JP2016213458A - インプリント装置、基板搬送装置、インプリント方法および物品の製造方法 - Google Patents

インプリント装置、基板搬送装置、インプリント方法および物品の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2016213458A
JP2016213458A JP2016092530A JP2016092530A JP2016213458A JP 2016213458 A JP2016213458 A JP 2016213458A JP 2016092530 A JP2016092530 A JP 2016092530A JP 2016092530 A JP2016092530 A JP 2016092530A JP 2016213458 A JP2016213458 A JP 2016213458A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
imprint
pattern
mold
imprint apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016092530A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6169218B2 (ja
JP2016213458A5 (ja
Inventor
教史 保坂
Kyoji Hosaka
教史 保坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of JP2016213458A publication Critical patent/JP2016213458A/ja
Publication of JP2016213458A5 publication Critical patent/JP2016213458A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6169218B2 publication Critical patent/JP6169218B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7042Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/44Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591Testing optical components
    • G03F7/706Aberration measurement
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715Changing the direction of the conveying path
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Abstract

【課題】 本発明は、基板と基板保持部間の位置ずれを低減できるインプリント装置、基板搬送装置、インプリント方法および物品の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 複数の部分領域において互いに異なる吸着力で基板が吸着された状態で、前記基板上のインプリント材と型とを接触させた後の離型を行い、前記インプリント材にパターンを形成するインプリント装置は、前記複数の部分領域を備えた基板保持部と、前記基板保持部に対する基板の位置ずれを示す計測データを取得する取得部を有し、前記取得した計測データを用いて、前記基板保持部に対して前記パターンが形成される基板の位置決めを行う。【選択図】 図1

Description

本発明は、インプリント装置、基板搬送装置、インプリント方法および物品の製造方法に関する。
半導体デバイス等を製造するための技術として、インプリント技術が知られている。インプリント技術は、パターンが形成された型を用いて、基板上に供給されたインプリント材(樹脂)にパターンを形成する技術である。インプリント技術では、電子線描画装置等を用いてパターンが形成された型(原版)と、基板上に供給されたインプリント材とを接触させる(押印)。次に、型とインプリント材を接触させた状態でインプリント材を硬化させる。そして、硬化したインプリント材と型との間隔を広げること(離型)によってインプリント材にパターンを形成することができる。
インプリント装置内に搬入された基板には、複数のショット領域が形成されている場合がある。各ショット領域に上述の方法でパターンが形成され、基板上の全てのショット領域に対してパターンの形成が終了した後、基板はインプリント装置の外に搬出される。
インプリント装置内に搬入された基板は、基板チャック(基板保持部)により保持される。一般的に基板チャックは、基板の裏側の全面(全領域)を一括で吸着することで基板を保持する。一方で、特許文献1により、基板チャックの吸着領域が複数の部分領域に分けて構成されている基板チャックが知られている。また、特許文献2により、パターンを形成するショット領域等に対応する基板裏面部分を吸着する吸着領域の吸着力を弱め基板が上に凸に変形した状態で離型を行うことで、離型時に樹脂のパターンが倒れる現象を低減する技術が知られている。
ここで、インプリント装置の各部が固定されている定盤等の経時変化、アクチュエータ駆動等による振動、または基板チャックの脱着等の原因により、基板の搬送を行う搬送ハンドと、基板を保持する基板チャックと、の位置関係が変化することがある。その場合、搬送された基板と、基板を保持する基板チャックとの位置がずれる可能性がある。特許文献3では、基板の基板チャックに対する位置ずれ量を検出するために、基板のエッジを計測(観察)する顕微鏡を設けている。この顕微鏡により、基板の基板チャックに対する位置ずれ量を検出し、位置ずれ量に基づいて基板ステージの駆動量を補正して基板のアライメントを行う露光装置が提案されている。
特開2010−098310号公報 特開2012−234913号公報 特開平10−275850号公報
特許文献2において、基板と基板チャックの位置がずれている場合、パターンを形成するショット領域等に対応する吸着領域の吸着力を弱めた状態で離型を行うとき、該ショット領域等と該吸着領域の位置がずれて、倒れるパターンが増加する可能性がある。
また、特許文献3に示す方法では、基板チャックに対する基板の搬送位置の位置ずれの計測値に基づいて基板ステージの駆動量を補正しているだけであり、基板と基板チャック間の位置ずれ量を低減していない。そのため、基板と基板チャックの位置がずれた状態のままである。よって、パターンを形成するショット領域等に対応する吸着領域の吸着力を弱めた状態で離型を行うインプリント装置における上記の離型時に倒れるパターンが増加する問題は解決できない。
そこで、本発明は、基板と基板保持部間の位置ずれを低減できるインプリント装置、基板搬送装置、インプリント方法および物品の製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明の一側面としてのインプリント装置は、複数の部分領域において互いに異なる吸着力で基板が吸着された状態で、前記基板上のインプリント材と型とを接触させた後の離型を行い、前記インプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、前記複数の部分領域を備えた基板保持部と、前記基板保持部に対する基板の位置ずれを示す計測データを取得する取得部を有し、前記取得した計測データを用いて、前記基板保持部に対して前記パターンが形成される基板の位置決めを行うことを特徴とする。
本発明によれば、基板と基板保持部間の位置ずれを低減できるインプリント装置、基板搬送装置、インプリント方法および物品の製造方法を提供することができる。
実施例1に係るインプリント装置の代表的な装置構成を例示した図である。 実施例1に係る搬送ハンド、基板位置合せユニット、基板ステージ等の構成を例示した図である。 実施例1に係る基板位置合せユニットの構成を例示した図である。 実施例1に係る基板チャック等の上面を例示した図である。 実施例1に係る基板チャック等の断面を例示した図である。 実施例1に係る位置合せユニット搬送からインプリント処理までのフローチャートを例示した図である。 実施例1に係る基板ステージ、基板チャック、および計測領域を例示した図である。 実施例1に係る計測領域34−aの画像と接線の拡大図を例示した図である。 実施例1に係る計測領域34−dの画像と接線の拡大図を例示した図である。 実施例1に係る計測領域34−bの画像と接線の拡大図を例示した図である。 実施例1に係る計測領域34−cの画像と接線の拡大図を例示した図である。 実施例1に係る計測領域34−dの画像と基板端部の垂直二等分線の拡大図を例示した図である。 実施例1に係る計測領域34−dの画像と基板チャックの凸部の内周部の垂直二等分線の拡大図を例示した図である。 実施例2に係る位置合せユニット搬送からインプリント処理までのフローチャートを例示した図である。 実施例2に係る被処理基板のショットレイアウトを例示した図である。 実施例3に係る位置合せユニット搬送からインプリント処理までのフローチャートを例示した図である。
以下に、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
図1〜図13を用いて、実施例1に係るインプリント装置について説明する。
図1は実施例1に係るインプリント装置の代表的な装置構成を例示した図である。インプリント装置1は、被処理基板上にモールド(型)の凹凸パターンを形成するインプリント装置である。また、インプリント技術の中でもモールドの凹凸パターンを形成する際に樹脂(インプリント材)を紫外線等の光によって硬化する手法を採用した装置である。図1に示すように、モールド17に対して紫外線を照射する方向に平行な軸をZ軸とし、Z軸に対して直交する方向にX軸およびY軸を定める。なお、インプリント装置1は、紫外線以外の他の波長域の光の照射によって樹脂を硬化させるインプリント装置や、熱エネルギーなどその他のエネルギーによって樹脂を硬化させるインプリント装置であっても良い。
インプリント装置1は、モールド17、照明ユニット2、モールド保持ユニット6、基板保持ユニット11、樹脂塗布ユニット14、アライメント計測ユニット16、制御ユニット10などからなる。基板18はパターンを形成するための被処理基板(半導体ウエハ等)のほか、基板と基板チャックとの位置決め調整を行うための工具基板としても良い。
モールド17は、外周部が矩形で、基板18に対する対向面に、基板18上へ塗布された樹脂に形成する凹凸のパターンが3次元形状に形成された型である。なお、モールド17の材質には石英などの紫外線を透過させる素材が用いられる。
照明ユニット2は、インプリント処理の際に、モールド17に対して紫外線を照射するユニットである。この照明ユニット2は、光源4と、光源から照射された紫外線3をインプリントに適切な光に調整するための複数の光学系と紫外線が基板表面を走査するための走査機構5から構成される。
モールド保持ユニット6は、モールド17を保持および固定し、基板18にモールド17の凹凸パターンを形成するためのユニットである。モールド保持ユニット6は、モールドチャック7、モールドステージ8、モールド形状補正機構9からなる。モールドチャック7は、モールド17を不図示の機械的保持手段によって保持する。また、モールドチャック7は不図示の機械的保持手段によって、モールドステージ8に保持される。モールドステージ8はモールド17の凹凸パターンを基板18に形成する際に基板とモールドの間隔を位置決めするための駆動系であり、モールド17をZ軸方向に上下動させる。また、凹凸パターン形成時には高精度な位置決めが要求されるため、粗動駆動系と微動駆動系など複数の駆動系から構成されていても良い。さらに、Z軸方向だけでなく、X軸方向、Y軸方向、またはθ(Z軸周りの回転)方向位置調整機能、モールドの傾きを補正するためのチルト機能を有していても良い。モールド形状補正機構9は、モールド17の形状を補正するための機構であり、モールドの外周部を取り囲むように複数箇所に設置されている。モールド形状補正機構9は、モールド17の外周部の4つの側面に力を与え変位させることによってモールド17の凹凸パターン形成領域の形状を基板18のショット領域(パターン領域)の形状に整合するように補正することができる。
基板保持ユニット11は、基板18を保持し、パターンの形成時に基板18とモールド17の並進シフトの補正(位置合せ)をするユニットである。基板保持ユニット11は、基板チャック12(基板保持部)を備えた基板ステージ13(移動部)を備える。
基板チャック12は、基板18を基板吸着パッド(基板吸着部)によって保持する。なお、吸着方式は、真空吸着、静電吸着、その他の吸着方式を利用しても良い。また、基板チャック12は、吸着領域が複数の部分領域に分けてあり、複数の部分領域それぞれの吸着力を独立して調整できる。
基板ステージ13は、基板18とモールド17の並進シフトの補正(位置合せ)をするためのX軸方向およびY軸方向に駆動する駆動系である。また、X軸方向とY軸方向の駆動系は、粗動駆動系と微動駆動系など複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Z軸方向の位置調整のための駆動系や、基板18のθ(Z軸周りの回転)方向位置調整機能、基板18の傾きを補正するためのチルト機能を有していても良い。また、基板ステージ13は、基板チャック12をクリーニングや交換等のために脱着できるよう、基板チャック吸着パッド(基板チャック吸着部)によって基板ステージ13に保持する。なお、吸着方式は、真空吸着、静電吸着、その他の吸着方式を利用しても良い。ここで、基板チャック12は機械的な突き当てにより固定されているが、クリーニングや交換等のために脱着した際に、基板ステージ13と基板チャック12との位置がずれる場合がある。
樹脂塗布ユニット14は、基板18に樹脂を塗布するためのユニットである。樹脂塗布ユニット14は、樹脂吐出ノズル(不図示)を有しており、樹脂吐出ノズルから基板18に樹脂15を滴下する。なお、樹脂は紫外線を照射することによって硬化する性質を持つ樹脂を利用する。また、吐出する樹脂の量は、必要となる樹脂厚さや形成するパターン密度などによって決めれば良い。
アライメント計測ユニット16は、基板18、および、モールド17に形成されたアライメントマークを用いて、基板パターン(不図示)とモールドパターン(不図示)のX軸方向およびY軸方向への位置ずれと、形状差を計測するための計測ユニットである。
制御ユニット10は、インプリント装置1を構成する各部の動作、および調整等を制御する制御手段である。例えば、コンピュータなどで構成され、インプリント装置1を構成する各部に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各部の制御を実行し得る。モールド保持ユニット6に構成するモールドステージ8やモールド形状補正機構9、基板保持ユニット11に構成する基板ステージ13、後述の搬送ハンド24(搬送部、基板搬送装置)の制御などを行う。
画像取得装置19(取得部)は、モールド17と基板18上の樹脂15とが接触している領域を含む画像を取得する。画像取得装置19の位置は、モールド保持ユニット6の上方、すなわち紫外線3の照射方向の上流側である。画像取得装置19は、例えばCCDカメラなどの撮像装置であり、該領域の画像情報を取得する。画像取得装置19は、基板18と基板チャック12を含む領域の画像も取得する。なお、該画像を取得するために、画像取得装置19とは別の画像取得装置を構成しても良い。
処理装置20(処理部)は、画像を処理して画像上の物体の位置を検出する。画像取得装置19により取得された画像は、処理装置20により処理され、モールド17と基板18上の樹脂15とが接触している領域の状態を検出する。また、処理装置20は、基板18と基板チャック12のそれぞれの位置を検出し、基板18の基板チャック12に対する位置ずれ量を求める。なお、該位置ずれ量を求めるために、処理装置20とは別の画像処理装置を構成しても良い。また、基板チャック12と基板18間の位置ずれ量を求めるために、基板18および基板チャック12までの距離を計測するセンサー(距離センサー)を設置する構成にしても良い。
インプリント装置1は、不図示であるが、モールド17を装置外部からモールド保持ユニット6へ搬送するモールド搬送機構などを含み得る。
基板保持ユニット11を保持するためのベース定盤21、モールド保持ユニット6を保持するためのブリッジ定盤22、ブリッジ定盤22を支えるための支柱23を有する。
図2は実施例1に係る搬送ハンド、基板位置合せユニット、基板ステージ等の構成を例示した図である。
図2(a)の例では、ペデスタル26に固定されたベース定盤21上に、基板ステージ13と、搬送ハンド24と、基板位置合せユニット25とが配置され、基板ステージ13上に基板チャック12が配置されている。ここで、ペデスタルとは、装置が設置される部分床のことであり、一例として金属製やコンクリート製の基盤状構造物が挙げられる。また、ベース定盤21は、基板ステージ13と、搬送ハンド24と、基板位置合せユニット25とを支持する定盤である。インプリント装置1内部と外部との基板の受け渡しを行うインラインステーション(不図示)に搬送された基板18を、搬送ハンド24により取得して、基板位置合せユニット25に搬送する。基板位置合せユニット25により位置合せされた基板18を、搬送ハンド24により取得して、基板チャック12に搬送する。ここで、前述の通り基板チャック12は基板ステージ13に吸着されており、基板ステージ13と基板チャック12との位置がずれることがある。
図2(b)の例では、ベース定盤21が、ステージ定盤21−a(第1定盤)と、基板搬送定盤21−b(第2定盤)とに分かれている。ステージ定盤21−aは基板ステージ13を支持する定盤であり、基板搬送定盤21−bは搬送ハンド24および基板位置合せユニット25を支持する定盤である。また、ペデスタル26が、ステージ定盤ペデスタル26−aと、基板搬送定盤ペデスタル26−bとに分かれている。ステージ定盤ペデスタル26−aにはステージ定盤21−aが固定され、基板搬送定盤ペデスタル26−bには基板搬送定盤21−bが固定されている。ここで、装置構造が大きくなるとステージ定盤21−aと基板搬送定盤21−bとを機械的な突き当てによって固定することが難しくなる。そのため、互いの定盤は、それぞれ異なるペデスタルに固定され、装置組立時に互いの定盤の位置調整が必要となる。また、該位置調整をしたとしても、定盤、またはペデスタルの経時変化、アクチュエータ(不図示)駆動による振動等により、ステージ定盤21−aと基板搬送定盤21−bとの位置がずれることがある。
図3は実施例1に係る基板位置合せユニットの構成を例示した図である。基板位置合せユニット25は、駆動ステージ28、支持部29、基板保持機構30および計測装置31で構成される。駆動ステージ28は、X、Y方向およびθ回転方向の駆動機構(不図示)を有する。支持部29は、駆動ステージ28を支持する。基板保持機構30は、基板18を保持する。計測装置31は基板18の端面を計測するための位置に配置されている。搬送ハンド24により、駆動ステージ28上に構成される基板保持機構30の上に置かれた基板18は、基板保持機構30において基板吸着パッドによって保持する。なお、吸着方式は、真空吸着、静電吸着、その他の吸着方式を利用しても良い。駆動ステージ28を回転させ、計測装置31にて基板18の端面を計測し、基板位置を検出する。計測装置31により取得された画像は、不図示の画像処理装置により位置情報としてデータ処理され、基板18の中心位置が求められる。なお、該画像処理装置は、処理装置20と同一の装置として構成しても良い。求められた基板18の位置情報より、駆動ステージ28をX、Y方向に移動、およびθ方向に回転して、基板18の位置合せを行う。これにより、搬送ハンド24が基板保持機構30に保持されている基板18を取得する際に、搬送ハンド24の基準点と基板18の基準点とが合った状態で搬送ハンド24上に基板18が配置される。
図4は実施例1に係る基板チャック等の上面を例示した図である。図4(a)は、基板ステージ13、基板チャック12、および基板18を上面から見た図である。基板18は、基板位置合せユニット25により位置合せがされた後、搬送ハンド24により、基板ステージ13上に構成されている基板チャック12に搭載される。
図4(b)は、基板ステージ13上に構成されている基板チャック12の吸着領域が分割されている構成の図である。前述の通り、基板チャック12は基板吸着パッドを用いて基板を吸着して保持している。図4(b)のように、基板チャック12の吸着領域は、A、B、Cの3領域に分割され、各々の領域において吸着力を独立に調整し設定できるようになっている。このように基板チャック12の吸着領域を分割することによって必要に応じて異なる吸着力で基板18を保持することができる。離型の際には、モールド17の凹凸パターン形成を下に凸に変形させながら、モールド17と基板18を引き離す。このとき、基板チャック12が基板18の裏面の全面を強く引き付けている状態では、基板18が基板チャック12から離れないため、モールド17の凹凸パターンによって基板18上のパターンに水平方向の強い力がかかる。この力によって、基板18上のパターンの倒れが発生する。一方、基板チャック12が基板18の裏面の一部の吸着力を弱めた状態では、基板18上のパターンの倒れを低減することができる。つまり、パターンを形成するショット領域とその周辺のショット領域とに対応する基板裏面部分を吸着する吸着領域の吸着力を弱める。また、これらのショット領域以外の複数のショット領域に対応する基板裏面部分を吸着する吸着領域の吸着力は弱めない。それにより、基板18を上に凸に変形させ、モールド17を下に凸に変形させた状態で離型を行うことができ、モールド17の凹凸パターンによって基板18上のパターンに水平方向の強い力がからない。したがって、基板18上のパターンの倒れを軽減できる。また、分割する吸着領域の数や形状は図4(b)の例に限られず、任意に設定することができる。
図5は実施例1に係る基板チャック等の断面を例示した図である。図4(a)におけるA−A´の範囲において、基板ステージ13、基板チャック12、および基板18等の断面図である。
図5(a)の例では、基板端部32は、搬送ハンド24により基板チャック12の上に搬送された基板18の外周部である。なお、基板端部32の代わりに、基板18の中心位置からの距離が定まっている、基板18上のオリフラ、ノッチ、端部付近の傾斜部分、その他の立体的な形状を有する部分(所定部位)を使用しても良い。また、基板18の中心位置からの距離が定まっている、円弧、直線、その他の基板18上の平面的な図形の部分(所定部位)を使用しても良い。
内周部33は、基板チャック12に形成される環状の凸部の内周部である。ここで、凸部の内周部33は、基板チャック12を上面から見たときの中心を中心点とする円弧形状を有する。また、凸部の内周部33の代わりに、基板チャック12の中心位置からの距離が定まっている、凸部の外周部、基板チャック12の最外周部、その他の立体的な形状を有する部分(所定部位)を使用しても良い。または、基板チャック12の中心位置からの距離が定まっている、円弧、直線、その他の基板チャック12上の平面的な図形の部分(所定部位)を使用してもよい。
画像取得装置19は、基板18を基板チャック12の不図示の吸着機構により吸着したときに、基板18と基板チャック12の位置関係を示す計測データとして基板端部32と基板チャック12の凸部の内周部33を含む画像を取得する。
処理装置20は取得した画像から基板端部32と凸部の内周部33の位置を検出し、位置ずれ量を求める。処理装置20は、例えば、CCDで取得した画像をHDR処理、Hough変換等の画像処理を行い、基板端部32と凸部の内周部33の位置を検出する。検出した位置から基板18と基板チャック12の中心位置の位置ずれ量を求める。
不図示の駆動量演算装置は、該位置ずれ量より、該中心位置を合わせるための駆動量の補正量を求める。該駆動量演算装置は、次に搬送される基板18を搬送ハンド24により基板チャック12上に搬送するときに、搬送ハンド24または基板ステージ13のいずれか一方、または両方の位置を補正するための補正量を求める。なお、該駆動量演算装置は、制御ユニット10と同一の装置として構成しても良い。
制御ユニット10は、該補正量に基づいて、搬送ハンド24または基板ステージ13のいずれか一方、または両方を制御する。また、基板位置合せユニット25にて、基板18の位置合せ位置を該補正量に基づいて補正しても良い。
図5(b)の例では、基板端部32と基板チャック12の凸部の内周部33の位置を検出するために、距離センサー27を構成する。距離センサー27は、光源から光Lを照射して、対象物から反射した光Lを受光して対象物との距離を計測する。距離センサー27は、一定速度で移動しながら、一定間隔の時間毎に基板18と基板チャック12までの距離を計測する。なお、距離センサー27は、光方式だけでなく、超音波方式、その他の方式を用いた距離センサーでも良い。基板18と基板チャック12の位置関係を示す計測データとして、該時間毎の該距離のデータ(距離データ)を取得する。処理装置20は取得した距離データから基板端部32および凸部の内周部33を通過する時に距離が変化する時間を検出して、該時間と該速度から基板端部32と凸部の内周部33の距離を求める。なお、基板端部32の代わりに、基板18の中心位置からの距離が定まっている、基板18上のオリフラ、ノッチ、端部付近の傾斜部分、その他の立体的な形状を有する部分(所定部位)を使用しても良い。また、凸部の内周部33の代わりに、基板チャック12の中心位置からの距離が定まっている、基板チャック12の凸部の外周部、基板チャック12の最外周部、その他の立体的な形状を有する部分(所定部位)を使用しても良い。そして、基板18と基板チャック12の所定部位間の距離データを取得しても良い。
図6は実施例1に係る位置合せユニット搬送からインプリント処理までのフローチャートを例示した図である。S601では、搬送ハンド24により工具基板を基板位置合せユニット25に搬送する。S602では、搬送ハンド24が工具基板を基板チャック12に搬送する前に、基板位置合せユニット25により工具基板の中心位置、回転方向などの位置情報を求める。また、該位置情報に基づいて駆動ステージ28をX、Y方向に移動、およびθ方向に回転して、工具基板を位置合せする。これにより、搬送ハンド24が基板保持機構30に保持されている工具基板を取得する際に、搬送ハンド24の基準点と工具基板の基準点とが合った状態で搬送ハンド24上に工具基板が配置される。ここで、工具基板は寸法精度が高い専用の基板を用いても良いし、被処理基板として使用される基板を用いても良い。S603では、搬送ハンド24により工具基板を取得し、基板ステージ13上の基板チャック12に搬送する。S604では、画像取得装置19により基板端部32と凸部の内周部33の画像を取得し、処理装置20により基板端部32と基板チャック12の凸部の内周部33の位置を検出する。なお、基板18と基板チャック12の位置ずれ量が大きく、基板端部32と凸部の内周部33の位置が検出できない場合は、再度、基板18を位置合せユニットに搬送して位置合せを行っても良い。または、位置ずれ量が大きく装置の調整が必要と判断して、処理を中止しても良い。S605では、基板端部32と凸部の内周部33の位置から基板18と基板チャック12の位置ずれ量を求め、前記位置ずれ量から補正量を求める。なお、該補正量を求める方法は後述する。また、この後、被処理基板が基板ステージ13に搬送するまでに、工具基板を搬送ハンド24により搬出する(不図示)。また、S601〜S605の処理を繰り返し行い複数の補正量を求め、複数の補正量の平均値、中間値、その他の統計的手法により求めた値を該補正量としても良い。S606では、搬送ハンド24により被処理基板を基板位置合せユニット25に搬送する。S607では、搬送ハンド24が被処理基板を基板チャック12に搬送する前に、基板位置合せユニット25により被処理基板の中心位置、回転方向などの位置情報を求める。また、該位置情報に基づいて駆動ステージ28をX、Y方向に移動、およびθ方向に回転して、被処理基板を位置合せする。これにより、搬送ハンド24が基板保持機構30に保持されている被処理基板を取得する際に、搬送ハンド24の基準点と被処理基板の基準点とが合った状態で搬送ハンド24上に被処理基板が配置される。S608では、搬送ハンド24が基板位置合せユニット25から被処理基板を取得する。また、搬送ハンド24または基板ステージ13がS605にて求めた補正量に基づいて補正のための駆動をする。補正のための駆動をした後、基板ステージ13上の基板チャック12に搬送する。なお、S608における補正値に基づいた基板ステージ13の補正のための駆動は、搬送ハンド24による被処理基板の搬送中に行っても良い。これにより、搬送ハンド24が被処理基板を基板チャック12に搬送する際に、位置ずれ量を補正した位置に搬送することができる。S610では、被処理基板にパターンを形成するインプリント処理を行う。なお、図6では搬送ハンド24または基板ステージ13が駆動して位置ずれ量を補正したが、基板位置合せユニット25において駆動ステージ28が補正量に基づいて移動、回転して、搬送ハンド24上に被処理基板が配置される位置を補正しても良い。
図7〜図13を用いて、S604における基板端部32と基板チャック12の凸部の内周部33の位置の検出と、S605における補正量を求める方法について説明する。
図7は実施例1に係る基板ステージ、基板チャック、および計測領域を例示した図である。図7(a)の例では、基板18の基板端部32と基板チャック12の凸部の内周部33の画像を画像取得装置19で取得する。画像取得装置19で計測する箇所を計測領域34とする。計測領域34は、基板端部32と凸部の内周部33を同時に計測することができる範囲とする。図7の例では、4箇所の計測領域34が図示されており、2組の計測領域が基板チャック12の凸部の内周部33の中心点に関して対称の位置に、それぞれ配置されている。なお、画像を取得する計測領域の数、位置は、図示された数、位置に限定されない。該計測領域の数、位置を、ユーザーがインプリント装置のコンソール画面(不図示)から入力して、制御ユニット10の記憶部(不図示)に保存して、画像取得装置19が画像を取得する計測領域の数、位置を変更できるようにしても良い。
図7(b)の例では、基板18および基板チャック12までの距離を、距離センサー27が一定速度で移動しながら計測する。図の矢印は、距離センサー27が計測を開始する位置、計測を終了する位置、つまり距離センサー27の計測領域を示している。なお、該計測領域の数、位置は、図示された数、位置に限定されない。該計測領域の数、位置を、ユーザーがインプリント装置のコンソール画面(不図示)から入力して、制御ユニット10の記憶部(不図示)に保存して、距離センサー27が計測する計測領域の数、位置を変更できるようにしても良い。
図8は実施例1に係る計測領域34−aの画像の拡大図を例示した図である。画像取得装置19が取得した前記画像を、処理装置20において、例えば、Hough変換などの円弧を検出する手法を使い、基板端部32と基板チャック12の凸部の内周部33の円弧を検出する。基板端部32と凸部の内周部33の円弧との中心点の位置ずれ量を求め、該位置ずれ量より基板18と基板チャック12の中心位置を合わせるために駆動をする補正量を求める。また、複数の計測領域の画像から求めた、複数の補正量の平均値、中間値、その他の統計的手法により求めた値を該補正量としても良い。
また、4箇所の計測領域の画像から、基板端部32と基板チャック12の凸部の内周部33の円弧を検出し、基板端部32と凸部の内周部33の円弧の接線間の距離から、該補正量を求めることもできる。まず、図8において、基板端部32の円弧上の任意の点を通り基板端部32の円弧に接する接線35−aを決定する。次に凸部の内周部33の円弧に接する接線で、接線35−aと平行の接線36−aを決定する。そして、接線35−aと接線36−aの距離37−aを求める。なお、距離センサー27を用いる場合は、直接、距離37−aを計測して求める。後述の距離37−b、距離37−c、距離37−dについても同様である。
図9は実施例1に係る計測領域34−dの画像の拡大図を例示した図である。計測領域34−dは、計測領域34−aの位置から凸部の内周部33の中心点に関して対称の位置に配置されている。同様に計測領域34−dについて、画像取得装置19が取得した前記画像より、基板端部32と凸部の内周部33の円弧を検出する。そして、接線35−aまたは接線36−aと平行である、基板端部32の接線35−dと凸部の内周部33の接線36−dを決定し、接線35−dと接線36−dの距離37−dを求める。そして、距離37−aと距離37−dの差から、接線35−aと直交する方向に関する、基板端部32と凸部の内周部33の位置ずれ量S−1が求まる。
図10は実施例1に係る計測領域34−bの画像の拡大図を例示した図である。また、図11は実施例1に係る計測領域34−cの画像の拡大図を例示した図である。同様に、計測領域34−bの画像から、接線35−bと接線36−bを決定して、接線の距離37−bを求め、計測領域34−cの画像から、接線35−cと接線36−cを決定して、接線の距離37−cを求める。そして、距離37−bと距離37−cの差から、接線35−bと直交する方向に関する、基板端部32と凸部の内周部33の位置ずれ量S−2が求まる。
さらに位置ずれ量Sは、接線35−aと直交する方向に関する位置ずれ量S−1と接線35−bと直交する方向に関する位置ずれ量S−2を合成することで求めることができる。よって、基板18の円弧上の4点と内周部33の円弧上の4点とにおける互いに平行な接線の組の距離から位置ずれ量Sを求め、位置ずれ量Sにより基板18と基板チャック12の中心位置を合わせるために駆動をする補正量を求める。
この方法によれば、基板チャック12の形状については、円弧形状を持つ形状に限られず、基板チャック12の中心位置からの距離が定まっている辺を持つ、矩形などの多角形の形状でも良い。また、基板チャック12の凸部の内周部33のように円弧形状を持つ部分(所定部位)だけでなく、基板チャック12の中心位置からの距離が定まっている、基板チャック12の直線の形状の部分(所定部位)でも良い。これらの場合、基板チャック12や凸部の内周部33の円弧の接線の代わりに、基板チャック12の中心位置からの距離が定まっている直線を用いて該補正量を求めれば良い。
また、基板18の形状についても、円弧形状を持つ形状に限られず、基板18の中心位置からの距離が定まっている辺を持つ、矩形など多角形の形状でも良い。また、基板18の中心位置からの距離が定まっている、基板18の直線の形状の部分(所定部位)でも良い。これらの場合、基板端部32の接線の代わりに、基板18の中心位置からの距離が定まっている直線を用いて該補正量を求めれば良い。
例えば、基板チャックの凸部と基板の形状が矩形である場合、それぞれの矩形の四辺の直線の距離から基板チャックと基板の位置ずれを求めることができる。また、基板チャックの凸部の形状が円弧形状を有する形状で、基板の形状が矩形である場合、基板の矩形の四辺の直線とそれに平行な基板チャックの凸部の内周部の円弧の接線の距離から基板チャックと基板の位置ずれを求めることができる。
次に、基板端部32と基板チャック12の凸部の内周部33の円弧上の点を通る線分の垂直二等分線の交点から、位置ずれ量を求める方法について説明する。
図12は実施例1に係る計測領域34−dの画像と基板端部の垂直二等分線の拡大図を例示した図である。画像取得装置19が取得した前記画像を、処理装置20において、基板端部32の円弧と円弧上の任意の3点である点38−1、点38−2、点38−3を検出する。点38−1と点38−3を結ぶ線分39−1と、点38−2と点38−3を結ぶ線分39−2を決定する。線分39−1と線分39−2の垂直二等分線40−1、40−2を決定し、それぞれの交点(不図示)を求めて、該交点を基板18の中心点の位置を決定する。
図13は実施例1に係る計測領域34−dの画像と基板チャックの凸部の内周部の垂直二等分線の拡大図を例示した図である。画像取得装置19が取得した前記画像を、処理装置20において、凸部の内周部33の円弧と円弧上の任意の3点である点41−1、点41−2、点41−3を検出する。点41−1と点41−3を結ぶ線分42−1と点41−2と点41−3を結ぶ線分42−2を決定する。線分42−1と線分42−2の垂直二等分線43−1、43−2を決定し、それぞれの交点(不図示)を求めて、該交点を基板チャック12の中心点の位置を決定する。基板18の中心点と基板チャック12の中心点より位置ずれ量Sを求め、位置ずれ量Sより基板18と基板チャック12の中心位置を合わせるために駆動をする補正量を求める。この方法によれば、1つの計測領域の画像から、該補正量を求めることができる。また、複数の計測領域の画像から求めた、複数の補正量を平均した値から該補正量を求めても良い。
このように、いずれの方法でも補正量を求めることができる。次に基板18を基板チャック12へ搬送する前または間に、該補正量を用いて補正した駆動量で搬送ハンド24または基板ステージ13を駆動する。これにより、搬送ハンド24が基板18を基板チャック12に搬送する際に、位置ずれ量Sを補正した位置に搬送することができる。
以上、実施例1の実施形態を説明してきたが、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形および変更が可能である。
したがって、基板18と基板チャック12を含む領域の計測データから、基板チャック12に対する基板18の位置ずれを検出し、検出結果に基づいて該位置ずれを補正して基板18と基板チャック12を位置決めすることができる。
図14、図15を用いて、実施例2に係るインプリント装置について説明する。なお、ここで言及しない事項は、実施例1に従い得る。
図14は実施例2に係る位置合せユニット搬送からインプリント処理までのフローチャートを例示した図である。S1401では、搬送ハンド24により第1被処理基板を基板位置合せユニット25に搬送する。S1402では、搬送ハンド24が第1被処理基板を基板チャック12に搬送する前に、基板位置合せユニット25により第1被処理基板の中心位置、回転方向などの位置情報を求める。また、該位置情報に基づいて駆動ステージ28をX、Y方向に移動、およびθ方向に回転して、第1被処理基板を位置合せする。これにより、搬送ハンド24が基板保持機構30に保持されている第1被処理基板を取得する際に、搬送ハンド24の基準点と第1被処理基板の基準点とが合った状態で搬送ハンド24上に第1被処理基板が配置される。S1403では、搬送ハンド24により第1被処理基板を取得し、基板ステージ13上の基板チャック12に搬送する。S1404では、第1被処理基板にパターンを形成するインプリント処理を開始する。S1405では、第1被処理基板上のショットレイアウトの最外周ショットである周辺ショットにおけるパターン形成ための、押印から離型までの間に画像取得装置19により基板端部32と基板チャック12の凸部の内周部33の画像を取得する。そして、処理装置20により基板端部32と凸部の内周部33の位置を検出する。S1406では、基板端部32と凸部の内周部33の位置から基板18の中心と基板チャック12の位置ずれ量を求め、前記位置ずれ量から補正量を求める。なお、画像取得装置19の代わりに距離センサー27を用いて、距離データを計測して、位置ずれ量を求めても良い。S1407では、第1被処理基板のインプリント処理を終了する。S1408では、搬送ハンド24により第1被処理基板を基板チャック12から搬出する。ここで、S1403で第1被処理基板が基板チャック12に搬送された後、搬送ハンド24により第2被処理基板を基板位置合せユニット25に搬送する。そして、搬送ハンド24が第2被処理基板を基板チャック12に搬送する前に、基板位置合せユニット25により第2被処理基板の中心位置、回転方向などの位置情報を求める。また、該位置情報に基づいて駆動ステージ28をX、Y方向に移動、およびθ方向に回転して、第2被処理基板を位置合せする(不図示)。これにより、搬送ハンド24が基板保持機構30に保持されている第2被処理基板を取得する際に、搬送ハンド24の基準点と第2被処理基板の基準点とが合った状態で搬送ハンド24上に第2被処理基板が配置される。S1409では、搬送ハンド24が基板位置合せユニット25から第2被処理基板を取得する。また、搬送ハンド24または基板ステージ13がS1406にて求めた補正量に基づいて補正のための駆動をする。また、S1409における補正量に基づいた基板ステージ13の補正のための駆動は、搬送ハンド24による第2被処理基板の搬送中に行っても良い。これにより、搬送ハンド24が第2被処理基板を基板チャック12に搬送する際に、位置ずれ量を補正した位置に搬送することができる。S1410では、第2被処理基板にパターンを形成するインプリント処理を行う。なお、図14では搬送ハンド24または基板ステージ13が駆動して位置ずれ量を補正したが、基板位置合せユニット25において駆動ステージ28が補正量に基づいて移動、回転して、搬送ハンド24上に第2被処理基板が配置される位置を補正しても良い。
図15は実施例2に係る被処理基板のショットレイアウトを例示した図である。基板18に対して、98個のショット領域に分割された一般的なショットレイアウト44であり、前記ショット領域においてパターンの形成を実施する。パターンの形成順番は、例えば上部より左から順番に行われる。前記パターンの形成において、基板18の左上の周辺ショット45−a等の周辺ショットへパターンを形成する間に、画像取得装置19が、基板端部32と基板チャック12の凸部の内周部33の画像を取得する。そして、処理装置20が、基板端部32と凸部の内周部33の位置を検出する。よって、インプリント処理のスループットを落とすことなく、前記位置を検出することができる。例えば、基板18の左上の周辺ショット45−aにおいて、パターンを形成する前に画像取得装置19により、前記画像を取得する。次に、基板の右上にある周辺ショット45−bにおいて、基板18にパターンを形成する間に、画像取得装置19により、基板端部32と凸部の内周部33の画像を取得する。同様に、基板18の左下の周辺ショット45−cおよび右下の周辺ショット45−dにおいて、前記画像を取得する。処理装置20により前記画像から補正量を求める。該補正量を求める方法は、実施例1で詳述した通りである。なお、画像を取得する周辺ショットの数、位置は、図示された数、位置に限定されず、該周辺ショットの数、位置をユーザーにより変更可能としても良い。なお、基板端部32と凸部の内周部33の画像を取得できれば、ショットレイアウトの最外周のショットでなく、最外周より内側のショットのパターン形成の間に該画像を取得しても良い。
以上、実施例2の実施形態を説明してきたが、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形および変更が可能である。
したがって、基板18と基板チャック12を含む領域の計測データから、基板チャック12に対する基板18の位置ずれを検出し、検出結果に基づいて該位置ずれを補正して基板18と基板チャック12を位置決めすることができる。また、インプリント処理において周辺ショットのパターン形成中に取得した計測データから、基板18と基板チャック12を位置決めするので、インプリント処理のスループットを落とすことなく位置決めすることができる。
図16を用いて、実施例3に係るインプリント装置について説明する。なお、ここで言及しない事項は、実施例1、実施例2に従い得る。
図16は実施例3に係る位置合せユニット搬送からインプリント処理までのフローチャートを例示した図である。S1601では、搬送ハンド24により被処理基板を基板位置合せユニット25に搬送する。S1602では、搬送ハンド24が被処理基板を基板チャック12に搬送する前に、基板位置合せユニット25により被処理基板の中心位置、回転方向などの位置情報を求める。また、該位置情報に基づいて駆動ステージ28をX、Y方向に移動、およびθ方向に回転して、被処理基板を位置合せする。これにより、搬送ハンド24が基板保持機構30に保持されている被処理基板を取得する際に、搬送ハンド24の基準点と被処理基板の基準点とが合った状態で搬送ハンド24上に被処理基板が配置される。S1603では、搬送ハンド24により被処理基板を取得し、基板ステージ13上の基板チャック12に搬送する。S1604では、画像取得装置19により基板端部32と基板チャック12の凸部の内周部33の画像を取得する。S1605では、処理装置20により前記画像を処理して、基板端部32と凸部の内周部33の位置を検出する。S1606では、基板端部32と凸部の内周部33の位置から基板18の中心と基板チャック12の位置ずれ量を求め、前記位置ずれ量から補正量を求める。なお、画像取得装置19の代わりに距離センサー27を用いて、距離データを計測して、位置ずれ量を求めても良い。S1607では、被処理基板を搬送ハンド24により取得し、基板ステージ13上の基板チャック12から搬出して、搬送ハンド24で被処理基板を保持する。S1608では、搬送ハンド24または基板ステージ13がS1606にて求めた補正量に基づいて補正のための駆動をする。補正のための駆動をした後、被処理基板を基板ステージ13上の基板チャック12に再搬送する。また、S1608における搬送ハンド24または基板ステージ13の補正値を用いた補正のための駆動は、S1609における被処理基板の搬送中に行っても良い。これにより、搬送ハンド24が被処理基板を基板チャック12に再搬送する際に、位置ずれ量を補正した位置に搬送することができる。S1610では、被処理基板にパターンを形成するインプリント処理を行う。なお、図16では搬送ハンド24または基板ステージ13が駆動して位置ずれ量を補正したが、基板位置合せユニット25において駆動ステージ28が補正量に基づいて移動、回転して、搬送ハンド24上に被処理基板が配置される位置を補正しても良い。
以上、実施例3の実施形態を説明してきたが、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形および変更が可能である。
したがって、基板18と基板チャック12を含む領域の計測データから、基板チャック12に対する基板18の位置ずれを検出し、検出結果に基づいて該位置ずれを補正して基板18と基板チャック12を位置決めすることができる。また、インプリント処理前の被処理基板と基板チャック12の位置関係を示す計測データから、該被処理基板と基板チャック12を位置決めするので、インプリント処理のスループットを落とすことなく位置決めすることができる。
(デバイス製造方法)
物品として、例えば、デバイス(半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等)、カラーフィルター、またはハードディスク等の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置を用いてパターンを基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。該処理ステップは、該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性および生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。また、実施例1〜実施例3に係るインプリント装置は、単独で実施するだけでなく、実施例1〜実施例3の全ての組合せで実施することができる。

Claims (21)

  1. 複数の部分領域において互いに異なる吸着力で基板が吸着された状態で、前記基板上のインプリント材と型とを接触させた後の離型を行い、前記インプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記複数の部分領域を備えた基板保持部と、
    前記基板保持部に対する基板の位置ずれを示す計測データを取得する取得部を有し、
    前記取得した計測データを用いて、前記基板保持部に対して前記パターンが形成される基板の位置決めを行うことを特徴とするインプリント装置。
  2. 基板の搬送部を有し、前記計測データより求められた位置ずれの補正量に応じて、前記搬送部を移動することにより、前記位置決めを行う請求項1に記載のインプリント装置。
  3. 前記計測データより求められた位置ずれの補正量に応じて、前記基板保持部を移動することにより、前記位置決めを行う請求項1又は請求項2に記載のインプリント装置。
  4. 前記計測データは、基板の端部と前記基板保持部とを含む計測領域の画像である請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  5. 前記計測データは、基板の端部と前記基板保持部とを含む計測領域の距離データである請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  6. 前記計測データの取得に用いられる基板と、前記パターンが形成される基板とは、同じ基板である請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  7. 前記計測データの取得に用いられる基板と、前記パターンが形成される基板とは、互いに異なる基板である請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  8. 前記パターンが形成される基板が前記基板保持部に搭載されている状態で前記計測データを取得する請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  9. 前記計測データは、前記型と前記基板上の前記インプリント材とが接触している領域を含む画像である請求項8に記載のインプリント装置。
  10. 前記基板の複数のショット領域のうち、当該基板の最外周にある少なくとも1つのショット領域において前記パターンを形成する際に前記計測データを取得する請求項8又は請求項9に記載のインプリント装置。
  11. 前記型を介して撮像した画像を前記計測データとして取得する請求項8乃至請求項10のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  12. 前記基板の端部と前記基板保持部とを含む計測領域の複数から前記計測データを取得する請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  13. 前記基板の円弧形状の接線と前記基板保持部の円弧形状の接線との距離から位置ずれの補正に用いる補正量を求める請求項1乃至請求項12のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  14. 前記基板の円弧形状の円弧上の少なくとも4点と、前記基板保持部の円弧形状の円弧上の少なくとも4点とにおける、互いに平行な接線の組の距離から位置ずれの補正に用いる補正量を求める請求項13に記載のインプリント装置。
  15. 前記基板保持部を移動する移動部は、第1定盤に設置され、
    前記基板を搬送する搬送部は、前記第1定盤と別の第2定盤に設置される
    ことを特徴とする、請求項1乃至請求項14のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  16. 前記複数の部分領域のうち前記基板の前記パターンを形成する領域に対応する部分領域の吸着力を他の部分領域の吸着力より弱めた状態で離型を行う請求項1乃至請求項15のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  17. 請求項1に記載のインプリント装置に基板を搬送する基板搬送装置であって、
    パターンが形成される基板を前記インプリント装置の前記基板保持部に搬送する際に、前記計測データから求めた補正量に応じて前記位置決めを行うことを特徴とする基板搬送装置。
  18. 前記基板搬送装置は、前記基板保持部を移動する移動部が設置されている第1定盤とは異なる第2定盤に設置される請求項17に記載の基板搬送装置。
  19. 複数の部分領域において互いに異なる吸着力で基板が吸着された状態で、前記基板上のインプリント材と型とを接触させた後の離型を行い、前記インプリント材にパターンを形成するインプリント方法において、
    前記複数の部分領域を備えた基板保持部に対する基板の位置ずれを検出し、検出結果に基づいて、前記パターンが形成される基板の位置決めを行うことを特徴とするインプリント方法。
  20. 前記複数の部分領域のうち前記基板の前記パターンを形成する領域に対応する部分領域の吸着力を他の部分領域の吸着力より弱めた状態で離型を行う請求項19に記載のインプリント方法。
  21. 請求項19乃至請求項20のいずれか1項に記載のインプリント方法を用いて、前記パターンを前記基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。
JP2016092530A 2015-04-30 2016-05-02 インプリント装置、基板搬送装置、インプリント方法および物品の製造方法 Active JP6169218B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015093570 2015-04-30
JP2015093570 2015-04-30

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016213458A true JP2016213458A (ja) 2016-12-15
JP2016213458A5 JP2016213458A5 (ja) 2017-01-26
JP6169218B2 JP6169218B2 (ja) 2017-07-26

Family

ID=57204071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016092530A Active JP6169218B2 (ja) 2015-04-30 2016-05-02 インプリント装置、基板搬送装置、インプリント方法および物品の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10551753B2 (ja)
JP (1) JP6169218B2 (ja)
KR (1) KR102032018B1 (ja)
CN (1) CN106098540B (ja)
SG (1) SG10201603103UA (ja)
TW (1) TWI619145B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018211967A1 (ja) * 2017-05-15 2018-11-22 東京エレクトロン株式会社 基板搬出方法
JP2019105532A (ja) * 2017-12-12 2019-06-27 芝浦メカトロニクス株式会社 ワーク検出装置、成膜装置及びワーク検出方法
WO2021054101A1 (ja) * 2019-09-19 2021-03-25 株式会社Screenホールディングス 基板搬送装置および基板搬送装置のハンドの位置補正方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107346093A (zh) * 2017-08-29 2017-11-14 无锡英普林纳米科技有限公司 一种纳米压印机卡位机构
JP6972853B2 (ja) * 2017-09-28 2021-11-24 大日本印刷株式会社 インプリントモールド形成用基板、インプリントモールド形成用ブランクス、およびインプリントモールド、ならびにインプリントモールド形成用ブランクスの製造方法およびインプリントモールドの製造方法
JP6938313B2 (ja) * 2017-09-28 2021-09-22 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、インプリント材の配置パターンの決定方法、および物品の製造方法
TWI677419B (zh) * 2018-03-08 2019-11-21 奇景光電股份有限公司 成型裝置與方法
CN110323169B (zh) * 2018-03-28 2021-12-21 奇景光电股份有限公司 成型装置与方法
JP7327973B2 (ja) * 2019-03-29 2023-08-16 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP7222811B2 (ja) * 2019-06-04 2023-02-15 キオクシア株式会社 インプリント装置、インプリント方法、及び半導体装置の製造方法
JP7446169B2 (ja) * 2020-06-26 2024-03-08 キヤノントッキ株式会社 基板搬送装置、基板処理システム、基板搬送方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003156322A (ja) * 2001-09-05 2003-05-30 Nikon Corp 位置計測方法及び装置、位置決め方法、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2008040394A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Orc Mfg Co Ltd アライメント装置および露光装置
JP2008066367A (ja) * 2006-09-05 2008-03-21 Tokyo Electron Ltd 基板受け渡し装置,基板処理装置,基板受け渡し方法
JP2009088184A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Yamatake Corp 画像処理装置
JP2010118684A (ja) * 2004-11-18 2010-05-27 Nikon Corp 位置計測方法、位置制御方法、計測方法、ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2011165264A (ja) * 2010-02-09 2011-08-25 Hitachi High-Technologies Corp 両面インプリント装置の被転写体位置決め方法および両面インプリント装置
JP2012234913A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Canon Inc インプリント装置、インプリント方法及びデバイス製造方法
JP2014092489A (ja) * 2012-11-05 2014-05-19 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置および検査方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10275850A (ja) 1997-03-28 1998-10-13 Nikon Corp 露光装置
EP1780786A4 (en) * 2004-06-07 2009-11-25 Nikon Corp STAGE DEVICE, EXPOSURE DEVICE AND EXPOSURE METHOD
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7837907B2 (en) 2007-07-20 2010-11-23 Molecular Imprints, Inc. Alignment system and method for a substrate in a nano-imprint process
NL2003380A (en) 2008-10-17 2010-04-20 Asml Netherlands Bv Imprint lithography apparatus and method.
JP5637931B2 (ja) * 2011-05-17 2014-12-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法およびデバイス製造方法
JP6029495B2 (ja) * 2012-03-12 2016-11-24 キヤノン株式会社 インプリント方法およびインプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP6087669B2 (ja) 2013-03-06 2017-03-01 キヤノン株式会社 基板処理装置、リソグラフィ装置および物品の製造方法
US9136110B2 (en) * 2013-03-15 2015-09-15 Tokyo Electron Limited Multi-step bake apparatus and method for directed self-assembly lithography control
JP5960198B2 (ja) * 2013-07-02 2016-08-02 キヤノン株式会社 パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法
JP5909210B2 (ja) * 2013-07-11 2016-04-26 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法
JP6294633B2 (ja) 2013-10-23 2018-03-14 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、決定方法及び物品の製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003156322A (ja) * 2001-09-05 2003-05-30 Nikon Corp 位置計測方法及び装置、位置決め方法、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法
JP2010118684A (ja) * 2004-11-18 2010-05-27 Nikon Corp 位置計測方法、位置制御方法、計測方法、ロード方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2008040394A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Orc Mfg Co Ltd アライメント装置および露光装置
JP2008066367A (ja) * 2006-09-05 2008-03-21 Tokyo Electron Ltd 基板受け渡し装置,基板処理装置,基板受け渡し方法
JP2009088184A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Yamatake Corp 画像処理装置
JP2011165264A (ja) * 2010-02-09 2011-08-25 Hitachi High-Technologies Corp 両面インプリント装置の被転写体位置決め方法および両面インプリント装置
JP2012234913A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Canon Inc インプリント装置、インプリント方法及びデバイス製造方法
JP2014092489A (ja) * 2012-11-05 2014-05-19 Hitachi High-Technologies Corp 検査装置および検査方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018211967A1 (ja) * 2017-05-15 2018-11-22 東京エレクトロン株式会社 基板搬出方法
JP2018195644A (ja) * 2017-05-15 2018-12-06 東京エレクトロン株式会社 基板搬出方法
KR20200007889A (ko) * 2017-05-15 2020-01-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반출 방법
US11133214B2 (en) 2017-05-15 2021-09-28 Tokyo Electron Limited Substrate transportation method
KR102421838B1 (ko) * 2017-05-15 2022-07-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반출 방법
JP2019105532A (ja) * 2017-12-12 2019-06-27 芝浦メカトロニクス株式会社 ワーク検出装置、成膜装置及びワーク検出方法
JP7117841B2 (ja) 2017-12-12 2022-08-15 芝浦メカトロニクス株式会社 ワーク検出装置、成膜装置及びワーク検出方法
WO2021054101A1 (ja) * 2019-09-19 2021-03-25 株式会社Screenホールディングス 基板搬送装置および基板搬送装置のハンドの位置補正方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI619145B (zh) 2018-03-21
JP6169218B2 (ja) 2017-07-26
SG10201603103UA (en) 2016-11-29
CN106098540A (zh) 2016-11-09
TW201642317A (zh) 2016-12-01
KR102032018B1 (ko) 2019-11-08
KR20160129766A (ko) 2016-11-09
US10551753B2 (en) 2020-02-04
US20160320716A1 (en) 2016-11-03
CN106098540B (zh) 2020-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6169218B2 (ja) インプリント装置、基板搬送装置、インプリント方法および物品の製造方法
US10144156B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and method for producing device
JP6552329B2 (ja) インプリント装置、インプリントシステム及び物品の製造方法
JP6029495B2 (ja) インプリント方法およびインプリント装置、それを用いた物品の製造方法
US10901324B2 (en) Imprint method, imprint apparatus, and article manufacturing method using the same
JP6403627B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
JP7212701B2 (ja) デジタルリソグラフィシステムでのマルチ基板処理
JP2011253839A (ja) リソグラフィ装置及び物品の製造方法
KR20100035111A (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
US20100072664A1 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
JP2007176782A (ja) フォトマスク用大型ガラス基板及びその製造方法、コンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにマザーガラスの露光方法
JP6423641B2 (ja) インプリント装置、物品の製造方法及びインプリント方法
JP6590598B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP2007220987A (ja) 平面板の保持体
JP6450105B2 (ja) インプリント装置及び物品製造方法
TW200807171A (en) Kinematic chucks for reticles and other planar bodies
KR20180048323A (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
JP6792669B2 (ja) パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法
JPH09148225A (ja) 基板ホルダーおよびそれを用いた微細加工装置
CN102455600B (zh) 检测晶片表面形貌的方法
JP6821408B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP6114861B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
WO2016208160A1 (en) Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article
JP2021190649A (ja) インプリント装置、物品の製造方法、及びインプリント装置のための測定方法
JP2019016648A (ja) インプリント方法、インプリント装置および、物品製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161020

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161020

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20161020

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20161227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170310

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170530

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170627

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6169218

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151