JP6758818B2 - エネルギー吸収体ガスへの衝突共鳴エネルギー伝達によるプラズマのvuv放出の調節 - Google Patents
エネルギー吸収体ガスへの衝突共鳴エネルギー伝達によるプラズマのvuv放出の調節 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6758818B2 JP6758818B2 JP2015220973A JP2015220973A JP6758818B2 JP 6758818 B2 JP6758818 B2 JP 6758818B2 JP 2015220973 A JP2015220973 A JP 2015220973A JP 2015220973 A JP2015220973 A JP 2015220973A JP 6758818 B2 JP6758818 B2 JP 6758818B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- neon
- helium
- processing chamber
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 title claims description 21
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 title claims description 15
- 238000002165 resonance energy transfer Methods 0.000 title description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 214
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 173
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 143
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 136
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 134
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 128
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 117
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 116
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 115
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 115
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 72
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 38
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 36
- 230000005281 excited state Effects 0.000 claims description 23
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 20
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 19
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 19
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 16
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 15
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- -1 neon ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 199
- 230000008569 process Effects 0.000 description 151
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 27
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 26
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 14
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 11
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 10
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 8
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 8
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 8
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 5
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 5
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
- H01J37/32972—Spectral analysis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
Description
次に、半製造された半導体基板の表面上にフィーチャをエッチングするためのエッチング技法、操作、方法などを述べる。幾つかの実施形態では、エッチング技法は、原子層堆積(ALD)に類似したプロセスを採用することがあり、表面反応、この場合には表面をエッチングする反応を原子層精度で制御することができる。幾つかの実施形態では、そのような原子層エッチング(ALE)技法が表面反応の活性化を引き起こす様式に応じて、表面フィーチャは、実質的に水平ではなく、垂直にエッチングされることがある。例えば、エッチング操作は、フィーチャの底部/ベースをエッチングすることがあるが、その側壁は実質的にエッチングしないことがある。そのような選択性は、エッチングプロセスの吸着制限性、および(上記のように)活性化の様式によって一部実現される。図1の様々な部分図(a)〜(e)に示される概略基板断面図は、そのような原子層エッチング(ALE)プロセスを示す。
近年、Ne、Xe、Kr、Ar、およびそれらの組合せなど様々な不活性ガスが、ALEプロセスで表面エッチング反応を活性化するために使用されるプラズマを生成するための効果的なガスとなり得るが、上記のガスの1つまたは複数と組み合わせたヘリウムの使用が、様々な実施形態において追加の利益を提供することが判明している。特定の理論に限定されることなく、ヘリウム原子の小さなサイズにより、エッチング活性化プラズマのヘリウム成分は、エッチャントの吸着層の構造内に、またはさらにはエッチングされる下層材料の構造内に進入する(またはより深く進入する)ことができ、それにより、そこでのエッチング反応をより効果的に活性化すると考えられる。
(i)エッチャント照射および吸着:上記のALEサイクルのエッチャント照射および吸着動作中、エッチャントは、約100〜250sccm(standard cubic centimeter per minute:標準状態での立方センチメートル毎分)の間、またはより特定的には約150〜500sccmの間のレートで反応チャンバに流すことができる。実施形態によって、エッチャントは、約50〜250mTorrの間、またはより特定的には約100〜150mTorrの間のチャンバ内での分圧を有するように反応チャンバに流されることがある。流れの持続時間は、約0.5〜30秒の間、またはより特定的には約10〜20秒の間でよい。幾つかの実施形態では、このステップは、プラズマ強化されることもある。RF出力レベルは、約100〜1000ワットの間、または約200〜700ワットの間でよく、幾つかの実施形態では、誘導結合リアクタのアンテナへの約400ワットのRF出力、または容量結合リアクタの電極への同じ出力レベルでよい。
本明細書で述べる方法は、任意の適切な半導体基板処理装置で実施することができる。適切な装置は、プロセス操作を達成するためのハードウェアと、本明細書で開示する様々なプラズマVUV放出調節および/または制御技法ならびにALE操作に従ってプロセス操作を制御するための命令を有するシステム制御装置とを含む。幾つかの実施形態では、ハードウェアは、マルチステーション処理ツール(以下に述べる)内に含まれる1つまたは複数のプロセスステーション/モジュールと、本明細書で述べる技法および操作に従って装置のプロセス操作を制御するための機械可読命令を有する(または機械可読命令へのアクセスを有する)制御装置(以下に述べる)とを含むことがある。
特定の実施形態では、吸着のための塩素プラズマと、脱着のためのヘリウム−ネオン(ヘリウム−ネオン)プラズマとを採用し、VUV放出を調節および/または制御することができる原子層エッチング(ALE)操作に適していることがある容量結合プラズマ(CCP)リアクタは、米国特許出願公開第12/367,754号として2009年2月9日に出願された「Adjustable gap capacitively coupled RF plasma reactor including lateral bellows and non−contact particle seal」という名称の米国特許第8,552,334号に記載されており、その全体をあらゆる目的で参照により本明細書に組み込む。
特定の実施形態では、吸着のための塩素プラズマと、脱着のためのヘリウム−ネオン(ヘリウム−ネオン)プラズマとを採用し、VUV放出を調節および/または制御することができる原子層エッチング(ALE)操作に適していることがある誘導結合プラズマ(ICP)リアクタをここで述べる。また、そのようなICPリアクタは、「IMAGE REVERSAL WITH AHM GAP FILL FOR MULTIPLE PATTERNING」という名称の2013年12月10日出願の米国特許出願公開第2014/0170853号に記載されており、その全体をあらゆる目的で参照により本明細書に組み込む。
図8は、真空移送モジュール838(VTM)とインターフェースする様々なモジュールを有する半導体プロセスクラスタツール800を示す。複数の保管施設および処理モジュールの間でウェハを「移送」するための移送モジュールの構成は、「クラスタツールアーキテクチャ」システムと呼ぶこともできる。エアロック830(ロードロックまたは移送モジュールとしても知られている)が、VTM838内に4つの処理モジュール820a〜820dと共に示されており、これらの処理モジュール820a〜820dは、様々な製造プロセスを行うために個別に最適化することができる。
図8は、プロセスツール800およびそのプロセスステーションのプロセス条件およびハードウェア状態を制御するために採用されるシステム制御装置850の一実施形態も示す。システム制御装置850は、1つまたは複数のメモリデバイス856と、1つまたは複数のマスストレージデバイス854と、1つまたは複数の処理装置852とを含むことがある。処理装置852は、1つまたは複数のCPU、ASIC、汎用コンピュータ、および/または専用コンピュータ、1つまたは複数のアナログおよび/またはデジタル入出力接続、1つまたは複数のステッパモータ制御装置ボードなどを含むことがある。
ヘリウムおよびネオンを含み、VUV放射を放出するプラズマを処理チャンバ内で発生するようにプラズマ発生器を操作するための命令;および
プラズマ中のヘリウムとネオンの濃度比を変えるためにある比率で処理チャンバ内にヘリウムおよび/またはネオンを流すことによってプラズマからのVUV放射の放出を調節するために、1つまたは複数のガス流入口を操作するための命令。
また、例えば、実施形態によっては、以下のような命令も含むことがある:
プラズマの放出バンドの放出強度を測定するために光学検出器を操作するための命令;および
測定された放出強度に応じて処理チャンバ内へのヘリウムおよび/またはネオンの流量を設定するために、1つまたは複数のガス流入口を操作するための命令。
エッチャントガスを処理チャンバ内に流すために1つまたは複数のガス流入口を操作するための命令;
エッチャントの吸着制限層を形成するために、内部に保持された半導体基板の表面上にエッチャントが吸着するように、処理チャンバ内部の条件を設定するための命令;
吸着されたエッチャントの周囲の体積から未吸着のおよび/または脱着したエッチャントを除去するために、弁制御式管路および真空ポンプを操作するための命令;
エッチャントの吸着、ならびに未吸着のおよび/または脱着したエッチャントの除去後に、半導体基板上にフィーチャをエッチングするためにプラズマ発生器を操作するための命令;
半導体基板上のエッチングされたフィーチャのエッチングプロファイルを測定するために計測ツールを操作するための命令;および
測定されたエッチングプロファイルに応じて処理チャンバ内へのヘリウムおよび/またはネオンの流量を設定するために、1つまたは複数のガス流入口を操作するための命令。
被膜のリソグラフィパターン形成は、典型的には、以下の操作の幾つかまたは全てを含み、各操作が、幾つかの使用可能なツールによって提供される:(1)スピンオンまたはスプレーオンツールを使用して、基板、例えば窒化ケイ素被膜が上に形成された基板にフォトレジストを塗布する操作;(2)ホットプレートまたは炉または他の適切な硬化ツールを使用してフォトレジストを硬化する操作;(3)ウェハステッパなどのツールを用いて可視光またはUV光またはX線光でフォトレジストを露光する操作;(4)ウェットベンチまたはスプレーディベロッパなどのツールを使用して、レジストを現像して、レジストを選択的に除去し、それによりレジストをパターン形成する操作;(5)ドライエッチングまたはプラズマエッチングツールを使用することによって、下にある被膜または基板にレジストパターンを転写する操作;および(6)RFまたはマイクロ波プラズマレジストストリッパなどのツールを使用してレジストを除去する操作。幾つかの実施形態では、アッシャブルハードマスク層(例えば非晶質炭素層など)と、別の適切なハードマスク(例えば反射防止層など)とが、フォトレジストを塗布する前に堆積されることがある。
上記の開示される技法、操作、プロセス、方法、システム、装置、ツール、被膜、化学物質、および組成は、明瞭にして理解しやすくする目的で特定の実施形態の文脈で詳細に述べてきたが、本開示の精神および範囲に含まれる上記の実施形態を実施する多くの代替法が存在することを当業者は理解されよう。したがって、本明細書で述べる実施形態は、限定ではなく、開示される発明の概念を例示するものとみなすべきであり、最終的に本開示の主題を対象とする任意の特許請求項の範囲を不要に限定するような許容し得ない基礎として用いられるべきではない。例えば本開示には、以下の適用例としての実施が含まれ得る。
[適用例1]半導体処理チャンバ内でプラズマからの真空紫外(VUV)放射の放出を調節する方法であって、
前記処理チャンバ内で発生されるプラズマが、VUV放出体ガスと衝突エネルギー吸収体ガスとを含み、前記プラズマが、VUV放射を放出し、
前記プラズマ中の前記VUV放出体ガスと前記衝突エネルギー吸収体ガスとの濃度比を変えることによって、前記プラズマからのVUV放射の前記放出を調節する
方法。
[適用例2]前記VUV放出体ガスがヘリウムである適用例1に記載の方法。
[適用例3]前記衝突エネルギー吸収体ガスがネオンである適用例2に記載の方法。
[適用例4]前記プラズマからのVUV放射の前記放出の調節が、前記プラズマ中のヘリウムとネオンの前記濃度比を変えるために、ある比率でヘリウムおよび/またはネオンを前記処理チャンバ内に流す処理を含む適用例3に記載の方法。
[適用例5]前記プラズマからのVUV放射の前記放出が、前記プラズマ中のヘリウムとネオンの前記濃度比を増加させるために、ヘリウムを前記処理チャンバ内に流すことによって増加方向に調節される適用例4に記載の方法。
[適用例6]前記プラズマからのVUV放射の前記放出が、前記プラズマ中のヘリウムとネオンの前記濃度比を減少させるために、ネオンを前記処理チャンバ内に流すことによって減少方向に調節される適用例4に記載の方法。
[適用例7]更に、
前記プラズマおよび/または半導体基板の特性を測定し、
前記測定された特性に応じて、前記処理チャンバ内へのヘリウムおよび/またはネオンの流量を設定する
適用例4に記載の方法。
[適用例8]前記特性が、前記プラズマの励起状態種の放出バンドからの放出強度である適用例7に記載の方法。
[適用例9]前記測定された放出バンドが、632.8nmに中心を取られたネオンの前記放出バンドである適用例8に記載の方法。
[適用例10]前記特性が、計測ツールを用いて測定された半導体基板のエッチングされたフィーチャのプロファイルであり、前記フィーチャが、前記処理チャンバ内でエッチングされている適用例7に記載の方法。
[適用例11]前記エッチングされたフィーチャの側壁の測定された陥凹に応じて、ヘリウムの流量が減少される、および/またはネオンの流量が増加される適用例10に記載の方法。
[適用例12]前記プラズマが容量結合プラズマである適用例1から適用例11のいずれか一項に記載の方法。
[適用例13]中で前記プラズマが発生される前記半導体処理チャンバが、容量結合プラズマリアクタの一部であり、前記リアクタが、上側プレートを有し、前記リアクタが、前記上側プレートと前記半導体基板の間のギャップが約1.5cm〜2.5cmの間であるように構成される適用例12に記載の方法。
[適用例14]前記プラズマが誘導結合プラズマであり、中で前記プラズマが発生される前記半導体処理チャンバが、中で前記プラズマが発生されるギャップ領域を有する誘導結合プラズマリアクタの一部であり、前記リアクタが、前記ギャップ領域内部に位置された1つまたは複数の構成要素を備え、前記構成要素が、ネオン原子が衝突して衝突脱励起されることがある構造を提供する適用例1から適用例11のいずれか一項に記載の方法。
[適用例15]ネオンの前記脱励起のための前記構造を提供する前記1つまたは複数の構成要素が、前記半導体基板の平面に垂直な中心軸を有するように方向付けられた1組の同心円筒体を備える適用例14に記載の方法。
[適用例16]半導体基板の表面上にフィーチャをエッチングする方法であって、
(a)エッチャントが半導体基板の表面上に吸着制限層を形成するように、前記表面上に前記エッチャントを吸着するステップと、
(b)ステップ(a)の後、前記吸着されたエッチャントの周囲の体積から、未吸着のおよび/または脱着したエッチャントを除去するステップと、
(c)ステップ(b)の後、処理チャンバ内でプラズマを発生するステップであって、前記プラズマが、ヘリウムおよびネオンを含み、前記プラズマが、VUV放射を放出するステップと、
(d)前記半導体基板の前記表面をエッチングするために、前記吸着されたエッチャントを前記プラズマと接触させるステップと、
(e)ステップ(a)〜(d)を複数回繰り返し、前記プラズマ中のヘリウムとネオンの濃度比を変えることによってステップ(d)での前記プラズマからのVUV放射の前記放出を調節し、それにより前記半導体基板の前記表面の前記エッチングの異方性を変えるステップと
を含む方法。
[適用例17]前記エッチャントが塩素を含む適用例16に記載の方法。
[適用例18]前記プラズマからのVUV放射の前記放出を調節するステップが、前記プラズマ中のヘリウムとネオンの前記濃度比を変えるためにある比率でヘリウムおよび/またはネオンを前記処理チャンバ内に流すステップを含む適用例16または17に記載の方法。
[適用例19]計測ツールを用いて、前記半導体基板の前記エッチングされたフィーチャのプロファイルを測定するステップと、
測定されたプロファイルに応じて、前記処理チャンバ内へのヘリウムおよび/またはネオンの流量を設定するステップと
をさらに含む適用例18に記載の方法。
[適用例20]処理チャンバと、
プラズマ発生器と、
前記処理チャンバ内にヘリウムおよびネオンを流すように構成された1つまたは複数のガス流入口と、
機械可読命令を備える制御装置とを備える半導体処理装置であって、前記制御装置が、
ヘリウムおよびネオンを含み、VUV放射を放出するプラズマを前記処理チャンバ内で発生するように前記プラズマ発生器を操作するための機械可読命令と、
前記プラズマ中のヘリウムとネオンの濃度比を変えるためにある比率で前記処理チャンバ内にヘリウムおよび/またはネオンを流すことによって前記プラズマからのVUV放射の前記放出を調節するために、前記1つまたは複数のガス流入口を操作するための機械可読命令と
を含む半導体処理装置。
[適用例21]前記半導体処理装置が、光学検出器をさらに備え、
前記制御装置の前記機械可読命令が、
前記プラズマの放出バンドの放出強度を測定するために前記光学検出器を操作するための命令と、
前記測定された放出強度に応じて前記処理チャンバ内へのヘリウムおよび/またはネオンの流量を設定するために、前記1つまたは複数のガス流入口を操作するための命令と
をさらに含む適用例20に記載の半導体処理装置。
[適用例22]前記1つまたは複数のガス流入口が、エッチャントガスを前記処理チャンバ内に流すようにさらに構成され、
前記半導体処理装置が、
真空ポンプと、
前記真空ポンプへの弁制御式管路と、
半導体基板のフィーチャのエッチングプロファイルを測定するための計測ツールと
をさらに備え、
前記制御装置の前記機械可読命令が、
エッチャントガスを前記処理チャンバ内に流すために前記1つまたは複数のガス流入口を操作するための命令と、
エッチャントの吸着制限層を形成するために前記半導体基板の表面上に前記エッチャントが吸着するように、前記処理チャンバ内部の条件を設定するための命令と、
前記吸着されたエッチャントの周囲の体積から未吸着のおよび/または脱着したエッチャントを除去するために、前記弁制御式管路および真空ポンプを操作するための命令と、
エッチャントの吸着、ならびに未吸着のおよび/または脱着したエッチャントの除去後に前記半導体基板上にフィーチャをエッチングするために、前記プラズマ発生器を操作するための命令と、
前記半導体基板上の前記エッチングされたフィーチャのエッチングプロファイルを測定するために前記計測ツールを操作するための命令と、
前記測定されたエッチングプロファイルに応じて前記処理チャンバ内へのヘリウムおよび/またはネオンの流量を設定するために、前記1つまたは複数のガス流入口を操作するための命令と
をさらに含む適用例20または適用例21に記載の半導体処理装置。
Claims (22)
- 半導体処理チャンバ内でプラズマからの真空紫外(VUV)放射の放出を調節する方法であって、
前記処理チャンバ内で発生されるプラズマが、ヘリウムを含むVUV放出体ガスとネオンを含む衝突エネルギー吸収体ガスとを含み、前記プラズマが、VUV放射を放出し、
前記プラズマ中の前記VUV放出体ガスと前記衝突エネルギー吸収体ガスとの濃度比を変えることによって、前記プラズマからのVUV放射の前記放出を調節する
方法。 - 前記VUV放出体ガスがヘリウムである請求項1に記載の方法。
- 前記衝突エネルギー吸収体ガスがネオンである請求項2に記載の方法。
- 前記プラズマからのVUV放射の前記放出の調節が、前記プラズマ中のヘリウムとネオンの前記濃度比を変えるために、ある比率でヘリウムおよび/またはネオンを前記処理チャンバ内に流す処理を含む請求項3に記載の方法。
- 前記プラズマからのVUV放射の前記放出が、前記プラズマ中のヘリウムとネオンの前記濃度比を増加させるために、ヘリウムを前記処理チャンバ内に流すことによって増加方向に調節される請求項4に記載の方法。
- 前記プラズマからのVUV放射の前記放出が、前記プラズマ中のヘリウムとネオンの前記濃度比を減少させるために、ネオンを前記処理チャンバ内に流すことによって減少方向に調節される請求項4に記載の方法。
- 更に、
前記プラズマおよび/または半導体基板の特性を測定し、
前記測定された特性に応じて、前記処理チャンバ内へのヘリウムおよび/またはネオンの流量を設定する
請求項4に記載の方法。 - 前記特性が、前記プラズマの励起状態種の放出バンドからの放出強度である請求項7に記載の方法。
- 前記測定された放出バンドが、632.8nmに中心を取られたネオンの前記放出バンドである請求項8に記載の方法。
- 前記特性が、計測ツールを用いて測定された半導体基板のエッチングされたフィーチャのプロファイルであり、前記フィーチャが、前記処理チャンバ内でエッチングされている請求項7に記載の方法。
- 前記エッチングされたフィーチャの側壁の測定された陥凹に応じて、ヘリウムの流量が減少される、および/またはネオンの流量が増加される請求項10に記載の方法。
- 前記プラズマが容量結合プラズマである請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の方法。
- 中で前記プラズマが発生される前記半導体処理チャンバが、容量結合プラズマリアクタの一部であり、前記リアクタが、上側プレートを有し、前記リアクタが、前記上側プレートと前記半導体基板の間のギャップが約1.5cm〜2.5cmの間であるように構成される請求項12に記載の方法。
- 前記プラズマが誘導結合プラズマであり、中で前記プラズマが発生される前記半導体処理チャンバが、中で前記プラズマが発生されるギャップ領域を有する誘導結合プラズマリアクタの一部であり、前記リアクタが、前記ギャップ領域内部に位置された1つまたは複数の構成要素を備え、前記構成要素が、ネオン原子が衝突して衝突脱励起されることがある構造を提供する請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の方法。
- ネオンの前記脱励起のための前記構造を提供する前記1つまたは複数の構成要素が、前記半導体基板の平面に垂直な中心軸を有するように方向付けられた1組の同心円筒体を備える請求項14に記載の方法。
- 半導体基板の表面上にフィーチャをエッチングする方法であって、
(a)エッチャントが半導体基板の表面上に吸着制限層を形成するように、前記表面上に前記エッチャントを吸着するステップと、
(b)ステップ(a)の後、前記吸着されたエッチャントの周囲の体積から、未吸着のおよび/または脱着したエッチャントを除去するステップと、
(c)ステップ(b)の後、処理チャンバ内でプラズマを発生するステップであって、前記プラズマが、ヘリウムおよびネオンのイオンおよび/またはフリーラジカルを含み、前記プラズマが、VUV光子を放出するステップと、
(d)前記半導体基板の前記表面をエッチングするために、前記吸着されたエッチャントを前記プラズマのイオンおよび/またはフリーラジカルと前記VUV光子とに接触させるステップと、
(e)ステップ(a)〜(d)を複数回繰り返し、前記プラズマ中のヘリウムとネオンの濃度比を変えることによってステップ(d)での前記プラズマからのVUV光子の前記放出を調節し、それにより前記半導体基板の前記表面の前記エッチングの異方性を変えるステップと
を含み、
前記ステップ(e)において、前記ネオンの濃度が高くなるほど、プラズマによる前記異方性が高まり、前記ネオンの濃度が低くなるほど、前記プラズマによる異方性が低下する、方法。 - 前記エッチャントが塩素を含む請求項16に記載の方法。
- 前記プラズマからのVUV光子の前記放出を調節するステップが、前記プラズマ中のヘリウムとネオンの前記濃度比を変えるためにある比率でヘリウムおよび/またはネオンを前記処理チャンバ内に流すステップを含む請求項16または請求項17に記載の方法。
- 計測ツールを用いて、前記半導体基板の前記エッチングされたフィーチャのプロファイルを測定するステップと、
測定されたプロファイルに応じて、前記処理チャンバ内へのヘリウムおよび/またはネオンの流量を設定するステップと
をさらに含む請求項18に記載の方法。 - 処理チャンバと、
プラズマ発生器と、
前記処理チャンバ内にヘリウムおよびネオンを流すように構成された1つまたは複数のガス流入口と、
機械可読命令を備える制御装置とを備える半導体処理装置であって、前記制御装置が、
ヘリウムを含むVUV放出体ガスとネオンを含む衝突エネルギー吸収体ガスとを含み、VUV放射を放出するプラズマを、前記処理チャンバ内で発生するように前記プラズマ発生器を操作するための機械可読命令と、
前記プラズマ中のヘリウムとネオンの濃度比を変えるためにある比率で前記処理チャンバ内にヘリウムおよび/またはネオンを流すことによって前記プラズマからのVUV放射の前記放出を調節するために、前記1つまたは複数のガス流入口を操作するための機械可読命令と
を含む半導体処理装置。 - 光学検出器をさらに備え、
前記制御装置の前記機械可読命令が、
前記プラズマの放出バンドの放出強度を測定するために前記光学検出器を操作するための命令と、
前記測定された放出強度に応じて前記処理チャンバ内へのヘリウムおよび/またはネオンの流量を設定するために、前記1つまたは複数のガス流入口を操作するための命令と
をさらに含む請求項20に記載の半導体処理装置。 - 前記1つまたは複数のガス流入口が、エッチャントガスを前記処理チャンバ内に流すようにさらに構成され、
半導体処理装置が、
真空ポンプと、
前記真空ポンプへの弁制御式管路と、
半導体基板のフィーチャのエッチングプロファイルを測定するための計測ツールと
をさらに備え、
前記制御装置の前記機械可読命令が、
エッチャントガスを前記処理チャンバ内に流すために前記1つまたは複数のガス流入口を操作するための命令と、
エッチャントの吸着制限層を形成するために前記半導体基板の表面上に前記エッチャントが吸着するように、前記処理チャンバ内部の条件を設定するための命令と、
前記吸着されたエッチャントの周囲の体積から未吸着のおよび/または脱着したエッチャントを除去するために、前記弁制御式管路および真空ポンプを操作するための命令と、
エッチャントの吸着、ならびに未吸着のおよび/または脱着したエッチャントの除去後に前記半導体基板上にフィーチャをエッチングするために、前記プラズマ発生器を操作するための命令と、
前記半導体基板上の前記エッチングされたフィーチャのエッチングプロファイルを測定するために前記計測ツールを操作するための命令と、
前記測定されたエッチングプロファイルに応じて前記処理チャンバ内へのヘリウムおよび/またはネオンの流量を設定するために、前記1つまたは複数のガス流入口を操作するための命令と
をさらに含む請求項20または請求項21に記載の半導体処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/539,121 US9609730B2 (en) | 2014-11-12 | 2014-11-12 | Adjustment of VUV emission of a plasma via collisional resonant energy transfer to an energy absorber gas |
US14/539,121 | 2014-11-12 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016103632A JP2016103632A (ja) | 2016-06-02 |
JP2016103632A5 JP2016103632A5 (ja) | 2018-12-20 |
JP6758818B2 true JP6758818B2 (ja) | 2020-09-23 |
Family
ID=55913372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015220973A Active JP6758818B2 (ja) | 2014-11-12 | 2015-11-11 | エネルギー吸収体ガスへの衝突共鳴エネルギー伝達によるプラズマのvuv放出の調節 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9609730B2 (ja) |
JP (1) | JP6758818B2 (ja) |
KR (1) | KR20160056839A (ja) |
CN (1) | CN105590826B (ja) |
TW (1) | TWI690241B (ja) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8617411B2 (en) * | 2011-07-20 | 2013-12-31 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for atomic layer etching |
KR102306612B1 (ko) | 2014-01-31 | 2021-09-29 | 램 리써치 코포레이션 | 진공-통합된 하드마스크 프로세스 및 장치 |
CN112366128B (zh) * | 2014-04-09 | 2024-03-08 | 应用材料公司 | 用于在处理腔室中提供对称的流动路径的流动模块 |
US9870899B2 (en) * | 2015-04-24 | 2018-01-16 | Lam Research Corporation | Cobalt etch back |
US10020264B2 (en) * | 2015-04-28 | 2018-07-10 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit substrate and method for manufacturing the same |
US9972504B2 (en) | 2015-08-07 | 2018-05-15 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching of tungsten for enhanced tungsten deposition fill |
WO2017052905A1 (en) * | 2015-09-22 | 2017-03-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for selective deposition |
US10727073B2 (en) | 2016-02-04 | 2020-07-28 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching 3D structures: Si and SiGe and Ge smoothness on horizontal and vertical surfaces |
KR20170122910A (ko) * | 2016-04-27 | 2017-11-07 | 성균관대학교산학협력단 | 원자층 식각방법 |
US10269566B2 (en) | 2016-04-29 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Etching substrates using ale and selective deposition |
US10566212B2 (en) | 2016-12-19 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Designer atomic layer etching |
US10559461B2 (en) | 2017-04-19 | 2020-02-11 | Lam Research Corporation | Selective deposition with atomic layer etch reset |
US10832909B2 (en) | 2017-04-24 | 2020-11-10 | Lam Research Corporation | Atomic layer etch, reactive precursors and energetic sources for patterning applications |
US10494715B2 (en) | 2017-04-28 | 2019-12-03 | Lam Research Corporation | Atomic layer clean for removal of photoresist patterning scum |
US10796912B2 (en) * | 2017-05-16 | 2020-10-06 | Lam Research Corporation | Eliminating yield impact of stochastics in lithography |
US9991129B1 (en) * | 2017-05-23 | 2018-06-05 | Applied Materials, Inc. | Selective etching of amorphous silicon over epitaxial silicon |
EP3726567A4 (en) * | 2017-12-15 | 2021-08-25 | Tokyo Electron Limited | PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING DEVICE |
CN111937122A (zh) | 2018-03-30 | 2020-11-13 | 朗姆研究公司 | 难熔金属和其他高表面结合能材料的原子层蚀刻和平滑化 |
US11062887B2 (en) * | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11276579B2 (en) | 2018-11-14 | 2022-03-15 | Hitachi High-Tech Corporation | Substrate processing method and plasma processing apparatus |
US11921427B2 (en) | 2018-11-14 | 2024-03-05 | Lam Research Corporation | Methods for making hard masks useful in next-generation lithography |
KR20200116855A (ko) * | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
DE102019214074A1 (de) * | 2019-09-16 | 2021-03-18 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum lokalen Entfernen und/oder Modifizieren eines Polymermaterials auf einer Oberfläche |
EP3908882A4 (en) | 2020-01-15 | 2022-03-16 | Lam Research Corporation | UNDERCOAT FOR PHOTOCOAT ADHESION AND DOSE REDUCTION |
CN111370308B (zh) * | 2020-02-18 | 2023-03-21 | 中国科学院微电子研究所 | 一种刻蚀方法及系统、刻蚀控制装置、电子器件及设备 |
US11875967B2 (en) | 2020-05-21 | 2024-01-16 | Applied Materials, Inc. | System apparatus and method for enhancing electrical clamping of substrates using photo-illumination |
US11315819B2 (en) * | 2020-05-21 | 2022-04-26 | Applied Materials, Inc. | System apparatus and method for enhancing electrical clamping of substrates using photo-illumination |
US11538714B2 (en) | 2020-05-21 | 2022-12-27 | Applied Materials, Inc. | System apparatus and method for enhancing electrical clamping of substrates using photo-illumination |
CN111994868B (zh) * | 2020-08-12 | 2022-05-17 | 天津大学 | 极紫外光与等离子体复合原子尺度加工方法 |
CN112509901B (zh) | 2020-11-19 | 2022-03-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 工艺腔室及半导体工艺设备 |
CN114843164A (zh) * | 2021-02-02 | 2022-08-02 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 升降销固定器、升降销组件及等离子体处理装置 |
US11502217B1 (en) * | 2021-05-24 | 2022-11-15 | Gautam Ganguly | Methods and apparatus for reducing as-deposited and metastable defects in Amorphousilicon |
KR20230092566A (ko) | 2021-12-17 | 2023-06-26 | 세메스 주식회사 | 공정 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0629255A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Hitachi Sci Syst:Kk | プラズマエッチング方法及び装置 |
US5948704A (en) | 1996-06-05 | 1999-09-07 | Lam Research Corporation | High flow vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support |
US6461529B1 (en) * | 1999-04-26 | 2002-10-08 | International Business Machines Corporation | Anisotropic nitride etch process with high selectivity to oxide and photoresist layers in a damascene etch scheme |
US7160671B2 (en) * | 2001-06-27 | 2007-01-09 | Lam Research Corporation | Method for argon plasma induced ultraviolet light curing step for increasing silicon-containing photoresist selectivity |
US7517814B2 (en) * | 2005-03-30 | 2009-04-14 | Tokyo Electron, Ltd. | Method and system for forming an oxynitride layer by performing oxidation and nitridation concurrently |
US7740736B2 (en) | 2006-06-08 | 2010-06-22 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for preventing plasma un-confinement events in a plasma processing chamber |
US7732728B2 (en) | 2007-01-17 | 2010-06-08 | Lam Research Corporation | Apparatuses for adjusting electrode gap in capacitively-coupled RF plasma reactor |
JP5759177B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2015-08-05 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理装置、半導体基板を処理する方法、および軸直角変位ベローズユニット |
JP5560285B2 (ja) * | 2009-11-17 | 2014-07-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料処理装置、試料処理システム及び試料の処理方法 |
US20110139748A1 (en) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | University Of Houston | Atomic layer etching with pulsed plasmas |
US8877080B2 (en) * | 2010-10-18 | 2014-11-04 | Tokyo Electron Limited | Using vacuum ultra-violet (VUV) data in microwave sources |
JP2012149278A (ja) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Mitsui Chemicals Inc | シリコン含有膜の製造方法 |
US8617411B2 (en) * | 2011-07-20 | 2013-12-31 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for atomic layer etching |
US9362133B2 (en) | 2012-12-14 | 2016-06-07 | Lam Research Corporation | Method for forming a mask by etching conformal film on patterned ashable hardmask |
-
2014
- 2014-11-12 US US14/539,121 patent/US9609730B2/en active Active
-
2015
- 2015-11-11 TW TW104137092A patent/TWI690241B/zh active
- 2015-11-11 JP JP2015220973A patent/JP6758818B2/ja active Active
- 2015-11-12 CN CN201510776969.2A patent/CN105590826B/zh active Active
- 2015-11-12 KR KR1020150158854A patent/KR20160056839A/ko unknown
-
2017
- 2017-02-14 US US15/432,689 patent/US20170170036A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170170036A1 (en) | 2017-06-15 |
CN105590826B (zh) | 2018-08-03 |
JP2016103632A (ja) | 2016-06-02 |
US9609730B2 (en) | 2017-03-28 |
KR20160056839A (ko) | 2016-05-20 |
TWI690241B (zh) | 2020-04-01 |
TW201633852A (zh) | 2016-09-16 |
US20160135274A1 (en) | 2016-05-12 |
CN105590826A (zh) | 2016-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6758818B2 (ja) | エネルギー吸収体ガスへの衝突共鳴エネルギー伝達によるプラズマのvuv放出の調節 | |
TWI647757B (zh) | 具有離子加速器之雙腔室電漿蝕刻器 | |
US20220122846A1 (en) | Eliminating yield impact of stochastics in lithography | |
TWI680509B (zh) | 用於高深寬比圓筒狀物蝕刻的側壁鈍化層之沉積技術 | |
JP6646978B2 (ja) | 高アスペクト比構造におけるコンタクト洗浄 | |
JP6415035B2 (ja) | ギャップフィルのための共形膜蒸着 | |
JP2020536393A (ja) | 高エネルギー原子層エッチング | |
KR20170058272A (ko) | 에칭 프로세스 및 증착 프로세스를 위한 컴퓨터 어드레싱가능한 플라즈마 밀도 수정 | |
TW201903833A (zh) | 具有原子層蝕刻重置之選擇性沉積 | |
KR20160019876A (ko) | 차동 펌핑된 반응 가스 주입기 | |
US20230230811A1 (en) | Surface modification for metal-containing photoresist deposition | |
US20230343593A1 (en) | Multi-layer hardmask for defect reduction in euv patterning | |
KR20170132666A (ko) | 고 종횡비 실린더 에칭을 위해 측벽 패시베이션을 디포짓하기 위한 기법 | |
TW202417971A (zh) | 用於蝕刻停止阻遏之基於金屬氧化物的光阻之循環顯影 | |
KR20240056603A (ko) | 에칭 정지 억제 (etch stop deterrence) 를 위한 금속 옥사이드 기반 포토레지스트의 순환적 현상 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181109 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200902 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6758818 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |