JP5468642B2 - 電圧スイッチ回路 - Google Patents
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Description
HV復号スイッチシステム110は、電圧スイッチ回路120、第1の電圧スイッチ回路モジュール130、および復号ユニット140を備えている。制御信号ENに応じて、第1の電圧HVまたは第2の電圧MVが電圧スイッチ回路120から選択的に出力され、復号ユニット140の入力電圧VPPとして用いられる。
このような状況下では、論理回路の回路構成の複雑さおよび該回路の製造コストがともに増加する。換言すれば、図1の電圧スイッチ回路は、現在の論理回路製造プロセスによって製造できないため、該電圧スイッチ回路は、特別な回路製造プロセスによって製造する必要があり、製造コストが増加する。例えば、下記特許文献1、特許文献2、特許文献3、特許文献4および特許文献5は、論理NMOSを用いてストレスバイアスを取除くゲートバイアス回路を開示している。
周知のように、低濃度ドープのPMOSトランジスタは、半導体製造業者により、標準的な論理回路製造プロセスで製造することができる。この低濃度ドープのPMOSトランジスタは、高電圧ストレスに耐えることが可能である。また、低濃度ドープのPMOSトランジスタは、標準的な論理回路製造プロセスに適合している。本発明は、低濃度ドープのPMOSトランジスタを有する電圧スイッチ回路を提供する。換言すれば、本発明の電圧スイッチ回路においては、低濃度ドープのPMOSトランジスタのみが高電圧ストレスにさらされ、他のトランジスタは、高電圧ストレスにさらされない。
該出力回路は、第1のPMOSトランジスタおよび第2のPMOSトランジスタを含んでいる。第1のPMOSトランジスタは、高電圧源に接続されたソース端子および本体端子、該電圧スイッチ回路の反転出力端子に接続されたドレイン端子、および該電圧スイッチ回路の出力端子に接続されたゲート端子を有している。第2のPMOSトランジスタは、高電圧源に接続されたソース端子および本体端子、該電圧スイッチ回路の出力端子に接続されたドレイン端子、および該電圧スイッチ回路の反転出力端子に接続されたゲート端子を有している。
該電圧スイッチ回路は、第1のNMOSトランジスタ、第1のバイアス電圧制御回路、第2のNMOSトランジスタ、第2のバイアス電圧制御回路、および第3のNMOSトランジスタを含んでいる。第1のNMOSトランジスタのドレイン端子は、該電圧スイッチ回路の出力端子に接続され、また、第1のNMOSトランジスタのソース端子および本体端子は、ノードbに接続されている。第1のバイアス電圧制御回路の制御端子は、該電圧スイッチ回路の出力端子に接続され、第1のバイアス電圧制御回路の入力端子は、該電圧スイッチ回路の入力端子に接続され、および第1のバイアス電圧制御回路の出力端子は、第1のNMOSトランジスタのゲート端子に接続されている。第1の動作状態において、ノードbは、基準電圧を有するように第1のバイアス電圧制御回路によってバイアスが掛けられている。第2のNMOSトランジスタのドレイン端子は、ノードbに接続され、論理電圧源に接続された第2のNMOSトランジスタのゲート端子と、第2のNMOSトランジスタのソース端子および本体端子とは、ノードaに接続されている。第2のバイアス電圧制御回路の制御端子は、該電圧スイッチ回路の入力端子に接続され、第2のバイアス電圧制御回路の入力端子は、該論理電圧源および読出し電圧源に選択的に接続され、および第2のバイアス電圧制御回路の出力端子は、ノードaに接続されている。第3のNMOSトランジスタのドレイン端子は、ノードaに接続され、第3のNMOSトランジスタのゲート端子は、該電圧スイッチ回路の入力端子に接続され、および第3のNMOSトランジスタのソース端子および本体端子は、接地端子に接続されている。
該電圧スイッチ回路は、出力回路、複数の電圧降下制御回路および入力回路をさらに含んでいる。該出力回路は、高電圧源に接続されており、該出力回路は第1の電圧降下経路に接続された第1の出力端子と、第2の電圧降下経路に接続された第2の出力端子とを備えている。複数の電圧降下制御回路は、第1の出力端子とノードaとの間に接続され、および第2の出力端子とノードbとの間に接続されている。該入力回路は、第1のNMOSトランジスタ、第2のNMOSトランジスタ、第1のバイアス電圧制御回路および第2のバイアス電圧制御回路を備え、第1のNMOSトランジスタは、ノードaと第1のバイアス電圧制御回路の出力端子とに接続されたドレイン端子、第1の入力端子に接続されたゲート端子、および接地端子に接続された本体端子およびソース端子を有し、第2のNMOSトランジスタは、ノードbと第2のバイアス電圧制御回路の出力端子とに接続されたドレイン端子、第2の入力端子に接続されたゲート端子、および接地端子に接続された本体端子およびソース端子を有する。高論理電圧レベルが第1の入力端子に入力され、および低論理レベル電圧が第2の入力端子に入力されると、該ノードaの電圧は、接地端子の電圧に等しくなり、中レベルの電圧が第1の出力端子から出力され、高論理レベル電圧がノードbから出力され、および第2の出力端子から出力された電圧が、該高電圧源の電圧振幅に等しくなる。該高電圧源の電圧振幅は、中レベルの電圧よりも高く、また、中レベルの電圧は、高論理レベル電圧よりも高い。
図2Aは、本発明の実施形態による電圧スイッチ回路を示す模式的回路図である。図2Aに示すように、該電圧スイッチ回路は、出力回路210、第1の電圧降下制御回路220、第2の電圧降下制御回路230、第3の電圧降下制御回路240、および入力回路250を備えている。また、高電圧源HVの電圧振幅は、基準電圧源Vrefの電圧振幅よりも高く、基準電圧源Vrefの電圧振幅は、論理電圧源VDDの電圧振幅よりも高い。
第1のバイアス電圧制御回路232は、第5のPMOSトランジスタp5および第6のPMOSトランジスタp6を備えている。第5のPMOSトランジスタp5において、そのソース端子は、第1のバイアス電圧制御回路232の入力端子として機能し、およびノード「b」に接続され、そのゲート端子は、基準電圧源Vrefに接続され、およびその本体端子およびドレイン端子は、互いに接続され、および第1のバイアス電圧制御回路232の出力端子として機能する。第6のPMOSトランジスタp6においては、そのソース端子は、論理電圧源VDDに接続され、そのゲート端子は、第1のバイアス電圧制御回路232の制御端子として機能し、およびノード「e」に接続され、その本体端子およびドレイン端子は互いに接続され、および第1のバイアス電圧制御回路232の出力端子に接続されている。
第3のバイアス電圧制御回路252は、第9のPMOSトランジスタp9を備えている。第9のPMOSトランジスタp9において、そのソース端子および本体端子は、第3のバイアス電圧制御回路252の入力端子として機能し、および論理電圧源VDDに接続され、そのゲート端子は、第3のバイアス電圧制御回路252の制御端子として機能し、および入力端子INに接続され、およびそのドレイン端子は、第3のバイアス電圧制御回路252の出力端子として機能し、およびノード「a」に接続されている。
該出力端子の電圧が18Vであるため、第1の電圧降下制御回路220の第4のPMOSトランジスタp4がターンオンされ、ノード「f」の電圧が18V(すなわち、Vf=18V)になる。
あるいは、いくつかの実施形態において、入力端子INと反転入力端子INBとは、互いに置き換えることができる。その結果として、低論理レベル電圧(0V)が入力端子INに入力されると、出力端子OUTの電圧は、高電圧源HVの電圧振幅(例えば、18V)に等しくなる。それに対して、高論理レベル電圧(6V)が入力端子INに入力されると、出力端子OUTの電圧は、10Vに等しくなる。
第1のバイアス電圧制御回路310は、第1のPMOSトランジスタp1および第2のPMOSトランジスタp2を備えている。第1のPMOSトランジスタp1において、そのソース端子は、第1のバイアス電圧制御回路310の入力端子として機能し、および上記電圧スイッチ回路の入力電圧INに接続され、そのゲート端子は、基準電圧源Vrefに接続され、その本体端子およびドレイン端子は互いに接続され、および第1のバイアス電圧制御回路310の出力電圧として機能する。第2のPMOSトランジスタp2においては、そのソース端子は、論理電圧源VDDに接続され、そのゲート端子は、第1のバイアス電圧制御回路310の制御端子として機能し、および該電圧スイッチ回路の出力端子OUTに接続され、その本体端子およびドレイン端子は互いに接続され、および第1のバイアス電圧制御回路310の出力電圧に接続されている。
第2のNMOSトランジスタn2においては、そのドレイン端子は、ノード「b」に接続され、そのゲート端子は、論理電圧源VDDに接続され、そのソース端子および本体端子は、ノード「a」に接続されている。
図3B〜図3Dは、異なる動作状態における図3Aの電圧スイッチ回路のバイアス電圧を示す模式的回路図である。復号ユニット340によって供給される入力電圧VPPは18Vであり、基準電圧源Vrefの電圧振幅は9Vであり、論理電圧源VDDの電圧振幅は6Vであり、読み出し電圧源VRの電圧振幅は1.8Vである。これらの動作を以下でさらに詳細に説明する。
上記電圧スイッチ回路の出力端子OUTの電圧は18V(すなわち、OUT=18V)であり、低論理レベル電圧(0V)は入力端子IN(すなわち、IN=0V)に入力されるため、第1のバイアス電圧制御回路310の第2のPMOSトランジスタp2がターンオフされる。この状況下では、第1のバイアス電圧制御回路310の出力端子は、電圧(9V+|ΔVp|)を、第1のNMOSトランジスタn1のゲート端子(すなわち、Vg=9V+|ΔVp|)へ発する。その一方で、ノード「b」の電圧は、9V(すなわち、Vb=9V)に維持されている。
また、ノード「b」の電圧が0Vであり(すなわち、Vb=0V)、高論理レベル電圧(6V)が入力端子INに入力されるため、第2のPMOSトランジスタp2がターンオンされ、第1のPMOSトランジスタp1がターンオフされる。その一方で、第1のPMOSトランジスタp1の出力端子は、第1のNMOSトランジスタn1のゲート端子(すなわち、Vb=6V)へ6Vを発する。その結果として、第1のNMOSトランジスタn1がターンオンされ、上記電圧スイッチ回路の出力端子OUTの電圧が0V(すなわち、OUT=0V)となる。
また、ノード「b」の電圧が1.8V(すなわち、Vb=1.8V)であり、低論理レベル電圧(0V)が入力端子INに入力されるため、第2のPMOSトランジスタp2がターンオンされ、第1のPMOSトランジスタp1がターンオフされる。その一方で、第1のPMOSトランジスタp1の出力端子は、第1のNMOSトランジスタn1のゲート端子(すなわち、Vg=6V)に6Vを発する。その結果として、第1のNMOSトランジスタn1がターンオンされ、上記電圧スイッチ回路の出力端子OUTの電圧は、1.8V(すなわち、OUT=1.8V)となる。
Claims (19)
- 第1のPMOSトランジスタおよび第2のPMOSトランジスタを備える出力回路と、
第3のPMOSトランジスタおよび第4のPMOSトランジスタを備える第1の電圧降下制御回路と、
第1のNMOSトランジスタ、第2のNMOSトランジスタ、第1のバイアス電圧制御回路、および第2のバイアス電圧制御回路を備える第2の電圧降下制御回路と、
第3のNMOSトランジスタおよび第4のNMOSトランジスタを備える第3の電圧降下制御回路と、
第5のNMOSトランジスタ、第6のNMOSトランジスタ、第3のバイアス電圧制御回路、および第4のバイアス電圧制御回路を備える入力回路とを備える電圧スイッチ回路であって、
前記出力回路の前記第1のPMOSトランジスタは、高電圧源に接続されたソース端子および本体端子、前記電圧スイッチ回路の反転出力端子に接続されたドレイン端子、および前記電圧スイッチ回路の出力端子に接続されたゲート端子を有し、前記第2のPMOSトランジスタは、前記高電圧源に接続されたソース端子および本体端子、前記電圧スイッチ回路の前記出力端子に接続されたドレイン端子、および前記電圧スイッチ回路の前記反転出力端子に接続されたゲート端子を有し、
前記第1の電圧降下制御回路の前記第3のPMOSトランジスタは、前記高電圧源に接続された本体端子、前記反転出力端子に接続されたソース端子、ノードeに接続されたドレイン端子、および基準電圧源に接続されたゲート端子を有し、前記第4のPMOSトランジスタは、前記高電圧源に接続された本体端子、前記出力端子に接続されたソース端子、ノードfに接続されたドレイン端子、および前記基準電圧源に接続されたゲート端子を有し、
前記第2の電圧降下制御回路の前記第1のNMOSトランジスタは、前記ノードeと前記第1のバイアス電圧制御回路の制御端子とに接続されたドレイン端子、前記第1のバイアス電圧制御回路の出力端子に接続されたゲート端子、およびノードcに接続された本体端子およびソース端子を有し、前記第2のNMOSトランジスタは、前記ノードfと前記前記第2のバイアス電圧制御回路の制御端子とに接続されたドレイン端子、前記第2のバイアス電圧制御回路の出力端子に接続されたゲート端子、およびノードdに接続された本体端子およびソース端子を有し、
前記第3の電圧降下制御回路の前記第3のNMOSトランジスタは、前記ノードcに接続されたドレイン端子、論理電圧源に接続されたゲート端子、およびノードaに接続された本体端子およびソース端子を有し、前記第4のNMOSトランジスタは、前記ノードdに接続されたドレイン端子、前記論理電圧源に接続されたゲート端子、およびノードbに接続された本体端子およびソース端子を有し、
前記入力回路の前記第5のNMOSトランジスタは、前記ノードaと前記第3のバイアス電圧制御回路の出力端子とに接続されたドレイン端子、前記電圧スイッチ回路の入力端子に接続されたゲート端子、および接地端子に接続された本体端子およびソース端子を有し、前記第6のNMOSトランジスタは、前記ノードbと前記第4のバイアス電圧制御回路の出力端子とに接続されたドレイン端子、前記電圧スイッチ回路の反転入力端子に接続されたゲート端子、および前記接地端子に接続された本体端子およびソース端子を有する、
電圧スイッチ回路。 - 前記高電圧源の電圧振幅は、前記基準電圧源の電圧振幅よりも高く、前記基準電圧源の電圧振幅は、前記論理電圧源の電圧振幅よりも高く、前記第1のPMOSトランジスタ、前記第2のPMOSトランジスタ、前記第3のPMOSトランジスタおよび前記第4のPMOSトランジスタは、高電圧ストレスに耐える低濃度ドープのPMOSトランジスタである、請求項1に記載の電圧スイッチ回路。
- 前記第1のバイアス電圧制御回路は、第5のPMOSトランジスタおよび第6のPMOSトランジスタを備え、
前記第5のPMOSトランジスタは、前記第1のバイアス電圧制御回路の入力端子として機能し、および前記ノードbに接続されたソース端子と、前記基準電圧源に接続されたゲート端子と、互いに接続され、および前記第1のバイアス電圧制御回路の出力端子として機能する本体端子およびドレイン端子とを有し、
前記第6のPMOSトランジスタは、前記論理電圧源に接続されたソース端子と、前記第1のバイアス電圧制御回路の制御端子として機能し、および前記ノードeに接続されたゲート端子と、互いに接続され、および前記第1のバイアス電圧制御回路の出力端子に接続された本体端子およびドレイン端子とを有し、
前記第5のPMOSトランジスタおよび前記第6のPMOSトランジスタは、高電圧ストレスに耐える低濃度ドープのPMOSトランジスタである、請求項1に記載の電圧スイッチ回路。 - 前記第2のバイアス電圧制御回路は、第7のPMOSトランジスタおよび第8のPMOSトランジスタを備え、
前記第7のPMOSトランジスタは、前記第2のバイアス電圧制御回路の入力端子として機能し、および前記ノードaに接続されたソース端子と、前記基準電圧源に接続されたゲート端子と、互いに接続され、および前記第2のバイアス電圧制御回路の出力端子として機能する本体端子およびドレイン端子とを有し、
前記第8のPMOSトランジスタは、前記論理電圧源に接続されたソース端子と、前記第2のバイアス電圧制御回路の制御端子として機能し、および前記ノードfに接続されたゲート端子と、互いに接続され、および前記第2のバイアス電圧制御回路の出力端子に接続された本体端子およびドレイン端子とを有し、
前記第7のPMOSトランジスタおよび前記第8のPMOSトランジスタは、高電圧ストレスに耐える低濃度ドープのPMOSトランジスタである、請求項1に記載の電圧スイッチ回路。 - 前記第3のバイアス電圧制御回路は、第9のPMOSトランジスタを備え、
前記第9のPMOSトランジスタは、前記第3のバイアス電圧制御回路の入力端子として機能し、および前記論理電圧源に接続されたソース端子および本体端子と、前記第3のバイアス電圧制御回路の制御端子として機能し、および前記電圧スイッチ回路の前記入力端子に接続されたゲート端子と、前記第3のバイアス電圧制御回路の出力端子として機能し、および前記ノードaに接続されたドレイン端子とを有する、請求項1に記載の電圧スイッチ回路。 - 前記第4のバイアス電圧制御回路は、第10のPMOSトランジスタを備え、
前記第10のPMOSトランジスタは、前記第4のバイアス電圧制御回路の入力端子として機能し、および前記論理電圧源に接続されたソース端子および本体端子と、前記第4のバイアス電圧制御回路の制御端子として機能し、および前記電圧スイッチ回路の前記反転入力端子に接続されたゲート端子と、前記第4のバイアス電圧制御回路の出力端子として機能し、および前記ノードbに接続されたドレイン端子とを有する、請求項1に記載の電圧スイッチ回路。 - 入力電圧が、復号ユニットによってアレイバス信号ラインに選択的に供給され、前記アレイバス信号ラインに接続された出力端子を有する電圧スイッチ回路であって、
第1のNMOSトランジスタと、
第1のバイアス電圧制御回路と、
第2のNMOSトランジスタと、
第2のバイアス電圧制御回路と、
第3のNMOSトランジスタとを備え、
前記第1のNMOSトランジスタのドレイン端子が、前記電圧スイッチ回路の前記出力端子に接続され、および前記第1のNMOSトランジスタのソース端子および本体端子がノードbに接続され、
前記第1のバイアス電圧制御回路の制御端子が、前記電圧スイッチ回路の出力端子に接続され、前記第1のバイアス電圧制御回路の入力端子が、前記電圧スイッチ回路の入力端子に接続され、および前記第1のバイアス電圧制御回路の出力端子が、前記第1のNMOSトランジスタのゲート端子に接続され、第1の動作状態において、前記ノードbは、基準電圧を有するように前記第1のバイアス電圧制御回路によってバイアスが掛けられ、
前記第2のNMOSトランジスタのドレイン端子が前記ノードbに接続され、論理電圧源に接続された前記第2のNMOSトランジスタのゲート端子と、前記第2のNMOSトランジスタのソース端子および本体端子とがノードaに接続され、
前記第2のバイアス電圧制御回路の制御端子が、前記電圧スイッチ回路の前記入力端子に接続され、前記第2のバイアス電圧制御回路の入力端子が、前記論理電圧源および読出し電圧源に選択的に接続され、および前記第2のバイアス電圧制御回路の出力端子が前記ノードaに接続され、
前記第3のNMOSトランジスタのドレイン端子が前記ノードaに接続され、前記第3のNMOSトランジスタのゲート端子が、前記電圧スイッチ回路の前記入力端子に接続され、および前記第3のNMOSトランジスタのソース端子および本体端子が接地端子に接続される、電圧スイッチ回路。 - 前記復号ユニットからの前記入力電圧の電圧振幅は、前記基準電圧源の電圧振幅よりも高く、前記基準電圧源の電圧振幅は、前記論理電圧源の電圧振幅よりも高く、前記論理電圧源の電圧振幅は、前記読出し電圧源の電圧振幅よりも高く、
前記第1のPMOSトランジスタおよび前記第2のPMOSトランジスタは、高電圧ストレスに耐える低濃度ドープのPMOSトランジスタである、請求項7に記載の電圧スイッチ回路。 - 前記第1のバイアス電圧制御回路は、第1のPMOSトランジスタおよび第2のPMOSトランジスタを備え、
前記第1のPMOSトランジスタは、前記第1のバイアス電圧制御回路の前記入力端子として機能し、および前記電圧スイッチ回路の前記入力電圧に接続されたソース端子と、前記基準電圧源に接続されたゲート端子と、互いに接続され、および前記第1のバイアス電圧制御回路の前記出力電圧として機能する本体端子およびドレイン端子とを有し、
前記第2のPMOSトランジスタは、前記論理電圧源に接続されたソース端子と、前記第1のバイアス電圧制御回路の前記制御端子として機能し、および前記電圧スイッチ回路の前記出力端子に接続されたゲート端子と、互いに接続され、および前記第1のバイアス電圧制御回路の前記出力電圧に接続された本体端子およびドレイン端子とを有する、請求項7に記載の電圧スイッチ回路。 - 前記第2のバイアス電圧制御回路は、第3のPMOSトランジスタを備え、
前記第3のPMOSトランジスタは、前記第2のバイアス電圧制御回路の前記入力端子として機能し、および前記論理電圧源または前記読み出し電圧源に選択的に接続されたソース端子および本体端子と、前記第2のバイアス電圧制御回路の前記制御端子として機能し、および前記電圧スイッチ回路の前記入力電圧に接続されたゲート端子と、前記第2のバイアス電圧制御回路の前記出力端子として機能し、および前記ノードaに接続されたドレイン端子とを有する、請求項7に記載の電圧スイッチ回路。 - ノードaを有する第1の電圧降下経路と、ノードbを有する第2の電圧降下経路とを有する電圧スイッチ回路であって、
高電圧源に接続され、前記第1の電圧降下経路に接続された第1の出力端子と、前記第2の電圧降下経路に接続された第2の出力端子とを備える出力回路と、
前記第1の出力端子と前記ノードaとの間に接続され、および前記第2の出力端子と前記ノードbとの間に接続された複数の電圧降下制御回路と、
前記ノードaおよび前記ノードbに接続され、第1の入力端子および第2の入力端子を備える入力回路と、を備え、
前記入力回路は、第1のNMOSトランジスタ、第2のNMOSトランジスタ、第1のバイアス電圧制御回路および第2のバイアス電圧制御回路を備え、前記第1のNMOSトランジスタは、前記ノードaと前記第1のバイアス電圧制御回路の出力端子とに接続されたドレイン端子、前記第1の入力端子に接続されたゲート端子、および接地端子に接続された本体端子およびソース端子を有し、前記第2のNMOSトランジスタは、前記ノードbと前記第2のバイアス電圧制御回路の出力端子とに接続されたドレイン端子、前記第2の入力端子に接続されたゲート端子、および前記接地端子に接続された本体端子およびソース端子を有し、
高論理電圧レベルが前記第1の入力端子に入力され、および低論理レベル電圧が前記第2の入力端子に入力されると、前記ノードaの電圧は、接地端子の電圧に等しくなり、中レベルの電圧が前記第1の出力端子から出力され、前記高論理レベル電圧が前記ノードbから出力され、および前記第2の出力端子から出力された電圧が、前記高電圧源の電圧振幅に等しくなり、
前記高電圧源の電圧振幅は、前記中レベルの電圧よりも高く、また、前記中レベルの電圧は、前記高論理レベル電圧よりも高い、電圧スイッチ回路。 - 前記出力回路は、第1のPMOSトランジスタおよび第2のPMOSトランジスタを備え、
前記第1のPMOSトランジスタは、前記高電圧源に接続されたソース端子および本体端子、前記第1の出力端子に接続されたドレイン端子、および前記第2の出力端子に接続されたゲート端子を有し、
前記第2のPMOSトランジスタは、前記高電圧源に接続されたソース端子および本体端子を有し、ドレイン端子が前記第2の出力端子に接続され、および、前記第1の出力端子に接続されたゲート端子を有する、請求項11に記載の電圧スイッチ回路。 - 前記第1の電圧降下経路は、ノードcおよびノードeをさらに備え、前記第2の電圧降下経路は、ノードdおよびノードfをさらに備え、
前記複数の電圧降下制御回路のうちの第1の電圧降下制御回路は、第3のPMOSトランジスタおよび第4のPMOSトランジスタを備え、
前記第3のPMOSトランジスタは、前記高電圧源に接続された本体端子と、前記第1の出力端子に接続されたソース端子と、前記ノードeに接続されたドレイン端子と、基準電圧源に接続されたゲート端子とを有し、
前記第4のPMOSトランジスタは、前記高電圧源に接続された本体端子と、前記第2の出力端子に接続されたソース端子と、前記ノードfに接続されたドレイン端子と、前記基準電圧源に接続されたゲート端子とを有し、
前記基準電圧源の電圧振幅は、前記中レベルの電圧よりも低く、および前記基準電圧源の電圧振幅は、前記論理電圧源の電圧振幅よりも高く、
前記第1のPMOSトランジスタ、前記第2のPMOSトランジスタ、前記第3のPMOSトランジスタおよび前記第4のPMOSトランジスタは、高電圧ストレスに耐える低濃度ドープのPMOSトランジスタである、請求項11に記載の電圧スイッチ回路。 - 前記複数の電圧降下制御回路のうちの第2の電圧降下制御回路は、第3のNMOSトランジスタ、第4のNMOSトランジスタ、第3のバイアス電圧制御回路および第4のバイアス電圧制御回路を備え、
前記第3のNMOSトランジスタは、前記ノードeと前記第3のバイアス電圧制御回路の制御端子とに接続されたドレイン端子、前記第3のバイアス電圧制御回路の出力端子に接続されたゲート端子、およびノードcに接続された本体端子およびソース端子を有し、
前記第4のNMOSトランジスタは、前記ノードfと前記第4のバイアス電圧制御回路の制御端子とに接続されたドレイン端子、前記第4のバイアス電圧制御回路の出力端子に接続されたゲート端子、およびノードdに接続された本体端子およびソース端子を有する、請求項13に記載の電圧スイッチ回路。 - 前記第3のバイアス電圧制御回路は、第5のPMOSトランジスタおよび第6のPMOSトランジスタを備え、
前記第5のPMOSトランジスタは、前記第3のバイアス電圧制御回路の入力端子として機能し、および前記ノードbに接続されたソース端子と、前記基準電圧源に接続されたゲート端子と、互いに接続され、および前記第3のバイアス電圧制御回路の出力端子として機能する本体端子およびドレイン端子とを有し、
前記第6のPMOSトランジスタは、前記論理電圧源に接続されたソース端子と、前記第3のバイアス電圧制御回路の制御端子として機能し、および前記ノードeに接続されたゲート端子と、互いに接続され、前記第3のバイアス電圧制御回路の前記出力端子に接続された本体端子およびドレイン端子とを有し、
前記第5のPMOSトランジスタおよび前記第6のPMOSトランジスタは、高電圧ストレスに耐える低濃度ドープのPMOSトランジスタである、請求項14に記載の電圧スイッチ回路。 - 前記第4のバイアス電圧制御回路は、第7のPMOSトランジスタおよび第8のPMOSトランジスタを備え、
前記第7のPMOSトランジスタは、前記第4のバイアス電圧制御回路の入力端子として機能し、および前記ノードaに接続されたソース端子と、前記基準電圧源に接続されたゲート端子と、互いに接続され、および前記第4のバイアス電圧制御回路の出力端子として機能する本体端子およびドレイン端子とを有し、
前記第8のPMOSトランジスタは、前記論理電圧源に接続されたソース端子と、前記第4のバイアス電圧制御回路の制御端子として機能し、および前記ノードfに接続されたゲート端子と、互いに接続され、および前記第4のバイアス電圧制御回路の前記出力端子に接続された本体端子およびドレイン端子とを有し、
前記第7のPMOSトランジスタおよび前記第8のPMOSトランジスタは、高電圧ストレスに耐える低濃度ドープのPMOSトランジスタである、請求項14に記載の電圧スイッチ回路。 - 前記複数の電圧降下制御回路のうちの第3の電圧降下制御回路は、第5のNMOSトランジスタおよび第6のNMOSトランジスタを備え、
前記第5のNMOSトランジスタは、前記ノードcに接続されたドレイン端子と、前記論理電圧源に接続されたゲート端子と、前記ノードaに接続された本体端子およびソース端子とを有し、
前記第6のNMOSトランジスタは、前記ノードdに接続されたドレイン端子と、前記論理電圧源に接続されたゲート端子と、前記ノードbに接続された本体端子およびソース端子とを有する、請求項14に記載の電圧スイッチ回路。 - 前記第1のバイアス電圧制御回路は、第9のPMOSトランジスタを備え、
前記第9のPMOSトランジスタは、前記第1のバイアス電圧制御回路の入力端子として機能し、および前記論理電圧源に接続されたソース端子および本体端子と、前記第1のバイアス電圧制御回路の制御端子として機能し、および前記第1の入力端子に接続されたゲート端子と、前記第1のバイアス電圧制御回路の出力端子として機能し、および前記ノードaに接続されたドレイン端子とを有する、請求項11に記載の電圧スイッチ回路。 - 前記第2のバイアス電圧制御回路は、第10のPMOSトランジスタを備え、
前記第10のPMOSトランジスタは、前記第2のバイアス電圧制御回路の入力端子として機能し、および前記論理電圧源に接続されたソース端子および本体端子と、前記第2のバイアス電圧制御回路の制御端子として機能し、および前記第2の入力端子に接続されたゲート端子と、前記第2のバイアス電圧制御回路の出力端子として機能し、および前記ノードbに接続されたドレイン端子とを有する、請求項11に記載の電圧スイッチ回路。
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