JP2006515955A - シリコン化合物によるシリコン含有層の堆積 - Google Patents
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Abstract
Description
[0002]本発明の実施形態は、一般的には、シリコン含有膜の堆積に関し、更に詳細には、シリコン化合物の合成物及びシリコン含有膜を堆積させる関連した方法に関する。
関連技術の説明
[0003]原子層エピタキシー(ALE)は、単一原子層を結晶格子上に成長させることによって膜厚の正確な制御を与える。ALEは、多くのIV族半導体材料、例えば、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、シリコンカーボン及びシリコンゲルマニウムカーボンを開発するために使われている。ALEによって製造されるシリコン系物質は、半導体材料として用いるのに興味深いものである。シリコン系物質は、選択可能な濃度でゲルマニウム及び/又はカーボンを含むことができ、ポリシリコン膜、アモルファス膜又は単結晶膜として成長する。シリコン含有膜がエピタキシャル成長する、シリコン-ALEは2つのステップからなる。
[0009]他の実施形態においては、本発明は、一般的には、下記構造を含む合成物を提供する。
[0010]他の実施形態においては、本発明は、一般的には、下記構造を含む合成物を提供する。
[0011]他の実施形態においては、本発明は、一般的には、シリコン含有膜を堆積させる方法であって、基板表面にシリコン化合物を分配するステップとシリコン化合物を反応させて基板表面上にシリコン含有膜を堆積させるステップを含む、前記方法を提供する。シリコン化合物は下記構造を含んでいる。
[0012]他の実施形態においては、本発明は、一般的には、下記構造を含む合成物を提供する。
[0013]他の実施形態においては、本発明は、一般的には、下記構造を含む合成物を提供する。
[0014]他の実施形態においては、本発明は、一般的には、シリコン含有膜を堆積させる方法であって、基板表面にシリコン化合物を分配するステップとシリコン化合物を反応させて基板表面上にシリコン含有膜を堆積させるステップとにより提供する。いくつかの実施形態においては、シリコン化合物は3つのシリコン原子と、カーボン、シリコン又はゲルマニウムの4番目の原子と、水素又はハロゲンの原子と少なくとも1つのハロゲンとを含んでいる。他の実施形態においては、シリコン化合物は、4つのシリコン原子と、カーボン、シリコン又はゲルマニウムの5番目の原子と、水素又はハロゲン原子と少なくとも1つのハロゲンとを含んでいる。いくつかの実施形態においては、シリコン含有膜は、シリコン、シリコンゲルマニウム、シリコンカーボン及びシリコンゲルマニウムカーボンからなる群より選ばれる。
[0018]シリコン源は、Cl3SiSiCl2H、Cl3SiSiClH2、Cl3SiSiH3、HCl2SiSiH3、H2ClSiSiH3、HCl2SiSiCl2H、H2ClSiSiClH2のような式を有する。他のシリコン源は、少なくとも1つのH原子及び/又は少なくとも1つのCl原子をフッ素のような他のハロゲンで置換することによって得られる。従って、シリコン源は、Cl3SiSiF2H、F3SiSiClH2、F3SiSiH3、F3SiSiCl3、HFClSiSiF3、H2ClSiSiH3、FCl2SiSiF2H、H2ClSiSiClF2のような化学式を有してもよい。同様にハロゲン化した他のシリコン源も本方法を可能にする。
[0027]他の態様においては、本発明の実施形態は、下記の代表的な構造を有するシリコン化合物、化合物9-32に関する。
シリコン化合物SiRX 6 をむ理論実験1-17
[0056]実施例1:選択的CVDによる単結晶シリコン:基板、Si<100>を用いてCVDによる選択的単結晶膜成長を調べた。酸化シリコン特徴部は、ウエハの表面上に存在した。ウエハを、30秒間0.5%HFに浸し、続いて60秒間750℃でベークすることによって調製した。ウエハを、堆積チャンバ(Epi Centura(登録商標)チャンバ)に装填し、2分間水素パージに供した。キャリアガスフロー、水素を基板方向に向け、供給源化合物をキャリアフローに加えた。シリコン化合物、30sccmのCl3SiSiH3を10Torr、750℃でチャンバに分配した。基板を750℃に維持した。堆積を3分間行いシリコン表面上に400オングストロームのエピタキシャル層を形成したが、二酸化シリコン表面上にエピタキシャル成長は起こらなかった。
シリコン化合物Si 2 RX 8 を含む理論実験18-34
[0073]実施例18:選択的CVDによる単結晶シリコン:基板、Si<100>をCVDによる選択的な単結晶膜成長を調べるために用いた。酸化シリコン特徴部はウエハの表面上に存在した。ウエハを、30秒間0.5%HFに浸し、続いて60秒間750℃でベークすることにより調製した。ウエハを、堆積チャンバ(Epi Centura(登録商標)チャンバ)に装填し、2分間水素パージに供した。キャリヤガスフロー、水素を基板方向に向け、供給源化合物をキャリアフローに加えた。シリコン化合物、30sccmのCl3SiSiH2SiH3を10Torr、750℃のチャンバに分配した。基板を750℃に維持した。堆積を3分間行ってシリコン表面上に400オングストロームのエピタキシャル層を形成したが、二酸化シリコン表面上にエピタキシャル成長は起こらなかった。
化合物1-32からのシリコン化合物を含む理論実験35-56
[0090]実施例35:選択的CVDによる単結晶シリコン:基板であるSi<100>をCVDによる選択的単結晶膜成長を調べるために用いた。酸化シリコン特徴部はウエハの表面上に存在した。ウエハを、30秒間0.5%HFに浸し、続いて60秒間750℃でベークすることにより調製した。ウエハを、堆積チャンバ(Epi Centura(登録商標)チャンバ)に装填し、2分間水素パージに供した。キャリヤガスフロー、水素を基板方向に向け、供給源化合物をキャリアフローに加えた。シリコン化合物、30sccmのCl3SiSiH2SiH2SiH3を10Torr、750℃でチャンバに分配した。基板を750℃に維持した。堆積を3分間行ってシリコン表面上に400オングストロームのエピタキシャル層を形成したが、二酸化シリコン表面上にエピタキシャル成長は起こらなかった。
[00108]実施例53:H 3 SiSiH 2 SiH 2 SiH 2 GeCl 3 の合成:2.5リットルのSUS(リアクタ1)と5リットルのSUS(リアクタ2)を直列に接続し、リアクタ1の内部温度を450℃に設定し、リアクタ2の内部温度を350℃に設定した。圧力を0.13MPaに設定した。テトラシランを、リアクタ1に15リットル/分の流量で供給した。テトラクロロゲルマンを、リアクタ1に15リットル/分の流量で供給した。リアクタ2の流出ガスを分析してシラン化合物とH3SiSiH2SiH2SiH2GeCl3を含むシリコン化合物の収量を求めた。
Claims (66)
- Rがシリコンであり、X1-X6が独立して水素又は塩素である、請求項1記載の方法。
- 該シリコン含有膜が、シリコン、シリコンゲルマニウム、シリコンカーボン又はシリコンゲルマニウムカーボンからなる群より選ばれた物質を含んでいる、請求項1記載の方法。
- 該シリコン含有膜が、ホウ素、リン又はヒ素からなる群より選ばれた元素でドープされている、請求項3記載の方法。
- 該シリコン含有膜が、原子層エピタキシー、原子層堆積又は化学気相堆積によって堆積される、請求項3記載の方法。
- 該シリコン含有膜を堆積させつつ補助的エッチング剤が用いられ、該補助的エッチング剤がHCl、Cl2、HF、HBr、XeF2、NH4F、 (NH4)(HF2)、NF3及びその組合わせからなる群より選ばれる、請求項5記載の方法。
- 該シリコン含有膜の厚さが約2.5オングストロームから約10μmまでの範囲にある、請求項5記載の方法。
- 該少なくとも1つのハロゲンがインサイチュエッチング剤に変換される、請求項7記載の方法。
- Rがシリコンであり、X1-X6が独立して水素又は塩素である、請求項9記載の合成物。
- X1-X6が少なくとも3つの水素を含んでいる、請求項9記載の合成物。
- X1-X6が少なくとも3つのハロゲンを含んでいる、請求項9記載の合成物。
- X1-X6が少なくとも1つの塩素と、フッ素及び臭素からなる群より選ばれた少なくとも1つの原子とを含んでいる、請求項9記載の合成物。
- X1-X6が少なくとも3つのハロゲンを含んでいる、請求項13記載の合成物。
- X1-X6が各々水素である、請求項15記載の合成物。
- Rがシリコンであり、X1-X8が独立して水素又は塩素である、請求項17記載の方法。
- 該シリコン含有膜が、シリコン、シリコンゲルマニウム、シリコンカーボン又はシリコンゲルマニウムカーボンからなる群より選ばれた物質を含んでいる、請求項17記載の方法。
- 該シリコン含有膜が、ホウ素、リン又はヒ素からなる群より選ばれた元素でドープされている、請求項19記載の方法。
- 該シリコン含有膜が、原子層エピタキシー、原子層堆積又は化学気相堆積によって堆積する、請求項19記載の方法。
- X1-X8が少なくとも3つの水素原子を含んでいる、請求項17記載の方法。
- X1-X8が少なくとも3つのハロゲン原子を含んでいる、請求項17記載の方法。
- 該シリコン含有膜を堆積させつつ補助的エッチング剤が用いられ、該補助的エッチング剤がHCl、Cl2、HF、HBr、XeF2、NH4F、 (NH4)(HF2)、NF3及びその組合わせからなる群より選ばれる、請求項21記載の方法。
- 該シリコン含有膜の厚さが約2.5オングストロームから約10μmまでの範囲にある、請求項21記載の方法。
- 該少なくとも1つのハロゲンがインサイチュエッチング剤に変換される、請求項25記載の方法。
- Rがシリコンであり、X1-X8が独立して水素又は塩素である、請求項27記載の合成物。
- X1-X8が少なくとも3つの水素を含んでいる、請求項27記載の合成物。
- X1-X8が少なくとも3つのハロゲンを含んでいる、請求項27記載の合成物。
- X1-X8が少なくとも1つの塩素と、フッ素及び臭素からなる群より選ばれた少なくとも1つの原子とを含んでいる、請求項27記載の合成物。
- X1-X8が少なくとも3つのハロゲンを含んでいる、請求項31記載の合成物。
- X1-X8が各々水素である、請求項33記載の合成物。
- シリコン含有膜を堆積させる方法であって、
シリコン化合物を基板表面に分配するステップと、
該シリコン化合物を反応させて該シリコン含有膜を該基板表面上に堆積させるステップと、
を含み、該シリコン化合物が化合物1-8(ここで、X1-X10は独立して水素又はハロゲンであり、Rはカーボン、シリコン又はゲルマニウムであり、X1-X10は少なくとも1つのハロゲンを含む。)の構造を含んでいる、前記方法。 - Rがシリコンであり、X1-X10が独立して水素、塩素又はフッ素である、請求項35記載の方法。
- 該シリコン含有膜が、シリコン、シリコンゲルマニウム、シリコンカーボン又はシリコンゲルマニウムカーボンからなる群より選ばれた物質を含んでいる、請求項35記載の方法。
- 該シリコン含有膜が、ホウ素、リン又はヒ素からなる群より選ばれた元素でドープされている、請求項37記載の方法。
- 該シリコン含有膜が、原子層エピタキシー、原子層堆積又は化学気相堆積によって堆積する、請求項37記載の方法。
- 該シリコン含有膜を堆積させつつ補助的エッチング剤が用いられ、該補助的エッチング剤がHCl、Cl2、HF、HBr、XeF2、NH4F、 (NH4)(HF2)、NF3及びその組合わせからなる群より選ばれる、請求項39記載の方法。
- 該シリコン含有膜の厚さが約2.5オングストロームから約10μmまでの範囲にある、請求項39記載の方法。
- 該少なくとも1つのハロゲンがインサイチュエッチング剤に変換される、請求項41記載の方法。
- 化合物1-8の構造を含む合成物であって、X1-X10が独立して水素又はハロゲンであり、Rがカーボン、シリコン又はゲルマニウムであり、X1-X10が少なくとも1つのハロゲンを含んでいる、前記合成物。
- Rがシリコンであり、X1-X10が独立して水素又は塩素である、請求項43記載の合成物。
- X1-X10が少なくとも1つの塩素と、フッ素及び臭素からなる群より選ばれた少なくとも1つの原子とを含んでいる、請求項43記載の合成物。
- X1-X10が少なくとも3つのハロゲンを含んでいる、請求項45記載の合成物。
- 化合物1-8の構造を含む合成物であって、X1-X10が独立して水素又はハロゲンであり、Rがゲルマニウムである、前記合成物。
- X1-X10が各々水素である、請求項47記載の合成物。
- シリコン含有膜を堆積させる方法であって、
シリコン化合物を基板表面に分配するステップと、
該シリコン化合物を反応させて該シリコン含有膜を該基板表面上に堆積させるステップと、
を含み、該シリコン化合物が化合物9-32(ここで、X1-X12は独立して水素又はハロゲンであり、Rはカーボン、シリコン又はゲルマニウムである。)の構造を含んでいる、前記方法。 - Rがシリコンであり、X1-X12が独立して水素または塩素である、請求項49記載の方法。
- 該シリコン含有膜が、シリコン、シリコンゲルマニウム、シリコンカーボン又はシリコンゲルマニウムカーボンからなる群より選ばれた物質を含んでいる、請求項49記載の方法。
- 該シリコン含有膜が、ホウ素、リン又はヒ素からなる群より選ばれた元素でドープされている、請求項51記載の方法。
- 該シリコン含有膜が、原子層エピタキシー、原子層堆積又は化学気相堆積によって堆積する、請求項51記載の方法。
- X1-X12が少なくとも3つの水素原子を含んでいる、請求項49記載の方法。
- X1-X12が少なくとも3つのハロゲン原子を含んでいる、請求項49記載の方法。
- 該シリコン含有膜を堆積させつつ補助的エッチング剤が用いられ、該補助的エッチング剤がHCl、Cl2、HF、HBr、XeF2、NH4F、 (NH4)(HF2)、NF3及びその組合わせからなる群より選ばれる、請求項53記載の方法。
- 該シリコン含有膜の厚さが約2.5オングストロームから約10μmまでの範囲にある、請求項53記載の方法。
- 該少なくとも1つのハロゲンがインサイチュエッチング剤に変換される、請求項57記載の方法。
- 化合物9-32の構造を含む合成物であって、X1-X12が独立して水素又はハロゲンであり、Rがカーボン、シリコン又はゲルマニウムであり、X1-X12が少なくとも1つのハロゲンを含んでいる、前記合成物。
- Rがシリコンであり、X1-X12が独立して水素又は塩素である、請求項59記載の合成物。
- X1-X12が少なくとも3つの水素を含んでいる、請求項59記載の合成物。
- X1-X12が少なくとも3つのハロゲンを含んでいる、請求項59記載の合成物。
- X1-X12が少なくとも1つの塩素と、フッ素及び臭素からなる群より選ばれた少なくとも1つの原子とを含んでいる、請求項59記載の合成物。
- X1-X12が少なくとも3つのハロゲンを含んでいる、請求項63記載の合成物。
- 化合物9-32の構造を含む合成物であって、X1-X12が独立して水素又はハロゲンであり、Rがゲルマニウムである、前記合成物。
- X1-X12が各々水素である、請求項65記載の合成物。
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