TWI450044B - An optical element, an exposure apparatus using the same, an exposure method, and a manufacturing method of the micro-element - Google Patents

An optical element, an exposure apparatus using the same, an exposure method, and a manufacturing method of the micro-element Download PDF

Info

Publication number
TWI450044B
TWI450044B TW095131890A TW95131890A TWI450044B TW I450044 B TWI450044 B TW I450044B TW 095131890 A TW095131890 A TW 095131890A TW 95131890 A TW95131890 A TW 95131890A TW I450044 B TWI450044 B TW I450044B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
film
light
exposure apparatus
optical
Prior art date
Application number
TW095131890A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200710602A (en
Inventor
國分崇生
星加隆一
Original Assignee
尼康股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 尼康股份有限公司 filed Critical 尼康股份有限公司
Publication of TW200710602A publication Critical patent/TW200710602A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI450044B publication Critical patent/TWI450044B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/18—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical projection, e.g. combination of mirror and condenser and objective
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70941—Stray fields and charges, e.g. stray light, scattered light, flare, transmission loss
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

光學元件、使用其之曝光裝置、曝光方法及微元件之製造方法
本發明，係關於具備撥液功能膜之光學元件，具備投影光系統之曝光裝置，以及使用該曝光裝置之微元件之製造方法，該投影光學系統係在沿曝光用光之光軸方向形成之複數個光路空間中的特定光路空間形成液浸區域。
以往，作為此種曝光裝置，提出了一種例如於國際公開第99/49504號所揭露之曝光裝置。該文獻之曝光裝置，具備：將從曝光光源射出之曝光用光照射於光罩、標線片等光罩的照明光學系統，以及將形成於光罩之曝光圖案投影至晶圓、玻璃板等基板的投影光學系統。照明光學系統及投影光學系統分別具有鏡筒，於各鏡筒內分別至少收納有一個光學元件(透鏡等)。
又，國際公開第99/49504號所揭露之曝光裝置中，為因應元件之高密度化及形成於基板上之圖案的微細化，係對投影光學系統與基板間之空間的光路空間供應折射率較氣體高之液體(純水)，以形成液浸區域。因此，通過投影光學系統之曝光用光，係在通過液浸區域後照射於基板。
然而，國際公開第99/49504號之曝光裝置，由於投影光學系統中，配置在最接近基板側之光學元件表面中、與基板相對向之表面與液體接觸，因此，例如在液體之供應控制機構等供應了預期外之多量液體的情形等時，液浸區域內之部分液體，有可能會經由光學元件之側面，通過光學元件、與將該光學元件保持於鏡筒之保持具(保持構件)間之間隙，而侵入至鏡筒內。此外，在液浸曝光之嚴苛的條件下使用之光學元件，被要求能長期間維持適切之特性。
本發明之第1目的，在提供一種能有效防止液體侵入使用光學元件之環境的新穎光學元件、及具備此光學元件之曝光裝置，以及使用此種曝光裝置之曝光方法。本發明之第2目的，在提供一種不致對光學元件之光學特性造成影響，具備能防止液浸區域內之液體侵入鏡筒內之投影光學系統的曝光裝置，以及使用該曝光裝置之微元件之製造方法。
本發明第1態樣之曝光裝置，係對基板照射曝光光束，其特徵在於，具備：光學元件，係被該曝光光束照射，曝光光束之射出面側之光路空間充滿液體；以及撥液功能膜，係設在該光學元件有效區域外之表面的至少一部分。
根據此曝光裝置，能藉由撥液功能膜，長期間防止液浸區域之液體透過特定光學元件之側面，流通至特定光學元件之光入射面之空間。
本發明第2態樣之曝光裝置，係以形成於光罩之圖案來使基板曝光，其特徵在於，具備：投影光學系統，其具有複數個光學元件，於最接近感光性基板側之光學元件之光出射面側之光路空間形成液浸區域，以將該圖案投影至該感光性基板；以及遮光膜及撥液膜，係設在該複數個光學元件中1個以上之光學元件之有效區域以外表面之一部分。
根據第2態樣之曝光裝置，能藉由形成於光學元件之剝液膜，防止液浸區域之液體透過光學元件之側面，流通至光學元件之光入射面之空間。又，能藉由遮光膜長期間維持撥液膜之功能。
本發明第3態樣之微元件之製造方法，包含：使用上述第1或第2態樣之曝光裝置，將既定圖案曝光至感光性基板上的曝光步驟；以及將以該曝光步驟曝光之該感光性基板予以顯影的顯影步驟。根據此微元件之製造方法，能長期間製造良好的微元件。
本發明第4態樣之光學元件，係用於透過液體來使基板曝光之液浸曝光裝置，其特徵在於，具備：基材，係該光學元件之基材；撥液構件，係設於該基材表面之至少一部分；減光構件，係設於該基材與該減光構件之間，以進行光之減光來從光之照射保護撥液構件。本發明之光學元件，由於同時具備撥液構件與用以維持其撥液性之減光構件，因此能長期間防止液體意外的侵入光學元件之使用環境。
本發明第5態樣之光學系統，係使用於透過液體來使基板曝光之液浸曝光裝置，其包含第4態樣之光學元件。在液浸曝光裝置內使用此光學系統，能長期間防止意外的浸水。
本發明第6態樣之液浸曝光裝置，係透過液體來使基板曝光，其包含第5態樣之光學系統。因此，液浸曝光裝置能長期間持續良好的液浸曝光。
本發明第7態樣之曝光方法，係提供一種使用第7態樣之液浸曝光裝置的曝光方法。根據此曝光方法，能長期間持續良好的液浸曝光。
本發明第8態樣之微元件之製造方法，其包含：以第7態樣之曝光方法使基板曝光之步驟；將曝光後基板予以顯影之步驟；以及將顯影後基板予以加工之步驟。藉由此元件之製造方法，能長期間製造高精度之微元件。
本發明第9態樣之液浸曝光裝置之製造方法，其包含：提供照明光學系統的步驟；提供於鏡筒內之既定位置具備光學元件之投影光學系統的步驟；提供用以裝載基板之載台的步驟；提供對該投影光學系統與該基板之間供應液體之液體供應系統的步驟；以及調整照明光學系統、投影光學系統及載台之配置，以使來自光源之光依序透射照明光學系統及投影光學系統的調整步驟；該提供投影光學系統的步驟，包含於該光學元件表面之至少一部分設置減光構件的步驟、以及於該減光構件上設置撥液構件的步驟。藉由此製造方法，能製造具有本發明之光學元件的曝光裝置。
以下，參照圖式，說明本發明實施形態之曝光裝置。如圖1所示，本實施形態之曝光裝置11，係使作為光罩之標線片R與作為基板之晶圓W於1維方向(此處，係圖1中紙面內之左右方向)同步移動，同時將形成於標線片之電路圖案，透過投影光學系統PL轉印至晶圓W上之各照射區域。亦即，本實施形態之曝光裝置11，係步進掃描(Step & Scan)方式之掃描型曝光裝置，亦即，係所謂的掃描步進器(Scanning Stepper)。
曝光裝置11，具備：曝光光源(圖示省略)、照明光學系統12、標線片載台RST、投影光學系統PL、及晶圓載台WST等。並以標線片載台RST保持標線片R、以晶圓載台WST保持晶圓W。又，本實施形態之曝光光源，係使用射出ArF準分子雷射光(波長193nm)來作為曝光用光EL的光源。
照明光學系統12，包含未圖示之複眼透鏡、棒狀透鏡等之光學積分器、中繼透鏡、以及聚光透鏡等的各種透鏡、及孔徑光闌等所構成。從未圖示之曝光光源射出之曝光用光EL，藉由通過照明光學系統12，而被調整為能均勻的照明標線片R上之圖案。
標線片載台RST，係配置成在照明光學系統12與投影光學系統PL之間，標線片R之裝載面與光路大致正交。亦即，標線片載台RST係配置在投影光學系統PL之物體面側(曝光用光EL之入射側，圖1中為上側)。
投影光學系統PL，具備複數片(圖1中僅顯示7片)透鏡元件LS1,LS2,LS3,LS4,LS5,LS6,LS7。此等各透鏡元件LS1~LS7中最接近晶圓W側之透鏡元件(以下，稱第1特定透鏡元件)LS7以外之透鏡元件LS1~LS6，係保持在鏡筒13內。此外，鏡筒13內之各透鏡元件LS1~LS6之間充填有沖洗(purge)用氣體(例氮氣)。又，於鏡筒13之下端部，設有用以保持第1特定透鏡元件(第1特定光學元件)LS7之透鏡保持具14。各透鏡元件LS1~LS7，具有曝光用光EL入射之光入射面、與入射之曝光用光射出之光射出面。並且，各透鏡元件LS1~LS7，係以光軸(O)大致一致之方式，配置成分別在各光入射面側及光射出面側形成光路空間。
晶圓載台WST，係配置成於投影光學系統PL之像面側，晶圓W之裝載面與曝光用光EL之光路大致正交。以曝光用光EL照明之標線片R上圖案之像，即在通過投影光學系統PL以既定縮小倍率縮小的狀態下，被投影轉印至晶圓載台WST上之晶圓W。
此處，本實施形態之曝光裝置11，係為實質上縮短曝光波長以提昇解像度，且為了實質上獲得較廣之焦深，而採用了液浸法之液浸曝光裝置。為此，曝光裝置11，具備液浸機構。於液浸機構，作為液體供應系統，具有對第1特定透鏡元件LS7之光射出面側之光路空間15、及光入射面側之光路空間16個別供應純水LQ的第1液體供應裝置17以及第2液體供應裝置18。又，於液浸機構，亦設有用以個別回收供應至光路空間15及光路空間16之純水LQ的第1液體回收裝置19及第2液體回收裝置20。
如圖2所示，於第1特定透鏡元件LS7與晶圓W間之光路空間15，藉由從第1液體供應裝置17供應純水LQ而形成液浸區域LT1。形成液浸區域LT1之純水LQ，根據第1液體回收裝置19之驅動而從光路空間15加以回收。又，於第1特定透鏡元件LS7、與相對第1特定透鏡元件LS7配置在投影光學系統PL之物體面側之透鏡元件(第2特定光學元件)LS6間之光路空間16，藉由第2液體供應裝置所供應之純水LQ形成液浸區域LT2。亦即，透鏡元件LS6，係構成為次於第1特定透鏡元件LS7接近投影光學系統PL像面的第2特定透鏡元件。形成此液浸區域LT2之純水LQ，根據第2液體回收裝置20之驅動而從光路空間16加以回收。
此處，第2特定透鏡元件LS6係具有折射力(透鏡作用)之光學元件，其下面LS6c為平面狀，其上面LS6b係形成為朝向投影光學系統PL之物體面側的凸狀，具有正折射力。又，第2特定透鏡元件LS6，俯視略呈圓形，其上面LS6b之外徑形成為大於下面LS6c之外徑。亦即，第2特定透鏡元件LS6，其中央部分係使曝光用光EL通過之曝光用光通過部(有效區域)LS6A，且於該曝光用光通部LS6A之外周形成有突緣部LS6B。透過突緣部LS6B將第2特定透鏡元件LS6支撐於鏡筒13。又，本案中所謂之光學元件的「有效區域(effective area)」，係指光學元件中閃光(flare)、雜散光等不要光以外之光預定照射或射出的區域，在光學設計時所設定之區域。例如，將該光學元件組裝於投影光學系統等之成像光學系統(an imaging optical system)之情形下，從成像光學系統像面上之像場(經實用上像差校正之區域)內所有像點進行最大數值孔徑光束之光線追跡法(＝從像點進行光線追跡(ray tracing)時)時，將到達(被光線追跡)該光學元件光學面之光束在該光學面上所佔區域，作為該光學面之有效區域。此處，當光學元件具有複數個光學面時，各自之有效區域即為該光學元件之有效區域(即光學元件具備複數個有效區域)。
又，第1特定透鏡元件LS7，係可透射曝光用光EL之無折射力的平行平板，其下面LS7c與上面LS7b為平行。此外，第1特定透鏡元件LS7俯視略呈圓形，其上面LS7b之外徑形成為大於下面LS7c之外徑。亦即，第1特定透鏡元件LS7，其中央部分係使曝光用光EL通過之曝光用光通過部(有效區域)LS7A，且於該曝光用光通部LS7A之外周形成有突緣部LS7B。透過突緣部LS7B將第1特定透鏡元件LS7支撐於透鏡保持具14。
本實施形之投影光學系統PL中，於鏡筒13與透鏡保持具14之間，配置有圍繞曝光用光EL之光路、呈環狀之嘴構件(以下，由於係對從晶圓W側算起第2個光路空間16供應純水(pure water)LQ，因此稱「第2嘴構件」)21。此第2嘴構件21，係以螺栓(未圖示)固定於鏡筒13之下端部。並於第2嘴構件21之下面以複數支螺栓SC固定透鏡保持具14。
又，第2嘴構件21，如圖2所示，係配置成其內側面21b和第2特定透鏡元件LS6之下面LS6c與下面LS6d間之側面LS6a相對向，且其上面21c與第2特定透鏡元件LS6之下面LS6d相對向。此處，於第2嘴構件21之上面21c形成有呈環狀之凸部21d，藉由此凸部21d，在凸部21d之上面與第2特定透鏡元件LS6之下面LS6d之間，形成極窄的間隙。亦即，第2嘴構件21，藉由在其內側面21d與第2特定透鏡元件LS6之側面LS6a之間、及第2嘴構件21之凸部21d之上面與第2特定透鏡元件LS6之下面LS6d之間形成間隙，而配置成不會與第2特定透鏡元件LS6接觸。
又，在第2特定透鏡元件LS6之側面LS6a及突緣部LS6B之下面LS6d，亦即，第2特定透鏡元件LS6之有效區域外之表面、即第2特定透鏡元件LS6之與光軸(O)不交會之區域，形成有撥液功能膜之撥水功能膜28。如圖3所示，撥水功能膜28，係由形成在第2特定透鏡元件LS6之側面LS6a及下面LS6d表面的遮光28a、與形成在此遮光28a表面的撥水膜(撥液膜)28b所構成。此處，構成撥水功能膜28之撥水膜28b，係由能在低溫成膜之氟系樹脂材料、四氟乙烯等之氟系樹脂材料、丙烯系樹脂材料或矽系樹脂材料等形成，構成撥水功能膜28之遮光膜28a，則係光學濃度值OD=1以上之金屬膜或金屬氧化膜電漿。作為撥水膜28a，例如，可使用旭玻璃股份有限公司(英文名：ASAHI GLASS CO.,LTD.)製 塞脫普(英文名：CYTOP)。金屬膜，具體而言，可以是由選自Au、Pt、Ag、Ni、Ta、W、Pd、Mo、Ti、Si以及Cr所構成群中之至少一種金屬所形成之膜。又，金屬氧化膜，具體而言，可以是由選自ZrO2 、HfO2 、TiO2 、Ta2 O5 、SiO以及Cr2 O3 所構成群中之至少一種物質所形成之膜。亦即，可以是由該等氧化物群所選之單一物質、亦可以是該等之任意的混合物。
撥水膜/遮光膜之組合例，可舉例如下。
氟系樹脂1.0μm/Si：200nm
氟系樹脂1.0μm/Ta：200nm
氟系樹脂0.5μm/Cr2 O3 ：50nm/Cr：150nm
氟系樹脂0.5μm/W：100nm/Cr：100nm
上述組合之任一者，皆為光學濃度值OD=1以上之組合。
以下，說明於第2特定透鏡元件LS6設置撥液功能膜28之方法。首先，於光學元件LS6表面之有效區域外側形成遮光膜28b。以前述金屬膜或金屬氧化膜來形成遮光膜28b時，可使用真空蒸鍍法(vacuum vapor deposition method)、離子束輔助蒸鍍法(ion beam assisted vapor deposition method)、氣體團簇離子束輔助蒸鍍法(gas cluster ion beam assisted vapor deposition method)、離子噴鍍法(ion plating method)、離子束濺鍍法(ion beam sputtering method)、磁控濺鍍法(magnetron sputtering method)、偏壓濺鍍法(bias sputtering method)。高頻濺鍍法(radio frequency sputtering method)等乾式成膜方法。以成膜率等之成膜條件與成膜時間來調整膜厚，以使據此所得之膜的反射、吸收來使光學濃度(optical density)值OD=1以上較佳。遮光膜28b，點型例為100nm~300nm。欲在表面之有效區域外側設置膜時，可使用將光學元件LS6之有效區域預先以密封件等加以遮蔽來成膜的遮罩(mask)方法，以及在蒸鍍裝置等裝置內設置遮蔽構件來防止堆積物堆積的方法等。
其次，說明於遮光膜上重疊撥液膜28a之形成方法。作為濕式之成膜方法，可使用旋轉塗布法、浸塗法等。此時，可藉由適當調整樹脂溶液之濃度、塗布時之轉數、及拉起速度等，以形成具有適當撥液功能之膜。撥液膜28a，點型例為0.1 μ m~2.0 μ m。本發明中，對液浸曝光等所使用之液體具有90度以上之接觸角的話，即可說具有充分的撥液功能。以該等方法塗布撥液膜後，亦可藉加熱提升膜之強度，據以提升耐久性。
撥水功能膜28，由於具有形成在第2特定透鏡元件LS6表面之遮光膜28a，因此能防止起因於雷射光(曝光用光EL)等之光線照射於撥水膜28b。由於撥水膜28b係形成在第2特定透鏡元件LS6之有效區域外，因此，通常不會直接照射到曝光用光EL。然而，有可能會有預期外之反射光、雜散光照射於撥液膜28b，可藉由遮光膜28a來防止撥液膜28b因光而劣化。特別是，為了防止通過第2特定透鏡元件LS6射入撥水膜28b之雜散光，遮光膜28a必須設在撥水膜28b與第2特定透鏡元件LS6之光射出面之間。此處，使用金屬膜來作為遮光膜28a時，由於金屬膜為反射膜，因此能抑制遮光膜28a之能量吸收，防止第2特定透鏡元件LS6之光學特性隨著遮光膜28a之溫度上而惡化。又，使用金屬氧化膜作為遮光膜28a時，由於金屬氧化膜為吸收膜，因此能防止應係來自遮光膜28a之反射所產生的雜散光。
第2嘴構件21，係透過液體供應管22連結於第2液體供應裝置18。於第2嘴構件21內部形成有與液體供應管22連通之液體供應通路23，流過液體供應管22及液體供應通路23之純水LQ，透過形成在第2嘴構件21之內側面21b的供應用開口部24流入光路空間16內。又，第2嘴構件21，係透過液體回收管25連結於第2液體回收裝置20。於第2嘴構件21內，形成有與液體回收管24連通之液體回收通路26。在光路空間16內形成液浸區域LT2之純水LQ，係透過在第2嘴構件24之內側面21b側、形成於與供應用開口部24相對向側之回收用開部27，被回收至第2液體回收裝置20。又，回收用開口部27，係較液浸區域LT2形成在更靠近物體面側(圖2中為上方)。
此外，在透鏡保持具14與晶圓W之間，配置有圍繞曝光用光EL之光路、呈環狀之嘴構件(以下，由於係對從晶圓W側算起之第1個光路空間15供應純水LQ，因此稱「第1嘴構件」)30。第1嘴構件30，係藉由未圖示之支撐構件、以不接觸第1特定透鏡元件LS7及透鏡保持具14之方式加以支撐。
又，第1嘴構件30，係配置成其內側面30b和第1特定透鏡元件LS7之下面LS7c與下面LS7d間之側面LS7a相對向，且其上面30c與第1特定透鏡元件LS7之突緣部LS7B之下面LS7d相對向。且第1嘴構件30，藉由在其內側面30d與第1特定透鏡元件LS7之側面LS7a之間形成間隙，而配置成不會與第1特定透鏡元件LS7接觸。
此處，於第1特定透鏡元件LS7上面之周緣部LS7e，亦即，於第1特定透鏡元件LS7之光入射側的有效區域外，具備沿第1特定透鏡元件LS7之緣部設置之圓周狀邊界形狀的段差形狀50、與設在圓周狀段差形狀50外側之第1特定透鏡元件LS7表面能以低溫成膜之氟系樹脂構成的撥水膜51。又，亦可於第1特定透鏡元件LS7之有效區域外(例如側面LS7a)設置撥水膜、或遮光膜與撥水膜。
第1嘴構件30，係透過液體供應管31連結於第1液體供應裝置17。於第1嘴構件30內形成有與液體供應管31連通之液體供應通路32，且於第1嘴構件30之下面側形成有與液體供應通路32連通、呈環狀之供應用開口部33。此外，第1嘴構件30，係透過液體回收管34連結於第1液體回收裝置19。於第1嘴構件30內，形成有與液體回收管34連通之液體回收通路35，且於第1嘴構件30之下面側形成有與液體供應通路35連通、呈環狀之回收用開口部36。此回收用開口部36，係在供應用開口部33之外側形成為包圍供應用開口部33。此外，於回收用開口部36設有多孔構件37(由形成多數孔所構成)。
其次，說明對本實施形態之曝光裝置11之各光路空間15、16供應純水LQ時之作用。當將裝載於晶圓載台WST之晶圓W配置於曝光用光EL之光路上時，第1液體供應裝置17及第2液體供應裝置18開始驅動。如此，即從第1液體供應裝置17供應純水LQ，此純水LQ，流過液體供應管31及液體供應通路32內，透過供應用開口部33被供應至光路空間15內。與此同時，從第2液體供應裝置18供應純水LQ，此純水LQ，流過液體供應管22及液體供應通路23內，透過供應用開口部24被供應至光路空間16內。
當第1液體供應裝置17將既定容量之純水LQ供應至光路空間15內時，即停止其驅動。其結果，於光路空間15內形成由純水LQ形成之液浸區域LT1。又，當第2液體供應裝置18將既定容量之純水LQ供應至光路空間16內時，即停止其驅動。其結果，於光路空間16內形成由純水LQ形成之液浸區域LT2。
此時，光路空間16內純水LQ之一部分雖會滲入第2特定透鏡元件LS6與第2嘴構件21之間的間隙，但由於第2特定透鏡元件LS6的表面形成有撥水功能膜28，因此，藉由撥水功能膜28之撥水效果，能防止純水LQ侵入上方之光路空間。當因為第2特定透鏡元件LS6表面未形成撥水功能膜28而使得純水LQ侵入上方之光路空間的情形時，有可能因純水LQ浸透形成在第2特定透鏡元件LS6之上面LS6b(朝物體面側形成為凸狀)的光學薄膜，而導致光學薄膜之光學特性惡化。此外，會因純水LQ使光學薄膜溶解，而無法維持期望性能。因此，為了防止純水LQ侵入第2持定透鏡元件LS6上方之光路空間，撥水功能膜28是必要的。
上述實施形態之曝光裝置，可藉由照明光學裝置照明光罩(標線片)R(照明步驟)，使用投影光學系統PL將形成於光罩R之轉印用圖案轉印至感光性基板(晶圓)W(轉印步驟)，來製造微元件(半導體元件、攝影元件、液晶顯示元件、薄膜磁頭等)。以下，參照圖4之流程圖，說明使用上述實施形態之曝光裝置藉由在感光性基板之晶圓W等形成既定電路圖案，以製得作為微元件之半導體元件時之一方法例。
首先，於圖4之步驟S301中，於一批晶圓W上蒸鍍金屬膜。於其次之步驟S302中，於該一批晶圓W上之金屬膜上塗布光阻。之後，於步驟S303，使用上述實施形態之曝光裝置，將光罩M上之圖案像透過投影光學系統PL依序曝光轉印至該一批晶圓W上之各照射區域。之後，於步驟S304，進行該一批晶圓W上之光阻的顯影後，於步驟S305中，藉由在該一批晶圓W上將光阻圖案作為光罩進行蝕刻，對應光罩M上圖案之電路圖案即形成在各晶圓W上之各照射區域。
之後，再進行上層電路圖案形成等，據以製造半導體元件等之元件。根據上述半導體元件之製造方法，由於係使用上述實施形態之曝光裝置，因此能將微細之圖案良好的曝光至晶圓。又，步驟S301~步驟S305中，雖係於晶圓W上蒸鍍金屬、於該金屬膜上塗布光阻，然後進行曝光、顯影、蝕刻之各步驟，但當然亦可於該等步驟之前，先於晶圓W形成矽之氧化膜後，再於該金屬膜上塗布光阻，然後進行曝光、顯影、蝕刻之各步驟。
此外，上述實施形態之曝光裝置，亦可藉由在平板(玻璃基板)上形成既定圖案(電路圖案、電極圖案等)，來製得微元件之液晶顯示元件。以下，參照圖5之流程圖說明此時之一方法例。圖5中，圖案形成步驟S401，係進行使用上述實施形態之曝光裝置將光罩R之圖案轉印曝光至感光性基板(塗有光阻之玻璃基板等)之所謂的光微影製程。藉由此光微影製程，於感光性基板上形成包含多數電極等之既定圖案。之後，曝光後之基板經顯影步驟、蝕刻步驟、光阻剝離步驟等各步驟，於基板上形成既定圖案，而移至下一個彩色濾光片形成步驟S402。
其次，於彩色濾光片形成步驟S402，形成對應R(Red)、G(Green)、B(Blue)三色之3個點的多數個組排列成矩陣狀、或R、G、B之3線條之複數個濾光阻排列於水平掃描線方向的彩色濾光片。接著，在彩色濾光片形成步驟S402之後，實施單元組裝步驟S403。於單元組裝步驟S403，係使用以圖案形成步驟S401所得之具有既定圖案的基板、以及以彩色濾光片形成步驟S402所得之彩色濾光片等來組裝液晶面板(液晶cell)。單元組裝步驟S403，例如，係於圖案形成步驟S401所得之具有既定圖案的基板、與彩色濾光片形成步驟S402所得之彩色濾光片之間注入液晶，來製造液晶面板(液晶單元)。
之後，於模組組裝步驟S404，安裝用以進行組裝妥之液晶面板球液晶單元)之顯示動作的電路、背光模阻等各零件而完成液晶顯示元件。根據上述液晶顯示元件之製造方法，由於係使用上述實施形態之曝光裝置，因此能將微細之圖案良好的曝光至晶圓。
又，上述實施形態中，亦可將第1特定透鏡元件LS7與第2特定透鏡元件LS6形成為一體，僅在一體形成之光學元件之光射出側空間形成液浸區域，並於一體形成之光學元件之有效區域外表面之至少一部分具備撥水功能膜。
上述實施形態中，雖係舉光學元件之基材(透鏡元件)上僅具有遮光膜與撥液膜(撥水膜)之構造做了說明，但並不限於此，本發明之光學元件，亦能在遮光膜及撥液膜之間、基材與遮光膜之間設置例如保護層、提升遮光膜及撥液膜之密接性的層、用以補強機械強度之層等其他功能性膜。此外，於撥液功能膜之最上層，因為該功能而存在撥液膜。
上述實施形態中，雖在光學元件之基材(透鏡元件)上形成有遮光膜與撥液膜，但不限於膜狀，可設置各種形態之遮光構件及撥液構件。例如，可以是覆蓋透鏡元件之外側部分(有效區域外側)的框狀成形構件。此種成形構件可以是由前述遮光性物質及撥液性物質形成為一體者，或者，亦可使用將遮光性物質所構成之構件與撥液性物質所構成之構件加以重疊者。又，並不限於遮光性物質，只要是能減弱射入撥液構件之入射光的減光構件的話皆可使用。
上述實施形態中，雖係於透鏡元件之有效區域外形成遮光膜及撥液膜，但並不須要在有效區域外之所有區域形成遮光膜及撥液膜，可形成於部分區域。例如，可在透鏡元件有效區域之半徑方向外側區域中、僅在接近透鏡元件最外周之環狀區域形成遮光膜及撥液膜。又，遮光膜及撥液膜亦可設在透鏡元件之光射出面以外之側面。
上述實施形態中，雖將遮光膜及撥液膜適用於作為光學元件之投影光學系統PL之第2透鏡元件，但並不限於此，亦可適用於有可能與液體接觸之投影光學系統之其他透鏡元件。又，具有本發明之遮光膜及撥液膜的光學元件，並不限於投影光學系統PL之透鏡元件，亦可適用於設在對準光學系統、基板載台(或後述測量載台)之各種感測器的透鏡、光透射板等之光學元件。
此外，例如國際公開2006/64900號所揭示，使用複數個繞射光柵於感光性基板上曝光圖案之曝光裝置亦能適用本發明。詳言之，可於國際公開2006/64900號之圖18及圖19所示之形成有繞射光柵透光性平板P1及P2中之至少一方，設置上述實施形態之遮光膜及撥液膜。
又，上述實施形態中，作為曝光光源，除F2 雷射(157nm)外，例如亦可使用KrF準分子雷射(248nm)、Kr2 雷射(146nm)、Ar2 雷射(126nm)等。
又，上述實施形態中，液體可以是純水LQ以外者。例如，當曝光光源為F2 雷射時，由於F2 雷射光無法透射過純水LQ，因此以使用全氟聚醚(PFPE＝perfluoropolyether)或氟系油等氟系液體較佳。此時，所要求的是必須具備能彈開氟系液體之功能膜，且係由對所使用之液體具高接觸角之物質所構成的撥液功能膜。此外，亦可使構成照明光學系統12或投影光學系統PL之光學元件中之一片或複數片光學元件，具有在曝光用光EL之有效區域外表面具有遮光膜與撥液膜的撥液功能膜。
上述實施形態中，雖係以具有單一基板載台之曝光裝置為例作了說明，但亦可於由二個基板載台來移動曝光站(station)與測量站之多載台型(雙載台)之曝光裝置適用本發明之光學系統及光學元件。該等多載台型之曝光裝置，已揭示於美國專利6,341,007、6,400,441、6,549,269及6,590,634、5,969,441號，此處，援用該等美國專利作為本說明書記載之一部分。
再者，本發明亦能適用於例如國際公開1999/23692、美國專利第6,897,963號等所揭示，具備保持基板之基板載台、與測量載台(裝載了形成有基準標記之基準構件及/或各種光電感測器)的曝光裝置。援用美國專利第6,897,963號作為本說明書記載之一部分。
又，上述實施形態中，雖係採用在投影光學系統PL與基板P之間局部的充滿液體之曝光裝置，但本發明亦能適用例如日本特開平6－124873號公報、特開平10－303114號公報、美國專利第5,825,043號等所揭示，在曝光對象之基板表面全體浸泡於液體中的狀態下進行曝光之液浸曝光裝置。
上述實施形態中，雖係舉具備投影光學系統PL之曝光裝置為例作了說明，但本發明亦能適用於不使用投影光學系統PL之曝光裝置及曝光方法。在此種不使用投影光學系統PL之情形下，曝光用光係透過繞射光學元件、或透鏡等之光學構件照射於基板，在該等光學構件與基板間之既定空間形成液浸區域。
又，本發明亦能適用於例如國際公開2001/035168號小冊子所揭示，藉由在基板上形成干涉紋以在基板上曝光出線與空間圖案(line & space pattern)的曝光裝置，例如特表2004－519850號公報(對應美國專利第6,611,316號)所揭示，將二個光罩之圖案透過投影光學系統在基板上加以合成，藉一次掃描曝光將基板上的二個照射區域大致同時的予以雙重曝光的曝光裝置。
此外，作為曝光裝置之種類，並不限於將半導體元件圖案曝光至基板P之半導體元件等微元件製造用曝光裝置，亦能廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置，以及用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、微機器、MEMS、DNA晶片之曝光裝置等。
又，為製造光曝光裝置、EUV曝光裝置、X光曝光裝置、及電子束曝光裝置等所使用之標線片或光罩，而將電路圖案從母標線片轉印至玻璃基板或矽晶圓等之曝光裝置亦能適用本發明。此處，使用DUV(深紫外線)或VUV(真空紫外線)光等之曝光裝置一般係使用透射型標線片，作為標線片基板，係使用石英玻璃、摻雜了氟之石英玻璃、螢石、氟化鎂、或水晶等。又，近接方式之X光曝光裝置、或電子束曝光裝置等，則係使用透射型光罩(模板光罩(stencil mask)、薄膜光罩(membrane mask))，作為光罩基板係使用矽晶圓等。
上述實施形態中，雖係使用在光透射性基材上形成有既定減光圖案(或相位圖案、減光圖案)之光透射型光罩，但亦可取代此光罩，使用例如美國專利第6,778,257號公報所揭示，根據待形成至曝光對象基板上圖案之電子資料來形成透射圖案或反射圖案、或發光圖案的電子光罩(包含被稱為可變成形光罩，例如非發光型影像顯示元件(空間光調變器)之一種的DMD(Digital Micro－mirror Device)等)。
11．．．曝光裝置
12．．．照明光學系統
13．．．鏡筒
14．．．透鏡保持具
15,16．．．光路空間
17,18．．．第1、第2液體供應裝置
19,20．．．第1、第2液體回收裝置
21．．．第2嘴構件
21b．．．第2嘴構件之內側面
21c．．．第2嘴構件之上面
21d．．．第2嘴構件之凸部
22,31．．．液體供應管
23,32．．．液體供應通路
24,33．．．供應用開口部
25,34．．．液體回收管
26,35．．．液體回收通路
27,36．．．回收用開口部
28．．．撥水功能膜
30．．．嘴構件
30b．．．嘴構件之內側面
30c．．．嘴構件之上面
37．．．多孔構件
50．．．段差形狀
51．．．撥水膜
EL．．．曝光用光
LQ．．．液體
LT1,LT2．．．液浸區域
LS1~LS7．．．透鏡元件
LS6A．．．曝光用光通過部(有效區域)
LS6B．．．突緣部
LS6a．．．透鏡元件LS6之側面
LS6b．．．透鏡元件LS6之上面
LS6c．．．透鏡元件LS6之下面
LS6d．．．透鏡元件LS6之下面
LS6e．．．透鏡元件LS6之上面之周緣部
LS7A．．．曝光用光通過部(有效區域)
LS7B．．．突緣部
LS7a．．．透鏡元件LS7之側面
LS7b．．．透鏡元件LS7之上面
LS7c．．．透鏡元件LS7之下面
LS7d．．．透鏡元件LS7之下面
LS7e．．．透鏡元件LS7之上面之周緣部
PL．．．投影光學系統
R．．．標線片
RST．．．標線片載台
SC．．．螺栓
W．．．晶圓
WST．．．晶圓載台
第1圖，係顯示實施形態之曝光裝置的概略構成圖。
第2圖，係放大實施形態之曝光裝置之一部分的概略構成圖。
第3圖，係顯示實施形態之撥水功能膜之構成的圖。
第4圖，係顯示實施形態之微元件製造方法的流程圖。
第5圖，係顯示實施形態之微元件製造方法的流程圖。
13‧‧‧鏡筒
14‧‧‧透鏡保持具
15,16‧‧‧光路空間
17,18‧‧‧第1、第2液體供應裝置
19,20‧‧‧第1、第2液體回收裝置
21‧‧‧第2嘴構件
21b‧‧‧第2嘴構件之內側面
21c‧‧‧第2嘴構件之上面
21d‧‧‧第2嘴構件之凸部
22,31‧‧‧液體供應管
23,32‧‧‧液體供應通路
24,33‧‧‧供應用開口部
25,34‧‧‧液體回收管
26,35‧‧‧液體回收通路
27,36‧‧‧回收用開口部
28‧‧‧撥水功能膜
30‧‧‧嘴構件
30b‧‧‧嘴構件之內側面
30c‧‧‧嘴構件之上面
37‧‧‧多孔構件
50‧‧‧段差形狀
51‧‧‧撥水膜
EL．．．曝光用光
LQ．．．液體
LT1,LT2．．．液浸區域
LS5,LS6,LS7．．．透鏡元件
LS6A．．．曝光用光通過部(有效區域)
LS6B．．．突緣部
LS6a．．．透鏡元件LS6之側面
LS6b．．．透鏡元件LS6之上面
LS6c．．．透鏡元件LS6之下面
LS6d．．．透鏡元件LS6之下面
LS6e．．．透鏡元件LS6之上面之周緣部
LS7A．．．曝光用光通過部(有效區域)
LS7B．．．突緣部
LS7a．．．透鏡元件LS7之側面
LS7b．．．透鏡元件LS7之上面
LS7c．．．透鏡元件LS7之下面
LS7d．．．透鏡元件LS7之下面
LS7e．．．透鏡元件LS7之上面之周緣部
PL．．．投影光學系統
SC．．．螺栓
W．．．晶圓

Claims (45)

  1. 一種曝光裝置，係對基板照射曝光光束，其特徵在於，具備：光學元件，係被該曝光光束照射，曝光光束之射出面側之光路空間充滿液體；以及撥液功能膜，係設在該光學元件有效區域外之表面的至少一部分；該撥液功能膜，具備形成在該光學元件表面之遮光膜、與形成在該遮光膜表面之撥液膜。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該撥液功能膜係撥水功能膜。
  3. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該光學元件包含該感光性基板側之第1光學元件與該光罩側之第2光學元件，於該第1光學元件與該第2光學元件之間具備液浸區域。
  4. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該撥液功能膜，在該遮光膜與該撥液膜之間或該光學元件之基材與該遮光膜之間進一步具備第三功能性膜；該第三功能性膜具備保護功能、使密接性提升之功能、補強機械強度之功能之任一者。
  5. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該光學元件在有效區域之外周形成突緣部，在該突緣部具備撥液功能膜。
  6. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該撥水 膜係氟樹脂。
  7. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該遮光膜之光學濃度(optical density)值OD=1以上。
  8. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該遮光膜係由金屬膜或金屬氧化膜形成。
  9. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中，該金屬膜係由選自Au、Pt、Ag、Ni、Ta、W、Pd、Mo、Ti、Si及Cr所構成群中之至少一種金屬所形成。
  10. 如申請專利範圍第8項之曝光裝置，其中，該金屬氧化膜係由選自ZrO2、HfO2、TiO2、Ta2O5、SiO及Cr2O3所構成群中之至少一種物質所形成。
  11. 如申請專利範圍第6項之曝光裝置，其中，該撥液膜係藉由濕式成膜法成膜之氟樹脂。
  12. 如申請專利範圍第6項之曝光裝置，其中，該氟樹脂之厚度為0.1μm~2.0μm。
  13. 一種微元件之製造方法，其特徵在於，包含：曝光步驟，使用申請專利範圍第1項之曝光裝置，將既定圖案曝光至感光性基板上；以及顯影步驟，係將以該曝光步驟曝光之該感光性基板予以顯影。
  14. 一種光學元件，係用於透過液體來使基板曝光之液浸曝光裝置，其特徵在於，具備：基材，係該光學元件之基材；撥液構件，係設於該基材表面之至少一部分； 減光構件，係設於該基材與該減光構件之間，以進行光之減光來從光之照射保護撥液構件；該光學元件係用於投影光學系統；該投影光學系統，係將投影光學系統之光射出側之光路空間以液體加以充滿，透過該液體來對基板進行投影；該光學元件係在該投影光學系統之光射出側與液體接觸之方式設於該投影光學系統內。
  15. 如申請專利範圍第14項之光學元件，其中，該減光構件係設於光學元件之有效區域之外。
  16. 如申請專利範圍第14項之光學元件，其中，該減光構件係設於光學元件之側面。
  17. 如申請專利範圍第14項之光學元件，其中，該減光構件係設於不與光學元件之光軸交會之區域。
  18. 如申請專利範圍第14項之光學元件，其中，該減光構件及該撥液構件之一方為薄膜。
  19. 如申請專利範圍第14項之光學元件，其中，該減光構件係遮光膜。
  20. 如申請專利範圍第19項之光學元件，其中，該遮光膜之光學濃度值OD=1以上。
  21. 如申請專利範圍第19項之光學元件，其中，該遮光膜係由金屬膜或金屬氧化膜形成。
  22. 如申請專利範圍第21項之光學元件，其中，該金屬膜係由選自Au、Pt、Ag、Ni、Ta、W、Pd、Mo、Ti、Si及Cr所構成群中之至少一種金屬所形成。
  23. 如申請專利範圍第22項之光學元件，其中，該金屬氧化膜係由選自ZrO2、HfO2、TiO2、Ta2O5、SiO及Cr2O3所構成群中之至少一種物質所形成。
  24. 如申請專利範圍第18項之光學元件，其中，該撥液構件係撥水膜。
  25. 如申請專利範圍第24項之光學元件，其中，該撥水膜係氟樹脂。
  26. 如申請專利範圍第18項之光學元件，其中，係於該光學元件之最表面設置撥液膜。
  27. 一種光學系統，係使用於透過液體來使基板曝光之液浸曝光裝置，其包含申請專利範圍第14項之光學元件。
  28. 如申請專利範圍第27項之光學系統，其包含含該光學元件之複數個光學元件，位於光學系統之光射出側的光學元件其光射出面與液體接觸。
  29. 如申請專利範圍第27項之光學系統，其進一步具備在該光學系統內支撐光學元件之支撐構件。
  30. 如申請專利範圍第27項之光學系統，其係將既定圖案投影至基板之投影光學系統。
  31. 一種液浸曝光裝置，係透過液體來使基板曝光，其包含申請專利範圍第14項之光學元件。
  32. 如申請專利範圍第31項之液浸曝光裝置，其中，該減光構件係設於光學元件之有效區域之外。
  33. 如申請專利範圍第31項之液浸曝光裝置，其中，該減光構件係設於光學元件之側面。
  34. 如申請專利範圍第31項之液浸曝光裝置，其中，該減光構件係設於不與光學元件之光軸交會之區域。
  35. 如申請專利範圍第31項之液浸曝光裝置，其中，該減光構件及該撥液構件之一方為薄膜。
  36. 如申請專利範圍第31項之液浸曝光裝置，其中，該減光構件係遮光膜。
  37. 如申請專利範圍第36項之液浸曝光裝置，其中，該遮光膜之光學濃度值OD=1以上。
  38. 如申請專利範圍第36項之液浸曝光裝置，其中，該遮光膜係由金屬膜或金屬氧化膜形成。
  39. 如申請專利範圍第38項之液浸曝光裝置，其中，該金屬膜係由選自Au、Pt、Ag、Ni、Ta、W、Pd、Mo、Ti、Si及Cr所構成群中之至少一種金屬所形成。
  40. 如申請專利範圍第38項之液浸曝光裝置，其中，該金屬氧化膜係由選自ZrO2、HfO2、TiO2、Ta2O5、SiO及Cr2O3所構成群中之至少一種物質所形成。
  41. 如申請專利範圍第35項之液浸曝光裝置，其中，該撥液構件係撥水膜。
  42. 如申請專利範圍第41項之液浸曝光裝置，其中，該撥水膜係氟樹脂。
  43. 如申請專利範圍第35項之液浸曝光裝置，其中，係於該光學元件之最表面設置該撥液構件。
  44. 一種曝光方法，係透過液體使基板曝光，其係使用申請專利範圍第31項之曝光裝置。
  45. 一種微元件之製造方法，其包含：以申請專利範圍第44項之曝光方法使基板曝光之步驟；將曝光後基板予以顯影之步驟；以及將顯影後基板予以加工之步驟。
TW095131890A 2005-08-31 2006-08-30 An optical element, an exposure apparatus using the same, an exposure method, and a manufacturing method of the micro-element TWI450044B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005250556 2005-08-31
JP2006026516 2006-02-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200710602A TW200710602A (en) 2007-03-16
TWI450044B true TWI450044B (zh) 2014-08-21

Family

ID=37571838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095131890A TWI450044B (zh) 2005-08-31 2006-08-30 An optical element, an exposure apparatus using the same, an exposure method, and a manufacturing method of the micro-element

Country Status (3)

Country Link
EP (2) EP1760528B1 (zh)
KR (1) KR101335095B1 (zh)
TW (1) TWI450044B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008031576A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-20 Carl Zeiss Smt Ag Optical arrangement for immersion lithography with a hydrophobic coating and projection exposure apparatus comprising the same
JP2009009047A (ja) * 2007-06-29 2009-01-15 Fujifilm Corp パターン形成方法
NL1035757A1 (nl) * 2007-08-02 2009-02-03 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
WO2009043790A2 (en) 2007-10-02 2009-04-09 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for microlithography
DE102011088623A1 (de) 2011-12-14 2013-01-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element mit thermischer Isolierung, Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage damit

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200301507A (en) * 2001-12-06 2003-07-01 Seiko Epson Corporatoin Mask formation method, semiconductor apparatus, circuit, display module, color filter, and light emitting device
TW200307312A (en) * 2002-02-25 2003-12-01 Sony Corp Manufacturing method of mask for exposure and exposure mask
TW200513809A (en) * 2003-09-29 2005-04-16 Nippon Kogaku Kk Liquid-soaked lens system and projecting exposure apparatus as well as component manufacturing method
TW200515481A (en) * 2003-10-23 2005-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Photo mask, pattern formation method using the same, and mask data generation method
TW200516343A (en) * 2003-09-30 2005-05-16 Renesas Tech Corp Photomask, photomask manufacturing method and semiconductor device manufacturing method using photomask

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
CN1144263C (zh) 1996-11-28 2004-03-31 株式会社尼康 曝光装置以及曝光方法
EP1197801B1 (en) 1996-12-24 2005-12-28 ASML Netherlands B.V. Lithographic device with two object holders
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
EP1364257A1 (en) 2001-02-27 2003-11-26 ASML US, Inc. Simultaneous imaging of two reticles
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
KR101101737B1 (ko) * 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
WO2005006417A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP4474652B2 (ja) * 2003-08-26 2010-06-09 株式会社ニコン 光学素子及び露光装置
JP4756380B2 (ja) 2004-12-17 2011-08-24 株式会社ニコン 露光方法および装置、ならびに電子デバイス製造方法
EP1843385A4 (en) * 2005-01-28 2011-04-27 Nikon Corp OPTICAL PROJECTION SYSTEM, EXPOSURE SYSTEM AND EXPOSURE METHOD

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200301507A (en) * 2001-12-06 2003-07-01 Seiko Epson Corporatoin Mask formation method, semiconductor apparatus, circuit, display module, color filter, and light emitting device
TW200307312A (en) * 2002-02-25 2003-12-01 Sony Corp Manufacturing method of mask for exposure and exposure mask
TW200513809A (en) * 2003-09-29 2005-04-16 Nippon Kogaku Kk Liquid-soaked lens system and projecting exposure apparatus as well as component manufacturing method
TW200516343A (en) * 2003-09-30 2005-05-16 Renesas Tech Corp Photomask, photomask manufacturing method and semiconductor device manufacturing method using photomask
TW200515481A (en) * 2003-10-23 2005-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Photo mask, pattern formation method using the same, and mask data generation method

Also Published As

Publication number Publication date
EP1760528A2 (en) 2007-03-07
KR101335095B1 (ko) 2013-12-03
TW200710602A (en) 2007-03-16
EP1760528B1 (en) 2018-06-06
EP3428723A1 (en) 2019-01-16
EP1760528A3 (en) 2009-04-01
KR20070026208A (ko) 2007-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8724075B2 (en) Optical element, exposure apparatus based on the use of the same, exposure method, and method for producing microdevice
JP4984747B2 (ja) 光学素子、それを用いた露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
KR101240775B1 (ko) 소수성 코팅을 갖는 액침 리소그래피용 광학 장치 및 이를 포함하는 투영 노광 장치
TWI410676B (zh) 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡的製造方法、光學系統、曝光裝置以及元件的製造方法
JP4957970B2 (ja) 投影光学系、露光装置、および露光方法
US7710653B2 (en) Projection optical system, exposure system, and exposure method
US20080106718A1 (en) Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method
JP2004333761A (ja) 反射屈折型の投影光学系、露光装置、および露光方法
KR101714264B1 (ko) 헤이즈 방지를 위한 마스크 펠리클 표시기
TWI450044B (zh) An optical element, an exposure apparatus using the same, an exposure method, and a manufacturing method of the micro-element
JP2007096254A (ja) 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
TW200425273A (en) Optical projection system, light exposing apparatus and light exposing method
JP2008085328A (ja) 液浸対物光学系、露光装置、デバイス製造方法、および境界光学素子
JPWO2007114024A1 (ja) 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
US7027227B2 (en) Three-dimensional structure forming method
JP2009295933A (ja) ダミー露光基板及びその製造方法、液浸露光装置、並びに、デバイス製造方法
JP2006114839A (ja) 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP4868209B2 (ja) 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2007266409A (ja) 光学素子、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2007132981A (ja) 対物光学系、収差測定装置、および露光装置
JP2005195713A (ja) 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP4720293B2 (ja) 露光装置、及びデバイスの製造方法
JP2007027439A (ja) 投影光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法
JP2006019563A (ja) 投影光学系、露光装置、および露光方法
JP2004354555A (ja) 反射屈折型の投影光学系、露光装置および露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees