JP2012129563A5 - 露光装置及び露光方法 - Google Patents

露光装置及び露光方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012129563A5
JP2012129563A5 JP2012083119A JP2012083119A JP2012129563A5 JP 2012129563 A5 JP2012129563 A5 JP 2012129563A5 JP 2012083119 A JP2012083119 A JP 2012083119A JP 2012083119 A JP2012083119 A JP 2012083119A JP 2012129563 A5 JP2012129563 A5 JP 2012129563A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
containment member
substrate
space
inlet
immersion liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012083119A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5541309B2 (ja
JP2012129563A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of JP2012129563A publication Critical patent/JP2012129563A/ja
Publication of JP2012129563A5 publication Critical patent/JP2012129563A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5541309B2 publication Critical patent/JP5541309B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Claims (51)

  1. 光学素子と基板との間の液浸液体を介して前記基板を露光する露光装置であって、
    前記光学素子の下の空間を囲むように配置され、前記空間に液浸液体を閉じ込めるコンテインメント部材を備え、
    前記コンテインメント部材は可動であり、
    前記基板は、前記光学素子と前記コンテインメント部材の下で、前記光学素子と前記コンテインメント部材に対して動かされ、前記コンテインメント部材は、前記コンテインメント部材の下から液浸液体を回収する第1インレットを有する露光装置。
  2. 前記コンテインメント部材は、前記基板が対向する底面を有し、
    前記第1インレットは、前記底面と前記基板との間から液浸液体を回収する請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記第1インレットは、前記底面に設けられている請求項2記載の露光装置。
  4. 前記コンテインメント部材は、前記底面と前記基板との距離が、前記光学素子と前記基板との距離よりも小さくなるように配置される請求項2または3に記載の露光装置。
  5. 前記コンテインメント部材は、前記底面から上方に延びる内面を有し、
    前記内面は、前記空間を囲むように前記空間に面している請求項2〜4のいずれか一項に記載の露光装置。
  6. 前記内面は、前記空間内の液浸液体と接触し、
    前記空間に対して前記内面よりも外側に流れた液浸液体が前記コンテインメント部材の下から前記第1インレットを介して回収される請求項5に記載の露光装置。
  7. 前記コンテインメント部材は、前記空間を囲むように前記空間を規定する内面を有し、
    前記第1インレットは、前記空間から前記底面の下に流れ出た液浸液体を回収する請求項2〜4のいずれか一項記載の露光装置。
  8. 前記コンテインメント部材は、前記空間を囲むように前記空間を規定する内面を有し、
    前記空間に対して前記内面よりも外側に流れた液浸液体が前記コンテインメント部材の下から前記第1インレットを介して回収される請求項1に記載の露光装置。
  9. 前記コンテインメント部材は、前記コンテインメント部材と前記基板との距離が、前記光学素子と前記基板との距離よりも小さくなるように配置される請求項8に記載の露光装置。
  10. 前記第1インレットは、前記空間の外側で液浸液体を回収する請求項1〜9のいずれか一項記載の露光装置。
  11. 前記第1インレットは、前記空間から流れ出た液浸液体を回収する請求項1〜10のいずれか一項に記載の露光装置。
  12. 前記コンテインメント部材を使って前記空間に閉じ込められた、前記光学素子の平坦な底面と前記基板との間の液浸液体を介して、前記基板を露光する請求項1〜11のいずれか一項に記載の露光装置。
  13. 前記第1インレットは、環状の溝形状である請求項1〜12のいずれか一項記載の露光装置。
  14. 前記第1インレットに減圧が提供される請求項1〜13のいずれか一項記載の露光装置。
  15. 前記コンテインメント部材の下に流体ベアリングが形成される請求項1〜14のいずれか一項に記載の露光装置。
  16. 前記コンテインメント部材の下のギャップ内の液体が前記流体ベアリングを形成する請求項15記載の露光装置。
  17. 前記流体ベアリングは、気体ベアリングを含む請求項15または16記載の露光装置。
  18. 前記コンテインメント部材は、前記コンテインメント部材の下に気体を供給するアウトレットを有する請求項1〜17のいずれか一項に記載の露光装置。
  19. 前記アウトレットは、前記空間に対して、前記第1インレットよりも外側に配置される請求項18記載の露光装置。
  20. 前記コンテインメント部材は、前記空間に対して前記第1インレットおよび前記アウトレットよりも外側に配置され、前記コンテインメント部材の下から流体を回収する第2インレットを有する請求項19記載の露光装置。
  21. 前記コンテインメント部材は、前記空間に対して前記第1インレットよりも外側に配置され、
    前記コンテインメント部材の下から流体を回収する第2インレットを有する請求項1〜17のいずれか一項記載の露光装置。
  22. 前記第2インレットは、前記第1インレットで回収されなかった液浸液体を回収する請求項20または21記載の露光装置。
  23. 前記基板は、前記光学素子の底面とほぼ平行になるように配置され、
    前記光学素子の底面と前記基板との間の液浸液体を介して、前記基板を露光する請求項1〜22のいずれか一項記載の露光装置。
  24. 前記光学素子に対向するように配置された前記基板の表面の一部が液浸液体で覆われる請求項1〜23のいずれか一項記載の露光装置。
  25. 前記液浸液体は、水を含む請求項1〜24のいずれか一項に記載の露光装置。
  26. 前記基板は、ウエハを含む請求項1〜25のいずれか一項に記載の露光装置。
  27. 基板を露光する露光方法であって、
    光学素子の下の空間を囲むように配置されたコンテインメント部材を使って前記空間に液浸液体を閉じ込めることと、
    前記光学素子と前記コンテインメント部材の下で前記光学素子と前記コンテインメント部材に対して移動される前記基板を、前記光学素子と前記基板との間の液浸液体を介して露光することと、を含み、
    前記コンテインメント部材は可動であり、
    前記コンテインメント部材の第1インレットを介して、前記コンテインメント部材と前記基板との間から液浸液体が回収される露光方法。
  28. 前記コンテインメント部材は、前記基板が対向するように配置された底面を有し、
    前記コンテインメント部材の底面と前記基板との間の液浸液体が前記第1インレットを介して回収される請求項27記載の露光方法。
  29. 前記第1インレットは、前記底面に設けられている請求項28記載の露光方法。
  30. 前記底面と前記基板との距離は、前記光学素子と前記基板との距離よりも小さい請求項28または29記載の露光方法。
  31. 前記コンテインメント部材は、前記底面から上方に延びる内面を有し、
    前記内面は、前記空間を囲むように前記空間に面している請求項28〜30のいずれか一項に記載の露光方法。
  32. 前記内面は、前記空間内の液浸液体と接触し、
    前記空間に対して前記内面よりも外側に流れた液浸液体が前記コンテインメント部材と前記基板との間から前記第1インレットを介して回収される請求項31に記載の露光方法。
  33. 前記コンテインメント部材は、前記空間を囲むように前記空間を規定する内面を有し、
    前記第1インレットは、前記空間から前記底面の下に流れ出た液浸液体を回収する請求項28〜30のいずれか一項記載の露光方法。
  34. 前記コンテインメント部材は、前記空間を囲むように前記空間を規定する内面を有し、
    前記空間に対して前記内面よりも外側に流れた液浸液体が前記コンテインメント部材と前記基板との間から前記第1インレットを介して回収される請求項27に記載の露光方法。
  35. 前記コンテインメント部材と前記基板との距離は、前記光学素子と前記基板との距離よりも小さい請求項34に記載の露光方法。
  36. 前記第1インレットは、前記空間の外側で液浸液体を回収する請求項27〜35のいずれか一項記載の露光方法。
  37. 前記第1インレットは、前記空間から流れ出た液浸液体を回収する請求項27〜36のいずれか一項に記載の露光方法。
  38. 前記コンテインメント部材を使って前記空間に閉じ込められた、前記光学素子の平坦な底面と前記基板との間の液浸液体を介して、前記基板を露光する請求項27〜37のいずれか一項に記載の露光方法。
  39. 前記第1インレットに減圧が提供される請求項27〜38のいずれか一項記載の露光方法。
  40. 前記コンテインメント部材と前記基板との間に流体ベアリングが形成される請求項27〜39のいずれか一項に記載の露光方法。
  41. 前記コンテインメント部材と前記基板との間の液体が前記流体ベアリングを形成する請求項40記載の露光方法。
  42. 前記流体ベアリングは、気体ベアリングを含む請求項40または41記載の露光方法。
  43. 前記コンテインメント部材のアウトレットから、前記コンテインメント部材と前記基板との間に気体を供給する請求項27〜42のいずれか一項に記載の露光方法。
  44. 前記アウトレットは、前記空間に対して、前記第1インレットよりも外側に配置される請求項43記載の露光方法。
  45. 前記コンテインメント部材は、前記空間に対して、前記第1インレットおよび前記アウトレットよりも外側に配置された第2インレットを有し、
    前記第2インレットを介して、前記コンテインメント部材と前記基板との間から流体を回収する請求項44記載の露光方法。
  46. 前記コンテインメント部材は、前記空間に対して前記第1インレットよりも外側に配置された第2インレットを有し、
    前記第2インレットを介して、前記コンテインメント部材と前記基板との間から流体を回収する請求項27〜42のいずれか一項記載の露光方法。
  47. 前記第2インレットは、前記第1インレットで回収されなかった液浸液体を回収する請求項45または46記載の露光方法。
  48. 前記基板は、前記光学素子の底面とほぼ平行になるように配置され、
    前記光学素子の底面と前記基板との間の液浸液体を介して、前記基板を露光する請求項27〜47のいずれか一項記載の露光方法。
  49. 前記光学素子に対向するように配置された前記基板の表面の一部が液浸液体で覆われる請求項27〜48のいずれか一項記載の露光方法。
  50. 前記液浸液体は、水を含む請求項27〜49のいずれか一項に記載の露光方法。
  51. 前記基板は、ウエハを含む請求項27〜50のいずれか一項に記載の露光方法。
JP2012083119A 2003-04-10 2012-03-30 露光装置及び露光方法 Expired - Fee Related JP5541309B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US46211203P 2003-04-10 2003-04-10
US60/462,112 2003-04-10
US48447603P 2003-07-01 2003-07-01
US60/484,476 2003-07-01

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010026002A Division JP5152219B2 (ja) 2003-04-10 2010-02-08 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013272247A Division JP5745611B2 (ja) 2003-04-10 2013-12-27 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012129563A JP2012129563A (ja) 2012-07-05
JP2012129563A5 true JP2012129563A5 (ja) 2013-09-19
JP5541309B2 JP5541309B2 (ja) 2014-07-09

Family

ID=33162259

Family Applications (10)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006506634A Expired - Fee Related JP4775256B2 (ja) 2003-04-10 2004-03-29 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム
JP2010026002A Expired - Fee Related JP5152219B2 (ja) 2003-04-10 2010-02-08 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム
JP2011097540A Expired - Fee Related JP5550188B2 (ja) 2003-04-10 2011-04-25 露光装置、及び露光方法
JP2012083119A Expired - Fee Related JP5541309B2 (ja) 2003-04-10 2012-03-30 露光装置及び露光方法
JP2013167890A Expired - Fee Related JP5692304B2 (ja) 2003-04-10 2013-08-12 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム
JP2013272247A Expired - Lifetime JP5745611B2 (ja) 2003-04-10 2013-12-27 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム
JP2014227827A Expired - Fee Related JP5949876B2 (ja) 2003-04-10 2014-11-10 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム
JP2015218810A Expired - Fee Related JP6137276B2 (ja) 2003-04-10 2015-11-06 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム
JP2016201561A Expired - Fee Related JP6332394B2 (ja) 2003-04-10 2016-10-13 露光装置及び露光方法
JP2017229742A Pending JP2018028705A (ja) 2003-04-10 2017-11-30 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006506634A Expired - Fee Related JP4775256B2 (ja) 2003-04-10 2004-03-29 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム
JP2010026002A Expired - Fee Related JP5152219B2 (ja) 2003-04-10 2010-02-08 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム
JP2011097540A Expired - Fee Related JP5550188B2 (ja) 2003-04-10 2011-04-25 露光装置、及び露光方法

Family Applications After (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013167890A Expired - Fee Related JP5692304B2 (ja) 2003-04-10 2013-08-12 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム
JP2013272247A Expired - Lifetime JP5745611B2 (ja) 2003-04-10 2013-12-27 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム
JP2014227827A Expired - Fee Related JP5949876B2 (ja) 2003-04-10 2014-11-10 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム
JP2015218810A Expired - Fee Related JP6137276B2 (ja) 2003-04-10 2015-11-06 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム
JP2016201561A Expired - Fee Related JP6332394B2 (ja) 2003-04-10 2016-10-13 露光装置及び露光方法
JP2017229742A Pending JP2018028705A (ja) 2003-04-10 2017-11-30 液浸リソグラフィ装置用の減圧排出を含む環境システム

Country Status (8)

Country Link
US (13) US7321415B2 (ja)
EP (7) EP1611485B1 (ja)
JP (10) JP4775256B2 (ja)
KR (13) KR20180089562A (ja)
CN (7) CN105700301B (ja)
HK (8) HK1086637A1 (ja)
SG (6) SG141425A1 (ja)
WO (1) WO2004090634A2 (ja)

Families Citing this family (202)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100588124B1 (ko) 2002-11-12 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG135052A1 (en) 2002-11-12 2007-09-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101382738B (zh) 2002-11-12 2011-01-12 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101101737B1 (ko) 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
KR20120127755A (ko) 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
US7948604B2 (en) 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
WO2004053952A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR20130010039A (ko) 2002-12-10 2013-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
SG2012087615A (en) 2003-02-26 2015-08-28 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4353179B2 (ja) 2003-03-25 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
ATE426914T1 (de) 2003-04-07 2009-04-15 Nikon Corp Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
WO2004093159A2 (en) 2003-04-09 2004-10-28 Nikon Corporation Immersion lithography fluid control system
KR20180089562A (ko) 2003-04-10 2018-08-08 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
KR101323993B1 (ko) 2003-04-10 2013-10-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
SG194264A1 (en) 2003-04-11 2013-11-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
ATE449982T1 (de) 2003-04-11 2009-12-15 Nikon Corp Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie
WO2004095135A2 (en) 2003-04-17 2004-11-04 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI518742B (zh) 2003-05-23 2016-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
TW201515064A (zh) 2003-05-23 2015-04-16 尼康股份有限公司 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
KR101548832B1 (ko) 2003-05-28 2015-09-01 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
TWI442694B (zh) * 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1486827B1 (en) 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101729866B1 (ko) 2003-06-13 2017-04-24 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
TWI515769B (zh) 2003-06-19 2016-01-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP3862678B2 (ja) * 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1652003B1 (en) 2003-07-08 2015-01-07 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
EP1646075B1 (en) 2003-07-09 2011-06-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1643543B1 (en) 2003-07-09 2010-11-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
US7738074B2 (en) * 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3346485A1 (en) 2003-07-25 2018-07-11 Nikon Corporation Projection optical system inspecting method and inspection apparatus, and a projection optical system manufacturing method
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
WO2005010962A1 (ja) 2003-07-28 2005-02-03 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101475995B1 (ko) 2003-08-21 2014-12-23 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
WO2005020298A1 (ja) * 2003-08-26 2005-03-03 Nikon Corporation 光学素子及び露光装置
EP1670039B1 (en) 2003-08-29 2014-06-04 Nikon Corporation Exposure apparatus and device producing method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101238114B1 (ko) 2003-09-03 2013-02-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101335736B1 (ko) 2003-09-29 2013-12-02 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
EP1672681B8 (en) 2003-10-08 2011-09-21 Miyagi Nikon Precision Co., Ltd. Exposure apparatus, substrate carrying method, exposure method, and method for producing device
WO2005036623A1 (ja) 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
TW201738932A (zh) 2003-10-09 2017-11-01 Nippon Kogaku Kk 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法
EP1679738A4 (en) 2003-10-28 2008-08-06 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7352433B2 (en) * 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005150533A (ja) * 2003-11-18 2005-06-09 Canon Inc 露光装置
KR101442448B1 (ko) 2003-12-03 2014-09-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품
JP4720506B2 (ja) 2003-12-15 2011-07-13 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及び露光方法
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101440743B1 (ko) 2004-01-05 2014-09-17 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
KR101204157B1 (ko) * 2004-01-20 2012-11-22 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치 및 그 투영 렌즈를 위한 측정 장치
WO2005071717A1 (ja) 2004-01-26 2005-08-04 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101276392B1 (ko) 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
DE102004013886A1 (de) 2004-03-16 2005-10-06 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Mehrfachbelichtung, Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage und Projektionssystem
KR101707294B1 (ko) 2004-03-25 2017-02-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101258033B1 (ko) 2004-04-19 2013-04-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2005111722A2 (en) 2004-05-04 2005-11-24 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101368523B1 (ko) 2004-06-04 2014-02-27 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템
US8520184B2 (en) 2004-06-09 2013-08-27 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with measuring device
EP1768171A4 (en) 2004-06-10 2008-01-09 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
CN102736446B (zh) 2004-06-10 2014-09-17 尼康股份有限公司 曝光装置及元件制造方法
US8717533B2 (en) 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8508713B2 (en) 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8373843B2 (en) 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7688421B2 (en) 2004-06-17 2010-03-30 Nikon Corporation Fluid pressure compensation for immersion lithography lens
US7426014B2 (en) 2004-07-01 2008-09-16 Nikon Corporation Dynamic fluid control system for immersion lithography
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101202230B1 (ko) 2004-07-12 2012-11-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20070048164A (ko) 2004-08-18 2007-05-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100539019C (zh) * 2004-09-17 2009-09-09 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法以及器件制造方法
KR101700547B1 (ko) 2004-09-17 2017-01-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7423720B2 (en) 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411657B2 (en) 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI654661B (zh) * 2004-11-18 2019-03-21 日商尼康股份有限公司 位置測量方法、位置控制方法、測量方法、裝載方法、曝光方法及曝光裝置、及元件製造方法
US7446850B2 (en) 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196770B2 (en) 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
WO2006064851A1 (ja) * 2004-12-15 2006-06-22 Nikon Corporation 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US7403261B2 (en) 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US20060147821A1 (en) 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1681597B1 (en) * 2005-01-14 2010-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4830303B2 (ja) * 2005-01-27 2011-12-07 Jsr株式会社 液浸露光用液体の製造方法およびリサイクル方法
KR101513840B1 (ko) 2005-01-31 2015-04-20 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
JP5162254B2 (ja) 2005-02-10 2013-03-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 液浸リソグラフィシステム及びデバイス製造方法
US7378025B2 (en) 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224431B2 (en) 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
JP4262252B2 (ja) * 2005-03-02 2009-05-13 キヤノン株式会社 露光装置
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
US7330238B2 (en) 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
KR101466533B1 (ko) 2005-04-25 2014-11-27 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치 및 액체 공급 방법
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4708860B2 (ja) * 2005-05-23 2011-06-22 キヤノン株式会社 液浸露光装置
US20090021706A1 (en) * 2005-06-01 2009-01-22 Nikon Corporation Immersion fluid containment system and method for immersion lithogtraphy
US7385673B2 (en) * 2005-06-10 2008-06-10 International Business Machines Corporation Immersion lithography with equalized pressure on at least projection optics component and wafer
US7652746B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007005731A (ja) * 2005-06-27 2007-01-11 Jsr Corp 液浸露光用液体およびその精製方法
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2007020067A1 (en) * 2005-08-16 2007-02-22 Carl Zeiss Smt Ag Immersion lithography objective
US8054445B2 (en) 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7580112B2 (en) * 2005-08-25 2009-08-25 Nikon Corporation Containment system for immersion fluid in an immersion lithography apparatus
KR100936564B1 (ko) * 2005-08-29 2010-01-13 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 액침식 노광용 액체 및 액침식 노광 방법
WO2007040254A1 (ja) * 2005-10-05 2007-04-12 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7633073B2 (en) 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US7782442B2 (en) 2005-12-06 2010-08-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, projection optical system and device producing method
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7932994B2 (en) 2005-12-28 2011-04-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1986223A4 (en) 2006-02-16 2010-08-25 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
EP1986222A4 (en) 2006-02-16 2010-09-01 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
EP3293577A1 (en) * 2006-02-21 2018-03-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
JP4889331B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR20080108341A (ko) * 2006-04-03 2008-12-12 가부시키가이샤 니콘 액침 액체에 대해 소용매성인 입사면 및 광학 윈도우
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
TWI439813B (zh) * 2006-05-10 2014-06-01 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
US8144305B2 (en) * 2006-05-18 2012-03-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7656502B2 (en) * 2006-06-22 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045135B2 (en) 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US7866637B2 (en) 2007-01-26 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Humidifying apparatus, lithographic apparatus and humidifying method
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US9013672B2 (en) * 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) * 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US7866330B2 (en) * 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7576833B2 (en) 2007-06-28 2009-08-18 Nikon Corporation Gas curtain type immersion lithography tool using porous material for fluid removal
JP4533416B2 (ja) * 2007-09-25 2010-09-01 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
NL1036009A1 (nl) * 2007-10-05 2009-04-07 Asml Netherlands Bv An Immersion Lithography Apparatus.
WO2009076598A1 (en) * 2007-12-12 2009-06-18 Children's Hospital & Research Center At Oakland Use of unsaturated sphingosine compounds as chemotherapeutic agents for the treatment of cancer
EP2128703A1 (en) 2008-05-28 2009-12-02 ASML Netherlands BV Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus
NL2003392A (en) 2008-09-17 2010-03-18 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus.
TWI457714B (zh) * 2008-09-17 2014-10-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及其操作方法
US8047354B2 (en) 2008-09-26 2011-11-01 Corning Incorporated Liquid-ejecting bearings for transport of glass sheets
EP2172766A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-07 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and humidity measurement system
US8511461B2 (en) * 2008-11-25 2013-08-20 Corning Incorporated Gas-ejecting bearings for transport of glass sheets
NL2003638A (en) * 2008-12-03 2010-06-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2004497A (en) 2009-05-01 2010-11-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus.
JP5016705B2 (ja) * 2009-06-09 2012-09-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 流体ハンドリング構造
NL2005207A (en) 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US9120700B2 (en) 2010-03-26 2015-09-01 Corning Incorporated Non-contact etching of moving glass sheets
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
NL2008199A (en) * 2011-02-28 2012-08-29 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
US8728334B2 (en) 2011-11-29 2014-05-20 Intermolecular, Inc. Dynamic gas flow control of touchless reactor cells
US8715518B2 (en) 2011-10-12 2014-05-06 Intermolecular, Inc. Gas barrier with vent ring for protecting a surface region from liquid
US8617409B2 (en) 2011-11-22 2013-12-31 Intermolecular, Inc. Magnetically levitated gas cell for touchless site-isolated wet processing
US9016289B2 (en) 2011-11-28 2015-04-28 Intermolecular, Inc. System and method for reducing particles and marks on wafer surface following reactor processing
US8690136B2 (en) 2011-11-29 2014-04-08 Intermolecular, Inc. Internal rinsing in touchless interstitial processing
US8883607B2 (en) 2011-12-27 2014-11-11 Intermolecular, Inc. Full wafer processing by multiple passes through a combinatorial reactor
US9268231B2 (en) * 2012-04-10 2016-02-23 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium
CN106575084B (zh) * 2014-07-04 2019-11-01 Asml荷兰有限公司 光刻设备以及使用光刻设备制造器件的方法
US9405287B1 (en) * 2015-07-22 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for optical calibration of wafer placement by a robot
CN109143768A (zh) * 2018-09-13 2019-01-04 杭州行开科技有限公司 一种适于激光投影的裸眼3d显示系统
CN116802565A (zh) * 2021-02-03 2023-09-22 应用材料公司 用于稳定投射设备的气动控制挠曲系统
US11543754B1 (en) * 2021-06-16 2023-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extractor piping on outermost sidewall of immersion hood apparatus

Family Cites Families (228)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US273683A (en) * 1883-03-06 John f
US181859A (en) * 1876-09-05 Improvement in warming floors
US279795A (en) * 1883-06-19 Paper-weight
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
DE2102922C3 (de) * 1971-01-22 1978-08-24 Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar Anordnung zum selbsttätigen Fokussieren auf in optischen Geräten zu betrachtende Objekte
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS5822299A (ja) * 1981-07-29 1983-02-09 日産自動車株式会社 フオ−クリフト
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
US4441808A (en) * 1982-11-15 1984-04-10 Tre Semiconductor Equipment Corp. Focusing device for photo-exposure system
DD242880A1 (de) * 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) * 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) * 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US4837443A (en) 1987-10-15 1989-06-06 The Perkin-Elmer Corporation Guard ring for a differentially pumped seal apparatus
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系
JP3374413B2 (ja) * 1992-07-20 2003-02-04 株式会社ニコン 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3212199B2 (ja) 1993-10-04 2001-09-25 旭硝子株式会社 平板型陰極線管
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JPH08136475A (ja) 1994-11-14 1996-05-31 Kawasaki Steel Corp 板状材の表面観察装置
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH09148235A (ja) * 1995-11-22 1997-06-06 Nikon Corp 走査型投影露光装置
US5707535A (en) 1996-01-11 1998-01-13 Harris; Ronald B. Vacuum loadable divided phase separator for liquid/solid separation
JPH103039A (ja) 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP3227595B2 (ja) 1996-08-20 2001-11-12 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
US6104687A (en) * 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
CN1244020C (zh) 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光装置
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP3728613B2 (ja) 1996-12-06 2005-12-21 株式会社ニコン 走査型露光装置の調整方法及び該方法を使用する走査型露光装置
KR100512450B1 (ko) 1996-12-24 2006-01-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 두개의물체홀더를가진이차원적으로안정화된위치설정장치와이런위치설정장치를구비한리소그래픽장치
JP3626504B2 (ja) 1997-03-10 2005-03-09 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ 2個の物品ホルダを有する位置決め装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) * 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) * 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US20010003028A1 (en) * 1997-09-19 2001-06-07 Nikon Corporation Scanning Exposure Method
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11176727A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
JPH11260791A (ja) 1998-03-10 1999-09-24 Toshiba Mach Co Ltd 半導体ウエハの乾燥方法および乾燥装置
WO1999049504A1 (fr) * 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US5997963A (en) * 1998-05-05 1999-12-07 Ultratech Stepper, Inc. Microchamber
JP2000058436A (ja) * 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2000076707A (ja) * 1998-08-31 2000-03-14 Sony Corp 光学記録媒体作製用原盤記録装置
EP1143492A4 (en) * 1998-09-03 2004-06-02 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND METHOD, DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAID APPARATUS
EP1052552A3 (en) 1999-04-19 2003-03-12 ASML Netherlands B.V. Gas bearings for use with vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP3653198B2 (ja) 1999-07-16 2005-05-25 アルプス電気株式会社 乾燥用ノズルおよびこれを用いた乾燥装置ならびに洗浄装置
JP2001118773A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
TWI264617B (en) * 1999-12-21 2006-10-21 Asml Netherlands Bv Balanced positioning system for use in lithographic apparatus
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6995930B2 (en) 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP3630054B2 (ja) 2000-01-11 2005-03-16 松下電器産業株式会社 プリント配線板の製造装置およびそれを用いたプリント配線板の製造方法
TW579664B (en) 2000-01-11 2004-03-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Apparatus and method for manufacturing printed circuit board
US7000622B2 (en) 2002-09-30 2006-02-21 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a bevel edge of a substrate using a dynamic liquid meniscus
US6488040B1 (en) * 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
CN1462471A (zh) * 2000-09-21 2003-12-17 株式会社尼康 成像特性的测量方法和曝光方法
JP2002134384A (ja) * 2000-10-20 2002-05-10 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US20020080339A1 (en) * 2000-12-25 2002-06-27 Nikon Corporation Stage apparatus, vibration control method and exposure apparatus
US6731372B2 (en) 2001-03-27 2004-05-04 Nikon Corporation Multiple chamber fluid mount
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
US7032658B2 (en) 2002-01-31 2006-04-25 Smart Drilling And Completion, Inc. High power umbilicals for electric flowline immersion heating of produced hydrocarbons
JP2003124180A (ja) 2001-10-16 2003-04-25 Ebara Corp 基板処理装置
US6811613B2 (en) 2001-11-26 2004-11-02 Tokyo Electron Limited Coating film forming apparatus
US6764386B2 (en) * 2002-01-11 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Air bearing-sealed micro-processing chamber
EP1480258A4 (en) * 2002-01-29 2005-11-09 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND EXPOSURE METHOD
WO2003066246A1 (en) 2002-02-06 2003-08-14 Akrion, Llc Capillary drying of substrates
US7092069B2 (en) 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
JP2004029063A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Adtec Engineeng Co Ltd 密着型露光装置
JP2005536775A (ja) 2002-08-23 2005-12-02 株式会社ニコン 投影光学系、フォトリソグラフィ方法および露光装置、並びに露光装置を用いた方法
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6988327B2 (en) * 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus
US7383843B2 (en) 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US7520285B2 (en) 2002-09-30 2009-04-21 Lam Research Corporation Apparatus and method for processing a substrate
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7198055B2 (en) 2002-09-30 2007-04-03 Lam Research Corporation Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
EP1420298B1 (en) * 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420300B1 (en) * 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101382738B (zh) 2002-11-12 2011-01-12 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
SG135052A1 (en) * 2002-11-12 2007-09-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100588124B1 (ko) 2002-11-12 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1420299B1 (en) * 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
KR101101737B1 (ko) 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
KR20130010039A (ko) 2002-12-10 2013-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US6992750B2 (en) 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
KR20120127755A (ko) 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
CN100370533C (zh) 2002-12-13 2008-02-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置
EP1579435B1 (en) 2002-12-19 2007-06-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
EP1732075A3 (en) 2002-12-19 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US7010958B2 (en) 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
JP4352930B2 (ja) 2003-02-26 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
SG2012087615A (en) 2003-02-26 2015-08-28 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
JP4353179B2 (ja) * 2003-03-25 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
ATE426914T1 (de) 2003-04-07 2009-04-15 Nikon Corp Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
WO2004093159A2 (en) * 2003-04-09 2004-10-28 Nikon Corporation Immersion lithography fluid control system
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
KR101323993B1 (ko) * 2003-04-10 2013-10-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
KR20180089562A (ko) * 2003-04-10 2018-08-08 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
ATE449982T1 (de) 2003-04-11 2009-12-15 Nikon Corp Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie
SG194264A1 (en) 2003-04-11 2013-11-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
WO2004095135A2 (en) 2003-04-17 2004-11-04 Nikon Corporation Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography
JP2004321968A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Nec Corp 廃棄物処理システムおよび廃棄物処理方法
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2270599A1 (en) 2003-05-13 2011-01-05 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
TW201515064A (zh) 2003-05-23 2015-04-16 尼康股份有限公司 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
JP2004349645A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
TWI442694B (zh) * 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
DE10324477A1 (de) 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
TWI515769B (zh) 2003-06-19 2016-01-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1639391A4 (en) 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF FLUIDS SPECIFIED ISOTOPICALLY AS OPTICAL ELEMENTS
US6919647B2 (en) * 2003-07-03 2005-07-19 American Semiconductor, Inc. SRAM cell
JP4835155B2 (ja) 2003-07-09 2011-12-14 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7700267B2 (en) 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR101238114B1 (ko) 2003-09-03 2013-02-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4378136B2 (ja) * 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050069499A1 (en) * 2003-09-25 2005-03-31 Moshe Arkin Foamable compositions, processes of preparing same and uses thereof
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
EP1519230A1 (en) 2003-09-29 2005-03-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4515209B2 (ja) 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP4513299B2 (ja) 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
JP2005159322A (ja) 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
WO2005050324A2 (en) 2003-11-05 2005-06-02 Dsm Ip Assets B.V. A method and apparatus for producing microchips
US7924397B2 (en) 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
US8854602B2 (en) 2003-11-24 2014-10-07 Asml Netherlands B.V. Holding device for an optical element in an objective
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
WO2005059617A2 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having a high aperture and a planar end surface
US7385764B2 (en) 2003-12-15 2008-06-10 Carl Zeiss Smt Ag Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
JP2005183744A (ja) 2003-12-22 2005-07-07 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
CN102169226B (zh) 2004-01-14 2014-04-23 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
KR101233879B1 (ko) 2004-01-16 2013-02-15 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
KR101204157B1 (ko) 2004-01-20 2012-11-22 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 마이크로 리소그래픽 투영 노광 장치 및 그 투영 렌즈를 위한 측정 장치
US7026259B2 (en) 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
EP1723467A2 (en) 2004-02-03 2006-11-22 Rochester Institute of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
WO2005076084A1 (en) 2004-02-09 2005-08-18 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1714192A1 (en) 2004-02-13 2006-10-25 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2007523383A (ja) 2004-02-18 2007-08-16 コーニング インコーポレイテッド 深紫外光による大開口数結像のための反射屈折結像光学系
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7688421B2 (en) 2004-06-17 2010-03-30 Nikon Corporation Fluid pressure compensation for immersion lithography lens
US7057702B2 (en) * 2004-06-23 2006-06-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7426014B2 (en) 2004-07-01 2008-09-16 Nikon Corporation Dynamic fluid control system for immersion lithography
US7701550B2 (en) * 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355674B2 (en) 2004-09-28 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
US7161654B2 (en) 2004-12-02 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7265813B2 (en) 2004-12-28 2007-09-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012129563A5 (ja) 露光装置及び露光方法
JP2010183085A5 (ja)
JP2012129556A5 (ja) 露光装置、デバイス製造方法、及び露光方法。
JP2011258965A5 (ja) 露光装置
JP2010093302A5 (ja)
JP2012164995A5 (ja) 露光装置、露光方法、デバイス製造方法
JP2015528132A5 (ja)
JP2012134553A5 (ja) 露光装置、液体検出方法、及びデバイス製造方法
JP2011223036A5 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2017027088A5 (ja)
JP2012164996A5 (ja) 露光装置、デバイス製造方法、及びクリーニング方法
JP2012134552A5 (ja) ノズル部材、露光装置、デバイス製造方法、及び露光方法。
JP2010199574A5 (ja)
JP2012134555A5 (ja) 液浸部材、液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法
JP2015015503A5 (ja)
TW200921294A (en) Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
JP2012142592A5 (ja) 露光装置、ステージの制御方法
JP2012138624A5 (ja) 液浸リソグラフィ装置、及び洗浄方法
JP2011109147A5 (ja) 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2014169475A5 (ja)
JP2012074729A5 (ja) 液浸露光装置、液浸露光方法、及びデバイス製造方法
JP2012138619A5 (ja) 液浸露光装置、液浸露光方法、デバイス製造方法、及び液浸露光装置の製造方法
JP2013049926A5 (ja) 蒸発原材料を送出するための装置
JP2006270057A5 (ja)
JP2007201452A (ja) 液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置、ウェーハ・チャック・アセンブリ、および、方法