CN110612483B

CN110612483B - 用于评估抗蚀剂显影的方法

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Publication number: CN110612483B
Application number: CN201880030731.7A
Authority: CN
Inventors: 刘鹏
Original assignee: ASML Holding NV
Current assignee: ASML Holding NV
Priority date: 2017-05-12
Filing date: 2018-04-20
Publication date: 2022-06-28
Anticipated expiration: 2038-04-20
Also published as: US20200124973A1; US10901322B2; KR102380916B1; CN110612483A; TW201907443A; WO2018206275A1; KR20200006574A; TWI706439B

Abstract

一种方法，包括：获得用于抗蚀剂显影模型的条件集合，所述抗蚀剂显影模型用于模拟抗蚀剂层的抗蚀剂显影过程；和通过硬件计算机系统使用所述条件集合和所述抗蚀剂显影模型来执行所述抗蚀剂显影过程的计算机模拟以获得所述抗蚀剂层的所述显影的特性，其中所述计算机模拟分离地模拟所述抗蚀剂显影过程的不同的特性和某些不同的物理和化学过程。

Description

用于评估抗蚀剂显影的方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年5月12日提交的美国申请62/505,596的优先权，该美国申请通过引用全文并入本文。

技术领域

本公开的描述涉及光刻设备和图案化过程，更具体地涉及用于评估例如通过光刻设备或过程被图案化的抗蚀剂层的显影的方法。

背景技术

光刻设备可以例如用于诸如集成电路(IC)之类的器件的制造中。在这种情况下，图案形成装置(例如，掩模)可以包括或提供对应于器件的单个层的图案(“设计布局”)，并且这一图案可以通过诸如利用来自图案形成装置的根据所述图案被图案化的辐射来辐照已经涂覆有用于接收所述图案的材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多个的管芯)的方法，被转印到所述目标部分上。一般而言，单个衬底包括被光刻设备连续地、一次一个目标部分地将图案转印到其上的多个相邻目标部分。在一种类型的光刻设备中，整个图案形成装置的图案被一次性转印到一个目标部分上；这样的设备通常称作为晶片步进器。在一种替代的设备(通常称为步进扫描设备)中，投影束沿给定的参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置之上扫描，同时沿与所述参考方向平行或反向平行的方向同步移动衬底。图案形成装置上的图案的不同部分被逐渐地转印到一个目标部分上。因为通常在这种情况下光刻设备将具有放大因数M(通常<1)，所以衬底被移动的速度F将是投影束扫描图案形成装置的速度的因数M倍。关于本公开描述的光刻设备的更多信息可以从例如US 6,046,792中搜集到，该文献通过引用全文并入本文。

在将图案从图案形成装置转印至衬底之前，衬底可能经历各种工序，诸如涂底料、抗蚀剂涂覆以及软焙烤。在曝光之后，衬底可能经历其它工序，诸如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤以及对所转印的图案的测量/检查。这一系列的工序被用作为制造器件(例如IC)的单个层的基础。之后衬底可能经历各种过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光、量测(例如SEM)等，所有的这些过程都旨在完成器件的单个层。如果器件需要多个层，则针对每一层重复整个工序或其变形。最终，器件将存在于衬底上的每一目标部分中。之后通过诸如切片或锯割等技术，使这些器件彼此分离，据此单个的器件可以安装在载体上，连接至引脚等。

因此，制造器件(诸如半导体器件)典型地涉及使用多个制作过程处理衬底(例如，半导体晶片)，以形成所述器件的各个特征和多个层。这些层和/或特征典型地使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光和离子注入来制造和处理。可以在衬底上的多个管芯上制作多个器件，之后将它们分离成单独的器件。这种器件制造过程可被认为是图案化过程。图案化过程涉及使用光刻设备的图案转印步骤，诸如光学和/或纳米压印光刻术，以将图案提供到衬底上，而且图案化过程典型地但可选地涉及一个或更多个相关的图案处理步骤，诸如通过显影设备进行抗蚀剂显影、使用焙烤工具来焙烤衬底、通过蚀刻设备蚀刻所述图案等。而且，图案化过程典型地涉及一个或更多个量测过程。

发明内容

因此，用于实现图案化过程(即，产生涉及图案化(诸如光刻曝光或压印)的器件或其它结构的过程，其典型地可以包括一个或更多个相关联的处理步骤，诸如抗蚀剂显影、蚀刻等)的重要方面包括使过程自身显影、设置过程以用于监控和控制且因此实际上监控和控制所述过程自身。

为了实现此情形，对于图案化过程，期望确定(例如测量、使用模型化图案化过程的一个或更多个方面的一个或更多个模型来模拟等)一个或更多个感兴趣的参数，诸如结构的临界尺寸(CD)、边缘放置误差、形成于衬底中或衬底上的连续层之间的重叠误差(即连续层的不期望的且无意的未对准)等。

因此，期望确定针对通过图案化过程产生的结构的这种一个或更多个感兴趣的参数，并将所述感兴趣的参数用于与图案化过程有关的设计、控制和/或监控，例如用于过程设计、控制和/或验证。图案化结构的所确定的一个或更多个感兴趣的参数能够被用于图案化过程设计、校正和/或验证、缺陷检测或分类、良率估计和/或过程控制。

用于实现这种参数的确定的机制是计算光刻术。计算光刻术模型化和模拟图案化过程的一个或更多个设备和/或过程。多个图案化过程的重要部分是用于形成图案(所述图案典型地用于刻蚀)的抗蚀剂显影。因此，期望提供抗蚀剂显影过程的计算模拟和模型化。然而，现有的抗蚀剂显影模型化技术对于宽范围的图案并不是非常准确，对于完整芯片应用来说可能太慢因此，期望提供例如对于宽范围的图案是准确且全面的抗蚀剂显影模型和模拟。另外地或替代地，期望提供例如对于完整芯片应用来说足够快速地求解的抗蚀剂显影模型和模拟。

在实施例中，提供一种方法，包括：获得用于抗蚀剂显影模型的条件集合，所述抗蚀剂显影模型用于模拟抗蚀剂层的抗蚀剂显影过程；和通过硬件计算机系统使用所述条件集合和所述抗蚀剂显影模型来执行所述抗蚀剂显影过程的计算机模拟以获得所述抗蚀剂层的所述显影的特性，其中所述计算机模拟分离地模拟所述抗蚀剂显影过程的不同的特性和某些不同的物理和化学过程。

在实施例中，提供一种方法，包括：假设在所述抗蚀剂层的所述显影中不存在化学反应，通过硬件计算机系统确定抗蚀剂层的显影中的扩散的特性；假设在所述抗蚀剂层的所述显影中不存在扩散，通过所述硬件计算机系统确定所述抗蚀剂层的所述显影中的所述化学反应的特性；和通过所述硬件计算机系统基于所述扩散的特性和所述化学反应的特性确定所述抗蚀剂层的所述显影的特性。

在实施例中，提供一种方法，包括：假设在垂直于所述第一方向的任何方向上不存在扩散，通过硬件计算机系统确定在抗蚀剂层的显影中在第一方向上的扩散的特性；假设在所述第一方向上不存在扩散，通过所述硬件计算机系统确定在所述抗蚀剂层的所述显影中在第二方向上的扩散的特性，所述第二方向不同于所述第一方向；和通过所述硬件计算机系统基于在所述第一方向上的所述扩散的特性和在所述第二方向上的所述扩散的特性确定所述抗蚀剂层的所述显影的特性。

在实施例中，提供一种非暂时性计算机程序产品，包括机器可读指令，所述机器可读指令用于使得处理器执行本公开描述的方法。

在实施例中，提供一种系统，包括：光刻设备，包括布置成将图案转印到涂覆有抗蚀剂的衬底上的图案转印系统；和本公开描述的非暂时性计算机程序。在实施例中，光刻设备还包括支撑结构，配置成保持图案形成装置以调制辐射束以供该图案转印系统投影至所述衬底。

另外的特征和优点以及各种实施例的结构和操作将参考随附附图在下文更详细地进行描述。注意到，本发明不限于本公开描述的特定实施例。本文仅出于说明性的目的来呈现这些实施例。基于本文包含的教导，相关领域的技术人员将明白另外的实施例。

附图说明

现在将参考随附附图仅通过举例的方式描述实施例，在随附附图中：

图1是光刻系统的各种子系统的框图；

图2是与图案化过程的部分或子系统对应的模拟模型的框图；

图3A示意性图示了与显影剂结合的抗蚀剂层的初始状态；

图3B示意性图示了在初始状态之后的时间点具有显影剂的抗蚀剂层；

图4示出了根据实施例的获得(例如确定或估计)衬底上的抗蚀剂层中的多维扩散的至少一特性的方法的流程图；

图5示出了根据实施例的获得(例如确定或估计)衬底上的抗蚀剂层中的显影的至少一特性的方法的流程图；

图6示出了根据实施例的获得(例如确定或估计)衬底上的抗蚀剂层中的显影的至少一特性的方法的流程；

图7是示例计算机系统的框图；

图8是光刻投影设备的示意图；

图9是另一光刻投影设备的示意图；

图10是图9中的设备的更详细的视图；

图11是图9和图10的设备的源收集器模块SO的更详细视图。

通过下面结合附图给出的详细描述，实施例的特征和优点将变得更加明显，其中，相同的附图标记始终表示相应的元件。在附图中，相同的附图标记通常表示相同的、功能类似的、和/或结构类似的元件。

具体实施方式

作为简要介绍，图1图示了示例性光刻投影设备10A。主要部件为：辐射源12A，其可为深紫外线准分子激光源或包括极紫外线(EUV)源的其它类型的源(如上文所讨论，光刻投影设备自身无需具有辐射源)；照射光学器件，其限定部分相干性(被表示为西格玛)且其可包括成形来自源12A的辐射的光学器件14A、16Aa和16Ab；图案形成装置14A；和透射光学器件16Ac，其将图案形成装置图案的图像投影到衬底平面22A上。在投影光学器件的光瞳平面处的可调整的滤光器或光阑20A可能会限制入射到衬底平面22A上的束角度的范围，其中最大可能的角度定义了投影光学器件的数值孔径NA＝sin(Θ_max)。

上文所提及的图案形成装置包括或能够形成设计布局。可以使用CAD(计算机辅助设计)程序来产生设计布局，这种过程经常被称作EDA(电子设计自动化)。大多数CAD程序遵循一组预定的设计规则，以便产生功能设计布局/图案形成装置。通过处理和设计限制来设定这些规则。例如，设计规则限定电路器件(诸如栅极、电容器等)、或互连线之间的空间容许度，以便确保电路器件或线不以不被期望的方式彼此互相作用。设计规则限制典型地被称为“临界尺寸”(CD)。器件的临界尺寸可以被限定为特征(例如，线)或沟槽(例如，孔)的最小宽度，或者两个特征或两个沟槽之间的最小空间。因此，CD确定了所设计的器件的整体尺寸和密度。当然，器件制造中的目标中的一个是在衬底上如实地再现原始器件设计(经由图案形成装置)。

因此，在光刻投影设备中，源提供照射(即，光)；投影光学器件经由图案形成装置将所述照射引导并成形到衬底上。术语“投影光学器件”在这里被广泛地限定为包括可以改变辐射束的波前的任何光学部件。例如，投影光学器件可以包括部件14A、16Aa、16Ab和16Ac中的至少一些部件。空间图像(AI)是衬底水平处的辐射强度分布。曝光衬底上的抗蚀剂层，并且将空间图像转印到抗蚀剂层以在其中作为潜影“抗蚀剂图像”(RI)。抗蚀剂图像(RI)能被限定为抗蚀剂层中的抗蚀剂的溶解度的空间分布和/或被显影的抗蚀剂的显影后空间分布。可以使用抗蚀剂模型根据空间图像计算出抗蚀剂图像，可以在共同转让的美国专利申请公开No.2009-0157360中找到这种方案的示例，该美国专利申请的公开内容通过引用将其全部内容并入本文。抗蚀剂模型仅与抗蚀剂层的属性(例如，所述属性例如是在曝光、曝光后焙烤和显影期间出现的化学过程的效果)有关。光刻投影设备的光学属性(例如源、图案形成装置和投影光学器件的属性)规定空间图像。由于可以改变用于光刻投影设备中的图案形成装置，所以期望使图案形成装置的光学属性与至少包括所述源和投影光学器件的光刻投影设备的其余部分的光学属性分离。

在图2中图示了用于模拟光刻投影设备中的光刻术的示例性流程图。源模型31表示源的光学特性(包括辐射强度分布和/或相位分布)。投影光学器件模型32表示投影光学器件的光学特性(包括由投影光学器件引起的对辐射强度分布和/或相位分布的改变)。设计布局模型35表示设计布局的光学特性(包括由给定的设计布局33引起的对辐射强度分布和/或相位分布的改变)，该设计布局是位于图案形成装置上的或者由图案形成装置形成的特征的布置的表示。可以根据设计布局模型35、投影光学器件模型32和设计布局模型35来模拟空间图像36。抗蚀剂图像38能够使用抗蚀剂模型37根据空间图像36来模拟。光刻术的模拟能够例如预测抗蚀剂图像中的轮廓和CD。

更具体地，应注意，源模型31可以表示源的光学特性，包括但不限于NA-西格玛(σ)设定以及任何特定的照射源形状(例如离轴辐射源，诸如环形、四极子和偶极子等)。投影光学器件模型32可以表示投影光学器件的光学特性，包括像差、变形、折射率、物理尺寸，物理维度等。设计布局模型35还可以表示物理图案形成装置的物理属性，如例如在美国专利NO.7,587,704中所描述的，该专利通过引用其全部内容并入本文。模拟的目标是准确地预测例如边缘放置、空间图像强度斜率和/或CD，然后可以与预期设计进行比较。预期设计通常被限定为可以以诸如GDSII或OASIS或其它文件格式的标准化数字文件格式而提供的预光学邻近校正(OPC)设计布局。

可以根据这一设计布局识别一个或更多个部分，其被称为“片段(clip)”。在实施例中，提取一组片段，其表示设计布局中的复杂图案(典型地约50至1000个片段，但可以使用任何数目的片段)。本领域技术人员将理解，这些图案或片段表示设计的小部分(即，电路、单元或图案)，尤其是片段表示需要特别注意和/或验证的小部分。换句话说，片段可以是设计布局的部分，或可以类似于设计布局或可以具有与设计布局的部分相类似的行为，其中通过经验(包括由客户提供的片段)、通过试误法或通过执行全芯片模拟来识别临界特征。片段通常包含一个或更多个测试图案或计量(gauge)图案。

可以基于设计布局中已知的临界特征区域由客户先验地提供初始的较大组的片段，其需要特定的图像优化。可替代地，在另一实施例中，可以通过使用一些类型的自动化的(诸如机器视觉)或手工算法从整个设计布局提取所述初始的较大组片段，所述算法识别临界特征区域。

抗蚀剂层是采用提供至其的图案的材料层，并且可以具有各种化学组分。抗蚀剂层通常具有小的但有限的厚度，所述厚度在尺寸上可以与提供至抗蚀剂的图案相当。典型地，抗蚀剂是辐射敏感层，其接收呈图案形式的辐射强度分布，其中辐射(诸如EUV或DUV)在抗蚀剂中引发化学反应，从而在抗蚀剂中实现图案的潜像。抗蚀剂层可以经历图案化过程中的各种处理。例如，如上所述，抗蚀剂可以被图案化，例如抗蚀剂可被曝光于辐射以形成图案。此外，抗蚀剂可以经历曝光后焙烤(PEB)、显影(例如，正性显影或负性显影)和/或硬焙烤。

在那些各种抗蚀剂处理中，抗蚀剂显影是图案化过程中的重要步骤。抗蚀剂再显影主要负责从图案化的抗蚀剂中出现的抗蚀剂轮廓，所述图案化的抗蚀剂典型地通过在曝光期间施加到抗蚀剂的强度分布来图案化。

因此，重要的是在计算光刻应用中捕获抗蚀剂显影效果(例如，使用图案形成装置图案进行照射的优化(通常称为源掩模优化(SMO))和光学邻近校正(OPC))，以准确地预测图案印刷属性，诸如临界尺寸(CD)、边缘放置误差(EPE)、过程窗口(PW)等。因此，期望提供一种能够预测抗蚀剂显影以实现例如更为准确的光刻术和更高的良率的能力的抗蚀剂显影模型。

因此，在实施例中，提供了一种比经验模型更准确的用于预测抗蚀剂显影的抗蚀剂显影模型。在实施例中，抗蚀剂显影模型对于全芯片应用是足够快的。在实施例中，从严格的第一原理模型简化了抗蚀剂显影模型，但是保留了大量的物理全面性。

在全芯片应用中使用的现有抗蚀剂显影模型是经验性的。也就是，它们不是从包含用于观察到的效果(例如，显影剂负荷)的机理的第一原理中导出。因此，这些经验模型缺乏针对各种图案组的物理全面性，从而导致对某些图案的抗蚀剂行为的过度预测或过低预测。

因此，本公开提供了用于例如全芯片应用的新的抗蚀剂显影模型。如上所述，在实施例中，新的抗蚀剂显影模型基于第一原理(即，描述抗蚀剂、显影剂及其组合的基本物理和化学属性以及过程的方程式)。然后，在实施例中，新的抗蚀剂显影模型基于第一原理技术来模拟抗蚀剂的基本物理和化学属性以及过程。因此，在实施例中，提供了一种用于全芯片计算光刻应用的快速物理抗蚀剂显影模型，所述全芯片计算光刻应用模拟了显影如何在抗蚀剂显影系统中进行。在实施例中，抗蚀剂显影过程是正性抗蚀剂显影过程，在该过程中用正性显影剂对抗蚀剂层进行显影，并且抗蚀剂显影模型模型化正性抗蚀剂显影过程。在实施例中，抗蚀剂显影过程是负性抗蚀剂显影过程，在该过程中用负性显影剂对抗蚀剂层进行显影，并且抗蚀剂显影模型模型化负性抗蚀剂显影过程。

为了帮助理解所述模型，图3中描绘了抗蚀剂显影系统的一部分的单元。参考图3A，描绘了抗蚀剂显影系统的一部分的单元的初始状态300。在初始状态下，在图案转印之后在抗蚀剂层350中存在未溶解的抗蚀剂330(通常是不动的)，并且在已施加至抗蚀剂330的显影剂层260中存在显影剂320。在实施例中，单元的顶部边界对应于环境(例如，空气)，单元的底部边界对应于衬底(例如，硅晶片，其可选地在其上具有一个或更多个先前施加的层，此处以虚线格式作为参考370示出)，在衬底上提供抗蚀剂。

然后，参考图3B，描绘了在初始状态之后的时间的抗蚀剂显影系统的部分的单元的另一状态310。如图3B所示，显影剂320与抗蚀剂330反应，显影剂320的一部分扩散到抗蚀剂330中，而抗蚀剂330的一部分扩散到显影剂320中。通常，扩散到显影剂320中的大部分抗蚀剂330是被溶解的抗蚀剂340(通常是可移动的)。

因此，抗蚀剂显影涉及各种不同的化学和物理过程和特性。特别地，抗蚀剂显影过程可以分为两个主要方面-第一方面是显影剂和抗蚀剂之间的化学反应(例如，抗蚀剂的溶解和显影剂的消耗)，第二方面是各种物理组分的扩散(例如，显影剂的扩散和被溶解的抗蚀剂的扩散)。

因此，物理抗蚀剂显影模型包括对应于各种此类不同的化学和物理过程以及特性的数学方程式。因此，物理抗蚀剂显影模型分离地模拟各种此类不同的化学和物理过程以及特性。在本公开的方程式中，方括号[...]表示归一化数量(例如被归一化成0＜[...]＜1)。在实施例中，变量被归一化成初始或最终数量(例如，抗蚀剂量(例如密度、浓度等)被归一化成初始抗蚀剂量，显影剂量(例如浓度)被归一化成初始显影剂量等)。

在实施例中，物理抗蚀剂显影模型包括针对抗蚀剂溶解反应的速率定律，其可具有以下形式：

其中A为未溶解的抗蚀剂(例如通常不能动的抗蚀剂330)的量(例如密度)(其中在归一化内容背景中，0表示抗蚀剂已经被显影，1表示保持原始抗蚀剂)，C为显影剂(例如显影剂320)的浓度(其中在归一化内容背景中，0表示显影剂已被消耗完，1表示初始显影剂浓度)，p和q为反应阶数，k为溶解反应速率系数，t为时间。在实施例中，p、q和k典型地针对特定抗蚀剂显影系统及其特定评估而定义，并且p、q和k通常依赖于所涉及的材料(例如抗蚀剂类型、显影剂类型等)和相关联的条件(例如温度等)。在实施例中，p、q和k是使用者定义的。在实施例中，p、q和k是以实验方式确定(例如，通过拟合至实验数据)。

由于抗蚀剂溶解，所以有副产物生成，诸如被溶解的抗蚀剂(例如被溶解的抗蚀剂340)。此外，所述副产物在例如显影剂(例如显影剂320)中扩散。因此，在实施例中，物理抗蚀剂显影模型包括针对副产物生成和扩散的方程式，其可具有以下形式：

其中B为诸如被溶解的抗蚀剂(例如通常可移动的被溶解的抗蚀剂340)的副产物的量(例如密度)(其中在归一化内容背景中，0表示没有被溶解的抗蚀剂，1表示最大量的被溶解的抗蚀剂)，r_b为B生成速率与A溶解速率的比率，D_b为副产物(例如被溶解的抗蚀剂)扩散的扩散率(且通常依赖于A、B和C)。在此方程式中，第一项通常对应于副产物生成，而第二项通常对应于副产物扩散。

而且，由于抗蚀剂溶解，显影剂(例如显影剂320)会消耗。此外，显影剂在例如抗蚀剂(例如抗蚀剂330)中扩散。因此，在实施例中，物理抗蚀剂显影模型包括针对显影剂消耗和扩散的方程式，其可具有以下形式：

其中r_c为C消耗速率与A溶解速率的比率，D_c为显影剂扩散的扩散率(且通常依赖于A、B和C)。在此方程式中，第一项通常对应于显影剂消耗，而第二项通常对应于显影剂扩散。

在实施例中，r_b和r_c典型地针对特定抗蚀剂显影系统及其特定评估而定义，并且r_b和r_c通常依赖于所涉及的材料(例如抗蚀剂类型、显影剂类型等)和相关联的条件(例如温度等)。在实施例中，r_b和r_c是使用者定义的。在实施例中，r_b和r_c是以实验方式确定(例如，通过拟合至实验数据)。

如上所述，一般来说，D_b和D_c是[A]、[B]和[C]的函数。利用以下关系式可以假定D_b主要依赖于[A]，D_c主要依赖于[A]和[B]，所述关系式基本上由自由体积理论导出：

其中D_b0为副产物的初始扩散率，其中D_c0为显影剂的初始扩散率，α_b、α_c、β_b和β_c为常数。在实施例中，α_b、α_c、β、β_c、D_b0和D_c0典型地针对特定抗蚀剂显影系统及其特定评估而定义，并且α_b、α_c、β、β_c、D_b0和D_c0通常依赖于所涉及的材料(例如抗蚀剂类型、显影剂类型等)和相关联的条件(例如温度等)。在实施例中，α_b、α_c、β、β_c、D_b0和D_c0是使用者定义的。在实施例中，α_b、α_c、β、β_c、D_b0和D_c0是以实验方式确定(例如，通过拟合至实验数据)。

现在，此模型可以通过针对特定时间段使用特定组的初始条件和求解方程式所针对的维度的规格来对方程式求解而得到实施。例如，在典型的实施方式中，所述模型将针对三维(x，y，z)对模型进行求解，但可以将解限制至二维(例如z和y或x)或一维。另外，将针对抗蚀剂和显影剂指定待评估的维度区(例如面积或体积)的尺寸和配置。作为示例，对于抗蚀剂，将指定在初始状态下的竖直维度(例如抗蚀剂的厚度)。另外，将对能被溶解的抗蚀剂的区域(相比于主要不可被显影剂溶解的区)进行求解；换句话说，提供一溶解度分布，其近似地表示或是在初始状态下的抗蚀剂图像(例如在抗蚀剂是辐射敏感抗蚀剂的情况下通过曝光产生的)，而且描述相比于不容易被溶解的那些区域而容易被溶解的那些抗蚀剂区域。作为另一示例，对于显影剂，将指定在初始状态下的竖直维度(例如显影剂的厚度)连同在初始状态下施加的显影剂的面积。

另外，指定评估方程式所针对的时间段。例如，可以选择选自10秒至200秒的显影时间，例如约20s或约60s。

附加地，指定一组其它的初始条件。在典型的实施例中，在初始状态下的显影剂(例如显影剂320)中的所有部位处，[A]＝0、[B]＝0且[C]＝1。另外，在典型的实施例中，至少在初始状态下旨在被溶解的抗蚀剂(例如抗蚀剂330)中的所有部位处，[A]＝1、[B]＝0且[C]＝0。如上文所述，在实施例中，A为未溶解的抗蚀剂(例如通常不能动的抗蚀剂330)的量(例如密度)，B为副产物的量(例如密度)，C为显影剂(例如显影剂320)的浓度，且值在此状况下被归一化为0到1的范围。因此，在初始条件下，在显影剂中没有抗蚀剂，在显影剂中没有副产物，而且在显影剂中存在显影剂的完整浓度(例如显影剂的初始浓度量)。而且在初始条件下，在抗蚀剂中存在抗蚀剂的完整浓度或密度(例如初始浓度或密度量)，在抗蚀剂中没有副产物，而且在抗蚀剂中没有显影剂。

另外，可以关于抗蚀剂显影系统指定边界条件(例如如图3中所描绘的单元的顶部边界和底部边界)。例如，在典型的实施方式中，顶部边界与气体环境(例如空气)交界，因此在顶部(即在显影剂与环境之间的界面处)，通量＝f_t(其可为0)或[C]＝1。作为另一示例，在典型的实施方式中，底部边界与衬底交界，因此在底部(即在抗蚀剂与衬底之间的界面处)，通量＝f_b(其可为0)或[A]＝1。

因此，在针对特定时间段t(使用例如有限元、有限差分等技术)对方程式进行求解之后，方程式的解将获得如适用于特定的特别维度区(例如面积、体积等)中的各个部位的A、B和C的值。特别地，由于抗蚀剂的溶解主要限定抗蚀剂中图案的形成，所以A的值的空间或体积分布提供作为显影的结果的被显影的图案的表示。也就是，参考图3A，可以看到在抗蚀剂层350中的所有部位处在初始条件下的所有A的值都可以是值1(其中A的值被归一化且被归一化为1)。接着在一段时间之后，如图3B中所显示，抗蚀剂层中的部位中的一些部位的A值将为0，这显示了图案的沟槽的形成之处。在另一部位处，A的值保持为1，而其它部位可以具有介于0与1之间的某个值，从而典型地指示图案的边缘或壁的粗糙度。

在另一实施例中，物理抗蚀剂显影模型可以根据的不同的方程式来表征，但所述不同的方程式再次表征抗蚀剂显影系统中的化学反应和扩散。也就是，物理抗蚀剂显影模型包括对应于各种此类化学和物理过程以及特性的不同的一组数学方程式。

其中S为抗蚀剂溶解度(其中在归一化内容背景中，0表示无溶解度，1表示最大溶解度)，k_a为反应常数。

其中k_b是反应常数。在此方程式中，第一项通常对应于副产物生成，而第二项通常对应于副产物扩散。

其中k_c是反应常数。在此方程式中，第一项通常对应于显影剂消耗，而第二项通常对应于显影剂扩散。

在实施例中，k_a、k_b和k_c典型地针对特定抗蚀剂显影系统及其特定评估而定义，并且k_a、k_b和k_c通常依赖于所涉及的材料(例如抗蚀剂类型、显影剂类型等)和相关联的条件(例如温度等)。在实施例中，k_a、k_b和k_c是使用者定义的。在实施例中，k_a、k_b和k_c是以实验方式确定的(例如，通过拟合至实验数据)。

S为抗蚀剂溶解度，S能够依据用于图案化抗蚀剂的曝光能量而指定且能够采取以下形式：

其中[S]_min为最小溶解度，E为所施加的曝光能量，E_th为用于使抗蚀剂被图案化的用于抗蚀剂的曝光能量阈值，K为常数。在实施例中，[S]_min、E_th和K典型地针对特定抗蚀剂显影系统及其特定评估而定义，并且[S]_min、E_th和K通常依赖于所涉及的材料(例如抗蚀剂类型、显影剂类型等)和相关联的条件(例如温度等)。在实施例中，[S]_min、E_th和K是使用者定义的。在实施例中，[S]_min、E_th和K是以实验方式确定的(例如，通过拟合至实验数据)。

另外地或可替代地，在实施例中，溶解度相关的属性，即方程式(1)中的溶解速率系数k或方程式(6)至(8)中的抗蚀剂溶解度[S](其通过呈例如k＝k_a*[S]的形式的溶解系数曲线而彼此相关)是从例如呈归一化的对比曲线的形式的实验数据经由逆过程来获得。具体地，在实施例中，预期溶解度相关的属性(例如溶解系数)是由于例如辐射曝光而导致的抗蚀剂潜像的函数。因此，尽管可能不存在针对此属性的直接测量数据，但其模型形式能够从关于辐射曝光的其它实验属性导出。例如，在曝光(例如，整片曝光(flood exposure)，在整片曝光中所有的抗蚀剂在辐射没有被图案化的情况下曝光)之后的抗蚀剂显影的过程可以通常以实验方式通过所谓的归一化对比曲线表征，其中剩余的抗蚀剂厚度(被通过初始厚度归一化)是作为辐射曝光能量的函数被确定。因此，归一化对比曲线可以具有f(E)的形式，其中E为所施加的曝光能量。因此，在实施例中，可针对与实验抗蚀剂曝光和显影过程相同的条件对如上文所描述的抗蚀剂显影模型进行求解以计算对比曲线的参数(例如厚度)的值，因此可接着经由逆过程(即k(E)＝逆{f(E)})获得针对特定曝光能量的溶解系数。例如，方程式(1)-(5)的抗蚀剂显影模型可以针对产生落在归一化对比曲线f(E)上的厚度值的各种k值来运行，以确定针对k的所述值中的每一个的E的对应值。期望地，确定足够的k的值以与预期用于将使用本公开中所描述的抗蚀剂显影模型而模型化的抗蚀剂显影过程中的E的值匹配。

因此，类似于与方程式(1)-(5)相关联的模型的实施例，可以定义条件集合且在针对特定时间段t对用于与方程式(6)-(9)相关联的模型的方程式进行求解之后，方程式的解将获得如适用于特定的特别维度区(例如面积、体积等)中的各个部位的A、B和C的值。特别地，由于抗蚀剂的溶解主要限定抗蚀剂中图案的形成，所以A的值的空间或体积分布提供作为显影的结果的被显影的图案的表示。也就是，参考图3A，可以看到在抗蚀剂层350中的所有部位处在初始条件下的所有A的值都可以是值1(其中A的值被归一化且被归一化为1)。接着在一段时间之后，如图3B中所显示，抗蚀剂层中的部位中的一些部位的A的值将为0，这显示了图案的沟槽的形成之处。在另一部位处，A的值保持为1，而其它部位可以具有介于0与1之间的值，从而典型地指示图案的边缘或壁的粗糙度。

使用本公开中所描述的模型对抗蚀剂层的显影进行严格计算可能是耗时的。特别地，在三维中对先前所描述的反应-扩散偏微分方程式进行严格求解可能在计算上是昂贵的。因此，在实施例中，提供用于求解方程式的近似但快速的方法。特别地，在实施例中，将抗蚀剂显影计算问题分解成具有较小复杂度的子问题。例如，在实施例中，将三维问题分解成例如具有竖直扩散和水平扩散的较低维度的子问题。在实施例中，附加地或可替代地，可以将同时的反应-扩散问题分解成分立的仅反应和仅扩散问题。分解可以是级联的且在多个较短管线中重复从而获得更好的准确度。此外，可以将各种分解进行组合。例如，可以将维度分解与反应-扩散分解以各种组合方式组合，如下文进一步所论述。

因此，图4示出了根据实施例的获得(例如确定或估计)衬底上的抗蚀剂层的显影中的多维(例如，三维)扩散的至少一特性的方法的流程图。这种方法独立地获得(例如确定或估计)抗蚀剂层的显影中的在第一方向(例如竖直方向，即垂直于衬底的方向)上的扩散的至少一特性、显影中的在垂直于第一方向的第二方向(例如横向方向，即平行于衬底的方向)上的扩散的至少一特性、和可选地显影中的在垂直于第一方向和第二方向两者的第三方向上的扩散的至少一特性。所述方法接着基于显影中的在第一方向上的扩散特性和显影中的在第二方向上的扩散特性以及可选地基于显影中的在第三方向上的扩散特性来获得(例如确定或估计)显影中的多维(例如三维)扩散的至少一特性。例如，在步骤410中，假设在显影中在垂直于第一方向的任何方向上不存在扩散，获得(例如确定或估计)显影中的在第一方向上的扩散的至少一特性。例如，针对特定的第一方向对上文所描述的抗蚀剂显影模型的与扩散相关联的方程式(或其一个或更多个部分)进行求解。在步骤420中，假设在显影中在第一方向上不存在扩散，获得(例如确定或估计)显影中的在第二方向上的扩散的至少一特性。例如，针对特定的第二方向对上文所描述的抗蚀剂显影模型的与扩散相关联的方程式(或其一个或更多个部分)进行求解。在步骤420中，根据实施例，可以获得显影中的在垂直于第一方向的方向(所有侧向方向，即平行于衬底的所有方向)上的扩散的至少一特性。在可选的步骤430中，假设在显影中在第一方向上不存在扩散，获得(例如确定或估计)显影中的在第三方向上的扩散的至少一特性。例如，针对特定的第三方向对上文所描述的抗蚀剂显影模型的与扩散相关联的方程式(或其一个或更多个部分)进行求解。在步骤440中，基于显影中的在第一方向上的扩散的特性和显影中的在第二方向上的扩散的特性以及可选地基于显影中的在第三方向上的扩散的特性来获得(例如确定或估计)抗蚀剂层的显影中的多维扩散的至少一特性。在实施例中，抗蚀剂层的显影中的多维扩散的至少一特性通过组合分立的特性(例如将分立的特性相加)来获得。在实施例中，所确定的扩散仅关于抗蚀剂(例如被溶解的抗蚀剂)，仅关于显影剂，或关于抗蚀剂与显影剂的组合。在实施例中，仅抗蚀剂的扩散能与仅显影剂的扩散分离地确定，接着将其结果组合。

显影中的扩散的特性可以包括抗蚀剂层和/或显影剂层的一个或更多个各种特性。例如，显影中的扩散的特性可以包括抗蚀剂层的一个或更多个部位处或显影剂的一个或更多个部位处的平移、旋转、倾斜、收缩、扩展等。作为附加或替代示例，显影中的扩散的特性可以包括抗蚀剂层的一个或更多个部位处或显影剂的一个或更多个部位处的材料的量(例如浓度、密度)、该量的改变等的表示。作为附加或替代示例，所述特性可以是抗蚀剂层的多个部分或多个部位的一个或更多个几何特性，诸如CD、边缘放置误差、侧壁角等(但这些特性典型地将从另一特性导出，诸如如上文所描述的材料的量或量的改变)。所述特性可以具有约束(例如物理、几何或机械约束)。例如，材料可能不能够扩散至衬底中和/或扩散至环境中(其典型地将位于顶部处但也可能位于侧面(例如衬底的边缘)处)。作为另一示例，材料可能不能够扩散至抗蚀剂层的不可溶部分中。约束可以被表示为边界条件。

图5示出了根据实施例的获得(例如确定或估计)衬底上的抗蚀剂层的显影的至少一特性的方法的流程图。这种方法独立地获得(例如确定或估计)在抗蚀剂层的显影中的扩散的至少一特性和在该显影中的化学反应的至少一特性。该方法接着基于显影中的扩散的特性和显影中的化学反应的特性获得(例如确定或估计)显影的至少一特性。例如，在步骤510中，假设在显影中不存在化学反应，获得(例如确定或估计)显影中的扩散的至少一特性。例如，对上文所描述的抗蚀剂显影模型的与扩散相关联的方程式(或其一个或更多个部分)进行求解。在步骤520中，假设在显影中不存在扩散，获得(例如确定或估计)显影中的化学反应的至少一特性。例如，对上文所描述的抗蚀剂显影模型的与化学反应相关联的方程式(或其一个或更多个部分)进行求解。在步骤530中，基于显影中的扩散的特性和显影中的化学反应的特性获得(例如确定或估计)抗蚀剂层的显影的至少一特性。在实施例中，抗蚀剂层的显影的至少一特性通过组合分立的扩散的特性和化学反应的特性(例如将分立的扩散的特性和化学反应的特性相加)来获得。在实施例中，所确定的扩散仅关于抗蚀剂(例如被溶解的抗蚀剂)，仅关于显影剂，或关于抗蚀剂与显影剂的组合。在实施例中，仅抗蚀剂的扩散能与仅显影剂的扩散分离地确定，接着将其结果组合。在实施例中，所确定的化学反应能够被分解成分量，诸如单独地抗蚀剂溶解、副产物生成和/或显影剂消耗或其组合。在实施例中，仅抗蚀剂溶解能够与仅显影剂消耗分离地确定，接着将其结果组合。

显影的特性可以包括抗蚀剂层和/或显影剂层的一个或更多个各种特性。例如，显影的特性可以包括抗蚀剂层的一个或更多个部位处或显影剂的一个或更多个部位处的平移、旋转、倾斜、收缩、扩展等。作为另一示例，显影的特性可以包括抗蚀剂层的一个或更多个部位处或显影剂的一个或更多个部位处的材料的量(例如浓度、密度)、该量的改变等的表示。作为另一示例，所述特性可以是抗蚀剂层的多个部分或多个部位的一个或更多个几何特性，诸如CD、边缘放置误差、侧壁角等(但这些特性典型地将从另一特性导出，诸如如上文所描述的材料的量或量的改变)。所述特性可以具有约束(例如物理、几何或机械约束)。例如，材料可能不能够扩散至衬底中和/或扩散至环境中(其典型地将位于顶部处但也可能位于侧面(例如衬底的边缘)处)。作为另一示例，材料可能不能够扩散至抗蚀剂层的不可溶部分中。作为另一示例，抗蚀剂可能不能够在抗蚀剂层的不可溶部分中发生反应。约束可以被表示为边界条件。

图6示出了根据实施例的获得(例如确定或估计)衬底上的抗蚀剂层的显影的至少一特性的方法的流程。在此实施例中，将抗蚀剂显影模型的求解进行分解，如以上关于图4和图5所描述。虽然使用图4和图5的两种分解，但该方法的实施例可能仅进行一种类型的分解。另外，虽然此实施例描述在化学反应与扩散之间的分解和在一方向上的扩散与在另一方向上的扩散之间的分解，但分解可能具有不同类型或性质。例如，所述分解可以更多粒度(例如，将反应分解成不同分量、将多个方向分解成更多个或不同的方向等)，可以具有不同组合(例如分解成在一特定方向上的扩散和反应)等。另外，虽然此实施例描述对被分解的部分进行求解的特定次序，但该次序可以是不同的(例如可以在扩散之前计算反应，可以按不同次序对不同方向上的扩散进行求解等)。

参考图6，示意性地描绘了对抗蚀剂显影模型进行求解的方法600。向方法600提供初始抗蚀剂显影系统状态610、溶解度分布620和模型参数630。

在实施例中，初始抗蚀剂显影系统状态610包括描述抗蚀剂显影系统的各种数据和/或边界条件。例如，初始抗蚀剂显影系统状态610包括求解所述方程式所针对的维度的规格。例如，在典型的实施方式中，所述模型将针对三维(x，y，z)对进行求解，但可以将解限制至二维(例如z和y或x)或一维。另外，将针对抗蚀剂和显影剂指定待评估的维度区(例如面积或体积)的尺寸和配置。作为示例，对于抗蚀剂，将指定在初始状态下的竖直维度(例如抗蚀剂的厚度)。作为另一示例，对于显影剂，将指定在初始状态下的竖直维度(例如显影剂的厚度)连同在初始状态下施加的显影剂的面积。另外，可以指定评估方程式所针对的时间段。例如，可以选择选自10秒至200秒的显影时间，例如约20秒或约60秒。附加地，可以指定一组其它的初始条件。在典型的实施例中，在初始状态下的显影剂(例如显影剂320)中的所有部位处，[A]＝0、[B]＝0且[C]＝1。另外，在典型的实施例中，至少在初始状态下旨在被溶解的抗蚀剂(例如抗蚀剂330)中的所有部位处，[A]＝1、[B]＝0且[C]＝0。另外，可以关于抗蚀剂显影系统指定边界条件(例如如图3中所描绘的单元的顶部边界和底部边界)。例如，在典型的实施方式中，顶部边界与气体环境(例如空气)交界，因此在顶部(即在显影剂与环境之间的界面处)，通量＝f_t(其可为0)或[C]＝1。作为另一示例，在典型的实施方式中，底部边界与衬底交界，因此在底部(即在抗蚀剂与衬底之间的界面处)，通量＝f_b(其可为0)或[A]＝1。

在实施例中，溶解度分布620包括具有低溶解度(且因此非常不容易被显影剂溶解)的抗蚀剂层的区和具有高溶解度(且因此容易被显影剂溶解)的抗蚀剂层的区的规格。因此，溶解度分布近似地表示或为抗蚀剂图像(例如在抗蚀剂是辐射敏感抗蚀剂的情况下由曝光产生)，而且描述了相比于不容易被溶解的区域而容易被溶解的抗蚀剂区域。在实施例中，溶解度分布620是抗蚀剂层的变化的溶解度的分布的空间或体积表示。在实施例中，溶解度的变化是由于通过抗蚀剂层的辐射的曝光而产生。

在实施例中，模型参数630包括计算抗蚀剂显影模型的方程式的各个系数、常数、阶数等的值的规格。例如，模型参数630可以包括k_a、k_b和k_c的值、p和q的值，等等。

在具有初始抗蚀剂显影系统状态610、溶解度分布620和模型参数630的情况下，可以针对特定显影对计算抗蚀剂显影模型的方程式进行求解，以得到结果抗蚀剂显影系统状态640(例如依据抗蚀剂的哪些部分被显影、哪些部分未被显影和哪些部分被部分显影的抗蚀剂的特定状态)。

如上文所提到的，在该示例实施例中，将抗蚀剂显影模型在化学反应与扩散之间分解以及在一个方向上的扩散与在至少一个其他方向上的扩散之间分解。在该示例中，在650处，对在特定的第一方向上的扩散进行求解。在实施例中，第一方向是在Z方向(例如竖直的)上。在660处，分离地对化学反应进行求解。在670处，分离地对在特定的第二方向上的扩散进行求解。在实施例中，第二方向在基本垂直于Z方向上的方向(例如水平的)上。在680处，分离地对化学反应进行求解。

因此，下文呈现了将根据用于关于方程式(6)至(9)所描述的抗蚀剂显影模型的方法600对方程式进行求解的示例。

在650处，在不对化学反应求解的情况下对显影剂C至抗蚀剂A中的竖直(Z)扩散求解可以通过以下方程式来描述：

[C₁]＝[C₁(z)] (11)

其中C₁表示针对显影剂扩散的此分离计算的显影剂C，H为抗蚀剂的厚度，D_c0和D_ca分别表示在抗蚀剂的外部(例如在显影剂中)和在抗蚀剂内的扩散率。通过算法的设计，其它属性将不变。具体地，例如，

[B₁]＝[B₀]＝0 (14)

因此，在650处，抗蚀剂显影模型减小至具有非均一的扩散率的一维扩散方程式。可以预计算对此问题的解。如将了解的，可以在不对化学反应求解的情况下针对副产物B的竖直(Z)扩散指定类似的方程式和条件集合。

在660处，在不对扩散求解的情况下对化学反应求解可以通过以下方程式来描述：

其中，A₁、B₁和C₁分别表示针对化学反应分离计算的抗蚀剂A、副产物B和显影剂C。可以对上述方程式(15)近似求解如下。

通过显式法，假定

∫[C]^qdt≈[C₁]^qT (17)

或者通过隐式法，假定

∫[C]^qdt≈0.5([C₁]^q+[C₂]^q)T或者类似关系式 (18)

所以，如果p＝1且q＝1，则A能够在不近似的情况下求解为：

在670处，在不对化学反应求解的情况下对水平(X和Y)扩散求解可以通过以下方程式来描述：

其中B₃和C₃分别表示针对水平扩散的分离计算的副产物B和显影剂C，D通常是A、B和C的函数。因此，在670处，抗蚀剂显影模型减小至具有非均一扩散率的二维扩散方程式。

方程式(20)可以以几种方式中的一种方式进行求解，例如：

-通过诸如经由有限差分的严格方法

-通过近似方法-如果扩散率是均一的，则可以通过对初始值具有恒定西格玛的二维高斯卷积而获得解。因此，在实施例中，可通过具有可变西格玛的二维高斯卷积而获得对非均一扩散率的解的近似，诸如：

[B₃(x，y)]＝∫[B₂(x′，y′)]G(x-x′，y-y′|σ_b(x，y))dx′dy′ (21)

[C₃(x，y)]＝∫[C₂(x′，y′)]G(x-x′，y-y′|σ_c(x，y))dx′dy′ (22)

[A₃]＝[A₂] (24)

在680处，在不对扩散求解的情况下对化学反应求解可以通过以下方程式来描述：

其中，A₄、B₄和C₄分别表示针对化学反应的该分离的计算的抗蚀剂A、副产物B和显影剂C。可以对上述方程式(25)近似求解如下。

通过显式法，假定

∫[C]^qdt≈[C₃]^qT (27)

或者通过隐式法，假定

∫[C]^qdt≈0.5([C₃]^q+[C₄]^q)T或者类似关系式 (28)

所以，如果p＝1且q＝1，则A能够在不近似的情况下求解为：

如将了解的，在历时某一显影时间对方程式求解时，可以迭代步骤650-680。此外，可以将步骤650-680中的一个的迭代的输出用作其它步骤650-680中的一个或更多个的迭代的输入。因此，例如，迭代能够按次序“循环”通过步骤650-680，接着来自步骤680的输出可以作为步骤650-680的另一迭代的输入。

在实施例中，抗蚀剂层的显影的特性可以出于各种目的而被使用。例如，在实施例中，基于抗蚀剂层的显影的特性调整器件制造过程或器件制造设备的参数。在实施例中，所述调整可以包括控制所述过程或设备的方面、设计过程或设备的方面等。作为示例，在实施例中，所述参数是待施加至抗蚀剂层的设计布局的参数。例如，设计布局的参数可以是光学邻近校正、分辨率增强技术(诸如子分辨率散射特征)、掩模偏置等。在实施例中，可以在调整参数之后制造(例如在实体掩模或掩模版中形成)或产生(例如通过可编程图案形成装置形成)图案形成装置图案。在实施例中，抗蚀剂层是将在器件制造过程期间或在使用器件制造设备的期间经历物理或化学处理的抗蚀剂层。在实施例中，器件制造设备选自：光刻设备、蚀刻机、旋涂装置、炉、光学量测工具、电子显微镜、离子注入机、沉积腔、或选自其的任何组合。

在实施例中，抗蚀剂层的显影的特性可以被特征化为物理或几何特性(包括这种特性的任何改变)。在实施例中，抗蚀剂层的显影的特性是抗蚀剂的量或量的改变、材料的移位、CD或CD的改变，或边缘放置误差或边缘放置误差的改变。

使用处理抗蚀剂层所根据的器件制造过程的实际处理条件而获得的显影的特性可以用于确定或预测利用该器件制造过程而产生的缺陷的存在、存在概率、一个或更多个特性或其组合。

图案形成装置上或由图案形成装置提供的各种图案可以具有不同的过程窗口，即，将产生符合规格的图案所根据的处理变量的空间。关于潜在系统性缺陷的图案规格的示例包括检查颈缩、线拉回、线薄化、CD、边缘放置、重叠、抗蚀剂顶部损耗、抗蚀剂底切和/或桥接。图案形成装置或其区域上的所有图案的过程窗口可以通过合并(例如重叠)每一单独的图案的过程窗口来获得。所有图案的过程窗口的边界含有单独的图案中的一些的过程窗口的边界。换句话说，这些单独的图案限制所有图案的过程窗口。这些图案可以被称作“热斑”或“过程窗口限制图案(PWLP)”，“热斑”或“过程窗口限制图案(PWLP)”在本公开中可互换地使用。当控制图案化过程时，有可能且经济的是聚焦于热斑。当热斑不是有缺陷的时，最有可能的是，所有的图案都不是有缺陷的。

抗蚀剂显影可以影响设计布局的单独的图案的过程窗口，这是因为抗蚀剂显影可以影响从单独的图案产生的最终被显影的抗蚀剂图像，所述最终被显影的抗蚀剂图像典型地引导蚀刻过程。因此，抗蚀剂显影可以影响设计布局的图案的群组的重叠过程窗口(OPW)，这是因为OPW是该群组的单独的图案的处理窗口的重叠。可以使用受抗蚀剂显影影响的OPW来确定或预测缺陷的存在、存在概率、一个或更多个特性、或其组合。如果处理参数的值处于受抗蚀剂显影影响的OPW内，则缺陷不存在或不太可能存在。因此，考虑如本公开中所描述的抗蚀剂显影特性会允许更准确地确定OPW。因此，在实施例中，基于显影的特性确定设计布局的多个图案的重叠过程窗口(OPW)。在实施例中，基于OPW确定或预测从多个图案产生的缺陷的存在、存在概率、一个或更多个特性或其组合。

确定如本公开所描述的抗蚀剂显影特性的能力可以对图案化过程中所涉及的多个过程有益。例如，这些过程可以包括设计布局中的光学邻近校正、分辨率增强技术(RET)、数值孔径和/或光学相干设定的优化、自定义照射方案、相移图案形成装置的显影、源-掩模优化、源-掩模-投影系统优化、掩模优化、良率优化、过程窗口优化等。这是因为抗蚀剂显影特性可以影响用于此类优化中的成本函数。

在用于器件制造设备或过程的优化中，成本函数可以被表达为

其中，(z₁，z₂，…，z_N)是N个设计变量或其值。f_p(z₁，z₂，…，z_N)可以是设计变量(z₁，z₂，…，z_N)的函数，诸如，在(z₁，z₂，…，z_N)的设计变量的一组值的评估点处的特性的实际值与预期值之间的差。w_p是与f_p(z₁，z₂，…，z_N)相关联的权重常数。可以向比其它评估点或图案更关键的评估点或图案分配更高的w_p值。也可以向具有较大发生次数的图案和/或评估点分配更高的w_p值。评估点的示例可以是衬底上的任何物理点或图案、虚拟设计布局上的任何点、或抗蚀剂图像或图案(包括如通过如本公开中所描述的抗蚀剂显影模型确定的抗蚀剂层分布)、或空间图像、或选自其的任何组合。在一施例中，设计变量(z₁，z₂，…，z_N)包括剂量、图案形成装置图案的全局偏置、图案形成装置照射的形状或其它特性、或选自其的任何组合。因为正是抗蚀剂图像或图案经常决定衬底上的器件图案，所以成本函数经常包括表示抗蚀剂图像或图案的一些特性的函数。例如，这样的评价点的f_p(z₁，z₂，…，z_N)可以简单地是抗蚀剂图像或图案中的点至所述点的期望位置之间的距离(即边缘放置误差EPE_p(z₁，z₂，…，z_N))。抗蚀剂显影可以影响边缘放置误差EPE_p(z₁，z₂，…，z_N)，这是因为抗蚀剂显影可以移动边缘的部位并因此可以改变边缘和其期望部位之间的距离(即EPE_p(z₁，z₂，…，z_N))。抗蚀剂层的显影的至少一种特性可以是设计变量的函数。

所述设计变量可以是任何可调整的参数，诸如照射、图案形成装置图案(包括图案形成装置本身)、投影光学器件、剂量、焦距等的可调整参数。光刻设备可以包括称为“波前操纵器”的部件，其可以用于调整波前和强度分布的形状和/或辐射束的相移。在实施例中，可以在沿着光刻投影设备的光路的任何部位调整波前和强度分布，诸如在图案形成装置之前、光瞳平面附近、像平面附近和/或焦平面附近。波前操纵器可以用于校正或补偿例如由照射、图案形成装置图案、光刻设备中的温度变化、光刻投影设备中的部件的热膨胀等所引起的波前和强度分布的某些变形。调整波前和强度分布可以改变评价点的值和成本函数。可以由模型来模拟或实际测量这样的变化。当然，CF(z₁，z₂，…，z_N)不限于方程式(30)中的形式。CF(z₁，z₂，…，z_N)可以呈任何其它合适的形式。

所述设计变量可以具有约束，其可以被表达为(z₁，z₂，…，z_N)∈Z，其中Z是设计变量的可能值的集合。可以通过光刻设备的所期望的生产量来施加对设计变量的一个可能约束。例如，期望生产量的下限导致剂量的上限。较短的曝光时间和/或较低的剂量通常导致较高的生产量，但可以导致较大的随机变化。考虑衬底的生产量和最小化随机变化可以约束设计变量的可能的值，这是因为随机变化是设计变量的函数。在没有通过所期望的生产量来施加这种约束的情况下，优化可以产生不切实际的设计变量的值的集合。例如，如果剂量是在设计变量之中，则在没有这种约束的情况下，优化可以产生使生产量是经济上不可能的剂量值。然而，约束的有用性不应被解译为必要性。生产量也可以受抗蚀剂化学性质影响。较慢的抗蚀剂(例如要求要适当地曝光较高量的光的抗蚀剂)导致较低的生产量。

因此优化过程是在约束(z₁，z₂，…，z_N)∈Z下找到设计变量的值的集合，所述约束最小化或最大化成本函数，例如以找到

在实施例中，优化的一般方法包括限定多个设计变量的多变量成本函数。设计变量可以包括选自例如照射的特性(例如光瞳填充比率，即传递通过光瞳或孔径的源的辐射的百分比)、投影光学器件的特性和/或设计布局的特性的任何适合的组合。例如，设计变量可以包括照射的特性(300A)和设计布局的特性(例如，全局偏置)，但不包括投影光学器件的特性，这导致SMO。或者，设计变量可以包括照射的特性、投影光学器件的特性和设计布局的特性，这导致源-掩模-透镜优化(SMLO)。在实施例中，在优化中，同时调整所述设计变量，使得成本函数朝向收敛移动。在成本函数的执行期间，确定是否满足预定义的终止条件。预定义的终止条件可以包括各种可能性，即，成本函数可以被最小化或最大化(如所使用的数值技术所需要的)，成本函数的值已经等于阈值或已经超过阈值，成本函数的值已经达到预设误差极限内，或达到预设数目的迭代。因此，如果满足终止条件中的一个或更多个，则该方法结束。如果条件中的一个或更多个没有得到满足，则迭代地重复相对于终止条件的成本函数的评估和测试，直至获得期望的结果。所述优化未必导致用于设计变量的值的单个集合，因为可能存在由诸如光瞳填充因数、抗蚀剂化学性质、生产量等的因素所导致的物理的限制。所述优化可以提供用于设计变量以及相关联的性能特性(例如，生产量)的值的多个集合，且允许使用者选取一个或更多个集合。

在优化中，可以交替地优化所述照射、图案形成装置图案和投影光学器件(称作交替优化)，或可同时优化所述照射、图案形成装置图案和投影光学器件(称作同时优化)。如本内容背景中所使用的术语“同时的”、“同时地”、“共同的”和“共同地”意思是所述照射、图案形成装置图案、投影光学器件的特性的设计变量和/或任何其它的设计变量被允许同时改变。如本内容背景中所使用的术语“交替的”和“交替地”意思是并非所有设计变量都被允许同时改变。

在实施例中，同时执行所有设计变量的优化。这样的流程可以被称为同时流程或共同优化流程。在实施例中，交替执行所有设计变量的优化。在这一流程中，在每一步骤中，一些设计变量是固定的，而其它的设计变量被优化以最小化或最大化成本函数；之后在下一步骤中，不同集合的变量是固定的，而其它的变量被优化以最小化或最大化成本函数。这些步骤被交替地执行，直到收敛或一个或更多个特定的终止条件被满足为止。例如，在实施例中，获得设计布局，之后执行照射优化的步骤，其中照射的所有设计变量被优化(SO)以最小化或最大化成本函数，而所有其它设计变量是固定的。之后，执行图掩模优化(MO)，其中图案形成装置图案的所有设计变量被优化以最小化或最大化成本函数，而所有其它设计变量是固定的。这两个步骤交替地执行，直到满足特定的终止条件为止。可以使用各种终止条件，诸如成本函数的值变成等于阈值，成本函数的值穿过阈值，成本函数的值达到预定的误差极限内，或达到预定数目的迭代等。注意到，使用SO-MO交替优化作为交替流程的示例。交替优化流程可以采用多种不同的形式，诸如SO-LO-MO交替优化，其中执行SO、LO(投影光学器件优化)，之后交替地和迭代地执行MO；或可以首先执行一次SMO，之后交替地和迭代地执行LO和MO；等等。最终获得优化结果的输出。

在实施例中，优化的方法涉及成本函数的最小化。最初，获得设计变量的初始值，包括设计变量的调谐范围(如果有的话)。设定多变量成本函数，之后在用于第一迭代步骤的设计变量的起点值附近的足够小的邻域内展开多变量成本函数。应用标准多变量优化技术以最小化成本函数。注意到，优化问题可以在优化过程期间或在优化过程中的后期阶段施加约束，诸如调谐范围。在实施例中，针对已经被选择来优化器件制造过程的被识别的评估点的一个或更多个给定的测试图案(也被称作“计量”)进行每一次迭代；所述计量可以是来自被模拟的抗蚀剂图像或图案的维度或尺寸。接着预测光刻响应并将其与所期望的或理想的光刻响应值进行比较。如果满足终止条件，则例如优化产生足够接近于期望值的光刻响应值，且之后输出设计变量的最终值。输出步骤也可以包括使用设计变量的最终值来输出其它函数，诸如输出被优化的照射、被优化的设计布局等。如果没有满足终止条件，则运用特定迭代的结果来更新设计变量的值，而且所述过程通过运用一个或更多个测试图案评估成本函数而重复直至满足终止条件为止。

本公开中所公开的构思可以模拟或在数学上模型化任何图案转印系统，并且可以对使用辐射以在抗蚀剂中形成图案的图案转印系统尤其有用。

在实施例中，所述抗蚀剂显影模型单独地根据显影剂的扩散和所述抗蚀剂与所述显影剂之间的所述化学反应的副产物的扩散模型化所述抗蚀剂与所述显影剂之间的化学反应。在实施例中，所述抗蚀剂显影模型还模型化所述副产物的生成和所述显影剂的消耗。在实施例中，所述抗蚀剂显影模型包括与用于模型化扩散的数学项分离的用于模型化化学反应的数学项。在实施例中，所述抗蚀剂显影模型包括用于未溶解的抗蚀剂的量、用于已溶解的抗蚀剂的量和用于显影剂浓度的分离的变量。在实施例中，所述变量被归一化。在实施例中，所述方法包括：假设在所述抗蚀剂层的所述显影中不存在化学反应，确定所述抗蚀剂层的所述显影中的扩散的特性；假设在所述抗蚀剂层的所述显影中不存在扩散，确定所述抗蚀剂层的所述显影中的所述化学反应的特性；和基于所述扩散的特性和所述化学反应的特性确定所述抗蚀剂层的所述显影的特性。在实施例中，所述方法包括：假设在垂直于所述第一方向的任何方向上不存在扩散，确定在所述抗蚀剂层的所述显影中在第一方向上的扩散的特性；假设在所述第一方向上不存在扩散，确定在所述抗蚀剂层的所述显影中在第二方向上的扩散的特性，所述第二方向不同于所述第一方向；和基于在所述第一方向上的所述扩散的特性和在所述第二方向上的所述扩散的特性确定所述抗蚀剂层的所述显影的特性。在实施例中，所述第二方向垂直于所述第一方向。在实施例中，所述抗蚀剂层在衬底上。在实施例中，所述第一方向垂直于所述衬底的主表面。在实施例中，所述第二方向基本平行于所述衬底的主表面。在实施例中，所述抗蚀剂层是辐射敏感抗蚀剂层，所述条件集合包括由所述抗蚀剂层的曝光所造成的所述抗蚀剂层内的溶解度分布。在实施例中，所述方法还包括基于所述抗蚀剂层的显影的特性调整器件制造过程或器件制造设备的参数。在实施例中，所述参数是要被施加至所述抗蚀剂层的设计布局的参数。在实施例中，所述方法还包括在调整所述参数后制造或产生图案形成装置图案。在实施例中，所述抗蚀剂层将在所述器件制造过程期间或在使用所述器件制造设备的期间经历物理或化学处理。在实施例中，所述抗蚀剂层的显影的特性是抗蚀剂的量或量的改变、材料的移位、CD或CD的改变，或边缘放置误差或边缘放置误差的改变。在实施例中，所述抗蚀剂是正性抗蚀剂或负性抗蚀剂。

在实施例中，所述方法包还括：假设在垂直于所述第一方向的任何方向上不存在扩散，通过所述硬件计算机系统确定在抗蚀剂层的所述显影中在第一方向上的扩散的特性；假设在所述第一方向上不存在扩散，通过所述硬件计算机系统确定在所述抗蚀剂层的所述显影中在第二方向上的扩散的特性，所述第二方向不同于所述第一方向；和通过所述硬件计算机系统基于在所述第一方向上的所述扩散的特性和在所述第二方向上的所述扩散的特性确定所述抗蚀剂层的所述显影的特性。在实施例中，所述第二方向垂直于所述第一方向。在实施例中，确定所述扩散的特性和所述化学反应的特性包括通过硬件计算机系统使用抗蚀剂显影模型执行所述抗蚀剂层的显影的计算机模拟，其中所述计算机模拟分离地模拟所述抗蚀剂显影过程的不同的特性和某些不同的物理和化学过程。在实施例中，所述抗蚀剂显影模型单独地根据显影剂的扩散和所述抗蚀剂与所述显影剂之间的所述化学反应的副产物的扩散模型化所述抗蚀剂与所述显影剂之间的化学反应。在实施例中，所述抗蚀剂显影模型还模型化所述副产物的生成和所述显影剂的消耗。在实施例中，所述抗蚀剂显影模型包括与用于模型化扩散的数学项分离的用于模型化化学反应的数学项。在实施例中，所述抗蚀剂显影模型包括用于未溶解的抗蚀剂的量、用于已溶解的抗蚀剂的量和用于显影剂浓度的分离的变量。在实施例中，所述变量被归一化。在实施例中，所述方法还包括基于所述抗蚀剂层的显影的特性调整器件制造过程或器件制造设备的参数。在实施例中，所述参数是被施加至所述抗蚀剂层的设计布局的参数。在实施例中，所述抗蚀剂层将在所述器件制造过程期间或在使用所述器件制造设备的期间经历物理或化学处理。在实施例中，所述抗蚀剂层的显影的特性是抗蚀剂的量或量的改变、材料的移位、CD或CD的改变，或边缘放置误差或边缘放置误差的改变。在实施例中，所述抗蚀剂是正性抗蚀剂或负性抗蚀剂。

在实施例中，所述第二方向垂直于所述第一方向。在实施例中，所述方法还包括假设在所述第一方向和/或所述第二方向上不存在扩散，获得所述抗蚀剂层的所述显影中在第三方向上的扩散的特性。在实施例中，获得所述抗蚀剂层的显影中的三维扩散的特性附加地基于所述抗蚀剂层的所述显影中在所述第三方向上的扩散的特性。在实施例中，所述第一方向、第二方向和第三方向相互垂直。在实施例中，确定所述抗蚀剂层的显影中的在所述第一方向和/或第二方向上的扩散的特性包括通过硬件计算机系统使用抗蚀剂显影模型执行所述抗蚀剂层的显影的计算机模拟，其中所述计算机模拟分离地模拟所述抗蚀剂显影过程的不同的特性某些不同的物理和化学过程。在实施例中，所述抗蚀剂显影模型单独地根据显影剂的扩散和所述抗蚀剂与所述显影剂之间的所述化学反应的副产物的扩散模型化所述抗蚀剂与所述显影剂之间的化学反应。在实施例中，所述抗蚀剂显影模型还模型化所述副产物的生成和所述显影剂的消耗。在实施例中，所述抗蚀剂显影模型包括与用于模型化扩散的数学项分离的用于模型化化学反应的数学项。在实施例中，所述抗蚀剂显影模型包括用于未溶解的抗蚀剂的量、用于已溶解的抗蚀剂的量和用于显影剂浓度的分离的变量。在实施例中，所述变量被归一化。在实施例中，所述方法还包括基于所述抗蚀剂层的显影的特性调整器件制造过程或器件制造设备的参数。在实施例中，所述参数是被施加至所述抗蚀剂层的设计布局的参数。在实施例中，所述抗蚀剂层将在所述器件制造过程期间或在使用所述器件制造设备的期间经历物理或化学处理。在实施例中，所述抗蚀剂层的显影的特性是抗蚀剂的量或量的改变、材料的移位、CD或CD的改变，或边缘放置误差或边缘放置误差的改变。在实施例中，所述抗蚀剂是正性抗蚀剂或负性抗蚀剂。

图7是图示可以辅助实施本文所公开的方法和流程的计算机系统100的框图。计算机系统100包括用于通信信息的总线102或其它通信机构，和与总线102耦接以用于处理信息的处理器104(或多个处理器104和105)。计算机系统100还包括耦接至总线102以用于储存待由处理器104执行的信息和指令的主存储器106，诸如随机存取存储器(RAM)或其它动态储存装置。主存储器106还可以用于在待由处理器104执行的指令的执行期间储存暂时性变量或其它中间信息。计算机系统100还包括耦接至总线102以用于储存用于处理器104的静态信息和指令的只读存储器(ROM)108或其它静态储存装置。设置诸如磁盘或光盘之类的储存装置110，且将该储存装置耦接至总线102以用于储存信息和指令。

计算机系统100可以经由总线102耦接至用于向计算机使用者显示信息的显示器112，诸如阴极射线管(CRT)或平板显示器或触摸面板显示器。包括字母数字键和其它键的输入装置114耦接至总线102以用于将信息和命令选择通信至处理器104。另一类型的使用者输入装置是光标控制器116(诸如鼠标、轨迹球或光标方向键)，用于将方向信息和命令选择通信至处理器104且用于控制显示器112上的光标移动。这种输入装置典型地在两个轴线(第一轴线(例如x)和第二轴线(例如y))上具有两个自由度，这允许所述装置指定平面中的位置。触摸面板(屏)显示器也可以用作输入装置。

根据一个实施例，本公开描述的过程的部分可以由计算机系统100响应于处理器104执行包含在主存储器106中的一个或更多个指令的一个或更多个序列而被执行。这样的指令可以被从另一计算机可读介质(诸如储存装置110)读取到主存储器106中。包含在主存储器106中的指令的序列的执行使得处理器104执行本公开描述的过程步骤。在多处理布置中的一个或更多个处理器也可以被用于执行包含在主存储器106中的指令的序列。在可替代的实施例中，硬接线电路可以用于替代软件指令或与软件指令组合。因此，本公开的描述不限于硬件电路和软件的任何特定的组合。

本公开中使用的术语“计算机可读介质”是指参与向处理器104提供指令以供执行的任何介质。这样的介质可以采用很多形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘，诸如储存装置110。易失性介质包括动态存储器，诸如主存储器106。传输介质包括同轴电缆、铜线和光纤，包括包含总线102的线。传输介质还可以采用声波或光波的形式，诸如在射频(RF)和红外(IR)数据通信期间生成的声波或光波。常见形式的计算机可读介质包括例如软盘、柔性盘、硬盘、磁带、任何其它磁性介质、CD-ROM、DVD、任何其它光学介质、穿孔卡、纸带、具有孔图案的任何其它物理介质、RAM、PROM和EPROM、FLASH-EPROM、任何其它存储器芯片或盒、如下文中所述的载波、或计算机可以从其进行读取的任何其它介质。

各种形式的计算机可读介质可以涉及将一个或更多个指令的一个或更多个序列传送到处理器104以供执行。例如，指令最初可以承载在远程计算机的磁盘上。远程计算机可以将指令加载到其动态存储器中，并且使用调制解调器通过电话线发送指令。计算机系统100本地的调制解调器可以在电话线上接收数据并且使用红外发射器将数据转换成红外信号。耦接到总线102的红外检测器可以接收红外信号中携带的数据并且将数据放置在总线102上。总线102将数据传送到主存储器106，处理器104从主存储器106检索并且执行指令。由主存储器106接收的指令可以可选地在由处理器104执行之前或之后储存在储存装置110上。

计算机系统100还优选地包括耦接到总线102的通信接口118。通信接口118提供耦接到网络链路120的双向数据通信，所述网络链路连接到本地网络122。例如，通信接口118可以是用于提供与相应类型的电话线的数据通信连接的综合业务数字网(ISDN)卡或调制解调器。作为另一示例，通信接口118可以是用于提供与兼容LAN的数据通信连接的局域网(LAN)卡。还可以实施无线链路。在任何这样的实施方式中，通信接口118发送和接收携带表示各种类型的信息的数字数据流的电信号、电磁信号或光信号。

网络链路120典型地通过一个或更多个网络提供到其它数据装置的数据通信。例如，网络链路120可以通过本地网络122提供到主计算机124或到由因特网服务提供商(ISP)126操作的数据设备的连接。ISP 126又通过现在通常称为“因特网”128的全球分组数据通信网络提供数据通信服务。本地网络122和因特网628两者都使用携带数字数据流的电信号、电磁信号或光信号。通过各种网络的信号和在网络链路120上并且通过通信接口118的信号(其将数字数据传送到计算机系统100和从计算机系统1700传送数字数据)是输送信息的载波的示例性形式。

计算机系统100可以通过网络、网络链路120和通信接口118发送消息和接收数据，包括程序代码。在因特网示例中，服务器130可以通过因特网128、ISP 126、本地网络122和通信接口118传输用于应用程序的所请求的代码。例如，一个这样的下载的应用可以提供例如所述实施例的照射优化。所接收的代码可以在其被接收时由处理器104执行，和/或储存在储存装置110或其它非易失性储存器中以供稍后执行。以这种方式，计算机系统100可以获取呈载波的形式的应用代码。

图8示意性地描绘了一种用于与本公开描述的方法一起使用的示例性光刻投影设备。所述设备包括：

-照射系统IL，用于调节辐射束B。在这种特定情况下，照射系统还包括辐射源SO；

-第一物体台(例如掩模台)MT，设置有用于保持图案形成装置MA(例如，掩模版)的图案形成装置保持器并连接到用于相对于项PS来准确地定位图案形成装置的第一定位器；

-第二物体台(衬底台)WT，设置有用于保持衬底W(例如涂覆有抗蚀剂的硅晶片)的衬底保持器并连接到用于相对于项PS来准确地定位衬底的第二定位器；

-投影系统(“透镜”)PS(例如，折射、反射或反射折射光学系统)，用于将图案形成装置MA的被辐照的部分成像到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。

如本公开所描绘的，所述设备属于透射型(即，采用透射式掩模)。然而，一般而言，它可以属于反射型(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以采用另一种类的图案形成装置以作为使用经典掩模的替代；示例包括可编程反射镜阵列或LCD矩阵。

源SO(例如汞灯或准分子激光器)产生辐射束。例如，这个束直接地或在已横穿诸如扩束器Ex之类的调节装置之后提供至照射系统(照射器)IL中。照射器IL可以包括调整装置AD，用于设定束中的强度分布的外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称作σ-外部和σ-内部)。另外，照射器IL通常会包括各种其它部件，诸如积分器IN和聚光器CO。这样，照射于图案形成装置MA上的束B在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。

关于图8，应注意，虽然源SO可以在光刻投影设备的外壳内(这经常是当源SO为例如汞灯时的情况)，但它也可以远离光刻投影设备，它所产生的辐射束被引导到该设备中(例如，借助于适当的定向反射镜)；后一情形经常是当源SO为准分子激光器(例如，基于KrF、ArF或F₂激光作用)时的情况。

束PB随后截断于被保持于图案形成装置台MT上的图案形成装置MA。在已横穿图案形成装置MA的情况下，束PB传递通过透镜PL，该透镜PL将所述束B聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置(和干涉测量装置IF)，可以准确地移动衬底台WT，例如，以便将不同的目标部分C定位在束PB的路径中。类似地，第一定位装置可以用于例如在从图案形成装置库机械地检索图案形成装置MA之后或在扫描期间相对于束B的路径来准确地定位图案形成装置MA。通常，将借助于未在图8中明确地描绘的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现物体台MT、WT的移动。然而，在晶片步进器(与步进扫描工具相反)的情况下，图案形成装置台MT可以仅连接到短行程致动器，或者可以是固定的。

如本文中所使用的术语“掩模”或“图案形成装置”可以被宽泛地解释为指可以用于将图案化的横截面赋予入射辐射束的通用图案形成装置，所述图案化的横截面对应于待在衬底的目标部分中产生的图案；术语“光阀”也可以用于这种内容背景中。除了经典掩模(透射式或反射式；二元式、相移式、混合式等)以外，其它此类图案形成装置的示例包括：

-可编程反射镜阵列。这种装置的示例是具有黏弹性控制层和反射表面的矩阵可寻址表面。这种设备所依据的基本原理是(例如)反射表面的已寻址区域将入射辐射反射为衍射辐射，而未寻址区域将入射辐射反射为非衍射辐射。在使用适当的滤光器的情况下，可以从反射束滤除所述非衍射辐射，从而仅留下衍射辐射；这样，束根据矩阵可寻址表面的寻址图案而变成图案化的。可以使用适当的电子装置来执行所需的矩阵寻址。

-可编程LCD阵列。

所描绘的工具可以用于两种不同的模式中：

-在步进模式下，将图案形成装置台MT保持基本静止，并且将整个图案形成装置图像一次投影(即，单一“闪光”)到目标部分C上。然后，使衬底台WT在x和/或y方向上移位，以使得不同的目标部分C可以被束PB辐照。

在扫描模式下，除了给定目标部分C在单次“闪光”中不被曝光之外，基本上适用于相同的情形。可替代地，图案形成装置台MT能够在给定方向(所谓的“扫描方向”，例如y方向)上以速率v移动，以使得投影束B在图案形成装置图像上进行扫描；同时，衬底台WT以速率V＝Mv在相同或相反的方向上同时移动，其中，M是透镜PL的放大率(典型地M＝1/4或1/5)。这样，可以在不必折中分辨率的情况下曝光相对大的目标部分C。

图9示意性地描绘了另一种示例性光刻投影设备1000，其照射源可以利用本公开描述的方法进行优化。

所述光刻投影设备1000包括：

-源收集器模块SO；

-照射系统(照射器)IL，配置成调节辐射束B(例如EUV辐射)；

-支撑结构(例如掩模台)MT，构造成支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并与配置成准确地定位图案形成装置的第一定位器PM相连；

-衬底台(例如，晶片台)WT，构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置成准确地定位衬底的第二定位器PW相连；和

-投影系统(例如反射式投影系统)PS，配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。

如此处所描绘，所述设备1000是反射型的(例如采用反射式掩模)。应该注意的是，由于大多数材料在EUV波长范围内具有吸收性，所以掩模可以具有包括例如钼和硅的多叠层的多层反射器。在一个示例中，多叠层反射器具有钼和硅的40个层对，其中，每一层的厚度为四分之一波长。可以利用X射线光刻术来产生甚至更小的波长。由于大多数材料在EUV和x射线波长下具有吸收性，所以图案形成装置形貌或拓扑(topography)上的图案化的吸收材料的薄片(例如，多层反射器的顶部上的TaN吸收体)限定特征将印刷(正性抗蚀剂)或不印刷(负性抗蚀剂)的地方。

参照图9，所述照射器IL接收来自源收集器模块SO的极紫外辐射束。用于产生EUV辐射的方法包括但不必限于将材料转换为等离子体状态，该材料具有在EUV范围内具有一个或更多个发射线的至少一种元素(例如氙、锂或锡)。在经常称为激光产生等离子体(“LPP”)的一种这样的方法中，等离子体可以通过以激光束辐照燃料来产生，燃料诸如是具有线发射元素的材料的液滴、束流或簇。源收集器模块SO可以是包括用于提供激发燃料的激光束的激光器(图9中未示出)的EUV辐射系统的一部分。所得到的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用设置在源收集器模块内的辐射收集器收集。激光器和源收集器模块可以是分立的实体，例如当使用CO₂激光器提供用于燃料激发的激光束时。

在这些情况下，激光器并不被看作是构成光刻设备的一部分，并且借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统，辐射束被从激光器传递到源收集器模块。在其它情况下，所述源可以是源收集器模块的组成部分，例如，当所述源是放电产生等离子体EUV产生器(通常被称为DPP源)时。

所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。一般而言，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称为σ-外部和σ-内部)。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，诸如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置。所述照射器可以用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所期望的均匀性和强度分布。

所述辐射束B入射到被保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来图案化。所述辐射束B在被图案形成装置(例如，掩模)MA反射后穿过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装器PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)，可以准确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位器PM和另一个位置传感器PS1用于相对于所述辐射束B的路径准确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。

所描绘出的设备1000可以用于下列模式中的至少一种：

1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。

2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。

3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可以易于应用于利用可编程图案形成装置(诸如，如上所提及类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

光刻设备可以是具有两个或更多衬底台(和/或两个或更多的图案形成装置台)的类型。在这种“多平台”装置中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。例如在美国专利US 5,969,441中描述了双平台光刻投影设备，该文献的全部内容通过引用并入本文中。

图10更详细地示出设备1000，包括源收集器模块SO、照射系统IL以及投影系统PS。源收集器模块SO构造和布置成使得可以将真空环境维持在源收集器模块SO的围封结构220中。发射EUV辐射的等离子体210可以由放电产生等离子体源形成。EUV辐射可以通过气体或蒸汽产生，例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽，其中产生极热的等离子体210以发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。通过例如放电造成至少部分电离的等离子体而产生极热的等离子体210。为了有效产生辐射，可能需要例如分压为10Pa的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其它适当的气体或蒸汽。在实施例中，提供被激发的锡(Sn)的等离子体以产生EUV辐射。

由热等离子体210发射的辐射经由定位于源腔室211中的开口中或其后方的可选的气体阻挡件或污染物截留器230(在一些情况下，也被称作污染物阻挡件或箔片阱)而从源腔室211传递到收集器腔室212中。污染物截留器230可以包括通道结构。污染物截留器230也可以包括气体阻挡件，或气体阻挡件与通道结构的组合。如本领域中已知的，本公开中进一步示出的污染物截留器或污染物阻挡件230至少包括通道结构。

收集器腔室211可以包括可以是所谓的掠入射收集器的辐射收集器CO。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。横穿收集器CO的辐射可以由光栅光谱滤光器240反射，从而沿着点划线‘O’所指示的光轴而聚焦在虚源点IF处。虚源点IF通常被称作中间焦点，并且源收集器模块被布置成使得中间焦点IF位于围封结构220中的开口221处或其附近。虚源点IF是发射辐射的等离子体210的图像。

随后，辐射横穿照射系统IL，该照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24，该琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24被布置成提供在图案形成装置MA处具有期望的角分布的辐射束21，以及在图案形成装置MA处具有期望的均匀性的辐射强度。在辐射束21在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射之后，形成被图案化的束26，并且通过投影系统PS将被图案化的束26经由反射元件28、30而成像到由衬底台WT保持的衬底W上。

在照射光学器件单元IL和投影系统PS中通常可以存在比示出的元件更多的元件。依赖于光刻设备的类型，可以可选地呈现光栅光谱滤光器240。另外，可以存在比图中所示的反射镜多的反射镜，例如，在投影系统PS中可以存在比图10所示的反射元件多1至6个的附加的反射元件。

如图10所图示的收集器光学器件CO被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器，仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255设置成围绕光轴O轴对称，并且这种类型的收集器光学器件CO优选地与经常被称作DPP源的放电产生等离子体源组合使用。

可替代地，源收集器模块SO可以是如图11所示的LPP辐射系统的一部分。激光器LA布置成将激光能量沉积到诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)的燃料中，从而产生具有几十电子伏特(eV)的电子温度的高度电离的等离子体210。在这些离子的去激发(de-excitation)和再结合或复合期间产生的高能辐射从等离子体发射，由近正入射收集器光学器件CO收集，并且聚焦到围封结构220中的开口221上。

所述实施例还可以使用下列方面进行描述：

1.一种方法，包括：

获得用于抗蚀剂显影模型的条件集合，所述抗蚀剂显影模型用于模拟抗蚀剂层的抗蚀剂显影过程；和

通过硬件计算机系统使用所述条件集合和所述抗蚀剂显影模型来执行所述抗蚀剂显影过程的计算机模拟以获得所述抗蚀剂层的所述显影的特性，其中所述计算机模拟被配置成分离地模拟所述抗蚀剂显影过程的特性和某些不同的物理和化学过程。

2.根据方面1所述的方法，其中所述抗蚀剂显影模型单独地根据显影剂的扩散和所述抗蚀剂与所述显影剂之间的所述化学反应的副产物的扩散模型化所述抗蚀剂与所述显影剂之间的化学反应。

3.根据方面2所述的方法，其中所述抗蚀剂显影模型还模型化所述副产物的生成和所述显影剂的消耗。

4.根据方面2或方面3所述的方法，其中所述抗蚀剂显影模型包括与用于模型化扩散的数学项分离的用于模型化化学反应的数学项。

5.根据方面1-4中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂显影模型包括用于未溶解的抗蚀剂的量、用于已溶解的抗蚀剂的量和用于显影剂浓度的分离的变量。

6.根据方面5所述的方法，其中所述变量被归一化。

7.根据方面1-6中任一项所述的方法，包括：

假设在所述抗蚀剂层的所述显影中不存在化学反应，确定所述抗蚀剂层的所述显影中的扩散的特性；

假设在所述抗蚀剂层的所述显影中不存在扩散，确定所述抗蚀剂层的所述显影中的所述化学反应的特性；和

基于所述扩散的特性和所述化学反应的特性确定所述抗蚀剂层的所述显影的特性。

8.根据方面1-7中任一项所述的方法，包括：

假设在垂直于所述第一方向的任何方向上不存在扩散，确定在所述抗蚀剂层的所述显影中在第一方向上的扩散的特性；

假设在所述第一方向上不存在扩散，确定在所述抗蚀剂层的所述显影中在第二方向上的扩散的特性，所述第二方向不同于所述第一方向；和

基于在所述第一方向上的所述扩散的特性和在所述第二方向上的所述扩散的特性确定所述抗蚀剂层的所述显影的特性。

9.根据方面8所述的方法，其中所述第二方向垂直于所述第一方向。

10.根据方面1-9中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂层在衬底上。

11.根据方面10所述的方法，其中所述第一方向垂直于所述衬底的主表面。

12.根据方面10或方面11所述的方法，其中所述第二方向大致平行于所述衬底的主表面。

13.根据方面1-12中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂层是辐射敏感抗蚀剂层，所述条件集合包括由所述抗蚀剂层的曝光所造成的所述抗蚀剂层内的溶解度分布。

14.根据方面1-13中任一项所述的方法，还包括基于所述抗蚀剂层的所述显影的特性调整器件制造过程或器件制造设备的参数。

15.根据方面14所述的方法，其中所述参数是被施加至所述抗蚀剂层的设计布局的参数。

16.根据方面15所述的方法，还包括在调整所述参数后制造或产生图案形成装置图案。

17.根据方面14-16中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂层被配置成在所述器件制造过程期间或在使用所述器件制造设备的期间经历物理或化学处理。

18.根据方面1-17中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂层的所述显影的特性是抗蚀剂的量或量的改变、材料的移位、CD或CD的改变，或边缘放置误差或边缘放置误差的改变。

19.根据方面1-18中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂是正性抗蚀剂或负性抗蚀剂。

20.一种方法，包括：

假设在所述抗蚀剂层的所述显影中不存在化学反应，通过硬件计算机系统确定抗蚀剂层的显影中的扩散的特性；

假设在所述抗蚀剂层的所述显影中不存在扩散，通过所述硬件计算机系统确定所述抗蚀剂层的所述显影中的化学反应的特性；和

通过所述硬件计算机系统基于所述扩散的特性和所述化学反应的特性确定所述抗蚀剂层的所述显影的特性。

21.根据方面20所述的方法，还包括：

假设在垂直于所述第一方向的任何方向上不存在扩散，通过所述硬件计算机系统确定抗蚀剂层的显影中在第一方向上的扩散的特性；

假设在所述第一方向上不存在扩散，通过所述硬件计算机系统确定在所述抗蚀剂层的所述显影中在第二方向上的扩散的特性，所述第二方向不同于所述第一方向；和

通过所述硬件计算机系统基于在所述第一方向上的所述扩散的特性和在所述第二方向上的所述扩散的特性确定所述抗蚀剂层的所述显影的特性。

22.根据方面21所述的方法，其中所述第二方向垂直于所述第一方向。

23.根据方面20-22中任一项所述的方法，其中，确定所述扩散的特性和所述化学反应的特性包括通过硬件计算机系统使用抗蚀剂显影模型执行所述抗蚀剂层的所述显影的计算机模拟，其中所述计算机模拟配置成分离地模拟所述抗蚀剂显影过程的特性和某些不同的物理和化学过程。

24.根据方面23所述的方法，其中所述抗蚀剂显影模型单独地根据显影剂的扩散和所述抗蚀剂与所述显影剂之间的所述化学反应的副产物的扩散模型化所述抗蚀剂与所述显影剂之间的化学反应。

25.根据方面24所述的方法，其中所述抗蚀剂显影模型还模型化所述副产物的生成和所述显影剂的消耗。

26.根据方面24或方面25所述的方法，其中所述抗蚀剂显影模型包括与用于模型化扩散的数学项分离的用于模型化化学反应的数学项。

27.根据方面23-26中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂显影模型包括用于未溶解的抗蚀剂的量、用于已溶解的抗蚀剂的量和用于显影剂浓度的分离的变量。

28.根据方面27所述的方法，其中所述变量被归一化。

29.根据方面20-28中任一项所述的方法，还包括基于所述抗蚀剂层的所述显影的特性调整器件制造过程或器件制造设备的参数。

30.根据方面29所述的方法，其中所述参数是被施加至所述抗蚀剂层的设计布局的参数。

31.根据方面29或方面30所述的方法，其中所述抗蚀剂层被配置成在所述器件制造过程期间或在使用所述器件制造设备的期间经历物理或化学处理。

32.根据方面20-31中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂层的所述显影的特性是抗蚀剂的量或量的改变、材料的移位、CD或CD的改变，或边缘放置误差或边缘放置误差的改变。

33.根据方面20-32中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂是正性抗蚀剂或负性抗蚀剂。

34.一种方法，包括：

假设在垂直于所述第一方向的任何方向上不存在扩散，通过硬件计算机系统确定抗蚀剂层的显影中在第一方向上的扩散的特性；

35.根据方面34所述的方法，其中所述第二方向垂直于所述第一方向。

36.根据方面34或方面35所述的方法，还包括假设在所述第一方向和/或所述第二方向上不存在扩散，获得所述抗蚀剂层的所述显影中在第三方向上的扩散的特性。

37.根据方面36所述的方法，其中获得所述抗蚀剂层的所述显影中的三维扩散的特性附加地基于所述抗蚀剂层的所述显影中在所述第三方向上的扩散的特性。

38.根据方面36或方面37所述的方法，其中所述第一方向、第二方向和第三方面相互垂直。

39.根据方面34-38中任一项所述的方法，其中，确定所述抗蚀剂层的所述显影中在所述第一方向和/或第二方向上的扩散的特性包括通过硬件计算机系统使用抗蚀剂显影模型执行所述抗蚀剂层的所述显影的计算机模拟，其中所述计算机模拟配置成分离地模拟所述抗蚀剂显影过程的特性和某些不同的物理和化学过程。

40.根据方面39所述的方法，其中所述抗蚀剂显影模型单独地根据显影剂的扩散和所述抗蚀剂与所述显影剂之间的所述化学反应的副产物的扩散模型化所述抗蚀剂与所述显影剂之间的化学反应。

41.根据方面40所述的方法，其中所述抗蚀剂显影模型还模型化所述副产物的生成和所述显影剂的消耗。

42.根据方面40或方面41所述的方法，其中所述抗蚀剂显影模型包括与用于模型化扩散的数学项分离的用于模型化化学反应的数学项。

43.根据方面39-42中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂显影模型包括用于未溶解的抗蚀剂的量、用于已溶解的抗蚀剂的量和用于显影剂浓度的分离的变量。

44.根据方面43所述的方法，其中所述变量被归一化。

45.根据方面34-44中任一项所述的方法，还包括基于所述抗蚀剂层的所述显影的特性调整器件制造过程或器件制造设备的参数。

46.根据方面45所述的方法，其中所述参数是被施加至所述抗蚀剂层的设计布局的参数。

47.根据方面45或方面46所述的方法，其中所述抗蚀剂层被配置成在所述器件制造过程期间或在使用所述器件制造设备的期间经历物理或化学处理。

48.根据方面34-47中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂层的所述显影的特性是抗蚀剂的量或量的改变、材料的移位、CD或CD的改变，或边缘放置误差或边缘放置误差的改变。

49.根据方面34-48中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂是正性抗蚀剂或负性抗蚀剂。

50.一种非暂时性计算机程序产品，包括机器可读指令，所述机器可读指令用于使得处理器执行方面1-49中任一项所述的方法。

尽管本文已经具体参考了IC的制造，但是应明确理解，本公开的描述具有许多其它可能的应用。例如，它可用于集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、微机电系统(MEMS)、液晶显示面板、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种替代应用的内容背景下，本文中使用的任何术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”可以被认为分别与更上位的术语“掩模”、“衬底”或“目标部分”互换。

应注意，术语“掩模”、“掩模版”、“图案形成装置”在本公开中互换地使用。而且，本领域技术人员将认识到，尤其是在光刻术模拟/优化的内容背景下，术语“掩模”/“图案形成装置”和“设计布局”能够互换地使用，因为在光刻术模拟/优化中，未必使用物理图案形成装置，但设计布局能被用于表示物理图案形成装置。

已经在使用中的光刻术技术包括极紫外(EUV)光刻术，其使用5nm至20nm范围内的波长(该波长能够使用同步加速器或通过利用高能电子来撞击材料(固体或等离子体)产生)以便产生该范围内的光子。而且，DUV光刻术能够例如通过使用ArF激光器而使用约193nm的波长，或例如通过使用氟激光器而使用约157nm的波长。在本文献中，术语“辐射”和“束”被用于涵盖全部类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有约365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外辐射(EUV，例如具有在约5nm-20nm的范围内的波长)。

虽然本文公开的构思可以用于在衬底(诸如硅晶片)上成像，但是应当理解，所公开的构思可以与任何类型的光刻系统一起使用，例如用于使用压印步骤在除了硅晶片之外的衬底上成像的光刻系统等。

如本公开中使用的术语“投影光学器件”应该被宽泛地解释为涵盖各种类型的光学系统，包括例如折射型光学器件、反射型光学器件、孔径和反射折射型光学器件。术语“投影光学器件”也可以包括用于共同地或单个地引导、成形或控制投影辐射束的根据这些设计类型中的任一个来操作的部件。术语“投影光学器件”可以包括光刻投影设备中的任何光学部件，无论光学部件位于光刻投影设备的光路上的什么地方。投影光学器件可以包括用于在来自源的辐射通过图案形成装置之前成形、调整和/或投影该辐射的光学部件，和/或用于在该辐射通过图案形成装置之后成形、调整和/或投影该辐射的光学部件。投影光学器件通常不包括源和图案形成装置。

在系统或过程的优化过程中，系统或过程的品质因数可以表示为成本函数。优化过程归结为发现优化(例如，最小化或最大化)成本函数的系统或过程的一组参数(设计变量)的过程。成本函数可以依赖于优化的目标而具有任何适当的形式。例如，成本函数可以是系统或过程的某些特性(评估点)相对于这些特性的预期值(例如理想值)的偏差的加权均方根(RMS)；成本函数也可以是这些偏差的最大值(即，最差偏差)。本公开中的术语“评估点”应该被宽泛地解释为包括系统或过程的任何特性。由于系统或过程的实施的实际情况，系统或过程的设计变量可以被限制于有限的范围内和/或可以是相互依赖的。在光刻设备或图案形成过程的情况下，约束常常与硬件的物理属性和特性相关联，诸如可调谐范围和/或图案形成装置可制造性设计规则，评估点可以包括衬底上的抗蚀剂图像或图案上的物理点以及诸如剂量和焦点的非物理特性。

如本公开中使用的术语“进行优化”和“优化”是指或意味着调整光刻设备、图案形成过程等，使得光刻术或图案形成过程的结果和/或过程具有更为期望的特性，诸如衬底上的设计布局的投影的更高的准确度、更大的过程窗口等。因此，如本公开中使用的术语“进行优化”和“优化”是指或意味着识别用于一个或更多个变量的一个或更多个值的过程，所述一个或更多个值与用于所述这些一个或更多个变量的一个或更多个值的初始集合相比提供到至少一个相关指标的改良，例如局部最优。“最优”和其它相关术语应该相应地进行解释。在实施例中，可以迭代地应用优化步骤，以提供一个或更多个指标的进一步改良。

尽管以上已经描述了本公开的具体实施例，但应该认识到，本公开可以以与上述不同的方式来实践。例如，本公开可以采取包含一个或更多个描述上述方法的机器可读指序列令的计算机程序或于其中存储计算机程序的数据存储介质(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。

在框图中，虽然所图示的部件被描绘为离散功能框，但实施例不限于本文中所描述的功能性如图所示地那样组织的系统。由部件中的每一个提供的功能性可以由软件或硬件模块提供，所述软件或硬件模块以与当前所描绘的方式不同的方式组织，例如可以掺和、结合、复写、解散、分配(例如，在数据中心内或者按地区)，或者以不同方式组织该软件或硬件模块。本文中描述的功能性可以由执行储存于有形的非暂时性机器可读介质上的代码的一台或更多台计算机的一个或更多个处理器提供。在一些情况下，第三方内容分发网络可以是在网络上传送的一些或全部信息的主机，在这种情况下，在一定程度上信息(例如，内容)被认为被供给或以其它方式提供，该信息可以通过发送指令以从内容分发网络获取该信息而被提供。

除非另有特定陈述，否则根据本论述明白，应该理解的是，在整个说明书中，利用诸如“处理”、“通过计算机计算(computing)”、“计算(calculating)”、“确定”等术语的讨论是指特定设备(诸如专用目的计算机或类似的专用目的电子处理/计算装置)的动作或过程。

读者应该明白的是，本申请描述了多个发明。没有将这些发明分开到多个独立的专利申请中，申请人已将这些发明分组到单个文献中，这是由于其相关主题可以在应用过程中适用于经济。然而，不应该合并这些发明的相异优点和方面。在一些情况下，虽然实施例解决本文中所提到的所有不足，但应该理解的是，所述发明是独立地有用的，并且一些实施例仅解决这些问题的子集或提供其它未提及的益处，这些益处对于查阅本公开的技术人员而言是清楚的。由于成本制约，当前可能不主张本文中公开的一些发明，并且可以在稍后的申请中(诸如继续申请或者通过修改权利要求书)主张这些发明。类似地，由于空间制约，本文中的“摘要”和“发明内容”部分都不应该视为包含所有这些发明的全面列举或这些发明的所有方面。

应该理解的是，说明书和附图不旨在将本发明限制为所公开的特定形式，而是相反，本发明覆盖落入由所附权利要求所限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等同物和替代方案。

鉴于本说明书，本领域技术人员将明白本发明的各个方面的修改和替代实施例。因此，本说明书和附图仅被解释为说明性的，并且是为了向本领域技术人员教导实施本发明的一般方式的目的。应该理解的是，本文示出和描述的本发明的形式将被视为实施例的示例。元件和材料可以被用于替代本文所图示和描述的那些元件和材料，部件和过程可以被颠倒或省略，并且某些特征可以独立使用，并且实施例或实施例的特征可以被组合，所有这些对于本领域技术人员在具有本发明的说明书的益处之后将是清楚的。在不背离由所附权利要求所述的本发明的精神和范围的情况下，可以对本文所述的元件作出改变。本文使用的标题仅用于组织目的，并不意味着用于限制说明书的范围。

如整个本申请中所使用的，词语“可以或可能”以许可性含义(即，意味着有潜在可能)而不是强制性含义(即，意味着必须)来使用。词语“包括(“include”，“including”和“includes”等)”意味着包括但不限于。如整个本申请中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”包括复数的表示，除非另外地有内容明确地说明。因此，例如，对“元件(an element和aelement)”的提及包括两个或更多个元件的组合，尽管对于一个或更多个元件诸如“一个或更多个”使用了其它的术语和短语。术语“或”，除非另外说明，否则是非排它性的，即包含“和”和“或”。描述条件关系的术语，例如“响应于X，Y”、“在X时，Y”、“如果X，则Y”、“当X时，Y”等，包括因果关系，其中前提为必要的因果条件，前提为充分的因果条件，或前提是结果的促成因果条件，例如，“表述在条件Y获得时状态X发生”对于“仅在Y时X发生”和“在Y和Z时X发生”是上位的。这样的条件关系并不限于立即在前提获得之后的结果，因为一些结果可能被延迟，并且在条件陈述中，前提与它们的结果相关联，例如前提与结果发生的可能性相关。其中多个属性或功能被映射到多个物体(例如，执行步骤A、B、C和D的一个或更多个处理器)的表述包含所有这些属性或功能被映射到所有这些物体和属性或功能的子集被映射到所述属性或功能的子集(例如，所有处理器每个执行步骤A-D，及其中处理器1执行步骤A、处理器2执行步骤B和步骤C的一部分、并且处理器3执行步骤C的一部分和步骤D的情况)，除非另外说明。此外，除非另外说明，否则一个值或动作“基于”另一个条件或值的陈述涵盖其中所述条件或值是唯一因素的实例以及其中所述条件或值是多个因素中的一个因素的实例两者。除非另外说明，否则某些集合的“每个”实例具有某个属性的陈述不应被读出排除较大集合中的一些其它相同或类似部件不具有该属性的情况，即，每个并不一定意味着每一个或任一个。

在某些美国专利、美国专利申请或其它材料(例如论文)已径通过引用并入的程度上，这些美国专利、美国专利申请和其它材料的文字仅在这种材料与本文中所阐述的陈述和附图之间不存在冲突的程度上通过引用并入。在存在这种冲突的情况下，在这种通过引用并入的美国专利、美国专利申请和其它材料中的任何这种冲突文字并不特定地通过引用并入本文中。

上文描述旨在是示例性的而不是限制性的。因此，本领域的技术人员将明白，在不背离下面阐述的权利要求书的范围的情况下，可以对所描述的公开进行修改。

Claims

1.一种非暂时性计算机存储介质，包括存储其上的机器可读指令，所述机器可读指令用于使得处理器执行评估抗蚀剂显影的方法，所述方法包括：

通过硬件计算机系统使用所述条件集合和所述抗蚀剂显影模型来执行所述抗蚀剂显影过程的计算机模拟以获得所述抗蚀剂层的所述显影的特性，其中所述计算机模拟被配置成独立于所述抗蚀剂显影过程的不同的第二物理或化学过程或特性模拟所述抗蚀剂显影过程的第一物理或化学过程或特性，并且独立于所述抗蚀剂显影过程的不同的所述第一物理或化学过程或特性分离地模拟所述抗蚀剂显影过程的不同的所述第二物理或化学过程或特性。

2.根据权利要求1所述的介质，其中所述抗蚀剂显影模型单独地根据显影剂的扩散和所述抗蚀剂与所述显影剂之间的化学反应的副产物的扩散模型化所述抗蚀剂与所述显影剂之间的所述化学反应。

3.根据权利要求2所述的介质，其中所述抗蚀剂显影模型还模型化所述副产物的生成和所述显影剂的消耗。

4.根据权利要求2所述的介质，其中所述抗蚀剂显影模型包括与用于模型化扩散的数学项分离的用于模型化化学反应的数学项。

5.根据权利要求1所述的介质，其中所述抗蚀剂显影模型包括用于未溶解的抗蚀剂的量、用于已溶解的抗蚀剂的量和用于显影剂浓度的分离的变量。

6.根据权利要求1所述的介质，所述方法包括：

7.根据权利要求1所述的介质，所述方法包括：

假设在垂直于第一方向的任何方向上不存在扩散，确定在所述抗蚀剂层的所述显影中在第一方向上的扩散的特性；

8.根据权利要求7所述的介质，其中所述第二方向垂直于所述第一方向。

9.根据权利要求1所述的介质，其中所述抗蚀剂层是辐射敏感抗蚀剂层，所述条件集合包括由所述抗蚀剂层的曝光所造成的所述抗蚀剂层内的溶解度分布。

10.根据权利要求1所述的介质，所述方法还包括基于所述抗蚀剂层的所述显影的特性调整器件制造过程或器件制造设备的参数。

11.根据权利要求10所述的介质，其中所述参数是被施加至所述抗蚀剂层的设计布局的参数。

12.根据权利要求10所述的介质，其中所述抗蚀剂层被配置成在所述器件制造过程期间或在使用所述器件制造设备的期间经历物理或化学处理。

13.根据权利要求1所述的介质，其中所述抗蚀剂层的所述显影的特性是抗蚀剂的量或量的改变、材料的移位、临界尺寸或临界尺寸的改变，或边缘放置误差或边缘放置误差的改变。

14.根据权利要求1所述的介质，其中所述抗蚀剂是正性抗蚀剂或负性抗蚀剂。

15.一种评估抗蚀剂显影的方法，包括：