JP2022023027A - Cmpプロセスのトラッキングデータを3d印刷されたcmp消耗材と組み合わせるための技法 - Google Patents

Cmpプロセスのトラッキングデータを3d印刷されたcmp消耗材と組み合わせるための技法 Download PDF

Info

Publication number
JP2022023027A
JP2022023027A JP2021142999A JP2021142999A JP2022023027A JP 2022023027 A JP2022023027 A JP 2022023027A JP 2021142999 A JP2021142999 A JP 2021142999A JP 2021142999 A JP2021142999 A JP 2021142999A JP 2022023027 A JP2022023027 A JP 2022023027A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
printed
polishing pad
wireless communication
pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021142999A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7277528B2 (ja
Inventor
ジェーソン ジー. ファン,
G Fung Jason
ラジーブ バジャージ,
Bajaj Rajeev
ダニエル レッドフィールド,
Redfield Daniel
アニルド カナ,
Khanna Aniruddh
マリオ コルネホ,
Cornejo Mario
グレゴリー イー. メンク,
Gregory E Menk
ジョン ワトキンス,
Watkins John
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2022023027A publication Critical patent/JP2022023027A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7277528B2 publication Critical patent/JP7277528B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34Accessories
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/003Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving acoustic means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/10Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/14Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the temperature during grinding
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/16Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B51/00Arrangements for automatic control of a series of individual steps in grinding a workpiece
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D18/00Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C64/00Additive manufacturing, i.e. manufacturing of three-dimensional [3D] objects by additive deposition, additive agglomeration or additive layering, e.g. by 3D printing, stereolithography or selective laser sintering
    • B29C64/10Processes of additive manufacturing
    • B29C64/106Processes of additive manufacturing using only liquids or viscous materials, e.g. depositing a continuous bead of viscous material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33YADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y10/00Processes of additive manufacturing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33YADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y80/00Products made by additive manufacturing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67294Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0003Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0003Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B29K2995/0005Conductive
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29LINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00Other particular articles
    • B29L2031/736Grinding or polishing equipment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10098Components for radio transmission, e.g. radio frequency identification [RFID] tag, printed or non-printed antennas

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)

Abstract

Figure 2022023027000001
【課題】改善された研磨性能及び好ましいプロセス感知能力を提供するCMPシステム、研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド、研磨ヘッド保持リング、及び研磨ヘッド膜を含むCMP研磨装置は、例えば三次元(3D)印刷プロセス等の付加製造プロセスを介して製造されうる。CMP装置は、内部に無線通信装置600の構成要素を一体的に含みうる。CMP装置を製造する方法は、無線通信装置を研磨パッド内に3D印刷することと、予め形成された無線通信装置を受け入れるように構成された凹部を有する研磨パッドを印刷することとを含む。
【選択図】図6

Description

[0001]本開示の実施形態は概して、化学機械研磨(CMP)装置、及びCMP装置を製造し使用する方法に関する。より具体的には、本書に記載の実施形態は、CMP装置においてデータを収集する、例えばCMPプロセスに関するデータ、及び/又はCMP研磨装置に含まれる構成要素に関するデータを収集するための技法に関する。
[0002]化学機械研磨(CMP)は、半導体デバイスの製造中に基板を平坦化するのに一般的に用いられる技法である。CMPプロセスの間、処理される基板はキャリアヘッドに装着され、デバイス面は回転している研磨パッドに当接するように位置づけされる。キャリアヘッドは、デバイス面を研磨パッドに押し付けるために、基板に制御可能な負荷を加える。例えば研磨材粒子を有するスラリ等の研磨液が通常、研磨パッドの表面に供給される。研磨パッドは、特定数の基板を研磨した後に通常摩耗する消耗部品である。したがって、パッドと、他のCMP消耗部品は、一定の適切な研磨性能を維持するために時折交換する必要がある。
[0003]研磨パッドは通常、ポリウレタン材料を成形、鋳造又は焼結することによって製造される。成形の場合、研磨パッドは、例えば射出成形等によって1度に1つずつ製造されうる。鋳造の場合、液体の前駆体が鋳造され、硬化されて塊が形成され、この塊が続いて個々のパッド片にスライスされる。パッド片は次に最終的な厚さに機械加工されうる。溝が機械加工で研磨面に形成されうる、あるいは射出成形プロセスの一部として形成されうる。これらの研磨パッドを製造する方法は高価であり、時間がかかる。更に、これらの方法によって製造された研磨パッドによる研磨は非均一であることが多い。例えば、CMPの間、基板上の異なるエリアが異なる速度で研磨され得、その結果、あるエリアでは材料が多く除去され過ぎる(「過剰研磨」)、あるいは他のエリアでは材料が少ししか除去されない(「研磨不足」)ことになりうる。
[0004]加えて、従来の技法によって製造された研磨パッド及び他のCMP装置には、さまざまなトラッキング、感知、監視、及びプロセス計測機能を実施するデバイス及び方法に欠けることが多い。従来のCMPシステムの多くは、通常、先端技術の集積回路ノードで形成されたデバイスを平坦化するのに必要なCMPプロセスを的確に制御するのに十分なデータを提供しないシステムレベルの感知技法に頼っている。
[0005]したがって、改善された研磨性能及び好ましいプロセス感知能力を提供するCMPシステム、研磨パッド及び他のCMP装置が必要である。加えて、上記装置を製造するための方法が必要である。
[0006]一実施形態では、研磨パッド装置が提供される。本装置は、基板に接触するように構成された上面を有する一または複数の研磨特徴を備える印刷されたポリマー体を含む。印刷されたポリマー体は、第1の材料を含む第1の領域と、第2の材料を含む第2の領域とを含む。RFIDタグは、印刷されたポリマー体内に一体的に配置され得、上面からある距離を置いて位置づけされうる。
[0007]別の実施形態では、化学機械研磨システムが提供される。本システムは、支持面を有するプラテンと、RFIDタグが配置された印刷された研磨パッドとを含む。印刷された研磨パッドは、プラテンの支持面の上に配置され得、質問器がプラテンに結合されていてもよい。質問器及びRFIDタグは、無線通信技法を用いて互いに通信するように構成される。研磨ヘッドも、プラテンに対向して位置づけされ得、印刷された研磨パッドの研磨面に基板を押し付けるように構成されうる。
[0008]更に別の実施形態では、研磨パッドを製造する方法が提供される。本方法は、印刷ヘッドの第1のノズルから一または複数の第1のポリマー材料を分配することによって、研磨パッドの印刷された第1の部分を堆積させることを含む。一または複数の第1のポリマー材料は非導電性であり、印刷されたRFIDタグは、研磨ヘッドの印刷された第1の部分に印刷ヘッドの第2のノズルから一または複数の第2のポリマー材料を分配することによって堆積されうる。一または複数の第2のポリマー材料は、少なくとも1つの導電性又は半導電性ポリマー材料を含みうる。研磨パッドの印刷された第2の部分は、印刷ヘッドの第1のノズルから一または複数の第1のポリマー材料を分配することによって、印刷されたRFIDタグ及び印刷された第1の部分の上に堆積されうる。
[0009]更に別の実施形態では、印刷された研磨ヘッドを使用する方法が提供されている。本方法は、印刷された研磨パッド内部に配置されたRFIDタグで一または複数の処理パラメータを感知することと、質問器を介して、RFIDタグから一または複数の信号を受信することとを含む。本方法はまた、一または複数の信号を研磨プロセスを制御するように適合されたコントローラへ伝達することも含む。
[0010]更に別の実施形態では、無線通信方法が提供されている。本方法は、研磨システムにおいて基板研磨プロセスを実施することを含む。研磨システムは、プラテンと、プラテンに結合された研磨パッドと、研磨ヘッドに取り外し可能に結合された一または複数の構成要素を含む研磨ヘッドとを含みうる。RFIDタグは一または複数の構成要素に結合されていてよく、一または複数の無線通信信号は、プラテン内に固定可能に配置された質問器を介してRFIDタグから受信されうる。一または複数の無線通信信号が解析され得、一または複数の構成要素は研磨ヘッドから取り外し可能である。
[0011]更に別の実施形態では、設計プロセスで使用される機械可読媒体において具現化される構造が提供されている。この構造は、基板に接触するように構成された上面を有する一または複数の研磨特徴を含む印刷されたポリマー体を含む。印刷されたポリマー体は、一または複数のほぼ非導電性の第1の材料を含む。一または複数の第2の材料を含む印刷されたRFIDタグは、印刷されたポリマー体内部に一体的に配置されうる。一または複数の第2の材料は、導電性又は半導電性であってよい。
[0012]更に別の実施形態では、非一過性コンピュータ可読媒体が提供されている。コンピュータ可読媒体は、プロセッサによって実行されたときに、基板研磨プロセスを開始させ、一または複数の処理パラメータに対応する信号を受信させる工程を実施することによって、コンピュータシステムに基板研磨プロセスを実行させる命令を記憶しうる。印刷された研磨パッド内部に配置された無線通信装置によって、信号が生成されうる。信号は、処理条件を決定するために解析され得、処理条件に応じて、一または複数の処理パラメータのうちの少なくとも1つが変更されうる。
[0013]ある実施形態では、RFIDタグは、研磨パッド内部に配置されていてよい、あるいは研磨パッドに結合されていてよく、リーダは、プラテン又は研磨ヘッド内部に配置されていてよい。別の実施形態では、RFIDタグは、保持リング内部に配置されていてよい、あるいは保持リングに結合されていてよく、リーダは、プラテン内部に配置されていてよい。別の実施形態では、RFIDタグは、膜内部に配置されていてよい、あるいは膜に結合されていてよく、リーダは、プラテン内部に配置されていてよい。インシトゥ(その場)の監視、感知、及び計測機能を提供するために、様々なセンサがRFIDタグに結合されうる。
[0014]上述の本開示の特徴を詳細に理解しうるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって得られ、一部の実施形態は、付随する図面に例示されている。しかし、添付図面は例示的な実施形態のみを示すものであり、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではなく、その他の等しく有効な実施形態も許容され得ることに留意されたい。
本書に記載の実施形態に係る、研磨装置を示す概略断面図である。 本書に記載の実施形態に係る、図1Aの研磨装置のキャリアヘッドをより詳細に示す断面図である。 本書に記載の実施形態に係る、研磨パッドの概略的な断面斜視図である。 本書に記載の実施形態に係る、研磨パッドの概略断面図である。 本書に記載の実施形態に係る、一又は複数の観察窓を有する研磨パッドの概略断面図である。 本書に記載の実施形態に係る、支持層を含む研磨パッドの概略断面図である。 本書に記載の実施形態に係る、それぞれ、RFIDタグが組み込まれ、その中で読み取られる研磨パッド及びプラテンを部分的に示す概略断面図である。 本書に記載の実施形態に係る、RFIDタグの電気部品を示す概略図である。 本書に記載の実施形態に係る、近距離無線通信部品を組み込んだ研磨ヘッド保持リングとプラテンを示す部分断面図である。 本書に記載の実施形態に係る、近距離無線通信部品を組み込んだ研磨ヘッド膜とプラテンを示す部分断面図である。 本書に記載の一実施形態に係る、RFIDタグを有する研磨パッドを製造する方法を示す図である。 本書に記載の一実施形態に係る、RFIDタグを有する研磨パッドを製造する方法を示す図である。 本書に記載の実施形態に係る、研磨パッドを製造するための装置の概略断面図である。
[0025]理解を容易にするために、可能な場合には、図に共通する同一要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、さらなる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれ得ると想定されている。
[0026]本開示の実施形態は概して、CMP装置、及びCMP装置を製造し使用するための方法を含む。CMP装置は中でも、研磨パッドと、研磨ヘッド保持リングと、研磨ヘッド膜とを含んでいてよく、CMP装置は、例えば三次元(3D)印刷プロセス、又は2.5次元(2.5D)印刷プロセス等の付加製造プロセスを介して製造されうる。CMP装置は、例えば無線自動識別(RFID)、又はCMP装置と一体化された他の構成要素等の無線通信装置を含みうる。CMP装置を製造する方法は、RFIDタグを研磨パッド内又は研磨パッド上に3D印刷することと、研磨パッドにRFIDタグを受け入れるように構成された凹部を印刷することとを含む。
[0027]図1Aは、本書に記載の実施形態に係る研磨装置100を示す概略断面図である。研磨装置100は、基板の研磨を実施するために、研磨システムにおいて用いられうる。研磨ステーション100は、中心軸104の周りで回転可能なプラテン102を含む。プラテン102は一般に円形であるが、他の形状も有益に用いることができると考えられる。研磨パッド106は、プラテン102に結合されうる。プラテン102に結合された単一の研磨パッド106を示したが、所望の研磨特性に応じて、複数の研磨パッドをプラテンに結合させることも可能と考えられる。研磨パッド106は、本開示の実施形態に係る、単一材料層の本体又は複合材料の本体を含みうる。研磨パッド106は、接触して、基板から少なくとも一部の材料を除去することによって基板を処理するように構成される研磨面112を含む。プラテン102は、研磨中、研磨パッド106を支持し、研磨パッド106を回転させる。
[0028]キャリアヘッド108は、処理中の基板110を研磨パッド106の研磨面112に対して固定し保持しうる。キャリアヘッド108は、中心軸114の周りで回転し、かつ/又は、基板110と研磨パッド106との間に相対運動を発生させるよう、スイープ運動(sweeping motion)で動きうる。研磨中は、例えば研磨スラリなどの研磨流体116が、供給アーム118によって研磨面112に供給されうる。研磨液116は、基板110の化学機械研磨を可能にするために、研磨粒子、pH調整剤、及び/又は、化学的に活性な成分を含有しうる。
[0029]一または複数の無線通信装置600は、研磨パッド106内に配置されうる、又はそうでなければ研磨パッド106に結合されうる。一または複数の質問器601は、プラテン102内に配置されうる、又はそうでなければプラテン102に結合されうる。無線通信装置600と質問器601は、通信リンク607を介して通信するように構成される。一実施形態では、通信リンク607は無線通信プロトコルであってよい。別の実施形態では、通信リンク607は有線接続であってよい。質問器は、質問器601を介して無線通信装置600から入力を受信しうるコントローラ612に通信可能に結合される。無線通信装置600、質問器601、及びコントローラの更なる詳細を、図6を参照しながら説明する。
[0030]一般に、無線通信装置600は、さまざまな処理パラメータとシステム構成要素とを感知するように構成される。無線通信装置600は、研磨パッド106内部の様々な位置に位置づけすることができ、研磨面112全体にわたるデータの収集を改善することができ、このデータは、研磨プロセスの制御を改善するためにコントローラ112によって解析されうる。無線通信装置60を介して収集されたデータは、リアルタイムのプロセス制御に、及び/又は例えば他のシステム構成要素の中でも、適切な保持リング120又は可撓性膜(図示せず)等の互換システム構成要素を確実に用いるために、用いられうる。これらの実施形態では、他の好適なシステム構成要素はまた、質問器601と通信する無線通信装置も採用しうる。
[0031]図1Bは、本書に記載の実施形態に係る、図1Aの研磨装置100のキャリアヘッド108を更に詳細に示す断面図である。上述したように、キャリアヘッド108は、研磨又は他の処理中に基板110を保持するように構成される。キャリアヘッド108は、回転可能なプラテン102によって支持される研磨パッド106に対して基板110を保持して、研磨パッド106へ向かって基板110の裏面136全体に圧力を分散させることができる。
[0032]キャリアヘッド108は、(回転可能なドライブシャフト130に直接又は間接的に結合されうる)基礎アセンブリ140と、保持リング120と、可撓性膜132とを含む。可撓性膜132は、非円形内側チャンバ122aに隣接する外側チャンバ122bを含む複数の加圧可能なチャンバを提供するために基礎アセンブリ140の下に延在し、基礎アセンブリ140と結合している。研磨装置100の圧力調整器にそれぞれチャンバ122aと122bとを流体連結させるために、基礎アセンブリ140を通って通路124a及び124bが形成されている。図1Bには2つの加圧チャンバを示したが、キャリアヘッド108は、例えば3、4、5、又はそれ以上のチャンバ等のいかなる数のチャンバも有しうる。
[0033]図示していないが、キャリアヘッド108は、例えばドライブシャフト130に固定可能であり、ドライブシャフト130から基礎アセンブリ140が可動につり下がっているハウジング、基礎アセンブリ140の旋回を可能にする(基礎アセンブリ140の一部と見なされうる)ジンバル機構、基礎アセンブリ140とハウジングとの間のローディングチャンバ、チャンバ122a及び122b内部の一または複数の支持構造、又は基板110に補助圧力を加えるために可撓性膜132の内面と接触する一または複数の内部膜等の他の要素を含みうる。
[0034]可撓性膜132は、研磨プロセスに関して、疎水性、耐久性があり、化学的に不活性でありうる。可撓性膜132は、基板110の裏面136と接触するように構成された装着部138を含みうる。一または複数のフラップ134により、クランプリング126、128を介して装着部138が基礎アセンブリ140に結合されうる。一または複数のフラップ134により、チャンバ122a、122bが分割され、基板110全体のエリアごとの圧力制御が得られる。
[0035]保持リング120は、基礎アセンブリ140の可撓性膜132の半径方向外側に結合されうる。一般的に、保持リング120は、可撓性膜132に対する基板110の過剰な動きを防止し、基板110の横方向の動きを防止するように構成される。保持リングは、研磨プロセスにおいて用いられる化学組成に対して不活性な材料から出来ていてよい。保持リング120が、所望の用途に応じて、例えばポリマー、セラミック、及び金属などの適切な材料から作られうることが考えられる。
改良されたパッド構成及び設計例
[0036]図2は、本書に記載の実施形態に係る研磨パッド200の概略斜視断面図である。研磨パッド200は、化学機械研磨によって半導体基板を研磨するための、例えば研磨ステーション100等の研磨ステーションで使用されうる。他の産業が、本書に記載の実施形態に係る研磨パッドを用いて有益に処理されうる他の種類の基板を用いることも考えられる。例えば、光学工業では、本書に記載のパッド及び他の関連装置を用いて、様々なレンズ又はミラーを研磨しうる。
[0037]図示した実施形態では、研磨パッド200は複合パッド本体202を含む。図には示していないが、研磨パッド本体202を複数の材料の代わりに単一の材料から形成しうることも考えられる。複合パッド本体202は、一または複数の第1の特徴204と、一または複数の第2の特徴206とを含む。第1の特徴204と第2の特徴206は、それらの境界で互いに接合して複合パッド本体202を形成する個別の特徴である。一実施形態では、第1の特徴204は、約40ショアDスケール~約90ショアDスケールの硬度を有しうる。第2の特徴206は、約26ショアDスケール~約95ショアDスケールの硬度を有しうる。
[0038]複合パッド本体202は、付加製造(例えば3D印刷又は2.5D印刷)又は例えば鋳造又は成形技法等の他の適切な技法によって形成されうる。複合パッド本体202には複数の層が含まれていてよく、各層は、複合パッド本体202の設計に従って第2の特徴206の領域及び/又は第1の特徴204の領域を含む。一実施形態では、第1の特徴204及び/又は第2の特徴206を含む各領域は、同時の、又は連続的な印刷プロセスにおいて3Dプリンタによって堆積されうる。複数の層は次に、固化させてターゲットの硬度を実現するために、例えば紫外線によって、又は熱源によって硬化させうる。堆積及び硬化後に、互いに結合した又は接合された第1の特徴204及び第2の特徴206とを含む単一の複合パッド本体202が形成される。硬化プロセスは、非複合研磨パッドに関連する実施形態において必要である場合とない場合がある。
[0039]ターゲットの研磨プロセスを実現するために、第2の特徴206及び第1の特徴204に対して異なる機械特性を有する材料が選択されうる。第2の特徴206及び第1の特徴204の動的機械特性は、異なる材料を選択することによって、及び/又は特徴形成プロセス中に使用される異なる硬化プロセスを選ぶことによって、実現されうる。一実施形態では、第2の特徴206は、低い値の硬度と低い値の弾性係数を有しうるが、第1の特徴204は、高い値の硬度と高い値の弾性係数を有しうる。別の実施形態では、例えば弾性係数(又は貯蔵弾性率)及び損失弾性率等の動的機械特性を、各特徴内で、及び/又は研磨パッド200の研磨面内又は全体で第2の特徴206と第1の特徴204の物理的レイアウト、パターン又は組み合わせによって、調節あるいは制御することが可能である。
[0040]第1の特徴204は、一または複数のポリマー材料から形成されうる。第1の特徴204を形成するのに使用される一または複数の材料は、ターゲットの機械特性、表面特性、化学的特性、又は温度特性を実現するために、単一のポリマー材料又は2つ以上のポリマーの混合物を含みうる。一実施形態では、第1の特徴204は、一または複数の熱可塑性ポリマーから形成されうる。第1の特徴204は、例えばポリウレタン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリメチル・メタクリレート、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリオキシメチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン(ABS)、ポリエーテルイミド、ポリアミド、メラミン、ポリエステル、ポリスルホン、ポリ酢酸ビニル、フッ素化炭化水素等の熱可塑性ポリマー、及びこれらのアクリレート、共重合体、グラフト、及び混合物から形成されうる。一実施形態では、第1の特徴204は、アクリレートから形成されうる。例えば、第1の特徴204は、ポリウレタンアクリレート、ポリエーテルアクリレート、又はポリエステルアクリレートであってよい。別の実施形態では、第1の特徴204は、例えば、エポキシ、フェノール、アミン、ポリエステル、ウレタン、シリコン等の一または複数の熱硬化性ポリマー、及びそれらのアクリレート、混合物、共重合体、及びグラフトを含みうる。
[0041]一実施形態では、第1の特徴204は、シミュレートプラスチックの3D印刷材料から形成されうる。別の実施形態では、第1の特徴204は、単一ポリマー又はポリマーの組合せ、あるいは例えば熱可塑性ポリマー等の熱可塑性材料であってよいポリマー材料から形成されうる。一実施形態では、研磨プロセスを向上させるために、研磨粒子を第1の特徴204に埋め込むことができる。研磨粒子を含む材料は、例えばセリア、アルミナ、シリカ、又はそれらの組み合わせ等の金属酸化物、ポリマー、金属間、又はセラミックであってよい。
[0042]第2の特徴206を形成するのに使用される一または複数の材料には、一または複数のポリマー材料が含まれうる。第2の特徴206は、ターゲットの特性を実現するために、単一のポリマー材料、又は2つ以上のポリマーの混合物から形成されうる。一実施形態では、第2の特徴206は、一または複数の熱可塑性ポリマーから形成されうる。例えば、第2の特徴206は、例えばポリウレタン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリメチル・メタクリレート、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリオキシメチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン(ABS)、ポリエーテルイミド、ポリアミド、メラミン、ポリエステル、ポリスルホン、ポリ酢酸ビニル、フッ素化炭化水素等の熱可塑性ポリマー、及びこれらのアクリレート、共重合体、グラフト、及び混合物から形成されうる。一実施形態では、第2の特徴206はアクリレートから形成されうる。例えば、第2の特徴206は、ポリウレタンアクリレート、ポリエーテルアクリレート、又はポリエステルアクリレートであってよい。別の実施形態では、第2の特徴206は、熱可塑性エラストマーから形成されうる。一実施形態では、第2の特徴206は、ゴム状の3D印刷材料から形成されうる。
[0043]ある実施形態では、第1の特徴204は、第2の特徴206より硬く、剛性であり、第2の特徴206は、第1の特徴204より軟質で可撓性である。第1の特徴204と第2の特徴206の材料及びパターンは、研磨パッド200の「調整された」バルク材料を実現するように選択されうる。この「調整された」バルク材料で形成された研磨パッド200は、例えば研磨結果の改善、製造コストの削減、パッドの長寿命化等の様々な利点を有する。一実施形態では、「調整された」バルク材料又は研磨パッドは全体的に、約65ショアAと約75ショアDの間の硬度を有しうる。研磨パッドの引張強度は、5MPaと約75MPaの間であってよい。研磨パッドは約5%~約350%の破壊伸び率を有しうる。研磨パッドは、約10MPaを上回るせん断強度を有しうる。研磨パッドは、約5MPaと約2000MPaの間の貯蔵弾性率を有しうる。研磨パッドは、E30/E90における貯蔵弾性率が約6~約30の範囲内に収まるように、約25°C~約90°Cの範囲の温度にわたって安定した貯蔵弾性率を有し、E30は30°Cにおける貯蔵弾性率であり、E90は90°Cにおける貯蔵弾性率である。
[0044]一実施形態では、第1の特徴204と第2の特徴206の材料は、研磨スラリからのアタックに対して化学的耐性を有する。別の実施形態では、第1の特徴204と第2の特徴206の材料は、親水性である。
[0045]一般に、第1の特徴204と第2の特徴206は、円形複合パッド本体202を形成するために、交互に配置された交互の同心リングであってよい。他の実施形態では、第1の特徴206と第2の特徴106は、交互に、又は他の適切な配置で、本体202から延在する個別のポスト(棒)であってよい。様々な他の研磨パッド面の設計を、本書に記載の実施形態に有益に用いることも可能であると考えられる。一実施形態では、第1の特徴204の高さ210は、第1の特徴204の上面208が第2の特徴206から突出するように、第2の特徴206の高さ212よりも高くなっている。第1の特徴204及び第2の特徴206の間には、溝218又はチャネルが形成されている。研磨中、第1の特徴204の上面208により、基板に接触する研磨面が形成され、溝218には研磨流体が保持される。一実施形態では、第1の特徴204は、溝218及び/又はチャネルが複合パッド本体202の上面に形成されるよう、複合パッド本体202に平行の平面に対して垂直の方向に、第2の特徴206の厚さよりも大きい厚さを有するように形成される。
[0046]一実施形態では、第1の特徴204の幅214は約250ミクロンから約2ミリメートルの間であってよい。第1の特徴204間のピッチ216は、約0.5ミリメートルから約5ミリメートルの間であってよい。第1の特徴204は各々、約250ミクロンから約2ミリメートルの範囲内の幅214を有しうる。幅214及び/又はピッチ216は、研磨パッド200の半径全体において、様々な硬度のゾーンまで可変であってよい。
[0047]従来の研磨パッドと比べて、本開示の複合研磨パッド200は幾つかの利点を有する。従来の研磨パッドは一般に、研磨される基板のターゲット硬度又は弾性係数を得るために、例えば発泡体等の軟質材料から形成されるサブパッドによって支持されたテクスチャード研磨面及び/又は研削材を有する研磨層を含む。例えばポアソン比、弾性係数、及び損失係数等の様々な機械特性を有する材料を選択することによって、また特徴の寸法及び間隔を調節する、あるいは異なる特徴の配置を変更することによって、サブパッドを使用せずに、複合パッド本体202において好ましい硬度、動的特性及び/又は機械特性を実現することができる。したがって、研磨パッド200は、サブパッドをなくすことによって所有コストを削減する。更に、研磨パッド200の硬度及び摩損性は、異なる硬度及び摩損性を有する特徴を混ぜ合せることによって調整することができ、これによって研磨性能が改善される。
[0048]本開示に係る複合研磨パッドは、パターンの変化及び/又は特徴サイズの変化を調節することによって、例えば第1の特徴204等の表面特徴、及び例えば第2の特徴206等のベース材料全体で、例えば弾性係数(ヤング率)及び損失弾性率等の異なる機械特性を有しうる。研磨パッド全体の機械特性は、ターゲット特性を実現するために、対称又は非対称、均一又は非均一であってよい。表面特徴のパターンは、研磨パッド全体の、例えば弾性係数及び損失弾性率等の所定の機械特性等のターゲット特性を実現するために、必要に応じて、放射状、同心、長方形、又はランダムであってよい。ある実施形態では、第1の特徴及び第2の特徴は、複合研磨パッドの強度が改善され、複合研磨パッドの物理的整合性が高まるように組み合わせることができる。第1の特徴及び第2の特徴を組み合わせることで、研磨パッドのせん断強度、圧縮強度、及び/又は引張強度が上がりうる。
[0049]研磨パッドに様々な感知装置を組み込むと、例えば3D印刷等の付加製造プロセスにより利点がもたらされうる。例えばRFIDタグ及び計測センサ等の感知装置を、図6及び7に関して以下により詳細に説明する。
[0050]図3は、本書に記載の実施形態に係る研磨パッド300の概略断面図である。研磨パッド300は、研磨パッド200の第2の特徴206の一実施形態と同様に軟質で弾性のベース層302を含む。第2の特徴206と同様に、ベース層302は、一または複数の弾性重合体から形成されうる。研磨パッド300は、ベース層302から延在する複数の表面特徴306を含む。表面特徴306の外面308は、軟質材料、又は軟質材料の組成物から形成されうる。一実施形態では、表面特徴306の外面308は、ベース層302と同じ材料、又は同じ材料の組成物から形成されうる。表面特徴306は、内部に埋め込まれた第1の特徴304も含みうる。第1の特徴304は、表面特徴306よりも硬い材料又は材料の組成物から形成されうる。第1の特徴304は、研磨パッド200の第1の特徴204の一または複数の材料と同様の材料から形成されうる。埋め込まれた第1の特徴304により、表面特徴306の効果的な機械特性が変わり、このため、研磨するのに好ましい機械特性及び/又は動的特性を有するパッドが得られうる。外面308の軟質ポリマー層を使用して、研磨される基板の欠陥を削減し、平坦化を向上させることができる。あるいは、同様の利点を得るために、軟質ポリマー材料を、本開示の研磨パッドを含む他の硬い材料の表面に印刷することができる。
[0051]研磨パッド300は、研磨パッド300に配置された無線通信装置600も含みうる。第1の特徴304によってもたらされる機械特性に加えて、第1の特徴304は、無線通信装置600の構成要素によって何らかの形態の電子データ(例:静電容量、抵抗)を収集することができるように、無線通信装置600にも結合されうる。第1の特徴304は、研磨パッド製造プロセス中に印刷されうる電線310等を介して無線通信装置600に結合されうる。一実施形態では、電線310は、研磨パッド300を印刷するのに用いられる材料に適合する一または複数の導電性材料で印刷されうる。
[0052]一実施形態では、第1の特徴304は、摩耗インジケータとして機能する導電性要素を含みうる。ある実施形態では、研磨中に、表面特徴306が最終的に摩滅し、第1の特徴304が露出する。表面特徴306が除去され、第1の特徴304が露出したときに、無線通信装置600によって受信された様々な信号(音響、電気、圧力等)が発生しうる。第1の特徴304の露出に応じた信号の変化及び/又は生成により、無線通信装置600が質問器601(図示せず)と通信し、処理データがコントローラ612へ送られうる。したがって、処理システムのオペレータは、使用及び研磨パラメータに関するリアルタイムのデータを受信しうる。一実施形態では、第1の特徴304の露出は、研磨パッドの摩耗を示しうるものであり、基板が十分に研磨されるように研磨パッド300が交換されうる。
[0053]図4は、本書に記載の実施形態に係る、一又は複数の観察窓410が形成された研磨パッド400の概略断面図である。研磨パッド400は、研磨パッド200と同様のパッド本体402を有しうる。パッド本体402は、研磨のための、一または複数の第2の特徴406と、第2の特徴406から延在する複数の第1の特徴404とを含みうる。第2の特徴406と第1の特徴404とは、研磨パッド200の第2の特徴206と第1の特徴204の材料と同様の材料から形成されうる。第1の特徴404は、本開示による任意の適切なパターンで配置されうる。
[0054]研磨パッド400は、透明材料から形成され、研磨中に基板の観察を可能にしうる一または複数の観察窓410も含む。観察窓410は、第2の特徴406又は第1の特徴404の一部を貫通するように、及び/又は第2の特徴406又は第1の特徴404の一部に当接するように形成されうる。観察窓410は、第1の特徴404及び第2の特徴406が付加製造プロセスを使用することによって形成されている間に、形成されうる。ある実施形態では、観察窓410は、ほぼ透明な材料から形成されていてよく、したがって、CMP光終点検出システムにおいて使用するために、レーザ及び/又は白色光源から放射される光を透過することができる。一実施形態では、観察窓410は、透明な3D印刷フォトポリマーから形成されうる。例えば、観察窓410は、ポリメチルメタクリレート(PMMA)から形成されうる。ある実施形態では、観察窓410は、研磨スラリの屈折率に対して低い屈折率を有し、高い光学的透明度を有することで、空気/窓/水の界面からの反射を低減し、観察窓410を通る基板への光の透過、及び基板からの光の透過を改善する材料から形成される。材料の光学的透明度は、終点検出システムの光検出器によって使用される光線の波長範囲を超える、少なくとも約25%(例:少なくとも約50%、少なくとも約80%、少なくとも約90%、少なくとも約95%)の光透過率を提供するように選択される。典型的な光終点検出の波長範囲は、可視スペクトル(例:約400nmから約800nm)、紫外(UV)スペクトル(例:約300nmから約400nm)、及び/又は赤外線スペクトル(例:約800nmから約1550nm)を含む。
[0055]図5は、バッキング層506を含む研磨パッド500の概略的な斜視断面図である。研磨パッド500は、ベース材料層504と、ベース材料層504から突出している複数の表面特徴502を含む。研磨パッド500は、ベース材料層504に取り付けられたバッキング層506を有する以外は、上述の研磨パッド200、300、400と同様であってよい。バッキング層506は、好ましい圧縮性を研磨パッド500を付与しうる。バッキング層506は、好ましい硬度を実現するために、及び/又は好ましい動的材料特性(例:弾性係数及び損失弾性率)を有するために、研磨パッド500全体の機械特性を変化させるのにも使用されうる。バッキング層506は、80ショアAスケール未満の硬度値を有しうる。
[0056]一実施形態では、バッキング層506は、圧力が加わったときに、セル/ボイドがつぶれて、バッキング層506が予測可能な状態で圧縮されるように、ボイドを有するポリウレタン又はポリシリコン等のオープンセル又はクローズセル発泡体から形成されうる。別の実施形態では、バッキング層506は、中でも、天然ゴム、エチレンプロピレンジエンモノマー(EPDM)ゴム、ニトリル、又はポリクロロプレン(ネオプレン)から形成されうる。
[0057]一実施形態は、バッキング層506は、例えば3D印刷プロセス等の付加製造プロセスを使用することによって形成されうる。この構成では、バッキング層506は、好ましい機械的また動的材料特性を実現するために、単一のポリマー材料又は2つ以上のポリマーの混合物から形成されうる。一構成において、表面特徴502及びベース材料層504は、バッキング層506に直接形成される。一実施形態では、バッキング層506は、一または複数の熱可塑性ポリマーから形成され得、したがって、第1の特徴204及び/又は第2の特徴206とともに、上述した一または複数の材料を含みうる。
[0058]特定の実施形態では、無線通信装置600は、研磨パッド500内に配置されうる、あるいは研磨パッド500に結合されうる。一実施形態では、無線通信装置600は、ベース材料層504又は表面特徴502に配置されうる。例示の実施形態では、無線通信装置600は、バッキング層506に配置されうる。無線通信装置600の位置に関わらず、無線通信装置600は、複数の表面特徴502全体の一または複数の処理パラメータを感知するようにサイズ設定されうる。例えば、無線通信装置600によって、2つ以上の表面特徴502が同時に感知されうる。この結果、単一の表面特徴502を感知する代わりに、研磨面のより大きいエリア全体で様々な処理パラメータ(温度、圧力、導電性等)を感知することが可能になる。研磨面のより大きいエリアを感知することによって、無線通信装置600が領域的に平均化された信号を検出することができる。複数の無線通信装置600を用いた実施形態では、個々の無線通信装置600からのデータを組み合わせることによって、大域的に平均化された信号が決定されうる。
情報収集システムの構成例
[0059]図6は、本書に記載の実施形態に係る、それぞれ内部に無線通信装置600と質問器601とが組み込まれた研磨パッド200及びプラテン102を部分的に示す概略断面図である。研磨パッド200は、内部に一体化した感知又は計測装置を組み込むように構成されたいずれかの研磨パッドを表すように意図される。例えば、研磨パッドは、内部に配置された無線通信装置600とともに印刷され、鋳造され、又は成形されうる。一実施形態では、無線通信装置600は、質問器と無線で通信するように構成される。無線通信プロトコルの実施例には、近距離無線通信技術、ブルートゥース(登録商標)、光信号送信技術、音響信号送信技術、無線周波数通信技術、及び他の適切な無線通信技術が含まれる。あるいは、無線通信装置600は、これらの間の通信を促進するために、質問器601に配線で接続されていてよい。
[0060]単一の無線通信装置600と単一の質問器601を図6に示したが、それぞれパッド及びプラテンに複数の無線通信装置600と質問器601とを実装することができると考えられる(図1参照)。加えて、一または複数の無線通信装置600は、単一の質問器601によって感知されうる。無線通信装置600を、パッド200の表面内又は表面上の様々な位置、例えば中心位置(すなわち、円形パッドの原点又は回転軸と一致する点)、中間位置(すなわち、円形パッドの原点から半径の半分の位置)、又は外側位置(円形パッドの外周に隣接する位置)に位置づけされうるとも考えられる。複数のNFC装置600を組み合わせて用いることもでき、さまざまな位置(すなわち、中心位置及び外側位置、又は中心、中間、及び外側位置)を共に用いることが可能である。互いに協力する複数の無線通信装置600を用いることによって、パッド200全体の複数の位置においてデータを収集することで、処理環境のより包括的な視点がもたらされる。一般に、無線通信装置600は、処理中の、研磨システム100の研磨面全体の基板110の経路が、研磨プロセスの様々な時点で重なり合うように、パッド200に対して位置づけされる。
[0061]同様に、質問器601は、プラテン102の様々な位置、例えば中心、中間、及び外側の位置に位置づけされうる。質問器の位置は、無線通信装置600の位置とは無関係に決定されうる、あるいは無線通信装置600と質問器601との間の通信を促進するために、少なくとも一部において無線通信装置の位置によって決定されうる。
[0062]プラテン102に配置された質問器601は概して、リーダ608と、アンテナ610とを含む。リーダは、例えばRF電源等の電源を含み得、あるいは電源に結合され得、アンテナ610を介して、無線通信装置600によって受信される信号を送信するように構成されうる。一実施形態では、リーダ608は、他の装置の中でも、RFモジュレータと、リーダ608による信号の送受信を管理するように構成される質問器コントローラを含みうる。一実施形態では、RFモジュレータは、約13.56MHzの波長を有するRF信号を生成及び/又は調節するように構成されうる。受動タグの実施形態では、質問器601と無線通信装置600とは、例えば約2インチ未満、例えば約1インチ未満等の約12インチ未満の距離を有する空間関係に位置づけされうる。能動タグの実施形態では、質問器601と無線通信装置600との間の空間関係は、受動タグの実施形態よりも広い場合があり、信号送信に利用可能な電力によって変化しうる。
[0063]無線通信装置600は概して、タグ602と、タグ602に結合された、あるいはタグ602内に一体的に製造されたアンテナ606とを含む。特定の実施形態では、タグ602にセンサ604も通信可能に結合されうる。タグ602は、好ましい実行形態に応じて、能動タグ又は受動タグであってよい。能動タグの実施形態では、例えば電池等の電源をタグに電気的に結合し、適切な電力をタグに供給することができ、これによりタグが、デバイス間に形成された通信リンク607を介して質問器601へ信号を送信することができる。能動タグは、タグに電源が結合された実施形態において実装可能であると考えられる。更に、能動タグは、タグによって送信されるデータが、受動タグを使用したときに得られうるよりも長い距離にある質問器601によって感知されるように意図される実施形態に用いられうる。しかしながら、能動タグは、受動タグが適切に用いられる近距離無線通信の実施形態において用いられうると考えられる。
[0064]受動タグの実施形態では、タグは、質問器601から例えば無線周波数信号などの信号を受信し、受信した信号の電磁エネルギーを用いて、通信リンク607を介して、タグ602特有のデータをある程度含む信号を再び質問器601へ送信する(又は反映させる)ように構成されうる。受動タグは、質問器601がタグ602から臨界通信距離を下回る距離に位置づけされた実施形態において用いられうる。臨界通信距離は一般に、それを越えると、受動タグによって反映された電磁信号が質問器601によって確実に受信されない距離として定義される。臨界通信距離は、実施形態にしたがって、質問器601によって生成される信号に関連する電力量、及びタグの送信器のサイズ及び電力に応じて変化しうる。受動タグの更に詳細の説明を、図7を参照しながら以下に記載する。
[0065]図7は、本書に記載の実施形態に係る、無線通信装置600の電気構成要素を示す概略図である。図7に示す実施形態は、基本的に機能するタグを表すように意図されており、したがって、様々な他の電気構成要素の設計又は構成を実行して、タグの好ましい機能性を実現することができると考えられる。タグ602は概して、トランジスタ702、インダクタ704、コンデンサ706、及び集積回路708を含む。一実施形態では、集積回路708は、タグ602特有のデータを記憶するように構成されたメモリを表しうる。別の実施形態では、メモリは、質問器601へデータを送信する前に、センサ604によって受信されるデータを記憶するように構成されうる。特定の実施形態では、インダクタ704、例えば誘導コイルをアンテナとして用いて、質問器601とインダクタ704との間で信号を送受信することができる。一実施形態では、インダクタ704はアンテナ606であり、デバイス間に形成された通信リンクを介して、タグ602から質問器601へ信号を含むデータを誘導的に反映するように機能する。
[0066]図6を再び参照する。無線通信装置600、及び更に具体的には、タグ602は、研磨パッド200内部の、処理中に基板と接触するパッド200の上面208の下に位置づけされうる。一実施形態では、無線通信装置600は、上面208の下の、約200μmと約500μmとの間の距離620に位置づけされる。距離620は、タグ602及び/又はセンサ604によって実施される感知の好ましい種類、及びパッド200の表面の形状(例:溝、チャネル、又は他の特徴)に基づいて選択されうる。別の実施形態では、タグ602は、上面208の下の距離620に位置づけされうるが、センサ604は上面208の近くにあってよい。単一のセンサ604を示したが、研磨性能を監視し、改善するためにデータの一連のトラッキング、感知、及び計測を提供するように、複数のセンサを組み込みうると考えられる。例えば、無線通信装置600によって決定される研磨性能は、インシトゥ(すなわち研磨中)に実施可能であり、処理パラメータは、インシトゥで調節して基板研磨特性を改善することができる。感知されうる処理パラメータは、温度データ、圧力データ、電気伝導度データ、弾性係数データ、光データ、音響データ、膜厚データ、及び基板研磨プロセス中に処理パラメータを測定するように構成された他のデータの種類を含む。
[0067]一実施形態では、センサ604とパッド200の研磨面との間に配置されたパッド200の領域622は、領域622に結合されたセンサ604を使用することによって、好ましい処理パラメータの測定を促進するように構成されうる。領域622は、一実施形態では、センサ604からパッド200の上面208まで延在していてよい、あるいは、別の実施形態では、領域622は、センサ604から溝218まで延在していてよい。好ましい処理パラメータの感知の「抵抗」を減らすことによって、リアルタイムで、より正確な処理パラメータの測定が実現できる。例えば、センサ604が温度センサである場合、領域622は、パッド200の他の部分よりも高い熱伝導率を有する熱導電性材料から形成されうる。パッド200の研磨面とセンサ604との間の熱抵抗を減らすことによって、センサ604による信号の検出を高速度で実現することができる。
[0068]別の実施例では、センサ604が圧力センサである場合、領域622は、パッド200の他の部分よりも大きい弾性係数を有する材料から形成されうる。つまり、領域622は、周囲のパッド材料よりも剛性であるため、研磨面に加えられる圧力をより正確に感知しやすくなりうるということである。別の実施例では、センサ604が研磨面での伝導度の変化を検出するように構成された電気伝導度センサである場合、領域622は、周囲のパッド材料よりも電気伝導度が高い領域を含む材料から形成されうる。したがって、領域622の電気抵抗が低減し得、センサ604が研磨面から信号を受信するデータ転送速度が改善しうる。処理パラメータの検出精度を改善するために、他の様々なセンサを採用することができ、領域622に適切に構成された材料を用いることができると考えられる。一般に、領域622の製造は、コスト効率が高く、制御可能な方法で、パッド200内の材料選択を可能にする3D印刷プロセスを介して、有益に採用されうる。
[0069]センサ604は、CMPプロセスに使用するのに適切な、さまざまな種類の感知及び計測装置を表すように意図される。一実施形態では、センサ604は、研磨システムを識別及びトラッキングするように構成されうる。例えば、研磨システム100は、無線通信装置600を有する研磨パッドがプラテン102に装着された場合に、動作中に係合するように構成されうる。この実施形態では、プラテン102の質問器601は、タグ602から、正しい種類の研磨パッドが研磨システムに設置されたことを示すデータを受信する。質問器601によって受信したタグデータを介して研磨パッドの種類を認証した後に、研磨システム101は「ロック解除」され、研磨機能にフルに従事する。ある実施形態では、受信したタグデータを介して研磨パッドの種類を認証した後に、研磨システム101は、受信したタグデータに基づいて一または複数の研磨パラメータを調節する。一実施例では、受信したタグデータは、研磨パッドの種類、パッド構成(例:表面特徴502、ベース材料層504、及びバッキング層506の種類、厚さ)、パッド200の表面構造に関する情報、又はその他の有用な情報を含みうる。
[0070]別の実施形態では、センサ604を使用して、研磨システム100に設置された研磨パッドの使用統計値をトラッキング(追跡、監視)することができる。例えば、パッドが用いられたサイクル数を、無線通信装置600によってトラッキングすることができ、そのデータを質問器601へ送信することができる。データを解釈することができ、パッドの寿命をより正確にトラッキングして、研磨特性の改善が得られうる間隔でパッドを交換するようにすることができる。ある実施形態では、研磨システム101は、送信されたタグデータにおいて受信した研磨パッドのトラッキングされた使用統計値に基づいて、一または複数の研磨パラメータを調節する。
[0071]ある実施形態では、センサ604(または特定の実施形態では複数のセンサ)は、一または複数の研磨パラメータを検出するように構成されうる。一実施例において、センサ604は、研磨パッド200、スラリ、基板110、又はこれらのいずれかの組み合わせの温度を検出するように構成された構成要素を含む熱センサ(例:RTD、熱電対)であってよい。別の実施例では、センサ604は、研磨プロセス中に音響振動の変化を決定するように構成された音響センサ(図示せず)であってよい。伝導度センサは、無線通信装置600に用いられうる別の種類のセンサ604である。この実施例では、伝導度センサ(図示せず)は、スラリ内の金属ローディング(すなわち、金属濃度の増加)を検出する、あるいはパッド200の様々な領域からスラリを取り除いた結果のパッド200の表面全体の伝導度の変化を検出するように構成されうる。一構成では、伝導度センサは、タグ602及び無線通信装置600と通信している2つの電極(図示せず)であって、各々が研磨面208で露出している2つの電極を含みうる。露出した電極は、タグ602に含まれる構成要素を使用することによって電極全体に電圧を加えることにより、スラリ、基板表面、及び/又はパッド200の表面の伝導度を直接測定するのに使用可能である。ある実施形態では、研磨システム101は、タグ602から質問器601へ送られる、送信されたタグデータにおいて受信される一または複数の研磨パラメータデータに基づいて、一または複数の研磨パラメータを調節する。
[0072]センサ604の別の実施例は、角運動量、動力、回転の角度方向に対する面外の振動運動、及び/又はトルクの変化を感知するように構成されうる加速度計(例:MEMSデバイス)である。センサ604の別の実施例は、研磨中に、基板110に対してパッド200のせん断応力を感知するための、例えばひずみゲージ等の摩擦センサである。センサ604の更に別の実施形態は、パッド200に加えられた力と、基板110全体のゾーン圧力(すなわち、チャンバ122a、122b)を測定するように構成されうる、例えばロードセル(例:MEMSロードセル)等の圧力センサである。ある実施形態では、研磨システム101は、加速度計、摩擦センサ、せん断応力及び/又はタグ602から質問器601へ転送されたロードデータに基づいて、一または複数のCMP研磨パラメータを調節する。
[0073]研磨中に、より効率的に処理パラメータを測定するために、前述したセンサの実施形態を単独で、あるいは互いに組み合わせて用いることが可能である。インシトゥ(その場)の処理及び/又は研磨プロセスのリアルタイムの調節を実行して、例えば、研磨均一性、及び研磨終点検出を改善することができると考えられる。一般に、一または複数の検出された処理パラメータに応じて、センサ604によって生成された信号は、タグ602によってコード化され、アンテナ606によって送信されうる。研磨システム101は、タグ602から質問器601及びコントローラ612へ送られる、送信されたタグデータにおいて受信したセンサデータに基づいて、一または複数の研磨プロセスパラメータを調節するように構成される。
[0074]質問器601はまた、例えばコントローラ612等のプロセッサベースのシステムコントローラにも通信可能に結合されうる。例えば、コントローラ612は、リーダ608によって信号を生成させるように構成されうる。コントローラ612はまた、質問器601を介して無線通信装置602からデータを受信し、受信したデータを解析するようにも構成されうる。コントローラ612は、研磨装置100の様々な構成要素に結合され、基板研磨プロセスの制御を促進する、例えば電源、クロック、キャッシュ、入出力(I/O)回路等のメモリ618(例:不揮発性メモリ)及び大容量記憶装置とともに動作可能なプログラマブル中央処理装置(CPU)614、入力制御ユニット、ディスプレイユニット(図示せず)を含む。コントローラ612はまた、研磨装置100のシステムレベルセンサを通して処理される基板を監視するためのハードウェアも含みうる。
[0075]上述したように、研磨装置100、更に具体的には、無線通信装置600、及び質問器601を制御しやすくするために、CPU614は、例えば様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するためのプログラム可能な論理制御装置(PLC)等の工業環境で使用されうる、いずれかの形態の汎用コンピュータプロセッサの1つであってよい。メモリ618はCPU614に結合され、メモリ618は非一過性であり、例えばランダムアクセスメモリ(RAM)、読み出し専用メモリ(ROM)、フロッピーディスクドライブ、ハードディスク、又はローカル又はリモートにある他のいずれかの形態のデジタルストレージ等の一または複数の容易に入手可能なメモリであってよい。プロセッサを従来の方法で支持するために、支持回路616がCPU614に結合されている。質問器601を介した無線通信装置600からの信号生成の命令、データの受信、及び解析は、通常、ソフトウェアルーチンとして、メモリ618によって実施され、記憶されうる。ソフトウェアルーチンもまた、CPU618によって制御されているハードウェアから遠隔位置にある第2のCPU(図示せず)によって保存されうる及び/又は実行されうる。
[0076]メモリ618は、命令を含むコンピュータ可読記憶媒体の形態であり、この命令はCPU614によって実行されたときに、無線通信装置600と質問器601の動作を含む研磨装置100の動作を促進する。メモリ618内の命令は、本開示の方法を実行するプログラム等のプログラム製品の形態である。プログラムコードは、幾つかの異なるプログラミング言語のうちのいずれか1つに合致しうる。一実施例では、本開示を、コンピュータシステムとともに使用されるコンピュータ可読記憶媒体に記憶されたプログラム製品として実行することができる。プログラム製品の一または複数のプログラムにより、(本書に記載の方法を含む)実施形態の機能が定義される。例示的なコンピュータ可読記憶媒体は、非限定的に、(i)情報が永久的に記憶される書込み不能な記憶媒体(例えば、CD-ROMドライブ、フラッシュメモリ、ROMチップ、又は任意の種類のソリッドステート不揮発性半導体メモリによって読み出し可能なCD-ROMディスクなどのコンピュータ内の読出し専用メモリデバイス)、及び(ii)変更可能な情報が記憶される書き込み可能な記憶媒体(例えば、ディスケットドライブ又はハードディスクドライブ内のフロッピーディスク或いは任意の種類のソリッドステートランダムアクセス半導体メモリ)を含む。上記コンピュータ可読記憶媒体は、本書に記載の方法の機能を指示するコンピュータ可読命令を格納しているときの本開示の実施形態である。
[0077]図8は、本書に記載の実施形態に係る、無線通信装置600を組み込んだ保持リング120とプラテン102を示す研磨ヘッド108の部分断面図である。保持リング120は一般に、研磨プロセスの間、基板110の好ましくない動きを防止するように構成され、位置づけされる。図示したように、保持リング120は、可撓性膜132の半径方向外側に配置されうる。したがって、保持リング120は、パッド106とプラテン102に隣接し、これらのすぐ近くになるように配置される。特定の実施形態では、保持リング120は、必要に応じて保持リング120を交換しやすくするために、研磨ヘッド108に取り外し可能に結合させることができる。
[0078]一実施形態では、無線通信装置600は、パッド106に面する保持リング120の表面に配置されうる、あるいはパッド106に面する保持リング120の表面を画定しうる。あるいは、無線通信装置600は、パッド106に面する保持リング120の表面から離れた、保持リング120内の別の場所に配置されうる。無線通信装置600と質問器601は、研磨プロセス中に近距離無線通信が可能になるほど近くに配置されうる。したがって、例えば上述したセンサなどの一または複数のセンサを保持リング120内に組み込むことは有益でありうる。
[0079]一実施形態では、保持リング120と無線通信装置600は、3D印刷プロセスによって製造されうる。3D印刷プロセスにより、保持リング120と無線通信装置600を同時に製造することが可能になりうる。あるいは、保持リング120の3D印刷中にボイドを維持することができ、続いて予め製造された無線通信装置をボイド内へ挿入することができる。特定の実施形態では、無線通信装置600は、研磨システム100を通して、研磨ヘッド108の回転に関する処理データを提供しうる。また、例えば可撓性膜132を含むパッド106、プラテン102、及び研磨ヘッド108等の適切に構成された構成要素が各々研磨システム100に設置されている場合を除き、研磨システム100の動作を「ロック」するために保持リング100と無線通信装置600を用いることができると考えられる。例えば温度、導電性、圧力、応力、及び音響の感知等の他の研磨処理パラメータの監視および感知も、保持リング120に配置された無線通信装置600によって検出されうる。
[0080]図9は、本書に記載の実施形態に係る、無線通信装置600を組み込んだ可撓性膜132とプラテン102を示す部分断面図である。可撓性膜132は概して、研磨中、その上に基板110を固定して、基板110をパッド106へ押し付けるように構成される。可撓性膜132は概して、研磨プロセスの間、圧力勾配を利用して基板110をその上に結合させ、基板110の好ましくない動きを防止する。特定の実施形態では、可撓性膜132は、必要に応じて可撓性膜132を交換しやすくするために、研磨ヘッド108に取り外し可能に結合させることができる。
[0081]一実施形態では、無線通信装置600は、チャンバ122a、122bのいずれか、あるいは両方を画定する可撓性膜132の表面に配置されうる、あるいは可撓性膜132の表面を画定しうる。あるいは、一または複数の無線通信装置600は、可撓性膜132の一部の内部に配置されうる。したがって、可撓性膜132は、パッド106及びプラテン102に押し付けられている基板110の裏面に隣接し、そのすぐ近くに配置される。無線通信装置600及び質問器601は、研磨プロセス中に近距離無線通信が可能になるほど近くに配置されうる。したがって、例えば上述したセンサなどの一または複数のセンサを可撓性膜132内に組み込むことは有益でありうる。
[0082]一実施形態では、可撓性膜132と無線通信装置600は、3D印刷プロセスによって製造することができる。3D印刷プロセスにより、可撓性膜と無線通信装置600とを同時に製造することが可能になりうる。この実施形態では、無線通信装置600は全体的に又は部分的に、可撓性膜132内に配置されうる。この実施例では、無線通信装置600が、可撓性膜132の屈曲を許容するのに適切な度合いの可撓性を呈しうると考えられる。あるいは、可撓性膜132の3D印刷中にボイドを維持することができ、続いて予め製造された無線通信装置をボイド内へ挿入することができる。
[0083]保持リング120内に配置された無線通信装置と同様に、無線通信装置600は、研磨システム100を通して、可撓性膜132を含む研磨ヘッド108の回転に関する処理データを提供しうる。別の実施形態では、無線通信装置600は、可撓性膜132の加圧及び減圧サイクルに関する処理データを提供しうる。また、例えば可撓性膜132を含むパッド106、プラテン102、及び研磨ヘッド108等の適切に構成された構成要素が各々研磨システム100に設置されている場合を除き、研磨システム100の動作を「ロック」するために可撓性膜132及び無線通信装置600を用いることができると考えられる。上述したように、無線通信装置600を組み込んだ可撓性膜132は特に、基板110に加わる圧力データの監視及び感知を提供するのに有用でありうる。例えば温度、導電性、応力、及び音響の感知等の他の研磨処理パラメータの監視および感知も、可撓性膜132に配置された無線通信装置600によって実施されうる。
[0084]図8及び9の実施形態を組み合わせて、保持リング120と可撓性膜132の両方の内部に配置された無線通信装置600を有する研磨システム100を提供することが可能であると考えられる。一般に、無線通信装置600は、研磨システム100内部の異なる位置で同じ処理パラメータを感知するように構成されうる、あるいは、無線通信装置600は、異なる処理パラメータを感知するように構成されうる。更に、無線通信装置600は、研磨ヘッド108の他の構成要素、例えば3D印刷構成要素として製造することができる。加えて、保持リング120又は可撓性膜132のいずれかに結合された無線通信装置600は、プラテン102内に固定配置されうる質問器601と通信しうる。質問器601によって受信された信号はコントローラ612によって解析され得、保持リング120及び/又は可撓性膜132は、研磨ヘッド108から取り外されうる。例えば、無線通信装置600からの信号が、保持リング120及び/又は可撓性膜132の処理性能が不十分であることを示す場合、保持リング120及び/又は可撓性膜132が交換されうる。あるいは、保持リング120及び/又は可撓性膜132が研磨ヘッド108で使用するように構成されていない場合、コントローラ612は、これらの非適合性を示すことができ、これらを適切に構成された構成要素と交換することができる。
[0085]無線通信装置600は一般に、ミリ秒以上のデータ転送速度でデータを収集するように構成される。したがって、処理パラメータのデータを検出し送信するのに好適な時定数は、無線通信装置600の利点でありうる。時定数の改善は、特定の実施形態において検出されるパラメータに対する無線通信装置600の物理的位置からもたらされうる。したがって、研磨プロセスを改善するために、リアルタイムのパラメータの感知が実施され、コントローラ612に伝達されうる。
[0086]加えて、無線通信装置600は、連続的にあるいは断続的に動作可能である。例えば、無線通信装置600がパッド200内部に配置されている場合、無線通信装置600は、さまざまな処理パラメータを連続的に感知するように構成されうる。あるいは、無線通信装置600は、基板が無線通信装置600に隣接した領域において研磨される場合に、処理パラメータを検出するように、断続的に動作可能である。同様に、保持リング120又は可撓性膜132に結合された無線通信装置600は、連続的にあるいは断続的に動作可能である。コントローラ612は、近接度センサ(図示せず)等に結合されていてよく、近接度センサは、質問器601に対する研磨ヘッド108の位置を決定しうる。近接度センサは、研磨ヘッドが質問器601による伝達に好適な領域内に位置しているときに、コントローラ612へ信号を供給しうる。コントローラ612は、質問器601に、無線通信装置600と質問器601との間の信号送信を開始させうる。研磨パッド108(及び保持リング120又は可撓性膜132のいずれかに結合された無線通信装置600)が質問器601との通信に適切でない位置に位置している場合、近接度センサはコントローラ612へ合図を送ることができ、コントローラ612は、質問器601からの信号送信及び/又は受信を終了しうる。
[0087]複数の無線通信装置600を用いた実施形態では、質問器601は、複数の無線通信装置600と通信して、コントローラ612を介して研磨を連係するように構成されうる。あるいは、複数の質問器を用いることができる。この実施形態では、単一の無線通信装置を単一の質問器に通信可能に結合させうる。任意の数の無線通信装置と質問器を用いて、研磨プロセスの監視及び感知を改善することが可能と考えられる。複数の無線通信装置及び質問器が用いられる場合、さまざまな波長フィルタ及び/又は電磁波シールド装置を研磨システム内に組み込んで、無線通信装置及び/又は質問器の間での好ましくないクロストークを低減させる又はなくすことができる。
[0088]図10は、本書に記載の一実施形態に係る、RFIDタグを有する研磨パッドを製造する方法1000を示す図である。以下に記載される図10及び図11の実施形態は、研磨パッドの付加製造を対象としているが、この実施形態を、特に、例えば保持リング及び可撓性膜などの他の研磨システム構成要素にも適用可能であると考えられる。更に、例えば鋳造、及び成形等の他の製造プロセスを用いて、内部にRFIDタグが配置されたパッドを形成することが可能である。
[0089]工程1010において、研磨パッドの第1の部分が印刷される。第1の部分に好適な材料には、図2に関して参照したものが含まれうるが、一般には、基板を研磨するように構成されたポリマー材料が含まれる。例えば3D印刷プロセスなどの印刷プロセスを、図12を参照しながらより詳しく説明する。研磨パッドの第1の部分は、ベース層又はパッド特徴の組み合わせであってよい。
[0090]工程1020において、例えばRFIDタグ等の無線通信装置600が第1の部分に印刷される。RFIDタグを印刷するのに好適な材料は一般に、導電性材料又は半導電性材料を含む。導電性及び/又は半導電性ポリマー材料の例には、非限定的に、数ある中でも、ポリ(フルオレン)、ポリ(フェニレン)、ポリ(ピレン)、ポリ(アズレン)、ポリ(ナフタレン)、ポリ(アセチレン)、ポリ(p-フェニレンビニレン)、ポリ(ピロール)、ポリ(カルバゾール)、ポリ(インドール)、ポリ(アゼピン)、ポリ(アニリン)、ポリ(チオフェン)、ポリ(3、4-エチレンジオキシチオフェン)、及びポリ(p-フェニレンスルフィド)材料を含み、これらの組み合わせ及び混合物を含む。加えて、例えば好ましい導電又は半導電特性のナノ粒子を含有するインク等の材料も用いることができる。例えば、銀又は金のナノ粒子を用いて導電性インクを形成することができる、又はシリコンのナノ粒子を用いて半導電性インクを形成することができる。前述したナノ粒子は、上述したポリマー材料内に組み込むことができる、あるいは他の好適な材料とともに用いることができる。他の実施形態では、付加製造プロセス(3D印刷)又はスクリーン印刷プロセスによって金属材料を堆積させることによって、RFIDタグの様々な部分を印刷することができる。
[0091]工程1030において、研磨パッドの第2の部分が、RFIDタグの上及び周囲に印刷される。研磨パッドの第2の部分は、研磨パッドの第1の部分の上にも印刷されうる。このため、RFIDタグは、研磨パッド内に全体的に又は部分的に封入されうる。一実施形態では、研磨パッドの第2の部分は、基板に接触し、研磨するように構成されうる。別の実施形態では、研磨パッドの第1の部分が、基板に接触し、研磨するように構成されうる。
[0092]図11は、本書に記載の一実施形態に係る、RFIDタグ等の無線通信装置600を組み込んだ研磨パッドを製造する方法1100を示す図である。工程1110において、内部に凹部又はボイドが形成された研磨パッドの第1の部分が印刷されうる。凹部は、パッド材料がほぼ存在しない、第1の部分の一領域であってよい。凹部は、予め製造されたRFIDタグを収容するために適切な寸法でサイズ設定されうる。
[0093]工程1120において、予め形成されたRFIDタグが、第1の部分内に形成された凹部内に挿入されうる。RFIDタグは、タグ基板上に形成されうる、あるいは凹部内の第1の部分に圧入される、糊付けされる、接着される、又はそうでなければ機械的に結合されうる。工程1130において、研磨パッドの第2の部分がRFIDタグの上及び周囲に印刷されうる。必要に応じて、あらかじめ製造されたRFIDタグは封入され、パッドの第1及び第2の部分内に配置されうる。
[0094]図10及び図11に関して記載される実施形態では、タグ印刷プロセス及び凹部形成プロセスは、最終的に形成されるパッドの圧縮性を考慮しうる。RFIDタグが一般に、第1及び第2のパッド部分の材料とは異なる機械特性及び動的特性を有しうる材料から形成されるため、パッド全体の機械特性及び動的特性がより均一になるように、RFIDタグ又はパッドの一部に様々な微細構造要素を組み込むことができると考えられる。例えば配線等の様々な他の構成要素も研磨パッドの中に一体的に製造することが可能であると考えられる。ある実施形態では、RFIDタグの下及び/又は上に配置された付加材料の層の組成及び/又は特性は、パッド全体の機械特性及び動的特性が均一になるように調節される。つまり、研磨パッドの局所領域内でのRFIDタグの存在は、本書に記載の付加製造プロセスを使用して堆積される材料及び/又は材料構造を調節することによって、RFIDタグの下、上、又はRFIDタグに隣接する材料の材料特性を調節することによって、補われる。したがって、付加製造プロセスを使用することによって形成され、内部に一または複数のRFIDタグが配置されたパッド、膜、保持リング、及び他の構造は、一または複数のRFIDタグが形成されたデバイス内に配置されていたとしても、機械特性及び動的特性が更に均一になりうる。
[0095]図12は、本書に記載の実施形態に係る、研磨パッド及び他のCMP装置を製造するための3D印刷装置1200の概略断面図である。以下に記載される特定例は、例えば研磨パッド200、300、400、及び500等の研磨パッドを参照したものであるが、例えば保持リング(すなわち、保持リング120)及び可撓性膜(すなわち、可撓性膜132)等の他のCMP装置も3D印刷プロセスによって製造可能であると考えられる。一実施形態では、研磨パッド200を支持体1202に印刷することができる。研磨パッド200は、CAD(コンピュータ支援設計)プログラムから液滴吐出プリンタ1206によって形成される。液滴吐出プリンタ1206及び支持体1202は、印刷プロセス中に相対的に移動しうる。
[0096]液滴吐出プリンタ1206は一般に、前駆体を分注するためのノズルを有する一または複数のプリントヘッドを含む。前駆体は、例えば液体又は粉末の形態等の様々な形態で供給されうる。図示した実施形態では、液滴吐出プリンタ1206は、第1のノズル1210を有する第1のプリントヘッド1208と、第2のノズル1212を有する第2のプリントヘッド1214とを含む。第1のノズル1210は、例えば軟質又は弾性材料等の第1の材料の液体前駆体を分注するように構成されていてよく、第2のノズル1212は、例えば硬質材料等の第2の材料の液体前駆体を分注するのに使用されうる。別の実施形態では、ヘッド1208、1214及びノズル1210、1212は、流動性の、あるいは液状の前駆体を流して所望の装置の形成を可能にするために、ポリマー前駆体を加熱するように構成されうる。
[0097]他の実施形態では、液滴吐出プリンタ1206は、2つを上回る材料で研磨パッドを形成するために、2つを上回るプリントヘッドを含みうる。例えば、無線通信装置600等のRFIDタグの印刷に関連する実施形態では、第1のノズル1210は、タグの導電性構成要素の、導電性又は半導電性材料のポリマー前駆体を分注するように構成されうる。第2のノズル1212は、非導電性のタグ構成要素を印刷するために、非導電性材料のポリマー前駆体を分注するように構成されうる。前駆体は、選択された場所又は領域に分注され、研磨パッド200が形成されうる。これらの選択された場所はともに、ターゲット印刷パターンを形成し、液滴吐出プリンタ1206を制御する電子コントローラ1204(例:コンピュータ)によって後に読み取られるCA互換性ファイルとして保存されうる。
[0098]本書で説明している3D印刷プロセスは、他の3D堆積又は3D印刷のプロセスの中でも特に、ポリジェット堆積、インクジェット印刷、熱溶解積層(fused deposition modeling)、バインダ噴射、粉末ベッド溶解、選択的レーザ焼結、ステレオリソグラフィ、バット光重合デジタルライト処理、シート積層、指向性エネルギー堆積を含むが、それらに限定されるわけではない。
[0099]3D印刷の後に、研磨パッドは硬化によって固化されうる。硬化は、印刷された研磨パッドを硬化温度に加熱することによって実施されうる。あるいは、硬化は、印刷された研磨パッドを紫外線源によって発生した紫外線を照射することによって実施されうる。
[00100]3D印刷は、異なる材料、及び/又は異なる材料の組成から形成される研磨パッドを製造するための便利で高度に制御可能なプロセスを提供する。例えば、3D印刷により、例えばRFIDタグ等のNFC装置を効率良く、また高いコスト効率で研磨パッドに組み込むことが可能になる。
[00101]例えば、研磨パッド200は、2つ以上の材料の混合物から形成されうる。この実施形態では、パッド及びパッド特徴は、一または複数の第1の材料から形成され得、パッド内に一体的に配置された無線通信装置600は、一または複数の第2の材料から形成されうる。一実施形態では、一または複数の第1の材料は主に導電性ではないが、一または複数の第2の材料は主に導電性又は半導電性である。この実施形態では、パッド200と研磨特徴204、206は、第1のプリントヘッド1208を介して第1のノズル1210から放出された第1の材料液滴の混合物で形成されうる。無線通信装置(ここでは図示されていないが、図6により詳細に示される)は、第2のプリントヘッド1214を介して第2のノズル1212から放出される第2の材料液滴の混合物で形成されうる。プリントヘッド1210は最初に、研磨特徴204、206に対応するピクセルに位置合わせされ、所定のピクセルに液滴を分注しうる。プリントヘッド1212は次に、無線通信装置に対応するピクセルに位置合わせされ、所定のピクセルに液滴を分注しうる。この結果、研磨特徴204、206及び無線通信装置は、連続プロセスで形成されうる。研磨特徴204、206及び無線通信装置600は、3D印刷装置1200の設計によっては同時に形成することも可能と考えられる。
[00102]研磨特徴204、206の特性は、一または複数の第1の材料の比率及び/又は分布に従って調節されうる、あるいは調整されうる。無線通信装置600は、一または複数の第2の材料の比率及び/又は分布に従って形成されうる。一実施形態では、研磨特徴204、206の組成は、第1のノズル1210から放出される液滴のサイズ、場所、速さ、及び/又は密度を選択することによって制御される。同様に、無線通信装置の組成は、第2のノズル1212から放出される液滴のサイズ、場所、速さ、及び/又は密度を選択することによって制御される。したがって、本開示の実施形態は、複数の材料で研磨パッドを形成することを包含し、この材料を用いて、内部に無線通信装置が配置された研磨パッドを製造することができると考えられる。
付加製造プロセスの実施例
[00103]一実施形態では、3D印刷を用いて、本書に記載の研磨パッド、保持リング、可撓性膜、及び他のCMP研磨装置の構成要素を製造することができる。一実施形態では、3Dオブジェクトを形成する方法は、3Dオブジェクトの全ての層に対して、構成要素のCADモデルを使用し、また構成要素についての情報をマッピングするのに使用されるスライスアルゴリズムを使用することによって実施されうる。オブジェクトの層は、粉末ベッドの表面上に粉末を分配することによって形成されうる。その後、選択されたバインダー材料が堆積され、これにより、オブジェクトが形成される領域の粒子が選択的に接合されうる。次の粉末層が形成されうるように、粉末ベッドと製造される構成要素を支持するアクチュエータ(例:ピストン)が下げられる。各層が形成された後に、プロセスは繰り返され、その後オブジェクトの一部を完成させるために最後の硬化プロセス(例えば、紫外線照射、又は熱処理)が行われる。3D印刷は、材料組成の局所的制御を行うことができるため、本書に記載の方法で、微細構造、及び表面形状、さまざまな(及び以前には得られなかった)形状寸法を達成することができる。
[00104]一実施形態では、本書に記載の研磨パッドは、コンピュータレンダリングデバイス又はコンピュータディスプレイデバイスによって読み取り可能なデータ構造で表されうる。図12に、一実施形態に係る、コンピュータ可読媒体を有するコンピュータシステム(すなわち、電子コントローラ1204)の概略図を示す。コンピュータ可読媒体は、研磨パッドを表すデータ構造を含有しうる。データ構造は、コンピュータファイルであってよく、一または複数の構成要素の構造、材料、形状、物理特性、又は他の特性についての情報を含有しうる。データ構造はまた、コンピュータレンダリングデバイス又はコンピュータディスプレイデバイスの選択された機能性を連動させる例えばコンピュータで実行可能なコード又はデバイス制御コード等のコードも含有しうる。データ構造は、コンピュータ可読媒体に記憶されうる。コンピュータ可読媒体は、例えば磁気メモリ又はいずれかの便利な物理記憶媒体等の物理記憶媒体を含みうる。物理記憶媒体は、コンピュータスクリーン上にデータ構造によって表される構成要素をレンダリングするコンピュータシステム、あるいは例えば3Dプリンタ等の付加製造デバイスであってよい物理レンダリングデバイスによって読み取り可能であってよい。
[00105]以上の記述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱せずに本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
[0045]一般に、第1の特徴204と第2の特徴206は、円形複合パッド本体202を形成するために、交互に配置された交互の同心リングであってよい。他の実施形態では、第1の特徴204と第2の特徴206は、交互に、又は他の適切な配置で、本体202から延在する個別のポスト(棒)であってよい。様々な他の研磨パッド面の設計を、本書に記載の実施形態に有益に用いることも可能であると考えられる。一実施形態では、第1の特徴204の高さ210は、第1の特徴204の上面208が第2の特徴206から突出するように、第2の特徴206の高さ212よりも高くなっている。第1の特徴204及び第2の特徴206の間には、溝218又はチャネルが形成されている。研磨中、第1の特徴204の上面208により、基板に接触する研磨面が形成され、溝218には研磨流体が保持される。一実施形態では、第1の特徴204は、溝218及び/又はチャネルが複合パッド本体202の上面に形成されるよう、複合パッド本体202に平行の平面に対して垂直の方向に、第2の特徴206の厚さよりも大きい厚さを有するように形成される。

Claims (15)

  1. 研磨パッド装置であって、
    基板に接触するように構成された上面を有する一または複数の研磨特徴を備える印刷されたポリマー体であって、第1の材料を含む第1の領域と、第2の材料を含む第2の領域とを含む、印刷されたポリマー体と、
    前記印刷されたポリマー体内に一体的に配置され、前記上面からある距離を置いて位置づけされるRFIDタグと
    を備える研磨パッド装置。
  2. 前記第1及び第2の材料は、エポキシ、フェノール、アミン、ポリエステル、ウレタン、シリコン、及びそれらのアクリレート、混合物、共重合体、及びグラフトから成る群から選択され、前記第1及び第2の材料の組成は異なる、請求項1に記載の装置。
  3. 前記RFIDタグは、無線通信技法を用いて質問器と通信するように構成された誘導アンテナを有する、請求項1に記載の装置。
  4. 前記距離は、前記上面から200μmから500μmの間である、請求項1に記載の装置。
  5. 前記RFIDタグに通信可能に結合されたセンサを更に備え、前記センサは、熱センサ、音響センサ、伝導度センサ、加速度センサ、トルクセンサ、摩擦センサ、及び圧力センサから成る群から選択され、前記RFIDタグは、無線通信技法を用いて質問器と通信するように構成される、請求項1に記載の装置。
  6. 化学機械研磨システムであって、
    支持面を有するプラテンと、
    内部にRFIDタグが配置され、前記プラテンの前記支持面の上に配置された印刷された研磨パッドと、
    前記プラテンに結合された質問器であって、前記質問器及び前記RFIDタグは、無線通信技法を用いて互いに通信するように構成される質問器と、
    前記プラテンに対向して位置づけされ、前記印刷された研磨パッドの研磨面に基板を押し付けるように構成された研磨ヘッドと
    を備える、化学機械研磨システム。
  7. 前記印刷された研磨パッドは非導電性ポリマー材料から形成され、前記RFIDタグは導電性ポリマー材料から形成される、請求項6に記載の研磨システム。
  8. 前記RFIDタグは、熱センサ、音響センサ、伝導度センサ、加速度センサ、トルクセンサ、摩擦センサ、及び圧力センサのうちの一または複数を含む、請求項6に記載の研磨システム。
  9. 研磨パッドを製造する方法であって、
    印刷ヘッドの第1のノズルから、非導電性である一または複数の第1のポリマー材料を分配することによって、研磨パッドの印刷された第1の部分を堆積させることと、
    印刷ヘッドの第2のノズルから、前記研磨パッドの前記印刷された第1の部分に、少なくとも1つの導電性又は半導電性ポリマー材料を含む一または複数の第2のポリマー材料を分配することによって、印刷されたRFIDタグを堆積させることと、
    前記印刷ヘッドの前記第1のノズルから前記一または複数の第1のポリマー材料を分配することによって、前記印刷されたRFIDタグ及び前記印刷された第1の部分の上に前記研磨パッドの印刷された第2の部分を堆積させることと
    を含む方法。
  10. 前記一または複数の第2のポリマー材料は、ポリ(フルオレン)、ポリ(フェニレン)、ポリ(ピレン)、ポリ(アズレン)、ポリ(ナフタレン)、ポリ(アセチレン)、ポリ(p-フェニレンビニレン)、ポリ(ピロール)、ポリ(カルバゾール)、ポリ(インドール)、ポリ(アゼピン)、ポリ(アニリン)、ポリ(チオフェン)、ポリ(3、4-エチレンジオキシチオフェン)、ポリ(p-フェニレンスルフィド)、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項9に記載の方法。
  11. 前記印刷されたRFIDタグは、前記印刷された第1の部分及び前記印刷された第2の部分とともに封入される、請求項9に記載の方法。
  12. 前記印刷されたRFIDタグに結合されたセンサを印刷することを更に含み、前記センサと前記研磨パッドの研磨面との間に配置された前記研磨パッドの領域は、処理パラメータの感知精度を改善するように構成された特性を有する材料から製造される、請求項9に記載の方法。
  13. 基板を研磨する方法であって、
    印刷された研磨パッド内部に配置されたRFIDタグで、一または複数の処理パラメータを感知することと、
    質問器を介して、前記RFIDタグから一または複数の信号を受信することと、
    一または複数の信号を、前記研磨プロセスを制御するように適合され且つ前記一または複数の信号の受信に応じて前記研磨プロセスの変更を開始するコントローラへ伝達することと
    を含む方法。
  14. 前記一または複数の信号は、熱センサ、音響センサ、伝導度センサ、加速度センサ、トルクセンサ、摩擦センサ、及び圧力センサのうちの一または複数によって生成された情報を含有する、請求項13に記載の方法。
  15. 無線通信方法であって、
    プラテンと、前記プラテンに結合された研磨パッドと、前記研磨ヘッドに取り外し可能に結合され且つRFIDタグが結合された一または複数の構成要素を含む研磨ヘッドとを備える研磨システムにおいて基板研磨プロセスを実施することと、
    前記プラテン内に固定可能に配置された質問器を介して、前記RFIDタグから一または複数の無線通信信号を受信することと、
    前記一または複数の無線通信信号を解析することと、
    前記研磨ヘッドから前記一または複数の構成要素を取り外すことと
    を含む方法。
JP2021142999A 2015-11-06 2021-09-02 Cmpプロセスのトラッキングデータを3d印刷されたcmp消耗材と組み合わせるための技法 Active JP7277528B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/935,134 2015-11-06
US14/935,134 US10593574B2 (en) 2015-11-06 2015-11-06 Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
JP2018522976A JP6940497B2 (ja) 2015-11-06 2016-10-19 Cmpプロセスのトラッキングデータを3d印刷されたcmp消耗材と組み合わせるための技法
PCT/US2016/057669 WO2017078933A1 (en) 2015-11-06 2016-10-19 Techniques for combining cmp process tracking data with 3d printed cmp consumables

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018522976A Division JP6940497B2 (ja) 2015-11-06 2016-10-19 Cmpプロセスのトラッキングデータを3d印刷されたcmp消耗材と組み合わせるための技法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022023027A true JP2022023027A (ja) 2022-02-07
JP7277528B2 JP7277528B2 (ja) 2023-05-19

Family

ID=58662314

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018522976A Active JP6940497B2 (ja) 2015-11-06 2016-10-19 Cmpプロセスのトラッキングデータを3d印刷されたcmp消耗材と組み合わせるための技法
JP2021142999A Active JP7277528B2 (ja) 2015-11-06 2021-09-02 Cmpプロセスのトラッキングデータを3d印刷されたcmp消耗材と組み合わせるための技法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018522976A Active JP6940497B2 (ja) 2015-11-06 2016-10-19 Cmpプロセスのトラッキングデータを3d印刷されたcmp消耗材と組み合わせるための技法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10593574B2 (ja)
JP (2) JP6940497B2 (ja)
KR (1) KR20180071368A (ja)
CN (2) CN116197811A (ja)
TW (2) TWI749562B (ja)
WO (1) WO2017078933A1 (ja)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013217422A1 (de) 2013-09-02 2015-03-05 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Koordinatenmessgerät und Verfahren zur Vermessung und mindestens teilweisen Erzeugung eines Werkstücks
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
JP6545261B2 (ja) 2014-10-17 2019-07-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 付加製造プロセスを使用する、複合材料特性を有するcmpパッド構造
KR20230169424A (ko) 2015-10-30 2023-12-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 원하는 제타 전위를 가진 연마 제품을 형성하는 장치 및 방법
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
CN106853610B (zh) 2015-12-08 2019-11-01 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 抛光垫及其监测方法和监测系统
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US10930535B2 (en) 2016-12-02 2021-02-23 Applied Materials, Inc. RFID part authentication and tracking of processing components
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
JP6948878B2 (ja) 2017-08-22 2021-10-13 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体製造装置及び半導体基板の研磨方法
JP6985107B2 (ja) * 2017-11-06 2021-12-22 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置
US11654615B2 (en) 2017-12-27 2023-05-23 Solvay Specialty Polymers Usa, Llc Method for manufacturing a three-dimensional object
KR20200108098A (ko) 2018-02-05 2020-09-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 3d 프린트된 cmp 패드들을 위한 압전 엔드포인팅
WO2019206903A1 (en) 2018-04-23 2019-10-31 Carl Zeiss Industrial Metrology, Llc Method and arrangement for producing a workpiece by using adaptive closed-loop control of additive manufacturing techniques
WO2019212485A1 (en) 2018-04-30 2019-11-07 Hewlett-Packard Development Company, L. P. Post-print processing of three dimensional (3d) printed objects
IT201800007903A1 (it) * 2018-08-06 2020-02-06 Mole Abrasivi Ermoli Srl Mola abrasiva e metodo di controllo per una molatrice comprendente detta mola
WO2020046502A1 (en) * 2018-08-31 2020-03-05 Applied Materials, Inc. Polishing system with capacitive shear sensor
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
JP2022511763A (ja) * 2018-11-27 2022-02-01 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 研磨パッド及びシステム、並びにその製造方法及び使用方法
EP3946809A4 (en) * 2019-04-03 2022-12-07 Saint-Gobain Abrasives, Inc. ABRASIVE ARTICLE, ABRASIVE SYSTEM AND METHOD OF USE AND MANUFACTURE THE SAME
US11851570B2 (en) 2019-04-12 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Anionic polishing pads formed by printing processes
CN111816570A (zh) * 2019-07-05 2020-10-23 北京荷清柔创科技有限公司 柔性电子器件及其制备方法、制备装置
IT201900014214A1 (it) * 2019-08-07 2021-02-07 Technoprobe Spa Metodo di fabbricazione di sonde di contatto per teste di misura di dispositivi elettronici e relativa sonda di contatto
US11522319B2 (en) * 2020-06-08 2022-12-06 Global Inventive Consulting Inc. RFID-enabled electrical connector
US11738517B2 (en) 2020-06-18 2023-08-29 Applied Materials, Inc. Multi dispense head alignment using image processing
US11878389B2 (en) * 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
US11951590B2 (en) 2021-06-14 2024-04-09 Applied Materials, Inc. Polishing pads with interconnected pores
CN117615879A (zh) * 2021-07-06 2024-02-27 应用材料公司 用于化学机械抛光的声学传感器的耦合
CN114013028A (zh) * 2021-11-03 2022-02-08 北京理工大学 一种高光溢出效果半导体纳米晶器件微结构的构筑方法
WO2024083517A1 (de) * 2022-10-17 2024-04-25 Ernst-Abbe-Hochschule Jena Graduierte und adaptive polierwerkzeuge sowie verfahren zu deren herstellung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007086529A1 (ja) * 2006-01-25 2007-08-02 Jsr Corporation 化学機械研磨パッドおよびその製造方法
US20140138355A1 (en) * 2012-11-16 2014-05-22 Simon Yavelberg Recording Measurements by Sensors for a Carrier Head
US20150126099A1 (en) * 2013-11-04 2015-05-07 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having abrasives therein

Family Cites Families (658)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2001911A (en) 1932-04-21 1935-05-21 Carborundum Co Abrasive articles
US3357598A (en) 1965-09-21 1967-12-12 Dole Valve Co Adjustable liquid dispenser
US3741116A (en) 1970-06-25 1973-06-26 American Screen Process Equip Vacuum belt
US4459779A (en) 1982-09-16 1984-07-17 International Business Machines Corporation Fixed abrasive grinding media
US4575330A (en) 1984-08-08 1986-03-11 Uvp, Inc. Apparatus for production of three-dimensional objects by stereolithography
US4836832A (en) 1986-08-11 1989-06-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of preparing coated abrasive having radiation curable binder
US4841680A (en) 1987-08-25 1989-06-27 Rodel, Inc. Inverted cell pad material for grinding, lapping, shaping and polishing
US4942001A (en) 1988-03-02 1990-07-17 Inc. DeSoto Method of forming a three-dimensional object by stereolithography and composition therefore
DE3808951A1 (de) 1988-03-17 1989-10-05 Basf Ag Photopolymerisierbare, zur herstellung von druckformen geeignete druckplatte
US4844144A (en) 1988-08-08 1989-07-04 Desoto, Inc. Investment casting utilizing patterns produced by stereolithography
JPH07102724B2 (ja) 1988-08-31 1995-11-08 ジューキ株式会社 印字装置
US5121329A (en) 1989-10-30 1992-06-09 Stratasys, Inc. Apparatus and method for creating three-dimensional objects
US5387380A (en) 1989-12-08 1995-02-07 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional printing techniques
DE3942859A1 (de) 1989-12-23 1991-07-04 Basf Ag Verfahren zur herstellung von bauteilen
US5626919A (en) 1990-03-01 1997-05-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solid imaging apparatus and method with coating station
US5096530A (en) 1990-06-28 1992-03-17 3D Systems, Inc. Resin film recoating method and apparatus
JP2929779B2 (ja) 1991-02-15 1999-08-03 トヨタ自動車株式会社 炭素被膜付撥水ガラス
DE69215439T2 (de) 1991-06-25 1997-05-22 Eastman Kodak Co Photographisches Element, enthaltend eine Spannung absorbierende, schützende Schicht
US5212910A (en) 1991-07-09 1993-05-25 Intel Corporation Composite polishing pad for semiconductor process
US5193316A (en) 1991-10-29 1993-03-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium
US5287663A (en) 1992-01-21 1994-02-22 National Semiconductor Corporation Polishing pad and method for polishing semiconductor wafers
US5178646A (en) 1992-01-22 1993-01-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coatable thermally curable binder presursor solutions modified with a reactive diluent, abrasive articles incorporating same, and methods of making said abrasive articles
US6099394A (en) 1998-02-10 2000-08-08 Rodel Holdings, Inc. Polishing system having a multi-phase polishing substrate and methods relating thereto
US6022264A (en) 1997-02-10 2000-02-08 Rodel Inc. Polishing pad and methods relating thereto
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US6746225B1 (en) 1992-11-30 2004-06-08 Bechtel Bwtx Idaho, Llc Rapid solidification processing system for producing molds, dies and related tooling
WO1994013434A1 (en) 1992-12-17 1994-06-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Reduced viscosity slurries, abrasive articles made therefrom, and methods of making said articles
JPH07297195A (ja) 1994-04-27 1995-11-10 Speedfam Co Ltd 半導体装置の平坦化方法及び平坦化装置
US5906863A (en) 1994-08-08 1999-05-25 Lombardi; John Methods for the preparation of reinforced three-dimensional bodies
JPH08132342A (ja) 1994-11-08 1996-05-28 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造装置
KR100258802B1 (ko) 1995-02-15 2000-06-15 전주범 평탄화 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법
US6719818B1 (en) 1995-03-28 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ endpoint detection for chemical mechanical polishing operations
US5533923A (en) 1995-04-10 1996-07-09 Applied Materials, Inc. Chemical-mechanical polishing pad providing polishing unformity
US5645471A (en) 1995-08-11 1997-07-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of texturing a substrate using an abrasive article having multiple abrasive natures
US5605760A (en) 1995-08-21 1997-02-25 Rodel, Inc. Polishing pads
JP3324643B2 (ja) 1995-10-25 2002-09-17 日本電気株式会社 研磨パッド
US5738574A (en) 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
US5905099A (en) 1995-11-06 1999-05-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Heat-activatable adhesive composition
US5609517A (en) 1995-11-20 1997-03-11 International Business Machines Corporation Composite polishing pad
JP3566430B2 (ja) 1995-12-20 2004-09-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US5624303A (en) 1996-01-22 1997-04-29 Micron Technology, Inc. Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles
US6095084A (en) 1996-02-02 2000-08-01 Applied Materials, Inc. High density plasma process chamber
US5778481A (en) 1996-02-15 1998-07-14 International Business Machines Corporation Silicon wafer cleaning and polishing pads
US5690540A (en) 1996-02-23 1997-11-25 Micron Technology, Inc. Spiral grooved polishing pad for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US6090475A (en) * 1996-05-24 2000-07-18 Micron Technology Inc. Polishing pad, methods of manufacturing and use
JP3498881B2 (ja) 1996-05-27 2004-02-23 セントラル硝子株式会社 撥水性ガラスの製法
US5976000A (en) 1996-05-28 1999-11-02 Micron Technology, Inc. Polishing pad with incompressible, highly soluble particles for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5748434A (en) 1996-06-14 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Shield for an electrostatic chuck
GB2316414B (en) 1996-07-31 2000-10-11 Tosoh Corp Abrasive shaped article, abrasive disc and polishing method
US5795218A (en) 1996-09-30 1998-08-18 Micron Technology, Inc. Polishing pad with elongated microcolumns
US6244575B1 (en) 1996-10-02 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for vaporizing liquid precursors and system for using same
US5876490A (en) 1996-12-09 1999-03-02 International Business Machines Corporatin Polish process and slurry for planarization
KR100210840B1 (ko) 1996-12-24 1999-07-15 구본준 기계 화학적 연마 방법 및 그 장치
US5876268A (en) 1997-01-03 1999-03-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method and article for the production of optical quality surfaces on glass
JP4163756B2 (ja) 1997-01-13 2008-10-08 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド ホトリソグラフィーによって形成された表面パターンを有するポリマー研磨パッド及びこれに関する方法
US5965460A (en) 1997-01-29 1999-10-12 Mac Dermid, Incorporated Polyurethane composition with (meth)acrylate end groups useful in the manufacture of polishing pads
US5910471A (en) 1997-03-07 1999-06-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Abrasive article for providing a clear surface finish on glass
BR9808152A (pt) 1997-03-07 2000-03-28 Minnesota Mining & Mfg Artigo abrasivo, sistema para polimento de vidro, processo para o polimento de uma peça e de um artigo de vidro, e, aparelho compreendendo um tubo de raios catódicos
US6231629B1 (en) 1997-03-07 2001-05-15 3M Innovative Properties Company Abrasive article for providing a clear surface finish on glass
US5944583A (en) 1997-03-17 1999-08-31 International Business Machines Corporation Composite polish pad for CMP
US6682402B1 (en) 1997-04-04 2004-01-27 Rodel Holdings, Inc. Polishing pads and methods relating thereto
US6062958A (en) 1997-04-04 2000-05-16 Micron Technology, Inc. Variable abrasive polishing pad for mechanical and chemical-mechanical planarization
US6648733B2 (en) 1997-04-04 2003-11-18 Rodel Holdings, Inc. Polishing pads and methods relating thereto
US5940674A (en) 1997-04-09 1999-08-17 Massachusetts Institute Of Technology Three-dimensional product manufacture using masks
US6126532A (en) 1997-04-18 2000-10-03 Cabot Corporation Polishing pads for a semiconductor substrate
ES2187960T3 (es) 1997-04-18 2003-06-16 Cabot Microelectronics Corp Tampon para pulir para un sustrato semiconductor.
US8092707B2 (en) 1997-04-30 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication
US5945058A (en) 1997-05-13 1999-08-31 3D Systems, Inc. Method and apparatus for identifying surface features associated with selected lamina of a three-dimensional object being stereolithographically formed
US6273806B1 (en) 1997-05-15 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing apparatus
US5921855A (en) 1997-05-15 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system
US6692338B1 (en) 1997-07-23 2004-02-17 Lsi Logic Corporation Through-pad drainage of slurry during chemical mechanical polishing
US6736714B2 (en) * 1997-07-30 2004-05-18 Praxair S.T. Technology, Inc. Polishing silicon wafers
US5919082A (en) * 1997-08-22 1999-07-06 Micron Technology, Inc. Fixed abrasive polishing pad
US6121143A (en) 1997-09-19 2000-09-19 3M Innovative Properties Company Abrasive articles comprising a fluorochemical agent for wafer surface modification
US5888121A (en) 1997-09-23 1999-03-30 Lsi Logic Corporation Controlling groove dimensions for enhanced slurry flow
US5932040A (en) 1997-10-01 1999-08-03 Bibielle S.P.A. Method for producing a ring of abrasive elements from which to form a rotary brush
US6950193B1 (en) 1997-10-28 2005-09-27 Rockwell Automation Technologies, Inc. System for monitoring substrate conditions
US6039836A (en) 1997-12-19 2000-03-21 Lam Research Corporation Focus rings
US6231942B1 (en) 1998-01-21 2001-05-15 Trexel, Inc. Method and apparatus for microcellular polypropylene extrusion, and polypropylene articles produced thereby
JPH11254542A (ja) 1998-03-11 1999-09-21 Sanyo Electric Co Ltd 光造形装置のモニタリングシステム
US6228133B1 (en) 1998-05-01 2001-05-08 3M Innovative Properties Company Abrasive articles having abrasive layer bond system derived from solid, dry-coated binder precursor particles having a fusible, radiation curable component
US6106661A (en) * 1998-05-08 2000-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Polishing pad having a wear level indicator and system using the same
JPH11347761A (ja) 1998-06-12 1999-12-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd レーザによる3次元造形装置
US6122564A (en) 1998-06-30 2000-09-19 Koch; Justin Apparatus and methods for monitoring and controlling multi-layer laser cladding
US6322728B1 (en) 1998-07-10 2001-11-27 Jeneric/Pentron, Inc. Mass production of dental restorations by solid free-form fabrication methods
US6117000A (en) 1998-07-10 2000-09-12 Cabot Corporation Polishing pad for a semiconductor substrate
DE19834559A1 (de) 1998-07-31 2000-02-03 Friedrich Schiller Uni Jena Bu Verfahren zur Herstellung von Werkzeugen für die Bearbeitung von Oberflächen
JP2000061817A (ja) 1998-08-24 2000-02-29 Nikon Corp 研磨パッド
US6095902A (en) 1998-09-23 2000-08-01 Rodel Holdings, Inc. Polyether-polyester polyurethane polishing pads and related methods
US6602380B1 (en) 1998-10-28 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for releasably attaching a polishing pad to a chemical-mechanical planarization machine
US6325706B1 (en) 1998-10-29 2001-12-04 Lam Research Corporation Use of zeta potential during chemical mechanical polishing for end point detection
US6176992B1 (en) 1998-11-03 2001-01-23 Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
US6390890B1 (en) 1999-02-06 2002-05-21 Charles J Molnar Finishing semiconductor wafers with a fixed abrasive finishing element
US6206759B1 (en) 1998-11-30 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Polishing pads and planarizing machines for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods for making and using such pads and machines
JP3641956B2 (ja) 1998-11-30 2005-04-27 三菱住友シリコン株式会社 研磨スラリーの再生システム
US7425250B2 (en) 1998-12-01 2008-09-16 Novellus Systems, Inc. Electrochemical mechanical processing apparatus
WO2000043159A1 (en) 1999-01-21 2000-07-27 Rodel Holdings, Inc. Improved polishing pads and methods relating thereto
US6994607B2 (en) 2001-12-28 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window
US6179709B1 (en) 1999-02-04 2001-01-30 Applied Materials, Inc. In-situ monitoring of linear substrate polishing operations
US6641463B1 (en) 1999-02-06 2003-11-04 Beaver Creek Concepts Inc Finishing components and elements
EP1211023B1 (en) 1999-03-30 2008-05-28 Nikon Corporation Polishing body, polisher, polishing method, and method for producing semiconductor device
US6217426B1 (en) 1999-04-06 2001-04-17 Applied Materials, Inc. CMP polishing pad
JP2000301450A (ja) 1999-04-19 2000-10-31 Rohm Co Ltd Cmp研磨パッドおよびそれを用いたcmp処理装置
US6213845B1 (en) 1999-04-26 2001-04-10 Micron Technology, Inc. Apparatus for in-situ optical endpointing on web-format planarizing machines in mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies and methods for making and using same
US6338901B1 (en) 1999-05-03 2002-01-15 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC on substrate
US6328634B1 (en) 1999-05-11 2001-12-11 Rodel Holdings Inc. Method of polishing
US6196899B1 (en) 1999-06-21 2001-03-06 Micron Technology, Inc. Polishing apparatus
JP2001018163A (ja) 1999-07-06 2001-01-23 Speedfam Co Ltd 研磨用パッド
US6319108B1 (en) 1999-07-09 2001-11-20 3M Innovative Properties Company Metal bond abrasive article comprising porous ceramic abrasive composites and method of using same to abrade a workpiece
TW480205B (en) * 1999-07-20 2002-03-21 Agere Syst Guardian Corp Engineered polishing pad for improved slurry distribution
JP2001105329A (ja) 1999-08-02 2001-04-17 Ebara Corp 研磨用砥石
US6232236B1 (en) 1999-08-03 2001-05-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling plasma uniformity in a semiconductor wafer processing system
US6328632B1 (en) 1999-08-31 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Polishing pads and planarizing machines for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
US6201208B1 (en) 1999-11-04 2001-03-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma processing with control of ion energy distribution at the substrates
US6257973B1 (en) 1999-11-04 2001-07-10 Norton Company Coated abrasive discs
US6399501B2 (en) 1999-12-13 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for detecting polishing endpoint with optical monitoring
US6428586B1 (en) 1999-12-14 2002-08-06 Rodel Holdings Inc. Method of manufacturing a polymer or polymer/composite polishing pad
US6368184B1 (en) 2000-01-06 2002-04-09 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for determining metal CMP endpoint using integrated polishing pad electrodes
US6241596B1 (en) 2000-01-14 2001-06-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for chemical mechanical polishing using a patterned pad
US6506097B1 (en) 2000-01-18 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Optical monitoring in a two-step chemical mechanical polishing process
WO2001053040A1 (en) 2000-01-19 2001-07-26 Rodel Holdings, Inc. Printing of polishing pads
US7071041B2 (en) 2000-01-20 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6746311B1 (en) 2000-01-24 2004-06-08 3M Innovative Properties Company Polishing pad with release layer
US6309276B1 (en) 2000-02-01 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Endpoint monitoring with polishing rate change
US6991528B2 (en) 2000-02-17 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing
US20010046834A1 (en) 2000-02-28 2001-11-29 Anuradha Ramana Pad surface texture formed by solid phase droplets
KR100502268B1 (ko) 2000-03-01 2005-07-22 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 플라즈마처리장치 및 방법
US6797623B2 (en) 2000-03-09 2004-09-28 Sony Corporation Methods of producing and polishing semiconductor device and polishing apparatus
US7300619B2 (en) 2000-03-13 2007-11-27 Objet Geometries Ltd. Compositions and methods for use in three dimensional model printing
US6569373B2 (en) 2000-03-13 2003-05-27 Object Geometries Ltd. Compositions and methods for use in three dimensional model printing
US20030207959A1 (en) 2000-03-13 2003-11-06 Eduardo Napadensky Compositions and methods for use in three dimensional model printing
US8481241B2 (en) 2000-03-13 2013-07-09 Stratasys Ltd. Compositions and methods for use in three dimensional model printing
WO2001068322A1 (en) 2000-03-15 2001-09-20 Rodel Holdings, Inc. Window portion with an adjusted rate of wear
ATE278535T1 (de) 2000-03-24 2004-10-15 Generis Gmbh Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines strukturbauteils mittels einer mehrschicht- auftragstechnik, und form oder kern herstellbar durch dieses verfahren
KR20010093677A (ko) 2000-03-29 2001-10-29 추후기재 향상된 슬러리 분배를 위하여 특수 설계된 연마 패드
US6313038B1 (en) 2000-04-26 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling chemical interactions during planarization of microelectronic substrates
WO2001083167A1 (en) 2000-05-03 2001-11-08 Rodel Holdings, Inc. Polishing pad with a seam which is reinforced with caulking material
US6387289B1 (en) 2000-05-04 2002-05-14 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6267641B1 (en) 2000-05-19 2001-07-31 Motorola, Inc. Method of manufacturing a semiconductor component and chemical-mechanical polishing system therefor
US8485862B2 (en) 2000-05-19 2013-07-16 Applied Materials, Inc. Polishing pad for endpoint detection and related methods
US6454634B1 (en) 2000-05-27 2002-09-24 Rodel Holdings Inc. Polishing pads for chemical mechanical planarization
US6736709B1 (en) 2000-05-27 2004-05-18 Rodel Holdings, Inc. Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
US6749485B1 (en) 2000-05-27 2004-06-15 Rodel Holdings, Inc. Hydrolytically stable grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
US6860802B1 (en) 2000-05-27 2005-03-01 Rohm And Haas Electric Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pads for chemical mechanical planarization
JP3925041B2 (ja) 2000-05-31 2007-06-06 Jsr株式会社 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド
KR100726303B1 (ko) 2000-05-31 2007-06-13 제이에스알 가부시끼가이샤 연마체
US6478914B1 (en) 2000-06-09 2002-11-12 Micron Technology, Inc. Method for attaching web-based polishing materials together on a polishing tool
US6656019B1 (en) 2000-06-29 2003-12-02 International Business Machines Corporation Grooved polishing pads and methods of use
JP2002028849A (ja) 2000-07-17 2002-01-29 Jsr Corp 研磨パッド
US20020016139A1 (en) 2000-07-25 2002-02-07 Kazuto Hirokawa Polishing tool and manufacturing method therefor
US6520834B1 (en) 2000-08-09 2003-02-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for analyzing and controlling performance parameters in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6776699B2 (en) 2000-08-14 2004-08-17 3M Innovative Properties Company Abrasive pad for CMP
US6736869B1 (en) 2000-08-28 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Method for forming a planarizing pad for planarization of microelectronic substrates
US6592443B1 (en) 2000-08-30 2003-07-15 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming and using planarizing pads for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6638831B1 (en) 2000-08-31 2003-10-28 Micron Technology, Inc. Use of a reference fiducial on a semiconductor package to monitor and control a singulation method
JP3886712B2 (ja) 2000-09-08 2007-02-28 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US6477926B1 (en) 2000-09-15 2002-11-12 Ppg Industries Ohio, Inc. Polishing pad
US6641471B1 (en) 2000-09-19 2003-11-04 Rodel Holdings, Inc Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto
AU2002211387A1 (en) 2000-09-29 2002-04-08 Strasbaugh, Inc. Polishing pad with built-in optical sensor
MXPA03003997A (es) 2000-11-09 2004-02-12 3M Innovative Properties Co Composiciones fluidas de tinta, eyectables, curables por radiacion, resistentes a la intemperie, particularmente adecuadas para aplicaciones exteriores.
JP2002151447A (ja) 2000-11-13 2002-05-24 Asahi Kasei Corp 研磨パッド
US6684704B1 (en) 2002-09-12 2004-02-03 Psiloquest, Inc. Measuring the surface properties of polishing pads using ultrasonic reflectance
KR100867339B1 (ko) 2000-12-01 2008-11-06 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 그 제조 방법
JP2002200555A (ja) 2000-12-28 2002-07-16 Ebara Corp 研磨工具および該研磨工具を具備したポリッシング装置
US6407669B1 (en) 2001-02-02 2002-06-18 3M Innovative Properties Company RFID tag device and method of manufacturing
GB0103754D0 (en) 2001-02-15 2001-04-04 Vantico Ltd Three-dimensional structured printing
US20020112632A1 (en) 2001-02-21 2002-08-22 Creo Ltd Method for supporting sensitive workpieces during processing
US6840843B2 (en) 2001-03-01 2005-01-11 Cabot Microelectronics Corporation Method for manufacturing a polishing pad having a compressed translucent region
US6811680B2 (en) 2001-03-14 2004-11-02 Applied Materials Inc. Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing
US7955693B2 (en) 2001-04-20 2011-06-07 Tolland Development Company, Llc Foam composition roller brush with embedded mandrel
US6847014B1 (en) 2001-04-30 2005-01-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
US6811937B2 (en) 2001-06-21 2004-11-02 Dsm Desotech, Inc. Radiation-curable resin composition and rapid prototyping process using the same
US6544373B2 (en) 2001-07-26 2003-04-08 United Microelectronics Corp. Polishing pad for a chemical mechanical polishing process
US6586494B2 (en) 2001-08-08 2003-07-01 Spectra Group Limited, Inc. Radiation curable inkjet composition
KR100646702B1 (ko) 2001-08-16 2006-11-17 에스케이씨 주식회사 홀 및/또는 그루브로 형성된 화학적 기계적 연마패드
KR20030020658A (ko) 2001-09-04 2003-03-10 삼성전자주식회사 화학적물리적 연마장치의 연마패드 콘디셔닝 디스크
US6866807B2 (en) 2001-09-21 2005-03-15 Stratasys, Inc. High-precision modeling filament
TWI222390B (en) 2001-11-13 2004-10-21 Toyo Boseki Polishing pad and its production method
JP4077192B2 (ja) 2001-11-30 2008-04-16 株式会社東芝 化学機械研磨方法および半導体装置の製造方法
US6599765B1 (en) 2001-12-12 2003-07-29 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a signal port in a polishing pad for optical endpoint detection
US6838149B2 (en) 2001-12-13 2005-01-04 3M Innovative Properties Company Abrasive article for the deposition and polishing of a conductive material
JP2003188124A (ja) 2001-12-14 2003-07-04 Rodel Nitta Co 研磨布
EP1326273B1 (en) 2001-12-28 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20030134581A1 (en) 2002-01-11 2003-07-17 Wang Hsing Maw Device for chemical mechanical polishing
KR100442873B1 (ko) 2002-02-28 2004-08-02 삼성전자주식회사 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 및 이를 사용한 화학적기계적 폴리싱 방법
CN1445060A (zh) 2002-03-07 2003-10-01 株式会社荏原制作所 抛光装置
JP2003303793A (ja) 2002-04-12 2003-10-24 Hitachi Ltd 研磨装置および半導体装置の製造方法
US6773474B2 (en) 2002-04-19 2004-08-10 3M Innovative Properties Company Coated abrasive article
JP4693024B2 (ja) 2002-04-26 2011-06-01 東洋ゴム工業株式会社 研磨材
US20050194681A1 (en) 2002-05-07 2005-09-08 Yongqi Hu Conductive pad with high abrasion
US6815570B1 (en) 2002-05-07 2004-11-09 Uop Llc Shaped catalysts for transalkylation of aromatics for enhanced xylenes production
US6913517B2 (en) 2002-05-23 2005-07-05 Cabot Microelectronics Corporation Microporous polishing pads
US20050276967A1 (en) 2002-05-23 2005-12-15 Cabot Microelectronics Corporation Surface textured microporous polishing pads
TWI250572B (en) 2002-06-03 2006-03-01 Jsr Corp Polishing pad and multi-layer polishing pad
DE10224981B4 (de) 2002-06-05 2004-08-19 Generis Gmbh Verfahren zum schichtweisen Aufbau von Modellen
CN100445091C (zh) 2002-06-07 2008-12-24 普莱克斯S.T.技术有限公司 控制渗透子垫
US8602851B2 (en) 2003-06-09 2013-12-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Controlled penetration subpad
JP3801100B2 (ja) 2002-06-07 2006-07-26 Jsr株式会社 光硬化造形装置、光硬化造形方法及び光硬化造形システム
EP1375617A1 (en) 2002-06-19 2004-01-02 3M Innovative Properties Company Radiation-curable, solvent-free and printable precursor of a pressure-sensitive adhesive
US7169014B2 (en) 2002-07-18 2007-01-30 Micron Technology, Inc. Apparatuses for controlling the temperature of polishing pads used in planarizing micro-device workpieces
KR101016081B1 (ko) 2002-07-26 2011-02-17 닛토덴코 가부시키가이샤 점착 시트와 그의 제조방법, 상기 점착 시트의 사용방법,및 상기 점착 시트에 사용되는 다층 시트와 그의 제조방법
TWI228768B (en) 2002-08-08 2005-03-01 Jsr Corp Processing method of polishing pad for semiconductor wafer and polishing pad for semiconductor wafer
US7579071B2 (en) 2002-09-17 2009-08-25 Korea Polyol Co., Ltd. Polishing pad containing embedded liquid microelements and method of manufacturing the same
KR100465649B1 (ko) 2002-09-17 2005-01-13 한국포리올 주식회사 일체형 연마 패드 및 그 제조 방법
US6896765B2 (en) 2002-09-18 2005-05-24 Lam Research Corporation Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber
US20040058623A1 (en) 2002-09-20 2004-03-25 Lam Research Corporation Polishing media for chemical mechanical planarization (CMP)
US7435165B2 (en) 2002-10-28 2008-10-14 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
US7311862B2 (en) 2002-10-28 2007-12-25 Cabot Microelectronics Corporation Method for manufacturing microporous CMP materials having controlled pore size
US7267607B2 (en) 2002-10-28 2007-09-11 Cabot Microelectronics Corporation Transparent microporous materials for CMP
AU2003278047A1 (en) 2002-10-31 2004-05-25 Stephen F. Corbin System and method for closed-loop control of laser cladding by powder injection
JP2004153193A (ja) 2002-11-01 2004-05-27 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの処理方法
DE10253445A1 (de) 2002-11-16 2004-06-03 Adam Opel Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abdichten und Aufpumpen von Reifen bei Pannen sowie Dichtmittelbehälter als auch Adapter hierfür
AU2003302299A1 (en) 2002-11-27 2004-06-18 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Polishing pad and method for manufacturing semiconductor device
JP2004235446A (ja) 2003-01-30 2004-08-19 Toyobo Co Ltd 研磨パッド
JP4659338B2 (ja) 2003-02-12 2011-03-30 Hoya株式会社 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法並びにそれに使用する研磨パッド
US7498394B2 (en) 2003-02-24 2009-03-03 The Regents Of The University Of Colorado (Meth)acrylic and (meth)acrylamide monomers, polymerizable compositions, and polymers obtained
DE10310385B4 (de) 2003-03-07 2006-09-21 Daimlerchrysler Ag Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Körpern mittels pulverbasierter schichtaufbauender Verfahren
US7104773B2 (en) 2003-03-07 2006-09-12 Ricoh Printing Systems, Ltd. Three-dimensional laminating molding device
JP2004281685A (ja) 2003-03-14 2004-10-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の研磨用パッドおよび半導体基板の研磨方法
US7704125B2 (en) 2003-03-24 2010-04-27 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US20060189269A1 (en) 2005-02-18 2006-08-24 Roy Pradip K Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US7377840B2 (en) 2004-07-21 2008-05-27 Neopad Technologies Corporation Methods for producing in-situ grooves in chemical mechanical planarization (CMP) pads, and novel CMP pad designs
US9278424B2 (en) 2003-03-25 2016-03-08 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US8864859B2 (en) 2003-03-25 2014-10-21 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
TWI286964B (en) 2003-03-25 2007-09-21 Neopad Technologies Corp Customized polish pads for chemical mechanical planarization
US7044836B2 (en) 2003-04-21 2006-05-16 Cabot Microelectronics Corporation Coated metal oxide particles for CMP
TWI264454B (en) 2003-04-25 2006-10-21 Jsr Corp Polishing pad and chemical mechanical polishing method
US6783436B1 (en) 2003-04-29 2004-08-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with optimized grooves and method of forming same
WO2004100242A1 (ja) 2003-05-09 2004-11-18 Sanyo Chemical Industries, Ltd. Cmpプロセス用研磨液及び研磨方法
JP4662942B2 (ja) 2003-05-21 2011-03-30 ズィー コーポレイション 3d印刷システムから外観モデルを形成するための熱可塑性粉末材料系
IL156094A0 (en) 2003-05-25 2003-12-23 J G Systems Inc Fixed abrasive cmp pad with built-in additives
US7435161B2 (en) 2003-06-17 2008-10-14 Cabot Microelectronics Corporation Multi-layer polishing pad material for CMP
US6998166B2 (en) 2003-06-17 2006-02-14 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with oriented pore structure
JP4130614B2 (ja) 2003-06-18 2008-08-06 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US7018560B2 (en) 2003-08-05 2006-03-28 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Composition for polishing semiconductor layers
US20050032464A1 (en) 2003-08-07 2005-02-10 Swisher Robert G. Polishing pad having edge surface treatment
CN1863645B (zh) 2003-08-08 2011-11-30 安格斯公司 用于制作浇注在可旋转基体上的整体式多孔垫的方法和材料
US7120512B2 (en) 2003-08-25 2006-10-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and a system for solid freeform fabricating using non-reactive powder
EP1661690A4 (en) 2003-08-27 2009-08-12 Fujifilm Corp METHOD FOR PRODUCING A THREE-DIMENSIONAL MODEL
KR100590202B1 (ko) 2003-08-29 2006-06-15 삼성전자주식회사 연마 패드 및 그 형성방법
JP2005074614A (ja) 2003-09-03 2005-03-24 Nitta Haas Inc 研磨パッドの製造方法および研磨パッド
JP2005085917A (ja) 2003-09-08 2005-03-31 Sharp Corp プラズマプロセス装置
JP2005093785A (ja) 2003-09-18 2005-04-07 Toshiba Corp Cmp用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法
KR100640998B1 (ko) 2003-09-19 2006-11-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 브라켓 구조
US6855588B1 (en) 2003-10-07 2005-02-15 United Microelectronics Corp. Method of fabricating a double gate MOSFET device
GB0323462D0 (en) 2003-10-07 2003-11-05 Fujifilm Electronic Imaging Providing a surface layer or structure on a substrate
US20050109371A1 (en) 2003-10-27 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Post CMP scrubbing of substrates
JP2005131732A (ja) 2003-10-30 2005-05-26 Ebara Corp 研磨装置
KR101152747B1 (ko) 2003-10-31 2012-06-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 마찰 센서를 이용한 폴리싱 종료점 탐지 시스템 및 방법
US20050101228A1 (en) 2003-11-10 2005-05-12 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising biodegradable polymer
US7264641B2 (en) 2003-11-10 2007-09-04 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising biodegradable polymer
JP2005150235A (ja) 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
US7125318B2 (en) 2003-11-13 2006-10-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad having a groove arrangement for reducing slurry consumption
US6984163B2 (en) 2003-11-25 2006-01-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with high optical transmission window
JP4555559B2 (ja) 2003-11-25 2010-10-06 富士紡ホールディングス株式会社 研磨布及び研磨布の製造方法
US7186164B2 (en) 2003-12-03 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Processing pad assembly with zone control
US6843711B1 (en) 2003-12-11 2005-01-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc Chemical mechanical polishing pad having a process-dependent groove configuration
US20050153634A1 (en) 2004-01-09 2005-07-14 Cabot Microelectronics Corporation Negative poisson's ratio material-containing CMP polishing pad
US20050171224A1 (en) 2004-02-03 2005-08-04 Kulp Mary J. Polyurethane polishing pad
US7132033B2 (en) 2004-02-27 2006-11-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of forming a layered polishing pad
US7731568B2 (en) 2004-03-11 2010-06-08 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. Polishing pad and semiconductor device manufacturing method
US20050208234A1 (en) 2004-03-19 2005-09-22 Agfa-Gevaert Ink-jet recording material
US7195544B2 (en) 2004-03-23 2007-03-27 Cabot Microelectronics Corporation CMP porous pad with component-filled pores
US7204742B2 (en) 2004-03-25 2007-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad comprising hydrophobic region and endpoint detection port
US6955588B1 (en) 2004-03-31 2005-10-18 Lam Research Corporation Method of and platen for controlling removal rate characteristics in chemical mechanical planarization
JP2005294661A (ja) 2004-04-02 2005-10-20 Hitachi Chem Co Ltd 研磨パッド及びそれを用いる研磨方法
JP2004243518A (ja) 2004-04-08 2004-09-02 Toshiba Corp 研摩装置
US20050227590A1 (en) 2004-04-09 2005-10-13 Chien-Min Sung Fixed abrasive tools and associated methods
TWI293266B (en) 2004-05-05 2008-02-11 Iv Technologies Co Ltd A single-layer polishing pad and a method of producing the same
US20070009606A1 (en) 2004-05-12 2007-01-11 Serdy James G Manufacturing process, such as three dimensional printing, including binding of water-soluble material followed by softening and flowing and forming films of organic-solvent-soluble material
US20050260939A1 (en) 2004-05-18 2005-11-24 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Brazed diamond dressing tool
US7926521B2 (en) 2004-05-20 2011-04-19 Bridgestone Corporation Sealing agent injecting apparatus, sealing agent injecting method and sealing pump up apparatus
US20050261150A1 (en) 2004-05-21 2005-11-24 Battelle Memorial Institute, A Part Interest Reactive fluid systems for removing deposition materials and methods for using same
US7438795B2 (en) 2004-06-10 2008-10-21 Cabot Microelectronics Corp. Electrochemical-mechanical polishing system
US7252871B2 (en) 2004-06-16 2007-08-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad having a pressure relief channel
US7582127B2 (en) 2004-06-16 2009-09-01 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition for a tungsten-containing substrate
KR101078007B1 (ko) 2004-06-21 2011-10-28 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치 및 폴리싱방법
JP4133945B2 (ja) 2004-06-28 2008-08-13 住友ゴム工業株式会社 タイヤのパンクシーリング剤送給、抜取り装置
WO2006003697A1 (ja) 2004-06-30 2006-01-12 Toho Engineering Kabushiki Kaisha 研磨パッドおよびその製造方法
US20060014475A1 (en) 2004-07-15 2006-01-19 Disco Corporation Grindstone tool
US7709053B2 (en) 2004-07-29 2010-05-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing of polymer-coated particles for chemical mechanical polishing
US7625198B2 (en) 2004-08-11 2009-12-01 Cornell Research Foundation, Inc. Modular fabrication systems and methods
US7153191B2 (en) 2004-08-20 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Polishing liquids for activating and/or conditioning fixed abrasive polishing pads, and associated systems and methods
US8075372B2 (en) 2004-09-01 2011-12-13 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad with microporous regions
DE102004042911A1 (de) 2004-09-02 2006-03-09 Michael Stehle Vorrichtung zum Ausbringen von Luft- und/oder Reifendichtmittel
US20060079159A1 (en) 2004-10-08 2006-04-13 Markus Naujok Chemical mechanical polish with multi-zone abrasive-containing matrix
US20060089094A1 (en) 2004-10-27 2006-04-27 Swisher Robert G Polyurethane urea polishing pad
US20060096179A1 (en) 2004-11-05 2006-05-11 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition containing surface-modified abrasive particles
WO2006057713A2 (en) 2004-11-29 2006-06-01 Rajeev Bajaj Electro-method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance
US7846008B2 (en) 2004-11-29 2010-12-07 Semiquest Inc. Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization and CMP pad
US7530880B2 (en) 2004-11-29 2009-05-12 Semiquest Inc. Method and apparatus for improved chemical mechanical planarization pad with pressure control and process monitor
US7815778B2 (en) 2005-11-23 2010-10-19 Semiquest Inc. Electro-chemical mechanical planarization pad with uniform polish performance
WO2006062158A1 (ja) 2004-12-10 2006-06-15 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法
US7059950B1 (en) 2004-12-14 2006-06-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP polishing pad having grooves arranged to improve polishing medium utilization
US7059949B1 (en) 2004-12-14 2006-06-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP pad having an overlapping stepped groove arrangement
US7182677B2 (en) 2005-01-14 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing pad for controlling polishing slurry distribution
TWI385050B (zh) 2005-02-18 2013-02-11 Nexplanar Corp 用於cmp之特製拋光墊及其製造方法及其用途
US7875091B2 (en) 2005-02-22 2011-01-25 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles
US7524345B2 (en) 2005-02-22 2009-04-28 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Rapid tooling system and methods for manufacturing abrasive articles
JP2006231464A (ja) 2005-02-24 2006-09-07 Nitta Haas Inc 研磨パッド
US7829000B2 (en) 2005-02-25 2010-11-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Core-shell solid freeform fabrication
TWI410314B (zh) 2005-04-06 2013-10-01 羅門哈斯電子材料Cmp控股公司 藉由反應-射出成形製造多孔化學機械研磨墊之裝置
US7427340B2 (en) 2005-04-08 2008-09-23 Applied Materials, Inc. Conductive pad
EP1710324B1 (en) 2005-04-08 2008-12-03 STMicroelectronics S.r.l. PVD process and chamber for the pulsed deposition of a chalcogenide material layer of a phase change memory device
US7435364B2 (en) 2005-04-11 2008-10-14 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method for forming a porous polishing pad
JP2006305650A (ja) 2005-04-26 2006-11-09 Inoac Corp 研磨用吸着パッド及びその製造方法
US8398466B2 (en) 2006-11-16 2013-03-19 Chien-Min Sung CMP pad conditioners with mosaic abrasive segments and associated methods
US8393934B2 (en) 2006-11-16 2013-03-12 Chien-Min Sung CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods
KR101134058B1 (ko) 2005-05-17 2012-04-16 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
KR100721196B1 (ko) 2005-05-24 2007-05-23 주식회사 하이닉스반도체 연마패드 및 이를 이용한 화학적기계적연마장치
JP2007005612A (ja) 2005-06-24 2007-01-11 Hitachi Chem Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法及び基板の研磨方法
CN1897226A (zh) 2005-07-11 2007-01-17 上海华虹Nec电子有限公司 一种化学机械抛光机
JP4512529B2 (ja) 2005-07-15 2010-07-28 住友精密工業株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
US8557351B2 (en) 2005-07-22 2013-10-15 Molecular Imprints, Inc. Method for adhering materials together
KR100727485B1 (ko) 2005-08-09 2007-06-13 삼성전자주식회사 연마 패드 및 이를 제조하는 방법, 그리고 화학적 기계적 연마 장치 및 방법
US20070117393A1 (en) 2005-11-21 2007-05-24 Alexander Tregub Hardened porous polymer chemical mechanical polishing (CMP) pad
JP4868840B2 (ja) 2005-11-30 2012-02-01 Jsr株式会社 半導体装置の製造方法
CN1851896A (zh) 2005-12-05 2006-10-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种静电卡盘
US20070128991A1 (en) 2005-12-07 2007-06-07 Yoon Il-Young Fixed abrasive polishing pad, method of preparing the same, and chemical mechanical polishing apparatus including the same
US20070149094A1 (en) 2005-12-28 2007-06-28 Choi Jae Y Monitoring Device of Chemical Mechanical Polishing Apparatus
TW200744786A (en) 2005-12-28 2007-12-16 Jsr Corp Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing method
US7935276B2 (en) 2006-02-09 2011-05-03 Headwaters Technology Innovation Llc Polymeric materials incorporating carbon nanostructures
JP5414279B2 (ja) 2006-02-23 2014-02-12 ピコデオン エルティーディー オイ 半導体ならびに半導体を生産する装置および方法
JP2007235001A (ja) 2006-03-03 2007-09-13 Mitsui Chemicals Inc 研磨用スラリー
US20070204420A1 (en) 2006-03-06 2007-09-06 Hornby David M Polishing pad and method of making
US7517488B2 (en) 2006-03-08 2009-04-14 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of forming a chemical mechanical polishing pad utilizing laser sintering
US20070212979A1 (en) 2006-03-09 2007-09-13 Rimpad Tech Ltd. Composite polishing pad
US8691116B2 (en) * 2006-03-24 2014-04-08 Clemson University Conducting polymer ink
US20070235133A1 (en) 2006-03-29 2007-10-11 Strasbaugh Devices and methods for measuring wafer characteristics during semiconductor wafer polishing
US20070235904A1 (en) 2006-04-06 2007-10-11 Saikin Alan H Method of forming a chemical mechanical polishing pad utilizing laser sintering
FR2900411B1 (fr) 2006-04-27 2008-08-29 Coatex Sas Procede de traitement de matieres minerales par des polymeres amphoteres,matieres minerales obtenues,leur utilisation comme agent reducteur de la quantite de colloides dans la fabrication de papier.
US7445847B2 (en) 2006-05-25 2008-11-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US7169030B1 (en) 2006-05-25 2007-01-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
ATE466720T1 (de) 2006-06-20 2010-05-15 Univ Leuven Kath Verfahren und vorrichtung zur in-situ-überwachung und rückkopplungssteuerung selektiver laserpulverbearbeitung
US7840305B2 (en) * 2006-06-28 2010-11-23 3M Innovative Properties Company Abrasive articles, CMP monitoring system and method
US20080220702A1 (en) 2006-07-03 2008-09-11 Sang Fang Chemical Industry Co., Ltd. Polishing pad having surface texture
JP5186738B2 (ja) 2006-07-10 2013-04-24 富士通セミコンダクター株式会社 研磨パッドの製造方法及び被研磨体の研磨方法
TWI409136B (zh) 2006-07-19 2013-09-21 Innopad Inc 表面具微溝槽之化學機械平坦化墊
KR100804275B1 (ko) 2006-07-24 2008-02-18 에스케이씨 주식회사 고분자 쉘로 둘러싸인 액상 유기물 코어를 포함하는 cmp연마패드 및 그 제조방법
US7267610B1 (en) 2006-08-30 2007-09-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. CMP pad having unevenly spaced grooves
US7300340B1 (en) 2006-08-30 2007-11-27 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. CMP pad having overlaid constant area spiral grooves
WO2008029725A1 (fr) 2006-09-06 2008-03-13 Nitta Haas Incorporated Tampon de polissage
JP2008084504A (ja) 2006-09-29 2008-04-10 Hitachi Ltd 光ディスク装置および光ディスクの再生方法
US7382959B1 (en) 2006-10-13 2008-06-03 Hrl Laboratories, Llc Optically oriented three-dimensional polymer microstructures
US7234224B1 (en) 2006-11-03 2007-06-26 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Curved grooving of polishing pads
US7648645B2 (en) 2006-11-08 2010-01-19 3M Innovative Properties Company Pre-polymer formulations for liquid crystal displays
WO2008077850A2 (en) 2006-12-21 2008-07-03 Agfa Graphics Nv 3d-inkjet printing methods
US7371160B1 (en) 2006-12-21 2008-05-13 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc. Elastomer-modified chemical mechanical polishing pad
US7438636B2 (en) 2006-12-21 2008-10-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US8083820B2 (en) 2006-12-22 2011-12-27 3M Innovative Properties Company Structured fixed abrasive articles including surface treated nano-ceria filler, and method for making and using the same
US7497885B2 (en) 2006-12-22 2009-03-03 3M Innovative Properties Company Abrasive articles with nanoparticulate fillers and method for making and using them
US7520798B2 (en) 2007-01-31 2009-04-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with grooves to reduce slurry consumption
US7311590B1 (en) 2007-01-31 2007-12-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad with grooves to retain slurry on the pad texture
CN101600540B (zh) 2007-02-01 2011-10-05 可乐丽股份有限公司 抛光垫及抛光垫的制造方法
WO2008103293A1 (en) 2007-02-16 2008-08-28 Nanogram Corporation Solar cell structures, photovoltaic modules and corresponding processes
EP2135707A4 (en) 2007-03-20 2013-10-09 Kuraray Co CUSHION FOR POLISHING DISC AND CUSHIONING POLISHING DISC
JP4798713B2 (ja) 2007-03-26 2011-10-19 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 研磨パッドの製造方法
JP4954762B2 (ja) 2007-03-27 2012-06-20 東洋ゴム工業株式会社 ポリウレタン発泡体の製造方法
US9536711B2 (en) 2007-03-30 2017-01-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for DC voltage control on RF-powered electrode
US8784723B2 (en) 2007-04-01 2014-07-22 Stratasys Ltd. Method and system for three-dimensional fabrication
US20090011679A1 (en) 2007-04-06 2009-01-08 Rajeev Bajaj Method of removal profile modulation in cmp pads
FR2915016B1 (fr) 2007-04-10 2009-06-05 Siemens Vdo Automotive Sas Systeme de creation automatisee d'une interface logicielle
US8067814B2 (en) 2007-06-01 2011-11-29 Panasonic Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
US8562389B2 (en) 2007-06-08 2013-10-22 Applied Materials, Inc. Thin polishing pad with window and molding process
US7455571B1 (en) 2007-06-20 2008-11-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Window polishing pad
US20080314878A1 (en) 2007-06-22 2008-12-25 General Electric Company Apparatus and method for controlling a machining system
US8563619B2 (en) 2007-06-28 2013-10-22 Lam Research Corporation Methods and arrangements for plasma processing system with tunable capacitance
US7758764B2 (en) 2007-06-28 2010-07-20 Lam Research Corporation Methods and apparatus for substrate processing
US7862320B2 (en) 2007-07-17 2011-01-04 Seiko Epson Corporation Three-dimensional object forming apparatus and method for forming three dimensional object
US8047899B2 (en) 2007-07-26 2011-11-01 Macronix International Co., Ltd. Pad and method for chemical mechanical polishing
US7635290B2 (en) 2007-08-15 2009-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Interpenetrating network for chemical mechanical polishing
US7828634B2 (en) 2007-08-16 2010-11-09 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Interconnected-multi-element-lattice polishing pad
US7517277B2 (en) 2007-08-16 2009-04-14 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Layered-filament lattice for chemical mechanical polishing
CN101376234B (zh) 2007-08-28 2013-05-29 侯家祥 一种研磨工具磨料颗粒有序排列的方法
WO2009032768A2 (en) 2007-09-03 2009-03-12 Semiquest, Inc. Polishing pad
EP2188344B1 (en) 2007-09-21 2016-04-27 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method utilizing abrasive particles treated with an aminosilane
US8142869B2 (en) 2007-09-27 2012-03-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Coated base fabric for airbags
JP5078527B2 (ja) 2007-09-28 2012-11-21 富士紡ホールディングス株式会社 研磨布
FR2921667B1 (fr) 2007-10-01 2012-11-09 Saint Gobain Abrasives Inc Composition resinique liquide pour articles abrasifs
JP5143528B2 (ja) 2007-10-25 2013-02-13 株式会社クラレ 研磨パッド
US8491360B2 (en) 2007-10-26 2013-07-23 Innopad, Inc. Three-dimensional network in CMP pad
US20090133716A1 (en) 2007-10-29 2009-05-28 Wai Mun Lee Methods of post chemical mechanical polishing and wafer cleaning using amidoxime compositions
US8388410B2 (en) * 2007-11-05 2013-03-05 P.R. Hoffman Machine Products, Inc. RFID-containing carriers used for silicon wafer quality
JP2009129970A (ja) 2007-11-20 2009-06-11 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
JP5881948B2 (ja) 2007-11-27 2016-03-09 スリーディー システムズ インコーポレーテッド 高透明性を有する三次元物品を製造するための光硬化型樹脂組成物
DE102007056984A1 (de) 2007-11-27 2009-05-28 Eos Gmbh Electro Optical Systems Verfahren zum Herstellen eines dreidimensionalen Objekts mittels Lasersintern
EP2242615A4 (en) 2007-12-31 2013-10-30 Innopad Inc CHIMIOMECHANICAL FLOOD BUFFER
CN101925441B (zh) 2007-12-31 2013-08-14 3M创新有限公司 经等离子处理的磨料制品及其制造方法
JP5248152B2 (ja) 2008-03-12 2013-07-31 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
US9180570B2 (en) 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad
US20110011217A1 (en) 2008-03-25 2011-01-20 Yoshihide Kojima Tire puncture repair apparatus
JP5226359B2 (ja) 2008-04-02 2013-07-03 株式会社クラレ 研磨パッド用クッションおよびそれを用いた研磨パッド
US8292592B2 (en) 2008-04-02 2012-10-23 United Technologies Corporation Nosecone bolt access and aerodynamic leakage baffle
CN102015212A (zh) 2008-04-11 2011-04-13 音诺帕德股份有限公司 具有孔隙网络的化学机械平坦化垫
CN102083586B (zh) 2008-04-29 2015-08-12 塞米奎斯特股份有限公司 抛光垫片组合物与制造和使用方法
EP2305454B1 (en) 2008-05-26 2017-03-22 Sony Corporation Shaping apparatus and shaping method
TW201005825A (en) 2008-05-30 2010-02-01 Panasonic Corp Plasma processing apparatus and method
US20090308739A1 (en) 2008-06-17 2009-12-17 Applied Materials, Inc. Wafer processing deposition shielding components
TWM347669U (en) 2008-06-19 2008-12-21 Bestac Advanced Material Co Ltd Polishing pad and polishing device
CN101612722A (zh) 2008-06-25 2009-12-30 三芳化学工业股份有限公司 抛光垫及其制造方法
US8821214B2 (en) 2008-06-26 2014-09-02 3M Innovative Properties Company Polishing pad with porous elements and method of making and using the same
US8282866B2 (en) 2008-06-30 2012-10-09 Seiko Epson Corporation Method and device for forming three-dimensional model, sheet material processing method, and sheet material processing device
US20100011672A1 (en) 2008-07-16 2010-01-21 Kincaid Don H Coated abrasive article and method of making and using the same
JP5450622B2 (ja) * 2008-07-18 2014-03-26 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 浮遊要素を備えた研磨パッド、その製造方法及び使用方法
US20140069584A1 (en) 2008-07-23 2014-03-13 Applied Materials, Inc. Differential counter electrode tuning in a plasma reactor with an rf-driven ceiling electrode
US20140034239A1 (en) 2008-07-23 2014-02-06 Applied Materials, Inc. Differential counter electrode tuning in a plasma reactor with an rf-driven workpiece support electrode
US20100018648A1 (en) 2008-07-23 2010-01-28 Applied Marterials, Inc. Workpiece support for a plasma reactor with controlled apportionment of rf power to a process kit ring
US8734664B2 (en) 2008-07-23 2014-05-27 Applied Materials, Inc. Method of differential counter electrode tuning in an RF plasma reactor
CN101642898B (zh) 2008-08-06 2011-09-14 财团法人工业技术研究院 抛光垫及其形成方法以及抛光方法
EP2316614B1 (en) 2008-08-08 2019-07-17 Kuraray Co., Ltd. Polishing pad and method for manufacturing the polishing pad
KR20100028294A (ko) 2008-09-04 2010-03-12 주식회사 코오롱 연마패드 및 그의 제조방법
WO2010036358A1 (en) 2008-09-26 2010-04-01 Rhodia Operations Abrasive compositions for chemical mechanical polishing and methods for using same
US8118641B2 (en) 2009-03-04 2012-02-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having window with integral identification feature
TW201016387A (en) * 2008-10-22 2010-05-01 jian-min Song CMP Pad Dressers with Hybridized abrasive surface and related methods
US20100112919A1 (en) 2008-11-03 2010-05-06 Applied Materials, Inc. Monolithic linear polishing sheet
US9016585B2 (en) * 2008-11-25 2015-04-28 Thin Film Electronics Asa Printed antennas, methods of printing an antenna, and devices including the printed antenna
US8292692B2 (en) 2008-11-26 2012-10-23 Semiquest, Inc. Polishing pad with endpoint window and systems and method using the same
DE102008060046A1 (de) 2008-12-02 2010-06-10 Eos Gmbh Electro Optical Systems Verfahren zum Bereitstellen einer identifizierbaren Pulvermenge und Verfahren zur Herstellung eines Objekts
US20100140850A1 (en) 2008-12-04 2010-06-10 Objet Geometries Ltd. Compositions for 3D printing
DE102008061311A1 (de) 2008-12-11 2010-06-24 Doukas Ag Vorrichtung zum Fördern eines Gases
CN101428404A (zh) 2008-12-22 2009-05-13 南京航空航天大学 固结磨料研磨抛光垫及其制备方法
US8057282B2 (en) 2008-12-23 2011-11-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High-rate polishing method
US8062103B2 (en) 2008-12-23 2011-11-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High-rate groove pattern
JP5543494B2 (ja) 2009-01-27 2014-07-09 イノパッド,インコーポレイテッド パターン化された構造ドメインを含む化学機械平坦化パッド
US8053487B2 (en) 2009-01-30 2011-11-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Multifunctional acrylates used as cross-linkers in dental and biomedical self-etching bonding adhesives
US9951054B2 (en) 2009-04-23 2018-04-24 Cabot Microelectronics Corporation CMP porous pad with particles in a polymeric matrix
CN201483382U (zh) 2009-05-14 2010-05-26 贝达先进材料股份有限公司 研磨垫以及研磨装置
JP2012528487A (ja) 2009-05-27 2012-11-12 ロジャーズ コーポレーション 研磨パッド、それを用いた組成物および、その製造と使用方法
JP5357639B2 (ja) 2009-06-24 2013-12-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
WO2011001755A1 (ja) 2009-06-29 2011-01-06 Dic株式会社 研磨パッド用2液型ウレタン樹脂組成物、ポリウレタン研磨パッド、及びポリウレタン研磨パッドの製造方法
SG177625A1 (en) 2009-07-16 2012-02-28 Cabot Microelectronics Corp Grooved cmp polishing pad
TWI535527B (zh) 2009-07-20 2016-06-01 智勝科技股份有限公司 研磨方法、研磨墊與研磨系統
US8712571B2 (en) 2009-08-07 2014-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for wireless transmission of diagnostic information
US8676537B2 (en) 2009-08-07 2014-03-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Portable wireless sensor
US8889232B2 (en) 2009-08-20 2014-11-18 Electronics For Imaging, Inc. Radiation curable ink compositions
TWI410299B (zh) 2009-08-24 2013-10-01 Bestac Advanced Material Co Ltd 研磨墊與其應用及其製造方法
US8697576B2 (en) 2009-09-16 2014-04-15 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing polysilicon
US8546717B2 (en) 2009-09-17 2013-10-01 Sciaky, Inc. Electron beam layer manufacturing
CN102762657B (zh) 2009-10-16 2015-02-18 Posco公司 可辐射固化的树脂组合物和包括其的耐指纹树脂组合物
EP2498935B1 (en) 2009-11-13 2015-04-15 Sciaky Inc. Process for layer manufacturing a three-dimensional work piece using scanning electron monitored with closed loop control
JP5496630B2 (ja) 2009-12-10 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置
KR101855073B1 (ko) 2009-12-22 2018-05-09 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 연마 패드 및 그의 제조 방법
KR101419156B1 (ko) 2009-12-28 2014-07-11 히타치가세이가부시끼가이샤 Cmp용 연마액 및 이것을 사용한 연마 방법
WO2011082155A2 (en) 2009-12-30 2011-07-07 3M Innovative Properties Company Polishing pads including phase-separated polymer blend and method of making and using the same
CN102686361A (zh) 2009-12-30 2012-09-19 3M创新有限公司 填充有机颗粒的抛光垫及其制造和使用方法
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
CN102133734B (zh) 2010-01-21 2015-02-04 智胜科技股份有限公司 具有侦测窗的研磨垫及其制造方法
US9089943B2 (en) 2010-01-29 2015-07-28 Ronald Lipson Composite pads for buffing and polishing painted vehicle body surfaces and other applications
DE102010007401A1 (de) 2010-02-03 2011-08-04 Kärcher Futuretech GmbH, 71364 Vorrichtung und Verfahren zum automatisierten Formen und Abfüllen von Behältern
SG183419A1 (en) 2010-02-22 2012-09-27 Entegris Inc Post-cmp cleaning brush
KR20110100080A (ko) 2010-03-03 2011-09-09 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마 공정용 연마 패드 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 설비
DE102010011059A1 (de) 2010-03-11 2011-09-15 Global Beam Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Bauteils
JP5551479B2 (ja) * 2010-03-19 2014-07-16 ニッタ・ハース株式会社 研磨装置、研磨パッドおよび研磨情報管理システム
JP5620141B2 (ja) 2010-04-15 2014-11-05 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
JP5697889B2 (ja) 2010-04-19 2015-04-08 帝人コードレ株式会社 平滑加工用シート
US20130059506A1 (en) 2010-05-11 2013-03-07 3M Innovative Properties Company Fixed abrasive pad with surfactant for chemical mechanical planarization
US20120000887A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Plasma treatment apparatus and plasma treatment method
EP2588275B1 (en) 2010-07-02 2017-12-27 3M Innovative Properties Company Coated abrasive articles
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
JP5635957B2 (ja) 2010-09-09 2014-12-03 日本碍子株式会社 被研磨物の研磨方法、及び研磨パッド
WO2012040212A2 (en) 2010-09-22 2012-03-29 Interfacial Solutions Ip, Llc Methods of producing microfabricated particles for composite materials
US8257545B2 (en) 2010-09-29 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with light stable polymeric endpoint detection window and method of polishing therewith
US8702479B2 (en) 2010-10-15 2014-04-22 Nexplanar Corporation Polishing pad with multi-modal distribution of pore diameters
EP2668021B1 (en) 2011-01-26 2020-08-19 Zydex Pty Ltd A device for making an object
US9211628B2 (en) 2011-01-26 2015-12-15 Nexplanar Corporation Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern
JP5893479B2 (ja) 2011-04-21 2016-03-23 東洋ゴム工業株式会社 積層研磨パッド
JP2014517857A (ja) 2011-04-27 2014-07-24 ヘンケル・ユーエス・アイピー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 低温シーリング機能を備える硬化性エラストマー組成物
US8968058B2 (en) 2011-05-05 2015-03-03 Nexplanar Corporation Polishing pad with alignment feature
US20120302148A1 (en) 2011-05-23 2012-11-29 Rajeev Bajaj Polishing pad with homogeneous body having discrete protrusions thereon
JP5851124B2 (ja) 2011-06-13 2016-02-03 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 研磨用構造体
EP2537675B1 (en) 2011-06-21 2013-12-11 Agfa Graphics N.V. A curable jettable fluid for making a flexographic printing master
JP2013018056A (ja) 2011-07-07 2013-01-31 Toray Ind Inc 研磨パッド
US10388493B2 (en) 2011-09-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields
US8894799B2 (en) 2011-09-22 2014-11-25 Dow Global Technologies Llc Method of forming layered-open-network polishing pads
US8801949B2 (en) 2011-09-22 2014-08-12 Dow Global Technologies Llc Method of forming open-network polishing pads
US9108291B2 (en) 2011-09-22 2015-08-18 Dow Global Technologies Llc Method of forming structured-open-network polishing pads
JP2014534615A (ja) 2011-09-26 2014-12-18 インテグリス・インコーポレーテッド Cmp後クリーニング装置および方法
US20130107415A1 (en) 2011-10-28 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck
TWI462797B (zh) 2011-11-24 2014-12-01 Univ Nat Taiwan Science Tech Electric field assisted chemical mechanical polishing system and its method
US9067298B2 (en) 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with grooved foundation layer and polishing surface layer
US9067297B2 (en) 2011-11-29 2015-06-30 Nexplanar Corporation Polishing pad with foundation layer and polishing surface layer
WO2013079146A1 (en) 2011-11-30 2013-06-06 Merck Patent Gmbh Particles for electrophoretic displays
US10825708B2 (en) 2011-12-15 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Process kit components for use with an extended and independent RF powered cathode substrate for extreme edge tunability
KR20130084932A (ko) 2012-01-18 2013-07-26 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US8721833B2 (en) 2012-02-05 2014-05-13 Tokyo Electron Limited Variable capacitance chamber component incorporating ferroelectric materials and methods of manufacturing and using thereof
US8486798B1 (en) 2012-02-05 2013-07-16 Tokyo Electron Limited Variable capacitance chamber component incorporating a semiconductor junction and methods of manufacturing and using thereof
KR20130095430A (ko) 2012-02-20 2013-08-28 케이피엑스케미칼 주식회사 연마패드 및 그 제조방법
WO2013128452A1 (en) 2012-03-01 2013-09-06 Stratasys Ltd. Cationic polymerizable compositions and methods of use thereof
DE102012203639A1 (de) 2012-03-08 2013-09-12 Evonik Industries Ag Additiv zur Einstellung der Glasübergangstemperatur von viskoelastischen Polyurethanweichschaumstoffen
US8709114B2 (en) 2012-03-22 2014-04-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers
US8986585B2 (en) 2012-03-22 2015-03-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers having a window
DE102012007791A1 (de) 2012-04-20 2013-10-24 Universität Duisburg-Essen Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Bauteilen in einer Strahlschmelzanlage
US9067299B2 (en) * 2012-04-25 2015-06-30 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad
US9412579B2 (en) 2012-04-26 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling substrate uniformity
US9993873B2 (en) 2012-05-22 2018-06-12 General Electric Company System and method for three-dimensional printing
US9481134B2 (en) 2012-06-08 2016-11-01 Makerbot Industries, Llc Build platform leveling with tactile feedback
CN104395425A (zh) 2012-06-11 2015-03-04 嘉柏微电子材料股份公司 用于抛光钼的组合物和方法
JP5994183B2 (ja) 2012-06-29 2016-09-21 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法
US8778211B2 (en) 2012-07-17 2014-07-15 Cabot Microelectronics Corporation GST CMP slurries
US9174388B2 (en) 2012-08-16 2015-11-03 Stratasys, Inc. Draw control for extrusion-based additive manufacturing systems
US8888480B2 (en) 2012-09-05 2014-11-18 Aprecia Pharmaceuticals Company Three-dimensional printing system and equipment assembly
CN104640686B (zh) 2012-09-05 2018-01-30 阿普雷奇亚制药公司 三维打印系统和设备组件
JP6196858B2 (ja) 2012-09-24 2017-09-13 株式会社荏原製作所 研磨方法および研磨装置
US9718975B2 (en) 2012-09-25 2017-08-01 3M Innovative Properties Company Radiation curable ink composition
CN202825512U (zh) 2012-10-11 2013-03-27 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 研磨垫及化学机械研磨机台
WO2014058887A1 (en) 2012-10-11 2014-04-17 Dow Corning Corporation Aqueous silicone polyether microemulsions
US9233504B2 (en) 2012-10-29 2016-01-12 Makerbot Industries, Llc Tagged build material for three-dimensional printing
JP6342912B2 (ja) 2012-11-08 2018-06-13 ディーディーエム システムズ, インコーポレイテッド 金属構成要素の加法的製造および修復
US9718129B2 (en) 2012-12-17 2017-08-01 Arcam Ab Additive manufacturing method and apparatus
US10357435B2 (en) 2012-12-18 2019-07-23 Dentca, Inc. Photo-curable resin compositions and method of using the same in three-dimensional printing for manufacturing artificial teeth and denture base
US11673155B2 (en) 2012-12-27 2023-06-13 Kateeva, Inc. Techniques for arrayed printing of a permanent layer with improved speed and accuracy
US9630249B2 (en) 2013-01-17 2017-04-25 Ehsan Toyserkani Systems and methods for additive manufacturing of heterogeneous porous structures and structures made therefrom
US9649742B2 (en) 2013-01-22 2017-05-16 Nexplanar Corporation Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions
US9587127B2 (en) 2013-02-06 2017-03-07 Sun Chemical Corporation Digital printing inks
DK2956823T4 (da) 2013-02-12 2019-09-23 Carbon3D Inc Kontinuerlig trykning med væskemellemlag
US20140256231A1 (en) 2013-03-07 2014-09-11 Dow Global Technologies Llc Multilayer Chemical Mechanical Polishing Pad With Broad Spectrum, Endpoint Detection Window
CN105209241B (zh) 2013-03-14 2018-07-13 斯特塔西有限公司 基于聚合物的模具和其制造方法
US9152340B2 (en) 2013-05-28 2015-10-06 Netapp, Inc. System and method for managing and producing a dataset image across multiple storage systems
JP5955275B2 (ja) 2013-06-12 2016-07-20 富士フイルム株式会社 画像形成方法、加飾シートの製造方法、成形加工方法、加飾シート成形物の製造方法、インモールド成形品の製造方法
US20140370788A1 (en) 2013-06-13 2014-12-18 Cabot Microelectronics Corporation Low surface roughness polishing pad
US10183329B2 (en) 2013-07-19 2019-01-22 The Boeing Company Quality control of additive manufactured parts
US20150038066A1 (en) 2013-07-31 2015-02-05 Nexplanar Corporation Low density polishing pad
GB201313841D0 (en) 2013-08-02 2013-09-18 Rolls Royce Plc Method of Manufacturing a Component
KR101905158B1 (ko) 2013-08-06 2018-10-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 국부적으로 가열되는 다-구역 기판 지지부
US9855698B2 (en) 2013-08-07 2018-01-02 Massachusetts Institute Of Technology Automatic process control of additive manufacturing device
JP5992375B2 (ja) 2013-08-08 2016-09-14 株式会社東芝 静電チャック、載置プレート支持台及び静電チャックの製造方法
CN105453232B (zh) 2013-08-10 2019-04-05 应用材料公司 具有促进受控的调节的材料组成的cmp垫
CN105518832B (zh) 2013-08-22 2018-06-08 嘉柏微电子材料股份公司 具有多孔界面及实心核心的抛光垫、以及相关的装置和方法
US20150056895A1 (en) 2013-08-22 2015-02-26 Cabot Microelectronics Corporation Ultra high void volume polishing pad with closed pore structure
DE102013217422A1 (de) 2013-09-02 2015-03-05 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Koordinatenmessgerät und Verfahren zur Vermessung und mindestens teilweisen Erzeugung eines Werkstücks
CN103465155B (zh) 2013-09-06 2016-05-11 蓝思科技股份有限公司 一种环氧树脂型金刚石研磨垫及其制备方法
US9425121B2 (en) 2013-09-11 2016-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated fan-out structure with guiding trenches in buffer layer
KR101405333B1 (ko) 2013-09-12 2014-06-11 유비머트리얼즈주식회사 연마 입자, 연마 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US9308620B2 (en) 2013-09-18 2016-04-12 Texas Instruments Incorporated Permeated grooving in CMP polishing pads
US9053908B2 (en) 2013-09-19 2015-06-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling substrate DC-bias and ion energy and angular distribution during substrate etching
GB201316815D0 (en) 2013-09-23 2013-11-06 Renishaw Plc Additive manufacturing apparatus and method
EP3050082B1 (en) 2013-09-25 2021-05-05 3M Innovative Properties Company System for polishing a substrate
CN105764653B (zh) 2013-09-30 2020-09-11 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 成形磨粒及其形成方法
WO2015055550A1 (en) 2013-10-17 2015-04-23 Luxexcel Holding B.V. Device for printing a three-dimensional structure
CN203542340U (zh) 2013-10-21 2014-04-16 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种化学机械研磨垫
US8980749B1 (en) 2013-10-24 2015-03-17 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method for chemical mechanical polishing silicon wafers
US9831074B2 (en) 2013-10-24 2017-11-28 Applied Materials, Inc. Bipolar collimator utilized in a physical vapor deposition chamber
EP3063591B1 (en) 2013-10-30 2018-04-04 Anocoil Corporation Lithographic printing plate precursors and coating
US9481069B2 (en) 2013-11-06 2016-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing apparatus and polishing method using the same
US9352443B2 (en) 2013-11-13 2016-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Platen assembly, chemical-mechanical polisher, and method for polishing substrate
US9850402B2 (en) 2013-12-09 2017-12-26 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions and methods for selective removal of silicon nitride
TWM481855U (zh) * 2013-12-18 2014-07-11 Hui-Teng Xue 具有緊放模式的abs煞車配件組
US9993907B2 (en) 2013-12-20 2018-06-12 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having printed window
CN104742007B (zh) 2013-12-30 2017-08-25 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 化学机械研磨装置和化学机械研磨方法
RU2016134047A (ru) 2014-01-23 2018-03-05 Рикох Компани, Лтд. Трехмерный объект и способ для его формирования
WO2015120430A1 (en) 2014-02-10 2015-08-13 President And Fellows Of Harvard College 3d-printed polishing pad for chemical-mechanical planarization (cmp)
EP3105040B1 (en) 2014-02-10 2023-10-18 Stratasys Ltd. Composition and method for additive manufacturing of an object
US20160346997A1 (en) 2014-02-10 2016-12-01 President And Fellows Of Harvard College Three-dimensional (3d) printed composite structure and 3d printable composite ink formulation
DE102014202945B4 (de) * 2014-02-18 2017-01-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen eines organischen elektronischen Bauelementes und organisches elektronisches Bauelement
US9472410B2 (en) 2014-03-05 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Pixelated capacitance controlled ESC
JP2015174272A (ja) 2014-03-14 2015-10-05 セイコーエプソン株式会社 三次元造形物の製造方法、三次元造形物製造装置および三次元造形物
US9259820B2 (en) 2014-03-28 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window
WO2015153601A1 (en) 2014-04-03 2015-10-08 3M Innovative Properties Company Polishing pads and systems and methods of making and using the same
WO2015161210A1 (en) 2014-04-17 2015-10-22 Cabot Microelectronics Corporation Cmp polishing pad with columnar structure and methods related thereto
US9314897B2 (en) 2014-04-29 2016-04-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US9333620B2 (en) 2014-04-29 2016-05-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with clear endpoint detection window
US9259821B2 (en) 2014-06-25 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing layer formulation with conditioning tolerance
US20150375361A1 (en) 2014-06-25 2015-12-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method
JP2016023209A (ja) 2014-07-17 2016-02-08 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
CN104781696A (zh) 2014-07-21 2015-07-15 王雅苹 一种大倾角地区的垂直地震数据桥式标定方法
US9731398B2 (en) 2014-08-22 2017-08-15 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holding, Inc. Polyurethane polishing pad
US9826630B2 (en) 2014-09-04 2017-11-21 Nxp Usa, Inc. Fan-out wafer level packages having preformed embedded ground plane connections and methods for the fabrication thereof
US20160068996A1 (en) 2014-09-05 2016-03-10 Applied Materials, Inc. Susceptor and pre-heat ring for thermal processing of substrates
CN106716604A (zh) 2014-10-09 2017-05-24 应用材料公司 具有内部通道的化学机械研磨垫
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
TWI689406B (zh) 2014-10-17 2020-04-01 美商應用材料股份有限公司 研磨墊及製造其之方法
US10821573B2 (en) 2014-10-17 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US10399201B2 (en) 2014-10-17 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process
JP6545261B2 (ja) 2014-10-17 2019-07-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 付加製造プロセスを使用する、複合材料特性を有するcmpパッド構造
US10875145B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Polishing pads produced by an additive manufacturing process
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
KR101647894B1 (ko) 2014-11-27 2016-08-12 한국생산기술연구원 3차원 메탈프린터를 이용한 다공성 패드 제작방법
JP6422325B2 (ja) 2014-12-15 2018-11-14 花王株式会社 半導体基板用研磨液組成物
US10086500B2 (en) 2014-12-18 2018-10-02 Applied Materials, Inc. Method of manufacturing a UV curable CMP polishing pad
JP6452449B2 (ja) 2015-01-06 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 載置台及び基板処理装置
US20170263478A1 (en) 2015-01-16 2017-09-14 Lam Research Corporation Detection System for Tunable/Replaceable Edge Coupling Ring
US10946495B2 (en) 2015-01-30 2021-03-16 Cmc Materials, Inc. Low density polishing pad
US9505952B2 (en) 2015-03-05 2016-11-29 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing ceria abrasive
JP2018516181A (ja) 2015-03-25 2018-06-21 ストラタシス リミテッド 導電性インクのインサイチュ焼結のための方法及びシステム
US9475168B2 (en) 2015-03-26 2016-10-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Polishing pad window
US10744714B2 (en) 2015-04-30 2020-08-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Misalignment detection for a 3D printing device
US10017857B2 (en) 2015-05-02 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling plasma near the edge of a substrate
CN106206409B (zh) 2015-05-08 2019-05-07 华邦电子股份有限公司 堆叠电子装置及其制造方法
CN205703794U (zh) 2015-06-29 2016-11-23 智胜科技股份有限公司 研磨垫的研磨层
US10163610B2 (en) 2015-07-13 2018-12-25 Lam Research Corporation Extreme edge sheath and wafer profile tuning through edge-localized ion trajectory control and plasma operation
US9761459B2 (en) 2015-08-05 2017-09-12 Lam Research Corporation Systems and methods for reverse pulsing
US9620376B2 (en) 2015-08-19 2017-04-11 Lam Research Corporation Self limiting lateral atomic layer etch
US10406801B2 (en) 2015-08-21 2019-09-10 Voxel8, Inc. Calibration and alignment of 3D printing deposition heads
US9984858B2 (en) 2015-09-04 2018-05-29 Lam Research Corporation ALE smoothness: in and outside semiconductor industry
EP3349971A4 (en) 2015-09-16 2019-05-22 Applied Materials, Inc. SELECTIVE OPENING SUPPORT PLATE FOR ADDITIVE MANUFACTURE
JP6584895B2 (ja) 2015-09-30 2019-10-02 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
CN112045555B (zh) 2015-10-16 2022-12-30 应用材料公司 使用增材制造工艺形成先进抛光垫的方法和设备
JP2017078123A (ja) 2015-10-21 2017-04-27 Kjケミカルズ株式会社 サポート材用活性エネルギー線硬化性樹脂組成物
US9881820B2 (en) 2015-10-22 2018-01-30 Lam Research Corporation Front opening ring pod
US10124492B2 (en) 2015-10-22 2018-11-13 Lam Research Corporation Automated replacement of consumable parts using end effectors interfacing with plasma processing system
US10062599B2 (en) 2015-10-22 2018-08-28 Lam Research Corporation Automated replacement of consumable parts using interfacing chambers
US20170115657A1 (en) 2015-10-22 2017-04-27 Lam Research Corporation Systems for Removing and Replacing Consumable Parts from a Semiconductor Process Module in Situ
EP3369791A1 (en) 2015-10-30 2018-09-05 Konica Minolta, Inc. Active light ray-curable inkjet ink composition and inkjet recording method
KR20230169424A (ko) 2015-10-30 2023-12-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 원하는 제타 전위를 가진 연마 제품을 형성하는 장치 및 방법
GB201519187D0 (en) 2015-10-30 2015-12-16 Knauf Insulation Ltd Improved binder compositions and uses thereof
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10229769B2 (en) 2015-11-20 2019-03-12 Xerox Corporation Three phase immiscible polymer-metal blends for high conductivty composites
US10189143B2 (en) 2015-11-30 2019-01-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Polishing pad, method for manufacturing polishing pad, and polishing method
US9601319B1 (en) 2016-01-07 2017-03-21 Lam Research Corporation Systems and methods for eliminating flourine residue in a substrate processing chamber using a plasma-based process
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
KR102629800B1 (ko) 2016-01-19 2024-01-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 다공성 화학적 기계적 연마 패드들
US10685862B2 (en) 2016-01-22 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Controlling the RF amplitude of an edge ring of a capacitively coupled plasma process device
US9956314B2 (en) 2016-01-26 2018-05-01 Modern Ideas LLC Adhesive for use with bone and bone-like structures
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US9966231B2 (en) 2016-02-29 2018-05-08 Lam Research Corporation Direct current pulsing plasma systems
WO2017155969A1 (en) 2016-03-09 2017-09-14 Applied Materials, Inc. Pad structure and fabrication methods
JP6941618B2 (ja) 2016-03-09 2021-09-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 付加製造で製造される形状の補正
KR102535628B1 (ko) 2016-03-24 2023-05-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 화학적 기계적 연마를 위한 조직화된 소형 패드
US10269566B2 (en) 2016-04-29 2019-04-23 Lam Research Corporation Etching substrates using ale and selective deposition
KR20170127724A (ko) 2016-05-12 2017-11-22 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
US10340171B2 (en) 2016-05-18 2019-07-02 Lam Research Corporation Permanent secondary erosion containment for electrostatic chuck bonds
US9852889B1 (en) 2016-06-22 2017-12-26 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling directionality of ions in an edge region by using an electrode within a coupling ring
US10283330B2 (en) 2016-07-25 2019-05-07 Lam Research Corporation Systems and methods for achieving a pre-determined factor associated with an edge region within a plasma chamber by synchronizing main and edge RF generators
JP6791680B2 (ja) 2016-08-09 2020-11-25 株式会社フジミインコーポレーテッド 表面処理組成物およびこれを用いた洗浄方法
US20180100073A1 (en) 2016-10-11 2018-04-12 Xerox Corporation Ink composition for use in 3d printing
US10259956B2 (en) 2016-10-11 2019-04-16 Xerox Corporation Curable ink composition
US20180100074A1 (en) 2016-10-11 2018-04-12 Xerox Corporation Ink composition for use in 3d printing
US10930535B2 (en) 2016-12-02 2021-02-23 Applied Materials, Inc. RFID part authentication and tracking of processing components
KR20180094428A (ko) 2017-02-15 2018-08-23 삼성전자주식회사 화학 기계적 연마 장치
US20180323042A1 (en) 2017-05-02 2018-11-08 Applied Materials, Inc. Method to modulate the wafer edge sheath in a plasma processing chamber
US10967482B2 (en) 2017-05-25 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Fabrication of polishing pad by additive manufacturing onto mold
US10882160B2 (en) 2017-05-25 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Correction of fabricated shapes in additive manufacturing using sacrificial material
JP6826955B2 (ja) 2017-06-14 2021-02-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN213006569U (zh) 2017-06-21 2021-04-20 卡本有限公司 用于增材制造的系统和对分配用于增材制造的树脂有用的分配系统
US10763081B2 (en) 2017-07-10 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for manipulating radio frequency power at an edge ring in plasma process device
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US11072050B2 (en) 2017-08-04 2021-07-27 Applied Materials, Inc. Polishing pad with window and manufacturing methods thereof
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
JP7102724B2 (ja) 2017-12-19 2022-07-20 株式会社リコー 電極、非水系蓄電素子、塗布液及び電極の製造方法
JP7033907B2 (ja) 2017-12-21 2022-03-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
WO2019143473A1 (en) 2018-01-22 2019-07-25 Applied Materials, Inc. Processing with powered edge ring
KR20200108098A (ko) 2018-02-05 2020-09-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 3d 프린트된 cmp 패드들을 위한 압전 엔드포인팅
WO2019190676A1 (en) 2018-03-30 2019-10-03 Applied Materials, Inc. Integrating 3d printing into multi-process fabrication schemes
KR20200140931A (ko) 2018-05-07 2020-12-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 친수성 및 제타 전위 조정가능한 화학적 기계적 연마 패드들
US11201037B2 (en) 2018-05-28 2021-12-14 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
US10347500B1 (en) 2018-06-04 2019-07-09 Applied Materials, Inc. Device fabrication via pulsed plasma
US10847347B2 (en) 2018-08-23 2020-11-24 Applied Materials, Inc. Edge ring assembly for a substrate support in a plasma processing chamber
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
KR20210076154A (ko) 2018-11-09 2021-06-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 프로세싱 챔버를 위한 라디오 주파수 필터 시스템
US11289310B2 (en) 2018-11-21 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device
CN113169026B (zh) 2019-01-22 2024-04-26 应用材料公司 用于控制脉冲电压波形的反馈回路
US20200230781A1 (en) 2019-01-23 2020-07-23 Applied Materials, Inc. Polishing pads formed using an additive manufacturing process and methods related thereto
US11530478B2 (en) 2019-03-19 2022-12-20 Applied Materials, Inc. Method for forming a hydrophobic and icephobic coating
US11851570B2 (en) 2019-04-12 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Anionic polishing pads formed by printing processes

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007086529A1 (ja) * 2006-01-25 2007-08-02 Jsr Corporation 化学機械研磨パッドおよびその製造方法
US20140138355A1 (en) * 2012-11-16 2014-05-22 Simon Yavelberg Recording Measurements by Sensors for a Carrier Head
US20150126099A1 (en) * 2013-11-04 2015-05-07 Applied Materials, Inc. Printed chemical mechanical polishing pad having abrasives therein

Also Published As

Publication number Publication date
US11986922B2 (en) 2024-05-21
JP6940497B2 (ja) 2021-09-29
WO2017078933A1 (en) 2017-05-11
US20170133252A1 (en) 2017-05-11
JP2018535107A (ja) 2018-11-29
TWI697384B (zh) 2020-07-01
TW202110581A (zh) 2021-03-16
CN116197811A (zh) 2023-06-02
KR20180071368A (ko) 2018-06-27
CN108369904A (zh) 2018-08-03
US20200135517A1 (en) 2020-04-30
CN108369904B (zh) 2023-04-07
TWI749562B (zh) 2021-12-11
US10593574B2 (en) 2020-03-17
TW201718178A (zh) 2017-06-01
JP7277528B2 (ja) 2023-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6940497B2 (ja) Cmpプロセスのトラッキングデータを3d印刷されたcmp消耗材と組み合わせるための技法
CN110076684B (zh) 具有受控孔隙率的打印化学机械抛光垫
JP6849731B2 (ja) 付加製造プロセスを使用する、複合材料特性を有するcmpパッド構造
JP6760930B2 (ja) 研磨用物品、及び、化学機械研磨用物品を製造するための統合型のシステムと方法
KR101495145B1 (ko) 국소 투명 구역을 가진 cmp 패드
US20180009080A1 (en) Polishing layer, manufacturing method thereof, and polishing method

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210930

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210930

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220913

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230404

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230508

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7277528

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150