TWI662382B - 度量衡方法及裝置 - Google Patents

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賈斯汀 洛依德 克魯瑟
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荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司
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Abstract

一種方法，其包括：在一器件圖案化程序之一第一器件微影步驟之後，量測一物件上之一降級度量衡標記及/或與該降級度量衡標記相關聯之一器件圖案特徵，該降級度量衡標記係至少部分地起因於該物件上之該第一器件微影步驟；及在該物件上之該器件圖案化程序之一第二器件微影步驟之前，在該物件上產生一替換度量衡標記，以代替該降級度量衡標記而用於該圖案化程序中。

Description

度量衡方法及裝置
本文中之本發明大體上係關於製造流程中之物件之度量衡，該等物件係例如半導體製造程序中之基板。
微影裝置可用於例如積體電路(integrated circuit；IC)製造中。在此狀況下，圖案化器件(例如光罩)可含有或提供對應於IC(「設計佈局」)之個別層的器件圖案，且藉由諸如通過圖案化器件之圖案輻照基板(例如矽晶圓)上已塗佈有輻射敏感材料(「抗蝕劑」)層之目標部分(例如包含一或多個晶粒)的方法，可將此圖案轉印至該目標部分上。一般而言，單一基板含有複數個鄰近目標部分，圖案係由微影裝置順次地轉印至該等鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影裝置中，將整個圖案化器件之圖案一次性轉印至一個目標部分上；此裝置通常被稱作步進器。在通常被稱作步進掃描裝置之替代裝置中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化器件進行掃描，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基板。將圖案化器件之圖案之不同部分漸進地轉印至一個目標部分。一般而言，由於微影裝置將具有放大因數M(通常<1)，故基板移動之速度F將為投影光束掃描圖案化器件之速度的因數M倍。
在將圖案自圖案化器件轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸 如上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他工序，諸如曝光後烘烤(post-exposure bake；PEB)、顯影、硬烘烤，及經轉印圖案之量測/檢測。此工序陣列用作製成例如IC之器件之個別層的基礎。基板接著可經歷各種程序，諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等等，該等程序皆意欲精整器件之個別層。若在器件中需要若干層，則針對每一層重複整個工序或其變體。最終，在基板上之每一目標部分中將存在一器件。接著藉由諸如切塊或鋸切之技術來使此等器件彼此分離，據此可將個別器件安裝於載體上、連接至銷釘等等。
因此，製造諸如半導體器件之器件通常涉及使用數種製作程序來處理基板(例如半導體晶圓)以形成該等器件之各種特徵及多個層。通常使用例如沈積、微影、蝕刻、化學機械拋光及離子植入來製造及處理此等層及特徵。可在基板上之複數個晶粒上製作多個器件，且接著將該等器件分離成個別器件。此器件製造程序可被視作圖案化程序。圖案化程序涉及使用微影裝置中之圖案化器件進行諸如光學及/或奈米壓印微影之圖案化步驟，以將圖案化器件之圖案轉印至基板，且圖案化程序通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影裝置進行抗蝕劑顯影、使用烘烤工具來烘烤基板、使用蝕刻裝置而使用圖案進行蝕刻等等。
如上文所提及，用於物件之圖案化程序可涉及將一或多個圖案轉印至物件，例如基板上之光阻。有效圖案轉印涉及在圖案轉印之前定位物件。定位物件可涉及確認物件之側向及/或旋轉位置以收納圖案以用於圖案轉印。改良物件對準係合意的，例如以便增加圖案化準確性且改良器件良率。相似地，其他度量衡(例如疊對、臨界尺寸(critical dimension； CD)、圖案化光束劑量、光學曝光焦點等等)可用於圖案化程序中，且因此改良此度量衡係合意的，例如以便增加圖案化準確性且改良器件良率。
在一實施例中，提供一種方法，其包含：在一器件圖案化程序之一第一器件微影步驟之後，量測一物件上之一降級度量衡標記及/或與該降級度量衡標記相關聯之一器件圖案特徵，該降級度量衡標記係至少部分地起因於該物件上之該第一器件微影步驟；及在該物件上之該器件圖案化程序之一第二器件微影步驟之前，在該物件上產生一替換度量衡標記，以代替該降級度量衡標記而用於該圖案化程序中。
在一實施例中，提供一種裝置，其包含：一度量衡感測器，其經組態以在一器件圖案化程序之一第一器件微影步驟之後量測一物件上之一降級度量衡標記及/或量測與該降級度量衡標記相關聯之一器件圖案特徵，該降級度量衡標記係至少部分地起因於該物件上之該第一器件微影步驟；及一標記施加器件，其經組態以在該器件圖案化程序之任何後續器件微影步驟之前在該物件上產生一替換度量衡標記，其中該替換標記代替該降級度量衡標記而用於該圖案化程序中。
在一實施例中，提供一種裝置，其包含：一第一度量衡感測器，其經組態以根據一第一類型之標記度量衡而量測該物件上之一降級度量衡標記；一標記施加器件，其經組態以基於該降級標記之該量測而在該物件上施加一替換度量衡標記；及一第二度量衡感測器，其經組態以根據不同於該第一類型之標記度量衡的一第二類型之標記度量衡而量測該替換度量衡標記。
在參考隨附圖式考慮以下實施方式及所附申請專利範圍後，本發明之此等及其他特徵以及相關結構元件之操作方法及功能及製造部分與製造 經濟之組合就將變得更顯而易見，以下實施方式、所附申請專利範圍及隨附圖式皆形成本說明書之部分，其中類似參考數字在各圖中指定對應部分。然而，應明確地理解，圖式係僅出於說明及描述之目的，且並不意欲作為本發明之限制的定義。如本說明書及申請專利範圍中所使用，單數形式「一(a/an)」及「該(the)」包括複數個指示物，除非上下文另有明確規定。另外，如本說明書及申請專利範圍中所使用，術語「或」意謂「及/或」，除非上下文另有明確規定。
100‧‧‧度量衡標記
102‧‧‧凹入式區域/溝槽
104‧‧‧隆脊部分
106‧‧‧筆直側壁
108‧‧‧方角
110‧‧‧降級度量衡標記
112‧‧‧凹入式區域
114‧‧‧隆脊部分
116‧‧‧無圖案區
118‧‧‧側壁
120‧‧‧度量衡標記
122‧‧‧溝槽
124‧‧‧隆脊
126‧‧‧筆直側壁
128‧‧‧方角
200‧‧‧度量衡標記模組
202‧‧‧環境罩殼
204‧‧‧框架
206‧‧‧振動隔離系統
208‧‧‧度量衡基底
210‧‧‧物件
211‧‧‧位置量測系統
212‧‧‧載物台
214‧‧‧柵格板
216‧‧‧柵格板讀取器
218‧‧‧載物台對準標記物
220‧‧‧物件處置器
222‧‧‧位階感測器
224‧‧‧第一度量衡感測器
226‧‧‧第二度量衡感測器
228‧‧‧標記列印機
300‧‧‧物件
302‧‧‧層
304‧‧‧度量衡標記
306‧‧‧替換度量衡標記
308‧‧‧替換度量衡標記
310‧‧‧物件
312‧‧‧層
314‧‧‧度量衡標記
316‧‧‧替換度量衡標記
318‧‧‧塗佈層
320‧‧‧物件
322‧‧‧頂層
324‧‧‧塗佈層
326‧‧‧替換度量衡標記
328‧‧‧第二塗佈層
330‧‧‧物件
332‧‧‧層
334‧‧‧塗佈層
335‧‧‧塗佈層
336‧‧‧替換度量衡標記
338‧‧‧背側塗佈層
340‧‧‧背側
400‧‧‧方法
402‧‧‧操作
404‧‧‧操作
406‧‧‧操作
408‧‧‧操作
410‧‧‧操作
412‧‧‧操作
416‧‧‧操作
418‧‧‧操作
420‧‧‧操作
1700‧‧‧電腦系統
1702‧‧‧匯流排
1704‧‧‧處理器
1705‧‧‧處理器
1706‧‧‧主記憶體
1708‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
1710‧‧‧儲存器件
1712‧‧‧顯示器
1714‧‧‧輸入器件
1716‧‧‧游標控制件
1718‧‧‧通信介面
1720‧‧‧網路鏈路
1722‧‧‧區域網路
1724‧‧‧主機電腦
1726‧‧‧網際網路服務提供者(ISP)
1728‧‧‧網際網路
1730‧‧‧伺服器
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
IL‧‧‧照明器
IN‧‧‧積光器
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影裝置控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MT‧‧‧光罩台
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
RF‧‧‧參考框架
RO‧‧‧基板處置器/機器人
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
在隨附圖式之諸圖中作為實例而非限制來說明實施例，且其中類似參考數字係指相似元件。
圖1描繪微影裝置之實施例的示意圖；圖2描繪微影製造單元(lithographic cell)之實施例的示意圖；圖3A至圖3C示意性地描繪根據一實施例的圖案化程序中之物件上之實例度量衡標記的圖解；圖4示意性地描繪根據一實施例的經組態以偵測物件上之度量衡標記且在物件上提供度量衡標記之度量衡標記模組；圖5A至圖5D示意性地描繪根據一實施例的具有度量衡標記及另外度量衡標記之物件的橫截面圖；圖6為根據一實施例之處理方法的流程圖；且圖7說明實例電腦系統之方塊圖。
圖1示意性地描繪微影裝置LA，可與其相關聯地利用本文中所描述之技術。該裝置包括：照明光學系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光 束B(例如紫外線(ultraviolet；UV)、深紫外線(deep ultraviolet；DUV)或極紫外線(extreme ultraviolet；EUV)輻射)；圖案化器件支撐件或支撐結構(例如光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；一或多個基板台(例如晶圓台)WTa、WTb，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影光學系統(例如折射、反射或反射折射光學系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如包括一或多個晶粒)上。
照明光學系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。在此特定狀況下，照明系統亦包含輻射源SO。
圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中之其他條件的方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可為例如框架或台，其可根據需要而固定或可移動。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件例如相對於投影系統處於所要位置。本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用可被認為與更一般的術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部 分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。作為另一實例，圖案化器件包含LCD矩陣。
如此處所描繪，該裝置屬於透射類型(例如使用透射圖案化器件)。然而，該裝置可屬於反射類型(例如使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩(例如對於EUV系統))。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO(例如水銀燈或準分子雷射、雷射產生電漿(laser produced plasma；LPP)EUV源)接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為單獨實體。在此等狀況下，源不被認為形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包括例如適合導向鏡面及/或擴束器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下， 舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之空間強度分佈及/或角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件(例如光罩台)MT上之圖案化器件(例如光罩)MA上，且由該圖案化器件圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如光罩)MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影光學系統PS，投影光學系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上，藉此將圖案之影像投影於目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如干涉量測器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如光罩)MA。
可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如光罩)MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等基板對準標記可位於目標部分之間的空間中(此等基板對準標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在圖案化器件(例如光罩)MA上提供多於一個晶粒之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記物亦可包括於器件特徵當中之晶粒內，在此狀況下，需 要使該等標記物儘可能地小且相比於鄰近特徵無需任何不同成像或程序條件。下文進一步描述偵測對準標記物之對準系統。
此實例中之微影裝置LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb及兩個站一曝光站及量測站一在該兩個站之間可交換該等基板台。在曝光站處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且實行各種預備步驟。預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面控制，使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記物之位置，執行任何其他類型之度量衡或檢測等等。此情形會實現裝置之產出率之相當大的增加。更一般化地，微影裝置可屬於具有兩個或多於兩個台(例如兩個或多於兩個基板台、一基板台及一量測台、兩個或多於兩個圖案化器件台等等)之類型。在此等「多載物台」器件中，可並行地使用多個台中之複數者，或可在一或多個台上實行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，全文以引用之方式併入本文中的美國專利第5,969,441號中描述雙載物台微影裝置。
雖然位階感測器LS及對準感測器AS被展示為鄰近於基板台WTb，但應瞭解，另外或替代地，位階感測器LS及對準感測器AS可被提供為鄰近於投影系統PS以相對於基板台WTa進行量測。
所描繪之裝置可在多種模式下使用，包括例如步進模式或掃描模式。微影裝置之建構及操作為熟習此項技術者所熟知，且無需予以進一步描述以供理解本發明之實施例。
如圖2所展示，微影裝置LA形成微影系統之部分，其被稱作微影製造單元(lithographic cell/lithocell)LC或叢集。微影製造單元LC亦可包括用以對基板執行曝光前及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈 積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板，在不同程序裝置之間移動基板，且接著將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影裝置。因此，可操作不同裝置以最大化產出率及處理效率。
在圖案化程序中，一或多個對準標記(諸如基板對準標記P1、P2)導引圖案至基板W上之置放。在圖案化程序(例如積體電路製造程序)之實施例中，對準感測器AS(例如結合位置感測器IF)判定基板W(例如半導體晶圓)上之一或多個對準標記之位置，且在微影裝置中之圖案轉印之前根據對準標記之經判定部位而調整基板相對於圖案化器件MA之位置。器件(例如積體電路)中之圖案之未對準可引起器件發生故障或效能降級及/或引起來自基板W之器件良率縮減。舉例而言，歸因於圖案置放誤差之未對準互連可導致器件內之金屬互連處之互連面積縮減，且因此可增加器件中之電阻。因此，改良器件之元件之圖案對準可在圖案化程序期間縮減製造缺陷，且可增加來自基板W之器件良率。
相似地，一或多個其他度量衡標記(例如用以判定疊對、CD、焦點、劑量等等)亦可變得降級。且因此，其量測亦可得到不正確的結果，且因此，使用彼等結果來控制圖案化程序可導致器件發生故障或效能降級及/或導致來自基板W之器件良率縮減。
在一實施例中，將一或多個度量衡標記(例如對準標記)形成於物件(諸如基板W)上。在一實施例中，藉由在物件上之抗蝕劑層中產生度量衡 標記圖案來形成一或多個度量衡標記。在一實施例中，將抗蝕劑中之度量衡標記圖案轉印至下伏於抗蝕劑之材料中。蝕刻可包括對物件上之材料堆疊中之膜進行電漿蝕刻及/或濕式化學蝕刻處理。在一實施例中，將一或多個度量衡標記形成於物件之至少一最頂非抗蝕劑層中，且在蝕刻之後繼續存在於物件之最頂非抗蝕劑層中。
在一實施例中，在物件中形成度量衡標記之後及對物件之下一圖案轉印步驟之前的一或多個圖案化程序步驟使度量衡標記降級。舉例而言，可藉由物件之化學機械拋光(chemical mechanical polishing；CMP)而使度量衡標記降級，從而導致例如度量衡標記之部分損失或導致度量衡標記之形狀之至少部分變形。在一實施例中，度量衡標記形狀之變形係指度量衡標記之隅角圓化，或係指度量衡標記之波狀線而非筆直線之形成。在一實施例中，度量衡標記之降級包括度量衡標記之損壞、失真及/或遮蔽。在一實施例中，降級標記包括與特定微影製造單元之度量衡系統不相容的度量衡標記(例如，降級標記可經設計成與來自一個供應商之度量衡系統一起使用且與來自另一供應商之度量衡系統不相容)。對降級度量衡標記之依賴會使度量衡步驟例如較耗時、較不準確及/或較不可再現。在一實施例中，被損壞、失真及/或遮蔽之降級度量衡標記會增加圖案化程序將引起例如圖案相對於物件上之先前提供之圖案(例如在較低層級處)之轉印未對準的可能性。
度量衡標記可能不適合於使用某些類型之度量衡的量測。舉例而言，在一實施例中，如微影製造單元中所使用，第一類型之標記度量衡係針對一或多個效能因素予以選擇，諸如標記偵測速度及/或標記偵測準確性。在一實施例中，第一類型之標記度量衡可能不適合於偵測降級度量衡 標記。在一實施例中，第一類型之標記度量衡包括基於繞射之標記偵測系統。
因此，在一實施例中，提供與微影製造單元(例如微影裝置)之度量衡工具(例如對準感測器)分離的工具或模組，其用以使用第二類型之標記度量衡來偵測降級度量衡標記，且接著在物件上產生替換度量衡標記(例如新的取代度量衡標記、度量衡標記之修復、增強型度量衡標記(亦即，在設計上與原始度量衡標記不同且相比於原始度量衡標記通常將具有較佳效能之標記)等等)。因此，仍可藉由使用第一類型之標記度量衡以偵測物件(具有降級度量衡標記)上之替換度量衡標記來處理該物件。第二類型之標記度量衡可用以例如判定降級度量衡標記是否降級及/或使能夠判定降級替換標記與替換度量衡標記之間的偏移(若存在)。
在一實施例中，代替產生替換度量衡標記，可經由藉由第二類型之標記度量衡來量測現有降級度量衡標記而針對該降級度量衡標記判定偏移。此可例如在以下情形中進行：降級度量衡標記具有足夠的品質以用於使用微影製造單元之第一類型之標記度量衡進行量測。偏移提供如使用降級度量衡標記所量測的位置誤差之量的量度。因此，偏移可針對何時使用第一類型之標記度量衡來量測降級度量衡標記提供位置校正。
在一實施例中，由於例如相對於第一類型之標記度量衡的較慢量測速度，第二類型之標記度量衡可能不適合用於微影製造單元中。但，第二類型之標記度量衡適合於偵測物件上之降級度量衡標記。
在一實施例中，第二類型之標記度量衡為使用非可見光輻射之光學方法，非可見光輻射係諸如紅外線輻射、紫外線輻射及/或x射線輻射。在一實施例中，第二類型之標記度量衡為原子力顯微法(atomic force microscopy；AFM)。在一實施例中，第二類型之標記度量衡使用可見光，但相比於第一類型之標記度量衡具有不同視場(亦即，使用近場或其他光學顯微法)。
在一實施例中，第二類型之標記度量衡為計入上覆於度量衡標記或其部分之一或多個層之效應的堆疊度量衡，該一或多個層造成使用此度量衡標記之量測在量測「真實」位置方面不準確。舉例而言，堆疊度量衡可判定歸因於一或多個層的波長分佈(再加權)之表觀移位，及/或歸因於一或多個層的數值孔徑分佈(再加權)之表觀移位。在一實施例中，經量測移位屬於反射率。在使用適當校準(例如在度量衡標記上方具有已知層之一或多個參考基板之校準)之情況下，當度量衡標記經量測以判定位置時，表觀移位可轉變成度量衡標記之位置偏移。因此，在一實施例中，類似於其他第二類型之標記度量衡，堆疊度量衡可例如判定降級度量衡標記是否降級及/或使能夠判定降級替換標記與替換度量衡標記之間的偏移(若存在)。
參看圖3A，以未降級度量衡標記之形式示意性地描繪度量衡標記100(在此狀況下為對準標記)，未降級度量衡標記服從使用第一類型之標記度量衡之度量衡裝置(例如對準感測器AS)進行的度量衡。在此實例中，度量衡標記100包含凹入式區域102(在此狀況下為複數個溝槽102)，其中在每一對溝槽102之間具有一隆脊部分104。每一溝槽102具有筆直側壁106及方角108，如自度量衡標記上方所檢視。
參看圖3B，基於度量衡標記100的降級度量衡標記110之示意性描繪展現使使用第一類型之度量衡之度量衡相比於針對度量衡標記100之度量衡較不可靠的遺漏圖案元件。降級度量衡標記110包含凹入式區域112及朝向凹入式區域112之中心向內延伸之隆脊部分114。在降級度量衡標記 110中，隆脊部分114斷裂，且以前隔離之溝槽已合併至凹入式區域112中。降級度量衡標記110具有無圖案區116，其中隆脊部分114之部分遠離物件而斷裂。降級度量衡圖案110之側壁118係大體上筆直的，而不管對隆脊部分114之損壞。在一實施例中，第二類型之標記度量衡能夠偵測及量測(例如對準至)諸如降級度量衡標記110之降級度量衡標記，此係因為第二類型之標記度量衡例如(1)具有較大時間段以便執行標記偵測及量測，及/或(2)使用不同類型之輻射及/或與度量衡標記之相互作用。
參看圖3C，基於度量衡標記100的度量衡標記120之示意性描繪被展示於該度量衡標記之頂部上的遮蔽材料層下方。具有筆直側壁126及方角128之溝槽122及隆脊124存在於度量衡標記中。介入材料層(亦即，度量衡標記與偵測器之間的層)有時遮蔽度量衡標記免於用於微影製造單元中之類型之度量衡，從而使度量衡標記部位更困難。在一實施例中，可使用穿過或更深地穿入物件(例如其一或多個層)之第二類型之度量衡來偵測由第一類型之度量衡遮蔽(亦即，難以或沒有可能偵測)之度量衡標記。在一實施例中，使用穿入物件(例如其一或多個層)之諸如紅外線或x射線輻射之非可見光輻射的第二類型之度量衡能夠偵測及量測諸如度量衡標記120之經遮蔽標記。穿透物件(例如介入材料層)之輻射在度量衡標記120之部位處相比於由鄰接及/或環繞度量衡標記120之材料進行的方式不同地被重導向。
參看圖4，展示用於偵測物件上之一或多個度量衡標記及其他特徵之度量衡標記模組200的示意圖。度量衡標記模組200包括固持框架204之環境罩殼202，框架204例如由度量衡基底208上之振動隔離系統206支撐。在一實施例中，框架204支撐第一度量衡感測器224及/或選用的第二度量 衡感測器226。在一實施例中，框架204支撐標記列印機228。然而，在一實施例中，標記列印機228被支撐於與框架204機械地隔離之單獨框架上。
物件210被支撐於框架204內之載物台212上。使用位置量測系統211來量測載物台212之位置(且因此，度量衡標記模組200之控制系統使用位置量測系統211之輸出來控制載物台212之位置)。在一實施例中，位置量測系統211具有複數個柵格板讀取器216，柵格板讀取器216經組態以與上方定位有載物台212之柵格板214合作而作為編碼器系統以判定框架204內之載物台212相對於柵格板214之位置。應瞭解，柵格板214可被提供至載物台且柵格板讀取器216可被提供至框架204。可使用不同位置量測系統211(例如干涉儀)。
載物台212包括一或多個載物台對準標記物218以使能夠判定載物台212相對於模組之一或多個部分之位置(例如載物台212相對於標記列印機228之位置)，及/或用作判定物件上之一或多個度量衡標記之位置所相對的參考。舉例而言，對準標記物218可用以判定第一度量衡感測器224與標記列印機228之間、第一度量衡感測器224與第二度量衡感測器226之間等等的位置偏移。
處置器220在載物台212上收納及置放物件210。位階感測器222量測第一度量衡感測器224、選用的第二度量衡感測器226及標記列印機228下方之物件210之高度及/或傾角。
在一實施例中，相比於降級度量衡標記被設計以供量測所針對之微影製造單元之度量衡工具(例如對準感測器AS)，第一度量衡感測器224經組態以更準確地偵測及量測降級度量衡標記。在一實施例中，第一度量衡 感測器224經組態為可易於替換(例如比第二度量衡感測器226更可易於替換)。此係使得可回應於度量衡標記之降級之性質(例如損壞程度、介入層之存在等等)而提供不同科技及/或能力之第一度量衡感測器224。舉例而言，可插入適當的第一度量衡感測器224，其相比於模組200中之第一度量衡感測器224對降級度量衡標記之元件具有較大敏感度。作為另一實例，第一度量衡感測器224可為使用如下所述之照明的度量衡感測器：該照明起源於物件(圖4中出於方便起見而未展示)下方、傳遞通過物件且由感測器224在相對於物件與該照明之原點相對的位置處偵測到。因此，在一實施例中，第一度量衡感測器224屬於第二類型之標記度量衡。在一實施例中，第一度量衡感測器224為紅外線偵測器、紫外線輻射偵測器及/或x射線偵測器。在一實施例中，第一度量衡感測器224為原子力顯微鏡或近場光學顯微鏡。在一實施例中，第一度量衡感測器224使用電子或其他粒子以量測度量衡標記。在一實施例中，度量衡標記模組200包含兩個或多於兩個第一度量衡感測器224，相比於降級度量衡標記被設計以供量測所針對之微影製造單元之度量衡工具(例如對準感測器AS)，每一第一度量衡感測器224經組態以更準確地量測降級度量衡標記，且在一實施例中，每一第一度量衡感測器224屬於一不同量測類型(例如一者為紅外線，而另一者為紫外線)。
標記列印機228經組態以在存在降級度量衡標記時在物件上產生替換度量衡標記。在一實施例中，產生替換度量衡標記涉及向物件表面(例如向物件上之材料層)添加材料。在一實施例中，將所添加材料添加於模組200中(例如由物件處置器220及/或標記列印機228)。在一實施例中，可在標記產生程序期間將用於產生替換度量衡標記之所添加材料添加至物件之 頂側、物件之底部或頂側及底側兩者。在一實施例中，將標記材料直接沈積至物件表面上。一些物件具有抗蝕劑層及/或抗反射塗層(anti-reflective coating；ARC)層，可將度量衡標記產生至該等層中或可使用沈積於該等層上之標記材料在該等層上產生度量衡標記。
在一實施例中，可藉由消去程序來形成替換度量衡標記。在一實施例中，消去程序可使用沈積(例如針對標記列印機228特殊地沈積)於物件上之標記材料來產生替換度量衡標記，或使用物件上之現有表面(例如抗蝕劑層)。在一實施例中，實例消去程序為光學程序，諸如將未曝光輻射敏感材料層曝光於輻射以便修改材料之部分之化學結構，該部分對應於替換度量衡標記之圖案。材料層之後續顯影程序會移除材料層之一個部分，且留下對應於物件上之替換度量衡標記的圖案。在一實施例中，消去程序為使用輻射來機械地移除材料以形成替換度量衡標記之剝蝕程序。
在一實施例中，可藉由加性程序來形成替換度量衡標記。在一實施例中，以替換度量衡標記之圖案的形式添加如上文所描述而添加至物件之標記材料。在一實施例中，加性程序使用噴墨型施配器來以替換度量衡標記圖案之形式施配所添加材料。
在一實施例中，可藉由塑形物件上之材料來形成替換度量衡標記。在一實施例中，使探針頭極近接於材料之表面以使用例如凡得瓦爾力(van der Waals force)來使表面變形，從而隨著探針頭橫越表面移動而在探針頭後方留下經物理修改之表面。在一實施例中，材料為抗蝕劑，例如經顯影抗蝕劑。
在一實施例中，藉由將模具按壓至物件上之材料之表面中，從而在自材料層之表面移除模具之後在材料中留下壓痕，來形成替換度量衡標 記。在一實施例中，材料為抗蝕劑，例如經顯影抗蝕劑。
在一實施例中，標記列印機228經組態以相對於例如降級度量衡標記及/或器件圖案特徵以已知偏移提供替換度量衡標記。在一實施例中，度量衡標記模組200之控制系統藉由例如以下操作來實現此情形：使用第一度量衡感測器224(其與位置量測系統211合作以判定降級度量衡標記在度量衡標記模組200之座標系統中之位置)來量測降級度量衡標記之部位。在一實施例中，度量衡標記模組200之控制系統藉由例如以下操作來實現此情形：使用第一度量衡感測器224(其與位置量測系統211合作以判定器件圖案特徵(例如關鍵器件圖案特徵，例如對器件之功能性重要及/或易遭受疊對不準確之缺陷的器件圖案特徵)在度量衡標記模組200之座標系統中之位置)來量測器件圖案特徵之部位。控制系統使用位置量測系統211來控制物件210相對於標記列印機228之位置，使得標記列印機228可以該偏移產生替換度量衡標記。
在一實施例中，選用的第二度量衡感測器226經組態以量測替換度量衡標記。在一實施例中，第二度量衡感測器226不同於第一度量衡感測器224。在一實施例中，第二度量衡感測器226為基於繞射之感測器。在一實施例中，第二度量衡感測器為類型與降級標記被設計以供量測所針對之微影製造單元之度量衡工具(例如對準感測器)相同或相似的感測器。因此，在一實施例中，第二度量衡感測器226屬於第一類型之標記度量衡。
在一實施例中，度量衡標記模組200可實現除了替換標記產生以外或替代替換標記產生之特徵。舉例而言，其可提供工具至工具對準/疊對匹配。亦即，在一實施例中，其可實現兩個或多於兩個微影裝置之間的疊對/對準匹配，此係由於度量衡標記模組200具有度量衡感測器。舉例而言， 其可量測一個微影裝置之疊對，且相似地量測來自另一微影裝置之疊對且判定偏移，使得兩個微影裝置可產生相當的疊對。在一實施例中，度量衡標記模組200可橫越基板產生疊對/對準指紋以實現匹配。
在一實施例中，度量衡標記模組200可實現微影製造單元中之另一度量衡系統(例如對準感測器AS)之校準。其可用以判定例如微影製造單元中之另一度量衡系統之程序變化敏感度。
在一實施例中，度量衡標記模組200可提供物件之背側度量衡，而不必翻轉物件，其中微影製造單元中之一或多個度量衡系統在不翻轉物件之情況下以其他方式不會提供物件之背側度量衡。
圖5A至圖5D示意性地描繪具有度量衡標記及替換度量衡標記之物件之實例的橫截面圖。
參看圖5A，具有具備度量衡標記304之層302之物件300(在一實施例中，層302為諸如矽晶圓之底層基板)具有形成於物件之層302中的替換度量衡標記306及/或具有形成於物件之層302上的替換度量衡標記308。在一實施例中，替換度量衡標記306為形成於層302之頂表面中的消去標記。在一實施例中，替換度量衡標記308為形成於層302之頂表面處的加性標記。
參看圖5B，在層312中具備度量衡標記314的具有層312之物件310(在一實施例中，層312為諸如矽晶圓之底層基板)被展示為具有形成於層312之頂表面上之塗佈層318中的替換度量衡標記316。在一實施例中，塗佈層318包含抗反射塗層(ARC)層及/或層312上之抗蝕劑層。可例如藉由消去程序或塑形程序來形成替換度量衡標記316。
參看圖5C，具有具備度量衡標記304之層322之物件320(在一實施例 中，層322為諸如矽晶圓之底層基板)具有形成於物件之頂層322上之塗佈層324中的替換度量衡標記326。塗佈層324及替換度量衡標記326係由第二塗佈層328覆蓋。在一實施例中，塗佈層324為ARC，且第二塗佈層326為用於收納用於器件之層之圖案的抗蝕劑層。
參看圖5D，具有具備塗佈層334及335之層332之物件330(在一實施例中，層332為諸如矽晶圓之底層基板)具有位於物件330之背側340上之背側塗佈層338中的替換度量衡標記336。如同替換度量衡標記306、316及326，替換度量衡標記336可以加性方式、以消去方式或藉由重新塑形物件上之材料塗佈層而形成。
圖6為根據一實施例之圖案化物件之方法的流程圖。方法400包括操作402，其中運用檢測裝置來檢測度量衡標記。在一實施例中，使用第二類型之標記度量衡(例如使用第一度量衡感測器224)來量測度量衡標記，如上文所論述。根據一些實施例，第二類型之標記度量衡包括紅外線成像、可見光成像、紫外線輻射成像或x射線成像。在一實施例中，第二類型之標記度量衡包括一種形式之顯微法，諸如原子力顯微法或近場顯微法。在一實施例中，第二類型之標記度量衡包括基於粒子之偵測系統。在一實施例中，可使用例如第一度量衡感測器224、攝影機等等來記錄度量衡標記之影像。
方法400視情況包括操作404，其中判定物件上之一或多個度量衡標記是否降級。在一實施例中，可藉由評估線筆直度、度量衡標記之形狀及/或度量衡標記之特徵在度量衡標記之經量測影像中是否遺漏來達成度量衡標記是否降級之判定。在一實施例中，藉由分析第一度量衡感測器224之量測結果，例如判定如由第一度量衡感測器224運用度量衡標記之預期 部位所量測之相對部位，可進行度量衡標記是否降級之判定。在一實施例中，判定為使用處理演算法以偵測與標記品質相關之因素的完全自動化程序，及/或為涉及人類互動以確認度量衡標記之品質的處理。在執行操作404之後，接下來對具有降級度量衡標記之物件執行操作406，而接下來對具有被判定為未降級之度量衡標記之物件執行操作418。度量衡標記可被視為降級，且可對物件上之度量衡標記中之一或多者執行操作406及後續操作。
在操作406處，使物件經受使用第二類型之標記度量衡(其不同於微影製造單元中用以量測降級度量衡標記之標記度量衡類型)的物件標記偵測程序。應瞭解，根據與此等裝置或模組在製造環境中之使用相關的參數而選擇用於微影製造單元中或用於單獨度量衡標記模組200中之標記度量衡類型。與選擇模組中之一個標記度量衡相關的因素包括時間約束、標記偵測準確性及/或再現性、度量衡裝置之維護及校準等等。用於微影製造單元中之標記度量衡相比於用於諸如度量衡標記模組200之單機度量衡標記模組中的第二類型之度量衡將傾向於具有較短的量測及/或分析時間。用於諸如度量衡標記模組200之單機度量衡標記模組中的第二類型之標記度量衡相比於用於降級度量衡標記被設計且通常被量測所針對之微影製造單元中的度量衡具有較簡單的維護要求及/或可被更易於替換(較少的工作時間，以及維護之後較快的穩定時間)。
在一實施例中，在與降級對準標記被設計所針對之微影製造單元之量測系統分離的裝置(或裝置之部分)中執行操作406。因此，在一實施例中，在諸如以單機格式提供之度量衡標記模組200的單機度量衡標記模組中執行操作406。在一實施例中，在諸如作為塗佈顯影系統之部分之度量 衡標記模組200的塗佈顯影系統內度量衡標記模組中執行操作406。在一實施例中，在微影裝置之部分中執行操作406，該微影裝置與該微影裝置中降級度量衡標記被設計以供一起使用所針對之量測裝置分離，諸如作為與對準感測器AS分離之微影裝置之部分的度量衡標記模組200。
除了與第二類型之標記度量衡相容的感測器以外，度量衡標記模組可經組態以亦具有適合於其他類型之度量衡的一或多個感測器。在一實施例中，度量衡標記模組可經組態以具有多個站，其中在一個站中進行度量衡且在另一站處進行標記修復/替換，以補償模組中之較慢類型之標記度量衡及/或多個不同第二類型之標記度量衡之使用。
在一實施例中，物件標記偵測程序包括使用第二類型之標記度量衡來定位降級度量衡標記，及量測降級度量衡標記。在一實施例中，物件標記偵測程序可使用來自操作402之量測結果，其中操作402涉及使用第二類型之標記度量衡。在一實施例中，物件標記偵測程序可使用諸如第一度量衡感測器224的使用第二類型之標記度量衡之度量衡系統來進行量測。
在操作408處，在偵測到降級度量衡標記之後，在物件之表面上產生替換度量衡標記(例如增強型度量衡標記或新度量衡標記)。在一實施例中，在度量衡標記部位處以與降級度量衡標記之部位相隔的某一偏移距離產生替換度量衡標記。應瞭解，以與降級度量衡標記之部位相隔的距離產生替換度量衡標記會避免混淆替換度量衡標記之特徵與來自降級度量衡標記之標記特徵。在一實施例中，以與例如降級度量衡標記及/或與器件圖案特徵相隔的已知偏移產生替換度量衡標記。此可例如藉由以下操作而完成：以與第一度量衡感測器224相隔的已知偏移而使用第一度量衡感測器224且接著使用標記列印機228以提供替換度量衡標記來對準降級度量衡 標記。此可例如藉由以下操作而完成：以與第一度量衡感測器224相隔的已知偏移而使用第一度量衡感測器224且接著使用標記列印機228以提供替換度量衡標記來量測器件圖案特徵(例如關鍵器件圖案特徵)之位置。或，在一實施例中，可使用第一度量衡感測器224來判定降級度量衡標記及/或器件圖案特徵之位置，且接著可進行物件與標記列印機228之間的相對位移，以便由標記列印機228以某一已知偏移提供替換度量衡標記。在一實施例中，替換度量衡標記位於降級度量衡標記之部位正上方(且因此，相對於降級度量衡標記為零偏移，但與器件圖案特徵相隔某一偏移)。
在一實施例中，若降級對準標記展現再現性，但展現不充足的準確性，則可能不會產生替換度量衡標記。在彼狀況下，可在操作408處產生校正性資料記錄以使能夠使用微影製造單元中之第一類型之度量衡系統進行較佳量測。舉例而言，資料記錄可具有關於位置誤差(例如使用以下各者所判定：堆疊度量衡、降級度量衡標記相對於器件圖案特徵之位置誤差(其可例如藉由比較由第二類型之標記度量衡量測之降級度量衡標記相對於器件圖案的位置與降級標記相對於器件圖案之已知位置而判定)等等)之資料、標記結構不對稱性、關於待用於量測降級度量衡標記之量測光束波長之資訊、關於用於量測降級度量衡標記之量測光束數值孔徑或量測光束照明輻射空間或角分佈之資訊等等。
在選用的操作410處，使用第一類型之度量衡(參見例如圖4之度量衡標記模組200中的第二度量衡感測器226)在度量衡標記模組中量測替換度量衡標記，如上文所描述。在一實施例中，第一類型之度量衡可用以有助於確保替換度量衡標記可由與降級度量衡標記被設計所針對之微影製造單 元中之度量衡工具(例如對準感測器)相同或相似的度量衡系統讀取。在一實施例中，第一類型之度量衡可用以判定替換度量衡標記之部位且例如判定替換度量衡標記與降級度量衡標記/器件圖案特徵之間的偏移。此可藉由例如判定具有第一類型之度量衡之替換度量衡標記相對於參考(諸如對準標記物218、器件圖案特徵等等)的部位而進行，其中第二類型之度量衡判定降級度量衡標記相對於同一參考(或相對於第二類型之度量衡之參考具有已知位置之另一參考)的部位。
方法400可視情況包括操作412，其中基於替換度量衡標記之實際量測部位(例如在操作410中所判定)而判定校正性偏移，其可與替換度量衡標記之已知偏移(例如來自操作408)組合。因此，偏移之改良型判定會准許基於微影裝置中之替換度量衡標記而改良物件之對準。
方法400亦可視情況包括由度量衡標記模組產生包括替換度量衡標記之部位及/或替換度量衡標記之偏移(其可包括例如已知偏移、已知偏移與校正性偏移之組合、經量測偏移等等)的資料記錄。視情況，資料記錄可包括物件之識別符及/或度量衡標記之部位。在一實施例中，可將參考碼列印(例如由標記列印機228)於物件上，參考碼可包括資料記錄資料及/或提供參考以定位及/或存取資料記錄資料。參考碼可由微影製造單元中之讀取器器件讀取。在一實施例中，參考碼包含條碼。方法400亦可視情況包含操作416，其中在將圖案轉印至微影裝置中之物件之前，將資料記錄自度量衡標記模組傳輸至微影裝置且儲存於微影裝置中。微影裝置使用資料記錄之資料以使用替換度量衡標記來控制其操作。
方法400進一步包括操作418，其中使用替換度量衡標記在微影裝置中量測(例如對準)物件。方法400進一步包含操作420，其中由圖案化器件 基於使用替換度量衡標記在微影裝置中進行之量測而將圖案轉印至位於圖案化器件上之物件(或，抗蝕劑膜)。
在一實施例中，提供一種方法，其包含：在一器件圖案化程序之一第一器件微影步驟之後，量測一物件上之一降級度量衡標記及/或與該降級度量衡標記相關聯之一器件圖案特徵，該降級度量衡標記係至少部分地起因於該物件上之該第一器件微影步驟；及在該物件上之該器件圖案化程序之一第二器件微影步驟之前，在該物件上產生一替換度量衡標記，以代替該降級度量衡標記而用於該圖案化程序中。
在一實施例中，該方法進一步包含在該第二器件微影步驟之前使用一度量衡步驟來量測該物件上之該替換度量衡標記。在一實施例中，該方法包含量測該降級度量衡標記，且量測該降級度量衡標記包含藉由一第一類型之度量衡來量測該降級度量衡標記，且其中量測該替換度量衡標記包含藉由不同於該第一類型之度量衡的一第二類型之度量衡來量測該替換度量衡標記。在一實施例中，該方法包含量測該降級度量衡標記，且量測該降級度量衡標記包含藉由一第一類型之度量衡來量測該降級度量衡標記，且其中該第二器件微影步驟使用不同於該第一類型之度量衡的一第二類型之度量衡以量測該替換度量衡標記。在一實施例中，該等第一及第二類型之度量衡為第一及第二類型之對準度量衡。在一實施例中，該第一類型之度量衡包含用以判定歸因於該降級度量衡標記上或該降級度量衡標記之一或多個層的該降級度量衡標記之一位置誤差的一堆疊度量衡。在一實施例中，產生該替換度量衡標記包含以一距離偏移產生該替換度量衡標記。在一實施例中，該方法進一步包含產生在量測該替換標記時用於該圖案化程序中之一資料記錄，該資料記錄具有該物件之一識別符及該替換度量衡標 記之該距離偏移。在一實施例中，該方法包含量測該降級度量衡標記相對於一器件圖案特徵之一位置，且其中該距離偏移包含該替換度量衡標記相對於該器件圖案特徵之一距離偏移。在一實施例中，產生該替換度量衡標記包括對該物件執行一光學程序及/或一物理程序。在一實施例中，產生該替換度量衡標記包括在該物件之與產生該降級度量衡標記之側是同一個的一側上產生該替換度量衡標記。在一實施例中，產生該替換度量衡標記包括在該物件之與產生該降級度量衡標記之側不同的一側上產生該替換度量衡標記。在一實施例中，產生該替換度量衡標記包含將一標記材料添加至該物件之一表面。在一實施例中，產生該替換度量衡標記包含移除該物件上之物件材料及/或一抗蝕劑層之一部分。在一實施例中，該降級度量衡標記及該替換度量衡標記為對準標記。在一實施例中，該方法進一步包含：作為該第二器件微影步驟之部分，量測該物件之該替換度量衡標記；及基於該替換度量衡標記之該量測而將一圖案轉印至該物件。在一實施例中，將該圖案轉印至該物件包括執行一光微影程序。在一實施例中，該物件為一半導體基板。
在一實施例中，提供一種裝置，其包含：一度量衡感測器，其經組態以在一器件圖案化程序之一第一器件微影步驟之後量測一物件上之一降級度量衡標記及/或量測與該降級度量衡標記相關聯之一器件圖案特徵，該降級度量衡標記係至少部分地起因於該物件上之該第一器件微影步驟；及一標記施加器件，其經組態以在該器件圖案化程序之任何後續器件微影步驟之前在該物件上產生一替換度量衡標記，其中該替換標記代替該降級度量衡標記而用於該圖案化程序中。
在一實施例中，該標記施加器件經組態以施加該替換標記而不施加 一器件圖案。在一實施例中，該度量衡感測器為經組態以判定該降級度量衡標記之一位置的一對準感測器。在一實施例中，該裝置包含經組態以根據一第二類型之標記度量衡而量測該替換度量衡標記的一另外度量衡感測器，該第二類型之標記度量衡不同於由該度量衡感測器使用以量測該降級度量衡標記的一第一類型之標記度量衡。
在一實施例中，提供一種裝置，其包含：一第一度量衡感測器，其經組態以根據一第一類型之標記度量衡而量測該物件上之一降級度量衡標記；一標記施加器件，其經組態以基於該降級標記之該量測而在該物件上施加一替換度量衡標記；及一第二度量衡感測器，其經組態以根據不同於該第一類型之標記度量衡的一第二類型之標記度量衡而量測該替換度量衡標記。
在一實施例中，該第一度量衡感測器經組態以在該物件上之一器件圖案化程序之一第一器件微影步驟之後量測該降級度量衡標記，且該標記施加器件經組態以在該物件上之該器件圖案化程序之一第二器件微影步驟之前施加替換度量衡標記。在一實施例中，該第一類型之標記度量衡係基於紅外線輻射、可見光、紫外線輻射及/或x射線輻射。在一實施例中，該第一類型之標記度量衡包含掃描電子顯微法、穿隧電子顯微法、原子力顯微法、共焦顯微法及/或近場光學顯微法。在一實施例中，該等第一及第二類型之度量衡為第一及第二類型之對準度量衡。在一實施例中，該標記施加器件經組態以藉由該物件上之一加性程序、藉由移除該物件上之物件材料及/或一抗蝕劑層之一部分、藉由光學上變換該物件上之材料及/或藉由壓印該物件上之材料來產生該替換標記。在一實施例中，該標記施加器件經組態以與該降級度量衡標記相隔一距離偏移產生該替換標記。在一實 施例中，該裝置進一步包含一電腦系統，該電腦系統經組態以產生在量測該替換標記時用於該圖案化程序中之一資料記錄，該資料記錄具有該物件之一識別符及該替換度量衡標記之該距離偏移。在一實施例中，該標記施加器件經組態以在該物件之與產生該降級度量衡標記之側是同一個的一側上產生該替換度量衡標記。在一實施例中，該標記施加器件經組態以在該物件之與產生該降級度量衡標記之側不同的一側上產生該替換度量衡標記。在一實施例中，該降級度量衡標記及該替換度量衡標記為對準標記。在一實施例中，該裝置進一步包含一微影裝置，該微影裝置經組態以進行以下操作：作為該圖案化程序之一微影步驟之部分，量測該物件之該替換度量衡標記；及基於該替換度量衡標記之該量測而將一圖案轉印至該物件。在一實施例中，該物件為一半導體基板。
一般熟習此項技術者應瞭解，本申請案可被體現為系統、方法或電腦程式產品。因此，本申請案之態樣可採取完全硬體實施例、完全軟體實施例(包括韌體、常駐軟體、微碼等等)或組合軟體態樣與硬體態樣之實施例的形式，該等實施例在本文中一般皆可被稱作「電路」、「模組」或「系統」。此外，本申請案之態樣可採取體現於任何一或多個電腦可讀媒體中之電腦程式產品的形式，該一或多個電腦可讀媒體具有體現於其上之電腦可用程式碼。
可利用一或多個電腦可讀媒體之任何組合。電腦可讀媒體可為電腦可讀信號媒體或電腦可讀儲存媒體。電腦可讀儲存媒體可為例如但不限於電子、磁性、光學、電磁、紅外線或半導體系統、裝置、器件，或前述各者之任何適合組合。電腦可讀媒體之更特定實例(非詳盡清單)將包括以下各者：具有一或多個電線之電連接件、攜帶型電腦磁片、硬碟、隨機存取 記憶體(random access memory；RAM)、唯讀記憶體(read-only memory；ROM)、可抹除可程式化唯讀記憶體(例如EPROM或快閃記憶體)、光纖、攜帶型緊密光碟唯讀記憶體CDROM、光學儲存器件、磁性儲存器件，或前述各者之任何適合組合。在本文件之內容背景中，電腦可讀儲存媒體可為可含有或儲存用於由指令執行系統、裝置或器件使用或結合指令執行系統、裝置或器件而使用之程式的任何有形媒體。
電腦可讀信號媒體可包括傳播資料信號，傳播資料信號中體現有電腦可讀程式碼，例如在基頻中或作為載波之部分。此傳播信號可採取多種形式中之任一者，包括但不限於電磁性、光學或其任何適合組合。電腦可讀信號媒體可為並非電腦可讀儲存媒體且可傳達、傳播或輸送用於由指令執行系統、裝置或器件使用或結合指令執行系統、裝置或器件而使用之程式的任何電腦可讀媒體。
體現於電腦可讀媒體上之電腦程式碼可使用任何適當媒體予以傳輸，該媒體包括但不限於無線、有線、光纖纜線、射頻RF等等，或其任何適合組合。
用於實行本申請案之態樣之操作的電腦程式碼可以一或多種程式設計語言之任何組合予以撰寫，該一或多種程式設計語言包括諸如JavaTM、SmalltalkTM、C++或其類似者之物件導向式程式設計語言，及諸如「C」程式設計語言或相似程式設計語言之習知程序性程式設計語言。程式碼可完全地在使用者電腦上執行、部分地在使用者電腦上執行、作為單機套裝軟體而執行、部分地在使用者電腦上且部分地在遠端電腦上執行，或完全地在遠端電腦或伺服器上執行。在後一情境中，遠端電腦可經由任何類型之網路而連接至使用者電腦，該網路包括區域網路LAN或廣域網路 WAN，或可對外部電腦進行連接(例如經由使用網際網路服務提供者之網際網路)。
電腦程式指令亦可載入至電腦、其他可程式化資料處理裝置或其他器件上，以致使在電腦、其他可程式化裝置或其他器件上執行一系列操作步驟以產生電腦實施程序，使得在電腦或其他可程式化裝置上執行之指令提供用於實施本文中所指定之功能/動作中之一或多者的程序。
如上文所提及，應瞭解，說明性實施例可採取完全硬體實施例、完全軟體實施例或含有硬體元件及軟體元件兩者之實施例的形式。在一項實例實施例中，說明性實施例之機構可以軟體或程式碼予以實施，該軟體或程式碼包括但不限於韌體、常駐軟體、微碼等等。
適合於儲存及/或執行程式碼之資料處理系統將包括經由系統匯流排直接或間接耦接至記憶體元件之至少一個處理器。記憶體元件可包括在實際上執行程式碼期間使用之本端記憶體、大容量儲存體，及快取記憶體，該等快取記憶體提供至少某一程式碼之暫時儲存，以便縮減在執行期間必須自大容量儲存體擷取程式碼之次數。
輸入/輸出或I/O器件(包括但不限於鍵盤、顯示器、指標器件等等)可直接或經由介入I/O控制器耦接至系統。網路配接器亦可耦接至系統以使資料處理系統能夠變得經由介入私用或公用網路耦接至其他資料處理系統或遠端印表機或儲存器件。數據機、纜線數據機及乙太網路卡僅僅為少數當前可用類型之網路配接器。
圖7展示說明可輔助實施本文中所揭示之方法及流程中之任一者的電腦系統1700之實施例的方塊圖。電腦系統1700包括用於傳達資訊之匯流排1702或其他通信機構，及與匯流排1702耦接以用於處理資訊之處理器 1704(或多個處理器1704及1705)。電腦系統1700亦包括耦接至匯流排1702以用於儲存待由處理器1704執行之資訊及指令的主記憶體1706，諸如隨機存取記憶體RAM或其他動態儲存器件。主記憶體1806亦可用於在執行待由處理器1704執行之指令期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統1700進一步包括耦接至匯流排1702以用於儲存用於處理器1704之靜態資訊及指令的唯讀記憶體ROM1708或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件1710，且將儲存器件1710耦接至匯流排1702以用於儲存資訊及指令。
電腦系統1700可經由匯流排1702耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器1712，諸如陰極射線管(cathode ray tube；CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字及其他按鍵之輸入器件1714耦接至匯流排1702以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器1704。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器1704且用於控制顯示器1712上之游標移動的游標控制件1716，諸如滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入器件通常在以下兩個軸線上具有允許該器件在平面中指定位置之兩個自由度：第一軸線(例如x)及第二軸線(例如y)。觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作輸入器件。
根據一項實施例，可由電腦系統1700回應於處理器1704執行主記憶體1706中所含有之一或多個指令之一或多個序列而執行本文中所描述之程序之部分。可將此等指令自諸如儲存器件1710之另一電腦可讀媒體讀取至主記憶體1706中。主記憶體1706中所含有之指令序列之執行致使處理器1704執行本文中所描述之程序步驟。亦可使用呈多處理配置之一或多個處理器以執行主記憶體1706中所含有之指令序列。在一替代實施例 中，可代替或結合軟體指令來使用硬佈線電路系統。因此，本文中之描述並不限於硬體電路系統與軟體之任何特定組合。
如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器1704以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例如光碟或磁碟，諸如儲存器件1710。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體1706。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，包括包含匯流排1702之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如在射頻(radio frequency；RF)及紅外線(infrared；IR)資料通信期間產生之聲波或光波。常見形式之電腦可讀媒體包括例如軟性磁碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文中所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。
各種形式之電腦可讀媒體可涉及將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器1704以供執行。舉例而言，最初可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統1700本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器以將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排1702之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排1702上。匯流排1702將資料攜載至主記憶體1706，處理器1704自主記憶體1706擷取及執行指令。由主記憶體1706接收之指令可視情況在供處理器1704執行之前或之後儲存於儲存器件1710上。
電腦系統1700亦可包括耦接至匯流排1702之通信介面1718。通信介面1718提供對網路鏈路1720之雙向資料通信耦接，網路鏈路1720連接至區域網路1722。舉例而言，通信介面1718可為整合式服務數位網路ISDN卡或數據機以提供對對應類型之電話線的資料通信連接。作為另一實例，通信介面1718可為區域網路LAN卡以提供對相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施方案中，通信介面1718發送及接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光學信號。
網路鏈路1720通常經由一或多個網路將資料通信提供至其他資料器件。舉例而言，網路鏈路1720可經由區域網路1722提供至主機電腦1724之連接或至由網際網路服務提供者ISP 1726操作之資料設備之連接。ISP 1726又經由現在通常被稱作「網際網路」1728之全球封包資料通信網路來提供資料通信服務。區域網路1722及網際網路1728兩者使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路1720上且經由通信介面1718之信號為輸送資訊的例示性形式之載波，該等信號將數位資料攜載至電腦系統1700及自電腦系統1700攜載數位資料。
電腦系統1700可經由網路、網路鏈路1720及通信介面1718發送訊息且接收資料，包括程式碼。在網際網路實例中，伺服器1730可經由網際網路1728、ISP 1726、區域網路1722及通信介面1718傳輸用於應用程式之經請求程式碼。舉例而言，一種此類經下載應用程式可提供如本文中所描述之方法或其部分。經接收程式碼可在其被接收時由處理器1704執行，及/或儲存於儲存器件1710或其他非揮發性儲存體中以供稍後執行。 以此方式，電腦系統1700可獲得呈載波形式之應用程式碼。
儘管在本文中可特定地參考IC製造，但應明確地理解，本文中之描述具有許多其他可能的應用。舉例而言，其可用來製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，在本文中對術語「倍縮光罩」/「光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被視為分別可與更一般的術語「圖案化器件」、「基板」及「目標部分」互換。
在本文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如具有365、248、193、157或126nm之波長)及極紫外光輻射(extreme ultra-violet radiation；EUV，例如具有在約5至100nm之範圍內的波長)。
雖然本文中所揭示之概念可與用於在諸如矽晶圓之基板上成像之系統及方法一起使用，但應理解，所揭示之概念可與任何類型之微影系統一起使用，例如用於在除了矽晶圓以外之基板上成像之微影系統。
在方塊圖中，所說明之組件被描繪為離散功能區塊，但實施例並不限於本文中所描述之功能性如所說明而被組織的系統。由組件中之每一者提供之功能性可由軟體或硬體模組提供，該等模組係以與目前所描繪之方式不同的方式組織，舉例而言，可摻和、結合、複寫、解散、分配(例如在資料中心內或按地區)或以其他方式不同地組織此軟體或硬體。本文中所描述之功能性可由執行儲存於有形的非暫時性機器可讀媒體上之程式碼的一或多個電腦之一或多個處理器提供。在一些狀況下，第三方內容遞送網路可主控經由網路傳達之資訊中之一些或全部，在此狀況下，在資訊(例如內容)據稱被供應或以另外方式提供之情況下，可藉由發送指令以自 內容遞送網路擷取彼資訊而提供該資訊。
除非另有特定陳述，否則自論述顯而易見，應瞭解，貫穿本說明書，利用諸如「處理」、「計算」、「演算」、「判定」或其類似者之術語的論述係指諸如特殊用途電腦或相似特殊用途電子處理/計算器件之特定裝置的動作或程序。
熟習此項技術者應瞭解，本申請案描述若干發明。申請人已將此等發明分組成單一文件，而非將彼等發明分離成多個隔離專利申請案，此係因為該等發明之相關主題可在應用程序中有助於經濟發展。但不應歸併此等發明之相異優點及態樣。在一些狀況下，實施例處理本文中所提及之所有不足，但應理解，該等發明係獨立地有用的，且一些實施例僅處理此等問題之子集或提供其他未提及之益處，該等益處對於檢閱本發明之熟習此項技術者而言將顯而易見。歸因於成本約束，目前可能不主張本文中所揭示之一些發明，且可在以後申請(諸如接續申請案或藉由修正本申請專利範圍)中主張該等發明。相似地，歸因於空間約束，本文件之發明摘要及發明內容章節皆不應被視為含有所有此等發明之全面清單或此等發明之所有態樣。
應理解，描述及圖式並不意欲將本發明限於所揭示之特定形式，而相反地，本發明應涵蓋屬於如由所附申請專利範圍所界定的本發明之精神及範疇的所有修改、等效者及替代方案。
鑒於此描述，本發明之各種態樣之修改及替代實施例對於熟習此項技術者而言將顯而易見。因此，此描述及圖式應被認作僅為說明性的且係出於教示熟習此項技術者實行本發明之一般方式的目的。應理解，本文中所展示及描述之本發明之形式應被視為實施例之實例。元件及材料可取代 本文中所說明及描述之元件及材料，可反轉或省略部分及程序，可獨立地利用某些特徵，且可組合實施例或實施例之特徵，此皆對於熟習此項技術者而言在獲得本發明之此描述之益處之後將顯而易見。可在不脫離如在以下申請專利範圍中所描述之本發明之精神及範疇的情況下對本文中所描述之元件作出改變。本文中所使用之標題係僅出於組織之目的，且並不意欲用以限制本說明書之範疇。
如貫穿本申請案所使用，在許可的意義(亦即，意謂有可能)而非強制性的意義(亦即，意謂必須)上使用詞語「可」。詞語「包括(include/including/includes)」及其類似者意謂包括但不限於。如貫穿本申請案所使用，單數形式「一(a/an)」及「該(the)」包括複數個指示物，除非內容另有明確指示。因此，舉例而言，對「一(an/a)」元件之參考包括兩個或多於兩個元件之組合，但會針對一或多個元件使用其他術語及短語，諸如「一或多個」。除非另有指示，否則術語「或」係非獨占式的，亦即，涵蓋「及」與「或」兩者。描述條件關係之術語，例如「回應於X，而Y」、「在X後，就Y」、「若X，則Y」、「當X時，Y」及其類似者，涵蓋因果關係，其中前提為必要的因果條件，前提為充分的因果條件，或前提為結果的貢獻因果條件，例如「在條件Y獲得後就發生狀態X」對於「僅僅在Y後就發生X」及「在Y及Z後就發生X」係通用的。此等條件關係並不限於即刻遵循前提獲得之結果，此係由於可延遲一些結果，且在條件陳述中，前提連接至其結果，例如，前提與發生結果之可能性相關。除非另有指示，否則複數個屬性或功能經映射至複數個物件(例如執行步驟A、B、C及D之一或多個處理器)之陳述涵蓋所有此等屬性或功能經映射至所有此等物件及屬性或功能之子集經映射至屬性或功能之子 集兩者(例如所有處理器各自執行步驟A至D，及處理器1執行步驟A、處理器2執行步驟B及步驟C之部分且處理器3執行步驟C之部分及步驟D之狀況)。另外，除非另有指示，否則一個值或動作係「基於」另一條件或值之陳述涵蓋條件或值為單獨因數之例子及條件或值為複數個因數當中之一個因數之例子兩者。除非另有指示，否則某一集合之「每一」例子具有某一屬性之陳述不應被理解為排除較大集合之一些以其他方式相同或相似的成員不具有該屬性，即，每一未必意謂每一個。
在某些美國專利、美國專利申請案或其他材料(例如論文)已以引用之方式併入的程度上，此等美國專利、美國專利申請案及其他材料之文字僅在此材料與本文中所闡述之陳述及圖式之間不存在衝突的程度上併入。在存在此類衝突之情況下，在此等以引用之方式併入的美國專利、美國專利申請案及其他材料中之任何此類衝突並不特定地以引用之方式併入本文中。
已出於說明及描述之目的而呈現本申請案之描述，且該描述並不意欲為詳盡的或以所揭示形式限制本發明。對於一般熟習此項技術者而言，許多修改及變化將係顯而易見的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述而進行修改。

Claims (26)

  1. 一種度量衡方法，其包含：在一器件圖案化程序之一第一器件微影步驟之後，量測一物件上之一降級(degraded)度量衡標記及/或與該降級度量衡標記相關聯之一器件圖案特徵，該降級度量衡標記係至少部分地起因於該物件上之該第一器件微影步驟；及在該物件上之該器件圖案化程序之一第二器件微影步驟之前，在該物件上產生一替換度量衡標記，以代替該降級度量衡標記而用於該圖案化程序中。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包含在該第二器件微影步驟之前使用一度量衡步驟來量測該物件上之該替換度量衡標記。
  3. 如請求項2之方法，其包含量測該降級度量衡標記，且量測該降級度量衡標記包含藉由一第一類型之度量衡來量測該降級度量衡標記，且其中量測該替換度量衡標記包含藉由不同於該第一類型之度量衡的一第二類型之度量衡來量測該替換度量衡標記。
  4. 如請求項1至3中任一項之方法，其包含量測該降級度量衡標記，且量測該降級度量衡標記包含藉由一第一類型之度量衡來量測該降級度量衡標記，且其中該第二器件微影步驟使用不同於該第一類型之度量衡的一第二類型之度量衡以量測該替換度量衡標記。
  5. 如請求項3之方法，其中該等第一及第二類型之度量衡為第一及第二類型之對準度量衡。
  6. 如請求項3之方法，其中該第一類型之度量衡包含用以判定歸因於該降級度量衡標記上或該降級度量衡標記之一或多個層的該降級度量衡標記之一位置誤差的一堆疊度量衡。
  7. 如請求項1至3中任一項之方法，其中產生該替換度量衡標記包含：以一距離偏移產生該替換度量衡標記。
  8. 如請求項7之方法，其進一步包含產生在量測該替換標記時用於該圖案化程序中之一資料記錄，該資料記錄具有該物件之一識別符及該替換度量衡標記之該距離偏移。
  9. 如請求項7之方法，其包含量測該降級度量衡標記相對於一器件圖案特徵之一位置，且其中該距離偏移包含該替換度量衡標記相對於該器件圖案特徵之一距離偏移。
  10. 如請求項1至3中任一項之方法，其中產生該替換度量衡標記包括：對該物件執行一光學程序及/或一物理程序。
  11. 如請求項1至3中任一項之方法，其中產生該替換度量衡標記包含：將一標記材料添加至該物件之一表面。
  12. 如請求項1至3中任一項之方法，其中產生該替換度量衡標記包含：移除該物件上之物件材料及/或一抗蝕劑層之一部分。
  13. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該降級度量衡標記及該替換度量衡標記為對準標記。
  14. 如請求項1至3中任一項之方法，其進一步包含：作為該第二器件微影步驟之部分，量測該物件之該替換度量衡標記；及基於該替換度量衡標記之該量測而將一圖案轉印至該物件。
  15. 一種度量衡裝置，其包含：一度量衡感測器(metrology sensor)，其經組態以在一器件圖案化程序之一第一器件微影步驟之後量測一物件上之一降級度量衡標記及/或量測與該降級度量衡標記相關聯之一器件圖案特徵，該降級度量衡標記係至少部分地起因於該物件上之該第一器件微影步驟；及一標記施加器件(mark application device)，其經組態以在該器件圖案化程序之任何後續器件微影步驟之前在該物件上產生一替換度量衡標記，其中該替換標記代替該降級度量衡標記而用於該圖案化程序中。
  16. 如請求項15之裝置，其中該標記施加器件經組態以施加該替換標記而不施加一器件圖案。
  17. 如請求項15或請求項16之裝置，其中該度量衡感測器為經組態以判定該降級度量衡標記之一位置的一對準感測器。
  18. 如請求項15或請求項16之裝置，其包含經組態以根據一第二類型之標記度量衡而量測該替換度量衡標記的一另外度量衡感測器，該第二類型之標記度量衡不同於由該度量衡感測器使用以量測該降級度量衡標記的一第一類型之標記度量衡。
  19. 一種度量衡裝置，其包含：一第一度量衡感測器，其經組態以根據一第一類型之標記度量衡而量測該物件上之一降級度量衡標記；一標記施加器件，其經組態以基於該降級標記之該量測而在該物件上施加一替換度量衡標記；及一第二度量衡感測器，其經組態以根據不同於該第一類型之標記度量衡的一第二類型之標記度量衡而量測該替換度量衡標記。
  20. 如請求項19之裝置，其中該第一度量衡感測器經組態以在該物件上之一器件圖案化程序之一第一器件微影步驟之後量測該降級度量衡標記，且該標記施加器件經組態以在該物件上之該器件圖案化程序之一第二器件微影步驟之前施加替換度量衡標記。
  21. 如請求項19或請求項20之裝置，其中該第一類型之標記度量衡係基於紅外線輻射、可見光、紫外線輻射及/或x射線輻射。
  22. 如請求項19或請求項20之裝置，其中該第一類型之標記度量衡包含掃描電子顯微法、穿隧電子顯微法、原子力顯微法、共焦顯微法及/或近場光學顯微法。
  23. 如請求項19或請求項20之裝置，其中該標記施加器件經組態以藉由該物件上之一加性程序、藉由移除該物件上之物件材料及/或一抗蝕劑層之一部分、藉由光學上變換該物件上之材料及/或藉由壓印該物件上之材料來產生該替換標記。
  24. 如請求項19或請求項20之裝置，其中該標記施加器件經組態以與該降級度量衡標記相隔一距離偏移產生該替換標記。
  25. 如請求項24之裝置，其進一步包含一電腦系統，該電腦系統經組態以產生在量測該替換標記時用於該圖案化程序中之一資料記錄，該資料記錄具有該物件之一識別符及該替換度量衡標記之該距離偏移。
  26. 如請求項19或請求項20之裝置，其進一步包含一微影裝置，該微影裝置經組態以進行以下操作：作為該圖案化程序之一微影步驟之部分，量測該物件之該替換度量衡標記；及基於該替換度量衡標記之該量測而將一圖案轉印至該物件。
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