JP2021121578A - 1,1,1−トリクロロジシランの合成 - Google Patents
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Abstract
Description
なし
技術分野
ガスクロマトグラフィー−熱伝導率検出器(GC−TCD)の装置及び条件:長さ30メートル、内径0.32mmであり、キャピラリーカラムの内表面にコーティングの形態で厚さ0.25μmの固定相を含み、固定相がフェニルメチルシロキサンから構成されるキャピラリーカラム。キャリアガスは、毎分105mmの流量で使用されるヘリウムガスであった。GC装置は、Agilent 7890A型ガスクロマトグラフであった。注入口温度は200℃であった。GC実験温度プロファイルは、50℃で2分間浸漬(保持)し、15℃/分の速度で250℃まで昇温し、その後250℃で10分間浸漬(保持)することから構成された。
グローブボックス内で、ヘキサクロロジシラン(HCDS、10.06g)及び1,3−ジイソプロピルベンゼン(DiPB、10.00g)を、添加漏斗と、ガラス製サーモウェルと、蒸留ブリッジ及び100mLのジャケット付き丸底回収フラスコに取り付けられた蒸留カラムと、を備えた250mLの三口丸底フラスコに入れた。添加漏斗に、水素化ジイソブチルアルミニウム(DIBAH、17.47g、3.3当量)とDiPB(17.44g)との混合物を入れた。ポットを80℃に加熱し、電源を切った。DIBAH/DiPBの添加速度を制御して、ポット温度を75〜80℃に維持し、添加を10分後に完了した。添加後、ポットを80℃で更に10分間加熱し、続いて冷却されている回収フラスコの中に完全な真空下で80℃でストリップ蒸留した。単離した材料は1.77gであり、サンプルをGCで分析した。ストリッピングした材料には、50.0%(w/w)の1,1,1−トリクロロジシラン(3CDS)、合計35.9%の全ての他の混合ジシラン、及び2.0%のイソブチルジシラン(1,1,1−トリクロロジシランに対して4.0%)が含まれていた。
グローブボックス内で、ヘキサクロロジシラン(HCDS、10.02g)を、添加漏斗と、ガラス製サーモウェルと、蒸留ブリッジ及び100mLのジャケット式丸底回収フラスコに取り付けられた蒸留カラムと、を備えた250mLの三口ハーフジャケット式丸底フラスコに入れた。添加漏斗に水素化ジイソブチルアルミニウム(DIBAH、17.45g、3.3当量)を入れた。ポットを3.2℃に冷却し、55分間かけてDIBAHをHCDSに滴下したところ、5.5℃の最大ポット温度になった。添加後、ポットを15分間撹拌し、10℃ずつ室温(25℃)まで温めた。室温になった後、混合物を250mLの三口丸底フラスコに移し、80℃に加熱し、−26インチHgの静的真空下、80℃のポット温度で、冷却されている回収フラスコの中へストリップ蒸留した。単離した材料は3.64gであり、サンプルをGCで分析した。ストリッピングした材料には、74.9%の1,1,1−トリクロロジシラン、合計22.4%の全ての他の混合ジシラン、及び0.8%のイソブチルジシラン(1,1,1−トリクロロジシランに対して1.1%)が含まれていた。
グローブボックス内で、ヘキサクロロジシラン(HCDS、9.23g)及び1,3−ジイソプロピルベンゼン(DiPB、9.24g)を、添加漏斗と、ガラス製サーモウェルと、蒸留ブリッジ及び100mLのジャケット式丸底回収フラスコに取り付けられた蒸留カラムと、を備えた250mLの三口ハーフジャケット式丸底フラスコに入れた。添加漏斗に、水素化ジイソブチルアルミニウム(DIBAH、16.12g、3.3当量)及びDiPB(16.12g)を入れた。ポットを−9.3℃に冷却し、55分間かけてDIBAH/DiPB混合物をHCDSに滴下したところ、−6.6℃の最大ポット温度になった。添加後、ポットを20分間撹拌し、その後10℃ずつ室温まで温めた。室温になった後、混合物を250mLの三口丸底フラスコに移し、80℃に加熱し、冷却されている回収フラスコの中に完全な真空下で80℃のポット温度でストリップ蒸留した。単離した材料は2.16gであり、サンプルをGCで分析した。ストリッピングした材料には、90.5%の1,1,1−トリクロロジシラン、合計8.4%の全ての他の混合ジシラン、及び0.07%のイソブチルジシラン(1,1,1−トリクロロジシランに対して0.08%)が含まれていた。
グローブボックス内で、ヘキサクロロジシラン(HCDS、10.01g)及び1,3−ジイソプロピルベンゼン(DiPB、10.00g)を、添加漏斗と、ガラス製サーモウェルと、蒸留ブリッジ及び100mLのジャケット式丸底回収フラスコに取り付けられた蒸留カラムと、を備えた250mLの三口ハーフジャケット式丸底フラスコ入れた。添加漏斗に、水素化ジイソブチルアルミニウム(DIBAH、17.45g、3.3当量)を入れた。ポットを−9.3℃に冷却し、55分間かけてDIBAHをHCDSに滴下したところ、−6.4℃の最大ポット温度になった。添加後、ポットを25分間撹拌し、その後10℃ずつ室温まで温めた。室温になった後、混合物を250mLの三口丸底フラスコに移し、80℃に加熱し、完全な真空下で80℃のポット温度でストリップ蒸留した。単離した材料は3.72gであり、サンプルをGCで分析した。ストリッピングした材料には、90.7%の1,1,1−トリクロロジシラン、合計8.1%の全ての他の混合ジシラン、及び0.05%のイソブチルジシラン(1,1,1−トリクロロジシランに対して0.06%)が含まれていた。
グローブボックス内で、ヘキサクロロジシラン(HCDS、9.99g)及び1,3−ジイソプロピルベンゼン(DiPB、10.00g)を、添加漏斗と、ガラス製サーモウェルと、蒸留ブリッジ及び100mLのジャケット式丸底回収フラスコに取り付けられた蒸留カラムと、を備えた250mLの三口ハーフジャケット式丸底フラスコに入れた。添加漏斗に、水素化ジイソブチルアルミニウム(DIBAH、15.87g、3.0当量)を入れた。ポットを−1.6℃に冷却し、50分間かけてDIBAHをHCDSに滴下したところ、1.8℃の最大ポット温度になった。添加後、ポットを20分間撹拌し、その後10℃ずつ室温まで温めた。室温になった後、混合物を250mLの三口丸底フラスコに移し、80℃に加熱し、−26インチHgの静的真空下、80℃のポット温度でストリップ蒸留した。単離した材料は4.03gであり、サンプルをGCで分析した。ストリッピングした材料には、86.2%の1,1,1−トリクロロジシラン、合計13.0%の全ての他の混合ジシラン、及び0.05%のイソブチルジシラン(1,1,1−トリクロロジシランに対して0.06%)が含まれていた。
12Lの反応器の中に、1,440gのHCDS(純度99%)及び1,680gのDIPBを入れ、次いで反応器と内容物を撹拌し、−8℃まで一晩冷却した。冷却することで反応器の内容物を−2℃±1℃に維持しつつ、250rpmで撹拌しながらDIBAHを約135g/hrで反応器の中にポンプで入れた。添加後、14torrまで下げた真空下で、5トレイのカラム及びコンデンサーを通してストリッピングしながら透明な反応混合物を90℃に加熱した。ストリッピングされた粗生成物(421g)を冷却されている受器に集めたところ、これはGC−TCDによれば82%の3CDSを含んでいた。3CDSの収率は、HCDSを基準として39%であると推定された。この粗生成物から、周囲圧力の蒸留装置内の20トレイのカラムを通して99.5%の3CDSを含む生成物が蒸留された。
Claims (15)
- 還元に有効な量の水素化アルキルアルミニウムと、少なくとも4個のハロゲン原子を含むハロジシランと、溶媒とを、150℃未満の温度で混合すること、前記ハロジシランを還元してトリハロジシランとハロゲン化アルキルアルミニウムと前記溶媒とを含有する反応生成物混合物を形成すること、を含むトリハロジシランの製造方法。
- 前記溶媒が前記トリハロジシランの沸点よりも高い沸点を有し、前記混合が25℃より低い温度で行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記水素化アルキルアルミニウムが水素化ジイソブチルアルミニウムであり、前記ハロジシランがヘキサクロロジシランである、請求項1に記載の方法。
- 前記水素化アルキルアルミニウム対ハロジシランのモル比が3:1〜3.5:1である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記溶媒と前記ハロジシランを混合してハロジシラン−溶媒混合物を形成し、形成された前記ハロジシラン−溶媒混合物を前記水素化アルキルアルミニウムと混合することを更に含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記水素化アルキルアルミニウムを第2の溶媒と混合して水素化アルキルアルミニウム−溶媒混合物を形成すること、及び前記水素化アルキルアルミニウム−溶媒混合物を前記ハロジシラン−溶媒混合物に添加することにより前記ハロジシラン−溶媒混合物を前記水素化アルキルアルミニウムと混合することを更に含む、請求項5に記載の方法。
- 前記トリハロジシランを回収することを更に含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記トリハロジシランが蒸留により回収される、請求項7に記載の方法。
- 前記トリハロジシランが1,1,1−トリクロロジシランであり、前記ハロゲン化アルキルアルミニウムが塩化ジイソブチルアルミニウムである、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法により製造されたトリハロジシラン。
- 2%(w/w)未満のアルキルシランと98%(w/w)超のトリハロジシランとを含有するトリハロジシラン組成物。
- 前記組成物がハロゲン化アルキルアルミニウムを更に含有する、請求項11に記載の組成物。
- 基板上にケイ素含有膜を形成するのに十分な堆積条件下で、基板及び任意選択的な追加的な反応物が入っている反応器の中に、請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法によって製造されたトリハロジシランを入れることを含む、基板上へのケイ素含有膜の堆積方法。
- 前記追加的な反応物が酸素又は窒素である、請求項10に記載の方法。
- 前記ケイ素含有膜が、ALD、PEALD、サイクリックCVD、CVD、又はPECVDによって堆積される、請求項10又は11に記載の方法。
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