CN110114727A - 量测工具及使用该量测工具的方法 - Google Patents

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Abstract

一种方法包括：在器件图案化过程的第一器件光刻步骤之后，测量物体上的劣化的量测标记和/或与所述劣化的量测标记相关联的器件图案特征，所述劣化的量测标记至少部分地起因于所述物体上的所述第一器件光刻步骤；和在所述物体上的所述器件图案化过程的第二器件光刻步骤之前，在所述物体上产生替换的量测标记，以代替所述劣化的量测标记用于所述图案化过程中。

Description

量测工具及使用该量测工具的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年12月28日提交的美国临时专利申请62/439,675的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本文的公开内容整体上涉及在制造流程中对物体的量测术，例如在半导体制造过程中对衬底的量测术。
背景技术
例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(例如，掩模)可以包括或提供对应于IC的单层的器件图案(“设计布局”)，并且这一图案可以通过诸如通过图案形成装置的图案辐射已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多个的管芯)的方法，被转印到所述目标部分上。通常，单个衬底包括被光刻设备连续地、一次一个目标部分地将图案转印到其上的多个相邻目标部分。在一种类型的光刻设备中，整个图案形成装置的图案被一次性转印到一个目标部分上；这样的设备通常称作为步进器。在一种替代的设备(通常称为步进扫描设备)中，投影束沿给定的参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置之上扫描，同时沿与所述参考方向平行或反向平行的方向同步移动衬底。图案形成装置的图案的不同部分被逐渐地转印到一个目标部分上。因为通常光刻设备将具有放大系数M(通常＜1)，所以衬底被移动的速度F将是投影束扫描图案形成装置的速度的因数M倍。
在将图案从图案形成装置转印至衬底之前，衬底可能经历各种工序，诸如涂底料、抗蚀剂涂覆以及软焙烤。在曝光之后，衬底可能经历其它工序，诸如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤以及对所转印的图案的测量/检查。这一系列的工序被用作为制造器件(例如IC)的单个层的基础。之后衬底可能经历各种过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有的这些过程都旨在完成器件的单个层。如果器件需要多个层，则针对每一层重复整个工序或其变形。最终，器件将存在于衬底上的每一目标部分中。之后通过诸如切片或锯割等技术，使这些器件彼此分离，据此单独的器件可以安装在载体上，连接至引脚等。
因此，制造器件(诸如半导体器件)典型地涉及使用多个制作过程处理衬底(例如，半导体晶片)，以形成所述器件的各个特征和多个层。这些层和特征典型地使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光、离子注入来制造和处理。可以在衬底上的多个管芯上制作多个器件，之后将它们分离成单独的器件。这种器件制造过程可被认为是图案化过程。图案化过程涉及使用光刻设备中的图案形成装置的图案化步骤，诸如光学和/或纳米压印光刻术，以将图案形成装置的图案转印到衬底上，而且图案化过程典型地但可选地涉及一个或更多个相关的图案处理步骤，诸如通过显影设备进行抗蚀剂显影、使用焙烤工具来焙烤衬底、使用蚀刻设备利用图案进行蚀刻等。
发明内容
如上文所提及，用于物体的图案化过程可以涉及将一个或更多个图案转印至物体，例如衬底上的光致抗蚀剂。有效的图案转印涉及在图案转印之前定位物体。定位物体可涉及确认物体的侧向和/或旋转位置以接收图案以用于图案转印。改善物体对准是所期望的，例如以便增加图案化准确性且改善器件良率。相似地，其他量测(例如重叠、临界尺寸(CD)、图案化束剂量、光学曝光的聚焦等等)可用于图案化过程中，因此改善这种量测是所期望的，例如以便增加图案化准确性且改善器件良率。
在实施例中，提供了一种方法，包括：在器件图案化过程的第一器件光刻步骤之后，测量物体上的劣化的量测标记和/或与所述劣化的量测标记相关联的器件图案特征，所述劣化的量测标记至少部分地起因于所述物体上的该第一器件光刻步骤；和在所述物体上的所述器件图案化过程的第二器件光刻步骤之前，在所述物体上产生替换的量测标记，以代替所述劣化的量测标记用于所述器件图案化过程中。
在实施例中，提供了一种设备，包括：量测传感器，配置成在器件图案化过程的第一器件光刻步骤之后测量物体上的劣化的量测标记和/或测量与所述劣化的量测标记相关联的器件图案特征，所述劣化的量测标记至少部分地起因于所述物体上的所述第一器件光刻步骤；和标记施加装置，配置成在所述器件图案化过程的任何后续器件光刻步骤之前在所述物体上产生替换的量测标记，其中所述替换标记代替所述劣化的量测标记用于所述图案化过程中。
在实施例中，提供了一种设备，包括：第一量测传感器，配置成根据第一类型的标记量测测量所述物体上的劣化的量测标记；标记施加装置，配置成基于所述劣化的标记的测量在所述物体上施加替换的量测标记；和第二量测传感器，配置成根据不同于所述第一类型的标记量测的第二类型的标记量测测量所述替换的量测标记。
在参考附图考虑以下描述和所附权利要求书的情况下，本发明的这些和其他特征以及相关结构元件的操作方法和功能及制造部件与制造经济的组合就将变得更清楚，以下描述、所附权利要求书和附图都构成本说明书的一部分，其中类似附图标记在各图中指定对应部件。然而，应明确地理解，附图仅出于说明和描述的目的，而并不旨在作为本发明的限制的定义。如在说明书和权利要求书中所使用的，单数形式的“一”、“一个”和“该”包括复数的表示，除非另外地上下文另有明确规定。另外，如本说明书和权利要求书所使用的术语“或”意味着“和/或”，除非上下文另有明确规定。
附图说明
在附图的多个图中通过示例但不是限制的方式来图示多个实施例，其中相似的附图标记表示相似的元件。
图1描绘了光刻设备的实施例的示意图；
图2描绘了光刻单元的实施例的示意图；
图3A-3C示意性地描绘了根据实施例的图案化过程中的物体上的示例量测标记的图解；
图4示意性地描绘了根据实施例的被配置为检测物体上的量测标记且在物体上提供量测标记的量测标记模块；
图5A-5D示意性地描绘了根据实施例的具有量测标记和另外的量测标记的物体的横截面图；
图6为根据实施例的处理方法的流程图；和
图7图示了示例计算机系统的框图。
具体实施方式
图1示意性地描绘了一种光刻设备LA，可以结合光刻设备LA使用本文所描述的技术。所述设备包括：照射光学系统(照射器)IL，配置成调节辐射束B(例如紫外(UV)辐射、深紫外(DUV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；图案形成装置支撑件或支撑结构(例如掩模台)MT，构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA并且连接到第一定位器PM，所述第一定位器PM配置成根据特定参数来准确地定位图案形成装置；一个或更多个衬底台(例如晶片台)WTa、WTb，构造成保持衬底(例如涂覆抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW，所述第二定位器PW配置成根据特定参数来准确地定位衬底；以及投影光学系统(例如折射型、反射型、反光型或折射反射型光学系统)PS，配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。
照射光学系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，用以引导、成形、或控制辐射。在这种特定情况下，照射系统还包括辐射源SO。
所述图案形成装置支撑件以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如例如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑件可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑件可以是框架或台，例如，其可以根据需要是固定的或可移动的。所述图案形成装置支撑件可以确保图案形成装置位于期望的位置上(例如相对于投影系统)。这里使用的任何术语“掩模版”或“掩模”可以被认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
本文使用的术语“图案形成装置”应该被广义地解释为表示能够用于在辐射束的横截面上赋予辐射束图案、以在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应注意，被赋予至辐射束的图案可以不完全对应于衬底的目标部分中的所期望的图案，例如，如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征。通常，被赋予至辐射束的图案将对应于在目标部分中产生的器件(诸如集成电路)中的特定功能层。
所述图案形成装置可以是透射型的或反射型的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以单独地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。作为另一示例，所述图案形成装置包括LCD矩阵。
如此处所示，所述设备属于透射型(例如，采用透射式图案形成装置)。然而，所述设备可以是反射型(例如，采用如上文所提及类型的可编程反射镜阵列，或采用反射型掩模(例如用于EUV系统))。
光刻设备也可以是这样一种类型：其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间。浸没液体也可以被施加至光刻设备中的其它空间，例如掩模和投影系统之间的空间。本领域中众所周知的是，浸没技术用于增加投影系统的数值孔径。这里使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底的结构必须浸没在液体中；相反，“浸没”仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。
参照图1，照射器IL接收来自辐射源SO(例如汞灯或准分子激光器、LPP(激光产生等离子体)、EUV源)的辐射束。例如，当所述源为准分子激光器时，所述源和光刻设备可以是分立的实体。在这种情况下，不认为源构成光刻设备的一部分，且辐射束被借助于包括(例如)适合的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD从源SO传递至照射器IL。在其它情况下，例如当所述源为汞灯时，所述源可以是所述光刻设备的组成部分。可以将源SO和照射器IL以及需要时设置的束传递系统BD一起称为辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的空间和/或角强度分布的调整器AD。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称为σ-外部和σ-内部)。此外，照射器IL可以包括各种其他部件，诸如，积分器IN和聚光器CO。所述照射器可以用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所期望的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。在已横穿图案形成装置(例如，掩模)MA的情况下，辐射束B穿过投影光学系统PS，所述投影光学系统将所述束聚焦到衬底W的目标部分C上，由此将图案的图像投影到目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器、二维编码器或电容传感器)，可以准确地移动衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将第一定位器PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。
可以通过使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于多个目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置(例如，掩模)MA上的情况下，图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。在期望标识尽可能小并且不需要与相邻特征不同的任何成像或过程条件的情况下，在器件特征之中，小的对准标识也可以被包括在管芯内。下面进一步描述检测对准标识的对准系统。
光刻设备LA在该示例是所谓的双平台型，其具有两个衬底台WTa和WTb以及两个站——曝光站和测量站——在所述两个站之间衬底台可被交换。当一个衬底台上的一个衬底在曝光站上进行曝光时，另一个衬底可以被装载到测量站处的另一个衬底台上，并且执行各种预备步骤。预备步骤可以包括使用水平传感器LS来绘制衬底的表面控制的图，使用对准传感器AS来测量衬底上的对准标识的位置，执行任何其它类型的量测或检查等等。这实现设备的生产量实质性增加。更一般地，光刻设备可以是具有两个或更多个台的类型(例如，两个或更多个衬底台、一个衬底台和一个测量台、两个或更多个图案形成装置台等)。在这种“多平台”装置中，可以并行地使用多个多台或者可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。例如在美国专利No.5,969,441中描述了双平台光刻设备，该文献全文通过引用并入本文中。
虽然水平传感器LS和对准传感器AS显示为邻近衬底台WTb，但将了解，另外或替代地，水平传感器LS和对准传感器AS可设置为邻近投影系统PS以关于衬底台WTa进行测量。
所描绘的设备可以在各种模式下使用，包括(例如)步进模式或扫描模式。光刻设备的构造和操作对于本领域技术人员是公知的，且无需对其进一步描述以理解本发明的实施例。
如图2中所示，光刻设备LA构成光刻系统的部分，其被称作光刻单元LC或光刻元或簇。光刻单元LC也可以包括用以对衬底执行曝光前和曝光后过程的设备。常规地，这些设备包括：用于沉积抗蚀剂层的旋涂机SC、用于显影曝光后的抗蚀剂的显影剂DE、激冷板CH和焙烤板BK。衬底处理器或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同的过程设备之间移动衬底，然后将其传送到光刻设备的装载台LB。这些装置通常统称为轨道，并且由轨道控制单元TCU控制，该轨道控制单元TCU本身由管理控制系统SCS控制，该管理控制系统SCS也经由光刻术控制单元LACU来控制光刻设备。因此，可以操作不同的设备以最大化生产量和处理效率。
在图案化过程中，一个或更多个对准标记(诸如衬底对准标记PI、P2)将引导图案至衬底W上的放置。在图案化过程(例如集成电路制造过程)的实施例中，对准传感器AS(例如结合位置传感器IF)确定衬底W(例如半导体晶片)上的一个或更多个对准标记的位置，且在光刻设备中的图案转印之前根据所确定的对准标记的部位调整衬底相对于图案形成装置MA的位置。器件(例如集成电路)中的图案的未对准可导致器件发生故障或性能劣化和/或导致来自衬底W的器件良率降低。例如，归因于图案放置误差的未对准互连可导致器件内的金属互连处的互连面积减小，且因此可能增加器件中的电阻。因此，改善器件的元件的图案对准可在图案化过程期间减少制造缺陷，且可以增加来自衬底W的器件良率。
类似地，一个或更多个其它量测标记(例如用于确定重叠、CD、聚焦、剂量等)也可能变得劣化。而且因此，它们的测量也可能得到不正确的结果，且因此，使用那些结果来控制图案化过程可能导致器件发生故障或性能劣化和/或导致来自衬底W的器件良率降低。
在实施例中，将一个或更多个量测标记(例如对准标记)形成于物体(诸如衬底W)上。在实施例中，通过在物体上的抗蚀剂层中产生量测标记图案来形成一个或更多个量测标记。在实施例中，将抗蚀剂中的量测标记图案转印至铺设于抗蚀剂下面的材料中。蚀刻可以包括对物体上的材料叠层中的膜进行等离子体蚀刻和/或湿式化学蚀刻处理。在实施例中，将一个或更多个量测标记形成于物体的至少最上面的非抗蚀剂层中，且在蚀刻之后继续存在于物体的最上面的非抗蚀剂层中。
在实施例中，在物体中形成量测标记之后和至物体的下一图案转印步骤之前的一个或更多个图案化过程步骤使量测标记劣化。例如，可能由物体的化学机械抛光(CMP)而使量测标记劣化，从而导致例如量测标记的部分损失或导致量测标记的形状的至少部分变形。在实施例中，量测标记形状的变形是指量测标记的角部圆化，或是指量测标记的波状线而非直线的形成。在实施例中，量测标记的劣化包括量测标记的损坏、变形和/或遮蔽。在实施例中，劣化的标记包括与特定光刻元的量测系统不兼容的量测标记(例如，劣化的标记可以被设计成与来自一个供货商的量测系统一起使用且与来自另一供货商的量测系统不兼容)。对劣化的量测标记的依赖会使量测步骤例如更耗时、更不准确和/或更不可再现。在实施例中，被损坏、变形和/或遮蔽的劣化的量测标记增加图案化过程将引起例如图案相对于物体上的先前提供的图案(例如在较低水平处)的转印未对准的可能性。
量测标记可能不适合于使用某些类型的量测的测量。例如，在实施例中，如光刻元中所使用的，第一类型的标记量测是针对一个或更多个性能因素予以选择，诸如标记检测速度和/或标记检测准确性。在实施例中，第一类型的标记量测可能不适合于检测劣化的量测标记。在实施例中，第一类型的标记量测包括基于衍射的标记检测系统。
因此，在实施例中，提供与光刻元(例如光刻设备)的量测工具(例如对准传感器)分离的工具或模块，其用以使用第二类型的标记量测来检测劣化的量测标记，且之后在物体上产生替换的量测标记(例如新的替代的量测标记、量测标记的修复、增强型量测标记(即，在设计上与原始量测标记不同且相比于原始量测标记典型地将具有较佳的性能的标记)等)。因此，仍可通过使用第一类型的标记量测以检测物体(具有劣化的量测标记)上的替换的量测标记来处理该物体。第二类型的标记量测可以用以例如确定劣化的量测标记是否劣化和/或实现确定劣化的替换标记与替换的量测标记之间的偏移(如果存在的话)。
在实施例中，代替产生替换的量测标记，可以经由通过第二类型的标记量测测量现有的劣化的量测标记来确定针对该劣化的量测标记的偏移。这可以例如在以下情形中进行：劣化的量测标记具有足够的品质以用于使用光刻元的第一类型的标记量测进行测量。所述偏移提供如使用劣化的量测标记所测量的位置上的误差的量的度量。因此，所述偏移可以在使用第一类型的标记量测来测量劣化的量测标记时提供位置校正。
在实施例中，由于例如相对于第一类型的标记量测的较慢测量速度，第二类型的标记量测可能不适合用于光刻元中。但是，第二类型的标记量测适合于检测物体上的劣化的量测标记。
在实施例中，第二类型的标记量测为使用非可见辐射(诸如红外辐射、紫外辐射和/或X射线辐射)的光学方法。在实施例中，第二类型的标记量测为原子力显微术(AFM)。在实施例中，第二类型的标记量测使用可见光，但相比于第一类型的标记量测具有不同视场(即，使用近场或其他光学显微术)。
在实施例中，第二类型的标记量测是把覆于量测标记上或其的部分上的一个或更多个层的效应作为因素计入的叠层量测，其的所述一个或更多个层造成使用这种量测标记的测量在测量“真实”位置方面不准确。例如，叠层量测可以确定归因于一个或更多个层的波长分布(再加权)的表观移位，和/或归因于一个或更多个层的数值孔径分布(再加权)的表观移位。在实施例中，所测量的移位是反射率。在使用适当校准(例如在量测标记上方具有已知层的一个或更多个参考衬底的校准)的情况下，当量测标记被测量以确定位置时，表观移位可以转变成量测标记的位置偏移。因此，在实施例中，类似于其他的第二类型的标记量测，叠层量测可以例如确定劣化的量测标记是否被劣化和/或实现确定劣化的替换标记与替换的量测标记之间的偏移(如果存在的话)。
参照图3A，以未劣化的量测标记的形式示意性地描绘量测标记100(在此情况下为对准标记)，未劣化的量测标记对于使用第一类型的标记量测的量测设备(例如对准传感器AS)进行的量测是经得起检验的。在此示例中，量测标记100包括凹陷区域102(在此情况下是多个沟槽102)，其中在每一对沟槽102之间具有脊部分104。每一沟槽102具有直的侧壁106和方角108，如从量测标记上方观察到的。
参照图3B，基于量测标记100的劣化的量测标记110的示意性描绘展现使使用第一类型的量测的量测相比于针对量测标记100的量测较不可靠的遗漏图案元件。劣化的量测标记110包括凹陷区域112和朝向凹陷区域112的中心向内延伸的脊部分114。在劣化的量测标记110中，脊部分114断裂，且以前隔离的沟槽已合并至凹陷区域112中。劣化的量测标记110具有无图案区116，其中脊部分114的部分从物体断裂开。尽管对脊部分114存在损坏，但劣化的量测图案110的侧壁118大体上是直的。在实施例中，第二类型的标记量测能够检测和测量(例如对准至)诸如劣化的量测标记110的劣化的量测标记，这是因为第二类型的标记量测例如(1)具有较大时间段以便执行标记检测和测量，和/或(2)使用不同类型的辐射和/或与量测标记的相互作用。
参照图3C，基于量测标记100的量测标记120的示意性描绘被显示于该量测标记的顶部上的遮蔽材料层下方。具有直的侧壁126和方角128的沟槽122和脊124存在于量测标记中。介入材料层(即，量测标记与检测器之间的层)有时使得量测标记对用于光刻元中的量测的类型模糊，从而使量测标记部位更困难。在实施例中，可使用穿过或更深地穿入物体(例如其一个或更多个层)的第二类型的量测来检测由第一类型的量测遮蔽(即，难以或没有可能检测)的量测标记。在实施例中，使用穿入物体(例如其一个或更多个层)的诸如红外辐射或x射线辐射的非可见光辐射的第二类型的量测能够检测和测量诸如量测标记120的被遮蔽的标记。穿透物体(例如介入材料层)的辐射在量测标记120的部位处相比于由邻接和/或环绕量测标记120的材料被以不同的方式改变方向。
参照图4，显示用于检测物体上的一个或更多个量测标记和其他特征的量测标记模块200的示意图。量测标记模块200包括保持框架204的环境罩壳202，框架204例如由量测基部208上的振动隔离系统206支撑。在实施例中，框架204支撑第一量测传感器224和/或可选的第二量测传感器226。在实施例中，框架204支撑标记打印机228。然而，在实施例中，标记打印机228被支撑于与框架204机械地隔离的分离框架上。
物体210被支撑于框架204内的平台212上。使用位置测量系统211来测量平台212的位置(且因此，量测标记模块200的控制系统使用位置测量系统211的输出来控制平台212的位置)。在实施例中，位置测量系统211具有多个栅格板读取器216，该栅格板读取器216配置成与栅格板214配合，在该栅格板214的上方定位有所述平台212，作为编码器系统以确定框架204内的平台212相对于栅格板214的位置。应了解，栅格板214可以被提供至平台且栅格板读取器216可以被提供至框架204。可以使用不同的位置测量系统211(例如干涉仪)。
平台212包括一个或更多个平台对准标识218，以实现确定平台212相对于模块的一个或更多个部分的位置(例如平台212相对于标记打印机228的位置)，和/或用作确定物体上的一个或更多个量测标记的位置所相对的参考物。例如，对准标识218可以用以确定第一量测传感器224与标记打印机228之间、第一量测传感器224与第二量测传感器226之间等的位置偏移。
处置器220接收物体210并把物体210放置在平台212上。水平传感器222测量第一量测传感器224、可选的第二量测传感器226和标记打印机228下方的物体210的高度和/或倾角。
在实施例中，相比于劣化的量测标记被设计用于测量所针对的光刻元的量测工具(例如对准传感器AS)，第一量测传感器224配置成以更大的准确度检测和测量劣化的量测标记。在实施例中，第一量测传感器224配置成可易于替换(例如比第二量测传感器226更可易于替换)。这使得可响应于量测标记的劣化的性质(例如损坏程度、介入层的存在等)提供不同的技术和/或能力的第一量测传感器224。例如，可插入适当的第一量测传感器224，其相比于模块200中的第一量测传感器224对劣化的量测标记的元件具有更大灵敏度。作为另一示例，第一量测传感器224可以为使用如下所述的照射的量测传感器：所述照射起源于物体(图4中出于方便起见而未显示)下方、传递通过物体且由传感器224在相对于物体与该照射的原点相对的位置处检测到。因此，在实施例中，第一量测传感器224是第二类型的标记量测。在实施例中，第一量测传感器224为红外检测器、紫外辐射检测器和/或x射线检测器。在实施例中，第一量测传感器224为原子力显微镜或近场光学显微镜。在实施例中，第一量测传感器224使用电子或其他粒子以测量量测标记。在实施例中，量测标记模块200包括两个或更多个第一量测传感器224，相比于劣化的量测标记被设计用于测量所针对的光刻元的量测工具(例如对准传感器AS)，每一第一量测传感器224配置成以更大的准确度测量劣化的量测标记，且在实施例中，每一第一量测传感器224是不同的测量类型(例如一个为红外线，而另一个为紫外线)。
标记打印机228配置成在存在劣化的量测标记时在物体上产生替换的量测标记。在实施例中，产生替换的量测标记涉及向物体表面(例如向物体上的材料层)添加材料。在实施例中，将所添加的材料添加于模块200中(例如由物体处置器220和/或标记打印机228)。在实施例中，可以在标记产生过程期间将用于产生替换的量测标记的所添加的材料添加至物体的顶侧、物体的底部或顶侧和底侧两者。在实施例中，将标记材料直接沉积至物体表面上。一些物体具有抗蚀剂层和/或抗反射涂层(ARC)，可将量测标记产生至所述层中或可以使用沉积于所述层上的标记材料在所述层上产生量测标记。
在实施例中，可通过消去过程(subtractive process)来形成替换的量测标记。在实施例中，消去过程可以使用沉积(例如针对标记打印机228特殊地沉积)于物体上的标记材料来产生替换的量测标记，或使用物体上的现有表面(例如抗蚀剂层)。在实施例中，示例消去过程是光学过程，诸如将未曝光的辐射敏感材料层曝光于辐射以便修改材料的部分的化学结构，所述部分对应于替换的量测标记的图案。材料层的后续显影过程移除材料层的一个部分，且留下对应于物体上的替换的量测标记的图案。在实施例中，消去过程是使用辐射来机械地移除材料以形成替换的量测标记的烧蚀过程。
在实施例中，可通过添加过程(additive process)来形成替换的量测标记。在实施例中，以替换的量测标记的图案的形式添加如上文所描述而添加至物体的标记材料。在实施例中，添加过程使用喷墨型分配器来以替换的量测标记图案的形式分配所添加的材料。
在实施例中，可通过对物体上的材料进行成形来形成替换的量测标记。在实施例中，使探针尖端极其接近于材料的表面以使用例如范德瓦尔斯力来使表面变形，从而随着探针尖端横跨表面移动而在探针尖端后面留下被物理修改的表面。在实施例中，材料为抗蚀剂，例如被显影的抗蚀剂。
在实施例中，通过将模具按压至物体上的材料的表面中，从而在从材料层的表面移除模具之后在材料中留下压痕，来形成替换的量测标记。在实施例中，材料为抗蚀剂，例如被显影的抗蚀剂。
在实施例中，标记打印机228配置成相对于例如劣化的量测标记和/或器件图案特征以已知偏移提供替换的量测标记。在实施例中，量测标记模块200的控制系统通过例如以下操作来实现此情形：使用第一量测传感器224(其与位置测量系统211合作以确定劣化的量测标记在量测标记模块200的坐标系统中的位置)来测量劣化的量测标记的部位。在实施例中，量测标记模块200的控制系统通过例如以下操作来实现此情形：使用第一量测传感器224(其与位置测量系统211合作进行工作以确定器件图案特征(例如关键器件图案特征，例如对器件的功能性重要和/或易遭受其中重叠不准确的缺陷的器件图案特征)在量测标记模块200的坐标系统中的位置)来测量器件图案特征的部位。控制系统使用位置测量系统211来控制物体210相对于标记打印机228的位置，使得标记打印机228可以在所述偏移处产生替换的量测标记。
在实施例中，可选的第二量测传感器226配置成测量替换的量测标记。在实施例中，第二量测传感器226不同于第一量测传感器224。在实施例中，第二量测传感器226是基于衍射的传感器。在实施例中，第二量测传感器为类型与劣化的标记被设计用于测量所针对的光刻元的量测工具(例如对准传感器)相同或相似的传感器。因此，在实施例中，第二量测传感器226是第一类型的标记量测。
在实施例中，量测标记模块200可以实现除了替换标记产生以外或替代替换标记产生的特征。例如，其可以提供工具至工具对准/重叠匹配。即，在实施例中，其可实现两个或更多个光刻设备之间的重叠/对准匹配，这是由于量测标记模块200具有量测传感器。例如，其可以测量一个光刻设备的重叠，相似地测量来自另一光刻设备的重叠，并且确定偏移，使得两个光刻设备可以产生相当的重叠。在实施例中，量测标记模块200可以横跨衬底产生重叠/对准指纹以实现匹配。
在实施例中，量测标记模块200可以实现光刻元中的另一量测系统(例如对准传感器AS)的校准。其可以用以确定例如光刻元中的另一量测系统的过程变化灵敏度。
在实施例中，量测标记模块200可以提供物体的背侧量测，而不必翻转物体，其中光刻元中的一个或更多个量测系统在不翻转物体的情况下不会以其他方式提供物体的背侧量测。
图5A-5D示意性地描绘了具有量测标记和替换的量测标记的物体的示例的横截面图。
参照图5A，具有具备量测标记304的层302的物体300(在实施例中，层302为诸如硅晶片的底层衬底)具有形成于物体的层302中的替换的量测标记306和/或具有形成于物体的层302上的替换的量测标记308。在实施例中，替换的量测标记306为形成于层302的顶表面中的消去标记。在实施例中，替换的量测标记308为形成于层302的顶表面处的添加标记。
参照图5B，具有具备量测标记314的层312的物体310(在实施例中，层312为诸如硅晶片的底层衬底)被示出为具有形成于层312的顶部表面上的涂覆层318中的替换的量测标记316。在实施例中，涂覆层318包括抗反射涂层(ARC)和/或层312上的抗蚀剂层。可以例如通过消去过程或成形过程来形成替换的量测标记316。
参照图5C，具有具备量测标记304的层322的物体320(在实施例中，层322为诸如硅晶片的底层衬底)具有形成于物体的顶层322上的涂覆层324中的替换的量测标记326。涂覆层324和替换的量测标记326由第二涂覆层328覆盖。在实施例中，涂覆层324为ARC，第二涂覆层326为用于接收用于器件的层的图案的抗蚀剂层。
参照图5D，具有具备涂覆层334和335的层332的物体330(在实施例中，层332为诸如硅晶片的底层衬底)具有位于物体330的背侧340上的背侧涂覆层338中的替换的量测标记336。如同替换的量测标记306、316和326，替换的量测标记336可以以添加的方式、以消去方式或通过重新成形物体上的材料涂覆层而形成。
图6为根据实施例的对物体进行图案化的方法的流程图。方法400包括操作402，其中利用检查设备来检查量测标记。在实施例中，使用第二类型的标记量测(例如使用第一量测传感器224)来测量量测标记，如上文所论述的。根据一些实施例，第二类型的标记量测包括红外线成像、可见光成像、紫外线辐射成像或x射线成像。在实施例中，第二类型的标记量测包括一种形式的显微术，诸如原子力显微术或近场显微术。在实施例中，第二类型的标记量测包括基于粒子的检测系统。在实施例中，可以使用例如第一量测传感器224、照相机等来记录量测标记的图像。
方法400可选地包括操作404，其中确定物体上的一个或更多个量测标记是否劣化。在实施例中，可以通过评估线的直度、量测标记的形状和/或量测标记的特征在量测标记的被测量图像中是否遗漏来实现量测标记是否劣化的确定。在实施例中，通过分析第一量测传感器224的测量结果，例如确定如由第一量测传感器224利用量测标记的预期部位所测量的相对部位，可进行量测标记是否劣化的确定。在实施例中，确定为使用处理算法以检测与标记品质相关的因素的完全自动化过程，和/或为涉及人类互动以确认量测标记的品质的处理。在执行操作404之后，接下来对具有劣化的量测标记的物体执行操作406，而接下来对具有被确定为未劣化的量测标记的物体执行操作418。量测标记可以被作为是劣化的来处理，且可以对物体上的量测标记中的一个或更多个执行操作406和后续操作。
在操作406处，使物体经受使用第二类型的标记量测(其不同于光刻元中用以测量劣化的量测标记的标记量测的类型)的物体标记检测过程。应了解，根据与这种设备或模块在制造环境中的使用相关的参数，来选择用于光刻元中或用于分离的量测标记模块200中的标记量测的类型。与选择模块中的一个标记量测相关的因素包括时间约束、标记检测准确度和/或再现性、量测设备的维护和校准等等。用于光刻元中的标记量测相比于用于诸如量测标记模块200的单机量测标记模块中的第二类型的量测将倾向于具有较短的测量和/或分析时间。用于诸如量测标记模块200的单机量测标记模块中的第二类型的标记量测相比于用于劣化的量测标记被设计且典型被测量所针对的光刻元中的量测具有较简单的维护要求和/或可被更易于替换(较少的工作时间，以及维护之后较快的稳定时间)。
在实施例中，在与劣化的对准标记被设计所针对的光刻元的测量系统分离的设备(或设备的部分)中执行操作406。因此，在实施例中，在诸如以单机形式提供的量测标记模块200的单机量测标记模块中执行操作406。在实施例中，在诸如作为轨道的部分的量测标记模块200的轨道内量测标记模块中执行操作406。在实施例中，在光刻设备的部分中执行操作406，该光刻设备与该光刻设备中劣化的量测标记被设计以供一起使用所针对的测量设备分离，诸如作为与对准传感器AS分离的光刻设备的部分的量测标记模块200。
除了与第二类型的标记量测兼容的传感器以外，量测标记模块可配置成具有适合于其他类型的量测的一个或更多个传感器。在实施例中，量测标记模块可配置成具有多个站，其中在一个站中进行量测且在另一站处进行标记修复/替换，以补偿模块中的较慢类型的标记量测和/或多个不同第二类型的标记量测的使用。
在实施例中，物体标记检测过程包括使用第二类型的标记量测来定位劣化的量测标记，和测量劣化的量测标记。在实施例中，物体标记检测过程可以使用来自操作402的测量结果，其中操作402涉及使用第二类型的标记量测。在实施例中，物体标记检测过程可以使用诸如第一量测传感器224的使用第二类型的标记量测的量测系统来进行测量。
在操作408处，在检测到劣化的量测标记之后，在物体的表面上产生替换的量测标记(例如增强型量测标记或新的量测标记)。在实施例中，在量测标记部位处以与劣化的量测标记的部位相隔某一偏移距离处产生替换的量测标记。应了解，在与劣化的量测标记的部位相隔一距离处产生替换的量测标记避免混淆替换的量测标记的特征与来自劣化的量测标记的标记特征。在实施例中，在与例如劣化的量测标记和/或与器件图案特征相隔已知的偏移处产生替换的量测标记。这可以例如通过以下操作完成：使用第一量测传感器224来对准劣化的量测标记且之后在与第一量测传感器224相隔的已知偏移处使用标记打印机228来提供替换的量测标记。这可以例如通过以下操作完成：使用第一量测传感器224测量器件图案特征(例如关键的器件图案特征)的位置且之后在与第一量测传感器224相隔的已知偏移处使用标记打印机228来提供替换的量测标记。或者，在实施例中，可以使用第一量测传感器224来确定劣化的量测标记和/或器件图案特征的位置，且之后可进行物体与标记打印机228之间的相对位移或移动，以便由标记打印机228在某一已知偏移处提供替换的量测标记。在实施例中，替换的量测标记位于劣化的量测标记的部位正上方(且因此，相对于劣化的量测标记为零偏移，但与器件图案特征相隔某一偏移)。
在实施例中，如果劣化的对准标记展现再现性，但展现不充足的准确性，则可能不会产生替换的量测标记。在那种状况下，可以在操作408处产生校正性数据记录以实现使用光刻元中的第一类型的量测系统进行较佳的测量。例如，数据记录可以具有关于位置误差(例如使用以下所确定：叠层量测、劣化的量测标记相对于器件图案特征的位置误差(其可以例如通过比较由第二类型的标记量测测量的劣化的量测标记相对于器件图案的位置与劣化的标记相对于器件图案的已知位置而确定)等等)的数据、标记结构不对称性、关于待用于测量劣化的量测标记的测量束波长的信息、关于用于测量劣化的量测标记的测量束数值孔径或测量束照射辐射空间或角分布的信息等等。
在可选的操作410处，使用第一类型的量测(参见例如图4的量测标记模块200中的第二量测传感器226)在量测标记模块中测量替换的量测标记，如上文所描述。在实施例中，第一类型的量测可以用以帮助确保替换的量测标记可由与劣化的量测标记被设计所针对的光刻元中的量测工具(例如对准传感器)相同或相似的量测系统读取。在实施例中，第一类型的量测可以用以确定替换的量测标记的部位且例如确定替换的量测标记与劣化的量测标记/器件图案特征之间的偏移。这可以通过例如确定具有第一类型的量测的替换的量测标记相对于参考物(诸如对准标记物218、器件图案特征等等)的部位而进行，其中第二类型的量测确定劣化的量测标记相对于同一参考物(或相对于第二类型的量测的参考物具有已知位置的另一参考物)的部位。
方法400可以可选地包括操作412，其中基于替换的量测标记的实际测量的部位(例如在操作410中所确定的)确定校正性偏移，其可与替换的量测标记的已知偏移(例如来自操作408)组合。因此，偏移的改善的确定允许基于光刻设备中的替换的量测标记改善物体的对准。
方法400也可以可选地包括由量测标记模块产生包括替换的量测标记的部位和/或替换的量测标记的偏移(其可以包括例如已知偏移、已知偏移与校正性偏移的组合、被测量的偏移等等)的数据记录。可选地，数据记录可以包括针对物体的识别符和/或量测标记的部位。在一实施例中，可以将参考代码打印(例如由标记打印机228)到物体上，参考代码可以包括数据记录数据和/或提供参考物以定位和/或存取数据记录数据。参考代码可以由光刻元中的读取器装置读取。在实施例中，参考代码包括条形码。方法400也可选地包括操作416，其中在将图案转印至光刻设备中的物体之前，将数据记录从量测标记模块传输至光刻设备且储存于光刻设备中。光刻设备使用数据记录中的数据以使用替换的量测标记来控制其操作。
方法400还包括操作418，其中使用替换的量测标记在光刻设备中测量(例如对准)物体。方法400还包括操作420，其中由图案形成装置基于使用替换的量测标记在光刻设备中进行的测量而将图案转印至位于图案形成装置上的物体(或抗蚀剂膜)。
在实施例中，提供了一种方法，包括：在器件图案化过程的第一器件光刻步骤之后，测量物体上的劣化的量测标记和/或与所述劣化的量测标记相关联的器件图案特征，所述劣化的量测标记至少部分地起因于所述物体上的所述第一器件光刻步骤；和在所述物体上的所述器件图案化过程的第二器件光刻步骤之前，在所述物体上产生替换的量测标记，以代替所述劣化的量测标记用于所述图案化过程中。
在实施例中，所述方法还包括在所述第二器件光刻步骤之前使用量测步骤来测量所述物体上的所述替换的量测标记。在实施例中，所述方法包括测量所述劣化的量测标记，测量所述劣化的量测标记包括通过第一类型的量测来测量所述劣化的量测标记，其中测量所述替换的量测标记包括通过不同于所述第一类型的量测的第二类型的量测来测量所述替换的量测标记。在实施例中，所述方法包括测量所述劣化的量测标记，测量所述劣化的量测标记包括通过第一类型的量测来测量所述劣化的量测标记，其中所述第二器件光刻步骤使用不同于所述第一类型的量测的第二类型的量测以测量所述替换的量测标记。在实施例中，所述第一类型的量测和第二类型的量测为第一类型的对准量测和第二类型的对准量测。在实施例中，所述第一类型的量测包括用以确定归因于所述劣化的量测标记上或所述劣化的量测标记的一个或更多个层的所述劣化的量测标记的位置误差的叠层量测。在实施例中，产生所述替换的量测标记包括在一距离偏移处产生所述替换的量测标记。在实施例中，所述方法还包括产生在测量所述替换标记时用于所述图案化过程中的数据记录，所述数据记录具有所述物体的识别符和所述替换的量测标记的所述距离偏移。在实施例中，所述方法包括测量所述劣化的量测标记相对于器件图案特征的位置，其中所述距离偏移包括所述替换的量测标记相对于所述器件图案特征的距离偏移。在实施例中，产生所述替换的量测标记包括对所述物体执行光学过程和/或物理过程。在实施例中，产生所述替换的量测标记包括在所述物体的与产生所述劣化的量测标记的侧是同一侧上产生所述替换的量测标记。在实施例中，产生所述替换的量测标记包括在所述物体的与产生所述劣化的量测标记的侧的不同侧上产生所述替换的量测标记。在实施例中，产生所述替换的量测标记包括将标记材料添加至所述物体的表面。在实施例中，产生所述替换的量测标记包括移除在所述物体上的物体材料和/或抗蚀剂层的一部分。在实施例中，所述劣化的量测标记和所述替换的量测标记是对准标记。在实施例中，所述方法还包括：作为所述第二器件光刻步骤的部分，测量所述物体的所述替换的量测标记；和基于所述替换的量测标记的所述测量将图案转印至所述物体。在实施例中，将所述图案转印至所述物体包括执行光光刻过程。在实施例中，所述物体是半导体衬底。
在实施例中，提供了一种设备，包括：量测传感器，配置成在器件图案化过程的第一器件光刻步骤之后测量物体上的劣化的量测标记和/或测量与所述劣化的量测标记相关联的器件图案特征，所述劣化的量测标记至少部分地起因于所述物体上的所述第一器件光刻步骤；和标记施加装置，配置成在所述器件图案化过程的任何后续器件光刻步骤之前在所述物体上产生替换的量测标记，其中所述替换标记代替所述劣化的量测标记用于所述图案化过程中。
在实施例中，所述标记施加装置配置成施加所述替换标记而不施加器件图案。在实施例中，所述量测传感器是对准传感器，所述对准传感器配置成确定所述劣化的量测标记的位置。在实施例中，所述设备包括另外的量测传感器，所述另外的量测传感器配置成根据第二类型的标记量测测量所述替换的量测标记，所述第二类型的标记量测不同于由所述量测传感器使用以测量所述劣化的量测标记的第一类型的标记量测。
在实施例中，提供了一种设备，包括：第一量测传感器，配置成根据第一类型的标记量测测量所述物体上的劣化的量测标记；标记施加装置，配置成基于所述劣化的标记的测量在所述物体上施加替换的量测标记；和第二量测传感器，配置成根据不同于所述第一类型的标记量测的第二类型的标记量测测量所述替换的量测标记。
在实施例中，所述第一量测传感器配置成在所述物体上的器件图案化过程的第一器件光刻步骤之后测量所述劣化的量测标记，且所述标记施加装置配置成在所述物体上的所述器件图案化过程的第二器件光刻步骤之前施加替换的量测标记。在实施例中，所述第一类型的标记量测基于红外辐射、可见光、紫外辐射和/或X射线辐射。在实施例中，所述第一类型的标记量测包括扫描电子显微术、隧道电子显微术、原子力显微术、共焦显微术和/或近场光学显微术。在实施例中，所述第一类型的量测和第二类型的量测为第一类型的对准量测和第二类型的对准量测。在实施例中，所述标记施加装置配置成通过所述物体上的添加过程、通过移除所述物体上的物体材料和/或抗蚀剂层的一部分、通过以光学方式变换所述物体上的材料和/或通过压印所述物体上的材料来产生所述替换标记。在实施例中，所述标记施加装置配置成在与所述劣化的量测标记相隔一距离偏移处产生所述替换标记。在实施例中，所述设备还包括计算机系统，所述计算机系统配置成产生在测量所述替换标记时用于所述图案化过程中的数据记录，所述数据记录具有所述物体的识别符和所述替换的量测标记的所述距离偏移。在实施例中，所述标记施加装置配置成在所述物体的与产生所述劣化的量测标记的侧是同一侧上产生所述替换的量测标记。在实施例中，所述标记施加装置配置成在所述物体的与产生所述劣化的量测标记的侧的不同侧上产生所述替换的量测标记。在实施例中，所述劣化的量测标记和所述替换的量测标记是对准标记。在实施例中，所述设备还包括光刻设备，所述光刻设备配置成作为所述图案化过程的光刻步骤的部分，测量所述物体的所述替换的量测标记，并基于所述替换的量测标记的所述测量将图案转印至所述物体。在实施例中，所述物体是半导体衬底。
如本领域普通技术人员应了解，本申请可实现为系统、方法或计算机程序产品。因此，本申请的方面可采取完全硬件实施例、完全软件实施例(包括固件、常驻软件、微码等)或组合软件与硬件方面的实施例的形式，这些实施例在本文中一般都可被称作“电路”、“模块”或“系统”。此外，本申请的方面可采取在任一个或更多个计算机可读介质中实现的计算机程序产品的形式，所述计算机可读介质具有嵌于其上的计算机可用的程序代码。
可利用一个或更多个计算机可读介质的任何组合。计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或计算机可读储存介质。计算机可读储存介质可以是例如但不限于：电子、磁性、光学、电磁、红外线或半导体系统、设备、装置，或前述各种的任何合适的组合。计算机可读介质的更具体的示例(非详尽的列表)将包括以下：具有一个或更多个电线的电连接件、便携式计算机软盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦可编程只读存储器(EPROM或闪存)、光纤、便携式光盘只读存储器(CDROM)、光学储存装置、磁性储存装置、或前述的任何合适组合。在本文的内容背景中，计算机可读储存介质可以是可含有或储存用于由指令执行系统、设备或装置使用或结合指令执行系统、设备或装置使用的程序的任何有形介质。
计算机可读信号介质可包括其中嵌入计算机可读程序代码的传播数据信号，例如，在基频中或作为载波的部分。这种传播信号可采取多种形式中的任一种形式，包括但不限于电磁性、光学或其任何合适的组合。计算机可读信号介质可以是并非计算机可读储存介质且可通信、传播或输送程序以供指令执行系统、设备或装置使用或结合指令执行系统、设备或装置使用的任何计算机可读介质。
嵌于计算机可读介质上的计算机代码可以使用任何适当介质来传输，所述介质包括但不限于无线、有线、光纤缆线、射频(RF)等或其任何合适的组合。
用于进行本申请的方面的操作的计算机程序代码可以以一个或更多个编程语言的任何组合而被写入，所述编程语言包括诸如JavaTM、SmalltalkTM、C++或其类似语言的面向对象的编程语言，和诸如“C”编程语言或类似编程语言的常规程序化编程语言。程序代码可完全在使用者的计算机上执行、部分在使用者的计算机上执行、作为单独软件包执行、部分在使用者的计算机上且部分在远程计算机上执行、或完全在远程计算机或服务器上执行。在后面的情况下，远程计算机可通过任一类型的网络(包括局域网络(LAN)或广域网(WAN))连接至使用者的计算机，或可(例如通过使用互联网服务提供商的因特网)连接至外部计算机。
计算机程序指令也可加载至计算机、其他可编程数据处理设备或其他装置上，以使在该计算机、其他可编程设备或其他装置上执行一系列操作步骤以产生计算机实施的过程，使得在该计算机、其他可编程设备上执行的指令提供用于实施本文规定的一个或更多个功能/动作的过程。
如上文所提到的，应了解，图示的实施例可以采取完全硬件实施例、完全软件实施例或含有硬件元件和软件元件两者的实施例的形式。在一示例实施例中，图示的实施例的机构可以以软件或程序代码来实施，所述软件或程序代码包括但不限于固件、常驻软件、微码等。
适合于储存和/或执行程序代码的数据处理系统将包括通过系统总线直接或间接耦接至存储元件的至少一个处理器。存储元件可以包括在实际执行程序代码期间使用的本地存储器、大容量储存器，和提供至少某一程序代码的暂时储存以便缩减在执行期间必须从大容量储存器获取程序代码的次数的高速缓存存储器。
输入/输出或I/O装置(包括但不限于键盘、显示器、指向装置等)可直接地或通过介入其间的I/O控制器耦接至系统。网络适配器也可耦接至系统，以实现数据处理系统变成通过介入的专用网络或公用网络耦接至其他数据处理系统或远程打印机或储存装置。调制解调器、电缆调制解调器和以太网卡仅是少数当前可利用类型的网络适配器。
图7示出可辅助实施本文中所公开的方法和流程中的任一个的计算机系统1700的实施例的方框图。计算机系统1700包括用于通信信息的总线1702或其他通信机构，和与总线1702耦接以用于处理信息的处理器1704(或多个处理器1704和1705)。计算机系统1700还包括耦接至总线1702以用于储存待由处理器1704执行的信息和指令的主存储器1706，诸如随机存取存储器(RAM)或其他动态储存装置。主存储器1806还可以用于在待由处理器1704执行的指令的执行期间储存暂时性变量或其他中间信息。计算机系统1700还包括耦接至总线1702以用于储存用于处理器1704的静态信息和指令的只读存储器(ROM)1708或其他静态储存装置。设置诸如磁盘或光盘的储存装置1710，且将该储存装置耦接至总线1702以用于储存信息和指令。
计算机系统1700可经由总线1702耦接至用于向计算机使用者显示信息的显示器1712，诸如阴极射线管(CRT)或平板显示器或触控面板显示器。包括字母数字键和其他键的输入装置1714耦接至总线1702以用于将信息和命令选择通信至处理器1704。另一类型的使用者输入装置是光标控制器1716(诸如鼠标、轨迹球或光标方向键)，用于将方向信息和命令选择通信至处理器1704且用于控制显示器1712上的光标移动。这种输入装置典型地在两个轴线(第一轴线(例如x)和第二轴线(例如y))上具有两个自由度，这允许所述装置指定平面中的位置。触摸面板(屏)显示器也可以用作输入装置。
根据一个实施例，本文描述的过程的部分可以由计算机系统1700响应于用于执行包含在主存储器1706中的一个或更多个指令的一个或更多个序列的处理器104而被执行。这样的指令可以被从另一计算机可读介质(诸如储存装置1710)读取到主存储器1706中。包含在主存储器1706中的指令的序列的执行使得处理器1704执行本文描述的过程步骤。在多处理布置中的一个或更多个处理器也可以被用于执行包含在主存储器1706中的指令的序列。在可替代的实施例中，硬接线电路可以用于替代软件指令或与软件指令结合。因此，本文的描述不限于硬件电路和软件的任何特定的组合。
本文中使用的术语“计算机可读介质”是指参与向处理器1704提供指令以供执行的任何介质。这样的介质可以采用很多形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘，诸如储存装置1710。易失性介质包括动态存储器，诸如主存储器1706。传输介质包括同轴电缆、铜线和光纤，包括包含总线1702的电线。传输介质还可以采用声波或光波的形式，诸如在射频(RF)和红外(IR)数据通信期间生成的声波或光波。常见形式的计算机可读介质包括例如软盘、柔性盘、硬盘、磁带、任何其他磁性介质、CD-ROM、DVD、任何其他光学介质、穿孔卡、纸带、具有孔图案的任何其他物理介质、RAM、PROM和EPROM、FLASH-EPROM、任何其他存储器芯片或盒、如下文中所述的载波、或计算机可以从其进行读取的任何其他介质。
各种形式的计算机可读介质可以涉及将一个或更多个指令的一个或更多个序列传送到处理器1704以供执行。例如，指令最初可以承载在远程计算机的磁盘上。远程计算机可以将指令加载到其动态存储器中，并且使用调制解调器通过电话线发送指令。计算机系统1700本地的调制解调器可以接收在电话线上的数据并且使用红外发射器将数据转换成红外信号。耦接到总线1702的红外检测器可以接收红外信号中携带的数据并且将数据放置在总线1702上。总线1702将数据传送到主存储器1706，处理器1704从主存储器106获取并且执行指令。由主存储器1706接收的指令可以可选地在由处理器1704执行之前或之后储存在储存装置1710上。
计算机系统1700还可以包括耦接到总线1702的通信接口1718。通信接口1718提供耦接到网络链路1720的双向数据通信，所述网络链路连接到本地网络1722。例如，通信接口1718可以是用于提供与相应类型的电话线的数据通信连接的综合业务数字网(ISDN)卡或调制解调器。作为另一示例，通信接口1718可以是用于提供与兼容LAN的数据通信连接的局域网(LAN)卡。还可以实施无线链路。在任何这样的实施方式中，通信接口1718发送和接收携带表示各种类型的信息的数字数据流的电信号、电磁信号或光信号。
网络链路1720典型地通过一个或更多个网络提供到其他数据装置的数据通信。例如，网络链路1720可以通过本地网络1722提供到主计算机1724或到由因特网服务提供商(ISP)1726运行的数据设备的连接。ISP 1726又通过现在通常称为“因特网”1728的全球分组数据通信网络提供数据通信服务。本地网络1722和因特网1728两者都使用携带数字数据流的电信号、电磁信号或光信号。通过各种网络的信号和在网络链路1720上并且通过通信接口1718的信号(其将数字数据传送到计算机系统1700和从计算机系统1700传送数字数据)是输送信息的载波的示例性形式。
计算机系统1700可以通过网络、网络链路1720和通信接口1718发送消息和接收数据，包括程序代码。在因特网示例中，服务器1730可以通过因特网1728、ISP 1726、本地网络1722和通信接口1718传输用于应用程序的所请求的代码。例如，一个这样的下载的应用可以提供本文中描述的方法或其的部分。所接收的代码可以在被接收时由处理器1704执行，和/或储存在储存装置1710或其他非易失性储存器中以供稍后执行。以这种方式，计算机系统1700可以获取呈载波的形式的应用代码。
尽管本文已经具体参考了IC的制造，但是应明确理解，本文的描述具有许多其他可能的应用。例如，它可用于集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示面板、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种替代应用的上下文中，本文中使用的任何术语“掩模版/掩模”、“晶片”或“管芯”可以被认为分别可以与更上位的术语“图案形成装置”、“衬底”或“目标部分”互换。
在本文中，术语“辐射”和“束”被用于涵盖全部类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和EUV(极紫外辐射，例如具有在约5-100nm的范围内的波长)。
虽然本文公开的构思可以用于在衬底(诸如硅晶片)上成像的系统和方法，但是应当理解，所公开的构思可以与任何类型的光刻系统一起使用，例如用于在除了硅晶片之外的衬底上成像的光刻系统。
在框图中，虽然所图示的部分被描绘为分立的功能块，但实施例不限于本文中所描述的功能性如图所示地那样组织的系统。由部件中的每一个提供的功能性可以由软件或硬件模块提供，所述软件或硬件模块以与当前所描绘的方式不同的方式组织，例如可以混合、结合、复写、解散、分配(例如，在数据中心内或者按地区)，或者以其他不同的方式组织这样的软件或硬件。本文中描述的功能性可以由执行储存于有形的非暂时性机器可读介质上的代码的一台或更多台计算机的一个或更多个处理器提供。在一些情况下，第三方的内容递送网络可以是在网络上传送的一些或全部信息的主机，在这种情况下，在一定程度上信息(例如，内容)被认为被供给或以其他方式提供，该信息可以通过发送指令以从内容递送网络获取该信息而被提供。
除非另有明确说明，否则根据本论述将明白，应该理解的是，在整个说明书中，利用诸如“处理”、“通过计算机计算”、“计算”、“确定”等术语的讨论是指特定设备(诸如专用目的计算机或类似的专用目的电子处理/通过计算机进行计算的装置)的动作或过程。
阅读者应该明白的是，本申请描述了多个发明。没有将这些发明分开到多个独立的专利申请中，申请人已将这些发明组合到单个文件中，这是由于它们的相关主题可以在应用过程中适用于经济。但是，不应该合并这些发明的不同的优点和方面。在一些情况下，虽然实施例解决了本文中所提到的所有不足，但应该理解的是，所述发明是独立地有用的，并且一些实施例仅解决这些问题的子组或提供其他未提及的益处，这些益处对于查阅本公开内容的技术人员而言是清楚的。由于成本限制，当前可能不主张本文中披露的一些发明，并且可以在稍后的申请中(诸如连续申请或者通过修改本发明的权利要求书)主张这些发明。类似地，由于空间限制，本文中的“摘要”和“发明内容”部分都不应该视为包含所有这些发明的全面的列举或这些发明的所有方面。
应该理解的是，说明书和附图意图不是将本发明限制为所公开的特定形式，而是相反，本发明要覆盖落入由所附权利要求所限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等同物和替代方案。
鉴于本说明书，本领域技术人员将明白本发明的各个方面的修改和替代实施例。因此，本说明书和附图仅被解释为说明性的，并且是为了向本领域技术人员教导执行本发明的一般方式的目的。应该理解的是，本文示出和描述的本发明的形式将被视为实施例的示例。元件和材料可以被用于替代本文所图示和所述的那些元件和材料，部件和过程可以被颠倒或省略，并且某些特征可以独立使用，可以组合实施例或实施例的特征，所有这些对于本领域技术人员在受益于本发明的说明书之后将是清楚的。在不背离由所附权利要求所述的本发明的精神和范围的情况下，可以对本文所述的元件作出改变。本文使用的标题仅用于组织性目的，并不意味着用于限制说明书的范围。
如整个本申请中所使用的，词语“可以或可能”以可许可的含义(即，意味着有潜在可能性)而不是强制性的含义(即，意味着必须)来使用。词语“包括(“include”，“including”和“includes”)”等意味着包括但不限于。如整个本申请中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”包括复数的表示，除非另外地有内容明确地说明。因此，例如，对“元件(an element和a element)”的提及包括两个或更多个元件的组合，尽管对于一个或更多个元件诸如“一个或更多个”使用了其他的术语和措词。术语“或”，除非另外说明，否则是非排他性的，即包含“和”和“或”两者。描述条件关系的术语，例如“响应于X，Y”、“在X时，Y”、“如果X，则Y”、“当X时，Y”等，包括因果关系，其中前提为必要的因果条件，前提为充分的因果条件，或前提是结果的促成因果条件，例如，“表述在条件Y获得时状态X发生”对于“仅在Y时X发生”和“在Y和Z时X发生”是上位的。这样的条件关系并不限于立即在前提获得之后的结果，因为一些结果可能被延迟，并且在条件陈述中，前提与它们的结果相关联，例如前提与结果发生的可能性相关。其中多个属性或功能被映射到多个物体(例如，执行步骤A，B，C和D的一个或更多个处理器)的表述涵盖所有这些属性或功能被映射到所有这些物体和属性或功能的子集被映射到所述属性或功能的子集两者(例如，所有处理器每个执行步骤A-D，及其中处理器1执行步骤A、处理器2执行步骤B和步骤C的一部分、并且处理器3执行步骤C的一部分和步骤D的情况)，除非另外说明。此外，除非另外说明，否则一个值或动作“基于”另一个条件或值的陈述涵盖其中所述条件或值是唯一因素的情况以及其中所述条件或值是多个因素中的一个因素的情况两者。除非另外说明，某些集合的“每个”情况具有某个属性的陈述不应被获悉排除较大集合中的一些其他相同或相似构件不具有该属性的情况，即，每个并不一定意味着每一个或任一个。
在一定程度上，某些美国专利、美国专利申请或其他材料(例如论文)已径通过引用并入，这些美国专利、美国专利申请和其他材料的文字仅在这种材料与本文中所阐述的陈述和附图之间不存在冲突的程度上通过而被并入。在存在这种冲突的情况下，在这种通过引用被并入的美国专利、美国专利申请和其他材料中的任何这种冲突并不特定地以引用的方式并入本文中。
已经出于图示和描述的目的呈现本申请的说明书，且该说明书意图不是穷尽的或将本发明限于所公开的形式。对于本领域的普通技术人员而言，许多修改和变化将是清楚的。因此，本领域的技术人员将明白，在不背离下面阐述的权利要求书的范围的情况下，可以对所描述的发明进行修改。

Claims (26)

1.一种方法，包括：
在器件图案化过程的第一器件光刻步骤之后，测量物体上的劣化的量测标记和/或与所述劣化的量测标记相关联的器件图案特征，所述劣化的量测标记至少部分地起因于所述物体上的所述第一器件光刻步骤；和
在所述物体上的所述器件图案化过程的第二器件光刻步骤之前，在所述物体上产生替换的量测标记，以代替所述劣化的量测标记用于所述器件图案化过程中。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第二器件光刻步骤之前使用量测步骤来测量所述物体上的所述替换的量测标记。
3.根据权利要求2所述的方法，包括测量所述劣化的量测标记，并且测量所述劣化的量测标记包括通过第一类型的量测来测量所述劣化的量测标记，其中测量所述替换的量测标记包括通过不同于所述第一类型的量测的第二类型的量测来测量所述替换的量测标记。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，包括测量所述劣化的量测标记，测量所述劣化的量测标记包括通过第一类型的量测来测量所述劣化的量测标记，其中所述第二器件光刻步骤使用不同于所述第一类型的量测的第二类型的量测以测量所述替换的量测标记。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其中，所述第一类型的量测和第二类型的量测为第一类型的对准量测和第二类型的对准量测。
6.根据权利要求3或4所述的方法，其中，所述第一类型的量测包括叠层量测，所述叠层量测用于确定归因于所述劣化的量测标记上或所述劣化的量测标记的一个或更多个层的所述劣化的量测标记的位置误差。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，产生所述替换的量测标记包括在一距离偏移处产生所述替换的量测标记。
8.根据权利要求7所述的方法，还包括产生在测量所述替换标记时用于所述器件图案化过程中的数据记录，所述数据记录具有所述物体的识别符和所述替换的量测标记的所述距离偏移。
9.根据权利要求7或8所述的方法，包括测量所述劣化的量测标记相对于器件图案特征的位置，其中所述距离偏移包括所述替换的量测标记相对于所述器件图案特征的距离偏移。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中，产生所述替换的量测标记包括对所述物体执行光学过程和/或物理过程。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，产生所述替换的量测标记包括将标记材料添加至所述物体的表面。
12.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，产生所述替换的量测标记包括移除在所述物体上的物体材料和/或抗蚀剂层的一部分。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中，所述劣化的量测标记和所述替换的量测标记是对准标记。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法，还包括：
作为所述第二器件光刻步骤的部分，测量所述物体的所述替换的量测标记；和
基于所述替换的量测标记的所述测量将图案转印至所述物体。
15.一种设备，包括：
量测传感器，配置成在器件图案化过程的第一器件光刻步骤之后测量物体上的劣化的量测标记和/或测量与所述劣化的量测标记相关联的器件图案特征，所述劣化的量测标记至少部分地起因于所述物体上的所述第一器件光刻步骤；和
标记施加装置，配置成在所述器件图案化过程的任何后续的器件光刻步骤之前在所述物体上产生替换的量测标记，其中所述替换的量测标记代替所述劣化的量测标记用于所述器件图案化过程中。
16.根据权利要求15所述的设备，其中，所述标记施加装置配置成施加所述替换的量测标记而不施加器件图案。
17.根据权利要求15或16所述的设备，其中，所述量测传感器是对准传感器，所述对准传感器配置成确定所述劣化的量测标记的位置。
18.根据权利要求15-17中任一项所述的设备，包括另外的量测传感器，所述另外的量测传感器配置成根据第二类型的标记量测测量所述替换的量测标记，所述第二类型的标记量测不同于由所述量测传感器使用的以测量所述劣化的量测标记的第一类型的标记量测。
19.一种设备，包括：
第一量测传感器，配置成根据第一类型的标记量测测量所述物体上的劣化的量测标记；
标记施加装置，配置成基于所述劣化的标记的测量在所述物体上施加替换的量测标记；和
第二量测传感器，配置成根据不同于所述第一类型的标记量测的第二类型的标记量测测量所述替换的量测标记。
20.根据权利要求19所述的设备，其中，所述第一量测传感器配置成在所述物体上的器件图案化过程的第一器件光刻步骤之后测量所述劣化的量测标记，所述标记施加装置配置成在所述物体上的所述器件图案化过程的第二器件光刻步骤之前施加替换的量测标记。
21.根据权利要求19或20所述的设备，其中，所述第一类型的标记量测基于红外辐射、可见光、紫外辐射和/或X射线辐射。
22.根据权利要求19或20所述的设备，其中，所述第一类型的标记量测包括扫描电子显微术、隧道电子显微术、原子力显微术、共焦显微术和/或近场光学显微术。
23.根据权利要求15-22中任一项所述的设备，其中，所述标记施加装置配置成通过所述物体上的添加过程、通过移除所述物体上的物体材料和/或抗蚀剂层的一部分、通过光学上变换所述物体上的材料和/或通过压印所述物体上的材料来产生所述替换标记。
24.根据权利要求15-23中任一项所述的设备，其中，所述标记施加装置配置成在距所述劣化的量测标记的一距离偏移处产生所述替换标记。
25.根据权利要求24所述的设备，还包括计算机系统，所述计算机系统配置成产生在测量所述替换标记时用于所述器件图案化过程中的数据记录，所述数据记录具有所述物体的识别符和所述替换的量测标记的所述距离偏移。
26.根据权利要求15-24中任一项所述的设备，还包括光刻设备，所述光刻设备配置成测量所述物体的所述替换的量测标记，以作为所述器件图案化过程的光刻步骤的部分，并基于所述替换的量测标记的所述测量将图案转印至所述物体。
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