JPH0961111A - パターン座標測定方法および装置 - Google Patents

パターン座標測定方法および装置

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JPH0961111A
JPH0961111A JP7218430A JP21843095A JPH0961111A JP H0961111 A JPH0961111 A JP H0961111A JP 7218430 A JP7218430 A JP 7218430A JP 21843095 A JP21843095 A JP 21843095A JP H0961111 A JPH0961111 A JP H0961111A
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JP
Japan
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pattern
stage
detecting means
substrate
detecting
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JP7218430A
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Taro Ototake
太朗 乙武
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/002—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring two or more coordinates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Abstract

(57)【要約】 【課題】 測定されたレチクルのパターン座標が露光装
置上に載置された際にも正確に反映されて測定誤差を抑
制する。 【解決手段】 レチクル１を載置するためのＸＹステー
ジ１１と、ＸＹステージ１１の下方に配置され、レチク
ル１のパターンを測定するための対物レンズ２１および
検出光学系２２からなる検出系２３と、ＸＹステージ１
１の位置を検出するためのＸ軸用干渉計１２ａおよびＹ
軸用干渉計１２ｂとから装置を構成する。レチクル１
は、ＸＹステージ１１上にパターン面１ａを下側に向け
て、露光装置に載置されるのと同一の状態で載置され
る。レーザビームをＸＹステージ１１の下方からパター
ン面１ａ上に集光し、パターンエッジからの散乱光を検
出系２３で検出することによりレチクル１のパターンを
検出する。パターンが検出されたときのＸＹステージ１
１の位置をＸ軸用干渉計１２ａおよびＹ軸用干渉計１２
ｂにより読み取る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレチクル等の基板表
面に形成されたパターンの座標位置を測定するパターン
座標測定方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９および図１０は従来のパターン座標
測定装置を示す図である。図９に示すように従来のパタ
ーン座標測定装置は、レチクル１を載置するためのＸＹ
ステージ１１と、ＸＹステージ１１の上方に配置され、
レチクル１のパターン座標を測定するための対物レンズ
２１および検出光学系２２からなる検出系２３と、ＸＹ
ステージ１１の位置を検出するためのＸ軸用干渉計１２
ａおよびＹ軸用干渉計１２ｂとを備える。ＸＹステージ
１１は不図示の定盤上に固定され、検出系２３は定盤上
に固定された不図示のフレームに対して固定される。こ
のようなパターン座標測定装置において、レチクル１
は、図１０に示すようにＸＹステージ１１上にパターン
面１ａを上側に向けて載置される。そして、レーザビー
ムをパターン面１ａ上に集光し、パターンエッジからの
散乱光を検出系２３により検出することにより、レチク
ルのパターンを検出する。あるいは、検出系をＣＣＤカ
メラとし、パターン像をＣＣＤカメラ撮像面上に結像さ
せてパターン像を表す画像信号を得、この画像信号に対
して画像処理を施すことにより検出する方法も挙げられ
る。
【０００３】そしてこのパターンが検出されたときのＸ
Ｙステージ１１の位置はＸ軸用干渉計１２ａおよびＹ軸
用干渉計１２ｂにより読み取られる。このようにして、
検出系２３により検出されたパターン情報と、干渉計１
２ａ，１２ｂにより読み取られたＸＹステージ１１の位
置の情報とから、レチクル１上の複数のパターン座標を
測定する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たパターン座標測定装置において、レチクルをＸＹステ
ージ上に載置する際、レチクルは自重によりたわむた
め、このたわみの影響によりパターン面が伸縮し、これ
によりパターン座標測定の際、誤差が生じることとな
る。
【０００５】一方、従来のパターン座標測定装置におい
ては、上述したようにパターン面を上側に向けて装置に
載置するものであるが、多くの露光装置（フォトステッ
パ）においてはレチクルのパターン面を下側に向けて載
置するものである。このため、レチクルを載置した際の
たわみによる測定誤差は、パターン座標測定装置と露光
装置とにおいて異なり、これにより、レチクルが露光装
置上に載置されたときの、すなわち露光時のレチクルの
パターン座標を正確に測定できないという問題があっ
た。
【０００６】本発明の目的は、レチクルなどの基板のパ
ターン座標を測定する際に、露光装置上に載置したとき
と同一鉛直方向に被測定パターン面を向けることにより
座標測定時と露光時のパターン座標の測定誤差を最小限
に抑制することができるパターン座標測定方法および装
置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】一実施の形態を示す図１
から図８に対応付けて説明すると、本発明は、表面１ａ
にパターンが形成された基板１を載置台（１１，３１，
４１）上に載置し、載置された基板１のパターンをパタ
ーン検出手段２３により検出することによりパターンの
座標を測定する方法に適用され、基板１のパターン面１
ａを下側に向けて載置台１１上に載置してパターン検出
手段２３でパターンを検出することを特徴とする。
【０００８】図１および図２に示すように、載置台１１
をＸＹステージとし、ＸＹステージ１１の下方に配置さ
れたパターン検出手段２３によりパターン面１ａ側から
パターンを検出し、そのパターン検出時にＸＹステージ
１１の位置を検出することによりパターンの座標を測定
するようにしてもよい。また、図３および図４に示すよ
うに、載置台３１の下方に配設されたＸＹステージ１１
上にパターン検出手段２３を載置し、パターン検出手段
２３によりパターン面１ａ側からパターンを検出し、そ
のパターン検出時にＸＹステージ１１の位置を検出する
ことによりパターンの座標を測定するようにしてもよ
い。さらに、図５および図６に示すように、表面にパタ
ーンが形成された基板１をＸステージ４１上でパターン
面１ａが下側に向けられた状態で載置し、Ｘステージ４
１の下方に配設されたＹステージ４２上に設置されたパ
ターン検出手段２３によりパターン面１ａ側からパター
ンを検出し、パターン検出手段２３によるパターン検出
時にＸステージ４１およびＹステージ４２の位置を検出
することによりパターンの座標を測定するようにしても
よい。
【０００９】一実施の形態の図１および２に対応づけて
説明すると、請求項７の発明は、表面にパターンが形成
された透明基板１がそのパターン面１ａを下側に向けた
状態で載置されるＸＹステージ１１と、ＸＹステージ１
１の下方に設置されてパターンを基板の表面から検出す
るパターン検出手段２３と、ＸＹステージ１１の位置を
検出する位置検出手段１２ａ，１２ｂとを具備し、パタ
ーン検出手段２３によるパターンの検出時に位置検出手
段１２ａ，１２ｂによりＸＹステージ１１の位置を検出
することによってパターンの座標を測定するものであ
る。
【００１０】一実施の形態の図３および４に対応づけて
説明すると、請求項８の発明は、表面にパターンが形成
された透明基板１がそのパターン面１ａを下側に向けた
状態で載置される載置台３１と、この載置台３１の下方
に設けられたＸＹステージ１１と、ＸＹステージ１１に
設置されてパターンを基板１の表面から検出するパター
ン検出手段２３と、ＸＹステージ１１の位置を検出する
位置検出手段１２ａ，１２ｂとを具備し、パターン検出
手段２３によるパターンの検出時に位置検出手段１２
ａ，１２ｂによりＸＹステージ１１の位置を検出するこ
とによってパターンの座標を測定するものである。
【００１１】また、図７および図８に示すように、表面
にパターンが形成された透明基板１をＸＹステージ１１
上でパターン面１ａが下側に向けられた状態で載置し、
ＸＹステージ１１の上方に設置されたパターン検出手段
２３によりパターン面１ａとは反対側の面からパターン
を検出し、パターン検出手段２３によるパターン検出時
にＸＹステージ１１の位置を検出することによりパター
ンの座標を測定するようにしてもよい。その場合、基板
１のパターン面１ａとパターン検出手段２３との間の光
路長を補正光学系５０で補正するのが好ましい。
【００１２】図７および図８に対応づけて説明すると、
請求項９の発明は、表面にパターンが形成された透明基
板１がそのパターン面１ａを下側に向けた状態で載置さ
れるＸＹステージ１１と、ＸＹステージ１１の上方に設
置されてパターンを基板１の裏面から検出するパターン
検出手段２３と、ＸＹステージ１１の位置を検出する位
置検出手段１２ａ，１２ｂと、ＸＹステージ１１とパタ
ーン検出手段２３との間に配設され、基板１の厚さにか
かわらずパターン面１ａからパターン検出手段２３まで
の光路長がほぼ等しくなるように補正する補正光学系５
０とを具備し、パターン検出手段２３によるパターンの
検出時に位置検出手段１２ａ，１２ｂによりＸＹステー
ジ１１の位置を検出することによってパターンの座標を
測定することを特徴とする。
【００１３】本発明によるパターン座標測定方法および
装置は、基板１のパターン面１ａを下側に向けて載置台
１１に載置するようにしたため、基板１が載置台１１に
載置された状態は、基板１が露光装置上に載置された状
態、すなわち露光時の状態と同一となる。きばん１の裏
面からパターンを検出する場合には、補正光学系５０に
より光路長を補正する。
【００１４】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態について説明する。図１は本発明によるパターン
座標測定方法の第１の実施の形態によるパターン座標測
定装置を示す斜視図、図２は図１に示すパターン座標測
定装置の一部断面図である。図１に示すように本発明の
第１の実施の形態によるパターン座標測定装置は、レチ
クル１を載置するためのＸＹステージ１１と、ＸＹステ
ージ１１の下方に配置され、レチクル１のパターンを検
出するための対物レンズ２１および検出光学系２２から
なる検出系２３と、ＸＹステージ１１の位置を検出する
ためのＸ軸用干渉計１２ａおよびＹ軸用干渉計１２ｂと
を備える。検出系２３は不図示の定盤上に固定され、Ｘ
Ｙステージ１１は定盤上に固定された不図示のフレーム
に対して固定される。ＸＹステージ１１の略中央部には
図２に示すように開口部１１ａが形成されている。
【００１６】このようなパターン座標測定装置におい
て、レチクル１は、図２に示すようにＸＹステージ１１
上にパターン面１ａを下側に向けて、露光装置（フォト
ステッパ）に載置されるのと同一の状態で載置される。
すなわち、基板１はそのパターン面１ａを鉛直下方に向
けて載置される。そして、レーザビームをＸＹステージ
１１の下方からパターン面１ａ上に集光し、パターンエ
ッジからの散乱光を検出系２３で検出することによりレ
チクル１のパターンを検出する。
【００１７】そしてこのパターンが検出されたときのＸ
Ｙステージ１１の位置はＸ軸用干渉計１２ａおよびＹ軸
用干渉計１２ｂにより読み取られる。このようにして、
検出系２３により検出されたパターン情報と、干渉計１
２ａ，１２ｂにより読み取られたＸＹステージ１１の位
置の情報とから、レチクル１上の複数のパターン座標を
測定することが可能である。
【００１８】このように、本発明によるパターン座標測
定方法は、レチクル１のパターン面１ａを下方に向け
て、レチクル１が露光装置に載置されるのと同一の状態
でレチクル１のパターン座標を測定するようにしたた
め、測定されたパターンの座標値は、レチクル１が露光
装置に載置されたときのパターンの座標値を正確に示す
こととなる。したがって、本発明によるパターン座標測
定方法により、レチクル１を露光装置に載置した際の重
ね合わせ誤差を正確に測定することができる。
【００１９】次いで、本発明によるパターン座標測定方
法の第２の実施の形態について説明する。図３は本発明
によるパターン座標測定方法の第２の実施の形態による
パターン座標測定装置を示す斜視図、図４は図３に示す
パターン座標測定装置の一部断面図である。図３に示す
ように本発明の第２の実施の形態によるパターン座標測
定装置は、レチクル１を載置するためのホルダ３１と、
ホルダ３１の下方に配置され、レチクル１のパターンを
検出するための対物レンズ２１および検出光学系２２か
らなる検出系２３と、検出系２３が固定されたＸＹステ
ージ１１と、ＸＹステージ１１の位置を検出するための
Ｘ軸用干渉計１２ａおよびＹ軸用干渉計１２ｂとを備え
る。ＸＹステージ１１は不図示の定盤上に固定され、ホ
ルダ３１は定盤上に固定された不図示のフレームに対し
て固定される。ホルダ３１の略中央部には図４に示すよ
うに開口部３１ａが形成されている。
【００２０】このようなパターン座標測定装置におい
て、レチクル１は、図４に示すようにホルダ３１上にパ
ターン面１ａを下側に向けて、露光装置に載置されるの
と同一の状態で載置される。そして、レーザビームをＸ
Ｙステージ１１の下方からパターン面１ａ上に集光し、
パターンエッジからの散乱光を検出系２３で検出するこ
とによりレチクル１のパターンを検出する。
【００２１】そしてこのパターンが検出されたときのＸ
Ｙステージ１１の位置はＸ軸用干渉計１２ａおよびＹ軸
用干渉計１２ｂにより読み取られる。このようにして、
検出系２３により検出されたパターン情報と、干渉計１
２ａ，１２ｂにより読み取られたＸＹステージ１１の位
置の情報とから、レチクル１上の複数のパターン座標を
測定することが可能である。
【００２２】次いで、本発明によるパターン座標測定方
法の第３の実施の形態について説明する。図５は本発明
によるパターン座標測定方法の第３の実施の形態による
パターン座標測定装置を示す斜視図、図６は図５に示す
パターン座標測定装置の一部断面図である。図５に示す
ように本発明の第３の実施の形態によるパターン座標測
定装置は、レチクル１を載置するためのＸステージ４１
と、Ｘステージ４１の下方に配置され、レチクル１のパ
ターンを検出するための対物レンズ２１および検出光学
系２２からなる検出系２３と、検出系２３が固定された
Ｙステージ４２と、Ｘステージ４１の位置を検出するた
めのＸ軸用干渉計１２ａと、Ｙステージ４２の位置を検
出するためのＹ軸用干渉計１２ｂとを備える。Ｙステー
ジ４２は不図示の定盤上に固定され、Ｘステージ４１は
定盤上に固定された不図示のフレームに対して固定され
る。Ｘステージ４１の略中央部には図６に示すように開
口部４１ａが形成されている。
【００２３】このようなパターン座標測定装置におい
て、レチクル１は、図６に示すようにＸステージ４１上
にパターン面１ａを下側に向けて、露光装置に載置され
るのと同一の状態で載置される。そして、レーザビーム
をＸステージ４１の下方からパターン面１ａ上に集光
し、パターンエッジからの散乱光を検出系２３で検出す
ることによりレチクル１のパターンを検出する。
【００２４】そしてこのパターンが検出されたときのＸ
ステージ４１の位置はＸ軸用干渉計１２ａにより、Ｙス
テージ４２の位置はＹ軸用干渉計１２ｂにより読み取ら
れる。このようにして、検出系２３により検出されたパ
ターン情報と、干渉計１２ａ，１２ｂにより読み取られ
たＸステージ４１およびＹステージ４２の位置の情報と
から、レチクル１上の複数のパターン座標を測定するこ
とが可能である。
【００２５】なお、本発明の第３の実施の形態において
は、Ｘステージ４１にレチクル１を載置し、検出系２３
をＹステージ４２に固定するようにしているが、Ｘステ
ージ４１およびＹステージ４２の位置関係を逆、すなわ
ちＹステージ４２を上側となるように配し、Ｘステージ
４１に検出系２３を固定し、Ｙステージ４２にレチクル
１を載置するようにしてもよい。
【００２６】次いで、本発明によるパターン座標測定方
法の第４の実施の形態について説明する。図７は本発明
によるパターン座標測定方法の第４の実施の形態による
パターン座標測定装置を示す斜視図、図８は図４に示す
パターン座標測定装置の一部断面図である。図７に示す
ように本発明の第４の実施の形態によるパターン座標測
定装置は、レチクル１を載置するためのＸＹステージ１
１と、ＸＹステージ１１の上方に配置され、レチクル１
のパターンを検出するための対物レンズ２１および検出
光学系２２からなる検出系２３と、ＸＹステージ１１の
位置を検出するためのＸ軸用干渉計１２ａおよびＹ軸用
干渉計１２ｂと、補正ガラス挿入装置５０とを備える。
ＸＹステージ１１は不図示の定盤上に固定され、検出系
２３は定盤上に固定された不図示のフレームに対して固
定される。
【００２７】ここで、レチクル１の基板には石英等の透
明材料が使用されているため、レチクル１のパターン検
出は、レチクル１の基板を通じて光学的に行うことが可
能である。一方、レチクル１の厚さは通常０．０９イン
チ（２．２９ｍｍ）から０．２５インチ（６．３５ｍ
ｍ）間で複数種類存在する。したがって、光学的な硝路
長はレチクル１の厚さにより変化し、収差が発生する。
よって、この収差を補正するために、補正ガラス挿入装
置５０により補正ガラスを対物レンズ２１の光路上に挿
入する。本実施の形態においては、レチクル１の厚さの
違いに対応するために、補正ガラス挿入装置５０には不
図示のモータ等により回転可能な円板５２に３種類の厚
さの補正ガラス５１ａ，５１ｂ，５１ｃが設けられてい
る。補正ガラス５１ａ，５１ｂ，５１ｃの厚さとして
は、例えば０．２５インチ厚の石英のレチクル１のパタ
ーンを補正ガラスなしで検出する設計とした場合、０．
０９インチ厚の石英のレチクルを測定する場合には、
０．１６インチ（４．０６ｍｍ）の石英の硝路長相当の
厚さとすればよい。
【００２８】このようなパターン座標測定装置におい
て、レチクル１は、図８に示すようにＸＹステージ１１
上にパターン面１ａを下側に向けて、露光装置に載置さ
れるのと同一の状態で載置される。そして、レーザビー
ムをＸＹステージ１１の上方からパターン面１ａ上に集
光し、パターンエッジからの散乱光を検出系２３で検出
することによりレチクル１のパターンを検出する。
【００２９】この際、レチクル１の基板厚さに応じて、
円板５２を回転させて適正な補正ガラス５１ａ，５１
ｂ，５１ｃを対物レンズ２１の光路上に挿入する。
【００３０】そしてこのパターンが検出されたときのＸ
Ｙステージ１１の位置はＸ軸用干渉計１２ａおよびＹ軸
用干渉計１２ｂにより読み取られる。このようにして、
検出系２３により検出されたパターン情報と、干渉計１
２ａ，１２ｂにより読み取られたＸＹステージ１１の位
置の情報とから、レチクル１上の複数のパターン座標を
測定することが可能である。
【００３１】なお、本発明の第４実施の形態において
は、補正ガラスの数を３枚としたが、パターン座標を測
定するレチクル１の厚さに応じて補正ガラスの数を増減
することが可能である。
【００３２】なお、上記各実施の形態においては、レー
ザビームをパターン面１ａ上に集光し、パターンエッジ
からの散乱光を検出系２３で検出することによりレチク
ル１のパターンを検出するようにしているが、検出系２
３をＣＣＤカメラとし、パターン像をＣＣＤカメラ撮像
面上に結像させてパターン像を表す画像信号を得、この
画像信号に対して画像処理を施すことにより検出する方
法によりパターンを検出するようにしてもよい。さら
に、その他の任意のパターン検出方法を用いてもよい。
【００３３】以上実施の形態と請求項との対応におい
て、レチクル１が基板を、ＸＹステージ１１、Ｘステー
ジ４１、およびホルダ３１が載置台を、検出系２３がパ
ターン検出手段を、Ｘ軸用干渉計１２ａおよびＹ軸用干
渉計１２ｂが位置検出手段を、補正ガラス挿入装置５０
が補正光学系をそれぞれ構成する。
【００３４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
るパターン座標測定方法および装置は、レチクルなどの
基板のパターン面を鉛直下方に向けて、基板が露光装置
に載置されるのと同一の状態でパターン座標を測定する
ようにしたため、測定されたパターンの座標値は、基板
が露光装置に載置されたときのパターンの座標値を正確
に示すこととなる。したがって、基板を露光装置に載置
した際の重ね合わせ誤差を正確に測定することが可能と
なる。また、請求項６や９の発明によれば、パターン面
の検出を基板を透過する検出光で行う場合に光路長を補
正できるため、パターン検出手段の配置を基板の上方に
設定しても測定精度に影響を与えない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるパターン座標
測定装置の斜視図
【図２】本発明の第１の実施の形態によるパターン座標
測定装置の一部断面図
【図３】本発明の第２の実施の形態によるパターン座標
測定装置の斜視図
【図４】本発明の第２の実施の形態によるパターン座標
測定装置の一部断面図
【図５】本発明の第３の実施の形態によるパターン座標
測定装置の斜視図
【図６】本発明の第３の実施の形態によるパターン座標
測定装置の一部断面図
【図７】本発明の第４の実施の形態によるパターン座標
測定装置の斜視図
【図８】本発明の第４の実施の形態によるパターン座標
測定装置の一部断面図
【図９】従来のパターン座標測定装置の斜視図
【図１０】従来のパターン座標測定装置の一部断面図
【符号の説明】
１ レチクル（基板） １ａ パターン面 １１ ＸＹステージ １２ａ，１２ｂ 干渉計 ２１ 対物レンズ ２２ 検出光学系 ２３ 検出系 ３１ ホルダ ４１ Ｘステージ ４２ Ｙステージ ５０ 補正ガラス挿入装置 ５１ａ，５１ｂ，５１ｃ 補正ガラス ５２ 円板

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表面にパターンが形成された基板を載置
    台上に載置し、前記載置された基板のパターンをパター
    ン検出手段により検出することにより前記パターンの座
    標を測定する方法において、前記基板のパターン面を下
    側に向けて前記載置台上に載置して前記パターン検出手
    段で前記パターンを検出することを特徴とするパターン
    座標測定方法。
  2. 【請求項２】 前記載置台がＸＹステージであり、前記
    ＸＹステージの下方に配置された前記パターン検出手段
    により前記パターン面側から前記パターンを検出し、そ
    のパターン検出時に前記ＸＹステージの位置を検出する
    ことにより前記パターンの座標を測定することを特徴と
    する請求項１記載のパターン座標測定方法。
  3. 【請求項３】 前記載置台の下方に配設されたＸＹステ
    ージ上に前記パターン検出手段が載置され、前記パター
    ン検出手段により前記パターン面側から前記パターンを
    検出し、そのパターン検出時に前記ＸＹステージの位置
    を検出することにより前記パターンの座標を測定するこ
    とを特徴とする請求項１記載のパターン座標測定方法。
  4. 【請求項４】 表面にパターンが形成された基板をＸス
    テージ上で前記パターン面が下側に向けられた状態で載
    置し、前記Ｘステージの下方に配設されたＹステージ上
    に設置されたパターン検出手段により前記パターン面側
    から前記パターンを検出し、前記パターン検出手段によ
    るパターン検出時に前記ＸステージおよびＹステージの
    位置を検出することにより前記パターンの座標を測定す
    ることを特徴とするパターン座標測定方法。
  5. 【請求項５】 表面にパターンが形成された透明基板を
    ＸＹステージ上で前記パターン面が下側に向けられた状
    態で載置し、前記ＸＹステージの上方に設置されたパタ
    ーン検出手段により前記パターン面とは反対側の面から
    前記パターンを検出し、前記パターン検出手段によるパ
    ターン検出時に前記ＸＹステージの位置を検出すること
    により前記パターンの座標を測定することを特徴とする
    パターン座標測定方法。
  6. 【請求項６】 前記基板のパターン面と前記パターン検
    出手段との間の光路長を補正光学系で補正することを特
    徴とする請求項５記載のパターン座標測定方法。
  7. 【請求項７】 表面にパターンが形成された透明基板が
    そのパターン面を下側に向けた状態で載置されるＸＹス
    テージと、 前記ＸＹステージの下方に設置されて前記パターンを前
    記基板の表面から検出するパターン検出手段と、 前記ＸＹステージの位置を検出する位置検出手段とを具
    備し、 前記パターン検出手段による前記パターンの検出時に前
    記位置検出手段により前記ＸＹステージの位置を検出す
    ることによって前記パターンの座標を測定することを特
    徴とするパターン座標測定装置。
  8. 【請求項８】 表面にパターンが形成された透明基板が
    そのパターン面を下側に向けた状態で載置される載置台
    と、 この載置台の下方に設けられたＸＹステージと、 前記ＸＹステージに設置されて前記パターンを前記基板
    の表面から検出するパターン検出手段と、 前記ＸＹステージの位置を検出する位置検出手段とを具
    備し、 前記パターン検出手段による前記パターンの検出時に前
    記位置検出手段により前記ＸＹステージの位置を検出す
    ることによって前記パターンの座標を測定することを特
    徴とするパターン座標測定装置。
  9. 【請求項９】 表面にパターンが形成された透明基板が
    そのパターン面を下側に向けた状態で載置されるＸＹス
    テージと、 前記ＸＹステージの上方に設置されて前記パターンを前
    記基板の裏面から検出するパターン検出手段と、 前記ＸＹステージの位置を検出する位置検出手段と、 前記ＸＹステージと前記パターン検出手段との間に配設
    され、前記基板の厚さにかかわらず前記パターン面から
    前記パターン検出手段までの光路長がほぼ等しくなるよ
    うに補正する補正光学系とを具備し、 前記パターン検出手段による前記パターンの検出時に前
    記位置検出手段により前記ＸＹステージの位置を検出す
    ることによって前記パターンの座標を測定することを特
    徴とするパターン座標測定装置。
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