。
図１は、誘導結合プラズマ源１５０も示し、これは、プラズマ発生領域１１０内で発生されたプラズマを用いてＲＦエネルギーを誘導結合するためのアンテナを表す。好ましい実施形態では、低圧で高密度プラズマを発生することができるので、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）またはＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマ源を採用することができる。１つまたは複数の実施形態では、プラズマ発生領域１１０内の圧力は、約０．５ｍＴｏｒｒ〜約１００ｍＴｏｒｒの間である。
分離プレート構造１３０は、プラズマ荷電種が基板に達するのを実質的に防止することによって分離プレートの穴を通るプラズマ漏れの量を制限するために、接地面として働くように設計される。一実施形態では、分離プレート構造は、それがなければ基板表面に達するプラズマ荷電種の少なくとも６０％が分離プレート構造によって基板に達するのを防止される場合に、プラズマ荷電種が基板に達するのを実質的に防止すると言える。一実施形態では、分離プレート構造は、それがなければ基板表面に達するプラズマ荷電種の少なくとも８０％が分離プレート構造によって基板に達するのを防止される場合に、プラズマ荷電種が基板に達するのを実質的に防止すると言える。一実施形態では、分離プレート構造は、それがなければ基板表面に達するプラズマ荷電種の少なくとも９５％が分離プレート構造によって基板に達するのを防止される場合に、プラズマ荷電種が基板に達するのを実質的に防止すると言える。一実施形態では、分離プレート構造は、それがなければ基板表面に達するプラズマ荷電種の少なくとも９９％が分離プレート構造によって基板に達するのを防止される場合に、プラズマ荷電種が基板に達するのを実質的に防止すると言える。
分離プレート構造１３０のプレートは、金属（例えば、アルミニウム、ステンレス鋼、もしくは同様に適した材料）、または被膜でコーティングされた金属（例えば、陽極酸化アルミニウム、Ｙ2Ｏ3、ＹＦ3、ＣｅＯ2、Ｓｉ、ＴｉＮでコーティングされたアルミニウム）から製造することができる。１つまたは複数の実施形態では、分離プレートの厚さは、１ｍｍ〜２５ｍｍの間でよい。分離プレートの穴の直径は、穴を通るプラズマ漏れを最小限に抑える、または実質的に防止するように選択することができ、１つまたは複数の実施形態では２０μｍ〜５ｍｍの間でよい。
１つまたは複数の実施形態では、分離プレート構造２０２は、（本発明の一実施形態による図２に示されるように）複数層構造であり、それにより、２つの導電性プレート２０４と２０６が、互いに電気的に絶縁されるように絶縁層２０８によって分離される。上部プレート２０４は、プラズマ発生領域２００内のプラズマと接触し、電気的に接地される。底部プレート２０６は、プラズマから発するイオンを跳ね返すように小さなＤＣ電圧でバイアスさせることができる。大半のイオンが基板２２８の上方の基板処理領域２１０に達しないように、底部プレート２０６での印加バイアス電圧は、プラズマ電位よりも大きくすることができる。１つまたは複数の実施形態では、底部プレート２０６での印加電圧は、約１０Ｖ〜約５０Ｖの間でよい。
１つまたは複数の実施形態では、分離プレート構造２０２と基板２２８との間に、例えばメッシュの形態でのコリメータプレート２２６を設けることができ、分離プレート構造２０２を通って移行するプラズマ荷電種を跳ね返して、基板２２８に達しないようにする。コリメータプレート２２６は、プラズマ荷電種を跳ね返すようにバイアスすることができ、または望まれる場合には接地することができる。別の実施形態では、プラズマ荷電種が基板２２８に達するのを防止するために、基板２２８をプラズマ電位に対して正にバイアスすることができる。
また、分離プレート構造２０２は、基板２２８に向けて発する中性粒子ビームをコリメートする作用をする。１ｍＴｏｒｒでの中性粒子平均自由行程が約２５ｃｍなので、１つまたは複数の実施形態では、基板２２８の上方で１０ｍＴｏｒｒ未満、好ましくは＜１ｍＴｏｒｒの圧力を保つことによって、分離プレート構造２０２から発するガスと、ウェハ２２８の上方の基板処理領域２１０内にあるガスとの衝突が最小限に抑えられる。これは、準安定ガスが、分離プレート構造２０２から基板２２８への移行中に著しく衝突することなくウェハ２２８の表面に達することを保証する。
本発明の実施形態は、反応種（例えばハロゲン）を既に吸着された、および／または反応種で飽和されたウェハ表面上に到達する不活性準安定ガス原子フラックスを採用する。準安定ガス原子は、かなりの電子エネルギーをウェハに搬送して、化学反応を誘発する。例えば、Ａｒ準安定ガス原子（Ａｒ*。ここで「＊」は準安定状態を表す）は、約１１．７ｅＶのエネルギーを搬送する。このエネルギーは、Ａｒ*原子が表面と相互作用するときに、ウェハ表面に伝達される。
Ａｒ*原子は、熱ガス速度に近い速度（０．０２５ｅＶ）で進むので、準安定ガス原子は、エッチングプラズマで典型的に使用されるエネルギーイオン（１００〜１０００ｅＶ）に比べて、はるかに小さい運動量および衝撃しか表面に与えない。多くの場合に、Ａｒ*原子が、ウェハに当たったときに表面損傷を引き起こすことは実質的に不可能であることに留意されたい。
高い指向性のエッチングを実現するために、ＡｒおよびＡｒ*原子のビームは、図２に示されるようにさらなる穿孔プレートを使用してコリメートすることができる。この実施形態では、分離プレート２０４および２０６の穴パターンと実質的に同じ穴パターンを有するコリメータプレート２２６が、分離プレート構造２０２からわずかな距離だけ離して配置される。コリメータプレート２２６は、分離プレートの軸に沿って（すなわち分離プレート面に垂直に）基板２２８に向かって進むＡｒ*が、プラズマ発生領域内のプラズマからウェハに照準線を有するように位置合わせされる。
より一般的には、（分離プレート面に垂直な軸として定義される）この鉛直軸に対して小さな角度（好ましくは±３度未満、より好ましくは±０．５度未満）を有する円錐内でのみ進むＡｒ*は、コリメータプレート２２６と衝突することなく、コリメータプレート２２６を通過することができる。これらのＡｒ*原子は、矢印２３０および２３２によって示される。鉛直軸に対してそれよりも大きな角度で進むすべての他のＡｒ*原子（２４０および２４２）は、コリメータプレートと衝突して脱励起され、それにより、衝突後にはＡｒ基底状態になる。この方式は、垂直に指向されたＡｒ*フラックスを（Ａｒ原子と共に）ウェハ表面に衝突させて、より鉛直な、より異方性のエッチングを生成する。
指向性のＡｒ*原子フラックスは、前述したように、エッチャントをドーズされた、または吸着されたフィーチャに衝突する。Ａｒ*原子は、表面に電子エネルギーを与えて化学反応を誘発し、この化学反応は、例えばフィーチャの底面で表面のエッチングを生じ、側壁では生じない。Ａｒ*誘発エッチング（またはＡｒ*誘発脱着）によって表面上のエッチャントが完全に使い尽くされると、エッチング反応が止まる。表面に当たるＡｒおよびＡｒ*のビームからの運動量輸送は非常に小さいので、表面の損傷は実質的に生じない。図３は、鉛直に指向されたＡｒ*原子のみが、フィーチャ３０４の底面３０２に衝突し、フィーチャ３０４の側壁３０６および３０８には衝突しないことによる、この鉛直エッチングの態様を示す。
分離プレート構造２０２および／またはコリメータプレート２２６の穴パターンに起因する表面層の不均一なエッチングを防止するために、分離プレート構造２０２および／またはコリメータプレート２２６を基板２２８に対して移動させることができる（または逆に基板を移動させることができる）。分離プレート構造２０２および／またはコリメータプレート２２６、および／またはウェハおよびウェハチャックアセンブリの相対側方移動は、分離プレート構造２０２またはコリメータプレート２２６の通し穴パターンが基板表面の所与の領域にのみインプリントされるのを防止する効果を有する。
一般に、分離プレート構造２０２および／またはコリメータプレート２２６、および／またはウェハおよびウェハチャックアセンブリの相対側方移動は、ウェハ上でのすべての関連位置で均一な時平均Ａｒ*フラックスを保証するように十分に大きくすべきである。一般に、側方移動振幅は、少なくとも分離プレートの穴の間の距離と同じでよく、１つまたは複数の実施形態では、好ましくは分離プレートの穴の間の距離の２倍でよい。
図４は、本発明の一実施形態による、原子層エッチングを行うためのステップを示す。ステップ４０２で、基板表面でのエッチャントガス分子の吸着を促進するために、チャンバ、より特定的にはウェハの上方のチャンバ領域がエッチャントソースガスで充填される。ステップ４０４で、エッチャントガスがチャンバから排気され、不活性ガスで置き換えられる（ステップ４０６）。次いで、不活性ガスが励起されて点火され、プラズマ発生領域内でプラズマを生成して、準安定ガスを発生する（ステップ４０８）。
上述したように、不活性ガスの準安定ガスは、基板の吸着済みの表面で表面反応を誘発することによって基板層をエッチングするために採用される。プラズマのエネルギー種が基板表面に接触するのを防止し、それにより、基板表面の損傷または過度のエッチングを最小限に抑えるために、分離プレート構造を採用することができる。望まれる場合には、エッチング方向性をさらに促進して高い異方性のエッチングを行うために、コリメータプレートを採用することもできる。
分離プレート構造および／またはコリメータプレートの穴パターンに起因する表面層の不均一なエッチングを防止するために、ステップ４１０で、分離プレートおよび／またはコリメータプレートを基板に対して側方に移動させることができる（または逆に基板を移動させることができる）。この移動は、例えば、適切なアクチュエータ構成（モータおよび任意選択で関連の歯車機構を含むことがある）によって行うことができる。
前述したことから理解することができるように、本発明の実施形態は、エッチャント分子を吸着されている基板層との表面反応を活性化するために、不活性ガスの準安定ガスを採用する。基板の吸着済みの表面層上でエッチングを行うために準安定ガスの電子エネルギーを採用することによって、また、原子層エッチング中にプラズマ種が基板表面に衝撃するのを防止することによって、本発明の実施形態は、有利には、非常に繊細な層をエッチングするとき、および／または臨界原子層エッチングを行うときに、エネルギー種によって引き起こされる衝撃損傷を回避する。
本発明をいくつかの好ましい実施形態に関して述べてきたが、本発明の範囲内に含まれる変更、並べ替え、および均等形態もある。本明細書で用語「集合」を採用するとき、そのような用語は、その一般的に理解される数学的意味合いを有するものと意図され、０個の要素、１個の要素、または複数個の要素を包含する。本発明は、これらの変更、並べ替え、および均等形態も包含するものと理解すべきである。また、本発明の方法および装置を実施する多くの代替方法があることにも留意すべきである。本明細書で様々な例を提供したが、これらは例示にすぎず、本発明に対する限定ではないものと意図される。
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
［適用例１］
半導体処理チャンバ内で基板上の層をエッチングするための方法であって、
前記チャンバ内に第１のガスを導入するステップであって、前記ガスが、前記層をエッチングするのに適したエッチャントガスであるステップと、
前記第１のガスの少なくともいくらかを前記層内に吸着させるのに十分な期間にわたって、前記第１のガスを前記チャンバ内に留めるステップと、
前記チャンバ内の前記第１のガスを不活性ガスで実質的に置き換えるステップと、
前記不活性ガスから準安定ガスを発生させるステップと、
前記準安定ガスで前記層をエッチングするステップと、
を備える、方法。
［適用例２］
適用例１に記載の方法であって、
前記準安定ガスは、前記不活性ガスからプラズマを生成することによって発生される、方法。
［適用例３］
適用例２に記載の方法であって、
前記準安定ガスは、前記プラズマから前記層に移動する間に分離プレート構造を横断する、方法。
［適用例４］
適用例３に記載の方法であって、
前記分離プレート構造は、前記層へのプラズマ荷電種の移動を実質的に防止するように構成された複数の穴を有する、方法。
［適用例５］
適用例３に記載の方法であって、
前記分離プレート構造は、互いに電気的に絶縁された少なくとも２つのプレートから構成され、前記２つのプレートは、前記エッチング中に異なる電位を有する、方法。
［適用例６］
適用例３に記載の方法であって、
前記準安定ガスは、前記プラズマから前記層に移動する間にコリメータプレートも横断し、前記コリメータプレートは、前記基板と前記分離プレート構造との間に設けられる、方法。
［適用例７］
適用例３に記載の方法であって、さらに、
前記準安定ガスを用いた前記エッチング中に、前記分離プレートと前記基板との少なくとも一方を互いに対して移動させるステップを備える、方法。
［適用例８］
適用例１に記載の方法であって、
前記エッチャントガスは少なくともハロゲンを含有し、前記層はＳｉを含有する、方法。
［適用例９］
適用例１に記載の方法であって、
前記期間は、約０．０５秒〜約１８０秒の間である、方法。
［適用例１０］
適用例１に記載の方法であって、
前記準安定ガスを発生させる前記ステップは、前記チャンバ内の前記第１のガスの少なくとも約８０％が前記不活性ガスで置き換えられた後に行われる、方法。
［適用例１１］
基板上の層をエッチングするための基板処理チャンバを有する基板処理システムであって、
前記エッチング中に前記基板が上に配置されるチャックと、
前記チャンバをプラズマ発生領域と基板処理領域とに分離する分離プレート構造と、
前記プラズマ発生領域内でプラズマを発生させるためのプラズマ源と、
論理回路と、を備え、
前記論理回路は、
前記チャンバ内に第１のガスを導入するステップであって、前記ガスが、前記層をエッチングするのに適したエッチャントガスであるステップと、
前記第１のガスの少なくともいくらかを前記層内に吸着させるのに十分な期間にわたって、前記第１のガスを前記チャンバ内に留めるステップと、
前記チャンバ内の前記第１のガスを不活性ガスで実質的に置き換えるステップと、
前記不活性ガスから準安定ガスを発生させるステップと、
前記準安定ガスで前記層をエッチングするステップと
を行うためのものである、基板処理システム。
［適用例１２］
適用例１１に記載の基板処理システムであって、
前記準安定ガスは、前記プラズマ源を使用して前記基板処理領域内で前記不活性ガスからプラズマを生成することによって発生される、基板処理システム。
［適用例１３］
適用例１２に記載の基板処理システムであって、
前記準安定ガスは、前記プラズマから前記層に移動する間に前記分離プレート構造を横断する、基板処理システム。
［適用例１４］
適用例１３に記載の基板処理システムであって、
前記分離プレート構造は、前記層へのプラズマ荷電種の移動を実質的に防止するように構成された複数の穴を有する、基板処理システム。
［適用例１５］
適用例１３に記載の基板処理システムであって、
前記分離プレート構造は、互いに電気的に絶縁された少なくとも２つのプレートから構成され、前記２つのプレートは異なる電位を有する、基板処理システム。
［適用例１６］
適用例１３に記載の基板処理システムであって、さらに、
コリメータプレートを備え、
前記準安定ガスは、前記プラズマから前記層に移動する間に前記コリメータプレートも横断し、前記コリメータプレートは、前記基板と前記分離プレート構造との間に設けられる、基板処理システム。
［適用例１７］
適用例１３に記載の基板処理システムであって、さらに、
前記準安定ガスを用いた前記エッチング中に、前記分離プレート構造と前記コリメータプレートと前記基板との少なくとも一方を互いに対して移動させるための作動装置を備える、基板処理システム。
［適用例１８］
基板上の層をエッチングするための基板処理チャンバを有する基板処理システムであって、前記基板は、前記エッチング中に前記チャンバ内部でチャック上に配置され、
前記基板処理システムは、
前記チャンバをプラズマ発生領域と基板処理領域とに分離する分離プレート構造と、
前記プラズマ発生領域内でプラズマを発生させるためのプラズマ源と、
論理回路と、を備え、
前記論理回路は、
前記チャンバ内に第１のガスを導入するステップであって、前記ガスが、前記層をエッチングするのに適したエッチャントガスであるステップと、
前記第１のガスの少なくともいくらかを前記層内に吸着させるのに十分な期間にわたって、前記第１のガスを前記チャンバ内に留めるステップと、
前記プラズマ処理領域内の前記第１のガスを不活性ガスで実質的に置き換えるステップと、
前記プラズマ発生領域内で前記不活性ガスからプラズマを発生させるステップと、
前記プラズマからの準安定ガスを用いて前記層をエッチングするステップと、を行うためのものであり、
前記エッチングは、前記プラズマから前記層へのプラズマ荷電種の移動を実質的に防止しながら行われる、基板処理システム。
［適用例１９］
適用例１８に記載の基板処理システムであって、
前記分離プレート構造は、前記層へのプラズマ荷電種の移動を実質的に防止するように構成された複数の穴を有する、基板処理システム。
［適用例２０］
適用例１８に記載の基板処理システムであって、
前記分離プレート構造は、互いに電気的に絶縁された少なくとも２つのプレートから構成され、前記２つのプレートは異なる電位を有する、基板処理システム。
［適用例２１］
適用例１８に記載の基板処理システムであって、さらに、
コリメータプレートを備え、
前記準安定ガスは、前記プラズマから前記層に移動する間に前記コリメータプレートも横断し、前記コリメータプレートは、前記基板と前記分離プレート構造との間に設けられる、基板処理システム。
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
［適用例１］
半導体処理チャンバ内で基板上の層をエッチングするための方法であって、
前記チャンバ内に第１のガスを導入するステップであって、前記ガスが、前記層をエッチングするのに適したエッチャントガスであるステップと、
前記第１のガスの少なくともいくらかを前記層内に吸着させるのに十分な期間にわたって、前記第１のガスを前記チャンバ内に留めるステップと、
前記チャンバ内の前記第１のガスを不活性ガスで実質的に置き換えるステップと、
前記不活性ガスから準安定ガスを発生させるステップと、
前記準安定ガスで前記層をエッチングするステップと、
を備える、方法。
［適用例２］
適用例１に記載の方法であって、
前記準安定ガスは、前記不活性ガスからプラズマを生成することによって発生される、方法。
［適用例３］
適用例２に記載の方法であって、
前記準安定ガスは、前記プラズマから前記層に移動する間に分離プレート構造を横断する、方法。
［適用例４］
適用例３に記載の方法であって、
前記分離プレート構造は、前記層へのプラズマ荷電種の移動を実質的に防止するように構成された複数の穴を有する、方法。
［適用例５］
適用例３に記載の方法であって、
前記分離プレート構造は、互いに電気的に絶縁された少なくとも２つのプレートから構成され、前記２つのプレートは、前記エッチング中に異なる電位を有する、方法。
［適用例６］
適用例３に記載の方法であって、
前記準安定ガスは、前記プラズマから前記層に移動する間にコリメータプレートも横断し、前記コリメータプレートは、前記基板と前記分離プレート構造との間に設けられる、方法。
［適用例７］
適用例３に記載の方法であって、さらに、
前記準安定ガスを用いた前記エッチング中に、前記分離プレートと前記基板との少なくとも一方を互いに対して移動させるステップを備える、方法。
［適用例８］
適用例１に記載の方法であって、
前記エッチャントガスは少なくともハロゲンを含有し、前記層はＳｉを含有する、方法。
［適用例９］
適用例１に記載の方法であって、
前記期間は、約０．０５秒〜約１８０秒の間である、方法。
［適用例１０］
適用例１に記載の方法であって、
前記準安定ガスを発生させる前記ステップは、前記チャンバ内の前記第１のガスの少なくとも約８０％が前記不活性ガスで置き換えられた後に行われる、方法。
［適用例１１］
基板上の層をエッチングするための基板処理チャンバを有する基板処理システムであって、
前記エッチング中に前記基板が上に配置されるチャックと、
前記チャンバをプラズマ発生領域と基板処理領域とに分離する分離プレート構造と、
前記プラズマ発生領域内でプラズマを発生させるためのプラズマ源と、
論理回路と、を備え、
前記論理回路は、
前記チャンバ内に第１のガスを導入するステップであって、前記ガスが、前記層をエッチングするのに適したエッチャントガスであるステップと、
前記第１のガスの少なくともいくらかを前記層内に吸着させるのに十分な期間にわたって、前記第１のガスを前記チャンバ内に留めるステップと、
前記チャンバ内の前記第１のガスを不活性ガスで実質的に置き換えるステップと、
前記不活性ガスから準安定ガスを発生させるステップと、
前記準安定ガスで前記層をエッチングするステップと
を行うためのものである、基板処理システム。
［適用例１２］
適用例１１に記載の基板処理システムであって、
前記準安定ガスは、前記プラズマ源を使用して前記基板処理領域内で前記不活性ガスからプラズマを生成することによって発生される、基板処理システム。
［適用例１３］
適用例１２に記載の基板処理システムであって、
前記準安定ガスは、前記プラズマから前記層に移動する間に前記分離プレート構造を横断する、基板処理システム。
［適用例１４］
適用例１３に記載の基板処理システムであって、
前記分離プレート構造は、前記層へのプラズマ荷電種の移動を実質的に防止するように構成された複数の穴を有する、基板処理システム。
［適用例１５］
適用例１３に記載の基板処理システムであって、
前記分離プレート構造は、互いに電気的に絶縁された少なくとも２つのプレートから構成され、前記２つのプレートは異なる電位を有する、基板処理システム。
［適用例１６］
適用例１３に記載の基板処理システムであって、さらに、
コリメータプレートを備え、
前記準安定ガスは、前記プラズマから前記層に移動する間に前記コリメータプレートも横断し、前記コリメータプレートは、前記基板と前記分離プレート構造との間に設けられる、基板処理システム。
［適用例１７］
適用例１３に記載の基板処理システムであって、さらに、
前記準安定ガスを用いた前記エッチング中に、前記分離プレート構造と前記コリメータプレートと前記基板との少なくとも一方を互いに対して移動させるための作動装置を備える、基板処理システム。
［適用例１８］
基板上の層をエッチングするための基板処理チャンバを有する基板処理システムであって、前記基板は、前記エッチング中に前記チャンバ内部でチャック上に配置され、
前記基板処理システムは、
前記チャンバをプラズマ発生領域と基板処理領域とに分離する分離プレート構造と、
前記プラズマ発生領域内でプラズマを発生させるためのプラズマ源と、
論理回路と、を備え、
前記論理回路は、
前記チャンバ内に第１のガスを導入するステップであって、前記ガスが、前記層をエッチングするのに適したエッチャントガスであるステップと、
前記第１のガスの少なくともいくらかを前記層内に吸着させるのに十分な期間にわたって、前記第１のガスを前記チャンバ内に留めるステップと、
前記プラズマ処理領域内の前記第１のガスを不活性ガスで実質的に置き換えるステップと、
前記プラズマ発生領域内で前記不活性ガスからプラズマを発生させるステップと、
前記プラズマからの準安定ガスを用いて前記層をエッチングするステップと、を行うためのものであり、
前記エッチングは、前記プラズマから前記層へのプラズマ荷電種の移動を実質的に防止しながら行われる、基板処理システム。
［適用例１９］
適用例１８に記載の基板処理システムであって、
前記分離プレート構造は、前記層へのプラズマ荷電種の移動を実質的に防止するように構成された複数の穴を有する、基板処理システム。
［適用例２０］
適用例１８に記載の基板処理システムであって、
前記分離プレート構造は、互いに電気的に絶縁された少なくとも２つのプレートから構成され、前記２つのプレートは異なる電位を有する、基板処理システム。
［適用例２１］
適用例１８に記載の基板処理システムであって、さらに、
コリメータプレートを備え、
前記準安定ガスは、前記プラズマから前記層に移動する間に前記コリメータプレートも横断し、前記コリメータプレートは、前記基板と前記分離プレート構造との間に設けられる、基板処理システム。
Claims (16)
- 基板上の層をエッチングするための基板処理チャンバを有する基板処理システムであって、
前記基板処理チャンバ内の基板を支持するように構成された基板支持部と、
前記基板処理チャンバをプラズマ発生領域と基板処理領域とに分離する分離プレート構造であって、前記分離プレート構造は、少なくともいくつかの中性の準安定ガスが前記分離プレート構造と衝突せずに前記分離プレート構造を通って移動可能であり、エネルギープラズマ種が前記分離プレート構造を通って移動することを実質的に防止するように構成された穴を有する分離プレート構造と、
前記プラズマ発生領域内でプラズマを発生させるためのプラズマ源と、
論理回路を実装する、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、又はコンピュータと、を備え、
前記マイクロプロセッサ、前記マイクロコントローラ、又は前記コンピュータは、
前記基板処理チャンバ内に第１のガスを導入するステップであって、前記ガスが、前記層をエッチングするのに適したエッチャントガスであるステップと、
前記第１のガスの少なくともいくらかを前記層に吸着させるのに十分な期間にわたって、前記第１のガスを前記基板処理チャンバ内に留めるステップと、
前記基板処理チャンバ内の前記第１のガスを不活性ガスで実質的に置き換えるステップと、
前記基板処理チャンバ内の前記不活性ガスから中性準安定ガスを発生させるステップと、
前記中性準安定ガスで前記基板処理領域内の前記層をエッチングするステップであって、前記中性準安定ガスは、励起状態の原子を含む、ステップと
を行うためのものである、基板処理システム。 - 請求項１に記載の基板処理システムであって、
前記準安定ガスは、前記プラズマ源を使用して前記プラズマ発生領域内で前記不活性ガスからプラズマを生成することによって発生される、基板処理システム。 - 請求項２に記載の基板処理システムであって、
前記準安定ガスは、前記プラズマから前記層に移動する間に前記分離プレート構造を横断する、基板処理システム。 - 請求項１に記載の基板処理システムであって、
前記準安定ガスを発生させる前記ステップは、前記チャンバ内の前記第１のガスの少なくとも９０％が前記不活性ガスで置きかえられた後に行われる、基板処理システム。 - 基板上の層をエッチングするための基板処理チャンバを有する基板処理システムであって、前記基板は、前記エッチング中に前記チャンバ内部でチャック上に配置され、
前記基板処理システムは、
前記チャンバをプラズマ発生領域と基板処理領域とに分離する分離プレート構造であって、中性準安定ガスが前記分離プレート構造を通って移動可能であり、エネルギープラズマ種が前記分離プレート構造を通って移動することを実質的に防止するようにサイズ設定された位置合わせされた穴を有するように構成され、前記中性準安定ガスは、励起状態の原子を含む、分離プレート構造と、
前記プラズマ発生領域内でプラズマを発生させるためのプラズマ源と、
論理回路を実装する、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、又はコンピュータと、を備え、
前記マイクロプロセッサ、前記マイクロコントローラ、又は前記コンピュータは、
前記チャンバ内に第１のガスを導入するステップであって、前記ガスが、前記層をエッチングするのに適したエッチャントガスであるステップと、
前記第１のガスの少なくともいくらかを前記層内に吸着させるのに十分な期間にわたって、前記第１のガスを前記チャンバ内に留めるステップと、
前記プラズマ発生領域内の前記第１のガスを不活性ガスで実質的に置き換えるステップと、
前記プラズマ発生領域内で前記不活性ガスからプラズマを発生させるステップと、
前記プラズマからの中性準安定ガスを用いて前記層をエッチングするステップと、を行うためのものであり、
前記エッチングは、前記プラズマから前記層へのプラズマ荷電種の移動を実質的に防止しながら行われる、基板処理システム。 - 基板上の層をエッチングするための基板処理チャンバを有する基板処理システムであって、
前記基板処理チャンバは、プラズマ発生領域と基板処理領域とを有し、
前記プラズマ発生領域は、分離プレート構造によって前記基板処理領域から分離され、
前記基板処理システムは、
前記チャンバを前記プラズマ発生領域と前記基板処理領域とに分離する分離プレート構造であって、中性準安定ガスが前記分離プレート構造を通って移動可能であり、エネルギープラズマ種が前記分離プレート構造を通って移動することを実質的に防止するようにサイズ設定された位置合わせされた穴を有するように構成され、前記中性準安定ガスは、励起状態の原子を含む、分離プレート構造と、
前記プラズマ発生領域内でプラズマを発生させるためのプラズマ源と、
論理回路を実装するマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、又はコンピュータと、を備え、
前記マイクロプロセッサ、前記マイクロコントローラ、又は前記コンピュータは、
前記チャンバの前記基板処理領域内に第１のガスを導入するステップであって、前記ガスが、前記層をエッチングするのに適したエッチャントガスであるステップと、
プラズマ発生領域内に不活性ガスを導入するステップと、
前記プラズマ発生領域内の前記不活性ガスの圧力を前記基板処理領域内の前記エッチャントガスの圧力よりも大きく保ちながら、前記第１のガスの少なくともいくらかを前記層内に吸着させるのに十分な期間にわたって前記チャンバの前記基板処理領域内に前記第１のガスを留めるステップと、
前記期間の経過後に、前記チャンバの前記基板処理領域内の前記第１のガスの少なくとも８０％を前記不活性ガスで置きかえるステップと、
前記不活性ガスから準安定ガスを生成するために前記チャンバの前記プラズマ発生領域内でプラズマを発生させるステップと、
前記基板処理領域内の圧力を１０ｍＴｏｒｒよりも低く保ちながら、前記準安定ガスで前記層をエッチングするステップと、を備える、基板処理システム。 - 請求項６に記載の基板処理システムであって、
前記準安定ガスは、前記プラズマから前記層に移動する間に前記分離プレート構造を横断する、基板処理システム。 - 請求項３，請求項５又は請求項７のいずれか一項に記載の基板処理システムであって、
前記分離プレート構造は、前記層へのプラズマ荷電種の移動を実質的に防止するように構成された複数の穴を有する、基板処理システム。 - 請求項３，請求項５又は請求項７に記載の基板処理システムであって、
前記分離プレート構造は、互いに電気的に絶縁された少なくとも２つのプレートから構成され、前記２つのプレートは、前記プラズマから発するイオンを跳ね返すように選択された異なる電位を有する、基板処理システム。 - 請求項３，請求項５又は請求項７のいずれか一項に記載の基板処理システムであって、さらに、
コリメータプレートを備え、
前記準安定ガスは、前記プラズマから前記層に移動する間に前記コリメータプレートも横断し、前記コリメータプレートは、前記基板と前記分離プレート構造との間に設けられる、基板処理システム。 - 請求項３，請求項５又は請求項７のいずれか一項に記載の基板処理システムであって、前記マイクロプロセッサ、前記マイクロコントローラ、又は前記コンピュータは、さらに、
前記準安定ガスを用いたエッチング中に、前記分離プレートと前記基板との少なくとも一方を互いに対して移動させるように構成される、基板処理システム。 - 請求項１、請求項５又は請求項６のいずれか一項に記載の基板処理システムであって、
前記エッチャントガスは少なくともハロゲンを含有し、前記層はＳｉを含有する、基板処理システム。 - 請求項１、請求項５又は請求項６のいずれか一項に記載の基板処理システムであって、
前記期間は、０．０５秒〜１８０秒の間である、基板処理システム。 - 請求項１、請求項５又は請求項６のいずれか一項に記載の基板処理システムであって、
前記準安定ガスの励起状態の原子は、前記原子によって前記層に付与される熱運動エネルギーよりも大きいエネルギーを前記層に伝達する、基板処理システム。 - 請求項１、請求項５又は請求項６のいずれか一項に記載の基板処理システムであって、
前記分離プレート構造は、少なくとも６０％のプラズマ荷電種の移動が前記層に達するのを防止するように構成された複数の孔を有する、基板処理システム。 - 請求項１、請求項５又は請求項６のいずれか一項に記載の基板処理システムであって、
前記分離プレート構造は、少なくとも９５％のプラズマ荷電種の移動が前記層に達するのを防止するように構成された複数の孔を有する、基板処理システム。
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| US10203295B2 (en) | 2016-04-14 | 2019-02-12 | Lockheed Martin Corporation | Methods for in situ monitoring and control of defect formation or healing |
| US9834809B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-12-05 | Lockheed Martin Corporation | Syringe for obtaining nano-sized materials for selective assays and related methods of use |
| US9610546B2 (en) | 2014-03-12 | 2017-04-04 | Lockheed Martin Corporation | Separation membranes formed from perforated graphene and methods for use thereof |
| US10653824B2 (en) | 2012-05-25 | 2020-05-19 | Lockheed Martin Corporation | Two-dimensional materials and uses thereof |
| US9744617B2 (en) | 2014-01-31 | 2017-08-29 | Lockheed Martin Corporation | Methods for perforating multi-layer graphene through ion bombardment |
| US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US9048190B2 (en) * | 2012-10-09 | 2015-06-02 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing substrates using an ion shield |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| TW201504140A (zh) | 2013-03-12 | 2015-02-01 | Lockheed Corp | 形成具有均勻孔尺寸之多孔石墨烯之方法 |
| WO2014159043A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-10-02 | Lockheed Martin Corporation | Nanoporous membranes and methods for making the same |
| US9572918B2 (en) | 2013-06-21 | 2017-02-21 | Lockheed Martin Corporation | Graphene-based filter for isolating a substance from blood |
| US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
| US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
| US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
| US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
| US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
| CA2938305A1 (en) | 2014-01-31 | 2015-08-06 | Lockheed Martin Corporation | Processes for forming composite structures with a two-dimensional material using a porous, non-sacrificial supporting layer |
| SG11201606289RA (en) | 2014-01-31 | 2016-08-30 | Lockheed Corp | Perforating two-dimensional materials using broad ion field |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| JP2017512129A (ja) | 2014-03-12 | 2017-05-18 | ロッキード・マーチン・コーポレーション | 有孔グラフェンから形成された分離膜 |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US9773683B2 (en) * | 2014-06-09 | 2017-09-26 | American Air Liquide, Inc. | Atomic layer or cyclic plasma etching chemistries and processes |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
| US9837254B2 (en) | 2014-08-12 | 2017-12-05 | Lam Research Corporation | Differentially pumped reactive gas injector |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| CN105448635B (zh) * | 2014-08-28 | 2018-01-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 原子层刻蚀装置及采用其的原子层刻蚀方法 |
| US9406535B2 (en) | 2014-08-29 | 2016-08-02 | Lam Research Corporation | Ion injector and lens system for ion beam milling |
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| KR20170095804A (ko) | 2014-09-02 | 2017-08-23 | 록히드 마틴 코포레이션 | 이차원 막 소재에 기반을 둔 혈액 투석 및 혈액 여과 막과 이를 이용하는 방법 |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| US9536748B2 (en) | 2014-10-21 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Use of ion beam etching to generate gate-all-around structure |
| CN105586566B (zh) * | 2014-11-03 | 2018-05-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种反应腔室及半导体加工设备 |
| US9609730B2 (en) * | 2014-11-12 | 2017-03-28 | Lam Research Corporation | Adjustment of VUV emission of a plasma via collisional resonant energy transfer to an energy absorber gas |
| KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US9396961B2 (en) * | 2014-12-22 | 2016-07-19 | Lam Research Corporation | Integrated etch/clean for dielectric etch applications |
| KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US9396956B1 (en) | 2015-01-16 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of plasma-enhanced atomic layer etching |
| TWI632607B (zh) | 2015-01-26 | 2018-08-11 | 東京威力科創股份有限公司 | 基板之高精度蝕刻用方法及系統 |
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| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US9870899B2 (en) | 2015-04-24 | 2018-01-16 | Lam Research Corporation | Cobalt etch back |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
| US10128082B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-11-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and techniques to treat substrates using directional plasma and point of use chemistry |
| US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
| JP2018528144A (ja) | 2015-08-05 | 2018-09-27 | ロッキード・マーチン・コーポレーション | グラフェン系材料の穿孔可能なシート |
| WO2017023377A1 (en) | 2015-08-06 | 2017-02-09 | Lockheed Martin Corporation | Nanoparticle modification and perforation of graphene |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) * | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| US9972504B2 (en) * | 2015-08-07 | 2018-05-15 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching of tungsten for enhanced tungsten deposition fill |
| US9706634B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-07-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc | Apparatus and techniques to treat substrates using directional plasma and reactive gas |
| US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
| US10096487B2 (en) * | 2015-08-19 | 2018-10-09 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching of tungsten and other metals |
| US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| GB201515622D0 (en) | 2015-09-03 | 2015-10-21 | Oxford Instr Nanotechnology Tools Ltd | Cyclical plasma etching |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
| US9691618B2 (en) | 2015-11-13 | 2017-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process |
| US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
| US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
| US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US9991128B2 (en) * | 2016-02-05 | 2018-06-05 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching in continuous plasma |
| US9831099B2 (en) | 2016-02-12 | 2017-11-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for multi-film deposition and etching in a batch processing system |
| US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| TWI658512B (zh) * | 2016-02-23 | 2019-05-01 | 東京威力科創股份有限公司 | 原子層蝕刻用方法與系統 |
| US9779955B2 (en) | 2016-02-25 | 2017-10-03 | Lam Research Corporation | Ion beam etching utilizing cryogenic wafer temperatures |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| WO2017159512A1 (ja) | 2016-03-17 | 2017-09-21 | 日本ゼオン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
| WO2017180134A1 (en) | 2016-04-14 | 2017-10-19 | Lockheed Martin Corporation | Methods for in vivo and in vitro use of graphene and other two-dimensional materials |
| WO2017180135A1 (en) | 2016-04-14 | 2017-10-19 | Lockheed Martin Corporation | Membranes with tunable selectivity |
| SG11201809015WA (en) | 2016-04-14 | 2018-11-29 | Lockheed Corp | Two-dimensional membrane structures having flow passages |
| CA3020686A1 (en) | 2016-04-14 | 2017-10-19 | Lockheed Martin Corporation | Method for treating graphene sheets for large-scale transfer using free-float method |
| SG11201809016QA (en) | 2016-04-14 | 2018-11-29 | Lockheed Corp | Selective interfacial mitigation of graphene defects |
| US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10177002B2 (en) | 2016-04-29 | 2019-01-08 | Applied Materials, Inc. | Methods for chemical etching of silicon |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US11154903B2 (en) * | 2016-05-13 | 2021-10-26 | Jiangsu Favored Nanotechnology Co., Ltd. | Apparatus and method for surface coating by means of grid control and plasma-initiated gas-phase polymerization |
| KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| US10141161B2 (en) | 2016-09-12 | 2018-11-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Angle control for radicals and reactive neutral ion beams |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| WO2018111333A1 (en) | 2016-12-14 | 2018-06-21 | Mattson Technology, Inc. | Atomic layer etch process using plasma in conjunction with a rapid thermal activation process |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10566212B2 (en) | 2016-12-19 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Designer atomic layer etching |
| US11694911B2 (en) * | 2016-12-20 | 2023-07-04 | Lam Research Corporation | Systems and methods for metastable activated radical selective strip and etch using dual plenum showerhead |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| JP6820775B2 (ja) * | 2017-03-17 | 2021-01-27 | 株式会社日立ハイテク | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
| DE102017106018A1 (de) * | 2017-03-21 | 2018-09-27 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und ein optoelektronisches bauelement |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
| USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
| US10832909B2 (en) | 2017-04-24 | 2020-11-10 | Lam Research Corporation | Atomic layer etch, reactive precursors and energetic sources for patterning applications |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10796912B2 (en) | 2017-05-16 | 2020-10-06 | Lam Research Corporation | Eliminating yield impact of stochastics in lithography |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US9991129B1 (en) * | 2017-05-23 | 2018-06-05 | Applied Materials, Inc. | Selective etching of amorphous silicon over epitaxial silicon |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| JP6929148B2 (ja) * | 2017-06-30 | 2021-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10847374B2 (en) | 2017-10-31 | 2020-11-24 | Lam Research Corporation | Method for etching features in a stack |
| KR102016927B1 (ko) | 2017-11-01 | 2019-10-21 | 한국기초과학지원연구원 | 원자층 연마 방법 및 이를 위한 연마 장치 |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US10361092B1 (en) | 2018-02-23 | 2019-07-23 | Lam Research Corporation | Etching features using metal passivation |
| TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| EP3776636A4 (en) | 2018-03-30 | 2021-12-22 | Lam Research Corporation | ATOMIC LAYER ENGRAVING AND SMOOTHING OF REFRACTORY METALS AND OTHER HIGH SURFACE BOND ENERGY MATERIALS |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
| JP7133975B2 (ja) * | 2018-05-11 | 2022-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
| US11205524B2 (en) | 2018-05-17 | 2021-12-21 | Georgia Tech Research Corporation | Integrated atomic beam collimator and methods thereof |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| CN112673456A (zh) * | 2018-09-10 | 2021-04-16 | 朗姆研究公司 | 使用亚稳的活化自由基物质的原子层处理工艺 |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| TWI844567B (zh) | 2018-10-01 | 2024-06-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| WO2020121540A1 (ja) | 2019-02-04 | 2020-06-18 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US20210335625A1 (en) * | 2019-02-08 | 2021-10-28 | Hitachi High-Technologies Corporation | Dry etching apparatus and dry etching method |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR20210123409A (ko) | 2019-02-28 | 2021-10-13 | 램 리써치 코포레이션 | 측벽 세정을 사용한 이온 빔 에칭 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| US10535524B1 (en) | 2019-03-11 | 2020-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Tuning threshold voltage through meta stable plasma treatment |
| KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
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| JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| CN114127898A (zh) | 2019-06-06 | 2022-03-01 | 应用材料公司 | 以高能量低剂量等离子体后处理氮化硅基的介电膜的方法 |
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| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
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| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
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| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| RU2722690C1 (ru) * | 2019-11-29 | 2020-06-03 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" | Устройство для получения широкоапертурного низкоэнергетичного потока ионов |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
| TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| CN111243944A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-06-05 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆的处理方法和晶圆的处理系统 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| CN111370308B (zh) * | 2020-02-18 | 2023-03-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种刻蚀方法及系统、刻蚀控制装置、电子器件及设备 |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| JP7394665B2 (ja) | 2020-03-11 | 2023-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| KR102521388B1 (ko) | 2020-04-21 | 2023-04-14 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 장치 |
| TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
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| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
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| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
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| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| US20220108874A1 (en) * | 2020-10-06 | 2022-04-07 | Applied Materials, Inc. | Low current high ion energy plasma control system |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| KR102585950B1 (ko) * | 2021-05-24 | 2023-10-05 | 성균관대학교산학협력단 | 그리드 및 기판의 전위 제어를 이용한 건식 식각 방법 |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| JPWO2024079776A1 (ja) | 2022-10-11 | 2024-04-18 |
Family Cites Families (73)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61171133A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Hitachi Ltd | ドライエツチング方法 |
| US4756794A (en) | 1987-08-31 | 1988-07-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Atomic layer etching |
| JPH02249231A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| DE4018954A1 (de) * | 1989-06-15 | 1991-01-03 | Mitsubishi Electric Corp | Trockenaetzgeraet |
| JPH03133128A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-06-06 | Res Dev Corp Of Japan | ディジタル・エッチング方法 |
| JP2924013B2 (ja) * | 1989-11-13 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング方法 |
| US5002632A (en) | 1989-11-22 | 1991-03-26 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for etching semiconductor materials |
| KR910016054A (ko) * | 1990-02-23 | 1991-09-30 | 미다 가쓰시게 | 마이크로 전자 장치용 표면 처리 장치 및 그 방법 |
| JP3078821B2 (ja) | 1990-05-30 | 2000-08-21 | 豊田合成株式会社 | 半導体のドライエッチング方法 |
| JPH04280428A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Hitachi Ltd | ドライエッチング方法およびその装置 |
| JPH05326452A (ja) * | 1991-06-10 | 1993-12-10 | Kawasaki Steel Corp | プラズマ処理装置及び方法 |
| JP3084497B2 (ja) * | 1992-03-25 | 2000-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | ＳｉＯ２膜のエッチング方法 |
| JP3217844B2 (ja) * | 1992-03-27 | 2001-10-15 | 理化学研究所 | エッチングダメージ防止方法 |
| GB2269785A (en) | 1992-08-14 | 1994-02-23 | Sharp Kk | Etching a surface of a semiconductor |
| JPH06252108A (ja) * | 1993-02-25 | 1994-09-09 | Hitachi Ltd | 表面処理方法および装置 |
| US5976992A (en) | 1993-09-27 | 1999-11-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of supplying excited oxygen |
| JP3408311B2 (ja) * | 1994-03-25 | 2003-05-19 | 靖浩 堀池 | デジタルエッチング方法及び装置 |
| US5900103A (en) * | 1994-04-20 | 1999-05-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method and apparatus |
| JPH07335612A (ja) | 1994-06-13 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JPH0831804A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Hitachi Ltd | ケミカルコリメータ |
| US5811022A (en) * | 1994-11-15 | 1998-09-22 | Mattson Technology, Inc. | Inductive plasma reactor |
| JP3237743B2 (ja) * | 1996-02-15 | 2001-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP3319285B2 (ja) | 1996-06-05 | 2002-08-26 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US6500314B1 (en) * | 1996-07-03 | 2002-12-31 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
| JP3317209B2 (ja) * | 1997-08-12 | 2002-08-26 | 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US6464891B1 (en) * | 1999-03-17 | 2002-10-15 | Veeco Instruments, Inc. | Method for repetitive ion beam processing with a carbon containing ion beam |
| JP4057198B2 (ja) * | 1999-08-13 | 2008-03-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| KR100338768B1 (ko) * | 1999-10-25 | 2002-05-30 | 윤종용 | 산화막 제거방법 및 산화막 제거를 위한 반도체 제조 장치 |
| KR100367662B1 (ko) * | 2000-05-02 | 2003-01-10 | 주식회사 셈테크놀러지 | 하이퍼서멀 중성입자 발생 장치 및 이를 채용하는 중성입자 처리 장치 |
| KR100382720B1 (ko) * | 2000-08-30 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 식각 장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 식각 방법 |
| JP2002289584A (ja) | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Ebara Corp | 表面処理方法 |
| JP2002289585A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Ebara Corp | 中性粒子ビーム処理装置 |
| US6448192B1 (en) * | 2001-04-16 | 2002-09-10 | Motorola, Inc. | Method for forming a high dielectric constant material |
| US6820570B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-11-23 | Nobel Biocare Services Ag | Atomic layer deposition reactor |
| US7013834B2 (en) * | 2002-04-19 | 2006-03-21 | Nordson Corporation | Plasma treatment system |
| US20040173316A1 (en) * | 2003-03-07 | 2004-09-09 | Carr Jeffrey W. | Apparatus and method using a microwave source for reactive atom plasma processing |
| KR100555849B1 (ko) * | 2003-11-27 | 2006-03-03 | 주식회사 셈테크놀러지 | 중성입자빔 처리장치 |
| US7695590B2 (en) * | 2004-03-26 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids |
| US7244474B2 (en) * | 2004-03-26 | 2007-07-17 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid |
| US20060000802A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Ajay Kumar | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| JP4633425B2 (ja) * | 2004-09-17 | 2011-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US8173036B2 (en) * | 2005-03-02 | 2012-05-08 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and apparatus |
| JP4852261B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2012-01-11 | キヤノンアネルバ株式会社 | シリコン化合物の形成方法 |
| US20090029564A1 (en) * | 2005-05-31 | 2009-01-29 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment apparatus and plasma treatment method |
| KR100653073B1 (ko) * | 2005-09-28 | 2006-12-01 | 삼성전자주식회사 | 기판처리장치와 기판처리방법 |
| US7335602B2 (en) * | 2006-01-18 | 2008-02-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Charge-free layer by layer etching of dielectrics |
| US7416989B1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-08-26 | Novellus Systems, Inc. | Adsorption based material removal process |
| US20110027999A1 (en) | 2006-08-16 | 2011-02-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Etch method in the manufacture of an integrated circuit |
| US8053372B1 (en) * | 2006-09-12 | 2011-11-08 | Novellus Systems, Inc. | Method of reducing plasma stabilization time in a cyclic deposition process |
| US7871678B1 (en) * | 2006-09-12 | 2011-01-18 | Novellus Systems, Inc. | Method of increasing the reactivity of a precursor in a cyclic deposition process |
| US9157152B2 (en) * | 2007-03-29 | 2015-10-13 | Tokyo Electron Limited | Vapor deposition system |
| JP4971930B2 (ja) | 2007-09-28 | 2012-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| CN102396052B (zh) * | 2009-02-06 | 2014-06-18 | 佳能安内华股份有限公司 | 等离子体处理装置、等离子体处理方法以及包括待处理基板的元件的制造方法 |
| US8017198B2 (en) * | 2009-04-24 | 2011-09-13 | Ovshinsky Innovation Llc | Thin film deposition via charged particle-depleted plasma achieved by magnetic confinement |
| US8980382B2 (en) * | 2009-12-02 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films |
| US20110139748A1 (en) | 2009-12-15 | 2011-06-16 | University Of Houston | Atomic layer etching with pulsed plasmas |
| JP5006415B2 (ja) * | 2010-01-12 | 2012-08-22 | キヤノンアネルバ株式会社 | 酸化膜除去のための基板洗浄処理方法 |
| KR101080604B1 (ko) * | 2010-02-09 | 2011-11-04 | 성균관대학교산학협력단 | 원자층 식각 장치 및 이를 이용한 식각 방법 |
| JP4982582B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2012-07-25 | 株式会社東芝 | マスクの製造方法 |
| US8828883B2 (en) * | 2010-08-24 | 2014-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for energetic neutral flux generation for processing a substrate |
| US9111728B2 (en) * | 2011-04-11 | 2015-08-18 | Lam Research Corporation | E-beam enhanced decoupled source for semiconductor processing |
| US9177756B2 (en) * | 2011-04-11 | 2015-11-03 | Lam Research Corporation | E-beam enhanced decoupled source for semiconductor processing |
| US20120258607A1 (en) * | 2011-04-11 | 2012-10-11 | Lam Research Corporation | E-Beam Enhanced Decoupled Source for Semiconductor Processing |
| US8617411B2 (en) * | 2011-07-20 | 2013-12-31 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for atomic layer etching |
| US9034773B2 (en) * | 2012-07-02 | 2015-05-19 | Novellus Systems, Inc. | Removal of native oxide with high selectivity |
| US8728951B2 (en) * | 2012-07-31 | 2014-05-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and system for ion-assisted processing |
| US9373517B2 (en) * | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| US20140271097A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US9543158B2 (en) * | 2014-12-04 | 2017-01-10 | Lam Research Corporation | Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch |
| US20150200042A1 (en) * | 2014-01-10 | 2015-07-16 | Applied Materials, Inc. | Recessing ultra-low k dielectric using remote plasma source |
| KR101745686B1 (ko) * | 2014-07-10 | 2017-06-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판의 고정밀 에칭을 위한 방법 |
| US9609730B2 (en) * | 2014-11-12 | 2017-03-28 | Lam Research Corporation | Adjustment of VUV emission of a plasma via collisional resonant energy transfer to an energy absorber gas |
| US9576811B2 (en) * | 2015-01-12 | 2017-02-21 | Lam Research Corporation | Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch) |
-
2011
- 2011-07-20 US US13/187,437 patent/US8617411B2/en active Active
-
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