JP6808041B2 - メトロロジツール及びメトロロジツールを使用する方法 - Google Patents
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Description
[0001] 本願は、2016年12月28日出願の、米国仮特許出願第62/439,675号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
Claims (24)
- デバイスパターニングプロセスの第1のデバイスリソグラフィステップに続いて、オブジェクト上の劣化メトロロジマークを測定することであって、前記劣化メトロロジマークは前記オブジェクト上の前記第1のデバイスリソグラフィステップから少なくとも部分的に生じること、及び、
前記オブジェクト上の前記デバイスパターニングプロセスの第2のデバイスリソグラフィステップに先立って、前記劣化メトロロジマークに代わって前記パターニングプロセスにおいて使用するための置換メトロロジマークを、前記劣化メトロロジマークから距離オフセットを設けて前記オブジェクト上に作成すること、
を含む、方法。 - 前記第2のデバイスリソグラフィステップに先立ち、前記オブジェクト上の前記置換メトロロジマークを測定することを、更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記劣化メトロロジマークを測定することを含み、前記劣化メトロロジマークを測定することは、第1のタイプの計測手法によって前記劣化メトロロジマークを測定することを含み、前記置換メトロロジマークを測定することは、前記第1のタイプの計測手法とは異なる第2のタイプの計測手法によって、前記置換メトロロジマークを測定することを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記劣化メトロロジマークを測定することを含み、前記劣化メトロロジマークを測定することは、第1のタイプの計測手法によって前記劣化メトロロジマークを測定することを含み、前記第2のデバイスリソグラフィステップは、前記置換メトロロジマークを測定するために、前記第1のタイプの計測手法とは異なる第2のタイプの計測手法を使用する、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記第1及び第2のタイプの計測手法は、第1及び第2のタイプのアライメント計測手法である、請求項3又は4に記載の方法。
- 前記第1のタイプの計測手法は、前記劣化メトロロジマーク上又は前記劣化メトロロジマークの、1つ以上の層に起因する、前記劣化メトロロジマークの位置エラーを決定するためのスタックメトロロジを含む、請求項3又は4に記載の方法。
- 前記置換マークを測定するときに、前記パターニングプロセスにおいて使用するためのデータ記録を作成することを更に含み、前記データ記録は、前記オブジェクトの識別子及び前記置換メトロロジマークの前記距離オフセットを有する、請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- デバイスパターンフィーチャに対する前記劣化メトロロジマークの位置を測定することを含み、前記距離オフセットは、前記デバイスパターンフィーチャに対する前記置換メトロロジマークの距離オフセットを含む、請求項1から7のいずれかに記載の方法。
- 前記置換メトロロジマークを作成することは、前記オブジェクト上で、光学プロセス及び/又は物理プロセスを実行することを含む、請求項1から8のいずれかに記載の方法。
- 前記置換メトロロジマークを作成することは、前記オブジェクトの表面にマーク材料を追加することを含む、請求項1から9のいずれかに記載の方法。
- 前記置換メトロロジマークを作成することは、オブジェクト材料、及び/又は前記オブジェクト上のレジスト層の一部を、除去することを含む、請求項1から9のいずれかに記載の方法。
- 前記劣化メトロロジマーク及び前記置換メトロロジマークは、アライメントマークである、請求項1から11のいずれかに記載の方法。
- 前記第2のデバイスリソグラフィステップの一部として、前記オブジェクトの前記置換メトロロジマークを測定すること、及び、
前記置換メトロロジマークの前記測定に基づいて、パターンを前記オブジェクトに転写すること、
を、更に含む、請求項1から12のいずれかに記載の方法。 - デバイスパターニングプロセスの第1のデバイスリソグラフィステップに続いて、オブジェクト上の劣化メトロロジマークを測定するように構成された、メトロロジセンサであって、前記劣化メトロロジマークは前記オブジェクト上の前記第1のデバイスリソグラフィステップから少なくとも部分的に生じる、メトロロジセンサと、
前記デバイスパターニングプロセスの任意の後続のデバイスリソグラフィステップに先立って、前記劣化メトロロジマークから距離オフセットを設けて、前記オブジェクト上に置換メトロロジマークを作成するように構成された、マーク印加デバイスであって、前記置換マークは前記パターニングプロセスにおいて前記劣化メトロロジマークに代わって使用される、マーク印加デバイスと、
を備える、装置。 - 前記マーク印加デバイスは、デバイスパターンを印加せずに前記置換マークを印加するように構成される、請求項14に記載の装置。
- 前記メトロロジセンサは、前記劣化メトロロジマークの位置を決定するように構成されたアライメントセンサである、請求項14又は15に記載の装置。
- 前記劣化メトロロジマークを測定するために前記メトロロジセンサによって使用される第1のタイプのマーク計測手法とは異なる第2のタイプのマーク計測手法に従って、前記置換メトロロジマークを測定するように構成された、更なるメトロロジセンサを備える、請求項14から16のいずれかに記載の装置。
- 第1のタイプのマーク計測手法に従って、オブジェクト上の劣化メトロロジマークを測定するように構成された、第1のメトロロジセンサと、
前記劣化マークの前記測定に基づいて、前記劣化メトロロジマークから距離オフセットを設けて、前記オブジェクト上に置換メトロロジマークを印加するように構成された、マーク印加デバイスと、
前記第1のタイプのマーク計測手法とは異なる第2のタイプのマーク計測手法に従って、前記置換メトロロジマークを測定するように構成された、第2のメトロロジセンサと、
を備える、装置。 - 前記第1のメトロロジセンサは、デバイスパターニングプロセスの第1のデバイスリソグラフィステップに続いて、前記オブジェクト上の前記劣化メトロロジマークを測定するように構成され、前記マーク印加デバイスは、前記デバイスパターニングプロセスの第2のデバイスリソグラフィステップに先立って、前記オブジェクト上に置換メトロロジマークを印加するように構成される、請求項18に記載の装置。
- 前記第1のタイプのマーク計測手法は、赤外線放射、可視光、紫外線放射、及び/又はX線放射に基づく、請求項18又は19に記載の装置。
- 前記第1のタイプのマーク計測手法は、走査電子顕微鏡法、トンネル電子顕微鏡法、原子間力顕微鏡法、共焦点顕微鏡法、及び/又は近視野光学顕微鏡法を含む、請求項18又は19に記載の装置。
- 前記マーク印加デバイスは、前記オブジェクト上での付加プロセスによって、オブジェクト材料及び/又は前記オブジェクト上のレジスト層の一部を除去することによって、前記オブジェクト上の材料を光学的に変換することによって、及び/又は、前記オブジェクト上に材料をインプリントすることによって、前記置換マークを作成するように構成される、請求項14から21のいずれかに記載の装置。
- 前記置換マークを測定するときに、前記パターニングプロセスにおいて使用するためのデータ記録を作成するように構成された、コンピュータシステムを更に備え、前記データ記録は、前記オブジェクトの識別子と、前記置換メトロロジマークの前記距離オフセットとを有する、請求項14から22のいずれかに記載の装置。
- 前記パターニングプロセスのリソグラフィステップの一部として、前記オブジェクトの前記置換メトロロジマークを測定するように、及び、前記置換メトロロジマークの前記測定に基づいて、パターンを前記オブジェクトに転写するように構成された、リソグラフィ装置を更に備える、請求項14から22のいずれかに記載の装置。
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