JP2010118684A - 位置計測方法、位置制御方法、計測方法、ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 所定形状のプレート50が着脱可能に搭載された移動体WSTの位置をその移動座標系を規定する計測装置18等で計測しつつ、プレート50の一部をアライメント系ALGで検出するとともにその検出結果と対応する前記計測装置の計測結果とに基づいてプレート50の外周エッジの位置情報を取得する。このため、その移動体WST上に位置計測用のマーク(基準マーク)などが存在しなくても、プレートの外周エッジの位置情報に基づいて、プレートの位置、すなわち移動体の位置を前記計測装置で規定される移動座標系上で管理することが可能になる。
【選択図】図1
Description
a.最小領域中心法(MZC):開口の輪郭を2つの同心円ではさんだ時、同心円の半径差が最小になる中心、b.最小二乗中心法(LSC):最小二乗平均円(基準円からの偏差の二乗和が最小となる円)の中心、c.最小外接円中心法(MCC):開口の輪郭に最小で外接する円の中心、d.最大内接円中心法(MIC):開口の輪郭に最大で内接する円の中心。
Claims (57)
- 移動体上に着脱可能に搭載された所定形状のプレートの位置情報を計測する位置計測方法であって、
前記移動体の位置をその移動座標系を規定する計測装置で計測しつつ、前記プレートの一部を検出するとともにその検出結果と対応する前記計測装置の計測結果とに基づいて前記プレートの外周エッジの位置情報を取得する外周エッジ位置取得工程を含む位置計測方法。 - 請求項1に記載の位置計測方法において、
前記外周エッジ位置取得工程は、前記プレートの外周エッジ及び該外周エッジとの位置関係が既知の前記プレート上の目印の少なくとも一方を撮像する撮像工程と、前記撮像結果に基づいて画像処理の手法により前記外周エッジの位置情報を取得する画像処理工程とを含むことを特徴とする位置計測方法。 - 請求項2に記載の位置計測方法において、
前記撮像工程では、前記プレートの複数箇所で前記外周エッジ及び前記目印の少なくとも一方を撮像することを特徴とする位置計測方法。 - 請求項3に記載の位置計測方法において、
前記撮像工程では、前記プレートの中心に関して対称な少なくとも2箇所を含む複数箇所で前記外周エッジ及び前記目印の少なくとも一方を撮像することを特徴とする位置計測方法。 - 請求項3に記載の位置計測方法において、
前記プレートの外周は矩形であり、
前記撮像工程では、前記矩形のプレートの一側の外周エッジの1箇所と、その外周エッジと相対する他側の外周エッジの1箇所とを含む前記外周エッジの複数箇所を撮像することを特徴とする位置計測方法。 - 請求項1に記載の位置計測方法において、
前記プレートと前記移動体との位置関係を取得する取得工程をさらに含む位置計測方法。 - 請求項1に記載の位置計測方法において、
前記移動体は、露光対象の物体が載置される露光ステージであることを特徴とする位置計測方法。 - 請求項1に記載の位置計測方法において、
前記移動体は、少なくとも一つの計測部材が設けられる計測ステージであることを特徴とする位置計測方法。 - 請求項1に記載の位置計測方法において、
前記プレートは、前記移動体上に撥液面を形成することを特徴とする位置計測方法。 - 請求項9に記載の位置計測方法において、
前記移動体上に、液浸領域が形成されることを特徴とする位置計測方法。 - 請求項1に記載の位置計測方法において、
前記移動体は反射面を有し、前記計測装置は前記移動体の反射面を使って前記移動体の位置を計測する干渉計システムを含むことを特徴とする位置計測方法。 - プレートが着脱可能に搭載された移動体の位置を制御する位置制御方法であって、
請求項1〜11のいずれか一項に記載の位置計測方法を用いて計測された前記プレートの外周エッジの位置情報に基づいて、前記移動体の位置を制御することを特徴とする位置制御方法。 - 請求項12に記載の位置制御方法を用いる露光装置。
- 請求項13に記載の露光装置を用いるリソグラフィ工程を含むデバイス製造方法。
- 移動体上に着脱可能に搭載され、物体を載置するための開口が形成されたプレートに関する情報を計測する計測方法であって、
前記プレートの一部を検出し、その検出結果に基づいて前記開口の内周エッジの位置情報を取得する内周エッジ位置取得工程を含む計測方法。 - 請求項15に記載の計測方法において、
前記内周エッジの位置情報に基づいて前記開口の位置を算出する位置算出工程をさらに含む計測方法。 - 請求項15に記載の計測方法において、
前記内周エッジの位置情報に基づいて前記開口の形状を算出する形状算出工程をさらに含む計測方法。 - 請求項17に記載の計測方法において、
前記開口は、円形であり、
前記形状算出工程では、少なくとも前記開口の真円度の算出が行われることを特徴とする計測方法。 - 請求項15に記載の計測方法において、
前記内周エッジ位置取得工程においては、前記プレートの一部の検出は、前記移動体の位置をその移動座標系を規定する計測装置で計測しつつ行われ、その検出結果と対応する前記計測装置の計測結果とに基づいて前記開口の内周エッジの複数箇所の位置情報が取得されることを特徴とする計測方法。 - 請求項19に記載の計測方法において、
前記移動体は反射面を有し、前記計測装置は前記移動体の反射面を用いて前記移動体の位置を計測する干渉計システムを含むことを特徴とする計測方法。 - 請求項15に記載の計測方法において、
前記内周エッジ位置取得工程は、前記プレートの前記開口の内周エッジ及び該内周エッジとの位置関係が既知の前記プレート上の目印の少なくとも一方を撮像する撮像工程と、前記撮像結果に基づいて画像処理の手法により前記内周エッジの位置情報を取得する画像処理工程とを含むことを特徴とする計測方法。 - 請求項21に記載の計測方法において、
前記撮像工程では、前記開口の中心に関してほぼ対称な少なくとも2箇所を含む複数箇所で前記内周エッジ及び前記目印の少なくとも一方を撮像することを特徴とする計測方法。 - 請求項15に記載の計測方法において、
前記プレートは、前記移動体上に撥液面を形成することを特徴とする計測方法。 - 請求項23に記載の計測方法において、
前記移動体上に、液浸領域が形成されることを特徴とする計測方法。 - 物体を載置するための開口を有するプレートが着脱可能に搭載された移動体上に物体をロードするロード方法において、
請求項15〜24のいずれか一項に記載の計測方法を用いて取得された前記プレートの開口の内周エッジの位置情報に基づいて、前記物体を前記移動体上の前記プレートの開口内にロードすることを特徴とするロード方法。 - 請求項25に記載のロード方法において、
前記物体の外周エッジと前記開口の内周エッジとが接触しないように、且つ前記物体の外周エッジと前記開口の内周エッジとの間隔が所定値より小さくなるように、前記プレートの開口の内周エッジの位置情報に基づいて、前記物体を前記移動体上の前記プレートの開口内にロードすることを特徴とするロード方法。 - 物体を露光する露光方法であって、
請求項25に記載のロード方法を用いて、前記移動体上の前記プレートの開口内に前記物体をロードする工程と;
前記移動体上にロードされた前記物体に露光ビームを照射する工程と;
を含む露光方法。 - 請求項27に記載の露光方法を用いるリソグラフィ工程を含むデバイス製造方法。
- 移動体上端部の凹部内に被処理物体をロードするロード方法であって、
前記移動体上の凹部内に物体を載置する工程と;
前記凹部の内周エッジと、その凹部内に載置された前記物体との位置関係の情報を取得する取得工程と;を含むロード方法。 - 請求項29に記載のロード方法において、
前記位置関係の情報に基づいて、前記被処理物体と前記移動体との位置関係を調整して、前記移動体の前記凹部内に前記被処理物体をロードする工程をさらに含むロード方法。 - 請求項30に記載のロード方法において、
前記移動体の凹部内にロードされた前記被処理物体の外周エッジと前記凹部の内周エッジとの間隔を計測する工程をさらに含むロード方法。 - 請求項29に記載のロード方法において、
前記位置関係の情報を取得するために前記移動体上の凹部内に載置される物体は、前記被処理物体よりも小径の工具用基板を含むことを特徴とするロード方法。 - 請求項29に記載のロード方法において、
前記取得工程は、前記凹部の内周エッジの位置情報を取得する内周エッジ取得工程と、前記物体の外周エッジの位置情報を取得する外周エッジ取得工程とを含むことを特徴とするロード方法。 - 請求項33に記載のロード方法において、
前記凹部の内周エッジは、前記移動体の最上部を構成する着脱可能なプレートに形成された開口の内周エッジであり、
前記内周エッジ取得工程では、前記移動体の位置をその移動座標系を規定する計測装置で計測しつつ、前記プレートの一部が撮像されるとともに、その撮像結果と対応する前記計測装置の計測結果とに基づいて前記開口の内周エッジの複数箇所の位置情報が取得され、
前記外周エッジ取得工程では、前記移動体の位置を前記計測装置で計測しつつ、前記凹部内に載置された物体の一部が撮像されるとともに、その撮像結果と対応する前記計測装置の計測結果とに基づいて前記凹部内に載置された前記物体の外周エッジの複数箇所の位置情報が取得され、
前記位置関係の情報は、前記内周エッジの位置情報から取得された前記開口の中心位置と、前記外周エッジの位置情報から取得された前記物体の中心位置とのずれの情報を含むことを特徴とするロード方法。 - 請求項34に記載のロード方法において、
前記移動体は反射面を有し、前記計測装置は前記移動体の反射面を使って前記移動体の位置を計測する干渉計システムを含むことを特徴とするロード方法。 - 請求項34に記載のロード方法において、
前記プレートは、前記移動体の上端に撥液面を形成することを特徴とするロード方法。 - 請求項36に記載のロード方法において、
前記移動体上に、液浸領域が形成されることを特徴とするロード方法。 - 請求項29に記載のロード方法において、
前記被処理物体の外周エッジと前記凹部の内周エッジとが接触しないように、且つ前記被処理物体の外周エッジと前記凹部の内周エッジとの間隔が所定値より小さくなるように、前記被処理物体を前記移動体の凹部内にロードすることを特徴とするロード方法。 - 被処理物体を露光する露光方法であって、
請求項29〜38のいずれか一項に記載のロード方法を用いて、前記移動体上の凹部内に前記被処理物体を載置する工程と;
前記移動体の前記凹部内に載置された前記被処理物体に露光ビームを照射する工程と;
を含む露光方法。 - 請求項39に記載の露光方法を用いるリソグラフィ工程を含むデバイス製造方法。
- 物体上に露光ビームを照射する露光装置であって、
所定形状のプレートが着脱可能に搭載された第1ステージと;
前記第1ステージの位置を計測する位置計測系と;
前記第1ステージの一部を検出可能な検出装置と;
前記第1ステージの位置を前記位置計測系を用いて計測しつつ、前記検出装置を用いて前記プレートの一部を検出するとともに、その検出結果と対応する前記位置計測系の計測結果とに基づいて前記プレートの外周エッジの位置情報を取得する外周エッジ位置取得装置と;を備える露光装置。 - 請求項41に記載の露光装置において、
前記第1ステージは、前記物体を保持する露光ステージを含み、
前記プレートの表面は、前記露光ステージに保持された物体の表面とほぼ面一であることを特徴とする露光装置。 - 請求項41に記載の露光装置において、
前記第1ステージは、少なくとも一つの計測部材を有する計測ステージを含むことを特徴とする露光装置。 - 請求項41に記載の露光装置において、
前記第1ステージとは独立に移動可能な第2ステージと;
前記第1ステージに搭載されたプレートの外周エッジが前記第2ステージと衝突しないように、前記外周エッジの位置情報に基づいて前記第1ステージの位置と前記第2ステージの位置との少なくとも一方を制御する制御装置と;
をさらに備える露光装置。 - 請求項44に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記位置計測系の計測結果と前記外周エッジの位置情報とに基づいて、前記第1ステージの位置を制御することを特徴とする露光装置。 - 請求項41に記載の露光装置において、
前記第1ステージ上に液体を供給して液浸領域を形成するための液浸機構をさらに備え、
前記液浸機構によって供給される液体を介して前記物体に露光ビームが照射され、
前記プレートによって、前記第1ステージの上面に撥液面が形成されることを特徴とする露光装置。 - 請求項41に記載の露光装置において、
前記検出装置は、前記物体上のアライメントマークの検出にも使用されることを特徴とする露光装置。 - 物体上に露光ビームを照射する露光装置であって、
開口が形成された所定形状のプレートが搭載され、前記開口内に物体が載置される露光ステージと;
前記露光ステージの位置を計測する位置計測系と;
前記露光ステージの一部を検出可能な検出装置と;
前記露光ステージの位置を前記位置計測系を用いて計測しつつ、前記検出装置を用いて前記プレートの一部を検出するとともに、その検出結果と対応する前記位置計測系の計測結果とに基づいて前記開口の内周エッジの位置情報を取得する内周エッジ位置取得装置と;を備える露光装置。 - 請求項48に記載の露光装置において、
前記内周エッジの位置情報に基づいて、前記位置計測系によって規定される座標系と前記開口との位置関係を決定する決定装置を、更に備える露光装置。 - 請求項48に記載の露光装置において、
前記内周エッジの位置情報に基づいて、前記開口の形状を求める形状算出装置をさらに備える露光装置。 - 請求項48に記載の露光装置において、
前記検出装置を用いて、前記露光ステージ上の前記プレートの開口内に載置された物体の外周エッジの位置情報を取得する物体外周エッジ位置取得装置と;
前記開口の内周エッジの位置情報と、前記開口内に載置された物体の外周エッジの位置情報とに基づいて、前記開口内に載置された物体の外周エッジと前記開口の内周エッジとの間隔を計測する間隔計測装置と;をさらに備える露光装置。 - 請求項48に記載の露光装置において、
前記露光ステージに物体を搬送する搬送系と;
前記搬送系により前記露光ステージに物体を搬送するときに、前記内周エッジの位置情報に基づいて、前記露光ステージと前記搬送系の少なくとも一方を制御するステージ制御装置と;をさらに備える露光装置。 - 請求項52に記載の露光装置において、
前記ステージ制御装置は、前記開口の内周エッジと前記物体の外周エッジとが接触しないように、且つ前記開口の内周エッジと前記物体の外周エッジとの間隔が所定の値より小さくなるように、前記露光ステージと前記搬送系との少なくとも一方を制御することを特徴とする露光装置。 - 請求項48に記載の露光装置において、
前記露光ステージ上に液体を供給して液浸領域を形成するための液浸機構をさらに備え、
前記液浸機構によって供給される液体を介して前記物体に露光ビームが照射され、
前記プレートによって、前記露光ステージの表面に撥液面が形成されていることを特徴とする露光装置。 - 請求項48に記載の露光装置において、
前記露光ステージ上に載置された物体の表面と、前記露光ステージに搭載されたプレートの表面とはほぼ面一であることを特徴とする露光装置。 - 請求項48に記載の露光装置において、
前記検出装置は、前記物体上のアライメントマークの検出にも使用されることを特徴とする露光装置。 - 請求項41〜56のいずれか一項に記載の露光装置を用いるリソグラフィ工程を含むデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010022152A JP4986187B2 (ja) | 2004-11-18 | 2010-02-03 | 計測方法、ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004335050 | 2004-11-18 | ||
JP2004335050 | 2004-11-18 | ||
JP2010022152A JP4986187B2 (ja) | 2004-11-18 | 2010-02-03 | 計測方法、ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006545156A Division JP4877653B2 (ja) | 2004-11-18 | 2005-11-18 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012016376A Division JP5403296B2 (ja) | 2004-11-18 | 2012-01-30 | ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2012016374A Division JP5392512B2 (ja) | 2004-11-18 | 2012-01-30 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2012016375A Division JP5447545B2 (ja) | 2004-11-18 | 2012-01-30 | ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010118684A true JP2010118684A (ja) | 2010-05-27 |
JP4986187B2 JP4986187B2 (ja) | 2012-07-25 |
Family
ID=36407218
Family Applications (14)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006545156A Expired - Fee Related JP4877653B2 (ja) | 2004-11-18 | 2005-11-18 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2010022152A Expired - Fee Related JP4986187B2 (ja) | 2004-11-18 | 2010-02-03 | 計測方法、ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2011060379A Expired - Fee Related JP5630345B2 (ja) | 2004-11-18 | 2011-03-18 | 駆動方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
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JP2012016375A Expired - Fee Related JP5447545B2 (ja) | 2004-11-18 | 2012-01-30 | ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2012016374A Active JP5392512B2 (ja) | 2004-11-18 | 2012-01-30 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014067492A Active JP5721064B2 (ja) | 2004-11-18 | 2014-03-28 | リソグラフィ投影装置、オフセットを決定するための方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014258841A Expired - Fee Related JP5900763B2 (ja) | 2004-11-18 | 2014-12-22 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015225270A Expired - Fee Related JP5967393B2 (ja) | 2004-11-18 | 2015-11-18 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004009A Expired - Fee Related JP6143135B2 (ja) | 2004-11-18 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016123789A Expired - Fee Related JP6229766B2 (ja) | 2004-11-18 | 2016-06-22 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2017096125A Expired - Fee Related JP6399321B2 (ja) | 2004-11-18 | 2017-05-15 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018005442A Expired - Fee Related JP6555554B2 (ja) | 2004-11-18 | 2018-01-17 | 露光装置及び露光方法、並びに半導体デバイス製造方法 |
JP2019008324A Pending JP2019066887A (ja) | 2004-11-18 | 2019-01-22 | 露光装置及び露光方法、並びに半導体デバイス製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006545156A Expired - Fee Related JP4877653B2 (ja) | 2004-11-18 | 2005-11-18 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (12)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011060379A Expired - Fee Related JP5630345B2 (ja) | 2004-11-18 | 2011-03-18 | 駆動方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2012016376A Expired - Fee Related JP5403296B2 (ja) | 2004-11-18 | 2012-01-30 | ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2012016375A Expired - Fee Related JP5447545B2 (ja) | 2004-11-18 | 2012-01-30 | ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2012016374A Active JP5392512B2 (ja) | 2004-11-18 | 2012-01-30 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014067492A Active JP5721064B2 (ja) | 2004-11-18 | 2014-03-28 | リソグラフィ投影装置、オフセットを決定するための方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014258841A Expired - Fee Related JP5900763B2 (ja) | 2004-11-18 | 2014-12-22 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2015225270A Expired - Fee Related JP5967393B2 (ja) | 2004-11-18 | 2015-11-18 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004009A Expired - Fee Related JP6143135B2 (ja) | 2004-11-18 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016123789A Expired - Fee Related JP6229766B2 (ja) | 2004-11-18 | 2016-06-22 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2017096125A Expired - Fee Related JP6399321B2 (ja) | 2004-11-18 | 2017-05-15 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018005442A Expired - Fee Related JP6555554B2 (ja) | 2004-11-18 | 2018-01-17 | 露光装置及び露光方法、並びに半導体デバイス製造方法 |
JP2019008324A Pending JP2019066887A (ja) | 2004-11-18 | 2019-01-22 | 露光装置及び露光方法、並びに半導体デバイス製造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (12) | US8059260B2 (ja) |
EP (4) | EP2772803A1 (ja) |
JP (14) | JP4877653B2 (ja) |
KR (10) | KR101670571B1 (ja) |
CN (5) | CN104360582B (ja) |
HK (7) | HK1198211A1 (ja) |
IL (3) | IL183280A0 (ja) |
SG (4) | SG10201505315UA (ja) |
TW (8) | TWI393170B (ja) |
WO (1) | WO2006054682A1 (ja) |
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- 2005-11-17 TW TW94140383A patent/TWI393170B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-11-17 TW TW102100681A patent/TWI536429B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-11-17 TW TW107122135A patent/TW201837984A/zh unknown
- 2005-11-17 TW TW106143378A patent/TWI649790B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-11-17 TW TW102105974A patent/TWI538013B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-11-17 TW TW105113026A patent/TWI588872B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-11-17 TW TW102108435A patent/TWI553703B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-11-17 TW TW106115617A patent/TWI654661B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-11-18 SG SG10201505315UA patent/SG10201505315UA/en unknown
- 2005-11-18 EP EP20140160957 patent/EP2772803A1/en not_active Withdrawn
- 2005-11-18 US US11/281,544 patent/US8059260B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-18 KR KR1020147034572A patent/KR101670571B1/ko active IP Right Grant
- 2005-11-18 CN CN201410601494.9A patent/CN104360582B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-18 KR KR1020127011290A patent/KR101421850B1/ko active IP Right Grant
- 2005-11-18 KR KR1020187014038A patent/KR20180054934A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-11-18 KR KR1020137004445A patent/KR101437298B1/ko active IP Right Grant
- 2005-11-18 EP EP18157586.1A patent/EP3346486A1/en not_active Withdrawn
- 2005-11-18 CN CN201310020243.7A patent/CN103186057B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-18 KR KR1020137031881A patent/KR101493641B1/ko active IP Right Grant
- 2005-11-18 SG SG2014009179A patent/SG2014009179A/en unknown
- 2005-11-18 CN CN2005800387259A patent/CN101057316B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-18 CN CN201310020294.XA patent/CN103149802B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-18 KR KR1020147017359A patent/KR101578629B1/ko active IP Right Grant
- 2005-11-18 SG SG200907689-4A patent/SG157404A1/en unknown
- 2005-11-18 KR KR1020127011289A patent/KR101421849B1/ko active IP Right Grant
- 2005-11-18 WO PCT/JP2005/021214 patent/WO2006054682A1/ja active Application Filing
- 2005-11-18 CN CN201310020306.9A patent/CN103149803B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-18 SG SG2014009153A patent/SG2014009153A/en unknown
- 2005-11-18 EP EP05807063.2A patent/EP1821336B1/en not_active Not-in-force
- 2005-11-18 EP EP20140161585 patent/EP2772804A1/en not_active Withdrawn
- 2005-11-18 KR KR1020077004097A patent/KR101452483B1/ko active IP Right Grant
- 2005-11-18 KR KR1020167035238A patent/KR101861949B1/ko active IP Right Grant
- 2005-11-18 JP JP2006545156A patent/JP4877653B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-18 KR KR1020157025656A patent/KR101689100B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-04-04 US US11/730,915 patent/US20070216893A1/en not_active Abandoned
- 2007-05-17 IL IL183280A patent/IL183280A0/en not_active IP Right Cessation
- 2007-08-27 HK HK14111241A patent/HK1198211A1/xx unknown
- 2007-08-27 HK HK14111240A patent/HK1198210A1/xx unknown
-
2008
- 2008-02-19 US US12/071,262 patent/US8072578B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-19 US US12/071,254 patent/US8054465B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-19 US US12/071,261 patent/US20080151267A1/en not_active Abandoned
-
2010
- 2010-02-03 JP JP2010022152A patent/JP4986187B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-05 US US12/701,014 patent/US8576379B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-18 JP JP2011060379A patent/JP5630345B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-01-30 JP JP2012016376A patent/JP5403296B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-30 JP JP2012016375A patent/JP5447545B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-30 JP JP2012016374A patent/JP5392512B2/ja active Active
- 2012-08-29 IL IL221688A patent/IL221688A/en not_active IP Right Cessation
- 2012-08-29 IL IL221687A patent/IL221687A/en not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-07-09 HK HK13108043.5A patent/HK1182460A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2013-07-09 HK HK13108034.6A patent/HK1182459A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-07-18 HK HK13108455.6A patent/HK1182185A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-08-12 US US13/964,200 patent/US9348238B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-08-13 US US13/965,352 patent/US9223230B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-08-13 US US13/965,544 patent/US9223231B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-03-28 JP JP2014067492A patent/JP5721064B2/ja active Active
- 2014-12-22 JP JP2014258841A patent/JP5900763B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-08-01 HK HK15107385.1A patent/HK1206822A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2015-09-29 US US14/869,079 patent/US9298108B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-11-18 JP JP2015225270A patent/JP5967393B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-13 JP JP2016004009A patent/JP6143135B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-02-17 US US15/045,956 patent/US9857692B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-06-22 JP JP2016123789A patent/JP6229766B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-05-15 JP JP2017096125A patent/JP6399321B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-11-28 US US15/824,312 patent/US10222708B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-01-17 JP JP2018005442A patent/JP6555554B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2018-09-03 HK HK18111281.5A patent/HK1251949A1/zh unknown
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JP6555554B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びに半導体デバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120406 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120419 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4986187 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |