JP3993182B2 - 2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置 - Google Patents

2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置 Download PDF

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Description

本発明はベースと、第1移動ユニットと、第2移動ユニットとを具え、第1移動ユニットはX方向に平行に、このX方向に垂直なY方向に平行にベースに対し移動し得る第1物品ホルダを有し、第2移動ユニットはX方向に平行に、Y方向に平行にベースに対し移動し得る第2物品ホルダを有し、第1物品ホルダと第2物品ホルダとは測定位置から作動位置にベースに対し連続的に移動可能であり、第1移動ユニット、及び第2移動ユニットはそれぞれ作動中、相互に移動可能で、相互に駆動力を作用させる第1部分、及び第2部分を具え、第1移動ユニット、及び第2移動ユニットの第1部分がそれぞれX方向に平行に、Y方向に平行に第1物品ホルダ、及び第2物品ホルダに連結されている位置決め装置に関するものである。
また、本発明は放射源と、マスクホルダと、集束ユニットと、位置決め装置とを固定するフレームを具え、集束ユニットは主軸線を有し、位置決め装置はこの主軸線に垂直なX方向に平行に、及びX方向に垂直で主軸線にも垂直なY方向に平行に、集束ユニットに対し移動可能な基材ホルダを具えるリソグラフ装置に関するものである。
更に、本発明は位置決め装置と、集束ユニットと、別個の位置決め装置と、放射源とを固定するフレームを具え、集束ユニットは主軸線を有し、位置決め装置はこの主軸線に垂直なX方向に平行に、及びX方向に垂直で主軸線にも垂直なY方向に平行に、集束ユニットに対し移動可能な基材ホルダを具え、別個の位置決め装置は少なくともX方向に平行に集束ユニットに対し移動可能なマスクホルダを具えているリソグラフ装置に関するものである。
最初のパラグラフに述べた種類の位置決め装置はヨーロッパ特許公開第525872号から既知である。この既知の位置決め装置は光学リソグラフ法によって、集積半導体回路を製造するため光学リソグラフ装置に使用されている。リソグラフ装置は光源、及びレンズ系によってマスク上にあるこのような半導体回路の微細なパターンを縮小された寸法で、半導体基材上に結像する。このような半導体回路は複雑な構造を有するから、半導体基材を多数回、露光し、その度に異なる微細なパターンを有する異なるマスクを使用する必要がある。マスクは順次、マガジンから取り出され、既知の位置決め装置によってリソグラフ装置内の作動位置に設置される。マガジンから取り出したマスクを作動位置に移動させている間、マスクは測定位置を通過し、この測定位置においてリソグラフ装置の基準位置に対してマスクが占める位置が測定される。測定位置から作動位置へのマスクの移動中、マスクを移動させる物品ホルダの位置を上記基準位置に対して測定するから、物品ホルダの適切な移動を通じて、基準位置に対して希望する作動位置にマスクを設置することができる。半導体基材の露光中、関連する物品ホルダは希望する作動位置にマスクを維持する。その後、他の物品ホルダはマガジンから次のマスクを取り出して、このマスクを測定位置に動かす。このようにして、2個の物品ホルダと共に2個の移動ユニットを使用することによって、前のマスクが作動位置にあって、この前のマスクを通じて半導体基材を露光しつつある間に、基準位置に対して、次のマスクの位置を測定することができる。このようにして、リソグラフ装置の生産量を著しく増大することができる。
更に、最初のパラグラフに述べた種類の位置決め装置の使用は一般に工作機械、及び機械加工設備において既知である。この場合、1個、又は2個の物品ホルダによって支持される工作物がこの物品ホルダに対して占める位置を測定位置において測定する。次に関連する物品ホルダは工作物と共に、工作物を加工すべき作動位置に動かされる。関連する物品ホルダが工作機械の基準位置に対して占める位置を作動位置において測定し、その結果、工作物を基準位置に対して希望する作動位置にもたらすことができる。この場合も、2個の物品テーブルと共に、2個の移動ユニットを使用することによって、工作機械、即ち機械加工設備の生産量を著しく増大することができる。これは前の工作物を処理している間に、次の工作物は既に、測定位置に動かされているからである。
既知の位置決め装置の第1移動ユニット、及び第2移動ユニットはそれぞれ関連する物品ホルダに固定された第1部分と、ベースに固定された第2部分とを具え、各移動ユニットの上記第1部分、及び第2部分は相互に駆動力を作用させながら、相互に相対的に移動することができる。この既知の位置決め装置の欠点は、移動ユニットの2個の部分がそれぞれベースに固定されており、従って第1移動ユニット、及び第2移動ユニットのための共通ベースを形成していることである。物品ホルダの移動中、反力が第2部分に作用し、この力はベースに伝達される。上記の反力はベースの機械的振動を引き起こし、その振動は第2部分、及び物品ホルダに伝達される。第1物品ホルダが例えば作動位置にあると、次のマスクがマガジンから測定位置に移動中、第2移動ユニットによってベースに作用する反力の結果として、機械的振動が第1物品ホルダに生ずる。2個の移動ユニット間のこのような相互の干渉は移動ユニットの位置決めを不正確なものにしてしまう。通常、これは好ましくない。更に、ベースに発生する機械的振動も既知の位置決め装置を使用する装置の他の部分に伝達する。通常、このことも好ましくない。
本発明の目的はベースを2個の移動ユニットに共通なものにし、2個の移動ユニットの上述のような好ましくない相互の干渉をできるだけ防止した最初のパラグラフに記載された種類の位置決め装置を得るにある。
この目的のため、本発明はX方向に平行に、Y方向に平行に設けた第1移動ユニット、及び第2移動ユニットの第2部分を第1移動ユニット、及び第2移動ユニットに共通なバランスユニットに連結し、バランスユニットをX方向に平行に、Y方向に平行にベースに対し移動可能に案内すると共に、第1移動ユニット、及び第2移動ユニットに駆動力を発生する力アクチュエータをそれぞれ設けたことを特徴とする。「力アクチュエータ」の語は所定の値の駆動力を発生するアクチュエータを意味すると解される。更に、このような力アクチュエータ、いわゆる位置アクチュエータは所定の値を有する移動を発生することで知られている。バランスユニットを使用するから、位置決め装置の移動ユニットの第1部分によって第2部分に作用する反力はベースに伝達されず、ベースに対し移動し得るバランスユニットに作用し、この反力はベースに対するバランスユニットの移動に変換される。これにより、ベース、及びバランスユニットの機械的振動はできるだけ防止され、またこの振動が物品ホルダに伝導するのをできるだけ防止することができる。ベースに対する物品ホルダの位置は位置決め装置の移動ユニットの駆動力の値によって決定され、上記駆動力の値は制御ユニットによって制御される。力アクチュエータによって駆動力が発生されるから、これ等の駆動力は第2部分に対する移動ユニットの第1部分の位置とは実質的に独立しており、従ってベースに対する物品ホルダの位置は物品ホルダに対するバランスユニットの位置とは実質的に独立している。これにより、2個の移動ユニットの一方の移動ユニットの反力によってX方向に平行な、Y方向に平行なベースに対するバランスユニットの移動はベースに対する他方の移動ユニットの物品ホルダの位置に実質的に影響を有せず、従って2個の移動ユニットの位置決め精度間の相互の妨害をできるだけ防止することができる。更に、バランスユニットが2個の移動ユニットのための共通のバランスユニットであることによって、位置決め装置の簡単な構造を達成している。
写真複写機は米国特許第5208497号から既知であり、この既知の複写機は単一の移動ユニットを有し、この移動ユニットにより光学ユニットを単一の走査方向に平行に移動可能にしている。この移動ユニットもバランスユニットを有し、このバランスユニットを光学ユニットに連結し、このバランスユニットも走査方向に平行に移動可能にしている。しかし、米国特許第5208497号はX方向に平行に、及びX方向に垂直なY方向に平行に移動可能な物品ホルダをそれぞれ有する2個の移動ユニットの使用を示しておらず、X方向に平行に、及びY方向に平行に移動可能である共通のバランスユニットにこれ等移動ユニットを協働させることも示していない。
本発明位置決め装置の特殊な実施例は第1移動ユニット、及び第2移動ユニットの力アクチュエータは専らローレンツ力を発生するように構成されていることを特徴とする。専らローレンツ力を発生する力アクチュエータの使用によって、移動ユニットの駆動力を移動ユニットの第1部分、及び第2部分の相対位置とはほぼ独立したものにし、力アクチュエータの特に実際的で、簡単な構造を得ることができる。
本発明位置決め装置の他の実施例はX方向に平行に、Y方向に平行に延在するベースの案内面上を静的空気軸受によってバランスユニットが移動可能に案内されるよう構成したことを特徴とする。静的気体軸受を使用することによって、ベースに対するバランスユニットのほぼ摩擦のない案内が得られ、移動ユニットの反力の作用を受けるバランスユニットの移動はバランスユニットと、ベースの案内面との間に発生する摩擦力によって影響を受けない。バランスユニットの移動にこのような影響があると、バランスユニット、及びベースに好ましくない残留機械振動を生ぜしめる。
本発明位置決め装置の更に他の実施例は2個の移動ユニットにそれぞれXアクチュエータとYアクチュエータとを設け、XアクチュエータにはX方向に平行に、Y方向に平行にそれぞれ第1部分を設け、この第1部分を関連する移動ユニットの物品ホルダに連結し、X方向に平行なこの第1部分を関連するXアクチュエータの第2部分に対し移動可能とし、Yアクチュエータにそれぞれ第1部分を設け、この第1部分を関連する移動ユニットのXアクチュエータの第2部分に固定し、Y方向に平行な第1部分をバランスユニットに固定された関連するYアクチュエータの第2部分に対し移動可能にしたことを特徴とする。この実施例では、関連する移動ユニットのXアクチュエータの適切な駆動力によって、物品ホルダはX方向に平行にそれぞれ移動可能になると共に、関連する移動ユニットのYアクチュエータの適切な駆動力によって、物品ホルダは関連する移動ユニットのXアクチュエータと共に、Y方向に移動可能である。2個の移動ユニットのXアクチュエータの反力はXアクチュエータの第2部分を通じて、またYアクチュエータを通じてバランスユニットに伝達されると共に、2個の移動ユニットのYアクチュエータの反力はYアクチュエータの第2部分を通じて、バランスユニットに直接伝達される。
本発明位置決め装置の特殊な実施例は少なくとも1個のアクチュエータを制御する制御ユニットを位置決め装置に設け、この制御ユニットによって2個の移動ユニットのXアクチュエータの少なくとも第2部分をX方向に平行な位置に保持し得るようにしたことを特徴とする。上に述べたように、2個の移動ユニットの反力によって生ずるベースに対するX方向に平行なバランスユニットの移動と、ベースに対するY方向に平行なバランスユニットの移動は2個の移動ユニットの駆動力の値にほぼ影響を有せず、ベースに対する2個の物品ホルダの位置はバランスユニットのこのような移動によってほぼ妨害されない。同様のことが、X方向、及びY方向の両方向に平行な構成部分と共にするバランスユニットの移動についても成立する。しかし、移動ユニットの反力はX方向に垂直にY方向にも垂直に延在する軸線の周りの機械的トルクをバランスユニットに作用させる。更に手段を講じなければ、上記機械的トルクはX方向に垂直に、及びY方向に垂直に指向する回転軸線の周りに、バランスユニット、及びそれに連結された移動ユニットの回転を生ぜしめる。移動ユニットの駆動力を更に適合させなければ、このような回転はX方向に平行に、及びY方向に平行にベースに対し物品ホルダを移動させることになり、従ってベースに対する物品ホルダの位置はバランスユニットの上記回転によって影響を受ける。上記アクチュエータを制御するための上記制御ユニットを使用することによって、移動ユニットのXアクチュエータの少なくとも第2部分をX方向に平行な位置に保持する。X方向に平行で、Y方向に平行なXアクチュエータの第1部分に物品ホルダを連結するから、上記制御ユニットを使用することによって、X方向に垂直に、Y方向にも垂直に指向する回転軸線の周りのXアクチュエータ、及びこれに連結された物品ホルダの回転を防止し、このような回転から生ずるベースに対する物品ホルダの移動を防止する。従って、移動ユニットの反力、及び随伴してバランスユニットに加わる反力トルクはベースに対する物品ホルダの位置にほぼ影響を有しない。
本発明位置決め装置の他の実施例はYアクチュエータの第1部分を沿わせて移動可能に案内する共通直線案内部を移動ユニットのYアクチュエータに設け、位置決め装置に回転可能ユニットを設け、回転可能ユニットが、バランスユニットに固定された回転可能な第1部分と、X方向に垂直に、Y方向に垂直に延在する回転軸線の周りに、回転可能な第1部分に対し回転可能であり、共通直線案内に固定された回転可能な第2部分とを有することを特徴とする。この実施例では、Yアクチュエータの第1部分を共通直線案内部に沿って相互に、別個に、移動可能にすると共に、Xアクチュエータの第1部分、及びそれに連結された物品ホルダをYアクチュエータの第1部分に固定されたXアクチュエータの第2部分に対し、相互に別個に移動可能にする。Xアクチュエータの反力は関連するYアクチュエータ、共通直線案内部、及び回転可能ユニットを介してバランスユニットに伝達されると共に、Yアクチュエータの反力は共通直線案内部、及び回転可能ユニットを介してバランスユニットに伝達される。作動中、作動位置にある第1物品ホルダ、及び測定位置にある第2物品ホルダは相互に独立してベースに対し移動可能である。第2物品ホルダを測定位置から作動位置に動かすため、回転可能ユニットによって、上記回転軸線の周りに180°の角度にわたり、共通直線案内を回転し、同時に、第1物品ホルダを作動位置から測定位置に動かす。共通直線案内部、及び回転可能ユニットの使用によって、位置決め装置の単純な構造を達成し、共通直線案内部を単に回転運動させることにより、第1物品ホルダと第2物品ホルダとを測定位置から作動位置に、作動位置から測定位置に移動させることができる。
本発明位置決め装置の更に他の実施例では、制御ユニットによって、回転可能ユニットを制御することを特徴とする。この実施例では、回転可能ユニットは2つの機能を有し、特に簡単で実際的構造の位置決め装置が得られる。即ち共通直線案内の回転運動によって、物品ホルダを測定位置から作動位置に、作動位置から測定位置に移動させるためと、制御ユニットによる回転可能ユニットの適切な制御を通じて、共通直線案内部をY方向に平行な位置に保持し、従ってXアクチュエータの第2部分をX方向に平行な位置に保持するための2つの目的に回転可能ユニットを使用する。
本発明位置決め装置の特殊な実施例はバランスユニットはX方向に平行に、Y方向に平行に延在する案内面を設けた支持体を具え、この案内面は2個の物品ホルダに共通のものであり、この案内面に沿って2個の物品ホルダをX方向に平行に、Y方向に平行に移動可能とし、物品ホルダの両方に継手部材を設け、この継手部材により関連する物品ホルダを第1移動ユニットのXアクチュエータの第1部分に、及び第2移動ユニットのXアクチュエータの第1部分に連結し得るよう構成したことを特徴とする。この実施例の物品ホルダは例えば、静的気体軸受によって、バランスユニットに属する共通案内面上を移動可能に案内される。この支持体は例えば、花崗岩スラブであり、2つの機能、即ち2個の物品ホルダを支持し、案内する機能と、2個の移動ユニットのためのバランスユニットを形成する機能とである。第1物品ホルダを測定位置から作動位置に移動させつつあり、第2物品ホルダを作動位置から測定位置に移動させつつある時、これ等物品ホルダは共通案内面上を相互に通過する必要がある。これを達成するため、第1物品ホルダを第1移動ユニットによって、測定位置から、測定位置と作動位置との間の第1中間位置に移動させると共に、第2物品ホルダを第2移動ユニットによって、作動位置から、測定位置と作動位置との間の第1中間位置の隣の第2中間位置に移動させる。これ等の中間位置で、第1物品ホルダを第1移動ユニットから外して、第2移動ユニットに連結し、一方、第2物品ホルダを第2移動ユニットから外して、第1移動ユニットに連結する。次に第1物品ホルダを第2移動ユニットによって、第1中間位置から、作動位置に動かすと共に、第2物品ホルダを第1移動ユニットによって、第2中間位置から測定位置に動かす。これ等物品ホルダには上記の継手部材を設けるから、移動ユニットの第1部分が移動ユニットの関連する協働する第2部分に対し移動しなければならない距離は減少し、移動ユニットの必要な寸法を減少させることができる。更に、第1移動ユニットの移動部分と第2移動ユニットの移動部分とが相互に通過し得るようにしなければならないと、移動ユニットは比較的複雑な構造となるが、相互の通過を行わないように、複雑になるのを防止している。
本発明位置決め装置の他の実施例は物品ホルダの継手部材はそれぞれXYローレンツ力アクチュエータを具え、関連する物品ホルダに固定された第1部分と、関連する移動ユニットのXアクチュエータの第1部分に固定された第2部分とをXYローレンツ力アクチュエータに設け、XYローレンツ力アクチュエータの第1部分がそれぞれ2個のXYローレンツ力アクチュエータの第2部分に協働し得るよう構成したことを特徴とする。上記XYローレンツ力アクチュエータはそれぞれ2つの機能を有し、位置決め装置を単純で、実際的な構造にすることができる。上記XYローレンツ力アクチュエータによって、物品ホルダを関連する移動ユニットのXアクチュエータの第1部分に対し、比較的僅かな距離にわたり、比較的高い精度で移動させることができる。このようなローレンツ力アクチュエータの第1部分、及び第2部分を専らローレンツ力によって連結するから、ローレンツ力をそれぞれ滅勢し、付勢することによって簡単に、これ等部分を相互に切り離し、連結することができる。XYローレンツ力アクチュエータの第1部分がXYローレンツ力アクチュエータの両方の第2部分にそれぞれ協働するようにしたこれ等第1部分の構造は、物品ホルダの上記中間位置において、2個のXYローレンツ力アクチュエータのそれぞれの第1部分を他のXYローレンツ力アクチュエータの第2部分に引き継ぐことができる。
本発明位置決め装置の更に他の実施例は2個の移動ユニットにはY方向に平行に延在する第2部分をそれぞれ設けた2個のYアクチュエータをそれぞれ設け、X方向に垂直に、Y方向に垂直に延びる回動軸の周りに、2個の移動ユニットのXアクチュエータの第2部分を関連するYアクチュエータの2個の第1部分に対しそれぞれ回動可能に構成し、制御ユニットにより両方の移動ユニットのYアクチュエータを制御するようにしたことを特徴とする。この実施例において、移動ユニットの反力の作用を受けて、X方向に垂直に、Y方向にも垂直に指向する回転軸線の周りにベースに対するバランスユニットの回転が発生し、バランスユニットに固定された2個の移動ユニットのYアクチュエータの第2部分もベースに対して回転する。Xアクチュエータの第2部分を関連する移動ユニットのYアクチュエータの両方の第1部分に回動可能に連結しているから、両方の移動ユニットのXアクチュエータの第2部分をX方向に平行な位置に保持することができ、関連する移動ユニットの2個のYアクチュエータをバランスユニットに対し相互に異なる距離にわたり移動させることができる。このようにして、バランスユニット、及び移動ユニットの回転を防止するため、別個のアクチュエータの使用を避けることができ、位置決め装置の比較的簡単な構造を得ることができる。
最初のパラグラフに記載した種類の移動可能な基材ホルダを有するリソグラフ装置はヨーロッパ特許公開第498496号から既知である。この既知のリソグラフ装置は光学リソグラフプロセスによる集積半導体回路の製造に使用される。この既知のリソグラフ装置の放射源は光源であり、集束ユニットは光学レンズ系であり、位置決め装置の基材ホルダ上に設置できる半導体基材上に、集積半導体回路の微細なパターンをこのレンズ系によって縮小した尺度で結像させる。この微細なパターンはマスク上にあり、このマスクをリソグラフ装置のマスクホルダ上に設置することができる。このような半導体基材は同一の半導体回路を設けるべき非常に多くのフィールドを有する。この目的のため、半導体基材の個々のフィールドは連続的に露光される。この個々のフィールドの露光中、半導体基材はマスク、及び集束ユニットに対し一定位置にあり、2個の連続する露光工程間で、位置決め装置により、半導体基材の次のフィールドを集束ユニットに対する位置にもたらす。このプロセスをその度毎に異なる微細パターンを現す異なるマスクを使用して多数回、繰り返し、比較的複雑な構造の集積半導体回路を製造することができる。このような集積半導体回路の構造はミクロン以下の範囲にある詳細寸法を有する。従って、順次のマスク上に存在する微細なパターンをミクロン以下の範囲にある相互の精度で半導体基材の上記フィールド上に結像する必要がある。従って、半導体基材を位置決め装置によって、ミクロン以下の精度でマスク、及び集束ユニットに対し、或る精度で位置決めすべきである。更に、半導体回路の製造に必要な時間を制限するため、半導体基材を2個の順次の露光工程間で比較的高速で移動させるべきである。
移動可能な基材ホルダを有する本発明リソグラフ装置は放射源と、マスクホルダと、集束ユニットと、位置決め装置とを固定するフレームを具え、集束ユニットは主軸線を有し、位置決め装置はこの主軸線に垂直なX方向に平行に、及びX方向に垂直で主軸線にも垂直なY方向に、平行に集束ユニットに対し移動可能な基材ホルダを具えるリソグラフ装置において、位置決め装置の2個の物品ホルダのおのおのがリソグラフ装置の基材ホルダであり、位置決め装置のベースがフレームに固定されている間、集束ユニットを介して放射源により基材ホルダ上に設置し得る基材を照射し得る位置が基材ホルダの作動位置であり、本発明の位置決め装置がここに使用する上記位置決め装置であることを特徴とする。本発明位置決め装置を使用することにより、作動中、例えば、第1基材ホルダ上に存在する第1半導体基材が第1基材ホルダに対して占める位置を正確に測定するため、位置決め装置の測定位置を利用することを可能にする。この間に、第2基材ホルダ上に存在する第2半導体基材を照射してもよい。上述したように、ベースに対する第1基材ホルダの位置は、露光中に必要な第2基材ホルダの移動中、第2基材ホルダの移動ユニットによって、位置決め装置のバランスユニットに作用する反力によって、実質的に影響を受けない。その結果、第1基材ホルダに対する第1半導体基材の位置の測定は上記反力によってほぼ作用を受けない。またリソグラフ装置のフレームは好ましくない振動を発生することがなく、これは、基材ホルダの移動は位置決め装置のベースに機械的振動を実質的に発生させないからである。第1半導体基材を作動位置に動かす前に、第1半導体基材の上記位置は既に正確に測定されているから、第1半導体基材を作動位置において、集束ユニットに対し配列する必要はなく、作動位置においては、集束ユニットに対する第1基材ホルダの位置の比較的簡単な測定で十分である。本発明位置決め装置を使用することによってリソグラフ装置の生産高を著しく増大することができ、これは、集束ユニットに対する半導体基材の配列は通常、時間を要する作業であるためである。
移動可能な基材ホルダを有する本発明リソグラフ装置の特別な実施例はリソグラフ装置が別個の位置決め装置を具え、この別個の位置決め装置によりマスクホルダを少なくともX方向に平行に集束ユニットに対し移動可能に構成したことを特徴とする。本発明リソグラフ装置のこの特別な実施例においては、半導体基材の個々のフィールドの露光中、製造すべき半導体基材はマスク、及び集束ユニットに対する一定位置でなく、露光中、半導体基材、及びマスクを関連する基材ホルダの移動ユニット、及びマスクホルダの別個の位置決め装置によって、それぞれX方向に平行に集束ユニットに対して同期して移動させる。従って、マスク上にあるパターンはX方向に平行に走査され、同期して半導体基材上に結像される。これにより、集束ユニットを通して、半導体基材上に結像することができるマスクの最大表面積は集束ユニットの影像のフィールドの寸法によってあまり制約されない。
移動可能な基材ホルダを有する本発明リソグラフ装置は、最初のパラグラフに記載された種類の移動可能な基材ホルダ、及び移動可能なマスクホルダを有するリソグラフ装置において、別個の位置決め装置の2個の物品ホルダのそれぞれがX方向に平行にY方向にも平行に別個の位置決め装置によって位置決めされ得るリソグラフ装置のマスクホルダであり、別個の位置決め装置のベースがフレームに固定されている間、マスクホルダ上に設置し得るマスクを放射源によって照射し得る位置がマスクホルダの作動位置であり、本発明の位置決め装置が上記別個の位置決め装置であることを特徴とする。本発明位置決め装置を使用することによって、例えば、第1マスクホルダ上に存在する第1マスクが第1マスクホルダに対して占める位置を正確に測定するため、作動中、別個の位置決め装置の位置を測定するのを利用することができる。第2マスクホルダ上に存在する第2マスクを同時に照射することができる。上述したように、ベースに対する第1マスクホルダの位置は、照射中必要である第2マスクホルダの移動中に、別個の位置決め装置のバランスユニットに、第2マスクホルダの移動ユニットによって作用する反力により、実質的に影響を受けない。従って、第1マスクホルダに対する第1マスクの位置の測定は上記反力によって実質的に影響を受けない。リソグラフ装置のフレームは好ましくない振動を発生せず、これはマスクホルダの移動によって、別個の位置決め装置のベースに機械的振動を実質的に発生させないからである。第1マスクを作動位置に動かす前に、第1マスクの上記位置は既に正確に測定されているから、作動位置で第1マスクを集束ユニットに対し配列する必要はなく、作動位置では集束ユニットに対する第1マスクの位置の比較的簡単な測定で十分である。集束ユニットに対するマスクの配列は通常、時間を要するから、本発明位置決め装置の使用はリソグラフ装置の生産量を著しく増大する。
次に、図面を参照して本発明を一層詳細に説明する。
図1に線図的に示す本発明リソグラフ装置は、光学リソグラフ法により、及びいわゆる「ステップアンドレピート」の原理に従うイメージング法によって集積半導体回路の製作に使用される。図1に線図的に示すように、このリソグラフ装置はフレーム1を具え、垂直Z方向に平行に示すように、本発明位置決め装置3、集束ユニット5、マスクホルダ7、及び放射源9の順序でフレーム1に支持する。位置決め装置3は第1基材ホルダ11と、同一の第2基材ホルダ13とを具える。図1に示すリソグラフ装置は光学リソグラフ装置であり、その放射源9は光源15を有する。基材ホルダ11は、それぞれZ方向に垂直に延在する支持面17を有し、この支持面上に第1半導体基材19を設置することができると共に、基材ホルダ13は、Z方向に垂直に延在する支持面21を有し、この支持面上に第2半導体基材23を設置することができる。第1基材ホルダ11は、Z方向に垂直なX方向に平行に、X方向、及びZ方向に垂直なY方向にも平行に、位置決め装置3の第1移動ユニット25によって、フレーム1に対し相対的に移動することができると共に、第2基材ホルダ13は、X方向、及びY方向に平行に、位置決め装置3の第2移動ユニット27によってフレーム1に対し相対的に移動することができる。集束ユニット5は撮像システム、又は投影システムであって、Z方向に平行に指向する主光学軸線31を有する光学レンズ系29を具え、例えば4、又は5のような光学縮小率を有する。マスクホルダ7はZ方向に垂直に延在する支持面33を具え、この上にマスク35を設置することができる。マスク35は集積半導体回路のパターン、又はサブパターンを有する。作動中、光源15から発生する光線ビームはマスク35を通じて案内され、レンズ系29によって第1半導体基材19上に集束し、即ち焦点合せし、マスク35上にあるパターンを縮小した寸法で、第1半導体基材19上に結像させる。
第1半導体基材19は非常に多くの個々のフィールドを有し、このフィールド上に同一の半導体回路を設ける。この目的のため、第1半導体基材19のフィールドはマスク35を介して順次、露光される。第1半導体基材19の個々のフィールドを露光中、第1半導体基材19、及びマスク35は集束ユニット5に対して一定位置にあるが、1個のフィールドを露光した後は、次のフィールドを集束ユニット5に対する位置にもたらし、その度に、第1移動ユニット25によって第1基材ホルダ11をX方向に平行に、及び/又はY方向に平行に移動させる。このプロセスを多数回繰り返し、その度に異なるマスクを介するから、層構造の複雑な集積半導体回路が製造される。リソグラフ装置によって製造される集積半導体回路はミクロンより小さい範囲内にある微細な寸法の構造を有する。第1半導体基材19は多数の異なるマスクを通じて順次露出されるから、これ等マスク上にあるパターンはミクロンより小さい範囲の精度で、又はナノメータの範囲内にすらある精度で、半導体基材19上に結像する必要がある。従って、半導体基材19は2個の順次の露出工程間に匹敵する精度で、集束ユニット5に対し位置決めさせなければならず、位置決め装置3の位置決め精度には非常に高い要求が課される。
製造加工される一団の半導体基材は図1に示すリソグラフ装置においてマスク35を介して順次、露光され、そこで上記一団の半導体基材は次のマスクを介して、順次、露光される。このプロセスをその度に他のマスクを介して、多数回繰り返される。露出すべき半導体基材はマガジン内にあり、このマガジンから半導体基材は移送機構によって、位置決め装置3の測定位置に順次、移送される。共に通常の既知のものである上記マガジン、及び上記移送機構は簡明のため図1には図示しない。図1に示すリソグラフ装置の状態では、第1基材ホルダ11が作動位置にあり、第1基材ホルダ11上に設置された第1半導体基材19が集束ユニット5を通じて放射源9によって照射される。第2基材ホルダ13は位置決め装置3の上記測定位置にあり、第2基材ホルダ13上に設置された第2半導体基材23の第2基材ホルダ13に対する位置は、図1に線図的に示すリソグラフ装置の光学位置測定ユニット37によって、X方向に平行な方向に、及びY方向に平行な方向に測定される。このリソグラフ装置内では上記移送機構によって第2半導体基材23を所定の精度で、第2基材ホルダ13に対し位置決めされる。図1に示すように、光学位置測定ユニット37もフレーム1に固定されている。第1半導体基材19の露光が完了した後、以下に説明するように、第1基材ホルダ11を位置決め装置3によって、作動位置から測定位置に動かし、この位置から第1半導体基材19を上記移送機構によってマガジンに復帰させる。同様に、以下に説明するように、第2半導体基材23は測定位置から作動位置に位置決め装置3によって移動する。第2基材ホルダ13に対する第2半導体基材23の位置は測定位置において、既に測定されており、第2半導体基材23は第2基材ホルダ13に対して希望する精度で位置決めされているから、作動位置においては、フレーム1、及び集束ユニット5に対する第2基材ホルダ13の位置の比較的簡単な測定で十分である。基材ホルダに対する半導体基材の測定、及び位置決めには比較的多くの時間を要する。従って、基材ホルダに対する半導体基材の配列が作動位置で行われる1個の基材ホルダのみを有するリソグラフ装置に比較し、2個の移動ユニット25、27を有する本発明位置決め装置3の使用によって、生産高を著しく増大することができる。
図2、及び図3は図1のリソグラフ装置に使用して適する本発明位置決め装置3の第1実施例を示す。位置決め装置3の移動ユニット25、27はそれぞれXアクチュエータ39、41とYアクチュエータ43、45を有する。Xアクチュエータ39、41はそれぞれ第1部分47、49を具え、この第1部分はX方向に平行に延在して関連する移動ユニット25、27の基材ホルダ11、13に固定されており、関連するXアクチュエータ39、41の第2部分51、53に対し、相対的に移動することができる。Yアクチュエータ43、45はそれぞれ第1部分55、57を具え、この第1部分は関連する移動ユニット25、27のXアクチュエータ39、41の第2部分51、53に固定されており、Y方向に平行に延在する関連するYアクチュエータ43、45の第2部分59、61に対し相対的に移動することができる。Xアクチュエータ39、41、及びYアクチュエータ43、45はいわゆる力アクチュエータであって、Xアクチュエータ39の第1部分47、49、及び協働する第2部分51、53は作動中、X方向に平行に、所定の値の相互駆動力を作用させると共に、Yアクチュエータ43、45の第1部分55、57、及び協働する第2部分59、61は作動中、Y方向に平行に、所定の値の相互駆動力を作用させる。これ等力アクチュエータは例えば通常の既知であるリニアローレンツ力モータであり、作動中、所定の値のローレンツ力を専ら発生する。このようにして、基材ホルダ11、13は関連する移動ユニット25、27のXアクチュエータ43、45の適切な駆動力によって、相互に独立してX方向に平行に、それぞれ移動可能である。基材ホルダ11、13はそれぞれ関連する移動ユニット25、27のX−アクチュエータ43、45と共に、関連する移動ユニット25、27のYアクチュエータ43、45の適切な駆動力によって、相互に独立してY方向に移動可能である。
更に、図2、及び図3が示すように、移動ユニット25、27のYアクチュエータ43、45は共通直線案内部63を具え、この案内部に沿って、Yアクチュエータ43、45の第1部分55、57はY方向に平行に移動可能に案内される。位置決め装置3は図面に線図的にのみ示す回転可能ユニット65を具え、この回転可能ユニット65は以下に一層詳細に説明する位置決め装置3のバランスユニット69に固定された第1ディスク状部67と、共通直線案内部63に固定された第2ディスク状部71とを具える。第2ディスク状部71はZ方向に平行に延びる回転軸線73の周りに、第1ディスク状部67に対して回転可能である。この目的のため、回転可能ユニット65に線図的に示す電動機75を設ける。この電動機75はバランスユニット69に固定され、駆動ベルト77によって第2ディスク状部71に連結される。作動中、第1半導体基材19が作動位置で露光され、第2半導体基材23が測定位置で第2基材ホルダ13に対し配列された後、回転可能ユニット65の第2ディスク状部71は第1ディスク状部67に対し回転軸線73の周りに、180°にわたり回転し、従って第1移動ユニット25と第2移動ユニット27と共に、共通直線案内部63は回転軸線73の周りに回転する。共通直線案内部63の上記回転によって、第1基材ホルダ11と共に、第1移動ユニット25を全体として作動位置から測定位置に移動させると共に、第2基材ホルダ13と共に、第2移動ユニット27を全体として測定位置から作動位置に移動させる。図3は共通直線案内部63が180°の全回転運動の一部を行った位置にある位置決め装置3を示す。
上述の位置決め装置3のバランスユニット69は、例えば花崗岩から成る比較的重いバランスブロックを具える。バランスユニット69は図2、及び図3に図示しない静的気体軸受によって、X方向に平行に、及びY方向に平行に延びる案内面79上に、X方向に平行に、及びY方向に平行に移動可能に案内される。案内面79は図1に示す位置決め装置3のベース81上に設けられている。このベースはリソグラフ装置のフレーム1に固定されている。2個の移動ユニット25、27のYアクチュエータ43、45の第2部分59、61は共通直線案内部63、及び回転可能ユニット65を介して、X方向に平行に、及びY方向に平行に見えているバランスユニット69に連結されており、従ってバランスユニット69は位置決め装置3の2個の移動ユニット25、27のため共通バランスユニットを考慮している。作動中、Yアクチュエータ43、45によって発生する駆動力から生じ、Yアクチュエータ43、45の第1部分55、57によって第2部分59、61に作用するアクチュエータ43、45の反力は、共通直線案内部63、及び回転可能ユニット65を介してバランスユニット69に伝達される。Xアクチュエータ39、41によって発生する駆動力から生じ、Xアクチュエータ39、41の第1部分47、49によって第2部分51、53に作用するXアクチュエータ39、41の反力は、Yアクチュエータ43、45の第1部分55、57、及び第2部分59、61、共通直線案内部63、及び回転可能ユニット65を介して、バランスユニット69に伝達される。バランスユニット69はX方向に平行に、及びY方向に平行に案内面79上を移動し得るから、バランスユニット69はこのバランスユニット69に伝達された上記の反力の作用を受けて、X方向に平行に、及び/又はY方向に平行にベース81に対し移動する。バランスユニット69は比較的重いから、バランスユニット69がベース81に対して移動する距離は比較的小さい。従って、2個の移動ユニット25、27の反力は案内面79上のバランスユニット69の移動に変換されるから、上記反力はバランスユニット69、位置決め装置3のベース81、及びリソグラフ装置のフレーム1に機械的振動を生ぜしめない。このような機械的振動は2個の移動ユニット25、27の好ましくない不正確な位置決めを生ずる恐れがある。
上に述べたように、移動ユニット25、27のXアクチュエータ39、41、及びYアクチュエータ43、45は所定値の駆動力を発生するためのいわゆる力アクチュエータを構成する。このような力アクチュエータを使用することによって、相対的にXアクチュエータ39、41、及びYアクチュエータ43、45の第2部分51、53、59、61に対して、第1部分47、49、55、57が占める位置に関し、移動ユニット25、27の駆動力の値を実質的に無関係に、即ち独立したものにすることができる。ベース81に対し相対的な基材ホルダ11、13の位置は第1移動ユニット25、及び第2移動ユニット27の駆動力の値にそれぞれ従うから、力アクチュエータを使用することによって、基材ホルダ11、13の上記位置は移動ユニット25、27の第1部分47、49、55、57、及び第2部分51、53、59、61の位置に対しほぼ独立したものとなり、従って、基材ホルダ11、13の上記位置は第1部分47、49に連結された基材ホルダ11、13に対し相対的な第2部分59、61に連結されたバランスユニット69の位置に対しほぼ独立したものとなる。従って、ベース81に対して相対的に、X方向に平行に指向するバランスユニット69の移動と、ベース81に対するY方向に平行に指向するバランスユニット69の移動と、ベース81に対して相対的に、X方向に平行な移動成分と、Y方向に平行な移動成分との両方を有するバランスユニット69の移動とは、ベース81に対して相対的な基材ホルダ11、13の位置には実質的に影響を有しない。上述したように、バランスユニット69のこのような移動は移動ユニット25、27の反力の結果として生ずる。従って、図1に示す状態では、位置測定ユニット37に対して相対的な第2基材ホルダ13の位置と、集束ユニット5に対して相対的な第1基材ホルダ11の位置とは、機械的振動、又はバランスユニット69の上記移動によっって影響を受けず、従って移動ユニット25、27の反力から生ずる移動ユニット25、27の位置決め精度間の相互の干渉は防止される。
移動ユニット25、27の反力はバランスユニット69に機械的トルクを生ずるから、バランスユニット69はこの反力の作用を受けて、X方向に平行に、及び/又はY方向に平行に移動すると共に、Z方向に平行に指向する回転軸線の周りに回転する。力アクチュエータを使用する効果としてベース81に対して相対的な基材ホルダ11、13の位置に影響を有していないX方向に平行な、及び/又はY方向に平行なバランスユニット69の移動と異なり、バランスユニット69のこのような回転は、別個な手段を講じない限り、一般に、ベース81に対して相対的な基材ホルダ11、13の位置に影響を及ぼす。このような好ましくない影響を防止するため、図2に線図的に示す制御ユニット83を位置決め装置3に設け、位置決め装置3のベース81に固定された2個の光学位置センサ85、87に制御ユニット83を協働させる。位置センサ85、87はY方向に対する共通直線案内部63の方向を測定する。回転可能ユニット65の電動機75を制御ユニット83によって制御し、直線案内部63を180°にわたり回転させる必要がある瞬間を除き、作動中、共通直線案内部63をY方向に平行な位置に保持させる。従って、Xアクチュエータ39、41の第1部分47、49をX方向に平行な位置に保持させる。共通直線案内部63が制御ユニット83によってY方向に平行な位置に保持されるから、X方向に平行に、及び/又はY方向に平行に、ベース81に対するバランスユニット69の移動、及びベース81に対するバランスユニット69の回転はベース81に対する基材ホルダ11、13の位置に実質的に影響を有せず、従ってまた反力によって生ずるバランスユニット69の回転から発生する移動ユニット25、27の位置決め精度間の相互の干渉は防止される。
静的気体軸受によって案内面79上にバランスユニット69を案内することにより、案内面79上にバランスユニット69の実質的に摩擦のない案内を行うことができる。反力によって生ずるバランスユニット69の移動はバランスユニット69と案内面79との間の摩擦力によって実質的に妨害されない。その結果、反力はバランスユニット69の移動にほぼ完全に変換され、ベース81、及びバランスユニット69に残留振動をほぼ発生させない。
図2に線図的に示すように、位置決め装置3にいわゆるドリフト防止手段89を更に設ける。バランスユニット69は実質的に摩擦がない状態で案内面79上に案内されるから、別な手段を講じなければ、外部の干渉力、即ち位置決め装置3によって発生したものでない干渉力の作用を受けて、バランスユニット69が案内面79上を勝手に移動することが起こり得る。そのような干渉力の例は、案内面79に平行に指向しバランスユニット69、及び位置決め装置3に作用する重力の成分である。この成分は案内面79が完全に水平でないと存在する。ドリフト防止手段89は比較的小さいドリフト防止力をバランスユニット69に作用させ、バランスユニット69が勝手に移動するのを防止する。更に、移動ユニット25、27の反力によって生ずるベース81に対するバランスユニット69の移動が乱されることがないようにドリフト防止手段89を構成する必要がある。図2に示す実施例では、ドリフト防止手段89は例えば2個の機械的ばね91、93と、機械的ばね95とを具える。機械的ばね91、93はベース81とバランスユニット69とに固定されていて、X方向に平行にバランスユニット69に比較的小さなばね力を作用させる。一方、機械的ばね95はY方向に平行にバランスユニット69に比較的小さなばね力を作用させる。
図4、及び図5は図1にリソグラフ装置に使用するのに適する本発明位置決め装置97の第2実施例を示す。リソグラフ装置3の構成部分に対応するリソグラフ装置97の構成部分は図4、及び図5においても同一の符号にて示す。位置決め装置97内の基材ホルダ11、13は静的気体軸受を設けたいわゆる空気静力学的に支持されたフット99、101によって、案内面103上をX方向平行に、及びY方向に平行に移動可能にそれぞれ案内される。この案内面103は2個の基材ホルダ11、13に共通であり、X方向に平行に、及びY方向に平行に延在する。位置決め装置97の移動ユニット25、27にはそれぞれ位置決め装置3におけると同様に、力アクチュエータとして構成されたXアクチュエータ105、107、及び2個のYアクチュエータ109、111、及び113、115を設ける。Xアクチュエータ105、107にはそれぞれX方向に平行に延在する第2部分121、123に対し移動可能に案内される第1部分117、119を設けると共に、Yアクチュエータ109、111、113、115にはそれぞれY方向に平行に延在する第2部分133、135、137、139に対し移動可能に案内される第1部分125、127、129、131を設ける。図4に示すように、Xアクチュエータ105、107の第2部分121、123をそれぞれ関連する移動ユニット25、27の2個のYアクチュエータ109、111、113、115の第1部分125、127、及び129、131の両方に連結する。Xアクチュエータ105、107の第2部分121、123はZ方向に平行な枢着軸線141、143、145、147の周りに、関連するYアクチュエータ109、111、及び113、115の2個の第1部分125、127、及び129、131に対し回動する。
Xアクチュエータの第1部分117、119は以下に更に説明するようにX方向に平行に、及びY方向に平行に設けられた関連する移動ユニット25、27の基材ホルダ11、13にそれぞれ連結される。Yアクチュエータ109、111、113、115の第2部分133、135、137、139はそれぞれ2個の移動ユニット25、27に共通のバランスユニット149に固定されている。このバランスユニット149は位置決め装置3のバランスユニット69に相当しており、このバランスユニット149は図面に示されていない静的気体軸受によって案内面79上をX方向に平行に、Y方向に平行に移動可能に案内される。案内面79はX方向に平行に、Y方向に平行に延在し、フレーム1に固定された位置決め装置97のベース81に属している。バランスユニット149は同時に、2個の基材ホルダ11、13のための共通支持体であり、基材ホルダ11、13の共通案内面103はバランスユニット149の上面である。位置決め装置3のバランスユニット69と同様、位置決め装置97のバランスユニット149にはドリフト防止手段89、91、93、95を設ける。基材ホルダ11、13はそれぞれXアクチュエータ105、107によって、相互に独立してX方向に平行に移動可能であり、更に2個のYアクチュエータ109、111、及び2個のYアクチュエータ113、115の等しい移動量によって、相互に独立してY方向に平行に基材ホルダ11、13は移動可能である。作動中、Xアクチュエータ105、107の第2部分121、123、Yアクチュエータ109、111、113、115の第1部分125、127、129、131、及びYアクチュエータ109、111、113、115の第2部分133、135、137、139を介して、Xアクチュエータ105、107の反力はバランスユニット149に伝達されると共に、Yアクチュエータ109、111、113、115の反力はYアクチュエータ109、111、113、115の第2部分133、135、137、139を介してバランスユニット149に直接伝達される。
以下に一層詳細に説明する継手部材151、153を基材ホルダ11、13にそれぞれ設け、これ等継手部材によって、基材ホルダ11、13を第1移動ユニット25のXアクチュエータ105の第1部分117と、第2移動ユニット27のXアクチュエータ107の第1部分119とに、交互にX方向に平行に、及びY方向に平行に連結することができる。この目的のため、第1基材ホルダ11の継手部材151には第1部分155、及び第2部分157を設け、第1部分155によって第1移動ユニット25のXアクチュエータ105の第1部分117に第1基材ホルダ11を連結し得るようにすると共に、第2部分157によって第2移動ユニット27のXアクチュエータ107の第1部分119に第1基材ホルダ11を連結し得るようにする。同様に、第2基材ホルダ13の継手部材153には第1部分159、及び第2部分161を設け、第1部分159によって第1移動ユニット25のXアクチュエータ105の第1部分117に第2基材ホルダ13を連結し得るようにすると共に、第2部分161によって第2移動ユニット27のXアクチュエータ107の第1部分119に第2基材ホルダ13を連結し得るようにする。
図1、及び図4に示す状態、即ち第1基材ホルダ11が作動位置にあって、第2基材ホルダ13が測定位置にある状態では、継手部材151の第1部分155を介して、第1移動ユニット25のXアクチュエータ105の第1部分117に第1基材ホルダ11を連結すると共に、継手部材153の第2部分161を介して、第2移動ユニット27のXアクチュエータ107の第1部分119に第2基材ホルダ13を連結する。第1基材ホルダ11が作動位置から測定位置に移動し、第2基材ホルダ13が測定位置から作動位置に移動する際、基材ホルダ11、13は共通案内面103上を相互に通過することが必要である。これを達成するため、第1移動ユニット25によって第1基材ホルダ11を作動位置から、作動位置と測定位置との間の図5に示す第1中間位置M′に移動させ、同時に、第2移動ユニット27によって第2基材ホルダ13を測定位置から、作動位置と測定位置との間に位置し第1中間位置M′の隣にある図5に示す第2中間位置M″移動させる。上記の中間位置M′、M″においては、基材ホルダ11、13はそれぞれ第1移動ユニット25、及び第2移動ユニット27に連結されていない。従って、第1移動ユニット25のXアクチュエータ105の第1部分117は第1中間位置M′から第2中間位置M″に動き、この第2中間位置M″で、第2基材ホルダ13の継手部材153の第1部分159に連結される。同様に、第2移動ユニット27のXアクチュエータ107の第1部分119は第2中間位置M″から第1中間位置M″に動き、この第1中間位置で第1基材ホルダ11の継手部材151の第2部分157に連結される。このようにして図5に示す状態になり、第1中間位置M′にある第1基材ホルダ11は第2移動ユニット27のXアクチュエータ107の第1部分119に連結されていると共に、第2中間位置M″にある第2基材ホルダ13は第1移動ユニット25のXアクチュエータ105の第1部分117に連結されている。最後に、第1基材ホルダ11は第2移動ユニット27によって、第1中間位置M′から測定位置に動かされると共に、同時に第2基材ホルダ13は第1移動ユニット25によって、第2中間位置M″から作動位置に動かされる。Yアクチュエータ109、111、113、115の第1部分125、127、129、131が第2部分133、135、137、139に対して、移動しなければならない距離は継手部材151、153を使用することによって減少するから、移動ユニット25、27の寸法を減少させる。更に、Xアクチュエータ105、107の第2部分121、123がY方向に平行に相互に通過しなくともよいようになっているため移動ユニット25、27は簡単な構造に維持される。
上述したように基材ホルダ11、13の継手部材151、153はいわゆるXYローレンツ力アクチュエータとして構成されている。この目的のため、継手部材151、153の第1部分155、159は通常の既知のものである永久磁石システムを具えると共に、第1移動ユニット25のXアクチュエータ105の第1部分117は通常の既知の電気コイルシステム163を具える。この電気コイルシステム163は第1基材ホルダ11の継手部材151の第1部分155と、第2基材ホルダ13の継手部材153の第1部分159とに交互に協働するように設計されている。継手部材151、153の第2部分157、161はそれぞれ通常の既知の1組の永久磁石を具え、第2移動ユニット27のXアクチュエータ107の第1部分119も通常の既知の電気コイルシステム165を具える。この電気コイルシステム165は第1基材ホルダ11の継手部材151の第2部分157と、第2基材ホルダ13の継手部材153の第2部分161とに交互に協働するように設計されている。
コイルシステム163、継手部材151の第1部分155、又は適用可能なように継手部材153の第1部分159によって形成されたXYローレンツ力アクチュエータはX方向に平行なローレンツ力、Y方向に平行なローレンツ力、及びZ方向に平行に指向するモーメント軸線の周りのローレンツ力のモーメントを発生させるのに適しており、従って第1基材ホルダ11、又は適用可能なように第2基材ホルダ13は上記XYローレンツ力アクチュエータによってX方向に平行に、及び/又はY方向に平行に比較的僅かな距離にわたり、第1移動ユニット25のXアクチュエータ105の第1部117に対し移動することができ、またこの第1基材ホルダ11、又は第2基材ホルダ13はZ方向に平行に指向する回転軸線の周りに、比較的小さい角度にわたり第1部分117に対して回転可能である。同様に、コイルシステム165、継手部材151の第2部分157、又は適用可能なように継手部材153の第2部分161によって形成されたXYローレンツ力アクチュエータはX方向に平行なローレンツ力、Y方向に平行なローレンツ力、及びZ方向に平行に指向するモーメント軸線の周りのローレンツ力のモーメントを発生するのに適しており、従って第1基材ホルダ11、又は適用可能なように第2基材ホルダ13は上記XYローレンツ力アクチュエータによって、X方向に平行な、及び/又はY方向に平行な比較的小さい距離にわたり第2移動ユニット27のXアクチュエータ107の第1部分119に対し移動することができる。また第1基材ホルダ11、又は第2基材ホルダ13はZ方向に平行に指向する回転軸線の周りに比較的小さい角度にわたり第1部分119に対し回転可能である。上述のXYローレンツ力アクチュエータを使用することによって、継手部材151、153の特に簡単で実際的な構造を提供でき、上記磁石システムとコイルシステムとの間に作用するローレンツ力の作用と不作用とを通じて、継手部材151、153の連結と離脱とを簡単に達成することができる。更に、このXYローレンツ力アクチュエータは移動ユニット25、27のための第2の微細な駆動ステージとして作用する。これにより、Xアクチュエータ105、107、及びYアクチュエータ109、111、113、115によって形成された第1駆動ステージに対し基材ホルダ11、13を比較的正確に位置決めすることができる。
位置決め装置3のバランスユニット69同様、位置決め装置97のバランスユニット149はこのバランスユニット149に作用する移動ユニット25、27の反力の結果として、Z方向に平行に指向する回転軸線の周りに回転する。バランスユニット149の回転がベース81に対する基材ホルダ11、13の好ましくない移動を生ぜしめるのを防止するため、位置決め装置97には第1制御ユニット167と第2制御ユニット169とを設け、第1制御ユニット167によって第1移動ユニット25のXアクチュエータ105の第2部分121をX方向に平行な位置に保持することができ、第2制御ユニット169によって第2移動ユニット27のXアクチュエータ107の第2部分123をX方向に平行な位置に保持することができる。図4に示すように、第1制御ユニット167はベース81に固定された2個の光学位置センサ171、173に協働し、これ等光学位置センサによって、X方向に対するXアクチュエータ105の第2部分121の方向を測定する。同様に、第2制御ユニット169はベース81に固定された2個の光学センサ175、177に協働し、これ等光学位置センサによってX方向に対するXアクチュエータ107の第2部分123の方向を測定する。バランスユニット149が回転する場合、Xアクチュエータ105の第2部分121がX方向に平行な位置に留まるよう、第1制御ユニット167は第1移動ユニット25の2個のYアクチュエータ109、111を制御する。同様に、バランスユニット149が回転する場合、Xアクチュエータ107の第2部分123がX方向に平行な位置に留まるよう、第2制御ユニット169は第2移動ユニット27の2個のYアクチュエータ113、115を制御する。このようにして、Xアクチュエータ105、107の第2部分121、123がX方向に平行な位置に保持されることによって、ベース81に対する基材ホルダ11、13の好ましくない移動を一般に引き起こす原因となるXアクチュエータ105、107、及びそれに連結された基材ホルダ11、13の回転を防止する。
図6に線図的に示す本発明リソグラフ装置に、いわゆる「ステップアンドスキャン」の原理によるイメージング法を使用する。図6においては図1に示すリソグラフ装置の構成部分に相当する構成部分は同一の符号にて示す。「ステップアンドスキャン」の原理によるイメージング法においては、露光中、第1半導体基材19は集束ユニット5に対して一定位置にあるのでなく、一露光中、第1半導体基材19、及びマスク35は集束ユニット5に対しX方向に平行に、同期して移動する。この目的のため、図6のリソグラフ装置には第1半導体基材19を移動させるための位置決め装置3を設けると共に、集束ユニット5に対してマスク35をX方向に平行に移動させる別個の位置決め装置179を設ける。この別個の位置決め装置179も図6のリソグラフ装置内にある本発明位置決め装置である。図6に線図的に示すように、この別個の位置決め装置179は第1マスクホルダ181と、同一の第2マスクホルダ183とを有する。マスクホルダ181、183は、それぞれZ方向に垂直に延在する支持面であってこの支持面上に第1マスク35を設置することができる支持面185と、Z方向に垂直に延在する支持面であってこの支持面上に第2マスク35′を設置することができる支持面187とを有する。
第1マスクホルダ181は位置決め装置179の第1移動ユニット189によってX方向に平行に、Y方向に平行に第1フレーム1に対して位置決めすることができ、第2マスクホルダ183は位置決め装置179の第2移動ユニット191によって、X方向に平行に、Y方向に平行に第1フレーム1に対して位置決めすることができる。図6に示す状態では、第1マスク35と共に第1マスクホルダ181は位置決め装置179の作動位置にあって、第1半導体基材19を第1マスク35を通じて照射することができ、一方第2マスク35′と共に第2マスクホルダ183は位置決め装置179の測定位置にある。この測定位置では、リソグラフ装置のフレーム1に固定されたリソグラフ装置の別個の位置測定ユニット193によって第2マスクホルダ183に対する第2マスク35′の位置を測定することができる。簡明のため、図6には図示しない別個の移送機構によって、第2マスクホルダ183に対して必要な精度で、第2マスク35′を更に測定位置に位置決めすることができる。この移送機構を使用して、マスクマガジンから位置決め装置179の測定位置に、順次使用されるマスクを移送する。1個又は数個の半導体基材を照射するため第1マスク35を使用し終わった後、位置決め装置179によって、第1マスクホルダ181を作動位置から測定位置に移動させ、上記移送機構によって、第1マスク35を測定位置からマスクマガジンに復帰させる。同時に、位置決め装置179によって第2マスク35′と共に第2マスクホルダ183を測定位置から作動位置に動かす。本発明位置決め装置179を使用することによって、リソグラフ装置の生産高を更に増大することができる。これは作動位置に到達すると、順次、使用すべきマスクは関連するマスクホルダに対し、既に配列されているからである。
別個の位置決め装置179を図7に線図的に示す。この位置決め装置179のマスクホルダ181、183は、空気静力学的に支持されるフット195、及び197によって、X方向に平行に、Y方向に平行に延在する支持体201の共通案内面199上をX方向に平行に、Y方向に平行にそれぞれ移動可能に案内される。回転可能ユニット203を介して、支持体201をバランスユニット205に固定する。位置決め装置179のベース209の一部を形成している案内面207上に、静的気体軸受によって、X方向に平行に、Y方向に平行に、バランスユニット205は移動可能に案内される。図6に線図的に示すように、位置決め装置179のベース209はリソグラフ装置のフレーム1に固定されている。位置決め装置179の回転可能ユニット203、及びバランスユニット205は先に説明した位置決め装置3の回転可能ユニット65、及びバランスユニット69にほぼ相当する。
位置決め装置179の第1移動ユニット189、及び第2移動ユニット191はそれぞれ力アクチュエータとして構成されたXアクチュエータ211、213を具える。Xアクチュエータ211、213は、それぞれX方向にほぼ平行に延在する関連するXアクチュエータ211、213の第2部分219、221に対しX方向に平行に移動可能である第1部分215、217を具える。Xアクチュエータ211、213の第2部分219、221は支持体201に固定されており、これ等第2部分219、221はX方向にほぼ平行に延在する共通直線案内部223を有する。更に、移動ユニット189、191はそれぞれXYローレンツ力アクチュエータ225、227を具え、このアクチュエータは関連する移動ユニット189、191のマスクホルダ181、183に固定される永久磁石システム229、231と、関連する移動ユニット189、191のXアクチュエータ211、213の第1部分215、217に固定された電気コイルシステム233、235とを有する。マスクホルダ181、183はXアクチュエータ211、213によって、比較的大きな距離にわたり、比較的低い精度で、ベース209に対しX方向に平行に移動させることができ、一方マスクホルダ181、183はXYローレンツ力アクチュエータ225、227によって、比較的小さな距離にわたり、比較的高い精度で、X方向、及びY方向に平行なXアクチュエータ211、213の第1部分215、217に対し、移動させることができ、しかもマスクホルダ181、183はZ方向に平行に指向する軸線の周りに、上記第1部分215、217に対し限定された角度にわたり回転可能である。XYローレンツ力アクチュエータ225、227を使用することによって、半導体基材の露光中、Y方向に平行に、比較的高い精度でマスクホルダ181、183を位置決めすることができ、X方向に平行に指向するマスクホルダ181、183の移動をX方向に対し高度に平行にすることができる。最後に、位置決め装置3と同様、位置決め装置179は制御ユニット237を有する。支持体201を回転可能ユニット203によってベース209に対し、180°にわたり回転させる瞬間を除き、作動中、制御ユニット237によって、直線案内223をX方向に平行な位置に保持する。図7に線図的に示すように、制御ユニット237は2個の光学位置センサ239、241に協働し、この制御ユニット237は回転可能ユニット203の電動機243を制御する。
図1、及び図6に示すリソグラフ装置において、製造下にある一団の半導体基材は或るマスクを介して順次、照射され、この一団は次のマスクを介して順次照射される。半導体基材を移動させるための本発明位置決め装置3、97を使用することによって、リソグラフ装置の生産高を著しく増大することができ、更にマスクを移動させるため本発明の別個の位置決め装置179を使用することによって、生産高を更に増大することができる。製造下にある半導体基材に一連のマスクを介して順次照射を行い、次の半導体基材に上記一連のマスクを介して照射を行うようにして、本発明をリソグラフ装置に適用することができる。マスクの移動のための位置決め装置が専ら本発明装置であり、半導体基材の移動のための位置決め装置が通常の位置決め装置である場合のリソグラフ装置でも、リソグラフ装置の生産高の大部分の増大を達成することができる。
上述の本発明リソグラフ装置は集積電子半導体回路の製造において半導体基材を露光するのに使用される。リソグラフ装置によってマスクパターンを基材上に結像させて、ミクロン以下の範囲の微細な寸法を有する構造を設けた他の製品の製造にもこのようなリソグラフ装置を使用することができる。その例としては、集積光学システム、又は磁気ドメイン記憶装置の伝導検出パターンの構造、及び液晶影像ディスプレイパターンの構造がある。
本発明位置決め装置はリソグラフ装置に使用されるだけでなく、仕上機械、工作機械、及び処理すべき物品を測定位置にある物品ホルダに対し配列し、次に作動位置で処理する機械、又は装置に使用することができる。
上述したように、本発明位置決め装置3の移動ユニット25、27はそれぞれXアクチュエータ39、41、及びYアクチュエータ43、45を有する。上述の本発明位置決め装置97の移動ユニット25、27はそれぞれXアクチュエータ105、107、2個のYアクチュエータ109、111、及び113、115、及びXYローレンツ力アクチュエータ151、153を具える。上述の本発明位置決め装置179の移動ユニット189、191はそれぞれXアクチュエータ211、213、及びXYローレンツ力アクチュエータ225、227を具える。また本発明位置決め装置は代わりの形式の移動ユニットを具えていてもよい。従って、上述のリニアXアクチュエータ、及びYアクチュエータの代わりに、通常のそれ自身既知のいわゆるプレーナ電磁モータを使用してもよい。また代わりに、一方ではXアクチュエータ39、41の2個の第1部分47、49のそれぞれと、他方では対応する基材ホルダ11、13との間に、例えばXYZローレンツ力アクチュエータを位置決め装置3内に使用することも可能であり、これにより、X方向に平行に、Y方向に平行に、Z方向に平行に、高い精度で、僅かな距離にわたり、基材ホルダ11、13を対応する第1部分47、49に対し移動可能にし、更に、X方向に平行な回転軸線、Y方向に平行な回転軸線、及びZ方向に平行な回転軸線の周りに、限定された角度にわたり、基材ホルダ11、13を対応する第1部分47、49に対して、回転可能にすることができる。このようなXYZローレンツ力アクチュエータは使用されているXYローレンツ力アクチュエータ、及び空気静力学的に支持されるフットに代え、例えば位置決め装置97、179内に使用することができる。
移動可能な基材ホルダを有する本発明リソグラフ装置を示す線図。 図1のリソグラフ装置の基材ホルダを移動可能にした本発明位置決め装置の第1実施例の線図的平面図。 回転した位置にある図2の位置決め装置。 図1のリソグラフ装置の基材ホルダが移動可能である本発明位置決め装置の第2実施例の線図的平面図。 位置決め装置の2個の基材ホルダが中間位置にある図4の位置決め装置。 移動可能な基材ホルダ、及び移動可能なマスクホルダを有する本発明リソグラフ装置の線図。 図6のリソグラフ装置のマスクホルダを移動させるために使用する別個の本発明位置決め装置の線図。

Claims (10)

  1. ベースと、第1移動ユニットと、第2移動ユニットとを具え、前記第1移動ユニットはX方向、および当該X方向に垂直なY方向に平行に前記ベースに対し移動し得る第1物品ホルダを有し、前記第2移動ユニットはX方向およびY方向に平行に前記ベースに対し移動し得る第2物品ホルダを有し、前記第1物品ホルダと第2物品ホルダとは測定位置から作動位置に前記ベースに対し連続的に移動可能であり、前記第1移動ユニットおよび第2移動ユニットはそれぞれ作動中、相互に移動可能な位置決め装置において、
    X方向およびY方向に平行に前記ベースに対して移動可能なバランスユニットが設けられ、
    前記バランスユニットに対して回転可能に支持された回転可能ユニットが設けられ、
    前記回転可能ユニット上に前記第1移動ユニットおよび前記第2移動ユニットが設けられており、
    前記第1移動ユニットおよび前記第2移動ユニットはそれぞれXアクチュエータとYアクチュエータを備え、
    各前記Xアクチュエータは第1部分および第2部分を備え、当該第1部分が前記物品ホルダに連結され、かつ、前記第2部分に対し移動可能に構成されており、
    各前記Yアクチュエータは第1部分を備え、当該第1部分が関連する前記移動ユニットの前記Xアクチュエータの前記第2部分に連結されており、前記Yアクチュエータには各前記第1部分を沿わせて移動可能に案内する共通直線案内部が設けられており、前記共通直線案内部が前記回転可能ユニットに固定されていることを特徴とする、
    位置決め装置。
  2. ベースと、第1移動ユニットと、第2移動ユニットとを具え、前記第1移動ユニットはX方向、および当該X方向に垂直なY方向に平行に前記ベースに対し移動し得る第1物品ホルダを有し、前記第2移動ユニットはX方向およびY方向に平行に前記ベースに対し移動し得る第2物品ホルダを有し、前記第1物品ホルダと第2物品ホルダとは測定位置から作動位置に前記ベースに対し連続的に移動可能であり、前記第1移動ユニットおよび第2移動ユニットはそれぞれ作動中、相互に移動可能な位置決め装置において、
    X方向およびY方向に平行に前記ベースに対して移動可能なバランスユニットが設けられ、
    前記バランスユニット上に前記第1移動ユニットおよび前記第2移動ユニットが設けられており、
    前記第1移動ユニットおよび前記第2移動ユニットは、それぞれXアクチュエータとYアクチュエータを備え、
    各前記Xアクチュエータは第1部分および第2部分を備え、当該第1部分が前記物品ホルダに連結され、かつ、前記第2部分に対し移動可能に構成されており、
    各前記Yアクチュエータは第1部分および第2部分を備え、当該第1部分が関連する前記移動ユニットのXアクチュエータの前記第2部分に連結されており、かつ、関連する前記Yアクチュエータの第2部分に対し移動可能に構成されており、前記第2部分が前記バランスユニットに固定されており、
    前記物品ホルダの両方にローレンツ力アクチュエータを備える継手部材を設け、この継手部材により関連する前記物品ホルダが、前記第1移動ユニットの前記Xアクチュエータの前記第1部分、及び前記第2移動ユニットの前記Xアクチュエータの前記第1部分に着脱可能に構成されていることを特徴とする、
    位置決め装置。
  3. 前記Xアクチュエータおよび前記Yアクチュエータは、専らローレンツ力を発生するように構成されていることを特徴とする、
    請求項1または2に記載の位置決め装置。
  4. X方向に平行に、Y方向に平行に延在するベースの案内面上を静的空気軸受によって前記バランスユニットが移動可能に案内されるよう構成したことを特徴とする、
    請求項1から3までのいずれか1項に記載の位置決め装置。
  5. 少なくとも1個のアクチュエータを制御する制御ユニットを前記位置決め装置に設け、この制御ユニットによって2個の前記移動ユニットの前記Xアクチュエータの少なくとも前記第2部分をX方向に平行な位置に保持し得るようにしたことを特徴とする、
    請求項1から4までのいずれか1項に記載の位置決め装置。
  6. 前記制御ユニットが前記回転可能ユニットを制御するよう構成したことを特徴とする、
    請求項5に記載の位置決め装置。
  7. 2個の前記移動ユニットにはY方向に平行に延在する第2部分をそれぞれ設けた2個のYアクチュエータをそれぞれ設け、X方向に垂直に、Y方向に垂直に延びる回動軸の周りに、2個の前記移動ユニットの前記Xアクチュエータの前記第2部分を関連する前記Yアクチュエータの2個の前記第1部分に対しそれぞれ回動可能に構成し、前記制御ユニットにより両方の前記移動ユニットの前記Yアクチュエータを制御するようにしたことを特徴とする、
    請求項5または6に記載の位置決め装置。
  8. 放射源と、マスクホルダと、集束ユニットと、位置決め装置とを固定するフレームを具え、前記集束ユニットは主軸線を有し、前記位置決め装置はこの主軸線に垂直なX方向に平行に、及びX方向に垂直で前記主軸線にも垂直なY方向に平行に、前記集束ユニットに対し移動可能な基材ホルダを具えるリソグラフ装置において、
    前記位置決め装置の2個の前記物品ホルダのおのおのが前記リソグラフ装置の基材ホルダであり、前記位置決め装置の前記ベースが前記フレームに固定されている間、前記集束ユニットを介して前記放射源により基材ホルダ上に設置し得る基材を照射し得る位置が前記基材ホルダの前記作動位置であり、
    請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の位置決め装置がここに使用する前記位置決め装置であることを特徴とする、
    リソグラフ装置。
  9. 前記リソグラフ装置が別個の位置決め装置を具え、この別個の位置決め装置により前記マスクホルダを少なくともX方向に平行に前記集束ユニットに対し移動可能に構成したことを特徴とする、
    請求項8に記載のリソグラフ装置。
  10. 位置決め装置と、集束ユニットと、別個の位置決め装置と、放射源とを固定するフレームを具え、前記集束ユニットは主軸線を有し、前記位置決め装置はこの主軸線に垂直なX方向に平行に、及びX方向に垂直で前記主軸線にも垂直なY方向に平行に、前記集束ユニットに対し移動可能な基材ホルダを具え、前記別個の位置決め装置は少なくともX方向に平行に前記集束ユニットに対し移動可能なマスクホルダを具えているリソグラフ装置において、
    前記別個の位置決め装置の2個の前記物品ホルダのそれぞれがX方向に平行に、Y方向にも平行に前記別個の位置決め装置によって位置決めされ得る前記リソグラフ装置のマスクホルダであり、前記別個の位置決め装置の前記ベースが前記フレームに固定されている間、マスクホルダ上に設置し得るマスクを前記放射源によって照射し得る位置が前記マスクホルダの作動位置であり、
    請求項1から請求項9までのいずれか1項に記載の位置決め装置が前記別個の位置決め装置であることを特徴とする、
    リソグラフ装置。
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Families Citing this family (661)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5528118A (en) * 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
JPH10209039A (ja) 1997-01-27 1998-08-07 Nikon Corp 投影露光方法及び投影露光装置
WO1998040791A1 (en) * 1997-03-10 1998-09-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Positioning device having two object holders
JPH10270535A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Nikon Corp 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法
KR100521704B1 (ko) 1997-09-19 2005-10-14 가부시키가이샤 니콘 스테이지장치, 주사형 노광장치 및 방법, 그리고 이것으로제조된 디바이스
TW448487B (en) 1997-11-22 2001-08-01 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device
DE69933903T2 (de) * 1998-04-14 2007-05-24 Asml Netherlands B.V. Lithograpischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP0957275A3 (en) 1998-05-14 2000-12-06 Asm Lithography B.V. Gas bearing and lithographic apparatus including such a bearing
WO1999066542A1 (fr) * 1998-06-17 1999-12-23 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition
TW490596B (en) * 1999-03-08 2002-06-11 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus
US7116401B2 (en) * 1999-03-08 2006-10-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus using catoptrics in an optical sensor system, optical arrangement, method of measuring, and device manufacturing method
US6924884B2 (en) 1999-03-08 2005-08-02 Asml Netherlands B.V. Off-axis leveling in lithographic projection apparatus
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
TW513617B (en) 1999-04-21 2002-12-11 Asml Corp Lithographic projection apparatus and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus
TW561279B (en) * 1999-07-02 2003-11-11 Asml Netherlands Bv Reflector for reflecting radiation in a desired wavelength range, lithographic projection apparatus containing the same and method for their preparation
TW587199B (en) 1999-09-29 2004-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus
JP2001118773A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
DE60032568T2 (de) * 1999-12-01 2007-10-04 Asml Netherlands B.V. Positionierungsapparat und damit versehener lithographischer Apparat
JP2001160530A (ja) 1999-12-01 2001-06-12 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
TW546551B (en) 1999-12-21 2003-08-11 Asml Netherlands Bv Balanced positioning system for use in lithographic apparatus
EP1111470B1 (en) * 1999-12-21 2007-03-07 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a balanced positioning system
TW538256B (en) 2000-01-14 2003-06-21 Zeiss Stiftung Microlithographic reduction projection catadioptric objective
TW588222B (en) * 2000-02-10 2004-05-21 Asml Netherlands Bv Cooling of voice coil motors in lithographic projection apparatus
TWI240849B (en) * 2000-02-10 2005-10-01 Asml Netherlands Bv Object positioning method for a lithographic projection apparatus
DE10006527A1 (de) * 2000-02-15 2001-08-23 Infineon Technologies Ag Halbautomat zum halbautomatischen Abziehen von UV- Folie
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
JP2001257143A (ja) 2000-03-09 2001-09-21 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US6437463B1 (en) * 2000-04-24 2002-08-20 Nikon Corporation Wafer positioner with planar motor and mag-lev fine stage
US7508487B2 (en) * 2000-06-01 2009-03-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP4474020B2 (ja) * 2000-06-23 2010-06-02 キヤノン株式会社 移動装置及び露光装置
US6630984B2 (en) 2000-08-03 2003-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7561270B2 (en) 2000-08-24 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
TW527526B (en) * 2000-08-24 2003-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
TWI232356B (en) 2000-09-04 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
TW548524B (en) * 2000-09-04 2003-08-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
EP1197803B1 (en) 2000-10-10 2012-02-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP2081086B1 (en) 2000-11-07 2013-01-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6757053B1 (en) 2000-11-16 2004-06-29 Nikon Corporation Stage assembly including a reaction mass assembly
US6593997B1 (en) * 2000-11-16 2003-07-15 Nikon Corporation Stage assembly including a reaction assembly
US6958808B2 (en) 2000-11-16 2005-10-25 Nikon Corporation System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly
US6603531B1 (en) * 2000-11-16 2003-08-05 Nikon Corporation Stage assembly including a reaction assembly that is connected by actuators
US6885430B2 (en) 2000-11-16 2005-04-26 Nikon Corporation System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly
TW591342B (en) * 2000-11-30 2004-06-11 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and integrated circuit manufacturing method using a lithographic projection apparatus
US7113258B2 (en) * 2001-01-15 2006-09-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US6987558B2 (en) 2001-01-16 2006-01-17 Nikon Corporation Reaction mass for a stage device
US6927838B2 (en) 2001-02-27 2005-08-09 Nikon Corporation Multiple stage, stage assembly having independent stage bases
US20020117109A1 (en) * 2001-02-27 2002-08-29 Hazelton Andrew J. Multiple stage, stage assembly having independent reaction force transfer
US6792591B2 (en) * 2001-02-28 2004-09-14 Asml Masktools B.V. Method of identifying an extreme interaction pitch region, methods of designing mask patterns and manufacturing masks, device manufacturing methods and computer programs
DE60219844T2 (de) * 2001-03-01 2008-01-17 Asml Netherlands B.V. Verfahren zur Übernahme einer lithographischen Maske
TW571571B (en) 2001-03-14 2004-01-11 Asml Masktools Bv An optical proximity correction method utilizing ruled ladder bars as sub-resolution assist features
US7735052B2 (en) * 2001-04-24 2010-06-08 Asml Masktools Netherlands B.V. Method of identifying an extreme interaction pitch region, methods of designing mask patterns and manufacturing masks, device manufacturing methods and computer programs
JP4814438B2 (ja) * 2001-05-02 2011-11-16 日本トムソン株式会社 リニアモータを内蔵したステージ装置
TW536659B (en) 2001-05-23 2003-06-11 Asml Netherlands Bv Substrate provided with an alignment mark in a substantially transmissive process layer, mask for exposing said mark, device manufacturing method, and device manufactured thereby
KR100548713B1 (ko) * 2001-06-20 2006-02-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 디바이스제조방법, 이것에 의하여 제조된 디바이스 및상기 방법에 사용하기 위한 마스크
US6788385B2 (en) * 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
US6903346B2 (en) * 2001-07-11 2005-06-07 Nikon Corporation Stage assembly having a follower assembly
TW529172B (en) * 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
US6674512B2 (en) 2001-08-07 2004-01-06 Nikon Corporation Interferometer system for a semiconductor exposure system
US6785005B2 (en) 2001-09-21 2004-08-31 Nikon Corporation Switching type dual wafer stage
US7026081B2 (en) * 2001-09-28 2006-04-11 Asml Masktools B.V. Optical proximity correction method utilizing phase-edges as sub-resolution assist features
KR100592822B1 (ko) * 2001-10-19 2006-06-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치, 디바이스제조방법
US6665054B2 (en) 2001-10-22 2003-12-16 Nikon Corporation Two stage method
KR100436213B1 (ko) * 2001-12-17 2004-06-16 미래산업 주식회사 반도체 소자 테스트 핸들러용 소자 정렬장치
US6927505B2 (en) 2001-12-19 2005-08-09 Nikon Corporation Following stage planar motor
US7002668B2 (en) * 2002-03-08 2006-02-21 Rivin Eugeny I Stage positioning unit for photo lithography tool and for the like
US7170587B2 (en) * 2002-03-18 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7333178B2 (en) * 2002-03-18 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6724466B2 (en) 2002-03-26 2004-04-20 Nikon Corporation Stage assembly including a damping assembly
US7061577B2 (en) 2002-03-26 2006-06-13 Nikon Corporation Image adjustor including damping assembly
EP1367446A1 (en) 2002-05-31 2003-12-03 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP1383007A1 (en) * 2002-07-16 2004-01-21 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, and device manufacturing method
SG109523A1 (en) * 2002-08-15 2005-03-30 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and reflector assembly for use in said apparatus
CN100337089C (zh) 2002-09-20 2007-09-12 Asml荷兰有限公司 器件检验
EP1400860B1 (en) 2002-09-20 2013-11-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic marker structure, lithographic projection apparatus comprising such a lithographic marker structure and method for substrate alignment using such a lithographic marker structure
TWI246114B (en) * 2002-09-24 2005-12-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
TWI250387B (en) * 2002-09-30 2006-03-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG128447A1 (en) * 2002-09-30 2007-01-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121819A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG116510A1 (ja) * 2002-11-12 2005-11-28
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP1429188B1 (en) 2002-11-12 2013-06-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus
SG137657A1 (en) * 2002-11-12 2007-12-28 Asml Masktools Bv Method and apparatus for performing model-based layout conversion for use with dipole illumination
EP1420302A1 (en) 2002-11-18 2004-05-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG115590A1 (en) * 2002-11-27 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
SG111171A1 (en) * 2002-11-27 2005-05-30 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
TW200412617A (en) * 2002-12-03 2004-07-16 Nikon Corp Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method
JP4525062B2 (ja) * 2002-12-10 2010-08-18 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP1571700A4 (en) 2002-12-10 2007-09-12 Nikon Corp OPTICAL DEVICE AND PROJECTION EXPOSURE DEVICE USING THE OPTICAL DEVICE
KR101037057B1 (ko) * 2002-12-10 2011-05-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE60323927D1 (de) * 2002-12-13 2008-11-20 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN100335974C (zh) * 2002-12-19 2007-09-05 Asml荷兰有限公司 光刻投影掩模和使用该掩模制造器件的方法及制造的器件
EP1431825A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and substrate holder
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
EP1434092A1 (en) 2002-12-23 2004-06-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
CN100476585C (zh) * 2002-12-23 2009-04-08 Asml荷兰有限公司 具有可扩展薄片的杂质屏蔽
TWI286674B (en) * 2002-12-27 2007-09-11 Asml Netherlands Bv Container for a mask, method of transferring lithographic masks therein and method of scanning a mask in a container
TWI237744B (en) 2003-01-14 2005-08-11 Asml Netherlands Bv Level sensor for lithographic apparatus
US7594199B2 (en) * 2003-01-14 2009-09-22 Asml Masktools B.V. Method of optical proximity correction design for contact hole mask
TWI304158B (en) * 2003-01-15 2008-12-11 Asml Netherlands Bv Detection assembly and lithographic projection apparatus provided with such a detection assembly
US6963821B2 (en) * 2003-02-11 2005-11-08 Nikon Corporation Stage counter mass system
US7151981B2 (en) * 2003-02-20 2006-12-19 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for positioning a substrate relative to a support stage
US7499767B2 (en) * 2003-02-20 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for positioning a substrate relative to a support stage
KR100648335B1 (ko) * 2003-02-20 2006-11-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 지지 스테이지에 대한 기판의 위치 결정 방법 및 장치
KR101562447B1 (ko) 2003-02-26 2015-10-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7206059B2 (en) * 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
SG115641A1 (en) * 2003-03-06 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Device and method for manipulation and routing of a metrology beam
TWI264620B (en) * 2003-03-07 2006-10-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG123601A1 (en) 2003-03-10 2006-07-26 Asml Netherlands Bv Focus spot monitoring in a lithographic projectionapparatus
EP1457826A1 (en) * 2003-03-11 2004-09-15 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG115629A1 (en) * 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for maintaining a machine part
EP1457833B1 (en) 2003-03-11 2012-05-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
SG125108A1 (en) * 2003-03-11 2006-09-29 Asml Netherlands Bv Assembly comprising a sensor for determining at least one of tilt and height of a substrate, a method therefor and a lithographic projection apparatus
TWI234692B (en) * 2003-03-11 2005-06-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection assembly, handling apparatus for handling substrates and method of handling a substrate
EP1457827A1 (en) * 2003-03-11 2004-09-15 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
SG115631A1 (en) * 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Lithographic projection assembly, load lock and method for transferring objects
SG115630A1 (en) * 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Temperature conditioned load lock, lithographic apparatus comprising such a load lock and method of manufacturing a substrate with such a load lock
EP1457825A1 (en) * 2003-03-11 2004-09-15 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
KR20050110033A (ko) 2003-03-25 2005-11-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
SG169901A1 (en) * 2003-03-31 2011-04-29 Asml Masktools Bv Source and mask optimization
SG125948A1 (en) * 2003-03-31 2006-10-30 Asml Netherlands Bv Supporting structure for use in a lithographic apparatus
US7397539B2 (en) * 2003-03-31 2008-07-08 Asml Netherlands, B.V. Transfer apparatus for transferring an object, lithographic apparatus employing such a transfer apparatus, and method of use thereof
US7126671B2 (en) * 2003-04-04 2006-10-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101176817B1 (ko) 2003-04-07 2012-08-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
JP4394500B2 (ja) * 2003-04-09 2010-01-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びコンピュータ・プログラム
EP3226073A3 (en) 2003-04-09 2017-10-11 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device
EP3352015A1 (en) 2003-04-10 2018-07-25 Nikon Corporation Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus
KR101506431B1 (ko) 2003-04-10 2015-03-26 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
KR20180054929A (ko) 2003-04-11 2018-05-24 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
EP2161620A1 (en) 2003-04-11 2010-03-10 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography
JP4071733B2 (ja) 2003-04-17 2008-04-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびコンピュータ・プログラム
JP4315420B2 (ja) 2003-04-18 2009-08-19 キヤノン株式会社 露光装置及び露光方法
SG115678A1 (en) 2003-04-22 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Substrate carrier and method for making a substrate carrier
TWI237307B (en) * 2003-05-01 2005-08-01 Nikon Corp Optical projection system, light exposing apparatus and light exposing method
EP1475666A1 (en) 2003-05-06 2004-11-10 ASML Netherlands B.V. Substrate holder for lithographic apparatus
EP2722703A3 (en) 2003-05-06 2014-07-23 Nikon Corporation Projection optical system, and exposure apparatus and exposure method
US7348575B2 (en) 2003-05-06 2008-03-25 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
EP1475667A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20040263816A1 (en) * 2003-05-12 2004-12-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1477861A1 (en) * 2003-05-16 2004-11-17 ASML Netherlands B.V. A method of calibrating a lithographic apparatus, an alignment method, a computer program, a lithographic apparatus and a device manufacturing method
SG141228A1 (en) * 2003-05-19 2008-04-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI616932B (zh) 2003-05-23 2018-03-01 Nikon Corp Exposure device and component manufacturing method
TW201415536A (zh) 2003-05-23 2014-04-16 尼康股份有限公司 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
KR20110110320A (ko) * 2003-05-28 2011-10-06 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
TWI347741B (en) * 2003-05-30 2011-08-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486828B1 (en) 2003-06-09 2013-10-09 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261741A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20040252287A1 (en) * 2003-06-11 2004-12-16 Michael Binnard Reaction frame assembly that functions as a reaction mass
EP1486824A1 (en) * 2003-06-11 2004-12-15 ASML Netherlands B.V. A movable stage system for in a lithographic projection apparatus, lithographic projection apparatus and device manufacturing method
KR101242815B1 (ko) 2003-06-13 2013-03-12 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조방법
KR101419663B1 (ko) * 2003-06-19 2014-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
TWI251129B (en) * 2003-06-27 2006-03-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and integrated circuit manufacturing method
EP1491967A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-29 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for positioning a substrate on a substrate table
EP1975721A1 (en) 2003-06-30 2008-10-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7354681B2 (en) * 2003-06-30 2008-04-08 Asml Masktools B.V. Scattering bar OPC application method for sub-half wavelength lithography patterning
KR101115477B1 (ko) 2003-06-30 2012-03-06 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. 이미지 필드 맵을 이용하여 어시스트 피처를 생성하는방법, 프로그램물 및 장치
US7355673B2 (en) * 2003-06-30 2008-04-08 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus of simultaneous optimization for NA-Sigma exposure settings and scattering bars OPC using a device layout
TWI284253B (en) * 2003-07-01 2007-07-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7248339B2 (en) * 2003-07-04 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
ATE489724T1 (de) * 2003-07-09 2010-12-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementherstellung
WO2005006415A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
CN102854755A (zh) * 2003-07-09 2013-01-02 株式会社尼康 曝光装置
EP1496397A1 (en) * 2003-07-11 2005-01-12 ASML Netherlands B.V. Method and system for feedforward overlay correction of pattern induced distortion and displacement, and lithographic projection apparatus using such a method and system
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500987A1 (en) * 2003-07-21 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1500979A1 (en) * 2003-07-21 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI245170B (en) 2003-07-22 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1500980A1 (en) * 2003-07-22 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
SG108996A1 (en) * 2003-07-23 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7456932B2 (en) * 2003-07-25 2008-11-25 Asml Netherlands B.V. Filter window, lithographic projection apparatus, filter window manufacturing method, device manufacturing method and device manufactured thereby
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
KR20190002749A (ko) 2003-07-28 2019-01-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
US7145643B2 (en) * 2003-08-07 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method
KR101239632B1 (ko) 2003-08-21 2013-03-11 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
TWI536121B (zh) 2003-08-26 2016-06-01 尼康股份有限公司 Exposure apparatus and exposure method
US7265817B2 (en) * 2003-08-27 2007-09-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and slide assembly
TW201839806A (zh) 2003-08-29 2018-11-01 日商尼康股份有限公司 液體回收裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG145780A1 (en) 2003-08-29 2008-09-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US6873938B1 (en) 2003-09-17 2005-03-29 Asml Netherlands B.V. Adaptive lithographic critical dimension enhancement
JP4444920B2 (ja) * 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US8064730B2 (en) * 2003-09-22 2011-11-22 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, orientation determination method and lithographic apparatus
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
JP4438747B2 (ja) 2003-09-26 2010-03-24 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光装置の洗浄方法、メンテナンス方法並びにデバイスの製造方法
EP1670043B1 (en) 2003-09-29 2013-02-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP4492539B2 (ja) * 2003-09-29 2010-06-30 株式会社ニコン 液浸型光学系及び投影露光装置、並びにデバイス製造方法
KR101311046B1 (ko) 2003-09-29 2013-09-24 가부시키가이샤 니콘 투영 노광 장치, 투영 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR101361892B1 (ko) * 2003-10-08 2014-02-12 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
TWI598934B (zh) 2003-10-09 2017-09-11 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
ATE490548T1 (de) 2003-10-22 2010-12-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und verfahren zur bauelementeherstellung
TWI457712B (zh) 2003-10-28 2014-10-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、投影曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
WO2005041276A1 (ja) 2003-10-28 2005-05-06 Nikon Corporation 露光装置、露光方法、デバイスの製造方法
EP1679737A4 (en) 2003-10-31 2008-01-30 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND DEVICE PRODUCTION METHOD
US7665946B2 (en) * 2003-11-04 2010-02-23 Advanced Display Process Engineering Co., Ltd. Transfer chamber for flat display device manufacturing apparatus
JPWO2005048325A1 (ja) * 2003-11-17 2007-11-29 株式会社ニコン ステージ駆動方法及びステージ装置並びに露光装置
TWI519819B (zh) 2003-11-20 2016-02-01 尼康股份有限公司 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法
US7414759B2 (en) * 2003-11-26 2008-08-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Scanner linearity tester
US7253077B2 (en) * 2003-12-01 2007-08-07 Asml Netherlands B.V. Substrate, method of preparing a substrate, method of measurement, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, and machine-readable storage medium
WO2005055296A1 (ja) 2003-12-03 2005-06-16 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法、並びに光学部品
US7565219B2 (en) * 2003-12-09 2009-07-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of determining a model parameter, device manufacturing method, and device manufactured thereby
KR101941351B1 (ko) 2003-12-15 2019-01-22 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US7466489B2 (en) * 2003-12-15 2008-12-16 Susanne Beder Projection objective having a high aperture and a planar end surface
US7288779B2 (en) * 2003-12-17 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Method for position determination, method for overlay optimization, and lithographic projection apparatus
US20050134865A1 (en) * 2003-12-17 2005-06-23 Asml Netherlands B.V. Method for determining a map, device manufacturing method, and lithographic apparatus
US7113255B2 (en) 2003-12-19 2006-09-26 Asml Holding N.V. Grating patch arrangement, lithographic apparatus, method of testing, device manufacturing method, and device manufactured thereby
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
US7292315B2 (en) * 2003-12-19 2007-11-06 Asml Masktools B.V. Optimized polarization illumination
US6955074B2 (en) * 2003-12-29 2005-10-18 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, method of calibration, calibration plate, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7349101B2 (en) * 2003-12-30 2008-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, overlay detector, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7145641B2 (en) * 2003-12-31 2006-12-05 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
KR101911681B1 (ko) 2004-01-05 2018-10-25 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US20070206167A1 (en) * 2004-01-06 2007-09-06 Takeyuki Mizutani Exposure Method and Apparatus, and Device Manufacturing Method
US20080151365A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
US20070164234A1 (en) 2004-01-15 2007-07-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP4843503B2 (ja) * 2004-01-20 2011-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
US7697110B2 (en) 2004-01-26 2010-04-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
TWI395068B (zh) 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
US7221433B2 (en) 2004-01-28 2007-05-22 Nikon Corporation Stage assembly including a reaction assembly having a connector assembly
US7256873B2 (en) * 2004-01-28 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Enhanced lithographic resolution through double exposure
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101227211B1 (ko) 2004-02-03 2013-01-28 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101942136B1 (ko) 2004-02-04 2019-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
TWI494972B (zh) 2004-02-06 2015-08-01 尼康股份有限公司 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法
US7557900B2 (en) 2004-02-10 2009-07-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, device manufacturing method, maintenance method, and exposure method
US7113256B2 (en) * 2004-02-18 2006-09-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method with feed-forward focus control
US7352472B2 (en) * 2004-02-18 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method for determining z-displacement
WO2005081291A1 (ja) * 2004-02-19 2005-09-01 Nikon Corporation 露光装置及びデバイスの製造方法
US20070030467A1 (en) * 2004-02-19 2007-02-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method
WO2005081295A1 (ja) * 2004-02-20 2005-09-01 Nikon Corporation 露光方法、露光装置及び露光システム並びにデバイス製造方法
JP5076497B2 (ja) 2004-02-20 2012-11-21 株式会社ニコン 露光装置、液体の供給方法及び回収方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
US7625675B2 (en) * 2004-02-25 2009-12-01 Oerlikon Trading Ag, Trubbach Method for producing masks for photolithography and the use of such masks
JP2005243928A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Fujitsu Ltd トレンチアイソレーションで分離されたトランジスタ対を有する半導体装置
DE102004013886A1 (de) 2004-03-16 2005-10-06 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Mehrfachbelichtung, Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage und Projektionssystem
US7184123B2 (en) * 2004-03-24 2007-02-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic optical system
EP1737024A4 (en) * 2004-03-25 2008-10-15 Nikon Corp EXPOSURE DEVICES, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
WO2005093791A1 (ja) 2004-03-25 2005-10-06 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7856606B2 (en) * 2004-03-31 2010-12-21 Asml Masktools B.V. Apparatus, method and program product for suppressing waviness of features to be printed using photolithographic systems
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7355681B2 (en) * 2004-04-09 2008-04-08 Asml Masktools B.V. Optical proximity correction using chamfers and rounding at corners
US8488099B2 (en) 2004-04-19 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
DE602005003665T2 (de) 2004-05-17 2008-11-20 Carl Zeiss Smt Ag Katadioptrisches projektionsobjektiv mit zwischenbildern
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7289858B2 (en) * 2004-05-25 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic motion control system and method
US7385671B2 (en) * 2004-05-28 2008-06-10 Azores Corporation High speed lithography machine and method
US20070216889A1 (en) * 2004-06-04 2007-09-20 Yasufumi Nishii Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device
US7796274B2 (en) 2004-06-04 2010-09-14 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
KR101747662B1 (ko) 2004-06-09 2017-06-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP3318928A1 (en) 2004-06-09 2018-05-09 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing a device
KR20120026639A (ko) * 2004-06-10 2012-03-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
US8508713B2 (en) 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
KR101556454B1 (ko) 2004-06-10 2015-10-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US8373843B2 (en) 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8717533B2 (en) 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
WO2006007167A2 (en) * 2004-06-17 2006-01-19 Nikon Corporation Magnetic levitation lithography apparatus and method
KR101245070B1 (ko) 2004-06-21 2013-03-18 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 그 부재의 세정 방법, 노광 장치의 메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 그리고 디바이스 제조 방법
US8698998B2 (en) 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
JP5119666B2 (ja) 2004-06-21 2013-01-16 株式会社ニコン 露光装置、液体除去方法、及びデバイス製造方法
WO2006001282A1 (ja) * 2004-06-25 2006-01-05 Nikon Corporation 位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403264B2 (en) 2004-07-08 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method using such lithographic projection apparatus
US8384874B2 (en) 2004-07-12 2013-02-26 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method to detect if liquid on base member
EP1788694A4 (en) * 2004-07-15 2014-07-02 Nikon Corp EQUIPMENT FOR PLANAR MOTOR, STAGE EQUIPMENT, EXPOSURE EQUIPMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE DEVICE
WO2006009169A1 (ja) 2004-07-21 2006-01-26 Nikon Corporation 露光方法及びデバイス製造方法
US20080013060A1 (en) * 2004-07-23 2008-01-17 Nikon Corporation Support Apparatus, Stage Apparatus, Exposure Apparatus, And Device Manufacturing Method
EP3267257B1 (en) 2004-08-03 2019-02-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP2006113533A (ja) 2004-08-03 2006-04-27 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、および露光方法
TW200615716A (en) * 2004-08-05 2006-05-16 Nikon Corp Stage device and exposure device
JP4983257B2 (ja) * 2004-08-18 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法
US7620930B2 (en) 2004-08-24 2009-11-17 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus for model based scattering bar placement for enhanced depth of focus in quarter-wavelength lithography
US20070252970A1 (en) * 2004-09-01 2007-11-01 Nikon Corporation Substrate Holder, Stage Apparatus, and Exposure Apparatus
KR20070043994A (ko) 2004-09-13 2007-04-26 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 투영 광학계의 제조 방법, 노광 장치 및 노광방법
SG121141A1 (en) 2004-09-14 2006-04-26 Asml Masktools Bv A method for performing full-chip manufacturing reliability checking and correction
KR20170010116A (ko) 2004-09-17 2017-01-25 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
SG188899A1 (en) 2004-09-17 2013-04-30 Nikon Corp Substrate holding device, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2006030910A1 (ja) * 2004-09-17 2006-03-23 Nikon Corporation 露光用基板、露光方法及びデバイス製造方法
EP1806828A4 (en) 2004-10-01 2016-11-09 Nikon Corp LINEAR MOTOR, FLOOR APPARATUS AND EXPOSURE APPARATUS
US20090213357A1 (en) * 2004-10-08 2009-08-27 Dai Arai Exposure apparatus and device manufacturing method
CN101487981A (zh) * 2004-10-13 2009-07-22 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法及组件制造方法
WO2006041086A1 (ja) * 2004-10-13 2006-04-20 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
EP1806772B1 (en) 2004-10-15 2014-08-06 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
CN100582509C (zh) * 2004-10-18 2010-01-20 株式会社尼康 轴承装置、载台装置及曝光装置
KR101236120B1 (ko) 2004-10-26 2013-02-28 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
SG157357A1 (en) 2004-11-01 2009-12-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
US7869000B2 (en) * 2004-11-02 2011-01-11 Nikon Corporation Stage assembly with lightweight fine stage and low transmissibility
US7417714B2 (en) * 2004-11-02 2008-08-26 Nikon Corporation Stage assembly with measurement system initialization, vibration compensation, low transmissibility, and lightweight fine stage
US8294873B2 (en) 2004-11-11 2012-10-23 Nikon Corporation Exposure method, device manufacturing method, and substrate
EP1814146A4 (en) * 2004-11-19 2009-02-11 Nikon Corp MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US7262831B2 (en) * 2004-12-01 2007-08-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method using such lithographic projection apparatus
EP1826813A4 (en) 2004-12-01 2009-05-13 Nikon Corp STAGE DEVICE AND EXPOSURE APPAEIL
EP1843384A4 (en) * 2004-12-02 2010-04-28 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
WO2006059720A1 (ja) * 2004-12-02 2006-06-08 Nikon Corporation 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
EP1821337B1 (en) 2004-12-06 2016-05-11 Nikon Corporation Maintenance method
US20080137056A1 (en) * 2004-12-06 2008-06-12 Tomoharu Fujiwara Method for Processing Substrate, Exposure Method, Exposure Apparatus, and Method for Producing Device
US20060119811A1 (en) 2004-12-07 2006-06-08 Asml Netherlands B.V. Radiation exposure apparatus comprising a gas flushing system
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20070100864A (ko) * 2004-12-07 2007-10-12 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7453063B2 (en) * 2004-12-08 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Calibration substrate and method for calibrating a lithographic apparatus
JP4752473B2 (ja) 2004-12-09 2011-08-17 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
KR101771334B1 (ko) 2004-12-15 2017-08-24 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US7528931B2 (en) * 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006068233A1 (ja) * 2004-12-24 2006-06-29 Nikon Corporation 磁気案内装置、ステージ装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
US7355675B2 (en) * 2004-12-29 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Method for measuring information about a substrate, and a substrate for use in a lithographic apparatus
US7193683B2 (en) 2005-01-06 2007-03-20 Nikon Corporation Stage design for reflective optics
US7450217B2 (en) 2005-01-12 2008-11-11 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US20080165330A1 (en) * 2005-01-18 2008-07-10 Nikon Corporation Liquid Removing Apparatus, Exposure Apparatus and Device Fabricating Method
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR101427056B1 (ko) 2005-01-31 2014-08-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US20070258068A1 (en) * 2005-02-17 2007-11-08 Hiroto Horikawa Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method
EP1696273B1 (en) 2005-02-23 2008-08-06 ASML MaskTools B.V. Method and apparatus for optimising illumination for full-chip layer
TWI424260B (zh) 2005-03-18 2014-01-21 尼康股份有限公司 A board member, a substrate holding device, an exposure apparatus and an exposure method, and a device manufacturing method
KR20070115859A (ko) 2005-03-18 2007-12-06 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 노광장치의 평가 방법
WO2006104011A1 (ja) 2005-03-25 2006-10-05 Nikon Corporation ショット形状の計測方法、マスク
SG126120A1 (en) 2005-03-29 2006-10-30 Asml Netherlands Bv Lithographic device, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7548302B2 (en) * 2005-03-29 2009-06-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317506B2 (en) * 2005-03-29 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Variable illumination source
WO2006106833A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
WO2006106832A1 (ja) 2005-03-30 2006-10-12 Nikon Corporation 露光条件の決定方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US20070132976A1 (en) * 2005-03-31 2007-06-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
TW200644079A (en) * 2005-03-31 2006-12-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device production method
KR20070115863A (ko) * 2005-03-31 2007-12-06 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7161659B2 (en) * 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7515281B2 (en) * 2005-04-08 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101555707B1 (ko) 2005-04-18 2015-09-25 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
KR101344142B1 (ko) 2005-04-25 2013-12-23 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
CN101156226B (zh) * 2005-04-27 2012-03-14 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置、组件制造方法、以及膜的评估方法
KR20070122445A (ko) 2005-04-28 2007-12-31 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
TW200702939A (en) * 2005-04-28 2007-01-16 Nikon Corp Exposure method, exposure apparatus, and device producing method
US7738075B2 (en) * 2005-05-23 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic attribute enhancement
KR20080007383A (ko) 2005-05-24 2008-01-18 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US20070085989A1 (en) * 2005-06-21 2007-04-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method
EP1895571A4 (en) 2005-06-21 2011-04-27 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD, MAINTENANCE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US7924416B2 (en) 2005-06-22 2011-04-12 Nikon Corporation Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2007000995A1 (ja) * 2005-06-28 2007-01-04 Nikon Corporation 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
US8693006B2 (en) 2005-06-28 2014-04-08 Nikon Corporation Reflector, optical element, interferometer system, stage device, exposure apparatus, and device fabricating method
WO2007001045A1 (ja) * 2005-06-29 2007-01-04 Nikon Corporation 露光装置、基板処理方法、及びデバイス製造方法
EP1901338A4 (en) 2005-06-30 2011-06-29 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND METHOD, METHOD OF SERVICING THE EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
EP1909310A4 (en) 2005-07-11 2010-10-06 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
CN101138070B (zh) * 2005-08-05 2011-03-23 株式会社尼康 载台装置及曝光装置
EP1926127A4 (en) 2005-08-23 2009-06-03 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US20070074635A1 (en) * 2005-08-25 2007-04-05 Molecular Imprints, Inc. System to couple a body and a docking plate
US20070064384A1 (en) * 2005-08-25 2007-03-22 Molecular Imprints, Inc. Method to transfer a template transfer body between a motion stage and a docking plate
US7665981B2 (en) * 2005-08-25 2010-02-23 Molecular Imprints, Inc. System to transfer a template transfer body between a motion stage and a docking plate
JP4781049B2 (ja) * 2005-08-30 2011-09-28 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
TWI450044B (zh) 2005-08-31 2014-08-21 尼康股份有限公司 An optical element, an exposure apparatus using the same, an exposure method, and a manufacturing method of the micro-element
US8111374B2 (en) 2005-09-09 2012-02-07 Nikon Corporation Analysis method, exposure method, and device manufacturing method
WO2007029829A1 (ja) 2005-09-09 2007-03-15 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
EP1936665A4 (en) 2005-09-21 2010-03-31 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US20070070323A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method
US7239371B2 (en) * 2005-10-18 2007-07-03 International Business Machines Corporation Density-aware dynamic leveling in scanning exposure systems
US20070095739A1 (en) * 2005-10-24 2007-05-03 Nikon Corporation Utility transfer apparatus, stage apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8681314B2 (en) 2005-10-24 2014-03-25 Nikon Corporation Stage device and coordinate correction method for the same, exposure apparatus, and device manufacturing method
JPWO2007052659A1 (ja) 2005-11-01 2009-04-30 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US20070127135A1 (en) * 2005-11-01 2007-06-07 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US20070127002A1 (en) * 2005-11-09 2007-06-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and method, and device manufacturing method
KR20080065981A (ko) 2005-11-09 2008-07-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 방법, 및 디바이스 제조 방법
TW200719095A (en) * 2005-11-09 2007-05-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
EP1962328B1 (en) 2005-11-14 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method
WO2007058188A1 (ja) 2005-11-15 2007-05-24 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR20080068820A (ko) 2005-11-16 2008-07-24 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 방법, 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크,그리고 디바이스 제조 방법
JP2007165869A (ja) 2005-11-21 2007-06-28 Nikon Corp 露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法、露光装置、並びに基板処理方法及び装置
US7803516B2 (en) 2005-11-21 2010-09-28 Nikon Corporation Exposure method, device manufacturing method using the same, exposure apparatus, and substrate processing method and apparatus
US8125610B2 (en) * 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US7782442B2 (en) 2005-12-06 2010-08-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device producing method
KR20080071552A (ko) 2005-12-06 2008-08-04 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TW200722935A (en) 2005-12-06 2007-06-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device manufacturing method
KR101539517B1 (ko) 2005-12-08 2015-07-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7626181B2 (en) * 2005-12-09 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101296546B1 (ko) 2005-12-28 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US8411271B2 (en) 2005-12-28 2013-04-02 Nikon Corporation Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method
US8953148B2 (en) * 2005-12-28 2015-02-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and making method thereof
TWI457977B (zh) 2005-12-28 2014-10-21 尼康股份有限公司 A pattern forming method and a pattern forming apparatus, and an element manufacturing method
US7932994B2 (en) 2005-12-28 2011-04-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7493589B2 (en) * 2005-12-29 2009-02-17 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus for model based geometry decomposition for use in a multiple exposure process
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804646B2 (en) * 2006-01-31 2010-09-28 Asml Masktools B.V. Method for decomposition of a customized DOE for use with a single exposure into a set of multiple exposures using standard DOEs with optimized exposure settings
WO2007094414A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
EP1990828A4 (en) 2006-02-16 2010-09-15 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND METHOD FOR PRODUCING COMPONENTS
EP1986224A4 (en) 2006-02-16 2012-01-25 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
WO2007094407A1 (ja) 2006-02-16 2007-08-23 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US8134681B2 (en) 2006-02-17 2012-03-13 Nikon Corporation Adjustment method, substrate processing method, substrate processing apparatus, exposure apparatus, inspection apparatus, measurement and/or inspection system, processing apparatus, computer system, program and information recording medium
EP2541325B1 (en) 2006-02-21 2018-02-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method
KR101400570B1 (ko) 2006-02-21 2014-05-27 가부시키가이샤 니콘 측정 장치 및 방법, 처리 장치 및 방법, 패턴 형성 장치 및 방법, 노광 장치 및 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
EP3270226A1 (en) * 2006-02-21 2018-01-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
KR20080108226A (ko) 2006-03-03 2008-12-12 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP5077770B2 (ja) 2006-03-07 2012-11-21 株式会社ニコン デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置
US20070212649A1 (en) * 2006-03-07 2007-09-13 Asml Netherlands B.V. Method and system for enhanced lithographic patterning
US7598024B2 (en) 2006-03-08 2009-10-06 Asml Netherlands B.V. Method and system for enhanced lithographic alignment
WO2007105645A1 (ja) 2006-03-13 2007-09-20 Nikon Corporation 露光装置、メンテナンス方法、露光方法及びデバイス製造方法
US8982322B2 (en) 2006-03-17 2015-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US20070242254A1 (en) * 2006-03-17 2007-10-18 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US20080013062A1 (en) * 2006-03-23 2008-01-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
CN100590173C (zh) * 2006-03-24 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源
WO2007116752A1 (ja) 2006-04-05 2007-10-18 Nikon Corporation ステージ装置、露光装置、ステージ制御方法、露光方法、およびデバイス製造方法
EP1843202B1 (en) * 2006-04-06 2015-02-18 ASML Netherlands B.V. Method for performing dark field double dipole lithography
KR20090007282A (ko) * 2006-04-14 2009-01-16 가부시키가이샤 니콘 노광 방법과 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7818151B2 (en) * 2006-05-02 2010-10-19 Asml Masktools B.V. Method, program product and apparatus for obtaining short-range flare model parameters for lithography simulation tool
US7583359B2 (en) * 2006-05-05 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Reduction of fit error due to non-uniform sample distribution
US7483120B2 (en) * 2006-05-09 2009-01-27 Asml Netherlands B.V. Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
WO2007129753A1 (ja) 2006-05-10 2007-11-15 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7728462B2 (en) 2006-05-18 2010-06-01 Nikon Corporation Monolithic stage devices providing motion in six degrees of freedom
US20080024749A1 (en) * 2006-05-18 2008-01-31 Nikon Corporation Low mass six degree of freedom stage for lithography tools
US20070267995A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-22 Nikon Corporation Six Degree-of-Freedom Stage Apparatus
CN102298274A (zh) 2006-05-18 2011-12-28 株式会社尼康 曝光方法及装置、维护方法、以及组件制造方法
CN101385125B (zh) 2006-05-22 2011-04-13 株式会社尼康 曝光方法及装置、维修方法、以及组件制造方法
CN102156389A (zh) 2006-05-23 2011-08-17 株式会社尼康 维修方法、曝光方法及装置、以及组件制造方法
JPWO2007139017A1 (ja) * 2006-05-29 2009-10-08 株式会社ニコン 液体回収部材、基板保持部材、露光装置、及びデバイス製造方法
JP5218049B2 (ja) 2006-05-31 2013-06-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US7502103B2 (en) 2006-05-31 2009-03-10 Asml Netherlands B.V. Metrology tool, system comprising a lithographic apparatus and a metrology tool, and a method for determining a parameter of a substrate
JPWO2007142350A1 (ja) 2006-06-09 2009-10-29 株式会社ニコン パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7697115B2 (en) * 2006-06-23 2010-04-13 Asml Holding N.V. Resonant scanning mirror
KR20090033170A (ko) 2006-06-30 2009-04-01 가부시키가이샤 니콘 메인터넌스 방법, 노광 방법 및 장치 및 디바이스 제조 방법
US20080073563A1 (en) 2006-07-01 2008-03-27 Nikon Corporation Exposure apparatus that includes a phase change circulation system for movers
EP1876494A1 (en) * 2006-07-06 2008-01-09 ASML MaskTools B.V. An improved CPL mask and a method and program product for generating the same
JP5339056B2 (ja) * 2006-07-14 2013-11-13 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101523388B1 (ko) 2006-08-30 2015-05-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 클리닝 방법 및 클리닝용 부재
TWI481968B (zh) 2006-09-08 2015-04-21 尼康股份有限公司 A mask, an exposure device, and an element manufacturing method
WO2008029884A1 (fr) * 2006-09-08 2008-03-13 Nikon Corporation Dispositif et procédé de nettoyage, et procédé de fabrication du dispositif
US7592760B2 (en) * 2006-09-11 2009-09-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4922112B2 (ja) 2006-09-13 2012-04-25 エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. パターン分解フィーチャのためのモデルベースopcを行うための方法および装置
CN101271483B (zh) * 2006-09-13 2012-02-22 Asml蒙片工具有限公司 分解图案的方法、器件制造方法及产生掩模的方法
US7872730B2 (en) 2006-09-15 2011-01-18 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method
WO2008038752A1 (fr) * 2006-09-29 2008-04-03 Nikon Corporation système à unité MOBILE, DISPOSITIF DE FORMATION DE MOTIF, DISPOSITIF D'EXPOSITION, PROCÉDÉ D'EXPOSITION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
JP5120377B2 (ja) 2006-09-29 2013-01-16 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US20080100909A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Nikon Corporation Optical element, liquid immersion exposure apparatus, liquid immersion exposure method, and method for producing microdevice
WO2008053918A1 (fr) * 2006-10-31 2008-05-08 Nikon Corporation Appareil de maintien de liquide, procédé de maintien de liquide, appareil d'exposition, procédé d'exposition et procédé de fabrication du dispositif
JP4700672B2 (ja) 2006-11-08 2011-06-15 エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. ライン幅粗さおよびレジストパターン不良を予測する方法、プログラム、および装置、ならびにそのリソグラフィシミュレーションプロセスでの使用
JP4707701B2 (ja) * 2006-11-08 2011-06-22 エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. 瞳を有する光学結像システムの結像性能をシミュレーションするモデルを生成する方法およびコンピュータプログラム
WO2008056735A1 (fr) 2006-11-09 2008-05-15 Nikon Corporation Unité de support, système de détection de position et système d'exposition, procédé de déplacement, procédé de détection de position, procédé d'exposition, procédé d'ajustement du système de détection, et procédé de prod
JP5032948B2 (ja) 2006-11-14 2012-09-26 エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. Dptプロセスで用いられるパターン分解を行うための方法、プログラムおよび装置
US20080158531A1 (en) 2006-11-15 2008-07-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP5055971B2 (ja) 2006-11-16 2012-10-24 株式会社ニコン 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US20080156356A1 (en) * 2006-12-05 2008-07-03 Nikon Corporation Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US20080212047A1 (en) * 2006-12-28 2008-09-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US8004651B2 (en) 2007-01-23 2011-08-23 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
WO2008090975A1 (ja) * 2007-01-26 2008-07-31 Nikon Corporation 支持構造体及び露光装置
WO2008105531A1 (ja) 2007-03-01 2008-09-04 Nikon Corporation ペリクルフレーム装置、マスク、露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法
US20080225261A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Noriyuki Hirayanagi Exposure apparatus and device manufacturing method
US8134685B2 (en) 2007-03-23 2012-03-13 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
EP1990110A1 (de) * 2007-05-08 2008-11-12 Güdel Group Ag Zentriervorrichtung für flächige Werkstücke in einer Presse und Verfahren zum Einrichten einer solchen Zentriervorrichtung
US8300207B2 (en) 2007-05-17 2012-10-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, immersion system, exposing method, and device fabricating method
US20080285004A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Nikon Corporation Monolithic, Non-Contact Six Degree-of-Freedom Stage Apparatus
US8164736B2 (en) * 2007-05-29 2012-04-24 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
US8098362B2 (en) 2007-05-30 2012-01-17 Nikon Corporation Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US8732625B2 (en) 2007-06-04 2014-05-20 Asml Netherlands B.V. Methods for performing model-based lithography guided layout design
WO2009013905A1 (ja) 2007-07-24 2009-01-29 Nikon Corporation 位置計測システム、露光装置、位置計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに工具及び計測方法
US8194232B2 (en) 2007-07-24 2012-06-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
JP5177449B2 (ja) 2007-07-24 2013-04-03 株式会社ニコン 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US8547527B2 (en) 2007-07-24 2013-10-01 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method
US7999920B2 (en) 2007-08-22 2011-08-16 Asml Netherlands B.V. Method of performing model-based scanner tuning
US8237919B2 (en) 2007-08-24 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads
US8867022B2 (en) 2007-08-24 2014-10-21 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
US20090051895A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, device manufacturing method, and processing system
US8023106B2 (en) 2007-08-24 2011-09-20 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US9304412B2 (en) 2007-08-24 2016-04-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method
US8218129B2 (en) 2007-08-24 2012-07-10 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, measuring method, and position measurement system
US9779186B2 (en) 2007-08-28 2017-10-03 Asml Netherlands B.V. Methods for performing model-based lithography guided layout design
US20090274537A1 (en) * 2007-09-07 2009-11-05 Nikon Corporation Suspension apparatus and exposure apparatus
US8421994B2 (en) 2007-09-27 2013-04-16 Nikon Corporation Exposure apparatus
JP2009094255A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Canon Inc 液浸露光装置およびデバイス製造方法
US20090201484A1 (en) * 2007-10-29 2009-08-13 Nikon Corporation Utilities supply member connection apparatus, stage apparatus, projection optical system support apparatus and exposure apparatus
US9013681B2 (en) * 2007-11-06 2015-04-21 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9256140B2 (en) * 2007-11-07 2016-02-09 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction
US8665455B2 (en) * 2007-11-08 2014-03-04 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
US8422015B2 (en) 2007-11-09 2013-04-16 Nikon Corporation Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4779003B2 (ja) * 2007-11-13 2011-09-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. フルチップ設計のパターン分解を行うための方法
NL1036189A1 (nl) * 2007-12-05 2009-06-08 Brion Tech Inc Methods and System for Lithography Process Window Simulation.
US20090147228A1 (en) * 2007-12-11 2009-06-11 Nikon Corporation Exposure apparatus, manufacturing method thereof, and maintenance method of exposure apparatus
US8760622B2 (en) * 2007-12-11 2014-06-24 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus and pattern formation apparatus, and device manufacturing method
US20090153824A1 (en) * 2007-12-17 2009-06-18 Kla-Tencor Corporation Multiple chuck scanning stage
US8269945B2 (en) * 2007-12-28 2012-09-18 Nikon Corporation Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
TWI454851B (zh) 2007-12-28 2014-10-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, a moving body driving system, a pattern forming apparatus, and an exposure method, and an element manufacturing method
US8208128B2 (en) * 2008-02-08 2012-06-26 Nikon Corporation Position measuring system and position measuring method, Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method
NL1036557A1 (nl) 2008-03-11 2009-09-14 Asml Netherlands Bv Method and lithographic apparatus for measuring and acquiring height data relating to a substrate surface.
NL1036750A1 (nl) * 2008-04-14 2009-10-15 Brion Tech Inc A Method Of Performing Mask-Writer Tuning and Optimization.
NL1036647A1 (nl) * 2008-04-16 2009-10-19 Asml Netherlands Bv A method of measuring a lithographic projection apparatus.
NL1036891A1 (nl) * 2008-05-02 2009-11-03 Asml Netherlands Bv Dichroic mirror, method for manufacturing a dichroic mirror, lithographic apparatus, semiconductor device and method of manufacturing therefor.
US8228482B2 (en) * 2008-05-13 2012-07-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8786829B2 (en) * 2008-05-13 2014-07-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8817236B2 (en) 2008-05-13 2014-08-26 Nikon Corporation Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9176393B2 (en) 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
KR101749987B1 (ko) * 2008-06-03 2017-06-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 모델-기반 공정 시뮬레이션 시스템들 및 방법들
JP5225463B2 (ja) * 2008-06-03 2013-07-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. レンズ加熱補償方法
NL2002935A1 (nl) 2008-06-27 2009-12-29 Asml Netherlands Bv Object support positioning device and lithographic apparatus.
NL2003143A1 (nl) * 2008-07-07 2010-01-11 Brion Tech Inc Illumination optimization.
US8340394B2 (en) * 2008-07-28 2012-12-25 Asml Netherlands B.V. Method, program product and apparatus for performing a model based coloring process for geometry decomposition for use in a multiple exposure process
US8224061B2 (en) * 2008-07-28 2012-07-17 Asml Netherlands B.V. Method, program product, and apparatus for performing a model based coloring process for pattern decomposition for use in a multiple exposure process
NL2003363A (en) 2008-09-10 2010-03-15 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method of manufacturing an article for a lithographic apparatus and device manufacturing method.
US8435723B2 (en) * 2008-09-11 2013-05-07 Nikon Corporation Pattern forming method and device production method
US8384875B2 (en) 2008-09-29 2013-02-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
NL2003654A (en) 2008-11-06 2010-05-10 Brion Tech Inc Methods and system for lithography calibration.
NL2003702A (en) 2008-11-10 2010-05-11 Brion Tech Inc Pattern selection for lithographic model calibration.
US8092122B2 (en) 2008-11-10 2012-01-10 Reynolds Consumer Products, Inc. Connection device for fastening expanded cell confinement structures and methods for doing the same
NL2003696A (en) * 2008-11-10 2010-05-11 Brion Tech Inc Scanner model representation with transmission cross coefficients.
US20100302526A1 (en) * 2008-11-13 2010-12-02 Nikon Corporation Drive control method for moving body, exposure method, robot control method, drive control apparatus, exposure apparatus and robot apparatus
WO2010059954A2 (en) 2008-11-21 2010-05-27 Brion Technologies Inc. Fast freeform source and mask co-optimization method
NL1036299C2 (nl) * 2008-12-10 2010-06-11 Janssen Prec Engineering B V Een systeem om tegels met micrometernauwkeurigheid ten opzichte van elkaar te positioneren en te fixeren.
NL2003699A (en) 2008-12-18 2010-06-21 Brion Tech Inc Method and system for lithography process-window-maximixing optical proximity correction.
US8902402B2 (en) 2008-12-19 2014-12-02 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8599359B2 (en) 2008-12-19 2013-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method
US8760629B2 (en) 2008-12-19 2014-06-24 Nikon Corporation Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body
US8773635B2 (en) 2008-12-19 2014-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
CN101551599B (zh) * 2009-04-03 2011-07-20 清华大学 一种光刻机硅片台双台交换系统
NL2004322A (en) * 2009-04-13 2010-10-14 Asml Netherlands Bv Cooling device, cooling arrangement and lithographic apparatus comprising a cooling arrangement.
NL2004242A (en) 2009-04-13 2010-10-14 Asml Netherlands Bv Detector module, cooling arrangement and lithographic apparatus comprising a detector module.
WO2010125813A1 (ja) * 2009-04-30 2010-11-04 株式会社ニコン 露光方法及びデバイス製造方法、並びに重ね合わせ誤差計測方法
JPWO2010131490A1 (ja) * 2009-05-15 2012-11-01 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US8970820B2 (en) 2009-05-20 2015-03-03 Nikon Corporation Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8792084B2 (en) * 2009-05-20 2014-07-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9312159B2 (en) 2009-06-09 2016-04-12 Nikon Corporation Transport apparatus and exposure apparatus
NL2004847A (en) * 2009-06-30 2011-01-04 Asml Holding Nv Method for controlling the position of a movable object, a control system for controlling a positioning device, and a lithographic apparatus.
IT1399285B1 (it) * 2009-07-03 2013-04-11 Applied Materials Inc Sistema di lavorazione substrato
US8285418B2 (en) * 2009-07-23 2012-10-09 Kla-Tencor Corporation Dual scanning stage
WO2011016254A1 (ja) * 2009-08-07 2011-02-10 株式会社ニコン 移動体装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR101499285B1 (ko) 2009-08-07 2015-03-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US8493547B2 (en) 2009-08-25 2013-07-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8488109B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8514395B2 (en) 2009-08-25 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110096306A1 (en) 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
NL2005523A (en) 2009-10-28 2011-05-02 Asml Netherlands Bv Selection of optimum patterns in a design layout based on diffraction signature analysis.
KR20120100959A (ko) 2009-10-30 2012-09-12 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101733257B1 (ko) * 2009-11-05 2017-05-24 가부시키가이샤 니콘 포커스 테스트 마스크, 포커스 계측 방법, 노광 장치, 및 노광 방법
US20110134400A1 (en) 2009-12-04 2011-06-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid immersion member, and device manufacturing method
CN101718959B (zh) * 2009-12-15 2011-05-11 清华大学 一种光刻机硅片台双台交换方法及系统
US8488106B2 (en) 2009-12-28 2013-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
NL1037639C2 (en) 2010-01-21 2011-07-25 Mapper Lithography Ip Bv Lithography system with lens rotation.
US8841065B2 (en) 2010-02-12 2014-09-23 Nikon Corporation Manufacturing method of exposure apparatus and device manufacturing method
KR20120116329A (ko) 2010-02-20 2012-10-22 가부시키가이샤 니콘 광원 최적화 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 프로그램, 노광 장치, 리소그래피 시스템, 광원 평가 방법 및 광원 변조 방법
JP4838372B2 (ja) * 2010-04-23 2011-12-14 Thk株式会社 アクチュエータユニット
NL2007579A (en) 2010-11-10 2012-05-14 Asml Netherlands Bv Pattern-dependent proximity matching/tuning including light manipulation by projection optics.
NL2007642A (en) 2010-11-10 2012-05-14 Asml Netherlands Bv Optimization flows of source, mask and projection optics.
NL2007577A (en) 2010-11-10 2012-05-14 Asml Netherlands Bv Optimization of source, mask and projection optics.
NL2007578A (en) 2010-11-17 2012-05-22 Asml Netherlands Bv Pattern-independent and hybrid matching/tuning including light manipulation by projection optics.
NL2008157A (en) * 2011-02-22 2012-08-24 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and lithographic projection method.
WO2012115002A1 (ja) 2011-02-22 2012-08-30 株式会社ニコン 保持装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
CN102141739B (zh) * 2011-04-01 2013-01-16 清华大学 光刻机硅片台双台交换系统
DE102011077223B4 (de) 2011-06-08 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Messsystem
CN102236270B (zh) 2011-07-29 2012-12-19 中国科学院光电技术研究所 一种适用于双工件台投影光刻机的检焦装置
CN103782239B (zh) * 2011-08-30 2017-09-05 株式会社尼康 基板处理装置及基板处理方法、曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法、及平板显示器的制造方法
US8724115B2 (en) 2011-09-06 2014-05-13 Kla-Tencor Corporation Linear stage and metrology architecture for reflective electron beam lithography
US9690213B2 (en) 2011-09-06 2017-06-27 Kla-Tencor Corporation Linear Stage for reflective electron beam lithography
CN102495528B (zh) * 2011-11-12 2014-02-05 哈尔滨工业大学 基于随动防转机构双工件台同相位回转交换方法与装置
CN102393613B (zh) * 2011-11-12 2014-02-05 哈尔滨工业大学 一种基于同步齿轮调向的双工件台回转交换装置
NL2009982A (en) 2012-01-10 2013-07-15 Asml Netherlands Bv Source mask optimization to reduce stochastic effects.
CN103246170B (zh) * 2012-02-09 2015-07-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 曝光装置及曝光方法
US9940427B2 (en) 2012-02-09 2018-04-10 Asml Netherlands B.V. Lens heating aware source mask optimization for advanced lithography
WO2013178459A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Asml Netherlands B.V. Gradient-based pattern and evaluation point selection
NL2011592A (en) 2012-10-31 2014-05-06 Asml Netherlands Bv Compensation for patterning device deformation.
EP2950328A4 (en) 2012-11-30 2017-01-25 Nikon Corporation Suction apparatus, carry-in method, conveyance system, light exposure device, and device production method
KR102373075B1 (ko) 2012-11-30 2022-03-11 가부시키가이샤 니콘 반송 시스템, 노광 장치, 반송 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조방법, 및 흡인 장치
US10359704B2 (en) 2013-02-22 2019-07-23 Asml Netherlands B.V. Lithography model for three-dimensional patterning device
KR101807687B1 (ko) 2013-02-25 2017-12-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 이산 소스 마스크 최적화
CN104035286B (zh) * 2013-03-05 2015-12-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 圆筒形掩模板系统、曝光装置和曝光方法
CN104035285B (zh) * 2013-03-05 2016-06-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 曝光装置及其曝光方法
JP6571092B2 (ja) * 2013-09-25 2019-09-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ビームデリバリ装置及び方法
CN105830208B (zh) 2013-10-30 2019-07-16 株式会社尼康 基板保持装置、曝光装置及器件制造方法
US10627723B2 (en) 2013-12-17 2020-04-21 Asml Netherlands B.V. Yield estimation and control
EP3096346A4 (en) 2014-01-16 2017-09-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
WO2015121127A1 (en) 2014-02-11 2015-08-20 Asml Netherlands B.V. Model for calculating a stochastic variation in an arbitrary pattern
KR20160131110A (ko) 2014-03-18 2016-11-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 패턴 배치 에러 인식의 최적화
TWI624765B (zh) 2014-04-14 2018-05-21 Asml荷蘭公司 用以改良微影程序之電腦實施方法及電腦程式產品
WO2015197313A1 (en) * 2014-06-25 2015-12-30 Asml Netherlands B.V. Etch variation tolerant optimization
WO2016008711A1 (en) 2014-07-14 2016-01-21 Asml Netherlands B.V. Optimization of assist features and source
US10331039B2 (en) 2014-10-02 2019-06-25 Asml Netherlands B.V. Rule-based deployment of assist features
US10409165B2 (en) 2014-12-15 2019-09-10 Asml Netherlands B.V. Optimization based on machine learning
US10372043B2 (en) 2014-12-17 2019-08-06 Asml Netherlands B.V. Hotspot aware dose correction
US10685158B2 (en) 2014-12-18 2020-06-16 Asml Netherlands B.V. Lithography model for 3D features
WO2016128189A1 (en) 2015-02-13 2016-08-18 Asml Netherlands B.V. Process variability aware adaptive inspection and metrology
TWI620980B (zh) 2015-02-13 2018-04-11 Asml荷蘭公司 影像對數斜率(ils)最佳化
CN111610696A (zh) 2015-02-23 2020-09-01 株式会社尼康 基板处理系统及基板处理方法、以及组件制造方法
TWI696042B (zh) 2015-02-23 2020-06-11 日商尼康股份有限公司 測量裝置、微影系統及曝光裝置、以及管理方法、重疊測量方法及元件製造方法
JP6649636B2 (ja) 2015-02-23 2020-02-19 株式会社ニコン 計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びにデバイス製造方法
CN107430351B (zh) 2015-03-16 2019-06-11 Asml荷兰有限公司 用于确定抗蚀剂变形的方法
EP3291011A4 (en) 2015-03-25 2019-02-27 Nikon Corporation LAYOUT METHOD, BRAND DETECTION METHOD, LIGHT EXPOSURE METHOD, MEASURING APPARATUS, LIGHT EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
CN104900565A (zh) * 2015-05-27 2015-09-09 沈阳拓荆科技有限公司 一种半导体沉积设备腔体对接装置
CN104952773B (zh) * 2015-05-27 2018-01-12 沈阳拓荆科技有限公司 一种半导体沉积设备腔体对接方法
US11506984B2 (en) 2015-05-29 2022-11-22 Asml Netherlands B.V. Simulation of lithography using multiple-sampling of angular distribution of source radiation
IL256196B (en) 2015-06-17 2022-07-01 Asml Netherlands Bv Prescription selection based on inter-prescription composition
NL2017826A (en) 2015-12-07 2017-06-14 Asml Holding Nv Objective lens system
US10416566B2 (en) 2015-12-14 2019-09-17 Asml Netherlands B.V. Optimization of source and bandwidth for new and existing patterning devices
US11016397B2 (en) 2015-12-17 2021-05-25 Asml Netherlands B.V. Source separation from metrology data
WO2017108432A1 (en) 2015-12-22 2017-06-29 Asml Netherlands B.V. Apparatus and method for process-window characterization
US10627722B2 (en) 2015-12-31 2020-04-21 Asml Netherlands B.V. Etch-assist features
WO2017114672A1 (en) 2015-12-31 2017-07-06 Asml Netherlands B.V. Metrology by reconstruction
US10962886B2 (en) 2015-12-31 2021-03-30 Asml Netherlands B.V. Selection of measurement locations for patterning processes
CN108700827B (zh) 2016-02-24 2020-07-24 Asml荷兰有限公司 衬底处理系统及光刻设备
US11112700B2 (en) 2016-03-24 2021-09-07 Asml Netherlands B.V. Optimization of a lithographic projection apparatus accounting for an interlayer characteristic
US10796063B2 (en) 2016-04-14 2020-10-06 Asml Netherlands B.V. Mapping of patterns between design layout and patterning device
CN109313391B (zh) 2016-05-12 2021-03-05 Asml荷兰有限公司 基于位移的重叠或对准
KR102205364B1 (ko) 2016-05-17 2021-01-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 관통-파장 유사성에 기초한 계측 견실성 향상 기술
US10983440B2 (en) 2016-05-23 2021-04-20 Asml Netherlands B.V. Selection of substrate measurement recipes
WO2018010940A1 (en) 2016-07-12 2018-01-18 Asml Netherlands B.V. Visualizing performance metrics of computational analyses of design layouts
CN109844643A (zh) 2016-08-19 2019-06-04 Asml荷兰有限公司 对曝光后过程进行建模
EP3506012A4 (en) 2016-08-24 2020-04-15 Nikon Corporation MEASURING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
US10782616B2 (en) 2016-09-01 2020-09-22 Asml Netherlands B.V. Automatic selection of metrology target measurement recipes
US11029594B2 (en) 2016-09-13 2021-06-08 Asml Netherlands B.V. Optimization of a lithography apparatus or patterning process based on selected aberration
KR102556130B1 (ko) 2016-09-27 2023-07-14 가부시키가이샤 니콘 결정 방법 및 장치, 프로그램, 정보 기록 매체, 노광 장치, 레이아웃 정보 제공 방법, 레이아웃 방법, 마크 검출 방법, 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
JPWO2018061945A1 (ja) 2016-09-30 2019-07-11 株式会社ニコン 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法
CN109891319B (zh) 2016-10-24 2023-11-10 Asml荷兰有限公司 用于优化图案化装置图案的方法
WO2018095705A1 (en) 2016-11-23 2018-05-31 Asml Netherlands B.V. Metrology using a plurality of metrology target measurement recipes
KR102304317B1 (ko) 2016-12-01 2021-09-24 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 패턴 구성을 위한 방법 및 시스템
US10795267B2 (en) 2016-12-02 2020-10-06 Asml Netherlands B.V. Model for estimating stochastic variation
WO2018104073A1 (en) 2016-12-09 2018-06-14 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for controlling a computing process
CN110088689B (zh) 2016-12-23 2022-05-13 Asml荷兰有限公司 用于图案保真度控制的方法与设备
JP6808041B2 (ja) 2016-12-28 2021-01-06 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. メトロロジツール及びメトロロジツールを使用する方法
JP6903133B2 (ja) 2016-12-28 2021-07-14 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. 複数イメージ粒子検出のシステム及び方法
US10890540B2 (en) 2017-03-21 2021-01-12 Asml Netherlands B.V. Object identification and comparison
CN110612483B (zh) 2017-05-12 2022-06-28 Asml荷兰有限公司 用于评估抗蚀剂显影的方法
US11016401B2 (en) 2017-05-25 2021-05-25 Asml Holding N.V. Substrates and methods of using those substrates
US11403453B2 (en) 2017-07-12 2022-08-02 Asml Netherlands B.V. Defect prediction
EP3462240A1 (en) 2017-09-27 2019-04-03 ASML Netherlands B.V. Method of determining control parameters of a device manufacturing process
US11513442B2 (en) 2017-09-27 2022-11-29 Asml Netherlands B.V. Method of determining control parameters of a device manufacturing process
US11126096B2 (en) 2017-09-29 2021-09-21 Onto Innovation, Inc. System and method for optimizing a lithography exposure process
WO2020094389A1 (en) 2018-11-08 2020-05-14 Asml Netherlands B.V. Failure model for predicting failure due to resist layer
EP3650940A1 (en) 2018-11-09 2020-05-13 ASML Netherlands B.V. A method in the manufacturing process of a device, a non-transitory computer-readable medium and a system configured to perform the method
DE102018132001A1 (de) 2018-12-12 2020-06-18 Laser Imaging Systems Gmbh Vorrichtung zum Belichten von plattenförmigen Werkstücken mit hohem Durchsatz
WO2020169355A1 (en) 2019-02-20 2020-08-27 Asml Netherlands B.V. A method for characterizing a manufacturing process of semiconductor devices
US20220137503A1 (en) 2019-02-21 2022-05-05 Asml Netherlands B.V. Method for training machine learning model to determine optical proximity correction for mask
US11567413B2 (en) 2019-02-25 2023-01-31 Asml Netherlands B.V. Method for determining stochastic variation of printed patterns
JP7256287B2 (ja) 2019-03-25 2023-04-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. パターニングプロセスにおいてパターンを決定するための方法
WO2020200993A1 (en) 2019-04-04 2020-10-08 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for predicting substrate image
WO2020212107A1 (en) 2019-04-15 2020-10-22 Asml Netherlands B.V. Method for determining corrections to features of a mask
US20220229374A1 (en) 2019-04-25 2022-07-21 Asml Netherlans B.V. Method of determining characteristic of patterning process based on defect for reducing hotspot
CN118210204A (zh) 2019-05-21 2024-06-18 Asml荷兰有限公司 用于确定与期望图案相关联的随机变化的方法
EP3822703A1 (en) 2019-11-18 2021-05-19 ASML Netherlands B.V. Method for determining a field-of-view setting
WO2021069153A1 (en) 2019-10-08 2021-04-15 Asml Netherlands B.V. Method for determining a field-of-view setting
WO2021078460A1 (en) 2019-10-24 2021-04-29 Asml Netherlands B.V. Method for rule-based retargeting of target pattern
CN114585973A (zh) 2019-11-07 2022-06-03 Asml控股股份有限公司 在光刻设备中使用的光学部件和夹具
US20230100578A1 (en) 2020-02-12 2023-03-30 Asml Netherlands B.V. Method for determining a mask pattern comprising optical proximity corrections using a trained machine learning model
US11687010B2 (en) 2020-02-21 2023-06-27 Onto Innovation Inc. System and method for correcting overlay errors in a lithographic process
WO2021191005A1 (en) 2020-03-27 2021-09-30 Asml Holding N.V. Optical apparatus and lithographic apparatus using the optical apparatus
CN115605811A (zh) 2020-05-14 2023-01-13 Asml荷兰有限公司(Nl) 用于预测随机贡献方的方法
EP3910418A1 (en) 2020-05-14 2021-11-17 ASML Netherlands B.V. Method for direct decomposition of stochastic contributors
EP4162324A1 (en) 2020-06-08 2023-04-12 ASML Netherlands B.V. Substrate holder for use in a lithographic apparatus and a method of manufacturing a substrate holder
US20230244152A1 (en) 2020-06-24 2023-08-03 Asml Netherlands B.V. Systems, methods, and products for determining printing probability of assist feature and its application
JP7433181B2 (ja) * 2020-09-23 2024-02-19 株式会社Screenホールディングス 描画装置
KR20230117366A (ko) 2020-12-18 2023-08-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 마스크 패턴을 결정하고 기계학습 모델을 트레이닝하는 방법
WO2022135953A1 (en) 2020-12-23 2022-06-30 Asml Netherlands B.V. Optimization of lithographic process based on bandwidth and speckle
WO2022184578A1 (en) 2021-03-03 2022-09-09 Asml Netherlands B.V. Configuration of patterning process
KR20240011719A (ko) 2021-05-25 2024-01-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 마스크 규칙 체크 위반 및 마스크 디자인 결정
WO2022258398A1 (en) 2021-06-07 2022-12-15 Asml Netherlands B.V. Determining rounded contours for lithography related patterns
CN117940851A (zh) 2021-09-15 2024-04-26 Asml荷兰有限公司 从量测数据的源分离
EP4194950A1 (en) 2021-12-08 2023-06-14 ASML Netherlands B.V. Systems and methods for reducing pattern shift in a lithographic apparatus
WO2023110347A1 (en) 2021-12-16 2023-06-22 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for optimizing lithographic design variables using image-based failure rate model
WO2024012800A1 (en) 2022-07-11 2024-01-18 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for predicting post-etch stochastic variation
WO2024013273A1 (en) 2022-07-14 2024-01-18 Asml Netherlands B.V. Determining mask rule check violations and mask design based on local feature dimension
WO2024022729A1 (en) 2022-07-27 2024-02-01 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for particle removal
WO2024022854A1 (en) 2022-07-28 2024-02-01 Asml Netherlands B.V. Training a machine learning model to generate mrc and process aware mask pattern
EP4325229A1 (en) 2022-08-17 2024-02-21 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for contactless inspection of a substrate
EP4343827A1 (en) 2022-09-21 2024-03-27 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for bonding substrates

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4506205A (en) * 1983-06-10 1985-03-19 The Perkin-Elmer Corporation Electro-magnetic alignment apparatus
JPS6018918A (ja) * 1983-07-13 1985-01-31 Canon Inc ステージ装置
GB2155201B (en) * 1984-02-24 1988-07-13 Canon Kk An x-ray exposure apparatus
JP2960423B2 (ja) * 1988-11-16 1999-10-06 株式会社日立製作所 試料移動装置及び半導体製造装置
US5208497A (en) * 1989-04-17 1993-05-04 Sharp Kabushiki Kaisha Linear driving apparatus
JPH03273607A (ja) * 1990-03-23 1991-12-04 Canon Inc 移動テーブル装置
NL9100202A (nl) * 1991-02-05 1992-09-01 Asm Lithography Bv Lithografische inrichting met een hangende objecttafel.
US5301013A (en) * 1991-07-30 1994-04-05 U.S. Philips Corporation Positioning device having two manipulators operating in parallel, and optical lithographic device provided with such a positioning device
US5715064A (en) * 1994-06-17 1998-02-03 International Business Machines Corporation Step and repeat apparatus having enhanced accuracy and increased throughput
JP3800616B2 (ja) * 1994-06-27 2006-07-26 株式会社ニコン 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置
US5763966A (en) * 1995-03-15 1998-06-09 Hinds; Walter E. Single plane motor system generating orthogonal movement

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