CN111868634B

CN111868634B - 用于加速抗蚀剂和蚀刻模型校准的实时调节方法

Info

Publication number: CN111868634B
Application number: CN201980019992.3A
Authority: CN
Inventors: 石洪菲; 王进泽; 阳鹏程; 王磊; 冯牧
Original assignee: ASML Holding NV
Current assignee: ASML Holding NV
Priority date: 2018-03-20
Filing date: 2019-03-07
Publication date: 2023-06-09
Anticipated expiration: 2039-03-07
Also published as: TWI720439B; TW201940958A; KR102481745B1; KR20200123463A; WO2019179782A1; CN111868634A; US11314172B2; US20210048751A1

Abstract

本公开涉及一种用于加速制作过程模型的校准的方法，该方法包括执行以下的一次或更多次迭代：定义一个或更多个制作过程模型项；接收与所述一个或更多个制作过程模型项有关的预先确定的信息；基于所述预先确定的信息生成制作过程模型，所述制作过程模型被配置为生成与量测测规有关的一个或更多个预测；确定与测规的尺寸有关的预测是否在于制作过程后的晶片上测量的测规的预先确定的阈值之内；以及响应于预测未突破预先确定的阈值，优化一个或更多个制作过程项，使得与测规的尺寸有关的预测在制作过程后的晶片上测量的测规的预先确定的阈值之内。

Description

用于加速抗蚀剂和蚀刻模型校准的实时调节方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年3月20日提交的美国申请62/645,756的优先权，该申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及用于加速抗蚀剂和蚀刻模型校准的实时调节方法。

背景技术

光刻设备可例如用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，掩模可以包含与IC的单个层相对应的电路图案，并且该图案可以成像到已涂覆有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多个管芯)上。通常，单个晶片将包含相邻目标部分的整个网络，这些目标部分经由投影系统被一次一个地相继辐照。

在使用光刻投影设备的制造过程中，将掩模图案成像到至少部分地被辐射敏感材料(抗蚀剂)层覆盖的衬底上。在该成像步骤之前，可以对衬底进行各种工序，诸如底涂、抗蚀剂涂覆和软焙烤。曝光后，可以对衬底进行其他工序，诸如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤以及成像特征的测量/检查。该工序阵列用作图案化器件(例如IC)的单个层的基础。然后，这种图案化的层可以经历各种过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有这些都旨在完成单个层。如果需要多个层，则需对每个新的层重复整个工序或其变体。最终，器件阵列将出现在衬底(晶片)上。然后通过诸如切割或锯切的技术将这些器件彼此分开，从而可以将单个器件安装在载体上，连接到引脚等。

随着半导体制造过程的不断发展，电路元件的尺寸不断减小，而每个器件的功能元件(诸如晶体管)的数量已经稳定地增加了数十年，遵循通常被称为“摩尔定律”的趋势。为了确保根据给定目标电路设计的要求在半导体衬底上生成特征，需要使用复杂的数值模型来预测邻近效应，并且需要在成功制造高端器件变得可行之前将校正或预变形施加于掩模的设计。在典型的高端设计中，几乎每个特征边缘都需要进行一些修改，以实现与目标设计足够接近的印制图案。这些修改可包括边缘位置或线宽的偏移或偏置以及“亚分辨率辅助”特征的应用，这些特征不旨在其自身被印制，而是会影响相关联的主要特征的性能。

考虑到芯片设计中典型地存在的数百万个特征，将基于模型的OPC应用于目标设计需要良好的过程模型和大量的计算资源。OPC本质上是一个非常大的优化问题。在一般情况下，没有封闭形式的解决方案可以解决此问题，OPC供应商使用近似、迭代过程，其无法始终解决布局上所有可能的弱点。

OPC需要精确描述光刻过程的鲁棒的模型。因此需要用于这种光刻模型的校准工序，其在整个过程窗口中提供有效、鲁棒和准确的模型。当前，使用具有晶片测量结果的一定数量的一维和/或二维测规图案来完成校准。更具体地说，这些一维测规图案包括但不限于节距和CD变化的线间距图案、隔离线、多条线等，而二维测规图案典型地包括线端、触点、以及随机选择的SRAM(静态随机存取存储器)图案。本领域技术人员将理解，本公开足够通用以适应任何类型的图案。然后将这些图案成像到晶片上，并测量所得的晶片CD和/或接触能。然后，将原始测规图案及其晶片测量结果一起用于确定模型参数，从而将模型预测与晶片测量结果之间的差异最小化。

在当前实践中，抗蚀剂模型校准任务包括抗蚀剂模板选择和模型微调节。抗蚀剂模板包括适用于特定图案和过程的抗蚀剂项。由于存在巨大的参数空间，模板选择的持续时间可能包括在标识最佳模板之前的延长时间段。另外，由于用于抗蚀剂项调节的迭代过程，模型调节可能提供甚至更大的时间负担(例如，一天或更多天)。此外，由于计算量很大，因此将校准任务打包为单独的作业，然后提交给服务器群集。抗蚀剂校准作业需要在生成抗蚀剂模型并核查模型的性能之前计算抗蚀剂项信号。信号计算可能很耗时。抗蚀剂信号计算的时间负担随测规数量线性增加，并且作业可能不会彼此共享信号。同一信号在校准循环中可能已经计算了很多次。另外，依赖于网络通信，将作业提交到服务器可能需要较长的时间。这种缺点可能会导致抗蚀剂模板选择的运行时间较长、以及抗蚀剂模型的微调节的周转时间较长。因此，需要解决典型的方法的这些和其他缺点。

发明内容

本公开在可能与上述问题等有关的抗蚀剂和蚀刻模型校准的领域中提供了许多创新。在一实施例中，本文所述的方法可以提供一种校准抗蚀剂和/或蚀刻模型的方法，其中在合理的运行时间和存储空间中对抗蚀剂和/或蚀刻参数空间进行采样。

尽管依据抗蚀剂模型进行了论述，但是各种实施例可以发现来自各种模型的参数的应用，包括蚀刻模型和/或其他模型。

本公开的实施例描述了一种用于加速制作过程模型的校准的方法，所述方法包括执行以下操作的一次或更多次迭代，直到由所述制作过程模型进行的与量测测规的尺寸有关的预测在制作过程后的晶片上测量的量测测规的预先确定的阈值之内：定义一个或更多个制作过程模型项；接收与所述一个或更多个制作过程模型项有关的预先确定的信息；基于所述预先确定的信息生成制作过程模型，所述制作过程模型被配置为生成与量测测规有关的一个或更多个预测；和确定与量测测规的尺寸有关的预测是否在于制作过程后的晶片上测量的测规的预先确定的阈值之内。

在考虑以下描述和所附权利要求并参考附图之后，本公开的这些和其他目的、特征和特性、以及结构的相关元件的操作方法和功能、以及制造的部分和经济性的结合将变得更加清楚，所有这些均构成本说明书的一部分，其中，相似的附图标记表示各个附图中的相应部分。然而，应当明确地理解，附图仅出于说明和描述的目的，并且不旨在作为对本公开的限制的定义。

附图说明

图1是根据一个或更多个实施例的示例性光刻设备的示意图；

图2是根据一个或更多个实施例的示例性光刻单元或簇的示意图；

图3是示出根据一个或更多个实施例的加速抗蚀剂模型校准的示例方法的流程图；和

图4是可以在其中实施实施例的示例计算机系统的框图。

具体实施方式

在详细地描述实施例之前，有益的是提出一个可以实施实施例的示例性环境。

图1是根据一个或更多个实施例的示例性光刻设备的示意图。该设备可以包括：

-照射系统(照射器)IL，被配置为调节辐射束B(例如，DUV辐射或EUV辐射)；

-支撑结构(例如，掩模台)MT，被构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并被连接到被配置成根据某些参数准确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM；

-衬底台(例如，晶片台)WTa，被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并被连接到被配置成根据某些参数准确地定位衬底W的第二定位器PW；和

-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，被配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，用以引导、成形、或控制辐射。

在一个实施例中，所述图案形成装置支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如例如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述图案形成装置支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述图案形成装置支撑结构可以确保图案形成装置位于期望的位置上(例如相对于投影系统)。可认为本发明中使用的任何术语“掩模版”或“掩模”皆与更上位的术语“图案形成装置”同义。

本文使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，赋予辐射束的图案可能不完全对应于衬底的目标部分中的期望的图案，例如，如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件(诸如，集成电路)中的特定的功能层相对应。

图案形成装置可以是透射式或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且可包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。倾斜的反射镜可将图案赋予由反射镜矩阵反射的辐射束。

本文使用的术语“投影系统”应该被广义地理解为包括但不限于适合于所使用的曝光辐射或者其他因素(诸如使用浸没液体或使用真空)的任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统，或它们的任何组合。本文使用的任何术语“投影透镜”可以被认为与更上位的术语“投影系统”同义。

如本文所描绘，所述设备是透射型的(例如采用透射式掩模)。可替代地，该设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射掩模)。

光刻设备可以是具有两个(双平台)或更多个台(例如，两个或更多个衬底台，两个或更多个图案形成装置支撑结构，或者衬底台和量测台)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于图案转印。

光刻设备也可为如下类型：其中衬底的至少一部分可由具有相对高折射率的液体(例如，水)覆盖，以填充投影系统与衬底之间的空间。也可将浸没液体施加至光刻设备中的其他空间，例如，掩模与投影系统之间的空间。在本领域中公知浸没技术用于增加投影系统的数值孔径。本文使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底的结构必须浸没在液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。

参考图1，照射器IL可以接收来自辐射源SO的辐射束。例如，当源为准分子激光器时，所述源和光刻设备可以是分离的实体。在这种情况下，所述源不被看成是构成了光刻设备的一部分，辐射束借助于包括(例如)合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助从源SO传递至照射器IL。然而，在其他情况下，例如，当源为汞灯时，源可以是光刻设备的组成部分。源SO和照射器IL以及束传递系统BD(如果需要的话)可被称作辐射系统。

照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。另外，照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束，从而使得该束在其横截面中具有所期望的均匀性和强度分布。

在一个实施例中，辐射束B入射到被保持在图案形成装置支撑件(例如，掩模台MT)上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且被图案形成装置图案化。辐射束B横穿图案形成装置(例如，掩模)MA后，辐射束B传递通过投影系统PS，投影系统PS将束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW及位置传感器IF(例如，干涉量测装置、线性编码器、2D编码器或电容传感器)，可准确地移动衬底台WTa，例如，以将不同的目标部分C定位于辐射束B的路径中。类似地，第一定位器PM及另一位置传感器(其未在图1中被明确地描绘出)可被用于(例如在掩模库的机械获取后或在扫描期间)相对于辐射束B的路径来准确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。通常，图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT的移动可借助于长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现，长行程模块和短行程模块构成第一定位器PM的一部分。类似地，可以使用长行程模块和短行程模块来实现衬底台WTa的移动，所述长行程模块和短行程模块构成第二定位器PW的一部分。在步进器的情况下(与扫描器相反)，图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT可以仅连接到短行程致动器，或者可以是固定的。

可以使用掩模对准标记Ml、M2及衬底对准标记PI、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。尽管所图示的衬底对准标记占据专用目标部分，但所述衬底对准标记可位于目标部分之间的空间中(这些衬底对准标记被称为划线对准标记)。相似地，在多于一个管芯设置于图案形成装置(例如，掩模)MA上的情形中，掩模对准标记可位于所述管芯之间。小的对准标识也可被包括于管芯内，位于器件特征之中，在这种情况下，可能期望使标识尽可能小且无需与相邻特征不同的任何图案化或其他过程条件。下文中进一步描述检测对准标识的对准系统的示例性实施例。

所描绘的设备可以用于下列模式中的至少一种：

-在步进模式中，在将图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT和衬底台WTa保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(例如，单一的静态曝光)。然后可将所述衬底台WTa沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同的目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。

-在扫描模式中，在对图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT和衬底台WTa同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(例如，单一的动态曝光)。衬底台WTa相对于图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT的速度和方向可以通过投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单个动态曝光中目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度决定了目标部分(在扫描方向上)的高度。

-在另一模式中，图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT保持为基本静止地保持可编程图案形成装置，并且在对所述衬底台WTa进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WTa的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(诸如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

光刻设备LA是所谓的双平台型，其具有两个台WTa、WTb(例如两个衬底台)和两个站-曝光站和测量站，在所述两个站之间所述台可被交换。例如，在曝光站处曝光一个台上的衬底的同时，可在测量站处将另一衬底装载至另一衬底台上且进行各种预备步骤。预备步骤可包括使用水平传感器LS来映射衬底的表面控制，和使用对准传感器AS来测量衬底上的对准标识的位置，这两种传感器均由参考框架RF支撑。如果位置传感器IF在所述台位于测量站和曝光站处时不能测量台的位置，则可以提供第二位置传感器以能够在两个站处追踪台的位置。作为另一示例，当在一个台上的衬底在曝光站处曝光时，没有衬底的另一台在测量台处等待(可选地在该处可能发生测量活动)。这一另一台具有一个或更多个测量装置，并且可以可选地具有其他工具(例如，清洁设备)。当衬底已完成曝光后，没有衬底的台移动到曝光站执行例如测量，装有衬底的台移动到卸载衬底并加载另一衬底的部位(例如测量站)。这些多台布置能够显著提高设备的产量。

图2是根据一个或更多个实施例的示例性光刻单元或簇的示意图。如图2所示，光刻设备LA可以构成光刻单元LC的一部分，该光刻单元LC有时也被称为光刻元或光刻簇，在一些实施例中，光刻单元还可以包括在衬底上执行一个或更多个图案转印前过程和图案转印后过程的设备。常规地，这些设备包括：用于沉积抗蚀剂层的一个或更多个旋涂机SC、用于显影图案化后的抗蚀剂的一种或更多种显影机DE、一个或更多个激冷板CH、以及一个或更多个焙烤板BK。衬底处理器或机器人RO可从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，可在不同的过程装置之间移动衬底并将其传送到光刻设备的装载台LB。这些装置通常统称为涂覆显影系统，并且由涂覆显影系统控制单元TCU控制，该涂覆显影系统控制单元TCU本身由管理控制系统SCS控制，该管理控制系统SCS也经由光刻控制单元LACU来控制光刻设备。因此，可以操作不同的设备以最大化产量和处理效率。

为了使由图案化过程处理(例如，曝光)的衬底能够被正确且一致地处理，期望检查处理后的衬底以测量一个或更多个属性，例如后续层之间的重叠误差、线厚度、临界尺寸(CD)等。如果检测到误差，则可以例如在改变图案化过程的设计、或改变图案化过程的设计工具、控制执行的图案化过程等方面，对图案化过程进行调整。

检查设备可以用于这种测量。一检查设备用于确定衬底的一种或更多种属性，特别是确定不同衬底或同一衬底的不同层的一种或更多种属性如何在层与层之间和/或横跨衬底和/或横跨不同衬底变化，例如从衬底到衬底。检查设备可整合至光刻设备LA或光刻元LC中，或可以是单机装置。

确定衬底的一种或更多种属性的检查设备可以采取各种不同的形式。例如，检查设备可以使用光子电磁辐射来照射衬底并检测由衬底改变定向的辐射；这种检查设备可以称为亮场检查设备。亮场检查设备可以使用具有例如在150-900nm范围内的波长的辐射。该检查设备可以是基于图像的(即，拍摄衬底的图像)和/或基于衍射的(即，测量衍射辐射的强度)。检查设备可以检查产品特征(例如，要使用衬底形成的集成电路的特征或掩模的特征)和/或检查具体的测量目标(例如，重叠目标、聚焦/剂量目标、CD测规图案等)。

例如，半导体晶片的检查通常是使用基于光学器件的亚分辨率工具进行的(亮场检查)。但是，在某些情况下，某些要测量的特征太小而无法使用亮场检查有效地测量。例如，对半导体器件的特征中的缺陷进行亮场检查可能具有挑战性。此外，随着时间的推移，使用图案化过程制造的特征(例如，使用光刻术制造的半导体特征)正在变小，并且在许多情况下，特征的密度也在增加。因此，使用并期望更高分辨率的检查技术。检查技术的示例是电子束检查。电子束检查涉及将电子束聚焦在要检查的衬底上的较小的斑上。通过在被检查的衬底区域上提供束(以下称为扫描电子束)和衬底之间的相对运动并使用电子探测器收集二次和/或背散射电子来形成图像。然后处理图像数据以例如识别缺陷。

在一些实施例中，抗蚀剂模型描述了在抗蚀剂曝光、PEB和显影期间发生的化学过程的影响，以便预测例如在衬底晶片上形成的抗蚀剂特征的轮廓。模拟的目的是准确地预测例如边缘放置和CD，然后可以将其与目标设计进行比较。通常，光学模型和抗蚀剂模型之间的联系是抗蚀剂层内模拟的空间图像，其是由光到衬底上的投影、抗蚀剂界面处的折射以及抗蚀剂薄膜堆叠中的多次反射引起的。在抗蚀剂模型显影/模拟期间，通过模拟光子的吸收，将光强度分布(空间图像)转换为模拟的潜“抗蚀剂图像”，并通过扩散过程和各种负载效应对其进行进一步修改。典型地，通过获得实际的空间图像并经由一个或更多个算法和滤波器处理空间图像以确定一个或更多个抗蚀剂项来确定和校准抗蚀剂模型。例如，可以将高斯滤波器应用于空间图像以获得酸分布(例如，酸扩散)。这种变换导致图像具有与抗蚀剂线和抗蚀剂沟槽相对应的明亮段和黑暗段。所得图像可以称为描述抗蚀剂的一种或更多种物理和/或化学特性的抗蚀剂信号。作为示例，黑暗段可以指示抗蚀剂线，明亮段可以指示抗蚀剂沟槽。在一些实施例中，抗蚀剂模型预测抗蚀剂的哪些部分将被显影以及哪些部分将在显影后保留。

本发明人认识到，在抗蚀剂模型校准期间，由于校准的迭代性质，可以重新计算一个或更多个抗蚀剂信号。而且，当前系统可能不便于存储抗蚀剂信号以用于随后的访问和分析。例如，在完成抗蚀剂模型校准之后，可能无法将计算出的抗蚀剂信号保存在数据库中。

本发明人已经确定了一种方法，该方法可以单独或以各种组合方式将抗蚀剂信号存储在数据库中，从而使用保存的信号对具有相似光学设定的未来过程进行建模。以这种方式，例如，可以减少模型校准的复杂度(例如，线性优化而不是复杂且重复的数学变换)。

在一些实施例中，抗蚀剂层内的(x，y)平面中的抗蚀剂图像(RI)由下式表示：

在一些实施例中，一个或更多个模型参数对应于不同的物理或化学效应。在一些实施例中，模型公式可以关于被校准的模型能够描述真实情况的程度或如何描述真实情况设定边界或约束。等式1的抗蚀剂模型是N个项的线性和，每个项用线性系数c_i进行加权。这些项可以具有一些非线性系数，在这里表示为σ_i，例如可以是高斯矢量的标准偏差。如等式1所示，项‘T’描述抗蚀剂中已经发生的具体物理过程、反应或变化(例如，酸和碱的反应、扩散或淬灭)。在一些实施例中，项‘σ_i’表示发生具体过程的空间范围。在一些实施例中，σ_i依赖于后焙烤的时间和温度。在一些实施例中，σ_i可以在一个或更多个抗蚀剂模型项之间变化。在一些实施例中，可以通过一种或更多种包括单一的或其他优化方法的优化方法来确定σ_i的(最佳)值。作为非限制性示例，抗蚀剂图像可以由呈以下形式的信息矩阵表示：

每行对应于来自初始的较大的测试图案集的测试图案(k＝1至K)，x_k是晶片上的测试图案k的边缘的部位。为了简单起见，此处二维平面(x_k,y_k)仅表示为x_k。抗蚀剂模型中有N个项，每个项用一列表示。然后针对每个非线性系数重复这N列。在上面的示例中，σ＝10到100，以10为步长；但可以使用σ的任意值和步长。c_i和σ_i的名义值范围应与用于校准的预期范围相匹配。

图3示出了根据一个或更多个实施例的用于加速抗蚀剂模型校准的方法30。下面示出的方法30的操作旨在说明。在一些实施例中，方法30可以利用未描述的一个或更多个附加操作实现、和/或没有所论述的一个或更多个操作来实现。另外，在图3中图示并在下文描述的方法30的操作的顺序不旨在是限制性的。

在操作32处，该方法开始于(i)定义一个或更多个制作过程模型项(例如，抗蚀剂项、蚀刻项)和(ii)获得高斯分布的标准偏差(σ值)的初始值和/或适用范围中的一个或更多个。在一个用例场景中，该方法可以开始于(i)定义一个或更多个抗蚀剂模型项和(ii)获得高斯分布的标准偏差(σ值)的初始值和/或适用范围中的一个或更多个。在一些实施例中，定义一个或更多个抗蚀剂模型项包括选择与抗蚀剂的物理和/或化学特性中的一个或更多个相对应的一个或更多个参数(例如，变量)。例如，可以经由描述酸分布、负载的模型项和/或其他模型项来定义给定的抗蚀剂模型。在一些实施例中，一个或更多个模型项被添加到抗蚀剂模型或从抗蚀剂模型中去除，使得抗蚀剂模型更准确地预测量测测规。在一些实施例中，一个或更多个定义的抗蚀剂模型项包括预定的抗蚀剂模型项的集(例如，可以为任何给定的抗蚀剂模型自动选择抗蚀剂模型项A、B和C)。在一些实施例中，基于抗蚀剂的一种或更多种属性(例如，物理或化学属性)、光刻术(例如，波长，曝光时间等)或其他属性来定义一个或更多个抗蚀剂模型项。在一些实施例中，定义一个或更多个抗蚀剂模型项以确定该一个或更多个抗蚀剂模型项对由抗蚀剂模型输出的预测的效应。所获得的σ值用于确定抗蚀剂项(如下所述)。在一些实施例中，标准偏差的初始值可以是20nm、30nm、50nm和/或其他值。在一些实施例中，σ值的适用范围包括30nm至200nm之间的值。在一些实施例中，σ值间隔是预定的。在一些实施例中，响应于大于预先确定的阈值的间隔，对所选σ值间隔之间的σ值内插抗蚀剂项。在一些实施例中，关于蚀刻模型，该方法开始于(i)定义一个或更多个蚀刻模型项和(ii)获得高斯分布的标准偏差(σ值)的初始值和/或适用范围的一个或更多个(例如，与上述操作32相同或相似)。

在操作34处，该方法通过接收与一个或更多个制作过程模型项有关的预先确定的信息来进行。在一些实施例中，预先确定的信息包括传达与一个或更多个制作过程模型项有关的信息的一个或更多个预先计算的信号。例如，该方法可以通过接收与一个或更多个抗蚀剂模型项有关的预先确定的信息来进行。在一些实施例中，预先确定的信息包括传达与一个或更多个抗蚀剂模型项有关的信息的一个或更多个预先计算的信号。在一些实施例中，每个抗蚀剂模型项是从空间图像生成的二维图像。在一些实施例中，单个抗蚀剂信号包括在一个或更多个测规部位(例如，在电路的一个或更多个临界尺寸(CD)处)的图像强度，该强度是介于0和1之间的浮点值。在一些实施例中，信号包括相对于测规(例如，在CD部位处)的抗蚀剂项的强度(例如，图像强度)。在一些实施例中，通过经由一个或更多个高斯滤波器对空间图像进行变换以使得获得抗蚀剂图像而获得预先计算的信号。在一些实施例中，预先确定的信息(例如，一个或更多个预先计算的信号)包括施加至高斯矢量的标准偏差的预先确定的高斯模糊(例如，对于一个或更多个抗蚀剂项)。由于该过程的迭代性质，可以同时预先计算多个抗蚀剂信号(例如，并行计算、多线程等)。在一些实施例中，关于蚀刻模型，该方法通过接收与一个或更多个蚀刻模型项有关的预先确定的信息来进行(例如，与上述操作34相同或相似)。

在操作36处，该方法通过基于预先确定的信息(例如，一个或更多个预先计算的信号)生成制作过程模型(例如，抗蚀剂模型、蚀刻模型)(例如，等式1)而进行。例如，关于抗蚀剂模型，该方法通过基于预先确定的信息生成抗蚀剂模型来进行。在该操作中，对制作过程模型项(例如，抗蚀剂模型项、蚀刻模型项)分配它们各自的系数。在一些实施例中，制作过程模型(例如，抗蚀剂模型、蚀刻模型)被配置为生成与量测测规有关的一个或更多个预测。在一些实施例中，关于蚀刻模型，该方法通过基于预先确定的信息生成蚀刻模型来进行(例如，与上述操作36相同或相似)。

典型地，必须将两个图像(例如，用于第一抗蚀剂项的图像和用于第二抗蚀剂项的图像)相乘(例如，逐点/逐像素)在一起以确定交叉项效应，因为新的交叉项构成需要新图像的新的项。相反，在操作36中，生成制作过程模型(例如，抗蚀剂模型、蚀刻模型)包括通过确定两个或更多个制作过程模型项的乘积来确定由两个或更多个制作过程模型项的交叉贡献引起的效应。例如，在操作36中，生成抗蚀剂模型可以包括通过确定两个或更多个抗蚀剂项的乘积来确定由两个或更多个抗蚀剂项的交叉贡献引起的效应。在该示例中，确定抗蚀剂中的负载和酸分布的交叉贡献包括确定与负载和酸分布相对应的抗蚀剂项的乘积。

在操作38处，该方法通过确定与量测测规的尺寸有关的预测是否在先前在制作过程后的晶片上测量的量测测规的预先确定的阈值之内来进行。在一个用例场景中，该方法可以通过确定与测规的尺寸有关的预测是否在(物理)显影后抗蚀剂上测量的测规的预先确定的阈值之内来进行。在一些实施例中，在这种确定之前，获得与物理显影后抗蚀剂的量测测规的一个或更多个尺寸有关的一个或更多个测量结果。在一些实施例中，响应于预测未突破预先确定的阈值，该方法通过优化一个或更多个抗蚀剂项使得与测规的尺寸有关的预测在显影后抗蚀剂上测量的测规的预先确定的阈值之内来进行。在该操作中，执行预测的测规测量结果与实际测规测量结果之间的回归(例如，最小二乘等)。在回归中，可能存在一个或更多个残差，这些残差是预测的测规测量结果与实际测规测量结果样本平均值的偏差(例如，该模型对于80％的测规可能是准确的，而对于剩余的20％的测规可能不准确)。在一些实施例中，响应于残差超过预先确定的限值，可以重复操作32至38，直到残差(例如，残留误差)低于预先确定的限值。例如，响应于残留误差大于预先确定的限值，选择新的高斯模糊σ值。在一些实施例中，关于蚀刻模型，该方法通过确定与测规的尺寸有关的预测是否在(物理)蚀刻后的晶片上测量的测规的预先确定的阈值之内而进行(例如，与上述操作38相同或相似)。

在一些实施例中，操作38还包括微调节抗蚀剂模型，其中，一个或更多个抗蚀剂项被添加和/或从该模型中去除以减少残留误差。在一些实施例中，关于蚀刻模型，该方法还包括微调节蚀刻模型，其中，一个或更多个蚀刻项被添加和/或从该模型中去除以减少残留误差。

在一些实施例中，操作38还包括确定一个或更多个制作过程模型项的特定制作过程项(例如，抗蚀剂模型项、蚀刻模型项)，该特定制作过程项在制作过程模型中比所述一个或更多个制作过程模型项中的其余制作过程项权重更大。在用例场景中，操作38包括确定在抗蚀剂模型中权重更大的特定抗蚀剂项。例如，操作38可以包括确定哪个抗蚀剂项最接近地类似/描述缺陷。在一些实施例中，操作38进一步包括确定由一种或更多种不同的制作过程模型(例如，抗蚀剂模型、蚀刻模型)引起的一种或更多种效应。在一些实施例中，所述确定包括确定在一个或更多个不同的制作过程模型(例如，抗蚀剂模型、蚀刻模型)中的每个模型中，哪些效应通常表现突出(例如，权重更大)。例如，该方法可以促进确定与抗蚀剂收缩有关的信息。在该示例中，抗蚀剂收缩的效应可能比多个抗蚀剂模型中的其他效应权重更大。

在一些实施例中，对应于预先确定的量测测量结果的测规包括唯一的识别参数。在一些实施例中，唯一的识别参数是基于制作过程图案(例如，抗蚀剂图案、蚀刻图案)和预先确定的制作处理范围来确定的。在一些实施例中，唯一的识别参数是基于抗蚀剂图案和预先确定的抗蚀剂处理范围(例如，在特定测规和/或图案的1.3微米半径内)来确定的。在一些实施例中，对应于唯一的识别参数的抗蚀剂模型优化被存储在数据库中。

在一些实施例中，方法30还包括确定数据库中是否存在对应于给定制作过程图案(例如，抗蚀剂图案、蚀刻图案)的测规的唯一的识别参数。在一些实施例中，响应于数据库中存在的对应于给定制作过程图案(例如，抗蚀剂图案、蚀刻图案)的测规的唯一的识别参数，该方法通过生成对应于唯一的识别参数的制作过程模型(例如，抗蚀剂模型，蚀刻模型)而进行。

在一些实施例中，方法30包括执行操作32-38和/或其他操作的一次或更多次迭代，直到由抗蚀剂模型进行的与量测测规的尺寸有关的预测在显影后的抗蚀剂上测量的量测测规的预先确定的阈值之内。

图4是示出计算机系统300的示例性框图，该计算机系统300可以辅助实现和/或实施本文公开的抗蚀剂模型校准方法。计算机系统400包括总线402或用于通信信息的其他通信机构、以及与总线402耦接以用于处理信息的一个或更多个处理器104(和405)。计算机系统400还包括主存储器406，例如随机存取存储器(RAM)或其他动态存储装置，其耦接到总线402，用于存储将由处理器404执行的信息和指令。主存储器406还可用于在执行要由处理器404执行的指令期间存储临时变量或其他中间信息。计算机系统400还包括耦接到总线402的只读存储器(ROM)408或其他静态存储装置，用于存储用于处理器404的静态信息和指令。提供诸如磁盘或光盘之类的存储装置410，并将其耦接到总线402以存储信息和指令。

计算机系统400可以经由总线402耦接到显示器412，例如用于向计算机用户显示信息的阴极射线管(CRT)或平板或触摸面板显示器。包括字母数字键和其他键的输入装置414耦接到总线102，用于将信息和命令选择通信给处理器404。用户输入装置的另一种类型是光标控件416，例如鼠标、轨迹球或光标方向键，用于将方向信息和命令选择通信给处理器404并控制光标在显示器412上的移动。该输入装置典型地在两个轴上具有两个自由度，即第一轴(例如，x)和第二轴(例如，y)，这允许该装置指定平面中的位置。触摸面板(屏幕)显示器也可以用作输入装置。

在一些实施例中，可以由计算机系统400响应于处理器404执行包含在主存储器406中的一个或更多个指令的一个或更多个序列来执行抗蚀剂模型校准过程的一部分。可以从诸如存储装置410之类的另一计算机可读介质将这样的指令读入主存储器406。执行包含在主存储器406中的指令序列使处理器404执行本文所述的处理步骤。也可以采用多处理布置中的一个或更多个处理器来执行包含在主存储器406中的指令序列。在一些实施例中，可以使用硬连线电路代替软件指令或与软件指令结合使用，以实施本文描述的方法。因此，实施例不限于硬件电路和软件的任何具体组合。

可以使用以下方面进一步描述实施例：

1.一种用于加速制作过程模型的校准的方法，所述方法包括执行以下操作的一次或更多次迭代，直到由所述制作过程模型进行的与量测测规的尺寸有关的预测在制作过程后的晶片上测量的量测测规的预先确定的阈值之内：

定义一个或更多个制作过程模型项；

接收与所述一个或更多个制作过程模型项有关的预先确定的信息；

基于所述预先确定的信息生成制作过程模型，所述制作过程模型被配置为生成与量测测规有关的一个或更多个预测；和

确定与量测测规的尺寸有关的预测是否在先前于制作过程后的晶片上测量的量测测规的预先确定的阈值之内。

2.根据方面1所述的方法，其中，所述制作过程模型包括抗蚀剂模型。

3.根据方面2所述的方法，进一步包括确定与量测测规的尺寸有关的预测是否在先前于显影后的抗蚀剂上测量的量测测规的预先确定的阈值之内。

4.根据方面1所述的方法，其中，所述制作过程模型包括蚀刻模型。

5.根据方面1所述的方法，其中，所述一个或更多个制作过程模型项中的单个项包括对应于高斯矢量的标准偏差的系数，并且其中，所述预先确定的信息包括施加于高斯矢量的标准偏差的预先确定的高斯模糊。

6.根据方面1所述的方法，还包括：通过确定两个或更多个制作过程模型项的乘积来确定由所述两个或更多个制作过程模型项的交叉贡献导致的效应。

7.根据方面6所述的方法，其中所述制作过程模型包括抗蚀剂模型，其中抗蚀剂模型项包括抗蚀剂中的负载和酸分布，并且其中确定抗蚀剂中的负载和酸分布的交叉贡献包括确定与负载和酸分布相对应的抗蚀剂模型项的乘积。

8.根据方面1所述的方法，其中，与预先确定的量测测量结果相对应的量测测规包括唯一的识别参数，其中，所述唯一的识别参数是基于制作过程图案和预先确定的制作处理范围来确定的，其中，对应于所述唯一的识别参数的制作过程模型优化被存储在数据库中，并且其中所述方法还包括：

确定数据库中是否存在对应于给定制作过程图案的测规的唯一的识别参数；和

响应于数据库中存在对应于给定制作过程图案的测规的唯一的识别参数，生成对应于所述唯一的识别参数的制作过程模型。

9.根据方面1所述的方法，还包括确定所述一个或更多个制作过程模型项的特定制作过程项，在制作过程模型中所述特定制作过程项比所述一个或更多个制作过程模型项中的其余制作过程项权重更大。

10.根据方面1所述的方法，还包括确定由一种或更多种不同的制作过程模型导致的一种或更多种效应，该确定包括确定在一个或更多个不同的制作过程模型中的每个模型中，哪些效应通常表现突出。

11.根据方面10所述的方法，其中，所述制作过程模型包括抗蚀剂模型，并且其中，由一个或更多个不同的抗蚀剂模型导致的效应包括抗蚀剂收缩。

12.一种计算机程序产品，包括具有计算机可执行指令的一个或更多个计算机可读存储介质，所述指令用于使计算机选择用于校准计算光刻模型的测试图案，所述指令使计算机执行方面1所述的方法。

13.一种用于加速制作过程模型的校准的系统，所述系统包括：

一个或更多个处理器，配置为通过被机器可读指令执行以下操作的一次或更多次迭代，直到由所述制作过程模型进行的与量测测规的尺寸有关的预测在制作过程后的晶片上测量的量测测规的预先确定的阈值之内：

定义一个或更多个制作过程模型项；

14.一种用于加速抗蚀剂模型的校准的方法，所述方法包括执行以下操作的一次或更多次迭代，直到由所述抗蚀剂模型进行的与量测测规的尺寸有关的预测在显影后的抗蚀剂上测量的量测测规的预先确定的阈值之内：

定义一个或更多个抗蚀剂模型项；

接收与所述一个或更多个抗蚀剂模型项有关的预先确定的信息；

基于所述预先确定的信息生成抗蚀剂模型，所述抗蚀剂模型被配置为生成与量测测规有关的一个或更多个预测；和

确定与量测测规的尺寸有关的预测是否在先前于显影后的抗蚀剂上测量的测规的预先确定的阈值之内。

15.根据方面14所述的方法，其中，所述一个或更多个抗蚀剂模型项中的单个项包括对应于高斯矢量的标准偏差的系数，并且其中，所述预先确定的信息包括施加于高斯矢量的标准偏差的预先确定的高斯模糊。

16.根据方面14所述的方法，还包括：通过确定两个或更多个抗蚀剂项的乘积来确定由所述两个或更多个抗蚀项的交叉贡献导致的效应。

17.根据方面16所述的方法，其中所述两个或更多个抗蚀剂项包括抗蚀剂中的负载和酸分布，并且其中确定抗蚀剂中的负载和酸分布的交叉贡献包括确定与负载和酸分布相对应的抗蚀剂项的乘积。

18.根据方面14所述的方法，其中，与预先确定的量测测量结果相对应的量测测规包括唯一的识别参数，其中，所述唯一的识别参数是基于抗蚀剂图案和预先确定的抗蚀剂处理范围来确定的，其中，对应于所述唯一的识别参数的抗蚀剂模型优化被存储在数据库中，并且其中所述方法还包括：

确定数据库中是否存在对应于给定的抗蚀剂图案的测规的唯一的识别参数；和

响应于数据库中存在对应于给定的抗蚀剂图案的测规的唯一的识别参数，生成对应于所述唯一的识别参数的抗蚀剂模型。

19.根据方面14所述的方法，还包括确定所述一个或更多个抗蚀剂模型项中的特定抗蚀剂项，在抗蚀剂模型中所述特定抗蚀剂项比所述一个或更多个抗蚀剂模型项中的其余抗蚀剂项权重更大。

20.根据方面14所述的方法，还包括确定由一种或更多种不同的抗蚀剂模型导致的一种或更多种效应，该确定包括确定在一个或更多个不同的抗蚀剂模型中的每个模型中，哪些效应通常表现突出。

21.根据方面20所述的方法，其中由所述一种或更多种不同的抗蚀剂模型导致的效应包括抗蚀剂收缩。

22.根据方面14所述的方法，其中，所述预先确定的信息包括指示抗蚀剂的一个或更多个物理和/或化学特性的预先计算的信号。

23.根据方面22所述的方法，其中，所述预先计算的信号被存储在数据库中。

24.根据方面23所述的方法，其中生成所述抗蚀剂模型包括：从所述数据库检索对应于所述一个或更多个抗蚀剂模型项的预先计算的信号。

25.根据方面22所述的方法，其中所述预先计算的信号是基于被施加到所述显影后的抗蚀剂的空间图像的一个或更多个滤波器来确定的。

26.根据方面25所述的方法，其中所述一个或更多个滤波器包括高斯滤波器。

27.根据方面25所述的方法，其中单独的预先计算的抗蚀剂信号包括在一个或更多个量测测规部位处的图像强度。

28.根据方面14所述的方法，其中响应于与量测测规的尺寸有关的预测不在先前于显影后的抗蚀剂上测量的测规的预先确定的阈值之内，所述一个或更多个抗蚀剂模型项被调整，并获得与调整后的一个或更多个抗蚀剂模型项有关的进一步的预先确定的信息。

如本文所使用的术语“计算机可读介质”是指参与向处理器404提供指令以供执行的任何介质。这种介质可以采用许多形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘，例如存储装置410。易失性介质包括动态存储器，例如主存储器406。传输介质包括同轴电缆、铜线和光纤，包括包括总线402的电线。传输介质还可以采用声波或光波的形式，例如在射频(RF)和红外(IR)数据通信期间产生的声波或光波。计算机可读介质的常见形式包括，例如，软式磁碟片、软盘、硬盘、磁带、任何其他磁介质、CD-ROM、DVD、任何其他光学介质、穿孔卡、纸带、任何其他具有孔图案的物理介质、RAM、PROM和EPROM、FLASH-EPROM、任何其他存储器芯片或盒、以及下文所述的载波或计算机可以从中读取的任何其他介质。

各种形式的计算机可读介质可以涉及携带一个或更多个指令的一个或更多个序列给处理器404以供执行。例如，指令最初可以承载在远程计算机的磁盘上。远程计算机可以将指令加载到其动态存储器中，并使用调制解调器通过电话线发送指令。计算机系统400本地的调制解调器可以在电话线上接收数据，并使用红外发射器将数据转换为红外信号。耦接到总线402的红外检测器可以接收红外信号中携带的数据，并将数据放置在总线402上。总线402将数据携带到主存储器406，处理器404从主存储器106检索并执行指令。由主存储器406接收的指令可以可选地在处理器404执行之前或之后被存储在存储装置410上。

计算机系统400还优选地包括耦接到总线402的通信接口418。通信接口418提供耦接到连接到本地网络422的网络链路420的双向数据通信。例如，通信接口418可以是集成服务数字网络(ISDN)卡或调制解调器，以向对应类型的电话线提供数据通信连接。作为另一个示例，通信接口418可以是局域网(LAN)卡，以提供到兼容LAN的数据通信连接。无线链接也可以实施。在任何这样的实施中，通信接口418发送和接收电信号、电磁信号或光信号，其携带表示各种类型的信息的数字数据流。

网络链路420典型地通过一个或更多个网络向其他数据装置提供数据通信。例如，网络链路420可以通过本地网络422提供到主机计算机424的连接或到由互联网服务提供商(ISP)426操作的数据设备的连接。ISP 426依次通过全球分组数据通信网络(现在通常称为“因特网”428)提供数据通信服务。局域网422和因特网428都使用携带数字数据流的电信号、电磁信号或光信号。通过各种网络的信号和在网络链路420上并且通过通信接口418的信号(其携带发送给和来自计算机系统400的数字数据)是传输信息的载波的示例性形式。

计算机系统400可以通过网络、网络链路420和通信接口418发送消息并接收数据，包括程序代码。在因特网的示例中，服务器430可以通过因特网428、ISP 426、本地网络422和通信接口418传输应用程序的请求代码。在一些实施例中，一个这样的下载的应用例如提供了实施例的测试图案选择。接收到的代码可以在接收到时由处理器404执行，和/或存储在存储装置410或其他非易失性存储器中，以供以后执行。以这种方式，计算机系统400可以获得呈载波形式的应用代码。

尽管本文公开的构思可以用于在诸如硅晶片的衬底上成像，但是应当理解，所公开的构思可以与任何类型的光刻成像系统一起使用，例如，用于在除硅晶片之外的衬底上成像的那些光刻成像系统。。

尽管以上提供的描述基于当前被认为是最实际和优选的实施例提供了用于说明目的的细节，但是应当理解，这种细节仅是出于该目的，并且本公开不限于明确地公开的实施例，而是相反地，旨在覆盖在所附权利要求的精神和范围内的修改和等同布置。例如，应当理解，本公开考虑了在可能的范围内，任何实施例的一个或更多个特征可以与任何其他实施例的一个或更多个特征组合。所附权利要求旨在涵盖这样的改变和修改。

Claims

1.一种用于加速制作过程模型的校准的方法，所述方法包括：

执行以下操作的一次或更多次迭代，直到由所述制作过程模型进行的与量测测规的尺寸有关的预测在制作过程后的晶片上测量的量测测规的预先确定的阈值之内：

定义一个或更多个制作过程模型项；

基于所述预先确定的信息生成制作过程模型，所述制作过程模型被配置为生成与所述量测测规有关的一个或更多个预测；和

确定与所述量测测规的尺寸有关的预测是否在先前于制作过程后的晶片上测量的所述量测测规的预先确定的阈值之内。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述制作过程模型包括抗蚀剂模型。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括确定与所述量测测规的尺寸有关的所述预测是否在先前于显影后的抗蚀剂上测量的所述量测测规的预先确定的阈值之内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述制作过程模型包括蚀刻模型。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或更多个制作过程模型项中的单个项包括对应于高斯矢量的标准偏差的系数，并且其中所述预先确定的信息包括施加于所述高斯矢量的标准偏差的预先确定的高斯模糊。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括通过确定两个或更多个制作过程模型项的乘积来确定由所述两个或更多个制作过程模型项的交叉贡献导致的效应。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述制作过程模型包括抗蚀剂模型，所述抗蚀剂模型包括抗蚀剂模型项，其中所述抗蚀剂模型项包括所述抗蚀剂中的负载和酸分布，并且其中确定所述抗蚀剂中的负载和酸分布的交叉贡献包括确定与负载和酸分布相对应的抗蚀剂模型项的乘积。

8.根据权利要求1所述的方法，其中与所述预先确定的量测测量结果相对应的量测测规包括唯一的识别参数，其中所述唯一的识别参数是基于制作过程图案和预先确定的制作处理范围来确定的，其中对应于所述唯一的识别参数的制作过程模型优化被存储在数据库中，并且其中所述方法还包括：

确定数据库中是否存在对应于给定的制作过程图案的测规的唯一的识别参数；和

响应于数据库中存在对应于给定的制作过程图案的测规的唯一的识别参数，生成对应于所述唯一的识别参数的制作过程模型。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括确定所述一个或更多个制作过程模型项的特定制作过程项，在制作过程模型中所述特定制作过程项比所述一个或更多个制作过程模型项中的其余制作过程项权重更大。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：确定由一种或更多种不同的制作过程模型导致的一种或更多种效应，所述确定包括确定在所述一个或更多个不同的制作过程模型中的每个模型中，哪些效应通常表现突出。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述制作过程模型包括抗蚀剂模型，并且其中由一个或更多个不同的抗蚀剂模型导致的效应包括抗蚀剂收缩。

12.一种计算机程序产品，包括具有计算机可执行指令的一个或更多个计算机可读存储介质，所述指令用于使计算机选择用于校准计算光刻模型的测试图案，所述指令使计算机执行根据权利要求1-11中任一项所述的方法。

一个或更多个处理器，配置成通过机器可读指令执行以下操作的一次或更多次迭代，直到由所述制作过程模型进行的与量测测规的尺寸有关的预测在制作过程后的晶片上测量的量测测规的预先确定的阈值之内：

定义一个或更多个制作过程模型项；

确定与所述量测测规的尺寸有关的预测是否在先前于制作过程后的晶片上测量的量测测规的预先确定的阈值之内。

14.根据权利要求13所述的系统，其中所述预先确定的信息包括指示所述制作过程的一个或更多个物理和/或化学特性的预先计算的信号。

15.根据权利要求14所述的系统，其中所述预先计算的信号被存储在数据库中。