JP6114861B2 - インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 - Google Patents

インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法に関する。
半導体デバイス等の物品を製造するための新たなリソグラフィー装置としてインプリント装置が注目されている。インプリント装置では、基板の上にインプリント材を供給し、モールド（型）を使って該インプリント材を成形することによってパターンを形成する。モールド保持によってモールドが保持された状態において、該モールドのパターン領域に回転誤差があると、該モールドを使って基板の上に形成されるパターンに回転誤差が生じる。
特許文献１は、インプリント装置に関する文献ではないが、同文献には、基板を回転させる回転テーブルが記載されている。特許文献２もまた、インプリント装置に関する文献ではないが、同文献には、走査露光中にマスクまたは感光基板を微小回転させることが記載されている。
特開平１０−７０１７４号公報 特開平８−５５７９６号公報
モールド保持部によってモールドが保持された状態におけるパターン領域の回転誤差は、例えば、モールドのパターン領域がモールドの基準面に対して回転していることによって生じうる。モールドの基準面に対するパターン領域の回転は、モールドの製造誤差、あるいは、製造後におけるモールドの変形によって起こりうる。あるいは、モールド保持部によってモールドが保持された状態におけるパターン領域の回転誤差は、モールド保持部にモールドを保持させる際の取り付け誤差によって生じうる。
モールド保持部によってモールドが保持された状態においてパターン領域の回転誤差がある場合、それに応じて基板を回転させる必要がある。基板の回転は、基板を保持する基板保持部を回転させることによって行うことができる。しかしながら、回転誤差が大きいと、基板保持部の回転によって生じるアッベ誤差を無視できなくなる。あるいは、回転誤差が基板保持部の回転可能限界を超えている場合には、基板保持部の上に基板を置き直す必要があり、これがスループットの低下の原因になりうる。
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、モールドのパターン領域の回転誤差を許容するために有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の１つの側面は、基板の上に供給されたインプリント材にモールド保持部によって保持されたモールドのパターン領域を接触させて該インプリント材を硬化させるインプリント装置に係り、前記インプリント装置は、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板を回転させる回転機構と、を備え、前記パターン領域の回転誤差に応じて前記回転機構によって前記基板が回転された後に前記基板が前記基板保持部に配置される。
本発明によれば、モールドのパターン領域の回転誤差を許容するために有利な技術が提供される。
本発明の１つの実施形態のインプリント装置の構成を示す図。 モールドにおけるパターン領域の回転誤差の例を示す図。 基板保持部への基板の載せ替えを説明する図。 アッベ誤差を説明する図。 インプリント装置の動作を説明する図。 パターン領域の回転誤差成分を複数のインプリント装置で共有する例を示す図。 インプリント装置の動作を説明する図。 インプリント装置の動作を説明する図。
以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。
図１（ａ）には、本発明の１つの実施形態のインプリント装置１００の構成が示されている。図１（ｂ）には、モールド保持部１１３によって保持されたモールド１１１およびその周辺が示されている。インプリント装置１００は、基板保持部１０２によって保持された基板１０１の上に供給されたインプリント材１２２にモールド保持部１１３によって保持されたモールド１１１のパターン領域１１１ａを接触させてインプリント材１２２を硬化させる。インプリント材１２２の硬化は、この例では、インプリント材１２２に光を照射することによってなされるが、例えば、温度の制御などの他の方法によってなされてもよい。以下の説明における方向は、基板１０１を配置すべき面に平行な面をｘｙ平面とするｘｙｚ座標系においてなされる。
インプリント装置１００は、インプリント材１２２に光を照射する照明部１４２と、モールド１１１を保持するモールド保持部１１３（ヘッドマウント）と、基板１０１を駆動する基板駆動部１０６と、塗布部１２１（ディスペンサ）とを備えている。照明部１４２は、インプリント材１２２に紫外線等の光を照射することによってインプリント材１２２を硬化させる。照明部１４２は、例えば、光源１４１と、光源１４１から射出された光がモールド１１１を介して基板１０１の上のインプリント材１２２に入射するように該光を折り曲げるミラー１４３とを含みうる。モールド１１１は、基板１０１に対向する面に、凹凸パターン（例えば、回路パターン）が形成されたパターン領域１１１ａを有する。モールド１１１は、例えば、石英等のように、光を透過させる材料で構成されうる。
モールド保持部１１３は、モールド１１１の各辺を保持して力を作用させることによりモールド１１１（パターン領域１１１ａ）の形状を変化させる形状補正部１１２を有してもよい。モールド保持部１１３は、不図示のモールド駆動部によって駆動される。モールド駆動部は、例えば、基板１０１の上に供給されたインプリント材１２２にモールド１１１のパターン領域１１１ａを接触させるために、モールド１１１をｚ、ωｘ、ωｙの各方向に駆動するアクチュエータを含みうる。ここで、ωｘは、ｘ方向に平行な軸の周りの回転、ωｙは、ｙ方向に平行な軸の周りの回転である。アクチュエータとしては、例えば、リニアモータまたはエアシリンダを上げることができる。
図１（ｂ）には、形状補正部１１２が模式的に示されている。モールド１１１は、複数の端面１１１ｅと、パターン領域１１１ａとを含む。形状補正部１１２は、モールド１１１の各端面１１１ｅに力を印加するアクチュエータ１１２ａを含む。アクチュエータ１１２ａは、例えば、リニアモータ、エアシリンダ、ピエゾアクチュエータの少なくとも１つを含みうる。図１（ｂ）に示された例では、モールド１１１は、４つの端面１１１ｅを有する矩形形状を有し、各端面１１１ｅに対して４つのアクチュエータ１１２ａが設けられている。
インプリント装置１００は、モールド１１１のマーク、基板１０１のマーク、および、基板保持部１０２に配置された基準マーク１６０を観察するためのスコープ１１４（計測器）を備えうる。ここで、スコープ１１４によって得られた画像に基づいてモールド１１１の複数のマークと基板１０１の複数のマークとの相対位置を計測することによって、モールド１１１と基板１０１との間の相対的な位置および相対的な回転を検出することができる。また、スコープ１１４によって得られた画像に基づいてモールド１１１の複数のマークと基準マーク１６０との相対位置を計測することによって、インプリント装置１００が有する基準座標を基準とするモールド１１１の位置および回転を検出することができる。モールド１１１の複数のマークと基板１０１の複数のマークとの相対位置は、スコープ１１４の視野内におけるモールド１１１の複数のマークと基板１０１の複数のマークとのそれぞれの位置を計測することによって検出されうる。あるいは、モールド１１１の複数のマークと基板１０１の複数のマークとの相対位置は、スコープ１１４の視野内におけるモールド１１１の各マークとそれに対応する基板１０１のマークとによって形成される干渉パターンまたはモアレに基づいて検出されてもよい。モールド１１１の複数のマークと基準マーク１６０との相対位置は、スコープ１１４の視野内におけるモールド１１１の複数のマークと基準マーク１６０とのそれぞれの位置を計測することによって検出されうる。
基板１０１は、例えば、単結晶シリコン等の材料からなる部材である。基板１０１の上には、塗布部１２１によって、光硬化樹脂等のインプリント材１２２が塗布あるいは供給される。基板保持部１０２は、基板１０１を吸着する静電チャックまたは真空チャックなどのチャックを含む。基板保持部１０２は、例えば、粗動ステージ１０４によって支持された微動ステージでありうる。基板保持部１０２としての微動ステージは、微動アクチュエータ１０３によって、ｘ、ｙ、ωｘ、ωｙ、ωｚの各方向に微小駆動されうる。ここで、ωｚは、ｚ軸に平行な軸回りの回転である。粗動ステージ１０４は、粗動アクチュエータ１０５によって、ｘ、ｙ、ωｚの各方向に駆動されうる。粗動ステージ１０４は、床面の上に載置されたステージ定盤１０７の上に設置されている。この例では、基板駆動部１０６が微動ステージとしての基板保持部１０２、微動アクチュエータ１０３、粗動ステージ１０４、粗動アクチュエータ１０５によって構成されているが、他の例では、微動ステージと粗動ステージとが統合されうる。
インプリント装置１００は、更に、基板１０１を位置決めするためのアライメント検出系と、モールド１１１および基板１０１を操作する操作系と、制御部ＣＮＴとを備える。アライメント検出系は、アライメントスコープ１３１を含む。アライメントスコープ１３１は、モールド１１１を介さずに基板１０１のマークを検出することができ、基板１０１の位置および回転を計測する。操作系は、モールド１１１を搬送するモールド搬送機構（不図示）と、基板１０１を搬送する基板搬送機構１５１と、基板１０１を回転させる回転機構１５２とを含みうる。回転機構１５２は、不図示のセンサとともに、基板１０１の向きを計測し、該向きを基準方向に向けるプリアライナーを構成しうる。なお、基板１０１の向きは、ノッチまたはオリエンテーションフラットの位置によって特定されうる。
インプリント装置１００に搬入された基板は、回転機構１５２によって回転され、その後、基板搬送機構１５１によって基板駆動部１０６の基板保持部１０２に搬送され、基板保持部１０２に渡される。図３（ｂ）に模式的に示されているように、基板駆動部１０６は、基板１０１の受け渡し時に基板１０１を支持するピン１８０を有する。基板搬送機構１５１は、基板１０１を基板駆動部１０６に渡す際は、基板１０１をピン１８０の上に置き、基板１０１を基板駆動部１０６から受け取る際は、基板１０１をピン１８０の上で受け取る。ピン１８０で基板１０１を受け取った基板駆動部１０６は、その後、ピン１８０を降下させることにより、基板保持部１０２で基板１０１を保持する。ここで、ピン１８０を降下させる代わりに、基板保持部１０２を上昇させてもよい。
制御部ＣＮＴは、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）等のＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。
以下、インプリント装置１００の動作を説明する。インプリント装置１００は、動作モードとして第１モードおよび第２モードを有するように構成されうる。第１モードは、モールド保持部１１３によってモールド１１１が保持された状態におけるモールド１１１のパターン領域１１１ａの回転誤差に応じて基板保持部１０２を回転させることによって基板１０１を回転させるモードである。第２モードは、この実施形態において特徴的なモードである。第２モードは、モールド１１１のパターン領域１１１ａの回転誤差に応じて回転機構１５２によって基板１０１を回転させた後に基板搬送機構１５１によって基板１０１を基板保持部１０２に搬送するモードである。ここで、基板１０１が回転された状態で基板保持部１０２が基板１０１を保持すればよいので、基板１０１を回転させる機構は、回転機構１５２に限られない。例えば、基板搬送機構１５１に基板を回転させる機能を設けて、モールド１１１のパターン領域１１１ａの回転誤差に応じて、基板搬送機構１５１による基板１０１の搬送中に基板１０１を回転させてもよい。なお、インプリント装置１００は、第１モードが省略され、常に第２モードで動作するように構成されてもよい。
モールド保持部１１３によってモールド１１１が保持された状態におけるモールド１１１のパターン領域１１１ａの回転誤差は、以下では、単に、パターン領域１１１ａの回転誤差とも記載される。パターン領域１１１ａの回転誤差は、例えば、モールド１１１の製造誤差、あるいは、製造後におけるモールド１１１の変形によって起こりうる。あるいは、パターン領域１１１ａの回転誤差は、モールド保持部１１３にモールド１１１を保持させる際の取り付け誤差によって生じうる。
まず、第１モードにおけるインプリント装置１００の動作を説明する。第１モードでは、制御部ＣＮＴによる制御の下で、基板１０１は、回転機構１５２によって基準方向を向くように回転された後に基板搬送機構１５１によって基板保持部１０２に搬送され、基板保持部１０２によって保持される。また、モールド１１１は、不図示のモールド搬送部によってモールド保持部１１３に搬送され、モールド保持部１１３によって保持される。モールド１１１は、例えば、４つの端面１１１ｅの少なくとも１つを位置決め対象としてモールド保持部１１３に対して位置決めされうる。
図２（ａ）〜（ｃ）には、モールド１１１におけるパターン領域１１１ａの回転誤差の例が示されている。図２(ａ)の例では、モールド１１１の端面１１１ｅに対するモールド１１１のパターン領域１１１ａの回転誤差が０（ゼロ）である。図２（ｂ）の例では、モールド１１１の端面１１１ｅに対するモールド１１１のパターン領域１１１ａに回転誤差（回転量θ：大）が生じている。図２（ｂ）の例では、モールド１１１の外形（外周の形状）に対してモールド１１１のパターン領域１１１ａに回転誤差が生じている。モールド１１１の端面１１１ｅ（モールド１１１の外形）に対するモールド１１１のパターン領域１１１ａの回転誤差が大きい。図２（ｃ）の例では、モールド１１１の端面１１１ｅに対するモールド１１１のパターン領域１１１ａに回転誤差（回転量θ：小）が生じている。図２（ｃ）の例では、モールド１１１の端面１１１ｅに対するモールド１１１のパターン領域１１１ａの回転誤差が小さいが、０（ゼロ）ではない。モールド１１１の端面１１１ｅに対するモールド１１１のパターン領域１１１ａの回転誤差は、モールド１１１の製造誤差、あるいは、製造後におけるモールド１１１の変形によって起こりうる。回転誤差を有するモールド１１１がその少なくとも１つの端面１１１ｅを位置決め対象としてモールド保持部１１３に対して位置決めされると、パターン領域１１１ａは、インプリント装置１００の基準座標に対して回転誤差を有することになる。
次に、制御部ＣＮＴによる制御の下で、モールド１１１と基板１０１の各ショット領域との間の相対的な位置および相対的な回転が検出される。具体的には、モールド１１１の複数のマークの位置がスコープ１１４を使って検出される。スコープ１１４を使って検出されたモールド１１１の複数のマークの位置は、インプリント装置１００の基準座標における位置である。一方、基板１０１に形成された複数のマークの位置がアライメントスコープ１３１を使って検出される。この際に、アライメントスコープ１３１の視野内に基板１０１の検出対象のマークが入るように基板駆動部１０６によって基板１０１が駆動される。
次に、制御部ＣＮＴによる制御の下で、基板１０１の各ショット領域に対するインプリントが行われる。インプリントは、塗布部１２１によってショット領域にインプリント材１２２を供給し、インプリント材１２２にモールド１１１のパターン領域１１１ａを接触させ、照明部１４２からの光照射によってインプリント材１２２を硬化させる処理である。モールド１１１と各ショット領域との精密な位置合わせは、ダイバイダイアライメント方式で行われうる。ダイバイダイアライメント方式では、スコープ１１４を使って基板１０１のマークとモールド１１１のマークとが同時に観察される。この観察の結果に基づいて、基板１０１のショット領域とモールド１１１のパターン領域１１１ａとの間の相対的な位置ずれおよび相対的な回転が検出される。そして、基板１０１のショット領域とモールド１１１のパターン領域１１１ａとの間の相対的な位置および相対的な回転の誤差が許容範囲に収まるように基板駆動部１０６および形状補正部１１２が駆動される。ダイバイダイアライメント方式では、基板１０１とモールド１１１とがインプリント材１２２を介して接触している状態で位置合わせがなされるので、位置合わせが可能な量が限定される上に、位置合わせのために長時間を要する。そのため、ダイバイダイアライメント方式での位置合わせの開始前に、基板１０１のショット領域とモールド１１１のパターン領域１１１ａとが可能な限り正確に位置合わせされているべきである。
ダイバイダイアライメント方式での位置合わせにおいて、基板保持部１０２の回転中心ＲＣと基板１０１の中心ＳＣとが一致していれば、図４（ａ）に示されるように、基板１０１を回転させるために基板保持部１０２を回転させても、アッベ誤差は発生しない。しかし、基板保持部１０２の回転中心ＲＣと基板１０１の中心ＳＣとが一致していない場合、基板１０１を回転させるために基板保持部１０２を回転させると、図４（ｂ）に示されるように、アッベ誤差２０２が発生する。アッベ誤差２０２が大きいと、基板１０１を回転させるために基板保持部１０２を回転させると、基板１０１のマークがスコープ１１４の視野から逸脱しうる。また、基板１０１を回転させるべき量が基板保持部１０２の回転可能範囲を超えている場合には、基板駆動部１０６において、基板１０１の載せ替えを行う必要がある。ここで、図３を参照しながら基板１０１の載せ替えを説明する。基板１０１の載せ替えは、基板保持部１０２で基板１０１を保持した状態（ａ）からピン１８０で基板１０１を保持した状態（ｂ）に変更し、この状態で基板保持部１０２を回転させた後に、基板保持部１０２で基板１０１を保持した状態（ａ）に戻す動作である。このような載せ替えが発生すると、基板１０１のショット領域とモールド１１１のパターン領域１１１ａとの位置合わせが完了するまでの時間が長くなり、スループットが低下する。
以下で説明する第２モードは、第１モードにおけるようなアッベ誤差２０２の発生や基板１０１の載せ替えを抑制するために有利である。図５を参照しながら第２モードにおけるインプリント装置１００の動作を説明する。まず、ステップＳ５１０では、制御部ＣＮＴは、モールド保持部１１３によってモールド１１１が保持された状態におけるモールド１１１のパターン領域１１１ａの回転誤差を取得する。パターン領域１１１ａの回転誤差は、例えば、スコープ１１４（計測器）を使ってモールド１１１の複数のマークの位置を検出することによって取得することができる。あるいは、パターン領域１１１ａの回転誤差は、例えば、スコープ１１４を使ってモールド１１１の複数のマークと基板保持部１０２上の基準マーク１６０との相対位置を検出することによって取得することができる。
あるいは、パターン領域１１１ａの回転誤差は、例えば、モールド１１１の端面１１１ｅを基準とするパターン領域１１１ａの回転誤差成分を含みうる。ここで、図６に例示されるように、個々のモールド１１１における回転誤差成分を示す情報１９２は、１又は複数のインプリント装置１００がアクセス可能な記憶装置１９０に格納されうる。制御部ＣＮＴは、インプリント装置１００において使用されるモールド１１１のパターン領域１１１ａが有する回転誤差成分を記憶装置１９０から取得することができる。モールド１１１がその端面１１１ｅを位置決め対象としてモールド保持部１１３に対して位置決めされる場合、回転誤差成分をパターン領域１１１ａの回転誤差とみなすことができる。複数のインプリント装置１００が記憶装置１９０にアクセス可能な場合、１つのインプリント装置１００で回転誤差成分を計測し、それを示す情報１９２を記憶装置１９０に格納すれば、他のインプリント装置１００がその情報１９２を利用することができる。これは、同一のモールド１１１を複数のインプリント装置１００が利用する場合に有用である。
あるいは、パターン領域１１１ａの回転誤差は、モールド１１１の端面１１１ｅを基準とするパターン領域１１１ａの回転誤差成分と、インプリント装置１００の基準座標（又は基準面）に対するモールド１１１の端面１１１ｅの回転とを含みうる。制御部ＣＮＴは、回転誤差成分を示す情報１９２を記憶装置１９０から取得することができる。また、制御部ＣＮＴは、計測器１１５を使ってモールド１１１の端面１１１ｅの位置を複数個所について計測することによって端面１１１ｅの回転を検出することができる。制御部ＣＮＴは、記憶装置１９０から取得したパターン面１１１ａの回転誤差成分と計測器１１５を使って検出されたモールド１１１の端面１１１ｅの回転とに基づいてパターン領域１１１ａの回転誤差を決定することができる。即ち、パターン面１１１ａの回転誤差成分とモールド１１１の端面１１１ｅの回転との和がパターン領域１１１ａの回転誤差である。
次に、ステップＳ５２０では、制御部ＣＮＴは、基板１０１を回転機構１５２に搬送するように基板搬送機構１５１を制御する。次に、ステップＳ５３０では、制御部ＣＮＴは、パターン領域１１１ａの回転誤差に応じて基板１０１を回転させるように回転機構１５２を制御する。即ち、制御部ＣＮＴは、パターン領域１１１ａの回転誤差が相殺されるように、回転機構１５２に基板１０１を回転させる。例えば、パターン領域１１１ａの回転誤差が＋θであれば、制御部ＣＮＴは、パターン領域１１１ａの回転誤差が相殺されるように、回転機構１５２に基板１０１を＋θだけ回転させる。
次に、ステップＳ５４０では、制御部ＣＮＴは、基板１０１を回転機構１５２から基板保持部１０２に搬送し基板保持部１０２に渡すように基板搬送機構１５１を制御する。このようにして基板保持部１０２に渡された基板１０１は、パターン領域１１１ａの回転誤差に応じて既に回転している。つまり、基板保持部１０２に渡された基板１０１は、パターン領域１１１ａの回転誤差を相殺するように既に回転している。よって、基板駆動部１０６によってパターン領域１１１ａの回転誤差に応じて基板１０１（基板保持部１０２）を回転させる必要はなく、基板１０１の載せ替えの必要もない。したがって、第２モードは、アッベ誤差の低減や基板１０１の載せ替えの抑制のために有利である。アッベ誤差の低減により、スコープ１１４の視野から基板１０１のマークが逸脱する可能性が低減される。また、基板１０１の載せ替えの抑制により、スループットが向上する。
次に、ステップＳ５５０では、制御部ＣＮＴは、インプリントの実行を制御する。インプリントは、塗布部１２１によってショット領域にインプリント材１２２を供給し、インプリント材１２２にモールド１１１のパターン領域１１１ａを接触させ、照明部１４２からの光照射によってインプリント材１２２を硬化させる処理である。
インプリント装置１００は、第２モードの代わりに、あるいは、第１モードおよび第２モードに追加して、第３モードを有しうる。以下、図７を参照しながら第３モードにおけるインプリント装置１００の動作を説明する。第３モードでは、第１基板が操作されている間に、あるいは、第１基板が基板保持部１０２に搬送される前に、パターン領域１１１ａの回転誤差が計測される。ここで、第１基板は、複数の基板からなるロットにおいて最初に処理される基板である。第１基板の後の処理される基板を第２基板と呼ぶことにする。第３モードでは、第１基板は、パターン領域１１１ａの回転誤差に応じて基板駆動部１０６によって回転される。
まず、ステップＳ７００では、制御部ＣＮＴは、処理対象の基板１０１が第１基板であるかどうかを判断し、第１基板であれば、ステップＳ７０２に処理を進め、第２基板であれば、ステップＳ７１４に処理を進める。ステップＳ７０２では、制御部ＣＮＴは、第１基板を回転機構１５２に搬送するように基板搬送機構１５１を制御する。ステップＳ７０４では、制御部ＣＮＴは、第１基板が基準方向を向くように第１基板が回転するように回転機構１５２を制御する。ステップＳ７０６では、制御部ＣＮＴは、モールド保持部１１３によってモールド１１１が保持された状態におけるモールド１１１のパターン領域１１１ａの回転誤差を上記のいずれかの方法によって計測する。ステップＳ７０８では、制御部ＣＮＴは、第１基板を回転機構１５２から基板保持部１０２に搬送し基板保持部１０２に渡すように基板搬送機構１５１を制御する。ステップＳ７１０では、制御部ＣＮＴは、パターン領域１１１ａの回転誤差に応じて第１基板を回転させるように基板駆動部１０６を制御する。即ち、制御部ＣＮＴは、パターン領域１１１ａの回転誤差が相殺されるように、基板駆動部１０６に第１基板を回転させる。例えば、パターン領域１１１ａの回転誤差が＋θであれば、制御部ＣＮＴは、パターン領域１１１ａの回転誤差が相殺されるように、基板駆動部１０６に第１基板＋θだけ回転させる。基板駆動部１０６による第１基板の回転の際に載せ替え動作が起こりうる。ステップＳ７１２では、制御部ＣＮＴは、第１基板に対するインプリントの実行を制御する。
ステップＳ７１４では、制御部ＣＮＴは、第２基板を回転機構１５２に搬送するように基板搬送機構１５１を制御する。次に、ステップＳ７１６では、制御部ＣＮＴは、ステップＳ７０６で計測されたパターン領域１１１ａの回転誤差に応じて第２基板を回転させるように回転機構１５２を制御する。次に、ステップＳ７１８では、制御部ＣＮＴは、第２基板を回転機構１５２から基板保持部１０２に搬送し基板保持部１０２に渡すように基板搬送機構１５１を制御する。このようにして基板保持部１０２に渡された第２基板は、パターン領域１１１ａの回転誤差に応じて既に回転している。つまり、基板保持部１０２に渡された基板１０１は、パターン領域１１１ａの回転誤差を相殺するように既に回転している。よって、基板駆動部１０６によってパターン領域１１１ａの回転誤差に応じて第２基板（基板保持部１０２）を回転させる必要はなく、第２基板の載せ替えの必要もない。次に、ステップＳ７２０では、制御部ＣＮＴは、第２基板のインプリントの実行を制御する。ステップＳ７２２では、制御部ＣＮＴは、全ての基板についてインプリント処理が終了したかどうかを判断し、まだであれば、ステップＳ７１４に処理を戻す。
インプリント装置１００は、第２または第３モードの代わりに、あるいは、第１ないし第３モードに追加して、第４モードを有しうる。以下、図８を参照しながら第４モードにおけるインプリント装置１００の動作を説明する。第４モードでは、スコープ１１４（計測器）によって、モールド１１１のマークと第１基板のマークとの相対位置を計測することによって、パターン領域１１１ａと第１基板との相対的な回転誤差がパターン領域１１１ａの回転誤差として検出される。回転機構１５２による第２基板の回転は、第１基板を使ってスコープ１１４（計測器）によって検出されたパターン領域１１１ａの回転誤差に応じてなされる。第４モードでは、第１基板は、パターン領域１１１ａの回転誤差に応じて基板駆動部１０６によって回転される。
図８において、図７に示された処理におけるステップと同様のステップには、同様の参照符号が付されている。第４モードでは、第３モードにおけるステップＳ７０６はなく、ステップＳ７０８において第１基板が基板保持部１０２に搬送され、基板保持部１０２によって保持された後に、ステップＳ７０６’が実施される。ステップＳ７０６’では、制御部ＣＮＴは、スコープ１１４（計測器）を使ってモールド１１１の複数のマークと第１基板の複数のマークとの相対位置を計測する。これによって、制御部ＣＮＴは、パターン領域１１１ａと第１基板との相対的な回転誤差を検出する。この回転誤差は、パターン領域１１１ａの回転誤差として決定されうる。このようにして決定されたパターン領域１１１ａの回転誤差は、基板搬送機構１５１が第１基板（基板１０１）を基板保持部１０２に渡した際の搬送誤差を含んでいる。この搬送誤差は、複数の基板の搬送において、ほぼ一定しているものと考えられる。よって、このようにして決定されたパターン領域１１１ａの回転誤差に応じてステップＳ７１６において回転機構１５２によって第２基板を回転させることによって基板搬送機構１５１による搬送誤差を予め相殺することができる。
以上のモードでは、一旦決定したパターン領域１１１ａの回転誤差を継続して使用するが、該回転誤差は、インプリントの繰り返し、即ちインプリント材とモールド１１１との接触・引き離し、光の照射などの繰り返しによって変化しうる。そこで、各ショット領域のインプリントの際のダイバイダイアライメントで得られる計測結果に基づいてパターン領域１１１ａの回転誤差を更新してもよい。
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンが形成された基板を処理（例えば、エッチング）する工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも一つにおいて有利である。
１０１：基板、１０２：基板保持部（微動ステージ）、１０３：微動アクチュエータ、１０４：粗動ステージ、１０５：粗動アクチュエータ、１０６：基板駆動部、１１１：モールド、１１１ａ：パターン領域、１１１ｅ：端面、１１２：形状補正部、１１４：スコープ（計測器）、１１５：計測器、１２１：塗布部、１２２：インプリント材、１３１：アライメントスコープ、１５１：基板搬送機構、１５２：回転機構、ＣＮＴ：制御部、１８０：ピン、１００：インプリント装置

Claims (11)

  1. 基板の上に供給されたインプリント材にモールド保持部によって保持されたモールドのパターン領域を接触させて該インプリント材を硬化させるインプリント装置であって、
    前記基板を保持する基板保持部と、
    前記基板を回転させる回転機構と、を備え、
    前記パターン領域の回転誤差に応じて前記回転機構によって前記基板が回転された後に前記基板が前記基板保持部に配置される、
    ことを特徴とするインプリント装置。
  2. 前記パターン領域の回転誤差を検出するための計測器を更に備える、
    ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
  3. 前記計測器は、前記モールドに形成された複数のマークの位置を計測し、
    前記複数のマークの位置に基づいて前記パターン領域の回転誤差が検出される、
    ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
  4. 前記モールドおよび前記基板とは異なる位置に形成されている複数の基準マークを有し、
    前記計測器は、前記モールドに形成された複数のマークと前記複数の基準マークとの相対位置を計測し、
    前記相対位置に基づいて前記パターン領域の回転誤差を検出される、
    ことを特徴とする請求項２または３に記載のインプリント装置。
  5. 前記回転機構は、前記基板保持部に前記基板を搬送する搬送機構に備えられており、
    前記搬送機構は、前記基板を前記基板保持部に搬送中に前記パターン領域の回転誤差に応じて前記基板を回転させて前記基板保持部に配置することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のインプリント装置。
  6. 前記基板保持部に前記基板を搬送する搬送機構を備え、
    前記パターン領域の回転誤差に応じて前記回転機構によって前記基板が回転された後に前記搬送機構によって前記基板が前記基板保持部に配置されることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のインプリント装置。
  7. 前記パターン領域の回転誤差は、前記モールドの外形を基準とする前記パターン領域の回転誤差成分を含み、
    前記回転誤差成分は、記憶装置から取得され、
    前記回転誤差成分に応じて前記回転機構によって前記基板が回転された後に前記基板が前記基板保持部に配置される、
    ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のインプリント装置。
  8. 前記インプリント装置の基準座標に対する前記モールドの外形の回転を検出するための計測器を更に備え、
    前記パターン領域の回転誤差は、前記モールドの外形を基準とする前記パターン領域の回転誤差成分と、前記モールドの外形の回転とを含み、
    前記回転誤差成分は、記憶装置から取得され、
    前記パターン領域の回転誤差は、前記回転誤差成分と前記計測器を使って検出された前記モールドの外形の回転とに基づいて決定される、
    ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
  9. 第１基板が処理された後に第２基板が処理され、
    前記計測器は、前記モールドに形成された複数のマークと前記第１基板に形成された複数のマークとの相対位置を計測し、
    前記相対位置に基づいて前記パターン領域の回転誤差が決定される、
    ことを特徴とする請求項２又は３に記載のインプリント装置。
  10. 基板を回転させる回転工程と、
    回転された前記基板を基板保持部に搬送し前記基板保持部に保持させる搬送工程と、
    前記基板の上に供給されたインプリント材にモールド保持部によって保持されたモールドのパターン領域を接触させて前記インプリント材を硬化させるインプリント工程と、を含み、
    前記回転工程では、前記パターン領域の回転誤差に応じて前記基板を回転させる、
    ことを特徴とするインプリント方法。
  11. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて、基板の上のインプリント材にパターンを形成する工程と、
    インプリント材に形成されたパターンを用いて前記基板を加工する工程と、
    を含むことを特徴とする物品製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US618467A (en) * 1899-01-31 Fifth-wheel
JPH0488624A (ja) * 1990-07-31 1992-03-23 Nec Corp 半導体露光装置
JPH10177942A (ja) * 1996-12-17 1998-06-30 Nikon Corp 露光装置および露光装置における感光基板の受け渡し方法
JPH11307425A (ja) * 1998-04-22 1999-11-05 Nikon Corp マスクの受け渡し方法、及び該方法を使用する露光装置
JP4290177B2 (ja) * 2005-06-08 2009-07-01 キヤノン株式会社 モールド、アライメント方法、パターン形成装置、パターン転写装置、及びチップの製造方法
KR100740995B1 (ko) * 2006-07-26 2007-07-20 한국기계연구원 나노 임프린트 공정에서 원형 모아레를 이용한 기판정렬장치
JP5150309B2 (ja) * 2008-03-03 2013-02-20 東芝機械株式会社 転写装置および転写方法
JP5173944B2 (ja) * 2009-06-16 2013-04-03 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法
JP5809409B2 (ja) * 2009-12-17 2015-11-10 キヤノン株式会社 インプリント装置及びパターン転写方法
JP2011258605A (ja) * 2010-06-04 2011-12-22 Toshiba Corp パターン形成方法および半導体デバイスの製造方法
JP2012084732A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Canon Inc インプリント方法及び装置
JP6053266B2 (ja) * 2011-09-01 2016-12-27 キヤノン株式会社 インプリント装置、物品の製造方法及びインプリント方法

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