TWI834076B - 用於測量圖案之裝置及相關的非暫時性電腦可讀媒體 - Google Patents

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TWI834076B
TWI834076B TW110140695A TW110140695A TWI834076B TW I834076 B TWI834076 B TW I834076B TW 110140695 A TW110140695 A TW 110140695A TW 110140695 A TW110140695 A TW 110140695A TW I834076 B TWI834076 B TW I834076B
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Abstract

本發明揭示一種用於將印刷於一基板上之一圖案之一經量測影像與一設計佈局對準之方法。該方法包括：獲得待印刷於一基板上之一圖案之一設計佈局及印刷於該基板上之該圖案之一經量測影像；執行一模擬程序以針對一圖案化程序之複數個程序條件產生該設計佈局之複數個經模擬輪廓；基於該等經模擬輪廓而識別一組不利的位置；及使用除該組不利位置之外的位置來執行一影像對準程序以對準該經量測影像與該等經模擬輪廓之一所選擇輪廓。

Description

用於測量圖案之裝置及相關的非暫時性電腦可讀媒體
本發明係關於一種用於量測基板上藉由圖案化程序而形成之圖案之方法及裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)或其他器件之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
為了監測圖案化程序(亦即，涉及微影之器件製造程序，包括例如抗蝕劑處理、蝕刻、顯影、烘烤等)之一或多個步驟，檢測經圖案 化基板且判定經圖案化基板之一或多個參數。舉例而言，該一或多個參數可包括邊緣置放誤差(EPE)，其為形成於基板上之圖案之邊緣與該等圖案之預期設計之對應邊緣之間的距離。可對產品基板自身之圖案及/或對提供於基板上之專用度量衡目標執行此量測。存在用於對在圖案化程序中形成之微觀結構進行量測的各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡(SEM)及/或各種特殊化工具。
在一態樣中，提供一種具有指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時致使該電腦執行用於將印刷於一基板上之一圖案之一經量測影像與一設計佈局對準的一方法。該方法包括：獲得待印刷於一基板上之一圖案之一設計佈局及印刷於該基板上之該圖案之一經量測影像；執行一模擬程序以針對一圖案化程序之複數個程序條件產生該設計佈局之經模擬輪廓；基於該等經模擬輪廓而識別一組不利的位置；及使用除該組不利位置之外的位置來執行一影像對準程序以對準該經量測影像與該等經模擬輪廓之一所選擇輪廓。
在一態樣中，提供一種具有指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時致使該電腦執行用於將印刷於一基板上之一圖案之一經量測影像與一設計佈局對準的一方法。該方法包括：獲得待印刷於一基板上之一圖案之一設計佈局及印刷於該基板上之該圖案之一經量測影像；執行一模擬程序以針對一圖案化程序之複數個程序條件產生該設計佈局之複數個經模擬結果；基於該等經模擬結果而識別一組不利的位置；及藉由使用除該組不利位置之外的位置使該經量測影像與該等經模擬結果之一所選擇結果對準而在該經量測影像與該設計佈局之間執行一影像 對準程序。
在一態樣中，提供一種具有指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時致使該電腦執行用於將印刷於一基板上之一圖案之一經量測影像與一設計佈局對準的一方法。該方法包括：獲得待印刷於一基板上之一圖案之一設計佈局及印刷於該基板上之該圖案之一經量測影像；執行一模擬程序以針對一圖案化程序之複數個程序條件產生該設計佈局之經模擬輪廓；基於該等經模擬輪廓而識別一組不利的位置；執行一模擬程序以自該等經模擬輪廓之一所選擇輪廓產生一經預測之經量測影像；及使用除該組不利位置之外的位置來執行一影像對準程序以對準該經量測影像與該經預測之經量測影像。
在一態樣中，提供一種用於將印刷於一基板上之一圖案之一經量測影像與一設計佈局對準之方法。該方法包括：獲得待印刷於一基板上之一圖案之一設計佈局及印刷於該基板上之該圖案之一經量測影像；執行一模擬程序以針對一圖案化程序之複數個程序條件產生該設計佈局之複數個經模擬輪廓；基於該等經模擬輪廓而識別一組不利的位置；及使用除該組不利位置之外的位置來執行一影像對準程序以對準該經量測影像與該等經模擬輪廓之一所選擇輪廓。
在一態樣中，提供一種用於將印刷於一基板上之一圖案之一經量測影像與一設計佈局對準之裝置。該裝置包括：一記憶體，其儲存一指令集；及至少一個處理器，其經組態以執行該指令集以致使該裝置執行以下一方法：獲得待印刷於一基板上之一圖案之一設計佈局及印刷於該基板上之該圖案之一經量測影像；執行一模擬程序以針對一圖案化程序之複數個程序條件產生該設計佈局之複數個經模擬輪廓；基於該等經模擬輪 廓而識別一組不利的位置；及使用除該組不利位置之外的位置來執行一影像對準程序以對準該經量測影像與該等經模擬輪廓之一所選擇輪廓。
31:源模型
32:投影光學件模型
35:圖案化器件模型
36:空中影像
37:抗蝕劑模型
38:抗蝕劑影像
39:蝕刻模型
40:蝕刻影像
100:電腦系統
102:匯流排
104:處理器
105:處理器
106:主記憶體
108:唯讀記憶體(ROM)
110:儲存器件
112:顯示器
114:輸入器件
116:游標控制件
118:通信介面
120:網路鏈路
122:區域網路
124:主機電腦
126:網際網路服務提供者(ISP)
128:網際網路
130:伺服器
500:系統
501:檔案組件
502:設計佈局
504:經量測影像/度量衡影像
506:輪廓模擬器
508:輪廓分析器
510:有利位置
512:不利位置
514:第一對準器
520:標稱輪廓/所選擇輪廓
524:輪廓大小調整器
528:第二對準器
530:經調整之標稱輪廓
605:RET後佈局
705:經模擬輪廓
715:經模擬輪廓
805:位置
810:位置
815:位置
820:參考點
825:位置
830:位置
835:參考點
850:位置
855:位置
905a:有利位置
905b:有利位置
950a:有利位置
950b:有利位置
955a:有利位置
955b:有利位置
1005a:方向
1005b:方向
1100:系統
1105:影像產生器
1110:經模擬之度量衡影像
1115:經調整之經模擬度量衡影像
1200:方法
1205:程序條件
1210:影像
1215:位置
2010:影像
2020:輪廓
2030:設計佈局
2040A:對準
2040B:對準
AD:調整器
AS:對準感測器
B:輻射光束
BD:光束遞送系統
BK:烘烤板
C:目標部分
CH:冷卻板
CO:聚光器
DE:顯影器
IF:位置感測器
IL:照明系統/照明器
IN:積光器
I/O1:輸入/輸出埠
I/O2:輸入/輸出埠
LA:微影裝置
LACU:微影控制單元
LB:裝載匣
LC:微影單元
LS:位階感測器
M1:圖案化器件對準標記
M2:圖案化器件對準標記
MA:圖案化器件
MET:度量衡系統
MT:支撐結構
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
PM:第一定位器
PW:第二定位器
P1201:程序
P1202:程序
P1203:程序
P1204:程序
RF:參考框架
RO:基板處置器或機器人
SC:旋塗器
SCS:監督控制系統
SO:輻射源
TCU:塗佈顯影系統控制單元
W:基板
WTa:基板台
WTb:基板台
圖1示意性地描繪根據一或多個實施例之微影裝置的實施例。
圖2示意性地描繪根據一或多個實施例之微影單元或叢集的實施例。
圖3示意性地展示根據一或多個實施例的將影像對準至設計佈局之一部分的程序。
圖4示意性地展示根據一或多個實施例之模擬流程圖。
圖5展示根據一或多個實施例的用於促進度量衡影像與設計佈局之模擬輔助之對準之系統的方塊圖。
圖6展示根據一或多個實施例的後解析度增強技術設計佈局之實例。
圖7展示根據一或多個實施例的對應於各種程序條件之經模擬輪廓之實例。
圖8展示根據一或多個實施例的設計佈局之有利位置及不利位置之實例。
圖9展示根據一或多個實施例的設計佈局之標稱輪廓上的及度量衡影像上的用於執行對準之一組有利位置。
圖10展示根據一或多個實施例的調整經模擬輪廓之大小以用於與度量衡影像對準的實例。
圖11展示根據一或多個實施例的用於促進度量衡影像與設 計佈局之模擬輔助之對準之另一系統的方塊圖。
圖12為根據一或多個實施例的將設計佈局之一部分與自經圖案化基板獲得之度量衡影像對準之方法的流程圖。
圖13為根據一或多個實施例之實例電腦系統的方塊圖。
為了監測圖案化程序之一或多個步驟(亦即，涉及微影之器件製造程序，包括例如用於將設計佈局(例如目標圖案)轉印至基板上之抗蝕劑處理、蝕刻、顯影、烘烤等)，檢測經圖案化基板且判定經圖案化基板之一或多個參數。舉例而言，該一或多個參數可包括邊緣置放誤差(EPE)，其為形成於基板上之圖案之邊緣與該等圖案之預期設計之對應邊緣之間的距離。基於此等參數，可調整設計佈局、圖案化程序或微影裝置之一或多個態樣以最小化缺陷，且因此改良圖案化程序之總良率。
用於判定經圖案化基板之一或多個參數之一些檢測方法包括模擬輔助之對準方法，其中使經量測影像(亦被稱作「度量衡影像」且可為印刷於基板上之圖案之影像，諸如掃描電子顯微鏡(SEM)影像)與設計佈局(例如待印刷於基板上之目標圖案)對準以判定該一或多個參數。在模擬輔助之對準方法中，使度量衡影像與設計佈局之經模擬輪廓對準以判定一或多個參數。然而，此等方法具有一些缺陷。舉例而言，雖然此等方法避免了在可易於出現大EPE之參考位置處執行對準，但其在選擇或不選擇用於執行對準之參考位置時並不考慮除EPE之外的因素，從而使得對準係次佳的，此可導致一或多個參數之值不準確。在另一實例中，此等方法在產生經模擬輪廓時並不考慮圖案化程序之程序變化(例如，微影裝置之透鏡效應、基板上之抗蝕劑之抗蝕劑效應或其他此類變化)，此可引起次 佳對準。在另一實例中，此等方法並不考慮調整經模擬輪廓之大小以匹配來自度量衡影像之輪廓，此可引起次佳對準。在另一實例中，此等方法並不促進產生經模擬度量衡影像及執行經模擬度量衡影像與度量衡影像之間的對準。存在此等及其他缺陷。
本發明之實施例藉由識別與待用於執行與度量衡影像之對準的設計佈局相關聯的一組「有利」位置及避免用於執行對準的一組「不利」位置來促進度量衡影像與經模擬輪廓之對準。在一些實施例中，可與在檢測工具上捕捉度量衡影像實質上同時地執行對準。實施例可在除該組不利位置之外的位置處執行設計佈局與度量衡影像之對準。在一些實施例中，基於一或多個準則識別有利或不利的位置，該等準則諸如EPE、程序變化範圍、對稱度或與設計佈局上之位置相關聯的其他此類態樣。舉例而言，實施例可將處於以下情形的彼等位置識別為不利位置：(a)設計佈局之多個經模擬輪廓之程序變化範圍超過第一臨限值；(b)經模擬輪廓之EPE超過第二臨限值；(c)經模擬輪廓係不對稱的；或(d)一或多個輪廓係斷開的。在一些實施例中，使用者可自訂用於選擇不利位置之準則。該等實施例亦可促進在一或多個有利位置處調整設計佈局之經模擬輪廓之大小以匹配來自度量衡影像之輪廓，以進一步改良對準之準確度。實施例亦可促進自經模擬輪廓產生經模擬度量衡影像且執行經模擬度量衡影像與度量衡影像之間的對準。
在詳細地描述實施例之前，有指導性的是呈現可供實施實施例之實例環境。
圖1示意性地描繪根據一或多個實施例之微影裝置LA。該裝置包含： - 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如UV輻射、DUV輻射或EUV輻射)；- 支撐結構(例如光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及- 投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上，該投影系統被支撐於參考框架(RF)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射之各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如(例如)圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來支撐圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為例如框架或台，其可視需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件例如相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分 中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個台(例如，兩個或多於兩個基板台WTa、WTb、兩個或多於兩個圖案化器件台、在無專用於(例如)促進量測及/或清潔等之基板的情況下在投影系統下方之基板台WTa及台WTb)之類型。在此類「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝 光。舉例而言，可進行使用對準感測器AS之對準量測及/或使用位階感測器LS之位階(高度、傾角等)量測。
微影裝置亦可屬於以下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如圖案化器件與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為單獨實體。在此類狀況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含例如合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部件。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如光罩台)MT上之圖案化器件(例如光罩)MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器 IF(例如，干涉器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等基板對準標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒被提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支 撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
如圖2中所展示，微影裝置LA可形成微影單元LC(有時亦被稱作微影單元(lithocell)或叢集)之部分，微影單元LC亦包括用以對基板執行曝光前程序及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積一或多個抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之一或多個顯影器DE、一或多個冷卻板CH及/或一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取一或多個基板，在不同程序裝置之間移動基板且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等裝置由塗佈顯影系統控制單元TCU控制，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出量及處理效率。
為了如此正確且一致地進行由微影裝置圖案化之基板，需 要檢測經圖案化基板以量測一或多個屬性，諸如EPE、線厚度、臨界尺寸(CD)等。因此，微影單元LC位於其中之製造設施通常亦包括度量衡系統MET，該度量衡系統收納已在微影單元中經處理之基板W中之一些或全部。度量衡系統MET可為微影單元LC之部件，例如，其可為微影裝置LA之部件。
可將度量衡結果直接或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之圖案化進行調整(尤其是在可足夠迅速地且快速地完成檢測以使得批量之一或多個其他基板仍待圖案化的情況下)及/或對經圖案化基板之後續圖案化進行調整。又，已經圖案化之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行進一步圖案化。
在度量衡系統MET內，檢測裝置係用以判定基板之一或多個屬性，且詳言之，判定不同基板之一或多個屬性如何變化或同一基板之不同層在不同層間如何變化。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影單元LC中，或可為獨立器件。為了實現快速量測，需要使檢測裝置緊接在圖案化之後量測經圖案化抗蝕劑層中之一或多個屬性。然而，舉例而言，抗蝕劑中之潛影具有低對比度-在已經曝光至輻射之抗蝕劑之部分與尚未曝光至輻射之抗蝕劑之部分之間之間僅存在極小折射率差-且並非所有檢測裝置皆具有足夠敏感度以進行潛影之有用量測。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後進行量測，曝光後烘烤步驟通常為對經曝光之基板進行之第一步驟且增加抗蝕劑之經曝光之部分與未經曝光之部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛像(semi-latent)。亦有可能對經顯 影抗蝕劑影像進行量測-此時，抗蝕劑之經曝光部分抑或未經曝光部分已被移除-或在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後對經顯影抗蝕劑影像進行量測。後者可能性限制重工有缺陷基板之可能性，但仍可提供有用資訊。
圖案化程序中圖案化之基板之檢測可涉及捕捉該基板之影像(例如掃描電子顯微法影像)。可單獨自影像提取經圖案化基板之一些參數，然而其他參數可需要與其他資料進行比較，其他資料諸如形成於基板上之圖案之設計佈局。
將設計佈局與影像進行比較並非總是直接的。影像可必須在比較之前對準至設計佈局。對準中之誤差可導致由度量衡系統量測之經圖案化基板之參數中的誤差。
圖3示意性地展示根據一或多個實施例的將影像對準至設計佈局之一部分的程序。舉例而言，自影像捕捉器件，例如度量衡系統之檢測裝置獲得影像2010。影像2010可為使用圖案化程序自設計佈局之部分形成於基板上的圖案之度量衡影像。影像2010可為像素化影像，諸如SEM圖像。可使用合適邊緣偵測演算法自影像2010識別輪廓2020。輪廓2020表示基板上之圖案之邊緣。輪廓2020及設計佈局2030之部分用以判定該設計佈局2030之該部分與影像2010之間的映射，以用於對準該設計佈局2030之該部分與該影像2010。此處之詞「映射」可表示相對平移、相對旋轉、相對按比例調整、相對緯斜或其他相對變形，其可在影像2010與設計佈局2030之部分對準之前應用至該影像2010。可存在皆為合理的多個映射，其引起設計佈局2030之部分與影像2010之多個不同對準(例如2040A及2040B)。在該等不同對準中，由度量衡系統量測之經圖案化基板之參數可具有不同值。
可存在使用輪廓2020及設計佈局2030之部分以判定其之間的映射之多種方式。舉例而言，可定義成本函數以特性化輪廓2020中及設計佈局2030之部分中的對應映射參考物(例如邊緣、隅角)之偏差。如本文中所使用之術語「映射參考物」意謂設計佈局或影像之部分，基於其判定設計佈局與影像之間的映射。在一實例中，可將成本函數表達為
Figure 110140695-A0305-02-0016-1
其中m為映射且f p (m)可為映射m之函數。舉例而言，f p (m)可為輪廓2020中之映射參考物與設計佈局2030之部分中之對應映射參考物之間的偏差。此處之偏差可包括相對平移、相對旋轉、相對按比例調整、相對緯斜或其他相對變形。w p 為與f p (m)相關聯之權重常數。EPE為f p (m)之一個實例。不同f p (m)可具有相等權重w p ，尤其當沒有理由相對於其他者支持某f p (m)時。當然，CF(m)不限於方程式1中之形式。CF(m)可呈任何其他合適形式。映射m可為最小化或最大化成本函數CF(m)之映射。
設計佈局之並非所有映射參考物皆可藉由圖案化程序以相等準確度產生於基板上。設計佈局之映射參考物中之一些可具有自產生於基板上之圖案之對應映射參考物的大偏差。該等偏差可具有多個起源。一個起源可為解析度增強技術(RET)。為了相對準確地產生尺寸小於微影投影裝置之經典解析度極限的圖案，可將複雜微調步驟應用至微影投影裝置及/或設計佈局。RET可包括例如但不限於：NA及光學相干設定之最佳化、自訂照明方案、使用輔助特徵、使用相移圖案化器件、設計佈局中之光學近接校正(OPC)等。RET可並非完美的且可貢獻於該等偏差。
另一起源可為圖案化器件之不準確度(有時被稱為「光罩誤差」)。在藉由RET修改設計佈局之後，設計佈局可形成於圖案化器件上 或由圖案化器件形成。此程序可具有誤差。即，作為RET之結果之圖案可並未準確地形成於圖案化器件上或由圖案化器件準確地形成。舉例而言，形成於圖案化器件上或由圖案化器件形成之圖案可具有變形，諸如，相對於設計佈局或RET後佈局的圖案之邊緣之平移、圖案之平移、圖案之邊緣之旋轉、圖案之按比例調整及/或圖案之緯斜。
又一起源可為圖案化程序，包括用於其中之微影投影裝置。圖案化程序可具有各種誤差。誤差之實例可包括：用於基板上之抗蝕劑之顯影速率高於正常顯影速率、輻射源輸出低於正常輻射源輸出、投影光學件中之組件歸因於加熱而變形及/或光子散粒雜訊之隨機效應。
設計佈局之映射參考物與產生於基板上之圖案之對應映射參考物之間的偏差之至少一部分可基於圖案化程序(包括微影裝置)及設計佈局之模擬及特性予以判定。該模擬可提供可用以判定度量衡影像(例如影像2010)與設計佈局(例如部分2030)之間的映射之資訊。
圖4示意性地展示根據一或多個實施例之模擬流程圖。源模型31表示照明之一或多個光學特性(包括輻射強度分佈及/或相位分佈)。投影光學件模型32表示投影光學件之一或多個光學特性(包括由投影光學件引起的輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)。圖案化器件模型35表示圖案化器件之一或多個光學特性(包括由圖案化器件上所表示之給定設計佈局引起的輻射強度分佈及/或相位分佈之改變)。可自源模型31、投影光學件模型32及圖案化器件模型35模擬空中影像36。可使用抗蝕劑模型37而自空中影像36模擬抗蝕劑影像38。抗蝕劑模型37表示抗蝕劑之物理及化學屬性(例如抗蝕劑在曝光、曝光後烘烤及顯影中之行為)。可使用蝕刻模型39而自抗蝕劑影像38模擬蝕刻影像40。蝕刻模型39表示基板之蝕 刻程序之特性。
更具體言之，源模型31可表示照明之一或多個光學特性，其包括但不限於：數值孔徑設定、照明均方偏差(σ)設定及/或特定照明形狀(例如諸如環形、四極、偶極等之離軸照明)。投影光學件模型32可表示投影光學件之一或多個光學特性，包括像差、失真、一或多個折射率、一或多個實體大小、一或多個實體尺寸等。圖案化器件模型35可表示實體圖案化器件之一或多個實體屬性，如例如全文以引用方式併入之美國專利第7,587,704號中所描述。蝕刻模型39可表示蝕刻程序之一或多個特性，諸如氣體組成、(微波)功率、持續時間、基板之一或多個材料等。
源模型31、投影光學件模型32、圖案化器件模型35及蝕刻模型39可模型化圖案化程序對空中影像、抗蝕劑影像或經蝕刻影像與設計佈局之偏差之貢獻。圖案化器件模型35可模型化RET及圖案化器件之不準確度對空中影像、抗蝕劑影像或經蝕刻影像與設計佈局之偏差之貢獻。可自實驗資料至少部分經校準各種模型。
模擬可或可不模擬空中影像、抗蝕劑影像或經蝕刻影像。在後一狀況下，模擬可產生其一或多個各種特性。舉例而言，模擬可模擬空中影像、抗蝕劑影像或經蝕刻影像中之映射參考物之一或多個幾何特性(位置、定向或大小)。
模擬可提供關於產生於基板上之圖案之一或多個映射參考物相對於設計佈局之偏差的資訊。根據本發明之實施例，與設計佈局有如藉由模擬預測之大偏差的一或多個映射參考物可負面地影響度量衡影像(例如影像2010)與設計佈局(例如部分2030)之對準且被給出較小權重或零權重。
圖5展示根據一或多個實施例的用於促進度量衡影像與設計佈局之模擬輔助之對準之系統500的方塊圖。檔案組件501獲得設計佈局502(或其部分)及經量測影像504(亦被稱作「度量衡影像504」)。設計佈局502可表示待印刷於基板上之目標圖案，且度量衡影像504可為自設計佈局502之部分形成於基板上的圖案之影像。度量衡影像504可為SEM影像，其可自圖2之度量衡系統之檢測裝置(諸如SEM)獲得。在一些實施例中，自與目標圖案相關聯之圖形資料庫系統(GDS)多邊形獲得設計佈局502。GDS多邊形可呈選自GDS串流格式(GDSII)及開放式原圖系統互換標準(OASIS)之一或多種格式。在一些實施例中，分別地，設計佈局502相似於設計佈局2030，且度量衡影像504可相似於圖3之影像2010。
在獲得設計佈局502之後，可對設計佈局502執行RET(例如OPC)，其將設計佈局502改變成RET後佈局，諸如圖6之RET後佈局605。圖6展示根據一或多個實施例的RET後設計佈局605之實例。在一些實施例中，RET可變更圖案中之一些且將輔助特徵添加至設計佈局502。
輪廓模擬器506可基於設計佈局502或RET後佈局605而產生經模擬輪廓，諸如圖7之經模擬輪廓705。圖7展示根據一或多個實施例的對應於各種程序條件之經模擬輪廓715之實例。在一些實施例中，輪廓模擬器506可使用至少參考圖4所描述之模擬程序來產生經模擬輪廓705。在一些實施例中，多個程序條件(諸如，微影裝置之透鏡效應(例如，劑量、焦點、透鏡像差或其他條件)、基板上之抗蝕劑之抗蝕劑效應或其他此類程序條件)可對基板上之圖案之形成有影響。因此，輪廓模擬器506可產生用於給定目標圖案之多個經模擬輪廓715，每一經模擬輪廓對應於一不同程序條件。
在一些實施例中，可藉由使度量衡影像504(或自度量衡影像504產生之輪廓)與設計佈局502之所選擇輪廓520對準來使度量衡影像504與設計佈局502對準。在一些實施例中，所選擇輪廓520為對應於特定程序條件(例如，標稱程序條件)的設計佈局502之經模擬輪廓715中之一者。
輪廓分析器508可分析經模擬輪廓715以識別一組「有利」位置510及一組「不利」位置512以用於對準程序。在一些實施例中，該組有利位置510可為在用於對準度量衡影像504與標稱輪廓520時以比在使用標稱輪廓520之其他位置對準時更大的準確度將度量衡影像504與設計佈局502對準的所選擇輪廓520之部分(例如，亦被稱作映射參考物，如至少參看圖3所描述)。舉例而言，當使用標稱輪廓520之該組有利位置510及度量衡影像504之輪廓之對應位置對準度量衡影像504與標稱輪廓520時，可最佳化(例如最小化或最大化)成本函數CF(m)。在一些實施例中，該組「不利」位置512可為待避免用於執行對準之標稱輪廓520之部分，例如，此係因為其傾向於削弱對準之準確度。舉例而言，標稱輪廓520上之該組不利位置512與度量衡影像504之輪廓之對應位置之間的偏差極大，且因此無法產生最佳成本函數CF(m)。
在一些實施例中，輪廓分析器508可基於一或多個準則識別有利或不利的位置，該等準則諸如EPE、程序變化範圍、對稱度或與設計佈局502上之位置相關聯的其他此類態樣。舉例而言，輪廓分析器508可將處於以下情形的彼等位置識別為不利位置512：(a)設計佈局502之經模擬輪廓715之程序變化範圍滿足(例如超過)第一程序變化臨限值；(b)經模擬輪廓715之EPE滿足(例如超過)第一EPE臨限值；(c)經模擬輪廓715係 不對稱的；或(d)一或多個經模擬輪廓715係斷開的。圖8展示根據一或多個實施例的設計佈局之有利位置及不利位置之實例。可將圍封於橢圓框中之位置，諸如位置810至830識別為一組不利位置512。舉例而言，位置810及830處之程序變化範圍(例如多個經模擬輪廓715之間的變化或輪廓715之間的非重疊程度之變化)高於第一程序變化臨限值，或EPE高於第一EPE臨限值，且因此，位置810及830可被識別為不利的位置。在另一實例中，可將位置815識別為不利的位置，此係因為一或多個經模擬輪廓係斷開的。在另一實例中，可將位置825識別為不利的位置，此係因為輪廓在參考點820之兩側上並不對稱地延伸(例如，參考點820可處於位置825中之最外輪廓之間的寬度的一半處)。
在一些實施例中，輪廓分析器508可將處於以下情形的彼等位置識別為不利位置510：(a)設計佈局502之經模擬輪廓715之程序變化範圍滿足(例如低於)第二程序變化臨限值；(b)經模擬輪廓715之EPE滿足(例如低於)第二EPE臨限值；(c)經模擬輪廓715係不對稱的或其他此類準則。在一些實施例中，輪廓分析器508可將圍封於矩形框中之位置，諸如位置805、850及855識別為一組有利位置510。舉例而言，位置805、850及855處之程序變化範圍低於第二程序變化臨限值，或EPE低於第二EPE臨限值，且因此，位置805、850及855可被識別為有利位置。
在一些實施例中，使用者可自訂用於選擇有利位置510或不利位置512之準則。舉例而言，使用者可界定如下準則：即使程序變化不低於第二程序變化臨限值，但輪廓圍繞參考點對稱地延伸，則該參考點可被識別為有利點。因此，可將已經識別為不利位置的位置830識別為有利位置，此係由於輪廓在參考點835之兩側上對稱地延伸。
第一對準器514自輪廓分析器508獲得關於標稱輪廓520及多個位置(例如一有利位置510及一組不利位置512)之資訊，該資訊可用於使度量衡影像504與設計佈局502對準。在獲得該資訊之後，第一對準器514包括該組有利位置510且自可用於執行對準之位置之清單中排除該組不利位置512。第一對準器514可識別標稱輪廓520及度量衡影像504上之該組有利位置510，如圖9中所展示。圖9展示根據一或多個實施例的設計佈局之標稱輪廓上的及度量衡影像上的用於執行對準之一組有利位置。第一對準器514識別一組有利位置510，諸如標稱輪廓520上之位置905a、950a及955a以及度量衡影像504上之對應位置905b、950b及955b。有利位置905a、950a及955a以及905b、950b及955b對應於圖8之有利位置805、850及855。在識別標稱輪廓520及度量衡影像504上之有利位置之後，第一對準器514可執行對準程序，該對準程序使度量衡影像504之有利位置905b、950b及955b與標稱輪廓520之有利位置905a、950a及955a對準，藉此對準度量衡影像504與設計佈局502。
在一些實施例中，可執行另一對準(被稱作「精細」對準)以較好地對準度量衡影像504與標稱輪廓520。輪廓大小調整器524可調整一或多個有利位置處之標稱輪廓520之大小以與度量衡影像504之對應輪廓匹配。圖10展示根據一或多個實施例的調整經模擬輪廓之大小以用於與度量衡影像對準的實例。舉例而言，輪廓大小調整器524可調整有利位置905a及950a處之標稱輪廓520之大小以減小(例如，最小化)在有利位置905a及950a處的標稱輪廓520與度量衡影像504之輪廓之間的偏差，使得標稱輪廓520與度量衡影像504之輪廓之對應有利位置匹配或較好對準。輪廓大小調整器524可分析度量衡影像504以獲得與有利位置905b及950b 以及標稱輪廓520待經調整之方向1005a及1005b處之輪廓相關聯的一或多個量測值。輪廓大小調整器524可相應地調整標稱輪廓520之大小以產生經調整之標稱輪廓530。
第二對準器528可執行對準程序(例如以相似於第一對準器514之方式)以對準度量衡影像504與經調整之標稱輪廓530，藉此相比於第一對準器514以更大準確度對準度量衡影像504與設計佈局502。在一些實施例中，精細對準可為視情況選用之對準程序。舉例而言，在使用第一對準器514將度量衡影像504與設計佈局502對準之後，判定是否滿足對準規格(例如最佳化成本函數)。若滿足對準規格，則可不執行第二對準。若未滿足對準規格，則將度量衡影像504輸入至第二對準器528，該第二對準器執行第二對準以使得滿足對準規格(例如，最小化成本函數)。在一項實例中，成本函數可為EPE，EPE可基於經調整之標稱輪廓530與度量衡影像504之輪廓上的點之間的距離來計算。
在度量衡影像504與設計佈局502對準(例如使用第一對準器514或第二對準器528)之後，自與設計佈局502對準之度量衡影像504判定經圖案化基板之一或多個參數(例如EPE)。可基於該一或多個參數調整設計佈局、RET、圖案化器件或圖案化程序使得可最小化在圖案化程序期間引起之缺陷。
圖11展示根據一或多個實施例的用於促進度量衡影像與設計佈局之模擬輔助之對準之系統1100的方塊圖。在一些實施例中，系統1100相似於圖5之系統500，惟在下文描述的一些差異除外。出於簡潔起見，此處省略相似於系統500之功能性的描述。在標稱輪廓520之後，如至少參看圖5所描述，判定一組有利位置510及一組不利位置512，影像產 生器1105可基於標稱輪廓520而產生經預測或經模擬之度量衡影像1110。第一對準器514可接著藉由對準度量衡影像504與經模擬之度量衡影像1110來對準度量衡影像504與設計佈局502。相似地，輪廓大小調整器524可調整經模擬度量衡影像1110(例如，調整在一或多個有利位置處的經模擬之度量衡影像1110之輪廓的大小)以用於匹配度量衡影像504之輪廓。經調整之經模擬度量衡影像1115可接著經輸入至第二對準器528以用於與度量衡影像504對準。
圖12為根據一或多個實施例的將設計佈局之一部分與自經圖案化基板獲得之度量衡影像對準之方法1200的流程圖。在一些實施例中，方法1200可使用圖5之系統500或圖11之系統1100來實施。在程序P1201中，獲得設計佈局502(或RET後佈局605)、度量衡影像504及作為設計佈局502、圖案化程序或用於產生經圖案化基板之圖案化器件之特性的程序條件1205。
在程序P1202中，執行模擬程序以產生影像1210(例如空中影像、抗蝕劑影像或經蝕刻影像)，該影像包括設計佈局502之多個經模擬輪廓，諸如圖7之經模擬輪廓715。在一些實施例中，每一經模擬輪廓可對應於不同程序條件1205。在一些實施例中，可實質上即時地執行模擬程序(或甚至方法1200)(例如，在判定待由檢測裝置檢測之經圖案化基板之位置後)，且與自檢測裝置獲得度量衡影像504同時地執行模擬程序。
在程序P1203中，可識別與設計佈局502相關聯的數個位置1215以用於執行與度量衡影像之對準。在一些實施例中，經識別位置1215可包括一組「有利」位置510及一組「不利」位置512。在一些實施例中，該組有利位置510可為在用於對準度量衡影像504時以比在使用標 稱輪廓520之其他位置對準時更大的準確度將度量衡影像504與設計佈局502對準的標稱輪廓520之部分(例如經模擬輪廓715中之一者)。在一些實施例中，該組「不利」位置512可為待避免用於執行對準之標稱輪廓520之部分，此係因為其在對準度量衡影像504與設計佈局502時提供較小準確度或無準確度。
在程序P1204中，執行對準程序以對準度量衡影像504與設計佈局502。在一些實施例中，可藉由使度量衡影像504(或自度量衡影像504產生之輪廓)與設計佈局502之標稱輪廓520對準來使度量衡影像504與設計佈局502對準。對準程序可使用除該組不利位置512之外的位置來對準度量衡影像504與標稱輪廓520。舉例而言，對準程序可使用該組有利位置510來對準度量衡影像504與標稱輪廓520。在一些實施例中，對準程序可執行第二對準，例如以較好地對準度量衡影像504與設計佈局502。舉例而言，在第二對準中，可在有利位置中之一或多者處調整標稱輪廓520(例如，調整標稱輪廓520之大小)以匹配度量衡影像504之對應輪廓，且度量衡影像504可接著與經調整標稱輪廓530對準以獲得比第一對準具有更大準確度之對準。在一些實施例中，如至少參看圖11所描述，對準程序可使用經模擬度量衡影像來對準度量衡影像504與設計佈局。舉例而言，對準程序可藉由對準度量衡影像504與經模擬度量衡影像1110來對準度量衡影像504與設計佈局502。輪廓大小調整器524可調整經模擬度量衡影像1110(例如，調整在一或多個有利位置處的經模擬度量衡影像1110之輪廓的大小)以用於匹配度量衡影像504之輪廓。經調整之經模擬度量衡影像1115可接著經輸入至第二對準程序以用於執行與度量衡影像504之精細對準。
在執行對準程序之後，自與設計佈局502對準之度量衡影像504判定經圖案化基板之一或多個參數(例如EPE)。可基於該等參數而調整設計佈局、RET、圖案化器件及/或圖案化程序。
圖13為說明可輔助實施本文中所揭示之方法、流程、組件、模組、系統或裝置的電腦系統100之方塊圖。電腦系統100包括用於傳達資訊之匯流排102或其他通信機構，及與匯流排102耦接以用於處理資訊之一處理器104(或多個處理器104及105)。電腦系統100亦包括耦接至匯流排102以用於儲存待由處理器104執行之資訊及指令的主記憶體106，諸如，隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體106亦可用於在待由處理器104執行之指令之執行期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統100進一步包括耦接至匯流排102以用於儲存用於處理器104之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM)108或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件110，且儲存器件110耦接至匯流排102以用於儲存資訊及指令。
電腦系統100可經由匯流排102而耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器112，諸如，陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入器件114耦接至匯流排102以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器104。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器104且用於控制顯示器112上之游標移動的游標控制件116，諸如，滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入器件通常具有在兩個軸線(第一軸線(例如x)及第二軸線(例如y))中之兩個自由度，其允許該器件指定在一平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可被用作輸入器件。
根據一項實施例，可由電腦系統100回應於處理器104執行主記憶體106中含有的一或多個指令之一或多個序列而執行本文中之程序之部分。可將此類指令自另一電腦可讀媒體(諸如儲存器件110)讀取至主記憶體106中。主記憶體106中所含有之指令序列之執行致使處理器104執行本文中所描述之程序步驟。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用以執行主記憶體106中含有之指令序列。在一替代實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路系統。因此，本文之描述不限於硬體電路系統及軟體之任何特定組合。
本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器104以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括(例如)光碟或磁碟，諸如，儲存器件110。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體106。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，其包括包含匯流排102之電線。傳輸媒體亦可採用聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括(例如)軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。
可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器104以供執行時涉及電腦可讀媒體之各種形式。舉例而言，最初可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統100本端之數據機可接收電 話線上之資料，且使用紅外線傳輸器以將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排102之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排102上。匯流排102將資料攜載至主記憶體106，處理器104自該主記憶體擷取及執行指令。由主記憶體106接收之指令可視情況在由處理器104執行之前或之後儲存於儲存器件110上。
電腦系統100亦可包括耦接至匯流排102之通信介面118。通信介面118提供對網路鏈路120之雙向資料通信耦合，網路鏈路120連接至區域網路122。舉例而言，通信介面118可為整合式服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供至對應類型之電話線的資料通信連接。作為另一實例，通信介面118可為區域網路(LAN)卡以提供對相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施中，通信介面118發送且接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光信號。
網路鏈路120通常經由一或多個網路而向其他資料器件提供資料通信。舉例而言，網路鏈路120可經由區域網路122而向主機電腦124或向由網際網路服務提供者(ISP)126操作之資料設備提供連接。ISP 126又經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」)128而提供資料通信服務。區域網路122及網際網路128兩者皆使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路120上且經由通信介面118之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統100及自電腦系統100攜載數位資料)為輸送資訊的載波之例示性形式。
電腦系統100可經由網路、網路鏈路120及通信介面118而發送訊息且接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，伺服器130可能 經由網際網路128、ISP 126、區域網路122及通信介面118而傳輸用於應用程式之經請求程式碼。舉例而言，一個此類經下載應用程式可提供如本文中所描述之方法。所接收程式碼可在其被接收時由處理器104執行，及/或儲存於儲存器件110或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統100可獲得呈載波之形式的應用程式碼。
儘管在本文中可特定參考在用以檢測或量測與例如光學微影及/或IC製造相關聯之物品的度量衡或檢測裝置之內容背景中對實施例的使用，但應瞭解，本文所描述之方法及裝置可用於其他應用中，例如，壓印微影、整合式光學系統之使用或製造、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案的使用或製造、平板顯示器之使用或製造、液晶顯示器(LCD)之使用或製造、薄膜磁頭之使用或製造等。
可在曝光/圖案化之前或之後在例如塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經圖案化/經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此類及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，例如，以便產生多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層或未處理層之基板。
儘管上文可已特定地參考在光學微影之內容背景中之本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如壓印微影)中，且在內容背景允許的情況下不限於光學微影。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有小於約400nm且大於約20nm或為約365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)、 極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5nm至20nm之範圍內之波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及/或靜電光學組件。
雖然上文已描述特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，一實施例可採取以下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或非暫時性資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式；或其中具有此電腦程式之暫時媒體。另外，可以兩個或多於兩個電腦程式來體現機器可讀指令。可將該兩個或多於兩個電腦程式儲存於一或多個不同資料儲存媒體上。
出於清楚起見，圖式中之組件的相對尺寸可被誇示。在圖式描述內，相同或類似參考數字係指相同或類似組件或實體，且僅描述關於個別實施例之差異。如本文中所使用，除非另外特定陳述，否則術語「或」涵蓋所有可能組合，除非不可行。舉例而言，若陳述組件可包括A或B，則除非另外特定陳述或不可行，否則組件可包括A，或B，或A及B。作為第二實例，若陳述組件可包括A、B或C，則除非另外特定陳述或不可行，否則組件可包括A，或B，或C，或A及B，或A及C，或B及C，或A及B及C。
應瞭解，本發明之實施例不限於已在上文所描述及在隨附圖式中所說明之確切構造，且可在不脫離本發明之範疇的情況下作出各種修改及改變。本發明已結合各種實施例進行了描述，藉由考慮本文中所揭 示之本發明之規格及實踐，本發明之其他實施例對於熟習此項技術者將為顯而易見的。意欲本說明書及實例僅被視為例示性的，其中本發明之真正範疇及精神藉由以下申請專利範圍指示。
可藉由以下條項進一步描述本發明之實施例。
1.一種具有指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時致使該電腦執行用於將印刷於一基板上之一圖案之一經量測影像與一設計佈局對準之一方法，該方法包含：獲得待印刷於一基板上之一圖案之一設計佈局及印刷於該基板上之該圖案之一經量測影像；執行一模擬程序以針對一圖案化程序之複數個程序條件產生該設計佈局之經模擬輪廓；基於該等經模擬輪廓而識別一組不利的位置；及使用除該組不利位置之外的位置來執行一影像對準程序以對準該經量測影像與該等經模擬輪廓之一所選擇輪廓。
2.如條項1之電腦可讀媒體，其進一步包含：基於該影像對準程序判定與該經量測影像相關聯之一參數，及基於該參數而調整該設計佈局、具有該設計佈局之一圖案化器件或該圖案化程序中之至少一者。
3.如條項1之電腦可讀媒體，其中執行該模擬程序包括：針對一不同程序條件產生該等經模擬輪廓中之每一者。
4.如條項3之電腦可讀媒體，其中該等程序條件中之每一者包括用以將該圖案印刷於該基板上之一裝置之一透鏡效應或一抗蝕劑對該基板之一抗蝕劑效應中的一或多者。
5.如條項1之電腦可讀媒體，其中執行該模擬程序包括：藉由對該設計佈局執行一最佳近接校正程序而獲得一光罩設計佈局，及基於該設計佈局及該光罩設計佈局產生該等經模擬輪廓。
6.如條項1之電腦可讀媒體，其中該所選擇輪廓對應於一標稱程序條件。
7.如條項1之電腦可讀媒體，其中識別該組不利位置包括：基於以下各者將該等經模擬輪廓上之一位置識別為一不利位置：(a)該位置與該經量測影像之一輪廓上之一對應位置之間的一偏差超過一第一臨限值；(b)該位置處之一程序條件變化超過一第二臨限值；(c)該等經模擬輪廓在該位置處係不對稱的一判定；或(d)該等經模擬輪廓中之一或多者在該位置處斷開的一判定。
8.如條項1之電腦可讀媒體，其中該方法進一步包含：基於以下各者識別該等經模擬輪廓上之一組有利位置：(a)該等經模擬輪廓上之一位置與該經量測影像之一輪廓上之對應位置之間的一偏差滿足一第三臨限值；(b)該位置處之一程序條件變化滿足一第四臨限值；或(c)該等經模擬輪廓在該位置處係對稱的一判定，且其中執行該影像對準程序包括：在該等經模擬輪廓上之複數個位置處在該經量測影像與該所選擇輪廓之間執行該影像對準程序，其中該複數個位置包括該組有利位置。
9.如條項8之電腦可讀媒體，其中執行該影像對準程序包括：自用於該影像對準程序之該複數個位置排除該組不利位置。
10.如條項1之電腦可讀媒體，其進一步包含： 執行一量測以獲得一組有利位置處的該所選擇輪廓與該經量測影像之一輪廓之間的一偏差，及調整該組有利位置處之該所選擇輪廓以減小該偏差，其中該調整產生一經調整之所選擇輪廓。
11.如條項10之電腦可讀媒體，其進一步包含：在該組有利位置處在該經量測影像與該經調整之所選擇輪廓之間執行該影像對準程序。
12.如條項10之電腦可讀媒體，其進一步包含：執行一模擬程序以自該經調整之所選擇輪廓產生一經預測之經量測影像，及在該組有利位置處在該經量測影像與該經預測之經量測影像之間執行該影像對準程序。
13.如條項1之電腦可讀媒體，其進一步包含：執行一模擬程序以自該所選擇輪廓產生一經預測之經量測影像，及在一組有利位置處在該經量測影像與該經預測之經量測影像之間執行該影像對準程序。
14.如條項13之電腦可讀媒體，其進一步包含：調整該經預測之經量測影像以減小該組有利位置處的該經預測之經量測影像之一輪廓與該經量測影像之一輪廓之間的一偏差，其中該調整產生一經調整之經預測之經量測影像，及在該組有利位置處在該經量測影像與該經調整之經預測之經量測影像之間執行該影像對準程序。
15.如條項1之電腦可讀媒體，其中該經量測影像係使用一影像捕捉 器件來獲得。
16.一種具有指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時致使該電腦執行用於將印刷於一基板上之一圖案之一經量測影像與一設計佈局對準之一方法，該方法包含：獲得待印刷於一基板上之一圖案之一設計佈局及印刷於該基板上之該圖案之一經量測影像；執行一模擬程序以針對一圖案化程序之複數個程序條件產生該設計佈局之經模擬結果；基於該等經模擬結果而識別一組不利的位置；及藉由使用除該組不利位置之外的位置使該經量測影像與該等經模擬結果之一所選擇結果對準而在該經量測影像與該設計佈局之間執行一影像對準程序。
17.如條項16之電腦可讀媒體，其中該等經模擬結果包括該設計佈局之經模擬輪廓。
18.如條項16之電腦可讀媒體，其中該所選擇結果為該設計佈局之對應於一標稱程序條件的一所選擇輪廓。
19.如條項16之電腦可讀媒體，其中該方法進一步包括：執行一模擬程序以自該所選擇結果產生一經預測之經量測影像，且其中執行該影像對準程序包括使用一組有利位置處之位置使該經量測影像與該經預測之經量測影像對準，該組有利位置排除該組不利位置。
20.如條項19之電腦可讀媒體，其進一步包含：調整該經預測之經量測影像以減小該組有利位置處的該經預測之經量測影像之一輪廓與該經量測影像之一輪廓之間的一偏差，其中該調整產 生一經調整之經預測之經量測影像，及在該組有利位置處在該經量測影像與該經調整之經預測之經量測影像之間執行該影像對準程序。
21.一種具有指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時致使該電腦執行用於將印刷於一基板上之一圖案之一經量測影像與一設計佈局對準之一方法，該方法包含：獲得待印刷於一基板上之一圖案之一設計佈局及印刷於該基板上之該圖案之一經量測影像；執行一模擬程序以針對一圖案化程序之複數個程序條件產生該設計佈局之經模擬輪廓；基於該等經模擬輪廓而識別一組不利的位置；執行一模擬程序以自該等經模擬輪廓之一所選擇輪廓產生一經預測之經量測影像；及使用除該組不利位置之外的位置來執行一影像對準程序以對準該經量測影像與該經預測之經量測影像。
22.如條項21之電腦可讀媒體，其進一步包含：調整該所選擇輪廓以用於減小一組有利位置處的該所選擇輪廓與該經量測影像之一輪廓之間的一偏差，其中該調整產生一經調整之經預測之經量測影像。
23.如條項22之電腦可讀媒體，其進一步包含：在該組有利位置處在該經量測影像與該經調整之經預測之經量測影像之間執行該影像對準程序。
24.一種用於將印刷於一基板上之一圖案之一經量測影像與一設計 佈局對準之方法，該方法包含：獲得待印刷於一基板上之一圖案之一設計佈局及印刷於該基板上之該圖案之一經量測影像；執行一模擬程序以針對一圖案化程序之複數個程序條件產生該設計佈局之經模擬輪廓；基於該等經模擬輪廓而識別一組不利的位置；及使用除該組不利位置之外的位置來執行一影像對準程序以對準該經量測影像與該等經模擬輪廓之一所選擇輪廓。
25.如條項24之方法，其中執行該模擬程序包括：針對一不同程序條件產生該等經模擬輪廓中之每一者。
26.如條項25之方法，其中該等程序條件中之一程序條件包括用以將該圖案印刷於該基板上之一裝置之透鏡效應或該基板上之一抗蝕劑效應中的一或多者。
27.如條項24之方法，其中執行該模擬程序包括：對該設計佈局執行一最佳近接校正程序以產生一經校正設計佈局；及產生該經校正設計佈局之該等經模擬輪廓。
28.如條項24之方法，其中執行該影像對準程序包括：將該等經模擬輪廓中之對應於一指定程序條件之一經模擬輪廓識別為該所選擇輪廓。
29.如條項24之方法，其中識別該組不利位置包括：基於以下各者將該等經模擬輪廓上之一位置識別為一不利位置：(a)該位置與該經量測影像之一輪廓上之一對應位置之間的一偏差超過一第一 臨限值；(b)該位置處之一程序條件變化超過一第二臨限值；(c)該等經模擬輪廓在該位置處係不對稱的一判定；或(d)該等經模擬輪廓中之一或多者在該位置處斷開的一判定。
30.如條項24之方法，其中該方法進一步包括：基於以下各者識別該等經模擬輪廓上之一組有利位置：(a)該等經模擬輪廓上之一位置與該經量測影像之一輪廓上之對應位置之間的一偏差滿足一第三臨限值；(b)該位置處之一程序條件變化滿足一第四臨限值；或(c)該等經模擬輪廓在該位置處係對稱的一判定，且其中執行該影像對準程序包括：在該等經模擬輪廓上之複數個位置處在該經量測影像與該所選擇輪廓之間執行該影像對準程序，其中該複數個位置包括該組有利位置。
31.如條項30之方法，其中執行該影像對準程序包括：自用於該影像對準程序之該複數個位置排除該組不利位置。
32.如條項24之方法，其進一步包含：執行一量測以獲得一組有利位置處的該所選擇輪廓與該經量測影像之一輪廓之間的一偏差，及調整該組有利位置處之該所選擇輪廓以減小該偏差，其中該調整產生一經調整之所選擇輪廓。
33.如條項32之方法，其進一步包含：在該組有利位置處在該經量測影像與該經調整之所選擇輪廓之間執行該影像對準程序。
34.如條項32之方法，其進一步包含：執行一模擬程序以自該經調整之所選擇輪廓產生一經預測之經量測 影像，及在該組有利位置處在該經量測影像與該經預測之經量測影像之間執行該影像對準程序。
35.如條項24之方法，其進一步包含：執行一模擬程序以自該所選擇輪廓產生一經預測之經量測影像，及在一組有利位置處在該經量測影像與該經預測之經量測影像之間執行該影像對準程序。
36.如條項35之方法，其進一步包含：調整該經預測之經量測影像以減小該組有利位置處的該經預測之經量測影像之一輪廓與該經量測影像之一輪廓之間的一偏差，其中該調整產生一經調整之經預測之經量測影像，及在該組有利位置處在該經量測影像與該經調整之經預測之經量測影像之間執行該影像對準程序。
37.如條項24之方法，其中使用一影像捕捉器件來獲得該經量測影像。
38.一種裝置，其包含：一記憶體，其儲存一指令集；及至少一個處理器，其經組態以執行該指令集以致使該裝置執行如條項24至37中任一項中所描述之一方法。
39.一種檢測系統，其包含：一影像捕捉系統；一記憶體，其儲存一指令集；及至少一個處理器，其經組態以執行該指令集以致使該裝置執行如條 項24至37中任一項中所描述之一方法。
以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
504:經量測影像/度量衡影像
520:標稱輪廓/所選擇輪廓
905a:有利位置
905b:有利位置
950a:有利位置
950b:有利位置
955a:有利位置
955b:有利位置

Claims (15)

  1. 一種具有指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時致使該電腦執行用於將印刷於一基板上之一圖案之一經量測影像與一設計佈局對準之一方法，該方法包含：獲得待印刷於一基板上之一圖案之一設計佈局及印刷於該基板上之該圖案之一經量測影像；執行一模擬程序以針對一圖案化程序之複數個程序條件(process conditions)產生該設計佈局之經模擬輪廓；基於該等經模擬輪廓而識別一組不利的位置(disfavored locations)；使用除該組不利位置之外的位置來執行一影像對準程序以對準該經量測影像與該等經模擬輪廓之一所選擇輪廓；執行一量測以獲得一組有利位置處的該所選擇輪廓與該經量測影像之一輪廓之間的一偏差；及調整該組有利位置處之該所選擇輪廓以減小該偏差，其中該調整產生一經調整之所選擇輪廓。
  2. 如請求項1之電腦可讀媒體，其進一步包含：基於該影像對準程序判定與該經量測影像相關聯之一參數，及基於該參數而調整該設計佈局、具有該設計佈局之一圖案化器件或該圖案化程序中之至少一者。
  3. 如請求項1之電腦可讀媒體，其中執行該模擬程序包括： 針對一不同程序條件產生該等經模擬輪廓中之每一者。
  4. 如請求項3之電腦可讀媒體，其中該等程序條件中之每一者包括用以將該圖案印刷於該基板上之一裝置之一透鏡效應及該基板上之一抗蝕劑之一抗蝕劑效應中的一或多者。
  5. 如請求項1之電腦可讀媒體，其中執行該模擬程序包括：藉由對該設計佈局執行一最佳近接校正程序而獲得一光罩設計佈局，及基於該設計佈局及該光罩設計佈局產生該等經模擬輪廓。
  6. 如請求項1之電腦可讀媒體，其中該所選擇輪廓對應於一標稱程序條件。
  7. 如請求項1之電腦可讀媒體，其中識別該組不利位置包括：基於以下各者將該等經模擬輪廓上之一位置識別為一不利位置：(a)該位置與該經量測影像之一輪廓上之一對應位置之間的一偏差超過一第一臨限值；(b)該位置處之一程序條件變化超過一第二臨限值；(c)該等經模擬輪廓在該位置處係不對稱的一判定；或(d)該等經模擬輪廓中之一或多者在該位置處斷開的一判定。
  8. 如請求項1之電腦可讀媒體，其中該方法進一步包含：基於以下各者識別該等經模擬輪廓上之一組有利位置：(a)該等經模 擬輪廓上之一位置與該經量測影像之一輪廓上之對應位置之間的一偏差滿足一第三臨限值；(b)該位置處之一程序條件變化滿足一第四臨限值；或(c)該等經模擬輪廓在該位置處係對稱的一判定，且其中執行該影像對準程序包括：在該等經模擬輪廓上之複數個位置處在該經量測影像與該所選擇輪廓之間執行該影像對準程序，其中該複數個位置包括該組有利位置。
  9. 如請求項8之電腦可讀媒體，其中執行該影像對準程序包括：自用於該影像對準程序之該複數個位置排除該組不利位置。
  10. 如請求項1之電腦可讀媒體，其進一步包含：在該組有利位置處在該經量測影像與該經調整之所選擇輪廓之間執行該影像對準程序。
  11. 如請求項1之電腦可讀媒體，其進一步包含：執行一模擬程序以自該經調整之所選擇輪廓產生一經預測之經量測影像，及在該組有利位置處在該經量測影像與該經預測之經量測影像之間執行該影像對準程序。
  12. 如請求項1之電腦可讀媒體，其中該經量測影像係使用一影像捕捉器件來獲得。
  13. 一種具有指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時致使該電腦執行用於將印刷於一基板上之一圖案之一經量測影像與一設計佈局對準之一方法，該方法包含：獲得待印刷於一基板上之一圖案之一設計佈局及印刷於該基板上之該圖案之一經量測影像；執行一模擬程序以針對一圖案化程序之複數個程序條件產生該設計佈局之經模擬輪廓；基於該等經模擬輪廓而識別一組不利的位置；使用除該組不利位置之外的位置來執行一影像對準程序以對準該經量測影像與該等經模擬輪廓之一所選擇輪廓；執行一模擬程序以自該所選擇輪廓產生一經預測之經量測影像，及在一組有利位置處在該經量測影像與該經預測之經量測影像之間執行該影像對準程序。
  14. 如請求項13之電腦可讀媒體，其進一步包含：調整該經預測之經量測影像以減小該組有利位置處的該經預測之經量測影像之一輪廓與該經量測影像之一輪廓之間的一偏差，其中該調整產生一經調整之經預測之經量測影像，及在該組有利位置處在該經量測影像與該經調整之經預測之經量測影像之間執行該影像對準程序。
  15. 一種用於測量圖案的裝置，其包含：一記憶體，其儲存一指令集；及 至少一個處理器，其經組態以執行該指令集以致使該裝置執行如下一方法：獲得待印刷於一基板上之一圖案之一設計佈局及印刷於該基板上之該圖案之一經量測影像；執行一模擬程序以針對一圖案化程序之複數個程序條件產生該設計佈局之經模擬輪廓；基於該等經模擬輪廓而識別一組不利的位置；使用除該組不利位置之外的位置來執行一影像對準程序以對準該經量測影像與該等經模擬輪廓之一所選擇輪廓；執行一量測以獲得一組有利位置處的該所選擇輪廓與該經量測影像之一輪廓之間的一偏差，及調整該組有利位置處之該所選擇輪廓以減小該偏差，其中該調整產生一經調整之所選擇輪廓。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080183323A1 (en) * 2007-01-25 2008-07-31 Ovadya Menadeva System, method and computer program product for evaluating an actual structural element of an eletrical circuit
TW202001446A (zh) * 2018-06-04 2020-01-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 藉由模型基礎對準改良邊緣置放(ep)度量衡精準度
US20200089122A1 (en) * 2016-12-28 2020-03-19 Asml Netherlands B.V. Simulation-assisted alignment between metrology image and design

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7587704B2 (en) 2005-09-09 2009-09-08 Brion Technologies, Inc. System and method for mask verification using an individual mask error model

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080183323A1 (en) * 2007-01-25 2008-07-31 Ovadya Menadeva System, method and computer program product for evaluating an actual structural element of an eletrical circuit
US20200089122A1 (en) * 2016-12-28 2020-03-19 Asml Netherlands B.V. Simulation-assisted alignment between metrology image and design
TW202001446A (zh) * 2018-06-04 2020-01-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 藉由模型基礎對準改良邊緣置放(ep)度量衡精準度

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