JP2013536141A - グラファイト剥離によってグラフェンを形成する方法 - Google Patents
グラファイト剥離によってグラフェンを形成する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013536141A JP2013536141A JP2013516549A JP2013516549A JP2013536141A JP 2013536141 A JP2013536141 A JP 2013536141A JP 2013516549 A JP2013516549 A JP 2013516549A JP 2013516549 A JP2013516549 A JP 2013516549A JP 2013536141 A JP2013536141 A JP 2013536141A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- graphene
- graphite
- ions
- providing
- nanocrystals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 440
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 332
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 139
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 85
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 title abstract description 22
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 25
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims description 49
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 49
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000000672 surface-enhanced laser desorption--ionisation Methods 0.000 claims description 27
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 22
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 claims description 18
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 claims description 18
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 15
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 13
- -1 iron (Fe) cation Chemical class 0.000 claims description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 7
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 3
- 229910021383 artificial graphite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910021382 natural graphite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- PNGLEYLFMHGIQO-UHFFFAOYSA-M sodium;3-(n-ethyl-3-methoxyanilino)-2-hydroxypropane-1-sulfonate;dihydrate Chemical compound O.O.[Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)CN(CC)C1=CC=CC(OC)=C1 PNGLEYLFMHGIQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 claims 1
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 claims 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 57
- 108020004414 DNA Proteins 0.000 description 54
- 102000053602 DNA Human genes 0.000 description 36
- 108020004682 Single-Stranded DNA Proteins 0.000 description 36
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 18
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 17
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 13
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 12
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 11
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 10
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 10
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 10
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 9
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 9
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 9
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 238000007600 charging Methods 0.000 description 8
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910010707 LiFePO 4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadec-1-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910013684 LiClO 4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 5
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 5
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910020366 ClO 4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007400 DNA extraction Methods 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 4
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 4
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000756 surface-enhanced laser desorption--ionisation time-of-flight mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 3
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 3
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 3
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 3
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000002113 nanodiamond Substances 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000012460 protein solution Substances 0.000 description 3
- 238000001175 rotational moulding Methods 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical compound CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910013063 LiBF 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910013870 LiPF 6 Inorganic materials 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108010039918 Polylysine Proteins 0.000 description 2
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000002983 circular dichroism Methods 0.000 description 2
- 238000001142 circular dichroism spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010325 electrochemical charging Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001496 lithium tetrafluoroborate Inorganic materials 0.000 description 2
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 2
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000656 polylysine Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000000851 scanning transmission electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000011896 sensitive detection Methods 0.000 description 2
- PCMORTLOPMLEFB-ONEGZZNKSA-N sinapic acid Chemical compound COC1=CC(\C=C\C(O)=O)=CC(OC)=C1O PCMORTLOPMLEFB-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N β‐Mercaptoethanol Chemical compound OCCS DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NDZFNTHGIIQMQI-UHFFFAOYSA-N 1-benzylpyridin-1-ium Chemical compound C=1C=CC=C[N+]=1CC1=CC=CC=C1 NDZFNTHGIIQMQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEWZVZIVELJPQZ-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxypropane Chemical compound COC(C)(C)OC HEWZVZIVELJPQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M Butyrate Chemical compound CCCC([O-])=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Natural products CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091081406 G-quadruplex Proteins 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000011865 Pt-based catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910018879 Pt—Pd Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000701853 Rattus norvegicus Serine protease inhibitor A3N Proteins 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001261 affinity purification Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021398 atomic carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011953 bioanalysis Methods 0.000 description 1
- 239000012472 biological sample Substances 0.000 description 1
- 239000000090 biomarker Substances 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-ARJAWSKDSA-N cis-but-2-ene Chemical group C\C=C/C IAQRGUVFOMOMEM-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 1
- 239000011538 cleaning material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 1
- 230000009133 cooperative interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N dimethyl carbonate Chemical compound COC(=O)OC IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000892 gravimetry Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000012761 high-performance material Substances 0.000 description 1
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000001900 immune effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 238000001698 laser desorption ionisation Methods 0.000 description 1
- 229940046892 lead acetate Drugs 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000001906 matrix-assisted laser desorption--ionisation mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000001840 matrix-assisted laser desorption--ionisation time-of-flight mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005374 membrane filtration Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- OFXSXYCSPVKZPF-UHFFFAOYSA-N methoxyperoxymethane Chemical compound COOOC OFXSXYCSPVKZPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007777 multifunctional material Substances 0.000 description 1
- 239000002074 nanoribbon Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 102000039446 nucleic acids Human genes 0.000 description 1
- 108020004707 nucleic acids Proteins 0.000 description 1
- 150000007523 nucleic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000005486 organic electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000447 pesticide residue Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 239000008363 phosphate buffer Substances 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 230000004962 physiological condition Effects 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000379 polypropylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000004094 preconcentration Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000012521 purified sample Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- PCMORTLOPMLEFB-UHFFFAOYSA-N sinapinic acid Natural products COC1=CC(C=CC(O)=O)=CC(OC)=C1O PCMORTLOPMLEFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000012453 solvate Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000004083 survival effect Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001269 time-of-flight mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- RIUWBIIVUYSTCN-UHFFFAOYSA-N trilithium borate Chemical compound [Li+].[Li+].[Li+].[O-]B([O-])[O-] RIUWBIIVUYSTCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003260 vortexing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/184—Preparation
- C01B32/19—Preparation by exfoliation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J21/00—Catalysts comprising the elements, oxides, or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium, or hafnium
- B01J21/18—Carbon
- B01J21/185—Carbon nanotubes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/182—Graphene
- C01B32/184—Preparation
- C01B32/19—Preparation by exfoliation
- C01B32/192—Preparation by exfoliation starting from graphitic oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0324—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIVBVI or AIIBIVCVI chalcogenide compounds, e.g. Pb Sn Te
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
- H01L31/035218—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/58—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic compounds other than oxides or hydroxides, e.g. sulfides, selenides, tellurides, halogenides or LiCoFy; of polyanionic structures, e.g. phosphates, silicates or borates
- H01M4/5825—Oxygenated metallic salts or polyanionic structures, e.g. borates, phosphates, silicates, olivines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
- H01M4/624—Electric conductive fillers
- H01M4/625—Carbon or graphite
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/66—Selection of materials
- H01M4/663—Selection of materials containing carbon or carbonaceous materials as conductive part, e.g. graphite, carbon fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/86—Inert electrodes with catalytic activity, e.g. for fuel cells
- H01M4/90—Selection of catalytic material
- H01M4/92—Metals of platinum group
- H01M4/925—Metals of platinum group supported on carriers, e.g. powder carriers
- H01M4/926—Metals of platinum group supported on carriers, e.g. powder carriers on carbon or graphite
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
- Y02P20/133—Renewable energy sources, e.g. sunlight
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/842—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure for carbon nanotubes or fullerenes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/89—Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
- Y10S977/892—Liquid phase deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T436/00—Chemistry: analytical and immunological testing
- Y10T436/14—Heterocyclic carbon compound [i.e., O, S, N, Se, Te, as only ring hetero atom]
- Y10T436/142222—Hetero-O [e.g., ascorbic acid, etc.]
- Y10T436/143333—Saccharide [e.g., DNA, etc.]
Abstract
【選択図】図1a
Description
本出願は、2010年6月25日に出願された米国仮特許出願番号第61/398,468号の優先権を主張する。
本開示の態様は、酸化グラフェンを形成することなく、グラファイトからグラフェンGを形成する方法に関する。この方法は、非常に効率的(例えば、90%以上)な様式で実施することができる。また、本開示の態様は、本明細書に記載される方法を用いて製造されるグラフェンGの、バイオテクノロジーおよび太陽電池のような領域での多様な使用および適用も含む。以下の検討において、適切な場合、グラフェンGをGと称し、グラフェンフレークをFLGと称し、グラフェンオキシドをGOと称する場合がある。
剥離機構は、溶媒和イオン12、および/またはグラファイト中間層11の分子挿入44によって引き起こされると考えられる。特に、溶媒和カチオン(例えば、プロピレンカーボネート電解質またはジメチルホルムアミド溶媒和リチウムイオン)およびアニオン(例えば、プロピレンカーボネート溶媒和ClO4 −またはジメチルホルムアミド溶媒和Cl−アニオン)が、炭素層(「グラファイト中間層」)11の間にある空間9へと拡散し、グラフェン単一層のπ−πスタッキングを弱め、それによって、剥離を開始する。溶媒和していないLi+のイオン半径(約0.09nm)は、グラファイト中間層の距離(0.335nm)よりもはるかに小さい。電位を加えると、溶媒和リチウムイオンおよび/または溶媒和アニオンがグラファイト中間層11に促進され、グラファイト10の電解質挿入44を促進することができる。
以下にきわめて詳細に検討する本開示の態様は、グラフェンGを紙に塗布して導電紙を形成する方法、グラフェンGを透明基材(例えば、プラスチック膜)に塗布する方法を含む。図1aは、上述の第5工程48によって作られたグラフェンベースのインクG−INKを示す。
本明細書に記載される剥離方法を用いて得られるグラフェンGを粉末とすることができる。このようなグラフェン粉末は、種々の極性溶媒および疎水性溶媒(クロロホルムおよびジクロロベンゼン)に簡単に分散させることができる。一例では、グラフェンベースのインク溶液分散物(G−INK)および回転成型を利用し、図1aに示されるように、太陽電池の活性層60を形成する。
大規模、低コストで溶液処理可能な太陽電池(すなわち、光起電デバイスまたはPVデバイス)の製造は、多くの国の技術的ロードマップに含まれている。有機ベースの太陽電池は、製造コストが低いため、低コストPVデバイスの最も重要な候補である。従来の有機PVデバイスは、電子受容体としてフラーレン誘導体(PCBM)と、p型共役ポリマー(P3HT)とを使用し、記録されている電力変換効率は5〜6%である。しかし、有機PVは、安定性問題と、低い量子効率に悩まされている(すなわち、光からエネルギーへの変換効率が低い)。有機材料の代わりに、量子ドットを使用することができる。
本明細書に記載される剥離方法を用いて形成されるグラフェンを、効率的な(ある実施態様では、非常にきわめて効率的な)DNAの抽出および検出のプラットフォームとして使用することができる。グラフェンは、DNAとタンパク質の混合物において、DNAに対し、非常に効率的で非常に選択的な抽出プラットフォームとして機能する。DNAが吸着したグラフェンを、表面増強レーザー脱離イオン化−飛行時間−質量分析法(SELDI−TOF−MS)で直接使用することができる。グラフェンベースのSELDI(「グラフェン−SELDI」)プローブは、生体分子の選択的な抽出、精製、増幅、脱離およびイオン化に対し、積極的な役割を果たすことができる。生体分子を迅速に効率よく濃縮することは、遺伝学およびゲノミクスの分析に潜在的に有用である。
実験において、リン酸バッファ中に、10−7〜10−4M範囲の濃度のHCCおよびssDNAを調製した。酸化グラフェンGOおよびグラフェンG(1mg/ml)両方の脱イオン水溶液を、使用前にそれぞれ1時間および3時間超音波処理した。グラフェンGは水に完全に溶解しないため、3時間の超音波処理によって均質な分散物を得る。タンパク質(0.5ml)および酸化グラフェンGOまたはグラフェンG(0.5ml)をシェカーで一緒に2時間ボルテックスし、平衡状態にした後、この混合物を遠心分離処理し(14000rpm、5mins)、上澄みを集めた。処理前後のタンパク質溶液をUV−VIS分光計で測定し、タンパク質の検量線によって、酸化グラフェンGOおよびグラフェンGに対するHCCタンパク質の吸着等温線を得た。
qe=(c0−Ce)V/W
式中、c0およびceは、それぞれ初期および平衡状態のHCCまたはssDNAの濃度である。パラメータVは、溶液(L)の体積であり、Wは、加えた酸化グラフェンGOおよびグラフェンGの重量(g)である。データを、Langmuir および Freundlich の等温線とフィッティングすることができる。
250nMのHCCと50nMのssDNAとをそれぞれ混合することによって、タンパク質およびssDNAの混合物を調製した。タンパク質とssDNAの比率は、5:1であった。タンパク質およびssDNAの混合物(500μL)を微小遠沈管に移した。超音波処理の後、50μLのグラフェン懸濁物(1mg/ml)をこの管に加えた。混合物を5分間ボルテックスし、DI水で繰り返し遠心分離処理(14000rpm、5分間)し、デカンテーションすることによって、数回洗浄した。精製したサンプルを直接SELDI−TOF MSで分析した。
(a)サンプルの調製。10−6Mから10−15Mまでの範囲の濃度を有するHCCタンパク質溶液およびssDNA溶液を調製した。タンパク質溶液(500μL)をGOまたはG溶液(500μLあたり0.5mg)と微小遠沈管中で2時間ボルテックスした。タンパク質が吸着したGOまたはGを14,000rpmで10分間遠心分離処理して、分離させた。上澄みを捨てた。DI水を加え、結合しなかったタンパク質(またはssDNA)を洗浄した。このプロセスを数回繰り返した。混合物のアリコート(1μL)を、磨いた鋼鉄サンプルホルダー(MTPターゲットプレート、Bruker Daltonics GmbH)の上にスポットとして置き、室温で風乾させた。
(b)SELDI−TOF MS分析。Bruker Daltonics Autoflex IIイオン抽出線形飛行時間質量分析計を用い、質量スペクトルを得た。タンパク質については線形正イオンモードを使用し、ssDNAについては線形負イオンモードを使用した。加速電圧を10kVに設定した。窒素レーザービームLB(λ=337nm)を用い、正イオンスペクトルおよび負イオンスペクトルを記録し、標準的な20μJ/パルスエネルギーで生体分子をイオン化した。焦点を0.02mmに設定した。100レーザーショットのシグナル平均化によって全ての質量スペクトルを得た。Maldi-TOF MS分析を同様の様式で行い、標的プレート上で、有機マトリックス(シナピン酸)をサンプルに加える工程を追加した。
本明細書に記載される剥離方法によって製造されるグラフェンフレークFLGを粉末X線回折および走査型電子顕微鏡(SEM)によって分析した。XRDスペクトルに、グラファイトのπ−πスタッキンググラフェン層に起因する強い(002)ピーク(d値が0.335nm)が観察された。首尾良く剥離した後、グラファイトのπ−πスタッキングは破壊され、(002)ピークは弱くなるか、または消失した。SEM画像は、超音波処理により、グラファイト層11が薄くなることを明らかにしている。グラフェンシートの大きさ分布は、数百ナノメートルから数マイクロメートルの範囲であり、大きさの平均は約1μmであった。
本開示の方法を実施するために本明細書で使用される種々の化学物質および材料は、商業経路から容易に得られる。高配向(highly ordered)熱分解グラファイト(HOPG SPI-3、10×10×1mm)は、SPI Supplies から購入した。グラファイト粉末(グレード: 230U)は、Asbury Graphite Mills,Inc. から提供された。以下の化学物質は、Sigma-Aldrich から入手して、さらに精製することなく使用した。ヘキサフルオロリン酸リチウム(LiPF6、98%)、テトラフルオロホウ酸リチウム(LiBF4、98%)、過塩素酸リチウム(LiClO4、98%、粉末)、プロピレンカーボネート(PC、無水、99.7%)、塩化リチウム(LiCl、99%)、テトラメチルアンモニウム水酸化物(TMA、水溶液、25重量%)、アンモニア(28%)、ピリジン(無水、99.8%)、ジメチルホルムアミド(DMF)、濃塩酸(36.5%)。酸化鉛(II)(PbO、99.99%、粉末)、セレン(Se、約100メッシュ、99.99%)、オレイン酸(90%)、トリオクチルホスフィン(TOP、90%)、ジフェニルエーテル(Ph2O、99%)、1−オクタデセン(ODE、90%)、酢酸鉛(水和物)など。
一例の方法では、リチウム塩溶液12〜13中で、グラファイト10を負電極として使用し、グラファイトロッドを正電極として使用した。帯電セルは、プロピレンカーボネート/グラファイト(+)中の、グラファイト(−)/LiPF6(またはLiClO4)であった。電圧4〜30Vで1週間、帯電プロセスを繰り返した。次いで、膨張したグラファイトを、リチウムイオンが入ったDMF混合溶媒中で、高強度の超音波(振幅70%、sonics VCX750)によって数時間超音波処理した(工程40、図1a)。
CdTeナノ結晶/グラフェンを形成する例では、全ての合成を不活性環境中で実施した。Cd−オレイン酸およびTOP−Teの2つのストック溶液を予め別個に調製した。オレイン酸(1.5mL)中のCdO(150mg)、およびTOP(1.5ml)中のTe(100mg)をAr流中、120℃で別個に加熱し、透明溶液を得た。3口フラスコ中、15mlのODEをCdO−オレイン酸溶液に加えた。ジフェニルエーテル(15ml)中、グラフェン(3〜5mg)を5分間超音波処理し(振幅60%)、次いで、すぐにCdO−オレイン酸−ODE透明溶液に加えた。熱い分散物を250℃に加熱し、次いで、TOP−Te溶液をすぐに注入した。7〜15分後、反応混合物を冷却し、アセトン5mlを加えた。
一例では、1−オクタデセン/グリセロール(体積約1/1)中のグラフェン分散物を、Ar流中、CdO−オレイン酸透明溶液に加えた。次いで、1MのTOP−Te溶液を、熱い分散物に280℃ですばやく注入した。約260℃の温度で10分間保持し、次いで、溶液を160℃に冷却した。
従来の光起電(PV)技術は、非常に高価になりがちである。溶液ベースのプロセスは、PVセル製造のコストを下げることができる。したがって、本開示の態様は、不安定な有機光活性要素に代わるグラフェン/コロイド状無機ナノ結晶に基づくソーラーインクに関する。太陽電池の性能は、有機ベースのシステムの性能に匹敵し、一方、このプロセスは、印刷可能であり、ロール・ツー・ロール処理のために産業的に拡張可能である。
一例の実施態様では、超音波処理工程40(図1aを参照)を用いずに、液体媒体(電解質、イオン)、帯電パラメータ、温度などを変化させることを通して、グラファイトサンプル10をグラフェンGに剥離することができる。この方法は、大きな(>10μm)グラフェンシートを得るために有利である。グラフェン層の数(例えば、1〜100層)、厚み(例えば、0.5〜30nm)、大きさおよび形状(例えば、ナノリボン)およびパターンは、一般に制御可能である。基材上のウェハスケールの多層グラフェンまたはグラファイトを、公知のパターン化技術を用い、パターン化することができる。Li挿入を用いるグラファイト剥離方法を使用し、所定のあるいは他の選択した位置に、特定のエレクトロニクスまたは半導体用途の必要を満たすようグラフェンの層数を制御するようなパターンで、グラフェンを剥離することができる。
LiFePO4は、電気自動車に電力を供給するための、出力が大きく、安全で、低コストで寿命が長いバッテリーの有望な正電極の候補である。グラフェンシートの上に均質なLiFePO4粉末を作成する析出プロセスによってLiFePO4/グラフェンハイブリッドを得ることができる。標的の相および大きさのLixFePO4の核形成/成長パラメータは、制御された温度で析出条件を微調整することによって調整できる。
実験では、単分散型FePtナノ結晶を溶液プロセスでグラフェンシートの上に堆積させた。FePtは、所望の強磁性特性を得るために、アニーリングして、fcc相をfct相に転移させることが必要である。課題の1つは、アニーリングプロセスによるFePtナノ粒子の深刻な凝集である。結晶マッチングがアニーリング中の凝集をブロックするので、FePt/グラフェンヘテロ接合は、この凝集の問題を克服でき、そして単分散型のままを保つことができる。
一例の実施態様では、本開示の方法を用いて作られるグラフェンは、ポリマーマトリックスの熱特性および機械特性を本質的に変化させるための、ポリマー充填材として使用することができる。低いグラフェン充填材含有量で、強固な、耐久性のある多機能材料の有望なナノ複合材料を、従来の方法によって作成することができる。グラフェン充填材は、関連する熱安定性の向上とともに、ポリマーのガラス遷移温度を変化させることができる。
量子ドット(例えば、CdSe/ZnSコア−シェルナノ結晶、PbS IR量子ドット)とグラフェンシートとの界面を、LEDおよび太陽電池のような異なる用途のために設計することができる。量子ドット/グラフェンハイブリッドにおいて、高い蛍光性または蛍光の完全消失のいずれかを選択することができ、量子ドットの有機安定剤を微調整することにより制御可能である。有機安定剤を含み、高い蛍光性を有する量子ドットは、グラフェンGとハイブリダイズして、溶液分散性の量子ドット/グラフェンハイブリッドを得るように調整することができる。1〜3層グラフェンは、最小限の光吸収を有するが、LEDを製造するための長鎖の炭素鎖安定剤の電気絶縁についての問題を克服することができる。量子ドットは、染料とグラフェンとの界面接続を調整することによって、種々の染料と置き換えることができる。
グラフェンベースのインクG−INKを作成するために、グラフェンをいくつかの溶媒(例えば、ジクロロベンゼン(DCB)、クロロホルム、イソプロパノールおよびN,N−ジメチルホルムアミド)に高度に分散させることができる(図1a参照)。このグラフェンベースのインクG−INKは、薄くて柔らかくてもよい、基材に簡単にはけ塗りすることがでる。
本開示の態様例は、本明細書中で形成されるようなグラフェンGを用い、導電性透明基材150を形成することを含む。グラフェンベースの透明導電性基材(シート)150を形成するためのプラスチック基材160の例としては、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート(PET)、アクリル(ポリメチルメタクリレート、ブチレート(セルロースアセテートブチレート)が挙げられる。1つの例では、プラスチック基材160は可塑性である。
上述のように、本発明の態様は、本明細書中で形成されるようなグラフェンを、図1bに示されるようなグラフェンベースのヘテロ接合50を形成するために使用することである。1つの例では、これは、非対称な支持金属または金属/半導体ナノ結晶触媒を構成する、層52Aおよび52Bを組み合わせて達成される。例は、グラフェンGの単一シートのそれぞれの側面に、層52Aおよび52Bとして、異なるナノ金属を含んでいる。他の例は、グラフェンの単一のシートのそれぞれの側面に異なるナノ金属と半導体ナノ結晶を含んでいる。
本明細書中で形成されるようなグラフェンGの使用に適しているその他の多くの用途が存在する。
(1)燃料電池触媒(Pt/G、Pt−Pd/Gなど)。Ptベースの触媒の触媒活性を向上させて、触媒中のPt使用量を減らすことによって、燃料電池コストを下げることが可能な技術を触媒グラフェンがサポートする。
(2)自動車排気用清浄材。その利点は、大きな表面積をもち、耐熱性が高いことである。
(3)金属/グラフェンハイブリッド(Au/G、Ag/G)のラマン分光法検査。これは、食物/果実の殺虫剤残留量をその場で検査するのに使用することができる。ラマンシグナルの増幅は、非常に薄いシリカシェルを備えるグラフェンシート上に金または銀のナノ粒子によって提供されてもよい。
(4)グラフェン/オキシドハイブリッド、例えば、TiO2/G、SnO2/G、ZnO/Gなど:ゾルゲルプロセスを使用し、広範囲用途のために、高性能で効率的なグラフェン/オキシドヘテロ接合をゾルゲルプロセスを用いて作成することができる。
(5)非対称Pt/グラフェン/TiO2ヘテロ接合:このようなヘテロ接合は、グラフェンGの単一シートの片側に堆積させたPtナノ粒子を含み、一方、TiO2ナノ粒子を、もう一方の側面に堆積させている。
(6)非対称CdTe/グラフェン/PbS−TiO2ヘテロ接合:グラフェンGの単一シートの片側に堆積させたCdTeナノ粒子を含み、一方、PbSナノ結晶および浸漬TiO2ナノ粒子を、もう一方の側面に堆積させている。
Claims (26)
- グラフェンを作成する方法であって、
炭素の原子層を有し、その間に空間を有するグラファイトサンプルを提供すること;
原子層の間にある空間に溶媒およびイオンを導入すること;
前記溶媒およびイオンのうち少なくとも1つを用い、原子層の間の空間を広げること;および
駆動力を用いて原子層を分離し、1つまたはそれ以上のグラフェンのシートを形成することを含んでなる、方法。 - 前記駆動力が、電気化学、熱、マイクロ波、ソルボサーマル、音響化学および音響の少なくとも1つである、請求項1に記載の方法。
- 電解液を介し、イオンを金属イオンとして提供することをさらに含んでなる、請求項1に記載の方法。
- (a)リチウムイオン、溶媒和イオンおよびリチウムイオン錯体の少なくとも1つとしてイオンを提供すること;および
(b)有機分子とイオンを含む有機溶媒として溶媒を提供することの、少なくとも1つをさらに含んでなる、請求項1に記載の方法。 - 1つまたはそれ以上のグラフェンのフレーク或いは1つまたはそれ以上のグラフェン誘導体のシートとしてグラフェンを形成することを含む、請求項1に記載の方法。
- グラファイトサンプルが、天然グラファイト、グラファイト鉱石、合成グラファイト、高配向熱分解グラファイト(HOPG)、グラファイト繊維、グラファイトロッド、グラファイト粉末および化学修飾グラファイトを含んでなるグラファイトサンプルの群より選択される、請求項1に記載の方法。
- 溶媒が、
プロピレンカーボネート;
N,N−ジメチルホルムアミド(DMF);
ジメチルスルホキシド(DMSO);
単一溶媒;および
異なる溶媒の混合物の少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。 - グラフェンと量子ドットとを混合して、光起電デバイスの活性要素として機能するよう構成されているヘテロ接合を形成することをさらに含んでなる、請求項1に記載の方法。
- 混合が、ゾルゲルプロセス、高温注入プロセス、化学蒸着プロセス、ナノクラスター析出プロセスおよびスパッタリングプロセスの少なくとも1つを実施することを含む、請求項8に記載の方法。
- 混合が、1つまたはそれ以上のグラフェンシートの異なる側面に異なるナノ結晶を非対称に堆積させることを含む、請求項8に記載の方法。
- 疎水性/親水性溶液環境にグラフェンを界面活性剤界面として提供すること;
ナノ結晶、粒子およびポリマーの少なくとも1つを形成するように、疎水性および親水性前駆体を提供すること;および
ナノ結晶、粒子およびポリマーの少なくとも1つを界面活性剤界面に堆積させることをさらに含んでなる、請求項10に記載の方法。 - カルコゲニド半導体ナノ結晶として量子ドットを提供することを含む、請求項8に記載の方法。
- 1つまたはそれ以上のグラフェンシートを有機溶媒に分散させることをさらに含んでなる、請求項1に記載の方法。
- 1つまたはそれ以上のグラフェンのシートの対向する側面に異なるナノ金属または半導体ナノ結晶を提供して、グラフェンベースの非対称なヘテロ接合を形成することをさらに含んでなる、請求項1に記載の方法。
- グラフェンベースの非対称なヘテロ接合を、CdTe/グラフェン/PbS−TiO2またはCdSe/グラフェン/PbS−TiO2として形成することをさらに含んでなる、請求項14に記載の方法。
- 可塑性の非導電性基材にグラフェンを塗布し、可塑性の導電性基材を形成することをさらに含んでなる、請求項1に記載の方法。
- 原子層および層の空間を規定する炭素原子の格子を含んでなるグラファイトサンプルからグラフェンを作成する方法であって、
炭素原子格子に有機分子および塩を挿入すること;
有機分子および塩によって提供されるイオンの少なくとも1つを用いて、層の空間を広げること;および
電気化学プロセス、熱プロセス、マイクロ波プロセス、ソルボサーマルプロセス、音響化学プロセスおよび音響プロセスを含んでなる駆動プロセスの群から選択される少なくとも1つの駆動プロセスを用いて、グラファイトサンプルから1つまたはそれ以上の炭素原子層を剥離することを含んでなる、方法。 - 1つまたはそれ以上のグラフェンのフレーク或いは1つまたはそれ以上のグラフェン誘導体のシートとしてグラフェンを形成することを含む、請求項17に記載の方法。
- 塩によって提供されるイオンが、リチウム(Li)カチオン、アルミニウム(Al)、鉄(Fe)カチオン、銅(Cu)カチオン、過塩素酸アニオン、塩素アニオン、ヘキサフルオロリン酸、テトラフルオロホウ酸、および混合イオンの少なくとも1つを含む、請求項17に記載の方法。
- リチウム(Li)カチオン、鉄(Fe)カチオン、銅(Cu)カチオン、過塩素酸アニオン、塩素アニオン、ヘキサフルオロリン酸、テトラフルオロホウ酸、および混合イオンの少なくとも1つを塩を介して提供すること;および
有機分子を、塩を溶解することができる有機溶媒の一部として提供することをさらに含んでなる、請求項17に記載の方法。 - 有機分子が、
カーボネート電解質;
プロピレンカーボネート;
N,N−ジメチルホルムアミド(DMF);
ジメチルスルホキシド(DMSO);
単一溶媒;および
異なる溶媒の混合物の少なくとも1つを含む、請求項17に記載の方法。 - 生体分子を選択的に抽出またはプレ濃縮するために、生体分子に関連する生物分析技術にグラフェンを使用することをさらに含んでなる、請求項17に記載の方法。
- 有機マトリックスと混合することなく、生体分子を直接分析するために、選択的に抽出または、プレ濃縮されている生体分子をSELDIの基質として用いることをさらに含んでなる、請求項22に記載の方法。
- 生体分子が、1つまたはそれ以上のタンパク質、DNAおよびRNAの少なくとも1つを含む、請求項17に記載の方法。
- グラフェンをカルコゲニド半導体ナノ結晶と混合してヘテロ接合を形成することをさらに含んでなる、請求項17に記載の方法。
- グラフェンを用いて、グラフェン/ナノ結晶接合を含み、第1の側面および第2の側面を有する太陽電池活性層を形成すること;
太陽電池活性層の第1の側面にアノードを形成すること;および
太陽電池活性層の第2の側面にカソードを形成すること
によって、グラフェンから光起電デバイスを形成することをさらに含んでなる、請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US39846810P | 2010-06-25 | 2010-06-25 | |
US61/398,468 | 2010-06-25 | ||
PCT/SG2011/000225 WO2011162727A1 (en) | 2010-06-25 | 2011-06-24 | Methods of forming graphene by graphite exfoliation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013536141A true JP2013536141A (ja) | 2013-09-19 |
JP5908468B2 JP5908468B2 (ja) | 2016-04-26 |
Family
ID=45371693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013516549A Active JP5908468B2 (ja) | 2010-06-25 | 2011-06-24 | グラファイト剥離によってグラフェンを形成する方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9309124B2 (ja) |
EP (1) | EP2585403A4 (ja) |
JP (1) | JP5908468B2 (ja) |
KR (1) | KR101882035B1 (ja) |
CN (1) | CN103025655B (ja) |
BR (1) | BR112012033012A2 (ja) |
CA (1) | CA2803772C (ja) |
SG (2) | SG186811A1 (ja) |
WO (1) | WO2011162727A1 (ja) |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014001126A (ja) * | 2012-05-25 | 2014-01-09 | National Institute For Materials Science | 剥離グラフェン膜の製造方法 |
JP2015507320A (ja) * | 2011-12-14 | 2015-03-05 | ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール | 電気化学的荷電を用いる膨張した六方晶層鉱物及び誘導体を形成する方法。 |
JP5688669B1 (ja) * | 2014-09-09 | 2015-03-25 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | グラフェン前駆体として用いられる黒鉛系炭素素材、これを含有するグラフェン分散液及びグラフェン複合体並びにこれを製造する方法 |
JP5697067B1 (ja) * | 2015-01-08 | 2015-04-08 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | グラフェン前駆体として用いられる黒鉛系炭素素材 |
JP5777195B1 (ja) * | 2014-09-09 | 2015-09-09 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | 複合伝導素材体、蓄電デバイス、導電性分散液、導電デバイス、導電性コンポジット及び熱伝導性コンポジット並びに複合伝導素材の製造方法 |
JP5777193B1 (ja) * | 2014-09-09 | 2015-09-09 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | 複合強化素材及びその製造方法 |
WO2015198657A1 (ja) * | 2014-09-09 | 2015-12-30 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | 複合強化素材及び造形材料 |
GB2530631A (en) * | 2014-09-09 | 2016-03-30 | Graphene Platform Corp | Composite conductive material body, electricity storage device, electrically conductive dispersion liquid, electrically conductive device, electrically conduc |
JP2016098168A (ja) * | 2014-11-24 | 2016-05-30 | 台湾ナノカーボンテクノロジー股▲ふん▼有限公司 | プレート状グラフェンの製造方法 |
US9404058B2 (en) | 2014-09-09 | 2016-08-02 | Graphene Platform Corporation | Method for producing a composite lubricating material |
JP2016534010A (ja) * | 2013-08-06 | 2016-11-04 | ザ・ユニバーシティ・オブ・マンチェスターThe University Of Manchester | グラフェン及びグラファンの製造 |
US9552900B2 (en) | 2014-09-09 | 2017-01-24 | Graphene Platform Corporation | Composite conductive material, power storage device, conductive dispersion, conductive device, conductive composite and thermally conductive composite |
JPWO2014136757A1 (ja) * | 2013-03-06 | 2017-02-09 | 積水化学工業株式会社 | ランダム構造gicの製造方法、薄片化黒鉛分散液の製造方法、薄片化黒鉛分散液及び薄片化黒鉛 |
US9587134B2 (en) | 2015-02-27 | 2017-03-07 | Graphene Platform Corporation | Graphene composite and method of producing the same |
US9640213B2 (en) | 2014-11-26 | 2017-05-02 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
JP2018035056A (ja) * | 2017-07-11 | 2018-03-08 | 康博 青木 | グラフェンの製造方法 |
KR20190026768A (ko) * | 2016-06-26 | 2019-03-13 | 나노텍 인스트러먼츠, 인코포레이티드 | 코크스 또는 석탄으로부터 그래핀 시트의 전기 화학적 생산 |
JP2019511988A (ja) * | 2016-02-17 | 2019-05-09 | ナノテク インストゥルメンツ, インコーポレイテッドNanotek Instruments, Inc. | 単層または数層グラフェンシートの電気化学的製造方法 |
WO2020017351A1 (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | Jk株式会社 | 電池材料及び電池の製造方法 |
JP2020515500A (ja) * | 2017-04-28 | 2020-05-28 | エルジー・ケム・リミテッド | グラフェンの製造方法 |
KR20200068670A (ko) | 2017-10-12 | 2020-06-15 | 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 | 무기 입자 복합체 및 그의 제조 방법, 그리고 무기 입자 복합체 분산액 |
JP2020517561A (ja) * | 2017-04-19 | 2020-06-18 | ナノテク インストゥルメンツ, インコーポレイテッドNanotek Instruments, Inc. | グラフェンを製造するためのマイクロ波システム及び方法 |
WO2020129427A1 (ja) * | 2018-12-19 | 2020-06-25 | 株式会社カネカ | グラファイトの薄板状構造物の製造方法、並びに、薄片化グラファイトおよびその製造方法 |
JPWO2021002482A1 (ja) * | 2019-06-29 | 2021-01-07 |
Families Citing this family (135)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5048873B2 (ja) * | 2010-11-29 | 2012-10-17 | 積水化学工業株式会社 | 炭素質材料の製造方法及び薄片化黒鉛の製造方法 |
PL2649136T3 (pl) | 2010-12-08 | 2016-04-29 | Haydale Graphene Ind Plc | Materiały rozdrobnione, kompozyty zawierające je oraz ich otrzymywanie i zastosowania |
GB201104096D0 (en) * | 2011-03-10 | 2011-04-27 | Univ Manchester | Production of graphene |
US9318591B2 (en) | 2011-03-22 | 2016-04-19 | The University Of Manchester | Transistor device and materials for making |
GB201104824D0 (en) * | 2011-03-22 | 2011-05-04 | Univ Manchester | Structures and methods relating to graphene |
EP4219658A3 (en) | 2011-04-15 | 2023-08-09 | Carbon Technology Holdings, LLC | Use of high-carbon biogenic reagents as reducing agent in metal production |
US8858776B2 (en) * | 2011-06-28 | 2014-10-14 | Academia Sinica | Preparation of graphene sheets |
US8747623B2 (en) * | 2011-10-11 | 2014-06-10 | Nanotek Instruments, Inc. | One-step production of graphene materials |
KR101625311B1 (ko) | 2011-10-27 | 2016-05-27 | 갈모어, 인코포레이티드 | 복합체 그래핀 구조 |
CN103183331B (zh) * | 2011-12-28 | 2016-01-20 | 清华大学 | 石墨烯的制备方法 |
GB201201649D0 (en) | 2012-01-31 | 2012-03-14 | Univ Manchester | Graphene polymer composite |
JP5407008B1 (ja) * | 2012-02-14 | 2014-02-05 | 積水化学工業株式会社 | 薄片化黒鉛の製造方法及び薄片化黒鉛 |
CN102583351B (zh) * | 2012-02-29 | 2014-05-07 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种少层石墨烯的制备方法 |
GB201204279D0 (en) * | 2012-03-09 | 2012-04-25 | Univ Manchester | Production of graphene |
CA3225246A1 (en) | 2012-05-07 | 2013-11-14 | Carbon Technology Holdings, LLC | Biogenic activated carbon and methods of making and using same |
CN102807213B (zh) * | 2012-08-30 | 2015-09-09 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 电化学制备石墨烯的方法 |
CN103000813B (zh) * | 2012-10-23 | 2015-09-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管及其制备方法 |
CN103065939B (zh) * | 2012-12-31 | 2016-04-20 | 西安电子科技大学 | 一种超声波辅助剥离石墨烯的方法 |
US10620431B2 (en) * | 2013-01-29 | 2020-04-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | System, method and computer-accessible medium for depth of field imaging for three-dimensional sensing utilizing a spatial light modulator microscope arrangement |
WO2014138587A1 (en) | 2013-03-08 | 2014-09-12 | Garmor, Inc. | Graphene entrainment in a host |
WO2014138596A1 (en) | 2013-03-08 | 2014-09-12 | Garmor, Inc. | Large scale oxidized graphene production for industrial applications |
JP6236830B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-11-29 | 日本電気株式会社 | グラフェン凝集体の製造方法及びリチウムイオン電池用負極炭素材料 |
WO2014163127A1 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-09 | 積水化学工業株式会社 | 薄片化黒鉛及び薄片化黒鉛分散液の製造方法、並びに薄片化黒鉛、薄片化黒鉛分散液及び薄片化黒鉛-樹脂複合材料 |
CA2821348C (en) * | 2013-07-17 | 2020-08-25 | Ildiko Badea | Functionalized nanodiamonds as delivery platforms for nucleic acids |
CN103204500B (zh) * | 2013-05-06 | 2014-09-17 | 山西大同大学 | 一种基于高温电解反应的石墨烯制备方法 |
JP2014232055A (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 株式会社島津製作所 | Maldi質量分析用測定基板 |
KR102253512B1 (ko) * | 2013-06-10 | 2021-05-18 | 주식회사 동진쎄미켐 | 그래핀 박리용 분산 안정제, 이를 포함하는 그래핀-알칼리 금속염 복합체, 및 이를 이용한 그래핀의 제조방법 |
EP2832689A1 (en) * | 2013-07-30 | 2015-02-04 | Fundación Imdea Nanociencia | Graphene dried powder and method for its preparation |
TWI637907B (zh) * | 2013-10-04 | 2018-10-11 | 綠點高新科技股份有限公司 | Graphene circuit pattern forming method and product thereof |
US9236156B2 (en) * | 2013-10-18 | 2016-01-12 | Snu R&Db Foundation | Preparing method of reduced graphene oxide film using a chemical reduction method and a pressure-assisted thermal reduction method, reduced graphene oxide film prepared by the same, and graphene electrode including the reduced graphene oxide film |
US20150126362A1 (en) | 2013-10-24 | 2015-05-07 | Biogenic Reagent Ventures, Llc | Methods and apparatus for producing activated carbon from biomass through carbonized ash intermediates |
CN104582295A (zh) * | 2013-10-25 | 2015-04-29 | 绿点高新科技股份有限公司 | 石墨烯电路图案成型方法及其产品 |
CA2847462A1 (en) * | 2013-10-28 | 2015-04-28 | Institut National De La Recherche Scientifique | Method of producing a graphene coating on a stainless steel surface |
CN103693638B (zh) * | 2013-12-09 | 2015-08-19 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | 一种电化学溶胀石墨制备石墨烯的方法 |
EP3984953A1 (en) | 2014-01-16 | 2022-04-20 | Carbon Technology Holdings, LLC | Carbon micro plant |
EP3110754A4 (en) | 2014-02-24 | 2017-11-22 | Biogenic Reagents Ventures, LLC | Highly mesoporous activated carbon |
WO2015131933A1 (en) * | 2014-03-05 | 2015-09-11 | Westfälische Wilhelms-Universität Münster | Method of producing graphene by exfoliation of graphite |
KR102182163B1 (ko) * | 2014-06-03 | 2020-11-24 | 엘지전자 주식회사 | 그래핀 및 금속 칼코게나이드의 이종 접합 박막의 제조 방법, 그 박막 및 이를 이용한 쇼트키 장벽 다이오드 및 그 제조 방법 |
WO2015189686A1 (en) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | Deq Systems Corporation | Gaming devices with graphene ink enabled features |
CN106470941B (zh) * | 2014-06-20 | 2019-04-12 | 迪热克塔普拉斯股份公司 | 制备原始石墨烯纳米片的连续方法 |
CN104058393B (zh) * | 2014-06-30 | 2016-06-01 | 上海交通大学 | 一种剥离层状三维材料得到片层二维材料的方法 |
CN104030283B (zh) * | 2014-06-30 | 2016-06-01 | 上海交通大学 | 一种基于石墨烯量子点剥离得到二维材料的方法 |
CN104332631B (zh) * | 2014-07-16 | 2017-05-10 | 深圳博磊达新能源科技有限公司 | 一种柔性石墨烯导电电极、制备方法、应用及柔性可弯曲超级电容器 |
KR20160009740A (ko) * | 2014-07-16 | 2016-01-27 | 연세대학교 산학협력단 | 말디톱 질량분석기에 이용가능한 시료 플레이트 및 상기 시료 플레이트의 제조방법, 그리고 상기 시료 플레이트를 이용한 질량분석 방법 |
KR101902753B1 (ko) | 2014-08-18 | 2018-10-02 | 갈모어 인코포레이티드 | 시멘트 및 아스팔트 복합체 내의 그래파이트 산화물 유입 |
JP6652129B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2020-02-19 | 日本電気株式会社 | リチウムイオン電池用アノード材料の調製方法 |
AU2015234343B2 (en) * | 2014-09-09 | 2016-01-28 | Graphene Platform Corporation | Graphene composite and method of producing the same |
GB2531652B (en) * | 2014-09-09 | 2017-06-14 | Graphene Platform Corp | Graphene composite and method of producing the same |
JP6963501B2 (ja) | 2014-10-13 | 2021-11-10 | シィー,ハイブォ | 炭素系三次元材料端面を電気化学的酸化切断することで製造された酸化グラフェン及びその製造方法 |
US11413601B2 (en) | 2014-10-24 | 2022-08-16 | Carbon Technology Holdings, LLC | Halogenated activated carbon compositions and methods of making and using same |
EP3221910A4 (en) * | 2014-11-17 | 2018-10-24 | Imagine Intelligent Materials Ltd | Graphene electrode |
KR101653181B1 (ko) | 2014-12-08 | 2016-09-01 | 기초과학연구원 | 그래핀의 제조 방법 |
GB201501342D0 (en) * | 2015-01-27 | 2015-03-11 | Univ Lancaster | Improvements relating to the authentication of physical entities |
WO2016125189A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-11 | Council Of Scientific & Industrial Research | Novel composite of silica and graphene quantum dots and preparation thereof |
WO2016154057A1 (en) | 2015-03-23 | 2016-09-29 | Garmor Inc. | Engineered composite structure using graphene oxide |
CN104843679B (zh) * | 2015-04-03 | 2017-09-26 | 北京理工大学 | 由微晶石墨溶剂热剥离制备微晶石墨烯的方法 |
CA2982443C (en) | 2015-04-13 | 2021-10-19 | Garmor Inc. | Graphite oxide reinforced fiber in hosts such as concrete or asphalt |
CN104860311B (zh) * | 2015-05-26 | 2017-01-25 | 广东烛光新能源科技有限公司 | 一种石墨烯的制备方法 |
CN104909360A (zh) * | 2015-05-26 | 2015-09-16 | 广东烛光新能源科技有限公司 | 石墨烯的制备方法 |
US11482348B2 (en) | 2015-06-09 | 2022-10-25 | Asbury Graphite Of North Carolina, Inc. | Graphite oxide and polyacrylonitrile based composite |
CN104973593B (zh) * | 2015-06-18 | 2018-03-30 | 湖南大学 | 一种层状材料剥离方法 |
CN106315574B (zh) * | 2015-06-29 | 2018-03-27 | 徐海波 | 氧化石墨烯量子点及与类石墨烯结构物构成的材料及制法 |
US10204181B1 (en) | 2015-07-10 | 2019-02-12 | Omnisent LLC | Systems and methods for modeling quantum structure and behavior |
US10637583B2 (en) | 2015-07-10 | 2020-04-28 | Omnisent, LLC | Systems and methods for modeling quantum entanglement and performing quantum communication |
WO2017015120A1 (en) * | 2015-07-17 | 2017-01-26 | University Of Houston System | Surfactant for enhanced oil recovery |
US10260154B2 (en) * | 2015-08-01 | 2019-04-16 | Indian Institute Of Science Education And Research, Thiruvananthapuram (Iiser-Tvm) | Method for the synthesis of layered luminescent transition metal dichalcogenide quantum dots |
CN105152164B (zh) * | 2015-08-21 | 2017-06-16 | 合肥工业大学 | 一种石墨烯薄片的制备方法 |
KR101733491B1 (ko) | 2015-09-02 | 2017-05-11 | 한국과학기술연구원 | 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료 양자점 및 이의 형성 방법 |
EP3353838B1 (en) | 2015-09-21 | 2023-06-07 | Asbury Graphite of North Carolina, Inc. | Low-cost, high-performance composite bipolar plate |
GB201517784D0 (en) | 2015-10-08 | 2015-11-25 | Univ Manchester | Production of graphene |
US9888578B2 (en) * | 2015-11-26 | 2018-02-06 | Chung-Ping Lai | Method of making highly flexible and conductive printed graphene-based laminate for wireless wearable communications |
WO2017100968A1 (en) | 2015-12-14 | 2017-06-22 | Baoshan Iron & Steel Co., Ltd. | Graphene oxide and method of production thereof |
CN105543882A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-05-04 | 东南大学 | 一种黑磷量子点的电化学制备方法 |
KR102522012B1 (ko) * | 2015-12-23 | 2023-04-13 | 삼성전자주식회사 | 전도성 소자 및 이를 포함하는 전자 소자 |
KR101690191B1 (ko) * | 2016-01-14 | 2016-12-27 | 한양대학교 산학협력단 | 그래핀-양자점 나노 복합구조 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 |
CN105502376B (zh) * | 2016-02-04 | 2017-09-26 | 成都新柯力化工科技有限公司 | 一种由机械剥离石墨烯微片制备大尺寸的薄膜及太阳能电池 |
US11247906B2 (en) * | 2016-03-09 | 2022-02-15 | Global Graphene Group, Inc. | Electrochemical production of graphene sheets directly from graphite mineral |
CN109641751A (zh) | 2016-04-12 | 2019-04-16 | 绿色纳米技术实验室有限责任公司 | 制备智能石墨烯纳米材料的方法及其用于超轻机器和交通工具的用途 |
WO2017180890A1 (en) * | 2016-04-13 | 2017-10-19 | Green Nanotech Labs, Llc | Low cost and fast method to massively produce graphene and graphene oxide with carbon-rich natural materials |
CN107343374B (zh) * | 2016-04-29 | 2020-05-15 | 徐海波 | 一种石墨烯导热涂层改性的散热器及其制备方法 |
JP7143276B2 (ja) | 2016-07-22 | 2022-09-28 | ハイドロ-ケベック | 可撓性電極-セパレーター要素およびそれらの調製のためのプロセス |
EP3488486B1 (fr) | 2016-07-22 | 2021-03-17 | Hydro-Québec | Procédé pour le recyclage du graphène d'un matériau d'électrode |
US11066303B2 (en) | 2016-08-08 | 2021-07-20 | The Texas A&M University System | Electrochemically expanded materials and reactor and method for producing the same |
CN106315564A (zh) * | 2016-08-10 | 2017-01-11 | 安徽省宁国天成电工有限公司 | 一种换热器用石墨烯及其制备方法 |
CN107777680B (zh) * | 2016-08-31 | 2020-11-03 | 力王新材料(惠州)有限公司 | 一种高导热多孔片状石墨烯/片材料及其制备方法 |
US20180072573A1 (en) * | 2016-09-14 | 2018-03-15 | Alpha Metals, Inc. | Production of Graphene |
JP6832658B2 (ja) * | 2016-09-23 | 2021-02-24 | スタンレー電気株式会社 | 光透過基板、表示装置、信号装置、および、照明装置 |
US11214658B2 (en) | 2016-10-26 | 2022-01-04 | Garmor Inc. | Additive coated particles for low cost high performance materials |
CN106395804B (zh) * | 2016-10-27 | 2018-10-09 | 武汉理工大学 | “蚕蛹状”PbS量子点/石墨烯复合材料及其制备方法 |
US11161744B2 (en) * | 2016-11-06 | 2021-11-02 | William Marsh Rice University | Methods of fabricating laser-induced graphene and compositions thereof |
RU2632688C1 (ru) | 2016-11-07 | 2017-10-09 | Сергей Иванович Жебелев | Способ получения графена |
CN106512939B (zh) * | 2016-11-23 | 2019-08-09 | 杭州电子科技大学 | 一种多层石墨烯负载二氧化钛、铁钛双金属纳米颗粒及其制备方法 |
US10669155B2 (en) * | 2017-01-06 | 2020-06-02 | United States of America as Represented by Secretary of Agriculture | Method for synthesizing graphene from encapsulated particles |
KR20180083641A (ko) | 2017-01-13 | 2018-07-23 | 심재훈 | 그래핀 추출방법 |
KR101857908B1 (ko) | 2017-02-20 | 2018-05-15 | 전남대학교산학협력단 | 구리 칼코지나이드계 나노결정 합성 방법 |
KR101990192B1 (ko) | 2017-03-22 | 2019-06-17 | 고려대학교 산학협력단 | 그래핀 박막 제조방법 |
US10896784B2 (en) * | 2017-03-31 | 2021-01-19 | Global Graphene Group, Inc. | Direct microwave production of graphene |
KR101996811B1 (ko) * | 2017-05-25 | 2019-07-08 | 한국과학기술원 | 전기화학적 박리를 통한 고품질 그래핀 플레이크의 제조 방법 및 그래핀 플레이크의 분산 용액 |
CN107181485A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-09-19 | 台州学院 | 一种基于银纳米簇和氧化石墨烯的免标记奇偶判别器的制备及应用 |
CA3068161A1 (en) | 2017-07-13 | 2019-01-17 | Carbon Upcycling Technologies Inc. | A mechanochemical process to produce exfoliated nanoparticles |
JP7006066B2 (ja) * | 2017-09-15 | 2022-02-10 | 三桜工業株式会社 | 正極活物質、正極活物質の製造方法、正極および二次電池 |
KR101986631B1 (ko) | 2017-09-29 | 2019-06-07 | 한국화학연구원 | 전기화학적 처리에 의한 비산화 박리 흑연의 대량생산 방법 및 그 장치 |
CN108000916B (zh) * | 2017-11-15 | 2019-08-02 | 陈川莲 | 一种单层多孔石墨烯增强碳纤维鱼竿的制备方法 |
CN107986268A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-05-04 | 天津宝兴威科技股份有限公司 | 一种烷基功能化石墨烯量子点的制备方法 |
KR20200106942A (ko) * | 2018-01-15 | 2020-09-15 | 내셔널 유니버시티 오브 싱가포르 | 그래핀계 멤브레인 |
CN108793141A (zh) * | 2018-07-12 | 2018-11-13 | 西安交通大学 | 一种在碱金属有机溶液中电化学阴极剥离制备石墨烯的方法 |
CN110817861A (zh) * | 2018-08-08 | 2020-02-21 | 淮阴师范学院 | 一种纳米石墨的制备方法 |
CN109087820B (zh) * | 2018-09-05 | 2021-01-01 | 中南民族大学 | 超声化学法原位制备石墨烯复合电极材料 |
US11718531B2 (en) * | 2018-09-07 | 2023-08-08 | Dxome Co., Ltd. | Method for producing graphene quantum dots |
CN110117807B (zh) * | 2019-03-09 | 2021-04-27 | 深圳市中科墨磷科技有限公司 | 一种二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法 |
CN109956470A (zh) * | 2019-04-15 | 2019-07-02 | 湖北工程学院 | 一种氧化石墨烯量子点溶液及其制备方法 |
CN110180688B (zh) * | 2019-05-17 | 2021-01-15 | 浙江海洋大学 | 一种超重力耦合制备二维纳米材料的方法 |
US11791061B2 (en) | 2019-09-12 | 2023-10-17 | Asbury Graphite North Carolina, Inc. | Conductive high strength extrudable ultra high molecular weight polymer graphene oxide composite |
CN112537767B (zh) * | 2019-09-23 | 2023-09-08 | 中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院 | 一种高弹性三维石墨烯宏观体及其制备方法 |
CN110683533B (zh) * | 2019-11-20 | 2023-04-07 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种改变双层石墨烯耦合性的方法及双层石墨烯 |
CA3097405A1 (en) | 2019-11-25 | 2021-05-25 | Institut National De La Recherche Scientifique | Reduced graphene oxide/manganese(iv) oxide nanocomposite and electrode comprising same, method of manufacture of various graphene material/metal oxide nanocomposites |
US11821095B2 (en) | 2020-03-10 | 2023-11-21 | Exxon Mobil Technology and Engineering Company | Compression reactors and methods for electrochemical exfoliation |
CN111498850B (zh) * | 2020-04-26 | 2021-08-20 | 江南大学 | 一种二维过渡金属碳氮化物及其制备方法和应用 |
CN112047330A (zh) * | 2020-09-23 | 2020-12-08 | 广西师范大学 | 一种实现电化学法生产石墨烯的同步剥离收集方法 |
CN111943181A (zh) * | 2020-09-23 | 2020-11-17 | 广西师范大学 | 石墨粉电化学法生产石墨烯的环形剥离装置及剥离方法 |
WO2022067134A1 (en) | 2020-09-25 | 2022-03-31 | Carbon Technology Holdings, LLC | Bio-reduction of metal ores integrated with biomass pyrolysis |
PL436411A1 (pl) * | 2020-12-21 | 2022-06-27 | Instytut Niskich Temperatur I Badań Strukturalnych Im. Włodzimierza Trzebiatowskiego Polskiej Akademii Nauk | Sposób wytwarzania płatkowego grafenu bezpośrednio z grafitu mineralnego |
CN112848271B (zh) * | 2020-12-29 | 2022-05-10 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种石墨烯二维网格结构的制备方法 |
CN112872362B (zh) * | 2021-01-12 | 2023-02-10 | 青岛大学 | 一种金负载碲化锡纳米带及其制备方法和应用 |
CN112885908B (zh) * | 2021-01-27 | 2023-04-07 | 重庆神华薄膜太阳能科技有限公司 | 一种双面透光的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法 |
JP2024512242A (ja) | 2021-02-18 | 2024-03-19 | カーボン テクノロジー ホールディングス, エルエルシー | カーボンネガティブ冶金製品 |
CN113061773A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-07-02 | 许昌学院 | 一种高效的铝基石墨烯耐磨自润滑复合材料的制备工艺 |
AU2022264512A1 (en) | 2021-04-27 | 2023-12-14 | Carbon Technology Holdings, LLC | Biocarbon compositions with optimized fixed carbon and processes for producing the same |
CN114132921B (zh) * | 2021-04-28 | 2023-04-18 | 宁波中乌新材料产业技术研究院有限公司 | 一种制备石墨烯纳米粒子的电化学方法 |
CN113479868A (zh) * | 2021-08-02 | 2021-10-08 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种有机酸铵熔盐双极电化学剥离制备石墨烯的方法 |
CN113716555B (zh) * | 2021-08-16 | 2023-09-26 | 南通大学 | 一种基于石墨烯实现的二维半导体材料的结构设计 |
CN113809336B (zh) * | 2021-08-23 | 2023-10-24 | 安徽大学 | 一种碳纤维与石墨烯复合的高强度多孔材料和气体扩散层及其制备方法 |
CN113881266B (zh) * | 2021-10-26 | 2022-10-21 | 中国人民解放军陆军装甲兵学院 | 一种氧化石墨烯二氧化钛复合材料的应用、防腐涂料 |
CN114195138B (zh) * | 2021-12-14 | 2023-07-25 | 安徽大学绿色产业创新研究院 | 一种由石墨制备高浓度石墨烯浆料的机械剥离方法及其在极板材料制备中的应用 |
KR20230119279A (ko) | 2022-02-07 | 2023-08-16 | 주식회사 케이비엘러먼트 | 멀티 전극이 구비된 그래핀 합성 장치 및 그래핀 합성 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6040092A (en) * | 1995-12-25 | 2000-03-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nonaqueous secondary battery |
WO2000064808A1 (en) * | 1999-04-07 | 2000-11-02 | Ucar Graph-Tech Inc. | Flexible graphite article and method of manufacture |
US7071258B1 (en) * | 2002-10-21 | 2006-07-04 | Nanotek Instruments, Inc. | Nano-scaled graphene plates |
US20070155030A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research | Method for making red-light emitting diode having silicon quantum dots |
US20080206124A1 (en) * | 2007-02-22 | 2008-08-28 | Jang Bor Z | Method of producing nano-scaled graphene and inorganic platelets and their nanocomposites |
US20090169467A1 (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Aruna Zhamu | Production of ultra-thin nano-scaled graphene platelets from meso-carbon micro-beads |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004108997A2 (en) | 2002-08-15 | 2004-12-16 | Advanced Energy Technology Inc. | Graphite intercalation and exfoliation process |
US7105108B2 (en) | 2002-08-15 | 2006-09-12 | Advanced Energy Technology Inc. | Graphite intercalation and exfoliation process |
JP2009526743A (ja) * | 2006-02-15 | 2009-07-23 | ラドヤード, ライル イストバン, | メソ多孔質活性炭素 |
US7754184B2 (en) | 2006-06-08 | 2010-07-13 | Directa Plus Srl | Production of nano-structures |
GB2447954A (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-01 | Ct Fuer Angewandte Nanotechnologie | Carbon nanotubes as ligands |
KR101384665B1 (ko) * | 2007-09-13 | 2014-04-15 | 성균관대학교산학협력단 | 그라펜 시트를 함유하는 투명 전극, 이를 채용한 표시소자및 태양전지 |
US9356281B2 (en) | 2008-05-20 | 2016-05-31 | GM Global Technology Operations LLC | Intercalation electrode based on ordered graphene planes |
KR101652788B1 (ko) | 2009-02-17 | 2016-09-09 | 삼성전자주식회사 | 층간 화합물 함유 그라펜 시트 및 그의 제조방법 |
CN101559919A (zh) * | 2009-04-30 | 2009-10-21 | 上海大学 | 以氧化石墨为原料一步法直接制备石墨烯/硫化镉量子点纳米复合材料的方法 |
US8287699B2 (en) | 2009-07-27 | 2012-10-16 | Nanotek Instruments, Inc. | Production of chemically functionalized nano graphene materials |
GB201104096D0 (en) | 2011-03-10 | 2011-04-27 | Univ Manchester | Production of graphene |
GB2488825A (en) | 2011-03-10 | 2012-09-12 | Morganite Elect Carbon | Electrolytic exfoliation of graphite |
US9040013B2 (en) | 2011-08-04 | 2015-05-26 | Baker Hughes Incorporated | Method of preparing functionalized graphene |
US8747623B2 (en) | 2011-10-11 | 2014-06-10 | Nanotek Instruments, Inc. | One-step production of graphene materials |
-
2011
- 2011-06-24 EP EP11798493.0A patent/EP2585403A4/en not_active Ceased
- 2011-06-24 CA CA2803772A patent/CA2803772C/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-24 SG SG2012095139A patent/SG186811A1/en unknown
- 2011-06-24 US US13/806,713 patent/US9309124B2/en active Active
- 2011-06-24 WO PCT/SG2011/000225 patent/WO2011162727A1/en active Application Filing
- 2011-06-24 SG SG10201503599WA patent/SG10201503599WA/en unknown
- 2011-06-24 KR KR1020137002165A patent/KR101882035B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-24 BR BR112012033012A patent/BR112012033012A2/pt active Search and Examination
- 2011-06-24 JP JP2013516549A patent/JP5908468B2/ja active Active
- 2011-06-24 CN CN201180036690.0A patent/CN103025655B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6040092A (en) * | 1995-12-25 | 2000-03-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nonaqueous secondary battery |
WO2000064808A1 (en) * | 1999-04-07 | 2000-11-02 | Ucar Graph-Tech Inc. | Flexible graphite article and method of manufacture |
US7071258B1 (en) * | 2002-10-21 | 2006-07-04 | Nanotek Instruments, Inc. | Nano-scaled graphene plates |
US20070155030A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research | Method for making red-light emitting diode having silicon quantum dots |
US20080206124A1 (en) * | 2007-02-22 | 2008-08-28 | Jang Bor Z | Method of producing nano-scaled graphene and inorganic platelets and their nanocomposites |
US20090169467A1 (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Aruna Zhamu | Production of ultra-thin nano-scaled graphene platelets from meso-carbon micro-beads |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
LIU, N. ET AL.: "One-Step Ionic-Liquid-Assisted Electrochemical Synthesis of Ionic-Liquid-Functionalized Graphene She", ADV. FUNCT. MATER., vol. 18, JPN6014046343, 2008, pages 1518 - 1525, XP055560068, ISSN: 0002931505, DOI: 10.1002/adfm.200700797 * |
VADUKUMPULLY, S. ET AL.: "Cationic surfactant mediated exfoliation of graphite into graphene flakes", CARBON, vol. 47, JPN6014046344, 2009, pages 3288 - 3294, XP026575039, ISSN: 0002931506, DOI: 10.1016/j.carbon.2009.07.049 * |
Cited By (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015507320A (ja) * | 2011-12-14 | 2015-03-05 | ナショナル ユニヴァーシティー オブ シンガポール | 電気化学的荷電を用いる膨張した六方晶層鉱物及び誘導体を形成する方法。 |
JP2014001126A (ja) * | 2012-05-25 | 2014-01-09 | National Institute For Materials Science | 剥離グラフェン膜の製造方法 |
JPWO2014136757A1 (ja) * | 2013-03-06 | 2017-02-09 | 積水化学工業株式会社 | ランダム構造gicの製造方法、薄片化黒鉛分散液の製造方法、薄片化黒鉛分散液及び薄片化黒鉛 |
JP2016534010A (ja) * | 2013-08-06 | 2016-11-04 | ザ・ユニバーシティ・オブ・マンチェスターThe University Of Manchester | グラフェン及びグラファンの製造 |
GB2530631B (en) * | 2014-09-09 | 2017-04-12 | Graphene Platform Corp | A method of producing a composite conductive material |
GB2534434A (en) * | 2014-09-09 | 2016-07-27 | Graphene Platform Corp | Composite reinforcement raw material and shaping material |
WO2015198657A1 (ja) * | 2014-09-09 | 2015-12-30 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | 複合強化素材及び造形材料 |
KR101581363B1 (ko) * | 2014-09-09 | 2015-12-30 | 그래핀 플랫폼 가부시키가이샤 | 복합 전도 소재체, 축전 디바이스, 도전성 분산액, 도전 디바이스, 도전성 컴포지트 및 열전도성 컴포지트 및 복합 전도 소재의 제조 방법 |
JP5688669B1 (ja) * | 2014-09-09 | 2015-03-25 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | グラフェン前駆体として用いられる黒鉛系炭素素材、これを含有するグラフェン分散液及びグラフェン複合体並びにこれを製造する方法 |
WO2016002254A1 (ja) * | 2014-09-09 | 2016-01-07 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | グラフェン前駆体として用いられる黒鉛系炭素素材及びその製造方法 |
WO2016002268A1 (ja) * | 2014-09-09 | 2016-01-07 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | 複合潤滑素材、エンジンオイル、グリース及び潤滑油 |
GB2528381A (en) * | 2014-09-09 | 2016-01-20 | Graphene Platform Corp | Graphite-based carbon material useful as graphene precursor, as well as method of producing the same |
KR101588689B1 (ko) * | 2014-09-09 | 2016-01-27 | 그래핀 플랫폼 가부시키가이샤 | 복합 윤활 소재, 엔진 오일, 그리스 및 윤활유 및 복합 윤활 소재의 제조 방법 |
GB2528790A (en) * | 2014-09-09 | 2016-02-03 | Graphene Platform Corp | Composite lubricating material, engine oil, grease, and lubricant, and method of producing a composite lubricating material |
KR101600834B1 (ko) * | 2014-09-09 | 2016-03-08 | 그래핀 플랫폼 가부시키가이샤 | 그래핀 전구체로서 사용할 수 있는 흑연계 탄소 소재 및 그 제조 방법 |
KR101600837B1 (ko) * | 2014-09-09 | 2016-03-10 | 그래핀 플랫폼 가부시키가이샤 | 그래핀 복합체 및 그 제조 방법 |
WO2016038692A1 (ja) * | 2014-09-09 | 2016-03-17 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | グラフェン前駆体として用いられる黒鉛系炭素素材、これを含有するグラフェン分散液及びグラフェン複合体並びにこれを製造する方法 |
GB2530631A (en) * | 2014-09-09 | 2016-03-30 | Graphene Platform Corp | Composite conductive material body, electricity storage device, electrically conductive dispersion liquid, electrically conductive device, electrically conduc |
AU2015242993B2 (en) * | 2014-09-09 | 2016-03-31 | Graphene Platform Corporation | Composite reinforcing material and molding material |
GB2528790B (en) * | 2014-09-09 | 2017-04-05 | Graphene Platform Corp | Composite lubricating material, engine oil, grease, and lubricant, and method of producing a composite lubricating material |
US9862833B2 (en) | 2014-09-09 | 2018-01-09 | Graphene Platform Corporation | Composite reinforcing material and method of producing a composite reinforcing material |
EA030013B1 (ru) * | 2014-09-09 | 2018-06-29 | Графен Платформ Корпорэйшн | Композиционный смазывающий материал, машинное масло, пластичная смазка и смазывающее вещество, а также способ получения композиционного смазывающего материала |
US9404058B2 (en) | 2014-09-09 | 2016-08-02 | Graphene Platform Corporation | Method for producing a composite lubricating material |
US9428393B2 (en) | 2014-09-09 | 2016-08-30 | Graphene Platform Corporation | Graphite-based carbon material useful as graphene precursor, as well as method of producing the same |
JP5777195B1 (ja) * | 2014-09-09 | 2015-09-09 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | 複合伝導素材体、蓄電デバイス、導電性分散液、導電デバイス、導電性コンポジット及び熱伝導性コンポジット並びに複合伝導素材の製造方法 |
TWI558660B (zh) * | 2014-09-09 | 2016-11-21 | 葛拉芬平台股份有限公司 | Composite reinforcing material and manufacturing method thereof |
TWI558661B (zh) * | 2014-09-09 | 2016-11-21 | 葛拉芬平台股份有限公司 | 石墨烯複合體及其製造方法 |
GB2534434B (en) * | 2014-09-09 | 2016-12-28 | Graphene Platform Corp | Composite reinforcing material and method of producing a composite reinforcing material |
US9552900B2 (en) | 2014-09-09 | 2017-01-24 | Graphene Platform Corporation | Composite conductive material, power storage device, conductive dispersion, conductive device, conductive composite and thermally conductive composite |
US10421863B2 (en) | 2014-09-09 | 2019-09-24 | Graphene Platform Corporation | Composite reinforcing material and molding material |
EA030012B1 (ru) * | 2014-09-09 | 2018-06-29 | Графен Платформ Корпорэйшн | Композиционный армирующий материал и способ получения композиционного армирующего материала |
EA030118B1 (ru) * | 2014-09-09 | 2018-06-29 | Графен Платформ Корпорэйшн | Композиционный проводящий материал, устройство накопления энергии, проводящая дисперсия, проводящее устройство, проводящий композит, теплопроводный композит и способ получения композиционного проводящего материала |
EA029994B1 (ru) * | 2014-09-09 | 2018-06-29 | Графен Платформ Корпорэйшн | Углеродный материал на основе графита, подходящий в качестве предшественника графена, а также способ его получения |
WO2016002261A1 (ja) * | 2014-09-09 | 2016-01-07 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | 複合伝導素材体、蓄電デバイス、導電性分散液、導電デバイス、導電性コンポジット及び熱伝導性コンポジット |
JP5777193B1 (ja) * | 2014-09-09 | 2015-09-09 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | 複合強化素材及びその製造方法 |
GB2528381B (en) * | 2014-09-09 | 2017-08-02 | Graphene Platform Corp | Graphite-based carbon material useful as graphene precursor, as well as method of producing the same |
US9752035B2 (en) | 2014-09-09 | 2017-09-05 | Graphene Platform Corporation | Composite lubricating material, engine oil, grease, and lubricant, and method of producing a composite lubricating material |
US9815987B2 (en) | 2014-09-09 | 2017-11-14 | Graphene Platform Corporation | Composite conductive material, power storage device, conductive dispersion, conductive device, conductive composite and thermally conductive composite and method of producing a composite conductive material |
US9862834B2 (en) | 2014-09-09 | 2018-01-09 | Graphene Platform Corporation | Composite reinforcing material and molding material |
JP2016098168A (ja) * | 2014-11-24 | 2016-05-30 | 台湾ナノカーボンテクノロジー股▲ふん▼有限公司 | プレート状グラフェンの製造方法 |
US9640213B2 (en) | 2014-11-26 | 2017-05-02 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
JP5697067B1 (ja) * | 2015-01-08 | 2015-04-08 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | グラフェン前駆体として用いられる黒鉛系炭素素材 |
JP2016056080A (ja) * | 2015-01-08 | 2016-04-21 | グラフェンプラットフォーム株式会社 | グラフェン前駆体として用いられる黒鉛系炭素素材 |
US9598593B2 (en) | 2015-02-27 | 2017-03-21 | Graphene Platform Corporation | Graphene composite and method of producing the same |
US9587134B2 (en) | 2015-02-27 | 2017-03-07 | Graphene Platform Corporation | Graphene composite and method of producing the same |
JP2019511988A (ja) * | 2016-02-17 | 2019-05-09 | ナノテク インストゥルメンツ, インコーポレイテッドNanotek Instruments, Inc. | 単層または数層グラフェンシートの電気化学的製造方法 |
KR102535482B1 (ko) * | 2016-06-26 | 2023-05-23 | 나노텍 인스트러먼츠, 인코포레이티드 | 석탄으로부터 그래핀 시트의 전기 화학적 생산방법 |
KR20190026768A (ko) * | 2016-06-26 | 2019-03-13 | 나노텍 인스트러먼츠, 인코포레이티드 | 코크스 또는 석탄으로부터 그래핀 시트의 전기 화학적 생산 |
JP2019526519A (ja) * | 2016-06-26 | 2019-09-19 | ナノテク インストゥルメンツ, インコーポレイテッドNanotek Instruments, Inc. | コークスまたは石炭からのグラフェンシートの電気化学的製造 |
US11560631B2 (en) | 2016-06-26 | 2023-01-24 | Global Graphene Group, Inc. | Electrochemical production of graphene sheets from coke or coal |
JP7129917B2 (ja) | 2016-06-26 | 2022-09-02 | ナノテク インストゥルメンツ,インコーポレイテッド | コークスまたは石炭からのグラフェンシートの電気化学的製造 |
JP7086099B2 (ja) | 2017-04-19 | 2022-06-17 | ナノテク インストゥルメンツ,インコーポレイテッド | グラフェンを製造するためのマイクロ波システム及び方法 |
JP2020517561A (ja) * | 2017-04-19 | 2020-06-18 | ナノテク インストゥルメンツ, インコーポレイテッドNanotek Instruments, Inc. | グラフェンを製造するためのマイクロ波システム及び方法 |
US11254576B2 (en) | 2017-04-28 | 2022-02-22 | Lg Energy Solution, Ltd. | Method of preparing graphene |
JP7038943B2 (ja) | 2017-04-28 | 2022-03-22 | エルジー エナジー ソリューション リミテッド | グラフェンの製造方法 |
JP2020515500A (ja) * | 2017-04-28 | 2020-05-28 | エルジー・ケム・リミテッド | グラフェンの製造方法 |
JP2018035056A (ja) * | 2017-07-11 | 2018-03-08 | 康博 青木 | グラフェンの製造方法 |
KR20200068670A (ko) | 2017-10-12 | 2020-06-15 | 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 | 무기 입자 복합체 및 그의 제조 방법, 그리고 무기 입자 복합체 분산액 |
WO2020017351A1 (ja) * | 2018-07-17 | 2020-01-23 | Jk株式会社 | 電池材料及び電池の製造方法 |
WO2020129427A1 (ja) * | 2018-12-19 | 2020-06-25 | 株式会社カネカ | グラファイトの薄板状構造物の製造方法、並びに、薄片化グラファイトおよびその製造方法 |
JP7457307B2 (ja) | 2018-12-19 | 2024-03-28 | 株式会社カネカ | グラファイトの薄板状構造物の製造方法、並びに、薄片化グラファイトおよびその製造方法 |
JPWO2021002482A1 (ja) * | 2019-06-29 | 2021-01-07 | ||
WO2021002482A1 (ja) * | 2019-06-29 | 2021-01-07 | 株式会社仁科マテリアル | 薄片化グラファイトの製造方法 |
JP7403036B2 (ja) | 2019-06-29 | 2023-12-22 | 株式会社仁科マテリアル | 薄片化グラファイトの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011162727A1 (en) | 2011-12-29 |
CN103025655B (zh) | 2018-01-26 |
CA2803772A1 (en) | 2011-12-29 |
EP2585403A1 (en) | 2013-05-01 |
JP5908468B2 (ja) | 2016-04-26 |
CN103025655A (zh) | 2013-04-03 |
CA2803772C (en) | 2017-03-28 |
US20130102084A1 (en) | 2013-04-25 |
SG186811A1 (en) | 2013-02-28 |
KR101882035B1 (ko) | 2018-07-25 |
BR112012033012A2 (pt) | 2016-12-20 |
SG10201503599WA (en) | 2015-06-29 |
US9309124B2 (en) | 2016-04-12 |
KR20130087018A (ko) | 2013-08-05 |
EP2585403A4 (en) | 2016-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5908468B2 (ja) | グラファイト剥離によってグラフェンを形成する方法 | |
Beladi-Mousavi et al. | 2D-Pnictogens: alloy-based anode battery materials with ultrahigh cycling stability | |
Shi et al. | Synthesis, stabilization and applications of 2-dimensional 1T metallic MoS 2 | |
US11397173B2 (en) | Interconnected corrugated carbon-based network | |
KR101614318B1 (ko) | 탄소나노판 복합체 제조방법 | |
KR101920092B1 (ko) | 그래핀 합성을 위한 전기화학적 방법 | |
EP2823496B1 (en) | Capacitor with electrodes made of an interconnected corrugated carbon-based network | |
Zhou et al. | Novel mesoporous silicon nanorod as an anode material for lithium ion batteries | |
US20140042390A1 (en) | Interpenetrating networks of carbon nanostructures and nano-scale electroactive materials | |
KR20140002682A (ko) | 그래핀 분말, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전기 화학 소자 | |
KR20170057247A (ko) | 그래핀 분말, 리튬 이온 전지용 전극 페이스트 및 리튬 이온 전지용 전극 | |
EP2878709A1 (en) | Preparation of two dimensional carbon materials by electrochemical exfoliation | |
EP3595017A1 (en) | Light absorption layer, photoelectric conversion element, and solar cell | |
US20180251378A1 (en) | Synthesis of Fluorinated Graphene Oxide for Electrochemical Applications | |
Yeo et al. | DC-field-driven combustion waves for one-step fabrication of reduced manganese oxide/multi-walled carbon nanotube hybrid nanostructures as high-performance supercapacitor electrodes | |
KR20180036261A (ko) | 나노복합체 및 그의 제조방법 | |
Gromova et al. | Photoinduced electrical response in quantum dots/graphene hybrid structure | |
Jafarpour et al. | Functional ink formulation for printing and coating of graphene and other 2D Materials: challenges and solutions | |
Yoon et al. | Reassembled graphene-platelets encapsulated silicon nanoparticles for Li-ion battery anodes | |
US20210309524A1 (en) | Method of producing thin plate-shaped graphite product, flaky graphite, and method of producing flaky graphite | |
Das et al. | A facile chemical route synthesis and characterization of CdSe/ZnO nanocomposite | |
Wang | Printable two-dimensional materials for energy storage devices | |
Sun | Synthesis and Device Application of Graphene Derivatives and Quantum Dots | |
Mkawi et al. | Enhanced Antimony Sulfide Sb 2 S 3 Nanobars Solar Cell Performance with Doped PCDTBT Polymer | |
Madsuha | Introduction of nanocarbon materials into bulk-heterojunction hybrid solar cells based on colloidal CdSe quantum dots and conjugated polymers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140508 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141111 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150930 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160323 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5908468 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |