TWI720439B - 用於加速一製造製程模型之校準的方法、電腦程式產品及系統 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種用於加速一製造製程模型之校準的方法，該方法包含執行以下操作之一或多次反覆：定義一或多個製造製程模型項；接收與該一或多個製造製程模型項相關的預定資訊；基於該預定資訊產生一製造製程模型，該製造製程模型經組態以產生與一度量衡量規相關的一或多個預測；判定與一量規之一尺寸相關的一預測是否在如在一製造製程後晶圓上量測的該量規之一預定臨限值內；及回應於該預測不突破該預定臨限值，最佳化該一或多個製造製程項以使得與該量規之該尺寸相關的該預測係在如在該製造製程後晶圓上量測的該量規之該預定臨限值內。

Description

用於加速一製造製程模型之校準的方法、電腦程式產品及系統
本發明係關於一種用於加速抗蝕及蝕刻模型校準之即時調整方法。
微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在此情況下，光罩可含有對應於IC之個別層的電路圖案，且此圖案可成像至已塗佈有一層輻射敏感材料(抗蝕劑)的基板(矽晶圓)上之目標部分(例如包含一或多個晶粒)上。一般而言，單一晶圓將含有經由投影系統一次一個經順次地輻照之鄰近目標部分的整個網路。
在使用微影投影裝置之製造製程中，光罩圖案經成像至至少部分由一層輻射敏感材料(抗蝕)覆蓋的基板上。在此成像步驟之前，基板可經歷各種工序，諸如上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，可使基板經歷其他工序，諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤，及經成像特徵之量測/檢測。此工序陣列係用作圖案化一器件(例如IC)之個別層的基礎。此經圖案化層可接著經歷各種製程，諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等，所有製程皆意欲精整個別層。若需要若干層，則將必須針對每一新層重複整個工序或其變體。最終，器件陣列將 存在於基板(晶圓)上。接著藉由諸如切塊或鋸切之技術來使此等器件彼此分離，據此，可將個別器件安裝於載體上、連接至銷釘等。
隨著半導體製造製程繼續進步，幾十年來，電路元件之尺寸已不斷地縮減，同時每器件之諸如電晶體之功能元件的量已穩定地增加，其遵循通常被稱作「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。為了確保根據給定目標電路設計之需求在半導體基板上產生特徵，鄰近度效應需要利用複雜數字模型來預測，且校正或預先失真需要在高端器件之成功製造變得可能之前應用於光罩的設計。在典型高端設計中幾乎每一特徵邊緣需要某一修改以便達成充分接近目標設計之經印刷圖案。此等修改可包括邊緣位置或線寬之移位或偏置以及「次解析度輔助」特徵之應用，該等「次解析度輔助」特徵並不意欲印刷自身，但將影響相關聯初級特徵之特性。
在一晶片設計中通常存在數百萬個特徵的情況下，將以模型為基礎之OPC應用於目標設計需要良好的製程模型及相當大的運算資源。OPC基本上為一非常大的最佳化問題。在一般情況下，不存在對於此問題的閉式解，且OPC供應商使用不會始終解決佈局上之全部可能弱點的估算反覆製程。
OPC需要精確描述微影製程之穩固模型。因此需要用於此等微影模型之校準工序，其提供有效、穩固且精確的模型。當前，使用具有晶圓量測之某一數目個1維及/或2維量規圖案進行校準。更特定言之，彼等1維量規圖案包括但不限於具有不同間距及CD之線空間圖案、隔離線、多個線等，且2維量規圖案通常包括線末端、接觸點及隨機選擇的靜態隨機存取記憶體(SRAM)圖案。熟習此項技術者將理解本發明一般足以適應任何類型的圖案。此等圖案接著成像至晶圓上且所得晶圓CD及/或接 觸能量被量測。初始量規圖案及其晶圓量測接著聯合地用以判定最小化模型預測與晶圓量測之間的差的模型參數。
在當前實踐中，抗蝕模型校準任務包括抗蝕模板選擇及模型微調。抗蝕模板包括適用於特定圖案及製程的抗蝕項。歸因於大量參數空間之存在，模板選擇之持續時間可包括在識別最佳模板之前的延伸時間段。另外，模型調整可歸因於用於抗蝕項調整之反覆製程提供甚至更大時間負擔(例如一或多天)。此外，由於繁重運算負載，校準任務經包裹為個別工作並提交至伺服器叢集。抗蝕校準工作需要在產生抗蝕模型及檢查模型效能之前計算抗蝕項信號。信號計算可係耗時的。抗蝕信號計算之時間負擔隨量規數目線性地增加，且工作可彼此不共用信號。可能已在校準循環期間多次計算相同信號。另外，工作提交至伺服器可需要取決於網路通信之延伸時間段。此等缺點可引起抗蝕模板選擇中之長運行時間及抗蝕模型微調中之長轉回時間。因此，需要解決傳統方法之此等及其他不足。
本發明提供可關於上文所提及之問題外加其他的抗蝕及蝕刻模型校準領域之若干創新。在實施例中，如本文中所描述之方法可提供一種校準抗蝕及/或蝕刻模型之方式，其中抗蝕及/或蝕刻參數空間係在合理運行時間及記憶體空間中取樣。
儘管依據抗蝕模型論述，但各種實施例可發現應用於來自各種模型(包括蝕刻模型及/或其他模型)之參數。
本發明之實施例描述一種用於加速一製造製程模型之校準的方法，該方法包含執行以下操作之一或多次反覆直至由製造製程模型進行的與度量衡量規之尺寸相關的預測係在如在製造製程後晶圓上量測的度 量衡量規之預定臨限值內為止：定義一或多個製造製程模型項；接收與該一或多個製造製程模型項相關的預定資訊；基於該預定資訊產生該製造製程模型，該製造製程模型經組態以產生與該度量衡量規相關的一或多個預測；及判定與該度量衡量規之一尺寸相關的一預測是否在如在一製造製程後晶圓上量測的該量規之一預定臨限值內。
本發明之此等及其他目標、特徵及特性，以及結構之相關元件的操作及功能的方法及製造之部分及經濟之組合將參見隨附圖式在考慮以下實施方式且所附申請專利範圍後變得更顯而易見，實施方式、所附申請專利範圍及隨附圖式皆形成本說明書之部分，其中相似參考編號指定各種圖中之對應部件。然而，應清楚地理解，圖式係僅僅出於說明及描述之目的且並不意欲為本發明之限制的定義。
30:方法
32:操作
34:操作
36:操作
38:操作
400:電腦系統
402:匯流排
404:處理器
405:處理器
406:主記憶體
408:唯讀記憶體(ROM)
410:儲存器件
412:顯示器
414:輸入器件
416:游標控制件
418:通信介面
420:網路鏈路
422:區域網路
424:主機電腦
426:網際網路服務提供者(ISP)
428:網際網路
430:伺服器
AD:調整器
AS:對準感測器
B:輻射光束
BD:光束遞送系統
BK:烘烤板
C:目標部分
CH:冷卻板
CO:聚光器
IF:位置感測器
IL:照明器
IN:積光器
I/O1:輸入/輸出埠
I/O2:輸入/輸出埠
LA:微影裝置
LACU:微影控制單元
LB:裝載匣
LC:微影製造單元
LS:位階感測器
M1:光罩對準標記
M2:光罩對準標記
MA:圖案化器件
MT:圖案化器件支撐件/光罩台
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
PM:第一定位器
PS:投影系統
PW:第二定位器
RF:參考框架
RO:基板處置器/機器人
SC:旋塗器
SCS:監督控制系統
SO:輻射源
TCU:塗佈顯影系統控制單元
W:基板
WTa:基板台
WTb:基板台
圖1為根據一或多個實施例之例示性微影裝置的說明圖；圖2為根據一或多個實施例之例示性微影製造單元或叢集的說明圖圖3為說明根據一或多個實施例之加速抗蝕模型校準的實例方法之流程圖；且圖4為可供實施實施例之實例電腦系統的方塊圖。
在詳細地描述實施例之前，有指導性的是呈現可供實施實施例之實例環境。
圖1為根據一或多個實施例之例示性微影裝置的說明圖。該裝置可包括： -一照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，DUV輻射或EUV輻射)；-一支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件MA之第一定位器PM；-一基板台(例如晶圓台)WTa，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板W之第二定位器PW；及-一投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B的圖案投影至基板W之目標部分C(例如包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
在一個實施例中，圖案化器件支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。圖案化器件支撐結構可為(例如)框架或台，其可視需要而經固定或可移動。圖案化器件支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用與更一般術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指 可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括但不限於折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般之術語「投影系統」同義。
如本文所描繪，該裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，該裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上台(例如兩個或兩個以上基板台、兩個或兩個以上圖案化器件支撐結構，或基板台及度量衡台)。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於圖案轉印。
微影裝置亦可屬於其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如水)覆蓋以填充投影系統與基板之間的空間的類型。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL可自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或擴束器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。然而，在其他情況下，舉例而言，當源為汞燈時，源可為微影裝置之整體部件。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束，使得該光束可在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
在一個實施例中，輻射光束B入射於圖案化器件(例如，光罩)MA(其經固持於圖案化器件支撐件(例如光罩台MT)上)，且由圖案化器件圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩)MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如干涉量測器件、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，基板台WTa可例如經準確地移動以定位 輻射光束B之路徑中的不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及其他位置感測器(其並未明確地在圖1中描繪)可用以例如在自光罩庫機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐件(例如遮罩台)MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WTa之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，圖案化器件支撐件(例如光罩台)MT可僅僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。
可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在多於一個晶粒經提供於圖案化器件(例如，光罩)MA上的情形中，光罩對準標記可位於晶粒之間。小對準標記亦可包括於器件特徵當中之晶粒內，在此情況下，需要使標記儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何圖案化或其他製程條件。下文中進一步描述偵測對準標記之對準系統之例示性實施例。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
-在步進模式中，在將被賦予至輻射光束的整個圖案一次性(例如單次靜態曝光)經投影至目標部分C上時，圖案化器件支撐件(例如光罩台)MT及基板台WTa基本上保持靜止。可接著使基板台WTa在X方向及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像的目標部分C之大小。
-在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上(例如，單次動態曝光)時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT及基板台WTa。基板台WTa相對於圖案化器件支撐件(例如光罩台)MT之速度及方向可由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性判定。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
-在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WTa。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WTa之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
微影裝置LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個台WTa、WTb(例如兩個基板台)，以及兩個站(曝光站及量測站)，在該兩個站之間可交換該等台。舉例而言，在曝光站處曝光一個台上之基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面控制，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記之位置，該等感測器兩者係由參考框架RF支撐。若位置感測器IF在台處於量測站以及處於曝光站時不能夠量 測台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠在兩個站處追蹤台之位置。作為另一實例，在曝光站處曝光一個台上之基板時，不具有基板之另一台可在量測站處等待(其中視情況可發生量測活動)。此另一台具有一或多個量測器件且可視情況具有其他工具(例如清潔裝置)。當基板已完成曝光時，不具有基板之台移動至曝光站以執行例如量測，且具有基板之台移動至卸載該基板且裝載另一基板之部位(例如量測站)。此等多台配置實現裝置之產出率之相當大增加。
圖2為根據一或多個實施例之例示性微影製造單元或叢集的說明圖。如圖2中所展示，微影裝置LA可形成微影製造單元LC(有時亦被稱作微影製造單元或微影叢集)之部分，在一些實施例中，微影製造單元LC亦可包括用以對基板執行一或多個圖案轉印前製程及圖案轉印後製程之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經圖案化抗蝕劑之一或多個顯影器DE、一或多個冷卻板CH及一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO可自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板，且可在不同製程器件之間移動基板，且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU來控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。
為使能夠正確且一致地處理藉由圖案化製程處理(例如曝光)之基板，需要檢測經處理基板以量測一或多個特性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等。若偵測到誤差，則可例如依據 改變圖案化製程之設計或改變用於設計圖案化製程之工具、控制執行之圖案化製程等來對圖案化製程作出調整。
檢測裝置可用於此量測。檢測裝置用以判定基板之一或多個特性，且特定言之，不同基板或同一基板之不同層的一或多個特性在層與層之間及/或跨越基板及/或跨越不同基板(例如，在基板與基板之間)如何不同。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影製造單元LC中，或可為單機器件。
用以判定基板之一或多個特性之檢測裝置可採取各種不同形式。舉例而言，檢測裝置可使用光子電磁輻射以照明基板且偵測由基板重新導向之輻射；此等檢測裝置可被稱作亮場檢測裝置。亮場檢測裝置可使用具有在(例如)150奈米至900奈米之範圍內之波長的輻射。檢測裝置可以影像為基礎(亦即拍攝基板之影像)，及/或以繞射為基礎(亦即量測繞射輻射之強度)。檢測裝置可檢測產品特徵(例如使用基板形成的積體電路之特徵或光罩之特徵)及/或檢測特定量測目標(例如疊對目標、焦點/劑量目標、CD量規圖案等)。
常常運用以光學件為基礎之次解析度工具完成例如半導體晶圓之檢測(亮場檢測)。然而，在一些情況下，待量測之某些特徵過小而實際上不能使用亮場檢測來量測。舉例而言，半導體器件之特徵中之缺陷的亮場檢測可具有挑戰性。此外，隨著時間推移，使用圖案化製程製作之特徵(例如，使用微影製作之半導體特徵)變得愈來愈小，且在許多情況下，特徵之密度亦逐漸增加。因此，使用且需要更高解析度檢測技術。實例檢測技術為電子束檢測。電子束檢測涉及將電子束聚焦於待檢測之基板上之小光點上。影像係藉由以下操作而形成：遍及經檢測之基板之區域在 光束與基板之間提供相對移動(在下文中被稱作使電子束掃描)且運用電子偵測器收集二次及/或反向散射電子。接著處理該影像資料以(例如)識別缺陷。
在一些實施例中，抗蝕模型描述在抗蝕劑曝光、PEB及顯影期間發生的化學製程之效應，以便預測例如形成於基板晶圓上之抗蝕特徵的輪廓。模擬之目標應為準確地預測(例如)邊緣置放及CD，可接著比較該等邊緣置放及CD與目標設計。一般而言，光學模型與抗蝕模型之間的連接為抗蝕劑層內之模擬空間影像，其起因於光至基板上之投影、抗蝕劑界面處之折射及抗蝕劑膜堆疊中之多個反射。在抗蝕模型顯影/模擬期間，光強度分佈(空間影像)藉由模擬光子之吸收而變為經模擬潛在「抗蝕影像」，其藉由擴散處理及各種負載效應進一步修改。傳統上，抗蝕模型係藉由獲得實際空間影像及經由一或多個運算法及濾波器處理該空間影像以判定一或多個抗蝕項來判定及校準。舉例而言，高斯濾波器可應用於空間影像以獲得酸分佈(例如酸擴散)。此變換導致具有對應於抗蝕線及抗蝕溝槽之明亮及黑暗區段的影像。所得影像可被稱作描述抗蝕劑之一或多個物理及/或化學特性的抗蝕信號。作為實例，黑暗區段可指示抗蝕線且明亮區段可指示抗蝕溝槽。在一些實施例中，抗蝕模型預測抗蝕劑之哪些部分將被顯影且哪些部分將保持後顯影。
本發明者認識到在抗蝕模型校準期間一或多個抗蝕信號可歸因於校準之反覆性質而重新計算。此外，當前系統可並不促進用於後續存取及分析的抗蝕信號之儲存。舉例而言，在完成抗蝕模型校準之後，經計算抗蝕信號可並不保存在資料庫中。
本發明者已識別將能夠一種單獨或以各種組合方式在資料 庫中儲存抗蝕信號使得具有相似光學設定之未來處理係使用所保存信號模型化的方法。以此方式，舉例而言，模型校準複雜性可得以縮減(例如線性最佳化而非複雜及重複數學變換)。
在一些實施例中，抗蝕劑層內的(x,y)平面中之抗蝕影像(RI)由下式表示：
Figure 108109232-A0305-02-0015-1
在一些實施例中，模型參數中之一或多者對應於不同物理或化學效應。在一些實施例中，模型公式可針對校準模型可如何描述現實設定界限或約束條件。方程式1之抗蝕模型為N項之線性總和，每一項運用線性係數ci加權。該等項可具有某一非線性係數(此處標示為σi)，其可為例如高斯向量之標準差。如方程式1中所示，項「T」描述已在抗蝕劑中發生的特定物理製程、反應或變化(例如酸及鹼之反應、擴散或淬滅)。在一些實施例中，項「σi」標示其中發生特定製程的空間範圍。在一些實施例中，σi取決於後烘烤時間及溫度。在一些實施例中，σi可在一或多個抗蝕模型項中不同。在一些實施例中，σi之(最佳)值可經由包括單純形或其他最佳化方法之一或個最佳化方法判定。借助於非限制性實例，抗蝕影像可由呈以下形式之資訊矩陣表示：
Figure 108109232-A0305-02-0015-2
各列對應於來自測試圖案之初始較大集合的測試圖案(k=1至K)，且xk為晶圓上之測試圖案k的邊緣之部位。此處，2維平面(xk,yk)為簡單起見僅表達為xk。抗蝕模型中存在N個項，且每一項運用行表示。此 等N行接著經重複用於非線性係數中之每一者。在以上實例中，在步驟10中，σ=10至100；但可使用用於σ之任何值及步驟。ci及σi之標稱值範圍應匹配校準之所意欲範圍。
圖3說明根據一或多個實施例的用於加速抗蝕模型校準之方法30。以下呈現的方法30之操作意欲係說明性的。在一些實施例中，方法30可運用未描述的一或多個額外操作及/或不運用所論述操作中之一或多者來完成。另外，在圖3中說明及在下文描述方法30之操作所藉以的次序並不意欲為限制性的。
在操作32處，方法藉由(i)定義一或多個製造製程模型項(例如抗蝕項、蝕刻項)及(ii)獲得高斯分佈之標準差(σ值)的初始值及/或適用範圍中之一或多者而開始。在一個使用情況情形中，方法可藉由(i)定義一或多個抗蝕模型項及(ii)獲得高斯分佈之標準差(σ值)的初始值及/或適用範圍中之一或多者而開始。在一些實施例中，定義一或多個抗蝕模型項包括選擇對應於抗蝕劑之一或多個物理及/或化學特性的一或多個參數(例如變數)。舉例而言，給定抗蝕模型可經由描述酸分佈、負載之模型項及/或其他模型項而定義。在一些實施例中，一或多個模型項被添加至抗蝕模型或自抗蝕模型移除以使得抗蝕模型更準確地預測度量衡量規。在一些實施例中，一或多個經定義抗蝕模型項包括一組預定抗蝕模型項(例如抗蝕模型項A、B及C可經自動地選擇用於任何給定抗蝕模型)。在一些實施例中，一或多個抗蝕模型項係基於抗蝕劑之一或多個特性(例如物理或化學特性)、微影(例如波長、曝光時間等)或其他特性而定義。在一些實施例中，一或多個抗蝕模型項經定義為判定一或多個抗蝕模型項對由抗蝕模型輸出之預測的效應。所獲得σ值用於抗蝕項之判定(下文所描述)。在一些 實施例中，標準差之初始值可為20奈米、30奈米、50奈米及/或其他值。在一些實施例中，σ值之適用範圍包括30奈米與200奈米之間的值。在一些實施例中，預定σ值區間。在一些實施例中，回應於區間大於預定臨限值，針對所選擇σ值區間之間的σ值內插抗蝕項。在一些實施例中，關於蝕刻模型，方法藉由(i)定義一或多個蝕刻模型項及(ii)獲得高斯分佈之標準差(σ值)的初始值及/或適用範圍中之一或多者而開始(例如與上文所描述的操作32相同或類似)。
在操作34處，方法藉由接收與一或多個製造製程模型項相關的預定資訊而繼續進行。在一些實施例中，預定資訊包含傳達(conveying)與一或多個製造製程模型項相關之資訊的一或多個經預計算信號。舉例而言，方法可藉由接收與一或多個抗蝕模型項相關的預定資訊而繼續進行。在一些實施例中，預定資訊包含傳達與一或多個抗蝕模型項相關之資訊的一或多個經預計算信號。在一些實施例中，每一抗蝕模型項為由空間影像產生的二維影像。在一些實施例中，個別抗蝕信號包括在一或多個量規部位處(例如在電路之一或多個臨界尺寸(CD)處)的影像強度，該強度為0與1之間的浮點值。在一些實施例中，信號包括關於量規(例如在CD部位處)的抗蝕項之強度(例如影像強度)。在一些實施例中，經預計算信號係藉由經由一或多個高斯濾波器變換空間影像使得獲得抗蝕影像而獲得。在一些實施例中，預定資訊(例如一或多個經預計算信號)包含應用於高斯向量之標準差的預定高斯模糊(例如用於一或多個抗蝕項)。歸因於此製程之反覆性質，多個抗蝕信號可同時(例如並行運算、多執行緒處理等)經預計算。在一些實施例中，關於蝕刻模型，方法藉由接收與一或多個蝕刻模型項相關的預定資訊而繼續進行(例如與上文所描述的操作34相 同或類似)。
在操作36處，方法藉由基於預定資訊(例如一或多個經預計算信號)產生製造製程模型(例如抗蝕模型、蝕刻模型)(例如方程式1)而繼續進行。舉例而言，關於抗蝕模型，方法藉由基於預定資訊產生抗蝕模型而繼續進行。在此操作中，製造製程模型項(例如抗蝕模型項、蝕刻模型項)經指派其各別係數。在一些實施例中，製造製程模型(例如抗蝕模型、蝕刻模型)經組態以產生與度量衡量規相關的一或多個預測。在一些實施例中，關於蝕刻模型，方法藉由基於預定資訊產生蝕刻模型而繼續進行(例如與上文所描述的操作36相同或類似)。
傳統上，當新的交叉項構成需要新影像之新的項時，兩個影像(例如用於第一抗蝕項之影像及用於第二抗蝕項之影像)必須共同地倍增(例如)逐點相乘/逐像素相乘)以判定交叉項效應。相比之下，在操作36中，產生製造製程模型(例如抗蝕模型、蝕刻模型)包含藉由判定兩個或兩個以上製造製程模型項之乘積而判定由兩個或兩個以上製造製程模型項之交叉貢獻所引起的效應。舉例而言，在操作36中，產生抗蝕模型可包括藉由判定兩個或兩個以上抗蝕項之乘積而判定由兩個或兩個以上抗蝕項之交叉貢獻所引起的效應。在此實例中，判定抗蝕劑中之負載及酸分佈的交叉貢獻包含判定對應於負載及酸分佈的抗蝕項之乘積。
在操作38處，方法藉由判定與度量衡量規之尺寸相關的預測是否在如先前在製造製程後晶圓上量測的度量衡量規之預定臨限值內而繼續進行。在一個使用情況情形中，方法可藉由判定與量規之尺寸相關的預測是否在如在(實體)顯影後抗蝕劑上量測的量規之預定臨限值內而繼續進行。在一些實施例中，在此判定之前，獲得與實體顯影後抗蝕劑之度量 衡量規之一或多個尺寸相關的一或多個量測。在一些實施例中，回應於預測未突破預定臨限值，方法藉由最佳化一或多個抗蝕項使得與量規之尺寸相關的預測在如在顯影後抗蝕劑上量測的量規之預定臨限值內而繼續進行。在此操作中，執行經預測量規量測與實際量規量測之間的回歸(例如最小平方等)。在回歸中，可存在為經預測量規量測與實際量規量測取樣平均之偏差的一或多個殘餘(例如模型可對於量規之80%精確且對於量規之剩餘20%不精確)。在一些實施例中，回應於殘餘超過預定限制，操作32至38可經重複直至殘餘(例如殘餘誤差)低於預定限制為止。舉例而言，回應於殘餘誤差大於預定限制，選擇新的高斯模糊σ值。在一些實施例中，關於蝕刻模型，方法藉由判定與量規之尺寸相關的預測在如在(實體)蝕刻後晶圓上量測的量規之預定臨限值內而繼續進行(例如與上文所描述的操作38相同或類似)。
在一些實施例中，操作38進一步包括微調其中一或多個抗蝕項被添加及/或自該模型移除以便減小殘餘誤差的抗蝕模型。在一些實施例中，關於蝕刻模型，該方法進一步包括微調其中一或多個蝕刻項被添加及/或自該模型移除以便減小殘餘誤差的蝕刻模型。
在一些實施例中，操作38進一步包括判定該一或多個製造製程模型項中之相較於該一或多個製造製程模型項的剩餘製造製程項在該製造製程模型中被更重加權的一特定製造製程項(例如抗蝕模型項、蝕刻模型項)。在使用情況情形中，操作38包括判定在抗蝕模型中被更重加權的一特定抗蝕項。舉例而言，操作38可包括判定哪些抗蝕項最接近地類似/描述一缺陷。在一些實施例中，操作38進一步包含判定由一或多個不同製造製程模型(例如抗蝕模型、蝕刻模型)所引起的一或多個效應。在一些 實施例中，判定包括判定哪些效應通常在該一或多個不同製造製程模型(例如抗蝕模型、蝕刻模型)中之每一者內表達突出性(例如被更重加權)。舉例而言，方法可促進判定與抗蝕收縮相關之資訊。在此實例中，相較於複數個抗蝕模型當中的其他效應，抗蝕收縮之效應可被更重加權。
在一些實施例中，對應於預定度量衡量測之量規包括唯一識別參數。在一些實施例中，唯一識別參數係基於製造製程圖案(例如抗蝕圖案、蝕刻圖案)及預定製造處理範圍而判定。在一些實施例中，唯一識別參數係基於抗蝕圖案及預定抗蝕處理範圍(例如在特定量規及/或圖案之1.3微米半徑內)而判定。在一些實施例中，對應於唯一識別參數之抗蝕模型最佳化儲存於資料庫中。
在一些實施例中，方法30進一步包含判定對應於給定製造製程圖案(例如抗蝕圖案、蝕刻圖案)之量規的唯一識別參數是否存在於資料庫中。在一些實施例中，回應於對應於給定製造製程圖案(例如抗蝕圖案、蝕刻圖案)之量規的唯一識別參數存在於資料庫中，方法藉由產生對應於唯一識別參數之製造製程模型(例如抗蝕模型、蝕刻模型)而繼續進行。
在一些實施例中，方法30包含執行操作32至38及/或其他操作之一或多次反覆直至由抗蝕模型進行的與度量衡量規之尺寸相關的預測在如在顯影後抗蝕劑上量測的度量衡量規之預定臨限值內為止。
圖4為說明可輔助體現及/或實施本文所揭示之抗蝕模型校準方法之電腦系統300的例示性方塊圖。電腦系統400包括匯流排402或用於傳達資訊之其他通信機構，及與匯流排402耦接以用於處理資訊的一或多個處理器404(及405)。電腦系統400亦包括主記憶體406，諸如隨機存 取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件，其耦接至匯流排402以用於儲存待由處理器404執行之資訊及指令。主記憶體406在執行待由處理器404執行之指令期間亦可用於儲存暫時變數或其他中間資訊。電腦系統400進一步包括耦接至匯流排402以用於儲存用於處理器404之靜態資訊及指令之唯讀記憶體(ROM)408或其他靜態儲存器件。提供儲存器件410(諸如，磁碟或光碟)且將其耦接至匯流排402以用於儲存資訊及指令。
電腦系統400可經由匯流排402耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器412，諸如，陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入器件414耦接至匯流排102以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器404。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器404且用於控制顯示器412上之游標移動的游標控制件416，諸如，滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。輸入器件通常具有在兩個軸(第一軸(例如x)及第二軸(例如y))中之兩個自由度，其允許器件指定平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可被用作輸入器件。
在一些實施例中，抗蝕模型校準製程之部分可回應於處理器404執行含於主記憶體406中的一或多個指令之一或多個序列而藉由電腦系統400執行。可將此類指令自另一電腦可讀媒體(諸如儲存器件410)讀取至主記憶體406中。主記憶體406中含有之指令序列的執行使得處理器404執行本文中所描述之製程步驟。亦可使用呈多處理配置之一或多個處理器以執行主記憶體406中所含有之指令序列。在一些實施例中，可使用硬佈線電路替代軟體指令或結合軟體指令來實施本文所描述之方法。因此，實施例不限於硬體電路與軟體之任何特定組合。
可以使用以下條項進一步描述實施例：
1.一種用於加速一製造製程模型之校準的方法，該方法包含執行以下操作中之一或多次反覆直至由該製造製程模型進行的與一度量衡量規之一尺寸相關的一預測在如在一製造製程後晶圓上量測之該度量衡量規的一預定臨限值內為止：定義一或多個製造製程模型項；接收與該一或多個製造製程模型項相關的預定資訊；基於該預定資訊產生該製造製程模型，該製造製程模型經組態以產生與該度量衡量規相關之一或多個預測；及判定與該度量衡量規之一尺寸相關的一預測是否在如先前在一製造製程後晶圓上量測的該度量衡量規之一預定臨限值內。
2.如條項1之方法，其中該製造製程模型包含一抗蝕模型。
3.如條項2之方法，其進一步包含判定與該度量衡量規之該尺寸相關的該預測是否在如先前在一顯影後抗蝕劑上量測的該度量衡量規之一預定臨限值內。
4.如條項1之方法，其中該製造製程模型包含一蝕刻模型。
5.如條項1之方法，其中該一或多個製造製程模型項中之個別製造製程模型項包含對應於一高斯向量之一標準差的一係數，且其中該預定資訊包含應用於該高斯向量之該標準差的一預定高斯模糊。
6.如條項1之方法，其進一步包含藉由判定兩個或兩個以上製造製程模型項之一乘積判定由該兩個或兩個以上製造製程模型項之一交叉貢獻所引起的一效應。
7.如條項6之方法，其中該製造製程模型包含一抗蝕模型，其中 該等抗蝕模型項包含該抗蝕劑中之負載及酸分佈，且其中判定該抗蝕劑中之負載及酸分佈的一交叉貢獻包含判定對應於該負載及該酸分佈之抗蝕模型項的一乘積。
8.如條項1之方法，其中對應於該預定度量衡量測之該度量衡量規包括一唯一識別參數，其中該唯一識別參數係基於一製造製程圖案及一預定製造處理範圍而判定，其中對應於該唯一識別參數之製造製程模型最佳化經儲存於一資料庫中，且其中該方法進一步包含：判定對應於一給定製造製程圖案之一量規的一唯一識別參數是否存在於該資料庫中；及回應於對應於該給定製造製程圖案之該量規的該唯一識別參數存在於該資料庫中，產生對應於該唯一識別參數的該製造製程模型。
9.如條項1之方法，其進一步包含判定該一或多個製造製程模型項中之相較於該一或多個製造製程模型項的剩餘製造製程項在該製造製程模型中被更重加權的一特定製造製程項。
10.如條項1之方法，其進一步包含判定由一或多個不同製造製程模型所引起的一或多個效應，該判定包括判定哪些效應通常在該一或多個不同製造製程模型中之每一者內表達突出性。
11.如條項10之方法，其中該製造製程模型包含一抗蝕模型，且其中由一或多個不同抗蝕模型所引起的該效應包括抗蝕收縮。
12.一種電腦程式產品，其包含一或多個電腦可讀儲存媒體，該一或多個電腦可讀儲存媒體具有用於使得一電腦選擇用於校準一運算微影模型之測試圖案的電腦可執行指令，該等指令使得該電腦執行如條項1之方法。
13.一種用於加速一製造製程模型之校準的系統，該系統包含：一或多個處理器，其藉由機器可讀指令組態以執行以下操作之一或多次反覆直至由該製造製程模型進行的與一度量衡量規之一尺寸相關的一預測在如在一製造製程後晶圓上量測的該度量衡量規之一預定臨限值內為止：定義一或多個製造製程模型項；接收與該一或多個製造製程模型項相關的預定資訊；基於該預定資訊產生該製造製程模型，該製造製程模型經組態以產生與該度量衡量規相關之一或多個預測；及判定與該度量衡量規之一尺寸相關的一預測是否在如先前在一製造製程後晶圓上量測的該度量衡量規之一預定臨限值內。
14.一種用於加速一抗蝕模型之校準的方法，該方法包含執行以下操作之一或多次反覆直至由抗蝕模型進行的與一度量衡量規之一尺寸相關的一預測係在如在顯影後抗蝕劑上量測的該度量衡量規之一預定臨限值內為止：定義一或多個抗蝕模型項；接收與該一或多個抗蝕模型項相關的預定資訊；基於該預定資訊產生該抗蝕模型，該抗蝕模型經組態以產生與該度量衡量規相關的一或多個預測；及判定與該度量衡量規之一尺寸相關的一預測是否在如先前在一顯影後抗蝕劑上量測的該量規之一預定臨限值內。
15.如條項14之方法，其中該一或多個抗蝕模型項中之個別抗蝕模型項包含對應於一高斯向量之一標準差的一係數，且其中該預定資訊包 含應用於該高斯向量之該標準差的一預定高斯模糊。
16.如條項14之方法，其進一步包含藉由判定兩個或兩個以上抗蝕項之一乘積判定由該兩個或兩個以上抗蝕項之一交叉貢獻所引起的一效應。
17.如條項16之方法，其中該兩個或兩個以上抗蝕項包含該抗蝕劑中之負載及酸分佈，且其中判定該抗蝕劑中之負載及酸分佈的一交叉貢獻包含判定對應於該負載及該酸分佈之抗蝕項的一乘積。
18.如條項14之方法，其中對應於該預定度量衡量測之該度量衡量規包括一唯一識別參數，其中該唯一識別參數係基於一抗蝕圖案及一預定抗蝕處理範圍而判定，其中對應於該唯一識別參數之抗蝕模型最佳化經儲存於一資料庫中，且其中該方法進一步包含：判定對應於一給定抗蝕圖案之一量規的一唯一識別參數是否存在於該資料庫中；及回應於對應於該給定抗蝕圖案之該量規的該唯一識別參數存在於該資料庫中，產生對應於該唯一識別參數之該抗蝕模型。
19.如條項14之方法，其進一步包含判定該一或多個抗蝕模型項中之相較於該一或多個抗蝕模型項的剩餘抗蝕項在該抗蝕模型中被更重加權的一特定抗蝕項。
20.如條項14之方法，其進一步包含判定由一或多個不同抗蝕模型所引起的一或多個效應，該判定包括判定哪些效應通常在該一或多個不同抗蝕模型中之每一者內表達突出性。
21.如條項20之方法，其中由該一或多個不同抗蝕模型所引起的該效應包括抗蝕收縮。
22.如條項14之方法，其中該預定資訊包含指示該抗蝕之一或多個物理及/或化學特性的經預計算信號。
23.如條項22之方法，其中該等經預計算信號儲存於一資料庫中。
24.如條項23之方法，其中產生該抗蝕模型包含自該資料庫擷取對應於該一或多個抗蝕模型項的經預計算信號。
25.如條項22之方法，其中該經預計算信號係基於應用於該顯影後抗蝕劑之一空間影像的一或多個濾波器而判定。
26.如條項25之方法，其中該一或多個濾波器包括一高斯濾波器。
27.如條項25之方法，其中一個別經預計算抗蝕信號包括在一或多個度量衡量規部位處的一影像強度。
28.如條項14之方法，其中回應於與該度量衡量規之該尺寸相關的該預測並不在如先前在該顯影後抗蝕劑上量測的該量規之該預定臨限值內，該一或多個抗蝕模型項經調整且獲得與該經調整一或多個抗蝕模型項相關的其他預定資訊。
如本文所使用之術語「電腦可讀媒體」指代參與將指令提供至處理器404以供執行之任何媒體。此媒體可呈許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括(例如)光碟或磁碟，諸如儲存器件410。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體406。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，包括包含匯流排402之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括(例如)軟 性磁碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。
各種形式之電腦可讀媒體可涉及將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器404以供執行。舉例而言，初始地可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統400本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器以將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排402之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排402上。匯流排402將資料攜載至主記憶體406，處理器404自該主記憶體406擷取及執行指令。由主記憶體406接收之指令可視情況在由處理器404執行前或後儲存於儲存器件410上。
電腦系統400亦較佳包括耦接至匯流排402之通信介面418。通信介面418提供對網路鏈路420之雙向資料通信耦合，網路鏈路420連接至區域網路422。舉例而言，通信介面418可為整合服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供對對應類型之電話線之資料通信連接。作為另一實例，通信介面418可為區域網路(LAN)卡以提供對相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此實施中，通信介面418發送且接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光信號。
網路鏈路420通常經由一或多個網路將資料通信提供至其他資料器件。舉例而言，網路鏈路420可經由區域網路422向主機電腦424或向由網際網路服務提供者(ISP)426操作之資料裝備提供連接。ISP 426 接著經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」428)而提供資料通信服務。區域網路422及網際網路428兩者皆使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路420上且經由通信介面418之信號為輸送資訊的例示性形式之載波，該等信號將數位資料攜載至電腦系統400且自電腦系統400攜載數位資料。
電腦系統400可經由網路、網路鏈路420及通信介面418發送訊息並接收資料，包括程式碼。在網際網路實例中，伺服器430可經由網際網路428、ISP 426、區域網路422及通信介面418而傳輸用於應用程式之所請求程式碼。在一些實施例中，一個此類經下載應用程式提供(例如)該實施例之測試圖案選擇。所接收程式碼可在其被接收時由處理器404執行，及/或儲存於儲存器件410或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統400可獲得呈載波形式之應用程式碼。
雖然本文中所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上的成像，但應理解，所揭示之概念可與任何類型之微影成像系統一起使用，例如，用於在不同於矽晶圓的基板上之成像的微影成像系統。
儘管上文提供之描述出於說明之目的基於當前考慮為最切實可行及最佳之實施例提供細節，但應理解此類細節僅用於彼目的，且本發明不限於所明確揭示之實施例，而相反地意欲涵蓋在所附申請專利範圍之精神及範疇內之修改及等效配置。舉例而言，應理解本發明預期儘可能地任何實施例之一或多個特徵可與任何其他實施例之一或多個特徵組合。所附申請專利範圍意欲涵蓋此等改變及修改。
30:方法
32:操作
34:操作
36:操作
38:操作

Claims (16)

  1. 一種用於加速一製造製程模型之校準的方法，該方法包含執行以下操作中之一或多次反覆直至由該製造製程模型進行的與一度量衡量規(metrology gauge)之一尺寸相關的一預測在如在一製造製程後晶圓上量測之該度量衡量規的一預定臨限值內為止：定義一或多個製造製程模型項；接收與該一或多個製造製程模型項相關的預定資訊，其中該預定資訊包含傳達(conveying)與一或多個抗蝕模型項及/或蝕刻模型項相關之資訊的一或多個經預計算信號；基於該預定資訊產生該製造製程模型，該製造製程模型經組態以產生與該度量衡量規相關之一或多個預測；及判定與該度量衡量規之一尺寸相關的一預測是否在如先前在一製造製程後晶圓上量測的該度量衡量規之一預定臨限值內。
  2. 如請求項1之方法，其中該製造製程模型包含一抗蝕模型。
  3. 如請求項2之方法，其進一步包含判定與該度量衡量規之該尺寸相關的該預測是否在如先前在一顯影後抗蝕劑上量測的該度量衡量規之一預定臨限值內。
  4. 如請求項1之方法，其中該製造製程模型包含一蝕刻模型。
  5. 如請求項1之方法，其中該一或多個製造製程模型項中之個別製造製程模型項包含對應於一高斯向量之一標準差的一係數，且其中該預定資訊包含應用於該高斯向量之該標準差的一預定高斯模糊。
  6. 如請求項1之方法，其進一步包含藉由判定兩個或兩個以上製造製程模型項之一乘積判定由該兩個或兩個以上製造製程模型項之一交叉貢獻所引起的一效應。
  7. 如請求項6之方法，其中該製造製程模型包含一抗蝕模型，其中該等抗蝕模型項包含該抗蝕劑中之負載及酸分佈，且其中判定該抗蝕劑中之負載及酸分佈的一交叉貢獻包含判定對應於該負載及該酸分佈之抗蝕模型項的一乘積。
  8. 如請求項1之方法，其中對應於該預定度量衡量測之該度量衡量規包括一唯一識別參數，其中該唯一識別參數係基於一製造製程圖案及一預定製造處理範圍而判定，其中對應於該唯一識別參數之製造製程模型最佳化經儲存於一資料庫中，且其中該方法進一步包含：判定對應於一給定製造製程圖案之一量規的一唯一識別參數是否存在於該資料庫中；及回應於對應於該給定製造製程圖案之該量規的該唯一識別參數存在於該資料庫中，產生對應於該唯一識別參數的該製造製程模型。
  9. 如請求項1之方法，其進一步包含判定該一或多個製造製程模型項中 之相較於該一或多個製造製程模型項的剩餘製造製程項在該製造製程模型中被更重加權的一特定製造製程項。
  10. 如請求項1之方法，其進一步包含判定由一或多個不同製造製程模型所引起的一或多個效應，該判定包括判定哪些效應通常在該一或多個不同製造製程模型中之每一者內表達突出性。
  11. 如請求項10之方法，其中該製造製程模型包含一抗蝕模型，且其中由一或多個不同抗蝕模型所引起的該效應包括抗蝕收縮。
  12. 如請求項1之方法，其中該一或多個經預計算信號係儲存於一資料庫中。
  13. 一種用於加速一製造製程模型之校準的電腦程式產品，該電腦程式產品包含一或多個電腦可讀儲存媒體，該一或多個電腦可讀儲存媒體具有用於使得一電腦選擇用於校準一運算微影模型之測試圖案的電腦可執行指令，該等指令使得該電腦執行如請求項1之方法。
  14. 一種用於加速一製造製程模型之校準的系統，該系統包含：一或多個處理器，其藉由機器可讀指令組態以執行以下操作之一或多次反覆直至由該製造製程模型進行的與一度量衡量規之一尺寸相關的一預測在如在一製造製程後晶圓上量測的該度量衡量規之一預定臨限值內為止： 定義一或多個製造製程模型項；接收與該一或多個製造製程模型項相關的預定資訊，其中該預定資訊包含傳達(conveying)與一或多個抗蝕模型項及/或蝕刻模型項相關之資訊的一或多個經預計算信號；基於該預定資訊產生該製造製程模型，該製造製程模型經組態以產生與該度量衡量規相關之一或多個預測；及判定與該度量衡量規之一尺寸相關的一預測是否在如先前在一製造製程後晶圓上量測的該度量衡量規之一預定臨限值內。
  15. 如請求項14之系統，其中該等經預計算信號係指示該製造製程之一或多個物理及/或化學特性。
  16. 如請求項15之系統，其中該等經預計算信號儲存於一資料庫中。
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