JP6316393B2 - 不揮発性メモリ用のドライブ回路 - Google Patents
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Description
Claims (15)
- 不揮発性セルアレイに接続されるドライブ回路であって、
第1の電源電圧に接続されたソース端子およびボディ端子と、ノードa1に接続されたドレイン端子と、ノードb2に接続されたゲート端子とを有する第1のトランジスタと、
該第1の電源電圧に接続されたソース端子およびボディ端子と、ノードb1に接続されたドレイン端子と、ノードa2に接続されたゲート端子とを有する第2のトランジスタと、
第2の電源電圧に接続されたソース端子と、該第1の電源電圧に接続されたボディ端子と、該ノードa1に接続されたドレイン端子およびゲート端子とを有する第3のトランジスタと、
該第2の電源電圧に接続されたソース端子と、該第1の電源電圧に接続されたボディ端子と、該ノードb1に接続されたドレイン端子およびゲート端子とを有する第4のトランジスタと、
該ノードa1に接続されたソース端子およびボディ端子と、該第2の電源電圧に接続されたゲート端子と、該ノードa2に接続されたドレイン端子とを有する第5のトランジスタと、
該ノードb1に接続されたソース端子およびボディ端子と、該第2の電源電圧に接続されたゲート端子と、該ノードb2に接続されたドレイン端子とを有し、ドライブ信号が該ノードb2から出力される、第6のトランジスタと、
該ノードa2に接続されたソース端子およびボディ端子と、第3の電源電圧に接続されたゲート端子と、ノードa3に接続されたドレイン端子とを有する第7のトランジスタと、
該ノードb2に接続されたソース端子およびボディ端子と、該第3の電源電圧に接続されたゲート端子と、ノードb3に接続されたドレイン端子とを有する第8のトランジスタと、
該ノードa3に接続されたドレイン端子と、該第3の電源電圧に接続されたゲート端子と、ノードa4に接続されたソース端子と、第4の電源電圧に接続されたボディ端子とを有する第9のトランジスタと、
該ノードb3に接続されたドレイン端子と、該第3の電源電圧に接続されたゲート端子と、ノードb4に接続されたソース端子と、該第4の電源電圧に接続されたボディ端子とを有する第10のトランジスタと、
該ノードa4に接続されたドレイン端子と、入力信号を受け取るゲート端子と、該第4の電源電圧に接続されたソース端子およびボディ端子とを有する第11のトランジスタと、
該ノードb4に接続されたドレイン端子と、反転入力信号を受け取るゲート端子と、第5の電源電圧に接続されたソース端子と、該第4の電源電圧に接続されたボディ端子を有する第12のトランジスタと、
該ノードa2に接続され、該ノードa2に所定電圧を供給する第1のバイアス回路と、
該ノードb2に接続され、該ノードb2に該所定電圧を供給する第2のバイアス回路と
を有する、ドライブ回路。 - 該第1のバイアス回路は、
該ノードa3に接続されたゲート端子と、該ノードa2に接続されたソース端子とを有する第13のトランジスタと、
該第13のトランジスタのドレイン端子に接続されたソース端子と、該ノードa3に接続されたゲート端子と、該第3の電源電圧に接続されたドレイン端子とを有する第14のトランジスタと
を有する、請求項1に記載のドライブ回路。 - 該第2のバイアス回路は、
該ノードb3に接続されたゲート端子と、該ノードb2に接続されたソース端子とを有する第15のトランジスタと、
該第15のトランジスタのドレイン端子に接続されたソース端子と、該ノードb3に接続されたゲート端子と、該第3の電源電圧に接続されたドレイン端子とを有する第16のトランジスタと
を有する、請求項2に記載のドライブ回路。 - 該第13のトランジスタのボディ端子およびソース端子が互いに接続され、該第14のトランジスタのボディ端子およびソース端子が互いに接続され、該第15のトランジスタのボディ端子およびソース端子が互いに接続され、該第16のトランジスタのボディ端子およびソース端子が互いに接続されている、請求項3に記載のドライブ回路。
- 該第13のトランジスタのボディ端子と、該第14のトランジスタのボディ端子と、該第15のトランジスタのボディ端子と、該第16のトランジスタのボディ端子とが、バイアス電圧に接続されている、請求項3に記載のドライブ回路。
- 該第1の電源電圧は該第2の電源電圧以上であり、該第2の電源電圧は該第3の電源電圧以上であり、該第3の電源電圧は該第4の電源電圧より高い、請求項1に記載のドライブ回路。
- 不揮発性セルアレイに接続されるドライブ回路であって、
第1のドライバと、
第1のスイッチ回路と、
第2のドライバと
を有し、
該第1のドライバは、
第1の電源電圧に接続されたソース端子およびボディ端子と、ノードa1に接続されたドレイン端子と、ノードb2に接続されたゲート端子とを有する第1のトランジスタと、
該第1の電源電圧に接続されたソース端子およびボディ端子と、ノードb1に接続されたドレイン端子と、ノードa2に接続されたゲート端子とを有する第2のトランジスタと、
第2の電源電圧に接続されたソース端子と、該第1の電源電圧に接続されたボディ端子と、該ノードa1に接続されたドレイン端子およびゲート端子とを有する第3のトランジスタと、
該第2の電源電圧に接続されたソース端子と、該第1の電源電圧に接続されたボディ端子と、該ノードb1に接続されたドレイン端子およびゲート端子とを有する第4のトランジスタと、
該ノードa1に接続されたソース端子およびボディ端子と、該第2の電源電圧に接続されたゲート端子と、該ノードa2に接続されたドレイン端子とを有する第5のトランジスタと、
該ノードb1に接続されたソース端子およびボディ端子と、該第2の電源電圧に接続されたゲート端子と、該ノードb2に接続されたドレイン端子とを有する第6のトランジスタと、
該ノードa2に接続されたソース端子およびボディ端子と、第3の電源電圧に接続されたゲート端子と、ノードa3に接続されたドレイン端子とを有する第7のトランジスタと、
該ノードb2に接続されたソース端子およびボディ端子と、該第3の電源電圧に接続されたゲート端子と、ノードb3に接続されたドレイン端子とを有する第8のトランジスタと、
該ノードa3に接続されたドレイン端子と、該第3の電源電圧に接続されたゲート端子と、ノードa4に接続されたソース端子と、第4の電源電圧に接続されたボディ端子とを有する第9のトランジスタと、
該ノードb3に接続されたドレイン端子と、該第3の電源電圧に接続されたゲート端子と、ノードb4に接続されたソース端子と、該第4の電源電圧に接続されたボディ端子とを有する第10のトランジスタと、
該ノードa4に接続されたドレイン端子と、入力信号を受け取るゲート端子と、該第4の電源電圧に接続されたソース端子およびボディ端子とを有する第11のトランジスタと、
該ノードb4に接続されたドレイン端子と、反転入力信号を受け取るゲート端子と、第5の電源電圧に接続されたソース端子と、該第4の電源電圧に接続されたボディ端子とを有する第12のトランジスタと、
該ノードa2に接続され、該ノードa2に所定電圧を供給する第1のバイアス回路と、
該ノードb2に接続され、該ノードb2に該所定電圧を供給する第2のバイアス回路と
を有し、
該第1のスイッチ回路は、該ノードb2と第1の出力端子との間に接続されており、
該第2のドライバは、該第1の出力端子に接続されており、第1の出力信号が該第1の出力端子から出力される、ドライブ回路。 - 該第1の電源電圧は該第2の電源電圧以上であり、該第2の電源電圧は該第3の電源電圧以上であり、該第3の電源電圧は該第4の電源電圧より高い、請求項7に記載のドライブ回路。
- 該第1のスイッチ回路は、
該ノードb2に接続されたソース端子およびボディ端子と、第1のモード信号を受け取るゲート端子と、ノードx1に接続されたドレイン端子とを有する第13のトランジスタと、
該ノードx1に接続されたソース端子およびボディ端子と、該第2の電源電圧に接続されたゲート端子と、ノードx2に接続されたドレイン端子とを有する第14のトランジスタと、
該ノードx2に接続されたソース端子およびボディ端子と、該第3の電源電圧に接続されたゲート端子と、該第1の出力端子に接続されたドレイン端子とを有する第15のトランジスタと、
該ノードx1に接続された第3のバイアス回路と、
該ノードx2に接続された第4のバイアス回路と
を有する、請求項7に記載のドライブ回路。 - 該第2のドライバは、
該第1の出力端子に接続されたドレイン端子と、該第3の電源電圧を受け取るゲート端子と、該第4の電源電圧を受け取るボディ端子とを有する第16のトランジスタと、
該第16のトランジスタのソース端子に接続されたドレイン端子と、該反転入力信号を受け取るゲート端子と、該第4の電源電圧を受け取るボディ端子と、該第5の電源電圧に接続されるソース端子とを有する第17のトランジスタと、
該第16のトランジスタの該ソース端子に接続されたドレイン端子と、第2のモード信号を受け取るゲート端子と、該第4の電源電圧を受け取るボディ端子と、該第5の電源電圧に接続されたソース端子とを有する第18のトランジスタと
を有する、請求項9に記載のドライブ回路。 - 該第3のバイアス回路は、該第2の電源電圧に接続されたソース端子と、該ノードx1に接続されたゲート端子およびドレイン端子と、該第1の電源電圧に接続されたボディ端子とを有する第19のトランジスタを有する、請求項9に記載のドライブ回路。
- 該第4のバイアス回路は、
該ノードx2に接続されたソース端子と、該第1の出力端子に接続されたゲート端子とを有する第20のトランジスタと、
該第20のトランジスタのドレイン端子に接続されたソース端子と、該第1の出力端子に接続されたゲート端子と、該第3の電源電圧に接続されたドレイン端子とを有する第21のトランジスタと
を有する、請求項11に記載のドライブ回路。 - 該ノードb2および第2の出力端子との間に接続された第2のスイッチ回路と、
該第2の出力端子に接続されており、第2の出力信号が該第2の出力端子から出力される、第3のドライバと
をさらに有する、請求項7に記載のドライブ回路。 - 該第2のスイッチ回路は、
該ノードb2に接続されたソース端子およびボディ端子と、該第3の電源電圧を受け取るゲート端子と、該第2の出力端子に接続されたドレイン端子とを有する第22のトランジスタ
を有する、請求項13に記載のドライブ回路。 - 該第3のドライバは、
該第2の出力端子に接続されたドレイン端子と、該第3の電源電圧を受け取るゲート端子と、該第4の電源電圧を受け取るボディ端子とを有する第23のトランジスタと、
該第23のトランジスタのソース端子に接続されたドレイン端子と、該反転入力信号を受け取るゲート端子と、該第4の電源電圧を受け取るボディ端子と、該第5の電源電圧に接続されたソース端子とを有する第24のトランジスタと
を有する、請求項14に記載のドライブ回路。
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KR102423675B1 (ko) * | 2017-09-22 | 2022-07-22 | 주식회사 디비하이텍 | 레벨 쉬프터, 및 이를 포함하는 소스 드라이버, 게이트 드라이버, 및 디스플레이 장치 |
US10797063B2 (en) * | 2018-01-10 | 2020-10-06 | Ememory Technology Inc. | Single-poly nonvolatile memory unit |
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CN109887839A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-06-14 | 上海华力微电子有限公司 | 一种改善闪存器件数据保存能力的方法 |
US10818592B1 (en) * | 2019-04-29 | 2020-10-27 | Nanya Technology Corporation | Semiconductor memory device including decoupling capacitor array arranged overlying one-time programmable device |
US11508719B2 (en) * | 2019-05-13 | 2022-11-22 | Ememory Technology Inc. | Electrostatic discharge circuit |
JP7281805B2 (ja) * | 2019-06-14 | 2023-05-26 | エイブリック株式会社 | チャージポンプ制御回路及びバッテリ制御回路 |
CN112447739B (zh) * | 2019-09-02 | 2023-09-19 | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 | 半导体存储装置 |
US11424257B2 (en) * | 2019-10-15 | 2022-08-23 | Ememory Technology Inc. | Method for manufacturing semiconductor structure and capable of controlling thicknesses of oxide layers |
TWI765643B (zh) | 2021-04-06 | 2022-05-21 | 華邦電子股份有限公司 | 記憶體元件及其製造方法 |
US20220367651A1 (en) * | 2021-05-12 | 2022-11-17 | Ememory Technology Inc. | Stacked-gate non-volatile memory cell |
US12069857B2 (en) | 2021-08-23 | 2024-08-20 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof |
TWI802971B (zh) * | 2021-08-23 | 2023-05-21 | 旺宏電子股份有限公司 | 記憶體晶胞,記憶體裝置之製造方法及其操作方法 |
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---|---|---|---|---|
US5625544A (en) * | 1996-04-25 | 1997-04-29 | Programmable Microelectronics Corp. | Charge pump |
JPH09297997A (ja) * | 1996-05-02 | 1997-11-18 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR100235958B1 (ko) * | 1996-08-21 | 1999-12-15 | 김영환 | 반도체 메모리 장치의 복수 레벨 전압 발생기 |
US6487687B1 (en) * | 1997-01-02 | 2002-11-26 | Texas Instruments Incorporated | Voltage level shifter with testable cascode devices |
US5963061A (en) * | 1997-04-08 | 1999-10-05 | Micron Technology, Inc. | Switch for minimizing transistor exposure to high voltage |
JP2978467B2 (ja) * | 1998-03-16 | 1999-11-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP3223504B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2001-10-29 | 日本電気株式会社 | 昇圧回路 |
JP3446644B2 (ja) * | 1999-01-07 | 2003-09-16 | 日本電気株式会社 | 単一電子メモリ素子の駆動回路及びその駆動方法 |
CN1138333C (zh) * | 1999-02-02 | 2004-02-11 | 旺宏电子股份有限公司 | 电荷泵及其集成电路以及减小电荷泵的峰值电流的方法 |
US6370071B1 (en) * | 2000-09-13 | 2002-04-09 | Lattice Semiconductor Corporation | High voltage CMOS switch |
US6914791B1 (en) * | 2002-11-06 | 2005-07-05 | Halo Lsi, Inc. | High efficiency triple well charge pump circuit |
CN1282238C (zh) * | 2003-03-24 | 2006-10-25 | 旺宏电子股份有限公司 | 半导体工序 |
CN1302536C (zh) * | 2003-06-04 | 2007-02-28 | 旺宏电子股份有限公司 | 虚接地阵列的混合信号嵌入式屏蔽只读存储器及其制造方法 |
CN1291481C (zh) * | 2003-08-12 | 2006-12-20 | 旺宏电子股份有限公司 | 具牺牲层的嵌入式非挥发性存储器的制造方法 |
US7145370B2 (en) | 2003-09-05 | 2006-12-05 | Impinj, Inc. | High-voltage switches in single-well CMOS processes |
US6980045B1 (en) * | 2003-12-05 | 2005-12-27 | Xilinx, Inc. | Merged charge pump |
TWI227963B (en) * | 2004-01-15 | 2005-02-11 | Via Tech Inc | Voltage shifter circuit |
US7580311B2 (en) | 2004-03-30 | 2009-08-25 | Virage Logic Corporation | Reduced area high voltage switch for NVM |
JP2005347589A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP4967237B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2012-07-04 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
TWI334695B (en) * | 2005-09-20 | 2010-12-11 | Via Tech Inc | Voltage level shifter |
US7671401B2 (en) | 2005-10-28 | 2010-03-02 | Mosys, Inc. | Non-volatile memory in CMOS logic process |
KR100660903B1 (ko) * | 2005-12-23 | 2006-12-26 | 삼성전자주식회사 | 프로그래밍 속도를 개선한 이이피롬, 이의 제조 방법 및이의 동작 방법 |
US20080169500A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Atmel Corporation | Low voltage non-volatile memory cell with shared injector for floating gate |
JP2008198985A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 昇圧回路 |
JP2008253031A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Univ Waseda | チャージポンプ回路 |
CN101315934B (zh) * | 2007-05-31 | 2012-06-27 | 联华电子股份有限公司 | 增进照光效能的内嵌式光抹除存储器及其制造方法 |
JP4969322B2 (ja) * | 2007-06-01 | 2012-07-04 | 三菱電機株式会社 | 電圧発生回路およびそれを備える画像表示装置 |
US7880274B2 (en) * | 2007-06-25 | 2011-02-01 | Macronix International Co., Ltd. | Method of enabling alignment of wafer in exposure step of IC process after UV-blocking metal layer is formed over the whole wafer |
US7968926B2 (en) * | 2007-12-19 | 2011-06-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Logic non-volatile memory cell with improved data retention ability |
JP5259270B2 (ja) * | 2008-06-27 | 2013-08-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
TWI376097B (en) * | 2008-09-18 | 2012-11-01 | Ili Technology Corp | Level shift circuit |
US8053319B2 (en) * | 2009-02-23 | 2011-11-08 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Method of forming a high voltage device |
US8222130B2 (en) * | 2009-02-23 | 2012-07-17 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | High voltage device |
US9184097B2 (en) * | 2009-03-12 | 2015-11-10 | System General Corporation | Semiconductor devices and formation methods thereof |
JP5494252B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2014-05-14 | ソニー株式会社 | 同期発振器、クロック再生装置、クロック分配回路、およびマルチモード注入回路 |
JP2011192363A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Seiko Epson Corp | 電源切換回路、不揮発性記憶装置、集積回路装置及び電子機器 |
CN101969305B (zh) * | 2010-11-09 | 2012-09-05 | 威盛电子股份有限公司 | 电位转换电路 |
JP5638408B2 (ja) * | 2011-01-28 | 2014-12-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US8373485B2 (en) | 2011-04-20 | 2013-02-12 | Ememory Technology Inc. | Voltage level shifting apparatus |
US20120309155A1 (en) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | Nanya Technology Corporation | Semiconductor process |
TWI472155B (zh) * | 2011-10-19 | 2015-02-01 | Ememory Technology Inc | 電壓開關電路 |
US9252775B2 (en) | 2011-12-22 | 2016-02-02 | Intel Corporation | High-voltage level-shifter |
CN102543891B (zh) * | 2012-01-05 | 2014-09-03 | 复旦大学 | 栅控二极管半导体存储器器件的制备方法 |
US8658495B2 (en) | 2012-03-08 | 2014-02-25 | Ememory Technology Inc. | Method of fabricating erasable programmable single-poly nonvolatile memory |
US8772854B2 (en) * | 2012-04-02 | 2014-07-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multiple-time programming memory cells and methods for forming the same |
WO2013149669A1 (en) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | X-Fab Semiconductor Foundries Ag | A method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device |
CN102663980B (zh) * | 2012-04-13 | 2014-10-29 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种栅极驱动电路的控制电路及其工作方法、液晶显示器 |
US8796098B1 (en) * | 2013-02-26 | 2014-08-05 | Cypress Semiconductor Corporation | Embedded SONOS based memory cells |
US9041089B2 (en) * | 2013-06-07 | 2015-05-26 | Ememory Technology Inc. | Nonvolatile memory structure |
US9013229B2 (en) * | 2013-07-15 | 2015-04-21 | Texas Instruments Incorporated | Charge pump circuit |
CN103631723B (zh) * | 2013-11-29 | 2017-02-01 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | 调节电路及电路调节方法 |
US9082500B1 (en) * | 2014-01-10 | 2015-07-14 | Ememory Technology Inc. | Non-volatile memory |
US9508396B2 (en) * | 2014-04-02 | 2016-11-29 | Ememory Technology Inc. | Array structure of single-ploy nonvolatile memory |
US20160006348A1 (en) * | 2014-07-07 | 2016-01-07 | Ememory Technology Inc. | Charge pump apparatus |
US9431111B2 (en) * | 2014-07-08 | 2016-08-30 | Ememory Technology Inc. | One time programming memory cell, array structure and operating method thereof |
TWI593052B (zh) * | 2015-01-07 | 2017-07-21 | 力旺電子股份有限公司 | 半導體元件及其製造方法 |
KR102340550B1 (ko) * | 2015-04-10 | 2021-12-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전원 제어장치 |
US9847133B2 (en) * | 2016-01-19 | 2017-12-19 | Ememory Technology Inc. | Memory array capable of performing byte erase operation |
US9728260B1 (en) * | 2016-04-28 | 2017-08-08 | United Microelectronics Corp. | Light-erasable embedded memory device and method of manufacturing the same |
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