JP2012080137A5 - - Google Patents
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- 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって、
投影光学系と、
前記液体を供給するための液体供給機構と、
前記液体を回収するための液体回収機構と、
前記基板を保持する基板ステージと、を備え、
前記液体供給機構と前記液体回収機構とによって前記基板ステージ上に局所的に液浸領域が形成されている状態で、前記基板ステージが第1位置から第2位置へほぼ直線的に移動するときに、前記第1位置と前記第2位置との間隔に応じて前記基板ステージの移動速度が異なる露光装置。 - 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって、
投影光学系と、
前記投影光学系の終端部の光学素子を配置可能な開口部と、前記投影光学系の像面側に配置された物体の表面が対向するように配置される下面に設けられた第1液体供給口と、前記下面に設けられた第1液体回収口とを有する流路形成部材と、
前記基板を保持する基板ステージと、を備え
前記流路形成部材を使って前記基板ステージ上に局所的に液浸領域が形成されている状態で、前記基板ステージが第1位置から第2位置へほぼ直線的に移動するときに、前記第1位置と前記第2位置との間隔に応じて前記基板ステージの移動速度が異なる露光装置。 - 前記第1位置と前記第2位置との間隔が所定量以上の場合には、前記第1位置と前記第2位置との間隔が前記所定量よりも短い場合に比べて、前記基板ステージの移動速度を小さくする請求項1又は2に記載の露光装置。
- 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって、
投影光学系と、
前記投影光学系の終端部の光学素子を配置可能な開口部と、前記投影光学系の像面側に配置された物体の表面が対向するように配置される下面に設けられた第1液体供給口と、前記下面に設けられた第1液体回収口とを有する流路形成部材と、
前記基板を保持する基板ステージと、を備え
前記流路形成部材を使って前記基板ステージ上に局所的に液浸領域が形成されている状態で、前記基板ステージが第1位置から第2位置へほぼ直線的に移動するときに、前記第1位置と前記第2位置との間隔が所定量以上の場合には、前記第1位置と前記第2位置との間隔が前記所定量よりも短い場合に比べて、前記基板ステージの移動速度を小さくする露光装置。 - 前記流路形成部材は、前記開口部に配置される前記光学素子との間に間隙を形成する内側面に設けられた第2液体供給口を有する請求項4記載の露光装置。
- 前記流路形成部材は、前記内側面に第2液体回収口を有する請求項5記載の露光装置。
- 前記流路形成部材は、前記開口部に配置される前記光学素子との間に間隙を形成する内側面に設けられた第2液体回収口を有する請求項4記載の露光装置。
- 前記液浸領域からの液体流出が起きないように、前記基板ステージの移動速度を小さくする請求項3〜7のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記液浸領域に気体部分が生成されないように、前記基板ステージの移動速度を小さくする請求項3〜8のいずれか一項に記載の露光装置。
- 液体を介して基板に露光光を照射して、前記基板を露光する露光装置であって、
投影光学系と、
前記液体を供給するための液体供給機構と、
前記液体を回収するための液体回収機構と、
前記基板を保持する基板ステージと、を備え、
前記液体供給機構と前記液体回収機構とによって前記基板ステージ上に局所的に液浸領域が形成されている状態で、前記基板ステージが第1位置から第2位置へほぼ直線的に移動するときに、前記第1位置から前記第2位置への前記基板ステージの移動方向に応じて前記基板ステージの移動速度が異なる露光装置。 - 前記基板ステージを前記液体回収機構による液体回収力が弱い所定方向へ移動させる場合には、前記基板ステージを前記所定方向とは異なる方向へ移動させる場合に比べて、前記基板ステージの移動速度を小さくする請求項10に記載の露光装置。
- 前記液体回収機構による液体回収力が弱い所定方向には、前記液体回収機構の液体回収口が配置されていない請求項11に記載の露光装置。
- 前記液浸領域からの液体流出が起きないように、前記基板ステージの移動速度を小さくする請求項11又は12に記載の露光装置。
- 前記液浸領域に気体部分が生成されないように、前記基板ステージの移動速度を小さくする請求項11〜13のいずれか一項に記載の露光装置。
- 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって、
投影光学系と、
前記投影光学系の終端部の光学素子を配置可能な開口部と、前記投影光学系の像面側に配置された物体の表面が対向するように配置される下面に設けられた第1液体供給口と、前記下面に設けられた第1液体回収口とを有する流路形成部材と、
前記基板を保持する基板ステージと、を備え、
前記流路形成部材を使って前記基板ステージ上に局所的に液浸領域が形成されている状態で、前記基板ステージが第1位置から第2位置へほぼ直線的に移動するときに、前記第1位置から前記第2位置への前記基板ステージの移動方向に応じて前記基板ステージの移動速度が異なる露光装置。 - 前記流路形成部材の前記第1液体回収口を介して液体回収を行う液体回収機構を備え、
前記基板ステージを前記液体回収機構による液体回収力が弱い所定方向へ移動させる場合には、前記基板ステージを前記所定方向とは異なる方向へ移動させる場合に比べて、前記基板ステージの移動速度を小さくする請求項15に記載の露光装置。 - 液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって、
投影光学系と、
前記投影光学系の終端部の光学素子を配置可能な開口部と、前記投影光学系の像面側に配置された物体の表面が対向するように配置される下面に設けられた第1液体供給口と、前記下面に設けられた第1液体回収口とを有する流路形成部材と、
前記流路形成部材の前記第1液体回収口を介して液体回収を行う液体回収機構と、
前記基板を保持する基板ステージと、を備え、
前記流路形成部材を使って前記基板ステージ上に局所的に液浸領域が形成されている状態で、前記基板ステージを前記液体回収機構による液体回収力が弱い所定方向へ第1位置から第2位置へほぼ直線的に移動させる場合に、前記基板ステージを前記所定方向とは異なる方向へ移動させる場合に比べて、前記基板ステージの移動速度を小さくする露光装置。 - 前記液浸領域からの液体流出が起きないように、前記基板ステージの移動速度を小さくする請求項16又は17に記載の露光装置。
- 前記液浸領域に気体部分が生成されないように、前記基板ステージの移動速度を小さくする請求項16〜18のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記流路形成部材は、前記開口部に配置される前記光学素子との間に間隙を形成する内側面に設けられた第2液体供給口を有する請求項10〜19のいずれか一項記載の露光装置。
- 前記流路形成部材は、前記内側面に第2液体回収口を有する請求項20記載の露光装置。
- 前記流路形成部材は、前記開口部に配置される前記光学素子との間に間隙を形成する内側面に設けられた第2液体回収口を有する請求項10〜19のいずれか一項記載の露光装置。
- 請求項1〜請求項22のいずれか一項記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
- 投影光学系と液体を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光方法であって、
液体を介して基板に露光光を照射して基板を露光することと、
基板を露光していないときに、基板上に液体を保持したまま基板を第1位置から第2位置へ移動することと、
前記第1位置と前記第2位置との位置関係に応じて、前記第1位置から前記第2位置への前記基板の移動速度を調整することを含む露光方法。 - 前記移動の距離が所定距離以上の場合には、所定距離未満の場合よりも前記基板の移動速度を小さくする請求項24に記載の露光方法。
- さらに基板上から液体を回収することを含み、液体の回収力が弱い所定方向へ基板を移動させる場合には、前記基板を前記所定方向とは異なる方向へ移動させる場合に比べて、前記基板の移動速度を小さくする請求項24又は25に記載の露光方法。
- 前記投影光学系の像面側に形成されている液浸領域からの液体流出が起きないように、前記基板の移動速度を調整する請求項24〜26のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記液浸領域に気体部分が生成されないように、前記基板ステージの移動速度を小さくする請求項23〜27のいずれか一項に記載の露光方法。
- 請求項1〜28のいずれか一項に記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012012100A JP5549946B2 (ja) | 2004-01-05 | 2012-01-24 | 露光装置、露光方法、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004000236 | 2004-01-05 | ||
JP2004000236 | 2004-01-05 | ||
JP2012012100A JP5549946B2 (ja) | 2004-01-05 | 2012-01-24 | 露光装置、露光方法、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010246602A Division JP5488404B2 (ja) | 2004-01-05 | 2010-11-02 | 流路形成部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012080137A JP2012080137A (ja) | 2012-04-19 |
JP2012080137A5 true JP2012080137A5 (ja) | 2013-05-16 |
JP5549946B2 JP5549946B2 (ja) | 2014-07-16 |
Family
ID=34746939
Family Applications (9)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004375494A Expired - Fee Related JP4774735B2 (ja) | 2004-01-05 | 2004-12-27 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2010180221A Expired - Fee Related JP5077400B2 (ja) | 2004-01-05 | 2010-08-11 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010246602A Expired - Fee Related JP5488404B2 (ja) | 2004-01-05 | 2010-11-02 | 流路形成部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012012100A Expired - Fee Related JP5549946B2 (ja) | 2004-01-05 | 2012-01-24 | 露光装置、露光方法、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012015913A Expired - Fee Related JP5609899B2 (ja) | 2004-01-05 | 2012-01-27 | 露光装置、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013223332A Expired - Fee Related JP5713082B2 (ja) | 2004-01-05 | 2013-10-28 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014146256A Expired - Fee Related JP5895979B2 (ja) | 2004-01-05 | 2014-07-16 | 露光装置、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014217182A Active JP5862746B2 (ja) | 2004-01-05 | 2014-10-24 | 流路形成部材、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2015159807A Active JP6119810B2 (ja) | 2004-01-05 | 2015-08-13 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004375494A Expired - Fee Related JP4774735B2 (ja) | 2004-01-05 | 2004-12-27 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2010180221A Expired - Fee Related JP5077400B2 (ja) | 2004-01-05 | 2010-08-11 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010246602A Expired - Fee Related JP5488404B2 (ja) | 2004-01-05 | 2010-11-02 | 流路形成部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012015913A Expired - Fee Related JP5609899B2 (ja) | 2004-01-05 | 2012-01-27 | 露光装置、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013223332A Expired - Fee Related JP5713082B2 (ja) | 2004-01-05 | 2013-10-28 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014146256A Expired - Fee Related JP5895979B2 (ja) | 2004-01-05 | 2014-07-16 | 露光装置、ステージ制御方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014217182A Active JP5862746B2 (ja) | 2004-01-05 | 2014-10-24 | 流路形成部材、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2015159807A Active JP6119810B2 (ja) | 2004-01-05 | 2015-08-13 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8064044B2 (ja) |
EP (3) | EP3376523A1 (ja) |
JP (9) | JP4774735B2 (ja) |
KR (8) | KR101324810B1 (ja) |
AT (1) | ATE467902T1 (ja) |
DE (1) | DE602004027162D1 (ja) |
TW (4) | TWI553420B (ja) |
WO (1) | WO2005067013A1 (ja) |
Families Citing this family (96)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3226073A3 (en) | 2003-04-09 | 2017-10-11 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and method for fabricating device |
EP2921905B1 (en) * | 2003-04-10 | 2017-12-27 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
SG185136A1 (en) | 2003-04-11 | 2012-11-29 | Nikon Corp | Cleanup method for optics in immersion lithography |
TW200509205A (en) | 2003-05-23 | 2005-03-01 | Nippon Kogaku Kk | Exposure method and device-manufacturing method |
TWI609409B (zh) | 2003-10-28 | 2017-12-21 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
TWI512335B (zh) | 2003-11-20 | 2015-12-11 | 尼康股份有限公司 | 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法 |
DE602004027162D1 (de) * | 2004-01-05 | 2010-06-24 | Nippon Kogaku Kk | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren |
WO2005069355A1 (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
TWI614795B (zh) | 2004-02-06 | 2018-02-11 | Nikon Corporation | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
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US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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JP4565272B2 (ja) | 2004-07-01 | 2010-10-20 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための動的流体制御システム |
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US7423720B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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US8018573B2 (en) | 2005-02-22 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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-
2004
- 2004-12-27 DE DE602004027162T patent/DE602004027162D1/de active Active
- 2004-12-27 EP EP17210252.7A patent/EP3376523A1/en not_active Withdrawn
- 2004-12-27 KR KR1020127025529A patent/KR101324810B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 EP EP04808163A patent/EP1703548B1/en not_active Not-in-force
- 2004-12-27 AT AT04808163T patent/ATE467902T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-12-27 US US10/584,950 patent/US8064044B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-27 EP EP10003902.3A patent/EP2199859B1/en not_active Not-in-force
- 2004-12-27 KR KR1020157011338A patent/KR101748504B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 KR KR1020137017236A patent/KR101440743B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 KR KR1020147014875A patent/KR101636632B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 KR KR1020187030370A patent/KR20180117228A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-12-27 KR KR1020177015811A patent/KR101911681B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 WO PCT/JP2004/019813 patent/WO2005067013A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2004-12-27 KR KR1020117025142A patent/KR101561727B1/ko active IP Right Grant
- 2004-12-27 JP JP2004375494A patent/JP4774735B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-01-05 TW TW101148294A patent/TWI553420B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-05 TW TW094100209A patent/TWI403853B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-05 TW TW105112403A patent/TWI617896B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-01-05 TW TW106128330A patent/TW201743139A/zh unknown
-
2006
- 2006-05-04 KR KR1020067008813A patent/KR101266648B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-08-11 JP JP2010180221A patent/JP5077400B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-02 JP JP2010246602A patent/JP5488404B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-12 US US13/317,170 patent/US9588436B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-24 JP JP2012012100A patent/JP5549946B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-27 JP JP2012015913A patent/JP5609899B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-10-28 JP JP2013223332A patent/JP5713082B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-07-16 JP JP2014146256A patent/JP5895979B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-10-24 JP JP2014217182A patent/JP5862746B2/ja active Active
-
2015
- 2015-08-13 JP JP2015159807A patent/JP6119810B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-06 US US15/450,611 patent/US9910369B2/en active Active
-
2018
- 2018-01-31 US US15/884,634 patent/US20180149984A1/en not_active Abandoned
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