JP7117841B2 - ワーク検出装置、成膜装置及びワーク検出方法 - Google Patents
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Description
ホルダに収容された正常な位置にあるワークからの反射光の画像が収まる大きさの第1の領域を設定する第1の設定部と、
前記第1の領域よりも大きく、前記第1の領域が全て収まる第2の領域を設定する第2の設定部と、
前記ホルダに収容されて撮像されたワークからの反射光で形成される画像のうち、前記ワークの外縁に相当する輪郭に囲まれた領域である、反射光の画像が、前記第2の領域のうち前記第1の領域と重なる領域以外の領域と重なる領域の面積に対応する値を検出する検出部と、
前記検出部により検出された値が、しきい値を超えるか否かに基づいて、前記ホルダに対する前記ワークの位置の異常の有無を判定する判定部と、
を有する。
コンピュータ又は電子回路が、
ホルダに収容された正常な位置にあるワークからの反射光の画像が収まる大きさの第1の領域を設定する第1の設定処理と、
前記第1の領域よりも大きく、前記第1の領域が全て収まる第2の領域を設定する第2の設定処理と、
ワークからの反射光で形成される画像のうち、前記ワークの外縁に相当する輪郭に囲まれた領域である、反射光の画像が、前記第2の領域のうち前記第1の領域と重なる領域以外の領域と重なる面積に対応する値を検出する検出処理と、
前記検出処理により検出された値が、しきい値を超えるか否かに基づいて、ホルダに対する前記ワークの位置の異常の有無を判定する判定処理と、
を実行する。
(ウエーハ)
本実施形態では、成膜対象のワークとして、図1に示すように半導体のウエーハWを使用する例を説明する。ウエーハWは、成膜工程の前に表面に回路が形成され、裏面が研削されている。近年では、高集積化に伴う薄化傾向により、ウエーハWは厚さ数十μmレベルまで研削される。このようにウエーハWは非常に薄く形成されているため、反りや歪みが生じている。成膜工程では、研削された面に膜が形成される。
また、本実施形態では、成膜されるウエーハWが載置される部材として、図2に示すように、ホルダHを用いる。ホルダHは、A-A切断面で切断した断面が矩形の有底円筒形状の部材であり、内部にウエーハWを収容する大きさの収容部Hsを有している。ホルダHの底部には、ウエーハWよりも小さい径の開口Hоが形成されている。このため、開口Hоの周縁の底部によって、ウエーハWの表面の外周が支持可能となっている。また、開口Hоは、昇降板232及び昇降軸233が挿排可能な大きさである(図5参照)。
(概要)
図3に示すように、本実施形態の成膜装置100は、大気ローダ200、成膜部300及び制御装置400を有する。
大気ローダ200は、ホルダ供給部210、ウエーハ供給部220、検出機構230を有する。ホルダ供給部210は、図示はしないが、ホルダHを多数積層して収容したホルダカセット及び搬送アームを有する。ウエーハ供給部220は、ウエーハWを多数積層して収容したウエーハカセット及び搬送アームを有する。検出機構230は、ホルダHに載置されたウエーハWを撮像する構成部である。
成膜部300は、図3に示すように、六角柱状の真空搬送室310を中心とし、真空搬送室310の各側面に沿って、複数のチャンバ30が配置されたマルチチャンバ構成となっている。複数のチャンバ30の少なくとも一つは、ウエーハWに対して成膜を行う成膜室である。成膜室の数は、ウエーハWに形成する膜の数に応じて決定されるものであり、特定の数に限定されない。また、チャンバ30のいずれかを、冷却室、加熱室、エッチング室等、成膜以外の処理を行う室としてもよい。
次に、本実施形態に係る成膜装置100の動作について説明する。なお、以下のような手順によりウエーハWの位置の異常を検出する検出方法も、本発明の一態様である。すなわち、搬送アームによりホルダ供給部210から取り出されたホルダHは、図4に示すように、検出機構230の支持台231に載置される。一方、搬送アームによりウエーハ供給部220から取り出されたウエーハWは、支持台231に載置されたホルダHの上方に搬送される。
第1の領域S1及び第2の領域S2を設定する処理を説明する。まず、ホルダHに対して正常な位置にあるウエーハWに対して、光源22から光を照射して、その反射光をカメラ21が撮像する(ステップ101)。撮像されたウエーハWの画像は、図8(A)、(B)に示すように、ディスプレイの表示画面に表示される(ステップ102)。
次に、設定された第1の領域S1及び第2の領域S2に基づいて、ウエーハWの位置の異常を検出する処理を説明する。上記のように、ホルダHの収容部Hsに収容されたウエーハWに対して、光源22が光を照射して、その反射光をカメラ21が撮像する(ステップ106)。
次に、以上のように位置が修正されたウエーハW又は正常な位置のウエーハWに対する成膜処理を説明する。まず、大気ゲート弁326bが開き、搬送アームによって、ウエーハWを載置したホルダHがロードロック室326に搬入される。
(1)上述したように、本実施形態の成膜装置100は、所定の大きさの第1の領域S1を設定する第1の設定部42と、第1の領域S1よりも大きく、第1の領域S1が全て収まる第2の領域S2を設定する第2の設定部43と、ホルダHに収容されて撮像されたウエーハWの反射光の画像が、第1の領域S1と第2の領域S2との間の領域と重なる領域の面積に対応する値を検出する検出部44と、検出部44により検出された値が、しきい値を超えるか否かに基づいて、ホルダHに対するウエーハWの位置の異常の有無を判定する判定部45と、を有する。
(1)本発明は、上述の実施形態そのままに限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で構成要素を適宜変形することができる。また、上述の実施形態に開示されてい
る複数の構成要素を適宜組み合わせても良い。例えば、上述の実施形態に示される構成要
素から幾つかの構成要素を削除してもよく、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み
合わせてもよい。
200 大気ローダ
210 ホルダ供給部
220 ウエーハ供給部
230 検出機構
231 支持台
232 昇降板
233 昇降軸
234 支柱
235 撮像部
21 カメラ
22 光源
300 成膜部
310 真空搬送室
311 搬送アーム
321~325 成膜室
321a~325a 真空ゲート弁
326 ロードロック室
326a 真空ゲート弁
326b 大気ゲート弁
30 チャンバ
30a 圧力計
30b ガス導入部
31 ステージ
31a シャフト
31b 静電チャック
32 昇降機構
32a ロッド
32b テーブル
32c ピン
33 スパッタ源
33a ターゲット
33b バッキングプレート
33c 導電部材
34 電源
400 制御装置
40 機構制御部
41 表示処理部
42 第1の設定部
43 第2の設定部
44 検出部
45 判定部
46 記憶部
47 入出力制御部
48 入力部
49 表示部
Claims (8)
- ホルダに収容された正常な位置にあるワークからの反射光の画像が収まる大きさの第1の領域を設定する第1の設定部と、
前記第1の領域よりも大きく、前記第1の領域が全て収まる第2の領域を設定する第2の設定部と、
前記ホルダに収容されて撮像されたワークからの反射光で形成される画像のうち、前記ワークの外縁に相当する輪郭に囲まれた領域である、反射光の画像が、前記第2の領域のうち前記第1の領域と重なる領域以外の領域と重なる領域の面積に対応する値を検出する検出部と、
前記検出部により検出された値が、しきい値を超えるか否かに基づいて、前記ホルダに対する前記ワークの位置の異常の有無を判定する判定部と、
を有することを特徴とするワーク検出装置。 - 前記第1の領域及び前記第2領域は、同心円であることを特徴とする請求項1記載のワーク検出装置。
- 前記第1の設定部による第1の領域の設定を指示する入力部と、
前記第2の設定部は、前記入力部による前記第1の領域の設定に応じて、前記第2の領域を設定することを特徴とする請求項1または2に記載のワーク検出装置。 - 前記面積に対応する情報を表示する表示部を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のワーク検出装置。
- 前記表示部は、前記異常を示す情報を表示することを特徴とする請求項4記載のワーク検出装置。
- 前記ワークに光を照射する単一の光源と、
前記ワークからの反射光を撮像する撮像部と、
を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のワーク検出装置。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載のワーク検出装置と、
前記ワーク検出装置による位置の異常の有無を判定されたワークに対して、成膜を行う成膜部と、
を有することを特徴とする成膜装置。 - コンピュータ又は電子回路が、
ホルダに収容された正常な位置にあるワークからの反射光の画像が収まる大きさの第1の領域を設定する第1の設定処理と、
前記第1の領域よりも大きく、前記第1の領域が全て収まる第2の領域を設定する第2の設定処理と、
ワークからの反射光で形成される画像のうち、前記ワークの外縁に相当する輪郭に囲まれた領域である、反射光の画像が、前記第2の領域のうち前記第1の領域と重なる領域以外の領域と重なる面積に対応する値を検出する検出処理と、
前記検出処理により検出された値が、しきい値を超えるか否かに基づいて、ホルダに対する前記ワークの位置の異常の有無を判定する判定処理と、
を実行することを特徴とするワーク検出方法。
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