JP6832658B2 - 光透過基板、表示装置、信号装置、および、照明装置 - Google Patents
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Description
本発明は、表面温度を上昇させる機能を備えた光透過基板に関する。
標識に付着した雪により、標識の視認性が低下するのを防ぐために、融雪機能を備えた標識が、特許文献１等に開示されている。特許文献１に開示されている標識は、マトリックス上に配置された複数のＬＥＤを内蔵するＬＥＤ表示部の表面に、融雪ユニットを配置した構造である。ＬＥＤ表示部の表面は、アクリル板で覆われている。融雪ユニットは、ＬＥＤ表示部のアクリル板とは異なる２枚のアクリル板を金属枠を挟んで対向配置し、内部空間にコード状のヒーターを配置した構成である。この融雪ユニットを、ＬＥＤ表示部の表面のアクリル板の上に接着した構成である。ヒーターに通電することにより、ヒーターが発生するジュール熱と、放出する遠赤外線による分子運動に伴う熱とによって融雪ユニットの内部空間内の空気が熱せられ、空気によってアクリル板が熱せられる。よって、アクリル板に着雪する雪を融解することができる。
特許文献１に開示されている融雪ユニットは、対向配置したアクリル板により、内部空間を形成し、内部空間の空気をヒーターで熱し、この空気でアクリル板を熱する構成であるが、空気もアクリル板（常温で０．１７〜０．２５Ｗ／ｍＫ程度）も熱伝導率が小さいため、効率よくヒーターの熱をアクリル板の表面に伝導させることができない。そのため、熱伝導効率を向上させることが難しく、融雪に必要な電力が大きくなる。また、枠を挟んで対向配置したアクリル板によって内部空間を形成するため、標識の表示に直接関係のない部材が必要であるとともに、融雪ユニットの厚さが大きくなる。また、内部空間を形成する構造であるため、アクリル板に剛性が必要であり、熱伝導効率の向上及びユニットの薄型化のために、融雪ユニットのアクリル板をある程度以上薄くすることは難しい。さらに、熱伝導効率が低く、融雪に必要な電力が大きいため、ヒーター径もある程度以上太いものを用いる必要があり、ＬＥＤ表示部に表示される標識が、融雪ユニットを通して見にくくなる。
本発明の目的は、薄く、熱伝導効率が高く、表面の温度を上昇させる機能を備えた光透過基板を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の光透過基板は、少なくとも所定の波長の光を透過する基板と、基板の裏面に配置され、電流を供給されることより発熱して基板の表面の温度を上昇させる導電体パターンとを有する。導電体パターンは、接着層を介することなく基板の裏面に直接配置されている。
本発明によれば、表面の温度を上昇させる機能を備えながら、薄くすることができ、熱伝導効率が高い光透過基板が得られる。
本発明の一実施形態について図面を用いて以下説明する。
＜第１の実施形態＞
第１の実施形態の光透過基板について説明する。この光透過基板は、装置の内部から外部に向かって光を発する装置や、少なくとも最表面を光が通過する透明体や鏡等の物体、の最表面に配置され、表面に付着する水分を蒸発させたり、雪を融かしたりする機能を有する。
＜第１の実施形態＞
第１の実施形態の光透過基板について説明する。この光透過基板は、装置の内部から外部に向かって光を発する装置や、少なくとも最表面を光が通過する透明体や鏡等の物体、の最表面に配置され、表面に付着する水分を蒸発させたり、雪を融かしたりする機能を有する。
本実施形態の光透過基板の断面図を、図１に示す。図１のように、本実施形態の光透過基板は、少なくとも所定の波長の光を透過する基板１０と、基板１０に配置された導電体パターン４３とを備えて構成される。導電体パターン４３は、電流を供給されることより発熱して、基板１０の表面の温度を上昇させる。このとき、本実施形態では、導電体パターン４３は、接着層を介することなく基板１０に直接配置されている。
一般的に、導電体パターンを基板に接着するために用いられる、エポキシ樹脂製やアクリル樹脂製等の接着層は、空気を含み、熱伝導率が低いが、本実施形態では、導電体パターン４３を基板１０に接着層を介することなく直接配置することにより、導電体パターン４３の熱を基板１０に高効率で伝導させることができる。よって、導電体パターンに供給する電力を低減させつつ、基板１０に付着した雪を溶融させたり、水分を蒸発させることができる。
このような導電体パターン４３は、例えば、導電性粒子を焼結することによって形成できる。具体的には、導電性粒子を基板１０に搭載した状態で光によって焼結することによって形成できる。これにより、導電体パターン４３を構成する導電体を、導電体パターン４３と基板１０との界面において、基板１０に固着させることができる。なお、光焼結に限らず、導電性粒子を焼結し、基板１０に固着することができる方法であれば、他の焼結方法を用いてもよい。例えば、電磁波を照射する方法や、局所的に電流を流す方法を用いることができる。
導電体パターン４３は、図２に示すように、内部に空孔４０ａを含む多孔質であることが望ましい。多孔質となるように形成した導電体パターン４３は、可撓性（フレキシブル性）を有するため、フレキシブルな基板１０を用いた場合も、その撓みに追随して変形でき、フレキシブルな光透明基板を提供できる。
また、基板１０は、どのような材質であってもよいが、例えば、樹脂製のものを用いることができる。
また、基板１０は、所定の波長の光を透過する基材と、基材に分散されたフィラーとを含む構成であってもよく、この場合、フィラーとして、基材よりも熱伝導率が大きいものを用いることにより、基板の熱伝導性を向上させることができる。例えば、基材としては、シリコーン樹脂、フィラーとしては、粒径数ｎｍ〜数十μｍのシリカを用いることができる。
導電体パターン４３の形状としては、図３（ａ），（ｂ）〜図８（ａ）、（ｂ）に上面図と断面図の例をそれぞれ示すように、線状、格子状、円形等の所望の形状のものを用いることができる。基板１０の温度を向上させたい領域に導電体パターン４３が密に配置されるようにパターン形状を設計する。また、図４（ａ），（ｂ）や、図６（ａ）、（ｂ）のように、導電体パターン４３は、幅および高さの少なくとも一方が、他の領域よりも狭められたまたは広げられた領域を有するパターンにすることもできる。この場合、幅および高さの少なくとも一方が他の領域よりも狭められた導電体パターンは、その断面積が他の領域よりも小さくなるため、電気抵抗が大きくなり、発熱量が大きくなる。よって、基板１０のうち、他の領域よりも温度を向上させたい領域、例えば、表示装置に用いる場合、表示領域や、信号装置の場合、信号が表示される領域の導電体パターン１０の幅もしくは高さを狭めることが望ましい。
また、導電体パターン４３は、他の領域とは異なる導電体材料で構成された領域を有する構成とすることも可能である。例えば、基板１０において、温度を他の領域よりも高めたい領域の導電体パターン４３を電気抵抗が大きい導電体材料で形成することにより、発熱量を増大させることができる。
導電体パターン４３の少なくとも一部は、基板１０に接していない面が、湾曲面であることが望ましい。例えば、断面が半円形の導電体パターンや、端部がＲ形状の４３を用いることができる。湾曲面にすることにより、基板１０に接していない面の面積を、例えば断面が矩形の導電体パターンを用いた場合より低減することができるため、基板１９に接していない面からの放熱量を低下させ、基板１０により多くの熱を伝導させることができる。雪や水分が付着する面には、基材が水分付着を嫌う場合、コーティング膜などを付けて保護することも出来る。
第１の実施形態の半導体発光装置の製造方法を図９（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
まず、図９（ａ）のように、基板１０に導電性粒子と絶縁材料とが分散された溶液、もしくは、絶縁材料層で被覆された導電性粒子が分散された溶液を、基板１０の表面に所望の形状で塗布する。これにより、基板１０の表面に、絶縁材料で被覆された導電性粒子の膜４１を形成する。必要に応じて膜４１を加熱し、溶媒を蒸発させて乾燥させる。膜４１内には、たとえば導電性ナノ粒子に代表される導電性粒子が分散され、導電性ナノ粒子の周囲は絶縁材料で覆われた状態である。
つぎに、図９（ｂ）のように、膜４１に所定の形状の光束１２を照射する。このとき、膜４１の一部領域にのみ光束１２を照射して焼結させることが望ましい。膜４１の光束１２が照射された領域は、導電性粒子が光のエネルギーを吸収して温度が上昇する。これにより、導電性粒子は、その粒子を構成する材料のバルクの融点よりも低い温度で溶融するとともに、導電性粒子の温度上昇に伴い、周囲の絶縁材料層は多くが蒸発し、一部が残存した場合で軟化する。そのため、溶融した導電性ナノ粒子は、隣接する粒子と直接融合するか、もしくは、軟化した絶縁材料層を突き破って隣接する粒子と融合する。これにより、導電性粒子同士が焼結され、基板１０の上面に導電性の導電体パターン４３が形成される。このとき、溶融した導電性粒子は、基板１０に固着する。
なお、上述のように、膜４１の光束１２の照射を受けた領域の導電性粒子は、光を照射することにより温度が上昇する。この熱は、導電性粒子の焼結に用いられるとともに、周囲の膜４１、基板１０に伝導し、放熱される。よって、膜４１のうち光束１２の照射を受けた領域のみ、もしくは、その光束１２の照射を受けた領域とその近傍領域のみが、導電性粒子が焼結される温度に到達し、その外側領域の膜４１や基板１０の温度は、それらを構成する材料を溶融させたり変質させたりする温度には到達しない。
すなわち、本実施形態では、膜４１の一部領域のみに光束１２を照射することにより、基板１０や、周囲の膜４１に熱伝導させて放熱することができるため、基板１０の温度上昇を抑制することができる。よって、基板１０が薄いフレキシブルな樹脂等のように、熱により変形を生じやすいものであっても、光焼結による変形や歪、白濁等の変質を防止することができる。また、基板１０がフレキシブルである場合にはそのフレキシブル性を維持することができる。
図９（ｂ）の工程では、形成される導電体パターン４３が図２のように多孔質（ポーラス）となるように形成することが望ましい。すなわち、隣接する導電性粒子同士は、全体が完全に溶融して混ざりあうのではなく、接触する界面で焼結され、焼結後の導電性粒子間の少なくとも一部に空孔４０ａを形成するような温度で光焼結することが望ましい。例えば、光束１２として、レーザー光を用い、通過する基板１０を溶融させない程度の照射強度で膜４１に照射することにより、光束１２が照射された膜４１の領域に短時間に比較的大きなエネルギーを投入でき、導電性粒子を加熱して溶融させ焼結できるとともに、レーザー光の光束１２の照射を停止することにより、周囲の膜４１や基板１０への熱伝導により速やかに冷却することができるため、多孔質の導電体パターンを形成することができる。
言い換えると、膜４１をレーザー光の光束１２で焼結するときに、膜４１が適切な温度になるように、光束１２の照射強度を調節することで、多孔質の域導電体パターン４３を形成できる。具体例としては、基板１０として、延伸されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（融点２５０℃程度、耐熱温度１５０℃程度）を用い、基板１０の形状が維持されるようにレーザー光の光束１２の強度を調整して基板１０の裏面から膜４１に照射し、膜４１の導電性粒子を焼結した場合、多孔質の導電体パターン４３を形成することができる。
導電体パターン４３が多孔質である場合には、上述したように、導電体パターン４３自体が追随性（可撓性）を有するため、フレキシブルな基板１０の変形させた場合にも、それに伴って導電体パターン４３が追随するため、導電体パターン４３が基板１０からはがれにくく、ひび割れ等も生じにくい。よって、断線の生じにくい、フレキシブルな実装基板を提供することができる。
なお、図９（ｂ）の工程において、膜４１へ照射する際の光束１２の形状は、マスクを通過させることにより導電体パターン４３の形状に整形してから照射してもよいし、照射スポットが円形や矩形の光束１２を走査させて導電体パターン４３の形状に照射してもよい。
以上の工程により、導電体パターン４３を、塗布と光照射という簡単な工程で、基板１０上に形成できる。
図９（ｂ）の工程において、照射する光束１２の波長は、膜４１に含まれる導電性粒子に吸収される波長を用いる。照射する光は、紫外、可視、赤外いずれの光であってもよい。例えば導電性粒子として、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄなどを用いた場合、４００〜６００ｎｍの可視光を用いることができる。
光を照射していない膜４１の領域がある場合は、焼結が生じないため残る。未焼結の膜４１は、この後の工程で除去してもよい。例えば、有機溶媒等を用いて膜４１を除去することが可能である。また、加熱などの手段により、別途焼結させても良い。
基板１０の材質としては、少なくとも表面が絶縁性であり、光束１２の照射を可能とする透光性を備え、光束１２が膜４１に照射された際の基板１０が到達する温度に耐えることができるものであればどのような材質であってもよい。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリイミド、エポキシ、シリコーン、ガラスエポキシ基板、紙フェノール等の有機物や、セラミック、ガラス等の無機物を用いることができる。また、照射する光の少なくとも一部を透過すれば、フレキシブルプリント基板や表面を絶縁層で被覆した金属基板などであってもよい。また、基板１０は、フィルム状のものを用いることも可能である。
膜４１に含有される導電性粒子の材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｆｅなどの導電性金属および導電性金属酸化物のうちの１つ以上を用いることができる。導電性粒子の粒子径は、１μｍ未満のナノ粒子のみであってもよいし、１μｍ未満のナノ粒子と１μｍ以上のマイクロ粒子とが混合されていてもよい。
膜４１に少なくとも含有される絶縁材料、または、膜４１の導電性粒子を被覆する絶縁材料としては、スチレン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、および、アクリル樹脂などの有機材料、ならびに、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２などの無機材料、また有機と無機のハイブリット材料のうちの１以上を用いることができる。また、膜４１において導電性ナノ粒子を被覆する絶縁材料層の厚みは、１ｎｍ〜１０μｍ程度であることが好ましい。絶縁材料層が薄すぎると、インク塗布時に粒子が凝集することで焼結温度が上昇してしまう。また、絶縁材料層が厚すぎると、光照射によって焼結した後の導電体パターン４３の電気導電率が低下し、抵抗値が大きくなる。
導電性粒子および絶縁材料、もしくは、絶縁材料の層で被覆された導電性粒子は、溶媒に分散することにより図９（ａ）の工程で塗布する溶液とする。溶媒としては、有機溶媒や水を用いることができる。
導電体パターン４３，４３ｂの大きさは、例えば１μｍ以上、厚みは、１ｎｍ〜１０μｍ程度に形成することが可能である。また、導電体パターン４３，４３ｂの電気抵抗値は、１０−4Ω/ｃｍ2以下であることが望ましく、特に、１０−６Ω/ｃｍ2オーダー以下の低抵抗であることが望ましい。
また、図９（ａ）の工程で、膜４１を形成する方法は、所望の膜厚の膜４１が形成できる方法であれば、どのような方法を用いてもよい。印刷により膜４１を形成する場合、グラビア印刷、フレキソ印刷、インクジェット印刷、スクリーン印刷などを用いることができる。
上記実施形態では、基板１０の膜４１の上方から光束１２を照射しているが、基板１０として、光束１２を透過するものを用い、基板１０を透過させて光束１２を膜４１に照射してもよい。
なお、第１の実施形態では、光束を照射して膜４１焼結を行ったが、膜４１の一部分のみにエネルギーを供給し加熱する方法であれば、光束照射以外の方法を用いても同様の作用および効果が得られる。例えば、マイクロ波を収束して照射する方法や、膜に針状の探触子を接触または接近させて、電流や電力を局所的に供給する方法を用いることができる。
本実施形態によれば、１枚の基板であるため、薄く、熱伝導効率が高く、表面の温度を上昇させる機能を備えた光透過基板が得られる。
＜第２の実施形態＞
第２の実施形態の光透過基板について説明する。
第２の実施形態の光透過基板について説明する。
第２の実施形態の光透過基板は、図１０のように、第１の実施形態の基板１０の導電体パターン４３が配置されている面に、発光素子３０が搭載されている。発光素子３０は、導電体パターン４３に接続され、導電体パターンを介して電流を供給されて発光する。導電体パターン４３は、自ら発熱するとともに、発光素子３０の発する熱を伝導することにより、発光素子３０から離れた位置の基板１０の温度を上昇させる。
発光素子３０は、図１０のように、発光面を基板１０側に向けて基板１０に搭載され、発光面から発せられた光を、基板１０を透過させて外部に出射させる構造にすることができる。これにより、発光機能を備えながら、基板１０の温度を上昇させる機能も備え、発光した光が雪や水分で妨げられにくい、透明基板を提供できる。
第２の実施形態の導電体パターン４３の形状と発光素子３０の配置としては、図１１（ａ），（ｂ）〜図１６（ａ）、（ｂ）に上面図と側面図の例をそれぞれ示すように、所望の形状および配置にすることができる。このとき、第１の実施形態と同様に、基板１０の温度を向上させたい領域に導電体パターン４３が密に配置されるようにパターン形状を設計する。
また、図１５（ａ），（ｂ）や、図１６（ａ）、（ｂ）のように、導電体パターン４３は、スルーホール４３ｂを介して、基板１０の逆側の面１０ａに引き出し、基板１０の逆側の面１０ａに導電体パターン４３を配置してもよい。この場合、基板１０の逆側の面１０ａは、光の発光面になり、外部に向けて配置されるため、配線パターン４３を保護するコーティング部４４により、導電体パターン４３を保護することが望ましい。
導電体パターン４３の他の形状や構成は、第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
第１の実施形態の半導体発光装置の製造方法を図１７（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。
まず、図１７（ａ）、（ｂ）において、第１の実施形態の図９（ａ），（ｂ）の工程と同様に基板１０の上面に導電性の導電体パターン４３を形成する。
図１７（ｃ）のように、導電体パターン４３に、バンプ４２やはんだボール等を必要に応じて搭載する。
図１７（ｄ）のように、発光素子３０を、その電極３１が導電体パターン４３と一致するように位置合わせして搭載する。バンプ４２等を配置した場合には、バンプ４２の位置が発光素子３０の電極３１ａの位置と一致するように位置合わせする。その後、加熱または超音波を印加して、発光素子３０の電極３１を導電体パターン４３と接続し、発光素子３０を固定する（図１７（ｅ））。なお、必要に応じて、発光素子３０の底面と基板１０の上面の間に、透明な接着層を充填してもよい。
また、スルーホール４３ｂを介して、基板１０に裏面にも、導電体パターン４３を形成する場合には、基板１０の裏面１０ａにも図１７（ａ）、（ｂ）の工程を行う。雪や水分が付着する面には、基材が水分付着を嫌う場合、コーティング膜などを付けて保護する工程を追加してもよい。
以上の工程により、導電体パターン４３を塗布と光照射という簡単な工程で、基板の上下面に形成でき、発光素子３０を実装した光透過基板を製造することができる。
発光素子３０としては、どのようなものを用いてもよいが、一例としては、ＬＥＤ，ＬＤ、表示素子（液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＥＬディスプレイ等）を用いることができる。ＬＥＤの場合、例えば青色光を発するＩｎＧａＮ系のＬＥＤ（波長４６０ｎｍ）を、例えば緑色光を発するＩｎＧａＮ系のＬＥＤ（波長５２０ｎｍ）を、例えば赤色光を発するＡｌＧａＩｎＰ系のＬＥＤ（波長６２０ｎｍ）を用いることができる。また、これらの波長に限らず、紫外〜可視光〜赤外光等どのような波長の発光素子でもよい。また、発光素子３０の代わりに受光素子を実装し、受光装置を構成することも可能である。
上記実施形態では、基板１０の膜４１の上方から光束１２を照射しているが、光束１２を基板１０を透過させて膜４１に照射してもよい。この方法では、導電体パターン４３の形成と、発光素子３０と導電体パターン４３との接続とを、光束１２の照射により同時にまたは連続して行うことができ、バンプ等を用いる必要がない。また、電極３１ａと導電体パターン４３との間について、膜４１と同様に、導電性粒子と絶縁材料とが分散された溶液、もしくは、絶縁材料層で被覆された導電性粒子が分散された溶液を焼結させることで接続することもできる。
＜第３の実施形態＞
第１および第２の実施形態の光透過基板は、表示装置や、信号装置や、照明装置の最表面に配置することができる。これにより、これらの装置に付着した雪や水分を蒸発等させることができる。このとき、光透過基板は、導電体パターン４３が配置されている面とは逆側の面を外部に向けて配置されていることが好ましい。
第１および第２の実施形態の光透過基板は、表示装置や、信号装置や、照明装置の最表面に配置することができる。これにより、これらの装置に付着した雪や水分を蒸発等させることができる。このとき、光透過基板は、導電体パターン４３が配置されている面とは逆側の面を外部に向けて配置されていることが好ましい。
＜第４の実施形態＞
また、図１８のように、第１の実施形態の光透過基板１０１と、第２の実施形態の発光素子３０が搭載された光透過基板１０２を、導電体パターン４３が形成された面が向かい合うように対向配置することにより表示装置を構成することができる。このとき、発光素子３０の光出射方向は、光透過基板１０１に向くようにし、外部側の光透過基板１０１を透過させて、光を外部に出射させる。なお、図１８のように、光透過基板１０１の発光素子３０と向かい合う領域には、導電体パターン４３が配置されないように、もしくは光が透過できる領域を設けて設計することが望ましい。
また、図１８のように、第１の実施形態の光透過基板１０１と、第２の実施形態の発光素子３０が搭載された光透過基板１０２を、導電体パターン４３が形成された面が向かい合うように対向配置することにより表示装置を構成することができる。このとき、発光素子３０の光出射方向は、光透過基板１０１に向くようにし、外部側の光透過基板１０１を透過させて、光を外部に出射させる。なお、図１８のように、光透過基板１０１の発光素子３０と向かい合う領域には、導電体パターン４３が配置されないように、もしくは光が透過できる領域を設けて設計することが望ましい。
なお、第２、第４の実施形態において、発光素子３０がフリップチップ実装されている例について説明したが、図１９、図２０のように、少なくとも一方の電極を上面に配置し、ボンディングワイヤ１９１により導電体パターン４３に接続してもよい。図２０のように２つの電極をボンディングワイヤで接続する場合、発光素子３０は、透明接着材により基板１０に固定することが望ましい。
また、図１８，図１９のように２枚の基板１０の間に空間が生じてしまう場合は、封止樹脂等を利用して封止することが望ましい。
１０・・・基板、３０・・・発光素子、４１・・・膜、４２・・・バンプ、４３・・・導電体パターン
Claims (17)
- 少なくとも所定の波長の光を透過する基板と、前記基板に配置された、電流を供給されることより発熱して前記基板の表面の温度を上昇させる導電体パターンとを有し、
前記導電体パターンは、接着層を介することなく前記基板に直接配置され、
前記基板の前記導電体パターンが配置されている面には、発光素子がさらに搭載され、
前記発光素子は、前記導電体パターンに接続され、前記導電体パターンを介して電流を供給されて発光し、
前記導電体パターンは、前記発光素子の発する熱を伝導することにより、前記発光素子から離れた位置の前記基板の温度を上昇させることを特徴とする光透過基板。 - 請求項１に記載の光透過基板であって、前記発光素子は、発光面を有し、前記発光面を前記基板側に向けて前記基板に搭載され、前記発光面から発せられた光は、前記基板を透過して外部に出射されることを特徴とする光透過基板。
- 請求項１または２に記載の光透過基板であって、前記導電体パターンを構成する導電体は、多孔質であることを特徴とする光透過基板。
- 請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光透過基板であって、前記導電体パターンと前記基板との界面において、前記導電体パターンを構成する導電体は、前記基板に固着していることを特徴とする光透過基板。
- 請求項１ないし４のいずれか１項に記載の光透過基板であって、前記導電体パターンを構成する導電体は、導電性粒子を焼結したものであることを特徴とする光透過基板。
- 請求項５に記載の光透過基板であって、前記導電体パターンを構成する導電体は、前記導電性粒子を前記基板に搭載した状態で光によって焼結したものであることを特徴とする光透過基板。
- 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の光透過基板であって、前記基板は、樹脂からなることを特徴とする光透過基板。
- 請求項１ないし７のいずれか１項に記載の光透過基板であって、前記基板および前記導電体パターンは、フレキシブルであることを特徴とする光透過基板。
- 請求項１ないし８のいずれか１項に記載の光透過基板であって、前記導電体パターンは、幅および高さの少なくとも一方が、他の領域よりも狭められたまたは広げられた領域を有することを特徴とする光透過基板。
- 請求項１ないし９のいずれか１項に記載の光透過基板であって、前記導電体パターンは、他の領域とは異なる導電体材料で構成された領域を有することを特徴とする光透過基板。
- 請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の光透過基板であって、前記基板は前記所定の波長の光を透過する基材と、前記基材に分散されたフィラーとを含み、前記フィラーは、前記基材よりも熱伝導率が大きいことを特徴とする光透過基板。
- 請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の光透過基板であって、前記導電体パターンの少なくとも一部は、前記基板に接していない面が、湾曲面であることを特徴とする光透過基板。
- 請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の光透過基板を最表面に備える表示装置。
- 請求項１３に記載の表示装置であって、前記光透過基板は、前記導電体パターンが配置されている面とは逆側の面を外部に向けて配置されていることを特徴とする表示装置。
- 第１光透過基板と、第２光透過基板とを有し、
前記第１光透過基板は、少なくとも所定の波長の光を透過する第１基板と、前記第１基板に配置された、電流を供給されることより発熱して前記第１基板の表面の温度を上昇させる第１導電体パターンとを有し、前記第１導電体パターンは、接着層を介することなく前記第１基板に直接配置され、
前記第２光透過基板は、少なくとも所定の波長の光を透過する第２基板と、前記第２基板に配置された、電流を供給されることより発熱して前記第２基板の表面の温度を上昇させる第２導電体パターンとを有し、前記第２導電体パターンは、接着層を介することなく前記第２基板に直接配置され、前記第２基板の前記第２導電体パターンが配置されている面には、発光素子がさらに搭載され、前記発光素子は、前記第２導電体パターンに接続され、前記第２導電体パターンを介して電流を供給されて発光し、前記第２導電体パターンは、前記発光素子の発する熱を伝導することにより、前記発光素子から離れた位置の前記第２基板の温度を上昇させ、
第１光透過基板と、第２光透過基板とは、前記第１導電体パターンと第２導電体パターンが形成された面が向かい合うように対向配置された表示装置。 - 請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の光透過基板を最表面に備える信号装置。
- 請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の光透過基板を最表面に備える照明装置。
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